“주주와 고객 여러분께 심려를 끼쳐 송구합니다. 고객 여러분의 마음을 처음부터 헤아리지 못한 점에 대해 다시 한 번 사과 말씀드립니다.”과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.지난해 3월 16일 삼성전자의 53기 정기 주주총회가 열린 경기 수원시 수원컨벤션센터. 국민주인 삼성전자 주총답게 당시 코로나19 사회적 거리두기에도 주총장은 전국 각지에서 올라온 개인주주들로 붐볐고, 주총을 향한 주주들의 열기 또한 뜨거웠습니다. 이날 주총은 삼성전자의 ‘아픈 손가락’ 갤럭시S22 GOS(게임옵티마이징서비스) 사태에 따른 성난 주주들의 성토가 이어지기도 했습니다. 단상 위 아크릴 가림막 뒤에서 주총을 진행하던 한종희 삼성전자 부회장(DX부문장)이 단상 아래로 내려와 정중히 사과하는 모습도 연출됐죠. 고사양 게임 ‘원신’ 플레이를 통해 드러난 ‘GOS 사태’는 2016년 갤럭시노트7 화재 사고 이후 삼성 스마트폰 사업부의 최대 위기로 떠오르기도 했습니다.‘GOS 사태’는 삼성전자가 고사양 게임 구동 시 발생하는 스마트폰 발열 문제를 잡기 위해 화면 해상도를 인위적으로 낮추는 GOS 기능을 적용하고도, 이를 사전에 소비자에게 알리지 않아 소비자를 기만했다는 게 논란의 주된 내용입니다. 이런 논란은 게임 사양이 높은 ‘원신’을 즐기는 이용자층에서 시작되면서 이제 국내 업계에서는 ‘원신=게이밍 성능 기준’이 되기도 했죠. 삼성에 아픔과 악몽만을 남긴 이 게임 원신을 둘러싼 논란이 이번에는 스마트폰 시장에서 삼성전자의 최대 라이벌인 애플로 옮겨붙었습니다. 애플이 지난 12일(현지시간) 공개한 아이폰15 시리즈는 충전단자를 애플만 고집해온 라이트닝 단자에서 삼성 갤럭시 등 안드로이드 폰이 이미 적용해온 USB-C 충전단자로 바뀐 점이 ‘유일한 혁신’이라는 지적이 나올 정도로 업계의 반응은 싸늘한 상황입니다. 그런데 여기에 2년 전 삼성전자를 괴롭혔던 발열 논란까지 제기된 겁니다. 논란의 시작은 중국의 한 IT 전문 리뷰어입니다. 출처가 중국 리뷰어라서 미국 기업, 애플을 향한 악의적 혹은 억지 주장이 아닐까 해서 해당 콘텐츠는 물론 그간 이 리뷰어가 제작한 영상들을 구글 번역기와 딥엘 번역기 등을 동원해 살펴봤습니다. 일단 억지 주장 같아 보이진 않습니다.이 영상에서 중국 리뷰어는 아이폰15 프로로 원신을 구동합니다. 30분이 지나자 아이폰15 프로의 온도는 48도까지 치솟았습니다. 2년 전 삼성이 게임 그래픽을 강제로 떨어트려 논란이 된 것과 달리 아이폰15는 발열 그 자체가 논란인 거죠. 해외 IT전문 매체에서는 발열의 원인으로 아이폰15 프로가 채택한 모바일 AP ‘A17 프로’를 주목하고 있습니다. 반도체 업계 이야기를 전해드리는 코너에서 철 지난 GOS 사태를 가져온 이유도 여기에 있습니다. 바로 A17 프로의 제조사가 삼성전자의 반도체 파운드리(위탁생산) 라이벌 대만 TSMC이기 때문이죠. 아직 발열의 원인은 알려지지 않았지만 업계에서는 A17 프로 칩 설계 및 제조 공정에 문제가 있었을 것으로 보고 있습니다. A17 프로는 TSMC가 3나노(1nm·10억분의 1m) 공정으로 제작한 모바일 AP칩으로 애플에서는 이번 아이폰15 시리즈에 처음 탑재된 것으로 전해집니다. 반도체 업계에서 3나노 공정은 삼성전자가 지난해 6월 세계 최초로 양산을 시작했지만, 애플의 선택은 오랜 고객사이자 파운드리 1위인 TSMC였죠. 하지만 삼성과 다른 방식으로 3나노 공정을 구현한 제품에서 발열 논란이 나오면서 업계에서는 애플의 칩 공급사를 다변화해야 한다는 지적도 나옵니다. 조금 복잡하고 어려운 개념일 수 있지만, 삼성전자와 TSMC의 3나노 공정은 반도체 원판인 웨이퍼에 극미세 회로도를 새겨넣는 폭은 3나노급으로 같지만, 칩에서 전류가 흐르는 통로(채널)를 내는 방식에서 큰 차이를 보입니다. TSMC는 전통적인 트렌지스터(반도체 소자) 구조인 ‘핀펫’(FinFET) 방식을 3나노에도 고수했고, 기존의 방식은 3나노 이하 공정에서는 비효율적이라고 판단한 삼성전자는 전력 효율을 한층 높인 ‘GAA’(게이트올어라운드) 구조를 적용해 3나노 칩 양산에 성공했습니다.이론상 GAA는 핀펫보다 전류가 흐르는 통로와 스위치(게이트) 간 접촉면이 넓어 전류의 흐름을 세밀하게 제어할 수 있습니다. 또 전력 소모가 적고, 전성비(전력대비 성능) 측면에서도 10% 정도 우위에 있는 것으로 알려져 있습니다. 삼성은 내부적으로 GAA 방식이 TSMC와의 시장 점유율 격차를 빠른 속도로 좁힐 수 있는 ‘게임 체인저’가 될 것으로 기대하고 있죠. 결국 3나노 공정에도 기존에 해왔던 방식을 그대로 따른 TSMC가 기술력에서 한계를 드러낸 게 아닌가 하는 게 ‘아이폰15 원신 사태’의 핵심입니다. 업계 관계자는 “발열의 원인에 대한 제조사의 정확한 원인 진단이 나와봐야겠지만, 삼성 3나노 공정부터 핀펫에서 GAA 방식으로 전환한 삼성에게는 호재가 될 수 있다”라면서 “이번 논란은 스마트폰과 반도체 시장 모두에 영향을 미칠 수 있을 것”이라고 내다봤습니다.

한때 인텔은 반도체 미세 공정에서 가장 앞선 기업이었습니다. 한 세대 앞서가는 미세 공정을 독점하고 자사 프로세서만 만들었기 때문에 경쟁자들을 쉽게 물리칠 수 있었습니다. 하지만 10nm 공정 도입에서 심각한 애로 사항을 겪으면서 자존심을 구겼습니다. TSMC와 삼성이 최신 EUV 리소그래피 미세 공정을 도입하고 이미 다음 세대까지 진행하는 상황에서 인텔의 EUV 공정 진입은 늦어졌습니다. 그러던 인텔이 펫 겔싱어 CEO의 지휘 아래 본격적인 반격을 준비하고 있습니다. 그 첫 단추는 인텔 최초의 EUV 미세 공정인 인텔 4 공정을 적용한 메테오 레이크입니다. 14세대 코어 프로세서로 출시될 것으로 보이는 메테오 레이크는 EUV 공정 적용이라는 특징 이외에도 본격적인 타일 (칩렛) 디자인이라는 점에서 큰 차이가 있습니다. 앞서 공개된 내용에 따르면 메테오 레이크는 인텔 4 공정으로 만든 CPU 타일 이외에 GPU와 I/O 등 나머지 부분은 TSMC에 외주를 맡길 계획입니다. 아직은 생산 능력이 크지 않은 인텔 EUV 팹에 주는 부하를 줄이고 가격을 낮추겠다는 복안으로 생각됩니다. 한 번에 큰 칩을 만드는 것이 효율성 면에서는 가장 좋지만, 비용적인 측면 때문에 최근에는 중요하지 않은 부분은 따로 만들어서 붙이는 방식이 점차 대세가 되고 있습니다. 인텔은 지난 몇 년간 포베로스 기술을 가다듬었기 때문에 메테오 레이크에서 전면적으로 적용하는 데는 큰 어려움이 없을 것으로 예상됩니다. 다만 메테오 레이크는 출시 시점인 2023년 하반기가 다가오는데도 불구하고 여러 가지 확인되지 않은 루머가 많은 제품이기도 합니다. 일부에서는 인텔이 13세대 랩터 레이크의 리프레쉬 버전을 투입해 14세대 코어 프로세서 제품군 중 상당수를 대체할 것이라는 이야기가 나오고 있습니다. 13세대 코어 프로세서가 시장에서 상대방을 잘 견제하고 있는 데다 인텔 4 공정의 초기 생산량이 많지 않을 수 있다는 게 이런 주장의 근거이지만, 아직은 확인되지 않은 소식일 뿐입니다. 인텔 4 공정 제품이 예정대로 올해 등장한다면 그다음 타자는 그 개량형인 인텔 3 공정입니다. 2024년에 등장할 그래나잇 래피즈(Granite Rapids)와 시에라 포레스트(Sierra Forest) 서버 프로세서가 이 공정을 사용합니다. 인텔 3 공정은 과거 인텔 5nm 공정으로 불렀던 미세 공정으로 TSMC나 삼성의 3nm 공정과 견줄 수 있는 성능이라는 의미가 내포된 것으로 보입니다.인텔은 인텔 3 공정이 전력 대 성능비에서 전 세대 대비 최대 18% 개선되었다고 발표했습니다. 그렇다면 전기를 많이 먹는 서버 프로세서에 유리한 조건입니다. 인텔 6세대 제온 스케일러블 프로세서로 등장할 그래나잇 래피즈와 고효율 (E) 코어만 탑재한 새로운 프로세서인 시에라 포레스트의 전력 대 성능비를 상당히 높일 수 있는 셈입니다. 특히 그래나잇 래피즈와 시에라 포레스트는 코어 숫자가 대폭 늘어날 것으로 알려져 있어 전력 절감 기술이 절실하게 필요합니다. 인텔은 최근 인텔 3 공정이 목표 수율과 성능에 도달했다고 발표했지만, 그에 앞서 이미 옴스트롱 레벨 공정인 20A와 18A의 기본 개발을 마무리했다고 언급했습니다. 그리고 로드맵에 따르면 20A 공정을 적용한 애로우 레이크(Arrow Lake) 프로세서가 2024년이 끝나기 전에 나와야 하기 때문에 지금 한창 양산을 준비해야 하는 상황입니다.20A 공정은 인텔이 다른 경쟁자를 따라잡을 수 있는지 검증할 수 있는 무대가 될 것입니다. 인텔의 독자 게이트 올 어라운드 (GAA) 트랜지스터 기술인 리본펫과 후면 전력 기술인 파워비아를 통해 미세 공정 기술를 다시 리드할 수 있음을 보여줄 수 있시기 때문입니다. 만약 2024년에 늦지 않게 애로우 레이크가 등장해 기술적 우위를 보여준다면 소비자용 CPU 시장에서 점유율을 다시 높이고 초미세 공정 파운드리를 독점한 TSMC에 도전장을 내밀 수 있을 것입니다. 하지만 이 제품들의 출시를 연기한다면 상황은 다시 어려워질 수 있습니다. 경쟁자들은 멈추지 않을 것이기 때문입니다. 한때 팹리스 회사로 전환하는 편이 낫다는 이야기가 나올 정도로 어려움을 겪었던 인텔이 화려하게 챔피언 자리로 복귀할 수 있을지 아니면 다시 어려움을 겪을지 결과가 주목됩니다. 

2019년 말 발생해 올해 상반기까지 전 세계를 뒤덮은 전대미문의 감염병 코로나19는 인류의 일상을 비롯해 세계의 경제·산업 질서까지 뿌리째 흔들었다. 사람들의 일상과 함께 국내 경제활동도 크게 위축됐고, 질병 유입과 확산 차단을 위해 저마다 국경을 닫으면서 우리나라 경제의 근간인 무역도 절벽에 부딪혔다. 길었던 팬데믹(감염병 대유행)의 터널을 빠져나오며 경제·산업 활동이 제자리를 찾으려 할 때쯤 러시아가 우크라이나를 침공하면서 세계 경제는 다시 요동쳤다. 게다가 초강대국 미국이 반도체와 배터리 등 첨단산업 공급망 재편에 나서면서 우리 기업의 글로벌 경영 리스크도 커지고 있다. 그나마 다행인 것은 국가 경제를 떠받치고 있는 우리 기업이 시장의 흐름보다 앞서 기민하게 대응하고 있다는 점이다. 산업 부문별로 글로벌 ‘톱티어’(최고 등급) 반열에 오른 기업들은 조직문화부터 최첨단 기술에 이르기까지 파괴적인 혁신을 동력 삼아 더 나은 미래를 만들어 나가고 있다. 우리 기업들은 불확실성과 난제도 많지만 너끈히 극복하고 다시 한번 도약할 수 있음을 보여 줬다.“아무리 생각해 봐도 첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술인 것 같습니다.” 지난해 6월 2주간의 유럽 출장을 마치고 돌아온 이재용 삼성전자 회장의 메시지는 간결하면서도 명확했다. 미국과 중국의 통상 갈등 중심에 놓인 반도체는 물론 모바일과 디스플레이, 생활가전에 이르기까지 혁신적 기술 확보만이 글로벌 시장에서 삼성전자가 앞서 나갈 수 있는 유일한 길이라는 의미였다. 이 회장의 ‘기술 3창’은 곧이어 삼성전자의 국내외 경영진이 대거 참석하는 글로벌 경영전략회의로 이어졌다. 삼성전자가 이 회의를 오프라인과 온라인을 병행해 개최한 것은 코로나19 발생 이후 3년 만으로, 당시 코로나 국면이 완화된 측면도 있지만 유럽 주요 기업의 기술 현장을 직접 둘러본 이 회장의 위기감도 반영된 것으로 전해졌다. 대책 마련이 시급한 분야는 삼성전자의 전체 매출을 견인해 온 반도체(DS)사업부였다. 이미 지난해 하반기부터 글로벌 경기침체에 따른 메모리 수요 감소와 가격 하락이 예견됐기 때문이다. DS부문은 메모리 장기 불황의 직격타를 맞으며 지난 1분기 4조 5800억원의 영업손실을 냈지만, ‘위기 뒤에 더 큰 기회가 온다’는 기조 아래 흔들리지 않는 연구개발(R&D) 투자를 이어 가고 있다. 특히 올 하반기부터 시황이 개선될 것으로 전망되면서 삼성전자는 메모리반도체 리더십을 강화하기 위해 차세대 공정에 대한 기술 격차 확대를 더욱 견고히 할 계획이다. 시장 1위인 대만 TSMC와의 점유율 격차가 벌어진 파운드리(위탁생산)는 기술 경쟁력 확보를 통해 고객 만족을 최우선으로 높여 나간다는 전략을 세웠다. 이를 위해 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 공정의 안정화를 통해 최첨단 공정 기술 리더십을 이어 가는 한편 시장 예측력 강화와 고객사 맞춤형 제품 확대로 고객과의 동반 성장에 집중하고 있다. 시장에서는 삼성전자가 최근 4나노미터(nm·10억분의1m) 공정 수율(양품 비율) 개선에 성공하면서 퀄컴과 엔비디아 등 대형 고객사 확보에 유리해졌다는 전망이 나온다. 하이투자증권은 지난 11일 발간한 파운드리 보고서를 통해 “파운드리 무게의 추(錘)가 삼성으로 기울고 있다”면서 “최근 삼성전자 4나노 공정 수율이 75% 전후까지 올라온 상태이며, 3나노 초미세 공정에서도 신규 고객사를 확보할 가능성이 높다”고 내다봤다. 스마트폰 등 모바일 사업을 담당하는 MX(모바일경험)사업부는 오는 26일 서울에서 처음으로 개최하는 ‘언팩’ 행사를 통해 또 한번의 폴더블폰 혁신을 공개한다. 그간 삼성전자는 갤럭시 S시리즈와 갤럭시 Z시리즈 신제품을 공개하는 언팩을 미국 뉴욕과 샌프란시스코 등에서 개최해 왔지만, 올해는 ‘폴더블폰 종주국’의 기술력을 강조하기 위해 서울을 개최지로 확정했다.

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 2나노(㎚) 공정의 구체적인 로드맵을 처음 발표하며 1위 업체인 대만 TSMC 등과의 경쟁에 불을 댕겼다. 삼성전자는 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 2025년 모바일용을 중심으로 2나노 공정을 양산하고, 2026년 고성능컴퓨팅(HPC)용, 2027년 오토모티브용 공정으로 확대한다고 발표했다. 1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산할 예정이다. ‘나노’는 반도체 회로 선폭을 의미하며, 1㎚는 10억분의1m다. 회로 선폭이 미세할수록 저전력, 고성능, 초소형 반도체를 만들 수 있다. 삼성전자에 따르면 2나노 공정은 3나노 공정 대비 성능은 12%, 전력효율은 25% 향상시킬 수 있다. 현재 양산 가능한 기술 수준에서는 3나노 공정이 가장 앞선 기술이다. 1년 전 세계 최초로 도입한 삼성전자와 TSMC만 3나노 양산이 가능하다. 2나노 공정 양산 시작을 두고 세계 1위 파운드리 업체인 TSMC가 삼성과 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 대만 언론은 TSMC가 2나노 공정의 시범 생산 준비에 착수했고, 연내 반도체 제품이 소량 생산될 예정이라고 보도했다. 파운드리 사업 재진출을 선언한 인텔도 올해 초 “2나노와 1.8나노 공정용 기술을 개발했다”고 밝혔다. 삼성전자는 지난해 6월 차세대 트랜지스터인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. GAA는 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 차세대 기술로, 이 구조를 도입한 파운드리 업체는 삼성전자가 유일하다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 지난달 대전 한국과학기술원(KAIST)에서 열린 경연에서 “2나노 공정부터는 업계 1위도 GAA를 도입할 것”이라며 “5년 안에 기술로 업계 1위를 따라잡겠다”고 밝혔다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 포럼 기조연설에서 “삼성전자는 인공지능 반도체에 가장 최적화된 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 나가며 인공지능 기술 패러다임 변화를 주도하겠다”고 말했다.

삼성전자가 아직 양산을 하지 못한 파운드리(반도체 위탁생산) 2나노(㎚) 공정의 구체적인 로드맵을 처음 발표하며, 1위 업체인 대만 TSMC 등과의 경쟁에 불을 댕겼다. 삼성전자는 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 2025년 모바일용을 중심으로 2나노 공정을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC)용, 2027년 오토모티브용 공정으로 확대한다고 발표했다. 1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산할 예정이다. 나노란 반도체 회로 선폭을 의미하며, 1㎚는 10억분의 1m다. 회로 선폭이 미세할수록 저전력, 고성능, 초소형 반도체를 만들 수 있다. 삼성전자에 따르면 2나노 공정은 3나노 공정 대비 성능이 12%, 전력효율이 25% 향상된다. 현재 양산 가능한 기술 수준에서는 3나노 공정이 가장 앞선 기술이다. 1년 전 세계 최초로 도입한 삼성전자와 TSMC만 3나노 양산이 가능하다. 2나노 공정 양산을 시작하기 위해 세계 1위 파운드리 업체인 TSMC가 삼성과 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 대만 언론은 TSMC가 2나노 공정 반도체 제품의 시범 생산 준비에 착수했고, 연내 2나노 제품을 소량으로 시범 생산할 예정이라고 보도했다. 앞서 TSMC는 2나노 공정 개발을 위해 엔비디아의 슈퍼컴퓨터를 활용해 기술 협업을 하기도 했다. 파운드리 사업 재진출을 선언한 인텔도 올해 초 “2나노와 1.8나노 공정용 기술을 개발했다”고 선언했다. 삼성전자는 지난해 6월 차세대 트랜지스터인 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. GAA는 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 차세대 기술로, 이 구조를 도입한 파운드리 업체는 삼성전자가 유일하다.경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 지난달 대전 한국과학기술원(KAIST)에서 열린 경연에서 “2나노 공정부터는 업계 1위도 GAA를 도입할 것”이라며 “5년 안에 기술로 업계 1위를 따라잡겠다”고 밝혔다. 3나노 이하 초미세 공정은 파운드리 산업의 격전지가 될 전망이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 올해부터 2026년까지 전 세계 반도체 시장이 연평균 9.1% 성장하는 가운데 파운드리 시장은 연평균 12.9%씩 성장할 것으로 예상된다. 특히 3나노 이하 공정이 전체 파운드리 매출에서 차지하는 비중은 같은 기간 8%에서 24.4%로 증가할 것으로 예상된다. 3나노 이하 공정 매출은 연평균 65.3% 성장할 것으로 추정된다. 삼성전자는 팹리스(반도체 설계 전문 회사) 고객의 효율적 제품 설계를 지원하기 위해 반도체 설계자산(IP) 확보에도 노력 중이다. 삼성 파운드리는 현재 50개 글로벌 IP 파트너와 4500개 이상의 IP를 확보하고 있다. 다만 파운드리 시장점유율에서는 TSMC가 삼성전자를 월등히 앞서고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC와 삼성전자의 시장 점유율 격차는 작년 4분기 42.7%포인트에서 올해 1분기 47.7%포인트로 더 벌어졌다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 포럼 기조연설에서 “많은 고객사들이 자체 제품과 서비스에 최적화된 인공지능 전용 반도체 개발에 적극 나서고 있다”며 “삼성전자는 인공지능 반도체에 가장 최적화된 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 나가며 기술 패러다임 변화를 주도하겠다”고 말했다.

2023년 1분기 파운드리 시장에서 TSMC는 처음으로 점유율 60.1%를 기록하면서 파운드리 시장의 맹주임을 과시했습니다. 2위인 삼성전자의 점유율이 12.4%이고 3위인 글로벌 파운드리가 6.6%임을 감안하면 파운드리 시장의 절대 강자라고 해도 과언이 아닌 상황입니다. 하지만 파운드리 시장 진출을 선언하면서 공격적인 로드맵을 공개한 인텔이나 역대급 투자 계획을 지닌 삼성의 추격이 거센 만큼 3~4년 뒤의 상황이 어떻게 바뀔지는 아무도 장담할 수 없습니다. 삼성의 경우 TSMC보다 먼저 3nm에서 게이트 올 어라운드(GAA) 방식을 도입했습니다. 처음에는 어려움이 있지만, GAA 공정에서 더 많은 노하우를 축적해 2nm 이하 미세 공정에서 도약할 수 있는 잠재력을 지니고 있습니다. 인텔은 최근 웨이퍼 후면 전력 공급 기술인 파워비아를 공개했습니다. 파워비아 기술과 인텔의 첫 EUV 리소그래피 공정인 인텔 4 공정을 적용한 내부 테스트용 프로세서인 블루 스카이 크릭을 통해 내년 20A 공정 출시 전에 충분히 기술을 검증하고 오류를 수정할 시간을 벌겠다는 의도입니다. 그런데 오히려 파운드리 선두 주자인 TSMC는 다소 느긋한 모습입니다. TSMC는 3nm, 4nm 및 그 파생 공정들을 먼저 적용한 후 2025년부터 대량 생산 예정인 2nm 공정인 N2에서 나노시트(nanosheet) GAA 공정을 적용할 예정입니다. 참고로 TSMC는 3nm 공정에 기존의 핀펫을 개량한 핀플렉스 공정을 적용했습니다. 그러나 TSMC에도 몇 가지 비장의 무기가 있습니다. N2 공정에는 GAAFET 적용 트랜지스터 이외에 SHPMIM(super-high-density metal-insulator-metal) 캐파시터가 들어가 저항을 절반 정도로 줄일 수 있습니다. 또 반도체의 재분배층(redistribution layer, RDL) 소재를 알루미늄에서 구리로 변경해 저항을 더 줄여 에너지 효율은 높이고 성능은 높인다는 계획입니다.이를 모두 적용할 경우 N2는 N3E 공정과 비교해서 같은 전력에서 10~15% 정도 높은 성능 혹은 같은 성능에서 25~30% 낮은 전력 소모를 지니게 됩니다. 그리고 트랜지스터 밀도 역시 15% 정도 증가해 더 많은 트랜지스터를 집적한 프로세서를 제조할 수 있습니다. N2P 공정은 인텔의 파워비아 같은 후면 전력 공급 방식을 사용합니다. 현재의 최신 미세 공정 반도체는 트랜지스터 층이 가장 아래에 있고 그 위에 전력 배선과 신호 입출력을 담당하는 배선이 층층이 쌓여 있는 방식입니다. 이 방식은 제조가 편리하다는 장점이 있으나 신호 배선과 전력 배선이 서로 얽히게 되는 단점이 있습니다. 이 단점은 프로세서가 복잡해지고 공정이 미세해지면서 더 심각해지고 있습니다. 인텔은 20A 이후 공정에서 전력층을 트랜지스터층 아래로 옮겨 신호층과 분리해 이 문제를 해결할 예정입니다. 인텔의 주장에 의하면 파워비아를 적용한 인텔 4 공정은 전력 공급이 떨어지는 IR 드롭 현상을 30% 이상 줄이고 같은 전압에서 클럭을 6% 정도 더 높일 수 있습니다. N2P 공정 역시 비슷한 효과를 기대할 수 있을 것입니다. 다만 적용은 한참 후인 2026년부터입니다. TSMC는 파운드리 시장에서 점유율 50%를 넘기고도 계속해서 점유율을 올려 이제는 60% 돌파라는 고지를 달성했습니다. 이미 거의 독점에 가까운 상태입니다. 하지만 인텔과 삼성이라는 만만치 않은 상대가 도전장을 내밀고 있습니다. 로드맵만 보면 TSMC가 특별히 더 유리해 보이진 않지만, 수많은 충성 고객과 파운드리 사업에서 축적한 오랜 노하우가 만만치 않은 회사입니다. 물론 안정적인 수율과 공급 능력 역시 무시 못 할 장점입니다. 다만 영원한 강자는 없는 법입니다. 팹리스 반도체 기업 역시 공급망을 하나만 가지고 있는 것보다 두 개 이상 확보하는 것이 더 안전하다고 생각할 것입니다. 따라서 기술과 가격 측면에서 어느 정도 대체할 수 있는 회사가 나온다면 TSMC의 미세 공정 독점 구조도 깨질 수 있습니다. 그런 회사가 나올지 아니면 앞으로도 지금처럼 TSMC의 독점 구도가 점점 더 강화될지 몇 년 후가 궁금합니다. 

중국이 스타벅스의 아성을 넘겠다며 6년 전 1호점을 개설했던 중국판 ‘별다방’ 루이싱 커피가 최근 중국에서만 1만 번째 매장을 여는 데 성공했다. 같은 시기 중국 내 스타벅스 매장 수가 6243호점에 불과하다는 점에서 중국 토종 브랜드 커피 전문점이 우위를 점했다는 평가다. 8일 신징바오 등 중국 매체들은 지난 5일 중국 샤먼 중산로에 루이싱 커피의 1만 번째 매장이 새로 개설되면서 중국 자국산 커피 브랜드로는 최초로 1만 개의 매장 운영을 달성했다고 보도했다. 루이싱 커피가 자체적으로 집계, 공개한 재무 보고서에 따르면, 올 1분기 업체가 기록한 총매출은 444억 위안(약 8조 1000억 원)대를 달성했다. 또, 같은 시기 순이익의 규모는 5억 6480만 위안(약 1030억 원)으로 급증했다. 또, 미국 일반회계기준(GAAP)으로 영업 이익은 약 6억 784만 위안(약 1110억 원), 영업이익률은 15.3% 수준을 기록했다. 이 같은 영업 호조에 따라 지난 1분기 루이싱 커피가 추가 개설한 신규 매장 수는 무려 1137곳에 달했는데, 새로 문을 연 매장 중에는 싱가포르 개설된 두 곳의 신규 매장도 포함됐다. 이 같은 성장세는 불과 지난해 말까지 코로나19 사태로 인해 1500개의 매장이 일시에 폐쇄되고 368개의 매장이 문을 여는 등 고난을 겪었던 것과 크게 달라진 분위기라는 분석이다. 실제로 루이싱커피는 지난해 12월 기준, 직영으로 운영하는 자체 매장 수가 5652곳, 제휴 프랜차이즈 매장 수는 2562곳 등을 보유하는데 그쳤던 바 있다. 거기에 더해 지난해 10월에는 루이싱커피의 전 고위 임원이었던 제니 첸과 루정야오 등 일부 창업 멤버들이 루이싱 커피에서 독립, 더 저렴한 가격대에 판매하는 코티커피를 창업하는 등 새로운 업체와의 경쟁 상황에 놓여있었다. 코티커피는 커피 한 잔당 9.9위안(약 1800원)이라는 저가 커피 공략과 70여개의 다양한 커피 음료를 갖췄다는 홍보를 통해 올해 초 기준 중국 전역의 도시에 약 230곳의 매장을 운영 중인 것으로 집계됐다. 루이싱 커피는 매장 수 1만 곳 달성 기념 이벤트로 기존의 평균 20위안(약 3652원)대의 브랜드 커피를 절반 가격인 9.9위안(약 1800원)에 판매하는 등 홍보를 진행 중이다. 궈진이 루이싱커피 회장 겸 최고경영자(CEO)는 “루이싱 커피의 품질은 본사가 직접 관리 감독하는 방법으로 체계적으로 관리, 보증할 수 있다”면서 “루이싱 커피가 중국 커피 품질을 업그레이드하는 선도 그룹이 될 것”이라고 자신했다. 

인텔은 본래 반도체 미세 공정의 선두 주자였습니다. 누구보다 먼저 22nm 공정과 14nm 공정을 적용하면서 CPU 시장에서 넘볼 수 없는 경쟁력을 지녔지만, 10nm 공정에서 한꺼번에 많은 신기술을 적용하다가 문제가 생기면서 EUV 리소그래피 공정 진입에서 경쟁자보다 늦어지는 수모를 겪었습니다.  인텔의 새로운 수장이 된 펫 겔싱어 CEO는 공격적인 미세 공정 로드맵을 공개하면서 인텔이 자체 프로세서 제조 기술을 업그레이드할 뿐 아니라 파운드리 시장에도 진입할 것임을 예고했습니다. 다만 이를 위해서는 먼저 EUV 공정과 게이트-올-어라운드 (GAA) 기술을 적용한 TSMC와 삼성전자를 따라잡아야 합니다.  인텔은 올해 최초의 EUV 리소그래피 기술을 적용한 인텔 4 공정 제품을 내놓고 내년에는 웨이퍼 후면 전력 공급 기술인 파워비아 (PowerVia)와 GAA 기술의 인텔 버전인 리본펫(ribbonFET)을 적용한 20A (A는 옴스트롱의 약자) 공정을 도입할 예정입니다. 최근 인텔은 파워비아 기술이 실제로 적용된 테스트 프로세서인 블루 스카이 크릭 (Blue Sky Creek)을 공개했습니다. 10nm 공정에서 애를 먹은 인텔의 새로운 전략은 한 번에 많은 기술을 적용하는 대신 여러 단계에 걸쳐 기술을 차례대로 적용해 공정 전체가 지연되는 일을 막는 것입니다. 따라서 로드맵 상으로는 리본펫 기술과 파워비아를 동시에 적용하게 되지만, 내부적으로는 인텔 4 공정에 파워비아를 적용한 테스트 칩을 먼저 개발해 오류를 수정하고 20A에 파워비아와 리본펫 기술을 같이 접목할 예정입니다.  - 뒤에서 전력 공급하면 뭐가 좋을까? 현재 우리가 사용하는 프로세서는 웨이퍼에 트랜지스터와 다른 회로를 새긴 후 그 위에 다시 전력 배선과 신호 입출력을 담당하는 배선을 올리는 방식으로 제조됩니다. 문제는 제조 공정이 미세화되고 프로세서 자체도 복잡해지면서 전력층과 신호층도 매우 복잡해진다는 것입니다. 결국 배선이 서로 꼬이면서 프로세서 제조도 어려워지고 성능에도 제약이 생깁니다.  따라서 반도체 제조사들은 전력층을 웨이퍼 뒷면으로 옮겨 전력층과 신호층 배선을 서로 분리한 후면 전력 공급 (Backside Power Delivery) 기술을 개발하고 있습니다. 파워비아 기술은 인텔의 자체적인 후면 전력 공급 기술로 이번에 공개된 블루 스카이 크릭 프로세서에서 실제 칩으로 구현됐습니다.  블루 스카이 크릭은 인텔 4 공정과 파워비아 기술이 적용된 프로세서로 올해 출시 예정인 메테오레이크 프로세서의 고효율 (E) 프로세서 8개를 탑재한 내부 실험용 프로세서입니다. 블루 스카이 크릭은 트랜지스터층이 후면 전력망 (BS-PDN)과 신호층 사이에 샌드위치처럼 끼워져 배선이 서로 꼬이지 않고 트랜지스터에 접근할 수 있습니다. 인텔에 따르면 파워비아 기술을 적용한 블루 스카이 크릭은 동일한 인텔 4 공정에서 전력 공급이 떨어지는 IR 드롭 현상을 30% 이상 줄이고 같은 전압에서 클럭을 6% 정도 더 높였습니다. 같은 전압에서 클럭을 6% 올릴 수 있다면 5GHz 기준으로 300MHz 정도 클럭을 올릴 수 있는 만큼 어느 정도 성능 향상을 기대할 수 있습니다.  - 남은 과제는? 파워비아는 이론적으로는 훌륭한 기술이지만, 실제로도 훌륭할지는 직접 프로세서를 만들어 보기 전까지는 알 수 없습니다. 인텔이 판매가 가능한 수준의 테스트칩인 블루 스카이 크릭을 만든 것도 그것 때문일 것입니다. 현재 인텔은 블루 스카이 크릭을 이용해 기존의 전면 전력 공급 방식과는 다른 오류 수정 (디버그) 과정을 연구하고 있습니다. 여기서 획득한 지식이 20A 및 18A 공정에 적용될 것입니다. 이론적으로 후면 전력 공급 기술은 복잡한 구조를 지닌 미세 공정 프로세서에 더 적합합니다. 그런 만큼 주요 경쟁 상대인 TSMC 역시 후면 전력 공급 기술을 개발하고 있으나 로드맵대로 된다면 적용은 인텔이 더 빠를 것으로 보입니다. 다만 개발 과정에서 큰 문제가 없고 수율도 우수해서 양산에 들어갈 수 있어야 합니다.  파워비아 기술이 2024년 양산 전까지 모든 문제를 해결하고 멋지게 데뷔할 수 있을지 결과가 주목됩니다. 

삼성전자 파운드리(위탁생산) 사업부가 지난해 처음으로 연 매출 200억 달러(약 25조 5400억원)를 넘어섰다. 2017년 사업부 출범 이후 5년 만의 성과다. 전체 시장 점유율은 대만 TSMC가 58.5%로 압도적 1위를 달리고 있지만, 삼성(15.8%)은 초격차 기술력을 바탕으로 5년 안에 TSMC를 따라잡는다는 전략이다.7일 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부의 지난해 매출은 208억 달러로, 옴디아가 삼성 파운드리 매출을 집계한 2018년(117억달러)과 비교해 출범 5년 만에 매출 2배 성장을 이뤘다. 삼성 파운드리의 2018∼2022년 5년간 연평균 매출 증가율은 15.6%다. 다만 삼성전자는 글로벌 경기 침체에 따른 반도체 불황의 직격탄을 맞으며 올해 1분기에는 반도체 사업에서 4조 5800억원의 적자를 냈다. 주력인 메모리 업황 악화와 더불어 파운드리도 수요 위축과 고객사 재고 증가로 주문이 감소했다. 업계에서는 하반기부터 메모리와 함께 파운드리 역시 업황이 개선될 것으로 보고 있다. 세계 최초로 3나노미터(nm·1nm은 10억분의 1m) 파운드리 양산에 성공한 삼성전자는 TSMC와 기술 격차를 줄이는데 속도를 내고 있다. 삼성전자 반도체 사업을 총괄하는 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)은 지난 4일 대전 한국과학기술원(KAIST)에서 열린 강연에서 “냉정히 얘기하면 4나노 기술력은 우리가 2년 정도 뒤처졌고, 3나노는 길이 다르지만 1년 정도 뒤처진 것 같다”라면서도 “2나노로 가면 TSMC도 GAA로 갈 텐데 그때가 되면 (TSMC와) 같게 갈 것”이라고 자신감을 내비친 바 있다.삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했고, TSMC는 그해 12월 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조의 3나노 양산을 공식화했다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 꼽힌다. 삼성전자는 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정까지 세계 최초로 개발하며 2030년 시스템반도체에서도 세계 1위 달성을 목표로 하고 있다.

삼성전자가 정부의 반도체 산업 육성 계획에 발 맞춰 20년간 300조원을 쏟아 용인에 세계 최대 규모의 시스템반도체 생산기지를 구축해 TSMC를 잡고 글로벌 반도체 패권 경쟁에서의 주도권을 바투 쥔다. ●“산단 뛰어넘는 생산기지 교두보” 삼성전자가 새 반도체 생산기지 구축 계획을 내놓은 건 2014년 10월 평택 캠퍼스 조성을 발표한 이후 9년 만이다. 삼성전자는 용인 클러스터에 조성하는 5개 공장에서 첨단 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산) 생산 능력을 대폭 확대해 ‘메모리 1등’에 이어 메모리 기술 초격차, 파운드리 경쟁력까지 높이며 세계 반도체 제조 공급망에서 선두에 서고 국내 혁신산업의 ‘게임 체인저’로 역할하겠다는 복안이다. 15일 반도체 업계도 반도체 클러스터가 반도체 제조 공급망 경쟁에서 우위를 점하기 위한 ‘필수조건’이라는 점에서 정부의 반도체 국가산업단지 육성 결정을 반겼다. 재계 관계자는 “국내적으로는 국가산단 지정이지만 세계 시장에서 보면 우리나라 정부가 대형 반도체 생산기지를 유치할 교두보를 마련한 것”이라고 평가했다. 이날 제14차 비상경제민생회의에 참석한 경계현 삼성전자 사장도 “신규 단지를 기존 거점과 통합 운영해 최첨단 반도체 클러스터를 만들겠다”며 “대한민국 미래 첨단 산업의 혁신과 발전을 위한 글로벌 전진기지로 만들겠다”고 강조했다.삼성전자는 기존의 화성·기흥, 평택과 새로 지어질 용인을 잇는 ‘생산 삼각 벨트’를 구축하며 TSMC와의 경쟁에서 우위를 점할 ‘터닝포인트’를 마련하게 됐다. 화성·기흥 벨트는 메모리와 파운드리, 연구개발(R&D) 중심으로, 평택과 용인은 첨단 메모리와 파운드리의 핵심 기지로 키운다는 계획이다. 그간 삼성의 파운드리 사업은 평택, 미국 오스틴, 현재 건설 중인 테일러 공장까지 아울러도 생산 능력이 턱없이 부족한 상황이었다. 업계 관계자는 “삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 3나노 양산에 나섰으나 생산 능력 부족과 같은 물리적 한계로 TSMC와의 점유율 격차를 줄이지 못했다”며 “하지만 용인 클러스터를 통해 제대로 경쟁해 볼 수 있게 됐다”고 했다. 국가 전체에 가져올 경제 효과도 기대된다. 300조원의 직접 투자가 이뤄지는 용인 클러스터를 통해 우리나라 전체 직간접적 생산 유발 효과는 700조원, 고용 유발 효과는 160만명에 이를 것으로 전망된다. 낙수 효과를 통해 지방 균형 발전에도 활기를 일으킬 거란 관측도 나온다. 반도체 클러스터가 자리잡으면 전후방 산업의 협력을 강화해 생태계 확장, 인재 모으기, 정부·기업·학계 간 시너지 극대화 등에 유리하다. 이 때문에 미국, 대만, 중국 등에서도 반도체 클러스터를 중심으로 반도체 생태계가 하나로 움직인다. 국토 면적이 한국의 98배인 미국의 반도체 제조 공장은 애리조나주, 뉴욕주, 텍사스주 3개 지역에 모여 있다. 대만 신주과학공업단지에는 TSMC, UMC 등 파운드리 제조시설과 미디어텍 같은 반도체 설계 기업 등 IT 기업 수백개가 집결해 있다. 중국은 시안 가오신개발구에 세계적 규모의 반도체 클러스터를 품고 있다. 반도체 설계 기업 120여개, 웨이퍼 업체 8개, 패키징·테스트 기업 23개 등 반도체 기업 250여개와 30여개 정부·대학 연구기관이 모여 있다. 종사자만 6만명에 이른다. 재계에서는 이번 정부 결정에 대해 미중 패권 경쟁의 격화 속에서 반도체 산업이 곧 국가안보 자산이라는 점에서 외국으로 갈 투자를 우리나라에 집중하고, 경제뿐 아니라 외교 역학관계에서 우위를 점하게 했다는 점에서 의미가 크다고 평가한다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)도 “과거 50년은 석유 매장지가 지정학적으로 중요했다면, 미래 50년은 반도체 공장이 어느 지역에 있는지가 더 중요하다”고 반도체 제조망 구축의 중요성을 강조한 바 있다. ●“더 평평해진 운동장서 겨루게 돼” 반도체 업계 관계자는 “각국 정부가 반도체 제조 기업 유치에 사활을 걸며 합종연횡을 거듭하는 와중에 외롭게 싸우고 있던 우리 기업으로서는 조금이나마 더 평평해진 운동장에서 겨룰 수 있게 된 것”이라고 말했다. 한국을 ‘글로벌 반도체 제조 허브’로 이끌 용인 클러스터에 외신들도 주목했다. 블룸버그통신은 “기술 패권 경쟁에서 승리하기 위한 한국 정부의 가장 공격적 노력”이라고 평가하며 “삼성의 투자는 글로벌 반도체 제조를 주도하겠다는 한국의 야망에 부합하는 것”이라고 해석했다. 일본 니케이는 삼성이 자국에서도 최첨단 공장을 운영하는 한편 미국에서도 양산 규모를 확보하며 지정학적 리스크 저감을 노렸다고 전했다.

삼성전자가 정부의 반도체 산업 육성 계획에 발맞춰 20년간 300조원을 쏟아 용인에 세계 최대 규모의 시스템반도체 생산기지를 구축해 TSMC를 잡고 글로벌 반도체 패권 경쟁에서의 주도권을 바투 쥔다. 삼성전자가 새 반도체 생산기지 구축 계획을 내놓은 건 2014년 10월 평택 캠퍼스 조성 계획을 발표한 이후 9년 만이다. 삼성전자는 용인 클러스터에 조성하는 5개 공장에서 첨단 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산) 생산 능력을 대폭 확대해 ‘메모리 1등’에 이어 메모리 기술 초격차, 파운드리 경쟁력까지 높이며 세계 반도체 제조 공급망에서 선두에 서고 국내 혁신산업의 ‘게임 체인저’로 역할하겠다는 복안이다. 15일 반도체 업계도 반도체 클러스터가 반도체 제조 공급망 경쟁에서 우위를 점하기 위한 ‘필수조건’이라는 점에서 정부의 반도체 국가산업단지 육성 결정을 반겼다. 재계 관계자는 “국내적으로는 국가산단 지정이지만 세계 시장에서 보면 우리나라 정부가 대형 반도체 생산기지를 유치할 교두보를 마련한 것”이라고 평가했다. 이날 제14차 비상경제민생회의에 참석한 경계현 삼성전자 사장도 “신규 단지를 기존 거점과 통합 운영해 최첨단 반도체 클러스터를 만들겠다”며 “대한민국 미래 첨단 산업의 혁신과 발전을 위한 글로벌 전진기지로 만들겠다”고 강조했다. 삼성전자는 기존의 화성·기흥, 평택과 새로 지어질 용인을 잇는 ‘생산 삼각 벨트’를 국내에 구축하며 TSMC와의 경쟁에서 우위를 점할 ‘터닝포인트’를 마련하게 됐다. 화성·기흥 벨트는 메모리와 파운드리, 연구개발(R&D) 중심으로, 평택과 용인은 첨단 메모리와 파운드리의 핵심 기지로 키운다는 계획이다. 그간 삼성의 파운드리 사업은 평택, 미국 오스틴, 현재 건설 중인 테일러 공장까지 아울러도 생산 능력이 턱없이 부족한 상황이었다. 업계 관계자는 “삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 3나노 양산에 나섰으나 생산 능력 부족과 같은 물리적 한계로 TSMC와의 점유율 격차를 줄이지 못했다”며 “하지만 용인 클러스터를 통해 이런 문제를 해소하며 제대로 경쟁해볼 수 있게 됐다”고 했다. 국가 전체에 가져올 경제 효과도 기대된다. 300조원의 직접 투자가 이뤄지는 용인 클러스터를 통해 우리나라 전체 직간접적 생산 유발 효과는 700조원, 고용 유발 효과는 160만명에 이를 것으로 전망된다. 낙수 효과를 통해 지방 균형 발전에도 활기를 일으킬 거란 관측도 나온다. 이날 삼성은 계열사의 지방 사업장에 10년간 60조원을 투자한다는 계획을 함께 밝히기도 했다. 반도체 클러스터, 전후방 협력 강화..시너지 극대화대만 신주과학공업단지엔 IT 기업 수백개 결집중국 시안 가오신개발구엔 반도체 종사자 6만명 반도체 클러스터가 자리잡으면 전후방 산업의 협력을 강화해 생태계 확장, 인재 모으기, 정부·기업·학계 간 시너지 극대화 등에 유리하다. 이 때문에 미국, 대만, 중국 등에서도 반도체 클러스터를 중심으로 반도체 생태계가 하나로 움직인다. 국토 면적이 한국의 98배인 미국의 반도체 제조 공장은 애리조나주, 뉴욕주, 텍사스주 3개 지역에 모여 있다. 대만 신주과학공업단지에는 TSMC, UMC 등 파운드리 제조시설과 미디어텍 같은 반도체 설계 기업 등 IT 기업 수백개가 집결해 있다. 중국은 시안 가오신개발구에 세계적 규모의 반도체 클러스터를 품고 있다. 반도체 설계 기업 120여개, 웨이퍼 제조업체 8개, 패키징·테스트 기업 23개 등 반도체 기업 250여개와 30여개 정부·대학 연구기관이 모여 있다. 이 곳 종사자만 6만명에 이른다. 지역 균형발전도 활기 일으킬 듯외신 “韓 정부 가장 공격적 노력” 재계에서는 이번 정부 결정에 대해 미중 패권 경쟁의 격화 속에서 반도체 산업이 곧 국가안보 자산이라는 점에서 외국으로 갈 투자를 우리나라에 집중하고, 경제뿐 아니라 외교 역학관계에서 우위를 점하게 했다는 점에서 의미가 크다고 평가한다. 펫 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)도 “과거 50년은 석유 매장지가 지정학적으로 중요했다면, 미래 50년은 반도체 공장이 어느 지역에 있는지가 더 중요하다”라고반도체 제조망 구축의 중요성을 강조한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 “각국 정부가 반도체 제조 기업 유치에 사활을 걸며 합종연횡을 거듭하는 와중에 외롭게 싸우고 있던 우리 기업으로서는 조금이나마 더 평평해진 운동장에서 겨룰 수 있게 된 것”이라고 말했다. 한국을 ‘글로벌 반도체 제조 허브’로 이끌 용인 클러스터에 외신들도 주목했다. 블룸버그통신은 이날 “기술 패권 경쟁에서 승리하기 위한 한국 정부의 가장 공격적 노력”이라고 평가하며 “삼성의 투자는 글로벌 반도체 제조를 주도하겠다는 한국의 야망에 부합하는 것”이라고 해석했다. 일본 니케이는 삼성이 자국에서도 최첨단 공장을 운영하는 한편 미국에서도 일정한 양산 규모를 확보하며 지정학적 리스크 저감을 노렸다고 전했다.

경기침체의 골이 깊어질 거란 우려가 커지는 가운데도 국내 주요 대기업들은 핵심사업과 신사업에 대한 투자 고삐를 바투 죄며 시장이 반등할 때 더 크게 도약할 기회를 모색하고 있다. 미국과 중국의 기술 패권전쟁, 러시아·우크라이나 전쟁 장기화 등 불확실한 대외 환경의 부침 속에서도 기술을 혁신하고 고객 가치를 차별화하기 위한 도전을 거듭하며 미래 시장의 ‘게임체인저’로 나설 기업들의 분투를 소개한다. ●삼성, 반도체 초미세화 박차… 글로벌 혁신 선도 반도체, 바이오, 인공지능(AI), 차세대 통신 등을 미래 성장동력으로 키우고 있는 삼성전자는 국내외 반도체 기업들의 투자 축소, 감원·감산 행보가 이어지는 와중에도 “투자 축소, 인위적 감산은 없다”는 기조를 굳히며 반도체를 ‘한국 경제의 성장판’으로 키워 나가려는 노력을 주행하고 있다. 지난 30년간 주도해 온 메모리 기술에서는 초격차 위상을 강화한다. 공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 연구개발(R&D)을 강화하고, 반도체 미세화에 유리한 극자외선(EUV) 기술 등 첨단기술을 선제적으로 도입하며 메모리 분야 시장 점유율을 더 확대한다는 전략이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서는 지난해 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA·전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 구조) 기술을 적용한 3나노 반도체 양산에 성공한 데 이어 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입한다는 청사진을 그리고 있다. ●현대차그룹, 끊임없는 ‘품질·안전’ 연구개발 전동화 체제 전환, 소프트웨어 역량 확보, 미래 모빌리티, 로보틱스 분야 등에서 경쟁력을 높여 글로벌 시장 리더십을 공고히 다지고 있는 현대자동차그룹은 ‘품질과 안전’이라는 본질을 지키는 데도 연구개발을 집중하고 있다. 정의선 현대차그룹 회장도 올해 신년사에서 “우리가 품질과 안전이라는 기본적인 약속을 지켜 나갈 때 고객들도 우리를 믿고 새로운 변화와 도전을 기꺼이 함께해 주실 것”이라고 강조한 바 있다. 이를 위해 수천 번의 충돌 테스트와 실제 사고 분석을 통해 불가피한 사고가 생길 때도 강건한 차체 구조와 최적의 안전장치로 상해를 최소화하기 위한 노력을 기울이고 있다. ●LG, 올레드·전장·배터리 ‘혁신 올라운더’로 LG는 가전, 올레드, 전장, 배터리를 주요 축으로 계열사별로 미래 준비에 박차를 가하고 있다. 가전 시장에서는 새로운 패러다임을 제시하며 고객 경험을 한 차원 더 넓히고, 지난 10년간 시장을 개척해 온 올레드TV로 새로운 혁신을 거듭하며 시장을 확대해 나간다는 계획이다. 최근 급성장하고 있는 미래 전기차 분야와 배터리 분야에서는 올해 연간 흑자 전환에 성공하며 본궤도에 진입한 전장 사업을 강화하고, 전기차 충전 솔루션 등 새 사업 포트폴리오를 더해 미래 경쟁력을 높인다. 글로벌 스타트업과의 협업도 이어 가며 새로운 성장동력 확보에도 힘쓰고 있다. ●롯데 ·한화·효성, 새 먹거리·전문성 강화 총력 롯데는 헬스앤웰니스, 모빌리티, 지속가능성, 뉴라이프 플랫폼 등 4가지 주제의 신사업을 추진하는 동시에 인수합병을 통해 시장 지배력을 넓히고 사업 포트폴리오를 적극 재편해 나간다. 롯데바이오로직스는 2030년까지 글로벌 톱10 바이오 위탁개발생산(CDMO) 기업으로 성장하겠다는 목표를 달성하기 위한 사업 역량 확대에 나섰고, 롯데케미칼 등 화학군은 글로벌 배터리 소재 선도 기업으로 커 나가기 위해 2차전지 핵심 소재의 밸류체인을 촘촘히 구축하고 있다. 한화는 지난해 7월 ㈜한화, 한화에어로스페이스, 한화임팩트 3개사가 유사 사업군을 통합하고 전문성을 강화하는 사업에 나서며 글로벌 경쟁력 강화에 바짝 시동을 걸고 있다. 한화에어로스페이스 중심의 방위산업 재편을 통해 지상에서 항공, 우주에 이르는 종합방산 기업으로 도약하고 있는 한화는 최근 대우조선해양 인수에 나서며 국가 핵심 기간산업을 지키고 경쟁력을 높이는 기업의 역할에도 매진하고 있다. 효성은 조현준 회장이 새해 필승 전략으로 고객이 예측할 수 없는 미래 수요까지 충족시키는 ‘고객 몰입 경영’을 실현하겠다고 선포하면서 경영활동의 처음부터 끝까지 고객을 중심에 놓는 고객 최우선주의를 실천한다는 계획이다. 이를 통해 고객 만족도를 높이며 위기를 타개하고, 독자 기술을 바탕으로 한 신소재로 글로벌 시장 확대까지 꾀한다는 방침이다.

연매출 302조 최대 기록 빛바래경쟁사 감산 선언에도 “투자 지속”메모리, 기술 리더십 강화에 초점“설비투자 유지·연구개발 더 늘 것”TV 등 생활가전 4분기 600억 손실개선된 영업익 디스플레이·하만뿐 삼성전자는 주력 분야인 반도체 부문의 지난해 4분기 영업이익이 96.9% 감소하는 등 혹독한 시련의 시기를 보내고 있지만, ‘인위적인 감산(생산량 축소)은 없다’는 기존 기조를 유지했다. 삼성전자는 31일 2022년 4분기와 연간 실적 발표 직후 열린 콘퍼런스콜에서 “올해 메모리는 미래 수요 대비 및 기술 리더십 지속 강화를 위한 중장기 차원의 투자를 지속할 것”이라며 “라인 운영 최적화를 위한 설비 재배치 과정에서 단기 구간 생산량 영향은 불가피할 것”이라고 밝혔다. 간접적 생산량 감소가 있겠지만, 최근 감산을 선언한 경쟁사들처럼 웨이퍼 투입량을 줄이거나 라인 가동을 멈춰 생산량을 줄이진 않겠다는 의미다. 경쟁사의 감산 효과가 나타날 하반기까지 손실을 버티며 시장 지배력을 더 강화하려는 전략으로 풀이된다.이날 발표된 실적에서 연간 매출은 전년 대비 8% 늘어난 302조 2314억원으로 사상 처음 300조원을 돌파했지만, 영업이익은 16% 감소한 43조 3766억원으로 집계돼 매출 기록의 빛이 바랬다. 특히 2021년 4분기 영업이익 8조 8300억원으로 삼성전자 전체 영업이익의 63%를 견인했던 반도체(DS) 부문은 이날 분기 영업이익 2700억원을 기록, 1년 만에 ‘꼴찌 부문’으로 전락했다. 지난해 4분기 DS 부문은 사실상 적자만 면한 셈이었다. 여전히 회사 전체 연간 영업이익의 절반 이상을 담당하지만, 4분기엔 전체의 단 6%에 불과했다. 특히 메모리반도체는 유일하게 연간 매출액까지 하락했다. 게다가 올해 1분기에도 수요 부진과 반도체 시황 약세는 이어질 전망이다. 증권가에서는 2008년 금융위기 이후 첫 분기 적자 전망이 잇달아 나오고 있다. NH투자증권은 1분기 2조 5000억원의 영업손실을, 하이투자증권은 1조 7000억원의 영업적자를 예상했다. 다만 하반기엔 시장 수요가 어느 정도 회복될 것으로 업계는 보고 있다. 삼성전자는 이에 대응하기 위해 중장기 투자 기조를 유지한다는 계획이다. 이날 삼성전자 측은 “시장 약세 상황이 우호적이진 않지만, 미래를 철저히 준비하기엔 좋은 기회”라면서 “올해 설비투자는 전년도와 유사한 수준이 될 것이며, 이 중 연구개발(R&D) 항목 비중은 예전보다 증가할 것”이라고 밝혔다. 메모리의 경우 신규 CPU 출시 확대에 따른 DDR5 수요에 적극 대응하며, 파운드리는 차세대 반도체 소자 구조인 게이트올어라운드(GAA) 공정인 2나노 1세대 공정은 안정적 수율로 양산하고 있으며, 2세대 공정을 빠르게 개발하고 있다고 삼성전자 측은 설명했다. 한편 TV(VD)를 포함한 생활가전(CE) 사업 실적은 4분기 600억원 손실을 기록했다. 이 부문이 적자를 기록한 것은 2015년 1분기 이후 처음이다. VD 사업에선 실적이 개선됐다고 삼성전자가 밝힌 만큼 생활가전 적자폭은 상당한 것으로 보인다. 전년도에 비해 개선된 연간 영업이익을 기록한 부문은 디스플레이(SDC)와 하만뿐이었다. SDC의 경우 중소형에서 스마트폰 수요 감소에도 불구하고 아이폰 등 플래그십 제품 중심 판매로 대형 디스플레이에서 낸 적자를 만회할 정도로 견고한 실적을 달성했다. 전장 사업을 담당하는 하만은 2분기 연속 최대 실적은 물론 연간으로도 매출 13조 2100억원, 영업이익 8800억원의 역대 최대 실적을 기록했다.

삼성전자가 주력 사업 부문인 반도체 시장의 불황으로 혹독한 시련의 시기를 보내고 있다. 세계 1위를 유지하고 있는 메모리 반도체 시장은 최악의 한파를 맞았고, 비메모리 부문 핵심인 위탁생산(파운드리) 분야 경쟁자 TSMC는 해마다 투자액을 늘리며 격차를 벌리고 있다. 반도체 뿐 아니라 스마트폰, TV, 생활가전, 통신장비, 디스플레이 등 각각의 분야에서 세계 1~2위 경쟁자들과 맞서야 하는 ‘올라운더’ 삼성전자는 올해에도 반도체 부문에서 고성능·고용량 DDR5 등 첨단 공장 전환, 파운드리 미세공정 생산능력 증대를 위해 투자를 지속하겠다는 방침이다. 31일 삼성전자가 발표한 지난해 4분기 실적에서 반도체(DS) 부문은 사실상 적자만 면한 셈이었다. 이 부문은 여전히 회사 전체 연간 영업이익의 절반 이상을 담당하지만, 4분기엔 전체의 단 6%에 불과했다. 특히 메모리 반도체 부문은 한 해 동안 다른 모든 부문에서 개선을 보인 매출액조차 홀로 6% 하락했다. 다만 업계는 대체로 올해 하반기엔 시장 수요가 어느정도 회복할 것으로 보고 있다. 삼성전자는 이에 대응하기 위해 중장기 투자 기조를 유지한다는 계획이다. 이날 삼성전자 측은 “시장 약세 상황이 우호적이진 않지만, 미래를 철저히 준비하기엔 좋은 기회”라면서 “올해 설비투자는 전년도와 유사한 수준이 될 것이며, 이 중 연구개발(R&D) 항목 비중은 예전보다 증가할 것”이라고 밝혔다. 메모리의 경우 신규 CPU 출시 확대에 따른 DDR5 수요에 적극 대응하며, 파운드리는 차세대 반도체 소자 구조인 게이트올어라운드(GAA) 공정인 2나노 1세대 공정은 안정적 수율로 양산하고 있으며, 2세대 공정을 빠르게 개발하고 있다고 전했다.삼성전자 영업이익의 60~70%를 담당하던 DS부문이 고꾸라진 가운데, 다른 부문도 대체로 실적이 감소했다. 특히 TV 사업을 하는 영상디스플레이(VD)와 생활가전 부문(CE부문) 실적은 600억원 손실을 기록했다. CE 부문이 적자를 기록한 것은 2015년 1분기 이후 처음이다. 삼성전자가 VD 사업부는 실적이 개선됐다고 밝힌만큼, 생활가전의 적자폭이 상당한 것으로 보인다. 삼성전자는 98인치 ‘네오 QLED’로 초대형 시장을 지속적으로 선도하고 다양한 사이즈의 마이크로 발광다이오드(LED) 제품을 선보일 계획이라고 밝혔다. 스마트폰을 담당하는 모바일경험(MX) 사업부도 신모델 출시 효과 감소와 경기 침체로 매출과 이익이 모두 하락했다. 삼성전자는 당초 예상보다 중저가 스마트폰 판매 감소 영향이 컸으며, 플래그십 제품은 어려운 상황에도 시장 하락폭 대비 선방했다고 평가했다. 1일 출시 예정인 ‘갤럭시S23’으로 플래그십 판매 확대를 추진하고 카메라, 게임 등 극대화된 제품 경쟁력을 강조해 매출을 확대하겠다는 방침이다. 전년도에 비해 개선된 연간 영업이익을 기록한 부문은 디스플레이(SDC)와 하만 뿐이었다. SDC의 경우 중소형에서 스마트폰 수요 감소에도 불구하고 아이폰 등 플래그십 제품 중심 판매로 대형 디스플레이에서 낸 적자를 만회할 정도로 견고한 실적을 달성했다. 삼성전자 미래 먹거리 중 하나인 전장 사업을 담당하는 하만은 2분기 연속 최대 실적을 기록했다. 연간으로도 매출 13조 2100억원, 영업이익 8800억원으로 역대 최대 실적을 기록했다. 삼성전자의 지난해 시설투자액은 53조 1000억원이다. 이중 반도체는 47조 9000억원, SDC는 2조 5000억원이다.

지난 6월 세계 최초로 3나노(㎚·10억분의1m) 공정을 적용한 반도체 양산에 들어가면서 기술력으로 파운드리(위탁생산) 시장 부동의 1위인 대만 TSMC를 앞지른 삼성전자가 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 파운드리 업계는 2나노까지를 ‘기술의 한계’로 꼽고 있지만, 3나노 양산으로 경쟁사를 뛰어넘는 기술력을 과시한 삼성전자는 격차를 더욱 벌려 단기간에 업계 선두로 올라서겠다는 복안이다. 삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 사업 목표와 이를 달성하기 위해 개발 중인 기술을 소개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 이목을 사로잡은 건 1.4나노 반도체 양산 계획이다. 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 최 사장이 언급한 GAA 기술은 기존 제작 방식보다 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능은 더욱 높인 신기술로, 삼성전자가 업계에서 가장 먼저 제품 양산에 성공한 바 있다. 삼성전자는 GAA 기술에 힘입어 이미 2025년 2나노 공정 도입 계획을 밝혔지만 1.4나노 계획까지 언급한 것은 이번이 처음이다.삼성전자가 ‘초격차’ 기술 확보에 속도를 올리면서 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 3나노에서 허를 찔린 TSMC는 GAA 방식이 아닌 기존 제작 방식을 적용해 3나노 공정에 들어갔고, 1.4나노 공정 개발에도 착수했지만 구체적인 양산 시기와 제작 방법 등은 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자가 1.4나노 양산 시기까지 밝힌 것을 두고 GAA 기술력에 대한 자신감의 표출인 동시에 글로벌 고객사 확보를 위한 포석이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 인텔을 제치고 반도체 시장 매출 1위에 올랐지만, 매출이 메모리반도체에 편중된 탓에 ‘반쪽짜리 1등’이라는 꼬리표가 붙어 있다. 게다가 메모리 시장은 내년 상반기까지 가격 하락세가 지속될 것으로 전망되면서 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리의 성장이 절실한 상황이다. 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위다. 업계 관계자는 “퀄컴과 애플, 브로드컴 등 대형 고객사가 북미에 포진한 상황에서 삼성전자의 1.4나노 계획 발표는 고객 확보에도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다”면서 “파운드리 성장은 ‘2030년까지 시스템반도체에서도 1위를 달성하겠다’는 이재용 부회장의 비전 달성을 위한 필수 조건”이라고 말했다. 한편 이 부회장은 지난 1일 방한한 손정의 소프트뱅크 회장과의 회동을 통해 소프트뱅크가 소유한 영국 반도체 설계기업 ARM의 지분 참여를 추진하고 있는 것으로 알려졌다. ARM은 전 세계 스마트폰에 들어가는 애플리케이션 프로세서(AP)의 설계도를 독점적으로 제공하고 있는 기업으로, 단일 기업의 인수는 사실상 불가능해 지분 투자 방식의 전략적 제휴 방안이 거론된다. 일각에서는 사안의 민감성을 고려해 두 사람이 이미 배석자 없이 단독으로 만나 대화를 나눴을 것이라는 시각도 나온다.  

지난 6월 세계최초로 3나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산에 들어가며 파운드리(위탁생산) 시장 부동의 1위 대만 TSMC를 기술력으로 앞지른 삼성전자가 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 파운드리 업계는 2나노까지를 ‘기술의 한계’로 꼽고있지만, 3나노 양산으로 경쟁사를 뛰어넘는 기술력을 과시한 삼성전자는 격차를 더욱 벌려 단기간에 업계 선두로 올라서겠다는 복안이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 사업 목표와 이를 달성하기 위해 개발 중인 기술을 소개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 이목을 사로잡은 건 1.4나노 반도체 양산 계획이다. 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 최 사장이 언급한 GAA 기술은 기존 제작 방식보다 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능은 더욱 높인 신기술로, 삼성전자가 업계에서 가장 먼저 제품 양산에 성공한 바 있다. 삼성전자는 GAA 기술에 힘입어 이미 2025년 2나노 공정 도입 계획을 밝혔지만 1.4나노 계획까지 언급한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자가 ‘초격차’ 기술 확보에 속도를 올리면서 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 3나노에서 허를 찔린 TSMC는 GAA 방식이 아닌 기존 제작 방식을 적용해 3나노 공정에 들어갔고, 1.4나노 공정 개발에도 착수했지만 구체적인 양산 시기와 제작 방법 등은 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자가 1.4나노 양산 시기까지 밝힌 것을 두고 GAA 기술력에 대한 자신감 표출인 동시에 글로벌 고객사 확보를 위한 포석이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 인텔을 제치고 반도체 시장 매출 1위에 올랐지만, 매출이 메모리반도체에 편중된 탓에 ‘반쪽짜리 1등’이라는 꼬리표가 붙어 있다. 게다가 메모리 시장은 내년 상반기까지 가격 하락세가 지속할 것으로 전망되면서 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리의 성장이 절실한 상황이다. 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위다.업계 관계자는 “퀄컴과 애플, 브로드컴 등 대형 고객사가 북미에 포진한 상황에서 삼성전자의 1.4나노 계획 발표는 고객 확보에도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다”라면서 “파운드리 성장은 ‘2030년까지 시스템반도체에서도 1위를 달성하겠다’는 이재용 부회장의 비전 달성을 위한 필수조건”이라고 말했다. 한편 이 부회장은 지난 1일 방한한 손정의 소프트뱅크 회장과의 회동을 통해 소프트뱅크가 소유한 영국 반도체 설계기업 ARM의 지분 참여를 추진하고 있는 것으로 알려졌다. ARM은 전 세계 스마트폰에 들어가는 애플리케이션 프로세서(AP)의 설계도를 독점적으로 제공하고 있는 기업으로, 단일 기업의 인수는 사실상 불가능해 지분 투자 방식의 전략적 제휴 방안이 거론된다. 일각에서는 사안의 민감성을 고려해 두 사람이 이미 배석자 없이 단독으로 만나 대화를 나눴을 것이라는 시각도 나온다.

삼성전자가 5년 뒤 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다. 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서는 2나노를 기술의 한계로 꼽아왔지만, 이를 뛰어넘어 세계 최초로 1.4나노 시대를 열겠다는 게 삼성전자의 로드맵이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최하고 파운드리 사업 청사진과 신기술을 발표했다. 파운드리사업부장인 최시영 사장은 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 삼성전자는 2나노 공정 계획을 밝힌 적이 있지만, 1.4나노 계획을 언급한 것은 이번이 처음이다. 파운드리 시장 점유율 1위 대만 TSMC 역시 2나노에 이어 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌지만, 삼성전자와 달리 양산 시기 등 구체적인 계획은 밝히지 않은 상황이다. 삼성전자는 1.4나노 양산 외에 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나간다는 목표도 제시했다. 현재 모바일에 집중된 매출을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 오토모티브 차량용 반도체, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 비모바일 제품군으로 확대해 나간다. 이를 위해 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 비휘발성메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 계획이다. 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다. 삼성전자는 2027년까지 선단공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대하는 것을 목표로 현재 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장 라인을 1개에서 2개로 늘린다는 계획도 공개했다.테일러 2라인은 클린룸을 먼저 건설하는 ‘쉘 퍼스트’(Shell First) 방식을 통해 고객 수요에 적극 대응하기로 했다. 주문이 들어오면 공장을 짓는 기존 방식과 달리 TSMC나 인텔처럼 공장 프레임을 우선 만든 뒤 주문이 들어오면 생산 설비를 투입한다는 취지다. 삼성전자는 이를 통해 생산 시점을 앞당겨 공급을 넘는 수요에 적극적으로 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자가 25일 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 공정 기반 파운드리(위탁생산) 제품을 내놓으면서 세계 반도체 시장에서 ‘3나노 시대’를 처음 열었다. 파운드리 후발 주자인 삼성전자가 시장 진출 18년 만에 기술력으로 1위 기업 대만 TSMC를 추월한 것으로, 업계에서는 초미세 공정 주도권이 삼성전자로 넘어오는 계기가 됐다는 평가가 나온다. 삼성전자는 이날 오전 경기 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 파운드리사업부는 제품을 실은 차량에 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’란 문구를 내세워 강한 자신감을 피력했다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스(설계회사) 관계자 등 100여명이 참석했다. 경 사장은 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 자평하면서 “핀펫(FinFET) 트랜지스터가 기술적 한계에 봉착했을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조한 혁신적인 결과”라고 말했다. 3나노 GAA 공정 제품은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적은 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 2000년대 초 이 기술 연구에 착수한 삼성전자는 지난달 말 세계 최초로 이 공정을 적용한 제품 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 반도체 업계는 삼성전자가 한 번에 두 가지 신기록을 쓴 점에 주목한다. 파운드리 업계에서 7나노 이하 미세 공정이 가능한 곳은 삼성전자와 TSMC 두 곳으로, 1987년 창립된 TSMC는 올 연말 핀펫 기반 3나노 제품을 양산하고 2025년 2나노 제품부터 GAA 공정 적용을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 삼성전자가 7나노와 5나노 제품 양산 때와 달리 이번에는 출하식 형태의 공식 행사를 연 것도 이례적이다. “세계 최초 기술 적용을 기념하기 위한 것”이라는 게 삼성전자 측 설명이지만, 최근 3나노 공정 개발과 관련해 부정적 전망을 쏟아낸 경쟁국 대만, 일본에 대한 맞대응으로도 풀이된다. 대만과 일본 언론은 ‘삼성전자가 첨단 공정 경쟁에서 TSMC에 밀릴 것이며 3나노 공정도 수율(합격품 비율)에 문제가 있다’는 취지로 보도해 왔다. 하지만 삼성전자는 이날 3나노 신공정 제품 출하를 공개하면서 수율 확보 등 개발에서 양산에 이르기까지의 과정을 상세히 공개했다. 지난해 100곳 이상의 파운드리 고객사를 확보한 삼성전자는 3나노 신공정을 통해 2026년까지 고객사 300곳 이상을 확보하겠다는 복안이다. 안기현 한국반도체산업협회 전무는 “삼성전자가 신기술을 먼저 확보했다는 것은 큰손 고객사 유치를 확대하고 차세대 초미세 공정에서 TSMC보다 더 빠르게 치고 나갈 기반을 마련한 것”이라고 짚었다. 정부는 이 자리에서 반도체산업에 대한 지속적 지원을 약속했다. 이 장관은 “디스플레이·배터리·모빌리티·로봇·바이오 등 미래 반도체 수요를 견인할 ‘반도체 플러스 산업’에 관한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 밝혔다.

삼성전자가 25일 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 공정 기반 파운드리(위탁생산) 제품을 내놓으면서 세계 반도체 시장에서 ‘3나노 시대’를 처음 열었다. 파운드리 후발 주자인 삼성전자가 시장 진출 18년 만에 기술력으로 1위 기업 대만 TSMC를 추월한 것으로, 업계에서는 초미세 공정 주도권이 삼성전자로 넘어오는 계기가 됐다는 평가가 나온다.삼성전자는 이날 오전 경기 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 파운드리사업부는 제품을 실은 차량에 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’란 문구를 내세워 강한 자신감을 피력했다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스(설계회사) 관계자 등 100여명이 참석했다. 경 사장은 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 자평하면서 “핀펫(FinFET) 트랜지스터가 기술적 한계에 봉착했을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조한 혁신적인 결과”라고 말했다. 3나노 GAA 공정 제품은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적은 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 2000년대 초 이 기술 연구에 착수한 삼성전자는 지난달 말 세계 최초로 이 공정을 적용한 제품 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 반도체 업계는 삼성전자가 한 번에 두 가지 신기록을 쓴 점에 주목한다. 파운드리 업계에서 7나노 이하 미세 공정이 가능한 곳은 삼성전자와 TSMC 두 곳으로, 1987년 창립된 TSMC는 올 연말 핀펫 기반 3나노 제품을 양산하고 2025년 2나노 제품부터 GAA 공정 적용을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 삼성전자가 7나노와 5나노 제품 양산 때와 달리 이번에는 출하식 형태의 공식 행사를 연 것도 이례적이다. “세계 최초 기술 적용을 기념하기 위한 것”이라는 게 삼성전자 측 설명이지만, 최근 3나노 공정 개발과 관련해 부정적 전망을 쏟아낸 경쟁국 대만, 일본에 대한 맞대응으로도 풀이된다. 대만과 일본 언론은 ‘삼성전자가 첨단 공정 경쟁에서 TSMC에 밀릴 것이며 3나노 공정도 수율(합격품 비율)에 문제가 있다’는 취지로 보도해 왔다. 하지만 삼성전자는 이날 3나노 신공정 제품 출하를 공개하면서 수율 확보 등 개발에서 양산에 이르기까지의 과정을 상세히 공개했다. 지난해 100곳 이상의 파운드리 고객사를 확보한 삼성전자는 3나노 신공정을 통해 2026년까지 고객사 300곳 이상을 확보하겠다는 복안이다.안기현 한국반도체산업협회 전무는 “삼성전자가 신기술을 먼저 확보했다는 것은 큰손 고객사 유치를 확대하고 차세대 초미세 공정에서 TSMC보다 더 빠르게 치고 나갈 기반을 마련한 것”이라고 짚었다. 정부는 이 자리에서 반도체산업에 대한 지속적 지원을 약속했다. 이 장관은 “디스플레이·배터리·모빌리티·로봇·바이오 등 미래 반도체 수요를 견인할 ‘반도체 플러스 산업’에 관한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 밝혔다.

이창양 산업통상장자원부 장관은 25일 “반도체 파운드리(위탁생산) 생태계 구축을 전폭적으로 지원하겠다”고 밝혔다.이 장관은 이날 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 열린 3나노(㎚·1나노미터는 10억분의 1m) 반도체 양산 출하식에 참석해 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가한 뒤 이같이 말했다. 그는 “반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 경쟁력 강화를 지원하겠다”면서 “이를 통해 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것”이라고 강조했다. 이어 “3나노 파운드리 시장의 안정적 확보를 위해 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요하다”며 “반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화 방안도 순차적으로 수립할 계획”이라고 소개했다. 삼성전자는 화성캠퍼스 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 최초로 달성했다. GAA 기술은 기존 핀(Fin) 기술보다 칩 면적(35%)과 전력(50%)은 줄이고 성능(30%)은 높일 수 있는 기술로 평가된다. 이날 행사에는 삼성전자 협력사와 팹리스(반도체 설계전문회사) 관계자 등도 참석했다. 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재와 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발해 3나노 제품 양산을 뒷받침했다는 상징적 의미를 담고 있다. 산업부는 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산으로, 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크다고 설명했다. 특히 메모리반도체 생산기지이자 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 한국의 위상 제고를 기대했다.