삼성전자가 PC·노트북 D램 시장의 새로운 폼팩터(제품구조)를 제시할 차세대 모듈 ‘LPCAMM(저전력 LP모듈)’을 업계 최초로 개발했다. 메모리 반도체 불황기에도 ‘흔들리지 않는 투자’를 강조해온 삼성전자는 시장 반등기에 또 한번 초격차 제품을 앞세워 시장 점유율에서 더욱 빠르게 치고 나갈 것으로 전망된다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품은 LPDDR(저전력 더블데이터레이트) D램 기반의 7.5Gbps 성능으로, 이 모듈을 사용하면 기존보다 PC나 노트북의 두께를 크게 줄일 수 있다. 기존 PC나 노트북에는 LPDDR 패키지 제품을 메인보드에 직접 탑재한 온보드 방식과 DDR 기반 모듈 형태를 따르고 있다. 온보드 방식은 소형화·저전력 등의 장점이 있지만 메인보드에 직접 탑재돼 교체가 어렵고, DDR 기반 모듈은 전송 속도와 공간 효율화 등에서 물리적 한계가 있다.이에 삼성전자는 LPDDR을 모듈에 탑재해 고성능·저전력을 구현하면서 동시에 탈부착이 가능한 새 모듈을 만들었다. 제품 형태 측면에서는 내부 구성의 유연성을 확보고, 사용자의 모듈 교체 및 업그레이드 등 편의성이 향상된다. 성능 측면에서는 기존 모듈 대비 최대 50%, 전력효율은 최대 70% 높였다. 업계에서는 삼성전자의 신형 모듈이 슬림화 경쟁이 치열해지고 있는 노트북 시장의 판도를 바꿀 ‘게임 체인저’가 될 것이라는 기대감이 나온다. 노트북이 갈수록 얇고 가벼워짐에 따라 노트북 시장에서 초슬림 노트북이 차지하는 비중은 올해 64%에서 2027년 88%로, 연평균 약 14%씩 증가할 전망이다. 삼성전자는 인텔 플랫폼에서 7.5Gbps LPCAMM 동작 검증을 마쳤으며, 2024년 상용화를 위해 연내 인텔을 포함한 주요 고객사와 차세대 시스템에서 검증할 예정이다. 올해 1분기 기준 저전력 D램 시장점유율 1위(57.6%)를 유지하고 있는 삼성전자는 신규 모듈 공급 확대로 2위 SK하이닉스(18.8%), 3위 마이크론(17.9%) 등 경쟁사와의 격차를 더욱 벌려나간다는 전략이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “다양한 분야에 걸쳐 고성능, 저전력, 제조 융통성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM은 PC·노트북과 데이터센터 등으로 점차 응용처가 늘어날 전망”이라며 “앞으로 삼성전자는 시장 확대 기회를 적극 타진해 신규 시장을 개척하여 메모리 산업을 이끌어 갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 혁신적인 기술을 통해 고객이 더욱 풍요로운 일상을 즐길 수 있도록 ‘DX 부문’과 ‘DS 부문’으로 나눠 새로운 가치와 가능성을 추진한다고 26일 밝혔다. 먼저 DX 부문은 미래 시장과 라이프스타일을 창출하기 위한 노력을 확대한다. 이를 위해 IT 기술로 일상이 더욱 풍요로워지는 ‘캄테크’(Calm Tech) 비전을 구체화한다는 계획이다. 구체적으로 ‘갤럭시 Z 플립’은 혁신적인 디자인과 더 많은 맞춤형 기능을 갖춘 ‘갤럭시 Z 플립5’로 돌아왔다. 가장 도드라지는 특징은 전작 대비 3.78배 커진 커버 디스플레이 ‘플렉스 윈도우’(Flex Window)다. 넓어진 화면만큼 취향을 투영하는 공간이 확장되고 사용성 또한 향상됐다. 플렉스 윈도우를 활용하면 스마트폰을 열지 않고도 날씨, 주식시장 정보, 미디어 재생까지 많은 것들을 손쉽게 확인하고 제어할 수 있다. 지난 1월 ‘CES 2023’에서 공개된 ‘스마트싱스 스테이션’은 사용자들이 평소에 자주 사용하는 무선 충전 기능과 폰 찾기 기능을 추가함으로써 제품 활용성을 높이고, 제품과 사용자가 더욱 친해질 수 있도록 했다. 스마트싱스 스테이션은 다양한 제품을 한 번에 연결하고 제어할 수 있는 스마트홈 허브다. 사용자들이 평소에 자주 사용하는 무선 충전 기능과 폰 찾기 기능을 추가함으로써 제품 활용성을 높이고, 제품과 사용자가 더욱 친해질 수 있도록 했다. 삼성전자 DS 부문은 사업 특성에 맞게 전략을 수립해 지속적으로 반도체 시장을 주도한다는 계획이다. 구체적으로 ‘32Gbps GDDR7 D램’을 업계 최초로 개발했다. 32Gbps GDDR7 D램은 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 연내 검증이 시작될 예정이다. 이 제품은 한층 향상된 고성능·저전력 특성을 갖춘 16Gb 제품으로, 기존 대비 데이터 처리 속도는 1.4배, 전력 효율은 20% 향상됐다. 또한 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30Gb 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128Gb CXL D램도 개발했다. CXL D램은 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 인공지능, 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다.

반도체 대장주 삼성전자 주가가 연이틀 60만원대로 주저앉았다. 20일 한국거래소에 따르면 코스피시장에서 삼성전자는 전 거래일 대비 0.29% 떨어진 6만 9600원에 장을 마쳤다. 전날 6만 9800원으로 7만원 선이 무너진 뒤 이틀 연속 ‘6만 전자’에 머물렀다. 삼성전자 주가가 6만원대를 기록한 것은 지난달 31일(6만 6900원) 이후 약 3주일 만이다. 세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC가 최근 주요 반도체 장비 업체에 제품 납품을 늦춰 달라고 통보한 사실이 알려지며 반도체 경기에 대한 우려가 확산했기 때문이다. 이 회사의 3분기 실적 부진 전망 역시 삼성전자 주가를 끌어 내렸다. 이승우 유진투자증권 연구원은 “삼성전자 3분기 영업이익은 1조 6000억원으로 시장 예상치인 3조원을 밑돌 전망”이라고 했다. 고점에 물린 뒤 주가 회복을 노리던 개미(개인투자자) 사이에서는 곡소리가 났다. 삼성전자 종목 토론방 한 투자자는 “이제 6만 전자 굳히기에 들어간 것이냐”는 글을 남겼다. 또 다른 투자자는 “‘5만 전자’만은 면해야 하는 게 아닌가”라고 한탄했다. 이달 초만 하더라도 삼성전자 주가는 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍 속에 상승세를 나타냈다. 시장에서는 ‘9만 전자’ 기대감이 부풀어 올랐다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음 달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어 올렸다. HBM은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 AI의 데이터 학습에 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 그러나 증권가는 여전히 삼성전자 주가 흐름에 낙관적이다. 3분기 실적 부진이 오히려 저점 매수 기회라는 분석이다. 박유악 키움증권 연구원은 “3분기 실적이 예상보다 부진하지만 대부분은 대규모 감산에 따른 비용 부담 때문”이라며 “오히려 현재 시점부터는 HBM 판매 확대와 메모리 가격 반등 등 사업 펀더멘털(기초 체력) 개선이 삼성전자의 주가 상승을 뒷받침하기 시작할 것”이라고 했다.

삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술을 중국 업체에 무단 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 협력사 관계자들이 무더기로 유죄를 선고받았다. 서울중앙지법 형사25-3부(부장 지귀연·박정길·박정제)는 13일 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 기소된 SK하이닉스 협력 업체 부사장 A(59)씨에게 징역 1년을 선고했다. 함께 재판에 넘겨진 직원 7명에게는 징역 8개월에서 1년 6개월에 집행유예(2년)와 벌금형을 내렸다. 해당 법인에는 벌금 4억원을 선고했다. 이들은 SK하이닉스와의 협력 관계에서 파악한 반도체 제조기술(HKMG)과 세정 레시피 등의 국가 핵심기술과 첨단기술, 영업비밀을 2018년 8월~2020년 6월 중국 반도체 업체로 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다. HKMG는 D램 반도체 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄이는 신기술로 평가받는다. 또 이들은 삼성전자 자회사인 세메스의 전직 직원으로부터 취득한 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정 장비 도면 등을 활용해 중국 수출용 반도체 세정 장비를 개발한 혐의도 받았다. 초임계 세정 장비는 세메스가 세계 최초로 개발한 반도체 세정용 화학물질이다. 재판부는 “반도체 세정 비율 등을 담은 정보인 ‘레시피’를 해외로 유출한 범행은 공정 경쟁 질서를 위협하는 것으로 죄질이 매우 좋지 않다”고 지적했다. 이어 “(반도체 세정 레시피는) SK하이닉스와 A사의 ‘공동 개발’ 결과물이 아니라 하이닉스 기술을 구현한 것이며, 레시피를 평소 몰래 수집하거나 직원이 양말에 USB를 몰래 넣어 정보를 빼내는 방식으로 취득해 국외로 유출한 혐의는 인적 네트워크 등을 이용한 부정한 정보 취득”이라고 설명했다. 특히 A씨에게 실형을 내리면서 “세메스 정보 사용에 있어 최고책임자(A씨)의 지시와 주도 없이는 그 같은 개발이 이뤄질 수 없다고 판단했다”며 “세메스 정보를 사용해 초임계 세정 장비 개발 범행에 가담한 것이 충분히 인정된다”고 밝혔다. 다만 재판부는 공동 개발 결과물인 세정 장비의 사양 정보를 알려 준 것은 계약서상 대외 발표만 금지한다는 조항이 있기에 무죄로 봤다.

“공정 경쟁 질서 위협, 죄질 좋지 않아” 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술을 중국 업체에 무단 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 협력사 관계자들이 무더기로 유죄를 선고받았다. 서울중앙지법 형사25-3부(부장 지귀연·박정길·박정제)는 13일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 기소된 SK하이닉스 협력업체 부사장 A(59)씨에게 징역 1년을 선고했다. 함께 재판에 넘겨진 직원 7명에게는 징역 8개월에서 1년 6개월에 집행유예(2년), 벌금형을 내렸다. 해당 법인에는 벌금 4억원을 선고했다. 이들은 SK하이닉스와 협력 관계에서 파악한 반도체 제조기술(HKMG)과 세정 레시피 등 국가 핵심기술과 첨단기술, 영업비밀을 2018년 8월~2020년 6월 중국 반도체 업체로 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다. HKMG는 D램 반도체 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄이는 신기술로 평가받는다. 또 이들은 삼성전자의 자회사인 세메스의 전직 직원으로부터 취득한 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정 장비 도면 등을 활용해 중국 수출용 반도체 세정 장비를 개발한 혐의도 받았다. 초임계 세정 장비는 세메스가 세계 최초로 개발한 반도체 세정용 화학물질이다. 재판부는 “반도체 세정 비율 등을 담은 정보인 ‘레시피’를 해외로 유출한 범행은 공정 경쟁 질서를 위협하는 것으로 죄질이 상당히 좋지 않다”고 지적했다. 이어 “(반도체 세정 레시피는) SK하이닉스와 A사의 ‘공동 개발’ 결과물이 아니고 하이닉스 기술을 구현한 것이며, 레시피를 평소 몰래 수집하거나 직원이 자기 양말에 USB를 몰래 넣어 정보를 빼내는 방식으로 취득해 국외로 유출한 혐의는 인적 네트워크 등을 이용한 부정한 정보 취득”이라고 설명했다. 특히 A씨에 대해 실형을 내리면서 “세메스 정보 사용에 있어 최고책임자(A씨)의 지시와 주도 없이는 그 같은 개발이 이뤄질 수 없다고 판단했다”며 “세메스 정보를 사용해 초임계 세정 장비 개발 범행에 가담한 것이 충분히 인정된다”고 설명했다. 다만 재판부는 공동 개발 결과물에 해당하는 세정 장비 사양 정보를 알려준 것은 계약서상 대외 발표만 금지한다는 조항이 있기에 무죄로 봤다.

“이건 바이든 보란 듯이 내지른 중국의 도발이자 양국의 자존심 싸움입니다. 문제는 결국 또 거대 국가 사이에 끼여 눈치를 봐야 하는 우리 기업인 거죠. 그런데 팔지도 않은 하이닉스 제품이 중국 폰에서 나오다니 참 환장할 노릇입니다.”(한국 반도체 산업 관계자)과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.최근 반도체 업계는 중국 스마트폰 제조사 화웨이가 출시한 프리미엄 스마트폰 ‘메이트 60 프로’ 논란으로 뜨겁습니다. 당장 업계를 넘어 미국 백악관이 나서 ‘대중 규제’ 의지를 재확인하며 화웨이 사태에 대응할 방침임을 밝히고 나섰죠. 세계 최고의 군사력을 자랑하는 미국이, 또 세계 최고의 메모리 반도체 기술력을 갖춘 우리 반도체 기업들이 왜 고작 신형 스마트폰 출시에 민감하게 반응하는 걸까요? 그 배경을 자세히 들여다보면 이번 사안의 심각성을 잘 알 수 있습니다. 화웨이가 지난달 29일 출시한 신제품 ‘메이트60 프로’는 미국의 제재 속에 3년 만에 나온 5세대(5G) 이동통신 스마트폰이라는 점에서 업계의 주목을 받았습니다. 문제는 화웨이가 단순히 ‘빠른 속도’의 신제품을 내놓은 게 아니라는 점입니다. 메이트60 프로에는 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정으로 제작한 애플리케이션프로세서(AP)가 탑재됐는데, 이는 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 SMIC의 2세대 7나노 공정 칩 ‘기린 9000s’로 확인됐습니다.미 백악관과 반도체 업계가 주목하는 건 이 AP 제작에 사용된 7나노 공정입니다. 반도체 제조에서 7나노 공정부터는 극자외선(EUV) 노광장비가 필요한데, 이 장비를 글로벌 시장에 독점 제공하고 있는 네덜란드 ASML은 미국의 대중 규제에 적극적으로 협력하며 지난해부터 화웨이에 장비를 수출하지 않고 있습니다. 앞서 미국은 2019년 5월 화웨이가 중국 인민해방군과 연계돼 미국 안보를 해칠 수 있다면서 블랙리스트에 등재하고 5G 기술에 활용할 수 있는 반도체 수출과 관련 기술 이전을 금지했습니다. 중국은 화웨이의 신제품이 미국의 중국 규제가 실패했음을 보여주는 방증이라며 이번 7나노 공정을 자국의 기술력으로 개발했음을 강조하고 있습니다. 중국 관영매체 글로벌타임스는 지난 5일 “화웨이는 삼성전자나 TSMC와 다르다”며 “화웨이뿐 아니라 중국의 모든 주요 산업이 미국의 규제 효과를 이겨낼 수 있을 것”이라고 자찬을 늘어놓기도 했죠. 중국의 기습에 허를 찔린 미국은 반경을 예고합니다. 공화당 소속 마이크 갤러거 미 하원 미·중 전략경쟁특위 위원장은 성명을 통해 “(화웨이 신형 스마트폰은) 미국의 기술 없이는 생산할 수 없었을 것이고, 따라서 SMIC가 상무부의 해외 직접제품 규칙(FDPR)을 위반했을 수 있다”며 “상무부는 화웨이와 SMIC에 대한 모든 기술 수출을 중단해야 한다”고 밝혔습니다. 마이클 매콜 미 하원 외교위원장도 “SMIC가 미국의 제재를 위반한 것이 확실해 보인다. 미국의 지적 재산을 확보하기 위해 노력하고 있다”며 중국의 미국 기술 탈취를 주장하고 나섰죠.제이크 설리번 백악관 국가안보보좌관은 브리핑에서 ‘화웨이의 새 스마트폰이 미국의 수출 규제 실패와 규제조치 위반을 뜻하는 것이냐’는 언론의 질문에 “정확한 정보를 입수할 때까지 언급을 보류하겠다”라면서도 “미국은 ‘마당은 좁게, 담장은 높게’라는 원칙에 맞춰 국가안보 우려에 초점을 맞춘 기술규제를 계속해 나갈 것”이라고 말했습니다. 이는 진상조사에 이은 추가 규제, 혹은 규제 강화가 뒤따를 것임을 시사합니다. 7나노 기술 탈취 논란 속에 화웨이의 신제품에 이미 3년 전 거래를 중단한 SK하이닉스의 메모리 반도체가 탑재된 것으로 확인되면서 미중 갈등의 불똥이 또다시 우리 기업으로 향할 수 있다는 우려도 커지고 있습니다. 블룸버그통신이 반도체 컨설팅 업체 테크인사이트에 의뢰해 메이트60 프로 제품을 분해한 결과 SK하이닉스의 모바일 D램인 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5와 낸드플래시가 쓰인 것으로 확인된 겁니다. SK하이닉스는 황당하다는 반응과 함께 우선 자체 조사에 착수했습니다. SK하이닉스 측은 “미국의 화웨이 제재 이후 화웨이와 거래한 사실이 없으며, 미국의 수출 규제를 철저하게 준수하는 것이 회사 방침”이라고 강조했습니다.업계에서는 화웨이가 이미 수년 전 거래를 끊은 SK하이닉스의 반도체를 사용한 배경을 두고 다양한 가능성을 내놓습니다. 우선 거래 단절 직전까지 확보해둔 재고를 사용했을 가능성과 함께 정식 유통 경로가 아닌 제3자 거래, 이른바 ‘그레이 마켓’을 통해 반도체를 확보했을 가능성도 나옵니다. SK하이닉스와 정식 계약을 맺은 회사가 몇 차례 경유지를 거쳐 메모리 칩으로 화웨이에 제공했을 가능성도 있다는 겁니다. 국내 업계 관계자는 “무작위로 중국 폰을 뜯어봤더니 SK하이닉스 메모리가 나왔다는 것인데 메모리 시장 점유율은 삼성전자가 더 높기 때문에 화웨이의 다른 제품에는 삼성의 메모리가 사용됐을 가능성도 배제할 순 없다”라면서 “삼성전자와 SK하이닉스 모두 중국에 생산시설을 운영하면서 반도체 제작 원천 기술을 보유한 미국에 투자해야 하는상황인데 우리 기업이 억울할 피해를 보지 않도록 정부 당국의 배려와 관심이 필요한 상황”이라고 업계가 느끼는 위기감을 토로했습니다.

삼성전자가 미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아발(發) 훈풍을 타고 주가가 거침없이 상승하면서 다시 한번 ‘9만전자’ 기대감이 높아지고 있다. 4일 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일보다 0.28% 오른 7만 1200원에 장을 마감했다. 전 거래일인 지난 1일에는 6.13% 급등한 7만 1000원에 거래를 마쳤다. 삼성전자 주가가 7만원대로 올라선 것은 지난달 1일(7만 1100원) 이후 약 한 달 만이다. AI용 그래픽처리장치(GPU) 반도체에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM3)를 이르면 다음달부터 엔비디아에 공급한다는 호재가 주가를 강하게 밀어올렸다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. GPU에 탑재되며 AI가 대규모 데이터를 학습하기 위해 활용된다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 올해 들어 이날까지 삼성전자 주가는 30% 가깝게 올랐지만 경쟁사와 비교하면 상승폭이 기대에 미치지 못한다. SK하이닉스는 연초 대비 57.4% 상승했고, 국내 반도체 종목을 묶은 ‘KRX 반도체’ 지수마저 59.4% 뛰었다. 같은 기간 개미(개인투자자)들이 삼성전자 주식을 10조 4540억원어치 순매도한 반면 외국인 투자자는 13조 6510억원어치 순매수했다. 증권가는 삼성전자 주가가 HBM 호재를 타고 2021년 1월 11일 기록한 9만 1000원 전고점을 넘어설지 주목하고 있다. HBM 수요 급증이 삼성전자 주가 회복 시기를 앞당길 것이란 기대다. 당초 업계는 하반기 정보통신기술(ICT) 산업 침체로 인해 하반기 삼성전자 실적이 지지부진한 흐름을 보일 것으로 내다봤다. 김동원 KB증권 연구원은 “삼성전자는 올해 엔비디아, AMD를 HBM 신규 고객사로 확보하는 동시에 내년 HBM 고객사가 최대 10개까지 확대될 것으로 예상돼 4분기부터 주가가 HBM 프리미엄 구간에 진입할 것”이라고 말했다. 이어 “향후 삼성전자 주가는 HBM 점유율 확대와 파운드리 실적 개선 전망 등을 동시에 고려할 때 직전 고점인 9만 1000원을 돌파할 가능성이 클 것”이라고 예측했다.

中, 전기차 배터리 등 16개서 1위화웨이, 美 제재에도 31%로 선두한일, 각각 6개 품목서 세계 1위 미국 주도로 한국과 일본 등이 중국을 상대로 경제안보를 강화하고 있지만 세계 첨단기술 분야에서 중국의 시장점유율이 오히려 높아지고 있는 것으로 나타났다. 4일 니혼게이자이신문이 ‘2022년 주요 상품·서비스 시장점유율’을 자체 조사한 결과 63개 품목 가운데 전기자동차 필수 부품인 차량용 리튬이온 배터리는 중국 기업 CATL이 시장점유율 1위를 차지했다. 대형 액정 패널은 BOE, PC는 레노버, 감시카메라는 하이크비전, 냉장고·세탁기는 하이얼, 이동통신 인프라는 화웨이 등 16개 분야에서 중국 기업이 1위에 올라 시장점유율 25%를 기록했다. 또 18개 품목에서 중국 기업의 점유율이 높아진 것으로 조사됐다. 중국 기업의 점유율이 30%를 넘는 품목은 13개에 달했다. 특히 전기차 분야에서 중국 기업의 점유율이 크게 올랐다. 지난해 비야디(BYD) 등 중국 자동차 3사의 전기차 시장 점유율은 27.7%로 1위 테슬라(18.9%)를 크게 앞섰다. 조 바이든 미국 행정부가 인플레이션감축법(IRA)을 시행하면서 자국 내 전기차 생산 확대에 나서는 등 중국을 강하게 견제했지만 오히려 중국의 시장점유율만 높아진 상황이다. 전기차 필수 부품인 리튬이온 배터리의 중국 기업 점유율은 60%를 넘었다. 리튬이온 배터리에 사용되는 절연체 분야에서는 글로벌 점유율 상위 5개 업체 중 4개 업체가 모두 중국 기업으로 63%를 차지했다. 이 신문은 “전기차를 중심으로 공급망의 탈중국이 더욱 어려워지고 있다”고 분석했다. 중국의 대표적 통신장비 업체이자 스마트폰 생산 업체인 화웨이는 미국의 제재에도 통신 인프라의 핵심인 무선통신 기지국 시장에서 31%의 점유율을 차지하며 1위를 유지했다. 실제 화웨이는 5세대(5G)용 반도체를 자체 개발해 탑재한 최신 스마트폰을 출시했고, 미국은 화웨이의 ‘예상 밖 선전’에 경악을 금치 못하고 있다. 중국 매체 IT즈자에 따르면 지난 3일 오후부터 화웨이 스토어와 타오바오, 징둥 등에서 ‘메이트60 프로’ 판매가 시작됐다. 최대 7999위안(약 144만원)에 달하는 고가임에도 온라인 판매 1분 만에 초기 물량이 매진됐다. 앞서 화웨이는 지난달 29일 새 스마트폰 메이트60 프로를 공개했다. 관영 중국중앙(CC)TV의 영어채널 CGTN은 “2019년 미국의 화웨이 제재 이후 처음으로 ‘최상위급 프로세서’를 탑재했다. 중국 반도체 파운드리(위탁생산 업체) 중신궈지(SMIC)가 반도체를 생산했다”고 전했다. 워싱턴포스트(WP)는 3일(현지시간) “중국이 독자 생산한 7㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 반도체가 탑재됐다”며 “중국의 첨단 반도체 성장을 둔화하려는 미국의 의도가 먹히지 않았다”고 분석했다. 이처럼 중국이 펄펄 나는 동안 미국과 한국, 일본의 성장은 주춤했다. 미국은 니혼게이자이신문 조사 63개 품목 가운데 22개 분야에서 1위를 차지했고, 중국과의 격차는 4개 차이에 불과했다. 한국과 일본은 각각 6개 분야에서 시장점유율 1위를 기록했다. 한국 기업은 스마트폰, D램, 유기발광다이오드(OLED) 패널, 낸드플래시 반도체, 초박형 TV, 조선 등 6개 품목에서 세계 1위였다. 스마트폰 등 5개 전자 분야 1위는 모두 삼성전자가 차지했고, 조선 분야에서는 HD현대중공업이 새롭게 1위에 올랐다.

중국의 대표적 통신장비업체이자 스마트폰 생산업체인 화웨이가 미국의 전방위적 압박에도 5세대(5G)용 반도체를 자체 개발해 탑재한 최신 스마트폰을 내놨다. 미국은 화웨이의 ‘예상 밖 선전’에 경악을 금치 못하고 있다. 4일 중국매체 IT즈자에 따르면 전날 오후부터 화웨이 스토어와 타오바오, 징둥 등에서 ‘메이트60 프로’ 판매가 시작됐다. 온라인 판매 1분 만에 초기 물량이 매진됐다. 오프라인 매장에도 신제품을 사려는 행렬로 장사진을 이뤘다. 최대 7999위안(약 144만원)에 달하는 고가임에도 중국인들은 기꺼이 지갑을 열었다. 중국에서 화웨이 스마트폰은 ‘애플의 유일한 경쟁자’로 인식된다. 앞서 화웨이는 지난달 29일 새 스마트폰 메이트 60 프로를 공개했다. 중국중앙(CC)TV의 영어채널 CGTN은 “2019년 미국의 화웨이 제재 이후 처음으로 ‘최상위급 프로세서’를 탑재했다. 중국 반도체 파운드리(위탁생산업체) 중신궈지(SMIC)가 반도체를 생산했다”고 전했다. 전문가들의 성능 테스트 결과 최신 5G 스마트폰들과 대동소이한 성능을 보였다. 화웨이는 도널드 트럼프 전 미 대통령 시절부터 미국의 전방위적 규제를 받고 있다. 워싱턴포스트(WP)는 3일(현지시간) “중국이 독자 생산한 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정 반도체가 탑재됐다”며 “중국의 첨단 반도체 성장을 둔화하려는 미국의 의도가 먹히지 않았다”고 분석했다. 앞서 미 상무부는 지난해 10월 “18㎚ 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14㎚ 이하 시스템반도체 등 제조 장비의 중국 반입을 차단한다”고 발표했다. 화웨이와 SMIC가 미국의 고강도 제재를 뚫고 7㎚ 반도체를 설계·생산한 것 자체가 충격적인 일이란 게 미국 전문가들의 반응이다. 여기에 화웨이는 생성형 AI에 최적화된 반도체를 생산하는 엔비디아 A100에 버금가는 그래픽처리장치(GPU)도 개발했다고 IT 전문매체 테크스팟이 3일(현지시간) 보도했다. 중국 유명 AI 회사 아이플라이텍의 설립자 겸 최고경영자(CEO)인 류칭펑은 최근 중국에서 열린 한 IT세미나에서 “화웨이가 엔비디아의 A100과 비슷한 성능을 내는 개발하는 등 엄청난 진전을 이뤘다”고 주장했다. 앞서 조 바이든 미 행정부는 중국 AI산업 성장을 늦추고자 ‘GPU 최강자’인 엔비디아의 A100 칩을 중국 기업에 팔지 못하게 했다. 현재 엔비디아는 성능을 다소 낮춘 A800을 개발해 중국에 판매하고 있다. 류칭펑의 주장이 사실이라면 중국은 더이상 엔비디아 GPU에 의존하지 않고 AI 성장에 나설 수 있다. 최근 젠슨 황 엔비디아 창업자 겸 최고경영자(CEO)는 파이낸셜타임스(FT) 인터뷰에서 “미국의 대중 반도체 수출 제한이 중국의 반도체 자립만 도울 것”이라며 “장기적으로 미국이 세계 최대 반도체 시장인 중국을 영원히 잃어버릴 것”이라고 경고했다.

D램 등 메모리 반도체 감산과 고대역폭 메모리(HBM) 개발 전략을 병행해 온 SK하이닉스가 2분기 시장 점유율 반등에 성공했다. 앞서 미국 마이크론에 내줬던 2위 자리 탈환과 동시에 1위 삼성전자와의 점유율 격차도 크게 좁혔다. 3일 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 전 세계 D램 매출은 107억 달러(약 14조 1400억원)로 전년 동기보다 57% 줄었지만 올해 1분기보다는 15% 늘었다. 삼성전자의 D램 매출은 41억 달러로 전 분기보다 3% 증가하는 데 그쳤다. 시장 점유율은 전 분기 42.8%에서 38.2%로 4.6% 포인트 하락했다. 반면 SK하이닉스의 2분기 D램 매출은 전 분기보다 49% 증가한 34억 달러로 집계됐다. 시장 점유율은 31.9%로 전 분기(24.7%)보다 7.2% 포인트 상승했다. 1분기 18.1% 포인트였던 삼성전자와의 점유율 격차는 6.3% 포인트로 줄었다. 옴디아는 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리 점유율 격차가 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이라고 설명했다. SK하이닉스의 2분기 반등에는 미국 엔비디아를 비롯한 인공지능(AI) 반도체 수요 급증이 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. AI 분야 데이터 처리에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에는 HBM이 대거 탑재되는데 이 분야는 SK하이닉스가 삼성전자보다 먼저 뛰어들었다. 지난해 말 기준 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위이고 삼성전자 40%, 마이크론 10% 순이었다. 이에 삼성전자도 HBM 추격에 박차를 가하고 있다. 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 10월부터 엔비디아에 4세대 제품인 HBM3를 공급할 것으로 알려졌다.

D램 등 메모리 반도체 감산과 고대역폭 메모리(HBM) 개발 전략을 병행해온 SK하이닉스가 2분기 시장 점유율 반등에 성공했다. 앞서 미국 마이크론에 메모리 점유율 2위 자리를 내줬던 SK하이닉스는 이번에 순위 탈환과 동시에 1위 삼성전자와의 점유율 격차도 크게 좁히는 데 성공했다. 3일 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 전 세계 D램 매출은 107억 달러(약 14조 1400억원)로 전년 동기보다 57% 줄었지만, 올해 1분기보다는 15% 늘었다.1위 삼성전자의 D램 매출은 41억 달러로 전 분기보다 3% 증가하는 데 그쳤다. 시장 점유율은 전 분기 42.8%에서 38.2%로 4.6%포인트 하락했다. SK하이닉스의 2분기 D램 매출은 전 분기보다 49% 증가한 34억 달러로 집계됐다. 시장 점유율은 31.9%로 전 분기(24.7%)보다 7.2%포인트 상승했다. 이로써 SK하이닉스는 마이크론(25.0%)을 제치고 점유율 2위 자리를 되찾는 동시에 1분기 18.1%포인트였던 삼성전자와의 점유율 격차를 6.3%포인트로 줄였다. 옴디아는 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리 점유율 격차가 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이라고 설명했다. D램 점유율 추이를 보면 삼성전자의 연간 시장 점유율이 30%대를 기록한 것은 2013년(36.2%)이 마지막이었다. 이후 삼성전자는 줄곧 40%대 초·중반대 점유율을 유지해왔다. 반면 SK하이닉스는 최근 10년 동안 연간 점유율이 30%를 넘긴 적이 한 번도 없었다. 그간 SK하이닉스는 20%대 중·후반의 점유율을 유지해왔다.SK하이닉스의 2분기 반등에는 미국 엔비디아를 비롯한 인공지능(AI) 반도체 수요 급증이 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 챗GPT와 같은 AI 분야 데이터 처리에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에는 HBM이 대거 탑재되는데, 이 분야는 SK하이닉스가 삼성전자보다 먼저 뛰어들었다. 지난해 말 기준 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위고 삼성전자 40%, 마이크론 10% 순이었다. 이에 삼성전자도 HBM 추격에 박차를 가하고 있다. 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 10월부터 엔비디아에 4세대 제품인 HBM3를 공급할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 최근 HBM3 샘플에 대한 엔비디아의 품질 검증을 통과하고 제품 공급을 준비하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 올해 HBM 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 46~49% 대의 점유율을 나란히 기록하며 치열한 경쟁을 이어갈 것으로 전망했다.

세계 낸드플래시 시장 점유율 부동의 1위(34%) 삼성전자가 또 한 번 진화한 메모리카드를 앞세워 D램보다 회복세가 더딘 낸드 매출의 반등에 나선다. 삼성전자는 2002년부터 이 분야 1위를 유지하고 있다. 삼성전자는 속도와 안정성을 강화한 SD카드와 마이크로 SD카드 신제품 ‘프로 얼티밋’을 출시한다고 29일 밝혔다. 프로 얼티밋 제품군은 전문 사진가와 영상 제작자 등에게 최적의 솔루션을 제공하는 메모리카드로, 고용량 콘텐츠의 원활한 작업뿐 아니라 반복적인 데이터 읽기·쓰기·지우기 작업에도 안정적인 성능을 제공한다. 이번 제품군은 최대 200MB/s(초당 메가바이트) 읽기 속도와 130MB/s 쓰기 속도를 제공한다. 연속 읽기 속도 200MB/s는 1.3GB(기가바이트) 크기의 영화 한 편을 PC에서 메모리카드로 11.2초 안에 전송할 수 있는 속도다. 30MB/s의 연속 쓰기 속도를 지원하는 비디오 스피드 클래스 V30을 만족해 4K UHD와 FHD 영상 등의 고용량 파일도 빠르게 전송할 수 있다. 2ｍ 깊이 수심에서 최대 72시간 방수가 되고 최대 5ｍ 높이에서 낙하해도 손상이 방지되는 등 방수와 낙하, 마모, 엑스레이, 자기장, 온도 변화 등 극한의 외부 환경에서도 데이터를 안전하게 보호한다. SD카드의 경우 최대 1500g의 충격까지 견딜 수 있다. 삼성전자는 이번 제품 라인업에 28나노 컨트롤러를 적용해 기존 대비 전력 효율을 최대 37% 향상했다. 이에 따라 잦은 재충전 없이도 기기를 장시간 사용할 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 낸드플래시를 사용하는 메모리카드 시장 규모는 새로운 기기와 고용량 콘텐츠 수요 증가로 2023년 292억GB에서 2027년 635억GB에 달할 정도로 연평균 21.4%의 높은 성장세를 이어 갈 것으로 예상된다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 낸드플래시 시장은 지난해 대비 27.2% 역성장했지만 올해부터 2027년까지 연평균 20.13%의 높은 성장세를 보일 전망이다. 업계 관계자는 “낸드 시장은 ‘오늘이 가장 어둡다’는 말이 있을 정도로 이제부터는 성장세로 돌아설 것”이라며 “내년부터는 현재의 불황을 딛고 낸드플래시가 다시 매출 효자 제품으로 부상할 것으로 기대된다”고 말했다.

세계 낸드플래시 시장 점유율 부동의 1위(34%) 삼성전자가 또 한번 진화한 메모리카드를 앞세워 D램보다 회복세가 더딘 낸드 매출 반등에 나선다. 삼성전자는 2002년부터 이 분야 1위를 유지하고 있다. 삼성전자는 29일 속도와 안정성을 한층 강화한 SD카드와 마이크로 SD카드 신제품 ‘프로 얼티밋’을 출시한다고 밝혔다. 프로 얼티밋 제품군은 전문 사진가와 영상 제작자 등에게 최적의 솔루션을 제공하는 메모리카드로, 고용량 콘텐츠의 원활한 작업뿐 아니라 반복적인 데이터 읽기·쓰기·지우기 작업에도 안정적인 성능을 제공한다.이번 제품군은 UHS-Ⅰ 규격 최고 수준인 최대 200MB/s(초당 메가바이트) 읽기 속도와 130MB/s 쓰기 속도를 제공한다. 연속 읽기 속도 200MB/s는 1.3GB(기가바이트) 크기의 영화 한 편을 PC에서 메모리카드로 11.2초 안에 전송할 수 있는 속도다. 30MB/s의 연속 쓰기 속도를 지원하는 비디오 스피드 클래스 V30을 만족해 4K UHD와 FHD 영상 등의 고용량 파일도 빠르게 전송할 수 있다. 마이크로 SD카드의 경우 최소 4000 IOPS 임의 읽기 속도와 2000 IOPS의 임의 쓰기 속도를 지원하는 A2 등급을 별도 지원해 연속적인 읽기·쓰기와 멀티태스킹 작업도 원활하다. 삼성전자는 이번 제품군에 컨트롤러의 ‘ECC 엔진’(낸드플래시에서 발생한 오류를 감지하고 정정하는 엔진)을 강화해 신뢰성을 높였다. ECC의 한 종류인 LDPC(저밀도 패리티 검사 코드)를 기존 1KB에서 2KB로 향상해 소비자가 데이터 유실에 대한 걱정 없이 더 오래 사용할 수 있도록 했다. 2ｍ 깊이 수심에서 최대 72시간 방수가 되고 최대 5ｍ 높이에서 낙하해도 손상이 방지되는 등 방수와 낙하, 마모, 엑스레이, 자기장, 온도 변화 등 극한의 외부 환경에서도 데이터를 안전하게 보호한다. SD카드의 경우 최대 1500g의 충격까지 견딜 수 있다.삼성전자는 이번 제품 라인업에 28나노 컨트롤러를 적용해 기존 대비 전력 효율을 최대 37% 향상했다. 이에 따라 잦은 재충전 없이도 기기를 장시간 사용할 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 손한구 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품비즈(Biz)팀 상무는 “드론, 액션캠, DSLR 카메라 등 기기에서 생성되는 고해상도 콘텐츠의 양이 늘어남에 따라 전문 크리에이터가 대용량 콘텐츠를 끊김 없이 작업할 수 있어야 한다”며 “‘프로 얼티밋’은 신규 컨트롤러와 데이터 보호 기능 등 강화된 속도와 안정성을 통해 크리에이터뿐만 아니라 전문가의 요구를 충족시킬 것”이라고 말했다. 낸드플래시 메모리를 사용하는 메모리카드 시장 규모는 새로운 기기와 고용량 콘텐츠 수요 증가로 2023년 292억GB에서 2027년 635억GB에 달할 정도로 연평균 21.4%의 높은 성장세를 이어갈 전망이다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 낸드플래시 시장은 작년 대비 27.2% 역성장했지만, 올해부터 2027년까지 연평균 20.13%의 높은 성장세를 보일 전망이다. 업계 관계자는 “올해를 마지막으로 내년부터 낸드플래시 시장은 다시 성장세로 돌아설 것”이라며 “내년부터는 현재의 불황을 딛고 낸드플래시가 다시 매출 효자 제품으로 부상할 것으로 기대된다”고 말했다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장점유율 50%로 삼성전자에 10% 포인트 앞섰지만 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양 사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해 온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 삼성전자 역시 5세대 제품에 해당하는 HBM3P 샘플을 올 하반기 중 고객사에 제공해 성능 검증을 진행할 예정이다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장 점유율 50%로 삼성전자에 10%포인트 앞섰지만, 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로, 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며, 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.

인공지능(AI)이 다시 주목받으면서 그래픽처리장치(GPU)와 함께 몸값이 높아지는 제품이 있습니다. 바로 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)입니다. 사실 GPU 가운데서 HBM을 탑재한 제품은 소수에 불과합니다. 하지만 최근에는 그 소수의 제품에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 고성능 AI 연산을 위해서 H100 같은 강력한 성능을 지닌 GPU가 필요한데, 여기에 HBM이 탑재되기 때문입니다.  최근 미국 로스앤젤렌스(LA)에서 열린 최대 규모 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 ‘시그래프’(SIGGRAPH) 행사에서 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 HBM3E를 장착한 GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩을 공개했습니다. 지난해 공개한 HBM3 버전과 비교해서 메모리 용량은 1.5배 정도 늘어나고 대역폭도 4TB/s에서 5TB/s로 증가해 더 많은 데이터를 학습하고 사용자가 원하는 결과를 내놓는 데 유리해졌습니다.  HBM은 사실상 SK 하이닉스와 삼성전자가 시장을 양분하고 있습니다. 시장 조사기관의 분석에 따르면 지난해 시장 점유율은 SK 하이닉스가 50%, 삼성전자가 40%, 마이크론이 10% 정도로 D램보다 더 국내 기업이 독보적인 점유율을 자랑하는 분야입니다. HBM은 상당히 고부가가치 상품일 뿐 아니라 수요가 급격히 증가하고 있어 앞으로 우리나라의 새로운 주력 상품이 될 것으로 기대되고 있습니다.  그런데 이렇게 좋은 제품이라면 더 적용 범위를 늘려 나가도 되지 않을까 하는 생각이 드는 게 사실입니다. 그래픽 카드에 쓰이는 HBM이 처음 등장했을 때만 해도 그런 생각을 지닌 사람들이 많았습니다. 많은 이들이 이제는 용량이나 속도 한계에 점점 도달한 그래픽스 더블 데이터 레이트(GDDR) 메모리를 대신해 HBM이 새로운 대세가 될 것으로 믿었습니다.  여기서 잠깐 GDDR 메모리에 대한 이야기를 먼저 해야 합니다. 초창기 GPU들은 CPU와 동일한 DDR 계열 메모리를 사용했는데, GPU가 처리하는 데이터의 양이 급격히 증가하면서 곧 병목 현상에 부딪히게 됩니다. 그래서 나온 것이 GDDR 메모리였습니다. GDDR3부터 본격적으로 시장에 공급되었고 이후 GDDR5에서는 사실상 그래픽 메모리의 표준이 되었습니다. GDDR5는 사실 DDR3 메모리의 변형으로 같은 건물에 엘리베이터와 통로를 여러 개 만들어 속도를 높인 것으로 이해할 수 있습니다.  하지만 GPU 발전 속도가 GDDR 메모리 발전 속도보다도 더 빠른 것이 다시 문제가 됐습니다. 고성능 GPU에서 필요한 메모리 대역폭을 얻기 위해서는 256bit 메모리 인터페이스와 GDDR 계열 메모리로도 부족한 상황이 된 것입니다. 여기에 GDDR 메모리는 여러 층으로 쌓기도 힘들어 용량까지 한계가 분명했습니다.  2013년 JEDEC에서 표준을 확정한 HBM은 이 문제에 대한 완벽한 해결책으로 보였습니다. HBM은 기본적으로 메모리를 4층, 8층, 12층씩 위로 쌓아 올린 적층형 메모리 구조라 면적 대비 용량이 GDDR과 비교되지 않을 정도로 높습니다. 그러면서도 데이터 전송 속도를 높이기 위해 위아래로 작은 통로인 TSV를 무수히 뚫어 데이터 전송 속도를 획기적으로 끌어 올렸습니다.  그만큼 제조가 까다롭고 프로세서와 연결을 위해 인터포저라는 중간층을 또 넣어야 한다는 것이 문제였지만, 장기적으로 보면 GDDR 메모리는 속도와 용량면에서 HBM의 상대가 되지 않을 것으로 예상되었습니다. 하지만 이런 기대에도 불구하고 2015년 1세대 HBM을 장착한 라데온 R9 Fury X는 GDDR5를 장착한 엔비디아의 GTX 980 Ti를 넘지 못하는 실망스러운 성능을 보여줬습니다. 메모리 대역폭 자체는 라데온 R9 Fury X가 높았지만, GPU 자체의 성능에서 밀렸기 때문입니다. 지포스 쪽이 데이터 압축 능력이 더 뛰어나 대역폭의 단점을 쉽게 극복한 것도 이유였습니다. 더 저렴한 GDDR 메모리를 장착해도 경쟁자를 충분히 제압할 수 있는 상황에서 엔비디아는 게이밍 GPU에 굳이 HBM을 탑재할 필요를 느끼지 못했습니다. HBM 탑재 라데온 그래픽 카드가 지포스의 성능을 뛰어넘었다면 이후에는 다른 시장 상황이 펼쳐질 수 있었다는 점은 아쉬운 부분입니다.  아무튼 이후 GDDR 메모리도 계속 발전하면서 어느 정도 고성능 게이밍 GPU에 필요한 대역폭을 제공했습니다. 그리고 그래픽 카드 시장 자체가 엔비디아 독점 시장이 되면서 급할 게 없는 엔비디아는 가격이 저렴한 GDDR6X 메모리를 RTX 4000 시리즈에도 사용하고 있습니다. 처음에는 고성능 GPU에 HBM 계열 메모리를 사용했던 AMD마저도 제품군 자체가 중급형으로 내려가면서 비싼 HBM을 탑재해야 할 이유가 사라져 GDDR로 다시 회귀했습니다.  하지만 미래에는 다른 상황이 펼쳐질 수도 있습니다. 엔비디아와 AMD 모두 AI 및 HPC 연산용 GPU에 고성능 HBM을 아낌없이 사용하고 있기 때문입니다. 이런 종류의 제품은 기본적으로 가격이 매우 비싸기 때문에 HBM이 GDDR 메모리보다 좀 더 비싸다는 것은 큰 문제가 되지 않습니다. 그보단 현재 기술적 우위를 바탕으로 시장을 장악하려는 엔비디아와 AMD나 인텔 같은 도전자들이 가진 기술을 모두 쏟아붓는 시장이기 때문에 HBM3나 HBM3E 같은 최신 메모리에 대한 수요가 폭발하고 있습니다. 여기에 인텔은 서버 CPU에도 HBM을 탑재하면서 적용 범위가 넓어지고 있습니다.  이렇게 생산이 늘어나면 결국 규모의 경제가 이뤄져 가격은 내려갈 수 있습니다. 그리고 메모리 용량 및 속도에서 HBM의 발전 속도가 GDDR보다 여전히 빨라 몇 년 후에는 고성능 그래픽 카드나 서버 부분에서 적용 범위가 점점 더 넓어질 것으로 기대할 수 있습니다. 10년 만에 본격적으로 빛을 보고 있는 HBM의 미래를 기대해 봅니다.

과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.유난히 소란스러웠던 새만금 잼버리가 지난 11일 막을 내렸고, 한반도 내륙을 관통할 것으로 예상되면서 큰 피해가 우려됐던 태풍 ‘카눈’도 소멸했습니다. 최근 2주간 산업계는 여름철 휴가기에 돌입하면서 크게 주목되는 이슈는 없었고, ‘일감’이 떨어진 재계 담당 기자들은 기사 발굴에 더 힘든 시간을 보내야 했습니다. 해마다 반복되는 ‘기업 총수들의 여름휴가’ 전망은 올해도 이어졌고, 재계 1위이자 세계 시장에서 애플, 인텔, TSMC와 같은 공룡 기업과 경쟁하는 삼성전자 이재용 회장의 휴가 추측 보도도 쏟아졌습니다. 대부분 ‘가족과 함께 국내에서 조용한 휴가를 보내거나 해외 사업장을 돌며 미래를 구상할 것’ 정도의 대동소이한 내용이었죠. 삼성전자 홍보팀에서는 이 회장의 휴가 일정과 동선이 확인되지 않는 탓에 혹시라도 소셜미디어(SNS)에 목격담 형식으로 노출될까 노심초사했다는 후문입니다. 이제 산업계의 하계 휴가철도 끝나면서 업계는 저마다의 가을 실적 준비에 분주합니다. 재계와 언론의 관심이 집중됐던 이 회장의 휴가는 끝내 공개되지 않았지만, 반도체 업계에서는 삼성의 최근 성과를 놓고 이 회장의 ‘5월 방미’ 일정이 재조명되고 있습니다.업계에서는 지난해 하반기부터 이어진 메모리 불황이 올 하반기부터 반등의 조짐을 보이면서 메모리 시장을 이끌고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 경쟁에도 다시 불이 붙는 모양새입니다. 특히 두 기업은 평소 자사 제품과 기술력의 우수성을 강조하면서 경쟁사에 대한 언급은 가급적 자제하는 ‘업계 룰’을 깨고 고대역폭메모리(HBM)를 두고서는 날 선 신경전을 펼치기도 했습니다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 연결한 반도체로, D램을 많이 쌓을수록 데이터 저장 용량이 크고 처리 속도도 빠릅니다. 글로벌 산업계 전반에 확산하고 있는 생성형 인공지능(AI) 등 AI 반도체에 필요한 제품인 데다 가격은 D램의 6~7배에 달해 삼성과 SK하이닉스는 물론 메모리 3위 기업 미국 마이크론도 HBM 경쟁에 가세한 상황입니다. 그간 시장 점유율 1위는 지난해 4분기 기준 50%의 SK하이닉스로 알려져있습니다. D램과 낸드플래시 등 언제나 삼성전자에 밀려 ‘만년 2등’에 놓여있는 SK하이닉스로서는 이 분야만큼은 글로벌 1위를 지키겠다는 각오입니다. 점유율 40%로 SK하이닉스를 추격하는 입장인 삼성전자는 사실상 이미 1위를 탈환했다는 분위깁니다. 삼성의 반도체 사업을 이끌고 있는 경계현 DS(디바이스솔루션) 부문장(사장)은 내부 임직원 소통 행사에서 “삼성전자의 HBM 시장 점유율은 여전히 50% 이상이다. 최근 HBM3 제품은 고객사들로부터 우수하다는 평가를 받고 있다”고 말하기도 했죠. 시장조사기간 트렌드포스는 올해 삼성전자와 SK하이닉스의 점유율이 46~49%대로 비슷한 수준이 될 것으로 보고 있습니다. 이런 삼성전자의 자신감은 머지않아 대형 고객사 확보로 확인됐습니다. AI 반도체 시장을 선도하고 있는 미국 반도체 설계 전문 기업 엔비디아가 삼성을 HBM 공급 파트너로 낙점한 것이죠. 물론 엔비디아에는 SK하이닉스도 HBM을 공급하지만, 업계에서는 SK하이닉스의 점유율 확대보다는 삼성전자의 추격 및 추월 가능성을 더 높게 보고 있습니다. 그간 업계에서는 지난 5월 미국 출장 중이던 이 회장이 실리콘밸리의 한 일식당에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)를 비공개로 만났다는 점에서 양사가 HBM 개발과 공급과 관련해 협력할 것이라는 기대감이 이어져 왔습니다. 삼성전자와 엔비디아는 D램 계열인 HBM 외에 생성형 AI 전용 GPU 공급에도 협력할 것으로 보입니다. 엔비디아는 AI 전용 GPU에 필요한 칩 생산은 대만 TSMC에 의존하고 있는데, 삼성전자로 공급사를 확대하는 게 공급망 안정 측면에서 유리하다는 판단인 것으로 전해집니다.삼성전자는 파운드리 분야에서는 미국 전기차 회사 테슬라와 접점을 넓히고 있습니다. 삼성전자로부터 자율주행 칩 HW 4.0을 공급받고 있는 테슬라는 차세대 자율주행 칩 HW 5.0도 삼성에 맡기기로 한 것으로 전해졌습니다. 애초 업계에서는 테슬라가 차세대 칩 제작은 TSMC에 맡길 것이라는 관측이 우세했지만, 일론 머스크 테슬라 CEO는 지난 5월 10일 실리콘밸리 삼성전자 북미 반도체연구소에서 이 회장과 비즈니스 미팅을 가진 후 삼성 쪽으로 마음을 돌린 것으로 보입니다. 당시 이 회장은 머스크 CEO에게 삼성 파운드리의 장점을 바탕으로 경쟁력 있는 가격대를 제시하며 적극적으로 설득했다는 후문입니다.

SK하이닉스가 스마트폰 등 모바일 기기용 고성능 D램인 ‘LPDDR5X’의 24기가바이트(GB) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 11일 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 11월 LPDDR5X 양산에 성공한 데 이어 이번에 모바일 D램으로는 처음으로 24GB까지 용량을 높인 패키지를 개발했다.LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압으로 동작하는 특성을 갖고 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. SK하이닉스는 “LPDDR5X 24GB 패키지에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 도입해 업계 최고 수준의 전력 효율과 성능을 동시 구현해낼 수 있었다”며 “현존 유일의 24GB 고용량 패키지를 모바일용 D램 포트폴리오에 추가해 앞으로 고객 요구에 훨씬 폭넓게 대응할 수 있게 됐다”고 설명했다. 이번 D램 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. 데이터 처리 속도는 초당 68GB로, 풀HD급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 지난달부터 중국 스마트폰 제조사인 오포에 신제품을 양산해 납품했다. 오포는 이를 최신 플래그십 스마트폰인 ‘원플러스 에이스 2 프로’에 탑재해 지난 10일 출시했다. SK하이닉스는 8세대 LPDDR6 공식 출시 전인 지난 1월 LPDDR5X의 성능을 업그레이드해 자체 명명한 LPDDR5T도 개발, 최근 대만 반도체 기업 미디어텍의 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에 적용하기 위한 성능 검증을 마쳤다. 루이스 리 오포 마케팅부문 부사장은 “SK하이닉스로부터 적기에 24GB LPDDR5X를 공급받아 세계 최고 용량의 D램을 채용한 스마트폰을 업계 최초로 출시하게 됐다”며 “소비자들은 이전보다 길어진 배터리 사용 시간은 물론, 최적의 멀티태스킹 환경을 신규 스마트폰에서 경험하게 될 것”이라고 밝혔다. 스마트폰에 인공지능(AI) 환경이 구현되려면 핵심 부품인 메모리 반도체의 성능 향상이 필수적으로 요구되는 만큼 향후 스마트폰의 역할 확대에 따라 이 분야 메모리 시장도 확대될 전망이다. 박명수 SK하이닉스 D램마케팅담당 부사장은 “IT 산업 전 영역에서 기술 발전 속도가 빨라지면서 모바일 기기 외에도 PC, 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 오토모티브 등으로 LPDDR 제품의 사용처가 늘어날 것”이라며 “앞으로도 고객이 요구하는 최고 성능의 제품을 선도적으로 공급, 탄탄한 기술 리더십으로 프리미엄 메모리 시장을 주도하겠다”고 말했다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있다. 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한 환경에서도 안정적으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 큰손으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자에서는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리 반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다.9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있고, 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 컨퍼런스 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “인공지능(AI) 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 강조했다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온 다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한의 환경에서도 안정적으로 작동한다.삼성전자와 SK하이닉스는 AI칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 ‘큰손’으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터 센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.