중국 창신 메모리 테크놀로지(CXMT)는 기술적인 한계로 고대역폭메모리(HBM) 같은 고성능 인공지능(AI) 메모리 시장에는 올해 진출을 시도하는 수준이지만, 소비자용 D램과 LPDDR5, LPDDR5X 메모리 시장에서는 거대한 중국 내수 시장 덕분에 매출을 대폭 끌어올린 것으로 알려져 있습니다. 그리고 최근에는 서버용 메모리에도 적극적으로 나서고 있습니다. CXMT 사장 차오 칸유 박사는 상하이에서 열린 콘퍼런스에서 “차세대 4F² 아키텍처를 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말까지 출시하겠다”고 밝혔습니다. 4F² 공정은 차세대 메모리 셀 아키텍처로, 기존에는 트랜지스터와 커패시터를 옆으로 나란히 배치했지만, 4F²는 이를 위아래로 쌓아 셀이 차지하는 면적을 줄입니다. 이를 통해 D램 제조업사는 트랜지스터를 같은 면적에 더 많이 집어넣어 메모리의 용량을 늘릴 수 있습니다. 사실 CXMT는 2021년에 4F² 아키텍처에 대한 첫 번째 논문을 발표하는 등 수년간 이 기술을 연구해 왔습니다. 그런데 여기에는 그럴 만한 이유가 있습니다. 미국의 제재로 인해 극자외선(EUV) 노광 장비 반입이 어려운 상황이라 어떤 방법을 사용해서라도 심자외선(DUV) 노광 장비로 메모리 밀도를 높여야 하기 때문입니다. 6F²에서 4F² 아키텍처로 전환하면 CXMT는 EUV 장비 없이도 메모리 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있습니다. 따라서 삼성 등 다른 메모리 제조사들이 2028년 정도로 예상하고 있는 4F² 아키텍처를 선제적으로 도입하는 것으로 보입니다. 이는 앞선 기술력을 입증하기보다는 그만큼 미세공정의 한계를 다른 방식으로 돌파하려는 것으로 풀이될 수 있습니다. 다만 처음에는 완전한 도입이 아니라 15㎚ G5 D램 공정을 기반으로 하는 4F² 아키텍처의 부분적인 파생 형태일 가능성이 높습니다. 참고로 G5는 기존의 실리콘 기반 절연체를 산화하프늄과 같은 소재로 대체하는 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술과 SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning) 기술을 적용해 G4보다 밀도를 높인 공정입니다. EUV 노광 장비 없이도 밀도를 더 높였다는 장점이 있으나 공정 단계가 많아져 수율·비용 부담이 커지고, 간격 불균일 같은 결함이 발생하기 쉽습니다. 아무튼 CXMT는 2026년 9월부터 G5 공정 양산을 시작했으며 첫 제품은 LPDDR5X 24Gb 다이로 알려져 있습니다. G5는 메모리 빅 3의 최신 D램 제품과 비슷한 밀도를 지닌 것으로 알려져 있습니다. 여기서 4F² 아키텍처를 도입해 밀도를 더 높이면 대용량 제품이 필요한 서버용 RDIMM 메모리에 유리할 것으로 예상됩니다. 이와 동시에 CXMT는 현재 생산 능력을 공격적으로 확장하고 있으며, 올해 말까지 월 30만 웨이퍼 규모로 증설할 계획입니다. 그리고 올해 말까지 HBM 전용 생산 시설도 월 5만 웨이퍼 규모로 갖출 계획입니다. 그리고 내년에는 월 50만장까지 웨이퍼 생산을 늘린다는 계획을 지니고 있습니다. 다만 EUV 장치 없이 계속해서 DUV 장치로 여러 번 회로를 새기면서 생기는 공정 복잡도 증가와 제재로 인해 새로 지은 공장일수록 아직 검증되지 않은 중국산 장비 비중을 계속 높여 나가야 한다는 점이 불안 요소입니다. 그러나 이미 상당한 수준의 생산 능력을 확보했고 기술 추격 속도가 상당한 만큼 메모리 빅 3도 방심할 수 없을 것으로 보입니다.

중국 최대 메모리 반도체 기업인 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술 개발에 속도를 내는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스 등이 개발 중인 첨단 반도체를 먼저 양산하겠다고 밝혔다. 12일 홍콩 사우스차이나모닝포스트에 따르면 차오칸위 CXMT 총재(사장)는 지난 10일(현지시간) 중국 상하이에서 열린 반도체 산업 행사에서 올해 연말까지 독자 개발한 차세대 D램 ‘4F²’(포에프스퀘어) 구조의 서버용 D램 DDR5 제품을 출시하겠다고 설명했다. 4F²은 D램이 데이터를 저장하는 메모리 셀의 면적을 업계 주류인 6칸(6F²)에서 4칸으로 줄이는 기술이다. 면적을 줄이려 평면에 눕혔던 부품들을 세로로 꼿꼿이 세운다. 같은 크기의 반도체에 더 많은 데이터를 저장해 생산 효율은 높이고 원가는 낮추는 기술이다. 그간 반도체 회로를 미세하게 만들어 저장 용량을 늘려왔지만 공정이 정교해질수록 기술 난도가 높아지고 생산 비용도 증가하는 데 따른 대안이다. 반도체 업계는 삼성전자가 2028년에 10나노미터 이하 차세대 공정에서 4F² 기술을 도입해 제품을 생산할 것으로 전망한다. SK하이닉스도 지난해 4F² 관련 기술 로드맵을 공개했지만 양산 계획을 밝힌 적은 없다. CXMT의 이번 양산 선언이 차세대 메모리 기술 경쟁에서 새로운 변수로 작용할 수 있다고 보는 이유다. 특히 4F² 기술은 그간 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 주도해 온 서버용 메모리 분야의 첨단 기술이라는 점에서 더욱 위협적이다. 그동안 중국 메모리 업체들은 범용 D램과 모바일 메모리 등의 시장 점유율 상향에 주력했었다. 국내 반도체 업계에서는 CXMT가 실제 양산에 성공할지는 두고 봐야 한다는 신중론도 나온다. 미국 등의 제재로 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용할 수 없는 상황에서 반도체 수율을 높여야 하고, 신기술 도입 과정에서 예측하지 못한 변수가 잇따를 수도 있다. 하지만 중국의 거센 추격을 무시해서는 안 된다는 경고음도 높다. 아직은 중국에 비해 우리나라가 고대역폭메모리(HBM)의 경우 3년 정도의 기술 우위를 유지하고 있지만, 방심하면 언제든 따라잡힐 수 있다는 것이다. 특히 CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 최대 666억 1000만 위안(약 13조 2000억원)을 조달해 자본이 풍부하다. 또 8월에 차세대 모바일 D램인 LPDDR6의 양산을 공식화했고, 지난달에 5세대 D램 공정의 양산에 돌입했다고 발표하는 등 기술 발전이 가속화하고 있다.

2030년 수요 20배 이상 폭증 전망연산 고도화로 탑재량 2배로 늘 듯韓 삼전닉스·美 마이크론 개발 가속 中 창신의 매서운 추격세는 변수로 인공지능(AI) 데이터센터가 주도해온 반도체 수요 경쟁의 다음 격전지로 휴머노이드 로봇이 떠오르고 있다. 로봇의 ‘두뇌’ 역할을 하는 연산장치의 성능이 고도화하면서 로봇 한 대에 탑재되는 메모리 용량도 함께 늘어나는 추세다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 국내외 반도체 기업들도 휴머노이드 시장의 성장 가능성에 주목하며 고대역폭메모리(HBM)를 이을 차세대 메모리 경쟁에 대비하고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치는 11일 ‘휴머노이드 로봇 인사이트 리포트’에서 휴머노이드의 연산장치용 D램 수요가 올해 8300테라비트(Tbit)에서 2030년에는 약 17만 2000Tbit로 20배 가까이 증가할 것으로 내다봤다. 특히 로봇의 인공지능이 주변 환경 인식과 상황 판단, 동작 결정을 여러 단계로 나눠 처리하는 ‘계층형’ 방식에서 하나의 AI 모델이 이 과정을 통합적으로 수행하는 ‘엔드투엔드’ 방식으로 진화하고 있다. 이에 같은 기간 로봇 1대당 평균 D램 탑재량도 19기가바이트(GB)에서 39GB로 늘어날 것으로 예상했다. 반도체 기업들도 로봇 시장의 성장 가능성에 주목하고 있다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 지난달 30일(현지시간) 4분기 실적 발표에서 “휴머노이드 로봇에 필요한 메모리·저장공간 용량은 레벨4 이상 자율주행차와 비슷한 수준”이라며 “피지컬 AI가 2020년대 말 메모리·저장공간 수요를 이끄는 주요 동력이 될 것”이라고 전망했다. 마이크론은 지난 3월 자사 블로그에서 “거대 AI 모델, 실시간 인지 능력, 다중 센서가 융합된 로봇은 이전보다 더 많은 대역폭과 용량을 필요로 한다”며 “상업화에 성공하려면 마이크론이 선도하고 있는 LPDDR5·6 등 차세대 메모리와 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD)가 필요하다”고 강조했다. 삼성전자는 지난 7월 컨퍼런스콜에서 “확대되는 AI 기반 로봇 시장에 대응하기 위해 반도체 사업 전반에 걸쳐 고대역폭, 저전력 메모리, 온디바이스 AI용 이기종가속기(XPU), 이미지 센서, AI 반도체 파운드리, 첨단 패키징 역량을 아우르는 차세대 반도체 솔루션을 준비하고 있다”고 밝혔다. SK하이닉스 역시 지난 3월 ‘MWC 2026’에서 10나노급 6세대 공정 기술을 적용한 ‘로보틱스 LPDDR5/5x’를 전시했다. 향후 변수는 D램의 기술 격차를 좁혀 오는 중국이다. 중국 최대 D램 업체 ‘CXMT’는 지난달에 차세대 LPDDR6 양산을 발표하는 등 제품군을 고도화하며 로봇용 메모리에서도 잠재적 경쟁자로 부상하고 있다.

인공지능(AI) 데이터센터가 주도해온 반도체 수요 경쟁의 다음 격전지로 휴머노이드 로봇이 떠오르고 있다. 로봇의 ‘두뇌’ 역할을 하는 연산장치의 성능이 고도화하면서 로봇 한 대에 탑재되는 메모리 용량도 함께 늘어나는 추세다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 국내외 반도체 기업들도 휴머노이드 시장의 성장 가능성에 주목하며 고대역폭메모리(HBM)를 이을 차세대 메모리 경쟁에 대비하고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치는 11일 ‘휴머노이드 로봇 인사이트 리포트’에서 휴머노이드의 연산장치용 D램 수요가 올해 8300테라비트(Tbit)에서 2030년에는 약 17만 2000Tbit로 20배 가까이 증가할 것으로 내다봤다. 특히 로봇의 인공지능이 주변 환경 인식과 상황 판단, 동작 결정을 여러 단계로 나눠 처리하는 ‘계층형’ 방식에서 하나의 AI 모델이 이 과정을 통합적으로 수행하는 ‘엔드투엔드’ 방식으로 진화하고 있다. 이에 같은 기간 로봇 1대당 평균 D램 탑재량도 19기가바이트(GB)에서 39GB로 늘어날 것으로 예상했다. 반도체 기업들도 로봇 시장의 성장 가능성에 주목하고 있다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 지난달 30일(현지시간) 4분기 실적 발표에서 “휴머노이드 로봇에 필요한 메모리·저장공간 용량은 레벨4 이상 자율주행차와 비슷한 수준”이라며 “피지컬 AI가 2020년대 말 메모리·저장공간 수요를 이끄는 주요 동력이 될 것”이라고 전망했다. 마이크론은 지난 3월 자사 블로그에서 “거대 AI 모델, 실시간 인지 능력, 다중 센서가 융합된 로봇은 이전보다 더 많은 대역폭과 용량을 필요로 한다”며 “상업화에 성공하려면 마이크론이 선도하고 있는 LPDDR5·6 등 차세대 메모리와 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD)가 필요하다”고 강조했다. 삼성전자는 지난 7월 컨퍼런스콜에서 “확대되는 AI 기반 로봇 시장에 대응하기 위해 반도체 사업 전반에 걸쳐 고대역폭, 저전력 메모리, 온디바이스 AI용 이기종가속기(XPU), 이미지 센서, AI 반도체 파운드리, 첨단 패키징 역량을 아우르는 차세대 반도체 솔루션을 준비하고 있다”고 밝혔다. SK하이닉스 역시 지난 3월 ‘MWC 2026’에서 10나노급 6세대 공정 기술을 적용한 ‘로보틱스 LPDDR5/5x’를 전시했다. 향후 변수는 D램의 기술 격차를 좁혀 오는 중국이다. 중국 최대 D램 업체 ‘CXMT’는 지난달에 차세대 LPDDR6 양산을 발표하는 등 제품군을 고도화하며 로봇용 메모리에서도 잠재적 경쟁자로 부상하고 있다.

엔비디아의 ‘RTX 스파크’를 탑재한 노트북들이 하나씩 공개되고 있습니다. ARM 윈도우에 상당한 공을 들여온 마이크로소프트 역시 RTX 스파크를 탑재한 서피스 랩톱 울트라를 공개했는데, 24GB 통합 메모리, 512GB SSD, 최대 밝기 2,000니트의 15인치 미니 LED HDR 터치스크린을 포함한 사양으로는 다소 경쟁력 있는 2599달러의 가격을 책정했습니다. 다만 128GB 메모리에 20코어 CPU, 6144코어 GPU, 1TB SSD를 포함한 최고 사양의 SoC를 선택하면 가격은 5899달러로 껑충 뛰게 됩니다. 엔비디아의 RTX 스파크는 DGX 스파크 AI 미니 PC에 사용된 GB10 슈퍼칩의 노트북 버전인 N1X와 N1을 사용합니다. N1X는 20코어 Arm CPU와 6,144개의 CUDA 코어를 지니고 있으며 N1은 이보다 코어 수를 줄인 컷칩으로 보급형이라고 할 수 있습니다. 메모리는 256bit LPDDR5X를 사용하는데, 노트북 버전의 정확한 속도는 알려져 있지 않으나 과거 GB10을 보면 300GB/s 이내로 추정됩니다. 서피스 랩톱 울트라 같은 RTX 스파크 노트북의 가장 직접적인 경쟁 상대는 바로 애플 맥북 프로입니다. 가격을 감안하면 일반적인 업무용 노트북으로 사용하기에는 너무 비싸고 로컬 대형 언어 모델(LLM) 구동이나 AI 이미지·영상 생성, 3D 작업 등을 위한 모바일 워크스테이션에 가깝습니다. 맥북 프로는 이 분야에서 나름 자신의 입지를 구축한 상태입니다. 기본적으로 맥은 이미지 및 영상 편집 작업에서 널리 사용되고 있으며 여기에 M5 프로와 M5 맥스의 경우 각각 307GB/s와 614GB/s의 메모리 대역폭을 제공해 로컬 LLM 구동 시 토큰 속도에 유리합니다. 특히 애플의 통합 메모리 구조 덕분에 전체 메모리의 상당 부분을 AI 모델에 할당할 수 있어 보통 8~16GB 정도인 독립 그래픽 카드 탑재 노트북보다 더 큰 모델을 올리고 원활하게 돌릴 수 있습니다. RTX 스파크는 여기에 도전하는 윈도우 진영의 새로운 카드입니다. 마이크로소프트 입장에서 보면 기존 ARM 윈도우 노트북에 사용된 스냅드래곤 프로세서는 전력 효율과 배터리 사용 시간에서는 장점이 있지만, 고성능 그래픽과 일부 전문 AI 작업에서는 한계가 있었습니다. 게임 호환성 역시 ARM 윈도우의 약점 중 하나였습니다. RTX 스파크는 엔비디아의 GPU 기술과 소프트웨어 생태계를 결합해 이런 약점을 보완했습니다. 블랙웰 GPU 덕분에 레이 트레이싱과 DLSS, G-SYNC 등 엔비디아의 최신 그래픽 기술도 활용할 수 있고, ARM용으로 제작되지 않은 x86 기반 윈도우 프로그램과 게임도 프리즘 에뮬레이션을 통해 실행할 수 있습니다. 실제로 마이크로소프트는 N1X 칩셋 기반의 노트북으로 007 퍼스트 라이트, 포르자 호라이즌 6 같은 게임을 매끄럽게 구동하는 모습을 공개하기도 했습니다. 다만 실제 구동 가능한 게임의 범위와 성능은 제품이 출시된 이후 정확히 확인할 수 있을 것으로 보입니다. 로컬 AI 구동 시에는 본래 이 목적을 위해 개발된 RTX 스파크의 성능이 더 빛을 발합니다. 최대 128GB의 통합 메모리 가운데 상당 부분을 로컬 AI 모델을 위해 할당할 수 있어 매우 큰 모델을 돌릴 수 있고 CUDA 아키텍처의 힘을 통해 속도를 높일 수 있습니다. 따라서 과거 스냅드래곤 SoC에서는 어려웠던 모바일 워크스테이션급 Arm 윈도우 노트북이 이제야 가능하게 된 것입니다. 다만 넘어야 할 산도 많습니다. 게임 성능과 가격 대비 효율에서는 RTX 50 시리즈 그래픽카드를 탑재한 일반 게이밍 노트북이 여전히 매력적일 수 있습니다. 전문 영상 작업에서는 맥북 프로가 오랜 기간 쌓아온 소프트웨어 지원과 작업 환경이라는 강점을 갖고 있습니다. RTX 스파크 노트북이 두 제품군 사이에서 확실한 입지를 확보하려면 대형 AI 모델을 실행할 수 있다는 장점뿐 아니라 실제 처리 속도와 가격 경쟁력도 입증해야 합니다. 솔직히 초기 가격표만 보면 RTX 스파크의 경쟁력이 압도적으로 높다고 평가하기는 어렵습니다. 여기에 메모리 가격 폭등으로 인한 노트북 가격 상승과 이로 인한 수요 감소는 이제 막 시장에 진입하는 RTX 스파크 노트북에 악재로 작용하고 있습니다. 과연 RTX 스파크 노트북이 계속해서 후속 제품을 개발할 수 있을 만큼 시장 반응을 이끌어 낼지 앞으로 성과가 주목됩니다.

최근 마이크론 테크놀로지의 산자이 메로트라 최고경영자(CEO)는 실적 발표에서 흥미로운 전망을 내놓았습니다. 자율주행차처럼 휴머노이드 로봇 1대당 200GB 이상의 D램과 수 테라바이트의 낸드 플래시가 필요하기 때문에, 피지컬 AI가 결국 미래 메모리·스토리지 수요의 주요 동력이 될 수 있다는 것입니다. 이는 현재의 AI 붐이 끝난 뒤 실적이 꺾일 수 있다는 시장의 우려를 불식시키려는 메시지로 읽힙니다. 그런데 그 직후 일론 머스크는 엑스(X)에 묘하게 다른 시각을 보여주는 글을 올렸습니다. 테슬라가 개발 중인 AI5 칩의 메모리 용량을 기존 계획의 절반인 72GB로, AI6 칩은 약 3분의 1을 줄인 144GB로 조정했다는 내용이었습니다. 메모리 공급 부족을 극복하고 비용을 크게 낮추기 위한 결정이며, 이 변경이 옵티머스 성능에는 거의 영향을 주지 않을 것이라고 강조했습니다. 옵티머스와 테슬라 자율주행 시스템에 탑재될 AI5는 약 2000~2500 TOPS의 연산 능력을 목표로 하고 있습니다. 기존 AI4 대비 유용한 성능이 5배 이상 향상된 수준입니다. 칩은 하프 렉티클 크기(430mm² 정도)의 단일 대형 다이에 12개의 D램 모듈을 주변에 배치한 형태로 설계됐으며, 대용량 온 칩 (On-chip) SRAM을 함께 탑재하고 있습니다. 여기서 머스크가 강조한 포인트는 명확합니다. 메모리 ‘용량’보다 ‘대역폭(속도)’이 더 중요한 병목이라는 것입니다. 용량을 줄이면서도 대역폭 자체는 그대로 유지했고, 추가로 온 칩 SRAM을 적극 활용해 실효 속도를 높인 것으로 보입니다. 프로세서 내부에 있는 SRAM은 용량은 작지만 외부 D램보다 훨씬 빠르게 데이터를 주고받을 수 있기 때문입니다. 로봇과 자율주행에 필요한 피지컬 AI는 사실 크고 똑똑한 모델보다 빠른 모델이 더 중요합니다. 계속해서 변하는 상황에 맞춰 즉각적으로 반응해야 하기 때문입니다. 파라미터가 많은 모델은 더 정교한 판단을 내릴 가능성이 높지만, 너무 커지면 연산에 시간과 전력이 많이 소모돼 반응 속도가 느려지고 로봇에 탑재하기 부담스러워집니다. 머스크의 주장에 따르면 AI5는 엔비디아 H100에 준하는 성능을 내면서도 전력 소모는 200W 수준으로 비교적 낮게 설계됐습니다. 온 칩 SRAM으로 필요한 빠른 반응을 확보하고, 용량을 줄인 LPDDR5 메모리로 전력 효율을 높인 덕분으로 풀이됩니다. TSMC와 삼성의 2㎚ 공정을 통해 전성비를 개선했을 가능성도 큽니다. 물론 이 모든 내용은 테슬라와 머스크의 주장에 기반한 것입니다. AI5 칩이 실제로 공개되거나 양산된 것은 아니기 때문에, 전력 소모와 메모리 사용량을 줄이면서도 피지컬 AI에 적합한 반응 속도를 확보했는지 현재로서는 검증하기 어렵습니다. AI5의 본격 양산은 2027년으로 예정돼 있으며, 그때 실제 제품이 나오면 자연스럽게 확인될 전망입니다. 그래도 이 내용이 흥미로운 이유는 테슬라의 AI 전략을 엿볼 수 있기 때문입니다. 앞서 중국 AI 모델들은 메모리와 연산 자원을 구하기 어려운 상황에서 극단적인 효율화 기술을 적극 도입했습니다. 반면 테슬라는 메모리 수급의 현실적 제약을 인정하면서도, 피지컬 AI에 필수적인 빠른 반응 속도와 높은 전력 효율을 우선시한 설계를 선택한 것으로 보입니다. 이 전략이 실제로 효과적인지 가까운 미래에 확인할 수 있을 것입니다.

삼성전자가 차세대 저전력 D램(LPDDR)6를 퀄컴의 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에서 업계 최초로 검증했다. 중국 메모리 업체들이 LPDDR5X 개발에 속도를 내는 가운데 온디바이스 인공지능(AI) 확산으로 커지는 차세대 모바일 D램 시장의 기술 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 23일 반도체 테크 블로그를 통해 16기가바이트(GB) LPDDR6를 퀄컴의 ‘스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대’에서 최대 초당 10.7기가비트(Gbps) 속도로 검증했다고 밝혔다. 지난해 업계 최초로 LPDDR6를 개발한 데 이어 실제 차세대 모바일 플랫폼에서 동작 검증까지 마친 것이다. LPDDR은 스마트폰 등에 주로 쓰이는 저전력 D램이다. 최근 스마트폰 자체에서 생성형 AI를 구동하는 온디바이스 AI가 확산하면서 중요성이 커지고 있다. AI가 텍스트뿐 아니라 이미지와 음성을 함께 처리하고 여러 작업을 연속 수행할수록 프로세서와 메모리 사이에서 오가는 데이터가 늘어나기 때문이다. 삼성 LPDDR6는 최대 초당 114GB의 데이터를 처리할 수 있으며 이전 세대인 LPDDR5X보다 전력 효율을 최대 21% 높였다. 작업량에 따라 동작 전압과 속도를 조절해 불필요한 전력 소모를 줄이는 기술도 적용했다. 데이터 처리 성능을 높이면서 배터리 소모와 발열 부담을 줄이는 데 초점을 맞춘 것이다. AI 확산으로 스마트폰에 들어가는 메모리도 늘고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 1분기 세계 스마트폰 출하량은 전년 동기보다 0.5% 늘었지만 탑재된 전체 D램 용량은 6.1% 증가했다. 기기당 평균 D램 용량도 7.8GB에서 8.3GB로 늘었다. 삼성전자는 같은 기간 모바일 D램 시장에서 매출 기준 43%로 1위를 기록했다. 차세대 규격으로의 전환도 예상된다. 옴디아는 전체 LPDDR 출하량에서 LPDDR6 비중이 2027년 3%에서 2028년 9%, 2029년 21%, 2030년 39%로 높아질 것으로 전망했다. 삼성전자는 LPDDR 적용처를 스마트폰에서 AI PC와 자동차, 데이터센터 등으로 확대하고 있다.

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 최신 모바일 D램 양산에 이어 차세대 공정까지 상용화하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 아직 첨단 공정과 고대역폭메모리(HBM) 등에서는 격차가 있지만 범용 D램에서 시작한 중국의 추격이 고성능 모바일 제품으로 빠르게 확산하는 모습이다. 23일 업계에 따르면 CXMT는 지난 20일 중국 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대 D램 기술 플랫폼 ‘G5’의 양산에 들어갔다고 발표했다. 같은 날 로이터통신은 CXMT가 메모리 배열의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚)까지 줄였으며, 회사 측이 이를 세계 최고 수준의 양산 공정에 근접한 기술이라고 설명했다고 보도했다. CXMT는 G5를 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. 회사에 따르면 기존 공정과 비교해 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩의 수가 50% 이상 늘었다. 다만 이는 CXMT가 자체 제시한 수치다. 차세대 모바일 D램인 LPDDR6에서는 한발 먼저 상용화에 들어갔다. CXMT는 지난 7일 LPDDR6를 양산해 샤오미의 폴더블 스마트폰 ‘샤오미 18 폴드’에 탑재했다고 발표했다. 최대 데이터 전송속도는 초당 12.8기가비트(Gbps)다. LPDDR은 스마트폰 등에 주로 쓰이는 저전력 D램으로, 기기 자체에서 인공지능(AI)을 구동하는 온디바이스 AI 확산과 함께 처리 속도와 전력 효율의 중요성이 커지고 있다. 사업 영역을 낸드플래시까지 넓히려는 움직임도 나타났다. 로이터통신은 지난 18일 복수의 소식통을 인용해 CXMT가 베이징에 짓는 새 공장에 3차원(3D) 낸드 연구개발(R＆D) 생산라인을 구축할 계획이라고 보도했다. 별도 연구소에서도 낸드 기술을 개발하고 있는 것으로 전해졌다. 다만 로이터는 낸드 양산 시점은 정해지지 않았으며 계획이 바뀔 가능성도 있다고 전했다. D램 전문업체인 CXMT가 실제 낸드 양산에 나설 경우 삼성전자·SK하이닉스뿐 아니라 중국 낸드 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와도 경쟁하게 된다. 한국 업체들과의 격차가 당장 사라진 것은 아니다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 세계 D램 매출 점유율은 삼성전자가 39.4%, SK하이닉스가 24.9%, 미국 마이크론이 23.3%로 상위 3사가 시장 대부분을 차지했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM을 비롯한 AI용 고부가 메모리와 10나노급 6세대(1c) D램 등 첨단 제품에 투자를 집중하고 있다. 모바일 D램에서도 차세대 제품 경쟁이 본격화하고 있다. 삼성전자는 23일 LPDDR6를 퀄컴의 차세대 ‘스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대’ 플랫폼에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 3월 1c 공정을 적용한 LPDDR6 개발을 완료하고 하반기 공급에 나선다는 계획을 밝힌 바 있다.

중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했다. 샤오미의 최신 폴더블폰에도 탑재될 예정이어서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 모바일 D램 시장의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다. CXMT는 지난 29일(현지시간) 웨이보를 통해 LPDDR6 메모리가 정식 양산에 들어갔다고 밝혔다. 첫 적용 제품은 샤오미의 ‘18 폴드’로, 오는 9월 출시될 예정이다. 레이쥔 샤오미 최고경영자(CEO)는 “샤오미의 자체 개발 AI 프로세서 ‘쉬안제 O3’가 CXMT의 LPDDR6을 처음 지원하며 18 폴드에 최초 탑재된다”고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등에 사용되는 저전력 D램 규격이다. CXMT는 자사 LPDDR6이 최대 1만 2800Mbps의 전송 속도와 16Gb 용량을 지원한다고 공개한 바 있다. LPDDR6은 온디바이스 인공지능(AI) 연산 성능을 높이는 핵심 메모리로 꼽혀 향후 PC·서버·차량 등으로 활용 범위가 확대될 전망이다. 중국 매체 증권시보는 CXMT의 이번 양산을 세계 최초 LPDDR6 상용화로 평가하며 “중국 메모리 기업이 고사양 메모리 표준에서 처음으로 세계 최초 양산에 성공했다”고 의미를 부여했다. CXMT의 거센 기술 추격에 삼성전자와 SK하이닉스에는 위협이 되고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스도 LPDDR6 시장 선점에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발을 완료하고 올해 하반기 공급을 예고했다. 삼성전자는 지난 1월 ‘CES 2026’에서 LPDDR6 제품을 공개했지만 구체적인 양산 일정은 밝히지 않았다. 글로벌 투자은행 모건스탠리는 “CXMT가 올해 말까지 월 30만 장의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것”이라며 “이는 전 세계 D램 웨이퍼 생산 능력의 약 13%, 글로벌 비트(Bit) 출하량의 11%에 해당하는 규모로 오는 2028년까지 생산 능력을 월 50만장까지 끌어올릴 것”이라고 내다봤다.

SK하이닉스 직원들의 올해 상반기 평균 급여가 1억 4000만원을 넘어서며 역대 최고 수준을 기록했다. 인공지능(AI) 반도체 호황에 따른 실적 개선으로 보수가 큰 폭으로 늘어난 영향이다. 14일 SK하이닉스 반기보고서에 따르면 올해 상반기 직원 수는 3만 6150명으로 지난해 같은 기간(3만 3625명)보다 약 2500명 증가했다. 직원 1인당 평균 급여는 1억 4400만원으로 지난해 상반기(1억 1700만원)보다 2700만원(약 23%) 늘었다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 급여 12억 5000만원, 상여 204억 5500만원, 주식매수선택권 행사이익 43억 7900만원, 기타 근로소득 100만원 등 총 260억 9500만원을 받아 가장 많은 보수를 수령했다. 차선용 최고기술책임자(CTO) 사장은 급여 5억 5000만원, 상여 60억 1000만원, 주식매수선택권 행사이익 43억 7900만원, 기타 근로소득 100만원을 포함해 총 109억 4000만원을 받았다. SK하이닉스는 상여가 크게 늘어난 데 대해 “과거 설정한 장기성과보상(LTI)이 반영됐으며, 인공지능(AI) 시대 회사 주가 상승 효과가 반영된 결과”라고 설명했다. 상여에는 스톡옵션과 주식기준보상 등이 포함되며 확정된 수량만큼 자사주로 지급된다. 올해 상반기 SK하이닉스의 지역별 매출은 총 131조 8950억원으로, 이 가운데 미국 매출은 84조 5648억원으로 전체의 64.1%를 차지했다. 지난해 상반기 미국 매출(27조 8344억원)과 비교하면 56조 7304억원 증가했다. 미국 매출 급증은 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 D램과 낸드플래시 가격 상승, AI 서버용 메모리 판매 확대가 맞물린 결과로 분석된다. SK하이닉스는 엔비디아를 비롯한 주요 빅테크에 HBM3E(5세대)와 HBM4(6세대) 등을 공급하고 있다. 중국 시장도 성장세를 이어갔다. 올해 상반기 중국 매출은 32조 4783억원으로 전체 매출의 24.6%를 차지했다. 지난해 같은 기간(7조 3650억원)보다 4배 이상 증가한 수준이다. 업계에서는 SK하이닉스가 미국에서는 HBM 등 AI 서버용 메모리를, 중국에서는 LPDDR과 낸드플래시 등 모바일용 메모리를 중심으로 판매하며 지역별 수요에 맞춘 전략을 펼치고 있는 것으로 보고 있다. 한편 SK㈜ 반기보고서에 따르면 최태원 SK그룹 회장은 올해 상반기 SK㈜에서 급여 17억 5000만원을 받았다. 최재원 SK그룹 수석부회장은 급여 15억원을 수령했고, 장용호 SK㈜ 사장은 급여 10억원과 상여 8억원 등 총 18억원을 받았다. 윤풍영 SK수펙스추구협의회 사장은 급여 5억원, 상여 8억원에 더해 3년 전 부여받은 성과조건부주식(PSU) 보상 64억 1500만원을 포함해 총 77억 1500만원의 보수를 받았다. 최 회장은 SK하이닉스에서도 보수를 받고 있지만, 공시 대상인 ‘보수 5억원 이상 상위 5명’에 포함되지 않아 지급액은 공개되지 않았다.

올해 새롭게 도입되는 메모리 규격 중 하나가 바로 ‘LPDDR6’입니다. LPDDR 메모리는 스마트폰 같은 모바일 기기를 위한 D램 규격으로, 지난 20년 동안 꾸준한 업데이트를 거치며 현재 LPDDR5x까지 진화했고 이제 LPDDR6이 출시를 앞둔 상태입니다. 올해 초 삼성전자는 CES 2026에서 LPDDR6로 혁신상을 수상하면서 LPDDR6가 단순히 숫자 하나가 바뀌는 것이 아니라 AI 시대에 맞춘 메모리 혁신이라는 점을 소개했습니다. 물론 속도가 더 빨라지는 건 당연한 변화입니다. LPDDR6는 LPDDR5x의 최고 속도인 10.6Gbps를 넘어 최대 14.4Gbps의 빠른 속도로 AI 연산에 중요한 대역폭을 제공합니다. 하지만 속도가 유일한 혁신은 아닙니다. LPDDR6는 시스템 요구에 맞춰 전압을 세밀하게 조절할 수 있는 DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling·동적 전압 및 주파수 스케일링) 동적 효율 모드(Dynamic Efficiency mode) 기술을 제공합니다. 이를 통해 전력 효율을 최대 21%까지 높이면서도 상황에 맞춰 AI 연산에 필요한 높은 성능을 제공할 수 있습니다. SK하이닉스 역시 CES에서 1c LPDDR6 메모리를 개발했다고 발표했습니다. SK하이닉스는 이 제품이 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도를 33% 높이고 서브 채널 구조와 DVFS 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 전력 소모를 20% 이상 절감했다고 발표했습니다. 참고로 LPDDR6는 채널 너비를 16비트 단일 채널에서 12비트 서브 채널 두 개, 총 24비트로 넓혀 동일한 클럭 속도에서도 한 번에 전송할 수 있는 데이터양(비트 폭) 자체가 늘어나 데이터 병목 현상을 대폭 줄인 것이 특징입니다. 또 데이터 버스트 길이를 1.5배 늘려 인공지능(AI) 거대언어모델(LLM)이나 가중치(Weight) 매트릭스 연산과 같이 연달아 대규모 데이터를 읽고 써야 하는 온디바이스 AI 워크로드에 최적화되어 있습니다. 이런 특징 덕분에 LPDDR6를 사용한 AI 노트북은 로컬에서 LLM을 구동할 때 훨씬 빠른 토큰 속도를 보장할 수 있습니다. 스마트폰 같은 제한된 환경에서 로컬 AI 모델을 돌릴 때도 역시 LPDDR6의 빠른 속도와 AI 연산 최적화 구조가 큰 위력을 발휘할 것으로 예상됩니다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 하반기에 이를 양산할 계획입니다. 그런데 여기에 더해 최근 주목받는 소식이 중국 창신 메모리 테크놀로지(CXMT)가 LPDDR6의 양산에 도전하고 있다는 것입니다. 물론 삼성이나 SK하이닉스처럼 정식으로 공개한 제품도 없고 루머 수준 이야기이지만, 현재 LPDDR5x를 양산 중이고 신규 팹을 통해 웨이퍼 양산 능력을 크게 높인 만큼 가능성은 충분합니다. 일부 소식통에 따르면 CXMT는 이미 일부 고객사에 샘플을 전달했으며 올해 하반기 양산을 목표로 LPDDR6 개발에 나서고 있습니다. 첫 제품의 속도는 LPDDR6의 최고 속도인 14.4Gbps보다 느린 12.8Gbps이지만 현재 CXMT가 양산 중인 LPDDR5x 메모리보다 빠른 속도를 제공합니다. 현재 CXMT는 허페이와 베이징의 팹에서 자체 4세대 생산 라인인 G4를 이용해서 LPDDR5x 같은 주력 제품을 생산하고 있습니다. 대략 16nm 공정에 해당하는 라인으로 EUV 노광 장비 대신 DUV의 멀티 패터닝 기술을 적용해 양산에 들어간 상태입니다. 실제 양산에 근접한 것이 사실이라면 G4로 먼저 초기 제품을 양산하고 이후 차세대 공정인 G5를 통해 좀 더 고성능 제품을 선보일 것으로 생각됩니다. 기본적으로 CXMT는 DUV로만 제품을 양산하는 데다 기술적 성숙도 자체가 메모리 빅 3보다 한 세대는 느린 상태이지만, 그럼에도 CXMT가 LPDDR6 양산에 성공한다면 판로 확보는 어렵지 않을 것이라는 게 일반적인 전망입니다. 메모리 빅 3는 HBM 같은 AI 메모리 중심으로 생산 라인을 집중한 상태인 데다, LPDDR6 역시 AI 데이터로 수요가 몰릴 가능성이 있기 때문입니다. 엔비디아의 베라 루빈 플랫폼에서 루빈 GPU는 HBM4 메모리를 사용하나 베라 CPU는 소캠 2(SOCAMM2) 규격을 통해 최대 모듈당 256GB LPDDR5x를 장착할 수 있습니다. 여기에 LPDDR6를 적용하면 512GB 용량의 소캠 2 메모리 모듈이 가능해지고 속도도 더 빨라져 에이전틱 AI CPU에 훨씬 유리한 환경을 제공할 수 있습니다. 이렇게 AI 데이터 센터로 메모리 빅 3의 생산 물량이 집중되는 것은 CXMT에게 새로운 기회가 될 것으로 보입니다. 물량 구하기가 하늘에 별 따기 같은 스마트폰 업체, 특히 중국 업체에게 성능이 약간 떨어지더라도 LPDDR6를 공급해 줄 수 있는 것 자체가 큰 매력이기 때문입니다. CXMT는 올해 기업공개(IPO)와 상반기 기준 전년 대비 7배나 증가한 매출을 기반으로 막대한 투자 자금을 확보한 상태입니다. 이를 기반으로 베이징에 새로운 팹을 구축하고 기존에 계획된 팹 확장을 진행해 생산 능력을 웨이퍼 기준 월 60만 장까지 늘릴 계획으로 알려져 있습니다. LPDDR6 양산에 성공할 경우 이 계획에는 더 탄력이 붙을 것으로 보입니다. 하지만 CXMT에게 기회만 있는 것은 아닙니다. 역설계 방식으로 구형 DUV 장비를 일부 중국에서 생산하는 데 성공했다고는 하나 여전히 EUV 장비 수입이 금지된 상태에서 점점 생산 기술을 고도화하는 메모리 빅 3를 따라잡기가 힘들 가능성도 있습니다. 그리고 공격적으로 늘려 놓은 생산 시설이 메모리 시장 하강기에는 심각한 부담으로 다가올 수 있습니다. 그럼에도 CXMT가 올해 안에 LPDDR6 메모리 양산에 성공한다면 여러 어려움 속에서도 기술적 돌파구를 마련하고 있다는 증거인 만큼 시장에 큰 파장이 예상됩니다.

삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 ‘V10 BV-낸드’로 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’으로 차세대 메모리상을 각각 받았다고 6일 밝혔다. V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이면서도 전력 소비와 발열을 줄였다. LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리(PIM) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화하고 성능과 전력 효율을 높였다. 인공지능(AI) 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 메모리 기술로 주목받고 있다.

삼성전자가 인공지능(AI) 가속기 위에 고대역폭메모리(HBM)를 직접 쌓는 차세대 구조를 제시했다. AI 모델이 진화하면서 커질수록 연산장치와 메모리 사이의 데이터 이동이 병목으로 떠오르자, 둘 사이의 거리를 줄여 성능과 전력 효율을 끌어올리겠다는 구상이다. 삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘FMS 2026’에서 차세대 3차원 메모리 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’의 모형을 업계 최초로 공개했다. 약 30개 제품을 전시한 삼성전자 부스에는 관람객이 몰렸고, zHBM의 데이터 이동 방식과 향후 적용 가능성을 묻는 질문이 이어졌다. 현재 HBM은 여러 장의 D램을 쌓아 그래픽처리장치(GPU) 등으로 이뤄진 AI 가속기 옆에 둔다. zHBM은 쌓아 둔 HBM 전체를 가속기 상단에 올리는 방식으로 데이터가 오가는 거리를 최소화한다. 삼성전자는 zHBM 적용 시스템이 차세대 HBM5보다 성능은 최대 8배, 전력 효율은 최대 3배 높고 열 저항은 절반 이하로 낮아질 수 있다고 설명했다. 이는 양산품 실측치가 아닌 차세대 구조의 목표 성능이다. 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 기조연설에서 “현재 HBM이 수년 안에 한계에 부딪힐 것을 모두 알고 있다”며 “이를 돌파할 기술을 생각하면 3차원밖에 없다”고 말했다. 여러 장을 쌓아 올리는 3D 전략은 낸드플래시로 이어진다. 삼성전자가 개발 중인 zNAND-O는 낸드 칩을 4단 또는 8단으로 쌓는다. D램은 처리 속도가 빠르지만 너무 비싸고 공급도 부족하다. 따라서 상대적으로 저렴하고 용량이 큰 낸드의 속도를 개선해 최대한 D램처럼 쓰도록 해보겠다는 구상이다. 이 기술은 스마트폰과 PC 안에서 AI를 구동하는 온디바이스 시장을 겨냥한다. 현재웅 삼성전자 메모리사업부 상무는 “개인마다 집 안에 미니 데이터센터를 갖게 하는 것이 우리의 비전”이라고 말했다. 삼성은 400단 이상을 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’도 처음 공개했다. 셀과 주변 회로를 따로 만든 뒤 수직으로 붙이는 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 전 세대보다 집적도를 약 58% 높였다. V10 BV-NAND와 메모리 안에서 일부 연산을 처리하는 LPDDR5X-PIM은 행사 최고 제품상인 ‘베스트 오브 쇼’를 받았다. zHBM처럼 메모리와 AI 가속기를 수직으로 결합하려면 메모리 기술뿐 아니라 파운드리와 첨단 패키징 역량이 함께 필요하다. 삼성전자는 설계부터 제조·패키징까지 한 회사에서 제공하는 ‘원스톱 솔루션’을 경쟁력으로 내세웠다. 한편, SK하이닉스도 샌디스크와 고대역폭 낸드플래시(HBF) 표준을 제시하며 개방형 생태계 구축에 무게를 뒀다. 양사의 차세대 기술 경쟁은 AI가 학습을 넘어 추론 중심으로 빠르게 옮겨가면서 더욱 치열해질 전망이다. FMS에 참석한 시장조사업체 욜그룹은 삼성전자와 SK하이닉스의 투자 확대를 근거로 한국이 2031년까지 메모리 시장 선두를 유지할 것으로 내다봤다.

인공지능(AI) 피크아웃에 대한 우려로 인해 주식 시장이 출렁이고 있지만, 기본적으로 메모리는 AI뿐 아니라 정보통신기술(IT) 인프라를 유지하기 위해 필수적인 제품이고 결국 장기적으로는 더 빠르고 더 용량이 큰 메모리에 대한 수요가 늘어날 수밖에 없습니다. 따라서 업계에서는 현재 범용 D램 제품인 DDR5 및 LPDDR5/5x 제품을 대신하기 위한 DDR6 및 LPDDR6 제품을 준비 중에 있습니다. 이 가운데 LPDDR6는 올해 양산에 들어갈 예정이고 DDR6는 2~3년 후 본격 보급될 것으로 예상됩니다. 하지만 최근 에이전틱 AI의 수요가 늘어나면서 고성능 CPU와 이 CPU를 뒷받침할 고성능 서버 메모리에 대한 수요 역시 증가하고 있습니다. 이를 위해 LPDDR5x 메모리를 서버에서 사용할 수 있게 해주는 규격인 소캠 2 (SOCAMM2) 메모리 모듈이 본격적으로 양산에 들어가 엔비디아의 베라 루빈 시스템에 사용되고 있으며 기존의 범용 서버 CPU를 위해서는 DDR5 메모리의 속도와 용량을 늘린 MRDIMM 규격이 보급되고 있습니다. MRDIMM(Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module)은 하나의 메모리 모듈에 2개의 메모리 랭크를 멀티플렉싱해 실효 대역폭을 거의 두 배로 높이는 구조로 DDR5 메모리의 속도를 두 배로 늘릴 수 있습니다. 그러면서도 기존의 DDR5 DIMM에 호환돼 별도의 인터페이스 변화 없이 중앙처리장치(CPU)에서 지원하면 바로 서버에서 사용할 수 있습니다. 현재 제온 6 CPU가 이를 지원하고 있으며 AMD 역시 에픽 6 CPU에서 MRDIMM을 지원할 예정입니다. 기본적으로 MRDIMM 메모리는 DDR5보다 대역폭이 두 배이기 때문에 속도가 8800MT/s에서 17,600MT/s까지 지원할 수 있습니다. 이는 미래 규격인 DDR6와 같은 속도로 DDR6의 속도를 현재 하드웨어로 사용할 수 있는 셈입니다. 다만 1만 2800MT/s 이상의 속도에서는 MRDIMM 메모리도 빠른 속도에서 정확한 신호 전달과 제어를 위해 새로운 칩이 필요합니다. 따라서 1만 2800MT/s 이상의 속도를 지닌 MRDIMM 메모리에서는 MRCD(Multiplexed Rank Registering Clock Driver)라는 새로운 칩이 필요한데, 기존 서버용 RCD(Registering Clock Driver)의 기능을 크게 확장한 칩입니다. MRCD는 명령, 주소, 클럭, 제어 신호를 모두 버퍼링·재구동합니다. 1만 2800MT/s 이상의 MRDIMM 메모리에서는 1개의 MRCD 칩이 여러 개의 데이터 트래픽 관리 칩인 MDB/MBD (Multiplexed Rank Data Buffer/Multiplexing Data Buffer)와 함께 신호를 관리합니다. (아래 사진 참조) 마이크론은 이미 32GB, 48GB, 64GB, 96GB, 128GB 용량의 12,800MT/s 2세대 MRDIMM 메모리를 출시했으며 여기에 추가로 1만 4400MT/s 96GB 모듈도 추가했습니다. 여기에 더해 관련 컨트롤러 제조사인 르네사스는 3세대 MRCD + MDB/MBD를 미리 선보였는데 1만 6000MT/s의 속도를 구현할 수 있습니다. 따라서 내년에는 3세대 MRDIMM 메모리가 서버 시장에 보급될 것으로 보입니다. 다만 1만 7600MT/s에 이르면 사실상 DDR5 스펙의 한계에 근접하는 만큼 제조사들은 DDR6를 고민하지 않을 수 없습니다. DDR6는 기본 대역폭이 최대 1만 7600MT/s로 논의되고 있기 때문에 MRDIMM 형태로 제조할 경우 그 두 배인 최대 3만 5200MT/s도 가능할 것으로 보입니다. 이와 같은 메모리 대역폭 증가는 AI 시대에 필요한 충분한 대역폭을 제공해 AI 반도체 성장을 견인할 것으로 기대합니다.

중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 대규모 자금 조달과 증설 계획을 앞세워 빠르게 성장하고 있지만, 우리나라 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 핵심 시장을 당장 흔들기는 어렵다는 평가가 나온다. CXMT가 범용 D램과 중국 내수를 중심으로 몸집을 키우는 반면 국내 업체들은 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 첨단 D램에서 경쟁해 시장이 다르다는 분석이다. CXMT는 28일 상하이증권거래소 과창판에서 전날보다 4.08% 내린 47위안에 거래를 마치며 중국 증시 시가총액 1위 자리를 다시 중국공상은행에 내줬다. 다만 상장 첫날 공모가보다 465.82% 급등한 것을 감안하면 여전히 고공행진 중이다. CXMT는 세계 D램 시장 4위다. 옴디아에 따르면 올해 1분기 시장 점유율은 전 분기 4.7%에서 7.6%로 높아졌다. 다만 이런 점유율 상승은 삼성전자와 SK하이닉스의 주력 시장을 잠식한 결과로 보기는 힘들다는 평가도 있다. 글로벌 업체들이 인공지능(AI) 서버용 HBM과 고용량 D램에 생산능력을 집중하면서 생긴 범용 D램 공급 공백을 흡수했다는 것이다. CXMT의 주력 제품도 DDR5와 LPDDR5X 등 PC·스마트폰용 D램이다. 이번 상장 자금인 최대 14조 4000억원이 증설에 투입되면 범용 제품의 가격과 공급에는 압박이 커질 수 있지만, 고부가 AI 메모리와는 아직 경쟁의 층위가 다른 셈이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4 양산과 차세대 제품 검증을 진행하며 엔비디아 등 글로벌 AI 반도체 기업과 공급 경험을 쌓아 왔다. HBM은 제품 개발에 그치지 않고 적층·패키징과 열 관리, 수율을 확보한 뒤 고객사의 장기 검증을 통과해야 실제 매출로 이어진다. 업계 관계자는 “중국 업체들의 기술 추격 속도는 빠르지만 HBM 시장은 개발 성공보다 고객 인증과 대량 양산 능력이 더 중요하다”며 “글로벌 선도 업체들과의 경쟁력을 기술 개발 단계만으로 판단하기는 이르다”고 말했다.

지금은 상상하기 힘들 수도 있지만, 10년 전만 해도 AMD는 파산 위기에 몰려 있던 회사였습니다. 그러다가 2017년 Zen 아키텍처 기반의 라이젠을 내놓으면서 극적인 반전의 계기를 마련합니다. Zen 아키텍처 기반의 서버 CPU인 에픽(EPYC) 역시 마찬가지로 서버 시장에서 사실상 퇴출되다시피 했던 AMD의 점유율을 무섭게 끌어올리면서 현재는 데이터 센터 부문에서 인텔보다 더 높은 매출을 올리고 있습니다. 서버 CPU 점유율도 매출액 기준으로 거의 절반에 육박한 것으로 평가받고 있습니다. Zen 아키텍처를 선보인 지 9년이 흐른 지금 AMD는 TSMC의 최신 2nm 공정으로 제조한 Zen 6 아키텍처 기반의 에픽 서버 CPU인 코드명 베니스(Venice)를 정식 공개했습니다. 베니스는 최대 256코어 512스레드를 지닌 초대형 서버 CPU로 무려 2030억 개의 트랜지스터를 집적한 괴물 CPU입니다. 이렇게 큰 CPU를 한 번에 제조하기는 어렵기 때문에 베니스는 TSMC의 2nm 공정으로 제조한 컴퓨트 칩렛(chiplet, 모듈형 단일 기능 집적 회로) 8개(각 32코어)를 6nm 공정으로 만든 두 개의 I/O 칩렛에 연결해 제조됩니다. CPU와 달리 높은 클럭으로 동작할 필요가 없는 I/O 칩렛은 저렴한 공정으로 제조한 것입니다. TSMC의 2nm 공정 기술은 나노시트 트랜지스터(GAA)를 최초로 적용해서 동일 전력 소비에서 10~15% 향상된 성능, 25~30% 낮은 전력 소비, 그리고 최대 15% 향상된 트랜지스터 밀도를 제공합니다. 그 덕분에 베니스는 최초로 작은 칩렛 하나에 32코어를 집적할 수 있었는데, 1세대 에픽 프로세서가 32코어를 집적하기 위해 4개의 8코어 칩렛을 사용했던 것과 비교해서 기술 발전 정도를 짐작할 수 있습니다. 참고로 최대 클럭도 5GHz로 서버 프로세서치고는 상당히 높은 수준으로 올릴 수 있게 됐습니다. 에픽 베니스는 필요할 때는 256개의 최대 코어 중 96개만 더 높은 클럭으로 구동할 수 있는 옵션을 제공합니다. 6세대 에픽 CPU는 크게 두 가지 제품군으로 출시됩니다. 에픽 9006 SP7 칩은 64개에서 256개의 Zen 6 코어, 128개에서 512개의 스레드, 최대 1.6TB/s의 대역폭, 그리고 최대 64Gbps의 속도를 지원하는 PCIe Gen6를 탑재한 플래그십 제품입니다. 2026년 4분기에 출시될 예정입니다. 에픽 9006 SP8 서버 CPU는 2027년 상반기 출시 예정으로 8~128코어의 보다 저렴하고 유연한 시스템을 위한 제품군입니다. 참고로 가격은 최상위 256코어 제품인 에픽 9996 기준 1만 4904달러입니다. AMD 에픽 CPU는 경쟁사 대비 더 많은 코어 숫자를 지녀 더 비싼 가격에 팔리고 있으며 이로 인해 출하 수량 대비 매출이 높은 것으로 알려져 있습니다. 최근 에이전틱 AI로 인한 고성능 서버 CPU 수요가 증가한 점을 생각하면 6세대 에픽 베니스의 선전을 기대할 수 있습니다. AMD는 에이전트 기반 CPU 서버 샌드박스에서 엔비디아 베라(Vera) 같은 Arm 기반 CPU 대비 와트당 최대 2.8배의 에이전트 처리량을, 범용 CPU 서버에서는 와트당 최대 3.3배의 성능을 제공한다고 주장합니다. 또한 5세대 에픽 튜린 CPU 대비 최대 1.8배의 토큰/초 처리량, 1.7배의 에이전트/와트 효율, 그리고 1.4배의 성능/와트 효율을 제공합니다. 다만 현재 TSMC의 2nm 공정은 애플과 같은 주요 빅테크에서 주문이 쏟아지는 상황으로 공급 병목 현상을 겪고 있습니다. 따라서 AMD는 Zen 6 기반의 소비자용 CPU 출시를 올해 하반기에서 내년으로 연기한 상황입니다. 메모리 가격 폭등과 더불어 한동안 소비자 CPU 시장은 다소 침체될 수밖에 없는 분위기입니다. 다만 Zen 6 베니스의 등장은 소비자용 제품 역시 그렇게 먼 미래는 아니라는 점을 보여주고 있습니다. AMD는 2028년 Zen 7 아키텍처 기반의 7세대 EPYC 플로렌스(Florence)를 개발하고 있다고 발표했습니다. Zen 7은 TSMC의 A16 혹은 그 이하 공정이 예상됩니다. 또한 이 프로세서는 차세대 메모리 표준인 MRDIMM 및 LPDDR 시리즈(혹은 DDR6)를 지원하는 최초의 EPYC 제품군이 될 것으로 보입니다. 그리고 2030년에는 코드명 라벤나(Ravenna)로 알려진 Zen 8 아키텍처가 등장할 예정입니다. 물론 AMD의 거침없는 행보에 대응하기 위해 인텔의 발걸음도 빨라지고 있습니다. 인텔은 최대 288코어 288스레드의 클리어워터 포레스트 서버 CPU를 18A 공정을 이용해 제조하고 개량형인 18A-P를 차세대 제온 다이아몬드 래피즈에 적용해 에이전틱 AI 시장에서 주도권 확보를 위해 노력하고 있습니다. AI 시대 서버 시장을 두고 시장 1위를 차지하려는 AMD와 부활의 조짐을 보이는 인텔 간의 치열한 싸움이 예상됩니다.

최 “메모리 고객 5~6배 공급 원해여건만 맞으면 어디든 공장 건설”주가 상한가에 액면 분할 거론도마이크론, 美에 2500억 달러 투자CXMT, 중국서 6.5조원 IPO 착수 SK하이닉스가 미국 나스닥 상장으로 약 40조원을 확보하면서 글로벌 인공지능(AI) 붐을 탄 메모리 시장의 투자 경쟁이 한층 달아오르고 있다. 미국은 마이크론을 앞세워 수백조원 규모의 생산 확대에 나섰고, 중국은 창신메모리(CXMT)가 기업공개(IPO)를 통해 추격 자금 확보에 나섰다. 대만 난야까지 대규모 공장 증설 계획을 내놓으며 메모리 반도체 주도권을 둘러싼 ‘쩐의 전쟁’이 본격화하는 양상이다. 12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 10일(현지시간) 미국 나스닥에 미국주식예탁증서(ADR)를 상장해 265억 700만 달러(약 40조원)를 조달했다. 최근 AI 투자 둔화 우려로 반도체주가 숨 고르기에 들어간 상황에서도 두 자릿수 상승률로 메모리 반도체에 대한 투자자들의 기대를 재확인했다. 첫 거래일에 공모가(149달러)보다 13.1% 오른 168.49달러에 거래를 마쳤다. 확보한 자금은 용인 반도체 클러스터와 청주 첨단 패키징 공장, 극자외선(EUV) 장비 도입 등 메모리 생산능력 확대에 투입될 예정이다. SK하이닉스는 AI 확산으로 메모리 시장이 과거처럼 공급 과잉과 부족을 반복하는 경기순환 산업에서 벗어나 구조적인 성장 국면에 접어들었다고 보고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 이날 외신 인터뷰와 한국 기자 간담회 등에서 “AI를 통한 구조적 변화는 이미 일어났다”며 “올해와 내년의 생산능력을 고려하면 고대역폭메모리(HBM)와 범용 D램 모두 수요가 공급을 크게 웃돌고 있다”고 말했다. 이어 향후 5년간 생산능력을 두 배로 늘리더라도 고객사들은 5~6배 수준의 공급을 원하고 있다며, 전력·용수·부지 등 여건이 갖춰진다면 미국을 포함한 어느 지역에서든 추가 공장 건설을 검토할 수 있다고 밝혔다. 이번 상장 흥행은 AI 시대에 메모리 산업을 바라보는 시장의 입장 변화를 보여준다. 과거에는 반도체가 스마트폰과 PC 판매량에 따라 호황과 불황을 반복하는 경기순환 산업으로 인식됐지만, AI 데이터센터 투자 확대와 장기 공급계약 증가로 지속적인 성장이 예상된다는 것이다. 미국 마이크론은 2035년까지 미국에 2500억 달러(약 376조원)를 투자하고 자사 D램 생산의 40%를 현지에서 만들겠다는 계획을 최근 발표했다. 당초 계획보다 투자 규모를 거듭 늘린 것으로, AI 반도체 공급망을 자국 중심으로 재편하려는 미 트럼프 정부의 정책과 맞물려 있다. 중국은 범용 D램을 앞세워 추격에 속도를 내고 있다. 세계 D램 4위인 CXMT는 지난 9일 상하이증권거래소에 투자설명서를 제출하고 295억 위안(약 6조 5000억원) 규모의 IPO 절차에 착수했다. 조달 자금은 생산라인 고도화와 D램 기술 개발, 차세대 제품 연구 등에 투입할 계획이다. CXMT는 고대역폭메모리(HBM)보다 DDR5와 LPDDR5X 등 범용 D램을 중심으로 점유율을 확대하겠다는 계획이다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등이 HBM 생산에 집중하는 사이에 AI 서버 투자 확대에 따라 수요가 함께 늘어난 범용 D램 시장을 공략하겠다는 계산이다. 대만 난야도 AI 호황에 맞춰 생산능력 확대에 나섰다. 난야는 2027년 설비투자를 2000억 대만달러(약 9조원) 이상으로 늘리고 신규 공장 건설에 속도를 낼 계획이다. 올해 투자액의 약 4배에 달하는 규모다. 신규 공장의 첫 생산라인은 2028년에 매월 3만장의 웨이퍼 생산능력을 확보하는 것이 목표다. 한편 상장 첫날 주가가 큰 폭으로 오르면서 액면분할 가능성도 거론됐다. 이에 대해 최 회장은 “요청이 좀 더 오면 당연히 검토할 것”이라면서도 “아직 CFO로부터 제안을 받은 것은 아니다”라고 말했다.

기업공개(IPO)를 추진하는 중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발과 생산 확대를 통한 추격 전략을 공식화했다. CXMT는 D램 분야에서 세계 4위를 차지하고 있다. 12일 업계에 따르면 CXMT는 지난 9일 상하이증권거래소에 투자설명서를 제출했다. IPO 절차를 본격적으로 시작한 셈이다. CXMT가 정부 지원을 넘어 자체 자금 조달에 나서면서 글로벌 메모리 시장 경쟁에 변수가 될 전망이다. CXMT는 투자설명서에서 생산능력 기준으로 중국 내 1위이자 세계 4위 D램 업체라고 소개했다. 주요 경쟁사로는 삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론 등을 꼽았다. 다만 “글로벌 선두 3개 업체와는 여전히 일정한 격차가 존재한다”고 명시했다. 이에 생산능력 확대와 연구개발(R＆D) 투자 등으로 경쟁력을 높이겠다고 밝혔다. CXMT의 IPO 조달 계획은 295억 위안(약 6조 5000억원)이다. 생산라인 기술 업그레이드, D램 기술 고도화, 차세대 D램 선행기술 연구개발 등에 투입한다. 또 고대역폭메모리(HBM)보다 DDR5·LPDDR5X 등 범용 D램 제품군을 성장시키겠다고 제시했다. HBM 분야에서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 글로벌 3강을 유지하는 만큼, 비교적 경쟁력이 있는 범용 D램을 앞세우겠다는 의미다. 최근 인공지능(AI) 서버 투자 확대로 범용 D램 역시 수요와 수익성이 함께 높아지는 상황이다. 특히 글로벌 3강이 HBM에 집중하면서 범용 D램 수요를 완벽히 채우지 못하는 현상도 나타나고 있다. 업계에서는 CXMT가 정부 지원과 민간 자본을 활용하면서 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론을 향한 추격에 속도를 더욱 높일 것으로 보고 있다.

몇 주 전부터 애플이 메모리 가격 폭등과 공급 대란에 대처하기 위해 중국 창신 메모리 테크놀로지(CXMT)의 D램을 도입하려 한다는 이야기가 끊이지 않고 있습니다. 동시에 중국 양쯔 메모리 테크놀로지(YMTC)의 낸드 플래시 메모리 역시 로비 대상으로 알려져 있습니다. CXMT와 YMTC는 모두 중국 정부 및 국가 기관들이 상당한 지분을 소유한 실질적 국영 기업으로 모두 미 국방부가 중국군 연계를 이유로 지정한 블랙리스트인 1260H에 올라 있습니다. 하지만 아예 상무부의 제재 리스트에 올라 있어 구매 자체가 불가능한 YMTC와 달리 CXMT는 민간 기업에서 구매하는 것 자체는 막지 않고 있습니다. 하지만 중국 정부 및 중국군과 연계되어 있을 것으로 보이는 기업 제품을 미국 업체가 구매하는 것은 정부와 의회의 강력한 반대에 부딪힐 가능성이 높고 앞으로 제재 리스트에 포함될 가능성도 있는 만큼 현재 로비를 진행하는 것으로 판단됩니다. 그리고 이와 동시에 승인이 떨어졌을 때를 대비해서 아예 미리 인증 테스트를 진행해서 빠르게 제품을 출시할 수 있게 하려는 것이 현재 진행 상황으로 보입니다. 물론 일단 탑재가 되는지부터 검증해야 로비를 진행하는 것도 의미가 있습니다. 미국 정부와 의회가 이를 승인할 가능성은 아직 낮아 보입니다. 다만 그럼에도 계속해서 관련 보도가 이어지면서 과연 기술적으로 가능한지도 관심이 쏠리고 있습니다. CXMT는 현재 DDR5 및 LPDDR5x를 생산하는 중이고 실제 화웨이나 레노버 같은 중국제 제품에 탑재되고 있습니다. 다만 기술적으로는 메모리 빅3와 비교해서 1-2세대 정도 뒤쳐진 것으로 평가됩니다. 작년 CXMT가 공개한 LPDDR5x 메모리는 12Gb와 16Gb 제품으로 8533/9600MT/s 제품이 기본으로 최대 10677MT/s 지원도 가능한 것으로 알려져 있습니다. 따라서 12GB LPDDR5x 자체는 공급이 가능하지만, 부피나 발열 수준을 아이폰에 맞출 수 있는지가 관건입니다. 스마트폰에 사용되는 LPDDR5x 제품은 가능하면 같은 용량이라도 부피가 작고 제품이 좋고 또 같은 속도라도 발열이 적은 제품이 유리합니다. 그래야 극도로 작은 기판 안에 공간 효율적으로 탑재할 수 있으며 발열 제어도 쉽고 배터리 사용 시간도 길어지기 때문입니다. CXMT의 DDR5 같은 용량의 삼성, SK하이닉스 제품과 비교해서 다이 사이즈가 큰 것으로 알려져 있는데, 이는 생산 공정 자체가 1~2세대 뒤의 것이기 때문입니다. 같은 이유로 전력 소모와 발열도 높을 것으로 예상됩니다. 따라서 애플이 설령 미국 정부의 승인을 받더라도 프리미엄 제품에 CXMT 제품을 탑재하지 못할 것이라는 이야기가 나오는데, 정치적인 문제가 아니라 성능 문제로 탑재하지 못한다는 뜻입니다. 하지만 동시에 애플이 여러 종류의 제품군을 지니고 있다는 점도 생각해야 합니다. 따라서 올해 출시할 아이폰 18 프로/프로 맥스에 CXMT 메모리를 탑재하지 못하더라도 아이폰 18/18e 같은 보급형 제품에 탑재할 가능성은 남아 있습니다. 현재 아이폰 17 프로/프로 맥스에는 LPDDR5x 9600MT/s 12GB 제품이 들어가는 반면 아이폰 17에는 LPDDR5x 8533MT/s 8GB, 아이폰 17e에는 LPDDR5x 7500MT/s 8GB가 들어가는데, 이런식으로 클럭과 용량을 줄이면 발열과 부피면에서 불리함을 극복할 수 있습니다. 이보다 더 좋은 사용처는 용량과 발열에서 상대적으로 여유가 큰 보급형 맥 미니나 아이패드, 맥북 제품들입니다. 예를 들어 올해 출시와 함께 엄청난 인기를 끌었던 맥북 네오의 경우 A18 프로에 8GB LPDDR5x 메모리를 사용하고 있어 CXMT의 12/16Gb 다이로도 충분히 감당할 수 있습니다. M4 프로나 맥스를 사용하지 않은 기본 M4 맥 미니 역시 16GB/24GB 용량 제품은 감당이 가능할 것으로 예상됩니다. 아이패드 역시 에어나 프로는 다소 무리일 수 있으나 보급형인 아이패드, 아이패드 미니는 가능성이 있습니다. 따라서 애플은 성능은 낮아도 가격에 민감한 보급형 제품에서 CXMT 메모리를 도입할 계획으로 로비를 하는 한편 실제 애플 제품에 통합했을 때 문제없는지 테스트 중인 것으로 보입니다. CXMT도 저렴하진 않다는 이야기가 나오지만, CXMT 역시 빅테크 고객을 확보하기 위해 처음에는 양보할 가능성이 높고 애플 역시 공급처 다각화로 장기적 가격 협상에 유리하기 때문에 적극 추진할 동기가 충분합니다. 여기에 CXMT가 최근 팹을 대규모로 확장해 공급 물량이 크게 늘어나고 있다는 점도 공급 측면에서 긍정적입니다. 다만 앞서 이야기한 것처럼 기술적으로 가능한 제품이라도 미 정부와 의회의 강력한 반발을 극복할 수 있을지 미지수입니다. 더구나 소비자들의 거부감도 상당할 수 있습니다. 따라서 애플은 중국 내 판매 제품에만 먼저 적용하는 방안을 추진 중으로 알려져 있습니다. 이 시도가 성공할 수 있을진 모르겠지만, 애플이 상당한 현실적 어려움에도 도입을 추진할 정도로 CXMT가 성장한 점은 사실입니다. 물론 아직은 선두 주자와 비교해 다소 뒤처져 있지만 계속 발전하고 있다는 점 역시 무시할 순 없습니다. 때문에 우리 역시 기술력에서 더 앞서 나가기 위한 대응이 필요할 것입니다.

최근 애플이 대대적인 가격 인상 후 중국의 D램 제조사인 CXMT 메모리를 사용하기 위해 로비를 벌이고 있다는 외신 보도가 나오고 있습니다. 미 행정부나 애플 모두 공식적인 언급은 하지 않고 있지만, 현 상황에서 로비 시도 자체는 상당히 가능성 높은 이야기라 실현 가능성에 이목이 집중되고 있습니다. 애플은 아이폰 18 프로의 LPDDR5X 메모리 비용이 기존 대비 3배 가까이 상승할 것으로 보고, CXMT를 대안으로 검토 중입니다. 메모리 빅3 공급만으로는 물량과 가격 압박을 감당하기 어렵기 때문입니다. 일단 현재 상태에서 애플이 CXMT 메모리를 구매하는 것 자체는 충분히 가능합니다. 사실 미 상무부는 지난해 CXMT를 수출 금지 대상 기업 목록에 포함하려 했지만, 희토류 수출 문제 등으로 보류해 거래 자체를 막지는 않고 있습니다. 그럼에도 애플이 허락을 구하는 이유는 과거 중국산 메모리를 도입하려 했다가 의회의 강한 비판을 받은 사례가 있고 미 국방부가 중국 인민해방군과 연관성을 들어 CXMT를 국방수권법(Section 1260H)에 따라 “중국 군사 기업”으로 지정했기 때문입니다. 이 법안은 중국의 군민융합(Military-Civil Fusion) 전략에 대응하기 위한 것으로 중국 기업·대학·연구소가 민간 기술을 군사용으로 전용하는 것을 방지하는 것이 목적입니다. 국방부 소관으로 거래 자체를 막는 것은 아니지만, 이른바 블랙리스트에 올라 경고의 의미를 담고 있습니다. 사실상 애플 같은 빅테크의 거래를 차단하는 조치입니다. CXMT는 기본적으로 중국 국영 기업인 데다, 메모리 같은 반도체는 군사적으로도 중요하기 때문에 법안의 성격을 감안하면 1260H 리스트에 올리는 것 자체는 타당합니다. 애플의 로비는 이를 풀어달라는 뜻으로 해석되는데, 설령 리스트에서 삭제해도 과거처럼 미 의회와 미국 내 여론의 강한 반발을 부를 것으로 보입니다. 두 번째로 생각할 문제는 현재까지 가능성이 높지 않아 보이지만, 만약 로비에 성공해 블랙리스트에서 빠질 경우 실제로 최신 아이폰에 사용할 만한 성능과 공급이 가능한 지입니다. 이는 과거에는 생각하기 어려웠지만, 현재 상황에서는 불가능하지 않을 것으로 보입니다. CXMT는 누적된 적자에도 지난 몇 년간 공격적으로 팹을 증설하며 주위의 우려를 낳기도 했지만, 최근 AI발 메모리 가격 폭등으로 오히려 대규모 투자가 신의 한 수가 됐습니다. CXMT는 최근 웨이퍼 생산 능력을 월 10만 장에서 월 20만 장으로 늘리고 D램 시장 점유율도 8%로 껑충 뛰어오르면서 메모리 넘버 4로 안착할 준비를 하고 있습니다. 공격적인 투자와 그에 미치지 못하는 수율 때문에 지난해까지는 상당한 어려움을 겪었으나 최근 메모리 가격 폭등 덕분에 올해 1분기에는 매출이 7배로 증가한 505억 위안(약 11조원)에 순이익이 330억 위안 (7조원)에 달했습니다. 물론 그래도 CXMT가 아이폰에 들어갈 고성능 메모리를 만들 기술력이 있을지 의구심이 들 수도 있습니다. 하지만 CXMT는 이미 지난해 DDR5 8,000 메모리와 LPDDR5x 106,77 메모리 샘플을 공개한 바 있으며, 올해는 12/16/24/32GB 버전의 LDDR5x 8,533/9,600/10,677 MT/s 제품을 공급하고 있습니다. 이 제품들은 샤오미나 화웨이 같은 중국 기업들이 주로 사용하고 있습니다. 이를 본 애플 역시 어느 정도 성능을 충족시킬 수 있다고 보고 도입을 추진하는 것으로 보입니다. 다만 애플의 엄격한 품질 기준(QC)을 통과할 수 있을지는 미지수이긴 합니다. 그런데 성능만큼 중요한 것이 생산 능력입니다. AI 수요 폭발로 가격은 둘째 치고 메모리 물량 확보 자체가 쉽지 않기 때문입니다. CXMT는 일부에서 우려를 제기할 만큼 팹을 증설해 현재 이미 월 20만 장의 웨이퍼를 찍어 내고 있으며 올해 말에서 내년 초에는 30만 장에 이를 것으로 알려져 있습니다. 정확한 수율은 알 수 없지만, 이미 글로벌 시장 점유율 8%를 달성한 점으로 봐서 수율도 개선 중이고 일반적으로 시간이 지나면서 수율이 올라가는 점을 생각하면 앞으로는 더 높아질 것입니다. 비록 고부가가치 제품인 HBM3 생산에 어려움을 겪고 있지만, 오히려 이것 덕분에 CXMT는 메모리 빅3와 달리 LPDDR5x 생산에 여유가 있어 수억 대의 애플 기기에 필요한 메모리 수급에 여유가 있는 유일한 대안으로 떠오르고 있습니다. 물론 애플이 미국 정부와 의회, 그리고 부정적인 미국 내 여론을 뚫고 실제 채택에 성공할 가능성은 높아 보이지 않는 게 사실입니다. 이것을 허용하는 순간 중국의 메모리 굴기에 날개를 달아주고 중국의 글로벌 생산망 장악을 돕는 일이기 때문입니다. 하지만 애플이 CXMT 메모리 채택을 위해 로비를 벌이고 있다는 루머 그 자체로 이제는 달라진 중국 메모리 업계의 위상을 보여주고 있어 우리도 긴장하지 않을 수 없는 소식이기도 합니다. 끊임없는 기술 개발로 한 발 더 앞서 나가지 않는다면 미래에 어떤 일이 생길지는 누구도 장담할 수 없을 것입니다.