메모리 저장장치(SSD) 글로벌 1위 기업 삼성전자가 24일(현지시간) 독일 쾰른에서 개막한 세계 최대 규모 게이밍 전시회 ‘게임스컴 2022’에서 게이밍 등 대용량 그래픽 작업에 최적화된 고성능 SSD ‘990 PRO’를 공개했다.새 제품은 최신 V낸드 기술과 새롭게 설계한 컨트롤러를 탑재했고, 기존 제품보다 임의쓰기 속도는 55%, 임의읽기 속도는 40% 향상됐다. 연속읽기와 연속쓰기 성능은 각각 최대 초당 7450MB, 6900MB이다. 이 제품은 고성능 그래픽 게임과 4K·8K 고화질 비디오, 3D 렌더링, 빅데이터 분석 등 초고속 데이터 처리 작업이 요구되는 사용 환경에서 최고의 성능을 제공한다는 게 삼성전자 측 설명이다. 최신 게임 콘솔과 PC에서 로딩 시간을 줄여 고해상도 그래픽 영상으로 더 생생한 게임을 즐길 수 있다. 예를 들어 ‘990 PRO’에서 루미너스 프로덕션이 내년 출시할 예정인 신작 게임 포스포큰(Forspoken)의 맵을 로딩하는 데 걸리는 시간은 약 1초에 불과하다. 1W(와트)당 전력 효율은 기존 모델보다 최대 50% 향상됐다. 삼성전자는 니켈 코팅된 컨트롤러와 함께 열 분산 시트, 과열 방지 기능 등을 적용해 효율적 발열 제어 기능도 제공한다. 이와 더불어 열 제어 기능을 극대화한 ‘990 프로 위드 히트싱크’ 제품도 함께 선보였다. 이 제품은 제품 전·후면에 히트싱크를 부착해 방열 성능을 극대화했다. 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 이규영 상무는 “초고속 데이터 처리, 향상된 전력 효율, 강화된 안정성을 갖춘 ‘990 PRO’는 고성능 SSD를 찾는 게이머와 전문 크리에이터에게 최고의 선택이 될 것”이라고 말했다. 독일에서 선 공개된 이 제품들은 오는 10월 출시될 예정이다.

SK하이닉스가 세계 최초로 업계 최고층인 238단 낸드플래시 개발에 성공했다. 메모리 3위 업체인 미국 마이크론테크놀로지가 지난달부터 양산에 들어간 232단을 뛰어넘으며 낸드플래시의 핵심 경쟁력인 ‘적층 기술’에서 한발 앞서게 됐다. SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) 4D 낸드플래시(사진) 샘플을 고객에게 출시했다고 3일 밝혔다. 내년 상반기부터 본격적인 양산에 들어간다. 낸드플래시는 스마트폰·PC 등 전자기기에 탑재돼 전원이 꺼져도 데이터를 저장해 주는 메모리 반도체로, 데이터 저장공간인 셀(Cell)을 수직으로 쌓는 적층 기술이 경쟁력의 척도로 꼽힌다. 4D는 기존 3D보다 단위당 셀 면적은 줄이면서 생산 효율은 높인 기술로, 이번 238단은 단수가 높아졌을 뿐만 아니라 세계에서 가장 작은 크기로 만들어졌다. 이에 전 세대인 176단보다 생산성이 34% 개선됐다. 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대보다 50% 빨라졌다. 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량은 기존보다 21% 줄었다. SK하이닉스는 이날 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 이 제품을 공개했다. 최정달 SK하이닉스 부사장(낸드 개발 담당)은 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스의 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나가겠다”고 강조했다. SK하이닉스는 내년에 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1TB(테라바이트) 제품도 선보일 예정이다. 2002년부터 20년 연속 낸드플래시 점유율 세계 1위를 수성하고 있는 삼성전자는 이 행사에서 차세대 낸드플래시 기술을 대거 선보였다. 최진혁 삼성전자 메모리사업부 부사장은 ‘빅데이터 시대의 메모리 혁신’을 주제로 한 기조연설에서 “최근 폭발적인 데이터 증가가 메모리 업계에 큰 도전이 되고 있다. 삼성전자는 데이터의 이동·저장·처리·관리 등 분야에 맞는 혁신적인 반도체 솔루션으로 인공지능과 머신러닝 등 다양한 시장을 선도해 나가겠다”며 개발 중인 차세대 메모리 솔루션을 대거 소개했다. 특히 1000조 바이트급 저장 시스템인 ‘페타바이트 스토리지’ 구축 계획을 공개했다. 1페타바이트는 6GB 영화 17만 4000편을 담을 수 있는 용량이다. 지난 5월 업계 최초로 개발한 차세대 메모리반도체 규격 ‘UFS 4.0’ 메모리는 이달부터 양산한다고 밝혔다. 신속한 대용량 처리가 필요한 플래그십 스마트폰에 우선 적용된다. AR(증강현실)·VR(가상현실) 기기에도 탑재될 전망이다.

SK하이닉스가 세계 최초로 업계 최고층인 238단 낸드플래시 개발에 성공했다. 낸드플래시는 스마트폰·PC 등 전자기기에 탑재되는 데이터 저장용 반도체로, 데이터 저장공간을 건물처럼 고층으로 쌓는 것이 관건으로 꼽힌다. 지금까지 최고층은 미국 마이크론이 지난달 양산을 시작한 232단이었다.SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시 샘플을 출시하고 내년 상반기부터 본격적인 양산에 들어간다고 3일 밝혔다. 회사 측은 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”라면서 “이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 점에서 의미가 크다”고 설명했다. 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 낸드플래시는 데이터 용량을 늘리기 위해 저장 공간을 수직으로 쌓는 ‘적층 기술’이 필요하다. SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4D는 3D보다 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산 효율은 높아지는 장점이 있다. 이번 238단은 단수가 높아졌을 뿐 아니라 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단보다 생산성이 34% 향상됐다. 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대보다 50% 빨라졌고, 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량은 기존보다 21% 줄었다. SK하이닉스는 이날 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 이 제품을 공개했다. 최정달 SK하이닉스 부사장(낸드 개발 담당)은 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스의 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 PC 저장장치인 클라이언트 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급한 뒤 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀갈 계획이다. 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1Tb 제품도 선보일 예정이다.

2015년 인텔은 마이크론과 합작으로 차세대 비휘발성 메모리인 3D Xpoint 기술을 공개했습니다. 현재 비휘발성 메모리의 대표 주자로 스마트폰의 저장 장치나 SSD에 사용되는 낸드 플래시 메모리는 사실 오래된 기술로 공정 미세화가 진행될수록 수명이 짧아질 뿐 아니라 속도도 느린 편입니다. 따라서 오래전부터 낸드 플래시보다 빠르고 내구성이 강한 차세대 비휘발성 메모리 기술이 요구됐는데, 인텔이 첫 스타트를 끊은 셈입니다.  3D Xpoint 메모리는 기존의 낸드 플래시 메모리 대비 1000배나 수명이 길고 1000배 빠르며 밀도도 10배 더 높일 수 있다고 소개됐습니다. 물론 최상의 경우를 가정한 이야기였지만, 옵테인이라는 상품명으로 등장한 인텔의 3D Xpoint는 실제로 낸드 플래시 메모리보다 속도가 빨라 D램에 근접할 수준이었습니다. 문제는 가격도 높았다는 것입니다.  2017년 소비자용으로 등장한 옵테인 메모리는 16GB와 32GB라는 적은 용량에도 가격이 44달러와 77달러로 당시 기준으로도 비싼 저장 장치였습니다. 이후 소비자용 SSD의 가격은 계속 낮아졌지만, 애매한 용량을 지닌 옵테인 메모리의 가격은 그보다 훨씬 높았습니다.  이런 약점을 극복하기 위해 옵테인 메모리와 낸드 플래시 메모리를 결합한 하이브리드 제품도 출시하긴 했지만, 소비자용 SSD의 체감 성능도 상당히 좋아져 소비자 입장에서는 더 많은 돈을 주고 구매하기 애매한 제품이 됐습니다. 결국 2021년 인텔은 소비자용 옵테인 메모리를 포기했습니다. 낸드 플래시 사업부도 SK 하이닉스에 매각했기 때문에 일반 SSD를 포함한 소비자용 저장 장치 시장에서 완전히 철수한 것입니다.  이런 실패는 소비자 시장에서만 국한되지 않았습니다. 기업용 제품은 비용이 높더라도 그만큼 성능이 우수하면 팔리는 시장입니다. 하지만 기업용 시장에서도 옵테인의 활약은 두드러지지 못했습니다. 데이터 센터를 운영하는 기업들은 전통적인 D램 + SSD 결합에 비해 옵테인 메모리가 지닌 장점이 확실치 않다고 여겼습니다. 확실한 이점을 없다면 추가로 부품을 더 구매하는 것은 이유 없는 비용 증가에 지나지 않습니다. 결국 공동 개발 파트너인 마이크론도 3D Xpoint 메모리에서 손을 떼고 해당 시설을 매각하는 수순을 밟게 됩니다.  옵테인에게 남은 기회는 고성능 컴퓨팅 (HPC) 시장이었습니다. 저장 장치에서 데이터를 불러와 메모리 저장한 후 이를 프로세서가 처리하고 다시 저장 장치에 결과물을 기록하는 방식은 여러 단계를 거쳐야 할 뿐 아니라 SSD 자체가 메모리보다 느리기 때문에 대규모의 데이터를 신속하게 처리해야 하는 상황에서는 비효율적입니다. 옵테인처럼 빠른 비휘발성 메모리를 사용해 데이터 로드, 처리, 저장을 한 번에 해결할 수 있다면 이론적으로 더 빠른 대규모 데이터 처리가 가능합니다. 그러나 저장 장치 + 메모리 + 프로세서의 전통적인 구조에 최적화된 생태계를 갑자기 바꾸는 일은 업계를 주도하는 인텔에도 쉽지 않은 일이었습니다. 메모리와 혼용할 수 있도록 DIMM 규격의 옵테인 메모리를 내놓기는 했지만, 시장의 반응은 폭발적이지 않았습니다. 컴퓨터의 전통적인 연산 방식을 바꾸는 것이 아니라 좀 더 빠르고 비싼 스토리지에 그쳤기 때문입니다.  결국 인텔의 옵테인 사업부는 누적된 손실 비용이 5억5900만 달러에 달해 2022년 2분기 어닝 쇼크를 기록한 상황에서 더 이상 손해를 감수하고 사업을 이어 가기 어려워졌습니다. 이번 분기 실적 발표와 함께 인텔은 앞으로 옵테인 제품군의 개발을 중단하겠다고 언급했습니다.  사실 인텔은 올해 차세대 제온 프로세서인 사파이어 래피즈를 내놓으면서 3세대 옵테인 제품군인 크로우 패스 (Crow Pass)를 내놓을 계획이었습니다. 시기적으로 봤을 때 크로우 패스는 이미 완성되어 있었을 것입니다. DDR5 메모리와 병행해서 사용할 수 있는 차세대 옵테인 메모리였지만, 이번 결정으로 출시 여부가 불투명해졌습니다. 만약 출시된다고 해도 앞으로 단종될 형태의 제품을 선뜻 구매할 기업은 거의 없을 것입니다.  인텔은 옵테인 메모리처럼 차세대 기술이기는 하지만, 당장에 수익을 내기 힘든 사업들을 정리하고 본업인 CPU 부분과 사활을 걸고 새로 진입하는 GPU 사업, 그리고 파운드리 사업에 집중할 것으로 보입니다. 오랜 시간 공들여 개발한 기술을 사장시킨다는 것은 힘든 결정이지만, 지금은 선택과 집중이 필요한 때입니다.  옵테인의 빈자리는 당분간 CXL (Compute Express Link) 규격의 메모리가 대신할 것으로 보입니다. 마치 SSD처럼 D램 용량을 쉽게 확장할 수 있는 CXL 기반 메모리는 옵테인보다 빠르고 현재의 서버 플랫폼에서 쉽게 확장할 수 있다는 장점이 있습니다. 삼성전자는 이미 512GB 용량의 CXL D램을 개발했습니다.  D램과 낸드 플래시 메모리를 대신하려는 옵테인의 꿈은 물거품이 됐지만, 장기적으로 볼 때 차세대 비휘발성 메모리의 필요성은 여전하다고 볼 수 있습니다. 인텔이 주춤한 사이 앞으로 이 부분에서 우리 반도체 기업들이 큰 역할을 할 수 있을지도 모릅니다. 

SK스퀘어, 2022년 1분기 실적 발표지난해 SK텔레콤에서 분리된 투자전문회사 SK스퀘어가 올 1분기 연결기준 1조 3211억원의 매출을 달성했다. 16일 SK스퀘어에 따르면 2022년 1분기 연결기준 매출 1조 3211억원, 영업이익 3802억원을 기록했다. 연결 실적은 포트폴리오 회사들의 실적과 지분법 평가 손익이 모두 반영돼 있다. 이번 1분기 별도 재무제표에는 자회사에서 발생한 배당금수익 2770억원이 반영돼 있다. 구체적으로 SK하이닉스의 2021년 연간 배당 2250억원과 SK플래닛의 SK엠앤서비스 매각으로 인한 배당 500억원 등이다. SK스퀘어는 “올해 주주환원정책을 강화한 SK하이닉스로부터 분기별 주당 300원의 배당금수익과 별도의 추가 배당도 기대할 수 있는 상황”이라고 설명했다. 그러면서 “SK하이닉스는 올해부터 주당 고정배당금을 1000원에서 1200원으로 올리고, 잉여현금흐름의 5%를 추가로 배당하는 기조를 유지하는 한편 분기 배당을 실시하겠다고 발표했다”면서 “향후 SK하이닉스-솔리다임의 낸드 경쟁력 기반 재무실적 개선에 따라 우호적인 주주환원정책 기조가 확대된다면 SK스퀘어 역시 수혜를 입을 것으로 전망된다”고 밝혔다. 지난해 11월 1일 SK텔레콤으로부터 인적분할한 SK스퀘어는 6개월여 만에 블록체인·메타버스 등 미래 정보통신(ICT) 혁신을 주도하는 ‘넥스트플랫폼’ 영역의 기업 4곳에 총 1553억원을 투자했다고 설명했다. 구체적인 투자 대상 기업은 가상자산거래소 코빗(873억원), 3D 디지털휴먼 제작사 온마인드(80억원), 국내 최대 농업기술(애그테크) 기업 그린랩스(350억원), 글로벌 게임 개발사 해긴(250억원) 등이다. 현재 SK스퀘어의 포트폴리오 회사는 20개다. SK스퀘어는 기업가치를 늘리고 중장기 재무성과 달성을 위해 반도체 밸류체인과 넥스트플랫폼 영역의 신규 투자에 더욱 속도를 낸다는 계획이다. 이를 위해 향후 3년간 2조원 이상의 투자 재원을 확보했고, 국내외 투자자들과 공동 투자자본 조성을 협의 중이다. 윤풍영 SK스퀘어 최고투자책임자(CIO)는 “SK스퀘어는 출범 후 여느 투자회사들보다 발 빠른 신규 투자를 집행해 왔다”며 “올해 글로벌 반도체 밸류체인과 웹 3.0시대를 주도할 넥스트플랫폼 영역에 투자를 가속해 주주가치를 제고할 것”이라고 밝혔다.

중국의 반도체 강국은 ‘일장춘몽’(一場春夢·한바탕 달콤한 꿈)인가? ‘반도체 굴기’의 핵심 기업으로 꼽혀 온 쯔광(紫光)그룹이 눈덩이처럼 불어난 부채를 견뎌 내지 못하고 결국 파산 구조조정 절차를 밟고 있다. 팹리스(반도체 설계 전문업체)로 출발한 쯔광그룹은 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 기업이 주도하는 메모리 반도체 시장에 과감히 도전장을 내밀며 중국 정부의 기대를 한 몸에 받은 곳이었다. ●中 대표 반도체 기업, 결국 워크아웃 중국 경제매체 차이신(財新)에 따르면 쯔광그룹은 파산 구조조정 절차에 들어간 지 4일 만인 지난 20일 밤 전략투자자 유치 공고를 냈다. 베이징시 중급인민법원은 앞서 19일 채권자 후이상(徽商)은행이 낸 쯔광그룹 파산 구조조정 신청을 받아들이며 구조조정 절차를 맡을 관리인으로 현 경영진을 임명한 바 있다. 중국의 기업 파산법은 관리인이 법원의 파산 구조조정 인용 결정으로부터 6개월 안에 구조조정안을 마련해 법원과 채권단에 제출하도록 규정하고 있다. 기한 내에 관리인이 구조조정안을 내놓지 못하면 법원은 채무자의 파산을 선고한다. 파산 절차는 두 가지로 나뉜다. 하나는 추가 투자자 유치와 채무 조정을 통해 기업을 살리는 파산 구조조정이다. 다른 하나는 채무 기업을 해산시키고 남은 재산을 채권자들에게 나눠 주는 파산 청산 절차다. 쯔광그룹에 적용되는 절차는 파산 구조조정인데, 이는 빚의 일부를 탕감하거나 출자 전환해 존속 가치가 있는 기업이 살아날 발판을 마련하게 해 준다는 면에서 한국의 워크아웃(기업회생 절차)과 비슷하다. 쯔광그룹은 파산 구조조정 개시 전에도 이미 잠재적인 투자자들과 물밑 협의를 진행해 왔는데 이제 이 같은 논의가 수면 위로 올라오게 된 셈이다. 쯔광그룹은 이번 공고에서 전략투자자가 자사의 사업 일부가 아닌 사업 전체를 이어받아야 한다는 원칙을 제시했다. 그러면서 여러 기관과 기업이 컨소시엄을 구성해 전략투자를 하는 방안도 가능하다고 덧붙였다. 하지만 쯔광그룹에서 수익성이 좋은 일부 사업체만 따로 인수하는 데 관심을 보이는 저장(浙江)성 국유자산관리위원회(국자위)와 저장성 항저우(杭州)시 국자위, 알리바바그룹 등 잠재적 투자자들의 기대와는 거리가 있는 제안인 만큼 결과가 주목된다. 이들은 쯔광그룹이 46.45%의 지분을 보유한 상장사 쯔광구펀(紫光股)에 눈독을 들이고 있는 것으로 알려졌다. 쯔광구펀은 중국 최대 정보기술(IT) 서비스 업체다. 서버와 PC, 공유 클라우드, 공유기 등의 사업 분야에서 화웨이(華爲)와 경쟁 중인 신화싼(新華三)그룹을 거느리고 있다. 쯔광그룹이 제시한 전략투자자 신청 마감일은 오는 9월 5일이다. 이날 신청 상황에 따라 쯔광그룹의 존속 여부가 1차적으로 갈릴 것으로 보인다. 쯔광그룹은 시진핑 국가주석이 졸업한 명문 칭화(淸華)대 산하 기업이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(中芯國際·SMIC)와 더불어 중국을 대표하는 반도체 기업이다. 칭화대의 기술지주회사인 칭화홀딩스가 지분 33.3%(지난해 6월 기준)를 갖고 있다. 창업자이자 최고경영자(CEO)인 자오웨이궈(趙偉國) 쯔광그룹 회장은 지분 33.3%를 보유하고 있다. 중국 중앙정부 국자위의 직접 관리를 받는 중앙기업인 쯔광그룹은 산하 자회사만 588곳에 이른다. 쯔광구펀을 비롯해 메모리 반도체 업체인 창장춘추(長江存儲·YMTC), 반도체 설계업체 쯔광궈신(紫光國芯), 팹리스 쯔광궈웨이(紫光國微), 휴대폰 반도체 전문 설계업체 쯔광잔루이(紫光展銳·UNISOC), 교육서비스업체 쯔광쉐다(紫光學大) 등 상장사만도 36곳이나 된다.●공격적인 투자… 뒷받침 못한 실적 쯔광그룹은 한때 중국 정부가 반도체 굴기를 위해 조성한 기금 230억 달러(약 26조 5000억원)라는 거금을 활용해 아낌없이 지원했을 정도로 ‘국가대표급’ 유망 기업이었다. 더욱이 2018년 4월에는 시진핑(習近平) 국가주석이 후베이(湖北)성 우한(武漢)의 창장춘추 공장을 직접 방문해 힘을 실어 주기도 했다. 당시 자오 회장은 일본 신문과의 인터뷰에서 “10년 내에 세계 5대 메모리 반도체 기업이 되겠다”고 자신감을 내보였다. 이에 힘입어 창장춘추와 쯔광잔루이, 쯔광구펀, 쯔광궈웨이 등을 잇따라 설립하며 종합 반도체업체(IDM)로 급성장했다. 하지만 쯔광그룹은 중국 안팎에서 공격적인 투자에 나섰음에도 뚜렷한 성과를 내는 데는 실패해 막대한 빚을 떠안게 됐다. 2015년에는 휴렛팩커드의 네트워크 장비 공급업체 h3c 테크놀로지 지분 51%를 23억 달러에 인수했다. 2016년에는 후베이성 지방정부, 중국 집적회로 산업투자기금과 협력해 창장춘추를 설립했다. 메모리 반도체 강자인 삼성전자와 SK하이닉스를 겨냥한 투자였다. 차이신은 “쯔광그룹이 지난 10년간 대규모 해외 인수합병(M&A)에 나선 가운데 산하의 여러 반도체 사업에서 돈을 불태웠지만 스스로 이익을 만들어 내는 능력은 부족했다”며 “2019년 이후 채권을 발행하지 못했고 계속 쌓인 채무로 결국 위기가 폭발하게 됐다”고 분석했다. 쯔광그룹이 몰락 징후를 드러내기 시작한 것은 지난해 여름부터다. 이때부터 부채 상환 압박이 시작됐는데 그 시기 그룹 부채는 이미 2029억 위안(약 36조원)에 달했다. 지난해 11월 13억 위안 규모의 회사채를 갚지 못하면서 첫 디폴트(채무불이행)를 냈다. 이어 12월에는 4억 5000만 달러짜리 외화표시채권도 만기에 상환하지 못해 부채는 급격히 늘어났다. 반면 사업으로 돈을 벌어 빚을 갚을 능력은 이에 훨씬 미치지 못하는 상황이다. 올해 1분기 쯔광그룹의 순이익은 2억 7500만 위안에 그쳤다. 2019년 기준 쯔광그룹의 전체 자산은 3000억 위안 규모다. 프랑스 투자은행 나티시스 홍콩사무소의 게리 응 아시아태평양 지역 이코노미스트는 “백기사가 구조조정 전에 나타날지 예측하기 어려운데 지금까지는 한 명도 없었다”며 “구조조정 절차가 끝나면 외부 투자자를 찾는 게 훨씬 쉬워질 것”이라며 사실상 계열사 분리매각이 불가피함을 내비쳤다. 중국 반도체 업계는 쯔광그룹의 메모리 반도체 사업 향배에 큰 관심을 보이고 있다. 쯔광그룹의 창장춘추는 수백억 위안대의 자금을 투입해 충칭(重慶)시 양장(兩江)신구에 D램 반도체 생산 공장을 짓고 64단 3D 낸드 기반의 256기가바이트급 낸드 플래시 등 일부 제품을 양산 중이다. 그러나 아직 투자 규모 대비 실적은 미진해 시장 내 존재감은 매우 약한 편이다. 차이신은 “(중국) 업계가 가장 우려하는 것은 비상장사인 창장춘추의 생산 확대 계획이 쯔광그룹의 채무 문제로 지연되는 것”이라고 밝혔다. ●글로벌 품귀 속 ‘반도체 굴기’ 계속 추진 다만 쯔광그룹은 국내 스마트폰용 시스템온칩(SoC) 시장에서 점차 영향력을 키우고 있다는 점이 그나마 위안거리다. 쯔광잔루이가 만드는 SoC는 아직 미국 퀄컴이나 대만 미디어텍, 삼성전자 등이 만드는 제품보다는 사양이 떨어지지만 세계적인 반도체 품귀 현상에 힘입어 중국 내 중저가 스마트폰을 대상으로 공급을 빠르게 늘려 나가는 추세다. 쯔광그룹이 몰락의 길을 걷고 있지만 중국의 반도체 투자는 지속될 전망이다. 중국 기업정보 검색 플랫폼 톈옌차(天眼査)에 따르면 지난 한 해 설립된 반도체 관련 신규 기업은 2만 2000여개에 이른다. 이 중 90개 이상이 중국 기업공개(IPO) 절차에 들어갔다. 관영 신화통신은 반도체 분야에 대해 올해 ‘자금 블랙홀’이라고 보도했다. 중국 기업정보 공개사이트 치차차(企査査)는 지난 10년간 중국 반도체 관련 투·융자 건수가 3374건, 총금액은 8000억 위안을 넘어섰다고 전했다. 이 중 올해 상반기에만 2944억 위안에 이른다. 지난해 연간 투·융자액 1098억 위안의 3배에 가까운 금액이다.

중국의 반도체 강국은 ‘일장춘몽’(一場春夢·한바탕 달콤한 꿈)인가? ‘반도체 굴기’의 핵심 기업으로 꼽혀온 쯔광(紫光)그룹(Tsinghua Unigroup)이 눈덩이처럼 불어난 부채를 견뎌지 못하고 결국 파산 구조조정 절차를 밟고 있기 때문이다. 특히 팹리스(반도체 설계 전문업체)로 출발한 쯔광그룹은 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 기업이 주도하는 메모리 반도체 시장에 과감히 도전장을 내밀어 눈길을 끌었다. 중국 경제매체 차이신(財新)에 따르면 쯔광그룹은 지난 20일 밤 전략투자자 유치 공고를 냈다. 이번 공고는 법원의 승인으로 쯔광그룹이 파산 구조조정 절차에 들어간지 4일 만에 나온 것이다. 베이징시 중급인민법원은 앞서 19일 채권자인 후이상(徽商)은행이 낸 쯔광그룹 파산 구조조정 신청을 받아들였다. 인민법원은 파산 구조조정 절차를 맡을 관리인으로 쯔광그룹의 현 경영진을 임명한 바 있다. 중국의 기업 파산법은 관리인이 법원의 파산 구조조정 인용 결정으로부터 6개월 안에 구조조정안을 마련해 법원과 채권단에 제출하도록 규정하고 있다. 정당한 사유가 있다면 시한은 최대 3개월 연장될 수 있다. 기한 내에 관리인이 구조조정안을 내놓지 못하면 법원은 채무자의 파산을 선고하게 된다. 파산 절차는 두 가지로 나뉜다. 하나는 추가 투자자 유치와 채무 조정을 통해 기업을 살리는 파산 구조조정이다. 다른 하나는 채무 기업을 해산시키고 남은 재산을 채권자들에게 나눠주는 파산 청산 절차다. 쯔광그룹에 적용되는 파산 구조조정은 빚의 일부를 탕감하거나 출자 전환해 존속 가치가 있는 기업이 살아날 발판을 마련하게 해준다는 면에서 한국의 워크아웃(기업회생 절차)과 비슷하다. 쯔광그룹은 파산 구조조정 개시 전에도 이미 잠재적인 투자자들과 물밑 협의를 진행해왔는데 이제 이 같은 논의가 수면 위로 올라오게 된 셈이다.쯔광그룹은 이번 공고에서 전략투자자가 자사의 사업 일부가 아닌 사업 전체를 이어받아야 한다는 원칙을 제시했다. 그러면서 여러 기관과 기업이 컨소시엄을 구성해 전략투자를 하는 방안도 가능하다고 덧붙였다. 하지만 쯔광그룹에서 수익성이 좋은 일부 사업체만 따로 인수하는 데 관심을 보이는 저장(浙江)성 국유자산관리위원회(국자위)와 저장성 항저우(杭州)시 국자위, 알리바바그룹 등 잠재적 투자자들의 기대와는 거리가 있는 제안인 만큼 결과가 주목된다. 이들은 쯔광그룹이 46.45% 지분을 보유한 상장사 쯔광구펀(紫光股份·Unisplendour)에 눈독을 들이고 있는 것으로 알려졌다. 쯔광구펀은 중국 최대 정보기술(IT)서비스 업체다. 서버와 PC, 공유클라우드, 공유기 등 사업 분야에서 화웨이(華爲)와 경쟁 중인 신화싼(新華三)그룹을 거느리고 있다. 쯔광그룹이 제시한 전략투자자 신청 마감일은 오는 9월 5일이다. 이날 신청 상황에 따라 쯔광그룹의 존속 여부가 1차적으로 갈릴 것으로 보인다. 쯔광그룹은 시진핑 국가주석이 졸업한 명문 칭화(淸華)대 산하 기업이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(中芯國際·SMIC)와 더불어 중국을 대표하는 반도체 기업이다. 칭화대의 기술지주회사인 칭화홀딩스가 지분 33.3%(지난해 6월 기준)를 갖고 있다. 창업자이자 최고경영자(CEO)인 자오웨이궈(趙偉國) 쯔광그룹 회장은 지분 33.3%를 보유하고 있다. 중국 중앙정부 국자위의 직접 관리를 받는 중앙기업인 쯔광그룹은 산하 자회사만 588곳에 이른다. 쯔광구펀을 비롯해 메모리 반도체 업체인 창장춘추(長江存儲·YMTC), 반도체 설계업체 쯔광궈신(紫光國芯), 팹리스 쯔광궈웨이(紫光國微), 휴대폰 반도체 전문 설계업체 쯔광잔루이(紫光展銳·UNISOC), 교육서비스업체 쯔광쉐다(紫光學大) 등 상장사만도 36곳이나 된다. 쯔광그룹은 한때 중국 정부가 반도체기금 230억 달러(약 26조 5000억원)라는 거금을 아낌없이 지원했을 정도로 기대를 한 몸에 받았던 곳이다. 2018년 4월에는 시진핑(習近平) 국가주석이 후베이(湖北)성 우한(武漢)의 창장춘추 공장을 직접 방문해 힘을 실어주기도 했다. 당시 자오 회장은 일본 신문과의 인터뷰에서 “10년 내로 세계 5대 메모리 반도체기업이 되겠다”고 자신감을 내보였다. 이에 힘입어 창장춘추와 쯔광잔루이, 쯔광구펀, 쯔광궈웨이 등을 잇따라 설립하며 종합 반도체업체(IDM)로 급성장했다.하지만 쯔광그룹은 중국 안팎에서 공격적인 투자에 나섰지만 뚜렷한 성과를 내는 데는 실패해 막대한 빚을 떠안게 됐다. 2015년에는 휴렛팩커드의 네트워크 장비 공급업체 h3c 테크놀러지 지분 51%를 23억 달러에 인수했다. 2016년에는 후베이(湖北)성, 중국 집적회로 산업투자기금과 협력해 창장춘추를 설립했다. 메모리 반도체 강자인 삼성전자와 SK하이닉스를 겨냥한 투자였다. 차이신은 “쯔광그룹이 지난 10년 간 대규모 해외 인수·합병(M&A)에 나선 가운데 산하의 여러 반도체 사업에서 돈을 불태웠지만 스스로 이익을 만들어내는 능력은 부족했다”며 “2019년 이후 채권을 발행하지 못했고 계속 쌓인 채무로 결국 위기가 폭발하게 됐다”고 분석했다. 쯔광그룹이 몰락 징후를 드러내기 시작한 것은 지난해 여름이었다. 이때부터 부채 상환 압박이 시작됐는데 그 시기 그룹 부채는 이미 2029억 위안(약 36조원)에 달했다. 지난해 11월 13억 위안 규모의 회사채를 갚지 못하면서 첫 디폴트(채무불이행)를 냈다. 이어 12월에는 4억 5000만 달러짜리 외화표시채권도 만기에 상환하지 못해 부채는 급격히 늘어났다. 반면 사업으로 돈을 벌어 빚을 갚을 능력은 이에 훨씬 미치지 못하는 상황이다. 올해 1분기 쯔광그룹의 순이익은 2억 7500만 위안에 그쳤다. 2019년 기준 쯔광그룹의 전체 자산은 3000억 위안 규모다. 프랑스 투자은행 나티시스 홍콩사무소의 게리 응 아시아태평양 지역 이코노미스트는 “백기사가 구조조정 전에 나타날지 예측하기 어려운데 지금까지는 한 명도 없었다”며 “구조조정 절차가 끝나면 외부 투자자를 찾는 게 훨씬 쉬워질 것”이라며 사실상 계열사 분리매각 불가피성을 내비쳤다. 이에 따라 중국 반도체 업계의 큰 관심은 쯔광그룹의 메모리 반도체 사업 향배에 있다. 쯔광그룹의 창장춘추는 수백억 위안대 자금을 투입해 충칭(重慶)시 양장(兩江)신구에 D램 반도체 생산 공장을 짓고 64단 3D 낸드 기반의 256기가바이트급 낸드 플래시 등 일부 제품을 양산 중이지만 아직 투자 규모 대비 실적은 미진해 시장 내 존재감은 매우 약한 편이다. 차이신은 “(중국) 업계가 가장 우려하는 것은 비상장사인 창장춘추의 생산 확대 계획이 쯔광그룹의 채무 문제로 지연되는 것”이라고 밝혔다.다만 쯔광그룹은 국내 스마트폰용 시스템온칩(SoC) 시장에서 점차 영향력을 키우고 있다는 점이 위안거리다. 쯔광잔루이가 만드는 SoC는 아직 미국 퀄컴이나 대만 미디어텍, 삼성전자 등이 만드는 제품보다는 사양이 떨어지지만 세계적인 반도체 품귀 현상에 힘입어 중국 내 중저가 스마트폰을 대상으로 공급을 빠르게 늘려나가는 추세다. 쯔광그룹이 몰락의 길을 걷고 있지만 중국의 반도체 투자는 지속될 전망이다. 중국 기업정보 플랫폼 톈옌차에 따르면 지난 한 해 설립된 반도체 관련 신규 기업은 2만 2000여개에 이른다. 이 중에서 90개 이상이 중국 기업공개(IPO) 절차에 들어갔다. 관영 신화통신은 반도체 분야에 대해 올해 ‘자금 블랙홀’이라고 설명했다. 중국 기업정보 공개사이트 치차차는 지난 10년 간 중국 반도체 관련 투·융자건수가 3374건, 총금액은 8000억 위안을 넘어섰다고 보도했다. 이 중 올해 상반기에 2944억 위안에 이른다. 이는 지난해 연간 투·융자액 1098억 위안의 3배에 가까운 금액이다.

올해 3월 마이크론 테크놀로지(Micron Technology, Inc. 이하 마이크론)는 인텔과 손잡고 개발했던 차세대 비휘발성 메모리인 3D 크로스포인트(Xpoint) 사업에서 철수한다고 발표했습니다. 그리고 지난 주 마이크론이 지닌 유일한 3D 크로스포인트 메모리 생산 시설인 유타주 레히(Lehi)의 팹(fab)을 텍사스 인스트루먼트에 9억 달러에 매각한다고 발표했습니다. 3D 크로스포인트 기술은 기존의 낸드 플래시 메모리 기반 SSD보다 레이턴시가 1000배 빠르고 공정이 미세해질수록 수명이 줄어드는 낸드와 달리 1000만 번 쓰기가 가능하고 D램보다 10배나 높은 집적도를 지닌 차세대 비휘발성 메모리로 소개됐습니다. 간단히 설명하면 D램과 비슷한 속도를 지닌 메모리 + 저장 장치를 만들기 위해 개발한 차세대 메모리라고 할 수 있습니다. 현재 컴퓨터는 작업에 필요한 데이터를 저장 장치에서 꺼내 D램으로 가져와서 처리하고 결과를 다시 저장 장치에 기록합니다. 데이터의 크기가 커질수록 비효율적인 구조입니다. 궁극적인 대안은 저장 장치에서 바로 데이터를 처리하고 결과물도 남기는 방식입니다. 3D 크로스포인트는 이를 가능하게 만들 차세대 메모리로 주목받았습니다. 하지만 출시 초기부터 과연 시장에서 성공할 수 있는지 회의적인 시각도 적지 않았습니다. 옵테인 브랜드로 출시된 인텔의 3D 크로스포인트 메모리는 SSD를 대신하기에는 너무 비쌌고 D램 대신 사용하기에는 다소 느렸습니다. 그래도 인텔은 적극적으로 옵테인을 밀면서 제품들을 출시했지만, 이를 공동으로 개발한 동업자인 마이크론은 미지근한 반응을 보였을 뿐입니다. 마이크론은 2019년에야 콴트X X100 (QuantX X100)라는 서버용 SSD 제품을 내놓긴 했으나 실제로 시장에서는 거의 볼 수 없었고 이후 후속작도 없어 3D 크로스포인트 사업에서 철수하게 될 것이라는 전망이 나왔습니다.이런 결과가 나오게 된 이유는 간단합니다. 생각보다 3D 크로스포인트 메모리의 수요가 저조하기 때문입니다. 일반 PC 시장에서는 낸드 플래시 메모리 기반 SSD의 가격이 저렴해지고 속도도 빨라지면서 굳이 비싼 가격을 주고 옵테인 SSD를 구매할 이유가 없습니다. 그나마 대용량 데이터를 고속으로 주고받으면서 내구성도 신경 써야 하는 서버 시장에서는 조금 희망이 있지만, 이 역시 비용에 민감한 건 마찬가지라서 수요가 크지 않은 편입니다. 결국 3D 크로스포인트 사업부는 인텔이나 마이크론이나 모두 적자로 알려져 있습니다. 쉽게 말해 인텔도 3D 크로스포인트 메모리 생산 능력이 부족하지 않고 오히려 현재 있는 것도 곤란한 상황이라 마이크론의 생산 시설을 구매할 이유가 없습니다. 이런 이유로 마이크론은 인텔이 아닌 제3의 구매자에게 3D 크로스포인트 생산 시설을 매각할 수밖에 없었던 것으로 보입니다. 당초 기술 유출을 우려한 인텔이 구매할 것이라는 관측도 있었으나 결국 인텔도 포기한 셈입니다. 매각 대상이 차세대 비휘발성 메모리 기술에 관심이 많은 삼성이나 SK 하이닉스가 아니라 텍사스 인스트루먼트라는 사실 역시 인텔이 끼어들지 않은 이유로 생각됩니다. 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)는 일반인들에게는 생소하지만, 사실 역사가 꽤 오래된 반도체 회사로 각종 마이크로 컨트롤러나 영상, 음향, 통신, 신호처리 등에 사용되는 반도체를 생산합니다. 아날로그 반도체 시장에서는 1위 업체이기도 합니다. 레히에 있는 팹은 시스템 반도체 팹으로 전환할 경우 45nm, 65nm 공정으로 생산성이 좋은 300mm 웨이퍼 팹이기 때문에 현재 수요가 넘치는 시스템 반도체 생산용으로 전환될 것으로 보입니다. 텍사스 인스트루먼트는 3D 크로스포인트 관련 특허가 없는 건 물론이고 메모리 생산 자체에 관심이 없기 때문에 기술 유출 우려는 크지 않습니다. 아무튼 이런 대상에게 매각된다는 사실 자체가 3D 크로스포인트 메모리의 현재 상황을 상징적으로 보여주고 있습니다. 3D 크로스포인트 기술이 6년 전 화려하게 스포트라이트를 받으며 공개되었던 때를 생각하면 격세지감이 느껴지지만, 이제는 새로 들어오려는 기업은 없고 나가려는 기업만 있는 셈입니다. 다만 인텔이 아직 옵테인을 포기하지 않았고 결국 다른 경쟁자들도 차세대 비휘발성 메모리가 필요하다는 점을 생각하면 반전의 기회는 남아 있습니다. 3D 크로스포인트가 메모리가 의도한 것처럼 D램과 SSD를 통합하거나 아니면 적어도 그 중간에서 자신만의 입지를 찾을지 아니면 결국 이도 저도 아닌 메모리로 자연스럽게 시장에서 퇴출될지 미래가 궁금합니다.

중국 ‘반도체 굴기’의 상징으로 꼽혀온 칭화유니그룹(紫光集團·Tsinghua Unigroup)이 심각한 유동성 위기가 이어지면서 또다시 디폴트(채무불이행)를 선언했다. 특히 이번엔 외국인 투자자 비중이 높은 달러표시 채권인 만큼 연쇄 디폴트 가능성이 더욱 높아졌다는 분석이 나온다. 블룸버그통신 등에 따르면 칭화유니그룹은 홍콩거래소에 10일 만기가 돌아온 4억 5000만 달러(약 4900억원)에 금리 연 6%인 회사채를 상환하지 못한다고 지난 9일 밤 늦게 공시했다. 칭화유니가 해외에서 발행된 달러 표시 회사채 상환에 실패한 것은 이번이 처음이다. 이 때문에 홍콩증시에 상장돼 있는 이 회사채는 10일 거래가 중단됐고, 칭화유니가 발행해 홍콩증시에서 거래 중인 다른 회사채들도 연쇄 디폴트 우려에 가격이 90% 이상 곤두박질쳤다. 칭화유니그룹은 이에 따라 향후 추가로 만기가 도래할 20억 달러 규모의 별도 회사채들도 디폴트 위험이 있다고 공지했다. 오는 2021년 6월이 만기인 10억 500만 달러 규모의 회사채, 2023년 만기 7억 5000만 달러, 2028년 만기 2억 달러 등 3건이 상장돼 있다. 2021년 만기 회사채(금리 연 4.75%)는 9일 달러당 28.3센트에서 10일 장 개장 직후 1.6센트로 급락했다. 청화유니그룹은 10일에도 회사 자금 사정으로 50억 위안(약 8347억원) 규모의 위안화표시 회사채 ‘18칭화유니04’의 1년치 이자를 지급하지 못한다고 공고했다.칭화유니그룹은 앞서 지난달 16일이 만기였던 13억 위안 규모의 위안화표시 회사채를 갚지 못하면서 심각한 유동성 위기 문제가 수면 위로 드러났다. 연쇄 채무불이행 사태로 11월 초까지만 해도 최고 수준인 AAA를 유지하던 칭화유니 회사채 등급은 AA, BBB를 거쳐 급기야 투자 부적격(투기) 등급인 B까지 떨어졌다. 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 “이 회사의 최근 디폴트는 반도체 산업 자립을 위한 중국의 노력에 타격을 가하는 것”이라고 지적했다. 칭화유니그룹은 시진핑(習近平) 국가 주석이 나온 명문 칭화대가 51% 지분을 보유한 메모리 반도체 전문 설계·제조사다. 자회사 창장춘추(長江存儲·YMTC)를 통해 64단 3D 낸드 기반의 256기가바이트급 낸드 플래시 등 일부 제품을 양산 중이지만 아직 투자 규모 대비 실적은 미진한 편이어서 자금 사정이 획기적으로 개선되지 않고 있다. 과거 칭화유니는 수조원대 자금을 투입해 충칭(重慶) 양장(兩江)신구에 D램 반도체 생산 공장을 짓고 2021년부터는 양산에 들어가겠다는 계획을 공개한 바 있지만 아직 이와 관련한 구체적인 소식도 전해지지 않고 있다. 칭화유니그룹이 연속으로 디폴트를 내면서 중국 국유기업에 대한 신뢰가 흔들리고 있다는 지적이다. 앤드루 챈 블룸버그인텔리전스 애널리스트는 “중국 정부가 산업 구조조정을 가속화하면서 국유기업이라 해도 봐주지 않겠다는 의지를 강하게 드러내고 있어 칭화유니가 구제금융을 받을 가능성은 낮다”고 전망했다. 칭화유니그룹은 반도체 설비를 늘리기 위해 무리하게 회사채를 발행하면서 지난 3년간 재무구조가 급격히 나빠진 것으로 업계에선 보고 있다. 올 상반기 순손실은 33억 8000만 위안으로 지난해 상반기(32억 위안)보다 더 커졌다. 칭화유니의 지난 9월 말 기준 부채는 528억 위안이며 이중 60%가 1년 미만 단기 채무다. 반면 현금은 40억위안 보유 중이다. 내년 상반기에 갚아야 할 채무도 51억 위안과 10억 500만 달러에 이른다. 김규환 선임기자 khkim@seoul.co.kr

세계 반도체 업계에 지각변동이 일어나고 있다. 코로나19 팬데믹(세계적 대유행)에 따른 수요 급증과 잇단 인수·합병(M&A)으로 글로벌 반도체 산업 재편이 탄력을 받는 모양새다. 미국 월스트리트저널(WSJ) 등에 따르면 미국 반도체 업체 어드밴스드 마이크로 디바이시스(AMD)는 27일(현지시간) 경쟁사인 자일링스(Xilinx)를 350억 달러(약 39조 4200억원)에 인수하기로 합의했다. AMD와 자일링스는 이날 인수합병(M&A) 협상 타결 소식을 알리며 제품군과 시장점유율을 크게 확대하고 재정적으로도 큰 이득이 될 것이라고 기대했다. 리사 수 최고경영자(CEO)가 이끄는 AMD는 컴퓨터의 핵심 기술인 중앙처리장치(CPU)와 그래픽칩에 주력하고 있다. 특히 팬데믹을 계기로 랩톱 컴퓨터뿐 아니라 마이크로소프트(MS)의 엑스박스와 소니의 플레이스테이션 등 게임기 수요가 급증한 덕분에 올해 주가가 급등했다. 또한 지난 수년간 차세대 고성능 반도체를 내놓아 데이터센터를 운영하는 고객사를 대거 유치해 인텔을 바싹 추격하고 있다. 인텔이 제조과정에서의 문제로 재택근무 확산에 따른 랩톱과 클라우드컴퓨팅 수요 급증의 기회를 최대한 활용하지 못하는 동안 AMD는 급진전을 보이고 있다. 이 덕분에 AMD의 주가는 올 들어 80% 가까이 급등해 공격적 M&A를 위한 충분한 실탄이 마련됐다. 수 CEO는 “반도체 산업 합병이 가속화되고 소비자 요구가 변화하고 있는 만큼 규모 확대가 시급하다”고 강조했다. 자일링스는 사용자들이 재프로그램할 수 있는 반도체를 개발해 경쟁사들과 차별화 전략을 펼쳐 왔다. AMD가 통신 인프라와 국방 등 전혀 진출하지 않았거나 시장점유율이 극히 낮은 부문도 섭렵할 수 있는 기회를 제공할 것으로 예상된다. 자일링스의 반도체는 미국의 최신 전투기인 록히드마틴의 F-35 합동타격전투기와 5세대 이동통신(5G) 네트워크에도 사용된다. 이들 두 회사의 합병은 재정적 측면에서 이득도 크다. AMD와 자일링스는 데이터센터 등 고객사를 공유하고 있는 만큼, 합병 후 18개월 내 3억달러의 비용 절감 효과가 기대된다고 AMD 측은 밝혔다. 합병 기업은 약 1만 3000명의 엔지니어 인력을 갖추게 된다. 합병 기업의 CEO는 수 AMD CEO가 맡게 되고, 빅터 펭 자일링스 CEO는 자일링스 사업부 총괄 사장을 맡게 된다. 이런 가운데 SK하이닉스는 앞서 이달 20일 인텔의 메모리 반도체 사업부문을 인수하는 계약을 체결했다. 인텔에서 옵테인을 제외한 낸드플래시 사업 전체를 인수한다. 인텔이 중국 항구도시인 랴오닝성 다롄에 운영 중인 핵심 제조시설인 3D 낸드플래시 공장도 포함된다. 이번 거래를 낸드플래시 부문 세계 시장 2위로 도약하게 됐다. 미국 엔디비아는 지난달 세계 최대 반도체 설계회사 영국 ARM을 400억 달러에 인수하기로 합의했고, 지난 7월에는 아날로그디바이시스가 맥심인티그레이티드프로덕츠를 200억 달러에 인수하기로 합의했다. 김규환 선임기자 khkim@seoul.co.kr

SK하이닉스가 인텔의 메모리 반도체 사업인 낸드플래시 사업 부문을 10조 3000억원에 인수했다고 20일 밝혔다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 19일(현지시간) SK하이닉스가 인텔과 메모리 반도체 사업분야 인수에 대한 협상을 벌이고 있고, 타결에 접근하고 있다고 보도한 바 있다. 인텔은 중국 다롄에 3D 낸드 플래시 생산 공장을 운영 중이다. 향후 인텔 사업구조의 무게 중심은 비메모리 반도체로 급격하게 쏠리게 된다. 인텔은 최근 가격 하락과 시장경쟁 격화에 따라 메모리 반도체 분야에서 목표로 한 수익을 내지 못하자 사업 철수를 추진해왔다. 신진호 기자 sayho@seoul.co.kr

‘이오테크닉스’와 레이저 설비 독자 개발 ‘솔브레인’과 3D 공정 핵심 소재 만들어삼성전자가 중소 설비·부품 업체와 손잡고 국내 반도체 생태계를 강화하기 위한 노력이 성과로 나타나고 있다. 협력사 지원, 산학협력 강화, 친환경 경영에 힘쏟으며 국내 반도체 산업 성장을 이끌고 있다. 삼성전자만 홀로 잘나가는 ‘S칩 시대’보다는 국내 반도체 시장 업계가 함께 성장하는 ‘K칩 시대’를 만들겠단 것이다. 삼성전자는 25일 반도체 장비 제조업체인 ‘이오테크닉스’와 함께 그동안 주로 수입에 의존했던 고성능 레이저 설비 개발에 성공했다고 밝혔다. 큰 돈을 들여 레이저 설비를 수입했지만 반도체 회로가 점점 미세화되면서 불량이 발생하자 이오테크닉스와 함께 독자 개발에 나선 것이다. 삼성전자는 이번 레이저 설비를 통해 지난해 3월 세계 최초로 3세대 10나노(10억분의1m)급 D램 양산에 돌입했다.또 반도체 소재 생산업체인 ‘솔브레인’은 최근 삼성전자와 협업을 통해 3차원(3D) 낸드플래시 식각공정(반도체 회로를 깎는 공정)의 핵심소재 중 하나인 ‘고선택비인산’을 개발해 삼성전자의 차세대 반도체 품질을 크게 끌어올렸다. 솔브레인이 개발한 것은 세계 최고 품질 수준으로 평가받는다. 삼성전자의 이런 행보는 지난해 4월 이재용 삼성전자 부회장이 ‘시스템 반도체 비전 선포식’에서 “같이 나누고 함께 성장하는 것이야말로 세계 최고를 향한 도전을 멈추게 하지 않는 힘”이라고 강조한 것에 따른 것이다.‘동행’을 꾸준히 강조해온 이 부회장은 반도체 산업의 위기 대응과 지속 가능한 성장을 위해 상생 협력을 필수로 여겨야 한다는 의지를 여러 차례 내비쳤다. 올해에만 ‘반도체·부품(DS)부문 사장단 간담회’(1월), ‘EUV 전용 생산라인 V1 점검’(2월), ‘평택 EUV 파운드리 라인 투자’(5월), ‘반도체 연구소 간담회’(6월)를 직접 챙겨왔다. 이 부회장은 반도체·DS부문 사장단 간담회에서는 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길”이라 강조했다. 업계 관계자는 “최근 한일 경제 갈등이 재현될 조짐이기 때문에 이 같은 상생협력을 더욱 강화할 필요가 있다”고 강조했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

지난 26일 인텔은 이례적으로 서울에서 메모리 및 스토리지 데이 행사를 개최했습니다. 물론 글로벌 IT 기업인 만큼 인텔의 공개 행사는 전 세계에서 진행할 수 있으며 당연히 서울에서도 할 수 있지만, 발표하는 제품이 낸드 플래시 및 옵테인 메모리 제품군이라 한국 반도체 제조사들을 겨냥한 것이라는 이야기가 나오고 있습니다. 인텔의 발표에서 눈길을 끄는 제품은 삼성전자와 SK 하이닉스가 강한 경쟁력을 지닌 낸드 플래시 메모리가 아니라 인텔의 신무기인 옵테인 메모리입니다. 옵테인(Optane)은 인텔과 마이크론이 협력해서 개발한 차세대 비휘발성 메모리인 3D Xpoint의 브랜드 네임으로 D램과 낸드 플래시 메모리의 중간에 있는 제품이라고 할 수 있습니다. 낸드 플래시 메모리는 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않기 때문에 저장 장치로 사용할 수 있지만, D램에 비해 속도가 느린 편이라 메모리 대신 사용하기는 어렵습니다. 그래도 HDD보다 훨씬 빠르기 때문에 요즘처럼 데이터가 많아진 시대에는 낸드 플래시 기반 저장장치인 SSD가 필수라고 할 수 있습니다. 그러나 데이터 양이 커지면서 더 빠른 저장장치에 대한 수요는 계속 늘어나고 있습니다. 반도체 제조사들이 생각하는 해결책은 차세대 비휘발성 메모리입니다. P램(phase change memory, 상변화 메모리), STT-M램(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, 스핀주입 자화반전 메모리)과 Re램(저항변화 메모리) 등이 대표적입니다. 옵테인은 상변화 메모리의 일종이라고 알려져 있지만, 인텔은 구체적인 원리를 공개하지 않았습니다. 아마도 원리보다 더 중요한 사실은 옵테인이 서버용 저장장치로 사용할 수 있을 만큼 대량 생산한 첫 번째 차세대 메모리라는 것입니다. 삼성전자와 다른 제조사에서도 M램 같은 차세대 메모리를 선보이기는 했지만, 옵테인처럼 주력 제품은 아닙니다. 인텔은 지난 몇 년간 옵테인에 많은 공을 들였습니다. 인텔의 발표 내용을 종합하면 현재 주력 제품인 CPU에 못지않은 차세대 먹거리라고 할 수 있습니다. 3D Xpoint를 공동개발했지만, 적극적인 모습을 보이지 않는 마이크론과는 대조적입니다. 사실 이 두 회사는 지난 1월 1일 협력 관계를 중단한다고 발표했으며 올해까지만 3D Xpoint를 공동 생산한 후 이후에는 각자의 길을 갈 예정입니다. 이미 D램과 낸드 플래시 메모리에서 비중 있는 회사인 마이크론과 달리 인텔은 완전히 새로운 제품군으로 메모리 시장에 도전장을 내민다는 계획입니다. 인텔이 이렇게 옵테인 메모리에 대해서 자신감을 가지는 데는 그럴 만한 이유가 있습니다. CPU가 처리해야 할 데이터의 양이 폭발적으로 증가하면서 SSD나 HDD 같은 저장장치에서 데이터를 읽은 후 이를 메모리에서 처리하고 다시 결과를 저장장치에 기록하는 방식은 점점 더 효율이 떨어지고 있습니다. 메모리와 동급의 성능을 지닌 저장장치나 아예 메모리 + 저장장치를 지닌 시스템을 만들면 대용량 데이터처리 속도가 매우 빨라질 것입니다. 인텔이 올해 공개한 서버 CPU인 캐스케이드 레이크(Cascade Lake)의 경우 CPU 한 개당 최대 1.5TB DDR4 메모리나 4.5TB의 옵테인 DCPM(DC Persistent Memory)를 탑재할 수 있습니다. 본래 D램을 장착할 수 있는 DIMM 폼펙터에 맞게 나온 옵테인 DCPM는 128/256/512GB 용량으로 D램과 혼용해서 메모리처럼 사용하거나 저장장치처럼 사용할 수 있습니다. D램에 근접하는 빠른 속도 덕분에 서버에서는 어려운 순간 재부팅도 가능합니다. 9월 26일 있었던 공개 시연에서 인텔은 기존 시스템과 비교할 수 없을 만큼 빠른 재부팅 속도(10분15초 vs 19초)를 자량했습니다. 인텔은 옵테인 메모리를 D램과 낸드 플래시를 통합할 차세대 메모리로 발전시켜 반도체 시장을 리드한다는 계획입니다. - 문제는 가격 하지만 인텔의 야심찬 계획에도 불구하고 지난 몇 년간 주요 메모리 제조사의 주가는 폭락하지 않았습니다. 인텔의 계획에 대해 시장이 의구심을 품고 있다는 이야기입니다. 이런 의구심의 핵심은 가격입니다. 새로 공개한 인텔 로드맵(사진)에는 일반 소비자용 옵테인 SSD에 대한 이야기가 빠져 있습니다. 본래 인텔은 일반 소비자용 SSD 시장을 겨냥한 옵테인 제품군도 내놓았지만 용량이 작은데다 가격까지 비싸 시장에서 큰 호응을 얻지 못했습니다. 인텔이 데이터 센터 제품에 집중하는 것은 옵테인이 저렴한 제품이 아니면 살아남기 힘든 일반 소비자용 시장보다 비싸도 성능이 좋으면 팔리는 서버 시장에 적합한 제품이기 때문입니다. 하지만 대량으로 구매하는 서버 시장 역시 가격에 민감한 건 마찬가지입니다. 오래전 일이지만, 인텔은 펜티엄 4 프로세서를 출시하면서 당시 기준으로 획기적인 성능을 지닌 차세대 메모리인 램버스 D램을 독점적으로 지원했습니다. 업계 1위인 인텔이 적극 밀었고 성능도 당시 사용되던 D램보다 우수했기 때문에 램버스 D램의 미래는 밝아 보였습니다. 하지만 이를 생산하기 위해서는 새로운 생산 시설이 필요했고 따라서 가격이 비쌌습니다. 반면 DDR 메모리의 경우 기존의 생산 시설을 활용할 수 있어 가격이 상대적으로 저렴했습니다. 이 메모리 전쟁의 승자는 모두가 알다시피 DDR 메모리였습니다. 초기 펜티엄 4 프로세서는 별로 빠르지 않았지만, 신제품이라 가격이 비쌌고 램버스 D램은 DDR과 비교도 되지 않을 만큼 비쌌습니다. 결국 엄청난 비용을 내고 얻을 수 있는 성능상이 이득이 미미했기 때문에 시장에서 외면 받을 수밖에 없었습니다. 결국 인텔은 경장자인 AMD처럼 DDR 메모리를 지원할 수밖에 없었고 메모리 시장은 DDR 메모리 위주로 흘러가게 됩니다. 기술적인 우위만큼 중요한 요소가 가격이라는 점을 보여주는 좋은 사례입니다. 옵테인 메모리가 성공하기 위해서는 상대적인 가격 경쟁력이 확보되야 합니다. 하지만 최근 D램 및 낸드 플래시 메모리 가격이 하락하면서 쉽지 않은 싸움이 예상되고 있습니다. 제조 공정이 향상됨에 따라 옵테인 메모리도 매년 가격이 내려가긴 하겠지만, 이 점은 D램과 낸드 플래시 메모리 역시 마찬가지입니다. 특히 여러 제조사에서 경쟁적으로 만드는 낸드 플래시 메모리 가격은 인텔 독점인 옵테인보다 가격 인하 가능성이 훨씬 큽니다. 옵테인이 차세대 메모리의 대세가 될지 아니면 고성능 D램과 낸드플래시 메모리 사이 낀 샌드위치 신세가 될지는 지금 판단하기 어렵습니다. 하지만 현재의 낸드플래시 메모리 기술은 공정 미세화, 수명, 속도 등에서 이미 한계를 보이고 있기 때문에 차세대 메모리가 필요한 건 분명합니다. 아마도 누가 먼저 출시했느냐 보다는 성능과 가격 두 마리 토끼를 잡는 제조사가 시장을 장악할 것입니다. 국내 제조사들이 차세대 메모리 개발을 위해 투자를 아끼지 않는 이유입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com

최근 몇 년간 SSD의 가격은 크게 낮아졌습니다. 삼성전자나 SK 하이닉스 같은 낸드 플래시 메모리 제조사들이 저렴하고 빠른 3D 낸드를 대량 양산하고 있고 이것도 모자라 TLC, QLC 기술을 적용해 용량을 더 늘리고 있기 때문입니다. 물론 TLC에서 QLC로 갈수록 내구성은 낮아지지만, SSD의 용량이 커질수록 셀(cell)을 여러 번 쓰고 지울 일이 줄어들기 때문에 충분한 수명을 확보할 수 있습니다. SSD의 발전은 용량만이 아닙니다. 본래 빠르던 속도도 점점 더 빨라지고 있습니다. 과거 하드디스크 시절의 유물인 느린 SATA 방식 대신 NVMe/PCIe 3.0x4 인터페이스 기반의 고속 SSD가 빠르게 확산되고 있습니다. PCIe 3.0 기반 SSD는 이미 순차 읽기와 쓰기 속도가 일반적인 하드디스크의 10배가 넘는 3GB/s를 넘어섰고 PCIe 4.0 기반 SSD에서는 이 두 배에 달하는 속도를 확보할 수 있을 것입니다. 빠른 속도와 조용함, 그리고 하드디스크에서 기대하기 어려운 소형화까지 이뤄지면서 SSD는 최신 노트북의 기본 저장 정치로 자리잡았으며 이제는 데스크톱에서도 기본 사양으로 자리 잡고 있습니다. 오래전 USB 메모리 대신 작은 파일을 옮길 때 사용한 플로피 디스크가 지금 청소년들은 잘 모르는 기기가 된 것처럼 10년 후에는 하드디스크 역시 같은 길을 걷게 될 가능성이 있는 것입니다. 급격한 변화에 적응하기 위해 하드디스크 제조사는 자체적으로 SSD나 낸드 플래시 메모리를 제조할 뿐 아니라 기존의 하드디스크 용량을 획기적으로 늘릴 기술을 개발하고 있습니다. 데이터의 양은 폭발적으로 증가하고 있고 이를 모두 플래시 기반 스토리지에 저장하면 비용이 너무 많이 들기 때문에 용량 대 가격으로 승부를 걸겠다는 것입니다. 지난 몇 년간 주요 제조사들은 하드디스크 내부에 헬륨을 충전하고 플래터(하드디스크 내부의 둥근 원판으로 데이터를 기록하는 디스크)의 숫자를 9개까지 늘려 용량을 10TB 이상으로 늘렸습니다. 하지만 기존 기술로는 20TB 이상 하드디스크 제조가 어렵기 때문에 강한 에너지를 가해 더 좁은 공간에 자기 데이터를 기록하는 기술을 개발하고 있습니다. 대표적인 방법은 열을 가해 기록 저장을 돕는 열 보조 자기 기록(heat assisted magnetic recording, HAMR) 기술과 마이크로웨이브 보조 자기 기록(microwave assisted magnetic recording, MAMR) 기술입니다. 전자는 열을 가하고 후자는 마이크로웨이브파를 이용해 더 좁은 공간에 자기 기록을 남기는 것입니다. 이 두 가지 방법 모두 에너지를 보조 시스템을 이용해서 자기 기록을 남기기 때문에 합쳐서 에너지 보조 자기 기록(energy-assisted magnetic recording, EAMR))이라고 부릅니다. 주요 하드디스크 제조사 가운데 하나인 웨스턴 디지털은 최근 18TB 용량 제품인 Ultrastar DC HC550 HDD를 공개했습니다.(사진) 2TB 플래터 9장을 사용한 헬륨 충전 하드디스크로 거대한 용량이 눈길을 끌지만, 더 주목할 부분은 에너지 보조 자기 기록(EAMR) 방식이라는 점입니다. 웨스턴 디지털은 이보다 좀 더 앞서 20TB 하드디스크를 공개하기는 했지만, EAMR 방식이 아니라 기존 방식인데 기와처럼 기록을 겹쳐 쌓는 SMR(shingled magnetic recording) 기술을 적용한 하드디스크입니다. 일반적인 용도로 사용하기보다는 한 번 기록하고 읽기만 하는 데이터 기록용으로 나온 제품입니다. 반면 EAMR 하드디스크는 더 일반적인 용도로 사용할 수 있습니다. 20TB 이상 용량의 범용 하드디스크는 대부분 EAMR 기반으로 제작될 것입니다. EAMR 하드디스크는 이제 막 등장했고 앞으로 널리 보급되기까지는 몇 년의 시간이 더 걸릴 것입니다. 본격적으로 보급이 되면 하드디스크의 용량은 지금보다 한 단계 더 올라가게 될 것입니다. 하지만 SSD와의 경쟁보다는 속도보다 용량이 더 중요한 데이터를 저장하는 데 사용될 것입니다. 기업이나 연구소에서는 대용량 데이터의 백업 및 자주 쓰고 읽지 않는 데이터 저장 장치로 사용될 것이고 개인에게는 동영상이나 사진 등을 저장하는 용도로 주로 사용될 것입니다. 어느 쪽이든 하드디스크는 적어도 한동안은 사라지지 않고 소비자 선택의 폭을 넓혀줄 것입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com

日 수출규제 여파 경영 불확실성도 커져 올 상반기에 일부 낸드 공정 R&D 전환 도시바·마이크론에 SK하이닉스도 감산 3차 치킨게임 재현 가능성 더 낮아져“인위적 감산은 없다. (경영) 불확실성이 크다. 생산라인을 탄력적으로 운영하고 있다.” 삼성전자가 2분기(4~6월) 실적발표 뒤 콘퍼런스콜에서 “인위적 웨이퍼 투입 감소는 검토하고 있지 않다”고 단언했지만, 동시에 생산라인 최적화·효율화 전략이 가동되고 있음을 밝힘에 따라 시장 상황에 맞춘 탄력적 공급 대응에 이미 돌입했다는 해석이 1일 제기됐다. 과잉 공급으로 D램·낸드플래시 가격이 하락하는 상황, 즉 반도체 기업 간 ‘치킨게임’을 감수하면서도 생산물량을 감축할 계획이 없다고 명시적으로 밝힌 동시에 다른 이유로 인한 생산량 조절이 이뤄지고 있다는 설명도 나왔기 때문이다. 예컨대 메모리사업부 전세원 부사장은 전날 콘퍼런스콜에서 “반도체 수요 변동에 따라 생산라인을 탄력적으로 운영한다”고 밝혔다. 구체적으로 화성캠퍼스 12라인 낸드 생산설비와 관련, “최근 낸드 수요가 플래너(평면)에서 (3D 등) V낸드 중심으로 전환됨에 따라 상반기부터 일부 플래너 캐파(생산설비)를 R&D로 전환하고 있다”고 말했다. 삼성의 메모리반도체 생산 전략은 2007년과 2010년에 이어 올해 3차 반도체 치킨게임이 본격화될지 여부를 가릴 가늠자로 관심을 받아 왔다. 낸드 2위인 일본 도시바가 정전 사고 때문에 사실상 비자발적 감산 체제에 들어갔고, 미국 마이크론 역시 1분기부터 웨이퍼 투입량을 5~10%씩 줄이는 감산을 공식화한 터였다. D램 쪽에서도 3달러 이하로 떨어진 가격 하락폭에 못 이겨 2위 SK하이닉스가 4분기부터 감산 방침을 밝혔고, 3위 마이크론도 감산 중이었다. 1위 삼성까지 감산을 공식 선언할 경우 하향세를 보이다 최근 일본의 한국으로의 소재 수출 규제 발표 뒤 잠깐 가격이 올랐던 D램 가격 흐름이 우상향으로 바뀔 가능성이 점쳐졌었다. 하지만 삼성은 1·2차 반도체 치킨게임 때처럼 감산이란 단어를 공식화하지 않았다. 그럼에도 업계는 삼성이 인위적인 경쟁 또한 감행하지 않을 것으로 보고 있다. 일본의 소재 수출 규제 여파로 삼성전자 경영의 불확실성이 커진 데다 반도체 시황이 악화되는 상황에서의 경쟁에 실익이 크지 않아서다. 반도체 업계 관계자는 “한·미·일·대만에 포진한 반도체 기업 수가 이미 한 자릿수로 업계 난립 상황이 아닌 데다 업황도 좋지 않아 출혈 경쟁을 불사할 상황이 아니다”라면서 3차 치킨게임 재현 가능성이 애초에 낮았다고 말했다. 다만 일본의 조치로 반도체 생산의 불확실성이 커진 만큼 라인 최적화와 같은 업황을 반영한 생산량 조절이 탄력적으로 일어날 가능성은 여전히 높게 관측된다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr한재희 기자 jh@seoul.co.kr

“인위적인 호가 조정 가능성도” 일본 정부가 반도체·디스플레이 핵심 소재의 한국 수출 규제 강화 이후 D램과 낸드플래시 등 주요 메모리 반도체 가격이 비교적 큰 폭의 상승세를 나타냈다. 추세적인 상승 여부는 좀 더 지켜봐야 하지만, 다른 요인들과 맞물려 반도체 업황이 바닥을 치고 올라갈 가능성이 커졌다는 분석이 나온다. 15일 업계와 글로벌 시장조사업체 디램익스체인지 등에 따르면 PC에 주로 사용되는 DDR4 8기가비트(Gb) D램 제품의 현물 가격은 지난주 3.26달러로 거래를 마치면서 일주일 전(3.03달러)에 비해 7.6%나 올랐다. 특히 상대적으로 저사양 제품인 DDR3 4Gb 현물가는 지난 12일 1.60달러를 기록하면서 주간 상승폭이 무려 12.7%에 달했다. 지난 10일 3.5% 오른 데 이어 11일과 12일에도 4.7%와 3.9%나 상승했다. 이와 함께 SSD(솔리드스테이트드라이브)와 USB드라이브 등에 사용되는 64Gb MLC(멀티플 레벨 셀) 낸드플래시 제품 현물 가격은 2.42달러로, 일주일 전(2.35달러)보다 2.8% 오른 것으로 나타났다. 다만 3D 256Gb TLC(트리플 레벨 셀) 낸드플래시 가격은 2.94달러로 거의 변화가 없었던 것으로 파악됐다. 이에 대해 업계 전문가들은 지난해 말부터 급락세가 이어진 데 따른 반발 효과가 나타나고 있는데다 최근 일보의 일부 반도체 소재 수출 규제가 시장에 일정 부분 영향을 미쳤을 가능성이 있다고 분석했다. 유진투자증권의 이승우 애널리스트는 이날 보고서에서 “재고 수준을 고려하면 메모리 가격이 오르기는 어려운 상황”이라면서 “그러나 한일 갈등에 따른 불안감에 따른 매수 문의가 증가하고 있고, 일부 현물시장 딜러들의 호가 조정으로 ‘노이즈’가 생기고 있다”고 설명했다. 다만 “과도한 재고 부담을 감안하면 현물가격 사승이 고정거래가격으로 이어진다고 보기 어렵다”면서 “한일 갈등을 이용한 현물시장 딜러들의 인위적 호가 조정에 의한 것이라는 주장도 나온다”고 말했다. 업계에서는 최근 일본 도시바의 미에현 욧카이치 공장 정전에 따른 생산라인 가동 중단, 삼성전자와 SK하이닉스의 생산 감축설 등과 함께 한일 갈등에 따른 반도체 시장의 불안감이 커지면서 메모리 가격의 반등이 당분간 이어질 것이라는 관측을 내놓고 있다. 아울러 신규 CPU(중앙처리장치) 개발에 따른 PC교체 수요와 5G 이동통신 보급 확산 등의 요인도 가격 상승세를 부추길 것이라는 분석도 나온다. 신진호 기자 sayho@seoul.co.kr

SK하이닉스가 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 적용되는 쿼드레벨셀(QLC) 메모리 제품 개발에 성공했다.SK하이닉스는 96단 4D 낸드 기반의 1테라비트(Tb)급 쿼드레벨셀(QLC) 메모리 제품을 개발, 주요 고객사에 샘플 출하했다고 9일 밝혔다. QLC는 셀 하나에 저장할 수 있는 데이터가 기존 3비트에서 4비트로 늘리는 기술이다. 같은 크기의 칩에 33% 더 많은 용량을 저장할 수 있어, 제조업체로서는 비슷한 원가로 더 비싼 제품을 만들 수 있다. 3D 기반의 QLC보다 90% 이하로 면적을 줄인 이 제품을 통해 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보했다는 게 SK하이닉스 측 설명이다. QLC 후발주자인 SK하이닉스는 내년 이후 이 기술이 적용된 SSD를 출시할 예정이다. SSD는 메모리칩에 데이터를 저장하는 드라이브로 기존 하드디스크드라이브(HDD)보다 더 작지만 큰 용량을 저장해 훨씬 빠르게 읽을 수 있다. SK하이닉스는 최근 이 제품 샘플을 SSD 컨트롤러와 낸드 저장장치를 개발·판매하는 업체들에 보내 동작 성능을 확인했다고 밝혔다. 이와 함께 QLC용 소프트웨어 알고리즘과 컨트롤러를 자체 개발하고 있으며, 앞으로 고객 수요에 맞춰 솔루션 제품도 출시한다는 방침이라고 덧붙였다. 나한주 낸드개발사업전략 담당 상무는 “기업용 QLC 수요가 본격적으로 형성되는 내년 이후부터 QLC 기반 SSD를 출시할 예정”이라면서 “특히 16Tb 이상의 솔루션으로 HDD를 대체하는 고용량 기업용 SSD 시장에서 입지를 다진다는 전략”이라고 말했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

CPU 업계 부동의 1위인 인텔이 새로운 제온(Xeon, 인텔의 서버용 CPU 제품) 제품군을 발표했습니다. 캐스케이드 레이크(Cascade Lake)로 알려진 2세대 제온 스케일러블(Second Generation Xeon Scalable) 프로세서는 인텔 역사상 가장 많은 56코어 CPU와 차세대 비휘발성 메모리인 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리(Optane DC Persistent Memory) 지원이 가장 큰 특징입니다. 두 개의 CPU 다이(die)를 하나에 CPU에 담은 플래티넘 9200시리즈(32-56코어 지원)를 비롯해 코어 숫자와 CPU 성능에 따라 플래티넘 8200, 골드 6200, 골드 5100, 실버 4200, 브론즈 3200 시리즈로 출시되었습니다. 사실 2세대라고 해도 1세대 제온 스케일러블 프로세서(스카이레이크 SP)와 같은 14nm 공정이고, 아키텍처도 스펙터와 멜트다운 보안 결함 수정 및 기타 소소한 개선 이외에는 큰 변화가 없는 제품이라 CPU 자체는 56코어까지 지원하는 플래티넘 9200 시리즈가 등장했다는 점을 제외하면 별 특징이 없는 편입니다. 캐스케이드 레이크에서 가장 주목할 점은 CPU가 아니라 인텔이 적극적으로 밀고 있는 옵테인 메모리가 변방에서 주류로 올라갈 수 있을지 시험하는 무대라는 점입니다. 인텔은 x86 CPU와 메인보드 칩셋 같은 관련 제품 및 서비스가 주력인 회사지만, 과거 메모리를 비롯한 다양한 제품을 만든 역사가 있습니다. 가격 변동과 경쟁이 심한 메모리 대신 CPU에 집중한 것은 지금의 인텔을 만든 현명한 판단이지만, 인텔이 메모리 분야에 대한 미련을 완전히 버린 것은 아니었습니다. 비록 DRAM 시장에서 다시 발을 들이지 않았지만, 인텔은 마이크론과 함께 낸드 플래시 메모리 및 3D Xpoint라는 차세대 비휘발성 메모리를 개발했습니다. 후자가 바로 옵테인 메모리 제품군입니다. 2세대 제온 스케일러블 프로세서는 CPU 한 개에 최대 1.5TB의 DDR4 메모리를 장착할 수 있습니다. 하지만 사용자가 원한다면 DDR4 메모리와 함께 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 최대 4.5TB까지 장착할 수 있습니다. 본래 메모리 장착용으로 만든 DIMM(dual in-line memory module)에 128/256/512GB 용량의 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 장착할 수 있기 때문입니다. 쉽게 말해 메모리 모듈을 꼽는 자리에 옵테인 메모리를 설치해서 메모리처럼 사용하거나 빠른 SSD처럼 사용할 수 있습니다.옵테인 DC 퍼시트턴트 메모리는 DRAM과 SSD의 중간에 있는 메모리 겸 저장 장치입니다. 물론 옵테인의 궁극적인 목적은 DRAM과 SSD를 모두 대체할 수 있는 차세대 메모리이지만, 당장에는 DRAM보다 느리고 낸드 플래시 메모리보다 비싸기 때문에 둘을 대체하기보다 보완하는 용도로 사용될 것입니다. 이 점은 인텔의 공개한 슬라이드에서도 잘 나타나고 있습니다.(사진) 인텔이 생각하는 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리의 위치는 메모리 – 저장 장치 피라미드에서 DRAM 바로 아래입니다. 2세대 제온 스케일러블 플랫폼은 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리가 들어갈 공간을 제시했다는 점에서 일단 미래의 주인공이 설 무대를 마련한 것으로 평가할 수 있습니다. 다만 아직 옵테인의 가격이 비싸고 속도가 DRAM보다 느리기 때문에 얼마나 시장의 호응을 받을지는 미지수입니다. 그래도 인텔이 옵테인 메모리의 미래를 낙관하고 있는 것은 데이터의 양이 폭발적으로 증가하고 있다는 점과 기존의 낸드 플래시 기술이 점점 한계에 부딪히고 있기 때문입니다. 데이터의 양이 증가하고 이를 실시간으로 처리해야 할 필요성이 커지면서 저장 장치에서 메모리로 데이터를 불러들인 후 이를 처리하고 다시 저장하는 방식의 비효율성이 커지고 있습니다. DRAM 만큼 빠르면서 낸드 플래시처럼 용량이 큰 비휘발성 메모리가 있다면 이런 과정 없이 데이터를 처리할 수 있을 것입니다. 옵테인의 성능은 아직 그 정도 수준은 아니지만, 계속해서 발전하면 가능성은 있습니다. 하지만 차세대 비휘발성 메모리는 인텔만 개발하고 있는 것이 아닙니다. 기존의 DRAM 강자인 삼성전자와 SK 하이닉스 역시 차세대 비휘발성 메모리를 개발하고 있고 메모리 부분에서 워낙 전통적인 강자라 일단 양산에 들어가면 결과를 쉽게 예측하기 어려울 것입니다. 다만 인텔이 옵테인 메모리에 대해서 공격적인 마케팅에 들어간 만큼 빠른 시일 내에 대항마를 내놓아야 할 것입니다. 기술 발전과 가격 안정을 위해서는 한 회사의 독주보다 여러 회사가 경쟁하는 구도가 더 바람직할 것입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com

작년에 공개한 서밋(Summit)을 통해 세계에서 가장 빠른 슈퍼컴퓨터 타이틀을 되찾은 미국이 이보다 5배 빠른 차세대 슈퍼컴퓨터 도입 계획을 발표했습니다. 미국 에너지부 산하의 아르곤 국립 연구소에 도입될 오로라(Aurora)는 1엑사플롭스(Exaflops, 1000페타플롭스) 연산 능력을 지녀 역대 가장 강력한 컴퓨터가 될 예정입니다. 이번 발표에서 눈길을 끄는 부분은 오로라가 인텔 프로세서와 메모리를 사용한 슈퍼컴퓨터라는 사실입니다. 오로라는 차세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서(Xeon Scalable processor)와 Xe 컴퓨트 아키텍처(Xe compute architecture), 그리고 인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리(Optane DC Persistent Memory)를 탑재해 서밋의 200페타플롭스보다 5배 빠른 1엑사플롭스의 성능을 갖게 됩니다. 이 세 가지는 인텔의 미래를 책임질 차세대 제품군이기 때문에 관심이 쏠리고 있습니다. 차세대 제온 인텔은 올해 차세대 아키텍처인 서니 코브(Sunny Cove)를 선보일 계획입니다. 초기에는 일반 PC용 제품으로 등장하겠지만, 어떻게 보더라도 서니 코브 기반 제온 CPU가 등장하는 것은 단지 시간문제일 뿐입니다. 인텔이 오로라에서 언급한 차세대 제온 스케일러블 프로세서가 서니 코브 기반 제온인지는 알 수 없지만, 2021년이라는 시기를 감안할 때 최소한 서니 코브 혹은 그 이후 아키텍처 기반 제온 프로세서로 보입니다. 인텔은 차세대 제온 프로세서의 미세공정 역시 밝히지 않았지만, 올해 10nm 공정 프로세서의 대량 생산에 들어가고 현재 7nm EUV 기반 팹을 건설하는 점을 생각하면 아마도 7nm나 그 이하 공정이 될 가능성이 큽니다. 따라서 코어 집적도와 성능 역시 현재 제온 프로세서에 비해 획기적으로 향상될 것으로 생각됩니다. 인텔은 슈퍼컴퓨팅 2018 콘퍼런스에서 멀티 칩 패키징 (MCP) 방식의 48코어 캐스케이드 레이크 AP(Cascade Lake-AP)를 공개한 바 있습니다. 14nm 공정으로 만든 캐스케이드 레이크 AP에 비해 훨씬 미세한 공정을 사용하는 차세대 제온 스케일러블 프로레서는 더 많은 코어를 집적할 수 있을 것으로 생각됩니다. 물론 이렇게 만든 강력한 제온 프로세서는 슈퍼컴퓨터에만 들어가는 것이 아니라 일반 서버 제품군으로도 출시되어 전반적인 서버 성능을 높일 것으로 생각됩니다. 최근 64코어 2세대 에픽 프로세서를 공개하면서 고성능 서버는 물론 슈퍼컴퓨터 시장으로의 복귀를 준비 중인 AMD의 도전을 생각하면 당연한 대응입니다. Xe 컴퓨트 아키텍처 인텔은 내년에 Xe 아키텍처 기반의 그래픽 카드 및 데이터 센터 제품군을 선보일 예정입니다. 인텔이 다시 고성능 그래픽 카드 시장에 도전한다는 소식도 흥미롭지만, 더 흥미로운 부분은 슈퍼컴퓨터 시장에 Xe 제품군을 투입한다는 것입니다. 이는 사실상 엔비디아의 GPU와 거의 같은 제품군을 만들겠다는 의미입니다. 엔비디아는 게이밍 GPU를 시작으로 GPGPU라는 고성능 병렬 연산을 위한 제품군을 선보였고 최근에는 인공지능(AI) 부분에 집중하고 있습니다. Xe가 게임용 그래픽 카드는 물론 고성능 데이터 센터 및 슈퍼컴퓨터 부분에도 투입된다면 엔비디아의 GPU와 치열한 경쟁은 불가피한 상황입니다. Xe의 성능은 베일에 가려있지만, 엑사스케일 컴퓨터에 탑재된다면 서밋에 탑재된 볼타(Volta)보다 훨씬 강력한 성능을 지녔다고 보는 것이 타당합니다. 물론 이 시기에는 엔비디아 역시 더 강력한 GPU를 선보이면서 Xe와 치열한 경쟁을 벌이게 될 것입니다. 인텔의 도전이 성공할지 아니면 현재 챔피언인 엔비디아가 타이틀을 유지할지가 흥미로운 관전 포인트입니다. Xe가 시장에 진입하는 데 성공한다면 인텔은 CPU 시장은 물론 GPU/슈퍼컴퓨터/인공지능 시장에서 강력한 영향력을 행사할 수 있어 미래 시장 지배력이 커질 것으로 예상됩니다. 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리 인텔은 작년에 128/256/512GB 용량의 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리 제품군을 공개했습니다. 옵테인은 차세대 비휘발성 메모리인 3D XPoint 기반 제품으로 DRAM보다 약간 느리지만 비슷한 성능과 낸드 플래시 메모리처럼 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 데이터 저장 능력을 지니고 있습니다. 이런 차세대 비휘발성 메모리의 목표는 SSD 같은 데이터 저장 장치와 DRAM 같은 메인 메모리를 하나로 만들어 컴퓨터를 더 빠르고 효율적으로 만드는 것입니다. 데이터의 크기가 커질수록 저장 장치에서 메인 메모리로 데이터를 옮겨 처리하고 다시 이를 저장 장치에 기록하는 방식이 느리고 비효율적이기 때문입니다. 오로라는 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 사용해서 대규모의 데이터를 빠르게 처리하고 바로 저장할 수 있을 것으로 기대됩니다. 다만 오로라가 순수하게 옵테인 메모리만 사용했는지 아니면 별도의 DRAM을 지녔는지는 아직 알려지지 않았습니다. 옵테인이 낸드 플래시 메모리보다는 빠르지만, 아직 고성능 GPU에서 필요한 대역폭을 모두 제공하기에는 느리기 때문에 아마도 후자의 가능성이 높을 것으로 예상됩니다. 설령 그렇다 하더라도 옵테인 메모리를 대량으로 사용해 데이터 처리 및 저장 속도를 높였다면 그것만으로도 상당한 성과라고 할 수 있습니다. 2년 후 모습을 드러낼 인텔의 3종 무기 사실 오로라에 사용될 새로운 하드웨어 가운데 그 구체적인 스펙이 공개된 것은 없습니다. 오로라에 탑재될 차세대 제온 및 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리는 현재 나와 있는 제품보다 훨씬 성능이 향상된 다음 세대 제품이고 Xe는 아예 한 번도 등장한 적이 없는 제품입니다. 그래도 미 정부 기관이 막대한 예산을 들여 도입 계획을 발표했다는 것은 인텔의 신기술에 어느 정도 믿을 만한 구석이 있다는 이야기입니다. 과연 얼마나 성능을 높였을지 업계의 이목이 쏠리는 건 당연합니다. 물론 다른 경쟁자도 놀고 있지는 않습니다. 엔비디아 역시 엑사스케일 컴퓨터를 위해 볼타 다음 세대(Volta-Next) GPU를 개발하고 있으며 미 에너지부 산하 기관이 이를 도입할 계획을 가지고 있습니다. 미 정부는 적어도 두 개 이상의 사업자를 지원해 서로 경쟁을 통해 성능을 높인다는 계획입니다. 흥미로운 사실은 엔비디아의 차세대 GPU가 AMD의 차세대 에픽 CPU와 함께 들어갈 것이라는 사실입니다. 펄뮤터(Perlmutter)로 알려진 이 슈퍼컴퓨터에 대해서도 아직 알려진 내용이 별로 없지만, 적어도 서밋보다 훨씬 강력한 슈퍼컴퓨터가 될 것은 분명합니다. 여기에 최근에는 비교적 조용했지만, 자체 개발 CPU로 세계 최고 성능 슈퍼컴퓨터를 만들어 세상을 놀라게 한 중국 역시 차기 제품을 준비하고 있습니다. 이 경쟁에서 이기기 위해 인텔과 그 경쟁자들은 계속해서 연구 개발을 멈추지 않을 것입니다. 그리고 이를 통해서 컴퓨터 기술은 한 단계 더 발전하게 될 것입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com　

지금까지 수많은 IT 제품들이 반짝하고 등장했다가 역사의 뒤안길로 사라졌습니다. 지금 10대 청소년들은 잘 모를 비디오 테이프, 삐삐, 플로피 디스크, 휴대용 카세트 테이프 등 여러 제품들이 한때 생활 필수품처럼 사용되다 사라졌습니다. 아직은 필수 저장장치로 사용되지만, 하드디스크(HDD)의 미래 역시 비슷할지 모릅니다. SSD라는 아주 강력한 경쟁 상대가 있기 때문이죠. PC 수요의 감소와 SSD의 보급으로 하드디스크 출하량은 몇 년째 계속 감소하고 있습니다. 하지만 아이러니하게도 하드디스크로 저장하는 데이터의 양은 빠른 속도로 증가하고 있습니다. 폭발적으로 증가하는 데이터를 모두 담기에는 아직 SSD가 너무 비싸기 때문이죠. 따라서 주요 하드디스크 제조사는 데이터 센터를 위한 대용량 하드디스크 개발에 박차를 가하고 있습니다. 주요 제조사들은 HAMR(Heat Assisted Magnetic Recording, 가열 자기 기록)을 비롯한 신기술을 적용해 현재의 하드디스크 용량을 몇 배로 늘릴 계획입니다. 가열 자기 기록 기술은 20mW 출력의 810nm 레이저를 이용해 순간적으로 섭씨 450도까지 가열해 자기 기록을 남기는 것으로 더 좁은 공간에 데이터를 기록할 수 있습니다. 최근 16TB 용량의 1세대 가열자기기록 방식 하드디스크를 선보인 씨게이트는 새로운 로드맵을 통해 2023년까지 40TB 하드디스크를 개발할 수 있다고 발표했습니다. 관련 전문 매체인 아난드텍에 의하면 이미 씨게이트는 내부적으로 3TB 용량의 플래터를 테스트하고 있습니다. 하드디스크는 플래터라는 동그란 원판에 데이터를 기록하는 방식인데 일반적으로 고용량 하드디스크일수록 더 많은 플래터를 넣습니다. 예를 들어 3TB 플래터 8장을 넣으면 24TB 하드디스크 개발이 가능합니다. HAMR 기술을 적용된 3TB 플래터의 데이터 저장 밀도는 제곱인치 당 2.381Tb (Tb/Inch^2)인데 앞으로 기록 밀도를 10Tb/inch^2까지 늘릴 수 있다고 합니다. 따라서 100TB 하드디스크 개발도 가능합니다. 씨게이트는 2020년에 20TB 이상 용량의 하드디스크를 출시하고 2021-2022년 사이에 30TB, 2023년 이후에 40TB 용량의 하드디스크를 출시한다는 로드맵을 가지고 있습니다. (사진) 그때까지 목표를 달성할 수 있을지 의구심도 들지만, 사실 그래야만 하는 이유가 있습니다. SSD 역시 셀 하나에 4비트를 기록하는 QLC 기술이나 여러 층으로 셀을 쌓아 올리는 3D 낸드 기술이 발전하면서 용량 대비 가격이 빠르게 내려가기 때문입니다. 이미 일부 1TB SSD가 보급형 가격으로 내려왔고 크기가 작으면서도 속도가 빠른 M.2 NVMe PCIe 규격의 SSD 역시 가격이 빠른 속도로 떨어지고 있어 앞으로 컴퓨터의 기본 저장 장치는 SSD로 통일될 가능성이 커졌습니다. 하드디스크는 대용량 데이터 저장이 필요한 일부 사용자와 데이터 센터의 전유물이 될 것입니다. 하지만 낸드 플래시 메모리 가격이 더 폭락하면 하드디스크의 미래는 플로피 디스크와 비슷할 가능성이 큽니다. 따라서 하드디스크 업계는 고용량 하드디스크 기술 개발에 박차를 가하고 있습니다. 용량과 더불어 개선이 필요한 부분은 바로 속도입니다. 하드디스크는 원리상 반도체 기반인 SSD보다 속도가 느릴 수밖에 없습니다. 따라서 SSD와 속도 경쟁은 무의미하지만, 용량이 점점 커지면서 대용량 데이터를 읽고 쓰는데 너무 시간이 오래 걸리고 있습니다. 10TB 이상 용량 하드디스크도 읽기/쓰기 속도는 200MB/s를 좀 넘는 수준에 불과해 대용량 데이터를 백업하거나 불러오는데 너무 많은 시간이 필요합니다. 이것 역시 데이터 센터에서 점점 SSD 사용이 늘어나는 이유입니다. 과거 하드디스크가 서버에서 주 저장장치로 쓰이던 시절에는 속도를 높이기 위해 10,000-15,000rpm(rpm, 분당 회전 속도)의 고속 하드디스크가 있었습니다. 하지만 여러 개의 플래터를 넣은 고용량 하드디스크에서 7200rpm 이상의 회전 속도는 전력 소비와 발열을 감당하기 어렵습니다. 따라서 업계의 해결책은 데이터를 읽고 저장하는 액추에이터를 여러 개 넣어 속도를 높이는 것입니다. 멀티 액추에이터 기술 Multi-Actuator Technology (MAT) 기반 하드디스크는 올해 1세대 제품이 출시되며 앞으로 20TB, 30TB, 40TB 하드디스크가 출시됨에 따라 그 비중이 높아질 것으로 예상됩니다. 두 개의 액추에이터를 사용한 1세대 제품의 경우 최대 데이터 전송 속도가 480~500MB/s로 기존 하드디스크의 두 배에 달합니다. 물론 더 빠른 속도로 발전하는 SSD를 따라잡을 순 없지만, 사용하기 더 편리해질 것은 분명합니다. 현재 SSD 및 하드디스크 업계의 경쟁 덕분에 TB급 SSD 및 10TB급 하드디스크의 가격은 크게 내려갈 것으로 예상됩니다. 어떤 제품을 구매하든 개인 소비자와 대규모 데이터 센터 모두에게 이익이 될 것입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com