반도체 불황으로 실적 부진의 늪에 빠져 있던 삼성전자가 주력 제품인 D램의 흑자 전환에 힘입어 적자폭을 크게 줄였다. 삼성전자는 올해 1분기 D램, 낸드를 포함한 메모리 사업이 흑자로 돌아설 것으로 내다봤다. 지난해 4분기 연구개발(R&D) 투자금액이 역대 최대치를 기록한 것도 바닥을 찍고 반등할 것이란 자신감이 반영된 것이란 분석이 나온다. 삼성전자는 지난해 4분기 반도체(DS)부문에서 2조 1800억원의 영업손실을 기록했다고 31일 밝혔다. 이 회사의 캐시카우(현금창출원)인 반도체 사업의 고전으로 지난해 연간 영업이익도 6조 5670억원으로 쪼그라들었다. 전년 대비 84.86% 줄어든 수치다. DS 부문은 2022년 4분기 2700억원의 흑자를 낸 뒤 지난해 1분기부터 적자 행진을 이어 왔다. 지난 한 해 반도체 적자 규모만 14조 8800억원에 이른다. 눈여겨볼 점은 지난해 1분기(4조 5800억원)에 비해 4분기 적자 규모가 절반 아래로 줄었다는 점이다. 이는 반도체 업황이 최악의 국면을 지나 다시 살아난다는 신호로 읽힐 수 있는 대목이다. 실제 메모리 사업부의 D램 부문은 지난해 4분기 재고 개선의 영향으로 흑자 전환을 달성했다. 구체적 실적은 공개되지 않았지만 증권가에서는 7200억~1조 2000억원 사이의 흑자를 낸 것으로 추정한다. D램에 비해 회복세가 더딘 낸드도 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 중심으로 수요가 늘면서 1분기 실적 전망은 밝은 편이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 실적 발표 콘퍼런스 콜에서 “생성형 인공지능(AI) 관련 고대역폭 메모리(HBM)와 서버 SSD 수요에 적극 대응해 수익성 개선에 집중하겠다”면서 “올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”고 말했다. 지난해 4분기 HBM 판매량은 전년 같은 기간 대비 3.5배 늘어난 것으로 나타났다. 김 부사장은 “차세대 HBM3E는 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정이고, HBM4는 2026년 양산을 목표로 개발 중”이라고 밝혔다. 완제품을 만드는 디바이스경험(DX)부문에선 영상디스플레이·가전 사업이 지난해 4분기 실적 둔화로 적자 전환(-500억원)했다. 스마트폰을 담당하는 모바일 사업도 신모델 출시 효과 둔화로 전분기 대비 매출, 이익이 모두 감소했다. 다만 모바일경험(MX)사업부와 네트워크사업부의 연간 영업이익은 전년 대비 14.3% 늘어난 13조 100억원으로 집계됐다. 삼성전자는 이날 정식 출시한 첫 AI폰 ‘갤럭시S24’를 앞세워 초기 AI폰 시장의 주도권을 장악하겠다는 포부도 내비쳤다. 삼성전자는 실적 부진에도 미래 성장 준비를 위해 R&D 투자액을 끌어올렸다. 지난해 4분기 R&D 투자액은 7조 5500억원으로 역대 분기 최대치를 기록했다. 올해부터 2026년까지 3년간 발생하는 잉여현금흐름의 50%를 주주 환원에 활용하고 연간 9조 8000억원의 배당금을 지급하겠다는 계획도 내놓았다.

“미주 시장은 기술의 혁신이 일어나는 곳입니다. 그 혁신이 어디서 일어나느냐? 스마트폰, PC도 있지만 서버 시장을 주목하고 있습니다.” 한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄 부사장은 11일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 CES 2024가 열리고 있는 미국 라스베이거스 앙코르 호텔에서 기자들과 만나 “서버 시장 특히 인공지능(AI) 시장을 중요하게 보고 있다”고 말했다. 한 부사장은 “AI 전용 서버 시장이 과연 일반 서버 시장을 견인할 것이냐, 그리고 ‘삼성전자가 준비가 돼 있느냐’가 중요하다”고 강조했다. 불황의 터널을 지나고 있는 반도체 시장에 대해선 “중국 시장으로부터 반등의 시그널이 보이고 있다”면서 “미국에서도 온디바이스 AI’(인터넷 연결 없이 기기 내부에서 AI 구동)가 적용된 AI PC가 본격적으로 출시가 될 거다. 중국 시장보다 약간 늦겠지만 미국 시장도 올해부터 본격적으로 반등하지 않을까 전망한다”고 말했다. 다만 “심리적 요인도 있기 때문에 2분기 이후 수요 예측은 굉장히 어렵다”면서 “가장 두려운 건 ‘블랙스완’이다. 전혀 예상하지 못한 글로벌 이벤트가 없다는 가정에서의 시장 전망”이라고 부연했다.한 부사장은 또 “메모리 반도체와 파운드리(반도체 위탁 생산)를 동시에 하는 곳은 삼성전자가 유일하다”면서 “고대역폭 메모리(HBM)의 전력 소요를 줄이기 위해 맨 아래 깔려 있는 ‘베이스 다이’(Base Die)를 D램 공정이 아닌 파운드리 로직 공정으로 하는 등 시너지를 낼 수 있을 것으로 본다”고 자신했다. 한 부사장은 “앞으로 메모리와 파운드리 의사결정자들이 한 테이블에 모여 같은 고객을 만나게 될 것”이라면서 “이 파급력은 당장 못 느끼겠지만 2~3년 뒤에는 AI 시대 파운드리와 메모리 융합을 통해 큰 강자가 될 것으로 본다”고 말했다. 이어 “다른 공급사가 HBM을 너무 열심히 하고 있다”면서 “저희도 긴장하면서 분발하겠다”고 했다.삼성전자는 이번 CES 기간 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너에게 최신 제품을 체험할 수 있게 전시관을 운영했다. 이날 국내외 미디어에 공개한 전시관은 서버, PC·그래픽, 모바일, 오토모티브 등 각 부문으로 나뉘어 전시됐다. 전시관 한 가운데 위치한 터널 안에 들어가니 삼성전자 평택캠퍼스 3공장(P3)을 영상화한 가상 반도체 팹(fab)을 볼 수 있었다. 반대편에선 약 500만㎡(150만평) 규모의 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장이 어떻게 건설됐는지 시간 순으로 사진을 통해 확인할 수 있었다. 특히 반도체 업계 최초로 개발한 32기가비트 DDR5 D램이 눈길을 끌었다. 레고 블록처럼 각각의 칩이 모여 128기가바이트(GB)라는 하나의 모듈을 만드는데, 칩 하나에 들어갈 수 있는 용량을 16기가비트에서 32기가비트로 늘리면서 실리콘 칩을 위에 하나 더 쌓는 과정(적층)을 없앴다. 공정의 복잡도를 확 줄여준 것이다. 삼성전자 관계자는 “칩이 두 개일 때 발생하는 비효율은 파워 소모로 이어지는데 이런 걸 다 제거했다고 보면 된다”고 설명했다. HBM3E D램 ‘샤인볼트’는 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐다. 이 제품은 12단(적층) 기술을 활용해 1초에 1280GB의 대역폭과 최대 36GB의 고용량을 제공한다. 이 관계자는 “AI를 공부한다면 얼마나 빨리 학습할 것인지, 얼마나 효율적으로 할 것인지가 중요한데 메모리는 이러한 공부를 하는 데 있어 책과 노트와 같다”며 “메모리의 속도, 용량이 관건이 될 것”이라고 말했다.

지난해 사상 최악의 혹한기를 보냈던 반도체 업계가 ‘생성형 인공지능(AI) 시대’를 맞아 다시 호황을 바라보게 됐다. 특히 올해부터 본격화될 ‘온디바이스 AI’ 시장 경쟁이 메모리 반도체 수요를 크게 확대할 전망이다. 삼성전자가 생성형 AI를 활용한 기능을 처음 탑재한 ‘갤럭시S24’ 시리즈를 공개할 예정인 가운데, 애플도 오는 9월 ‘아이폰16’에 생성형 AI를 적용할 것으로 추정된다. 업계는 AI 스마트폰 시장이 메모리 반도체 분야에 새로운 수요를 창출할 것으로 기대하고 있다. 특히 AI 기능을 기기에 탑재하는 온디바이스 AI 분야는 스마트폰뿐만 아니라 향후 PC, 가전, 자동차, 보안, 헬스케어 등 다양한 분야로 확산할 것으로 전망된다. 이에 따라 각 기기에 적합한 맞춤형 AI 칩 수요도 급증할 것으로 예상된다. 서버 대신 기기 자체에 AI 모델을 탑재하는 온디바이스 AI의 특성상 데이터를 저장하기 위한 고용량·고성능 낸드가 필수적인 만큼 그간 부진했던 낸드 수요도 늘어날 전망이다. 차세대 D램 기술로 떠오르는 ‘컴퓨트 익스프레스 링크’(CXL) 시장도 커질 것으로 관측된다. CXL은 AI, 머신러닝, 빅데이터 등 고성능 연산이 필요한 경우 다른 기종의 제품을 효율적으로 연결할 수 있는 차세대 D램 연결 기술이다. 시장조사업체 욜 인텔리전스에 따르면 글로벌 CXL 시장은 2028년 150억 달러(약 20조원)에 달할 것으로 전망된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL 상용화를 앞당기고 시장을 선점하기 위해 기술 개발에 나서고 있다. SK하이닉스는 AI 반도체 성능을 좌우하는 ‘고대역폭메모리’(HBM) 반도체 시장에서 차세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산할 예정이다. HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 8월 개발에 성공한 현존 최고 성능의 메모리다. SK하이닉스는 상반기부터 이를 양산해 AI 빅테크 고객에게 공급한다는 계획이다. HBM 시장은 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 전체 시장 규모는 올해 약 2배 이상 성장할 것이란 전망이 나온다.

D램 가격 상승으로 6000억 축소‘HBM 4·5세대’ 신제품 사업 확대파운드리는 역대 분기 최대 수주내년 갤S24 ‘생성형AI’ 탑재 시사 반도체 불황의 ‘바닥’을 찍고 회복세를 확인한 삼성전자가 최근 엔비디아와 구글, 아마존 등 빅테크들이 개발 경쟁에 나선 인공지능(AI) 칩을 겨냥한 고대역폭 메모리(HBM) 증산에 나선다. 기존 메모리 제품보다 5~6배가량 비싼 HBM을 앞세워 지난 1년간 잃은 실적을 만회하고 메모리 시장의 새로운 장을 열겠다는 전략이다. 삼성전자는 31일 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조 4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 67조 4047억원으로 지난해 동기 대비 12.21% 감소했고, 순이익은 5조 8441억원으로 37.76% 줄었다. 지난 1분기 4조 5800억원 규모의 영업손실을 기록하며 적자 전환한 반도체사업부(DS)는 3조 7500억원의 적자를 내며 3개 분기 연속 적자를 이어 갔지만 D램 평균판매단가(ASP) 상승과 출하량 증가 등으로 전 분기(-4조 3600억원)보다 적자 폭을 6000억원가량 줄였다. 삼성전자는 “메모리 반도체는 HBM과 DDR5, LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전 분기 대비 적자 폭이 축소됐다”고 설명했다. 시스템LSI는 주요 응용처의 수요 회복 지연과 재고 조정으로 부진이 이어졌고, 파운드리(위탁생산)는 라인 가동률 저하 상황에도 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성했다. 삼성전자는 메모리 시장이 회복세로 돌아선 것으로 보고 품목별 시장 수요에 적극적으로 대응할 방침이다. 김재준 메모리사업부 부사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “내년 HBM 생산능력을 올해보다 2.5배 이상 늘릴 계획”이라면서 “현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황”이라고 밝혔다. 김 부사장은 이어 “HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다”며 “HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 절반을 넘어설 것으로 예상한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 삼성전자는 이르면 내년 1월 공개할 갤럭시 S24 시리즈에 생성형 AI 기능을 탑재할 계획도 시사했다. 다니엘 아라우조 MX(모바일경험)사업부 기획그룹장(상무)은 “사용자들이 많이 쓰는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적극 적용해 더욱 창의적이고 편리하며 초개인화된 경험을 제공할 계획”이라고 밝혔다.

반도체 불황의 ‘바닥’을 찍고 회복세를 확인한 삼성전자가 최근 엔비디아와 구글, 아마존 등 빅테크들이 개발 경쟁에 나선 인공지능(AI) 칩을 겨냥한 고대역폭 메모리(HBM) 증산에 나선다. 기존 메모리 제품보다 5~6배가량 비싼 HBM을 앞세워 지난 1년간 잃은 실적을 만회하고, 메모리 시장의 새로운 장을 열겠다는 전략이다.삼성전자는 31일 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조 4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 67조 4047억원으로, 작년 동기 대비 12.21% 감소했고, 순이익은 5조 8441억원으로 37.76% 줄었다. 지난 1분기 4조 5800억원 규모의 영업손실을 기록하며 적자 전환한 반도체사업부(DS)는 3조 7500억원의 적자를 내며 3개 분기 연속 적자를 이어갔지만, D램 평균판매단가(ASP) 상승과 출하량 증가 등으로 전 분기(-4조 3600억원)보다 적자 폭을 6000억원가량 줄였다. 삼성전자는 “메모리 반도체는 HBM과 DDR5, LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전 분기 대비 적자 폭이 축소됐다”고 설명했다. 시스템LSI는 주요 응용처의 수요 회복 지연과 재고 조정으로 부진이 이어졌고, 파운드리(위탁생산)는 라인 가동률 저하 상황에도 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성했다. 삼성전자는 메모리 시장이 회복세로 돌아선 것으로 보고 품목별 시장 수요에 적극적으로 대응할 방침이다. 김재준 메모리사업부(DS) 부사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘릴 계획”이라면서 “현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황”이라고 밝혔다.김 부사장은 이어 “HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다”라면서 “HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 삼성전자는 이르면 내년 1월 공개할 갤럭시 S24 시리즈에 생성형 AI 기능을 탑재할 계획도 시사했다. 다니엘 아라우조 MX(모바일경험)사업부 기획그룹장(상무)은 “사용자들이 많이 쓰는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적극 적용해 더욱 창의적이고 편리하며 초개인화된 경험을 제공할 계획”이라고 밝혔다. 외부 클라우드에 접속하지 않고 기기 내에 생성형 AI 기능을 탑재하는 온디바이스 방식 AI 기술로 ‘AI 스마트폰’ 시대를 주도한다는 게 삼성전자의 스마트폰 사업 비전이다.

메모리 시장 불황으로 깊은 적자의 늪에 빠진 SK하이닉스가 3분기 영업손실폭을 직전 분기의 40% 수준으로 줄이며 본격적인 반등을 예고했다. 메모리 감산과 시설 투자 50% 축소 등 초긴축 경영을 이어 온 SK하이닉스는 내년부터는 고대역폭 메모리(HBM)와 5세대 D램(DDR5) 등 첨단 고부가 제품을 중심으로 투자를 늘리며 실적 회복에 더욱 속도를 낸다는 전략이다. SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기 영업손실 1조 7920억원으로 지난해 동기(영업이익 1조 6605억원) 대비 적자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 9조 662억원으로 전년 동기 대비 17.5% 감소했고 순손실도 2조 1847억원(순손실률 24%)으로 적자로 돌아섰다. 실적 자체만 놓고 보면 1조 8000억원대 적자이지만 업계는 지난해 3분기 매출 10조 9829억원, 영업이익 1조 6605억원을 마지막으로 적자로 돌아선 SK하이닉스가 최근 3개 분기 연속으로 적자폭을 크게 줄여 온 점에 주목하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 올해 1분기 3조 4023억원, 2분기 2조 8821억원 규모의 적자를 냈다. 하지만 3분기에는 메모리 시장의 양대 축 중 하나인 D램이 2개 분기 만에 흑자로 전환하며 더딘 회복세를 보이고 있는 낸드플래시의 빈틈을 메웠다. 구체적으로 글로벌 빅테크들의 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 따라 수요가 급증하고 있는 AI용 메모리 HBM3와 고용량 DDR5 등 SK하이닉스의 D램 주력 제품 호황으로 전체 매출은 전 분기(7조 3059억원)보다 24% 늘었다. 영업손실은 전 분기 대비 38% 줄었다. SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 해 지속적으로 개선되고 있다”면서 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 말했다. 업계에서는 4분기부터는 D램과 낸드의 가격이 동반 상승하며 업황 회복 속도가 더욱 빨라질 것으로 보고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 D램 평균 판매단가(ASP)가 3~8% 상승할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 이런 시장 변화에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV(실리콘 관통 전극)에 대한 투자를 확대할 계획이다. SK하이닉스는 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “2024년 말까지 D램 10나노 4세대와 5세대 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것”이라고 말했다. 삼성전자와 경쟁 중인 HBM 제품에 대한 자신감도 드러냈다. SK하이닉스는 “HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 캐파(생산능력)가 ‘솔드아웃’됐다”며 “고객의 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다”고 밝혔다. 낸드 시장 점유율 2위(19.1%) 일본 키옥시아(옛 도시바메모리)와 4위(16.1%) 미국 웨스턴디지털의 경영 통합 추진에 동의하지 않는다는 입장도 처음으로 밝혔다. 두 회사 통합에는 최대 주주인 한미일 연합 컨소시엄을 통해 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스의 동의가 필요하다. SK하이닉스는 약 4조원을 컨소시엄에 투자했다.

삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 초고성능 고대역폭 메모리(HBM)부터 차세대 PC와 노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 패키지 모듈까지 다양한 분야에서 폭넓게 활용할 수 있는 메모리 솔루션을 대거 공개했다.삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 반도체 시장의 신기술 흐름과 주요 제품을 소개했다. ‘메모리 역할의 재정의’를 주제로 열린 이번 행사는 삼성전자의 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자는 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ ▲ 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기와 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기 등 데이터를 생성하고 활용·소비하는 모든 기기를 의미한다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라면서 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이어 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다. 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

반도체 대장주 삼성전자 주가가 연이틀 60만원대로 주저앉았다. 20일 한국거래소에 따르면 코스피시장에서 삼성전자는 전 거래일 대비 0.29% 떨어진 6만 9600원에 장을 마쳤다. 전날 6만 9800원으로 7만원 선이 무너진 뒤 이틀 연속 ‘6만 전자’에 머물렀다. 삼성전자 주가가 6만원대를 기록한 것은 지난달 31일(6만 6900원) 이후 약 3주일 만이다. 세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC가 최근 주요 반도체 장비 업체에 제품 납품을 늦춰 달라고 통보한 사실이 알려지며 반도체 경기에 대한 우려가 확산했기 때문이다. 이 회사의 3분기 실적 부진 전망 역시 삼성전자 주가를 끌어 내렸다. 이승우 유진투자증권 연구원은 “삼성전자 3분기 영업이익은 1조 6000억원으로 시장 예상치인 3조원을 밑돌 전망”이라고 했다. 고점에 물린 뒤 주가 회복을 노리던 개미(개인투자자) 사이에서는 곡소리가 났다. 삼성전자 종목 토론방 한 투자자는 “이제 6만 전자 굳히기에 들어간 것이냐”는 글을 남겼다. 또 다른 투자자는 “‘5만 전자’만은 면해야 하는 게 아닌가”라고 한탄했다. 이달 초만 하더라도 삼성전자 주가는 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍 속에 상승세를 나타냈다. 시장에서는 ‘9만 전자’ 기대감이 부풀어 올랐다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음 달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어 올렸다. HBM은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 AI의 데이터 학습에 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 그러나 증권가는 여전히 삼성전자 주가 흐름에 낙관적이다. 3분기 실적 부진이 오히려 저점 매수 기회라는 분석이다. 박유악 키움증권 연구원은 “3분기 실적이 예상보다 부진하지만 대부분은 대규모 감산에 따른 비용 부담 때문”이라며 “오히려 현재 시점부터는 HBM 판매 확대와 메모리 가격 반등 등 사업 펀더멘털(기초 체력) 개선이 삼성전자의 주가 상승을 뒷받침하기 시작할 것”이라고 했다.

삼성전자가 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍을 타고 주가가 거침없이 상승하면서 다시 한번 ‘9만전자’ 기대감이 높아지고 있다. 4일 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일보다 0.28% 오른 7만 1200원에 장을 마감했다. 전 거래일인 지난 1일에는 6.13% 급등한 7만 1000원에 거래를 마쳤다. 삼성전자 주가가 7만원대로 올라선 것은 지난달 1일(7만 1100원) 이후 약 한 달 만이다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어올렸다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. GPU에 탑재되며 AI가 대규모 데이터를 학습하기 위해 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 올해 들어 이날까지 삼성전자 주가는 30% 가깝게 올랐지만 경쟁사와 비교하면 상승폭이 기대에 미치지 못한다. SK하이닉스는 연초 대비 57.4% 상승했고, 국내 반도체 종목을 묶은 ‘KRX 반도체’ 지수마저 59.4% 뛰었다. 같은 기간 개미(개인투자자)들이 삼성전자 주식을 10조 4540억원어치 순매도한 반면 외국인 투자자는 13조 6510억원어치 순매수했다. 증권가는 삼성전자 주가가 HBM 호재를 타고 2021년 1월 11일 기록한 9만 1000원 전고점을 넘어설지 주목하고 있다. HBM 수요 급증이 삼성전자 주가 회복 시기를 앞당길 것이란 기대다. 당초 업계는 하반기 정보통신기술(ICT) 산업 침체로 인해 하반기 삼성전자 실적이 지지부진한 흐름을 보일 것으로 내다봤다. 김동원 KB증권 연구원은 “삼성전자는 올해 엔비디아, AMD를 HBM 신규 고객사로 확보하는 동시에 내년 HBM 고객사가 최대 10개까지 확대될 것으로 예상돼 4분기부터 주가가 HBM 프리미엄 구간에 진입할 것”이라고 말했다. 이어 “향후 삼성전자 주가는 HBM 점유율 확대와 파운드리 실적 개선 전망 등을 동시에 고려할 때 직전 고점인 9만 1000원을 돌파할 가능성이 클 것”이라고 예측했다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장점유율 50%로 삼성전자에 10% 포인트 앞섰지만 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양 사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해 온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 삼성전자 역시 5세대 제품에 해당하는 HBM3P 샘플을 올 하반기 중 고객사에 제공해 성능 검증을 진행할 예정이다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장 점유율 50%로 삼성전자에 10%포인트 앞섰지만, 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로, 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며, 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.

인공지능(AI)이 다시 주목받으면서 그래픽처리장치(GPU)와 함께 몸값이 높아지는 제품이 있습니다. 바로 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)입니다. 사실 GPU 가운데서 HBM을 탑재한 제품은 소수에 불과합니다. 하지만 최근에는 그 소수의 제품에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 고성능 AI 연산을 위해서 H100 같은 강력한 성능을 지닌 GPU가 필요한데, 여기에 HBM이 탑재되기 때문입니다.  최근 미국 로스앤젤렌스(LA)에서 열린 최대 규모 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 ‘시그래프’(SIGGRAPH) 행사에서 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 HBM3E를 장착한 GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩을 공개했습니다. 지난해 공개한 HBM3 버전과 비교해서 메모리 용량은 1.5배 정도 늘어나고 대역폭도 4TB/s에서 5TB/s로 증가해 더 많은 데이터를 학습하고 사용자가 원하는 결과를 내놓는 데 유리해졌습니다.  HBM은 사실상 SK 하이닉스와 삼성전자가 시장을 양분하고 있습니다. 시장 조사기관의 분석에 따르면 지난해 시장 점유율은 SK 하이닉스가 50%, 삼성전자가 40%, 마이크론이 10% 정도로 D램보다 더 국내 기업이 독보적인 점유율을 자랑하는 분야입니다. HBM은 상당히 고부가가치 상품일 뿐 아니라 수요가 급격히 증가하고 있어 앞으로 우리나라의 새로운 주력 상품이 될 것으로 기대되고 있습니다.  그런데 이렇게 좋은 제품이라면 더 적용 범위를 늘려 나가도 되지 않을까 하는 생각이 드는 게 사실입니다. 그래픽 카드에 쓰이는 HBM이 처음 등장했을 때만 해도 그런 생각을 지닌 사람들이 많았습니다. 많은 이들이 이제는 용량이나 속도 한계에 점점 도달한 그래픽스 더블 데이터 레이트(GDDR) 메모리를 대신해 HBM이 새로운 대세가 될 것으로 믿었습니다.  여기서 잠깐 GDDR 메모리에 대한 이야기를 먼저 해야 합니다. 초창기 GPU들은 CPU와 동일한 DDR 계열 메모리를 사용했는데, GPU가 처리하는 데이터의 양이 급격히 증가하면서 곧 병목 현상에 부딪히게 됩니다. 그래서 나온 것이 GDDR 메모리였습니다. GDDR3부터 본격적으로 시장에 공급되었고 이후 GDDR5에서는 사실상 그래픽 메모리의 표준이 되었습니다. GDDR5는 사실 DDR3 메모리의 변형으로 같은 건물에 엘리베이터와 통로를 여러 개 만들어 속도를 높인 것으로 이해할 수 있습니다.  하지만 GPU 발전 속도가 GDDR 메모리 발전 속도보다도 더 빠른 것이 다시 문제가 됐습니다. 고성능 GPU에서 필요한 메모리 대역폭을 얻기 위해서는 256bit 메모리 인터페이스와 GDDR 계열 메모리로도 부족한 상황이 된 것입니다. 여기에 GDDR 메모리는 여러 층으로 쌓기도 힘들어 용량까지 한계가 분명했습니다.  2013년 JEDEC에서 표준을 확정한 HBM은 이 문제에 대한 완벽한 해결책으로 보였습니다. HBM은 기본적으로 메모리를 4층, 8층, 12층씩 위로 쌓아 올린 적층형 메모리 구조라 면적 대비 용량이 GDDR과 비교되지 않을 정도로 높습니다. 그러면서도 데이터 전송 속도를 높이기 위해 위아래로 작은 통로인 TSV를 무수히 뚫어 데이터 전송 속도를 획기적으로 끌어 올렸습니다.  그만큼 제조가 까다롭고 프로세서와 연결을 위해 인터포저라는 중간층을 또 넣어야 한다는 것이 문제였지만, 장기적으로 보면 GDDR 메모리는 속도와 용량면에서 HBM의 상대가 되지 않을 것으로 예상되었습니다. 하지만 이런 기대에도 불구하고 2015년 1세대 HBM을 장착한 라데온 R9 Fury X는 GDDR5를 장착한 엔비디아의 GTX 980 Ti를 넘지 못하는 실망스러운 성능을 보여줬습니다. 메모리 대역폭 자체는 라데온 R9 Fury X가 높았지만, GPU 자체의 성능에서 밀렸기 때문입니다. 지포스 쪽이 데이터 압축 능력이 더 뛰어나 대역폭의 단점을 쉽게 극복한 것도 이유였습니다. 더 저렴한 GDDR 메모리를 장착해도 경쟁자를 충분히 제압할 수 있는 상황에서 엔비디아는 게이밍 GPU에 굳이 HBM을 탑재할 필요를 느끼지 못했습니다. HBM 탑재 라데온 그래픽 카드가 지포스의 성능을 뛰어넘었다면 이후에는 다른 시장 상황이 펼쳐질 수 있었다는 점은 아쉬운 부분입니다.  아무튼 이후 GDDR 메모리도 계속 발전하면서 어느 정도 고성능 게이밍 GPU에 필요한 대역폭을 제공했습니다. 그리고 그래픽 카드 시장 자체가 엔비디아 독점 시장이 되면서 급할 게 없는 엔비디아는 가격이 저렴한 GDDR6X 메모리를 RTX 4000 시리즈에도 사용하고 있습니다. 처음에는 고성능 GPU에 HBM 계열 메모리를 사용했던 AMD마저도 제품군 자체가 중급형으로 내려가면서 비싼 HBM을 탑재해야 할 이유가 사라져 GDDR로 다시 회귀했습니다.  하지만 미래에는 다른 상황이 펼쳐질 수도 있습니다. 엔비디아와 AMD 모두 AI 및 HPC 연산용 GPU에 고성능 HBM을 아낌없이 사용하고 있기 때문입니다. 이런 종류의 제품은 기본적으로 가격이 매우 비싸기 때문에 HBM이 GDDR 메모리보다 좀 더 비싸다는 것은 큰 문제가 되지 않습니다. 그보단 현재 기술적 우위를 바탕으로 시장을 장악하려는 엔비디아와 AMD나 인텔 같은 도전자들이 가진 기술을 모두 쏟아붓는 시장이기 때문에 HBM3나 HBM3E 같은 최신 메모리에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 여기에 인텔은 서버 CPU에도 HBM을 탑재하면서 적용 범위가 넓어지고 있습니다.  이렇게 생산이 늘어나면 결국 규모의 경제가 이뤄져 가격은 내려갈 수 있습니다. 그리고 메모리 용량 및 속도에서 HBM의 발전 속도가 GDDR보다 여전히 빨라 몇 년 후에는 고성능 그래픽 카드나 서버 부분에서 적용 범위가 점점 더 넓어질 것으로 기대할 수 있습니다. 10년 만에 본격적으로 빛을 보고 있는 HBM의 미래를 기대해 봅니다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있다. 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한 환경에서도 안정적으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 큰손으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자에서는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리 반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다.9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있고, 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 컨퍼런스 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “인공지능(AI) 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 강조했다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온 다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한의 환경에서도 안정적으로 작동한다.삼성전자와 SK하이닉스는 AI칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 ‘큰손’으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터 센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.