삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용하겠다는 구상을 공개했다. 6세대와 7세대인 HBM4·HBM4E에 이어 차세대 제품에도 최선단 파운드리 공정을 도입해 인공지능(AI) 반도체 시장 공략에 속도를 내겠다는 전략이다. 삼성전자는 27일 뉴스룸을 통해 이런 내용을 담은 구자흠 파운드리사업부 기술개발실장(부사장) 인터뷰를 공개했다. 구 부사장은 “HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 말했다. 이어 “HBM5의 베이스 다이는 게이트올어라운드(GAA) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘 관통 전극(TSV)을 구현할 예정”이라고 밝혔다. HBM은 코어 다이와 베이스 다이를 쌓아 패키징하는 제품이다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU) 등 외부 프로세서와 데이터를 빠르게 주고받도록 연결하는 역할을 한다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에 최첨단 파운드리 공정이 적용되면서 HBM의 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. GAA는 전류 제어력과 전력 효율을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했고, 5월 HBM4E 12단 샘플을 출하했다. HBM4와 HBM4E 베이스 다이에는 양산성과 수율이 검증된 4나노 4세대 공정을 적용했다. 구 부사장은 “올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산을 시작할 예정”이라고 말했다. 이어 삼성전자의 HBM 경쟁력에 대해 “설계, 제조, 패키징을 모두 삼성전자가 하는 턴키 솔루션 제품”이라며 양산 제품 완성 시간 단축이 가능하고 비용 관점에서도 유리하다고 했다. 이에 따라 모바일 고객사뿐만 아니라 테슬라와 다수의 AI·고성능컴퓨팅(HPC)·클라우드서비스제공사(CSP) 등 대형 고객사 수주가 잇따르고 있다고 전했다.

퀄컴이 AI 데이터센터 시장을 위한 새로운 플랫폼 ‘드래곤플라이’(Dragonfly)를 전격 공개하며 엔비디아와 다른 AI 빅테크들에 도전장을 내밀었습니다. 자연계에서 가장 효율적인 비행 곤충인 잠자리처럼 에너지 효율성을 높인 플랫폼을 만들겠다는 의지가 담긴 이름입니다. 사실 퀄컴이 데이터센터 시장에 도전하는 것은 처음이 아닙니다. 과거 센트리크 2400 CPU를 통해 서버 시장에 도전했다가 결국 시장 문턱을 넘지 못하고 고배를 마셨던 경험이 있습니다. 하지만 최근 AI 인프라 시장이 폭발적으로 성장함에 따라 퀄컴은 기존의 모바일 및 엣지 AI 및 CPU 설계에서 얻은 강점을 살려 다시 AI 데이터센터에 도전하고 있습니다. 퀄컴 드래곤플라이는 단순히 하나의 CPU나 GPU를 지칭하는 이름이 아니라 AI 가속기, CPU, 네트워킹, 그리고 커스텀 실리콘을 하나의 통합된 생태계로 묶은 ‘풀스택(Full-stack)’ 생태계의 브랜드를 의미합니다. CPU, GPU, 네트워킹, 그리고 CUDA 소프트웨어 생태계까지 하나로 묶어 제공하는 엔비디아와 같은 전략을 구사하는 셈입니다. 물론 이 분야에서는 엔비디아가 훨씬 강력한 생태계를 구축한 상태이지만, 퀄컴은 모바일에서 얻은 저전력·고효율 설계를 무기로 AI 데이터센터 시장에 ‘원스톱(One-stop)’ 솔루션을 제공하겠다는 포부를 지닌 것으로 보입니다. 드래곤플라이 AI 데이터센터 생태계의 핵심은 당연히 AI 가속기입니다. 2027년 출시를 목표로 한 AI250은 퀄컴이 주도하는 차세대 메모리 기술인 HBC(High Bandwidth Compute) 1세대를 탑재할 계획입니다. HBC는 DDR 메모리 대신 LPDDR 메모리를 적층한 고대역폭 메모리로 컴퓨트 다이(Compute die) 위에 바로 올려 에너지 효율과 속도를 높였습니다. 실물을 공개하지 않았지만, 와트당 대역폭(Bandwidth per Watt)에서 HBM 메모리보다 6배나 높였다는 것이 퀄컴의 주장입니다. 퀄컴의 로드맵에 따르면 2028년에는 HBC 2세대 기술을 적용한 AI300이 출시됩니다. AI300은 LPDDR 메모리를 사용한 기존 AI200 대비 54배에 달하는 대역폭을 제공하며, HBM(고대역폭 메모리)과 비교했을 때 와트당 대역폭이 6배나 높습니다. 만약 이 주장이 사실이라면 대규모 언어 모델(LLM)이나 멀티모달 모델, 그리고 에이전트 AI 워크로드에서 발생하는 막대한 전력 소모와 데이터 이동 병목 현상을 획기적으로 해소할 수 있을 것으로 보입니다. 물론 하이퍼스케일 데이터센터에서는 각 GPU, CPU의 메모리 대역폭만큼이나 수많은 프로세서들을 빠르게 연결하는 것도 중요합니다. 퀄컴의 새로운 데이터센터 연결 플랫폼은 800G에서 최대 1.6T급에 이르는 고대역폭을 지원하며, 데이터 이동의 병목을 해결하기 위해 UALink와 같은 개방형 표준을 활용한 스케일업 및 스케일아웃 아키텍처를 사용할 계획입니다 그리고 최근 에이전틱 AI에서 중요해지는 CPU를 위해 퀄컴은 C1000 서버도 같이 제공할 계획입니다. 이 CPU는 250개 이상의 코어와 최대 5GHz의 클럭 속도를 지니고 있다고 하는데, 멀티 코어뿐 아니라 싱글 코어 성능에서도 업계 최고라는 것이 퀄컴의 설명입니다. 다만 현재까지 업계의 반응은 반신반의한 상태입니다. 이론적으로는 매우 훌륭해 보이지만, 퀄컴이 말한 CPU, GPU, 메모리, 인터페이스 혁신을 위해서는 반도체 제조사를 포함해 많은 제조사들이 함께 힘을 합쳐야 하기 때문입니다. 예를 들어 HBC 메모리의 경우 LPDDR 메모리를 3D TSV(관통 실리콘 비아) 기술로 수직 적층하는 ‘근접 메모리 컴퓨팅’(Near-Memory Computing) 기술인데, 이는 퀄컴의 기술만으로는 불가능하고 원칙적으로 삼성전자 같은 메모리 제조사가 기술을 제공해 주지 않으면 실현 불가능한 이야기입니다. HBC 메모리를 사용하는 AI250/300 가속기나 C1000 CPU 역시 TSMC 같은 파운드리 업체의 협력 없이는 제조하기 어렵습니다. 현재 메모리와 시스템 반도체 모두 최첨단 미세 공정에 대한 수요가 크게 증가해 공급이 이를 따라잡기 어려운 점을 생각하면 물량을 쉽게 확보할 수 있을지부터 의문이 드는 게 사실입니다. 여기에 새로운 규격인 만큼 초기에는 수율이나 비용 문제 역시 만만치 않을 수 있습니다. 이런 의구심을 해소하기 위해서는 우선 실제로 작동하는 제품과 이를 채택한 데이터센터가 등장해야 합니다. 퀄컴은 일반적인 LPDDR 메모리를 사용한 AI200의 샘플링을 진행 중이며 올해 출시할 계획입니다. 이를 통해 퀄컴이 다른 엔비디아, 구글, AMD와 견줄 만한 AI 가속기 설계가 가능하다는 점을 입증해야 다음 단계로 진행이 가능할 것입니다. 퀄컴의 AI 데이터센터 도전이 이번에는 성과를 거둘 수 있을지 주목됩니다.

인텔은 소비자용 CPU와 새롭게 도전했던 GPU·AI 가속기, 서버 프로세서, 파운드리 사업에 이르기까지 전 사업 부문에서 위기에 몰려 있습니다. 최근 위기를 극복하기 위한 노력이 이어지며 실적도 다소 개선되는 흐름을 보이고 있지만 이를 두고 본격적인 반등이 시작됐다고 평가하기에는 아직 이른 것이 현실입니다. 그렇다고 인텔이 수년간 기술 개발을 게을리하며 시간을 허비한 것은 아닙니다. 오히려 수세에 몰린 상황에서 인텔은 기술 개발에 상당히 집중했고 그 결과 여러 가지 독자적인 신기술을 축적했습니다. 그중 하나가 여러 개의 작은 칩렛을 3차원적으로 결합해 복잡하고 거대한 칩을 만드는 타일(tile) 기반 3D 패키징 기술입니다. 인텔은 레고 블록처럼 베이스 타일 위에 서로 다른 공정에서 제조한 타일을 얹어 하나의 프로세서를 만드는 포베로스 3D 적층 기술을 꾸준히 발전시켜 왔습니다. 여기에 HBM 같은 차세대 메모리나 다른 프로세서를 고대역폭으로 연결할 수 있는 EMIB 기술도 지속적으로 개량해 왔습니다. 최근에는 최신 미세 공정인 18A의 양산을 준비하는 동시에, 차세대 공정인 14A 개발도 병행하고 있습니다. 최근 인텔 파운드리는 이 모든 기술을 하나로 묶은 초거대 프로세서 제조 기술을 공개했습니다. 아직 실물 칩이 존재하는 단계는 아니고 기술적 개요만 제시됐지만 계획대로 구현된다면 역사상 가장 크고 복잡한 프로세서가 될 가능성이 있습니다. 현재 인텔은 144코어의 시에라 포레스트 제온 프로세서를 출시할 예정이지만 이번에 공개된 개념은 이와는 비교가 되지 않을 정도로 거대한 구성을 염두에 둔 것으로 보입니다. 18A 공정의 베이스 타일 위에 14A 또는 14A-E 공정으로 제작한 컴퓨트 타일을 포베로스 다이렉트 3D 방식으로 적층하고 여기에 HBM4 또는 HBM5 메모리를 EMIB-T로 연결하는 구조입니다. 공개된 슬라이드와 이미지를 보면 두 개의 다이를 연결한 것으로 보이는 8개의 타일이 배치돼 있습니다. 18A 공정으로 제작된 후면 전력 공급 베이스 다이 위에 실제 연산을 담당하는 14A 계열 컴퓨트 타일을 올리는 구조입니다. 전력과 배선은 아래에 두고 연산부는 위로 올리는 방식으로, 포베로스 다이렉트 3D 기술을 통해 하나의 거대한 프로세서처럼 동작하도록 설계됐습니다. 주변에는 최대 24개의 HBM4 또는 HBM5 메모리가 TSV가 추가된 EMIB-T로 직접 연결됩니다. 이는 인텔이 보유한 최신 기술을 모두 집약한, 말 그대로 ‘괴물’에 가까운 설계입니다. 그러나 인텔의 제온 프로세서든, 외부 파운드리 고객의 제품이든 이 기술을 선뜻 채택할지는 미지수입니다. 가장 큰 이유는 최신 미세 공정과 포베로스, EMIB를 모두 결합할 경우 패키징 공정이 지나치게 복잡해지면서 제조 비용 상승과 수율 저하로 이어질 가능성이 크기 때문입니다. 실제 사례도 있습니다. 포베로스와 EMIB를 동시에 적용하고, 인텔과 TSMC에서 생산한 다이, 그리고 다수의 HBM 메모리를 결합한 폰테 베키오 GPU는 오로라 슈퍼컴퓨터에 탑재된 것을 제외하면 시장에서 거의 판매되지 못했고, 상업적으로는 실패에 가까운 결과를 남겼습니다. 후속작인 팔콘 쇼어스 역시 범용 제품이 아닌 내부 연구용 칩으로 전락했습니다. 이는 복잡한 패키징 기술의 성공이 곧 상업적 성공으로 이어지지는 않는다는 점을 다시 한번 보여준 사례입니다. 서버 CPU인 제온에서도 비슷한 일이 벌어졌습니다. 사파이어 래피즈는 4개의 CPU 타일과 HBM 메모리를 EMIB로 묶는 구조를 제시했지만 코어 수가 60개 이하로 제한되면서 같은 시기 AMD의 128코어 제품에 밀렸습니다. 이후 인텔이 서버 시장에서 점유율을 꾸준히 잃은 것은 어느 정도 예견된 결과였습니다. AMD는 서버 CPU인 에픽 프로세서를 출시하면서 CPU 코어와 L2·L3 캐시를 묶은 CCD 여러 개를 단일 I/O 다이와 연결하는 단순한 방식을 택했습니다. 당시 인텔 내부에서는 이를 ‘칩을 풀처럼 붙인 설계(Glue-together)’라며 평가 절하했지만 결과적으로 이 단순함이 비용 절감과 개발 속도 측면에서 결정적인 강점이 됐습니다. 코어 확장이 필요하면 CCD 숫자만 늘리면 되고 패키징도 상대적으로 단순해 비용 부담이 적었기 때문입니다. AMD가 이미 192코어 프로세서까지 출시할 수 있었던 배경입니다. 인텔 역시 뒤늦게 그래나이트 래피즈와 시에라 포레스트를 통해 단순한 타일 구조로 코어 수 경쟁에 다시 뛰어들었지만 그 과정에서 자신 있게 내세웠던 포베로스와 EMIB 기술이 시장에서 반드시 유용한 무기가 되지는 않는다는 점도 드러났습니다. 다만 코어 수가 계속 늘어나고 CPU에 GPU나 NPU 같은 이기종 연산 장치를 혼합하는 흐름이 강화될수록 첨단 패키징 기술의 효용성이 다시 커질 가능성은 있습니다. 이번 18A+14A+포베로스 다이렉트 3D+EMIB-T 조합 공개 역시 이런 맥락에서의 기술 홍보로 보입니다. 더불어 인텔은 단순히 칩을 위탁 생산하는 파운드리가 아니라 설계·패키징·소프트웨어까지 통합 제공하는 ‘시스템 파운드리(System Foundry)’ 개념을 강조하고 있습니다. 이번 발표 역시 미세 공정뿐 아니라 이후 단계의 패키징 기술까지 함께 묶어 제공할 수 있다는 메시지로 해석됩니다. 그러나 인텔이 이 기술들을 조합해 수백 개의 코어와 대용량 HBM을 탑재한 제온 프로세서를 합리적인 가격과 수율로 대량 생산할 수 있다는 점을 직접 입증하지 않는다면 이 이야기를 그대로 믿고 파운드리에 제품을 맡길 고객이 얼마나 될지는 여전히 의문입니다. 이번 발표는 TSMC의 CoWoS-L과 가장 유사한 기술보다 더 진보한 해법을 갖고 있다는 점을 강조하려는 시도로 보입니다. 그러나 인텔에 지금 필요한 것은 세계에서 가장 복잡한 ‘공학적 예술품’이 아닙니다. 고객이 기꺼이 비용을 지불하고 반복적으로 구매할 수 있는, 신뢰할 만한 제품을 만들어 실제로 보여주는 것입니다.

SK, 공정기술 추가 적용해 장점 확보삼성, 집적도와 속도 높인 샘플 출하차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

현재 공영방송의 이사회는 대통령과 여당에서 임명하는 3명, 야당에서 임명하는 2명으로 구성된 방송통신위원회가 추천하고 대통령이 임명하는 방식으로 구성되는 만큼 정치권의 입김이 강하게 작용할 수밖에 없는 구조이다. 그래서 정권이 바뀌면 각자 자신들이 임명하는 방통위원을 통해 공영방송 이사를 교체하고 잡음이 일어나며 방송장악이라는 비판이 끊이질 않았다. 전문가들은 공영방송의 독립성에 대한 사회적 논의의 필요성을 오랫동안 이야기했고 이번 방송3법(방송법·방송문화진흥회법·한국교육방송공사법) 개정안은 공영방송의 정치적 독립성 확보를 표방하고 있다. 단순화하자면 정치권의 공영방송 이사 추천 비율을 낮추자는 것이다. 이번 개정안은 공영방송 이사회의 이사 수를 늘리고 이사 추천 권한을 국회뿐 아니라 학회, 시청자위원회, 방송사 임직원 등으로 확대하는 내용이 주를 이루고 있다. 특히 방송법 개정안에 따르면 KBS 이사회는 현행 11명에서 15명으로 확대하고, 이사 추천을 국회 교섭단체(6명)·시청자위원회(2명)·종사자(3명)·방송 미디어 관련 학회(2명)·변호사단체(2명)로 다양화하고 있다. 그동안 KBS 이사는 법적 근거도 없이 이른바 관행적으로 11인 중 여권이 7명을, 야권이 4명을 추천하는 방식이었다. 이에 비하면 이번 방송법 개정안은 진일보했다고 평가할 수도 있지만 정치권의 영향력을 완벽히 차단할 수 있을지에 대해서는 지켜봐야 할 것이다. 다만 여기서 하나 간과하고 있는 것은 KBS 이사 구성에 있어서 지역 대표 추천에 관한 내용이 빠져 있다는 점이다. 현행 방송법 제44조에 제5항에 의하면 “공사는 방송의 지역적 다양성을 구현하고 지역사회의 균형 있는 발전에 이바지할 수 있는 양질의 방송프로그램을 개발하여 방송하여야 한다”고 규정하고 있다. 특히 KBS의 주요 재원이 전국민이 납부하는 수신료인 만큼 이사회 구성에 있어서 전국적인 대표성이 요구된다. 그래야 지역민과 지역사회 목소리가 전달되고 이는 결국 지역 대표들의 의견이 반영되는 대의 민주주의 정신에도 부합할 것이다. 실제 KBS는 전국에 9개의 총국과 산하 9개의 지역국 등 국내 방송사 가운데 유일하게 전국 네트워크를 구축하고 있고 이를 통해 이번 폭우 사태에 대응하는 재난방송과 같은 공적 책무를 수행하고 있다. 더구나 더불어민주당이 주도한 이번 방송법 일부개정법률안 제46조 제3항에도 “이사는 방송에 관한 전문성, 지역성 및 사회 각 분야의 대표성을 고려하여 추천된 사람을 방통위에서 임명제청하 고 대통령이 임명한다”고 규정하고 있다. 따라서 당연히 KBS 이사회 구성에 있어서 지역 대표의 추천에 관한 내용이 들어가야 함에도 불구하고 관련 규정은 미흡하기 짝이 없다. KBS 시청자위원회에서 이사 2명을 추천하게 하면서 추천 주체인 시청자위원회에 지역시청자위원회도 포함한다고만 규정하고 있을 뿐이다. 관련 규정이 모호할 뿐 아니라 수신료로 운영되는 KBS 최고 의결기관의 전국적 대표성을 충족하기에는 부족하다고 판단된다. 이번 개정안의 모델은 독일로 알려져 있다. 이와 관련하여 독일에서 의미 있는 연방헌법재판소 판결이 있었다. 독일의 대표적인 공영방송국인 ZDF-텔레비전위원회(Fernsehrat)의 위원 구성은 1967년 연방헌법재판소 판결에 근거한 내부 최고 의사 결정 기관으로 총 77명으로 정치인, 정당인, 종교단체나 자선단체 등 사회 각계 단체대표들로 구성되어 있었다. 이 이 위원회의 역할은 ZDF의 운영지침과 경영감독뿐만 아니라 방송국의 이사회로서 기능인 내부 규칙 제정과 개정, 연간예산 및 특수예산 승인 등의 활동에도 참여했다. 2013년 라인란트-팔츠 주와 함부르크 주의 미디어청은 ZDF-텔레비전위원회(Fernsehrat) 구성의 정치적 편향성을 이유로 독일연방헌법재판소에 소를 제기했다. 당시 ZDF의 텔레비전위원회(Fernsehrat)의 구성원 중 정부와 정당에 의한 선출 인원이 45.4%에 달했다. 독일연방헌법재판소는 77인의 ZDF-텔레비전위원회(Fernsehrat) 구성에서 전현직 정치인과 정당인 및 정부 인사가 대표 자격으로 최대 52인까지 참여가 가능한 구조를 발견했다. 2014년 연방헌법재판소는 ZDF 등 독일 공영방송 지배구조에서 정치인의 비중을 3분의 1 이하로 낮추라고 결정했다. 이후 ZDF-텔레비전위원회(Fernsehrat)는 60인으로 축소되었다. 여기서 특이한 점은 ZDF-텔레비전위원회(Fernsehrat)의 위원 77인 중 16개 주의 대표인 16명의 위원은 이후 위원회 구성이 60인으로 축소되었음에도 불구하고 그대로 유지되었다는 사실이다. 물론 연방국가인 독일의 특수성이 반영되었다고 평가할 수 있지만, 지역 대표성만큼은 포기하지 않고 지역의 특수성을 반영하고 있다는 점만은 부인할 수 없을 것이다. 이는 법률적 성격을 가진 ZDF 주 조약(ZDF-Staatsvertrag) 제21조에 명문으로 규정되어 있다. 비단 독일뿐만 아니라 일본 NHK의 최고 의결기관인 경영위원회의 경우 총 12명 중 8명이 광역 지역 대표(홋카이도, 도호쿠, 간토, 주부, 긴키, 주코쿠, 시코쿠, 큐슈)로 구성되어 있고 이는 일본 방송법 제31조에 규정되어 있다. 영국 BBC의 최고 의결기관인 이사회(BBC Board)는 총 14명 중에서 잉글랜드, 스코틀랜드, 웨일스, 북아일랜드의 지역 대표 4명을 이사로 선임하고 있고 이 또한 BBC의 설립 근거인 Royal Charter 제23조에 해당 지역을 명시하고 있다. 국가재난 주관방송사는 KBS이다. 하지만 수도권이 아닌 지역 재난에 대해서는 소홀하다는 비판을 여러 번 받아 왔다. 일본의 공영방송사인 NHK는 재난 상황에서 도쿄와 지방을 구분하지 않고 24시간 특보를 하는 반면 KBS는 지방에 산불과 폭우가 쏟아지고 사망자가 나오고 있어도 한 채널에서는 생생정보가, 다른 채널에서는 ‘6시 내 고향’을 하고 있다며 지방은 공공에 포함이 안 되냐는 시청자 청원의 글을 마주한 적이 있다. 만약 우리도 공영방송 이사회에 지역 대표성이 반영되었다면 어떠했을까 하는 아쉬움이 남는 대목이다. 공영방송 이사회 구성에 지역 대표성을 확보하는 것은 더 이상 미뤄서는 안 되는 과제이다. 홍선기(동국대 교수, 법학박사)

현재 생산되는 메모리 반도체는 D램 같은 휘발성 메모리와 낸드 플래시 메모리 같은 비휘발성 메모리로 나눠볼 수 있습니다. 전자는 전기 공급이 없으면 데이터가 사라지지만 대신 매우 빠르기 때문에 프로세서가 바로 가져다 쓸 데이터를 저장하는 용도로 사용됩니다. PC와 서버에 쓰이는 DDR5 메모리, 노트북이나 스마트폰에 사용되는 LPDDR5x 메모리, GPU에 사용되는 GDDR7 메모리, 고성능 AI GPU에 사용되는 고대역폭 메모리(HBM) 모두 이런 경우라고 할 수 있습니다. SSD나 USB 메모리에 들어가는 낸드 플래시 메모리는 속도가 느린 반면 데이터가 사라지지 않기 때문에 저장 장치로 적합합니다. 최근 200층 이상의 3D 낸드 플래시 메모리가 대세가 되고 있습니다. 덕분에 데이터 저장 밀도도 크게 증가해 이제는 microSD나 USB 저장 장치도 1TB급 제품이 나오고 있습니다. 하지만 사실 SSD나 하드디스크 같은 저장 장치에 저장된 데이터를 불러들인 후 메모리에서 처리하고 다시 저장하는 방식은 매우 비효율적입니다. 그보다는 한 번에 데이터를 처리하고 작업 내용을 저장하는 것이 속도와 효율성 모두에서 좋을 수밖에 없습니다. 따라서 반도체 제조사들은 D램처럼 빠르고 낸드 플래시 메모리처럼 저장 밀도가 높은 비휘발성 메모리를 개발해왔습니다. 이 목표에 가장 근접했던 기업은 바로 인텔이었습니다. 인텔이 마이크론과 함께 개발해 옵테인이라는 브랜드로 내놓은 3D Xpoint 메모리는 D램에 근접한 속도를 지닌 비휘발성 메모리로, 실제 시장에 출시됐지만 비싼 가격 때문에 반응은 미지근했습니다. 의도는 훌륭했지만 가격 문제에 그만한 속도가 충족되지 않았기 때문에 3D Xpoint는 결국 손실만 남긴 채 역사 속으로 사라졌습니다. 그런데 최근 웨스턴 디지털에서 분사를 준비 중인 샌디스크가 낸드 플래시 기반의 적층형 고대역폭 메모리인 HBF(high-bandwidth flash)를 발표하면서 주목을 끌고 있습니다. HBF는 D램을 탑처럼 높게 쌓은 후 TSV라는 통로로 연결해 고대역폭 메모리로 만든 HBM과 비슷한 방식을 지니고 있습니다. 차이점은 D램 다이 대신 BICS 3D 낸드 플리시 메모리를 CBA(CMOS directly bonded to Array) 방식으로 쌓아 올린다는 것입니다. 샌디스크에 따르면 1세대 HBF는 16층의 낸드 플래시를 적층해 512GB의 용량을 확보할 수 있습니다. 예시로 든 것처럼 8개를 GPU에 붙이는 경우 총 4TB라는 엄청난 용량도 가능한 셈입니다. 1세대 HBF의 정확한 대역폭은 밝히지 않았으나 HBM보다는 낮을 것으로 예상되기 때문에 HBM과 혼용해서 사용하는 방식도 제안하고 있습니다. 이는 인텔 옵테인 메모리와 같은 접근입니다. HBF 메모리가 실제 상용화에 성공할지는 아직 미지수이지만, 성공한다면 대규모의 데이터를 학습하는 AI GPU에 유리할 것으로 예상됩니다. 관건은 가격과 성능이 될 것입니다. 만약 현재 목표로 한 GPU 시장에서 성공을 거두면 HBF 쓰임새는 PC나 스마트 기기 등 다른 분야로도 확산될 수 있습니다. 비휘발성 메모리와 휘발성 메모리의 완전히 통합하지는 않더라도 유기적으로 연결해 사용할 수 있는 컴퓨터의 시대가 열릴 수 있을지 주목됩니다.

기업들은 급변하는 시장 상황과 기술에 맞춰 국경 없는 경쟁을 펼치고 있습니다. 이미 우리의 일상에도 깊숙이 들어온 첨단 기술과 이를 이끄는 빅테크의 소식을 흥미롭고, 이해하기 쉽게 풀어드립니다. “블랙웰 수요는 엄청납니다. 모두가 가장 많이, 가장 빨리 (블랙웰을) 받고 싶어 합니다.” 인공지능(AI) 시장의 큰 손인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 지난 2일(현지시간) CNBC 방송에서 차세대 AI 칩 블랙웰 수요가 강하다며 자신감을 드러냈습니다. 그러자 시장은 즉각 반응했습니다. 엔비디아 주가는 3일 직전 거래일 대비 3.37% 올랐고, 이튿날인 4일에도 1.69% 오르며 124.92달러에 거래를 마쳤습니다. 한 달 전 주가인 102.83달러(9월 6일 종가)와 비교하면 21.5% 오른 셈입니다. 블랙웰은 H100, H200 등 호퍼 칩에 이은 차세대 칩으로 전작 대비 연산 속도가 2.5배 빨라 ‘괴물칩’으로 불립니다. 예상 가격은 대당 3만~4만 달러로 AI 주도권을 잡기 위해 치열하게 경쟁하는 빅테크(대형기술기업) 수요가 몰리면 엔비디아는 이른바 ‘돈방석’에 앉게 될 것입니다. 황 CEO도 지난 3월 이 칩을 공개하면서 “세상에서 가장 강력한 칩”이라고 소개했습니다. 그러나 지난 8월 초만 해도 블랙웰이 설계상 결함으로 생산 일정이 3개월가량 늦어질 수 있다는 한 정보기술(IT) 매체의 보도가 나오면서 우려가 컸던 것도 사실입니다. 그 여파로 주가(98.91달러, 8월 7일 종가)는 100달러 아래로 떨어지면서 ‘AI 고점론’에 빌미를 줬습니다. 이에 대해 황 CEO는 “(블랙웰 생산이) 계획대로 진행되고 있다”고 했습니다. 다시 뜨거운 ‘AI 여름’이 찾아오는 걸까요. 업계는 엔비디아의 ‘블랙웰 울트라’에 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 12단 제품이 8개 탑재될 것으로 보고 있습니다. 블랙웰 수요가 엄청나다면 HBM 수요도 강할 수밖에 없습니다. 시장조사업체 트렌드포스는 내년 HBM 비트(bit) 수요의 80% 이상이 HBM3E에서 발생할 것으로 내다봤습니다. 이 중 절반 이상은 HBM3E 12단 제품이 될 것이란 전망입니다. 트렌드포스는 “내년 하반기에는 HBM3E 8단에 이어 12단 제품이 주요 AI 경쟁업체들이 주문하는 주류 제품이 될 것”이라는 관측을 내놓았습니다. 최근 HBM3E 12단 양산에 들어간 SK하이닉스 입장에선 호재인데요. 연내 고객사에 공급하겠다고 일정을 제시한 만큼 엔비디아의 블랙웰 초기 물량 수주를 선점할 수 있을 것이란 기대가 있습니다. SK하이닉스 주가도 4일 전장 대비 2.96% 오른 17만 4100원에 장 마감했습니다. HBM, 내년 D램 시장서 30% 차지AI 학습서 추론으로 무게 중심 이동고객별 맞춤형 HBM 수요 계속될듯전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중도 빠르게 커지고 있습니다. 내년에는 HBM이 전체 D램 시장의 30%(매출 기준)를 넘어설 것이란 전망도 나옵니다. AI 기술 고도화로 고성능 메모리 수요가 급증하고 있기 때문입니다. 업계는 지금까지 AI 메모리가 데이터를 학습하는 데 많이 투입됐다면 앞으로는 AI 서비스를 실행하는 ‘추론’ 중심으로 시장이 커질 것으로 보고 있습니다. 추론 시장에서도 엔비디아의 AI 칩에 대한 의존도가 지금처럼 클 지는 지켜봐야겠지만 고객사별 맞춤형 HBM 수요는 계속될 것으로 보입니다. 메모리 업체들이 6세대인 HBM4에 대한 준비를 철저히 하는 것도 시장 변화에 기민하게 대응하기 위한 차원입니다. SK하이닉스는 파운드리(위탁생산) 1위 업체인 TSMC와 협업해 HBM4를 개발하기로 했습니다. 5세대까지는 자체 공정으로 ‘베이스 다이’(그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할)를 만들었으나 6세대부터는 로직 선단 공정을 활용한다는 게 특징입니다. 초미세 공정을 적용하면 고객들의 다양한 요구에 맞게 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. HBM 공급 과잉 가능성 우려에“세대 전환 속도 빨라” 반론도미국의 대중 HBM 규제 변수로지난달 ‘겨울이 곧 닥친다’는 보고서를 낸 모건스탠리는 HBM 공급 과잉 가능성을 제기했는데 이에 대해선 “(HBM) 세대 전환 속도가 빨라 가격이 내려갈 여지가 없다”는 반론도 있습니다. 트렌드포스는 일부 D램 업체의 공격적인 공정(실리콘관통전극·TSV) 확대에 대해 “증설이 완전히 실현될 수 있을지는 제품의 성공적 검증에 달려 있으며, HBM의 안정적 수율 달성이 중요하다”고 했습니다. 반면 메모리 반도체 시장의 양극화로 범용 D램 수요가 주춤하면서 스마트폰·PC용 D램 비중이 상대적으로 큰 삼성전자에 대한 우려는 커지고 있습니다. 오는 8일 3분기 잠정실적 발표를 앞두고 삼성전자 주가(6만 600원, 4일 기준)는 4거래일 연속 하락하면서 6만원대를 간신히 유지하고 있습니다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 4일 3분기 영업이익 전망치를 10조 1600억원으로 하향 조정하면서 범용 제품의 평균판매단가(ASP) 상승이 이전 전망에 비해 부진한 점, HBM3E 물량이 예상 대비 부진한 점이 아쉽다고 지적했습니다. HBM과 범용 D램의 ‘더블 위기’에서 벗어나려면 예상보다 늦어지는 HBM3E 공급에 대한 우려부터 불식시켜야 할 것으로 보입니다. 앞서 삼성전자는 올해 하반기 HBM3E 12단 제품을 공급할 예정이라고 했습니다. 미국의 중국에 대한 HBM 규제도 변수로 떠올랐습니다. 김 연구원은 보고서에서 “향후 미국의 대중국 규제가 현실화한다면 경쟁사 대비 높은 중국 비중에 따른 피해도 추가적으로 고려할 사항”이라고 했습니다.

그룹 빅뱅 출신 승리(본명 이승현)의 인도네시아 클럽 출연 예고 포스터가 등장해 논란이 인 가운데 클럽 측이 “승리를 초대했다고 언급한 적 없다”는 취지의 해명을 내놓으며 행사를 취소했다. 승리 측은 법적 대응하겠다는 입장이다. 14일 인도 매체 ‘타임스 나우’에 따르면 지난 12일 행사를 주최한 TSV 매니지먼트 측은 “수일 전 게시한 포스터에 대해 사과한다. 많은 오해가 발생했다”며 ‘버닝썬 수라바야’ 행사가 취소됐다고 알렸다. 주최 측은 승리의 얼굴이 들어간 포스터를 제작했음에도 “배포한 포스터에 승리를 게스트로 초대한다는 말이 없다”고 강조했다. 이어 “포스터 속 ‘버닝썬 수라바야’ 타이틀은 클럽과 파티에서 안전하게 지내라는 것을 전달하려는 목적이었다”며 “‘새로운 장이 시작한다(The New Chapter is Born)’라는 메시지를 넣어 버닝썬에서 일어나는 일은 언제 어디서나 일어날 수 있다는 것을 다시 한번 상기시키고자 했다”고 해명했다. 그러면서 행사에 대한 우려와 논란이 큰 만큼 “해당 행사는 절대 열지 않겠다”고 덧붙였다. 앞서 TSV 매니지먼트는 지난 9일 공식 계정을 통해 오는 31일 개최되는 ‘버닝썬 수라바야’ 행사 소식을 알렸다. 공개된 포스터에는 승리의 사진이 크게 담겼고 ‘BEST HONOR 승리’라는 문구도 적혔다. ‘버닝썬’은 승리가 한국 강남에서 운영했던 클럽 이름이다. 포스터가 공개된 뒤 ‘버닝썬 게이트’로 큰 물의를 일으켰던 승리가 버닝썬을 타이틀로 한 클럽 행사에 참여한다는 것으로 알려져 공분이 일었다. 이에 승리는 “사실무근”이라고 선을 그었다. 그러면서 승리는 “내 사진과 명의를 이용한 것에 대한 사과가 아니더라. 내가 고소한다고 하니 승리가 온다고 한 적 없다는 건 변명일 뿐”이라며 법적 대응을 준비 중이라고 일간스포츠를 통해 밝혔다. 한편 승리는 지난 2019년 ‘버닝썬 게이트’의 주범으로 지목됐으며, 2022년 성매매·성매매알선 등 9개 혐의에 대해 대법원 유죄 판결을 받았다. 그는 징역 1년 6개월을 확정받고 교도소에서 복역한 뒤 지난해 2월 8일 출소했다.

이른바 ‘버닝썬 게이트’로 실형을 살았던 그룹 빅뱅 출신 승리(본명 이승현·33)가 인도네시아에서 열리는 ‘버닝썬 수라바야’ 행사에 참석한다는 보도와 관련해 ‘사실무근’이라는 입장을 밝혔다. 승리는 11일 일간스포츠와 인터뷰에서 “조용히 있고 싶은데 자꾸 내 이야기가 나와 사람들이 피로할 것 같아 사실을 바로잡고 싶다”며 “홍콩, 캄보디아에서 사업을 할 거라는 소문들은 말도 안 되는 얘기”라고 반박했다. 앞서 미국의 한류 전문 매체 올케이팝은 지난 9일 보도에서 이벤트 관리 회사인 TSV 매니지먼트가 소셜미디어(SNS)를 통해 인도네시아에서 ‘버닝썬’이라는 이름의 행사를 개최한다고 밝혔으며, 이 행사에 승리가 특별 게스트로 참석할 것이라고 전한 바 있다. 승리는 “기사에 나온 인도네시아 지역이 어딘지도 잘 모르고, 클럽 이름도 너무 그걸(버닝썬) 쓰고 내가 8월 31일에 간다고 돼 있는데, 나는 그럴 계획이 전혀 없다”며 법무법인을 통해 초상권 침해 및 허위사실 공표에 따른 명예훼손 등 강경대응할 방침이라고 밝혔다. 승리는 이날 인터뷰에서 과거 캄보디아 파티에서 ‘지드래곤(GD)을 오게 하겠다’고 발언했던 것에 대해선 인정하면서 “분위기에 취해 본의 아니게 전 멤버 이름을 언급했는데, 처신을 잘하지 못했다. 잘못된 행동이었고, 다시는 그런 일 없을 것”이라고 말했다. 홍콩에 클럽을 오픈할 예정이라는 소문에 대해서도 “내가 다시 클럽을 한다는 게 상식적으로 말이 안 되지 않나”라며 “그쪽으로는 단 한 번도 생각해본 적도, 계획한 적도, 누군가에게 이야기한 적도 없다. 당시 사건이 유명하다 보니 해외에서 그런 걸 이용하는 게 아닌가 싶다”고 설명했다. 승리는 2019년 ‘강남 클럽 버닝썬 사건’에 연루돼 성접대 및 횡령 혐의를 받았다. 2022년 5월 대법원에서 상습도박 및 외국환거래법 위반, 성매매 알선 등 처벌법 위반(성매매 및 성매매 알선, 카메라 등 이용촬영) 등 총 9개 혐의에 대해 징역 1년 6개월이 확정됐다. 승리는 지난해 2월 만기 복역 후 경기 여주교도소에서 출소했다. 논란이 불거지던 중 빅뱅을 탈퇴하고 연예계에서 은퇴했다.

‘버닝썬 게이트’로 실형을 살았던 그룹 빅뱅 출신 승리(본명 이승현)가 인도네시아에서 열리는 ‘버닝썬’ 행사에 특별 출연이 예고돼 논란이 일고 있다. 9일(현지시간) 미국의 한류 전문 매체인 ‘올케이팝’은 이벤트 관리 회사인 TSV 매니지먼트가 소셜미디어(SNS)를 통해 ‘버닝썬’이라는 이름의 행사를 개최할 예정이라고 보도했다. TSV 매니지먼트는 해당 공연에 승리가 특별 게스트로 참석할 것이라고 알렸다. 승리는 지난 2019년 이른바 ‘강남 클럽 버닝썬 사건’에 연루되며 성접대 및 횡령 혐의에 휩싸였다. 2022년 5월 대법원 1부(주심 노태악 대법관)는 상습도박 및 외국환거래법 위반, 성매매 알선 등 처벌법 위반(성매매 및 성매매 알선, 카메라 등 이용촬영) 등의 혐의로 기소된 승리에 대해 징역 1년 6개월을 선고한 원심을 확정했다. 이후 지난 2023년 2월 9일 승리는 경기 여주교도소에서 형기를 마치고 출소했다. 논란 가운데 승리는 빅뱅을 탈퇴하고 연예계에서 은퇴했다. 이후 승리는 지난 1월 캄보디아 프놈펜을 방문해 한 식당에서 행사를 진행하며 “언젠간 지드래곤을 이곳에 데리고 오겠다”고 외치는 모습이 공개됐다. 또 지드래곤 & 태양의 곡 ‘굿 보이’에 맞춰 몸을 흔드는 모습을 보였다. 이에 승리가 여전히 빅뱅을 이용해 자신의 이름을 알리고 있다는 지적이 나왔다. 이런 가운데 승리가 ‘버닝썬’의 이름을 사용한 행사에 참여한다는 소식이 전해지면서 비판의 목소리가 커지고 있다.

최근 메모리 업계의 가장 큰 이슈는 단연 HBM일 것입니다. HBM은 주로 그래픽 카드에 사용되는 GDDR 메모리보다 더 빠르고 더 용량이 큰 메모리를 목표로 개발됐습니다. HBM은 여러 개의 D램을 쌓아 올리고 TSV라는 고속 통로로 연결해 대역폭과 용량 두 마리 토끼를 잡은 차세대 메모리입니다. 사실 10년 전 HBM 개발 초기만 해도 GDDR과 비교해 속도가 그렇게 빠른 것도 아니고 가격도 비싸 수요가 많은 건 아니었습니다. 하지만 GPU로 AI 연산을 하게 되면서 대용량의 고속 메모리인 HBM이 다시 주목을 받았습니다. 그리고 올해 AI 붐으로 인해 HBM 수요가 급격히 증가하면서 주요 메모리 제조사들도 사활을 걸고 개발과 양산에 뛰어들고 있습니다. 하지만 현재 주목받는 새로운 메모리 규격이 HBM 하나만 있는 것은 아닙니다. 더 빠르고 에너지 효율이 높은 메모리를 개발하기 위해 D램 자체는 물론 메모리 모듈의 규격과 인터페이스를 바꾸려는 시도가 꾸준히 이뤄지고 있습니다. 최근 메모리 관련 규격을 정하는 국제기구인 JEDEC은 차세대 서버 메모리인 MRDIMM과 차세대 노트북 메모리인 LPCAMM2 규격 표준을 곧 마련할 것이라고 발표했습니다. MRDIMM(Multiplexed Rank DIMMs)는 2022년 SK 하이닉스가 발표한 MCR-DIMM 메모리가 그 원형으로 D램의 속도를 빠르게 하는 대신 메모리 모듈에 하나씩 들어가던 메모리 랭크(rank)가 두 개 들어가 한 번에 128bit로 데이터를 전송해 속도를 두 배 높였습니다. 아직 JEDEC 표준이 완성되기 전이지만, 마이크론은 인텔과 손잡고 최신형 제온 CPU에 사용할 수 있는 MRDIMM을 개발했습니다. 마이크론이 공개한 128/256GB MRDIMM 메모리 모듈은 8800MT/s의 속도로 DDR5 메모리 초기 제품에 두 배에 달합니다. 마이크론은 12800MT/s까지 속도를 높여 나갈 계획입니다. 물론 애당초 SK 하이닉스가 먼저 개발했고 삼성전자 역시 관련 모듈을 개발한 것으로 알려진 만큼 메모리 메이저 3사가 MRDIMM에서 치열한 경쟁을 보일 것으로 예상됩니다. MRDIMM 규격에서 또 다른 흥미로운 대목은 톨(tall) 규격도 있다는 것입니다. 톨 폼펙터의 MRDIMM은 높이가 56.9mm으로 더 많은 메모리 칩을 넣을 수도 있고 같은 용량의 메모리 칩이라도 더 많은 면적이 공기와 접촉해 냉각 효율을 높일 수 있습니다. 마이크론에 의하면 톨 규격의 MRDIMM은 24% 정도 냉각 효율이 높습니다. 메모리가 빨라지고 용량이 많아지면 발열도 무시할 수 없을 정도로 커지므로 이것 역시 필요한 기능입니다. 최근 서버 CPU의 코어 숫자가 100개를 훌쩍 넘어 점점 더 많아지는 데 반해 메모리 대역폭은 그 속도를 따라가지 못하고 있기 때문에 MRDIMM이 적당한 가격으로 제때 공급될 수 있다면, 서버 메모리 시장에서 빠르게 영역을 확대해 나갈 것으로 보입니다. 또 가격이 낮아진다면 데스크톱 PC 시장에도 진출할 가능성이 있습니다. JEDEC은 MRDIMM 표준화에 이어 아직 널리 보급이 되지 않은 노트북 메모리 규격인 LPCAMM(Low Power Compression Attached Memory Module) 혹은 CAMM의 2세대 규격 표준안 마련에도 나서고 있습니다. CAMM 규격은 주로 스마트폰이나 태블릿에 사용되는 LPDDR 메모리를 일반 노트북에서도 사용할 수 있게 만든 것으로 기존의 SO-DIMM 메모리보다 크기는 40% 작고 효율은 70%나 높였습니다.CAMM2 규격은 특이하게도 이미 출시한 LPDDR5 메모리만이 아니라 아직 나오지 않은 LPDDR6 메모리도 지원합니다. LPDDR6 CAMM2 메모리 모듈은 현재의 128bit 메모리 인터페이스 대신 50% 더 넓은 192bit 메모리 인터페이스를 사용할 수 있습니다. 따라서 현재 노트북에 사용하는 LPDDR5 CAMM 메모리나 일반 DDR5 메모리보다 50% 더 높은 14.4GT/s 대역폭을 확보할 수 있습니다. 물론 이를 위해서는 CPU가 192bit 메모리 인터페이스를 사용할 수 있어야 합니다. 따라서 LPDDR6 CAMM2 메모리 모듈은 당장에는 도입이 어렵습니다. 하지만 삼성과 SK 하이닉스 모두 LPDDR6 상용화를 준비 중이고 CPU 제조사들도 이에 맞춰 신형 CPU를 설계할 것이기 때문에 생각보다 가까운 미래에 LPDDR6 CAMM2 메모리를 볼 수 있게 될지도 모릅니다. 낮은 전력 소모와 기존의 DDR5가 넘보기 힘든 속도를 생각하면 2세대부터 CAMM 메모리 보급에 탄력이 붙을 가능성도 있습니다. 만약 LPDDR6 CAMM2 메모리가 보급된다면 가장 큰 이득을 볼 수 있는 부분은 내장 그래픽입니다. CPU에 내장된 iGPU는 CPU와 메모리를 공유하기 때문에 낮은 메모리 대역폭에 발목이 잡혀 제 속도를 내기 힘들었습니다. LPDDR6 CAMM2 메모리는 이런 성능 제약을 크게 줄여 노트북 그래픽 성능을 한 단계 높일 수 있습니다. 데스크톱 PC와 서버에 사용되는 DIMM 규격과 노트북에 사용하는 변형 규격인 SO-DIMM은 지난 수십 년간 외형에 큰 변화 없이 사용되었습니다. 하지만 이제 시대의 변화에 맞춰 오래된 규격을 바꾸고 성능을 한 단계 더 업그레이드할 때가 됐습니다. 워낙 많이 보급된 표준 규격인 DIMM이 바로 사라지진 않겠지만, 미래에는 더 다양한 메모리 규격과 제품을 볼 수 있게 될 것입니다.

삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 기록하며 1분기에 이어 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 이어갔다. 지난해 크게 위축됐던 메모리 반도체 시장이 되살아나면서 올해는 연간 최대 실적 기록도 갈아치울 것이라는 기대감이 커지고 있다. 삼성전자는 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조 4000억원으로 지난해 동기보다 1452.24% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 매출은 74조원으로 작년 동기 대비 23.31% 증가했다. 영업이익은 증권가 전망치였던 8조 3078억원보다 2조 1000억원가량 웃돌았다. 삼성전자 분기 영업이익이 10조원을 넘은 것은 2022년 3분기(10조 8520억원) 이후 7개 분기만으로, 이미 지난해 연간 영업이익(6조 5700억원)도 뛰어넘었다.이날 공개한 실적은 사업 부문별 상세 실적은 공개하지 않는 ‘잠정 실적’이지만 시장에서는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문이 회사 전체 실적을 견인한 것으로 보고 있다. 특히 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요 증가에 따른 평균판매단가(ASP) 상승이 2분기 실적에 반영된 것으로 보인다. 증권업계에서는 DS부문이 5조원 이상의 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 1분기에 DS부문이 1조 9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 반도체 사업의 경우 지난해 깊은 불황에 빠졌던 업황이 빠른 속도로 회복되고 있는 가운데 챗GPT를 비롯한 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 불이 붙으면서 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 메모리 판매가 급증하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전체 D램과 낸드의 가격은 각각 13∼18%, 15∼20% 상승했다. 하반기에는 메모리 시장 역시 HBM이 견인할 전망이다. 트렌드포스는 “전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있지만, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격을 인상할 의향이 분명하다”고 분석했다. 트렌드포스는 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8∼13%, 5∼10% 상승할 것으로 예상했다.삼성전자는 메모리(D램·낸드) 시장에서는 큰 격차로 점유율 1위를 유지하고 있지만 HBM 분야는 점유율 38%로 SK하이닉스(53%)에 밀려있어 HBM 기술력 확보에 박차를 가하고 있다. DS부문은 지난 4일 ‘HBM 개발팀’을 신설하는 내용을 담은 대대적인 조직 개편을 단행했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다. 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 받고 있다.

국민체육진흥공단은 12일 유·청소년의 디지털 중독을 막고 가족과 함께 스포츠의 즐거움을 느낄 수 있는 ‘TV·휴대전화 없는 스포츠 키즈 캠프’에 참여할 가족을 모집한다고 밝혔다. 오는 29일부터 1박2일 일정으로 경남 진주시 KSPO 스포츠센터에서 열리는 이번 캠프는 디지털 중독 예방과 함께 스포츠의 즐거움을 가족과 함께 느껴 친밀감을 높을 수 있도록 구성됐다. 국민체육진흥공단은 지난 4월에도 1차 캠프를 열어 뜨거운 호응을 얻은 바 있다. 초등학교 1학년부터 중학교 3학년 자녀를 둔 30가족 90여명을 대상으로 모집할 예정이다. 참여를 희망하는 가족은 21일까지 스포츠가치센터 인터넷 홈페이지(sportsvalue.kspo.or.kr)에 선착순으로 신청하면 된다. 자세한 사항은 홈페이지 또는 전화 문의(055-790-9376)를 통해 확인할 수 있다.

SK그룹은 글로벌 환경에서 지정학적 문제가 심화하고 불확실성이 증가하는 가운데 앞서가는 기술을 통해 국가 경쟁력을 높이는 데 힘을 보태고 있다. SK하이닉스, SK온, SK바이오사이언스가 대표적인 예다. 23일 SK에 따르면 지난해를 기점으로 기하급수적으로 성장 중인 인공지능(AI) 메모리 시장에서 연구개발(R&D)에 투자를 아끼지 않았던 SK하이닉스는 가장 큰 두각을 보였다. SK하이닉스는 세계 최초로 ‘TSV’(실리콘 관통 전극) 기반 HBM 제품을 내놓은 이래 ‘MR-MUF’(매스 리플로-몰디드 언더필), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난해 4월 24GB 12단 HBM 3을 개발했다. 이 제품에는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다. SK온은 진화된 급속충전 성능을 갖춘 어드밴스드 슈퍼 패스트(SF) 배터리로 ‘2024 인터배터리 어워즈’에서 ‘급속충전 최고혁신상’을 수상했다. 어드밴스드 SF 배터리는 기존의 SF 배터리 대비 에너지 밀도는 9% 높이면서 급속충전 시간은 유지한 혁신 제품이다. 이 배터리는 기아 EV9에 탑재돼 1회 충전 시 최대 501㎞를 주행할 수 있다. SK바이오사이언스는 자체 보유한 백신 공장의 증축을 통해 글로벌 진출을 준비하고 있다. 미국 식품의약청(FDA) 등 선진 규제기관이 기준으로 삼는 ‘cGMP’(미국의 우수의약품 제조·품질관리기준) 수준의 생산 시설을 빠르게 확보한다는 목표다. SK바이오사이언스는 이를 통해 해외 시장을 본격 공략한다는 계획이다.

작년 9월 20일에 열렸던 인텔 이노베이션 2023 행사에서 팻 겔싱어 인텔 CEO는 깜짝 놀랄만한 물건을 들고 기조 연설 무대에 나왔습니다. 바로 18A 공정으로 만든 웨이퍼였습니다. 18A 공정은 인텔이 4년간 만들겠다고 5개 공정 가운데 마지막에 해당합니다. 따라서 이걸 들고 나왔다는 이야기는 모든 공정이 이미 마지막 단계까지 개발이 끝났고 양산 준비 중이라는 뜻입니다. 인텔의 차세대 미세 공정인 20A/18A의 가장 중요한 혁신은 업계에서 처음으로 도입하는 후면 전력 공급망(backside power delivery network·BSPDN) 기술인 파워비아(PowerVia)입니다. 현재 생산되는 프로세서는 트랜지스터 층을 가장 아래 놓고 그 위에 전력망을 올린 다음 또 그 위에 신호층을 쌓아 올린 방식입니다. 제조 방식은 단순하지만 신호층과 전력 층도 여러 층이 되고 트랜지스터를 포함한 논리 회로도 역시 매우 복잡해지면서 저항은 커지고 효율은 낮아지는 결과를 초래했습니다. 따라서 인텔은 올해 나오는 20A 제품부터 파워비아라는 자체 후면 전력 공급 방식을 이용해 전력층을 아래로 내리고 트랜지스터 층을 신호층과 전력층 사이에 샌드위치처럼 넣어 계획입니다. 이렇게 만들면 저항은 줄이고 속도는 높아져 프로세서의 성능이 향상됩니다.그런데 인텔에 대응하기 위해 현재 파운드리 업계 1위인 TSMC 역시 가까운 미래에 후면 전력 공급 방식을 도입하겠다고 선언한 상태입니다. 본래 계획은 2025년에 2nm 공정인 N2를 도입하고 2026년 N2P 공정에서 후면 전력 공급 방식을 도입할 예정이었습니다. 그러나 최근 공개된 로드맵에서 TSMC는 이를 약간 수정했습니다. 후면 전력 공급 방식의 도입은 과거 1.6nm라고 불렀던 A16 공정에서 처음 도입할 예정입니다. 로드맵 상으로는 결국 후면 전력 공급 기술 적용이 한 걸음 뒷걸음친 셈이지만, TSMC는 새로운 사실을 추가로 공개했습니다. TSMC의 자체 후면 전력 공급 기술인 슈퍼 파워 레일(Super Power Rail, SPR)은 인텔의 파워비아처럼 나노 TSV를 이용해 전력망과 트랜지스터를 연결하는 방식이 아니라 전력층과 트랜지스터를 직접 연결하는 방식을 사용합니다. 효율은 높아지는 대신 비용과 복잡도가 증가하는 문제가 있으나, 나중에 나오는 만큼 상대를 추격하기 위해 이런 방식을 택한 것으로 보입니다. 덕분에 A16 공정은 바로 그 전 세대인 N2P와 비교해서 같은 전압에서 10% 클럭을 높이거나 같은 클럭에서 전력 소모를 15-20% 줄일 수 있습니다. 그리고 같은 복잡도에서 트랜지스터 밀도를 7-10% 높일 수 있습니다. 아무튼 TSMC는 경쟁자보다 늦게 N2, N2P, N2X 공정에서 게이트 올 어라운드 (GAA) 기술을 적용한 후 자체 후면 전력 공급 기술인 슈퍼 파워 레일을 사용할 계획입니다. A16의 양산 시기는 2026년으로 실제 제품 출시는 2027년에 이뤄질 것으로 보입니다. 이 시기 인텔 역시 A14 공정으로 진행할 계획이라 파워비아 역시 2세대로 진화해 시장에서 경쟁을 벌일 수 있습니다. 올해 인텔부터 후면 전력 기술이 본격 도입하면 이를 둘러싼 경쟁도 본격화될 것입니다. 가장 먼저 포문을 연 인텔과 2년 늦지만, 더 진보한 기술을 썼다고 주장하는 TSMC, 그리고 지금은 조용하지만, 갑자기 양산 소식을 들고 올 가능성이 높은 삼성전자까지 누구 기술이 더 나은지를 두고 갑론을박을 벌일 것으로 예상됩니다. 시장은 선택은 어떤 기술이 될지 궁금합니다.

GDDR은 이름처럼 그래픽 카드를 위해 만들어진 고속 메모리입니다. 초기 그래픽 카드는 일반 SDR, DDR 메모리를 사용했지만, 처리해야 하는 그래픽 데이터의 양이 갈수록 커지면서 PC용 메모리로는 감당하기 힘들어지자, GDDR이라는 새로운 규격을 만든 것입니다. GDDR 메모리가 본격 사용된 것은 2004년에 나온 엔비디아의 지포스(GeForce) FX 5700 울트라 그래픽 카드였습니다. 이 그래픽 카드는 GDDR2 메모리를 탑재한 시험작이었습니다. 그 다음 지포스 6800 울트라에 GDDR3가 사용되면서 본격적인 GDDR 메모리 시대가 열렸습니다. GDDR 메모리는 본래 DDR2, DDR3 메모리에 기반한 고속 메모리로 데이터가 지날 수 있는 통로를 여러 개 만들고 각각의 통로의 속도를 더 빠르게 만든 것이 특징입니다. 다만 그렇기 때문에 DDR 메모리보다 가격이 비싸고 전력 소모가 큰 단점도 지니고 있습니다. 일반 컴퓨터에서 DDR 계열 메모리 대신 GDDR 메모리를 사용하지 않는 이유입니다. 시스템 메모리는 속도 못지않게 용량도 중요하고 전력 소모와 발열이 너무 커서도 안 되기 때문에 DDR 계열 메모리 정도면 적당합니다. 하지만 GPU의 경우 발전 속도가 워낙 빠르다 보니 GDDR 계열 메모리로도 충분하지 않다는 지적이 나왔습니다. 이를 대체하기 위해 개발된 메모리가 바로 HBM입니다. HBM는 여러 층으로 메모리를 쌓고 더 극단적으로 많은 통로를 만들어 속도와 용량 두 마리 토끼를 잡은 차세대 메모리입니다. 따라서 GDDR 메모리의 한계를 극복하고 차세대 그래픽 메모리가 되리라는 기대가 상당했습니다. 하지만 가격은 잡지 못했다는 게 문제였습니다.HBM을 최초로 적용한 그래픽 카드는 사실 AMD의 라데온 R9 퓨리 X입니다. 피지 GPU에 1세대 HBM 메모리 4GB를 달고 당시로는 상당히 빠른 512GB/s의 대역폭을 확보했습니다. 하지만 당시 기준으로 너무 비싼 649달러의 가격이 발목을 잡았습니다. 값비싼 HBM를 탑재하고도 성능은 경쟁사인 엔비디아의 지포스를 능가하지 못했기 때문에 한동안 HBM 메모리는 널리 쓰이지 못했습니다. HBM이 본격적으로 빛을 보게 된 것은 AI 붐과 함께 데이터 센터용 GPU에 대규모로 공급된 이후입니다. 2022년 19억 달러 수준에 불과했던 HBM 시장 규모는 2023년에는 40억 달러로 급증했고 2027년에는 330억 달러로 폭증할 것이라는 예측이 나오고 있습니다. 이렇게 시장 규모가 커지고 규모의 경제를 달성할 수 있게 되면 HBM이 가격 경쟁력을 지니게 되면서 서버용 GPU나 CPU를 넘어 GDDR 메모리의 주요 소비처인 콘솔 게임기나 일반 소비자용 그래픽 카드에 다시 탑재될 수 있는 가능성이 열리게 됩니다. 하지만 GDDR 메모리 역시 진화를 거듭하면서 성능이 높아지고 있어 당장 큰 변화가 없을 가능성이 높습니다. 현재 사용되는 GDDR 메모리의 최신 버전은 GDDR6X입니다. 하지만 삼성전자는 이미 작년에 GDDR7 개발을 완료했습니다. 그리고 메모리 표준을 정하는 JEDEC은 최근 GDDR7 규격을 확정했습니다. GDDR7 메모리의 최대 속도는 48Gbps로 GDDR6X의 두 배입니다. 덕분에 메모리 하나의 대역폭도 192GB/s로 두 배 높아졌습니다. 256비트 메모리 인터페이스라면 총 1.5TB/s, 384비트 메모리 인터페이스에서는 2.3TB/s의 대역폭을 확보할 수 있습니다. H100 같은 서버용 GPU보다는 낮지만, 게임이나 AI 연산용의 일반 고성능 그래픽 카드에는 충분한 대역폭을 확보할 수 있습니다. 다만 초기 등장할 GDDR7 메모리는 이전과 마찬가지로 규격에서 허용하는 최대 속도보다 다소 느릴 것입니다. 작년 삼성전자가 개발한 GDDR7 역시 32Gbps의 스펙을 지니고 있습니다. 하지만 이는 RTX 3080에 사용된 19Gbps의 GDDR6X 메모리나 RTX 4080 Super에 사용된 23Gbps GDDR6X 메모리보다 훨씬 빠른 것입니다. 여러 층으로 메모리를 쌓아 올리고 이를 관통하는 TSV라는 통로를 여러 개 뚫은 후 인터포저라는 별도의 통로를 통해 GPU나 CPU에 연결해야 하는 HBM는 속도와 용량에서 GDDR 메모리를 몇 배 앞설 순 있지만 여전히 가격도 몇 배 앞서게 됩니다. 기존 DDR 계열 메모리처럼 생산하고 정착할 수 있는 GDDR 메모리는 HBM의 가격이 지금보다 현저하게 떨어지지 않는 이상 시장에서 살아남게 될 것입니다. 다만 일부에서 예측하는 것처럼 HBM 시장 규모가 급격히 커지고 규모의 경제에 의해 가격이 내려가면 상황이 바뀔 수도 있습니다. 지금처럼 메모리 대역폭과 가격에 따라 DDR – GDDR - HBM의 3층 구조가 앞으로도 이어질지 아니면 HBM이 메모리의 대세가 될지 미래가 주목됩니다.

업계 최대 용량 36GB 구현 성공8단 쌓은 ‘선두’ SK하이닉스 추격D램 점유율 46%… 7년 만에 최고마이크론, 엔비디아용 HBM 양산새달 삼성과 ‘36GB 용량’ 맞붙어 인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM)를 놓고 메모리 반도체 업체간 경쟁이 본격화됐다. 선두 SK하이닉스를 추격 중인 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단으로 쌓은 ‘5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공하면서 반전 계기를 맞았다. 미국 마이크론도 엔비디아용 5세대 HBM 양산을 시작하고 HBM 시장을 사실상 양분하고 있는 국내 업체에 도전장을 냈다. 27일 업계에 따르면 삼성전자가 이번에 개발한 36기가바이트(GB) 5세대 HBM은 업계 최대 용량이다. 3GB 용량인 24기가비트(Gb) D램을 12단으로 쌓아 올려 8단까지 쌓은 경쟁업체 제품(24GB)과 차별화를 한 것이다. 수천개의 미세 구멍을 뚫은 D램을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술(TSV·실리콘 관통 전극)을 활용했다고 한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 삼성전자가 고용량 HBM 시장을 주목한 건 AI 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증하고 있기 때문이다. 회사 측은 “성능과 용량이 이전 제품인 4세대 HBM(HBM3 8단) 대비 50% 이상 개선됐다”면서 “이 제품을 사용하면 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 비용을 절감할 수 있다”고 했다. 삼성전자는 6세대 HBM도 2026년 양산을 목표로 준비 중이다. 6세대에서는 16단까지 용량이 커질 것으로 보고, 칩과 칩 사이의 ‘갭’을 완전히 없애는 신공정도 개발하고 있다. 삼성전자의 HBM 매출이 늘면서 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%(옴디아 기준)를 기록했다. 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다. 다만 HBM 시장만 놓고 보면 SK하이닉스가 앞서가고 있다는 평가를 받는다. SK하이닉스는 AI 반도체의 핵심인 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 지난달 8단으로 쌓은 5세대 HBM도 초기 양산을 시작했다. 내부 인증을 마친 HBM 제품을 고객사에 보냈고, 고객사 인증 절차가 마무리되는 대로 본격 양산에 돌입할 계획이다. 12단 제품도 국제 표준 규격(JEDEC)에 맞춰 개발 중이다. 국내 업체에 비해 HBM 시장 점유율이 상대적으로 미미한 마이크론도 반격에 나섰다. 마이크론은 26일(현지시간) 2분기 출시 예정인 엔비디아의 ‘H200’ GPU에 탑재될 5세대 HBM(24GB 8단) 양산을 시작한다고 공식 발표했다. H200은 엔비디아의 주력 제품인 ‘H100’을 대체할 차세대 제품이다. 마이크론도 다음달 36GB 12단 5세대 HBM의 샘플 제품을 내놓고 고용량 시장에서 삼성전자와 맞붙는다. HBM 생산 능력과 함께 얼마나 효율적으로 생산할 수 있느냐에 따라 HBM 시장의 판도도 바뀔 것으로 보인다.

삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업계의 재고 상황이 빠르게 개선되면서 올해 실적 개선 기대감이 커지고 있다. 11일 업계에 따르면 삼성전자의 지난해 말 기준 재고자산은 51조 6306억원으로 전 분기 55조 2560억원 대비 6.7% 감소했다. 2022년 말 52조 1879억원보다 재고 수준을 낮췄다. SK하이닉스도 2023년 말 기준 재고자산이 13조 4810억원으로 전 분기 14조 9480억원 대비 9.8% 감소했다. 반도체 업계 전체 재고 수준이 여전히 높지만 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 상반기에도 생산 조정을 통해 재고 정상화를 가속화한다는 계획이다. 통계청에 따르면 지난해 12월 제조업 재고지수는 112.3로 2022년 11월(115.0)이래 최저치를 기록했다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 삼성전자의 올해 연간 영업이익 추정치는 35조원이다. 반도체와 모바일, 디스플레이, 가전 등 모든 부문에서 흑자를 낼 것으로 관측된다. 특히 반도체는 인공지능(AI) 중심 수요가 폭증해 가격이 크게 오를 것으로 예상된다. SK하이닉스도 2021년 이래 최대인 10조원 이상 영업이익을 올릴 것으로 보인다. 이런 상황에서 고용량 서버용 D램 가격이 올해까지 매우 높은 수준의 가격을 유지할 것이라는 분석이 나왔다. DDR5는 현재 사용화된 가장 최신 규격의 D램이다. 이전 세대(DDR4) 대비 동작 속도 및 전력 효율성이 높아 PC와 스마트폰, 서버 등에서 전환 수요가 증가하고 있다. 특히 고도의 데이터 처리 성능이 요구되는 서버 시장에서 최선단 공정 기반 고용량 D램이 활발히 적용되는 추세다. 9일 시장조사업체 옴디아에 따르면 서버용 256기가바이트(GB) DDR5의 가격은 지난해 4분기 기준 3328달러(약 410만원)를 기록했다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 “128GB D램은 일반 제품의 3배, 256GM D램은 4배 정도 가격 프리미엄을 받는 상황”이라면서 “이 중 256GB D램은 TSV(실리콘관통전극)으로만 구현이 가능한 제품으로 SK하이닉스가 독무대를 차지하고 있는 것으로 보인다”고 밝혔다.

메모리 시장 불황으로 깊은 적자의 늪에 빠진 SK하이닉스가 3분기 영업손실폭을 직전 분기의 40% 수준으로 줄이며 본격적인 반등을 예고했다. 메모리 감산과 시설 투자 50% 축소 등 초긴축 경영을 이어 온 SK하이닉스는 내년부터는 고대역폭 메모리(HBM)와 5세대 D램(DDR5) 등 첨단 고부가 제품을 중심으로 투자를 늘리며 실적 회복에 더욱 속도를 낸다는 전략이다. SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기 영업손실 1조 7920억원으로 지난해 동기(영업이익 1조 6605억원) 대비 적자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 9조 662억원으로 전년 동기 대비 17.5% 감소했고 순손실도 2조 1847억원(순손실률 24%)으로 적자로 돌아섰다. 실적 자체만 놓고 보면 1조 8000억원대 적자이지만 업계는 지난해 3분기 매출 10조 9829억원, 영업이익 1조 6605억원을 마지막으로 적자로 돌아선 SK하이닉스가 최근 3개 분기 연속으로 적자폭을 크게 줄여 온 점에 주목하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 올해 1분기 3조 4023억원, 2분기 2조 8821억원 규모의 적자를 냈다. 하지만 3분기에는 메모리 시장의 양대 축 중 하나인 D램이 2개 분기 만에 흑자로 전환하며 더딘 회복세를 보이고 있는 낸드플래시의 빈틈을 메웠다. 구체적으로 글로벌 빅테크들의 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 따라 수요가 급증하고 있는 AI용 메모리 HBM3와 고용량 DDR5 등 SK하이닉스의 D램 주력 제품 호황으로 전체 매출은 전 분기(7조 3059억원)보다 24% 늘었다. 영업손실은 전 분기 대비 38% 줄었다. SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 해 지속적으로 개선되고 있다”면서 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 말했다. 업계에서는 4분기부터는 D램과 낸드의 가격이 동반 상승하며 업황 회복 속도가 더욱 빨라질 것으로 보고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 D램 평균 판매단가(ASP)가 3~8% 상승할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 이런 시장 변화에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV(실리콘 관통 전극)에 대한 투자를 확대할 계획이다. SK하이닉스는 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “2024년 말까지 D램 10나노 4세대와 5세대 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것”이라고 말했다. 삼성전자와 경쟁 중인 HBM 제품에 대한 자신감도 드러냈다. SK하이닉스는 “HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 캐파(생산능력)가 ‘솔드아웃’됐다”며 “고객의 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다”고 밝혔다. 낸드 시장 점유율 2위(19.1%) 일본 키옥시아(옛 도시바메모리)와 4위(16.1%) 미국 웨스턴디지털의 경영 통합 추진에 동의하지 않는다는 입장도 처음으로 밝혔다. 두 회사 통합에는 최대 주주인 한미일 연합 컨소시엄을 통해 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스의 동의가 필요하다. SK하이닉스는 약 4조원을 컨소시엄에 투자했다.