하이닉스가 적자의 긴 터널을 벗어나면서 ‘한국반도체’의 저력을 과시했다. 실적이 개선되면서 앞으로 진행될 매각협상에서도 긍정적으로 작용할 전망이다. 하이닉스는 23일 3·4분기에 연결기준으로 매출 2조 1180억원, 영업이익 2093억원을 올렸다고 밝혔다. 2007년 3분기(2540억원 흑자) 이후 8분기 만에 흑자전환에 성공한 셈이다. 흑자규모는 시장에서 예상한 수준(2000억~2500억원)을 벗어나지 않았다. 주력 제품인 D램과 낸드플래시의 가격 상승과 출하량 증가로 매출과 영업이익이 늘어난 것으로 풀이된다. 하이닉스의 실적개선은 삼성전자와 더불어 한국 업체들이 소모전 양상을 빚으며 끌어왔던 ‘치킨게임’의 최종승자임을 확인시켜 준 것으로 볼 수 있다. 미국, 일본, 타이완 등 대부분 경쟁업체들이 줄줄이 적자를 내고 있는 가운데 D램업계 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스만 흑자구도를 탄탄하게 구축했기 때문이다. 오는 30일 3분기 실적을 발표하는 삼성전자의 반도체 부문도 1조원 안팎의 영업이익을 낸 것으로 알려졌다. 더구나 시장조사기관 D램 익스체인지에 따르면 10월 후반기 D램 고정거래가격(DDR2)은 2달러를 돌파했다. 2달러를 넘어선 것은 지난해 8월 후반기 이후 14개월 만이다. 글로벌 금융위기가 터졌던 지난해 4분기 50센트대에 머문 것에 비하면 4배 이상 가격이 올랐다. 이처럼 D램가격이 수직상승하고 있는 데다, 하이닉스는 연말부터 신제품인 44나노급 제품 양산에 들어가면서 후발업체와의 기술 격차를 더욱 벌리며 4분기에는 수익성이 더 높아질 전망이다. 시장에서는 하이닉스의 4분기 영업이익이 5000억원 안팎에 달할 것으로 보고 있다. 하이닉스가 독자적인 기술을 보유한 경쟁력 있는 회사라는 것을 입증하게 되면, 채권단과 효성 사이에 진행 중인 매각협상에서도 유리하게 작용할 것으로 보인다. 업계 관계자는 “3분기 실적은 이미 주가에 반영됐지만 4분기 영업이익은 더 늘어나기 때문에 향후 매각협상에서도 긍정적인 영향을 미칠 것”이라고 내다봤다. 이정 하나대투증권 연구원은 “하이닉스는 10%의 영업이익을 내는 등 후발업체와의 원가경쟁력과 기술경쟁력에서 확실한 차이를 보여줬다.”면서 “다른 정보기술(IT)기업들이 환율 약세나 마케팅 비용 증가로 4분기 실적 악화가 예상되지만 하이닉스는 4분기 실적이 더 좋아질 것이 확실하다.”고 전망했다. 그러나 하이닉스의 최근 2년간 영업적자가 3조원에 육박하는 데다, 매각대금이 5조원 안팎에서 얘기되는 만큼 매각협상에 쉽게 영향을 주지는 못할 것이라는 반론도 만만치 않다. 반종욱 대신증권 연구원은 “4분기엔 당초 전망했던 3000억원대 중반보다는 훨씬 많은 영업이익이 예상된다.”면서 “최근 실적이 좋아지고 있다고 매각금액 등에 쉽게 영향을 주지는 못할 것”이라고 말했다. 김성수 김효섭기자 sskim@seoul.co.kr

하이닉스반도체는 전력소모를 30% 줄이고 최고의 성능을 내는 1기가비트(Gb) DDR3 제품을 개발했다고 12일 밝혔다. 이달부터 양산하기 시작한 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하면서 반도체 회로를 최적화·단순화해 전력소모를 줄였다. 하이닉스반도체는 4·4분기 양산예정인 44나노 2Gb DDR3 등에도 새로운 설계기술을 적용할 예정이다. 하이닉스반도체는 “정보기술(IT)산업 전반에 에너지 소모를 줄이려는 ‘그린 IT’ 제품이 주목받고 있다.”면서 “하이닉스는 이번 2세대 DDR3 제품으로 성능과 효율성을 모두 만족시킬 것으로 기대한다.”고 밝혔다. 한편 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 현재 DDR3 D램 중에서 1Gb 제품비중은 87% 정도다. 하이닉스반도체는 올해 말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50% 이상으로 늘리고 고부가가치 제품군을 지속적으로 공급할 예정이다 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

하이닉스반도체가 1초만에 영화 6편을 내려받을 수 있는 모바일 D램을 개발했다. 하이닉스는 27일 54나노 기술을 적용한 세계 최고 성능의 1기가비트(Gb) 모바일 LP DDR2 D램 제품을 개발했다. 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서도 초고속인 초당 1066메가비트(Mb)를 전송할 수 있다. 기존 모바일 D램(DDR)의 절반에 불과한 전력으로도 작동한다. 전송속도도 빨라 영화 5~6편을 1초에 내려받을 수 있다. 하이닉스는 “소비전력은 적으면서도 빠른 속도를 갖춰 휴대전화·넷북·고성능 스마트폰 등에 적합하다.”고 밝혔다.김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

나라 안팎의 경기가 나쁘지만 정보기술(IT) 분야에서는 앞선 기술력으로 국내 기업들이 글로벌 시장을 주도해나가고 있다. 삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 40나노급 D램을 세계 최초로 개발하는 쾌거를 이뤄냈고, 또 액정표시장치(LCD), 플라스마 디스플레이 패널(PDP) 등 디스플레이 4개 부문에선 2004년부터 내리 시장점유율 세계 1위를 달리고 있다. 하이닉스반도체는 8일 44나노(㎚·1㎚는 10억분의1m) 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)3 D램을 개발했다고 밝혔다. 하이닉스는 올 3·4분기에 40나노급 DDR3 양산을 시작, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 본격 생산할 계획이다. DDR3는 DDR2보다 다양한 전압 선택이 가능하고, 동작 속도도 빨라 D램 산업의 주력 제품으로 각광받는 차세대 D램이다. 앞서 삼성전자도 지난 4일 세계최초로 40㎚급 DDR2 D램을 개발했다고 밝혔다. 삼성전자는 2005년 처음 60㎚, 2006년 50㎚를 거쳐 올해 40㎚급까지 반도체의 미세공정 진화를 주도하고 있다. 삼성전자도 3분기부터 40㎚급 DDR3 D램 반도체 양산에 들어갈 계획이다. 현재 50㎚급 공정으로 D램을 생산하는 업체 역시 삼성전자와 하이닉스반도체뿐이다. 해외업체들은 60㎚, 70㎚ 공정에 머물러 있다. 국내업체들이 올 3분기 이후 40㎚급 반도체 양산에 들어가면 타이완·미국·일본 업체들과의 기술력 격차는 현재 1~2년에서 2~3년 정도로 벌어진다. 2년여 동안 손해를 감수하면서도 생산량을 줄이지 않는 반도체 업계의 ‘치킨게임’이 끝나면 세계 시장점유율 1위 삼성전자와 2위 하이닉스반도체가 더 강력한 주도권을 쥘 것으로 보인다. 이와 함께 경기 침체에도 우리나라 디스플레이 제품은 각 부문별로 점유율을 높이며 세계 시장 선두 자리를 휩쓸었다. 시장조사기관 디스플레이서치와 업계 등에 따르면 지난해 우리나라는 LCD, PDP, 유기발광다이오드(OLED), 브라운관(CRT) 등 4개 디스플레이 부문에서 모두 점유율 1위에 올랐다. 대형 LCD 패널은 지난해 매출기준 국가별 점유율 순위에서 우리나라가 46.1%로 1위를 지켰다. 점유율도 2007년 43.7%보다 2.4%포인트나 상승했다. 2위 타이완(38.8%)과의 격차는 7.3%포인트로, 1년 전 1.3%포인트 차이의 ‘박빙’ 경쟁과 달리 여유 있게 1위를 지켰다. PDP도 우리나라의 디스플레이서치 업체(삼성전자+LG전자, 오리온PDP)의 시장점유율은 52.3%로, 2007년의 50.3%보다 2%포인트가 올랐다. 47.7%인 2위 일본(파나소닉+히타치+파이오니어)과는 1년 전 0.6%포인트이던 격차를 4.6%포인트로 벌였다. 다만, 4·4분기 일본 파나소닉의 시장점유율이 50%까지 올라 우리 업체의 점유율을 모두 합친 것보다 높아 앞으로 쉽지 않은 경쟁이 예상되고 있다. 떠오르는 차세대 디스플레이 OLED 시장에서도 지난해 삼성SDI(43.9%)와 LG디스플레이(1.4%)가 총 매출의 45.3%를 차지, 타이완(32.2%)과 일본(19.2%)을 멀찌감치 따돌렸다. 삼성SDI와 LG필립스디스플레이는 지난해 세계 브라운관 시장에서 60% 웃도는 점유율을 유지, 1999년 이후 10년째 1위 자리를 지키고 있다. 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

전자·반도체 업계는 올해 최악의 한해를 보냈다.더 큰 고민은 내년 시장 전망도 반등이 쉽지 않다는 데 있다.경기침체로 미국과 유럽 등 선진국 소비자들이 지갑을 닫으면서 직접적인 타격을 받는 품목은 프리미엄 휴대전화,노트북 PC,MP3플레이어 등 모바일 제품과 LCD TV,냉장고,세탁기,홈 시어터 등 가전제품이다.전자제품 수요 부진은 반도체 가격하락으로 이어졌다.반도체 업계에서는 각 업체마다 공급량 증가세가 둔화되고 있지만 수요는 더 큰 폭으로 감소하고 있다. 국내 반도체업계의 수출 주력제품인 D램 가격의 약세가 심했다.D램가격(DDR2 1Gb 667㎒기준)은 현물가격이 최근 한달간 40% 가까이 떨어졌고 고정거래가는 이달 들어 처음으로 1달러 밑으로 떨어진 뒤 최근엔 0.81달러까지 떨어져 최저치를 갈아치웠다.만들면 만들 수록 손해를 보는 상황인 것이다.적어도 내년 상반기까지 반도체 약세는 계속될 것으로 전망되고 있다.시장조사기관인 가트너는 “내년 전세계 반도체 매출은 올해보다 16%가 감소할 것”이라며 “2010년이 돼야 회복할 수 있을 것”이라는 예상을 내놓기도 했다. 삼성전자와 하아닉스 등 국내업체들은 ‘고부가가치 전략’으로 내년 어려움을 돌파할 계획이다.삼성전자는 멀티칩 패키지(MCP),모바일 D램 등 차별화된 제품을 앞세워 수익성을 높일 것으로 보인다.하이닉스반도체도 최근 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발해 내년 상반기부터 양산에 들어가는 등 차별화된 기술력을 선보이고 있다.삼성전자 관계자는 “내년도 수출시장이 올해보다 훨씬 어려울 것으로 예상되지만,기존 제품의 시장이 줄어들면 차세대 저장매체인 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)와 같은 새로운 시장을 창출해서 위기를 뚫고 나갈 것”이라고 말했다. 전자 업종은 올해 3·4분기까지는 실적이 나쁘지 않았다.하지만 금융위기와 경기위축이 가시화된 4·4분기에 들어서는 생산(-9.0%), 내수(-9.7%), 수출(-20.7%) 모두 큰 폭의 하락세로 돌아섰다.대한상의 관계자는 “내년 수출은 세계 실물경기 침체와 최대 수출국인 중국의 경기악화로 올해 대비 16% 감소한 1117억달러,내수판매도 가계소득 감소와 소비심리 악화로 올해보다 8.4%가 줄어든 150조원에 머무를 것”이라고 전망했다.전자 업체들은 내년에는 프리미엄 시장을 공략하고 중동과 중남미 등 상대적으로 안정적인 신흥시장에서의 매출 확대를 꾀하기로 했다.계약 단위가 큰 B2B(기업간거래) 시장도 집중 공략할 계획이다. 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

하이닉스반도체가 내년부터 파운드리 제휴업체인 타이완 프로모스를 통해 54나노 D램 반도체를 양산할 수 있을 것으로 보인다. 지식경제부는 29일 산업기술보호전문위원회 회의를 열고 “54나노 D램 공정기술의 수출이 국가안보상 심각한 영향이 있는지 여부를 검토한 결과 심각한 영향은 없는 것으로 판단했다.”고 밝혔다. 이에 따라 하이닉스는 당초 계획대로 내년 초 프로모스에 54나노 기술을 이전해 수탁생산된 제품을 안정적으로 공급받을 전망이다. 이날 심의는 하이닉스의 54나노공정 D램 생산기술을 프로모스 측에 이전하는 것이 국가안보에 영향을 주는지 여부를 결정하는 자리였다. 하이닉스 관계자는 “기술개발이 빠른 속도로 이뤄지는 업계 특성을 감안할 때 이달부터 국내 양산을 시작한 50나노급 기술도 기술이전 시점인 내년 초가 되면 첨단기술이 아닌 범용기술에 불과하게 된다.”면서 “기술 유출은 절대 없을 것”이라고 말했다. 안미현기자 hyun@seoul.co.kr

삼성전자와 하이닉스반도체가 해외 경쟁업체들을 제치고 나란히 50나노급 D램 메모리 양산을 개시하면서 대한민국의 반도체 파워를 전세계에 과시하고 있다. 이미 60나노급 공정에서도 두 회사밖에는 본격 양산에 들어간 업체가 없었던 상황에서 새로이 50나노 공정 시대를 열어젖힘에 따라 국내 업체들과 외국업체들간의 격차는 더욱 벌어지게 됐다. 20일 삼성전자와 하이닉스에 따르면 삼성전자는 이달 56나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작했으며, 하이닉스도 다음달부터 54나노 D램을 양산할 계획이다. ‘나노(nano)’란 반도체를 구성하는 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)을 말하는 것으로 공정이 미세화될수록 생산성이 높아진다. 또 이를 통해 더 큰 용량, 더 작은 크기의 반도체를 만들어낼 수 있다.1나노는 10억분의1m로 사람 머리카락 굵기의 10만분의1에 해당한다. 미국 마이크론, 일본 엘피다 등 경쟁업체들은 아직 양산기술이 70∼80나노 수준에 머물러 있다. 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

나노미터(10억분의1m)까지 위치 제어가 가능하고 구조가 간단한 소형 리니어 모터가 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한국과학기술연구원(KIST) 박막재료연구센터 윤석진(尹錫珍) 박사팀은 4일전기를 가하면 수축과 팽창이 일어나는 압전 세라믹의 단순 진동을 선형으로 바꾸는 독창적인 구조를 적용,나노미터 단위까지 정밀제어가 가능한 압전리니어 모터를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 리니어 모터는 반도체 제조장비,정밀광학 제어장치,정밀공작기계 제작 등직선운동을 필요로 하는 산업 전반에서 폭넓게 사용되고 있지만 모터의 회전을 직선운동으로 바꾸기 위한 별도의 장치가 필요하기 때문에 부피가 크고전력소모가 많은 단점이 있다. 이번에 개발된 압전 리니어 모터는 기존의 정밀위치제어용 압전 리니어 모터에 비해 10배 정도 우수한 4나노미터 수준의 위치제어 정밀도를 갖고 있으면서도 1초에 40㎝를 이동할 정도로 빠르다. 특히 초음파(주파수 20㎑ 이상) 교류전원으로 구동,작동 중 발생하는 소음이 매우 적고 속도와 위치를 자유자재로 제어할 수있는 장점이 있다고 연구팀은 소개했다. 함혜리기자 lotus@

◎현대전자,내년부터 양산계획 저전압에서 작동하는 2세대형 「1메가 싱크로너스 S램」이 국내에서도 개발됐다.이 S램은 16메가 D램급의 고난도 반도체 기술을 사용한 제품으로,컴퓨터와 통신제품 등에 쓰이는 차세대 첨단 메모리반도체이다. 현대전자는 24일 국내에서 처음 1메가 싱크로너스 S램을 개발,내년부터 대량 생산할 계획이라고 밝혔다.이 제품은 3.3V의 낮은 전압에서 동작이 가능하다.4나노초(1나노초는 10억분의 1초)속도의 초고속 반도체로 최대 소비 전류량 1백50㎃(밀리 암페어)이하에서 사용하기에 알맞다.