긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있다. 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한 환경에서도 안정적으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 큰손으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자에서는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리 반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다.9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있고, 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 컨퍼런스 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “인공지능(AI) 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 강조했다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온 다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한의 환경에서도 안정적으로 작동한다.삼성전자와 SK하이닉스는 AI칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 ‘큰손’으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터 센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드플래시 샘플을 공개했다. 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 SK하이닉스가 세계 최초다.SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목 받았다. 미국 마이크론은 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작했고, 삼성전자는 그해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작했다.SK하이닉스가 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다. SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다. 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보한 만큼 고성능을 강조하는 고객의 요구를 충족시킬 것으로 기대하고 있다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이날 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

글로벌 중앙처리장치(CPU) 시장의 ‘게임 체인저’로 꼽혀 온 인텔의 4세대 서버용 CPU가 지난 10일(현지시간) 미국을 중심으로 본격 출시되면서 메모리 반도체 업계도 더불어 들썩이고 있다. 지난해 하반기부터 깊은 침체의 늪에 빠진 메모리 시장의 반등을 인텔의 신제품이 이끌 것으로 기대되기 때문이다. 메모리 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스도 ‘반도체 한파’를 끝내기 위한 잰걸음에 나섰다.12일 업계에 따르면 인텔이 최근 출시한 4세대 서버용 CPU ‘사파이어 래피즈’①는 직전 세대 대비 전력 효율은 30% 이상 높고 데이터 처리 속도는 두 배 이상 향상됐다. 서버용 CPU 시장에서 90% 이상을 점유하고 있는 인텔의 신제품이라는 점에서 반도체 업계에서는 일찌감치 ‘시장에 활력을 불어넣을 제품’으로 기대하면서 제품 출시만을 기다려 왔다.업계 관계자는 “인텔의 CPU 출시는 단순히 새로운 제품이 나오는 개념을 넘어 기업들의 연쇄적인 서버 교체 시점이 됐음을 의미한다”면서 “글로벌 기업들이 새 CPU에 맞춰 서버를 교체한다는 것은 그만큼 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 수요 증가로 이어지는 것”이라고 말했다. 특히 인텔의 새 CPU의 성능을 극대화하려면 차세대 D램인 DDR5가 필요하다는 점에서 D램 세대교체에 속도를 내고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 시너지가 기대된다. 삼성전자는 지난해 12월 업계 최초로 12㎚(나노미터·1㎚는 10억분의1m) D램 개발에 성공하며 DDR5 시대를 준비하고 있다. 인텔과는 메모리·CPU 호환성 테스트를 하며 협업 관계를 유지해 왔다. 2018년 세계 최초로 DDR5를 개발한 SK하이닉스는 최근 인텔로부터 신형 CPU에 자사 DDR5 서버용 D램②을 적용할 수 있다는 인증을 받았다. SK하이닉스 관계자는 “시장 수요에 맞춰 DDR5를 공급하면서 반도체 다운턴(하강 국면) 상황을 조기에 극복할 수 있도록 하겠다”고 강조했다. 삼성전자는 이날 기존 제품 대비 속도는 최대 1.8배, 전력 효율은 70% 향상된 PC용 고속 보조기억장치(SSD)③를 선보였다. 삼성의 PC용 SSD 가운데 처음으로 5㎚ 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 구현했다. 공정 고도화를 통한 제품 경쟁력 확보로 메모리 불황을 타개하겠다는 전략에 따른 것으로 풀이된다. 삼성전자는 SSD 시장에서는 2006년부터 점유율 1위를 지키고 있다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 3분기 삼성전자의 SSD 시장 점유율은 39.6%로 집계됐다.

글로벌 중앙처리장치(CPU) 시장의 ‘게임 체인저’로 꼽혀 온 인텔의 4세대 서버용 CPU가 지난 10일(현지시간) 미국을 중심으로 본격 출시되면서 메모리 반도체 업계도 더불어 들썩이고 있다. 지난해 하반기부터 깊은 침체의 늪에 빠진 메모리 시장의 반등을 인텔의 신제품이 이끌 것으로 기대되기 때문이다. 메모리 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스도 ‘반도체 한파’를 끝내기 위한 잰걸음에 나섰다.12일 업계에 따르면 인텔이 최근 출시한 4세대 서버용 CPU ‘사파이어 래피즈’는 직전 세대 대비 전력 효율은 30% 이상 높고 데이터 처리 속도는 두 배 이상 향상됐다. 서버용 CPU 시장에서 90% 이상을 점유하고 있는 인텔의 신제품이라는 점에서 반도체 업계에서는 일찌감치 ‘시장에 활력을 불어넣을 제품’으로 기대하면서 제품 출시만을 기다려 왔다. 업계 관계자는 “인텔의 CPU 출시는 단순히 새로운 제품이 나오는 개념을 넘어 기업들의 연쇄적인 서버 교체 시점이 됐음을 의미한다”면서 “글로벌 기업들이 새 CPU에 맞춰 서버를 교체한다는 것은 그만큼 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 수요 증가로 이어지는 것”이라고 말했다. 특히 인텔의 새 CPU의 성능을 극대화하려면 차세대 D램인 DDR5가 필요하다는 점에서 D램 세대교체에 속도를 내고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 시너지가 기대된다. 삼성전자는 지난해 12월 업계 최초로 12㎚(나노미터·1㎚는 10억분의1m) D램 개발에 성공하며 DDR5 시대를 준비하고 있다. 인텔과는 메모리·CPU 호환성 테스트를 하며 협업 관계를 유지해 왔다.2018년 세계 최초로 DDR5를 개발한 SK하이닉스는 최근 인텔로부터 신형 CPU에 자사 DDR5 서버용 D램을 적용할 수 있다는 인증을 받았다. SK하이닉스 관계자는 “시장 수요에 맞춰 DDR5를 공급하면서 반도체 다운턴(하강 국면) 상황을 조기에 극복할 수 있도록 하겠다”고 강조했다. 삼성전자는 이날 기존 제품 대비 속도는 최대 1.8배, 전력 효율은 70% 향상된 PC용 고속 보조기억장치(SSD)를 선보였다. 삼성의 PC용 SSD 가운데 처음으로 5㎚ 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 구현했다. 공정 고도화를 통한 제품 경쟁력 확보로 메모리 불황을 타개하겠다는 전략에 따른 것으로 풀이된다.삼성전자는 SSD 시장에서는 2006년부터 점유율 1위를 지키고 있다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 3분기 삼성전자의 SSD 시장 점유율은 39.6%로 집계됐다.

지난 5일 정기 사장단 인사에서 사상 첫 여성 사장을 배출한 삼성전자가 6일 정기임원 인사에서는 40대 부사장과 30대 상무 등 젊은 임원을 대거 발탁했다. 성과주의 원칙 속에 미래 대비에 속도를 내기 위한 인사로 풀이된다.삼성전자는 이날 임원 인사를 통해 부사장 59명, 상무 107명, 펠로우 2명, 마스터 19명 등 총 187명을 승진시켰다. 전체 승진 대상자는 지난해보다 11명 줄었다. 삼성전자는 직급과 연차에 상관없이 성과를 내고 성장 잠재력 갖춘 인물을 과감하게 발탁했다고 자평했다. 부사장 59명 중 17명이 40대고, 상무 107명 중 3명은 30대로 전해졌다. 디바이스경험(DX)부문 모바일(MX)사업부 전략제품개발1그룹장 문성훈(48) 부사장은 갤럭시 S 시리즈와 폴더블폰 등 삼성의 주력 제품 개발을 주도한 인물로, 신규 기술 발굴에 기여하는 등 모바일 사업 성장을 견인했다는 평가를 받는다. 반도체(DS)부문 S.LSI사업부 모뎀 개발팀장 이정원(45) 부사장은 모뎀 시스템 전문가로 모뎀 알고리즘 개선 및 설계 최적화 등을 주도했다. 5세대 이동통신(5G) 모뎀 제품 경쟁력 제고에 기여했다는 평가를 받는다. DX부문 생산기술연구소 H/W기술그룹 배범희(37)상무는 세계 최초 RF 신호전송과 플렉서블 PCB 등 미래 주력기술 확보와 다수의 논문 및 특허를 출시해 회사의 기술 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 이 밖에 DS부문 메모리사업부 플래시 PA1팀 이병일(39) 상무는 신공정 이해도와 최적화 노하우를 바탕으로 V낸드 신제품 적기 개발 및 제품 특성 개선 등에 기여했다는 평가를 받는다. 이틀에 걸쳐 사장단과 임원 승진인사를 낸 삼성전자는 조만간 조직개편과 보직인사도 확정해 발표할 예정이다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.　삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 　업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다.  　당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 　허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 　앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려를 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 ‘비트 밀도’를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼상전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론, 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 3위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 ‘200단 시대’를 열었고, 지난 8월 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다.삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 기업용 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전장 시장까지 사업 영역을 확장할 방침이다. 특히 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 전망된다. 전장 시장의 경우 최근 시스템 수준이 향상되면서 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량은 물론 사양 자체도 높아지고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

메모리 반도체 시장의 한파가 더욱 매서워지는 가운데 삼성전자가 올해 2분기 메모리 시장 점유율에서 압도적 1위를 유지한 것으로 나타났다. 삼성전자는 더욱 공격적인 투자로 ‘초격차’ 기술력을 더울 벌려 나갈 계획이다.16일 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 D램 시장 점유율은 43.4%로 세계 1위를 유지했다. 삼성전자의 D램 시장 점유율은 지난해 4분기 41.9%에서 올해 1분기 42.7%, 2분기 43.4%로 2개 분기 연속 상승세를 보였다. D램 분야 2위인 SK하이닉스의 2분기 점유율은 28.1%로 1분기(27.1%)보다 1%P 상승했다. 미국의 마이크론은 시장 점유율 23.6%로 3위를 차지했다. 마이크론의 시장 점유율은 1분기(24.8%)보다 1.2%포인트 하락했다. 상위 3개 회사의 시장 점유율 합계는 95.1%에 달한다. 삼성전자는 낸드플래시 시장에서도 1위를 유지했지만, 2분기 낸드 시장 점유율은 1분기(35.5%)보다 2.2%P 하락한 33.3%로 집계됐다. SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 20.4%로 2위였다. 이어 일본 키옥시아(16.0%), 미국 웨스턴디지털과 마이크론(각각 13.0%) 등 순이었다. D램과 낸드플래시 등 메모리 시장은 글로벌 경기 침체에 따른 수요 위축으로 가격 하락세가 이어지고 있지만, 이는 시장 전반의 공통된 악재이기 때문에 메모리 시장에서는 삼성전자가 압도적 1위를 유지할 것으로 전망된다.삼성전자는 ‘공격적인 투자로 위기를 돌파한다’는 기조에 따라 메모리 분야에 더욱 적극적으로 투자할 예정이다. 앞서 삼성전자는 지난 5일(현지시간) 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이’에서 2023년에 5세대 10나노(㎚·10억분의 1ｍ)급 D램, 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표한 바 있다. 이어 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다는 구체적인 로드맵도 제시했다.

“삼성전자가 작심하고 나왔다. 그 작심엔 그만한 자신감이 있어 더 무섭다.” 삼성전자가 최근 미국에서 진행한 반도체 사업부별 로드맵 발표를 두고 반도체 업계 내부에서 나오는 반응이다. 삼성전자의 주력 사업부인 메모리사업부는 물론 파운드리(위탁생산)사업부, 시스템LSI사업부까지 모두 예년과 달리 ‘초격차’ 기술력을 공언하며 구체적인 양산 시기와 공정 방법까지 제시했기 때문이다. 특히 메모리반도체 사이클 하강에 따라 주요 글로벌 기업들이 잇달아 ‘감산’을 선언한 가운데 삼성전자의 ‘무감산’ 전략은 경쟁 기업들도 놀라게 했다.●TSMC에 매출은 역전됐지만...초격차 기술로 경쟁력 확보 앞서 삼성전자는 지난 3일(현지시간) 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산호세에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 삼성이 현재 보유하고 개발 중인 신기술과 구체적인 사업 계획을 공개했다. 이날 삼성전자는 1.4나노((㎚·10억분의 1m) 카드를 꺼내 들며 업계를 놀라게 했다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 시대를 열며 기술 우위를 확보한 데 이어 ‘기술의 한계’로 꼽히는 2나노를 넘어 1.4나노 공정을 2027년에 시작하겠다는 게 삼성전자의 계획이다. 파운드리 1위 대만 TSMC 역시 1.4나노 공정 기술 개발에 뛰어들었지만 삼성전자와 달리 양산 시점은 밝히지 않은 상황이다. 매출과 시장 점유율만 놓고 보면 파운드리 시장은 TSMC가 압도적인 1위를 유지하고 있지만, 업계는 무서운 속도로 치고 올라오는 삼성전자의 기술력에 주목하고 있다. 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리 사업만 하고 있는 TSMC는 메모리 가격 하락으로 침체에 빠진 삼성전자를 제치고 올해 말 반도체 시장 종합 매출에서 세계 1위로 올라설 것으로 전망된다. 삼성전자가 1.4나노를 비롯해 파운드리 사업 비전을 공개한 배경 역시 메모리가 침체에 빠진 상황에서 가격 변동이 적은 파운드리 시장의 고객사 확보를 위한 것으로 풀이된다.최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “설계 전문 기업인 팹리스, 하이퍼스케일, 스타트업 등 다양한 고객에 맞는 구별된 니즈(Needs)를 제공할 것”이라고 했다. ●5세대 D램·1000단 낸드…세계1위 메모리 지배력 강화 파운드리 사업부 발표 이틀 뒤 삼성전자 메모리사업부와 시스템LSI사업부도 사업비전을 공개했다. 이날 업계의 관심사는 메모리 불황에 따른 삼성전자의 메모리 반도체 감산 여부였다. 이에 대해 한진만 메모리사업부 부사장은 “현재 감산은 논의하고 있지 않다. 우리는 당장 상황이 좋지 않더라도 예정된 경로를 손쉽게 바꾸지 않는다”고 단언했다. 이는 미국 마이크론과 일본 키옥시아 등 해외 경쟁사들이 잇달아 감산 계획을 밝힌 것과 대비되는 행보다. 삼성전자는 5세대 10나노급 D램을 내년부터 양산하겠다는 계획도 공개했다. 경쟁사들이 4세대 14나노급 D램을 생산하고 있는 상황에서 세계 최초로 5세대 10나노급을 양산하며 메모리 세계 1위 시장 지배력을 더욱 강화하겠다는 전략이다. SK하이닉스와 마이크론이 ‘적층경쟁’을 벌이고 있는 낸드플래시 사업에서는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓아 올린 V낸드를 만들겠다고 밝혔다. 현재 삼성전자의 낸드플래시 주력 제품은 170단대로 이보다 6배가량 높은 적층 기술을 구현하겠다는 의미다.이정배 메모리사업부장(사장)은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 디지털 전환이 급속히 진행되고 있다”라면서 “앞으로 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 강조했다. ●인간 오감까지 학습…시스템반도체 새지평 제시 시스템LSI사업부는 인간의 신체 기능을 가장 가깝게 구현하는 시스템반도체 청사진을 제시했다. 삼성전자는 인간의 두뇌 역할을 하는 시스템온칩(SoC)을 비롯해 이미지센서(눈), 통신용 칩(신경망·혈관), 전력 반도체(심장·면역체·피부) 등을 선보일 예정이다.박용인 시스템LSI사업부장(사장)은 “사물이 사람처럼 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌·심장·신경망·시각 등의 역할을 하는 시스템반도체의 중요성은 더 커질 것”이라면서 “삼성전자는 SoC·이미지센서·디스플레이 구동칩(DDI), 모뎀(통신 칩) 등 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합하는 ‘통합 솔루션 팹리스(반도체 설계업체)’가 될 것”이라고 강조했다. 업계에서는 삼성전자의 ‘반도체 비전’ 발표가 대형 고객사 확보와 연구개발(R&D) 인재 유치로 이어질 것이라는 기대감이 나온다. 업계 관계자는 “이번 발표의 핵심은 각 사업부가 보유한 ‘초격차 기술력’ 공개였다고 본다”라면서 “반도체 고객사 입장에서는 글로벌 경영 불확실성이 커진 상황에서 ‘삼성을 택하면 안정적인 결과물을 낼 수 있다’는 신뢰감을 받을 수 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다.반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다. 이날 발표는 메모리반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련해 “현재 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트(Bit)를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다.이날 발표는 메모리 반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해, 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나오고 있다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련 “현재로서 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다. 메모리 수요 감소에도 감산 계획보다는 기술 초격차를 유지하며 1993년부터 점유율 1위를 유지해 온 글로벌 주도권을 놓지 않겠다는 의미다. 지난 3일 ‘파운드리(위탁생산) 포럼’에서 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언한 것과도 맥이 통한다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템 반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.” 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다.경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 이날 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령이 평택 캠퍼스를 방문했을 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 대해 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하며 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려 나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 지난 7월부터 낸드플래시 양산에 들어간 3공장은 평택 캠퍼스 내에서도 가장 큰 규모로 조성되고 있다. 공장 전체 면적은 99만㎡로 이는 축구경기장 25개를 합쳐 놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 각 공정은 100% 자동화로 24시간 중단 없이 진행된다. 3공장 완공 이후 289만㎡(약 87만평) 부지의 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성한다는 게 삼성전자의 장기 비전이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

메모리저장장치(SSD) 글로벌 1위 기업 삼성전자가 24일(현지시간) 독일 쾰른에서 개막한 세계 최대 규모 게임 전시회 ‘게임스컴 2022’에서 게임 등 대용량 그래픽 작업에 최적화된 SSD ‘990 프로’를 공개했다. 새 제품은 최신 V낸드 기술과 새롭게 설계한 컨트롤러를 탑재했고, 기존 제품보다 임의 쓰기 속도는 55%, 임의 읽기 속도는 40% 향상됐다. 삼성전자는 이 제품이 고성능 그래픽 게임과 4K·8K 고화질 비디오, 3D 렌더링, 빅데이터 분석 등 초고속 데이터 처리 작업이 요구되는 사용 환경에서 최고의 성능을 제공한다고 설명했다. 최신 게임 콘솔과 PC에서는 로딩 시간을 줄여 고해상도 그래픽으로 더 생생한 게임을 즐길 수 있다. 예를 들어 990 프로에서 루미너스 프로덕션이 내년 출시할 예정인 신작 게임 포스포큰(Forspoken)의 맵을 로딩하는 데 걸리는 시간은 약 1초에 불과하다. 1W(와트)당 전력 효율은 기존 모델보다 최대 50% 향상됐다. 삼성전자는 니켈 코팅된 컨트롤러와 함께 열 분산 시트, 과열 방지 기능 등을 적용해 효율적 발열 제어 기능도 제공한다. 이와 더불어 열 제어 기능을 극대화한 ‘990 프로 위드 히트싱크’ 제품도 선보였다.

메모리 저장장치(SSD) 글로벌 1위 기업 삼성전자가 24일(현지시간) 독일 쾰른에서 개막한 세계 최대 규모 게이밍 전시회 ‘게임스컴 2022’에서 게이밍 등 대용량 그래픽 작업에 최적화된 고성능 SSD ‘990 PRO’를 공개했다.새 제품은 최신 V낸드 기술과 새롭게 설계한 컨트롤러를 탑재했고, 기존 제품보다 임의쓰기 속도는 55%, 임의읽기 속도는 40% 향상됐다. 연속읽기와 연속쓰기 성능은 각각 최대 초당 7450MB, 6900MB이다. 이 제품은 고성능 그래픽 게임과 4K·8K 고화질 비디오, 3D 렌더링, 빅데이터 분석 등 초고속 데이터 처리 작업이 요구되는 사용 환경에서 최고의 성능을 제공한다는 게 삼성전자 측 설명이다. 최신 게임 콘솔과 PC에서 로딩 시간을 줄여 고해상도 그래픽 영상으로 더 생생한 게임을 즐길 수 있다. 예를 들어 ‘990 PRO’에서 루미너스 프로덕션이 내년 출시할 예정인 신작 게임 포스포큰(Forspoken)의 맵을 로딩하는 데 걸리는 시간은 약 1초에 불과하다. 1W(와트)당 전력 효율은 기존 모델보다 최대 50% 향상됐다. 삼성전자는 니켈 코팅된 컨트롤러와 함께 열 분산 시트, 과열 방지 기능 등을 적용해 효율적 발열 제어 기능도 제공한다. 이와 더불어 열 제어 기능을 극대화한 ‘990 프로 위드 히트싱크’ 제품도 함께 선보였다. 이 제품은 제품 전·후면에 히트싱크를 부착해 방열 성능을 극대화했다. 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 이규영 상무는 “초고속 데이터 처리, 향상된 전력 효율, 강화된 안정성을 갖춘 ‘990 PRO’는 고성능 SSD를 찾는 게이머와 전문 크리에이터에게 최고의 선택이 될 것”이라고 말했다. 독일에서 선 공개된 이 제품들은 오는 10월 출시될 예정이다.

반도체 영업익만 10조 넘어… 전체의 64%“D램 원가 절감·파운드리 공급 확대 주효”‘폴더블 흥행’ 모바일부문도 매출 5.7조↑“신제품 효과 등 4분기 수요도 늘어날 것”가전은 원자재·물류비 상승에 소폭 증가삼성전자가 올해 3분기 매출 70조원을 처음으로 돌파하며 분기 사상 최대 실적을 달성했다. 2분기부터 다시 반등한 반도체 업황 호조와 신형 폴더블폰의 흥행이 이 같은 호실적을 견인한 것으로 분석된다. 삼성전자는 2021년 3분기 연결기준 매출이 73조 9800억원을, 영업이익이 15조 8200억원을 각각 기록했다고 28일 밝혔다. 지난해 같은 기간 대비 매출은 10.48%, 영업이익은 28.04% 각각 증가한 것이다. 삼성전자의 분기 매출이 70조원이 넘은 것은 이번이 처음으로, 이달 초 잠정 실적 발표 때 밝힌 매출(73조원)보다도 1조원 가까이 증가했다. 영업이익은 반도체 초호황기였던 2018년 3분기(17조 5700억원) 이후 역대 두 번째로 높다. 삼성전자는 이번 3분기 실적 발표를 통해 ‘반도체의 저력’을 다시 한번 확인했다. 반도체 부문 매출은 26조 4100억원, 영업이익은 10조 600억원으로, 전체 영업이익의 64%를 반도체를 통해 벌어들였다. 지난 2분기 반도체 부문 영업이익은 6조 9300억원으로 전체 영업이익의 55%를 차지했는데, 3분기에서 비중이 더욱 늘어난 셈이다. 삼성전자는 “메모리는 서버용을 중심으로 수요에 적극 대응해 D램이 분기 최대 출하량과 역대 두 번째 매출을 달성했다”면서 “15나노 D램, 128단 V낸드 판매 확대를 통한 원가 절감으로 실적이 대폭 개선됐다”고 밝혔다. 미국 오스틴 공장 가동 중단으로 지난 1분기 주춤했던 파운드리(반도체 위탁생산)도 글로벌 고객사를 위한 제품 공급이 확대되며 실적을 뒷받침했다. 삼성전자는 이날 콘퍼런스콜에서 “올해 생산 능력은 2017년 대비 1.8배 확대됐고 2026년까지는 약 3배 가까이 큰 폭으로 확대할 계획”이라고 밝혔다. 모바일 부문에서는 매출 28조 4200억원, 영업이익 3조 3600억원을 각각 기록했다. 갤럭시Z폴드3와 Z플립3를 출시하며 던진 ‘폴더블폰 승부수’가 적중한 것으로, 올해 2분기와 비교하면 매출은 5조 7500억원, 영업이익은 1200억원 각각 증가했다. 삼성전자는 폴더블폰 신제품 출시 효과와 더불어 중국 업체들과 경쟁 중인 중저가 스마트폰 판매 확대가 실적 증가의 배경이라고 분석하며 연말 성수기 4분기 수요도 증가할 것으로 전망했다. 가전 부문은 매출이 지난해 같은 기간 대비 900억원 늘어난 14조 1000억원을, 영업이익은 같은 기간 8000억원 감소한 7600억원을 각각 기록했다. 맞춤형 가전 비스포크의 글로벌 확대 등으로 매출은 확대됐지만, 원자재와 물류비 등 비용 상승으로 수익성은 감소했다고 삼성전자는 설명했다. 디스플레이는 매출 8조 8600억원, 영업이익 1조 4900억원을 각각 기록했다. 중소형은 스마트폰 신제품 출시로 고부가가치 제품 판매와 수익성이 대폭 개선됐지만, 대형은 LCD 판가 하락으로 적자가 지속됐다.

삼성전자가 올해 3분기 매출 70조원을 처음으로 돌파하며 분기 사상 최대 실적을 달성했다. 2분기부터 다시 반등한 반도체 업황 호조와 신형 폴더블폰의 흥행이 이 같은 호실적을 견인한 것으로 분석된다. 삼성전자는 2021년 3분기 연결기준 매출이 73조 9800억원을, 영업이익이 15조 8200억원을 각각 기록했다고 28일 밝혔다. 지난해 같은 기간 대비 매출은 10.48%, 영업이익은 28.04% 각각 증가한 것이다. 삼성전자의 분기 매출이 70조원이 넘은 것은 이번이 처음으로, 이달 초 잠정 실적 발표 때 밝힌 매출(73조원)보다도 1조원 가까이 증가했다. 영업이익은 반도체 초호황기였던 2018년 3분기(17조 5700억원) 이후 역대 두 번째로 높다. 삼성전자는 이번 3분기 실적 발표를 통해 ‘반도체의 저력’을 다시 한번 확인했다. 반도체 부문 매출은 26조 4100억원, 영업이익은 10조 600억원으로, 전체 영업이익의 64%를 반도체를 통해 벌어들였다. 지난 2분기 반도체 부문 영업이익은 6조 9300억원으로 전체 영업이익의 55%를 차지했는데, 3분기에서 비중이 더욱 늘어난 셈이다. 삼성전자는 “메모리는 서버용을 중심으로 수요에 적극 대응해 D램이 분기 최대 출하량과 역대 두 번째 매출을 달성했다”면서 “15나노 D램, 128단 V낸드 판매 확대를 통한 원가 절감으로 실적이 대폭 개선됐다”고 밝혔다. 미국 오스틴 공장 가동 중단으로 지난 1분기 주춤했던 파운드리(반도체 위탁생산)도 글로벌 고객사를 위한 제품 공급이 확대되며 실적을 뒷받침했다. 삼성전자는 이날 콘퍼런스콜에서 “올해 생산 능력은 2017년 대비 1.8배 확대됐고 2026년까지는 약 3배 가까이 큰 폭으로 확대할 계획”이라고 밝혔다. 모바일 부문에서는 매출 28조 4200억원, 영업이익 3조 3600억원을 각각 기록했다. 갤럭시Z폴드3와 Z플립3를 출시하며 던진 ‘폴더블폰 승부수’가 적중한 것으로, 올해 2분기와 비교하면 매출은 5조 7500억원, 영업이익은 1200억원 각각 증가했다. 삼성전자는 폴더블폰 신제품 출시 효과와 더불어 중국 업체들과 경쟁 중인 중저가 스마트폰 판매 확대가 실적 증가의 배경이라고 분석하며 연말 성수기 4분기 수요도 증가할 것으로 전망했다. 가전 부문은 매출이 지난해 같은 기간 대비 900억원 늘어난 14조 1000억원을, 영업이익은 같은 기간 8000억원 감소한 7600억원을 각각 기록했다. 맞춤형 가전 비스포크의 글로벌 확대 등으로 매출은 확대됐지만, 원자재와 물류비 등 비용 상승으로 수익성은 감소했다고 삼성전자는 설명했다. 디스플레이는 매출 8조 8600억원, 영업이익 1조 4900억원을 각각 기록했다. 중소형은 스마트폰 신제품 출시로 고부가가치 제품 판매와 수익성이 대폭 개선됐지만, 대형은 LCD 판가 하락으로 적자가 지속됐다.

미국 마이크론이 세계 최초로 176단 모바일용 낸드플래시 양산에 돌입한다고 29일(현지시간) 밝혔다. 마이크론은 이날 자사 홈페이지에 초고속 5세대(G)용 176단 범용 낸드플래시 ‘UFS 3.1 모바일 솔루션’의 양산을 시작한다고 밝히며 “세계에서 가장 기술적으로 진보된 플래시매모리”라고 자신했다. 해당 제품은 하이엔드 및 플래그십 스마트폰용으로 설계됐으며 이전 세대보다 75% 빠른 순차 쓰기와 70% 빠른 랜덤 읽기가 가능해 애플리케이션 성능을 획기적으로 개선한다고 마이크론은 설명했다. 이어 실제 10분 정도의 4K 유튜브 영상을 0.7초만에 내려받을 수 있고 2시간짜리 4K 영화를 9.3초만에 다운로드받을 수 있다고도 덧붙였다. 처음으로 176단 낸드 출시에 성공한 마이크론의 행보는 메모리 반도체 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스에게는 위기감을 느끼게 한다. 특히 이른바 ‘초격차 전략’으로 메모리 반도체 업계를 주도해온 삼성전자의 ‘기술 리더십’이 흔들릴 수 있다는 우려도 나온다. 일단 우리 업체들은 기술적 우위를 자신하고 있는 모습이다. 전날 삼성전자의 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 한진만 메모리 담당 부사장은 “이제는 단수에만 집중하기보다 낸드 높이가 효율성 측면이나 원가 측면에서 얼마나 경쟁력이 있는 것인가가 삼성이 현재 집중하고 있는 포인트”라며 일각의 기술 경쟁력 저하 우려를 반박한 바 있다. 삼성전자는 하반기에 업계 최소 셀 크기의 7세대 176단 V낸드 기술이 적용된 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 첫 출시하고, SK하이닉스는 연말부터 176단 낸드 양산에 들어간다.