지난해 혹한기를 보낸 반도체 시장에 훈풍이 불고 있다. 삼성전자의 반도체 부문은 연간 적자 행진을 끝내고 올 1분기 흑자 전환에 나설 것으로 보이며 한발 앞서 흑자 전환을 이뤄 냈던 SK하이닉스는 시장 전망치를 웃도는 ‘어닝 서프라이즈’를 기록할 것으로 전망된다. 인공지능(AI) 서비스 확대로 차세대 메모리 제품 수요가 확대됨에 따라 두 회사 간 경쟁은 더욱 치열해질 것이란 분석이다. 25일 반도체 업계에 따르면 D램과 낸드 등 메모리 반도체 가격이 회복세에 접어들면서 관련 기업들의 실적이 개선되고 있다. 미국 최대 메모리 칩 제조업체인 마이크론 테크놀로지는 지난 20일(현지시간) 회계연도 2024년 2분기(2023년 12~2024년 2월) 매출이 전년 대비 58% 증가한 58억 5000만 달러(약 7조 8447억원)를 웃돌았다고 밝혔다. 7개 분기 만에 흑자로 돌아선 데다 시장 전망치도 뛰어넘었다. 마이크론의 실적 개선에 국내 메모리 업체의 실적 개선에 대한 기대감이 커지는 분위기다. 삼성전자의 올 1분기 영업이익에 대한 증권가 전망치(컨센서스)는 4조 9292억원으로 지난해 1분기(6402억원)의 약 8배이며 지난해 4분기(2조 8257억원) 대비 약 2배나 높다. 특히 반도체 사업을 하는 DS(디바이스솔루션) 부문의 실적이 개선돼 올 1분기 2000억원에서 3000억원 중반대의 영업이익을 달성할 것으로 전망되고 있다. 해당 부문은 지난해 4분기 내내 영업손실을 기록하며 연간 누적 적자가 14조 8700억원에 달했으나 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 지난 20일 정기 주주총회에서 “올 1월부터 적자에서 벗어나 흑자 기조에 들어왔다”고 말했다. SK하이닉스 역시 올 1분기 시장 전망치를 뛰어넘는 실적을 기록할 것으로 기대되고 있다. SK하이닉스의 올 1분기 영업이익 컨센서스는 1조 3000억원으로 지난해 1분기(-3조 4023억원)와 비교하면 138%나 증가한 수준인데 메모리 반도체 업계에서 가장 주목받고 있는 고대역폭메모리(HBM) 선두업체로 엔비디아의 HBM 최대 공급사인 만큼 수익성이 크게 강화됐을 것이란 평가다. 차세대 메모리 시장을 놓고 양사의 경쟁은 가속화되고 있다. SK하이닉스는 메모리 업계에선 처음으로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 대규모 양산에 돌입하고 이달 말 엔비디아에 납품을 시작한다. HBM 분야의 선점 경쟁에서 SK하이닉스에 다소 밀렸다는 평가를 받고 있는 삼성전자는 차세대 HBM 개발에 속도를 내는 한편 내년 초 엔비디아의 AI 가속기를 대체할 수 있는 추론칩 ‘마하1’을 출시할 예정이다.

‘젠슨 승인(JENSEN APPROVED).’ 인공지능(AI) 반도체 ‘큰 손’인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자가 개발한 5세대 고대역폭메모리 ‘HBM3E’(12단 적층)에 친필 사인을 남겼다. 황 CEO가 승인한다는 게 어떤 의미인지는 알려지지 않았지만 삼성의 HBM 기술력에 대한 기대감을 드러낸 것만은 분명해 보인다. 21일 업계에 따르면 황 CEO는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 전시된 제품을 직접 살펴본 것으로 알려졌다. 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄 부사장은 자신의 소셜미디어(SNS)에 황 CEO가 부스에 전시된 HBM3E 제품에 사인을 남긴 사진을 올렸다. 한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다”면서 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 했다. 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다.황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 ‘삼성의 HBM을 사용하고 있나’라는 질문에 “아직 사용하고 있지 않다”면서도 “현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다”고 언급했다. 그러면서 “HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술이며, 기술적인 기적과도 같다”며 삼성전자와 SK하이닉스를 치켜세웠다. 황 CEO가 삼성전자 제품을 직접 살펴보면서 양사간 파트너십 강화에 대한 기대감도 커지고 있다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날 주주총회에서 “12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것”이라고 밝혔다.삼성전자는 AI 반도체 시장에서 주도권을 되찾기 위해 AI 가속기 ‘마하1’을 개발 중인 사실도 밝혔다. 경 사장은 “메모리 처리량을 8분의 1로 줄이고, 8배의 파워 효율을 갖게 하는 것을 목표로 현재 개발 중인 마하1 인퍼런스(추론) 칩은 그 혁신의 시작이 될 것”이라면서 “저전력(LP) 메모리로도 대규모언어모델(LLM)의 추론이 가능하도록 준비하고 있다”고 말했다. 이어 “올해 말 칩을 만들고 내년 초에는 칩으로 구성된 시스템을 볼 수 있을 것”이라고 덧붙였다.

엔비디아는 AI 시대에 가장 가치가 치솟은 기업입니다. 현재의 AI 기술 중 상당 부분이 이 회사가 만든 GPU에 의존하고 있기 때문입니다. 오래전부터 GPU의 병렬 연산을 위해 CUDA 코어와 소프트웨어를 공개했고 이를 AI 연산에 활용하는 생태계를 구축해 왔기 때문에 지금 와서 다른 회사의 하드웨어로 이를 대체하기 힘든 것이 현실입니다. 오랜 경쟁자인 AMD도 데이터 센터 GPU를 계속 공개하고 있고 인텔도 새로운 AI 시장 공략을 위해 GPU를 공개했지만, 시장을 먼저 선점한 엔비디아의 아성을 깨뜨리기는 쉽지 않습니다. 이런 상황에서 새로 공개한 블랙웰 GPU는 반도체 미세 공정의 한계를 극복하고 AI 연산 성능을 높여 누구도 따라잡기 쉽지 않은 경쟁력을 유지하려는 의도로 풀이됩니다. 블랙웰 GPU는 TSMC의 4nm 공정의 개량형인 4NP 공정으로 제조되었습니다. 3nm 공정을 적용하지 않은 이유는 확실치 않지만, 비용 및 공급 부족 등이 이유가 된 것으로 보입니다. 하지만 그런 만큼 트랜지스터 집적도를 전 세대인 호퍼 (Hopper)보다 더 높이기 힘든 상황입니다. 800억 개의 트랜지스터를 집적한 호퍼 H100 GPU는 4nm 공정에서 다이(die, 웨이퍼에서 잘라낸 반도체 칩) 면적이 814㎟에 달합니다. 이는 현재 반도체 제조 기술에서 이론적인 다이 크기의 한계치에 거의 근접한 것으로 더 크기를 늘리기 쉽지 않습니다. 따라서 블랙웰 B200은 두 개의 다이를 연결하는 방법으로 2080억 개의 트랜지스터를 집적했습니다. 이런 접근법은 최근 점점 일반적인 추세가 되고 있습니다. 공정 미세화의 한계에 부딪힌 반도체 제조사들은 하나의 큰 칩 대신 여러 개의 작은 칩인 칩렛을 연결해 거대한 크기의 프로세서를 만들고 있습니다. 인텔, AMD, 애플이 모두 이 방법을 사용했고 이번에는 엔비디아도 이 방식을 적용해 트랜지스터 집적도를 대폭 늘렸습니다. 블랙웰 B200은 AI 연산에서 전 세대인 H100과 비교해서 최대 5배인 20페타플롭스의 성능을 지니고 있습니다. 물론 칩을 두 개 붙인 점을 생각하면 실제 성능은 2.5배라고 할 수 있는데, 실은 FP 8 연산의 절반 정도의 자원을 소모하는 FP 4 연산에서 그렇다는 이야기로 FP 8 기준으로 보면 AI 연산 능력은 절반 수준인 10페타플롭스가 최대입니다. 결국 칩 하나의 성능은 사실 1.25배 정도로 트랜지스터 수 증가를 생각하면 딱 그 정도의 성능 증가인 셈입니다. 하지만 그렇다고 해서 블랙웰이 아무 의미 없는 꼼수에 지나지 않는 것은 아닙니다. FP 4 연산만 해도 충분한 경우 AI 연산 속도를 크게 높일 수 있고 심지어 FP 4와 FP 8 연산의 중간을 원하는 고객을 위해 FP 6까지 지원하는 기능을 갖춰 더 유연한 AI 연산이 가능합니다. 그보다 더 중요한 점은 AI 경쟁이 격화되면서 어떤 비용을 치르더라도 남들보다 앞서기를 원하는 고객을 위해 성능을 높일 수 있는 다양한 옵션을 제공하고 있다는 것입니다.예를 들어 블랙웰은 기반 GB 200은 그레이스 슈퍼칩 CPU 한 개와 두 개의 B200 GPU를 하나로 묶어 최대 40페타플롭스의 AI 연산 능력을 갖고 있습니다. 물론 그만큼 비싸고 전력 소모도 엄청나지만, AI 개발에 사활을 걸고 있는 기업이 많아 오히려 수요 대비 공급이 부족할 것으로 예상됩니다. 그리고 이 경우 HBM의 수요가 크게 늘어 우리나라 메모리 업계에도 호재가 될 것입니다. B200 GPU는 24GB HBM3e를 8개나 탑재해 192GB의 메모리 용량을 갖고 있고 GB200는 그 두 배인 384GB의 HBM3e 메모리를 지니고 있기 때문입니다. 여기서 화룡점정을 찍는 것 같은 소식은 비용에 상관없이 최강의 성능이 요구하는 고객을 위한 서버 랙 시스템인 GB 200 NVL 72 노드입니다. 하나의 서버 랙에 두 개의 GB 200을 탑재한 서버 트레이 18 유닛을 쌓아서 총 72개의 B200 GPU를 장착한 시스템으로 강력한 대규모 AI 연산을 위한 슈퍼컴퓨터라고 할 수 있습니다. 다만 이 경우 엄청난 전력을 소모하기 때문에 공랭 쿨러 대신 수랭 쿨러를 사용해야 시스템 발열을 처리할 수 있습니다.그런데 이렇게 많은 프로세서를 사용해 대규모 연산 시스템을 구축하는 경우 데이터를 공유하고 작업을 분산하는 과정이 새로운 문제로 떠오르게 됩니다. 이 과정에서 병목현상이 생기면 전체 시스템의 성능이 크게 저하되는 것입니다. 이를 해결하기 위해 엔비디아는 아예 NVLINK 스위치라는 새로운 네트워크 전용 프로세서를 만들었습니다. 그리고 NVLINK 스위치 프로세서를 서버 트레이 하나에 두 개씩 넣어서 총 14.4TB/s의 대역폭을 확보했습니다. 이런 트레이가 9개가 있기 때문에 GB 200 NVL 72 노드 한 개가 130TB/s에 달하는 거대한 프로세서 간 대역폭을 확보할 수 있습니다. 덕분에 갈수록 커지고 있는 대규모 AI 학습 데이터를 더 효과적으로 처리하고 학습을 빨리할 수 있게 됐습니다. 마지막으로 GB 200 NVL 72 노드를 여러 대 연결하면 엑사플롭스급 AI 슈퍼컴퓨터 구축이 가능합니다. 물론 비용도 에너지 소모량도 엄청나지만, 역시 수요는 충분할 것으로 예상됩니다. 블랙웰 GPU를 보면 AI 하드웨어가 본격적인 산업화 시대에 도달했다는 것을 알 수 있습니다. 과거 GPU는 게임용으로 많이 사용되었고 초기 AI 연산용 GPU도 이것과 크게 다르지 않았으나 최근 나오는 데이터 센터 GPU는 산업용 및 연구용으로 특화되어 관련 분야에 종사하는 사람이 아니라면 직접 한 번 보거나 다뤄보기 어려운 물건이 됐습니다. 블랙웰 GPU는 대규모 데이터 처리와 AI 연산에 적합한 데이터 센터 GPU로 AI 혁명을 한 단계 앞당길 제품이 될 것으로 보입니다.

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 신제품인 HBM3E D램을 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 미 반도체 기업인 엔비디아의 차세대 인공지능(AI)칩 ‘블랙웰’ 공개에 발맞춘 행보로 보인다. 19일 SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 메모리 업체 중 가장 먼저 양산해 이달 말부터 납품을 시작한다고 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다. 고객사를 따로 밝히진 않았지만 세계 최대 반도체 회사인 엔비디아에 해당 제품을 공급할 전망이다.SK하이닉스에 따르면 HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다. 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리하며 이는 풀고화질(FHD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다”면서 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 이어 가겠다”고 강조했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 앞서 세계 D램 3위 업체인 마이크론 테크놀로지가 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 HBM3E 양산을 시작했다고 발표했으나 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 처음인 것으로 알려졌다. 한편 HBM 시장은 현재까지 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%로 추정된다. 올해 HBM3E 시장이 열리면서 경쟁이 치열해질 전망이다.

업계 최대 용량 36GB 구현 성공8단 쌓은 ‘선두’ SK하이닉스 추격D램 점유율 46%… 7년 만에 최고마이크론, 엔비디아용 HBM 양산새달 삼성과 ‘36GB 용량’ 맞붙어 인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM)를 놓고 메모리 반도체 업체간 경쟁이 본격화됐다. 선두 SK하이닉스를 추격 중인 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단으로 쌓은 ‘5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공하면서 반전 계기를 맞았다. 미국 마이크론도 엔비디아용 5세대 HBM 양산을 시작하고 HBM 시장을 사실상 양분하고 있는 국내 업체에 도전장을 냈다. 27일 업계에 따르면 삼성전자가 이번에 개발한 36기가바이트(GB) 5세대 HBM은 업계 최대 용량이다. 3GB 용량인 24기가비트(Gb) D램을 12단으로 쌓아 올려 8단까지 쌓은 경쟁업체 제품(24GB)과 차별화를 한 것이다. 수천개의 미세 구멍을 뚫은 D램을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술(TSV·실리콘 관통 전극)을 활용했다고 한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 삼성전자가 고용량 HBM 시장을 주목한 건 AI 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증하고 있기 때문이다. 회사 측은 “성능과 용량이 이전 제품인 4세대 HBM(HBM3 8단) 대비 50% 이상 개선됐다”면서 “이 제품을 사용하면 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 비용을 절감할 수 있다”고 했다. 삼성전자는 6세대 HBM도 2026년 양산을 목표로 준비 중이다. 6세대에서는 16단까지 용량이 커질 것으로 보고, 칩과 칩 사이의 ‘갭’을 완전히 없애는 신공정도 개발하고 있다. 삼성전자의 HBM 매출이 늘면서 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%(옴디아 기준)를 기록했다. 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다. 다만 HBM 시장만 놓고 보면 SK하이닉스가 앞서가고 있다는 평가를 받는다. SK하이닉스는 AI 반도체의 핵심인 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 지난달 8단으로 쌓은 5세대 HBM도 초기 양산을 시작했다. 내부 인증을 마친 HBM 제품을 고객사에 보냈고, 고객사 인증 절차가 마무리되는 대로 본격 양산에 돌입할 계획이다. 12단 제품도 국제 표준 규격(JEDEC)에 맞춰 개발 중이다. 국내 업체에 비해 HBM 시장 점유율이 상대적으로 미미한 마이크론도 반격에 나섰다. 마이크론은 26일(현지시간) 2분기 출시 예정인 엔비디아의 ‘H200’ GPU에 탑재될 5세대 HBM(24GB 8단) 양산을 시작한다고 공식 발표했다. H200은 엔비디아의 주력 제품인 ‘H100’을 대체할 차세대 제품이다. 마이크론도 다음달 36GB 12단 5세대 HBM의 샘플 제품을 내놓고 고용량 시장에서 삼성전자와 맞붙는다. HBM 생산 능력과 함께 얼마나 효율적으로 생산할 수 있느냐에 따라 HBM 시장의 판도도 바뀔 것으로 보인다.

인공지능(AI) 대장주로 불리는 미국 반도체 기업 엔비디아가 시장 전망치를 웃도는 깜짝 실적을 발표하면서 미 증시가 뜨거워지고 있다. 엔비디아에 고대역폭메모리(HBM)를 공급하는 SK하이닉스에 대한 기대도 커지고 있다. 엔비디아 주가는 22일(현지시간) 뉴욕 증시에서 전날보다 16.4% 폭등한 785.38달러(약 104만원)에 마감했다. 시가총액도 전날 1조 6670억 달러에서 1조 9390억 달러로 크게 오르며 하루 만에 2720억 달러(약 361조원) 증가했다. 이달 초 페이스북 모회사 메타플랫폼의 하루 증가분(1970억 달러)을 넘어서는 수치다. 시총 2조 달러를 눈 앞에 두고 있는 엔비디아는 아마존(1조 8130억 달러), 구글 모회사 알파벳(1조 7970억 달러)를 제치고 시총 순위 3위 자리도 탈환했다.엔비디아는 전날 시장 예상치를 뛰어넘는 2023년 회계연도 4분기(11~1월) 실적을 발표했다. 매출은 전년 같은 기간 대비 265% 늘었고 총이익은 769% 급증했다. 전세계 AI 반도체 시장의 80%를 차지하는 엔비디아의 호실적에 미 증시도 강한 랠리를 펼쳤다. 다우존스30 산업평균지수는 사상 처음으로 3만 9000선을 돌파했고, 스탠더드앤드푸어스(S&P) 500 지수는 지난해 1월 이후 가장 큰 폭의 상승률을 기록했다. 엔비디아발 열풍에 AMD(10.69%), 브로드컴(6.31%), 마블 테크널러지(6.64%), ASML(4.81%), 어플라이드 머티어리얼즈(4.94%), 마이크론(5.42%) 등 다른 반도체 관련주도 크게 올랐다. 엔비디아와 AI 반도체 협력 관계를 맺고 있는 SK하이닉스도 덩달아 수혜를 입고 있다. SK하이닉스 주가(15만 6500원, 22일 종가 기준)는 전날 5.03% 급등하며 시총이 114조원에 달했다. 23일 장 초반 16만원을 넘어서며 시총이 한때 118조원을 넘었다. 3년 내 200조원 시총을 목표로 하는 SK하이닉스로서는 ‘엔비디아 효과’ 덕을 톡톡히 보고 있는 셈이다. SK하이닉스는 AI 칩에 들어가는 HBM 시장에서 엔비디아와 협력 관계를 이어가고 있다. SK하이닉스의 5세대 HBM인 ‘HBM3E’도 엔비디아의 차세대 AI용 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 것이란 관측이 제기되면서 추가 협력 전망도 밝은 편이다. 지난해 4분기 흑자전환을 하면서 빠르게 적자 터널을 벗어난 SK하이닉스는 올해 10조원이 넘는 영업이익을 낼 것으로 증권가에선 보고 있다.

삼성전자가 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등 지속 성장을 위한 기반을 강화하고 있다. 21일 삼성전자에 따르면 지난해 삼성전자의 연간 시설투자는 약 53조 1000억원으로 이전 해와 같은 수준이다. 메모리의 경우 지난해 4분기에 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 HBM·DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자를 지속해 왔다. 파운드리는 EUV를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 지난해보다 연간 투자액을 늘렸다. 또한 지난해 4분기 연구개발 투자를 지속하며 분기 최대 7조 5500억원의 연구개발비를 기록했다. 한편 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매 및 다양한 응용처의 신규 수주를 지속적으로 확대한다는 계획이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 늘려 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응한다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖출 예정이다. 파운드리는 GAA 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대한다. 특히 AI 시대에 최적화한 차세대 메모리 솔루션 개발을 이어간다. 삼성전자는 세트 사업에서 플래그십 중심으로 스마트폰 판매를 확대하고 초대형 TV 시장을 선도해 프리미엄 중심으로 경쟁력을 강화한다는 방침이다. 또 AI 기술 적용을 확대하고 스마트싱스를 통한 고객 맞춤형 초연결 경험을 제공하는 한편, 제너레이티브(Generative) AI, 디지털 헬스(Digital Health), XR 등 미래 성장 분야에서 기반 기술 확보를 위한 선행 R&D 및 투자도 강화할 계획이다. MX는 새롭게 론칭한 갤럭시 AI 탑재 스마트폰, 갤럭시 S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점한다. 또한 폴더블 시장의 글로벌 리더로서 격차를 벌리면서 고객의 실사용 경험을 지속적으로 개선해 폼팩터에 최적화된 갤럭시 AI 경험으로 사용성을 극대화할 방침이다. 나아가 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 모바일 AI의 글로벌 스탠다드로 자리 잡을 수 있도록 할 계획이다. VD는 프리미엄, 라이프스타일 중심으로 제품 혁신을 초고화질·초대형 TV 시장을 이끌어 나간다는 계획이다. 생활가전은 스마트싱스를 기반으로 가전과 기기 간 연동 경험을 고도화한다. 하만은 차량 내 고객 경험을 강화해 전장 디스플레이 등 신규 분야 사업 수주를 확대하고 홈오디오 등 고성장 제품 대응을 강화한다. 또 하만·삼성전자 간 협업을 확대할 계획이다.

삼성전자가 일본의 대표 인공지능(AI) 업체로부터 2나노(㎚·10억분의 1m) 반도체 생산을 수주했다. 첨단 초미세공정 기술을 놓고 대만 TSMC와 경쟁을 펼치는 삼성전자의 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 탄력을 받을 전망이다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 일본 AI 스타트업 프리퍼드네트웍스(PFN)로부터 AI 가속기를 비롯한 2나노 공정 기반 AI 반도체를 수주한 것으로 알려졌다. 2014년 설립된 PFN은 AI 딥러닝(심층학습) 개발 분야에서 전문성을 인정받는 업체로 도요타, NTT, 화낙(Fanuc) 등 주요 기업으로부터 대규모 투자를 유치했다. 앞서 삼성전자는 지난달 실적 발표 콘퍼런스콜을 통해 “최근 HBM(고대역폭메모리), 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기 과제를 수주했다”고 밝혔다. 삼성전자가 메모리와 파운드리 사업을 함께 하고 있는 것도 PFN의 선택을 받은 배경으로 꼽힌다. 삼성전자는 “고객사 관련 내용을 확인할 수 없다”고 밝혔다. 삼성전자는 올해 2나노 공정 개발에 집중하며 AI 가속기 등 성장세가 가파른 응용처 수주를 늘려간다는 계획이다.한편 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장)은 소셜미디어(SNS)에 “HBM3E 샤인볼트와 같은 제품은 생성형 AI 애플리케이션의 속도와 효율성을 크게 향상시킬 준비가 돼 있다”고 밝혔다. 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 HBM3E D램 샤인볼트를 통해 HBM 시장의 주도권을 가져오겠다는 의지를 드러낸 것으로 풀이된다. 현재 HBM 시장에선 SK하이닉스가 한발 앞서 있다는 평가를 받는다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다.

반도체 불황으로 실적 부진의 늪에 빠져 있던 삼성전자가 주력 제품인 D램의 흑자 전환에 힘입어 적자폭을 크게 줄였다. 삼성전자는 올해 1분기 D램, 낸드를 포함한 메모리 사업이 흑자로 돌아설 것으로 내다봤다. 지난해 4분기 연구개발(R&D) 투자금액이 역대 최대치를 기록한 것도 바닥을 찍고 반등할 것이란 자신감이 반영된 것이란 분석이 나온다. 삼성전자는 지난해 4분기 반도체(DS)부문에서 2조 1800억원의 영업손실을 기록했다고 31일 밝혔다. 이 회사의 캐시카우(현금창출원)인 반도체 사업의 고전으로 지난해 연간 영업이익도 6조 5670억원으로 쪼그라들었다. 전년 대비 84.86% 줄어든 수치다. DS 부문은 2022년 4분기 2700억원의 흑자를 낸 뒤 지난해 1분기부터 적자 행진을 이어 왔다. 지난 한 해 반도체 적자 규모만 14조 8800억원에 이른다. 눈여겨볼 점은 지난해 1분기(4조 5800억원)에 비해 4분기 적자 규모가 절반 아래로 줄었다는 점이다. 이는 반도체 업황이 최악의 국면을 지나 다시 살아난다는 신호로 읽힐 수 있는 대목이다. 실제 메모리 사업부의 D램 부문은 지난해 4분기 재고 개선의 영향으로 흑자 전환을 달성했다. 구체적 실적은 공개되지 않았지만 증권가에서는 7200억~1조 2000억원 사이의 흑자를 낸 것으로 추정한다. D램에 비해 회복세가 더딘 낸드도 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 중심으로 수요가 늘면서 1분기 실적 전망은 밝은 편이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 실적 발표 콘퍼런스 콜에서 “생성형 인공지능(AI) 관련 고대역폭 메모리(HBM)와 서버 SSD 수요에 적극 대응해 수익성 개선에 집중하겠다”면서 “올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”고 말했다. 지난해 4분기 HBM 판매량은 전년 같은 기간 대비 3.5배 늘어난 것으로 나타났다. 김 부사장은 “차세대 HBM3E는 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정이고, HBM4는 2026년 양산을 목표로 개발 중”이라고 밝혔다. 완제품을 만드는 디바이스경험(DX)부문에선 영상디스플레이·가전 사업이 지난해 4분기 실적 둔화로 적자 전환(-500억원)했다. 스마트폰을 담당하는 모바일 사업도 신모델 출시 효과 둔화로 전분기 대비 매출, 이익이 모두 감소했다. 다만 모바일경험(MX)사업부와 네트워크사업부의 연간 영업이익은 전년 대비 14.3% 늘어난 13조 100억원으로 집계됐다. 삼성전자는 이날 정식 출시한 첫 AI폰 ‘갤럭시S24’를 앞세워 초기 AI폰 시장의 주도권을 장악하겠다는 포부도 내비쳤다. 삼성전자는 실적 부진에도 미래 성장 준비를 위해 R&D 투자액을 끌어올렸다. 지난해 4분기 R&D 투자액은 7조 5500억원으로 역대 분기 최대치를 기록했다. 올해부터 2026년까지 3년간 발생하는 잉여현금흐름의 50%를 주주 환원에 활용하고 연간 9조 8000억원의 배당금을 지급하겠다는 계획도 내놓았다.

“미주 시장은 기술의 혁신이 일어나는 곳입니다. 그 혁신이 어디서 일어나느냐? 스마트폰, PC도 있지만 서버 시장을 주목하고 있습니다.” 한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄 부사장은 11일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 CES 2024가 열리고 있는 미국 라스베이거스 앙코르 호텔에서 기자들과 만나 “서버 시장 특히 인공지능(AI) 시장을 중요하게 보고 있다”고 말했다. 한 부사장은 “AI 전용 서버 시장이 과연 일반 서버 시장을 견인할 것이냐, 그리고 ‘삼성전자가 준비가 돼 있느냐’가 중요하다”고 강조했다. 불황의 터널을 지나고 있는 반도체 시장에 대해선 “중국 시장으로부터 반등의 시그널이 보이고 있다”면서 “미국에서도 온디바이스 AI’(인터넷 연결 없이 기기 내부에서 AI 구동)가 적용된 AI PC가 본격적으로 출시가 될 거다. 중국 시장보다 약간 늦겠지만 미국 시장도 올해부터 본격적으로 반등하지 않을까 전망한다”고 말했다. 다만 “심리적 요인도 있기 때문에 2분기 이후 수요 예측은 굉장히 어렵다”면서 “가장 두려운 건 ‘블랙스완’이다. 전혀 예상하지 못한 글로벌 이벤트가 없다는 가정에서의 시장 전망”이라고 부연했다.한 부사장은 또 “메모리 반도체와 파운드리(반도체 위탁 생산)를 동시에 하는 곳은 삼성전자가 유일하다”면서 “고대역폭 메모리(HBM)의 전력 소요를 줄이기 위해 맨 아래 깔려 있는 ‘베이스 다이’(Base Die)를 D램 공정이 아닌 파운드리 로직 공정으로 하는 등 시너지를 낼 수 있을 것으로 본다”고 자신했다. 한 부사장은 “앞으로 메모리와 파운드리 의사결정자들이 한 테이블에 모여 같은 고객을 만나게 될 것”이라면서 “이 파급력은 당장 못 느끼겠지만 2~3년 뒤에는 AI 시대 파운드리와 메모리 융합을 통해 큰 강자가 될 것으로 본다”고 말했다. 이어 “다른 공급사가 HBM을 너무 열심히 하고 있다”면서 “저희도 긴장하면서 분발하겠다”고 했다.삼성전자는 이번 CES 기간 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너에게 최신 제품을 체험할 수 있게 전시관을 운영했다. 이날 국내외 미디어에 공개한 전시관은 서버, PC·그래픽, 모바일, 오토모티브 등 각 부문으로 나뉘어 전시됐다. 전시관 한 가운데 위치한 터널 안에 들어가니 삼성전자 평택캠퍼스 3공장(P3)을 영상화한 가상 반도체 팹(fab)을 볼 수 있었다. 반대편에선 약 500만㎡(150만평) 규모의 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장이 어떻게 건설됐는지 시간 순으로 사진을 통해 확인할 수 있었다. 특히 반도체 업계 최초로 개발한 32기가비트 DDR5 D램이 눈길을 끌었다. 레고 블록처럼 각각의 칩이 모여 128기가바이트(GB)라는 하나의 모듈을 만드는데, 칩 하나에 들어갈 수 있는 용량을 16기가비트에서 32기가비트로 늘리면서 실리콘 칩을 위에 하나 더 쌓는 과정(적층)을 없앴다. 공정의 복잡도를 확 줄여준 것이다. 삼성전자 관계자는 “칩이 두 개일 때 발생하는 비효율은 파워 소모로 이어지는데 이런 걸 다 제거했다고 보면 된다”고 설명했다. HBM3E D램 ‘샤인볼트’는 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐다. 이 제품은 12단(적층) 기술을 활용해 1초에 1280GB의 대역폭과 최대 36GB의 고용량을 제공한다. 이 관계자는 “AI를 공부한다면 얼마나 빨리 학습할 것인지, 얼마나 효율적으로 할 것인지가 중요한데 메모리는 이러한 공부를 하는 데 있어 책과 노트와 같다”며 “메모리의 속도, 용량이 관건이 될 것”이라고 말했다.

지난해 사상 최악의 혹한기를 보냈던 반도체 업계가 ‘생성형 인공지능(AI) 시대’를 맞아 다시 호황을 바라보게 됐다. 특히 올해부터 본격화될 ‘온디바이스 AI’ 시장 경쟁이 메모리 반도체 수요를 크게 확대할 전망이다. 삼성전자가 생성형 AI를 활용한 기능을 처음 탑재한 ‘갤럭시S24’ 시리즈를 공개할 예정인 가운데, 애플도 오는 9월 ‘아이폰16’에 생성형 AI를 적용할 것으로 추정된다. 업계는 AI 스마트폰 시장이 메모리 반도체 분야에 새로운 수요를 창출할 것으로 기대하고 있다. 특히 AI 기능을 기기에 탑재하는 온디바이스 AI 분야는 스마트폰뿐만 아니라 향후 PC, 가전, 자동차, 보안, 헬스케어 등 다양한 분야로 확산할 것으로 전망된다. 이에 따라 각 기기에 적합한 맞춤형 AI 칩 수요도 급증할 것으로 예상된다. 서버 대신 기기 자체에 AI 모델을 탑재하는 온디바이스 AI의 특성상 데이터를 저장하기 위한 고용량·고성능 낸드가 필수적인 만큼 그간 부진했던 낸드 수요도 늘어날 전망이다. 차세대 D램 기술로 떠오르는 ‘컴퓨트 익스프레스 링크’(CXL) 시장도 커질 것으로 관측된다. CXL은 AI, 머신러닝, 빅데이터 등 고성능 연산이 필요한 경우 다른 기종의 제품을 효율적으로 연결할 수 있는 차세대 D램 연결 기술이다. 시장조사업체 욜 인텔리전스에 따르면 글로벌 CXL 시장은 2028년 150억 달러(약 20조원)에 달할 것으로 전망된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL 상용화를 앞당기고 시장을 선점하기 위해 기술 개발에 나서고 있다. SK하이닉스는 AI 반도체 성능을 좌우하는 ‘고대역폭메모리’(HBM) 반도체 시장에서 차세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산할 예정이다. HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 8월 개발에 성공한 현존 최고 성능의 메모리다. SK하이닉스는 상반기부터 이를 양산해 AI 빅테크 고객에게 공급한다는 계획이다. HBM 시장은 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 전체 시장 규모는 올해 약 2배 이상 성장할 것이란 전망이 나온다.

D램 가격 상승으로 6000억 축소‘HBM 4·5세대’ 신제품 사업 확대파운드리는 역대 분기 최대 수주내년 갤S24 ‘생성형AI’ 탑재 시사 반도체 불황의 ‘바닥’을 찍고 회복세를 확인한 삼성전자가 최근 엔비디아와 구글, 아마존 등 빅테크들이 개발 경쟁에 나선 인공지능(AI) 칩을 겨냥한 고대역폭 메모리(HBM) 증산에 나선다. 기존 메모리 제품보다 5~6배가량 비싼 HBM을 앞세워 지난 1년간 잃은 실적을 만회하고 메모리 시장의 새로운 장을 열겠다는 전략이다. 삼성전자는 31일 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조 4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 67조 4047억원으로 지난해 동기 대비 12.21% 감소했고, 순이익은 5조 8441억원으로 37.76% 줄었다. 지난 1분기 4조 5800억원 규모의 영업손실을 기록하며 적자 전환한 반도체사업부(DS)는 3조 7500억원의 적자를 내며 3개 분기 연속 적자를 이어 갔지만 D램 평균판매단가(ASP) 상승과 출하량 증가 등으로 전 분기(-4조 3600억원)보다 적자 폭을 6000억원가량 줄였다. 삼성전자는 “메모리 반도체는 HBM과 DDR5, LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전 분기 대비 적자 폭이 축소됐다”고 설명했다. 시스템LSI는 주요 응용처의 수요 회복 지연과 재고 조정으로 부진이 이어졌고, 파운드리(위탁생산)는 라인 가동률 저하 상황에도 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성했다. 삼성전자는 메모리 시장이 회복세로 돌아선 것으로 보고 품목별 시장 수요에 적극적으로 대응할 방침이다. 김재준 메모리사업부 부사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “내년 HBM 생산능력을 올해보다 2.5배 이상 늘릴 계획”이라면서 “현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황”이라고 밝혔다. 김 부사장은 이어 “HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다”며 “HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 절반을 넘어설 것으로 예상한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 삼성전자는 이르면 내년 1월 공개할 갤럭시 S24 시리즈에 생성형 AI 기능을 탑재할 계획도 시사했다. 다니엘 아라우조 MX(모바일경험)사업부 기획그룹장(상무)은 “사용자들이 많이 쓰는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적극 적용해 더욱 창의적이고 편리하며 초개인화된 경험을 제공할 계획”이라고 밝혔다.

반도체 불황의 ‘바닥’을 찍고 회복세를 확인한 삼성전자가 최근 엔비디아와 구글, 아마존 등 빅테크들이 개발 경쟁에 나선 인공지능(AI) 칩을 겨냥한 고대역폭 메모리(HBM) 증산에 나선다. 기존 메모리 제품보다 5~6배가량 비싼 HBM을 앞세워 지난 1년간 잃은 실적을 만회하고, 메모리 시장의 새로운 장을 열겠다는 전략이다.삼성전자는 31일 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조 4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 67조 4047억원으로, 작년 동기 대비 12.21% 감소했고, 순이익은 5조 8441억원으로 37.76% 줄었다. 지난 1분기 4조 5800억원 규모의 영업손실을 기록하며 적자 전환한 반도체사업부(DS)는 3조 7500억원의 적자를 내며 3개 분기 연속 적자를 이어갔지만, D램 평균판매단가(ASP) 상승과 출하량 증가 등으로 전 분기(-4조 3600억원)보다 적자 폭을 6000억원가량 줄였다. 삼성전자는 “메모리 반도체는 HBM과 DDR5, LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전 분기 대비 적자 폭이 축소됐다”고 설명했다. 시스템LSI는 주요 응용처의 수요 회복 지연과 재고 조정으로 부진이 이어졌고, 파운드리(위탁생산)는 라인 가동률 저하 상황에도 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성했다. 삼성전자는 메모리 시장이 회복세로 돌아선 것으로 보고 품목별 시장 수요에 적극적으로 대응할 방침이다. 김재준 메모리사업부(DS) 부사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘릴 계획”이라면서 “현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황”이라고 밝혔다.김 부사장은 이어 “HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다”라면서 “HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 삼성전자는 이르면 내년 1월 공개할 갤럭시 S24 시리즈에 생성형 AI 기능을 탑재할 계획도 시사했다. 다니엘 아라우조 MX(모바일경험)사업부 기획그룹장(상무)은 “사용자들이 많이 쓰는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적극 적용해 더욱 창의적이고 편리하며 초개인화된 경험을 제공할 계획”이라고 밝혔다. 외부 클라우드에 접속하지 않고 기기 내에 생성형 AI 기능을 탑재하는 온디바이스 방식 AI 기술로 ‘AI 스마트폰’ 시대를 주도한다는 게 삼성전자의 스마트폰 사업 비전이다.

메모리 시장 불황으로 깊은 적자의 늪에 빠진 SK하이닉스가 3분기 영업손실폭을 직전 분기의 40% 수준으로 줄이며 본격적인 반등을 예고했다. 메모리 감산과 시설 투자 50% 축소 등 초긴축 경영을 이어 온 SK하이닉스는 내년부터는 고대역폭 메모리(HBM)와 5세대 D램(DDR5) 등 첨단 고부가 제품을 중심으로 투자를 늘리며 실적 회복에 더욱 속도를 낸다는 전략이다. SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기 영업손실 1조 7920억원으로 지난해 동기(영업이익 1조 6605억원) 대비 적자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 9조 662억원으로 전년 동기 대비 17.5% 감소했고 순손실도 2조 1847억원(순손실률 24%)으로 적자로 돌아섰다. 실적 자체만 놓고 보면 1조 8000억원대 적자이지만 업계는 지난해 3분기 매출 10조 9829억원, 영업이익 1조 6605억원을 마지막으로 적자로 돌아선 SK하이닉스가 최근 3개 분기 연속으로 적자폭을 크게 줄여 온 점에 주목하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 올해 1분기 3조 4023억원, 2분기 2조 8821억원 규모의 적자를 냈다. 하지만 3분기에는 메모리 시장의 양대 축 중 하나인 D램이 2개 분기 만에 흑자로 전환하며 더딘 회복세를 보이고 있는 낸드플래시의 빈틈을 메웠다. 구체적으로 글로벌 빅테크들의 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 따라 수요가 급증하고 있는 AI용 메모리 HBM3와 고용량 DDR5 등 SK하이닉스의 D램 주력 제품 호황으로 전체 매출은 전 분기(7조 3059억원)보다 24% 늘었다. 영업손실은 전 분기 대비 38% 줄었다. SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 해 지속적으로 개선되고 있다”면서 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 말했다. 업계에서는 4분기부터는 D램과 낸드의 가격이 동반 상승하며 업황 회복 속도가 더욱 빨라질 것으로 보고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 D램 평균 판매단가(ASP)가 3~8% 상승할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 이런 시장 변화에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV(실리콘 관통 전극)에 대한 투자를 확대할 계획이다. SK하이닉스는 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “2024년 말까지 D램 10나노 4세대와 5세대 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것”이라고 말했다. 삼성전자와 경쟁 중인 HBM 제품에 대한 자신감도 드러냈다. SK하이닉스는 “HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 캐파(생산능력)가 ‘솔드아웃’됐다”며 “고객의 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다”고 밝혔다. 낸드 시장 점유율 2위(19.1%) 일본 키옥시아(옛 도시바메모리)와 4위(16.1%) 미국 웨스턴디지털의 경영 통합 추진에 동의하지 않는다는 입장도 처음으로 밝혔다. 두 회사 통합에는 최대 주주인 한미일 연합 컨소시엄을 통해 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스의 동의가 필요하다. SK하이닉스는 약 4조원을 컨소시엄에 투자했다.

삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 초고성능 고대역폭 메모리(HBM)부터 차세대 PC와 노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 패키지 모듈까지 다양한 분야에서 폭넓게 활용할 수 있는 메모리 솔루션을 대거 공개했다.삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 반도체 시장의 신기술 흐름과 주요 제품을 소개했다. ‘메모리 역할의 재정의’를 주제로 열린 이번 행사는 삼성전자의 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자는 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ ▲ 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기와 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기 등 데이터를 생성하고 활용·소비하는 모든 기기를 의미한다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라면서 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이어 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다. 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

반도체 대장주 삼성전자 주가가 연이틀 60만원대로 주저앉았다. 20일 한국거래소에 따르면 코스피시장에서 삼성전자는 전 거래일 대비 0.29% 떨어진 6만 9600원에 장을 마쳤다. 전날 6만 9800원으로 7만원 선이 무너진 뒤 이틀 연속 ‘6만 전자’에 머물렀다. 삼성전자 주가가 6만원대를 기록한 것은 지난달 31일(6만 6900원) 이후 약 3주일 만이다. 세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC가 최근 주요 반도체 장비 업체에 제품 납품을 늦춰 달라고 통보한 사실이 알려지며 반도체 경기에 대한 우려가 확산했기 때문이다. 이 회사의 3분기 실적 부진 전망 역시 삼성전자 주가를 끌어 내렸다. 이승우 유진투자증권 연구원은 “삼성전자 3분기 영업이익은 1조 6000억원으로 시장 예상치인 3조원을 밑돌 전망”이라고 했다. 고점에 물린 뒤 주가 회복을 노리던 개미(개인투자자) 사이에서는 곡소리가 났다. 삼성전자 종목 토론방 한 투자자는 “이제 6만 전자 굳히기에 들어간 것이냐”는 글을 남겼다. 또 다른 투자자는 “‘5만 전자’만은 면해야 하는 게 아닌가”라고 한탄했다. 이달 초만 하더라도 삼성전자 주가는 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍 속에 상승세를 나타냈다. 시장에서는 ‘9만 전자’ 기대감이 부풀어 올랐다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음 달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어 올렸다. HBM은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 AI의 데이터 학습에 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 그러나 증권가는 여전히 삼성전자 주가 흐름에 낙관적이다. 3분기 실적 부진이 오히려 저점 매수 기회라는 분석이다. 박유악 키움증권 연구원은 “3분기 실적이 예상보다 부진하지만 대부분은 대규모 감산에 따른 비용 부담 때문”이라며 “오히려 현재 시점부터는 HBM 판매 확대와 메모리 가격 반등 등 사업 펀더멘털(기초 체력) 개선이 삼성전자의 주가 상승을 뒷받침하기 시작할 것”이라고 했다.

삼성전자가 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍을 타고 주가가 거침없이 상승하면서 다시 한번 ‘9만전자’ 기대감이 높아지고 있다. 4일 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일보다 0.28% 오른 7만 1200원에 장을 마감했다. 전 거래일인 지난 1일에는 6.13% 급등한 7만 1000원에 거래를 마쳤다. 삼성전자 주가가 7만원대로 올라선 것은 지난달 1일(7만 1100원) 이후 약 한 달 만이다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어올렸다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. GPU에 탑재되며 AI가 대규모 데이터를 학습하기 위해 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 올해 들어 이날까지 삼성전자 주가는 30% 가깝게 올랐지만 경쟁사와 비교하면 상승폭이 기대에 미치지 못한다. SK하이닉스는 연초 대비 57.4% 상승했고, 국내 반도체 종목을 묶은 ‘KRX 반도체’ 지수마저 59.4% 뛰었다. 같은 기간 개미(개인투자자)들이 삼성전자 주식을 10조 4540억원어치 순매도한 반면 외국인 투자자는 13조 6510억원어치 순매수했다. 증권가는 삼성전자 주가가 HBM 호재를 타고 2021년 1월 11일 기록한 9만 1000원 전고점을 넘어설지 주목하고 있다. HBM 수요 급증이 삼성전자 주가 회복 시기를 앞당길 것이란 기대다. 당초 업계는 하반기 정보통신기술(ICT) 산업 침체로 인해 하반기 삼성전자 실적이 지지부진한 흐름을 보일 것으로 내다봤다. 김동원 KB증권 연구원은 “삼성전자는 올해 엔비디아, AMD를 HBM 신규 고객사로 확보하는 동시에 내년 HBM 고객사가 최대 10개까지 확대될 것으로 예상돼 4분기부터 주가가 HBM 프리미엄 구간에 진입할 것”이라고 말했다. 이어 “향후 삼성전자 주가는 HBM 점유율 확대와 파운드리 실적 개선 전망 등을 동시에 고려할 때 직전 고점인 9만 1000원을 돌파할 가능성이 클 것”이라고 예측했다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장점유율 50%로 삼성전자에 10% 포인트 앞섰지만 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양 사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해 온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 삼성전자 역시 5세대 제품에 해당하는 HBM3P 샘플을 올 하반기 중 고객사에 제공해 성능 검증을 진행할 예정이다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장 점유율 50%로 삼성전자에 10%포인트 앞섰지만, 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로, 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며, 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.

인공지능(AI)이 다시 주목받으면서 그래픽처리장치(GPU)와 함께 몸값이 높아지는 제품이 있습니다. 바로 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)입니다. 사실 GPU 가운데서 HBM을 탑재한 제품은 소수에 불과합니다. 하지만 최근에는 그 소수의 제품에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 고성능 AI 연산을 위해서 H100 같은 강력한 성능을 지닌 GPU가 필요한데, 여기에 HBM이 탑재되기 때문입니다.  최근 미국 로스앤젤렌스(LA)에서 열린 최대 규모 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 ‘시그래프’(SIGGRAPH) 행사에서 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 HBM3E를 장착한 GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩을 공개했습니다. 지난해 공개한 HBM3 버전과 비교해서 메모리 용량은 1.5배 정도 늘어나고 대역폭도 4TB/s에서 5TB/s로 증가해 더 많은 데이터를 학습하고 사용자가 원하는 결과를 내놓는 데 유리해졌습니다.  HBM은 사실상 SK 하이닉스와 삼성전자가 시장을 양분하고 있습니다. 시장 조사기관의 분석에 따르면 지난해 시장 점유율은 SK 하이닉스가 50%, 삼성전자가 40%, 마이크론이 10% 정도로 D램보다 더 국내 기업이 독보적인 점유율을 자랑하는 분야입니다. HBM은 상당히 고부가가치 상품일 뿐 아니라 수요가 급격히 증가하고 있어 앞으로 우리나라의 새로운 주력 상품이 될 것으로 기대되고 있습니다.  그런데 이렇게 좋은 제품이라면 더 적용 범위를 늘려 나가도 되지 않을까 하는 생각이 드는 게 사실입니다. 그래픽 카드에 쓰이는 HBM이 처음 등장했을 때만 해도 그런 생각을 지닌 사람들이 많았습니다. 많은 이들이 이제는 용량이나 속도 한계에 점점 도달한 그래픽스 더블 데이터 레이트(GDDR) 메모리를 대신해 HBM이 새로운 대세가 될 것으로 믿었습니다.  여기서 잠깐 GDDR 메모리에 대한 이야기를 먼저 해야 합니다. 초창기 GPU들은 CPU와 동일한 DDR 계열 메모리를 사용했는데, GPU가 처리하는 데이터의 양이 급격히 증가하면서 곧 병목 현상에 부딪히게 됩니다. 그래서 나온 것이 GDDR 메모리였습니다. GDDR3부터 본격적으로 시장에 공급되었고 이후 GDDR5에서는 사실상 그래픽 메모리의 표준이 되었습니다. GDDR5는 사실 DDR3 메모리의 변형으로 같은 건물에 엘리베이터와 통로를 여러 개 만들어 속도를 높인 것으로 이해할 수 있습니다.  하지만 GPU 발전 속도가 GDDR 메모리 발전 속도보다도 더 빠른 것이 다시 문제가 됐습니다. 고성능 GPU에서 필요한 메모리 대역폭을 얻기 위해서는 256bit 메모리 인터페이스와 GDDR 계열 메모리로도 부족한 상황이 된 것입니다. 여기에 GDDR 메모리는 여러 층으로 쌓기도 힘들어 용량까지 한계가 분명했습니다.  2013년 JEDEC에서 표준을 확정한 HBM은 이 문제에 대한 완벽한 해결책으로 보였습니다. HBM은 기본적으로 메모리를 4층, 8층, 12층씩 위로 쌓아 올린 적층형 메모리 구조라 면적 대비 용량이 GDDR과 비교되지 않을 정도로 높습니다. 그러면서도 데이터 전송 속도를 높이기 위해 위아래로 작은 통로인 TSV를 무수히 뚫어 데이터 전송 속도를 획기적으로 끌어 올렸습니다.  그만큼 제조가 까다롭고 프로세서와 연결을 위해 인터포저라는 중간층을 또 넣어야 한다는 것이 문제였지만, 장기적으로 보면 GDDR 메모리는 속도와 용량면에서 HBM의 상대가 되지 않을 것으로 예상되었습니다. 하지만 이런 기대에도 불구하고 2015년 1세대 HBM을 장착한 라데온 R9 Fury X는 GDDR5를 장착한 엔비디아의 GTX 980 Ti를 넘지 못하는 실망스러운 성능을 보여줬습니다. 메모리 대역폭 자체는 라데온 R9 Fury X가 높았지만, GPU 자체의 성능에서 밀렸기 때문입니다. 지포스 쪽이 데이터 압축 능력이 더 뛰어나 대역폭의 단점을 쉽게 극복한 것도 이유였습니다. 더 저렴한 GDDR 메모리를 장착해도 경쟁자를 충분히 제압할 수 있는 상황에서 엔비디아는 게이밍 GPU에 굳이 HBM을 탑재할 필요를 느끼지 못했습니다. HBM 탑재 라데온 그래픽 카드가 지포스의 성능을 뛰어넘었다면 이후에는 다른 시장 상황이 펼쳐질 수 있었다는 점은 아쉬운 부분입니다.  아무튼 이후 GDDR 메모리도 계속 발전하면서 어느 정도 고성능 게이밍 GPU에 필요한 대역폭을 제공했습니다. 그리고 그래픽 카드 시장 자체가 엔비디아 독점 시장이 되면서 급할 게 없는 엔비디아는 가격이 저렴한 GDDR6X 메모리를 RTX 4000 시리즈에도 사용하고 있습니다. 처음에는 고성능 GPU에 HBM 계열 메모리를 사용했던 AMD마저도 제품군 자체가 중급형으로 내려가면서 비싼 HBM을 탑재해야 할 이유가 사라져 GDDR로 다시 회귀했습니다.  하지만 미래에는 다른 상황이 펼쳐질 수도 있습니다. 엔비디아와 AMD 모두 AI 및 HPC 연산용 GPU에 고성능 HBM을 아낌없이 사용하고 있기 때문입니다. 이런 종류의 제품은 기본적으로 가격이 매우 비싸기 때문에 HBM이 GDDR 메모리보다 좀 더 비싸다는 것은 큰 문제가 되지 않습니다. 그보단 현재 기술적 우위를 바탕으로 시장을 장악하려는 엔비디아와 AMD나 인텔 같은 도전자들이 가진 기술을 모두 쏟아붓는 시장이기 때문에 HBM3나 HBM3E 같은 최신 메모리에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 여기에 인텔은 서버 CPU에도 HBM을 탑재하면서 적용 범위가 넓어지고 있습니다.  이렇게 생산이 늘어나면 결국 규모의 경제가 이뤄져 가격은 내려갈 수 있습니다. 그리고 메모리 용량 및 속도에서 HBM의 발전 속도가 GDDR보다 여전히 빨라 몇 년 후에는 고성능 그래픽 카드나 서버 부분에서 적용 범위가 점점 더 넓어질 것으로 기대할 수 있습니다. 10년 만에 본격적으로 빛을 보고 있는 HBM의 미래를 기대해 봅니다.