D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

삼성전자가 국내 기업 사상 처음으로 ‘분기 영업이익 20조원’ 시대를 열었다. 삼성전자의 역대 최대 분기 실적은 물론 한국 기업 중 사상 첫 기록이다. 글로벌 인공지능(AI) 패권 경쟁이 메모리 반도체 수요를 키우면서 촉발된 ‘메모리 슈퍼사이클’을 타고 올해 영업이익이 100조원을 돌파할 거라는 기대도 나온다. 삼성전자는 8일 잠정 실적 공시를 통해 2025년 4분기 연결 기준 매출 93조원, 영업이익 20조원을 기록했다고 밝혔다. 매출과 영업이익 모두 창사 이래 최고치다. 영업이익은 전년 동기 대비 208.2%, 전 분기 대비 64.3% 증가했다. 지난해 연간 누적 매출 역시 332조 7700억원으로 사상 최대 기록을 새로 썼다. 이번 ‘어닝 서프라이즈’는 단순한 업황 수혜를 넘어 삼성의 비즈니스 모델이 ‘범용 칩 공급’에서 ‘AI 플랫폼 파트너’로 진화하고 있음을 시사한다. 실제 삼성전자는 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 본격 공급하기 시작한 데 이어 최근 북미 빅테크 기업들로부터 차세대 HBM4와 AI 가속기용 맞춤형 칩을 잇달아 수주하며 실적의 질적 변화를 이끌어 냈다. 과거의 실적이 수요에 따른 가격 변동에 의존했다면 이제는 고객사와 긴밀히 연계된 ‘수주형 비즈니스’가 20조원 시대를 견인하는 핵심 동력이 된 셈이다. 재계에서는 이재용 회장의 글로벌 네트워크 경영과 전영현 부회장의 ‘기술 쇄신’ 전략이 시너지를 낸 결과로 보고 있다. 이 회장은 직접 엔비디아, 테슬라, 애플 등 빅테크 수장들과 연쇄 회동하며 맞춤형 HBM과 파운드리 수주를 주도했고 전 부회장은 제조 현장의 근원적 경쟁력을 복원하며 ‘기술 초격차’ 본능을 깨웠다. 이번 실적의 질적 성장을 뒷받침하는 핵심 병기로는 본격 양산 궤도에 진입한 6세대 HBM4가 꼽힌다. 삼성은 메모리(1c 나노)와 파운드리(4나노 로직 공정) 역량을 결합한 단일 아키텍처를 선보이며 AI 데이터센터의 최대 난제인 발열과 에너지 효율 개선에 주력했다. 당초 예상을 앞당겨 올해 초부터 공급 물량을 확대하기 시작하면서, 기획 단계부터 고객사 맞춤형으로 칩을 만드는 ‘수주형 플랫폼 비즈니스’로의 체질 개선에도 탄력이 붙고 있다는 분석이다. 압도적인 제조 효율은 수익성 개선의 일등 공신이다. 지난해 하반기 1c 나노 D램 수율이 양산 안정권인 80% 수준에 근접했다는 평가 속에 삼성은 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보한 것으로 보인다. 여기에 범용 D램 가격이 2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 넘어 9.3달러까지 치솟으면서, 생산 원가 절감과 제품 가격 상승이 맞물린 강력한 이익 구조가 형성됐다. 실제 이날 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 지난해 4분기 D램 시장에서 192억 달러(약 26조원)의 매출을 기록하며 1년 만에 글로벌 점유율 1위 자리를 탈환한 것으로 나타났다. 그간 전체 실적의 발목을 잡았던 비메모리 부문의 약진도 주목할 대목이다. 증권업계에서는 파운드리와 시스템LSI 부문의 지난해 4분기 적자폭이 8000억원 미만으로 줄어들며 흑자 전환의 기틀을 마련했을 것으로 관측한다. 메모리 사업에서 거둔 수익을 파운드리 시설에 투자하고, 여기서 확보한 최첨단 공정 기술로 다시 고성능 맞춤형 칩 수주를 끌어오는 삼성만의 ‘통합 제조 경쟁력’이 실질적인 성과로 나타나고 있다는 분석이다. 실제 파운드리는 테슬라와의 자율주행 칩 협력을 공고히 하는 한편 구글·메타·AMD 등 빅테크 기업들과의 차세대 AI 칩 수주 전선에서도 유의미한 진전을 보이고 있다. 여기에 퀄컴이 차세대 모바일 프로세서 생산 일부를 삼성 2나노 공정에 맡길 가능성까지 제기되면서 특정 고객사에 의존하지 않는 ‘수주 다변화’에 대한 기대감도 어느 때보다 커지는 분위기다. 삼성이 열어젖힌 ‘분기 20조원’ 시대는 마이크론과 SK하이닉스를 포함한 글로벌 반도체 산업 전체가 전례 없는 ‘슈퍼 사이클’에 진입했음을 알리는 신호탄이다. 앞서 마이크론이 시장의 예상을 훌쩍 뛰어넘는 실적을 기록한 데 이어 오는 21일 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스 역시 역대급 성적이 확실시되면서 업계 전반에선 반도체 투톱의 ‘연간 영업이익 100조원’ 시대가 현실화할 것이라는 기대감이 커지고 있다.

삼성전자가 31일 엔비디아에 성능과 에너지 효율을 대폭 향상시킨 6세대 고대역폭메모리(HBM)4를 엔비디아에 공급한다고 밝혔다. 또 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 5만개 이상을 도입해 ‘반도체 인공지능(AI) 팩토리’를 구축하기로 했다. 삼성전자는 이날 엔비디아에 ▲HBM3E ▲HBM4 ▲GDDR7 ▲SOCAMM2 등 차세대 메모리와 파운드리 서비스를 공급한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4는 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 고객 요구를 상회하는 11기가비트(Gbps) 이상의 성능을 구현한 것이 특징이다. 초고대역폭과 저전력 특성을 바탕으로 AI 모델 학습과 추론 속도를 높여 엔비디아의 AI 플랫폼 성능을 향상시키겠다는 전략이다. HBM 외에 업계 최초로 개발한 고성능 그래픽 D램(GDDR7)과 차세대 저전력 메모리 모듈 ‘SOCAMM2’ 공급도 협의 중이다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며 HBM4도 샘플을 요청한 모든 고객사에 샘플 출하를 완료한 뒤 양산 출하를 준비 중이다. 또 삼성전자는 향후 5만 개 이상의 엔비디아 GPU를 도입해 업계 최고 수준의 반도체 AI 팩토리를 구축하기로 했다. AI 팩토리는 ▲설계 ▲공정 ▲운영 ▲장비 ▲품질관리 등 반도체 설계와 생산을 아우르는 모든 과정에 AI를 적용해 스스로 분석·예측·제어하는 ‘생각하는’ 제조 시스템이 구현된 스마트 공장이다. AI 팩토리가 갖춰지면 차세대 반도체의 개발과 양산 주기를 단축하고, 제조 효율성과 품질 경쟁력을 혁신적으로 강화할 수 있다는 장점이 있다. 삼성전자의 AI 팩토리는 엔비디아의 시뮬레이션 라이브러리 옴니버스를 기반으로 ‘디지털 트윈’ 제조 환경을 구현하는 것이 골자다. 디지털 트윈은 실제 공장, 장비 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로, 현장에 가지 않고도 가상 환경에서 실시간 운영 분석·예측이 가능하다는 장점이 있다. 디지털트윈 기반 시뮬레이션을 활용하면 개발 기간을 크게 단축하는 것은 물론, 소량의 웨이퍼로도 공정 개발이 가능해진다. 수율 분석 소요 시간도 크게 단축돼 조기에 수율을 향상시킬 수 있으며 실시간으로 공정의 문제점을 분석해 자동 조치도 가능하다. 향후 삼성전자는 AI 팩토리 인프라 구축과 관련 노하우를 한국과 미국 테일러 등 해외 주요 생산 거점에까지 확장해, 글로벌 반도체 공급망 전체의 지능화와 효율화를 완성한다는 전략이다. 또 AI 팩토리를 중심으로 엔비디아와 함께 국내외 파트너사와 차세대 반도체 설계 도구를 공동 개발하고 AI 기반 반도체 제조 표준을 선도해 AI 생태계 발전에 이바지하겠다고 밝혔다.

미중 무역 갈등에 ‘전운’이 드리우면서 가뜩이나 관세 협상 불확실성이 이어지는 상황에서 위기감이 고조되고 있다. 만일 미중 갈등이 전면전 양상으로 치닫는다면 국내 산업, 증시, 환율 등 경제 전반에 직격탄이 될 수 있다는 우려가 나온다. 12일 산업통상부에 따르면 정부는 중국의 희토류 수출 통제 조치의 내용과 영향을 분석하고 있다. 중국 상무부는 최근 ‘역외(해외) 희토류 물자 수출 통제 결정’ 문건에서 사마륨·디스프로슘 등 원소 7종에 더해 사마륨·코발트, 터븀·철, 디스프로슘·철, 터븀·디스프로슘·철, 산화디스프로슘, 산화터븀 등 희토류 합금도 수출할 때 당국의 허가를 받아야 한다고 밝혔다. 수출 통제로 반도체 생산에 필수적인 희토류 자석 가격이 급등하면 반도체 공급망도 위협받게 된다. 한국무역협회에 따르면 한국은 지난해 희토류 금속의 79.8%, 희토류 화합물의 47.5%를 중국에서 수입했다. 중국이 중국산 희토류를 사용하는 해외 제품·기술까지 수출 허가를 통제하기로 한 것도 우려스럽다. 중국은 14나노(㎚) 이하 시스템 반도체나 256층 이상 메모리 반도체, 잠재적 군사 용도의 인공지능(AI)의 연구개발은 개별적으로 수출 신청을 받아야 한다고 밝혔다. 장상식 무역협회 국제무역통상연구원장은 “민간용 제품·기술에 대해서도 허가를 지연하거나 심사 기간을 늘린다면 기업들의 피해가 커질 수 있다”고 말했다. 미국이 100% 대(對)중 추가 관세 카드로 맞대응에 나선 점도 악재다. 세계 교역이 위축되면 대외 의존도가 높은 한국 경제는 더욱 취약해질 수밖에 없다. 김정식 연세대 명예교수는 “미국의 관세 보복으로 한국의 수출 의존도가 큰 대중 수출이 크게 줄어들 수 있다”고 말했다. 원화 약세에 따른 환율 급등세도 지속될 것으로 전망된다. 원달러 환율은 지난 11일 1432원까지 치솟으며 5개월 만에 최고치를 기록했다. 환율이 1450원대를 돌파하면 국내 증시에도 하방 압력으로 작용할 것으로 보인다. 지난 10일(현지시간) 미국 주식시장에서는 미중 갈등에 대한 우려로 엔비디아를 포함한 7개 대형 기술주의 시가총액이 하루 사이 총 7700억 달러(약 1105조원) 증발했다. 고강도 대외 리스크에 맞서 재계는 중국 리스크 분산에 힘을 기울이고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스 등은 공급망 비상 점검 체제에 돌입했다. 미중 갈등 장기화에 대비해 기업들은 동남아시아, 북미 등으로 생산 기지 및 원자재 공급처를 다변화하는 ‘탈중국’ 노선도 염두에 두고 있다.

SK, 공정기술 추가 적용해 장점 확보삼성, 집적도와 속도 높인 샘플 출하차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

인공지능(AI) 제품 수요가 늘어나면서 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 업체인 TSMC의 몸값도 덩달아 올라가고 있다. 애플, 엔비디아 등 빅테크도 TSMC와의 협업을 위해 끈끈한 관계를 유지하고 있다. 20일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 내년 매출 성장률은 12%에 달할 것으로 관측된다. 첨단 공정과 패키징 기술을 앞세운 TSMC는 3나노(㎚·10억분의 1m) 공정에서도 앞서 있다. 트렌드포스는 지난 2년간 캐파(생산능력) 확장 단계에 접어들었던 3나노 공정이 내년 플래그십 PC용 중앙처리장치(CPU), 모바일 애플리케이션프로세서(AP)의 주류가 될 것으로 내다봤다. TSMC의 미국 애리조나 팹 가동 시기도 예상보다 빨라지면서 파운드리 1강 체제(2분기 시장점유율 62.3%)를 굳히는 분위기다. 대만 현지 언론 등에 따르면 TSMC는 애리조나주에 위치한 첫 번째 파운드리 공장(4나노 공정)에서 애플 ‘A16’ 모바일 AP 생산에 돌입한 것으로 알려졌다. A16는 TSMC가 미국에서 생산한 최초의 반도체로 내년 초 출시 예정인 ‘아이폰SE4’에 탑재될 가능성이 있다. 내년 상반기 가동 예정인 첫 번째 공장의 양산이 빨라질 경우 초미세공정이 가능한 공장 건설 계획도 앞당겨질 수 있다. TSMC의 독주 체제가 지속되면서 엔비디아, 애플 뿐 아니라 고대역폭메모리(HBM) 시장의 강자로 떠오른 SK하이닉스도 TSMC와의 파트너십을 강화하고 있다. SK하이닉스는 6세대 HBM인 HBM4의 성능 향상을 위해 TSMC의 로직 선단 공정을 활용한다는 계획이다. TSMC가 25일(현지시간) 미국 샌타클래라에서 개최하는 ‘오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼 2024’에는 SK하이닉스 뿐 아니라 엔비디아, 마이크로소프트(MS), AMD, Arm 등 주요 기업이 총출동한다. OIP 포럼은 미국을 포함해 일본, 대만, 중국, 유럽, 이스라엘 등 6개 지역에서 진행된다. 총 750개 기업과 6000명 이상이 참가할 것으로 전망된다.

미국 출장길에 올랐던 이재용 삼성전자 회장은 메타·아마존·퀄컴 등 빅테크 최고경영자(CEO)와 잇달아 만나 인공지능(AI), 반도체 등의 사업 협력 방안을 논의했다. 이 회장은 위기 극복과 미래 경쟁력 확보라는 삼성의 당면한 숙제를 해결하기 위해 글로벌 네트워크를 최대한 가동한 것으로 보인다. 새로운 기술이 나올 때마다 시가총액 순위가 뒤바뀔 정도로 빅테크 간 경쟁이 치열한 미국 현지에서 삼성은 종합 반도체 회사의 강점을 강조하는 파운드리(위탁생산) 전략으로 고객사 확보에 나섰다. 13일 삼성전자에 따르면 이 회장은 지난 2주간의 미국 출장을 마치고 이날 오후 서울김포비즈니스항공센터에 도착했다. 지난 4일(현지시간) 미국 뉴욕에서 이동통신사 버라이즌 CEO와 만나는 등 동부(뉴욕·워싱턴) 일정을 소화한 이 회장은 서부로 이동해 크리스티아누 아몽 퀄컴 CEO, 마크 저커버그 메타 CEO, 앤디 재시 아마존 CEO를 차례로 만났다. 이 회장은 지난 10일 미국 새너제이의 삼성전자 미주총괄(DSA) 사옥에서 진행된 퀄컴 경영진과의 미팅에선 AI 반도체, 차세대 통신칩 등 미래 반도체 시장에서의 협력 확대 방안을 논의했다. 이튿날 저커버그 자택을 찾아간 이 회장은 저커버그와 4개월 만에 다시 만나 AI, 증강현실, 가상현실 등 다양한 주제로 대화를 나눴다. 지난 2월 방한 당시 삼성의 영빈관인 승지원에 초대됐던 저커버그가 이 회장을 초청한 자리로 앞으로 삼성과 메타는 AI 분야에서 협력을 확대해 나간다는 방침이다.귀국 전 시애틀로 이동한 이 회장은 아마존 본사에서 재시 CEO와 생성형 AI, 클라우드컴퓨팅 등 아마존의 주력 사업과 관련한 시장 전망을 공유하고 양사 간 추가 협력에 대해 의견을 나눴다. 아마존은 세계 1위 클라우드 서비스 업체로 삼성 반도체의 핵심 파트너 중 한 곳이다. 이 자리에는 전영현 DS(반도체)부문장, 이정배 메모리사업부장, 한진만 미주총괄 부사장 등 삼성전자 반도체 경영진이 함께했다. 이 회장은 이번 출장 기간 동안 팹리스(반도체 설계) 등 시스템반도체 기업 관계자와도 미팅을 갖고 파운드리 사업 협력 방안을 논의했다. 파운드리는 삼성의 미래 먹거리로 막대한 투자를 하고 있지만 1위 업체인 대만 TSMC와의 격차는 좁혀지지 않고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 1분기 삼성전자의 세계 파운드리 시장점유율은 11.0%로 TSMC(61.7%)와의 차이가 50.7% 포인트까지 벌어졌다. 이에 삼성은 선두 업체 간 경쟁이 치열한 미세 공정 경쟁에서 첨단기술 개발로 차별화를 꾀하면서 메모리·패키징과 통합한 ‘원스톱’ 서비스로 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 줄이는 데 집중할 계획이다. 이 회장이 직접 참석하진 않았지만 이날 DSA에서 진행된 ‘삼성 파운드리 포럼 2024’에서 삼성의 파운드리 로드맵이 공개됐다. 삼성은 2027년 1.4나노(㎚·1㎚는 10억분의1m) 공정 양산 일정을 재확인하면서 “목표한 성능과 수율을 확보하고 있다”고 밝혔다. 전력선을 웨이퍼 앞면이 아닌 후면에 배치하는 ‘후면전력공급’ 기술을 도입한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비하겠다는 계획도 내놓았다. 후면전력공급 기술은 상용화 사례가 없는 고난도 기술로 전류 흐름을 불안전하게 만드는 현상을 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다. 맞춤형 AI 칩 수요에 대응하기 위해 삼성이 승부수를 띄운 것이다. 내년에는 기존 4나노 공정 대비 소비전력·성능·면적(PPA) 경쟁력이 향상된 새 공정(4나노 SF4U) 양산도 예정돼 있다. 3나노 공정에 차세대 트랜지스터인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 기술을 처음 적용한 삼성전자는 올해 하반기 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)은 기조연설에서 “AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능·저전력 반도체”라면서 “고객이 필요한 원스톱 AI 솔루션을 제공하겠다”고 말했다.

2021년 반도체 파운드리(위탁생산) 사업 부활을 선언하며 시장 점유율 2위 삼성전자 추월 목표를 내세운 인텔이 올해 1분기 파운드리 사업에서 3조 4500억원에 달하는 적자를 냈다. 시장에서는 인텔이 파운드리 기술 추격을 위해 공격적인 투자에 나선만큼 향후 몇 년간 흑자전환은 어려울 것이라는 전망이 나온다.인텔은 25일(현지시간) 1분기 매출 127억 2000만 달러(약 17조 5300억원)를 기록했다고 발표했다. 이번 분기에 처음으로 별도 사업으로 분리한 파운드리에서는 1분기 매출 44억 달러로 전년 대비 10% 줄었고, 25억 달러 영업손실을 기록했다. 이날 뉴욕 증시 정규장에서 1.77% 올랐던 인텔 주가는 실적 발표 후 시간외 거래에서 약 8% 급락했다. 인텔의 1분기 파운드리 영업손실은 오는 30일 1분기 확정 실적이 공개되는 삼성전자 파운드리 영업손실 전망치인 5000억원의 7배에 근접하는 규모로, 증권가에서는 삼성전자 반도체(DS) 사업부문이 1분기 1조 5000억원 규모의 영업이익을 냈을 것으로 보고 있다. 반면 인텔은 올해 파운드리 사업에서 10조원 이상의 적자가 전망된다. 앞서 펫 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 지난 2일 진행한 온라인 세미나에서 “파운드리 사업 적자는 올해 최대치를 기록한 후 2027년에 손익분기점을 넘을 것”이라고 예상했다. 인텔은 파운드리에서 2021년 51억 달러, 2022년 52억 달러, 2023년 70억 달러의 영업손실을 기록하며 적자 폭이 늘어나고 있다. 다만 인텔 파운드리의 실적 흐름은 ‘계획된 적자’라는 시각이 지배적이다. 2016년 파운드리 사업 첫 진출 후 2년 만에 실적과 수율 부진 등으로 사업을 접었던 인텔이 파운드리 ‘재수’에 나서면서 시장 선두주자 대만 TSMC(점유율 61.2%)와 2위 삼성전자(점유율 11.3%)를 추격하려면 동시 다발적인 대규모 시설 투자가 이어져야 하기 때문이다. 인텔은 미국과 유럽 등에 신규 반도체 생산 시설을 건설하는 동시에 네덜란드 기업 ASML 의존도가 높은 극자외선(EUV) 노광장비 기술 고도화에 투자를 집중하고 있다. 2021년 파운드리 사업 재계를 밝히며 “2030년까지 외부 매출 기준 연간 150억 달러 이상의 매출을 달성해 세계 2위 파운드리 업체가 되겠다”는 청사진을 제시한 인텔은 올 연말부터 1.8나노미터(1nm·10억분의 1m) 공정을 시작하고, 2027년에는 1.4나노 공정 양산에 들어갈 계획이다.

TSMC “새 공정, AI칩 속도 향상”삼성, 2나노 이후 1.4나노로 승부인텔, 올해 말 1.8나노 공정 양산 파운드리(반도체 위탁생산) 1위인 대만 TSMC가 2026년 하반기 1.6나노(㎚·10억분의1m) 공정 양산을 시작한다. 후발주자 인텔이 올해 말 1.8나노 공정(18A) 양산에 나선다고 선언한 데 이어 TSMC가 새 공정 계획을 밝히면서 미세공정 주도권을 잡기 위한 ‘나노 경쟁’이 새 국면에 진입했다. TSMC 공동 최고운영책임자(COO)인 Y J 미는 24일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’이 2026년 하반기 생산에 들어간다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 뜻한다. 미 COO는 “A16 기술을 통해 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있어 인공지능(AI) 칩의 속도를 높일 수 있다”면서 “이는 인텔과 경쟁하고 있는 분야”라고 말했다. TSMC가 내년 2나노에 이어 2027년 1.4나노 공정을 통한 반도체 생산 계획을 밝힌 적은 있지만 1.6나노 공정을 언급한 것은 처음이다. 2나노 주도권을 놓고 TSMC와 경쟁하는 삼성전자도 2나노 이후 1.4나노에서 승부를 볼 계획이었다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄어들고 처리 속도는 빨라진다. 현재 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장은 “AI 칩 업체들의 수요로 예상보다 빨리 새로운 A16 칩 제조 프로세스를 개발했다”면서 “A16 공정을 위해 ASML(네덜란드 반도체 장비 기업)의 새로운 차세대 노광장비를 사용할 필요는 없을 것 같다”고 했다. 차세대 노광장비는 반도체 회로를 더 세밀하게 그릴 수 있는 ‘하이 NA EUV’로 최근 인텔이 가장 먼저 도입했다. 인텔은 이 장비로 1.8나노 공정을 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다고 밝혔다. 업계에서는 TSMC의 새 공정 계획이 미세공정 기술 개발 과정에서 생기는 파생공정으로 이례적으로 보기는 어렵다는 시각도 있지만 인텔의 도발 이후 TSMC의 ‘선두 굳히기’ 전략이 공개되면서 TSMC·삼성전자·인텔의 3파전이 더 치열해질 것이란 전망도 나온다.

파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 2026년 하반기부터 1.6나노 공정을 시작한다. 2나노에서 1.4나노 공정으로 가기 위한 중간 지대로 1.6공정을 추가한 것이다. 삼성전자, 인텔과의 미세공정 주도권 경쟁에서 우위를 차지하기 위해 승부수를 띄운 것으로 풀이된다. TSMC 공동 최고운영책임자(COO)인 Y.J. 미이는 24일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’이 2026년 하반기 생산에 들어간다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 뜻한다. 미이 COO는 “A16 기술을 통해 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있어 인공지능(AI) 칩의 속도를 높일 수 있다”면서 “이는 인텔과 경쟁하고 있는 분야”라고 말했다. TSMC는 내년 2나노에 이어 2027년 1.4나노 공정을 통한 반도체 생산 계획을 밝힌 적이 있지만 1.6나노 공정을 언급한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자도 2나노와 1.4나노 공정 계획을 갖고 있지만 1.6나노 공정은 없다. 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장은 “AI 칩 업체들의 수요로 예상보다 빨리 새로운 A16 칩 제조 프로세스를 개발했다”면서 “AI 칩 제조 기업들은 칩 설계를 최적화해 그 성능을 극대화하려고 하고 있다”고 말했다. 이어 “A16 공정을 위해 ASML(네덜란드 반도체 장비기업)의 새로운 차세대 노광장비를 사용할 필요는 없을 것 같다”고 덧붙였다. 차세대 노광장비는 반도체 회로를 더 세밀하게 그릴 수 있는 ‘하이 NA EUV’로 최근 인텔이 가장 먼저 도입했다. TSMC가 1.6 나노 공정 계획을 추가로 밝히면서 미세공정 주도권을 둘러싼 경쟁이 한층 가열될 전망이다. 인텔은 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언하며 TSMC와 삼성을 따라잡겠다는 포부를 밝힌 바 있다. 인텔은 올해 말부터 1.8나노 공정 양산에 착수할 계획이다. 1.8나노는 두 회사가 양산 중인 3나노보다 앞선 공정이다. 인텔은 1.4나노 공정에서도 TSMC, 삼성과 비슷한 시기 양산을 목표로 한다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 61.2%, 삼성전자는 11.3%를 차지했다.

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 새로 짓는 최첨단 반도체 공장에 총 400억 달러(약 55조 3634억원) 이상을 투자한다. 기존에 발표한 투자액인 170억 달러(23조원)의 두 배가 넘는 금액이다. 올해 말 양산을 목표로 짓고 있는 최첨단 파운드리 생산 단지를 확장하는 한편 인공지능(AI)용 반도체 생산에 필수인 최첨단 패키징(여러 칩을 묶어 한 칩처럼 작동하게 만드는 공정) 라인과 연구개발(R&D) 시설까지 끼워 넣는다는 계획이다. 미국 정부는 삼성전자의 통 큰 투자에 화답해 반도체지원법 제정 이후 세 번째로 많은 64억 달러(8조 8505억원)를 보조금으로 지급하기로 했다. 15일(현지시간) 미국 상무부 발표에 따르면 삼성전자가 미국 정부로부터 받게 되는 반도체 현지 투자 보조금은 64억 달러 규모로 앞서 거론되던 60억 달러보다 늘어났다. 지나 러몬도 상무부 장관은 “세계에서 가장 앞선 첨단 반도체를 미국에서 생산할 텍사스 반도체 제조 클러스터 개발을 위해 삼성전자에 최대 64억 달러의 직접 보조금을 제공하기로 했다”며 “삼성전자는 사상 처음으로 미국 텍사스에서 핵심 연구개발, 미래 지원, 대규모 제조 및 첨단 패키징을 모두 수행할 수 있게 됐다”고 밝혔다. 투자 규모와 보조금을 놓고 보면 삼성전자가 미국 정부와의 보조금 협의에서 경쟁사보다 나은 성과를 냈다는 평가가 나온다. 앞서 상무부는 향후 5년간 1000억 달러를 투자하는 인텔에는 보조금 85억 달러에 최대 110억 달러를 저금리 대출해 주기로 했고, 투자 규모를 기존 400억 달러에서 650억 달러로 증액한 대만 기업 TSMC에는 보조금 66억 달러와 함께 저금리 대출 최대 50억 달러 지원을 확정했다. 저금리 대출을 제외한 투자액 대비 보조금 지급 비율만 놓고 보면 삼성전자가 13% 이상으로 인텔(8.5%)과 TSMC(10.2%)에 앞선다. 삼성전자는 곧 완공하는 테일러 공장에서 2026년부터 4나노미터(1nm=10억분의1m) 및 2나노미터 반도체를 생산할 예정이며 인근에 신설할 두 번째 공장에서는 2027년부터 첨단 반도체를 양산할 계획이다. R&D 시설은 2027년 가동된다. 조 바이든 대통령은 백악관 성명을 통해 “삼성전자의 미국 투자는 한미동맹이 미국 곳곳에서 기회를 창출하고 있음을 보여 주는 또 하나의 사례”라고 강조했다. 그는 2022년 5월 방한 당시 삼성전자 평택 반도체 캠퍼스를 방문했던 사례를 언급하면서 “2년이 지난 지금 삼성전자의 첨단 반도체 제조 및 R&D 시설을 텍사스에 유치하기 위한 삼성과 상무부의 예비 합의를 발표하게 돼 기쁘게 생각한다”고 했다. 바이든 대통령은 삼성전자의 미국 투자로 최소 2만 1500개의 일자리가 창출되고 텍사스 중부가 첨단 반도체 생태계 역할을 하게 될 것이라고 기대했다.

미 정부가 대규모 반도체 생산시설을 투자하는 삼성전자에 반도체법에 의거해 보조금 64억 달러(약 8조 9000억원)를 지원하기로 결정했다고 발표했다. 미국 상무부는 15일(현지시간) “상무부와 삼성전자가 미국 반도체 공급망의 복원력을 강화하고 미국의 기술 리더십을 발전시키며 미국의 글로벌 경쟁력을 강화하기 위한 반도체법에 따라 최대 64억 달러의 직접 자금을 지원하는, 예비거래각서(PMT)에 서명했다”고 밝혔다. 상무부는 삼성전자가 향후 미국에 400억 달러(약 55조원) 이상을 투자할 것으로 예상된다면서, 이 같은 투자 제안은 2만개 이상의 일자리 창출을 지원할 것이라고 부연했다. 삼성전자는 현재 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 23조 5000억원)를 투자해 건설 중인 반도체 공장의 규모와 투자 대상을 확대해 오는 2030년까지 총 400억 달러 이상을 투자할 계획이다. 이는 기존 투자 규모의 두 배가 넘는 것이다. 삼성전자는 지난 2022년부터 텍사스주 테일러시에 건설 중인 반도체 생산 공장에 추가로 새 반도체 공장을 건설하고, 패키징 시설과 함께 첨단 연구개발(R&D) 시설을 신축해 본격적인 미국 시장 공략에 나설 방침이다. 삼성전자의 첫 번째 텍사스 테일러 공장은 2026년부터 4나노미터 및 2나노미터 반도체를 생산할 예정이며 이후 두 번째 공장도 가동에 들어가 첨단 반도체를 양산하고 R&D 시설도 운영할 계획이다.바이든 “삼성 투자, 한미동맹이 美 모든 구석에 기회 창출하는 본보기” 조 바이든 미국 대통령은 이날 성명을 통해 “오늘 삼성의 미국 내 투자 발표는 나의 ‘인베스트 인 아메리카(미국에 투자)’ 의제와 한미 동맹이 미국 모든 구석에 기회를 어떻게 창출하고 있는지 보여주는 또 다른 본보기”라고 밝혔다. 미 정부가 삼성전자에 지원하는 반도체 보조금은 미국 반도체기업인 인텔(85억 달러·11조 8000억원)과 대만 기업인 TSMC(66억 달러·9조 1000억원)에 이어 3번째로 큰 규모다. 반도체 기업에 대한 미국 정부의 이 같은 지원은 첨단 반도체의 공급망을 미국내로 끌어들이기 위한 경제·안보 전략의 일환이다. 바이든 행정부는 지난 2021년 출범 이후 공급망 유연성을 확보하고 중국에 대한 견제 차원에서 핵심 제조업의 부활을 위한 대규모 투자를 이어왔고, 특히 국내외 반도체 제조기업들의 설비투자를 유인하기 위해 반도체법을 입법했다. 삼성전자가 받게 될 보조금 64억 달러는 대출금을 제외한 순수 보조금으로 비교해도 TSMC 비해 약간 적지만, 투자액 대비 보조금 비율(%)로 따지면 큰 차이가 없는 것으로 보인다.

미국 반도체업체 인텔이 위탁생산(파운드리) 시장에 도전장을 던졌다. 인텔은 올해 2㎚(나노미터·1㎚는 10억분의1m)와 1.8나노 공정을 도입하고 2027년 1.4나노 반도체를 생산하겠다고 지난 21일(현지시간) 밝혔다. 세계 파운드리 시장은 대만 TSMC(57.9%), 삼성전자(12.4%) 등 아시아가 주도하고 있다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 “아시아가 80%를 차지하는 제조 비중을 서방 세계로 50% 가져와야 한다”고 주장했다. 반도체 시장이 모바일 중심으로 바뀌면서 뒤처진 인텔은 초미세 반도체 공정에 필요한 극자외선장비를 써 본 적이 없다. 그래도 두려운 건 ‘아메리카 원팀’이어서다. 마이크로소프트는 인텔에 1.8나노 반도체를 대량 주문했다고 밝혔다. 지나 러몬도 상무장관은 “인텔이 미 반도체 산업의 챔피언”이라며 “곧 큰 발표가 있을 것”이라고 했다. 100억 달러(약 13조원) 규모의 지원이 이뤄진다는 뜻이다. 반도체 지원이라면 일본도 뒤지지 않는다. TSMC 구마모토 제1공장은 2년간 365일 24시간 지어서 지난 24일 문을 열었다. TSMC 창업자 모리스 창은 개소식에서 “일본 반도체 생산의 르네상스가 될 것”이라고 말했다. TSMC는 구마모토 제2공장도 지을 예정이며 일본 정부는 두 공장에 1조 2000억엔(10조 6000억원)의 보조금을 지급할 예정이다. 메모리반도체 세계 1위는 삼성전자, 인공지능(AI)에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM) 세계 1위는 SK하이닉스다. 반도체 경쟁은 국가 대항전으로 변했다. 개별 기업의 노력만으론 현재의 1위를 유지할 수 없다. 대기업 특혜 논란에서 벗어나 일자리 창출, 경제 활성화 등 큰 틀에서 보자. 지역 민원 해결을 떠나 국가 경제 차원에서 생각해야 한다. 반도체 경쟁 우위를 지켜 낼 ‘코리아 원팀’이 절실하다.

반도체 위탁생산(파운드리) 1위 업체인 대만 TSMC의 일본 규슈 구마모토현 제1공장 개소식이 24일 열린다. TSMC는 2027년까지 제2공장도 완공해 매달 10만장 이상의 반도체를 양산한다는 계획이다. 미국 반도체 기업 인텔도 올해 연말부터 1.8나노(㎚·10억분의 1m) 공정(18A)의 양산에 들어간다. TSMC를 따라잡겠다는 야심찬 목표를 세운 삼성전자는 미 정부·빅테크(대형기술기업)의 지원을 등에 업은 인텔의 추격도 따돌려야 한다. 팹리스(반도체 설계전문 기업) 고객을 유치하기 위한 불꽃 튀는 반도체 ‘나노 경쟁’도 새 국면에 접어들었다.●TSMC, 日 1공장 개소…대만에도 최첨단 공장 구마모토현 농촌 마을인 기쿠요마치(菊陽町)의 약 21만㎡ 부지에 들어선 1공장은 클린룸이 들어서는 FAB동과 오피스동, 가스 저장시설 등으로 구성된다. 반도체 제조 공정에 필수인 클린룸은 4만 5000㎡ 크기다. 반도체 산업 부활을 노리는 일본 정부의 지원 정책도 눈여겨 볼 부분이다. 앞서 일본 정부는 제1공장에 4760억엔(약 4조 2000억원)을 투자하기로 결정했다. 2027년 말 가동을 목표로 구마모토현에 들어서는 제2공장에는 약 7300억엔(약 6조 5000억원)을 지원할 것이란 일본 언론 보도(교도통신)도 있었다. 보도가 현실화된다면 1공장과 2공장에 대한 일본 정부 지원금만 10조원이 넘는 셈이다. 제1공장 운영은 ‘일본첨단반도체제조’를 뜻하는 JASM이 맡는다. 대주주인 TSMC 이외에 소니, 덴소 등 일본 기업도 출자에 참여했다. 1공장에서는 12∼28나노 공정의 제품을 한 달에 약 5만 5000장(300㎜ 웨이퍼 환산 기준) 생산할 예정인데 제조 장치의 반입, 설치 등 남은 작업을 고려하면 올해 안에는 양산을 할 수 있을 것으로 보인다. 2공장에선 6~7나노 공정 반도체가 양산할 예정이다. 반도체 회로 선폭을 의미하는 나노는 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. TSMC는 대만 중부 타이중 과학단지와 남서부 타이바오에 최첨단 반도체 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 대만 언론에 따르면 TSMC는 타이중에 1나노 혹은 1.4나노 공정 반도체 공장, 타이바오에는 1나노 공정 제품을 생산할 공장을 각각 착공할 계획이다. 대만 행정원도 경쟁력 강화 차원에서 대만판 실리콘밸리를 조성한다. 대만 북서부에 위치한 타오위안·신주·먀오리에 16㎢에 달하는 과학단지용 부지를 마련하고, 2027년까지 4년간 1000억 대만달러(약 4조 2000억원) 이상의 공사비를 투입한다는 게 핵심이다.●인텔, 올해 1.8나노 공정 양산…2030년 2위 목표 파운드리 후발 주자인 인텔도 지난 21일(현지시간) ‘파운드리 전략 발표 IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트’ 행사에서 “2030년까지 세계에서 두 번째로 큰 반도체 파운드리 기업을 목표로 하고 있다”며 2위 삼성전자에 도전장을 냈다. 1.8나노 공정 양산 계획도 내년에서 올해로 1년 앞당겼다. 상위 두 업체인 TSMC(시장점유율 57.9%, 지난해 3분기 기준)와 삼성전자(12.4%)는 내년 2나노급 공정 양산을 목표로 하고 있는데 인텔이 이 두 업체를 앞지르겠다는 것이다. 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입하겠다는 계획도 밝혔다. TSMC와 삼성전자도 2027년 1.4나노 공정 상용화를 목표로 하고 있다. 현재 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 3나노를 생산하지 않는 인텔이 역전을 노릴 수 있을지에 대해선 회의적 시각도 있다. 그러나 미 정부의 파격 지원이 단숨에 시장의 판도를 바꿀 수 있다는 전망도 나온다. 블룸버그 통신에 따르면 미 정부는 반도체법에 따른 보조금 등으로 인텔에 100억 달러(약 13조 3550억원)가 넘는 금액을 지원하는 방안을 인텔과 논의 중이다. 마이크로소프트(MS)도 인텔의 든든한 지원군 역할을 할 것으로 보인다. 인텔의 1.8나노 공정에서도 MS 칩이 생산될 예정이다. 구체적인 칩 종류는 알려지지 않았지만 MS가 지난해 발표한 AI 칩(마이아)을 생산하지 않겠느냐는 관측이 나왔다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 “우크라이나·이스라엘 사례에서 알 수 있듯 지정학적 위기를 극복하려면 동아시아에 80%가량 쏠려있는 반도체 공급망을 북미와 유럽으로 재배치해야 한다”며 가장 안정적이고 탄력적인 생산망을 지닌 파운드리는 인텔이라고 자평했다.●삼성 파운드리 분사?…“반도체 3개 사업 시너지 총력” 삼성전자는 2019년 4월 시스템 반도체(파운드리·시스템LSI 사업) 분야에 133조원을 투자해 2030년까지 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 내놓았다. 3년 뒤인 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 공정 기반의 양산을 시작했다. 최근 영국 반도체 설계업체 Arm의 설계 자산(IP)을 GAA 공정에 적용하기 위해 Arm과 협력 관계를 강화했다. 삼성전자는 GAA 공정 수율 확보가 경쟁사와의 기술 격차를 좁히는 승부처로 보고 있다. TSMC와 인텔도 막대한 자금을 투입하고 기술력을 높이는 상황에서 삼성전자 파운드리 사업이 자체 경쟁력을 키우려면 현재 사업부 차원의 조직으로는 한계가 있다는 지적도 있다. 아예 분사를 시켜 ‘홀로서기’를 하는 게 장기적으로 고객사 확보에 도움이 된다는 것이다. 막대한 설비투자 자금 조달을 위해 분사 후 미 증시에 상장하는 방안도 대안으로 거론된다. 그러나 반도체 설계를 담당하는 시스템반도체, 파운드리, 메모리사업을 모두 수행하면서 시너지를 내는 데 총력을 기울이는 삼성전자로서는 분사를 결정하는 게 쉽지 않을 것이란 의견도 만만치 않다. 수년 뒤 반도체 시장을 내다보고 과감한 투자를 해야 하는 현 시점에서 이재용 삼성전자 회장이 어떤 결단을 내릴지 주목된다.

세계 최대 반도체 기업인 인텔이 대만 TSMC의 주요 사업 분야인 파운드리(주문생산)에 본격 진출을 선언했다. 당장 연말부터 TSMC보다 더 고도화된 1.8나노미터(㎚·10억 분의 1m) 공정으로 마이크로소프트(MS)의 인공지능(AI) 전용칩을 생산할 계획으로 알려졌다. TSMC는 물론 파운드리 투자를 늘리고 있는 삼성전자도 영향을 받을 전망이다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 ‘IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트’ 행사를 열고, 연말 1.8나노 공정 양산과 2027년까지 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 1.8나노 공정은 반도체 회로의 폭을 1.8㎚까지 촘촘하게 만든다는 의미다. 수치가 낮을수록 더 작고 저전력, 고성능 반도체를 만들 수 있다. 1.4나노 공정은 최근 주목받는 AI 반도체의 성능을 획기적으로 끌어올릴 수 있을 것으로 전망돼 파운드리 업계에서는 ‘꿈의 공정’으로 인식된다. 인텔의 연말 목표가 1.8 나노 공정이란 것은 파운드리 1, 2위인 TSMC와 삼성전자를 앞서겠다는 의미다. 현재 5나노 이하 양산이 가능한 업체는 3나노 공정을 운용하는 TSMC와 삼성전자 뿐이다. 업계 과반(57.9%)을 점유한 TSMC와 삼성전자는 연말 2나노 공정 도입이 목표이며, 삼성전자는 TSMC보다 조금이라도 앞서 나가기 위해 최근 영국 반도체 설계(팹리스) 업체 Arm과 협력하기로 했다. 이제야 본격적으로 파운드리 사업에 뛰어드는 것 치고 인텔의 목표는 다소 과감하다. 하지만 인텔은 삼성전자와 매년 전세계 반도체 시장 점유율 1, 2위를 다투는 기반과 기술을 보유했다. 게다가 반도체지원법(칩스법)으로 전세계 반도체 수급을 쥐락펴락하는 미국 토종 기업이다. 특히 이날 행사에서 인텔은 연말 도입할 1.8나노 공정으로 MS의 칩을 생산할 것이라고 밝혔다. 인텔은 구체적인 칩 종류를 밝히지 않았지만 MS가 지난해 발표한 ‘마이아’라는 AI 전용 칩으로 추정된다. 인텔이 파운드리로 영역을 넓힌 것은 MS, 아마존, 구글 등 글로벌 기업이 인공지능(AI) 반도체를 직접 설계하기로 한 만큼 이들이 개발한 칩을 대신 제조해줄 파운드리 수요가 급증할 것으로 보기 때문이다. 업계 관계자는 “TSMC에 이어 2순위로 파운드리 시장을 넓혀가고 있는 삼성전자는 TSMC에 밀리고 인텔에 쫓기는 신세가 될 수 있다”면서 “업계가 현재 1강 1중 구도에서 1강 2중으로 재편될 수 있다”고 우려했다.

글로벌, 초미세 공정 전쟁 격화 속민관합동 차세대 공정장비 러브콜파운드리 1위 TSMC 잡을 기회로양국 기술 협력 등 MOU 3건 체결한국에 1조 투입 R&D센터 설립 12일(현지시간) 윤석열 대통령의 세계적인 반도체 장비 회사 ASML 방문은 글로벌 ‘반도체 거인’들의 초미세 공정 경쟁이 격화되는 가운데 우리 기업의 ‘퍼스트 무버’ 전환에 힘을 싣기 위한 행보로 풀이된다. 이날 일정에는 이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장 등 주요 재계 총수들이 동행하며 업계 ‘슈퍼 을(乙)’로 불리는 ASML에 민관이 함께 러브콜을 보냈다. 윤 대통령은 이날 빌럼 알렉산더르 네덜란드 국왕과 함께 펠트호번 소재 ASML 본사를 찾아 양국 정상의 동반 방문을 기념하는 문구가 새겨진 웨이퍼에 서명하고 양국 주요 반도체 기업 간담회에 참석했다. 우리 측에서는 이 회장과 최 회장이, 네덜란드 측에서는 ASML과 원자층증착(ALD) 장비 기업인 ASM의 최고경영자(CEO) 등이 동석했다. 이어 윤 대통령은 양국 정부·기업 간 양해각서(MOU) 체결식에 임석한 후 페터르 베닝크 ASML CEO 등과 함께 ‘클린룸’(청정실)을 시찰했다. 서명된 웨이퍼는 본사 클린룸에 전시됐다. 윤 대통령은 그간 네덜란드의 반도체 기업들이 한국의 생산·연구개발(R&D)·인재 양성 시설 등에 대한 투자를 확대해 온 것에 감사를 표했다. ASML은 윤 대통령에게 2나노 이하 최첨단 반도체 생산에 투입되는 차세대 극자외선(EUV) 장비 시설을 처음 공개했다. 삼성전자와 대만 TSMC 등이 치열하게 격돌하는 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서 ASML은 자신들의 ‘비밀 병기’를 한국 측이 엿볼 수 있도록 한 것이다. 특히 우리 기업들로서는 2나노 경쟁에서 기술을 선점하지 못하면 파운드리 1위 업체인 TSMC를 따라잡기 어렵다는 위기감이 적지 않은 상황이기도 하다. EUV 반도체 장비를 직접 확보하기 위해 2020년 10월과 2022년 6월 ASML을 직접 방문한 바 있는 이 회장은 이번 방문에서 다시 한번 ASML 측과 차세대 EUV 장비 수급 문제를 논의했을 것으로 관측된다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정으로 반도체를 생산할 계획이고, TSMC는 2025년 2나노 공정, 2028년 1나노 공정 양산을 목표로 하고 있어 당장 내년부터 두 기업 간의 기술 경쟁은 한층 치열해질 것으로 전망된다. 박춘섭 경제수석은 현지 브리핑에서 “윤 대통령 방문에 맞춰 처음으로 차세대 EUV 장비를 대외 공개한 것은 ASML과 한국 반도체 기업들의 깊은 신뢰 관계와 전략적 협력의 중요성을 보여 준다”고 설명했다. 이날 방문에서 ▲삼성전자·ASML의 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터 설립 ▲SK하이닉스·ASML의 EUV용 수소가스 재활용 기술 공동개발 ▲한·네덜란드 첨단 반도체 아카데미 협력 등 3건의 MOU가 각각 체결됐다. 첨단 반도체 아카데미는 내년 2월 양국에서 100명이 참석한 가운데 네덜란드에서 첫 번째 교육이 이뤄진다. 이번 MOU 체결에 따라 삼성전자와 ASML은 1조원을 투입해 한국에 R&D센터를 설립한다. ASML이 반도체 제조기업과 해외에 R&D 센터를 설립하는 건 이번이 처음으로, 대통령실은 센터 설립부터 운영까지 전폭적으로 지원할 계획이라고 밝혔다.

최근 중국 화웨이의 신형 스마트폰에 미국이 중국 반입을 금지한 7나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 반도체가 탑재된 것으로 확인된 가운데 미국 반도체 기업이 정부 허가 없이 중국에 반도체 생산 장비를 수출한 혐의로 조사를 받고 있다. 이 기업은 한국을 우회 경로로 정해 중국에 장비를 반입한 것으로 알려졌다.16일(현지시간) 로이터통신은 미국 반도체 장비 회사인 어플라이드 머티리얼즈가 중국 반도체 기업 SMIC(중신궈지)에 장비를 불법 판매한 혐의로 미 법무부의 조사를 받고 있다고 보도했다. 어플라이드 머티리얼즈는 미 상무부가 수출통제 대상으로 지정한 SMIC에 수백만 달러 규모의 장비를 정부 수출 허가 없이 판매했다는 의심을 받고 있다. 해당 장비 판매는 상무부가 SMIC을 수출통제 대상으로 지정한 2020년 12월 이후인 2021년과 2022년에 이뤄졌다. 업계 소식통들은 어플라이드 머티리얼즈가 미국 매사추세츠주에서 생산한 장비를 한국에 있는 자회사에 여러 차례 보냈고, 한국 자회사가 다시 장비를 SMIC에게 넘겼다고 전했다. 앞서 어플라이드 머티리얼즈는 지난해 10월 공시에서 특정 중국 고객에 대한 판매와 관련해 매사추세츠주 지방검찰청에서 정보 요청을 받았고 이에 협조하고 있다고 밝혔다. 회사는 성명에서 “정부와 협조하고 있으며 수출통제와 무역 규정을 포함한 세계 법규를 준수하는 데 전념하고 있다”고 강조했다. 미국은 지난해 10월 ▲ 18나노 이하 D램 ▲ 128단 이상 낸드 플래시 ▲ 14나노 이하 로직 칩을 생산하는 중국 기업에 반도체 장비를 수출하는 것을 사실상 금지하는 내용의 수출통제 조치를 발표했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 미국의 통제를 받고 있으나, 미국은 한국 기업을 대상으로는 특정 조건을 따르는 범위 내에서 해당 수출 통제 적용을 무기한 유예하기로 했다.

글로벌 반도체 업계에서 ‘칩 설계의 아버지’로 불리는 짐 켈러 텐스토렌트 최고경영자(CEO)가 4나노미터(1㎚는 10억분의1m) 차세대 인공지능(AI) 칩렛 제조사로 삼성전자를 택했다. 파운드리(위탁생산) 시장 1위 대만 TSMC가 최근 정보통신(IT) 업계에서 논란이 되는 ‘아이폰15 발열 사태’의 원인으로 지목되고 있는 가운데 반도체 설계 최고 권위자가 제품 양산을 삼성전자에 맡기면서 삼성의 고객사 유치에 속력이 붙을 것이라는 기대감도 나온다. 3일 업계에 따르면 캐나다 반도체 기업 텐스토렌트는 4나노 공정을 활용한 차세대 AI 칩렛을 삼성전자에서 생산할 계획이라고 2일(현지시간) 밝혔다. 텐스토렌트는 인텔, 애플, 테슬라 등 미국 주요 기업의 중앙처리장치(CPU) 설계를 주도한 켈러가 창업한 반도체 설계 스타트업으로 시장 가치는 10억 달러(약 1조 3000억원)에 달한다. 텐스토렌트가 이번에 설계한 4나노 AI 칩렛은 서로 다른 기능을 하는 반도체를 하나의 패키지로 만든 칩으로 고성능 반도체 개발에 이용된다. 삼성전자 파운드리에서 생산될 텐스토렌트의 차세대 AI 반도체는 저전력에서 고전력에 이르기까지 전력 공급이 가능하도록 설계된다. 켈러 CEO는 “우리는 고성능 컴퓨팅 솔루션을 개발해 전 세계 고객에게 제공하는 데 집중하고 있다”며 “삼성전자는 텐스토렌트 AI 칩렛 출시를 위한 최고의 파트너”라고 강조했다. 켈러 CEO는 지난 6월 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에 참석해 “세계적인 성능 수준의 반도체 설계와 생산에 드는 비용을 줄여 업계 판도를 바꿀 것”이라며 삼성전자와의 협력을 예고하기도 했다. 삼성전자 미국 파운드리 사업 담당 마르코 치사리는 “우리는 최고의 반도체 기술을 고객에게 제공하기 위해 미국에서 계속 확장 중”이라며 “삼성전자의 첨단 반도체 생산 기술은 텐스토렌트의 데이터센터와 오토모티브(전장) 솔루션 혁신을 가속할 것으로 기대된다”고 말했다. 앞서 지난 8월에는 구글 엔지니어 출신들이 창업한 미국 반도체 설계 기업 그로크가 차세대 4나노 AI 가속기 반도체 칩 생산을 삼성전자 파운드리에 맡겼다. 오는 11일 3분기 잠정실적 발표를 앞둔 삼성전자는 3분기까지는 감산에 따른 고정비 증가 등의 여파로 실적이 당초 기대에 못 미치지만 4분기부터는 파운드리 성장과 메모리 감산 효과 본격화 등으로 크게 개선될 것으로 전망된다. 앞서 증권가에서는 지난 6월 삼성전자의 3분기 영업이익을 3조 6700억원대로 추산했지만 최근에는 2조 5000억원대까지 낮췄다.

미국 정부 당국자들이 19일(현지시간) 의회 청문회에 각각 출석해 반도체법, 대만 방어 를 둘러싸고 대중 강공 발언을 이어갔다. 러몬도 장관은 이날 하원 과학우주기술위원회 청문회에 출석해 “우리는 화웨이가 7나노미터(㎚) 반도체를 대규모 제조할 수 있다는 증거를 갖고 있지 않다”고 했다. 이어 자신의 방중 기간 화웨이가 첨단 반도체가 들어간 휴대폰을 출시한 것에 대해 “속상했다”고 했다. 그는 “우리는 중국이 미국에 해를 끼칠 수 있는 방식으로 기술을 발전시키는 능력을 저지하기 위해 쓸 수 있는 모든 도구를 사용하고 있다”고 밝혔다. 그러면서 “구체적으로 말할 수는 없지만, 어떤 기업이든 미국의 수출 통제를 우회했다는 신뢰할 만한 증거를 찾을 때마다 우리는 조사를 하고 있다”고 했다. 현재 상무부는 화웨이 스마트폰에 탑재된 반도체의 성격, 확보 경위 등에 대해 자체 조사를 벌이고 있다. 앞서 화웨이는 지난달 러몬도 장관의 방중에 맞춰 수출통제 대상인 7나노 반도체를 탑재한 최신 스마트폰을 공개했다. 미국은 중국과의 기술 격차 유지를 위해 14나노 이하 반도체 생산이 불가능하도록 제조장비 수출 통제를 시행하고 있다. 이런 이유로 미국의 수출 통제에 구멍이 뚫린 것 아니냐는 관측도 제기됐다. 그는 반도체법 혜택이 중국에 가지 않도록 지원금을 받는 기업의 중국 사업 확장을 제한한 가드레일 최종 규정이 언제 나오느냐는 질문에 “수 주 내로 완성될 것”이라며 “지원금의 단 1센트도 중국이 우리를 앞서가는 데 도움이 되지 않도록 바짝 경계해야 한다”고 답했다. 반도체법 지원을 받으려는 기업들의 투자의향서는 500개 이상 접수됐다고 밝혔다. 한편 미라 레즈닉 국무부 지역안보 담당 부차관보는 이날 하원 군사위원회 청문회에 출석해 “대중국 정책이 달라지진 않았지만 대만에 대한 중국의 압박이 증가해 대만의 역량도 최대로 강화해야 한다”며 “전례없는 속도와 긴박감으로 대만 방어 역량을 우선하고 있다”고 언급했다. 중국이 갈수록 대만을 압박하는 상황에서 미국은 대만 방어 역량 강화에 주력하겠다는 입장이다. 그는 바이든 행정부에서 대만에 거의 60억 달러에 이르는 무기 판매를 승인했다며 “우리는 대만에 대한 무기 판매를 가능한 한 최대한 신속히 처리하고 있다”고도 했다. 일라이 래트너 국방부 인도태평양 안보 담당 차관보는 “우리는 중국이 대만을 상대로 군사, 외교, 경제적 압박 작전을 벌이고 있다는 것을 직시하고 있다”며 “중국 지도부는 아직 군사력 사용을 단념하지 않았다”고 진단했다. 다만 래트너 차관보는 “현재 대만해협에서 억제력이 실재하고 강력하기 때문에 무력 충돌이 임박했거나 불가피하다고 믿지 않는다”고 덧붙였다. 그러면서 “대만해협에서 평화와 안정을 계속 유지하려면 앞으로 몇 년이 중요한데, 우리는 더 높은 수준의 긴박함, 주의와 자원이 필요할 것”이라고 말해 대만에 대한 지속적인 지원 필요성을 밝혔다.