삼성전자는 전체 저장 공간을 작고 일정한 용량의 구역으로 나누는 ZNS 기술을 적용한 차세대 기업 서버용 SSD를 출시했다고 2일 밝혔다. 반도체를 이용한 정보저장 장치인 SSD는 일반적으로 내부 저장 공간을 나누지 않고 여러 개의 소프트웨어에서 생성되는 데이터를 임의로 저장한다. 또한 데이터 쓰기와 지우기의 단위가 다르고 덮어쓰기가 불가한 낸드플래시의 특성 때문에 SSD를 사용하다 보면 데이터를 삭제해도 불필요한 ‘가비지’가 생겨 기존의 다른 데이터를 효율적으로 저장하기가 어려웠다. 이 때문에 기존 SSD는 이를 해결하기 위해 유효한 데이터를 다른 공간으로 옮겨 쓰고, 가비지 영역만 남은 부분은 지워서 저장공간을 확보하는 ‘가비지 컬렉션’ 등의 추가 작업이 필요했다. 반면 ZNS SSD는 용도와 사용주기가 동일한 데이터를 동일한 구역에 담아 저장공간을 효율적으로 활용할 수 있도록 한다. 데이터 삭제가 구역 단위로 이뤄지기 때문에 ‘가비지 컬렉션’으로 인한 추가 읽기·쓰기가 발생하지 않고 기존 SSD의 수명을 최대 3~4배 가량 증가시킬 수 있다. SSD의 교체 주기가 늘어나고 성능 저하 우려는 줄어들며 데이터 저장 시스템의 효율이 늘어난다는 의미다. 이에 업계에서는 인공지능(AI)과 빅데이터, 사물인터넷(IoT) 등의 확산에 따라 데이터가 폭증하는 상황에서 ZNS SSD가 데이터센터를 운영하는 기업들에게 큰 도움을 줄 것으로 예상하고 있다. 삼성전자가 이번에 출시한 ZNS SSD PM1731a는 6세대 V낸드 기반의 4TB, 2TB 용량 2.5인치 제품으로 출시됐다. ZNS SSD PM1731a는 ZNS 기능 외에도 듀얼 포트를 지원해, 사용 중 한 포트에 에러가 발생하더라도 다른 포트를 활용해 안정적으로 스토리지 서버를 운영할 수 있게 최적화됐다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 SSD 시장 점유율은 지난해 4분기 기준 35.5%로 1위를 유지하고 있다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

“새해를 맞아 새로운 삼성으로 도약하자. 함께하면 미래를 활짝 열 수 있다. 삼성전자와 협력사, 학계, 연구기관이 협력해 건강한 생태계를 만들어 시스템반도체에서도 신화를 만들자.” 이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영 행보를 ‘차세대 반도체 전초기지’에서 시작했다. 삼성전자는 이 부회장이 4일 평택 2공장 파운드리 생산설비 반입식에 참석한 뒤 반도체 부문 사장단과 중장기 전략을 점검했다고 밝혔다. 특히 작업복 차림으로 나선 이 부회장의 이날 현장경영은 삼성전자와 40년 이상 함께한 협력회사 대표들과 동행하며 ‘반도체 산업생태계 육성’을 향한 의미 있는 한 걸음을 내디뎠다. 평택 2공장(연면적 12만 8900㎡)은 축구장 16개 크기인 세계 최대 규모의 반도체라인으로 D램, 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산하는 첨단 복합 생산라인이다. 이 부회장이 직접 내건 ‘2030년 시스템반도체 세계 1위’ 목표를 일궈 가는 현장의 중심에서 공장 운영 상황, 반도체 투자·채용 현황까지 면밀히 챙기며 위기에도 흔들림 없는 초격차 의지를 다진 것이다. 특히 이날 현장경영에서 이 부회장은 이용한 원익IPS 회장, 박경수 피에스케이 부회장, 이우경 ASML코리아 대표, 이준혁 동진쎄미켐 부회장, 정지완 솔브레인 회장 등과 함께 국내 반도체 생태계 육성, 상호 협력 증진 방안을 마련하기 위해 머리를 맞댔다. 모두 삼성전자와 협력하며 강소기업으로 성장한 반도체 장비·소재 회사들이다. 재계 관계자는 “이 부회장이 협력사 사장단과 신년 첫걸음을 뗀 것은 시스템반도체 생태계의 모든 구성원들과 함께 성장하며 전체 산업을 키워 세계 1위를 이루겠다는 ‘이재용식 승어부(아버지를 능가한다는 뜻)’를 보여 준 것으로 보인다”며 “‘함께 세계 최고가 되겠다’는 약속을 지키기 위해 제시한 새로운 성장 방정식인 셈”이라고 말했다. 이 부회장은 지난달 30일 국정농단 사건 파기환송심 결심 공판에서 “제가 꿈꾸는 승어부는 더 큰 의미를 담아야 한다. 학계, 벤처업계, 중소기업계 등과 유기적으로 협력해 우리 산업 생태계가 더욱 건강해질 수 있도록 최선을 다하겠다”는 각오를 밝힌 바 있다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

“새해를 맞아 새로운 삼성으로 도약하자. 함께하면 미래를 활짝 열 수 있다. 삼성전자와 협력사, 학계, 연구기관이 협력해 건강한 생태계를 만들어 시스템반도체에서도 신화를 만들자.” 이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영 행보를 ‘차세대 반도체 전초기지’에서 시작했다. 삼성전자는 이 부회장이 4일 평택 2공장 파운드리 생산설비 반입식에 참석한 뒤 반도체 부문 사장단과 중장기 전략을 점검했다고 밝혔다. 특히 작업복 차림으로 나선 이 부회장의 이날 현장경영은 삼성전자와 40년 이상 함께한 협력회사 대표들과 동행하며 ‘반도체 산업생태계 육성’을 향한 의미 있는 한 걸음을 내디뎠다.평택 2공장(연면적 12만 8900㎡)은 축구장 16개 크기인 세계 최대 규모의 반도체라인으로 D램, 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산하는 첨단 복합 생산라인이다. 이 부회장이 직접 내건 ‘2030년 시스템반도체 세계 1위’ 목표를 일궈 가는 현장의 중심에서 공장 운영 상황, 반도체 투자·채용 현황까지 면밀히 챙기며 위기에도 흔들림 없는 초격차 의지를 다진 것이다. 특히 이날 현장경영에서 이 부회장은 이용한 원익IPS 회장, 박경수 피에스케이 부회장, 이우경 ASML코리아 대표, 이준혁 동진쎄미켐 부회장, 정지완 솔브레인 회장 등과 함께 국내 반도체 생태계 육성, 상호 협력 증진 방안을 마련하기 위해 머리를 맞댔다. 모두 삼성전자와 협력하며 강소기업으로 성장한 반도체 장비·소재 회사들이다.재계 관계자는 “이 부회장이 협력사 사장단과 신년 첫걸음을 뗀 것은 시스템반도체 생태계의 모든 구성원들과 함께 성장하며 전체 산업을 키워 세계 1위를 이루겠다는 ‘이재용식 승어부(아버지를 능가한다는 뜻)’를 보여 준 것으로 보인다”며 “‘함께 세계 최고가 되겠다’는 약속을 지키기 위해 제시한 새로운 성장 방정식인 셈”이라고 말했다. 이 부회장은 지난달 30일 국정농단 사건 파기환송심 결심 공판에서 “제가 꿈꾸는 승어부는 더 큰 의미를 담아야 한다. 학계, 벤처업계, 중소기업계 등과 유기적으로 협력해 우리 산업 생태계가 더욱 건강해질 수 있도록 최선을 다하겠다”는 각오를 밝힌 바 있다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

SK하이닉스가 176단의 낸드플래시 개발을 완료했다고 7일 밝혔다. 지난달 미국 반도체 업체 마이크론이 업계 최초로 176단 낸드플래시 양산을 시작한 데 이어 SK하이닉스도 내년 중반쯤부터 본격적인 양산에 돌입할 계획이다. 2002년부터 낸드플래시 업계 1위를 놓치지 않는 삼성전자의 최신 6세대 V낸드(128단 추정)보다 높게 쌓아 올린 제품을 4~5위권 ‘추격자’들이 내놓으며 업계의 ‘적층(積層) 경쟁’이 한층 치열해졌다. 전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 저장하는 역할을 하는 반도체인 낸드플래시는 동일한 크기에 많은 용량을 담는 것이 핵심이다. 이전에는 낸드플래시를 단층으로 만들었는데 삼성전자가 2013년 기존 평면 구조가 아닌 아파트처럼 수직으로 쌓아 올리는 적층 방식의 24단 낸드플래시를 세계 최초로 개발해 내며 ‘쌓기 경쟁’ 시대를 열었다. SK하이닉스가 이번에 내놓은 낸드플래시는 3세대 ‘4D’ 제품이다. 삼성전자가 적층 기법을 도입한 자사 낸드플래시를 ‘V낸드’라는 브랜드로 내놓는 것처럼 SK하이닉스는 ‘4D’라는 이름을 붙여 출시하고 있다. 128단이었던 2세대 4D와 비교해 데이터를 읽는 속도는 20% 빨라졌고, 전송 속도도 33% 개선됐다. SK하이닉스는 업계 2위에 오른 D램과 비교해 상대적으로 낸드플래시(업계 4위) 경쟁력이 약하다고 평가받았지만 지난 10월 미국 인텔의 낸드플래시 부문을 인수하겠다고 발표한 데 이어 이번에는 업계 최고 수준의 제품을 내놓으면서 존재감을 과시하고 있다. 지난해 8월 6세대 V낸드의 양산을 시작했던 삼성전자도 7세대 V낸드 개발에 박차를 가하고 있다. 업계에서는 7세대 V낸드가 최소 170단 이상의 제품이고 내년 상반기쯤에 양산을 시작할 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 “D램 업계는 독보적 1위인 삼성전자에다가 SK하이닉스·마이크론까지 3사의 경쟁으로 수렴됐는데 낸드플래시는 후발 주자들의 거센 도전 탓에 앞으로도 업체 간 주도권 다툼이 치열할 것”이라고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

SK하이닉스가 176단의 낸드플래시 개발을 완료했다고 7일 밝혔다. 지난달 미국 반도체 업체 마이크론이 업계 최초로 176단 낸드플래시 양산을 시작한 데 이어 SK하이닉스도 내년 중반쯤부터 본격적인 양산에 돌입할 계획이다. 2002년부터 낸드플래시 업계 1위를 놓치지 않는 삼성전자의 최신 6세대 V낸드(128단 추정)보다 높게 쌓아 올린 제품을 4~5위권 ‘추격자’들이 내놓으며 업계의 ‘적층(積層) 경쟁’이 한층 치열해졌다. 전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 저장하는 역할을 하는 반도체인 낸드플래시는 동일한 크기에 많은 용량을 담는 것이 핵심이다. 이전에는 낸드플래시를 단층으로 만들었는데 삼성전자가 2013년 기존 평면 구조가 아닌 아파트처럼 수직으로 쌓아 올리는 적층 방식의 24단 낸드플래시를 세계 최초로 개발해 내며 ‘쌓기 경쟁’ 시대를 열었다.SK하이닉스가 이번에 내놓은 낸드플래시는 3세대 ‘4D’ 제품이다. 삼성전자가 적층 기법을 도입한 자사 낸드플래시를 ‘V낸드’라는 브랜드로 내놓는 것처럼 SK하이닉스는 ‘4D’라는 이름을 붙여 출시하고 있다. 128단이었던 2세대 4D와 비교해 데이터를 읽는 속도는 20% 빨라졌고, 전송 속도도 33% 개선됐다. SK하이닉스는 업계 2위에 오른 D램과 비교해 상대적으로 낸드플래시(업계 4위) 경쟁력이 약하다고 평가받았지만 지난 10월 미국 인텔의 낸드플래시 부문을 인수하겠다고 발표한 데 이어 이번에는 업계 최고 수준의 제품을 내놓으면서 존재감을 과시하고 있다.지난해 8월 6세대 V낸드의 양산을 시작했던 삼성전자도 7세대 V낸드 개발에 박차를 가하고 있다. 업계에서는 7세대 V낸드가 최소 170단 이상의 제품이고 내년 상반기쯤에 양산을 시작할 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 “D램 업계는 독보적 1위인 삼성전자에다가 SK하이닉스·마이크론까지 3사의 경쟁으로 수렴됐는데 낸드플래시는 후발 주자들의 거센 도전 탓에 앞으로도 업체 간 주도권 다툼이 치열할 것”이라고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인에서 제품 양산에 돌입했다. 이재용 삼성전자 부회장은 이미 회사 메모리 반도체 부문에서 압도적인 세계 1위 자리를 지키고 있지만 ‘초격차’를 유지하고 나아가 2030년에 시스템반도체 1위에 등극하고자 투자에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 연면적이 축구장 16개 크기(12만 8900㎡)인 평택 2라인이 가동에 들어가 이곳에서 처음으로 D램 제품을 양산했다고 30일 밝혔다. 기존에는 11만 9000㎡(3.6만평) 규모의 평택 1라인이 단일 공장으로 가장 컸는데 이를 뛰어넘은 것이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 2021년도 하반기에는 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(위탁생산) 제품까지 생산한다. 지난 5월 착공한 극자외선(EUV) 기반의 파운드리 생산라인, 지난 6월 착공한 첨단 V낸드 라인까지 완성하면 평택 2라인은 D램·V낸드·파운드리의 최첨단 공정을 모두 보유한 대규모 반도체 종합 생산 시설의 위용을 완성한다. 평택 2라인은 이 부회장이 2018년 8월 ‘초격차’를 위해 약속한 ‘3년간 180조원 투자·4만명 고용’ 계획에 따라 건설됐다. 이 부회장은 지난 2월에도 “기업의 본분은 고용 창출과 혁신 투자다. 2년 전 약속을 꼭 지키겠다”고 강조했다. 지난 5월 평택 파운드리 생산라인 구축을 결정할 때는 디바이스솔루션(DS·반도체와 디스플레이) 부문 경영진들에게 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 전한 바 있다. 삼성전자는 평택 2라인에 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행하고 있다. 직접 고용 인력은 약 4000명이고, 협력사와 건설 인력까지 포함하면 3만명 이상의 고용을 창출할 것으로 보인다. 다만 이 같은 삼성 특유의 초격차 행보가 ‘사법리스크’에 발목이 잡힐 수 있다는 우려가 있다. 삼성 특유의 오너 경영에 제약이 생길 경우 과감한 선제투자가 중요한 반도체 시장에서 낙오할 수 있기 때문이다. 평택 2라인에서 이번에 출하한 ‘16Gb LPDDR5’ 모바일 D램은 전 세계 메모리 반도체 양산제품 중에서는 처음으로 EUV 공정이 적용됐다. 이번 제품은 기존 최고급 스마트폰에 들어가는 12Gb 모바일 D램(LPDDR5)보다 약 16% 빠른 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 화질의 영화(5GB) 약 10편을 처리할 수 있다. 기존보다 패키지 구성이 30% 더 얇기 때문에 스마트폰 두께를 줄이는 데 기여할 듯하다. 이 부회장은 인공지능, 5G, 자율주행용 반도체 분야에서 초격차를 이루기 위해 고성능, 저전력 반도체 개발에 필수적인 차세대 ‘EUV 기술’ 연구를 직접 챙겨왔다. 업계 관계자는 “현재 삼성전자 말고 메모리 반도체 공정에 EUV를 적용해 양산하는 곳은 없다. EUV를 적용하면 향후에 더 미세한 첨단 공정이 가능하다”면서 “1등임에도 아낌없는 투자로 다시 한번 경쟁자들과의 격차를 벌렸다는 데 의미가 있다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

10조원 투자 이어 낸드플래시 라인 증설 D램·메모리·EUV 등 평택 반도체 기지로 6세대 생산 늘리고, 연내 7세대 기술 완료 中양쯔 등 해외 후발업체와 초격차 고삐 “낸드플래시 1위 넘어 30%대 점유율 확장”삼성전자가 약 8조원을 들여 국내 낸드플래시 생산라인 증설에 나선다. 낸드플래시는 메모리 반도체의 일종으로,전원이 끊겨도 저장된 데이터가 손상되지 않는다. 코로나19로 대내외 불확실성이 높고 후발 주자들의 도전도 거세지만 오히려 투자에 고삐를 당겨야 향후 격차를 벌릴 수 있다고 판단한 것이다. 평택 2라인에서는 현존하는 최첨단 공정인 6세대 V낸드플래시 중심의 생산량 확대에 집중하고 연내에는 7세대 V낸드 기술을 완료하면 ‘초격차’를 유지할 수 있는 기회가 될 것으로 보인다.삼성전자는 1일 반도체를 생산하는 경기 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 설비를 증설하기로 했다고 발표했다. 투자 규모가 공개되지는 않았지만 업계에서는 이번 설비에 7조~8조원이 투입될 것으로 보고 있다. 삼성전자는 열흘 전인 지난달 21일엔 10조원 규모를 투자한 뒤 열흘 만에 또다시 조 단위를 투입하며 공격적인 모습을 보였다. 내년 하반기에 평택 2라인에서 낸드플래시 제품이 본격적으로 생산되기 시작할 것으로 보인다. 평택캠퍼스는 이로써 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체를 포함해 극자외선(EUV) 파운드리까지 아우르는 ‘삼성 반도체’의 복합생산기지로 거듭나게 됐다. 낸드플래시가 필요한 PC의 수요가 많고 향후 5세대(5G) 이동통신에 대한 전망도 밝다. 비대면 관련 서비스가 늘면서 글로벌 정보통신기술(ICT) 기업들이 데이터 수요를 감당하기 위해 수십조원의 투자를 진행하고 있는 데이터센터에도 낸드플래시가 활용된다. 이번에 증설되는 라인에서 양산할 최첨단 V낸드는 최대 적층 수가 128단에 달한다. 데이터를 저장하는 역할을 하는 낸드플래시는 동일한 크기에 저장 용량을 증대하려면 낸드 셀을 늘려야 한다. 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드를 양산한 삼성전자는 기존 최대 적층 수인 128단을 넘어 160단 이상의 초고적층 7세대 낸드플래시 메모리 개발에 열을 올리고 있다. 해외 경쟁자 가운데 중국의 양쯔메모리(YMTC)가 최근 128단 낸드플래시의 연내 양산을 예고하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 국내 회사들은 지난해부터 6세대 양산에 돌입했는데 양쯔메모리도 올해 양산에 돌입하면 한국 업체와의 기술 격차가 1~2년 내로 좁혀지는 것 아니냐는 우려의 목소리가 나오기도 했다. 김양재 KTB 투자증권 연구원은 “개발하는 것과 그것을 양산해서 수율(전체 생산 대비 양품률)을 올려 경제성 있는 가격으로 파는 것은 다른 문제”라면서 “여전히 기술 격차가 있다고 봐야 한다”고 말했다. 삼성전자는 2002년부터 18년 동안 낸드플래시 시장 1위에 올라 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 삼성전자는 지난 1분기 말 세계 낸드플래시 시장에서 매출액 기준 점유율 33.3%를 기록하며 1위 자리를 굳건히 지키고 있다. 박재근 한국반도체디스플레이학회장은 “삼성으로선 비대면 시장이 커지고 있는 것을 대비해 선행 투자를 통해 현재 30%대인 시장 장악력을 더 키우려는 것”이라고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자는 소프트웨어(SW) 혁신기술 3개를 적용한 역대 최고 성능의 초고용량 4세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 신제품 19종을 출시했다고 19일 밝혔다. 세계 최초로 이들 제품에 적용된 기술은 낸드 칩에 오류가 발생했을 때도 사용할 수 있게 하는 ‘네버다이 SSD FIP’를 비롯해 가상의 맞춤형 독립 공간을 제공하는 ‘SSD 가상화’, 빅데이터를 이용한 ‘V낸드 머신러닝’ 등이다. 경쟁자들의 추격이 거센 가운데 또다시 기술 혁신에 성공하면서 도저히 따라잡을 수 없는 ‘초격차’를 확대하겠다는 의지를 보여 준 것이다. 서버·데이터센터에 사용되는 초고용량 SSD는 내부의 수백개 낸드플래시 가운데 한 개만 문제가 발생하더라도 SSD를 통째로 교체해야 했다. 하지만 FIP 기술을 통해 이상이 발생하면 자동으로 ‘오류 알고리즘’을 가동해 안정적으로 동작할 수 있도록 했다. 삼성전자는 지난달부터 이들 3개 혁신기술을 기반으로 기존 제품 대비 속도를 2배 이상 높인 차세대 NVMe(비휘발성메모리 익스프레스) SSD 시리즈 ‘PM 1733’과 ‘PM1735’의 양산에 돌입했다. 경계현 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실장(부사장)은 “역대 최고 속도와 용량, 업계 유일의 소프트웨어 솔루션을 동시에 제공함으로써 프리미엄 SSD 시장을 빠르게 확대할 수 있게 됐다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 반도체의 공정 미세화 한계를 극복한 ‘6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드’를 기반으로 한 ‘기업용 PC SSD’를 양산해 글로벌 PC 업체에 공급했다고 6일 밝혔다. 100단 이상 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정으로 만들면서 속도, 생산성, 절전 특성을 동시에 향상시켜 역대 최고 제품 경쟁력을 확보했다. 삼성전자는 기업용 250GB SATA PC SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS 등 다양한 용량과 규격의 제품을 계속 출시할 계획이다. SSD는 소음이 없으며 발열이 적고 빠른 입출력 속도를 지닌 보조기억장치, eUFS는 모바일 메모리를 말한다. 삼성전자는 6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시 구현하며 초고적층 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임을 제시했다고 밝혔다. 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9x단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 현재 업계에서 삼성전자가 유일하다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

日 수출규제 여파 경영 불확실성도 커져 올 상반기에 일부 낸드 공정 R&D 전환 도시바·마이크론에 SK하이닉스도 감산 3차 치킨게임 재현 가능성 더 낮아져“인위적 감산은 없다. (경영) 불확실성이 크다. 생산라인을 탄력적으로 운영하고 있다.” 삼성전자가 2분기(4~6월) 실적발표 뒤 콘퍼런스콜에서 “인위적 웨이퍼 투입 감소는 검토하고 있지 않다”고 단언했지만, 동시에 생산라인 최적화·효율화 전략이 가동되고 있음을 밝힘에 따라 시장 상황에 맞춘 탄력적 공급 대응에 이미 돌입했다는 해석이 1일 제기됐다. 과잉 공급으로 D램·낸드플래시 가격이 하락하는 상황, 즉 반도체 기업 간 ‘치킨게임’을 감수하면서도 생산물량을 감축할 계획이 없다고 명시적으로 밝힌 동시에 다른 이유로 인한 생산량 조절이 이뤄지고 있다는 설명도 나왔기 때문이다. 예컨대 메모리사업부 전세원 부사장은 전날 콘퍼런스콜에서 “반도체 수요 변동에 따라 생산라인을 탄력적으로 운영한다”고 밝혔다. 구체적으로 화성캠퍼스 12라인 낸드 생산설비와 관련, “최근 낸드 수요가 플래너(평면)에서 (3D 등) V낸드 중심으로 전환됨에 따라 상반기부터 일부 플래너 캐파(생산설비)를 R&D로 전환하고 있다”고 말했다. 삼성의 메모리반도체 생산 전략은 2007년과 2010년에 이어 올해 3차 반도체 치킨게임이 본격화될지 여부를 가릴 가늠자로 관심을 받아 왔다. 낸드 2위인 일본 도시바가 정전 사고 때문에 사실상 비자발적 감산 체제에 들어갔고, 미국 마이크론 역시 1분기부터 웨이퍼 투입량을 5~10%씩 줄이는 감산을 공식화한 터였다. D램 쪽에서도 3달러 이하로 떨어진 가격 하락폭에 못 이겨 2위 SK하이닉스가 4분기부터 감산 방침을 밝혔고, 3위 마이크론도 감산 중이었다. 1위 삼성까지 감산을 공식 선언할 경우 하향세를 보이다 최근 일본의 한국으로의 소재 수출 규제 발표 뒤 잠깐 가격이 올랐던 D램 가격 흐름이 우상향으로 바뀔 가능성이 점쳐졌었다. 하지만 삼성은 1·2차 반도체 치킨게임 때처럼 감산이란 단어를 공식화하지 않았다. 그럼에도 업계는 삼성이 인위적인 경쟁 또한 감행하지 않을 것으로 보고 있다. 일본의 소재 수출 규제 여파로 삼성전자 경영의 불확실성이 커진 데다 반도체 시황이 악화되는 상황에서의 경쟁에 실익이 크지 않아서다. 반도체 업계 관계자는 “한·미·일·대만에 포진한 반도체 기업 수가 이미 한 자릿수로 업계 난립 상황이 아닌 데다 업황도 좋지 않아 출혈 경쟁을 불사할 상황이 아니다”라면서 3차 치킨게임 재현 가능성이 애초에 낮았다고 말했다. 다만 일본의 조치로 반도체 생산의 불확실성이 커진 만큼 라인 최적화와 같은 업황을 반영한 생산량 조절이 탄력적으로 일어날 가능성은 여전히 높게 관측된다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr한재희 기자 jh@seoul.co.kr

올해 연매출 250兆·영업익 65兆 달할 듯 IT·모바일 부문은 2분기 연속 ‘뒷걸음질’ 4분기 전망 어두워… 새 먹거리 발굴 과제 “기술리더십 승부수” 31兆 시설투자 발표삼성전자가 ‘고점 논란’ 속에서도 사상 최대 영업이익을 낸 반도체 사업에 힘입어 분기 영업이익 17조원 시대를 열었다. 올해 연간 영업이익은 사상 처음 60조원을 돌파할 것으로 예상된다. 미·중 통상전쟁과 환율, 반도체 수요구조 변화 등 대내외 변수와 맞물려 신기록 행진이 내년 이후에도 계속될지 주목된다.삼성전자는 31일 지난 3분기 연결기준 매출 65조 4600억원, 영업이익 17조 5700억원을 각각 올렸다고 공시했다. 매출은 지난해 같은 기간(62조 500억원)보다 5.5% 증가했으나 사상 최대치였던 지난해 4분기(65조 9800억원)보다는 다소 줄었다. 영업이익은 지난해 같은 기간(14조 5300억원) 대비 20.9%, 전 분기(14조 8700억원) 대비 18.2% 각각 늘었다. 역대 최고치였던 지난 1분기(15조 6400억원)도 가볍게 넘어섰다. 영업이익률 역시 26.8%를 기록했다. 회사는 올해 연간 기준 매출 250조원, 영업이익 65조원 안팎으로 모두 신기록을 경신할 게 확실시된다. 그러나 반도체 쏠림 구조가 심화하면서 중장기적으로 새 먹거리 찾기, 초격차 전략에 대한 필요성이 절실해졌다. 반도체 사업 이익은 11분기째 연속 증가한 가운데 전체 영업이익의 77.7%를 가져갔다. 매출 24조 7700억원, 영업이익 13조 6500억원으로 모두 역대 기록을 갈아 치웠다. 영업이익률은 무려 55.1%다. 반면 스마트폰이 주력인 정보기술(IT)·모바일(IM) 부문은 매출 24조 9100억원, 영업이익 2조 2200억원으로 2분기 연속 뒷걸음질쳤다. 하반기 전략 스마트폰 ‘갤럭시노트9’을 출시했지만 전작보다 저조한 판매로 반등 효과를 내지 못했다. 소비자가전(CE) 부문은 5600억원의 영업이익으로 무난한 성적을 거뒀다. 실적 신기록을 냈지만 4분기는 계절적으로 부품 비수기인 만큼 내년 1분기까지도 전망은 밝지 않다. 삼성전자는 기술 초격차 강화로 대응하겠다는 전략이다. 회사 관계자는 “5세대 V낸드 메모리의 램프업(생산량 확대)을 지속하고 있다”면서 “2019년 하반기 6세대 양산을 목표로 하고 있다”고 밝혔다. 10나노급 D램 제품 비중도 지속적으로 늘려 경쟁력 강화에 주력할 방침이다. 관계자는 D램 시장 전망에 대해서도 “내년 하반기 서버, 모바일 중심으로 견조한 수요가 지속되고, 수요 증가세가 공급 증가세를 웃돌 것”이라고 선을 그었다. 5세대(5G) 무선통신 상용화, 폴더블폰 등이 정체된 사업 분야에 혁신적 계기를 제공할지가 관건이다. 오는 7일 미국 샌프란시스코에서 열리는 ‘삼성개발자콘퍼런스 2018’에서는 폴더블폰의 사용자 환경, 애플리케이션 등이 공개될 예정이다. 이날 삼성전자는 기술리더십 강화, 사업역량 제고를 위해 총 31조 8000억원의 시설 투자를 집행할 계획이라고 밝혔다. 반도체 24조 9000억원, 디스플레이 3조 7000억원 등으로 기술 초격차를 유지하겠다는 것이다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

올 삼성 13조·SK 8조 역대 최대 투자 2020년까지 최소 5개 생산라인 추가SK하이닉스가 여섯 번째 반도체 생산 라인의 준공식을 갖는다. 삼성전자와 SK하이닉스로 대표되는 ‘코리아 반도체’ 연합군이 ‘초격차’ 승부수로 설비 투자에 힘을 쏟고 있다. 무서운 기세로 추격 중인 중국 등을 따돌리기 위한 해법은 결국 첨단 기술 개발과 설비 투자라는 게 업계의 인식이다. ●SK하이닉스, 6번째 생산라인 준공식 SK하이닉스는 4일 충북 청주 테크노폴리스에서 최태원 SK그룹 회장, 박성욱 SK하이닉스 대표이사 부회장 등이 참석한 가운데 M15 공장 준공식을 개최한다고 3일 밝혔다. 총 23만㎡ 면적에 약 15조원이 투자되는 M15 공장은 낸드플래시 메모리 전용 생산라인으로 지난해 4월 착공됐다. 이르면 연말부터 72단 3D(3차원) 낸드플래시와 함께 현재 개발 중인 5세대 96단 낸드플래시도 생산할 예정이다. SK하이닉스의 메모리 생산라인은 2005년 경기 이천시의 M10(D램)을 비롯, 청주 M11·M12(낸드), 이천 M14(D램·낸드), 중국 우시 C2(D램)에 이어 총 6곳으로 늘었다. 올해 들어 반도체 고점 우려가 제기되고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스는 역대 최대 규모 투자를 계속하고 있다. 양사의 반기 보고서에 따르면 올 상반기 반도체 시설 부문에 삼성전자는 13조 3415억원, SK하이닉스는 8조 960억원을 투자했다. 삼성전자는 상반기 시설 투자액 16조 6478억원 중 80%가 반도체에 집중됐다. SK하이닉스 역시 사상 처음으로 반도체 투자액이 8조원을 넘었다. 지난해 같은 기간 대비 약 2배 증가한 것이다. ●삼성전자, 화성 등 3곳서 생산라인 건설 중 양사는 2020년까지 국내외 최소 5개 반도체 생산라인을 추가할 계획이다. 메모리 반도체 점유율 세계 1위인 삼성전자는 현재 가동 중인 경기 화성·평택·기흥 등의 라인 외에 3곳에서 건설을 진행 중이다. 화성에 차세대 첨단 미세공정인 극자외선(EUV) 장비를 도입한 라인, 평택에 2기 메모리 라인을 각각 건설 중이고, 중국 시안에 기존 V낸드·패키지 라인 외 두 번째 라인을 구축하고 있다. SK하이닉스 역시 우시 공장의 팹 확장 공사를 하고 있다. 연말쯤 착공할 이천의 EUV M16 생산라인에는 약 15조원을 신규 투자할 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “반도체 업계의 생존 수단은 결국 선제 투자를 통한 기술 초격차 유지밖에 없다는 뜻”이라고 말했다. 이재용 삼성전자 부회장은 지난 8월 화성 사업장을 찾아 “4차 산업혁명을 선도하고 미래 수요에 대비하려면 기술 초격차가 반드시 유지돼야 한다”고 강조했다. 반도체 수출은 지난 8월 115억 달러를 기록하며 6월 최고 기록을 갈아치웠고, 전체 수출액에서 차지하는 비중도 22%를 넘어섰다. 반도체 단일 품목이 수출의 5분의1을 책임지는 셈이다. 인공지능(AI), 빅데이터, 클라우드컴퓨팅 시장 증가로 반도체 신규 수요가 고점 논란을 상쇄하리라는 전망이다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

데이터 전송속도 4세대의 1.4배 셀 높이 낮춰 생산성 30% 높여 슈퍼컴 시장 등서 고용량화 주도삼성전자가 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스 기술을 적용한 ‘256기가비트(Gb) 5세대 V낸드’ 메모리 제품의 양산 체제에 들어간다. 삼성전자는 10일 “5세대 V낸드에 자체 개발한 3대 혁신기술을 이용해 ‘3차원 CTF 셀’을 90단 이상 쌓는 세계 최고의 적층 기술을 상용화했다”고 밝혔다. 본격 양산되는 5세대 V낸드는 초당 데이터 전송 속도가 4세대와 비교했을 때 1.4배 수준에 달한다. 메모리 셀의 단층을 피라미드 모양으로 쌓은 뒤 최상단에서 최하단까지 수백 나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫는 방식으로 데이터 저장용 3차원 CTF 셀을 850억개 이상 만드는 첨단 기술이 적용됐다. 특히 단수와 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 독창적인 기술을 개발함으로써 생산성도 4세대 제품보다 30% 이상 높였다고 회사 측은 설명했다. 제품의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 적용된 3대 혁신기술은 초고속·저전압 동작 회로 설계, 고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계, 텅스텐 원자층박막 공정 등이다. 삼성전자는 슈퍼컴퓨터, 엔터프라이즈 서버, 모바일 등의 시장에서 5세대 V낸드 수요 확대에 대응해 생산 비중을 확대함으로써 고용량화 트렌드를 주도한다는 방침이다. 삼성전자는 2013년 7월 1세대 128Gb MLC 3D V낸드 양산을 시작으로 2014년 8월 2세대 128Gb 3비트 3D V낸드, 2015년 3세대 256Gb 3비트 V낸드 등을 잇따라 개발·양산했다. 이번 5세대 V낸드 양산은 2016년 12월에 4세대 256Gb 3비트 3D V낸드 양산에 돌입한 지 약 1년 7개월 만이다. 회사 관계자는 “5세대 V낸드를 적기에 개발함에 따라 프리미엄 메모리 시장에서 더 차별화한 제품을 선보이게 됐다”면서 “1테라비트(Tb) 제품 등 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 가속화할 것”이라고 말했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

삼성이 중국 시안(西安) 반도체 공장에 2기 생산라인을 짓는다. 늘어나는 3차원(3D) V낸드플래시 수요에 대응하기 위해서다. 삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 반도체 메모리 제2라인 기공식을 열었다고 밝혔다. 지난해 8월 2라인에 3년간 총 70억 달러(약 7조 8000억원)를 투자하기로 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 맺은 데 따른 것이다. 완공은 내년 예정이다. 삼성전자 관계자는 “2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일·정보기술(IT) 업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국에서 제조 경쟁력을 강화하고 중국 시장 요구에 더 원활히 대응할 수 있을 것”이라고 기대했다. V낸드는 미세화 공정 기술 한계를 극복하기 위해 개발된 기술로 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시다. 집적도가 높아 용량이 크기 때문에 최근 글로벌 IT 기업들이 경쟁적으로 짓고 있는 데이터센터나 스마트폰 저장장치, 하드디스크를 대체하고 있는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 쓰인다. 삼성전자에 따르면 2014년부터 V낸드를 양산해 온 시안 공장은 100% 돌려도 수요를 맞추지 못하는 실정이다. 김기남 삼성전자 사장은 기공식에서 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 기여하겠다”고 말했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

삼성전자는 더 강하고 더 빨라진 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 신제품을 전 세계 50여개국에서 동시 출시한다고 23일 밝혔다. SSD는 컴퓨터의 기존 하드 디스크를 대체하는 저장장치다. 삼성이 이번에 내놓은 ‘860 프로(PRO)’와 ‘860 에보(EVO)’ 시리즈는 모든 제품에 최첨단 반도체가 들어갔다. 최신 64단 V(수직)낸드가 적용됐고 SSD의 두뇌 역할을 하는 시스템 반도체도 데이터센터급(MJX 컨트롤러)이다. 또 10나노급 모바일 D램(LPDDR4)이 적용돼 데이터를 매우 빠르게 처리한다. 특히 860 프로는 내구성이 크게 강화됐다. 5GB짜리 풀고화질(HD) 영상을 5년간 매일 500편 이상 썼다 지울 수 있다. 정보기술(IT) 전문가, 개인용 통신서버, 워크스테이션 등 고성능 컴퓨터에서도 뛰어난 성능을 제공한다는 게 삼성전자 측의 설명이다. 860 에보는 고성능 PC를 원하는 개인 소비자용이다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

10분 동영상 130편 촬영 가능삼성전자가 메모리 용량을 기존의 2배로 높인 차세대 모바일 기기용 512기가바이트(GB) 메모리를 세계 최초로 양산한다. ‘eUFS’(내장형 범용 플래시 스토리지)로 명명된 이 제품은 낸드플래시를 이용해 만든 메모리로, 스마트폰 저장장치로 많이 써 온 ‘eMMC’(내장형 멀티미디어 카드)보다 읽고 쓰는 속도가 빨라 프리미엄 스마트폰을 중심으로 빠르게 확산되고 있다. 512GB eUFS는 고성능 64단 512기가비트(Gb) V낸드플래시를 8단으로 쌓고 여기에 전용 컨트롤러를 탑재해 하나의 제품으로 만든 것이다. 기존 48단 256Gb V낸드 기반의 256GB 제품과 크기는 같으면서 용량은 2배로 늘었다. 기존에 쓰였던 스마트폰용 64GB eUFS는 10분짜리 초고화질 동영상을 13편 촬영할 수 있지만, 512GB eUFS로는 130편이 가능하다. 또 5GB 크기의 고화질 동영상을 마이크로 SD카드보다 8배 이상 빠른 6초대에 전송할 수 있다. 삼성전자 관계자는 “512GB 제품의 생산 비중을 늘려 기업용 모바일 메모리 및 초고용량 메모리카드 시장을 본격 확대할 계획”이라고 말했다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

최고속도와 초소형, 초절전이라는 장점으로 차세대 모바일 기기나 기업용 서버 등에 활용될 가능성이 높은 ‘64단 3차원 V낸드기술’, 화면을 진동시켜 소리를 재상하는 OLED 디스플레이, 인공지능(AI) 기술을 활용해 문장 전체를 번역해주는 통번역 어플리케이션 ‘파파고’......한국공학한림원은 올해 산업분야에서 탁월한 기술력으로 높은 성과를 이룬 기술 14건을 선정해 ‘2017 산업기술성과’로 29일 발표했다. 이번 기술 선정을 위해 공학한림원은 전기전자정보공학, 기계공학, 건설환경공학, 화학생명공학, 재료자원공학 5개 전문분과위원회를 구성해 분야별 전문가를 추천받은 뒤 산업기술성과발굴위원회를 구성했다. 성과발굴위는 1000여명의 공학한림원 회원과 관련 기관으로부터 우수 기술들을 추천받아 3개월 동안 기술의 창조성, 독자성, 시장기여도, 사회적 파급효과 등을 고려해 선정했다. 이번에 선정된 기술 14건은 기술혁신 부분과 4차산업혁명을 이끄는 신산업 분야 기술들이 특히 많이 눈에 띄고 있다.우선 세계 최고 속도의 64단 3차원 V낸드 기술, 화면부를 진동시켜 소리를 재생하는 OLED 디스플레이, OLED 디스플레이 패널 불량화소 복원기술, 세계 최초의 초소형 원통형 전지 기술, 차량 실내 공기를 스마트하게 조절하는 공조시스템이 꼽혔는데 이들 기술은 메모리, 디스플레이, 배터리, 자동차 등 한국 주력산업에서 해외 업체와의 기술격차를 벌리고 사업역량을 확보하는데 기여한 것으로 평가받았다. 또 인공신경망 기반의 기계 번역 기술, 머신러닝 기반 합금 및 공정 설계 플랫폼, 사물인터넷(IoT)기반 자율주행 대중교통(PRT) 시스템 등 4차 산업혁명 관련 기술들도 선정됐다.이 밖에 건설산업분야 기술로 동남아 최대 교량인 제2페낭대교에 적용된 지리정보시스템 기반 케이블교량 모니터링 기술, 유라시아를 연결하는 세계 최초 해저 복층도로 사업이 선정됐고 한국 전통누룩에서 찾은 제빵용 천연 토종효모, 세계 최고 성능 프로판 가스 탈수소 촉매 공정 기술, 저풍속 지역에 적합한 중대형 고효율 풍력발전시스템기술도 올해 한국을 빛낸 기술로 선정됐다. 권오경 공학한림원 회장은 “이번에 선정된 산업기술성과 14개 기술은 우리나라 제조업 고도화를 통한 경쟁력 강화는 물론 향후 신산업 개척에 큰 기여를 할 것”이라고 말했다. 유용하 기자 edmondy@seoul.co.kr

삼성전자가 31일 역대 최대 규모의 주주 환원과 시설투자 계획을 밝힌 것은 자신감의 반로다. 3분기 영업이익만 10조원에 육박하는 데다 반도체 분야는 내년에도 호황이 지속될 것이라는 전망도 이어지고 있다는 점이 반영됐다. 반면 통 큰 배당과 투자의 밑바탕에는 위기의식도 깔려 있다. “대내외 경영 환경이 너무나 엄혹하다”고 밝힌 권오현 전 부회장은 사퇴의 변처럼 점점 치열해지는 시장 경쟁 속에도 투자자(주주)들을 만족시키고 미래도 준비해야 하기 때문이다. 삼성전자 실적 발표의 핵심은 ▲배당을 대폭 확대(2020년까지 29조원)하고 ▲잉여현금흐름(FCF) 계산 때 인수합병(M&A) 금액을 차감하지 않으며 ▲잉여현금흐름의 최소 50% 환원 방침을 유지하되 그 기간을 종전의 1년에서 3년 단위로 변경해 적용한다는 것이다. 잉여현금흐름이란 영업현금 흐름에서 투자액을 뺀 것을 말하는데 통상 M&A 금액도 포함시킨다. 삼성전자의 발표대로 M&A 금액을 투자액으로 계산하지 않으면 대형 M&A가 이뤄진다고 해도 주주에게 돌아가는 배당이 주는 일은 없다. 공격적인 투자를 진행하더라도 주주의 몫을 줄이지는 않겠다는 이야기다. 앞서 삼성전자는 2015년과 지난해 각각 3조 1000억원과 4조원을 배당했다. 삼성전자는 이날 “주주들이 자신들의 배당 수익을 쉽게 예측할 수 있도록 하겠다”고 설명했다. 이상훈 경영지원실장(사장)은 콘퍼런스콜에서 “3년 동안 사업에 문제가 생겨 잉여현금흐름이 다소 부족하다고 하더라도 배당은 계속 지급하겠다”고 강조했다. 삼성전자는 또 주주들의 지분율을 높이기 위해 다음달부터 3개월 안에 보통주와 우선주를 포함한 자사주 약 90만주를 사들여 소각한다. 올 한 해 동안 전체 시설투자에 46조 2000억원을 투입하는 것은 실적 상승세를 이어 가는 동시에 글로벌 경쟁력을 확충하기 위해서다. 60% 이상인 29조 5000억원은 반도체 분야에 투입된다. V낸드 수요 증가 대응을 위한 평택 라인 증설, D램 공정 전환 등 인프라 구축에 쓰일 전망이다. 휘어지는 유기발광다이오드(OLED) 패널 생산설비 확대 등 디스플레이에 14조 1000억원을 투입한다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr