“삼성전자가 작심하고 나왔다. 그 작심엔 그만한 자신감이 있어 더 무섭다.” 삼성전자가 최근 미국에서 진행한 반도체 사업부별 로드맵 발표를 두고 반도체 업계 내부에서 나오는 반응이다. 삼성전자의 주력 사업부인 메모리사업부는 물론 파운드리(위탁생산)사업부, 시스템LSI사업부까지 모두 예년과 달리 ‘초격차’ 기술력을 공언하며 구체적인 양산 시기와 공정 방법까지 제시했기 때문이다. 특히 메모리반도체 사이클 하강에 따라 주요 글로벌 기업들이 잇달아 ‘감산’을 선언한 가운데 삼성전자의 ‘무감산’ 전략은 경쟁 기업들도 놀라게 했다.●TSMC에 매출은 역전됐지만...초격차 기술로 경쟁력 확보 앞서 삼성전자는 지난 3일(현지시간) 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산호세에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 삼성이 현재 보유하고 개발 중인 신기술과 구체적인 사업 계획을 공개했다. 이날 삼성전자는 1.4나노((㎚·10억분의 1m) 카드를 꺼내 들며 업계를 놀라게 했다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 시대를 열며 기술 우위를 확보한 데 이어 ‘기술의 한계’로 꼽히는 2나노를 넘어 1.4나노 공정을 2027년에 시작하겠다는 게 삼성전자의 계획이다. 파운드리 1위 대만 TSMC 역시 1.4나노 공정 기술 개발에 뛰어들었지만 삼성전자와 달리 양산 시점은 밝히지 않은 상황이다. 매출과 시장 점유율만 놓고 보면 파운드리 시장은 TSMC가 압도적인 1위를 유지하고 있지만, 업계는 무서운 속도로 치고 올라오는 삼성전자의 기술력에 주목하고 있다. 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리 사업만 하고 있는 TSMC는 메모리 가격 하락으로 침체에 빠진 삼성전자를 제치고 올해 말 반도체 시장 종합 매출에서 세계 1위로 올라설 것으로 전망된다. 삼성전자가 1.4나노를 비롯해 파운드리 사업 비전을 공개한 배경 역시 메모리가 침체에 빠진 상황에서 가격 변동이 적은 파운드리 시장의 고객사 확보를 위한 것으로 풀이된다.최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “설계 전문 기업인 팹리스, 하이퍼스케일, 스타트업 등 다양한 고객에 맞는 구별된 니즈(Needs)를 제공할 것”이라고 했다. ●5세대 D램·1000단 낸드…세계1위 메모리 지배력 강화 파운드리 사업부 발표 이틀 뒤 삼성전자 메모리사업부와 시스템LSI사업부도 사업비전을 공개했다. 이날 업계의 관심사는 메모리 불황에 따른 삼성전자의 메모리 반도체 감산 여부였다. 이에 대해 한진만 메모리사업부 부사장은 “현재 감산은 논의하고 있지 않다. 우리는 당장 상황이 좋지 않더라도 예정된 경로를 손쉽게 바꾸지 않는다”고 단언했다. 이는 미국 마이크론과 일본 키옥시아 등 해외 경쟁사들이 잇달아 감산 계획을 밝힌 것과 대비되는 행보다. 삼성전자는 5세대 10나노급 D램을 내년부터 양산하겠다는 계획도 공개했다. 경쟁사들이 4세대 14나노급 D램을 생산하고 있는 상황에서 세계 최초로 5세대 10나노급을 양산하며 메모리 세계 1위 시장 지배력을 더욱 강화하겠다는 전략이다. SK하이닉스와 마이크론이 ‘적층경쟁’을 벌이고 있는 낸드플래시 사업에서는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓아 올린 V낸드를 만들겠다고 밝혔다. 현재 삼성전자의 낸드플래시 주력 제품은 170단대로 이보다 6배가량 높은 적층 기술을 구현하겠다는 의미다.이정배 메모리사업부장(사장)은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 디지털 전환이 급속히 진행되고 있다”라면서 “앞으로 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 강조했다. ●인간 오감까지 학습…시스템반도체 새지평 제시 시스템LSI사업부는 인간의 신체 기능을 가장 가깝게 구현하는 시스템반도체 청사진을 제시했다. 삼성전자는 인간의 두뇌 역할을 하는 시스템온칩(SoC)을 비롯해 이미지센서(눈), 통신용 칩(신경망·혈관), 전력 반도체(심장·면역체·피부) 등을 선보일 예정이다.박용인 시스템LSI사업부장(사장)은 “사물이 사람처럼 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌·심장·신경망·시각 등의 역할을 하는 시스템반도체의 중요성은 더 커질 것”이라면서 “삼성전자는 SoC·이미지센서·디스플레이 구동칩(DDI), 모뎀(통신 칩) 등 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합하는 ‘통합 솔루션 팹리스(반도체 설계업체)’가 될 것”이라고 강조했다. 업계에서는 삼성전자의 ‘반도체 비전’ 발표가 대형 고객사 확보와 연구개발(R&D) 인재 유치로 이어질 것이라는 기대감이 나온다. 업계 관계자는 “이번 발표의 핵심은 각 사업부가 보유한 ‘초격차 기술력’ 공개였다고 본다”라면서 “반도체 고객사 입장에서는 글로벌 경영 불확실성이 커진 상황에서 ‘삼성을 택하면 안정적인 결과물을 낼 수 있다’는 신뢰감을 받을 수 있다”고 말했다.

SK하이닉스는 미국의 대중 반도체 장비 수출 금지와 관련해 미 상무부로부터 1년간 유예를 적용 받기로 협의됐다고 12일 밝혔다. 이는 전날 미국의 규제로 SK하이닉스의 중국 공장에 미국 장비 반입이 중단될 것이라는 로이터통신 보도에 대한 반박으로 풀이된다.SK하이닉스 관계자는 이날 “중국에서 반도체 제품 생산을 지속할 수 있도록 미국과 원만하게 협의가 됐다”라면서 “앞으로도 당사는 우리 정부와 함께 미국 상무부와 긴밀히 협의하여 국제질서를 준수하는 범위 내에서 중국 공장을 운영할 수 있도록 노력할 것”이라고 말했다. 앞서 미 상무부는 지난 7일 중국 내에서 생산되는 18나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직반도체에 대한 장비 수출을 통제한다고 발표하면서 한국 기업의 경우 개별 허가를 받아 중국 내 공장에 필요한 장비를 공급받을 수 있도록 했다. SK하이닉스는 미국의 규제에 따라 상무부의 승인을 받는 절차를 준비해왔고, 이 과정에서 글로벌 시장에 반도체 공급을 원활하게 하기 위해 지속적인 장비 공급이 필요함을 미국 측에 강조한 것으로 전해졌다. 이에 미국 당국은 SK하이닉스가 신규 규제로 인해 필요한 별도의 라이선스 없이도 장비를 공급받을 수 있도록 1년간 유예해준 것으로 알려졌다.

미국이 예상대로 중국을 향해 강력한 반도체 규제를 꺼내 들었다. 미국 상무부는 슈퍼컴퓨터와 인공지능(AI)에 들어가는 첨단반도체 기술의 중국 수출을 사실상 금지한다고 그제 발표했다. 특정한 수준 이상에 쓰이는 반도체 장비도 차단했다. 미국이 중국의 개별 기업이 아니라 특정 산업 전반을 겨냥해 포괄적으로 고강도 규제에 나선 것은 이번이 처음이다. 표면적인 이유는 “특정 반도체 기술과 장비가 중국 내 대량 살상무기 등에 쓰일 수 있다”는 것이다. 하지만 근본적인 이유는 중국의 기술 굴기를 견제하는 데 있다 할 것이다. 미국이 차단한 반도체 장비만 해도 18나노미터 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노미터 이하 로직칩에 들어가는 것들이다. 모두 중국이 생산할 수 있는 ‘최고치’다. 다시 말해 지금보다 기술이 더 발전하는 것은 용인하지 않겠다는 의도다. 중국에 있는 해외 기업은 ‘개별 허가’를 통해 장비를 반입할 수 있게 했지만 안심할 수 없는 이유는 바로 여기에 있다. 삼성전자는 중국 시안에, SK하이닉스는 우시에 각각 공장을 두고 있다. 미국이 중국을 대신 견제해 주면 우리에게 기회가 될 수 있다는 분석도 있다. 단편적인 시각이다. 반도체는 속도가 경쟁력이다. 장비를 들일 때마다 허가 절차를 밟아야 하면 기술 유출 등의 위험은 접어 두고라도 심사 지연 등에 따른 불확실성이 커진다. 무엇보다 자국우선주의를 앞세우는 미국이 우리를 향해서는 규제 칼날을 겨누지 않으리라는 법도 없다. 결국 미중 기술패권 싸움에 휘둘리지 않으려면 우리의 경쟁력을 굳건히 하는 수밖에 없다. 현실은 어떠한가. 뒤늦게 미국, 대만 등을 벤치마킹한 반도체특별법(K-칩스법)은 두 달 넘게 국회에서 잠자고 있다. 3년 전 시작한 SK하이닉스 용인공장은 아직도 첫 삽을 못 떴다. 난공불락 같았던 삼성의 반도체 매출 세계 1위 자리는 최근 대만 TSMC에 빼앗겼다는 관측이 나온다. 당장은 미국과의 수출통제 실무협의 채널을 상시 가동시켜 대중(對中) 반도체 규제의 불똥이 튀지 않게 해야 한다. 미중 갈등이 다른 분야로 번질 수도 있는 만큼 정부와 기업의 긴밀한 정보 교류와 공조 강화도 필수다. 5세대 D램과 1000단 낸드로 기술 초격차를 벌리겠다는 삼성의 엊그제 발표가 허언에 그쳐서는 안 될 것이다. 기업의 힘만으로는 안 된다. 국회는 K칩스법을 빨리 통과시키고 정부와 지자체는 세수 감소와 규제 타령을 멈춰야 한다.

지난해 미국 인텔을 누르고 글로벌 반도체 매출 1위에 오른 삼성전자가 3분기 실적이 시장 전망치를 밑도는 ‘어닝쇼크’를 기록한 가운데 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위 대만 TSMC는 ‘어닝서프라이즈’를 기록했다. 삼성전자의 주력 분야인 메모리반도체의 가격 하락까지 지속할 것으로 전망되면서 올해 말 TSMC가 매출에서 삼성전자를 뛰어넘을 것이라는 시장 예측도 현실화하는 분위기다.8일 업계에 따르면 삼성전자의 3분기 연결기준 잠정실적은 매출 76조원, 영업이익 10조 8000억원으로 집계됐다. 매출은 지난해 동기 대비 2.73% 증가했고, 올해 2분기와 비교하면 1.55% 증가했다. 문제는 뒷걸음질친 영업이익이다. 영업이익은 지난해 동기 대비 31.73% 하락했고, 2분기와 비교하면 23.4% 감소했다. 삼성전자의 영업이익 하락은 공급망 대란에 따른 원자재값 상승에 글로벌 경기침체에 따른 수요 위축까지 겹쳤기 때문으로 풀이된다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 D램과 낸드플래시 가격은 전분기보다 각각 10∼15%, 13∼18% 하락한 것으로 추정된다. 잠정실적 발표에서는 사업부문별 실적은 공개되지 않았지만, 증권가에서는 3분기 반도체(DS) 부문 영업이익이 7조원을 넘지 못할 것으로 보고 있다. 이는 DS부문이 2분기 영업이익 9조 9800억원을 기록한 것과 비교하면 30%가량 급감한 규모다. 삼성전자 고위 관계자는 지난달 28일 열린 직원 간담회에서 “올해 하반기 (반도체) 매출 가이던스(기업 전망치)를 4월 전망치보다 30%가량 낮췄다”며 메모리 한파가 지속될 것임은 예고하기도 했다. 반면 TSMC는 3분기 매출이 6130억 대만달러(약 27조 3000억원)를 기록하며 전년 동기 대비 48% 급증했다. 이는 시장 전망치인 6030억 대만달러를 훌쩍 뛰어넘은 실적으로, 최대 고객사인 애플의 ‘아이폰14’ 출시 효과가 반영된 것으로 보인다.애플이 글로벌 시장에 순차적으로 출시하고 있는 아이폰14프로와 프로맥스에는 TSMC의 4나노 공정으로 생산된 SOC(시스템온칩)가 탑재된다. 블룸버그 통신은 “TSMC 외에 다른 칩(반도체) 제조업체들은 최근 몇 주 동안 재고가 쌓이고 주문이 데이터센터와 세트업체 고객에 의해 줄어들면서 더 어려운 시장에 직면해 있다”라면서 “TSMC의 실적은 금리와 인플레이션이 치솟는 상황에서 일부 전자제품(애플 아이폰)에 대한 수요 회복에 힘입어 투자자들이 우려했던 심각한 경기 침체를 피할 수 있음을 시사한다”고 분석했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다.반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다. 이날 발표는 메모리반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련해 “현재 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트(Bit)를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다.이날 발표는 메모리 반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해, 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나오고 있다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련 “현재로서 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다. 메모리 수요 감소에도 감산 계획보다는 기술 초격차를 유지하며 1993년부터 점유율 1위를 유지해 온 글로벌 주도권을 놓지 않겠다는 의미다. 지난 3일 ‘파운드리(위탁생산) 포럼’에서 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언한 것과도 맥이 통한다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

지난 6월 세계 최초로 3나노(㎚·10억분의1m) 공정을 적용한 반도체 양산에 들어가면서 기술력으로 파운드리(위탁생산) 시장 부동의 1위인 대만 TSMC를 앞지른 삼성전자가 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 파운드리 업계는 2나노까지를 ‘기술의 한계’로 꼽고 있지만, 3나노 양산으로 경쟁사를 뛰어넘는 기술력을 과시한 삼성전자는 격차를 더욱 벌려 단기간에 업계 선두로 올라서겠다는 복안이다. 삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 사업 목표와 이를 달성하기 위해 개발 중인 기술을 소개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 이목을 사로잡은 건 1.4나노 반도체 양산 계획이다. 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 최 사장이 언급한 GAA 기술은 기존 제작 방식보다 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능은 더욱 높인 신기술로, 삼성전자가 업계에서 가장 먼저 제품 양산에 성공한 바 있다. 삼성전자는 GAA 기술에 힘입어 이미 2025년 2나노 공정 도입 계획을 밝혔지만 1.4나노 계획까지 언급한 것은 이번이 처음이다.삼성전자가 ‘초격차’ 기술 확보에 속도를 올리면서 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 3나노에서 허를 찔린 TSMC는 GAA 방식이 아닌 기존 제작 방식을 적용해 3나노 공정에 들어갔고, 1.4나노 공정 개발에도 착수했지만 구체적인 양산 시기와 제작 방법 등은 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자가 1.4나노 양산 시기까지 밝힌 것을 두고 GAA 기술력에 대한 자신감의 표출인 동시에 글로벌 고객사 확보를 위한 포석이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 인텔을 제치고 반도체 시장 매출 1위에 올랐지만, 매출이 메모리반도체에 편중된 탓에 ‘반쪽짜리 1등’이라는 꼬리표가 붙어 있다. 게다가 메모리 시장은 내년 상반기까지 가격 하락세가 지속될 것으로 전망되면서 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리의 성장이 절실한 상황이다. 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위다. 업계 관계자는 “퀄컴과 애플, 브로드컴 등 대형 고객사가 북미에 포진한 상황에서 삼성전자의 1.4나노 계획 발표는 고객 확보에도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다”면서 “파운드리 성장은 ‘2030년까지 시스템반도체에서도 1위를 달성하겠다’는 이재용 부회장의 비전 달성을 위한 필수 조건”이라고 말했다. 한편 이 부회장은 지난 1일 방한한 손정의 소프트뱅크 회장과의 회동을 통해 소프트뱅크가 소유한 영국 반도체 설계기업 ARM의 지분 참여를 추진하고 있는 것으로 알려졌다. ARM은 전 세계 스마트폰에 들어가는 애플리케이션 프로세서(AP)의 설계도를 독점적으로 제공하고 있는 기업으로, 단일 기업의 인수는 사실상 불가능해 지분 투자 방식의 전략적 제휴 방안이 거론된다. 일각에서는 사안의 민감성을 고려해 두 사람이 이미 배석자 없이 단독으로 만나 대화를 나눴을 것이라는 시각도 나온다.  

지난 6월 세계최초로 3나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산에 들어가며 파운드리(위탁생산) 시장 부동의 1위 대만 TSMC를 기술력으로 앞지른 삼성전자가 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 파운드리 업계는 2나노까지를 ‘기술의 한계’로 꼽고있지만, 3나노 양산으로 경쟁사를 뛰어넘는 기술력을 과시한 삼성전자는 격차를 더욱 벌려 단기간에 업계 선두로 올라서겠다는 복안이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 사업 목표와 이를 달성하기 위해 개발 중인 기술을 소개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 이목을 사로잡은 건 1.4나노 반도체 양산 계획이다. 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 최 사장이 언급한 GAA 기술은 기존 제작 방식보다 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능은 더욱 높인 신기술로, 삼성전자가 업계에서 가장 먼저 제품 양산에 성공한 바 있다. 삼성전자는 GAA 기술에 힘입어 이미 2025년 2나노 공정 도입 계획을 밝혔지만 1.4나노 계획까지 언급한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자가 ‘초격차’ 기술 확보에 속도를 올리면서 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 3나노에서 허를 찔린 TSMC는 GAA 방식이 아닌 기존 제작 방식을 적용해 3나노 공정에 들어갔고, 1.4나노 공정 개발에도 착수했지만 구체적인 양산 시기와 제작 방법 등은 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자가 1.4나노 양산 시기까지 밝힌 것을 두고 GAA 기술력에 대한 자신감 표출인 동시에 글로벌 고객사 확보를 위한 포석이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 인텔을 제치고 반도체 시장 매출 1위에 올랐지만, 매출이 메모리반도체에 편중된 탓에 ‘반쪽짜리 1등’이라는 꼬리표가 붙어 있다. 게다가 메모리 시장은 내년 상반기까지 가격 하락세가 지속할 것으로 전망되면서 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리의 성장이 절실한 상황이다. 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위다.업계 관계자는 “퀄컴과 애플, 브로드컴 등 대형 고객사가 북미에 포진한 상황에서 삼성전자의 1.4나노 계획 발표는 고객 확보에도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다”라면서 “파운드리 성장은 ‘2030년까지 시스템반도체에서도 1위를 달성하겠다’는 이재용 부회장의 비전 달성을 위한 필수조건”이라고 말했다. 한편 이 부회장은 지난 1일 방한한 손정의 소프트뱅크 회장과의 회동을 통해 소프트뱅크가 소유한 영국 반도체 설계기업 ARM의 지분 참여를 추진하고 있는 것으로 알려졌다. ARM은 전 세계 스마트폰에 들어가는 애플리케이션 프로세서(AP)의 설계도를 독점적으로 제공하고 있는 기업으로, 단일 기업의 인수는 사실상 불가능해 지분 투자 방식의 전략적 제휴 방안이 거론된다. 일각에서는 사안의 민감성을 고려해 두 사람이 이미 배석자 없이 단독으로 만나 대화를 나눴을 것이라는 시각도 나온다.

삼성전자가 5년 뒤 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다. 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서는 2나노를 기술의 한계로 꼽아왔지만, 이를 뛰어넘어 세계 최초로 1.4나노 시대를 열겠다는 게 삼성전자의 로드맵이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최하고 파운드리 사업 청사진과 신기술을 발표했다. 파운드리사업부장인 최시영 사장은 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 삼성전자는 2나노 공정 계획을 밝힌 적이 있지만, 1.4나노 계획을 언급한 것은 이번이 처음이다. 파운드리 시장 점유율 1위 대만 TSMC 역시 2나노에 이어 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌지만, 삼성전자와 달리 양산 시기 등 구체적인 계획은 밝히지 않은 상황이다. 삼성전자는 1.4나노 양산 외에 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나간다는 목표도 제시했다. 현재 모바일에 집중된 매출을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 오토모티브 차량용 반도체, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 비모바일 제품군으로 확대해 나간다. 이를 위해 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 비휘발성메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 계획이다. 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다. 삼성전자는 2027년까지 선단공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대하는 것을 목표로 현재 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장 라인을 1개에서 2개로 늘린다는 계획도 공개했다.테일러 2라인은 클린룸을 먼저 건설하는 ‘쉘 퍼스트’(Shell First) 방식을 통해 고객 수요에 적극 대응하기로 했다. 주문이 들어오면 공장을 짓는 기존 방식과 달리 TSMC나 인텔처럼 공장 프레임을 우선 만든 뒤 주문이 들어오면 생산 설비를 투입한다는 취지다. 삼성전자는 이를 통해 생산 시점을 앞당겨 공급을 넘는 수요에 적극적으로 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

애플, 아이폰14 시리즈 공개애플이 플래그십 스마트폰 아이폰14 시리즈와 신형 애플워치·에어팟을 전격 공개했다. 고가형 모델을 중심으로 성능과 디자인이 크게 개선됐음에도 애플은 출고가를 전작 아이폰13 시리즈에서 동결하기로 했다. 하지만 국내에선 고환율 상황을 감안하더라도 상당히 인상된 출고가가 책정됐다. 7일(현지시간) 미국 캘리포니아주 쿠퍼티노 애플파크에서 열린 애플 키노트 이벤트 ‘저 너머로’(Far out)를 통해 소개된 아이폰14 시리즈는 ▲6.1인치형 기본 ▲6.7인치형 플러스 ▲6.1인치형 프로 ▲6.7인치형 프로맥스 등 4종이다. 아이폰12와 아이폰13 시리즈에 있었던 5.4인치형 미니 모델은 수요가 충분하지 않다는 판단에 없앴다. 아이폰14 시리즈는 기본·플러스와 프로·프로맥스 간 ‘급 나누기’ 정책이 확연하게 드러났다. 대표적으로 아이폰의 상징과도 같았던 화면 상단에 위치한 ‘노치’ 디자인은 프로·프로맥스 모델에서만 사라졌다. 대신 상단부를 길게 뚫은 듯한 ‘펀치홀’ 디자인이 적용됐다. 특히 펀치홀엔 사용자 이용 환경에 맞춰 자유자재로 화면이 확대되는 ‘다이내믹 아일랜드’ 기술이 새롭게 적용됐다. 아울러 프로 모델은 신형 AP칩인 ‘A16 바이오닉칩’이 장착됐고, 아이폰 시리즈 최초로 4800만 화소 후면 카메라도 탑재됐다. 특히 애플 최초로 4나노미터(㎚·10억분의1m) 공법으로 만들어진 A16 바이오닉칩은 동급 경쟁사 제품과 비교해 최대 40% 빠르고 전력 소비는 3분의1 수준이라는 설명이다.당초 전 세계적으로 부품 수급이 어려워지면서 출고가가 전작에서 100달러(약 13만원)가량 인상되는 것 아니냐는 관측이 나왔지만, 애플은 모든 아이폰14 모델의 가격을 동결하는 강수를 뒀다. 이에 따라 128GB 기준 ▲기본 799달러 ▲플러스 899달러 ▲프로 999달러 ▲프로맥스 1099달러 등으로 책정됐다. 북미 지역 기준으로 9일부터 사전 주무이 가능하다. 하지만 국내에선 고환율 등의 영향으로 출고가가 크게 인상됐다. 128GB 기준으로 기본 모델은 16만원 인상된 125만원, 새로 추가된 플러스 모델은 135만원, 프로 모델은 20만원 인상된 155만원, 프로맥스 모델은 26만원 인상된 175만원으로 책정됐다. 한국은 1차 출시국에 포함되지 않아 국내 출시일이 미정인 상태다. 애플은 아이폰14 시리즈에서도 프로·프로맥스 같은 고가형 모델을 앞세워 삼성전자의 차세대 폴더블폰 Z플립4·Z폴드4와 치열한 시장 경쟁을 이어 갈 것으로 보인다. 여기에 구글도 다음달 ‘메이드 바이 구글’ 행사를 열어 스마트폰 픽셀7 시리즈를 공개하고, 화웨이·샤오미 등 중국 업체도 신형 기종을 잇달아 내놓으면서 글로벌 스마트폰 시장이 크게 확대될 전망이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템 반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.” 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다.경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 이날 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령이 평택 캠퍼스를 방문했을 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 대해 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하며 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려 나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 지난 7월부터 낸드플래시 양산에 들어간 3공장은 평택 캠퍼스 내에서도 가장 큰 규모로 조성되고 있다. 공장 전체 면적은 99만㎡로 이는 축구경기장 25개를 합쳐 놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 각 공정은 100% 자동화로 24시간 중단 없이 진행된다. 3공장 완공 이후 289만㎡(약 87만평) 부지의 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성한다는 게 삼성전자의 장기 비전이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

미국과 중국의 ‘반도체 전쟁’이 갈수록 격화하는 가운데 워싱턴이 베이징의 ‘초미세 반도체 굴기’를 원천 차단하고자 초강수를 뒀다. 반도체 제조 장비에 대한 수출 통제 기준을 기존 10나노미터(㎚·10억분의1ｍ)에서 14㎚로 끌어올렸고, ‘중국과 분리된 첨단 반도체 공급망’을 만들고자 일본 정부와 손잡고 ‘경제판 2+2’ 대화도 발족했다. 30일(현지시간) 블룸버그통신은 “최근 미 상무부가 자국 내 반도체 장비업체들에 ‘14㎚ 공정보다 미세한 제조기술을 적용한 장비를 중국에 수출하지 말라’는 공문을 보냈다”고 전했다. 미국의 장비 없이는 어느 나라도 반도체 양산이 불가능하다는 점을 감안하면 사실상 이번 조치는 워싱턴이 중국의 반도체 기술 성장의 한계를 ‘14㎚’로 못박은 것으로 볼 수 있다. 반도체는 회로의 선폭이 가늘수록 성능이 좋아진다. 이 때문에 삼성전자와 TSMC 등 선두 업체들은 3㎚ 이하 초미세 공정 개발에 사활을 걸고 있다. 앞서 미 상무부는 2020년 12월 중국의 반도체 기업 중신궈지(SMIC)에 10㎚ 이하의 장비를 도입하지 못하게 막았다. 이를 비웃듯 SMIC가 지난해 7월부터 7㎚ 반도체를 시험 생산하고 있다는 사실이 확인됐다. 반도체 제재 ‘구멍’을 확인한 조 바이든 미 행정부가 ‘중국 반도체 마지노선’을 14㎚로 더욱 조인 것이다. 블룸버그는 “이번 조치로 중국 내 반도체 기업 상당수가 영향을 받게 될 것”으로 내다봤다. 중국에서 반도체 공장을 운영하는 삼성전자와 SK하이닉스도 촉각을 곤두세우고 있다. 다만 이번 규제로 인해 당장 국내 기업에 미칠 영향은 크지 않을 것이라는 전망이 나온다. 업계 관계자는 “반도체 산업에서 ㎚ 단위 공정을 언급하는 것은 통상 시스템반도체 분야”라며 “(한국이 시장을 지배하는 메모리 반도체가 아니라) 미국이 주도하는 시스템반도체 보호를 위해 견제에 나선 것으로 보인다”고 전했다. 워싱턴은 일본과도 ‘중국 협공’ 수위를 높였다. 지난 30일 니혼게이자이신문은 “중국과 러시아를 견제하고자 29일 워싱턴DC에서 첫 외교·경제 장관(경제판 2+2) 회의를 열었다”고 보도했다. 미국 측에서는 토니 블링컨 국무장관과 지나 러몬도 상무장관, 일본 측에서는 하야시 요시마사 외무상과 하기우다 고이치 경제산업상이 참석했다. 양국은 공동성명에서 “인도태평양경제프레임워크(IPEF)를 포함한 혁신적 방식으로 인도·태평양 지역의 발전과 번영을 증진할 것”이라고 밝혔다. 이에 따라 일본 정부는 올해 안에 차세대 반도체 개발을 위한 공동 연구센터를 설립해 2025년에 2㎚ 반도체를 양산한다는 목표를 세웠다고 매체는 덧붙였다.

“메모리에 이어 파운드리를 포함한 시스템반도체 분야에서도 확실히 1등을 하도록 하겠다.”(2019년 시스템반도체 비전 선포식) 삼성전자가 전 세계 최초로 3나노(㎚·나노미터) 반도체 양산에 성공하며 이재용 삼성전자 부회장의 ‘2030년 시스템반도체 1위’ 목표에 한 발짝 더 다가서게 됐다. 삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, GAA 기술을 적용한 것은 삼성전자가 첫 사례다. 파운드리 독립사업부를 꾸린 지 5년 된 삼성전자가 35년 역사를 자랑하는 파운드리 1위 업체 대만의 TSMC보다 기술적 우위에 선 것이다. 삼성전자는 3나노 반도체를 ‘게임 체인저’로 삼고 1위 추격에 본격 시동을 건다. 3나노는 반도체 회로의 선폭을 가리키는 것으로, 머리카락 굵기의 10만분의3 수준이다. 선폭이 좁을수록 고효율, 고성능, 저전력의 반도체를 만들 수 있다. 웨이퍼에서 더 많은 칩을 만들 수 있어 생산성도 높아진다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 ‘채널’ 4개 면을 스위치 역할을 하는 게이트가 상하좌우 전방위로 감싸는 형태다. 위·왼쪽·오른쪽 3개 면만 감싸는 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 높아진다. 면적도 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 내년에 도입할 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등으로 대폭 진화한다.삼성전자가 파운드리 시장에서 기술로 먼저 치고 나가는 것은 높은 성장성 때문이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 3나노 이하 글로벌 파운드리 매출(종합반도체기업 제외)은 올해 39억 7100만 달러(약 5조원)에서 2025년 254억 500만 달러(약 33조원)로 3년 새 539.8% 급증할 것으로 전망된다. 이에 삼성전자는 파운드리 고객사를 2017년 30곳에서 지난해 100곳 이상으로 4년 만에 약 3배 이상 늘리는 등 적극적인 영토 확장에 나서고 있다. 삼성전자는 2026년까지 고객사를 300곳 이상 확보하겠다는 목표다. 특히 이번 3나노 양산은 독보적 1위인 TSMC보다 초미세공정 기술력에서 한발 앞서게 됐다는 점에서 의미가 크다. TSMC는 올 하반기에 GAA가 아닌 기존 핀펫 기반 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 옴디아에 따르면 지난해 기준 TSMC가 전 세계 파운드리 시장 매출의 49.5%를 차지하고 있다. 삼성전자(16.3%), UMC(7.3%) 글로벌파운드리(5.8%), SMIC(4.8%)가 뒤를 잇는다. 결국 삼성전자의 최우선 과제는 추가 고객사를 끌어들여 점유율을 가져오는 데 있다. 3나노 파운드리 고객사로는 현재 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체)인 AMD, 퀄컴 등이 거론된다. 충분한 수율(양품 비율)을 내는 것도 관건이다. 수율이 60%라면 10개 제품을 생산해 4개 제품은 불합격을 받는다는 의미다. 앞서 삼성전자는 4나노 공정 수율에선 TSMC에 밀린다는 평가를 받았지만 3나노 공정 수율은 개선된 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “구체적인 수치를 밝힐 수는 없지만 원활한 공급이 가능하다고 판단되는 수준까지 올라왔다”고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 말했다.

삼성전자, 세계 최초로 GAA 기술 3나노 양산 시작‘파운드리 1위’ 대만 TSMC보다 기술적 우위 점해기존 핀펫 기술 대비 전력·면적 줄이고 성능 높아져고객사·수율 확보가 관건…“수율 충분한 수준 달성”삼성전자가 세계 최초로 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 기술을 적용한 3나노(㎚·나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 1987년 설립돼 35년 역사를 자랑하는 파운드리 시장 1위 대만의 TSMC보다 2017년 독립사업부로 승격돼 5년 남짓된 삼성전자가 기술적 우위에 선 것이다. 삼성전자는 3나노 파운드리 공정을 ‘게임 체인저’로 삼고 1위 추격에 나설 계획이다. 30일 삼성전자에 따르면 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 특히 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스를 시작하는 것은 삼성전자가 전 세계에서 유일하다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 ‘채널’ 4개면을 스위치 역할을 하는 ‘게이트’가 상하좌우 전방위 4개면을 감싸는 형태로 이뤄져 있다. 이는 위·왼쪽·오른쪽 3개면만 감싸는 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적도 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 더욱 발전된 GAA 2세대 공정과 비교하면 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 효과가 기대된다.삼성전자는 칩의 설계와 검증 작업도 효율적이고 빠르게 진행하기 위한 파트너십을 가동한다고 밝혔다. 이른바 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너인 시높시스, 케이던스 등과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공해 고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나가겠다는 계획이다. 상카 크리슈나무티 시높시스 실리콘 리얼라이제이션그룹 총괄 매니저는 “시높시스는 삼성전자와 장기적·전략적 협력관계를 유지하고 있다”면서 “삼성전자와의 GAA기반 3나노 협력은 향후 시높시스의 디지털 디자인, 아날로그 디자인, IP 제품으로 계속 확장되어, 주요 고성능 컴퓨팅 어플리케이션을 위한 차별화된 SoC를 제공할 것이다”고 말했다. 삼성전자가 파운드리 시장을 적극 두드리는 것은 높은 성장성 때문이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부 2021년 매출은 약 169억 달러로, 처음 파운드리 사업부 자체로 매출 집계가 시작된 2018년(117억 달러)와 비교해 연평균 약 13%의 고성장을 이어가고 있다. 같은 기간 파운드리 시장 연평균 성장률(12%)보다 높은 수준이다. 파운드리 고객사도 2017년 30곳에서 지난해 100곳 이상으로 4년 만에 약 3배 이상 증가했다. 삼성전자 관계자는 “2026년까지 300곳 이상 확보하는 것이 목표”라고 밝혔다. 최근 이재용 삼성전자 부회장도 유럽 출장에서 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조했다.특히 이번 3나노 양산은 파운드리 시장에서 압도적 1위 자리에 있는 TSMC보다 기술적 우위를 선점했다는 측면에서 의미가 크다. TSMC는 올 하반기에 GAA가 아닌 기존 핀펫 기반 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 옴디아에 따르면 지난해 기준 TSMC가 전 세계 파운드리 시장 매출의 49.5%를 차지하고 있고, 뒤이어 삼성전자(16.3%), UMC(7.3%) 글로벌파운드리(5.8%), SMIC(4.8%) 순으로 이어지고 있다. 결국 삼성전자의 최우선 과제는 고객사 추가 확보를 통해 점유율을 가져오는 것에 있다. 3나노 파운드리 고객사로는 현재 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체) AMD, 퀄컴 등이 거론되고 있다. 특히 조 바이든 미국 대통령이 지난달 삼성전자 평택공장을 방문했을 때 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO)도 동행해 3나노 반도체를 직접 확인하기도 했다. 충분한 수율 확보도 관건이다. 예를 들어 수율이 60%라면 10개 제품을 생산해 4개 제품은 불합격을 받는다는 의미다. 삼성전자는 앞서 4나노 공정 수율에서 TSMC에 못 미쳤다는 평가를 받았지만, 3나노 공정 수율은 크게 개선된 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “구체적인 수율을 밝힐 수는 없지만, 원활한 공급이 가능하다고 판단되는 수준까지 올라왔다”고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트’, 핀펫, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”면서 “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스 최고경영자(CEO) 곽노정 사장이 3일 임직원들과의 소통 행사에서 메모리반도체 D램과 낸드플래시의 차세대 기술 개발에 대한 자신감을 드러냈다. 곽 사장은 이날 온라인·오프라인으로 동시에 진행된 타운홀 미팅 ‘더 소통’에 참석했다. 곽 사장이 임직원 소통행사에 참석한 것은 지난 3월 각자 대표이사에 취임한 이후 처음이다. 곽 사장은 “과거에 D램은 100나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ)가 한계라고도 했지만, 이제 우리는 10나노대를 구현하고 있다”며 “우리 구성원들의 실력이라면 D램과 낸드 모두 앞으로도 계속해서 한계를 돌파해 나갈 것”이라고 말했다. 그러면서 “D램 미세화와 낸드 적층의 목표를 지금 상황에서 정확하게 얘기하긴 어렵지만 기술력이 진보해갈 것은 확실하다”고 덧붙였다. 회사 측은 현재 10나노대 5세대(1b) D램(12~13나노)과 낸드플래시 238단 기술 개발을 진행하고 있는 것으로 알려졌는데 곽 사장의 이날 발언은 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술 개발이 차질없이 진행되고 있음을 보여준다는 해석이 나온다. D램은 회로 선폭이 가늘수록, 낸드플래시는 셀을 더 많이 쌓을수록 메모리 성능이 좋아진다. 현재는 14나노 D램, 176단 낸드플래시가 가장 앞선 공정이다. 곽 사장은 최근 제기된 ‘솔리다임 분사설’은 “사실무근”이라고 일축했다. 업계에선 SK하이닉스가 낸드 솔루션 사업을 분사한 뒤 지난해 말 인수한 ‘솔리다임’(옛 인텔 낸드플래시 사업부)과 합병할 것이라는 분사설이 나돌았다. 그는 “인텔 낸드플래시 사업부 인수 이후 SK하이닉스와 솔리다임 솔루션 사업의 시너지 극대화를 위해 점진적으로 통합하는 방향성을 신중하게 검토 중”이라며 “방향성이 정해지면 가장 먼저 구성원들과 소통하겠다”고 말했다. 그러면서 “어떤 경우에도 구성원들의 처우에 불이익이 생기는 일은 없을 것”이라며 동요하지 말 것을 당부했다. 지난 6·1 지방선거 과정에서 주목받은 청주 반도체 공장 신설 계획에 대해서는 “용인 클러스터와 별개로 회사의 중장기 투자계획으로 청주 신규 팹을 검토하고 있지만 확정되지 않았다”고 설명했다. 청주에는 SK하이닉스가 지난 2019년 6월에 분양받은 43만 3000여㎡ 부지가 이미 확보돼 있다. 이미 M11·12·15 등 낸드플래시 생산 공장도 두고 있다. 이날 곽 사장은 거점 오피스 확대 등 직원들의 업무 환경을 개선할 다양한 프로그램을 마련할 계획도 공개했다.

이재용 삼성전자 부회장이 다음주 반도체 경쟁력 강화를 목표로 네덜란드 출장길에 오른다. 조직 내부적으로는 대외 위기 관리 컨트롤타워를 신설했고, 반도체 사업 관련 부서는 임원 30명 이상을 교체하는 등 반도체 전략 새판 짜기에 나섰다. 공급망 재편과 물류 대란 등 대외 불확실성을 사전에 관리하는 동시에 ‘초격차 기술력’ 유지·강화를 꾀하는 것으로 ‘위기를 기회로 만들겠다’는 이 부회장의 의지가 반영된 변화로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 이 부회장은 오는 7일 네덜란드로 출장을 떠날 예정이다. 이 부회장의 글로벌 경영에 ‘족쇄’로 작용하고 있는 자본시장법 위반 혐의 재판은 법원 결정으로 2주간 이 부회장 출석 없이 진행된다. 이 부회장의 출장지인 네덜란드는 글로벌 반도체 업계 ‘슈퍼을’로 불리는 ASML 본사가 있는 곳으로, ASML은 반도체 미세공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하고 있다. 이 부회장은 피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO) 등 임원진을 직접 만나 장비 공급 협의를 진행할 것으로 전망된다. 마르크 뤼터 네덜란드 총리 회동도 조율 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이에 앞서 대대적인 조직개편을 단행했다. 우선 러시아의 우크라이나 침공 등 대외 리스크에 전사 차원에서 통합 관리할 수 있도록 지난달 경영지원실 지원팀 산하에 ‘사업위기관리’(BRM) 그룹을 신설했다. 공급망 위기 등 리스크 발생 시 유관부서를 모은 태스크포스(TF)팀을 구성해 대책을 마련하고 CEO가 주요 의사결정을 내릴 수 있도록 지원하는 조직이다. 반도체 조직 역량도 강화했다. 삼성전자는 이날 신임 반도체연구소장으로 송재혁 플래시개발실장(부사장)을 선임했다. 아울러 기술개발 역량을 전문화하기 위해 메모리 기술 개발을 담당하는 메모리 기술개발(TD)실을 D램 TD실과 플래시 TD실로 분리했다. D램 TD실장은 박제민 부사장이, 플래시 TD실장은 장재훈 부사장이 각각 맡는다. 이번 인사로 부사장급 이상 임원 10여명이 자리를 옮겼고, 반도체연구소 내에는 ‘차세대연구실’이라는 미래 사업 조직도 신설됐다. 삼성전자는 통상 매년 연말에 정기 인사와 조직개편을 해 왔지만 이번 인사는 삼성의 ‘반도체 위기론’이 고조되는 시점에서 나왔다. 그간 시장에서는 삼성의 최첨단 4나노 공정 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 확보가 예상보다 더뎌지면서 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 대한 우려의 목소리가 나오기도 했다.

바이든 美 대통령, 삼성전자 평택공장 방문이례적으로 종이 대신 반도체 웨이퍼 서명“미국이 필요로 하는 기술…상징적인 장면”TSMC 우위 기술…올 상반기에 상용화 계획외국 대통령이 한국에 방문하면 늘 이름을 남기는 방명록. 외국 대통령이 종이에 서명하면 한국 대통령이 이를 지켜보는 사진 구도는 친숙하다. 하지만 올해는 ‘남다른’ 방명록에 미국 대통령의 이름이 적혔다. 바로 반도체 웨이퍼다. 조 바이든 미국 대통령은 방한 첫날인 20일 윤석열 대통령과 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾아 3나노미터(㎚) 반도체 공정 웨이퍼에 서명했다. 이후 양국 대통령은 22분간 평택 반도체 공정 라인을 함께 돌아봤다. 나노미터는 10억분의 1m에 해당하는 크기다. 얼핏 들어선 와 닿지 않을 수 있지만, 반도체 기업들이 1㎚라도 줄이기 위해 사활을 걸고 있다. 삼성전자는 세계 최초로 3나노 반도체 웨이퍼를 양산해 반도체 시장에서 우위를 다지겠다는 계획이다. 3나노 반도체, 파운드리 1위 TSMC 따라잡을 ‘게임 체인저’ 반도체 위탁생산을 의미하는 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 지난해 기준 시장 점유율 53%을 차지할 정도로 독보적 1위의 위치에 있다. 반면 삼성전자는 약 1/3 수준인 18%에 불과하다. 메모리 반도체 시장에선 삼성전자의 D램 생산 비중이 42%이 달할 만큼 뛰어난 역량을 자랑하고 있지만, 시스템 반도체(파운드리) 시장에서만큼은 아직 미미한 수준이다. 이런 가운데 삼성전자가 파운드리 시장에서의 확장을 위해 내세운 카드는 세계 최초의 ‘게이트올어라운드’(GAA) 3나노 공정 양산이다. GAA는 삼성전자의 초미세공정 신기술로, 올 2분기 중에 GAA 기술을 3나노 공정에 도입할 계획이다. GAA 기술이 적용되면 기존의 핀펫 5나노 공정보다 칩 면적은 35% 줄이면서 성능은 30% 향상시킬 수 있다. 전력 소모도 절반이나 줄일 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 내년에 3나노 2세대, 2025년엔 GAA 기반 2나노 공정 양산을 시작하겠다는 로드맵을 세웠다. 계획대로 진행된다면 삼성전자는 1위 TSMC와의 기술 경쟁에서 우위에 설 수 있다. 앞서 강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 지난달 28일 올 1분기 실적을 발표하면서 “3나노 공정은 선단 공정 개발 체계 개선을 통해 단계별 개발 검증 강화로 수율 램프업(장비 설치 후 양산까지 생산 능력 증가) 기간을 단축했다”고 밝힌 바 있다.관건은 ‘고객사 잡기’ 다. 파운드리는 위탁생산인 만큼 퀄컴, 애플, 인텔, 엔비디아 등 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체)로부터 생산 수주를 받아내는 것이 곧 실적이다. 결국 시스템LSI사업부에서 생산시설을 넘겨받아 독립 사업부로 승격된 지 5년 남짓 된 삼성전자 파운드리가 1987년 이후 35년 역사를 자랑하는 TSMC로부터 고객사 물량을 가져오려면 독보적인 기술력 우위를 확보해야 한다. 퀄컴도 삼성전자와 TSMC가 경쟁적으로 확보하려는 주요 고객사의 하나다. 앞서 삼성전자는 퀄컴의 최신 모바일 칩 ‘스냅드래곤8 1세대’를 생산하면서 처음으로 퀄컴을 5대 매출처에 올렸다. 하지만 최근 4나노 공정 생산 수율(결함이 없는 합격품의 비율)이 떨어진다는 지적에 따라 퀄컴이 차세대 칩 생산처를 TSMC로 옮긴다는 얘기가 나오면서 변수로 작용하고 있다. 다만 이날 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 바이든 대통령과 함께 평택 공장 방문에 동행하면서 삼성전자와 퀄컴의 관계가 돈독해질 것이란 기대감도 나오고 있다. 평택공장 한미 반도체 동맹 강화…중국 견제 대비도 업계에선 이번 바이든 대통령의 평택 공장 방문을 계기로 반도체 공급망 동맹이 공고해질 것으로 보고 있다. 뛰어난 설계 경쟁력을 가진 미국과 파운드리를 기반으로 한 생산 능력을 가진 한국의 시너지가 발휘될 것으로 기대된다. 특히 미국 입장에서도 미중 무역 경쟁에서 패권을 지키기 위해서라도 한국을 확실하게 자국 공급망 안으로 편입시킬 필요가 있다. 현재 미국 팹리스 업체들의 TSMC에 대한 의존도가 매우 큰 상황인데, 중국에 의한 지정학적 리스크가 있는 만큼 미 정부는 TSMC의 장악력을 경계하는 것으로 전해졌다. 이에 한국을 새로운 반도체 생산거점으로 삼을 것이란 분석이 나온다. 최근 삼성전자가 미국 텍사스주에 대규모 파운드리 공장을 건설하기로 한 만큼 추가적인 세제 혜택 등이 제공될 것이란 기대감도 있다. 한국반도체산업협회 안기현 전무는 “바이든 대통령이 3나노 웨이퍼에 서명한 것은 매우 상징적”이라며 “미국이 필요로 하는 기술에 대한 신뢰를 보여주는 장면”이라고 밝혔다. 그러면서 “미국은 첨단 반도체 제조 기술을 보유한 삼성전자가 반드시 필요한 상황이기 때문에 공장 방문을 통해 신뢰를 다진 것”이라고 평가했다. 다만 역효과도 경계해야 한다는 시각도 있다. 바이든 대통령은 이번 방한 과정에서 우리나라도 참여하는 ‘인도·태평양경제프레임워크’(IPEF) 공식 출범을 선언해 대중 견제망을 공식화할 계획이다. 하지만 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들은 중국 현지 공장도 있는 만큼 중국이 무역보복에 나설 경우 피해를 입을 수 있다. 한미 기술 동맹의 강화가 반도체 업계에게 ‘양날의 검’인 셈이다. 한 업계 관계자는 “IPEF를 중심으로 새로운 공급망이 구축된다면 보다 안정적인 수급을 통한 비즈니스가 가능하겠지만, 중국에서 들어오는 반도체를 비롯한 부품이 적지 않은 만큼 경계할 필요가 있다”고 말했다.

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 삼성전자 등 경쟁사와의 기술 격차를 유지하려고 1.4㎚(나노미터=10억분의1m) 공정 반도체 개발에 나선다는 외신 보도가 나왔다. 대만 연합보는 10일 공급망 관련 소식통을 인용해 TSMC가 3㎚ 공정 연구개발팀을 1.4㎚ 공정 연구개발팀으로 전환, 다음달부터 정식 운영에 들어갈 것이라고 보도했다. 연합보는 “TSMC는 오는 8월 3㎚ 반도체 양산을 시작한 후에도 2㎚ 공정 기술에 돌파구를 마련할 것”이라며 “이는 애플의 차세대 프로세서 주문을 차지하려는 인텔을 제압하는 데서 그치지 않고 계속해서 파운드리 업계 선두를 유지하려는 계획”이라고 밝혔다. 현재 세계 파운드리 업계에서는 TSMC가 독보적 1위 자리를 지키는 가운데 한국의 삼성전자가 2위로 추격하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 파운드리 시장 점유율(매출 기준)은 TSMC가 52.1%, 삼성전자가 18.3%다. 여기에 세계 중앙처리장치(CPU) 시장의 최강자인 인텔도 파운드리 시장 재진입을 선포하고 대규모 투자에 나서면서 향후 세계 파운드리 업계는 TSMC, 삼성전자, 인텔의 3강 구도로 재편될 것으로 전망되고 있다. 현재 TSMC와 삼성전자가 5㎚ 공정 제품 양산 체계를 갖춘 상태에서 차세대 미세 공정 연구개발 분야에서 치열하게 맞붙는 가운데 이들은 3㎚ 미만의 ‘차차기’ 공정 연구개발을 놓고도 경쟁 중이다. 앞서 삼성전자는 2025년부터 2㎚ 반도체 양산에 들어가겠다는 계획을 제시했고, TSMC 역시 연내에 2㎚ 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 한 것으로 전해졌다.

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 삼성전자 등 경쟁사와의 기술 격차를 유지하려고 1.4㎚(나노미터=10억분의1m) 공정 반도체 개발에 나선다는 외신 보도가 나왔다. 대만 연합보는 10일 공급망 관련 소식통을 인용해 TSMC가 3㎚ 공정 연구개발팀을 1.4㎚ 공정 연구개발팀으로 전환, 다음달부터 정식 운영에 들어갈 것이라고 보도했다. 연합보는 “TSMC는 오는 8월 3㎚ 반도체 양산을 시작한 후에도 2㎚ 공정 기술에 돌파구를 마련할 것”이라며 “이는 애플의 차세대 프로세서 주문을 차지하려는 인텔을 제압하는 데서 그치지 않고 계속해서 파운드리 업계 선두를 유지하려는 계획”이라고 밝혔다. 현재 세계 파운드리 업계에서는 TSMC가 독보적 1위 자리를 지키는 가운데 한국의 삼성전자가 2위로 추격하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 파운드리 시장 점유율(매출 기준)은 TSMC가 52.1%, 삼성전자가 18.3%다. 여기에 세계 중앙처리장치(CPU) 시장의 최강자인 인텔도 파운드리 시장 재진입을 선포하고 대규모 투자에 나서면서 향후 세계 파운드리 업계는 TSMC, 삼성전자, 인텔의 3강 구도로 재편될 것으로 전망되고 있다. 현재 TSMC와 삼성전자가 5㎚ 공정 제품 양산 체계를 갖춘 상태에서 차세대 미세 공정 연구개발 분야에서 치열하게 맞붙는 가운데 이들은 3㎚ 미만의 ‘차차기’ 공정 연구개발을 놓고도 경쟁 중이다. 앞서 삼성전자는 2025년부터 2㎚ 반도체 양산에 들어가겠다는 계획을 제시했고, TSMC 역시 연내에 2㎚ 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 한 것으로 전해졌다.