삼성전자는 메모리반도체 업계 경쟁사들이 잇달아 감산을 선언한 데 이어, 자사 3분기 반도체 영업 이익이 거의 ‘반토막’이 났지만, 인위적인 감산은 하지 않을 계획이며 오히려 대규모 시설투자를 계속한다는 방침을 재확인했다. 27일 한진만 삼성전자 부사장은 실적발표 뒤 이어진 컨퍼런스콜에서 “이달 초 ‘테크데이’ 행사에서 인위적 생산 감축은 고려하지 않는다고 했는데 기본 입장에 변화가 없다”며 “중장기 수요 대응을 위해 적정 수준의 인프라 투자를 계속할 것”이라고 말했다. 이어 “다만 시장 상황이 급격하게 변화하는지는 주의깊게 보고 있다”고 말했다. 한 부사장의 발언은 이날 전년 동기 대비 반도체 영업이익이 46%나 감소한 실적발표 직후에 나왔다. 반도체를 담당하는 DS부문 영업이익은 5조 1200억원으로, 지난해 3분기 10조 700억원에 비새 4조 9500억원(49.5%), 지난 분기 9조 9800억원에 비해 4조 8700억원(48.7%)이 줄어든 수치다. 그럼에도 삼성전자는 이날 시설투자 현황과 계획을 함께 발표했다. 3분기 시설투자 12조 7000억원 중 DS 부문에 11조 5000억원이 집중됐다. 올해 연간 시설투자액 약 54조원 중에서도 DS 부문이 47조 7000억원을 차지했다. 메모리의 경우, 평택 3·4기 인프라와 중장기 시장경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 중심 투자가 예상된다. 파운드리는 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 전략으로 수요에 신속하고 탄력적으로 대응한다는 방침 하에 EUV 첨단 공정 수요 대응을 위한 미국 테일러·평택 생산 능력 확대를 중심으로 투자가 집행될 예정이다. 한편 업계에 따르면 세계 3위 D램 업체인 미국 마이크론은 지난달 “2023 회계연도(2022년 9월~2023년 8월) 설비투자를 약 50% 축소, 공급을 줄이기 위한 조치를 시작했다”고 발표했다. 낸드플래시 세계 3위 업체인 일본의 키오시아도 “이달부터 웨이퍼 투입량을 30% 줄이겠다”고 선언했다. 여기에 전날 실적을 발표한 세계 2위 메모리 업체 SK하이닉스마저 감산을 공식화했다.

삼성전자가 주력인 메모리 반도체 업황 악화로 3분기 ‘어닝 쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 3분기 기준 최대 매출을 올리고도 영업이익은 전년 동기 대비 30% 넘게 급감했다.삼성전자는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 10조 8520억원으로 지난해 동기보다 31.39% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 27일 공시했다. 매출은 76조 7817억원으로 작년 동기 대비 3.79% 증가했다. 이는 3분기 기준 최대 매출로, 연간 기준으로도 지난해에 이어 사상 최대 매출을 기록할 전망이다. 삼성전자는 작년 3분기에 분기 매출 첫 70조원을 돌파한 뒤 올해 1분기까지 3개 분기 연속 역대 최고 매출 행진을 이어왔다. 2분기도 77조 2000억원으로 소폭 감소하기는 했으나 분기 기준으로는 최대였다. 다만 순이익은 9조 3892억원으로 23.62% 줄었다. 실적 하락은 메모리 반도체가 부진했고, 코로나19 특수가 사라지며 세트(완성품) 수요가 위축된 영향이 컸다. 부문별로 보면 DS(반도체) 부문은 매출 23조 200억원, 영업이익 5조 1200억원을 기록했다. 메모리 반도체의 경우 서버용은 고객사 재고 조정 영향이 예상보다 컸고 모바일과 PC 등 소비자용은 수요 둔화로 부진했다. 시스템 LSI도 소비자 제품용 부품 수요 둔화로 실적이 하락했다. 다만 파운드리(위탁생산)는 선단공정 수요와 긍정적인 환율 영향으로 최대 실적을 냈다.스마트폰(MX)과 디스플레이(SDC)도 양호한 성적을 거뒀다. 디스플레이는 3분기 매출 9조 3900억원, 영업이익 1조 9800억원을 기록했다. 스마트폰 업체의 신제품 출시와 환율 영향으로 중소형 실적이 대폭 성장했다. DX(Device eXperience) 부문은 3분기 매출 47조 2600억원, 영업이익 3조 5300억원을 기록했고, VD(영상디스플레이)·가전 부문은 글로벌 경기 위축에 따른 TV 등 세트 수요 부진과 원가 비용 상승으로 수익성이 크게 악화했다. 달러화의 강세가 DX 사업에는 부정적으로 작용했으나, 부품 사업에 대한 긍정적 영향이 이를 상회해 결과적으로는 전 분기 대비 약 1조원 수준으로 영업이익에 긍정적으로 작용했다. 3분기 시설투자는 12조 7000억원이며, 사업별로는 DS 11조 5000억원, SDC 5000억원 규모다. 3분기 누계로는 33조원이 집행됐으며 DS 29조 1000억원, SDC 2조 1000억원 수준이다. 올해 연간 시설투자는 약 54조원(DS 47조 7000억원, SDC 3조원) 수준으로 전망된다. 메모리 사업부에서는 평택 3, 4기 인프라와 중장기 시장경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 중심 투자가 예상된다. 삼성전자 관계자는 “내년은 거시경제 불확실성이 지속될 것으로 예상되나, 일부 수요 회복은 가능할 것으로 기대된다”며 “DDR5, LPDDR5X 등 신규 인터페이스 수요와 고용량 제품 수요 증가세에 적극 대응해 시장 리더십을 제고할 계획”이라고 말했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다. SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 전년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다.SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아·우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다. SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 늦출 계획”이라고 밝혔다. 노 사장은 미국의 대중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례 없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다.SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 작년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다. SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아-우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 컨퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”라면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다.SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 지연할 계획”이라고 밝혔다. 또 수익성이 낮은 제품을 중심으로 생산량을 줄여 시장의 수급 균형을 맞춰나가기로 했다. 노 사장은 미국의 대 중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.　

삼성전자가 최신 LPDDR5X D램으로 업계 최고 동작 속도 8.5Gbps를 구현했다. 삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB 패키지의 동작 속도를 검증했다고 18일 밝혔다. 지난 3월 퀄컴과 협력해 7.5Gbps를 검증한 지 5개월 만의 기술 혁신으로, 1Gbps 차이는 모바일 기기에 탑재 기준 초당 4GB의 FHD 영화 2편을 더 처리할 수 있는 속도다.저전력·고성능 강점을 갖춘 ‘LPDDR D램’은 모바일 시장을 넘어 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive) 등 다양한 분야로 급격하게 성장하고 있으며, 향후 인공지능(AI), 메타버스 등으로 시장이 더욱 확대될 전망이다. 최근 PC 시장에서는 패키지 크기는 작으면서도 고성능·저전력 특성을 갖춘 메모리가 요구되고 있어 LPDDR D램 탑재가 증가하고 있으며, 데이터센터 등 서버 시장에서도 LPDDR D램을 채용할 경우 데이터를 처리하는 데 소요되는 전력과 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용을 절감할 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 또한 전장 분야에서도 센서를 통해 수집되는 대용량 데이터의 빠른 처리가 중요해짐에 따라 LPDDR D램이 주목받고 있다. 삼성전자 LPDDR5X D램의 8.5Gbps 동작 속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작 속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일AP 간 통신 신호의 노이즈 영향을 최소화해주는 핵심 회로 설계 기술인 ‘고속 입출력 신호 개선 설계’ 등을 적용했다.삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “삼성전자는 퀄컴과의 협력을 통해 LPDDR5X D램의 업계 최고 동작 속도를 구현하고, 초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다”라면서 “삼성전자는 퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하는 등 메모리와 모바일AP 간의 기술 협력과 함께 초고속 메모리 시장 확대에 적극 나서겠다”고 말했다. 삼성전자의 올해 2분기 저전력 D램 시장 점유율은 57.7%로 압도적인 세계 1위를 유지하고 있으며, 경쟁 기업 대부분 1분기 대비 점유율이 하락했음에도 삼성전자는 2%포인트 상승했다. 삼성전자 관계자는 “삼성의 경쟁력 핵심은 저전력과 고성능을 동시에 구현할 수 있는 설계 기술을 갖고 있다는 것”이라면서 “차세대 저전력 D램의 신시장 개척을 위해 다양한 기업들과 협력하고 생태계를 더욱 확장해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

반도체 분야에서 화웨이 등 개별 중국기업이나 극자외선(EUV) 노광장비 등 특정 생산장비를 지목해 제재하던 미국이 전례없이 광범위한 대중 수출 통제 조치를 부과했다. 자국의 전략적 경쟁자인 중국의 첨단기술 경쟁력 확보를 차단한다는 의도로, 미중 간 기술패권을 둘러싼 갈등이 심화될 것으로 보인다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)이 지난 7일(현지시간) 연산 능력 100페타플롭스(PFLOPS·1초당 1000조번 연산) 이상의 슈퍼컴퓨터에 사용하는 반도체와 AI 학습용칩 등을 중국에 수출하려면 미 당국의 허가를 받도록 했다. 이는 미 정부의 보조금을 받으면 10년간 중국 반도체 공장에 첨단시설 투자를 막는 지난 8월 반도체과학법보다도 직접적이고 강력한 조치라는 평가가 나온다. 또 BIS는 미국 기업이 18nm(나노미터·10억분의1m) 이하 D램, 16nm 내지 14nm 이하 시스템 반도체, 128단 이상 낸드 플래시 등에 쓰이는 반도체 장비를 중국에 수출하지 못하게 했다. 이런 장비를 중국 기업이 소유한 중국 소재 공장에 수출하는 것은 사실상 전면 금지되고 외국기업이 소유한 경우는 미 당국이 개별 심사로 결정한다. 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 내 공장에 이런 최첨단 반도체 장비를 구비하려면 미국 정부의 개별 승인이 필요하다는 의미다. BIS는 이미 블랙리스트인 ‘수출통제명단’(entity list)에 오른 28개 중국 기업 외에 애플이 메모리칩을 구매키로 선정했던 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 31개 업체를 ‘미검증명단’(unverified list)으로 추가했다. 미국의 이번 조치는 미래 먹거리를 중국에 내주지 않겠다는 의지가 반영됐다는 분석이 적지 않다. 또 이런 조치가 미국에 피해가 될 수 있다는 지적도 나온다. 중국은 강력 반발했다. 마오닝 중국 외교부 대변인은 지난 8일 정례 브리핑에서 “미국이 과학기술과 경제·무역 문제를 정치 도구화·무기화하고 있지만 중국의 발전을 막을 수는 없을 것”이라며 “자기 봉쇄이자 자해”라고 비판했다.  

슈퍼컴·AI 반도체 中 수출시 당국 허가최첨단 반도체 장비 中 수출때도 필요화웨이·노광장비 등 특정 제재와 달라한국기업 중국 공장 장비는 개별 심사中 정부, 자국 내 미국 기업 보복 우려반도체 확보 위해 대만갈등 표면화 우려 반도체 분야에서 화웨이 등 개별 중국기업이나 극자외선(EUV) 노광장비 등 특정 생산장비를 지목해 제재하던 미국이 전례없이 광범위한 대중 수출 통제 조치를 부과했다. 자국의 전략적 경쟁자인 중국의 첨단기술 경쟁력 확보를 차단한다는 의도로, 미중간 기술패권을 둘러싼 갈등이 심화될 것으로 보인다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)가 지난 7일(현지시간) 연산 능력 100페타플롭스(PFLOPS·1초당 1000조번 연산) 이상의 슈퍼컴퓨터에 사용하는 반도체와 AI 학습용칩 등을 중국에 수출하려면 미 당국의 허가를 받도록 했다. 이는 미 정부의 보조금을 받으면 10년간 중국 반도체 공장에 첨단시설 투자를 막는 지난 8월 반도체과학법보다도 직접적이고 강력한 조치라는 평가가 나온다. 여기에는 소위 화웨이식 제재라고 불리는 ‘해외직접생산규칙’(FDPR)이 적용된다. 제3국 기업이 만든 제품이라도 미국 기술 등이 10% 이상 사용됐다면 역시 수출이 금지된다. 또 BIS는 미국 기업이 18nm(나노미터·10억분의 1m) 이하 D램, 16nm 내지 14nm 이하 시스템 반도체, 128단 이상 낸드 플래시 등에 쓰이는 반도체 장비를 중국에 수출하지 못하게 했다. 이런 장비를 중국 기업이 소유한 중국 소재 공장에 수출하는 것은 사실상 전면 금지되고, 외국기업이 소유한 경우는 미 당국이 개별 심사로 결정한다. 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 내 공장에 이런 최첨단 반도체 장비를 구비하려면 미국 정부의 개별 승인이 필요하다는 의미다. BIS는 이미 블랙리스트인 ‘수출통제명단’(entity list)에 오른 28개 중국 기업 외에 애플이 메모리칩을 구매키로 선정했던 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 31개 업체를 ‘미검증명단’(unverified list)으로 추가했다. 신뢰성 검증이 힘든 기업이라는 의미이나, 이들도 여차하면 수출통제명단에 오를 수 있어 사실상의 수출통제대상으로 여겨진다. 그간 특정 중국 기업이나 특정 반도체 장비의 중국 수출을 막았다면 이번에는 종합판이다. 반도체과학법의 경우 미 행정부의 보조금이 떨어지면 제재 효과가 크게 약해지나, BIS의 수출통제조치는 효과가 지속적이다.상무부는 “이번 수출 통제는 중국이 첨단 컴퓨팅 칩을 확보하고, 슈퍼컴퓨터와 첨단 반도체를 개발·유지하기 위한 능력을 제한할 것”이라며 “중국은 이 장치와 능력을 대량살상무기(WMD)를 비롯한 첨단 무기 시스템 생산, 자동 군사 시스템, 인권 유린 등에 사용하고 있다”고 비판했다. 하지만 이보다는 미래 먹거리를 중국에 내주지 않겠다는 의지가 반영됐다는 분석이 적지 않다. 또 이런 조치가 미국에도 피해가 될 수 있다는 지적도 나온다. 라케시 쿠마르 일리노이대 컴퓨터공학과 교수는 포천에 “중국도 자국 내 미국 기업에 보복 조치를 할수 있다. 또 (이번 대중수출금지로) 중국은 러시아·이란과 가까워지고 반도체 확보를 위해 대만을 공개 압박할 수 있다”며 “상대를 넘어뜨리는 것보다 좋은 전략을 더 빨리 달리는 것”이라고 말했다. 중국은 강력 반발했다. 마오닝 중국 외교부 대변인은 지난 8일 정례 브리핑에서 “미국이 과학기술과 경제·무역 문제를 정치 도구화·무기화하고 있지만 중국의 발전을 막을 수는 없을 것”이라며 “자기 봉쇄이자 자해”라고 비판했다. 이어 “미국의 이런 행태는 국제 과학기술 교류와 경제·무역 협력을 방해하고 글로벌 산업·공급망 안정과 세계 경제 회복에 충격을 줄 것”이라고 주장했다.

올겨울 러시아가 유럽에 대한 가스공급을 전면 중단하면 조선·반도체·자동차 등 우리나라 주력 산업이 타격을 받을 것이라는 분석이 나왔다. 유럽산 자본재와 중간재의 공급 부족이 우리 산업의 생산 차질로 이어질 수 있어서다. 한국은행은 15일 ‘러시아 가스공급 중단 관련 EU 생산차질 및 국내산업 리스크 점검’ 보고서를 통해 “EU에서 광범위한 생산차질 발생하면 조선·반도체·자동차에서 EU발 핵심 자본재·중간재 공급부족에 따른 생산차질이 우려되고, 화학·철강 등은 생산원가가 상승할 것으로 예상된다”고 밝혔다. 보고서는 우크라이나 사태 장기화로 올겨울 러시아의 유럽 가스공급 전면 중단 가능성을 배제할 수 없는 상황이라고 진단했다. 국제통화기금(IMF) 등의 분석에 따르면 가스공급이 중단되면 향후 1년간 EU의 경제 성장률은 0.4~2.6% 포인트 떨어지고, 산업 측면에서의 생산 차질도 클 것으로 예상된다. 보고서는 가스공급 부족으로 EU 경제의 생산 감소가 지속되면, 국내 산업도 에너지 시장 수급 불안, 주력 산업의 생산 차질과 원가 상승 등을 겪을 것으로 내다봤다. 우선 현재 국내 액화천연가스(LNG)가 예년의 평균치를 크게 밑도는 상황에서 각국의 LNG 확보 경쟁이 치열해지면 국내 에너지 수급이 원활하지 않을 수도 있다고 봤다. 이에 따라 LNG 가격이 상승하면 전기와 가스요금의 인상 압력도 키울 것으로 우려된다. 국내 산업 중에서는 EU산 자본재·중간재 의존도가 높은 조선·반도체·자동차는 공급 부족으로 생산 차질을 겪을 수 있다. 보고서는 “핵심 반도체제조용장비(EUV·극자외선 노광장비)는 세계 유일 생산업체인 네덜란드 ASML에서 전량 수입한다”며 “조선업도 독일·오스트리아 등으로부터 수입하는 선박 엔진 부품, 자동위치유지장치(DPS) 등을 대체하기 어렵다”고 설명했다. 자동차 산업도 차량용 반도체 점유율 1~2위 기업인 독일의 인피니온, 네덜란드의 NXP가 생산 차질을 빚으면 부품 수급에 어려움을 겪을 수 있다. 화학·철강 업종은 생산원가 부담이 커져 수익성 악화가 예상된다. 김남주 한은 동향분석팀 차장은 “러시아의 가스공급 중단에 따른 경제 충격에 대비해 에너지 수급 안정 노력을 강화하고, 경제 영향이 큰 수입 품목을 중심으로 선제적 재고 확보, 수입선 다변화 등이 필요하다”고 말했다.

재택근무의 상시 운용을 넘어 국내 휴양지에서 일정 기간 거주하며 업무를 병행하는 ‘워케이션’(일과 휴가의 합성어)과 같은 ‘근무 복지’가 해외로 영역을 확장하고 있다. 구성원들에게는 단기 해외 연수를 간접 체험할 수 있는 기회를 제공하면서 직원 개인의 업무 전문성을 높이고 해외 비즈니스 네트워크도 강화할 수 있다는 게 기업들의 시각이다. SK하이닉스는 자사 해외 법인을 비롯해 네덜란드 ASML 등 해외 핵심 협력사에서 5주간 업무를 수행하는 사내 프로그램 ‘GXP’를 신설했다고 13일 밝혔다. GXP는 장기 출장과 유사한 개념이지만 회사의 필요에 따라 장소와 일정, 업무 등이 정해지던 기존 출장과 달리 직원 개인의 희망에 따라 해외 근무 회사와 업무를 결정할 수 있다. GXP에 선정되면 자신이 신청한 해외 사업장에서 본인이 국내에서 하던 기존의 업무와 현지의 새 업무를 병행하게 된다. 미국·중국·일본·독일 SK하이닉스 법인과 ASML, 미국 램리서치, 일본 도쿄 일렉트론 등 주요 협력사 등이 포함된다. 선정된 직원은 항공료과 숙박비, 렌터카 등을 지원받는다. SK하이닉스 관계자는 “5주간 근무지를 해외로 옮겨 하루의 시간을 나눠 국내 업무와 해외 업무를 진행하는 개념”이라면서 “국내와 해외 업무 비중은 논의를 거쳐 유동적으로 조정할 수 있다”고 설명했다. SK하이닉스의 협력사 가운데 ASML은 첨단 반도체 공정에 필수인 극자외선(EUV) 노광장비를 글로벌 시장에 독점적으로 공급하고 있는 ‘슈퍼을’로 불리는 회사다. 지난 3월 박정호 부회장이 ‘글로벌 거점 오피스’ 도입 검토를 언급한 SK하이닉스는 GXP 프로그램을 우선 운영하며 해외 근무 수요와 효과 등을 분석할 방침이다. 온라인 플랫폼 기업들은 이보다 앞서 다양한 형태의 해외 원격 근무 시스템을 도입했다. 네이버 관계사인 라인플러스는 지난 7월부터 몰디브·괌·사이판·호주 등 한국과 시차가 4시간 이내인 국가라면 어디든지 최장 90일간 현지에서 근무할 수 있는 제도를 운용하고 있다. 지난해 6월 중 3주 기간으로 처음 워케이션을 도입한 택스(세금)테크 스타트업 자비스앤빌런즈는 올해부터는 6월부터 8월 중 1개월간 국내외 어디서든지 근무를 허용하는 방식으로 활용 보폭을 넓혔다. 여행 플랫폼 마이리얼트립 직원들은 1년 내내 해외에서 원격근무를 할 수 있다. 재계 관계자는 “코로나19를 계기로 일하는 방식의 변화가 활발해졌고 이는 직원 복지 향상에 더해 업무 효율성 증대라는 효과까지 내는 것으로 분석된다”며 “IT 기업을 중심으로 시작된 근무 실험은 더 다양한 업종으로 확산될 것으로 보인다”고 말했다.

재택근무 상시 운용을 넘어 국내 휴양지에서 일정기간 거주하며 업무를 병행하는 ‘워케이션’과 같은 ‘근무 복지’가 해외로 영역을 확장하고 있다. 구성원들에게는 단기 해외 연수를 간접 체험할 수 있는 기회를 제공하면서 직원 개인의 업무 전문성을 높이는 동시에 해외 비즈니스 네트워크도 강화할 수 있다는 게 기업들의 시각이다.SK하이닉스는 자사 해외 법인을 비롯해 네덜란드 ASML 등 해외 핵심 협력사에서 5주간 업무를 수행하는 사내 프로그램 ‘GXP’(Global eXperience Program)을 신설했다고 13일 밝혔다. GXP는 장기 출장과 유사한 개념이지만 회사의 필요에 따라 장소와 일정, 업무 등이 정해지던 기존 출장과 달리 직원 개인의 희망에 따라 해외 근무 회사와 업무가 결정된다. GXP에 선정되면 자신이 신청한 해외 사업장에서 본인이 국내에서 하던 기존의 업무와 현지의 새 업무를 병행하게 된다. 미국·중국·일본·독일 SK하이닉스 법인과 ASML, 미국 램리서치, 일본 도쿄 일렉트론 등 주요 협력사 등이 해외 근무지에 포함된다. 회사는 선정된 직원에게는 항공과 숙박, 렌터카 등을 지원할 예정이다. SK하이닉스 관계자는 “5주간 근무지를 해외로 옮겨 하루의 시간을 나눠 국내 업무와 해외 업무를 진행하는 개념”이라면서 “국내와 해외 업무 비중은 논의를 거쳐 유동적으로 조정할 수 있다”고 설명했다. 이 관계자는 “해외 협력사의 경우 SK하이닉스와 다양한 사업을 병행하고 있는 만큼 본사 직원을 파견 받은 협력사는 양사 사업 비전을 더 구체적으로 공유하고 네트워킹도 넓힐 수 있다”고 덧붙였다. SK하이닉스의 협력사 가운데 ASML은 첨단 반도체 공정에 필수인 극자외선(EUV) 노광장비를 글로벌 시장에 독점적으로 공급하고 있는 ‘수퍼을’로 불리는 회사다. 지난 3월 박정호 부회장이 ‘글로벌 거점 오피스’ 도입 검토를 언급한 SK하이닉스는 GXP 프로그램을 우선 운영해 해외 근무 수요와 효과 등을 분석할 방침인 것으로 전해졌다.온라인 플랫폼 기업들은 이보다 앞서 다양한 형태의 해외 원격 근무 시스템을 도입했다. 네이버 관계사인 라인플러스는 지난 7월부터 한국과 시차가 4시간 이내인 국가라면 어디든지 최장 90일간 현지에서 근무할 수 있는 제도를 운용하고 있다. 여행 플랫폼 마이리얼트립은 임직원이 전 세계 어디서든지 원격근무를 할 수 있는 제도를 마련해 해마다 150만원 상당의 별도 여행 포인트도 제공하고 있다.

산업부 “가스안전분야 규제 혁신” 발표정부가 반도체 산업 지원을 위해 가스안전분야 규제혁신에 나섰다. 극자외선 파장(EUV) 장비의 국내 반입을 촉진시키고 반도체 공장증설의 애로사항을 해결하며며, 각종 검사 절차를 기업 요구에 맞춰 간소화시키는 정책 등이 수립된다. 산업통상자원부는 반도체 산업에 사용되는 고압가스에 대한 안전혁신과제 11건을 선정하고, 고압가스 관련 반도체 생산장비 및 저장설비 등에 대한 7개 과제를 전문가 검토를 거쳐 신속히 개선해 나갈 계획이라고 12일 발표했다. 법 개정 사안이거나 각종 기준 마련이 선행되어야 하는 나4건에 대해선 중장기 검를 하기로 했다. 앞서 지난 7월 20일 삼성 등 반도체기업과의 간담회 및 이후 현장방문 과정에서 제시된 과제들을 해결하는 조치다. 정부는 우선 극자외선을 이용해 반도체 회로를 그리는 노광장비로 네덜란드 ASML이 독점 생산하는 EUV 장비 선점을 위해 신소재배관 사용근거를 신설하기로 했다. 반도체 공장증설 과정에서의 편의를 높이기 위해 방호벽 지주설치 방법 및 재질을 다양화 할 수 있도록 근거 기준도 마련하기로 했다. 아울러 가연성 고압가스 저장용기 캐비닛 실내보관 기준을 완화키로 했다. 설치·장비 관련 규제 뿐 아니라 각종 인허가를 간소화하는 방안도 추진된다. 저압으로 수소를 소비하는 반도체 생산장비는 검사 대상에서 제외키로 했고, 분배장치(VMB)부터 생산장비까지 저압수소 배관을 사업자 자율검사 대상으로 두기로 했다. EUV 장비 국내반입 시 국제공인기관 검사결과를 인정하는 방식을 활용, 국내 검사기간을 기존 26주에서 2일로 줄일 계획이다. 산업부는 또 ▲공압가스 실린더 캐비닛 대표설비 검사 허용 기준 마련 ▲반도체 산업관련 고압가스 안전관리자 선임 기준 완화 ▲반도체 등 제조업 생산시설에 대한 고압가스법 적용 완화 ▲소화설비 관련 중복 인허가·검사 관련법 일원화 적용 등을 중장기 과제로 검토할 계획이다.

“사업이 안 좋습니다. 올해 하반기도 안 좋을 것 같고, 내년도 뚜렷히 좋아질 모멘텀이 보이지 않습니다.” 지난 7일 기자단을 만난 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)의 반도체 시장 전망은 매우 부정적이었다. 그간 해외 시장 조사기관과 국내 반도체 전문가들의 부정 전망은 잇달았지만, 삼성의 반도체 사업을 총괄하는 책임자의 입에서 직접 나온 시장 전망이라 그 무게감은 남달랐다.통상 경영인은 시장의 부정적 전망에도 ‘사업 전략 다변화’, ‘수익 구조 다각화’와 같은 긍정적인 신호를 주기 위해 노력하지만, 경 사장은 현실을 냉철히 직시하고 위기감을 공유하면서 대안을 제시하는 전략을 택한 것으로 보인다. “기회는 위기 속에 있으며, 위기에 더 많이 투자해 경쟁력을 확보한다”는 게 경 사장이 강조한 경영 철학이었다. 10일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 2024년부터 반도체 시황 반등을 기대하며 이에 맞춰 투자 방향을 재설정 하고 있다. 당장은 글로벌 반도체 수요가 하락하더라도 ‘혹한기’가 끝나고 다시 상승 사이클로 접어드는 시기를 대비하기 위해서는 시장 상황이 어려운 지금부터 설비에 투자해야 한다는 시각이다. 앞서 대한상공회의소가 국내 반도체 전문가 30명을 대상으로 진행한 산업 경기 인식 조사에 따르면 응답자의 58.6%가 ‘내후년 이후에도 반도체 위기가 지속될 것”이라고 내다봤다. 24.1%는 현재의 위기 상황이 내년까지 이어질 것으로 봤고, 13.9%는 내년 상반기 이후부터는 다시 회복세를 보일 것으로 기대했다. 경 사장의 시장 전망은 전문가들의 시각과도 일부 부합한다. 하지만 그는 “항상 보면 안 좋은 위기는 좋은 기회가 될 수 있고, 정해진 투자를 조절하는 등 안 좋은 구간이 지났을 때 우리의 위치가 지금보다 더 나아지는 방향으로 갈 수 있는 기회로 삼겠다”며 ‘터널의 끝’을 언급했다. 지난 7월 낸드플래시 양산을 시작으로 평택 캠퍼스 신규 3공장(P3) 부분 가동에 들어간 삼성전자는 연내 3공장 건설을 마무리 짓고 해당 시설에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 첨단 파운드리(위탁생산) 공정 설비까지 완비할 방침이다. 시장 상황에 따라 D램과 낸드, 파운드리까지 유연하게 가동하겠다는 뜻이다.이에 앞서 SK하이닉스는 반도체 업계에서는 최근 주춤했던 신규 투자 소식을 알렸다. SK하이닉스는 오는 10월 충북 청주에 신규 반도체 생산시설인 M15X를 신축하기로 하고, 앞으로 5년간 총 15조원을 투자하기로 했다. 이는 지난 6월 이사회가 시장 불확실성 증가를 이유로 증설 계획을 보류한 M17 공장 프로젝트와는 별개의 사업이다. SK하이닉스 측은 M15X 증설 계획을 발표하면서 “반도체 시장 위기가 2024년까지 이어질 수 있다는 전망도 지배적이지만, M15X는 시장이 다시 반등하는 상황을 미리 대비하기 위한 것”이라고 설명했다. 한 반도체 기업 관계자는 “반도체 업황은 과거의 사이클과는 비교할 수 없을 정도로 그 주기가 짧아지고 있다”라면서 “지금 대비하지 않으면 다시 호황기로 접어들 때 이 흐름에 올라타지 못하고 글로벌 경쟁에서 뒤처지게 되는 것”이라고 말했다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템 반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.” 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다.경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 이날 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령이 평택 캠퍼스를 방문했을 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 대해 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하며 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려 나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 지난 7월부터 낸드플래시 양산에 들어간 3공장은 평택 캠퍼스 내에서도 가장 큰 규모로 조성되고 있다. 공장 전체 면적은 99만㎡로 이는 축구경기장 25개를 합쳐 놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 각 공정은 100% 자동화로 24시간 중단 없이 진행된다. 3공장 완공 이후 289만㎡(약 87만평) 부지의 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성한다는 게 삼성전자의 장기 비전이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

인텔의 팻 겔싱어 CEO와 주요 개발자들은 최근 열린 핫 칩 34 컨퍼런스에서 여러 가지 내용을 공개했습니다. 특히 주목할 부분은 2023년 출시 예정인 메테오 레이크 (14세대 코어 프로세서)에 대한 내용입니다. 작년 12세대 코어 프로세서인 엘더 레이크에서 큰 변화를 시도했던 인텔은 올해 하반기에는 엘데 레이크의 개량형인 랩터 레이크를 내놓으면서 한 템포 천천히 갈 계획입니다. 그리고 내년 메테오 레이크를 출시하면서 또 한 번 근본적인 변화를 시도하고 있습니다. 메테오 레이크의 가장 큰 변화는 타일 구조와 타일들을 하나로 묶는 3D 포베로스 (Foveros) 기술의 도입입니다. 메테오 레이크는 CPU 코어 부분과 I/O, SoC, 그래픽 부분을 각각 제조해 하나로 합치는 방법을 사용합니다. 하나의 칩으로 하나의 CPU를 만드는 방식에서 탈피한 이유는 미세 공정으로 갈수록 제조 비용이 치솟아 하나의 큰 칩을 제조하는 것이 부담되기 때문입니다. 여러 개의 작은 칩렛 (인텔은 타일이라고 명명)을 하나의 프로세서처럼 연결하는 반도체 기술 발전도 역시 중요한 이유입니다. 인텔의 실험적인 저전력 프로세서였던 레이크필드에서 처음 선보인 3D 포베로스 기술이 그것으로 저렴한 인터포저/베이스 다이 위에 타일들을 붙여 서로 연결하는 구조입니다.그런데 메테오 레이크의 타일 구조를 보면 인텔이 웃을 수만은 없는 상황이라는 점을 알 수 있습니다. 최근 알려진 내용을 종합하면 인텔 4 공정으로 제조한 것은 CPU 타일뿐이고 나머지 3개의 타일은 TSMC의 5nm (그래픽 타일), 6nm (IOE 및 SoC 타일) 공정으로 제조했기 때문입니다. 타일을 붙이는 기반이 되는 인터포저/베이스 타일은 인텔이 제조하지만 연산 로직이 없는 부분입니다. 실제 프로세서라고 부를 수 있는 부분 가운데 그래픽 부분만이 아니라 상당히 많은 부분을 TSMC에 의존하고 있는 셈입니다. 과거에도 인텔은 외부 파운드리를 가끔 사용한 적이 있었지만, 주력 제품인 CPU에 이렇게 광범위하게 사용한 적은 처음입니다. 그것도 파운드리 사업에 뛰어들면서 경쟁자 관계가 된 TSMC에 의존한다는 것은 아이러니한 상황입니다. 상대방 매출을 올려줄수록 경쟁자를 따라잡기 힘들어지기 때문입니다. 생각보다 TSMC 제조 부분이 큰 이유는 상대적으로 저렴한 가격과 인텔의 초기 EUV 팹 생산 능력 한계 때문으로 추정됩니다. 물론 현재 공격적으로 반도체 팹 증설에 나선 인텔의 계획이 순조롭게 진행되면 이 문제는 순차적으로 해결될 것입니다. 하지만 당분간은 TSMC의 도움이 필요합니다. 로드맵을 보면 메테오 레이크 다음인 애로우 레이크와 루나 레이크도 여전히 외부에서 제조한 그래픽 타일을 사용합니다.물론 인텔의 생각할 수 있는 최악이 상황은 일시적으로 TSMC에 대한 의존도가 높아지는 것이 아니라 메테오 레이크의 성능이 기대에 미치지 못하는 경우입니다. 사실 소비자 입장에서는 TSMC에서 제조된 부분이 얼마나 많은가 보다는 성능과 가격이 더 중요합니다. 강력한 경쟁 상대로 떠오른 AMD를 제압할 수 있는 성능과 적당한 가격을 제시한다면 인텔은 다시 시장을 주도하면서 실적도 다시 회복할 수 있을 것입니다. 그리고 후속작인 애로우 레이크와 루나 레이크 개발도 탄력을 받을 것입니다. 메테오 레이크는 여러 개의 칩을 하나로 묶어 다양한 프로세서를 제조하는 인텔의 새로운 제조 전략이 성공할 것인지를 판단할 수 있는 중요한 시험대가 될 것입니다. 계획대로 2023년 하반기에 메테오 레이크가 등장하면 이 질문에 대한 답을 알 수 있을 것입니다.  

첨단 기술 공급망에서 중국을 배제하려는 미국의 거센 압박에도 베이징의 ‘반도체 굴기’가 속도를 내고 있다. 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 중신궈지(SMIC)가 ‘마의 영역’으로 여겨지던 7나노미터(㎚) 공정 개발에 성공하면서 파운드리 선두 주자인 TSMC·삼성전자와의 기술 격차를 2년 이내로 바짝 좁혔다. 27일 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 캐나다 기술분석 회사 테크인사이츠는 최근 중국 가상자산(암호화폐) 관련 장비업체 마이너바의 채굴기에 탑재된 SMIC 반도체를 분석한 결과 “이 회사가 7㎚ 공정 능력을 확보했다”고 결론 내렸다. 마이너바는 지난해 7월부터 해당 반도체를 사용해 왔다. 7㎚ 이하 반도체를 양산하려면 반드시 네덜란드 회사 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 갖춰야 한다. 미국이 중국 기업들의 EUV 장비 도입을 금지했음에도 SMIC는 7㎚ 공정을 완성했다. 현재 이 회사는 레거시(성숙) 반도체인 28㎚ 공정을 주력으로 삼는데, 곧장 7㎚로 직행하면서 TSMC·삼성전자와의 기술 격차를 기존 5~6년에서 2년 이내로 좁혔다. 미 정보기술(IT) 매체 WCCF테크는 “중국이 미국의 눈을 피해 EUV 장비를 확보했다는 주장에 힘이 실린다”고 전했다. 대만 매체 아시아타임스도 “SMIC의 7㎚ 칩이 TSMC 제품과 설계가 유사하다”며 도용 의혹을 제기했다. 앞서 월스트리트저널은 지난 24일 국제반도체장비재료협회(SEMI) 집계를 인용해 “2021~2024년에 중국이 신설하려는 반도체 공장이 31곳”이라고 설명했다. 같은 기간 대만(19곳)과 미국(12곳)이 계획한 건설 건수를 압도한다. SCMP는 “미국의 다양한 압박에도 중국이 반도체 기술 자립의 돌파구를 마련했다. 워싱턴은 중국을 길들이고자 더 많은 규제를 꺼내 들 수 있다”고 내다봤다. 한편 ABC방송은 26일(현지시간) 미 공화당 의원들이 “중국이 2013년부터 미 중앙은행인 연방준비제도이사회(연준)에 정보원 13명을 심어 민감한 정보를 빼내려 했다”고 밝혔다고 보도했다. 이에 대해 제롬 파월 연준 의장과 주미 중국대사관은 “근거가 분명하지 않다”고 공화당의 주장을 반박했다.

삼성전자는 업계 최고 속도인 ‘24Gbps GDDR6 D램’을 개발했다고 14일 밝혔다. 이 제품은 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 3세대 10나노급 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다.이번 D램은 18Gbps GDDR6 D램 대비 동작 속도가 30% 이상 향상됐다는 게 삼성전자 측 설명이다. 삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해, 인공지능(AI)과 그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보하면서도 업계 최고 속도를 구현한 것으로 전해졌다. 신제품을 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재할 경우 최대 초당 1.1TB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용해 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. 동작 전압을 기존 1.35V보다 낮은 1.1V까지 지원해 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 증가할 것으로 전망된다. 특히 PC와 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 더욱 차별화된 사용자 경험을 제공할 것으로 주목받고 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “‘24Gbps GDDR6 D램’은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정”이라면서 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고, 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

삼성전자, 세계 최초로 GAA 기술 3나노 양산 시작‘파운드리 1위’ 대만 TSMC보다 기술적 우위 점해기존 핀펫 기술 대비 전력·면적 줄이고 성능 높아져고객사·수율 확보가 관건…“수율 충분한 수준 달성”삼성전자가 세계 최초로 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 기술을 적용한 3나노(㎚·나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 1987년 설립돼 35년 역사를 자랑하는 파운드리 시장 1위 대만의 TSMC보다 2017년 독립사업부로 승격돼 5년 남짓된 삼성전자가 기술적 우위에 선 것이다. 삼성전자는 3나노 파운드리 공정을 ‘게임 체인저’로 삼고 1위 추격에 나설 계획이다. 30일 삼성전자에 따르면 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 특히 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스를 시작하는 것은 삼성전자가 전 세계에서 유일하다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 ‘채널’ 4개면을 스위치 역할을 하는 ‘게이트’가 상하좌우 전방위 4개면을 감싸는 형태로 이뤄져 있다. 이는 위·왼쪽·오른쪽 3개면만 감싸는 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적도 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 더욱 발전된 GAA 2세대 공정과 비교하면 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 효과가 기대된다.삼성전자는 칩의 설계와 검증 작업도 효율적이고 빠르게 진행하기 위한 파트너십을 가동한다고 밝혔다. 이른바 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너인 시높시스, 케이던스 등과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공해 고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나가겠다는 계획이다. 상카 크리슈나무티 시높시스 실리콘 리얼라이제이션그룹 총괄 매니저는 “시높시스는 삼성전자와 장기적·전략적 협력관계를 유지하고 있다”면서 “삼성전자와의 GAA기반 3나노 협력은 향후 시높시스의 디지털 디자인, 아날로그 디자인, IP 제품으로 계속 확장되어, 주요 고성능 컴퓨팅 어플리케이션을 위한 차별화된 SoC를 제공할 것이다”고 말했다. 삼성전자가 파운드리 시장을 적극 두드리는 것은 높은 성장성 때문이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부 2021년 매출은 약 169억 달러로, 처음 파운드리 사업부 자체로 매출 집계가 시작된 2018년(117억 달러)와 비교해 연평균 약 13%의 고성장을 이어가고 있다. 같은 기간 파운드리 시장 연평균 성장률(12%)보다 높은 수준이다. 파운드리 고객사도 2017년 30곳에서 지난해 100곳 이상으로 4년 만에 약 3배 이상 증가했다. 삼성전자 관계자는 “2026년까지 300곳 이상 확보하는 것이 목표”라고 밝혔다. 최근 이재용 삼성전자 부회장도 유럽 출장에서 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조했다.특히 이번 3나노 양산은 파운드리 시장에서 압도적 1위 자리에 있는 TSMC보다 기술적 우위를 선점했다는 측면에서 의미가 크다. TSMC는 올 하반기에 GAA가 아닌 기존 핀펫 기반 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 옴디아에 따르면 지난해 기준 TSMC가 전 세계 파운드리 시장 매출의 49.5%를 차지하고 있고, 뒤이어 삼성전자(16.3%), UMC(7.3%) 글로벌파운드리(5.8%), SMIC(4.8%) 순으로 이어지고 있다. 결국 삼성전자의 최우선 과제는 고객사 추가 확보를 통해 점유율을 가져오는 것에 있다. 3나노 파운드리 고객사로는 현재 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체) AMD, 퀄컴 등이 거론되고 있다. 특히 조 바이든 미국 대통령이 지난달 삼성전자 평택공장을 방문했을 때 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO)도 동행해 3나노 반도체를 직접 확인하기도 했다. 충분한 수율 확보도 관건이다. 예를 들어 수율이 60%라면 10개 제품을 생산해 4개 제품은 불합격을 받는다는 의미다. 삼성전자는 앞서 4나노 공정 수율에서 TSMC에 못 미쳤다는 평가를 받았지만, 3나노 공정 수율은 크게 개선된 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “구체적인 수율을 밝힐 수는 없지만, 원활한 공급이 가능하다고 판단되는 수준까지 올라왔다”고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트’, 핀펫, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”면서 “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 밝혔다.

“불확실성 속 저희가 할 일은 좋은 인재 모셔오는 것 예측불가 변화 적응토록 유연한 조직 문화 만들겠다” 이재용 삼성전자 부회장이 18일 오전 12일간의 유럽 출장을 마치고 돌아온 자리에서 “아무리 생각해 봐도 첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술이라는 생각이 들었다. 열심히 하겠다”고 각오를 전했다.그러면서 그는 “한국에선 못 느꼈는데 유럽에선 러시아·우크라이나 전쟁이 훨씬 더 느껴지더라”면서 “시장의 여러 가지 혼돈과 변화, 불확실성이 많은데 저희가 할 일은 좋은 사람을 모셔오고 조직이 예측할 수 있는 변화에 적응할 수 있도록 유연한 문화를 만드는 것”이라고 강조했다. 지난 7일부터 네덜란드, 벨기에, 헝가리, 독일 등 유럽 주요 현장을 누비며 파트너사 경영진들과 현지 법인장 등을 두루 만나고 온 이 부회장은 이날 오전 9시 38분쯤 전세기 편으로 김포공항에 도착했다. 타이를 매지 않은 짙은 남색 정장 차림의 이 부회장은 반년 만의 출장을 다녀온 소감을 묻는 기자들의 질문에 “몸은 피곤했지만 좋았다”고 첫 마디를 열었다. 그는 “고객들도 만날 수 있었고 유럽에서 연구하고 있는 연구원들도 만날 수 있었고, 우리 영업 마케팅으로 고생하는 친구들도 만날 수 있었다”고 말했다. 그러면서 이 부회장은 “배터리 공장도 갔었고 BMW 고객도 만났고 하만 카돈이라고 전장회사 산 것도 있는데 거기도 갔었다”며 “급변하는 자동차 업계의 변화상을 피부로 느낄 수 있었다”고 설명했다. 헝가리 괴드에는 삼성SDI 공장이 있다. 이 부회장이 가장 인상적인 출장지로 꼽은 곳은 차세대 반도체 생산의 필수품인 극자외선(EUV) 노광장비를 세계에서 유일하게 만들어내는 네덜란드 ASML과 벨기에 반도체 연구소 IMEC이었다. 이 부회장은 “제일 중요했던 건 ASML이고 반도체 연구소 등에서 차세대, 차차세대 반도체 기술이 어떻게 되는지도 살펴볼 수 있었다”고 강조했다.그는 뒤이어 EUV 장비 확보의 구체적인 성과, M&A로 고려하는 분야나 기업 등을 묻는 질문에는 답하지 않은 채 “수고하셨다”고 말하며 차량에 탑승했다. 이번 출장에서 이 부회장은 독일을 시작으로 네덜란드, 벨기에, 헝가리, 프랑스 등을 방문한 것으로 알려졌다. 14일(현지시간) 네덜란드에서는 반도체 장비업체 ASML 본사를 찾아 피터 베닝크 최고경영자(CEO)와 만나 장비의 원활한 공급을 요청했다. 7나노 이하 미세 공정, 고성능·고용량·저전력의 차세대 반도체를 만드는 데 필수조건인 장비를 구하려는 전 세계 반도체 업체들의 확보전이 치열한 만큼 장비 선점에 유리한 입지를 다지기 위해 총수가 직접 뛴 것이다. 재계 관계자는 “이 부회장은 앞으로 차세대 기술 개발에 더욱 속도를 내고 세계 반도체 시장에서 주도권을 넓히기 위해 더욱 공격적인 경영 행보를 펼쳐나갈 것으로 보인다”고 말했다.

이건희 삼성전자 회장의 신경영 선언 29주년인 지난 7일 유럽 출장에 나선 이재용 부회장이 ‘승어부’(아버지를 능가한다는 뜻)를 이룰 ‘반도체 초격차’ 전략에 전력 질주하고 있다. 메모리반도체에서 일궈 낸 ‘1등 DNA’를 시스템반도체, 파운드리(반도체 위탁생산)에도 심어 2019년 선언한 ‘반도체 비전 2030’(2030년까지 시스템반도체 1위)을 달성함으로써 삼성의 도약은 물론 새 정부의 반도체 초강대국 구축에도 기여하겠다는 결단이 작용한 것이다. 삼성전자는 이 부회장이 14일(현지시간) 네덜란드 에인트호번의 ASML 본사를 찾아 피터 베닝크 최고경영자(CEO), 마르틴 판 덴 브링크 최고기술책임자(CTO)를 만나 협력 강화 방안을 논의했다고 15일 밝혔다. 이 부회장이 ASML 본사를 찾은 건 2020년 10월 이후 20개월 만으로, 반도체 장비업계의 절대강자인 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 한 대라도 더 얻어내기 위해 직접 구애에 나선 것이다. 이 자리에는 반도체 사업을 이끄는 경계현 사장(DS부문장)도 동행했다.극자외선으로 반도체에 미세 회로를 새기는 EUV 노광장비는 고성능·고용량·저전력의 차세대 반도체를 생산하는 필수품이다. 하지만 한 해 만들 수 있는 장비가 40~50대에 불과해 공급량이 발주량을 못 따라간다. 가뜩이나 반도체 수요 증가 현상이 심화되며 ASML 장비를 가져가려는 업체 간 경쟁이 치열하다 보니 이 부회장이 본사까지 직접 날아가 장비 확보전에 뛰어든 것이다. 이번 회동으로 장비 확보에 유리한 위치를 선점한 이 부회장은 ASML과의 기술 협력을 더욱 공고히 해 파운드리 경쟁력을 높이고 메모리반도체 초격차를 이루는 데 속도를 높일 계획이다. 이 부회장은 다음날인 15일에는 벨기에 루벤의 유럽 최대 규모 종합반도체연구소 IMEC를 찾아 루크 판 덴 호브 CEO와 반도체 최신 기술, 연구개발 방향 등을 긴밀히 논의했다. 인공지능(AI), 바이오, 미래 에너지 등 IMEC에서 진행하고 있는 첨단 분야 연구 과제를 소개받고 연구개발 현장을 꼼꼼히 살펴보기도 했다. 삼성 관계자는 “이 부회장이 ASML와 IMEC를 연이어 찾은 것은 삼성이 차세대 기술 개발을 가속화하고 미래 시장 개척에 적극 나서겠다는 ‘승어부’를 위한 신호탄으로 볼 수 있다”고 말했다. 이 부회장이 EUV 장비 확보의 해결사로 나설 수 있었던 건 ASML 경영진과 오랜 기간 전략적 협력 관계를 이어 온 글로벌 네트워킹 역량이 발휘된 것이라는 평가도 나온다. 이 부회장은 이번 출장에서 유럽 주요 파트너사 수장들뿐 아니라 마르크 뤼터 네덜란드 총리와 같은 정치인과도 회동하며 ‘반도체외교’에 총력전을 폈다. 14일 헤이그의 총리 집무실에서 뤼터 총리와 만난 그는 삼성전자가 ASML 장비를 안정적으로 공급받을 수 있게 해 달라고 협조를 요청했다. 삼성 관계자는 “양국 간 협력 강화는 한국 반도체산업이 더 빠르게 성장하는 촉매로 작용할 것으로 기대된다”고 말했다.