“R&D 기술 전문가에 임원급 대우펠로우·마스터 제도 적극 활성화파운드리 부문 등 ‘외부 수혈’ 필요HBM 빨리 추격… 1년 내 성과 내야”경실련 “설계 매각·전문경영인 영입” 오는 6일로 삼성전자 반도체가 싹을 틔운 지 50년이 된 가운데 삼성전자 출신 인사, 반도체 업계 교수 등 전문가들은 도전 문화의 복원과 기술자를 우대하는 인재 시스템의 재편을 제언했다. 삼성전자는 인공지능(AI) 메모리로 수요가 폭증하는 고대역폭 메모리(HBM)에서 시장 주도권을 놓쳤고 비메모리(시스템 반도체) 분야에서도 TSMC와의 점유율 격차가 벌어지고 있다. 삼성전자 출신인 김용석 가천대 반도체대학 석좌교수는 2일 서울신문과의 통화에서 “삼성의 도전 문화가 약화한 게 (HBM 경쟁에서 뒤처진) 근본 원인”이라고 진단했다. 그러면서 “좋은 인재의 유출을 막기 위해 연봉 인상과 임용 기간 부분 보장 등 기술 전문가에 대한 우대가 더 필요할 것 같다”고 강조했다. 연구개발(R&D) 직군에 있는 기술 전문가를 임원급으로 대우하는 펠로우(부사장급)·마스터(상무급) 제도가 있는데 이를 적극적으로 활성화해야 한다는 조언이다. 김 교수는 삼성전자에서 31년간 시스템 반도체와 이동통신 소프트웨어 개발, 갤럭시 제품 개발에 참여했다. 이병훈 포항공대 반도체공학과 교수도 삼성전자의 도전 정신을 지적하며 인재 시스템의 재점검이 필요하다고 했다. 이 교수는 “삼성전자가 대만의 TSMC와 붙어 보고 싶다면 필생즉사의 각오를 해야 하는데 그렇게까지 준비하는 것 같지는 않다”면서 “도전적인 인재가 최상위 경영진까지 올라가지 못하는 시스템이 고쳐지지 않고 있다”고 지적했다. 이어 “오래된 회사가 1등 자리를 지키고 싶다면 도전 정신이 있는 리더십을 중심으로 끊임없이 다시 태어나는 수밖에 없다. 인재 시스템을 다시 한번 되돌아볼 때”라고 제언했다. 또 이 교수는 대만 TSMC의 창업자 모리스 창이 자서전에서 과거 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)에게 TSMC CEO 자리를 제안했던 일을 거론하며 “삼성도 외부 수혈이 필요한 시점”이라고 밝혔다. 특히 고객 유치가 중요한 파운드리(반도체 위탁생산) 부문에서 국제적으로 신뢰를 얻을 수 있는 인물을 영입해야 한다고 했다. 삼성전자 대표이사를 지낸 고동진 국민의힘 의원은 “삼성이 30년 넘게 잘해 오다가 HBM에서 좀 삐끗했는데 이를 빠르게 캐치업(추격)하는 것이 중요하다”면서 “무조건 1년 안에 성과가 나와야 한다”고 말했다. 고 의원은 디바이스솔루션(DS) 부문을 이끄는 전영현 부회장을 대표이사로 내정한 것에 대해 “이미 6개월 전부터 전 부회장이 (DS부문장으로) 투입돼 다방면으로 움직이고 있다. 이르면 6개월, 늦어도 1년 안에 구체적인 성과가 나오지 않을까 한다”며 기대감을 드러냈다. 이종훈 상명대 시스템반도체공학과 교수는 향후 시급한 문제로 엔비디아 맞춤형 ‘HBM3E 품질 검증’(퀄 테스트) 통과를 꼽았다. 이 교수는 “HBM이 D램 시장점유율 판도를 흔들 정도로 중요해진 상황에서 추격이 더 늦춰지면 (전체 D램 시장에서) SK하이닉스에 따라잡힐 수 있다. 절박하게 임해야 할 때”라고 조언했다. 경제정의실천시민연합도 이날 기자회견을 열고 시스템 반도체 설계 부문을 매각하고 세계 최고의 전문경영인을 영입해야 한다고 주장했다.

삼성전자 반도체 사업의 지난 50년은 ‘과감한 선행 투자라는 씨앗이 반도체 신화라는 열매를 맺게 했다’는 한 문장으로 정리된다. 고(故) 이건희 전 삼성전자 회장이 주변의 만류에도 국내 첫 반도체 웨이퍼 가공·생산업체인 한국반도체를 인수하는 씨앗을 심었고, 이후 삼성전자 반도체는 D램 용량과 매출 측면에서 50만배 늘어난 거대한 열매를 맺었다. 2일 삼성전자에 따르면 이 전 회장이 한국반도체를 인수한 배경에는 우리 민족에 대한 자부심이 깃들어 있었다고 한다. 대한민국이 젓가락 문화권인 만큼 손재주가 좋은 데다 주거생활 자체가 신발을 벗는 습관이 생활화되는 등 청결을 매우 중요시해 반도체 생산에 적합하다고 본 것이다. 하지만 삼성 반도체는 오일 파동에 직면한 상황과 자체 설계 부문이 없다는 약점을 극복하지 못한 채 부도의 위기를 가까스로 넘기곤 했다. 삼성전자 반도체 사업은 1983년 ‘도쿄 선언’을 통해 전환점을 맞는다. 이병철 삼성 창업회장이 팔을 걷어붙이고 나서 반도체 사업 진출을 대내외에 공식 발표한 것이다. 통상 18개월 이상 걸리는 반도체 공장을 6개월 만에 짓는 등 사업은 속도를 내기 시작했다. 반도체 사업에 대한 삼성의 열의는 최근 발간된 모리스 창(93) TSMC 창업자의 자서전에도 잘 나타나 있다. 1989년 대만을 방문한 이 전 회장은 창에게 “대만은 메모리 반도체 산업에 나서지 않길 바란다”며 “우리 공장에 한번 와 보면 메모리 생산 라인을 만드는 데 얼마나 많은 자본과 인재가 필요한지 알게 될 것”이라고 말했다고 한다. 실제로 그 이후 삼성전자 반도체 생산 라인을 방문한 창은 “당시 삼성전자 공장은 내가 봤던 가장 좋은 공장(텍사스 인스트루먼트 일본 공장)과 비교해도 손색이 없었다”고 회상했다. 삼성은 1992년 시장점유율 13.5%로 도시바(12.8%)를 제치고 세계 D램 시장 1위에 올랐으며 이듬해인 1993년 글로벌 메모리 반도체 부문 1위에 올랐다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2022년 사상 최대 매출인 98조원을 기록했다. 올해는 사상 처음으로 반도체 매출이 100조원을 넘을 것으로 보인다. 50년 만에 50만배 가까운 매출 성장을 기록한 것이다. D램 용량도 50만배 커졌다.

미국산 장비 썼다면 통제 따라야삼성·SK하이닉스 수출 타격 우려中 “美 조치에 단호히 반대” 반발 미국 정부가 중국이 인공지능(AI)을 개발하는데 필요한 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM)의 중국 수출을 통제했다. 최근 중국이 자체적으로 AI 반도체 개발에 속도를 내자 핵심 부품인 HBM의 공급을 막아버리겠다는 것인데 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 기업의 HBM도 수출 통제 대상에 포함됐다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 2일(현지시간) 수출통제 대상 품목에 특정 HBM 제품을 추가한다고 관보를 통해 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리로 AI 가속기를 가동하는 데에 필요한 필수 부품이다. 상무부는 이번 수출통제에 해외직접생산품규칙(FDPR·Foreign Direct Product Rules)을 적용했다. 미국이 아닌 다른 나라에서 만든 제품이더라도 미국산 소프트웨어나 장비, 기술 등이 사용됐다면 이번 수출통제를 준수해야 한다는 의미다. 현재 AI 반도체 시장은 미국 엔비디아가 90% 이상을, AMD와 인텔 등이 나머지 시장을 차지하고 있다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국의 마이크론 등이 해당 업체에 HBM을 공급하는 구조다. 미국은 그동안 엔비디아의 AI 반도체의 중국 수출을 차단하는 방법으로 중국을 견제해 왔다. 하지만 중국이 자체적으로 AI 반도체를 만들자 이번엔 핵심 부품인 HBM의 공급선을 끊어 버리겠다는 계산이다. 이날 상무부는 HBM의 성능 단위인 ‘메모리 대역폭 밀도’(memory bandwidth density)가 제곱 밀리미터당 초당 2기가바이트(GB)보다 높은 제품을 통제하겠다고 밝혔다. 해당 기준대로라면 현재 생산되는 모든 HBM 스택이 통제 대상이다. 한편 이에 대해 중국 상무부는 “미국의 대중국 반도체 수출 통제에 단호히 반대한다”는 입장을 밝혔다.

미국 조 바이든 행정부가 중국이 인공지능(AI)을 개발하는 데 필요한 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM)의 중국 수출 통제에 나선다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 2일(현지시간) 수출통제 대상 품목에 특정 HBM 제품을 추가한다고 관보를 통해 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리로 AI 가속기를 가동하는 데에 필요하다. 상무부는 이번 수출통제에 해외직접생산품규칙(FDPR·Foreign Direct Product Rules)을 적용했다. 이는 미국이 아닌 다른 나라에서 만든 제품이더라도 미국산 소프트웨어나 장비, 기술 등이 사용됐다면 이번 수출통제를 준수해야 한다는 의미다. 때문에 반도체 설계·제작에 미국 기업 기술 및 장비를 사용하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스 역시 적용 대상이다. 상무부는 HBM의 성능 단위인 ‘메모리 대역폭 밀도’(memory bandwidth density)가 평방밀리미터당 초당 2기가바이트(GB)보다 높은 제품을 통제하기로 했다. 상무부에 따르면 현재 생산되는 모든 HBM 스택이 이 기준을 초과한다. 중국 “경제적 강압 행위·일방적 괴롭힘…단호히 반대” 중국 정부는 “경제적 강압 행위로 단호히 반대한다”고 즉시 반발했다. 중국 상무부는 이날 미국이 수출 통제 조치를 발표한 직후 “반도체 제조장비, 메모리 반도체 및 기타 품목의 대중 수출통제를 더 강화하고 136개 중국 기업을 수출 통제 기업 목록에 추가하며 중국과 제3국 간 무역에 간섭하는 전형적인 경제적 강압 행위이자 비시장적 방법”이라고 주장했다. 이어 “미국은 국가안보의 개념을 계속 확대하고 수출 통제 조치를 남용하며 일방적인 괴롭힘을 행하고 있다”며 “중국은 이에 단호하게 반대한다”고 강조했다. 또 “미국의 통제 조치 남용은 여러 국가의 정상적인 경제무역 거래를 심각하게 방해하고, 시장규칙과 국제경제무역 질서를 심각하게 파괴하며, 글로벌 산업 공급망의 안정성을 심각하게 위협한다”고 비난했다. 그러면서 “미국 기업을 비롯한 전 세계 반도체 업계가 심각한 영향을 받고 있다”며 “중국은 자신의 정당한 권익을 단호하게 지키기 위해 필요한 조처를 할 것”이라고 경고했다.

최태원 SK그룹 회장이 경영난에 빠져있던 하이닉스를 인수한 뒤 성공을 거뒀다는 외신 평가가 나왔다. 최 회장을 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)에 빗대 “한국의 젠슨”(South Korea‘s Jensen)이라는 소개도 더해졌다. 블룸버그통신은 28일 뉴스레터를 통해 글로벌 AI(인공지능) 붐으로 엔비디아 주가가 몇 배 오르고 황 CEO가 세계적으로 ’록스타‘급 인물이 됐는데, 잘 알려져 있지는 않지만 최 회장의 부상도 마찬가지로 극적이었다고 평가했다. 그러면서 오랫동안 삼성전자의 그늘에 가려졌던 SK하이닉스는 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 공급하는 핵심 협력사가 됐으며, 이 시기는 최 회장에게도 전환기였다는 게 블룸버그 설명이다. 블룸버그는 새로워진 최 회장의 자신감이 SK하이닉스의 격변의 역사를 반영한다면서, 최 회장이 2012년 빚에 허덕이던 하이닉스 인수라는 매우 위험한 베팅을 했다고 짚었다. 이른바 빅딜 정책으로 1999년 현대전자가 LG반도체를 인수하면서 탄생했던 하이닉스는 D램 값 폭락에 따른 유동성 위기로 2001년 8월 현대그룹에서 계열분리된 뒤 여러 차례 매각을 시도했지만 번번이 무산된 상태였다. SK는 하이닉스 인수 이후 연구개발에 수십억 달러를 썼고, 특히 삼성전자 경영진들이 HBM을 우선순위로 보지 않고 해당 팀을 사실상 해체했을 때 HBM 개발을 계속하기로 한 것이 가장 중요한 결정이었다고 블룸버그는 평가했다. AI 붐이 일었을 때 SK하이닉스는 그 흐름에 올라탈 준비가 되어 있었고, 주가가 지난해 초부터 100% 넘게 오르며 한국 국내 시총 2위가 됐다는 것이다. 블룸버그 산하 연구기관인 블룸버그인텔리전스(BI)는 SK하이닉스 생산 물량이 내년까지 완판된 상태라면서 SK하이닉스가 향후 12개월간 HBM 부문에서 정상을 지킬 수 있을 것으로 최근 전망하기도 했다.

삼성전자는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명을 승진 발령하는 내용의 2025년 정기 임원 인사를 실시했다고 29일 밝혔다. 승진 규모는 지난해 대비 소폭 줄었으나 미래 성장을 이끌 인공지능(AI)과 6G, 차세대 반도체 등 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다. 삼성전자는 “현재의 경영 위기 상황 극복을 위해 성과주의 원칙 하에 검증된 인재 중심으로 세대교체를 추진하는 등 인적 쇄신을 단행했다”며 “주요 사업의 지속 성장을 이끌 리더십을 보강하는 한편 신성장 동력 강화를 위해 소프트웨어, 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다”고 말했다. 주요 사업분야에서 성과 창출과 핵심적 역할이 기대되는 리더들이 부사장으로 승진했다. AI 가전의 기능 고도화 등의 성과를 창출한 홍주선(53) 디바이스경험(DX)부문 생활가전(DA)사업부 회로개발그룹장, 스마트폰 선행 디자인 전문가인 부민혁(51) 모바일경험(MX)사업부 Advanced디자인그룹장, 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도한 배승준(48) 디바이스경험(DS) 부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 등이 부사장으로 승진했다. 또 6G 에코시스템 구축 등을 주도한 박정호(50) DX부문 CTO SR 차세대통신연구센터 부센터장, 갤럭시 AI 개발 과제를 주도한 이형철(48) MX사업부 스마트폰S/W PL2그룹장 등 차기 신기술 분야에서 역량이 입증된 우수인력이 다수 승진했다. 이번 인사에서는 30대 상무 1명과 40대 부사장 8명이 배출됐다. 지난해(30대 상무 1명, 40대 부사장 11명)보다는 규모가 줄었다. 신규 임원 승진자 중 최연소는 하지훈(39) DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 상무다. 여성·외국인 리더 발탁 기조도 이어갔다. 온라인 비즈니스 전문가인 서정아(53) DX부문 MX사업부 Digital Commerce팀장, B2B 영업 전문가인 이지연(45) DX부문 한국총괄 A&E영업2그룹장 등 여성 리더와 태국 출신의 시티촉(52) DX부문 동남아총괄 TSE-S법인 상무 등이 있다. 삼성전자는 이날 임원 인사로 경영진 인사를 마무리한 데 이어 조만간 조직개편과 보직인사를 확정해 발표할 예정이다.

원삼면에 차세대 D램 팹 4기 건설이동·남사읍엔 시스템반도체 산단산단 완공 땐 세계 반도체 33% 생산지역 산단 1년 새 469개 기업 유입벤처·창업기업 늘어 IT 인재 몰려인구 장기적으로 150만명 넘을 것이동읍에 1만 6000가구 신도시 예정반도체 인재 특화된 정주 여건 조성경기 용인시가 세계 최대 규모 반도체 생태계를 구축하면서 글로벌 반도체 중심도시를 향한 힘찬 비상을 하고 있다. 용인시는 첨단시스템반도체 국가산업단지와 반도체클러스터 일반산단, 삼성전자 미래연구단지 등 3곳을 잇는 1244만㎡(약 376만평)의 ‘L’자형 반도체클러스터를 조성하고 메모리와 파운드리, 연구개발(R&D), 소재·부품·장비(소부장) 기업 등 반도체 전 분야를 아우르는 세계 최고의 밸류체인 모델 도시 계획에 박차를 가하고 있다고 24일 밝혔다. 용인에서는 현재 SK하이닉스의 원삼면 반도체클러스터 일반산단과 삼성전자가 입주할 이동·남사읍 첨단시스템반도체 국가산단 등 세계 규모의 반도체 산업단지 2곳이 조성되고 있다. 원삼면 용인반도체클러스터에선 내년 3월 인공지능(AI)에 쓰이는 대표적 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산하는 첫 번째 제조공장(팹) 건설이 시작된다. 팹 1기는 잠실 롯데월드타워 5동을 합한 규모다. SK하이닉스는 팹 4기를 건설할 계획이다. SK하이닉스가 122조원을 투자하는 415만 6135㎡ 규모의 용인반도체클러스터에는 4개 팹 운영에 1만 2000명, 지원시설에 3000명 등 1만 5000명이, 협력화단지 내 소부장 업체에 8000명 등 총 2만 3000여 명의 정보기술(IT) 인재가 들어온다. ●솔브레인 등 29개 기업과 입주 협약 2027년 첫 번째 팹 가동에 맞춰 협력업체들도 대거 입주한다. 협력화단지에는 50여 반도체 소부장 기업들이 들어올 예정이다. 벌써 37개 필지 가운데 31개 필지에 원익IPS, 주성엔지니어링, 솔브레인 등 굴지의 소부장 기업 29곳이 시와 입주 협약을 마쳤다. 이동·남사읍엔 이보다 훨씬 큰 반도체 국가산단이 조성된다. 삼성전자가 360조원을 투자하는 첨단시스템반도체 국가산단 면적은 728만㎡로 용인반도체클러스터의 1.75배나 된다. 삼성전자는 6기의 팹을 세울 예정이다. 국가산단은 내년 초 국토교통부가 산단 계획을 승인하면 토지 보상이 진행된다. 함께 입주할 소부장, 팹리스 기업들도 200여개에 달할 것으로 보인다. 대한민국 반도체 신화가 시작된 기흥구 농서동 삼성전자 기흥캠퍼스엔 122만㎡ 규모의 미래연구단지가 조성된다. 차세대 첨단 반도체 기술의 경쟁력 강화를 위한 핵심 연구기지다. 삼성전자는 약 20조원을 투자해 2028년까지 세계 최고 수준의 파운드리 및 차세대 비메모리 분야 R&D 센터를 구축한다. 국가산단에는 5만명의 IT 인재가, 미래연구단지에는 5000여명의 전문 인력이 유입될 전망이다. 정부는 첨단시스템반도체 국가산단 지정 이후 ‘세계 최대 반도체 메가 클러스터’라는 표현을 쓰기 시작했는데 그만큼 엄청난 투자가 진행된다. 반도체 앵커기업인 삼성전자와 SK하이닉스는 이들 3곳에 502조원을 투자한다. 반도체 산단이 조성되면 세계 반도체의 3분의1이 대한민국 용인에서 생산될 것이란 전망이 나온다. 그뿐이 아니다. 용인반도체클러스터 협력화단지에는 국내 반도체 소부장 기업들이 염원하는 ‘첨단 반도체 양산 연계형 미니팹’(테스트베드)도 들어선다. 소부장 기업이 개발한 제품이나 소재가 생산라인에 투입될 수 있는지 실증하는 시설이다. ●소부장 세계 빅10 기업 중 3곳 모여 용인이 반도체 중심도시로 급부상하면서 세계적인 소부장 기업들도 모여든다. 세계 10대 반도체 장비업체 가운데 한국에 들어온 6곳 중 램리서치, 도쿄일렉트론, 세메스 등 3곳이다. 램리서치는 최근 한국 본사까지 용인으로 이전했다. 국내 굴지의 반도체 장비업체들도 용인으로 모여들고 있다. 반도체 중심도시로 경제 규모가 급격히 커질 것으로 예상되면서 창업기업이나 벤처기업들의 입주도 이어진다. 용인엔 기흥ICT밸리 등 5개 도시첨단산단과 용인테크노밸리 등 21개 일반산단(2곳 추진 중)이 있는데 지난해부터 지난 9월 23일까지 469개 기업이 입주했다. 첨단기업들이 모여들면서 용인은 IT 인재들의 집결지로 부상하고 있다. 벤처기업이나 창업기업들이 늘어나는 만큼 대규모 인력의 유입이 예상된다. 이는 대규모 인구 증가로 연결될 것이다. ●외국인 유학생 급증, 등록 2만명 돌파 외국인 전문 인력도 대거 유입될 것으로 보인다. 용인에 거주하는 등록 외국인은 지난 9월 기준 2만 796명으로 처음으로 2만명 선을 넘었다. 지난 9월에만 1230명이 증가했는데 외국인 유학생 급증이 주요 원인으로 분석됐다. 용인시는 전문직 외국인도 늘어날 것으로 본다. 이처럼 내외국인 인구 유입이 이어지면서 용인 인구가 중장기적으로 150만명을 넘을 것이란 전망까지 나온다. 지난 5월 용인시 총인구는 110만명을 넘어섰다. 시는 도시기본계획도 전면 수정한다. 2035년 계획인구는 128만 7000명인데 2040년 20만명 이상 더 늘어날 것으로 보고 주거지역이나 공업지역을 조정하려는 것이다. 시는 국토연구원과 긴밀하게 협의해 내년 상반기 경기도에 2040년 용인도시기본계획을 제출할 방침이다. 중단기적으로 교통망을 확충하고 주택공급도 확대할 계획이다. 시는 국도 45호선 확장, 국도 17호선 확장 등 반도체 산단 건설에 따라 시급한 진입도로를 확충하는 것과 별도로 시 전역을 고속도로나 자동차전용도로로 촘촘히 엮는 L자형 3축 도로망 계획을 세워 추진하고 있다. 반도체 산단에서 활동할 IT 인재들의 정주 여건 조성을 위해 1만 6000가구 규모의 반도체 특화 신도시를 한국토지주택공사(LH)와 함께 이동읍에 조성할 예정이다. 이상일 용인시장은 “용인시가 전국 최대 규모의 특화단지로 지정되면서 삼성전자와 SK하이닉스를 선도기업으로 하는 ‘용인 L자형 반도체 벨트’의 반도체 생태계는 세계 최고가 될 것”이라며 “반도체 경쟁력 강화를 위해 가장 중요한 것은 정부의 혁신적이고 전폭적인 지원이 신속하게 이뤄지는 것이며, 용인시도 정부와 손발을 맞춰 사업을 진행할 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 지난해 8월 관련 기술을 선보인 후 약 15개월 만으로 공급은 내년 상반기부터다. SK하이닉스 관계자는 “이번에 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다”며 “내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것”이라고 말했다. 낸드플래시는 스마트폰·PC 같은 전자기기와 서버에 탑재되는 데이터 저장용 반도체다. 고층건물처럼 더 높게 쌓을수록 데이터 저장 밀도와 처리 속도 등이 개선된다. SK하이닉스는 앞서 2023년 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급한 데 이어 같은 해 8월 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개하며 세계 최초로 300단 이상 낸드 플래시 개발 진행을 공식화했다. 삼성전자가 지난 4월 양산을 시작한 9세대 V낸드는 280~290단, 미국 마이크론이 7월 발표한 9세대 3D 낸드는 276단으로 알려졌다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI) 맞춤형 저전력 고성능 시장에도 적극 대응해나간다는 방침이다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 “고대역폭 메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 AI 메모리 공급 업체로 도약할 것”이라고 말했다.

삼성전자가 18일 경기 용인시 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 ‘New Research & Development-K’(NRD-K) 설비 반입식을 개최했다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 10만 9000㎡ 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 20조원을 투자한다. 메모리, 시스템, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한곳에서 이뤄지도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 기흥캠퍼스는 고 이병철 삼성 창업회장이 1983년 2월 반도체 사업의 시작을 알리는 ‘도쿄 선언’ 이후 반도체 사업을 본격화한 상징적인 곳이기도 하다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고 1993년 메모리 반도체 분야 1위를 이뤄 냈다. 전영현 삼성전자 부회장은 이날 기념사에서 “삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다”고 말했다.

개미들이 미국 대선 이후 펼쳐진 급락장에서도 삼성전자를 대량 매수한 것으로 나타났다. 미국발 반도체 규제 확산 우려가 여전하지만 ‘4만전자’로 낙폭이 컸던 만큼 빠르게 반등할 것이란 기대감이 작용한 것으로 풀이된다. 17일 한국거래소에 따르면 미 대선이 치러진 지난 5일부터 15일까지 8거래일간 개인 투자자가 가장 많이 산 종목은 삼성전자로 나타났다. 총 2조 3347억원어치를 순매수했다. 2021년 ‘9만전자’를 찍었던 삼성전자 주가는 지난 7월 11일 장중 연고점인 8만 800원을 찍은 이후 6만~7만원대를 오르내리다 미 대선 이후 가파른 내리막길을 걸었다. 범용 D램 시장에서 중국 업체의 추격을 받는 가운데 인공지능(AI) 반도체로 통하는 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 엔비디아 공급망에 합류하지 못하면서 연일 52주 신저가를 기록하며 지난 14일 종가 기준 4만전자(종가 4만 9900원)로 추락했다가 15일 다시 7% 넘게 반등해 5만 3500원에 장을 마감했다. 이 기간 개인 투자자의 삼성전자 평균매수가(순매수 거래대금을 순매수 거래량으로 나눈 금액)는 5만 4000원 수준(5만 3796원)이다. 외국인 투자자는 같은 기간 삼성전자 주식 2조 4852억원어치를 순매도했다. 주가가 부진의 늪에서 벗어나지 못하자 삼성전자는 대규모 자사주 매입 카드를 꺼냈다. 지난 15일 주주가치 제고를 위해 10조원 규모의 자사주를 향후 1년 이내에 분할 매입하겠다는 계획을 발표했다. 삼성전자는 15일 장 마감 이후 이 중 3조원을 3개월 이내에 매입해 전량 소각하겠다고 했다. 기업이 자사주를 매입·소각하면 유통 주식 수가 줄어 주가가 오른다. 올해 삼성전자 임원들도 자사주를 대거 사들였다. 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 올해 들어 삼성전자에서 등기임원인 사내외 이사와 미등기임원 등 임원 총 60명이 자사주(보통주와 우선주 포함) 총 23만 2386주, 총 157억 7705만원어치를 취득했다.

SK하이닉스와 삼성전자가 17일(현지시간)부터 엿새간 미국 애틀랜타에서 열리는 ‘슈퍼컴퓨팅 2024’(SC 2024) 콘퍼런스에 참가해 인공지능(AI) 메모리 기술을 선보인다. 이번 행사엔 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 기조연설이 예정돼 있어 국내 기업의 주요 임원들도 현장에 참석할 것으로 전망된다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난해 이어 올해도 SC 2024에 참석해 최신 고대역폭메모리 HBM3E와 DDR5, 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD), 생성형 AI 가속기 AiMX 등 고성능컴퓨팅(HPC) 및 AI 시장을 주도하는 최첨단 솔루션을 소개한다. AiM은 메모리 내에서 일부 연산을 수행해 기존 메모리 대비 높은 대역폭과 우수한 에너지 효율성을 보이는데, SK하이닉스의 AiMX는 GDDR6-AiM 칩을 사용해서 ‘대규모 언어 모델(LLM)’에 특화된 AI가속기 카드 제품이다. 지난해 해당 행사에 참석하지 않았던 삼성전자는 올해 HBM3E와 CXL 기술을 기반으로 한 메모리 제품 CMM-D(CXL 메모리 모듈-D램), 8세대 V낸드 기반 PCle 5.0 등을 전시할 예정이다. CXL은 AI 시대에 급격히 증가하는 대용량 요구를 효율적으로 해결할 수 있는 방법의 하나로 주목받고 있는 기술이다. SC 콘퍼런스는 미국 컴퓨터학회(ACM)와 국제전기전자공학회(IEEE) 컴퓨터학회가 1988년부터 개최하는 연례행사로, 글로벌 업계와 학회 등이 모여 HPC, 네트워킹, 스토리지, 데이터 분석 분야의 최신 기술을 공유하는 자리다. 이번 행사엔 미국 메모리 업체 마이크론과 마이크로소프트, 구글 클라우드, 인텔, IBM, AWS(아마존웹서비스), 델, 시스코, 레노버 등 345개 기업이 대거 참가한다. 행사 2일차인 18일에는 AI 시장의 ‘큰손’ 엔비디아를 이끄는 젠슨 황 CEO가 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일 및 HPC부문 부사장과 함께 ‘과학 컴퓨팅의 최신 혁신’을 주제로 발표할 예정이다.

SK하이닉스가 내년에도 고대역폭 메모리(HBM) 부문에서 우위를 유지할 수 있을 것이라는 전망이 나왔다. 삼성전자는 인공지능(AI)과 HBM 부문에서 기술격차를 좁혀가고 있지만, SK하이닉스를 따라잡으려면 시간이 걸릴 수 있을 것으로 평가됐다. 12일 블룸버그 산하 연구기관인 블룸버그인텔리전스(BI)에 따르면 BI의 서실리아 찬 애널리스트는 이날 보고서를 통해 SK하이닉스 생산 물량이 내년까지 완판된 상태라면서 향후 12개월간 HBM 부문에서 정상에 머무를 것으로 봤다. 보고서는 경쟁업체 마이크론 추정치를 인용해 SK하이닉스의 HBM 부문 매출이 지난해 40억 달러(약 5조 6000억원)에서 내년 250억 달러(약 35조원) 이상으로 늘어날 가능성이 있다고 전했다. 또 DDR5를 비롯한 고성능 D램이 대형 데이터센터들에 사용되는 만큼, 이 역시 SK하이닉스의 매출에 기여할 수 있다고 봤다. 보고서는 SK하이닉스의 상각 전 영업이익(EBITDA)이 올해 500% 이상 증가한 데 이어 내년에도 36% 늘어날 것으로 예상했다. 보고서는 또 “삼성전자가 HBM 부문에서 따라잡는 시기가 2025년은 아닐 것”이라고 내다봤다. 삼성전자의 HBM3E가 주요 고객사인 엔비디아의 품질 테스트를 통과한 것으로 전해지지만 HBM 부문에서 SK하이닉스의 주도권에 도전할 가능성은 작다고 평가했다. SK하이닉스의 HBM3E 수율(생산품 대비 정상품 비율)이 80%에 근접하고, 대규모 설비투자 및 엔비디아와 SK하이닉스의 견고한 관계 등도 고려할 필요가 있다는 것이다. 삼성전자의 내년 EBITDA 증가율은 24%로 추정됐다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 5세대 HBM인 HBM3E에 대해 “현재 HBM3E 8단·12단 모두 양산 판매 중”이라면서 “주요 고객사 품질 테스트 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝힌 바 있다. 한편 보고서는 내년도 D램 과잉 공급에 대한 일각의 우려에 대해서는 과도한 측면이 있다면서, HBM에 대한 강력한 수요가 일시적인 과잉 공급을 상쇄할 수 있을 것으로 기대했다. HBM에 들어가는 웨이퍼는 표준형 D램의 3배 정도이며, 영업이익도 HBM(53%)이 표준형 D램(34%)보다 많은 것으로 추정된다는 것이다. 이밖에 보고서는 반도체 분야에서 미국의 대중국 규제 강화 우려 속에 SK하이닉스 주가가 7월 고점 대비 20% 넘게 빠진 상태지만, 이러한 규제가 HBM 공급에 미치는 영향은 제한적일 것으로 예상했다. SK하이닉스의 HBM3·HBM3E 등은 주로 엔비디아의 고사양 칩에 사용되는데 이는 이미 중국 판매가 금지된 상태다.

천안3산단에 반도체 패키징 공정 증설 2027년부터 AI 칩 등 사용 HBM 생산“글로벌 반도체 시장 주도권 확보 기대” 삼성전자가 인공지능(AI)에 사용하는 HBM 생산 등을 위해 2027년까지 충남 천안에 최첨단 반도체 패키징 공정을 증설한다. 충남도와 천안시는 삼성전자가 글로벌 최첨단 반도체 시장의 주도권 확보를 위해 행·재정적 지원에 나선다. 김태흠 충남지사와 박상돈 천안시장, 남석우 삼성전자 사장은 12일 도청사에서 투자양해각서(MOU)를 체결했다. 양해각서에 따르면 삼성전자는 다음 달부터 2027년 12월까지 천안제3일반산업단지 삼성디스플레이 28만㎡ 용지 내 반도체 패키징 공정 설비를 설치하고 HBM 등을 생산할 계획이다. 투자 금액은 보완 등의 이유로 이날 공개하지 않았다. 후공정으로 불리는 패키징은 반도체 제조 마지막 단계다. 웨이퍼의 반도체 칩들을 낱개로 자른 후, 칩 외부 시스템과 신호를 주고받을 수 있도록 전기적으로 연결하고 외부 환경으로부터 칩을 보호하는 작업이다. HBM은 AI의 방대한 데이터를 효율적으로 처리하기 위한 초고속 D램으로, 데이터센터·슈퍼컴퓨터 등에 사용된다. 김태흠 지사는 “반도체 산업은 국가 경제의 핵심이자, 기술 패권 경쟁이 치열한 상황”이라며 “삼성전자가 이번 투자로 글로벌 반도체 시장 주도권을 확보하고, 반도체 강국 대한민국 위상을 공고히 할 것”이라고 강조했다. 박상돈 시장은 “삼성전자의 이번 투자는 천안시가 반도체 산업 중심 도시로 성장하는 중요한 계기가 될 것”이라며 “삼성전자 투자가 성공적으로 진행될 수 있도록 행·재정적 지원을 아끼지 않겠다”고 말했다.

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 미국 정부의 명령에 따라 중국 기업에 공급하던 인공지능(AI) 반도체 생산을 중단한다. 미국의 전방위적 제재를 받는 중국 반도체 회사 화웨이가 이론적으로 제작이 불가능한 7나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 제품을 내놓은 데 따른 조치다. 도널드 트럼프 미 대통령 당선인이 취임하면 중국 반도체 산업을 더 강하게 압박할 것으로 보이는 만큼 중국에서 첨단 반도체 제조 공장을 운영하는 삼성전자와 SK하이닉스에 불똥이 튈 우려가 나온다. 로이터통신은 9일(현지시간) “미 상무부가 AI 가속기나 그래픽처리장치(GPU) 가동에 사용되는 7㎚ 이하 첨단 반도체 대중 수출 제한을 골자로 한 공문을 TSMC로 보냈다”고 전했다. 전날 파이낸셜타임스(FT)도 소식통의 말을 인용해 “TSMC가 중국 고객사에 ‘11일부터 7㎚ 이하 반도체 주문을 받지 않겠다’고 통보했다”고 전했다. 앞으로 TSMC가 중국 업체에 첨단 반도체를 공급하려면 미국의 별도 승인을 얻어야 한다고 FT는 덧붙였다. 로이터와 FT 보도를 종합하면 이번 결정의 배경에 조 바이든 미 행정부의 명령이 있었던 것으로 보인다. 아직까지 미 상무부는 언론 보도에 별다른 입장을 밝히지 않고 있다. TSMC도 “모든 규정을 지키기 위해 노력하고 있다”고 원론적 입장만 내놨다. 미 정부는 트럼프 행정부 시절인 2020년 국가안보 우려를 이유로 화웨이가 미국산 장비로 제작된 반도체를 구매하지 못하게 했다. 이 때문에 화웨이는 첨단 반도체 직접 제조뿐 아니라 해외 수입도 불가능한 상태다. 그런데 2022년 독자 AI 가속기 어센드 910B를 출시했다. 미국 엔비디아가 생산하는 중국 전용 저사양 가속기 H20과 경쟁하는 제품인데, 미국의 제재 상황에서는 만들 수 없는 첨단 미세공정 기술이 탑재됐다. 이에 캐나다 반도체 조사회사 테크인사이츠가 어센드 910B를 분해해 살펴보니 TSMC가 7㎚ 공정으로 제조한 반도체가 들어 있다는 사실을 확인했다. 미국의 화웨이 제재에 ‘구멍’이 생긴 것이다. 바이든 행정부는 중국의 다른 반도체 회사가 TSMC에 주문을 내 제품을 받은 뒤 이를 화웨이에 전달한 것으로 본다. 그래서 미 상무부가 화웨이의 ‘대리 주문’까지 차단하고자 첨단 반도체 공급 금지 대상을 중국 기업 전체로 넓힌 것이다. 이번 조치를 두고 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “바이든 행정부에서 트럼프 행정부로 바뀌어도 미국의 중국 압박과 규제는 큰 차이가 없다는 걸 보여 줬다”면서 “앞으로 AI 반도체가 진화해 군사용으로 활용될 것이기에 (미국과 패권 경쟁 중인) 중국에 대한 견제가 심할 수밖에 없다”고 분석했다. 연장선상에서 중국에 반도체 제조 공장이 있는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체들의 생산성 차질 가능성도 제기된다. 이들 기업은 미 상무부로부터 ‘검증된 최종 사용자’(VEU) 자격을 받아 중국 현지 공장에 첨단 반도체 장비를 설치할 수 있다. 그러나 미 대선에서 야당 후보인 트럼프 전 대통령이 당선된 이상 현 정책 기조가 계속 유지될 것이라는 보장이 없다. 현재 삼성전자 산시성 시안공장은 자사 전체 낸드플래시 반도체 생산의 28%, SK하이닉스의 장쑤성 우시 공장은 전체 D램의 41%, 랴오닝성 다롄 공장은 낸드 생산의 31%를 차지한다. 트럼프 행정부가 한국 기업에 VEU 자격을 연장해 주지 않으면 앞으로 중국에서 첨단 제품 생산이 어려워져 경쟁력 악화가 불가피할 것으로 전망된다.

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 미국 정부의 명령에 따라 중국 기업에 공급하던 인공지능(AI) 반도체 생산을 중단한다. 미국의 전방위적 제재를 받는 중국 반도체 회사 화웨이가 이론적으로 제작이 불가능한 7나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 제품을 내놓은 데 따른 조치다. 도널드 트럼프 미 대통령 당선인이 취임하면 중국 반도체 산업을 더 강하게 압박할 것으로 보이는 만큼 중국에서 첨단 반도체 제조 공장을 운영하는 삼성전자와 SK하이닉스에 불똥이 튈 우려가 나온다. 로이터통신은 9일(현지시간) “미 상무부가 AI 가속기나 그래픽처리장치(GPU) 가동에 사용되는 7㎚ 이하 첨단 반도체 대중 수출 제한을 골자로 한 공문을 TSMC로 보냈다”고 전했다. 전날 파이낸셜타임스(FT)도 소식통의 말을 인용해 “TSMC가 중국 고객사에 ‘11일부터 7㎚ 이하 반도체 주문을 받지 않겠다’고 통보했다”고 전했다. 앞으로 TSMC가 중국 업체에 첨단 반도체를 공급하려면 미국의 별도 승인을 얻어야 한다고 FT는 덧붙였다. 로이터와 FT 보도를 종합하면 이번 결정의 배경에 조 바이든 미 행정부의 명령이 있었던 것으로 보인다. 아직까지 미 상무부는 언론 보도에 별다른 입장을 밝히지 않고 있다. TSMC도 “수출 통제를 포함해 모든 규정을 지키기 위해 노력하고 있다”고 원론적 입장만 내놨다. 미 정부는 트럼프 행정부 시절인 2020년 국가안보 우려를 이유로 화웨이가 미국산 장비로 제작된 반도체를 구매하지 못하게 했다. 이 때문에 화웨이는 첨단 반도체 직접 제조뿐 아니라 해외 수입도 불가능한 상태다. 그런데 화웨이는 2022년 독자 AI 가속기 어센드 910B를 출시했다. 미국 엔비디아가 미국의 규제에 맞춰 생산한 중국 전용 저사양 가속기 H20과 경쟁하는 제품인데, 미국의 제재 상황에서는 만들 수 없는 첨단 미세공정 기술이 탑재됐다. 이에 캐나다 반도체 조사회사 테크인사이츠가 최근 어센드 910B를 분해해 살펴보니 TSMC가 7㎚ 공정으로 제조한 반도체가 들어 있었다는 사실을 확인했다. 미국의 화웨이 제재에 ‘구멍’이 생긴 것이다. 바이든 행정부는 중국의 다른 반도체 회사가 TSMC에 주문을 내 제품을 받은 뒤 이를 화웨이에 전달한 것으로 본다. 그래서 미 상무부가 화웨이의 ‘대리 주문’까지 차단하고자 첨단 반도체 공급 금지 대상을 중국 기업 전체로 넓힌 것이다. 이번 조치를 두고 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “바이든 행정부에서 트럼프 행정부로 바뀌어도 미국의 중국 압박과 규제는 큰 차이가 없다는 걸 보여줬다”면서 “앞으로 AI 반도체가 진화해 군사용으로 활용될 것이기에 (미국과 패권 경쟁 중인) 중국에 대한 견제가 심할 수밖에 없다”고 분석했다. 연장선상에서 중국에 반도체 제조 공장이 있는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체들의 생산성 차질 가능성도 제기된다. 이들 기업은 미 상무부로부터 ‘검증된 최종 사용자’(VEU) 자격을 받아 중국 현지 공장에 첨단 반도체 장비를 설치할 수 있다. 그러나 미 대선에서 야당 후보인 트럼프 전 대통령이 당선된 이상 현 정책 기조가 계속 유지될 것이라는 보장이 없다. 현재 삼성전자 산시성 시안공장은 자사 전체 낸드플래시 반도체 생산의 28%, SK하이닉스의 장쑤성 우시 공장은 전체 D램의 41%, 랴오닝성 다롄 공장은 낸드 생산의 31%를 차지한다. 트럼프 행정부가 한국 기업에 VEU 자격을 연장해 주지 않으면 앞으로 중국에서 첨단 제품 생산이 어려워져 경쟁력 악화가 불가피할 것으로 전망된다.

삼성전자가 주력 사업인 반도체 부문에서 시장 예상치를 훨씬 하회하는 실적을 냈으나, 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품의 엔비디아 납품 임박을 시사하며 위기론 불식에 나섰다. 삼성전자는 31일 공시를 통해 올해 3분기 매출 79조 987억원, 영업이익 9조 1834억원의 확정 실적을 발표했다. 매출은 지난해 같은 기간 대비 17.35% 증가하며 역대 최대치를 경신했고 영업이익은 같은 기간 대비 277.37% 증가했지만 시장 전망치보단 10%가량 낮았다. 순이익은 10조 1009억원으로 72.84% 늘었다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 영업이익이 3조 8600억원으로 시장의 예상을 크게 하회했다. 시장 전망치는 잠정 실적 발표 후 4조 2000억원 안팎으로 떨어졌으나 실제론 여기에도 미치지 못한 것이다. PC와 모바일 수요 회복 지연에 따른 재고 조정과 중국산 범용 D램 물량 확대로 가격 하락 압박이 커진 데다 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM 공급이 지연된 탓이다. 다만 성과급 등 일회성 비용과 파운드리(반도체 위탁생산)·시스템LSI 사업부의 적자폭이 1조원 중후반대로 추정되는 점을 감안하면 메모리 사업부의 이익은 최대 7조원에 육박해 선방한 것으로 보인다. 삼성전자는 “DS 부문의 일회성 비용은 전사 영업이익과 시장 컨센서스의 차이보다 더 큰 규모였다”고 설명했다. 이날 삼성전자는 회사 위기설의 핵심인 HBM 공급 지연을 일축하듯 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중이며 주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다”고 밝혔다. 그러면서 “4분기 중 판매 확대가 가능할 것”이라고 했다. AI 반도체 시장을 주도하고 있는 엔비디아 납품이 임박했음을 알린 것이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 글로벌 HBM 수요는 엔비디아(58%), 구글(18%), AMD(8%), AWS(5%) 등에서 발생하고 있다. 이날 삼성전자에 따르면 자사 HBM 사업에서 HBM3E의 비중은 올 3분기 10% 초중반까지 증가했으며, 4분기엔 50% 정도를 기록할 전망이다. 설비투자는 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 집중할 예정이다. 올 3분기 삼성전자의 시설투자 금액은 전 분기 대비 3000억원 증가한 12조 4000억원으로 이 중 10조 7000억원이 DS 부문에서 발생했다. 올해 연간 시설투자 금액은 지난해 대비 3조 6000억원 증가한 56조 7000억원으로 전망했는데, 부문별로는 DS 부문이 47조 9000억원, 디스플레이가 5조 6000억원이다. 삼성전자는 “메모리는 시황과 연계된 탄력적 설비투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정”이라고 밝혔다. 삼성전자의 모바일경험(MX) 사업부의 경우 올 3분기에 좋은 실적을 내면서 전사 실적의 버팀목이 됐다는 평가다. 올 3분기 MX의 매출은 약 29조 9800억원으로 전 분기 대비 13% 개선됐다. MX와 네트워크사업부(NW) 합산 영업이익은 2조 8200억원으로 같은 기간 5900억원 증가했다. 올 3분기 갤럭시Z 폴드6·플립6와 웨어러블 신제품 등을 출시한 효과가 반영됐다는 설명이다. 한편 이날 삼성전자의 HBM 청사진이 공개되면서 주가는 장중 6만원 선을 터치했다. 반면 독점적 지위가 흔들릴 가능성이 대두된 SK하이닉스는 전일 대비 4.46% 급락하며 거래를 마쳤다.

중국 정부가 반(反)간첩법 위반 혐의로 구속했다고 최근 확인한 50대 한국 교민의 딸은 “아버지가 중국 당국이 문제로 삼을 만한 비밀에 접근할 위치에 있지 않았다”고 밝혔다. 30일 연합뉴스에 따르면 중국 반도체 업체에서 근무하다 구속된 A씨의 딸은 “지난해 12월 18일 연행 당시부터 중국 측은 사건이 외부로 유출되거나 언론을 통해 공론화되면 아버지 사건에 불리하게 작용하게 될 것이라고 했다”고 말했다. A씨는 지난해 12월 중국 동부 안후이성 허페이시 자택에서 잠옷 바람으로 중국 국가안전부 직원에 연행됐으며, 지난 5월 정식 구속돼 구치소에 수감됐다. 중국 수사 당국은 창신메모리테크놀로지(CXMT)에서 근무한 A씨가 반도체 관련 정보를 한국으로 유출했다고 의심하는 것으로 알려졌다. 중국이 지난해 7월 간첩 혐의 적용 범위를 확대한 개정 반간첩법을 시행한 이후 이 법을 한국인에게 적용한 것은 처음이다. “프로젝트 지원해준 정도…회의 참여도 안해”첫 직장인 삼성전자 반도체 부문에서 20년 넘게 일한 A씨는 과장 직함으로 삼성을 떠났다. 이후 한국에서 구직하다 여의치 않자 2016년 10월 지인 소개로 중국 CXMT에 입사한 것으로 전해졌다. A씨는 4년여 동안 CXMT에서 근무했는데, 2020년 많은 한국 직원과 함께 권고사직을 당했다. 그 뒤로는 중국 내 다른 반도체 업체 두 군데에서 일했다. A씨 가족은 반간첩법 혐의에 대해 수긍하지 못하고 있다. A씨 딸은 “(CXMT에서) 같이 근무한 분이 당시 프로젝트 권한은 대만인들이 주로 갖고 있었고, 한국인은 그 프로젝트를 옆에서 서포트(지원)해주는 일 정도였기 때문에 (A씨가) 입사 후 그렇게 많은 일을 하지 않았다고까지 이야기했다”며 “회의도 당시 CXMT에 재직한 상무들이 했고, 아버지에게는 자료를 공유하지 않았다고 들었다”고 했다. “사건 알려지면 안 된다고…편지로만 연락”가족들은 A씨가 연행된 뒤로 전언을 통해서만 그의 생사를 확인할 수 있었다. A씨가 한 호텔에서 조사받고 있다는 통보만 들었을 뿐 그 호텔이 어디인지는 알 수 없었고, 구치소에 수감된 뒤로도 드문드문 편지로 연락할 수밖에 없었다. 사건 자료를 열람한 중국 변호사는 “중국 법상 사건 내용을 가족을 포함한 제3자에게 알릴 수 없다”고 말했다고 한다. A씨 부인도 올 3월 참고인 조사를 받았다. A씨 딸은 “올해 3월 어머니 참고인 조사 때는 ‘(사건이 알려지면) 절차대로가 아니라 더 엄중하게 사법처리하겠다’고도 했다”고 전했다. 韓측 CXMT 기술 유출 사건 수사와 맞물려가족은 A씨의 구속 배경엔 한국에도 반간첩법을 적용하려는 중국의 의도가 깔려 있다고 의심한다. 실제로 A씨가 중국 당국에 연행된 시점은 한국 검찰이 CXMT 기술 유출 사건을 수사한 때와 맞물린다. 한국 검찰은 지난해 12월 전직 삼성전자 부장 김모씨가 2016년 갓 설립된 CXMT로 이직하면서 국가 핵심 기술인 삼성의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출한 것으로 파악하고 김씨를 구속했다. 한국 언론의 이목을 끈 김씨의 구속은 12월 15일 이뤄졌고, 사흘 뒤 중국 당국은 A씨를 연행했다. A씨의 딸은 연행 이후 1년 가까이 흐른 지금 사건을 알리기로 한 이유에 대해 “중국의 압박이 지속적으로 있었기 때문에 고민이 많았다”면서 “긴 시간이 지날 동안 한국 당국은 가족들에게 외교적 조치·노력에 관해 설명해준 게 없었다. 더 공론화가 늦어지면 그대로 재판이 진행될 것을 우려했다”고 했다. 中외교부 “법에 따라 위법 적발” 한편 린젠 중국 외교부 대변인은 29일 브리핑에서 “이 한국 공민(시민)은 간첩죄 혐의로 중국 관련 당국에 의해 체포됐다”며 “관련 부문은 주중 한국대사관에 영사 통보를 진행했고, 대사관 영사 관원 직무에 필요한 편의를 제공했다”고 말했다. 그러면서 “중국은 법치 국가로, 법에 따라 위법한 범죄 활동을 적발했고, 동시에 당사자의 각 합법적 권리를 보장했다”며 ‘법에 따른 체포’라는 입장을 밝혔다.

3분기 선택·집중 영업익 40% 넘어AI 강세에 HBM 매출 70% 급등‘HBM 주도권’ 4분기도 승승장구증권가 “삼성 영업익 4조대 추정” 고대역폭 메모리(HBM) 주도권을 쥔 SK하이닉스는 3분기 매출, 영업이익, 순이익 모두 사상 최대 실적을 올렸다. 고부가가치 제품 중심으로 선택과 집중을 하면서 영업이익률은 40%를 넘었다. HBM 개발 과정에서 어려움을 겪었지만 절치부심하며 기술력을 끌어올린 게 결국 위기 후 찾아온 기회를 잡도록 했다. 4조원대로 추정되는 3분기 삼성전자 반도체 부문 영업이익을 넉넉히 추월하면서 국내 반도체 생산 ‘만년 2위’ 딱지도 벗어던졌다. 이 흐름이라면 4분기 최대 실적 기록도 다시 쓸 것으로 전망된다. ●SK하이닉스 4분기도 1위 자리 예약 SK하이닉스는 연결 기준 3분기 매출과 영업이익이 각각 17조 5731억원, 7조 300억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 분기 기준 역대 최대 실적을 기록한 지난 2분기 16조 4233억원보다 1조원 이상 많다. 영업이익은 반도체 초호황기였던 2018년 3분기(6조 4724억원) 기록을 크게 뛰어넘었다. 순이익은 5조 7534억원으로 집계됐다. 회사 측은 고부가가치 제품 위주로 판매가 늘며 D램과 낸드 모두 평균판매단가(ASP)가 직전 분기 대비 10% 중반대로 오른 게 사상 최대 영업이익을 거둔 배경이라고 설명했다. 인공지능(AI) 메모리 수요 강세가 지속돼 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상 늘었다. 전체 D램 매출의 30%에 달한 HBM 매출 비중이 4분기 40%로 커질 것으로 전망되면서 4분기 실적 기대감도 커졌다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 SK하이닉스 4분기 영업이익 컨센서스(증권사 전망치 평균)는 7조 9460억원이다. 지난달 양산에 들어간 5세대 HBM3E 12단 제품도 4분기 내 고객사에 공급될 예정이다. SK하이닉스는 시장 수요가 늘고 있는 고용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)를 앞세워 낸드 사업의 수익성을 끌어올린다는 계획이다. 3분기 낸드 매출 비중에서 eSSD는 60% 이상을 차지했다. ●“최태원 반도체 뚝심 투자 통했다” 삼성전자의 3분기 부문별 상세 실적은 오는 31일 공개되지만 영업이익 기준으로 SK하이닉스가 삼성전자 반도체(디바이스솔루션·DS) 부문을 따돌렸을 것으로 관측된다. 한화투자증권 김광진 연구원은 지난 8일 3분기 삼성전자 잠정실적 발표 당시 DS부문이 3분기 4조 4000억원의 영업이익을 기록했을 것으로 추정했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기에도 2조 8860억원의 영업이익을 올려 삼성전자 DS부문 영업이익(1조 9100억원)을 넘어섰다. 두 기업이 흑자를 낸 분기 기준으로 보면 SK하이닉스의 두 번째 ‘역전’이다. 다만 삼성전자는 파운드리(위탁 생산)와 시스템LSI 사업부의 조 단위 적자, 성과급 충당금 등 일회성 비용이 DS부문 영업이익을 깎아 먹은 측면도 있다. SK하이닉스가 HBM을 세상에 내놓은 건 2013년 12월의 일이다. 2009년부터 고성능 메모리 수요에 대비해 HBM 개발에 나섰고 4년간의 개발 과정을 거쳐 1세대 HBM을 선보였다. 2012년 채권단 관리에서 벗어나 SK그룹에 인수된 SK하이닉스는 연구개발(R&D) 등에 대규모 투자 비용을 쏟아부었다. 당시 그룹 내 반대에도 반도체 산업의 성장 가능성을 확인하고 대대적 투자를 밀어붙인 최태원 SK그룹 회장의 ‘뚝심’이 통했다는 평가가 나온다. ●SK하이닉스 1%↑… 삼성은 또 최저가 SK하이닉스는 2세대 HBM 개발 과정에서는 삼성전자에 선두를 뺏겼지만 2019년 3세대 HBM2E를 가장 먼저 개발하면서 주도권을 되찾아왔다. 이 시기 삼성전자는 HBM 시장성이 크지 않다고 판단하고 개발 인력을 축소한 것으로 전해진다. 당시 경영진의 판단 미스가 AI 시대 경쟁력 저하로 이어진 셈이다. 일부 인력이 SK하이닉스 쪽으로 넘어간 것으로 알려졌지만 박명재 SK하이닉스 부사장은 지난 6월 자사 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM 설계 조직에 들어온 경쟁사 인력은 한 명도 없다”며 자체 기술로 개발했음을 강조했다. SK하이닉스의 최전성기가 내년에도 이어질지에 대해선 회의적인 시각도 있지만 회사 측은 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 “현시점에서 AI 반도체나 HBM의 수요 둔화를 거론하는 것은 시기상조”라고 밝혔다. 그러면서 “내년에도 (HBM) 공급보다는 수요가 강한 상황이 지속될 것으로 전망한다”고 덧붙였다. 차세대 HBM인 HBM4에 대해서는 예정대로 내년 하반기 고객 출하를 목표로 개발 중이라고 했다. 이날 SK하이닉스 주가는 직전 거래일 대비 1.12% 오른 19만 8200원에 거래를 마쳤다. 반면 삼성전자는 4.23% 내린 5만 6600원에 장을 마감하며 지난해 1월 3일(5만 5400원) 이후 1년 9개월 만에 최저치를 기록했다. 외국인이 역대 최장인 32거래일 연속 순매도 행진을 이어 갔다.

인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM) 시장 주도권을 쥐고 있는 SK하이닉스가 분기 기준 영업이익 7조 시대를 열었다. SK하이닉스는 3분기 매출과 영업이익이 각각 17조 5731억원, 7조 300억원으로 잠정 집계됐다고 24일 공시했다. 이는 분기 기준 사상 최대 실적으로, 매출은 지난 2분기 16조 4233억원을 1조원 이상 넘었다. 영업이익도 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기(영업이익 6조 4724억원)의 기록을 크게 뛰어 넘었다. SK하이닉스는 “데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐다”면서 “HBM, eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 최대 매출을 달성했다”고 밝혔다. 이어 “HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다”고 덧붙였다. D램, 낸드 모두 평균판매단가(ASP)가 전 분기 대비 10%대 중반으로 오른 것도 창립 이래 최대 규모 영업이익을 올린 배경이다. AI 서버용 메모리에 비해 수요 회복이 더뎠던 PC와 모바일용 제품 시장도 각 기기에 최적화된 AI 메모리가 출시되면서 안정적인 성장세에 접어들 것으로 SK하이닉스는 내다봤다. 지난달 양산에 들어간 HBM3E 12단 제품의 공급도 4분기 중 예정대로 시작할 계획이다. 회사 측은 3분기 전체 D램 매출의 30%에 달했던 HBM 매출 비중은 4분기 40%에 이를 것으로 전망했다. SK하이닉스 김우현 부사장(최고재무책임자·CFO)은 “앞으로도 시장 수요에 맞춰 제품 및 공급 전략을 유연하게 가져가 안정적인 매출을 확보하면서도 수익성을 극대화해 나갈 것”이라고 말했다.

윤종용(80) 전 삼성전자 대표이사 부회장이 22일 대구경북과학기술원(DGIST)에서 명예 이학박사 학위를 받았다. 2004년 창립된 DGIST는 개교 이래 첫 명예박사 학위를 윤 전 부회장에게 수여했다. 이에 따라 윤 전 부회장은 경북대 명예 공학박사, 영남대 명예 철학박사, 한양대 명예 경영학박사를 포함해 총 4개의 명예박사 학위를 갖게 됐다. 윤 전 부회장은 2004년 DGIST 초대 이사장으로 임명돼 2017년까지 과학기술 인재 양성과 혁신적 연구 환경 구축에 헌신해 DGIST를 세계적인 연구·교육기관으로 성장시킨 공로를 인정받았다. 윤 전 부회장은 1966년 삼성그룹에 입사해 삼성전자 전자부문 부사장, 대표이사 사장 및 부회장 등을 역임하며 반도체, 디스플레이, 이동통신 분야에서 핵심 기술 개발과 경영 혁신을 이끌었다. D램과 플래시 메모리 개발을 주도해 한국을 세계 1위의 반도체 강국으로 성장시키는 데 중요한 역할을 했다. 이날 명예박사 학위를 받은 윤 전 부회장은 “초대 이사장으로서 각별하게 생각해 온 DGIST에서 명예박사 학위를 받게 돼 큰 영광”이라고 소감을 밝혔다.