SK하이닉스가 스마트폰 등 모바일 기기용 고성능 D램인 ‘LPDDR5X’의 24기가바이트(GB) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 11일 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 11월 LPDDR5X 양산에 성공한 데 이어 이번에 모바일 D램으로는 처음으로 24GB까지 용량을 높인 패키지를 개발했다.LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압으로 동작하는 특성을 갖고 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. SK하이닉스는 “LPDDR5X 24GB 패키지에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 도입해 업계 최고 수준의 전력 효율과 성능을 동시 구현해낼 수 있었다”며 “현존 유일의 24GB 고용량 패키지를 모바일용 D램 포트폴리오에 추가해 앞으로 고객 요구에 훨씬 폭넓게 대응할 수 있게 됐다”고 설명했다. 이번 D램 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. 데이터 처리 속도는 초당 68GB로, 풀HD급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 지난달부터 중국 스마트폰 제조사인 오포에 신제품을 양산해 납품했다. 오포는 이를 최신 플래그십 스마트폰인 ‘원플러스 에이스 2 프로’에 탑재해 지난 10일 출시했다. SK하이닉스는 8세대 LPDDR6 공식 출시 전인 지난 1월 LPDDR5X의 성능을 업그레이드해 자체 명명한 LPDDR5T도 개발, 최근 대만 반도체 기업 미디어텍의 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에 적용하기 위한 성능 검증을 마쳤다. 루이스 리 오포 마케팅부문 부사장은 “SK하이닉스로부터 적기에 24GB LPDDR5X를 공급받아 세계 최고 용량의 D램을 채용한 스마트폰을 업계 최초로 출시하게 됐다”며 “소비자들은 이전보다 길어진 배터리 사용 시간은 물론, 최적의 멀티태스킹 환경을 신규 스마트폰에서 경험하게 될 것”이라고 밝혔다. 스마트폰에 인공지능(AI) 환경이 구현되려면 핵심 부품인 메모리 반도체의 성능 향상이 필수적으로 요구되는 만큼 향후 스마트폰의 역할 확대에 따라 이 분야 메모리 시장도 확대될 전망이다. 박명수 SK하이닉스 D램마케팅담당 부사장은 “IT 산업 전 영역에서 기술 발전 속도가 빨라지면서 모바일 기기 외에도 PC, 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 오토모티브 등으로 LPDDR 제품의 사용처가 늘어날 것”이라며 “앞으로도 고객이 요구하는 최고 성능의 제품을 선도적으로 공급, 탄탄한 기술 리더십으로 프리미엄 메모리 시장을 주도하겠다”고 말했다.

SK하이닉스는 현존 최고 속도 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발했다고 25일 밝혔다. 신제품은 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 2개월 만에 업그레이드한 것이다. 신제품의 동작 속도는 초당 9.6기가비트(Gb)로 기존 제품보다 13% 빨라졌다. SK하이닉스는 더욱 빨라진 동작 속도를 강조하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(Turbo)’를 의미하는 ‘T’를 붙였다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량 최소화가 관건이기 때문에 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. 신제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. SK하이닉스는 최근 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16기가바이트(GB) 용량의 패키지 제품 샘플을 만들어 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(풀-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 제품 양산에 들어갈 계획이다. SK하이닉스는 신제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다. IT 업계는 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도나 용량 등이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. LPDDR5T의 활용 범위도 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(기계학습), 증강·가상현실 등으로 확대될 전망이다. 류성수 SK하이닉스 부사장은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객의 니즈를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

삼성전자가 주력인 메모리 반도체 업황 악화로 3분기 ‘어닝 쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 3분기 기준 최대 매출을 올리고도 영업이익은 전년 동기 대비 30% 넘게 급감했다.삼성전자는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 10조 8520억원으로 지난해 동기보다 31.39% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 27일 공시했다. 매출은 76조 7817억원으로 작년 동기 대비 3.79% 증가했다. 이는 3분기 기준 최대 매출로, 연간 기준으로도 지난해에 이어 사상 최대 매출을 기록할 전망이다. 삼성전자는 작년 3분기에 분기 매출 첫 70조원을 돌파한 뒤 올해 1분기까지 3개 분기 연속 역대 최고 매출 행진을 이어왔다. 2분기도 77조 2000억원으로 소폭 감소하기는 했으나 분기 기준으로는 최대였다. 다만 순이익은 9조 3892억원으로 23.62% 줄었다. 실적 하락은 메모리 반도체가 부진했고, 코로나19 특수가 사라지며 세트(완성품) 수요가 위축된 영향이 컸다. 부문별로 보면 DS(반도체) 부문은 매출 23조 200억원, 영업이익 5조 1200억원을 기록했다. 메모리 반도체의 경우 서버용은 고객사 재고 조정 영향이 예상보다 컸고 모바일과 PC 등 소비자용은 수요 둔화로 부진했다. 시스템 LSI도 소비자 제품용 부품 수요 둔화로 실적이 하락했다. 다만 파운드리(위탁생산)는 선단공정 수요와 긍정적인 환율 영향으로 최대 실적을 냈다.스마트폰(MX)과 디스플레이(SDC)도 양호한 성적을 거뒀다. 디스플레이는 3분기 매출 9조 3900억원, 영업이익 1조 9800억원을 기록했다. 스마트폰 업체의 신제품 출시와 환율 영향으로 중소형 실적이 대폭 성장했다. DX(Device eXperience) 부문은 3분기 매출 47조 2600억원, 영업이익 3조 5300억원을 기록했고, VD(영상디스플레이)·가전 부문은 글로벌 경기 위축에 따른 TV 등 세트 수요 부진과 원가 비용 상승으로 수익성이 크게 악화했다. 달러화의 강세가 DX 사업에는 부정적으로 작용했으나, 부품 사업에 대한 긍정적 영향이 이를 상회해 결과적으로는 전 분기 대비 약 1조원 수준으로 영업이익에 긍정적으로 작용했다. 3분기 시설투자는 12조 7000억원이며, 사업별로는 DS 11조 5000억원, SDC 5000억원 규모다. 3분기 누계로는 33조원이 집행됐으며 DS 29조 1000억원, SDC 2조 1000억원 수준이다. 올해 연간 시설투자는 약 54조원(DS 47조 7000억원, SDC 3조원) 수준으로 전망된다. 메모리 사업부에서는 평택 3, 4기 인프라와 중장기 시장경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 중심 투자가 예상된다. 삼성전자 관계자는 “내년은 거시경제 불확실성이 지속될 것으로 예상되나, 일부 수요 회복은 가능할 것으로 기대된다”며 “DDR5, LPDDR5X 등 신규 인터페이스 수요와 고용량 제품 수요 증가세에 적극 대응해 시장 리더십을 제고할 계획”이라고 말했다.

삼성전자가 최신 LPDDR5X D램으로 업계 최고 동작 속도 8.5Gbps를 구현했다. 삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB 패키지의 동작 속도를 검증했다고 18일 밝혔다. 지난 3월 퀄컴과 협력해 7.5Gbps를 검증한 지 5개월 만의 기술 혁신으로, 1Gbps 차이는 모바일 기기에 탑재 기준 초당 4GB의 FHD 영화 2편을 더 처리할 수 있는 속도다.저전력·고성능 강점을 갖춘 ‘LPDDR D램’은 모바일 시장을 넘어 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive) 등 다양한 분야로 급격하게 성장하고 있으며, 향후 인공지능(AI), 메타버스 등으로 시장이 더욱 확대될 전망이다. 최근 PC 시장에서는 패키지 크기는 작으면서도 고성능·저전력 특성을 갖춘 메모리가 요구되고 있어 LPDDR D램 탑재가 증가하고 있으며, 데이터센터 등 서버 시장에서도 LPDDR D램을 채용할 경우 데이터를 처리하는 데 소요되는 전력과 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용을 절감할 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 또한 전장 분야에서도 센서를 통해 수집되는 대용량 데이터의 빠른 처리가 중요해짐에 따라 LPDDR D램이 주목받고 있다. 삼성전자 LPDDR5X D램의 8.5Gbps 동작 속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작 속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일AP 간 통신 신호의 노이즈 영향을 최소화해주는 핵심 회로 설계 기술인 ‘고속 입출력 신호 개선 설계’ 등을 적용했다.삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “삼성전자는 퀄컴과의 협력을 통해 LPDDR5X D램의 업계 최고 동작 속도를 구현하고, 초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다”라면서 “삼성전자는 퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하는 등 메모리와 모바일AP 간의 기술 협력과 함께 초고속 메모리 시장 확대에 적극 나서겠다”고 말했다. 삼성전자의 올해 2분기 저전력 D램 시장 점유율은 57.7%로 압도적인 세계 1위를 유지하고 있으며, 경쟁 기업 대부분 1분기 대비 점유율이 하락했음에도 삼성전자는 2%포인트 상승했다. 삼성전자 관계자는 “삼성의 경쟁력 핵심은 저전력과 고성능을 동시에 구현할 수 있는 설계 기술을 갖고 있다는 것”이라면서 “차세대 저전력 D램의 신시장 개척을 위해 다양한 기업들과 협력하고 생태계를 더욱 확장해 나갈 계획”이라고 밝혔다.