미국과 중국의 전방위 패권 경쟁이 반도체 분야에서 본격 충돌했다. 조 바이든 미 행정부는 중국의 ‘반도체 굴기’를 차단하고자 네덜란드 정부에 핵심 장비를 팔지 말라고 압박하는 것으로 나타났다. 시진핑 중국 국가주석은 반도체 인재 육성을 본격화하는 등 ‘마오쩌둥식 지구전’으로 맞서고 있다. 월스트리트저널(WSJ)은 17일(현지시간) “도널드 트럼프 행정부에 이어 조 바이든 행정부도 네덜란드 정부에 ‘극자외선(EUV) 노광장비를 중국에 팔지 말라’고 요청하고 있다”고 보도했다. 이에 따라 네덜란드 정부는 자국 반도체 설비업체 ASML이 만든 EUV 장비의 대중 수출 허가를 보류하고 있다고 매체는 전했다. 반도체는 회로의 선폭이 가늘수록 성능이 좋아지는데, 반도체의 재료인 웨이퍼에 빛을 쏴 회로를 그리는 노광장비의 역할이 절대적이다. 현재까지 7나노미터(㎚) 이하 초미세 공정에서 안정적으로 회로를 입히는 장비는 ASML의 제품뿐이다. 설계가 워낙 복잡해 연간 생산량이 30~40대에 불과하고, 대당 가격도 1억 5000만 달러(약 1712억원)가 넘는다. 그럼에도 삼성전자와 TSMC 등 주요 반도체 회사들은 ASML의 EUV 장비를 사고자 혈안이 돼 있다. 이미 애플 ‘아이폰’이나 삼성전자 ‘갤럭시’ 등 최고 사양 스마트폰에는 5㎚ 공정으로 만든 중앙처리장치(CPU)가 탑재된다. 중국 반도체 업체들도 ASML 장비를 수입하려고 하지만 미국의 압박으로 몇 년째 손에 넣지 못하고 있다. 업계에서는 중국이 EUV 노광장비를 직접 만드는 데 10년 이상 걸릴 것으로 예상한다. 그럼에도 중국은 인재 양성을 통해 미국의 ‘포위망’을 반드시 뚫겠다는 의지다. 17일 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 명문 베이징대는 지난 15일 반도체 대학원을 개설했다. 반도체 설계·제조 분야 기술자를 양성하고 중국 기업들과 공동 연구를 진행하는 것이 목표다. 지난 14일에는 항저우과학기술대(HUST)가 후베이성 우한에 반도체 단과대를 연다고 발표했다. 시 주석의 모교인 칭화대도 반도체 단과대를 설립했다. 앞으로도 미국이 중국에 첨단 반도체 기술을 제공하지 않을 것으로 보고 차근차근 독자 기술을 쌓으려는 취지다. 한편 중국 정부는 바이든 행정부가 중국 관계자 7명을 제재한 것을 비판하면서 보복하겠다고 위협했다고 동망 등이 18일 보도했다. 중국 외교부는 전날 밤 홈페이지에 올린 대변인 성명을 통해 “미국이 16일 홍콩 주재 중국 연락판공실 부주임 7명을 제재한 것을 반대한다”며 “미국이 이런 행태를 고집하면 중국도 끝까지 대응하겠다”고 비난했다.

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비(빛을 쬐 회로를 그리는 장치)를 이용한 ‘10나노급 4세대(1a)’ 미세공정을 D램 양산에 도입했다. SK하이닉스가 EUV 공정을 D램 양산에 적용한 것은 이번이 처음이다. 이미 EUV를 활용한 D램을 생산중인 삼성전자에 이어서 SK하이닉스까지 뛰어들면서 한국 메모리 반도체의 경쟁력이 더 높아지게 됐다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 반도체 톱3 중에서 한국 기업들만 EUV를 적용중이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달초 시작했다고 12일 밝혔다. 같은 10나노급 D램이라도 얼마나 더 미세한 공정이냐에 따라서 세대를 나누는데 이번 기술은 10나노급 중에서 가장 발전된 형태라고 할 수 있다. 반도체를 만들 때는 웨이퍼(반도체의 재료가 되는 얇은 원판)에 미세한 회로를 얼마나 정확하게 그리는지가 제품의 성능을 좌우하는 핵심이다. 기존에는 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)을 활용했는데 EUV는 그보다 훨씬 더 미세한 작업이 가능하다. 1a를 적용한 LPDDR4 모바일 D램은 3세대 같은 규격의 제품보다 웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 D램의 수량이 약25% 늘어난다. 전력 소비도 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 현재 모바일 제품에 들어가는 D램 중에 70~80%가 LPDDR4인 것을 고려해 이를 먼저 10나노 1a 기술로 만들기 시작했다. 내년에는 PC나 서버용 D램인 DDR5에도 EUV를 활용한 4세대 기술을 적용할 계획이다.

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비(빛을 쬐 회로를 그리는 장치)를 이용한 ‘10나노급 4세대(1a)’ 미세공정을 D램 양산에 도입했다. SK하이닉스가 EUV 공정을 D램 양산에 적용한 것은 이번이 처음이다. 이미 EUV를 활용한 D램을 생산중인 삼성전자에 이어서 SK하이닉스까지 뛰어들면서 한국 메모리 반도체의 경쟁력이 더 높아지게 됐다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 반도체 톱3 중에서 한국 기업들만 EUV를 적용중이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달초 시작했다고 12일 밝혔다. 같은 10나노급 D램이라도 얼마나 더 미세한 공정이냐에 따라서 세대를 나누는데 이번 기술은 10나노급 중에서 가장 발전된 형태라고 할 수 있다.반도체를 만들 때는 웨이퍼(반도체의 재료가 되는 얇은 원판)에 미세한 회로를 얼마나 정확하게 그리는지가 제품의 성능을 좌우하는 핵심이다. 기존에는 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)을 활용했는데 EUV는 그보다 훨씬 더 미세한 작업이 가능하다. SK하이닉스는 10나노 2세대 D램 제품을 만들 때 개발 단계에서 EUV를 적용한 적이 있는데 실제 양산에 EUV를 활용한 것은 이번이 처음이다. 1a를 적용한 LPDDR4 모바일 D램은 3세대 같은 규격의 제품보다 웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 D램의 수량이 약 25% 늘어난다. 전력 소비도 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 현재 모바일 제품에 들어가는 D램 중에 70~80%가 LPDDR4인 것을 고려해 이를 먼저 10나노 1a 기술로 만들기 시작했다. 내년에는 PC나 서버용 D램인 DDR5에도 EUV를 활용한 4세대 기술을 적용할 계획이다.

주요 완성차 업체들이 앞다퉈 신형 전기차를 쏟아내기 시작했다. “2021년은 전기차 시대 원년이 될 것”이란 업계의 전망도 현실화하는 분위기다. 하지만 잇단 전기차 출시 소식과 함께 깊은 한숨도 끊이지 않고 있다. 차량용 반도체 부족, 전기차 보조금 부족, 자동차 업계 일자리 감소 등과 같은 부작용이 동시에 터져 나왔기 때문이다. 8일 자동차 업계에 따르면 최근 국내 시장에 신형 전기차가 하루를 멀다 하고 속속 출격하고 있다. 현대자동차그룹은 현대차 ‘아이오닉 5’에 이어 제네시스 첫 전기차 ‘G80 전동화 모델’을 출시했다. 제네시스 첫 전용플랫폼(E-GMP) 전기차 ‘GV60’도 하반기에 출시한다. 기아는 이달 ‘EV6’ 고객 인도를 시작한다. 현대차 ‘포터2 일렉트릭’과 기아 ‘봉고3 EV’는 월 2500대씩 팔리며 전기 소형트럭 시장에서 파란을 일으키고 있다. 한국지엠은 전기 SUV ‘볼트 EUV’를 하반기에 선보인다. 쌍용차도 첫 전기 SUV ‘코란도 e모션’ 생산을 시작했고, 올해 10월 유럽부터 출시한다. 테슬라 ‘모델 3’와 ‘모델 Y’는 상반기 국내 전기차 시장 1, 2위를 나란히 꿰찼다. 벤츠는 5000만원대 준중형 전기 SUV ‘EQA’를 이달 출시하며 중저가 전기차 시장에 뛰어든다. 볼보는 전기 SUV ‘XC40 리차지’를 연내 출시한다. 고급 전기차 시장에선 아우디 ‘e-트론’과 포르쉐 ‘타이칸’이 맞붙었다. 여기에 벤츠의 대형 전기 세단 ‘EQS’가 올해 연말 도전장을 내민다. BMW는 전기 SUV ‘iX’ 출시를 준비 중이다. 전기차가 시장을 질주하는 모습은 화려하지만 그 이면은 골치 아픈 문제들로 가득하다. 현대차 아이오닉 5는 반도체 수급 부족으로 출고가 6개월 이상 밀려 있는 상태다. EV6도 사정은 마찬가지다. 현대차 노조가 파업을 강행하면 생산 차질 규모는 더욱 커지게 된다. 여기에 전기차 고객의 최대 관심사인 정부·지자체 보조금까지 거의 바닥이 났다. 당장 전기차를 사려면 오랜 기간 기다리는 것은 물론 1000만원이 넘는 보조금도 포기해야 한다. 상반기 보조금이 매진된 서울과 부산은 현재 추가경정예산안 편성작업을 진행하고 있고, 다른 지자체들도 보조금 예산을 늘리고 있다. 하지만 업계 관계자는 “아무리 보조금을 늘려도 폭발적으로 늘어난 전기차 수요를 따라가긴 역부족일 것”이라면서 “현재 대기 고객만 수만명이기 때문에 추경 보조금 역시 금방 동날 것”이라고 전망했다. 전기차 생산 확대에 따른 일자리 감소를 걱정하는 목소리도 업계 전반에 번지고 있다. 전기차가 내연기관차보다 부품이 40%가량 적게 들어가고 생산 공정도 간단해 인력이 덜 필요하다는 점에서 우려가 시작됐다. 실제 미국과 독일의 자동차 공장들은 전기차 생산 체제로 전환하면서 인건비 절감을 위해 인력을 줄이는 추세다. 현대차 노조가 올해 정년연장(60→65세)을 강하게 요구하고 나선 것도 전기차가 일자리를 빼앗아 갈 것을 우려했기 때문이다.

문재인 대통령은 7일 마크 루터 네덜란드 총리와 화상 정상회담을 갖고 양자관계 발전 방안과 실질 협력, 한반도 정세와 글로벌 현안에 대해 폭넓게 의견을 교환했다. 특히 양측은 한국이 반도체 제조 분야에, 네덜란드가 반도체 생산장비 분야에 강점이 있는만큼 반도체와 4차산업 분야의 협력을 더욱 강화하기로 했다. 이번 회담은 한·네덜란드 수교 60주년을 맞아 열렸으며 두 정상은 공동 언론발표문을 채택했다. 문 대통령과 루터 총리는 코로나19에도 2020년 교역이 전년 대비 20% 이상 증가한 102억 달러에 이르는 등 교역 및 투자가 활발히 진행된 점을 높게 평가하며 교역·투자를 확대하기 위해 협력하기로 했다. 문 대통령은 “네덜란드는 유럽에서 한국에 가장 많이 투자하는 나라가 됐고, 한국이 세 번째로 많이 투자하고 있는 유럽국가”라고 말했다. 루터 총리는 “지난 60년간 아주 많은 것에 성과를 이뤘고 새로운 60년이 시작되는 이 사이클에서 더 많이 일어날 잠재력이 매우 크다고 생각한다”고 했다. 두 정상은 양국이 반도체 산업에서 상호 보완적 협력 관계를 유지하고 있음을 주목했다. 네덜란드는 세계 반도체 장비시장 3위로, EUV(극자외선) 노광장비를 독점 생산하는 네덜란드 ASML은 전체 매출의 약 30%를 한국기업 대상으로 올리고 있다. 양 정상은 또한 역내 번영과 평화·안보의 중요성에 대해 논의하면서 자유롭고 개방되고 포용적인 인도 태평양의 중요성을 강조했다. 문 대통령은 네덜란드의 ‘인도태평양 가이드라인’을 평가하며 네덜란드가 EU 차원에서도 역내 파트너와 실질 협력을 위해 노력하는 점을 환영했다. 루터 총리는 한국의 신남방정책을 평가하고 역내 지속가능한 성장을 지원하는 노력에 지지 의사를 밝혔다. 아울러 문 대통령은 한반도 비핵화와 항구적 평화구축을 위한 노력을 지속해 나갈 것이라고 했으며, 루터 총리는 한반도 평화 및 번영을 달성하기 위해 북한을 지속적으로 관여시켜 나가려는 한국 정부의 노력을 지지한다는 점을 확인했다. 한편 루터 총리가 모두발언에서 최근 암스테르담 도심에서 범죄 전문기자가 총격을 받아 중태에 빠진 사건을 거론하며 “지금 네덜란드는 충격에 빠져 있다. 국가 전체가 이분의 생존을 위해 기도하고 있다”고 밝히자, 문 대통령은 “지금 네덜란드가 겪고 있는 충격에 대해서 위로의 말씀을 드린다”고 했다.

한미 정상회담을 앞두고 미국 행정부가 반도체 공급부족 사태를 논의하기 위해 또다시 삼성전자를 불렀다. 로이터통신은 20일(현지시간) 지나 러몬도 미 상무장관이 미국 자동차 업계 고위 관계자과 반도체, 배터리 업계 관계자들을 불러 화상회의 형식으로 회의를 주재했다고 보도했다. 지난달 12일 제이크 설리번 백악관 국가안보보좌관이 주재한 반도체 회의 이후 같은 주제로 다시 회의가 열린 것이다. 한달여전 회의와 달리 이번에는 두 그룹으로 나눠 회의가 진행됐는데, 참석자들의 일정을 맞추기 위한 것으로 보인다. 앞서 외신들은 이번 회의에서 삼성전자와 대만 TSMC를 비롯해 GM, 포드, 스텔란티스, 인텔, 구글, 아마존 등이 초청을 받았다고 전했다. 특히 삼성전자로서는 문재인 대통령의 방미 일정과 맞물려 다시 미 정부 회의에 호출된 셈이 됐다. 미 정부의 투자 압박이 더욱 크게 느껴질 수 있다는 의미다. 러몬도 장관은 앞서 한 행사에서 “대만 반도체 기업들에게 차량용 반도체 부족분의 생산을 일부 할당하도록 했다”며 투자를 종용한 사실을 공개적으로 말하기도 했다. 이와 관련 로이터통신은 이날 삼성전자가 텍사스주 오스틴에 파운드리(위탁생산) 신규 공장을 짓기로 최종 확정했다고 보도했다. 올해 3분기 공장 착공에 들어가 2024년 완공 예정으로, 5나노 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 구축할 것으로 보인다는게 이 매체의 보도다. 삼성전자가 해외에 5나노 공정의 초미세 파운드리 라인을 구축하는 건 처음이다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

규모 20조…삼성전자 사상 최대 규모로이터통신 “텍사스주 오스틴시 유력” 삼성전자가 미국 워싱턴에서 열리는 한·미 정상회담을 전후해 170억 달러(한화 20조원) 규모의 파운드리(반도체 위탁생산) 투자계획을 내놓을 것으로 예상되는 가운데, 외신에서 삼성전자의 최종 투자처가 미국 텍사스주 오스틴시로 결정됐다는 보도가 나왔다. 20일(현지시간) 로이터통신 등은 삼성전자가 미국 텍사스주 오스틴시에 첨단 반도체 공장을 증설하기로 결정하고, 이르면 올해 3분기 착공에 들어가 2024년 완공 예정이라고 보도했다. 외신 “삼성, 텍사스주에 5나노 첨단 파운드리 투자할 것” 이날 로이터는 전문매체를 인용해 “삼성전자가 오스틴에 5㎚(나노·1㎚는 10억 분의 1m) 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 구축할 것으로 보인다”고도 언급했다. 삼성전자는 지난 2019년부터 현 오스틴공장 인근 부지를 추가로 매입하는 등 증설을 준비해왔다. 삼성전자가 해외에 5나노 공정의 초미세 파운드리 라인을 구축하는 건 이번이 처음이다. 5나노는 지금까지 삼성전자가 상용화한 반도체 공정 가운데 가장 앞선 ‘선단’ 공정이다. 이번에 5나노급 첨단 공정을 구축해 애플과 퀄컴·아마존·테슬라 등 미국 내 대형 팹리스 기업들의 수요에 대응할 것으로 예상된다. 실제로 텍사스주는 HP엔터프라이즈·오라클 등이 본사를 옮겨오면서 미국 정보기술(IT) 기업의 새로운 거점으로 떠오르고 있다. 170억 투자 사실이라면, 단일 투자로 역대 최대 규모 삼성전자가 오스틴공장 증설에 170억 달러 투자를 확정한다면, 이는 삼성의 단일 투자로 역대 최대 규모다. 삼성전자는 지난 2012년 중국 시안1공장에 108억 달러(약 12조원)을 투자한 바 있다. 이후 시안2공장에 2017년 70억 달러(약 8조원), 2019년 80억 달러(약 9조원)를 단계적으로 추가 투자하며 규모를 늘려나갔다. 국내에서는 경기도 평택시의 P1과 P2에 각각 30조원씩 투입한 것으로 알려졌다. 미국 애리조나주 피닉스시의 지역매체인 피닉스 비즈니스저널 역시 “오스틴이 사실상 삼성의 착륙 지점이 될 것”이라고 보도했다. 애리조나주는 텍사스주·뉴욕주와 함께 삼성전자 반도체 공장 유치전에 뛰어들었던 곳 중 하나로 알려졌다. 이에 삼성전자 관계자는 “미국 투자와 관련해 아직 결정된 사항은 없다”고 말했다. 김채현 기자 chkim@seoul.co.kr

‘50조 투자’ 평택 3라인 내년 조기 완공14나노 D램·5나노 로직 등 최첨단 생산SK하이닉스 파운드리 생산능력 2배로비메모리 분야 M&A 등 투자방안 검토정부가 13일 발표한 ‘K반도체 벨트’ 구축 전략에 맞춰 같은 날 삼성전자는 시스템 반도체 분야 투자 확대와 평택 3라인의 조기 완공 등으로 화답했다. 글로벌 반도체 패권 경쟁의 심화 속에 투자의 ‘규모와 속도’에서 모두 ‘초격차’ 전략을 강화하겠다는 의미다. 삼성전자는 이날 평택캠퍼스에서 열린 ‘K반도체 벨트 전략 보고대회’에서 2030년까지 시스템반도체 분야에 기존 계획에서 38조원을 추가해 총 171조원을 투자하겠다고 발표했다. 삼성은 앞서 2019년 4월 ‘시스템반도체 비전 선포식’에서 133조원의 투자 계획을 밝힌 바 있는데, 이를 더욱 확대하겠다는 것이다. 삼성전자는 이를 통해 첨단 파운드리(위탁생산) 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다. 파운드리 시장 부동의 1위인 대만 TSMC가 미국에 6개의 공장을 신설할 것으로 알려지는 등 경쟁사들이 최근 더욱 공세적인 움직임을 보이는 가운데 삼성은 이번 투자 확대 발표를 계기로 조만간 미국 공장 증설 등 구체적인 계획을 밝힐 것으로 예상된다.투자비가 50조원 이상으로 예상되는 평택 3라인(P3)의 구체적인 가동 시점도 이날 처음 공개됐다. 삼성전자는 현재 공사 중인 평택 3라인을 2022년 하반기에 완공해 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 밝혔다. 이곳에서는 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 비롯한 최첨단 공정의 반도체가 생산될 예정이다. 삼성이 이례적으로 생산 품목까지 언급한 것은 첨단 기술력이 집약된 생산이 이뤄짐을 강조하기 위한 것으로 해석된다. 평택 3라인이 완공되면 세계 최대의 반도체 클러스터로서 위상을 드러낼 것으로 예상된다. 공장 길이는 700m로 2라인(400m)의 1.75배 수준이고, 반도체를 생산하기 위한 청정공간인 클린룸의 규모는 축구장 면적 25개를 합친 크기로, 단일 반도체 라인으로는 세계 최대 규모다. 이날 SK하이닉스도 8인치 파운드리 생산 능력을 현재보다 2배로 확대한다는 목표를 밝히는 등 공격적인 투자 의지를 밝혔다. 박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장은 이날 “국내 설비 증설과 인수합병(M&A) 등 다양한 전략적 방안을 검토하겠다”고 밝혀 조만간 이와 관련한 공식 발표가 있을 것임을 내비쳤다. 특히 박 부회장 주도로 2017년 일본 키옥시아 투자와 지난해 인텔 낸드사업 인수를 성사시킨 SK하이닉스는 조만간 비메모리 분야 M&A에 뛰어들 것으로도 예상된다. 양사는 설계와 소재부품장비(소부장) 등 국제 경쟁력이 떨어지는 분야에서 국내 업체들과 협력을 강화하겠다고도 했다. 삼성전자는 향후 팹리스(반도체 설계회사)를 대상으로 설계자산(IP) 공유 및 시제품 생산 지원을 더욱 확대하기로 하고, 공급망 핵심인 소부장 업체들과의 협력도 더욱 늘리기로 했다. SK하이닉스는 파운드리 사업 투자로 팹리스들의 기술 개발·양산 및 시장 진출을 돕겠다고 밝혔다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

정부 ‘용인 클러스터’ 연내 착공 지원판교에는 ‘한국형 팹리스 밸리’ 조성 투자 세액공제 ‘핵심전략기술’ 신설EUV 등 상당수 기술 공제 혜택 볼 듯 정부가 13일 발표한 ‘K반도체 전략’은 종합 반도체 분야에서도 세계적인 경쟁력을 갖추는 데 목표를 뒀다. 미국, 중국, 대만 등이 일찌감치 반도체산업 경쟁력 강화 대책을 내놓은 것과 비교해 늦은 감은 있지만, 정부와 기업이 손을 잡고 대책을 마련했다는 점에서 의미가 있다. ‘K반도체 벨트’는 현재의 반도체 제조·생산 시설과 상승 효과를 낼 수 있게 지역별로 소재·부품·장비(소부장) 특화단지, 첨단장비 연합기지, 첨단 패키징(반도체 칩 탑재 기술) 플랫폼, 팹리스(반도체 설계 개발만 전담) 밸리를 각각 구축하는 사업이다. 소부장 특화단지는 SK하이닉스가 투자하는 용인 반도체 클러스터를 중심으로 조성된다. SK하이닉스는 대규모 반도체 팹(생산시설) 인근에 국내외 소부장 기업 50여개를 동반 입주시킬 계획이다. 정부는 용인 반도체 클러스터가 연내에 착공되도록 인허가와 기반시설 확보를 지원한다. 화성·용인·천안에는 외국인 투자기업을 유치하는 ‘첨단장비 연합 기지’를 조성한다. 중부권에는 ‘첨단 패키징 특화 혁신기지’를 조성한다. 이곳에는 평택 파운드리 생산기반을 비롯해 120여개 시스템반도체 기업이 있다. 판교에는 ‘한국형 팹리스 밸리’를 조성해 이미 구축한 시스템반도체 설계지원 센터의 기능을 강화한다. K반도체 벨트의 규모는 420만평, 입주기업 수는 208개에 이른다. 매출 기대효과는 122조원이다. 정부 지원의 핵심은 세제지원 확대다. 기업의 투자 세액공제는 일반과 신성장·원천기술 투자 두 가지로 나뉘는데, 한 단계 더 지원을 강화한 ‘핵심전략기술’ 분야를 새로 만들기로 했다. EUV(극자외선) 등 상당수 반도체 기술이 핵심전략기술로 인정받아 강화된 세액공제 혜택을 누릴 전망이다. 핵심전략기술 연구개발(R&D)에 투자하면 세액 공제율이 대기업과 중견기업은 30∼40%, 중소기업은 40∼50%로 높아진다. 중소기업이 R&D 투자에 10억원을 썼다면 내야 하는 세금에서 최대 5억원(50%)을 깎아 주겠다는 것이다. 핵심전략기술 시설투자 공제율은 대기업 6%, 중견기업 8%, 중소기업 16%로 신성장·원천기술과 비교해 3∼4% 포인트 높다. 또 전년 대비 증가분에 추가로 제공하는 공제 혜택(4%)도 받을 수 있어 최대 공제율은 10∼20%로 더 높아진다. 이 정도의 공제율은 미국이나 대만보다 높은 수준이라고 기획재정부는 설명했다. 세종 류찬희 선임·임주형 기자 chani@seoul.co.kr

삼성전자가 ‘시스템반도체 비전 2030’ 달성을 위해 2030년까지 171조원을 투자한다고 13일 밝혔다. 삼성전자는 이날 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’에서 시스템반도체 분야에 기존 밝힌 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자한다고 발표했다. 삼성전자의 ‘시스템반도체 비전 2030’은 2019년 4월 밝힌 바 있다. 삼성전자는 또 2022년 하반기에 평택 3라인을 완공해 세계 최대 반도체 클러스터를 구축한다고도 밝혔다. 평택 3라인은 현재 이미 기초 공사가 시작된 상태다. 업계에서는 2023년 초에 본가동될 것으로 예상해왔는데, 삼성의 이번 발표로 시점이 더 앞당겨질 것으로 예상된다. 평택3라인은 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다. 삼성전자가 2년 사이 투자액을 늘리기로 하는 등 더욱 공격적인 행보를 천명한 것은 전세계적인 반도체 부족 사태와 함께 각국 정부의 기술 패권 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 정부는 이날 민간과 손잡고 2030년까지 국내에 세계 최대의 반도체 공급망인 ‘K-반도체 벨트’를 구축한다고 발표했다. 기업의 반도체 연구개발(R&D) 투자비에 대해선 최대 40∼50%, 시설 투자 비용은 최대 10∼20%로 세액공제율을 올리기로 했다. 삼성전자 관계자는 “우리 정부는 다른 나라들에 비해 약 2년 앞서 선제적인 지원책을 내놓은 바 있다”면서 “이번 정책은 반도체 산업 육성을 위한 추가적인 조치로, 일종의 ‘부스터 샷’인 셈”이라고 말했다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

일본 정부가 2019년 한국에 대해 반도체 핵심소재의 수출을 규제한 게 오히려 ‘독’이 된 것으로 나타났다. 일본의 반도체 소재 생산업체들이 자국의 수출 규제를 피해 한국과 대만 현지 생산을 늘린 것을 확인됐다. 3일 니혼게이자이신문에 따르면 극자외선(EUV)용 포토레지스트(감광액)를 생산하는 일본 기업인 도쿄오카공업은 한국 인천시에 있는 기존 공장에 수십억엔을 들여 설비를 확충해 생산 능력을 2018년 대비 두 배로 늘렸다. 반도체 소재인 EUV용 포토레지스트는 불화수소, 폴리이미드와 함께 일본 정부가 2019년 7월 한국 대법원의 일제 강제징용 노동자 배상 판결에 대한 사실상의 보복 조치로 한국에 대한 수출 규제를 강화한 품목이다. 도쿄오카공업은 포토레지스트 세계시장 점유율 1위(점유율 25%) 업체다. 반도체 제조용 가스를 생산하는 일본 다이킨공업은 한국 반도체 장비 업체와 함께 합작회사를 설립했다. 40억엔(약 408억원)을 투자해 올해 10월쯤 한국에 생산 공장을 신설할 예정이다. 새 공장에서는 내년 10월부터 수출 규제 품목인 고순도 불화수소(에칭가스)를 생산할 계획이다. 도쿄오카공업과 다이킨공업은 삼성전자와 SK하이닉스에 납품하고 있다. 일본 업체가 한국 자체 생산을 늘리는 데는 규제를 피할 수 있기 때문이다. 고순도 불화수소 세계시장 70%를 차지하는 1위 업체인 일본 스텔라케미파는 지난해 관련 매출이 2019년보다 26%나 감소하기도 했다. 이처럼 수출규제로 일본 업체들이 오히려 피해를 보면서 한국 등에서 자체 생산을 하는 게 늘었고 한국 일부 지역에서는 세제 혜택 등을 제공하는 것으로도 알려졌다. 이 신문은 “일본 기업이 수출관리 대상 화학품을 한국에 수출하려면 여전히 경제산업성의 특별 허가가 필요하다”며 “한국 현지 생산에는 수출 때와 같은 규제는 없다”고 밝혔다. 일본의 한 화학대기업 간부는 “미국과 중국, 한국과 일본에서 공급망이 끊어질 리스크가 부상하고 있어 현지 생산 요구가 해마다 강해지고 있다”고 말했다. 김진아 기자 jin@seoul.co.kr

세계 1위 메모리 제조업체인 삼성전자의 경기 평택캠퍼스 파운드리(위탁생산) 라인 신규 가동이 가시화되고 있다. 삼성전자는 올해 하반기 본격 가동할 예정이던 평택 파운드리 전용라인 가동 시기를 상반기로 앞당길 방침이다. 앞서 삼성은 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV(극자외선) 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 EUV 전용 화성 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 꾸준히 확대해 왔다. 또 같은 해 평택캠퍼스 평택 2라인을 가동하며 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 양산했다. 이런 발 빠른 대응은 코로나19로 인해 전 세계 산업계의 투자 심리가 위축된 상황에서도 주력 사업의 경쟁력 강화를 늦출 수 없다는 판단 때문에 이뤄졌다. 삼성전자의 지난해 시설투자비는 2019년 대비 43% 증가한 38조 5000억원이었다. 지난해 3분기 누적 연구개발(R&D) 투자 집행비는 역대 최대인 15조 9000억원이었다. 앞서 삼성전자는 2019년 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 자리에서 “2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다”는 목표를 밝힌 바 있다. 당시 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 투자하겠다고 밝힌 규모는 133조원이었다. 삼성전자는 “위기를 기회로 바꾸기 위한 투자를 지속하겠다”면서 “평택캠퍼스에 적극적으로 투자해 반도체 초격차를 달성하고 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획”이라고 강조했다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

SK하이닉스가 지난해 코로나19에 따른 반도체 수요 증가로 5조 126억원의 영업이익을 냈다. 이는 전년보다 84.3% 증가한 것이다. 지난해 매출은 81조 9004억원으로 전년 대비 18.2% 증가했다. 순이익은 4조 7589억원으로 전년보다 136.9% 올랐다. 영업이익율은 16%를 기록했다. 회사 측은 주당 배당금을 1170원으로 결정했다. 총 배당금은 8002억원이다. 주당 배당금은 1000원을 최소 금액으로 고정하고 여기에 연간 창출되는 잉여현금흐름의 5%를 추가로 지급한다는 기존 배당 정책에 따라 정해졌다. 노종원 경영지원 담당 부사장(CFO)은 “지난해 코로나19와 무역 갈등의 격화로 메모리 시장은 부진한 흐름을 보였다”면서도 “SK하이닉스는 D램 10나노급 3세대(1Z나노), 낸드 128단 등 주력 제품을 안정적으로 양산하고 품질 경쟁력을 바탕으로 서버 시장 점유율을 확대해 매출과 영업이익을 각각 전년 대비 18%, 84% 올리는 성과를 거뒀다”고 말했다. 지난해 4분기 영업이익은 전년 동기보다 298.3% 늘어난 9659억원을 기록했다. 매출은 전년 동기보다 15% 늘어난 17조 9662억원이었다. 회사 측은 반도체 가격 하락에 따른 매출 감소, 달러화 약세에도 지난해 3분기부터 이어진 모바일 반도체 수요 강세로 큰 폭의 영업이익 성장이 이뤄졌다고 설명했다. 제품별로는 D램 출하량은 전 분기보다 11% 증가했고 평균판매가격(ASP)은 7% 하락했다. 낸드플래시는 출하량은 8% 증가, 평균판매가격은 8% 하락했다. 회사 측은 올해 D램 시장은 서버, 모바일 중심으로 수요가 늘며 수요 증가율이 공급 증가율을 웃돌 것으로 전망했다. 예상 D램 수요 성장률은 10% 후반~20% 수준이다. 박명수 D램마케팅 담당 부사장은 “글로벌 기업들의 신규 데이터센터 투자로 연간 30% 이상의 서버 D램 수요 증가가 이뤄질 것으로 예상된다”며 “코로나19로 주춤했던 5G 스마트폰 출하량은 지난해 2배 수준인 5억대로 예상됨에 따라 올해 모바일 D램 수요 증가율은 20%로 관측된다”고 말했다. 낸드플래시 시장은 하반기부터 점차 회복될 것으로 전망했다. 낸드 수요 예상 성장률은 30% 초반 수준이다. 올해 SK하이닉스는 인텔의 낸드 사업 부문 인수 작업을 이어가면서 극자외선(EUV) 공정이 적용된 신규 반도체 생산라인 M16을 본격적으로 가동한다. 오는 2월 1일 준공식이 예정된 M16에서는 오는 6월부터 양산이 이뤄질 예정이다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

2019년 일본이 반도체 핵심부품 수출을 규제하면서 수급에 어려움을 겪었던 3대 소부장 품목이 공급 안정화를 이룬 것으로 나타났다. 산업통상자원부는 1년 6개월간 소재·부품·장비(소부장) 경쟁력 강화 대책을 시행한 결과 핵심 품목의 생산시설 확대와 수입 다변화 등으로 공급망이 안정되고, 사업화도 자리를 잡았다고 24일 밝혔다. 산업부가 내놓은 ‘소부장 기업현장 보고서’에 따르면 일본의 수출규제 3대 품목(액체 불화수소(불산액)·극자외선(EUV)용 레지스트·플루오린 폴리이미드)은 국내 생산이 확충돼 수급이 안정됐다. 솔브레인이 12N급 고순도 불산액 생산시설을 2배 확대, 생산하고 SK머티리얼즈는 5N급 고순도 불화수소가스 제품 양산에도 성공했다. EUV레지스트는 유럽산으로 수입처를 다변화했고 미국 듀폰과 일본 TOK로부터 투자를 유치했다. 국내 A사는 파일럿 설비 구축 및 시제품 테스트를 하고 있다. 불화폴리이미드는 코오롱인더스트리가 양산설비를 구축해 중국에 수출할 정도로 안정적으로 공급하고 있다. 대(對)일본 100대 수출 품목은 수입처를 유럽연합(EU), 미국 등으로 다변화하는 한편 품목별로 평균적인 재고 수준을 기존 대비 2배 이상으로 키웠다. 효성(탄소섬유 생산설비 증설), SKC(블랭크 마스크 공장 신설) 등 23개 기업이 새롭게 생산시설을 구축했다. SK실트론은 듀폰 실리콘 웨이퍼 사업부를 인수하고, KCC는 실리콘 소재기업 MPM를 인수했다. 소부장 수요·공급기업 간 협력도 확대돼 수요기업 참여 기술개발 지원을 받은 25개 품목 중 23개 품목은 시제품이 개발됐고 434건은 특허가 출원됐다. 정부는 올해도 다양한 소부장 경쟁력 강화 대책을 추진해 핵심품목과 차세대 기술 개발을 위한 연구개발에 2조 2000억원을 투자하기로 했다. 첨단산업 투자 유치를 위해 5년간 1조 5000억원의 재정도 지원한다. 세종 류찬희 선임기자 chani@seoul.co.kr

반도체 기업은 설계와 생산 방식에 따라 몇 가지 형태로 나눌 수 있습니다. 반도체를 설계하고 실제 판매도 담당하지만 스스로 제조 시설(fab)을 지니지 않은 팹리스(fabless) 기업과 반도체 생산만 담당하는 파운드리(Foundry) 기업, 그리고 반도체 설계와 생산 모두를 담당하는 종합 반도체 기업 (IDM, Integrated Device Manufacturer)이 그것입니다. 반도체 산업 초기에는 종합 반도체 기업이 많았지만, 반도체 제조 시설을 구축하는 데 드는 비용이 계속 증가하면서 팹리스와 파운드리 회사의 비중이 커졌습니다. 지금은 이름만 대면 모르는 사람이 없는 거대 IT 기업들도 대개 팹리스 방식으로 제품을 생산합니다. 퀄컴, AMD, 엔비디아, 브로드컴은 물론이고 애플 역시 반도체 제조 시설 없이 TSMC나 삼성 파운드리에 자신들이 설계한 프로세서를 위탁생산하고 있습니다. 현재 10nm 이하의 시스템 반도체 생산이 가능한 회사는 TSMC, 삼성, 인텔 3곳 정도입니다. TSMC는 파운드리 전문 기업이기 때문에 대형 반도체 회사 가운데 종합 반도체 회사는 인텔과 삼성뿐입니다. 그런데 인텔은 종합 반도체 기업으로 입지가 크게 흔들리고 있습니다. TSMC와 삼성의 10nm 공정보다 우수하다고 자랑했던 인텔 10nm 공정이 몇 년이나 연기되면서 경쟁자들이 7nm 공정은 물론 5nm 공정까지 빠르게 앞서 나갔던 것입니다. 엎친 데 덮친 격으로 작년 7월에는 밥 스완 인텔 CEO가 7nm 공정의 도입이 6개월 정도 연기될 것이라고 발표했습니다. 2021년 말 양산해도 경쟁사보다 늦는데, 그보다 더 늦어질 것 같다고 실토한 것입니다. 당연히 인텔 주가는 폭락했습니다. 그리고 인텔 역시 팹리스로 전환한 AMD와 같은 길을 갈 것이라는 예측까지 나왔습니다. 하지만 올해 2월 15일부터 인텔호의 선장이 되는 팻 겔싱어 신임 CEO는 팹리스 전환설을 일축했습니다. 그는 2023년에 생산되는 7nm 급 CPU를 대부분 자체 생산할 것이라고 주장했습니다. 파운드리 시장 확대를 위해 치열한 경쟁을 벌이는 중인 삼성과 TSMC에는 약간 김빠지는 소식이지만, 지금까지 인텔이 투자한 비용을 생각하면 의외의 반응은 아닙니다. 사실 인텔은 몇 년 뒤진 미세 공정을 따라잡기 위해 7nm 공정에 적지 않은 돈을 투자했습니다. 2017년 전임 CEO였던 브라이언 크르자니크는 애리조나 챈들러에 Fab42에 7nm 공정을 구축하고 위해 70억 달러를 투자한다고 발표했습니다. 당시 해외로 빠져나간 공장을 미국으로 다시 불러들이기를 희망했던 트럼프 전 미국 대통령과 사진까지 찍어가며 약속했던 내용입니다. 인텔은 2018년에는 10nm 공정 팀과 별도로 7nm 공정 팀이 순조롭게 작업 중이며 극자외선(EUV) 리소그래피 기술을 적용하게 될 것이라고 언급했습니다. 2019년에 발표한 로드맵에는 2021년 말 1세대 7nm 공정을 도입한 후 2022년에는 EUV 기반의 7+ 공정을 도입하고 다시 2023년에는 7++ 공정으로 이전한다는 구체적인 계획도 있었습니다.그러나 수율에 문제가 생기면서 인텔의 7nm 공정 진입은 또 연기되었습니다. 다만 이미 적지 않은 비용을 투자한 이상 인텔 입장에서는 어떻게든 본전을 뽑으려 할 것입니다. 현재 건설 중인 7nm 팹을 취소하고 투입된 자금을 모두 손실처리 한 다음 파운드리로 전환하기에는 손해가 너무 큽니다. 또 TSMC든 삼성이든 인텔의 막대한 생산 물량을 다 소화할 수 있다는 보증도 없어서 심각한 공급 부족에 시달릴 가능성도 배제할 수 없습니다. 따라서 신임 겔싱어 CEO 역시 7nm 팹 양산을 위해 최대한 노력할 것으로 예상됩니다. 7nm 공정을 바로 적용할 수 없는 인텔은 우선 10nm 공정을 고도화해 위기를 돌파할 계획입니다. 작년 인텔은 2세대 10nm 기술인 10nm 슈퍼핀 (SuperFin)을 적용해 11세대 코어 프로세서(타이거 레이크)를 출시했습니다. 올해는 최대 8코어의 타이거 레이크 CPU를 출시하고 점차 적용 범위를 넓혀 오래된 14nm 공정 제품을 하나씩 대체해 나갈 것입니다. 그리고 올해 말에는 3세대 10nm 공정인 10nm ESF(Enhanced SuperFin)를 적용한 12세대 코어 프로세서인 앨더 레이크를 출시할 계획입니다.앨더 레이크는 고성능 코어인 골든 코브(Golden Cove)와 저전력 코어인 그레이스몬트 (Gracemont)를 탑재한 하이브리드 설계 방식을 택했으며 DDR5와 PCIe 5.0 같은 새로운 기술을 적용해 성능을 높일 계획입니다. 다만 이 시기에는 경쟁사인 AMD 역시 5nm 공정 CPU를 선보일 가능성이 높아 쉽지 않은 싸움이 예상됩니다. 문제는 앨더 레이크 다음입니다. 메테오 레이크(Meteor Lake)로 알려진 13세대 코어 프로세서는 본래 인텔 7nm 공정으로 생산할 예정이었습니다. 그러나 현재 인텔 7nm 공정 양산 시기가 불확실해지면서 메테오 레이크 중 일부나 혹은 전부를 외부 파운드리를 통해 생산하지 않겠냐는 루머가 나오고 있습니다. 일부 루머에서는 TSMC의 5nm 공정을 이용한다는 이야기도 있었습니다. 그렇다면 AMD와 공정 면에서는 충분히 경쟁할 수 있는 수준이 되는 것입니다. 하지만 겔싱어 CEO는 우선 자체 7nm 공정에 우선 순위를 두겠다고 언급했습니다. 만약 인텔의 희망대로 7nm 공정이 더 연기되지만 않는다면, 13세대 코어 프로세서는 인텔 내부 생산으로 해결할 수 있을 것입니다. 문제는 10nm 공정처럼 예상보다 훨씬 지연되는 경우입니다. 이 경우에는 인텔 역시 외부 파운드리 이외의 선택의 여지가 없을 것입니다. 공교롭게도 TSMC는 총 120억 달러를 투자해 미국 애리조나에 5nm 팹을 건설할 예정입니다. 삼성 역시 텍사스주 오스틴에 팹을 지니고 있는데, 일부 외신에 따르면 100억 달러를 투자해 3nm 팹을 건설할 계획입니다. 전자는 이미 확정된 이야기고 후자는 두고 봐야 알 수 있겠지만, 삼성과 TSMC가 잠재적인 고객인 인텔을 염두에 두고 있다는 이야기도 나오는 건 당연해 보입니다. 이를 악물고 종합 반도체 기업의 지위를 지키려는 인텔과 새로운 기회를 노리고 있는 TSMC와 삼성 중 누가 웃게 될지 궁금합니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com　　

이재용 삼성전자 부회장이 수감되면서 ‘반도체 강자’ 삼성에 암운이 드리우게 됐다. 반도체 공장 하나를 짓는 데 수십조원이 필요한 상황에서 적시에 결단을 내릴 총수의 부재로 삼성이 내건 ‘2030년 시스템 반도체 1위’ 목표가 흔들리는 것은 물론 현재 1위로 수성 중인 메모리 반도체까지 경쟁력이 약화될 거란 우려가 나온다. 이 부회장은 2019년 133조원을 투자해 시스템 반도체 사업을 2030년까지 세계 1위로 키우겠다고 발표한 바 있다. 업계에서는 삼성의 사법 리스크가 걷히면 미국 오스틴 반도체 공장 증설을 포함, 올해 최대 규모의 투자 계획이 나올 거란 기대가 컸다. 하지만 이 부회장이 1년 6개월간의 ‘옥중 경영’이 불가피한 상황이라 빠른 공정 구축, 설계 대응 등 대규모 인프라 투자가 관건인 시스템 반도체 사업에 ‘빨간불’이 켜졌다. 반면 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 ‘절대 강자’인 TSMC는 삼성의 추격을 뿌리치고 독주 체제를 가속화하고 있다. 최근 역대 최대 규모인 250억~280억 달러(약 27조~31조원)에 이르는 시설투자 계획을 발표한 TSMC는 이 가운데 80%를 초미세화 선단공정(3, 5, 7나노미터)에 쓸 것으로 알려졌다. 이미 TSMC는 삼성전자와의 격차를 벌리며 삼성과 경쟁하는 5나노 이하 초미세화 공정에서 애플, 인텔, 엔비디아, 퀄컴 등 주요 고객사들의 물량을 대거 수주하고 있는 것으로 알려졌다. 지난해 4분기에는 글로벌 파운드리 시장에서 1위사인 TSMC와 2위사인 삼성전자의 격차가 더 벌어진 것으로 조사됐다. 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 TSMC 점유율은 52.7%로 전 분기(50.5%)보다 더 올라간 반면 삼성전자는 3분기 18.5%에서 4분기 17.8%로 떨어졌다고 전망했다. 서울대 반도체공동연구소장인 이종호 교수는 “올해부터 반도체 슈퍼 호황기가 도래한다고 하지만 언제 위험이 닥칠지 모른다. 지금 투자 적기를 놓치면 그 기회 손실의 파장이 5~10년 뒤 나타날 것”이라고 우려했다. 실제로 지난해 10월 이 부회장이 코로나19 확산 속에서 유럽 출장을 강행했고, 그 결과 삼성전자 파운드리 사업 확장도 가능했다. 당시 이 부회장은 네덜란드에 있는 파운드리 미세공정 핵심 장비인 EUV(극자외선) 노광장비 독점 생산업체(ASML)를 찾아 최고경영진과 긴밀하게 논의하는 등 발로 뛰었다. 지난해 삼성전자의 반도체 투자액은 28조 9000억원으로 대부분은 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체에 집중됐다. 일각에서는 삼성의 반도체 투자액이 올해는 더 늘어날 수도 있을 것으로 본다. 이승우 유진투자증권 리서치센터장은 “삼성전자가 올해 D램, 낸드, 시스템 반도체 전체적으로 최소 33조원 이상, 시스템 반도체만 10조~11조원 투자할 것으로 파악하고 있다”며 “이미 세워진 전략 아래 전문경영인들이 투자와 사업을 지속해 나가겠지만 올해는 투자를 대폭 확대하는 TSMC에 대응할 전략적인 포지셔닝이 중요한 시점인데 이는 이 부회장이 교통정리를 해 줘야 하는 부분”이라고 말했다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

삼성전자가 14일 공개할 상반기 전략 스마트폰인 ‘갤럭시S21’의 두뇌 역할을 하는 ‘엑시노스 2100’을 12일 출시했다. 이날 온라인 행사를 통해 공개된 엑시노스 2100은 프리미엄 스마트폰용의 AP로 설계돼 기존 제품보다 성능을 대폭 끌어올렸다. 영국의 반도체 설계업체인 ARM과 협업했다. 5나노 극자외선(EUV) 공정으로 생산돼 전작인 엑시노스990과 비교해 중앙처리장치(CPU) 성능은 30%, 그래픽처리장치(GPU) 성능은 40% 향상됐다. 삼성전자의 프리미엄 모바일AP 중에서는 처음으로 5세대(5G) 이동통신 모뎀이 내장된 ‘통합칩’이다. 하나의 칩에서 5G까지 모두 지원하기 때문에 부품이 차지하는 면적이 줄었다. 또 최대 2억 화소의 사진까지 처리할 수 있는 고성능의 이미지처리장치(ISP)를 갖춰 좀더 풍부한 사진을 찍게 돕는다. 최대 6개의 이미지센서를 연결하고 4개의 이미지센서를 동시에 구동할 수 있다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

2020년은 코로나19로 인해 많은 분들이 큰 고통을 겪었던 한 해였습니다. 유래 없는 거리 두기와 봉쇄 조치로 인해 기업 역시 많은 어려움을 겪었습니다. 하지만 언택트 시대 덕분에 호황을 누린 분야도 있습니다. 코로나19 사태 초기 폭락했던 삼성, AMD, 엔비디아, TSMC, SK 하이닉스 등 주요 반도체 관련 기업의 가치는 최근 크게 올라갔습니다. 하지만 예외도 있습니다. 반도체 업계 1위 기업이었던 인텔의 주가는 2020년 초 60~70달러 선에서 연말에는 40~50달러 선으로 주저앉았습니다. 이미 몇 년 전부터 심상치 않다는 이야기가 나오긴 했지만, 2020년 인텔에겐 최악의 한 해 중 하나였을 것입니다. 가장 직접적인 경쟁자인 AMD는 7nm 공정을 사용한 최신 제품으로 인텔을 압박했지만, 인텔은 일부 예외를 제외하고 대부분 오래된 14nm 공정 제품으로 대응했습니다. 그 결과 시장 점유율을 크게 내주면서 2020년 3분기에 매출과 영업이익이 전년 동기 대비 4.6%와 22% 감소했습니다. 반면 같은 시기 AMD는 매출과 영업이익이 56%와 141%나 증가했습니다. 덕분에 2020년 초 40달러 선이던 AMD 주가는 이제 두 배인 90달러 선에서 거래되고 있습니다. 하지만 진짜 인텔의 속을 쓰리게 만든 사건은 따로 있었습니다. 주요 고객사 중 하나인 애플이 x86 플랫폼을 떠난 것입니다. 그런데 이별보다 더 아픈 사실은 애플이 공개한 M1 프로세서의 성능이 인텔 프로세서보다 뛰어나다는 것입니다. 물론 애플의 주장처럼 몇 배나 빠르진 않아도 ARM 기반의 M1의 CPU 성능은 인텔 프로세서를 분명히 앞섰습니다. 그리고 GPU 성능은 인텔 내장 그래픽과 비교가 되지 않을 만큼 뛰어났습니다. 여기에다가 애플은 최신 5nm 공정과 아이폰, 아이패드에서 가다듬은 저전력 기술을 적용해 발열과 전력 소모까지 줄였습니다. 헤어진 것도 가슴 아픈데, 결과를 보니 헤어진 게 맞다는 사실이 확인됐으니 인텔 입장에서는 속이 쓰릴 수밖에 없는 상황입니다. 힘든 한 해를 보낸 인텔에게 더 충격적인 연말 소식은 오랜 동반자였던 마이크로소프트가 자체 ARM 서버 프로세서를 개발하고 있다는 뉴스일 것입니다. 이미 아마존은 자체 ARM 서버 칩인 그래비톤 시리즈를 개발해 사용하고 있으며 다른 대형 IT 기업들 역시 ARM 서버 칩 개발이나 채택을 고려하고 있는 상황입니다. 아직은 인텔의 시장 점유율이 절대적이긴 하지만, 시장 조사기관인 IDC는 2020년 3분기 서버 시장에서 ARM 기반 서버가 전년 대비 430.5%나 증가했다고 발표한 바 있습니다. AMD에 점유율을 빼앗기는 것도 모자라 ARM 서버 칩에도 점유율을 내주게 되면 서버 시장에서 인텔의 입지는 더 줄어들 수밖에 없는 상황입니다. 상황이 이렇게 급박하게 돌아가자 인텔은 비핵심 사업부인 낸드 부분을 SK 하이닉스에 매각하는 등 대책 마련에 부심하고 있습니다. 하지만 이미 뒤처진 미세 공정을 바로 따라잡긴 어렵기 때문에 더 급진적인 충격 요법이 필요하다는 주장이 나오고 있습니다. 경쟁사인 AMD처럼 반도체 제조 부분을 포기하고 팹리스(fabless, 자체 반도체 제조 시설 없어서 다른 파운드리 회사를 통해 반도체를 제조하는 회사) 회사가 돼야 한다는 주장이 그것입니다. 반도체는 미세 공정으로 갈수록 팹 건설 비용이 천정부지로 치솟는 특징이 있습니다. 인텔의 경쟁자인 AMD는 본래 회사 규모가 작아서 이 비용을 감당하기 어려웠습니다. 그래서 2008년 반도체 생산 부분을 분리하고 아부 다비 정부 투자 회사의 자금을 끌어들여 별도의 파운드리 회사인 글로벌 파운드리를 설립하게 됩니다. 하지만 이 글로벌 파운드리조차도 치솟는 미세 공정 건설 비용을 감당하지 못하고 결국 7nm 이하 미세 공정 개발은 포기했습니다. 인텔은 본래 반도체 업계 1위 기업이었기 때문에 12년 전에 팹리스로 전환한 AMD와는 사정이 달랐습니다. AMD가 팹리스로 전환하던 시점만 해도 인텔의 미세 공정은 세계 최고 수준으로 다른 경쟁자들은 이를 따라잡기에 급급했습니다. 그러나 10년이 넘는 세월이 흐른 후 이제 인텔은 삼성이나 TSMC 같은 파운드리 반도체 제조사에 뒤처졌습니다. 몇 년 전까지는 상상하기 어려운 일이었지만, 이제 인텔은 AMD와 같은 길을 가야 하는지 고민해야 하는 상황에 직면한 것입니다.본래 인텔은 2021년 말에 7nm 공정을 내놓고 2022년에는 EUV 기술을 적용한 7+ 공정을 내놓을 계획이었습니다. (로드맵 참조) 하지만 밥 스완 인텔 CEO는 이 로드맵을 내놓은 지 1년도 안 되 컨퍼런스 콜에서 7nm 공정이 6개월 정도 연기될 것이라고 발표했습니다. 사실 2022년이면 경쟁자들은 이미 3nm 공정에 진입할 시기입니다. 이 시기에 7nm 공정에 진입해도 별로 경쟁력이 없는 데다 10nm 공정 역시 여러 차례 연기한 전례가 있어 결국 7nm 공정에서도 비슷한 일이 일어나는 게 아닌가 하는 우려가 나오고 있습니다. 인텔이 망하지 않으려면 AMD처럼 아예 팹리스 회사로 가야 한다는 주장이 나름 설득력 있는 이유입니다. 하지만 인텔의 팹리스 전환 역시 간단한 문제가 아닙니다. 인텔의 생산 물량 자체가 워낙 많다 보니 이미 공장을 거의 풀가동하고 있는 TSMC나 삼성의 미세 공정에서 물량을 충분히 공급받기가 어렵습니다. 따라서 당장에는 AMD 같은 완전 팹리스 전환보다는 7nm 이하 공정이 꼭 필요한 일부 제품만 위탁생산하고 나머지 물량은 현재 개발 중인 차세대 10nm 공정으로 돌릴 것으로 예상됩니다. 문제는 10nm 이하 제품의 비중을 결국 늘려야 하는데 계속 위탁생산으로 갈 것이냐입니다. 앞으로 1~2년은 인텔의 미래를 좌우할 변곡점이 될 가능성이 높습니다. 결국 미세 공정 레이스에서 TSMC나 삼성에 계속 밀리게 되면 인텔도 특단의 대책을 세울 수밖에 없습니다. 2021년 스완 CEO가 어떤 결정을 내릴지 주목됩니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com　

스마트폰 시장에 ‘5나노 모바일 AP’ 경쟁이 본격화됐다. 지난 12일 삼성전자는 중국 상하이에서 5나노미터(nm) 극자외선(EUV) 공정을 활용해 제작한 모바일 AP인 ‘엑시노스1080’을 공개했다. 삼성전자가 스마트폰의 두뇌라고 불리는 AP를 5나노 공장으로 제작해 내놓은 것은 이번이 처음이다. 엑시노스1080은 최신 모바일 데이터 처리 기술을 집약한 5세대(5G) 이동통신 모뎀 통합 AP다. 삼성전자는 해당 제품을 중국 중저가 스마트폰 브랜드인 ‘비보’의 신제품 ‘V60’에 탑재할 예정이다. 중국 현지에서 제품 출시를 알린 것도 이같은 이유 때문이다. 또한 삼성전자는 2021년형 플래그십 스마트폰인 ‘갤럭시S21’에도 5나노 공정을 활용한 AP를 적용할 것으로 알려졌다. 애플은 스마트폰에 ‘5나노 AP’를 적용한 제품을 처음으로 시장에 내놓은 업체로 꼽힌다. 지난달 공개된 스마트폰 신제품 아이폰12 시리즈에 5나노 공정을 적용한 모바일 AP인 ‘A14 바이오닉’을 탑재했다. 애플 측은 “A14가 경쟁자 스마트폰 칩 대비해 GPU와 CPU 성능이 최대 50% 더 빠르다”고 자신하기도 했다.전세계 모바일 AP 점유율 1위 업체인 퀄컴도 다음달에 ‘테크 서밋 디지털 20220’ 행사를 통해 5나노 공정이 적용된 AP인 ‘스냅드래곤875’를 발표할 예정이다. 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 지난 2분기 모바일 AP 시장점유율은 퀄컴이 1위(29%)고 미디어텍(26%), 하이실리콘(16%), 애플(13%), 삼성전자(13%) 순서인데 5나노 제품에서 경쟁력을 보여주는 업체가 향후 점유율 뒤집기에 나설 수 있을 것으로 보인다. 5나노 미세 공정으로 반도체를 만들면 처리 속도가 빨라지고 에너지 효율도 좋아진다. 제품 크기도 감소한다. 그렇기에 이를 적용하면 7나노 공정 제품을 사용할 때보다 ‘더 똑똑하고, 더 오래가고, 더 군더더기 없는’ 스마트폰이 탄생할 가능성이 높아진다. 애플이 올해 벌써 5나노 AP 스마트폰 시대의 문을 열었기 때문에 앞으로 나올 주요 스마트폰 업체의 플래그십 제품에는 5나노 AP 탑재가 필수가 될 것으로 보인다.5나노 AP는 반도체 위탁생산(파운드리) 업계에도 중요한 이슈다. 전세계에서 5나노 공정이 가능한 업체는 삼성전자와 대만의 TSMC뿐이 없다. 이들은 애플이나 퀄컴 등의 고객사로부터 의뢰를 받아 위탁생산을 하고 있다. 스마트폰 업계에 5나노 AP 경쟁이 더 치열해지면 향후 삼성전자와 TSMC에 일감을 맡기는 업체들이 더 많아질 것으로 보인다. 파운드리 1위인 TSMC를 추격중인 2위 삼성전자는 5나노 AP 전쟁터에서도 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 현재 TSMC로 주문이 많이 몰리고 있는데 여기서 소화하지 못한 물량은 삼성전자 쪽으로 넘어갈 수도 있을 것으로 보인다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

이재용 삼성전자 부회장이 첨단 반도체 제조 장비를 챙기고자 일주일간 유럽 출장을 떠났다가 14일 귀국했다. 대만의 TSMC와 반도체 위탁생산(파운드리) 시장에서 기술 경쟁이 가속화하는 가운데 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML의 경영진과 만나 극자외선(EUV) 노광장비 공급을 논의하며 발로 뛰는 비즈니스를 하고 돌아온 것이다. 지난 8일 출국했던 이 부회장은 스위스와 네덜란드를 거쳐 6박 7일간의 일정을 소화한 뒤 이날 김포공항을 통해 귀국했다. 해외 현장 경영을 재개한 것은 지난 5월 중국 시안 반도체 공장 방문 이후 5개월 만이다. 이 부회장은 13일(현지시간) 네덜란드 에인트호번에 있는 반도체 장비 생산업체인 ASML에 들러 피터 버닝크 최고경영자(CEO)를 만나 기술 협력 방안에 대해 논의했다. 이날 귀국길에서 이 부회장은 취재진에게 “극자외선 장비 공급확대 협력 방안을 논의하고 왔다”고 말했다. ASML은 첨단 반도체 공정에 반드시 필요한 최첨단 EUV 장비를 사실상 독점적으로 공급하고 있다. EUV 광원을 이용해 회로를 새기면 기존 불화아르곤을 이용하는 것보다 세밀하고 균일한 모양을 반복적으로 찍어낼 수 있다. 한대당 약 1500억원에 달하는 고가이지만 차세대 반도체를 만들기 위해서는 반드시 필요한 장비다. 때문에 삼성전자나 TSMC, 인텔 등 반도체 업체들마다 ASML의 노광장비(빛을 이용해 회로를 새기는 기기)를 확보하기 위해 혈안이 돼 있다. 삼성전자는 ASML과의 파트너십을 강화하기 위해 2012년 전략적 투자로 ASML 지분 1.5%를 보유하기도 했다.이 부회장은 직접 ASML의 공장을 방문해 노광장비 생산 현황도 살폈다. 삼성전자 반도체 부문 수장인 김기남 DS부문장(부회장)도 출장에 동행했다. 업계 관계자는 “ASML은 지난해 26대의 EUV 장비를 생산했는데 그중 TSMC로 판매한 비중이 40%에 육박하는 것으로 알려졌다”면서 “EUV 장비가 중요해짐에 따라 파트너십 강화를 위해 이 부회장이 직접 나선 것으로 보인다”고 말했다. 또한 이 부회장은 “(이번 출장 기간에) IOC(국제올림픽위원회)도 방문했다”고 밝혔다. 올림픽 후원과 관련된 것 아니냐는 관측이 나온다. 삼성전자는 한국 기업 가운데 유일하게 최상위 등급 공식 후원사로 IOC와의 관계를 유지하고 있다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr