지난 6월 세계최초로 3나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산에 들어가며 파운드리(위탁생산) 시장 부동의 1위 대만 TSMC를 기술력으로 앞지른 삼성전자가 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 파운드리 업계는 2나노까지를 ‘기술의 한계’로 꼽고있지만, 3나노 양산으로 경쟁사를 뛰어넘는 기술력을 과시한 삼성전자는 격차를 더욱 벌려 단기간에 업계 선두로 올라서겠다는 복안이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 사업 목표와 이를 달성하기 위해 개발 중인 기술을 소개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 이목을 사로잡은 건 1.4나노 반도체 양산 계획이다. 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 최 사장이 언급한 GAA 기술은 기존 제작 방식보다 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능은 더욱 높인 신기술로, 삼성전자가 업계에서 가장 먼저 제품 양산에 성공한 바 있다. 삼성전자는 GAA 기술에 힘입어 이미 2025년 2나노 공정 도입 계획을 밝혔지만 1.4나노 계획까지 언급한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자가 ‘초격차’ 기술 확보에 속도를 올리면서 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 3나노에서 허를 찔린 TSMC는 GAA 방식이 아닌 기존 제작 방식을 적용해 3나노 공정에 들어갔고, 1.4나노 공정 개발에도 착수했지만 구체적인 양산 시기와 제작 방법 등은 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자가 1.4나노 양산 시기까지 밝힌 것을 두고 GAA 기술력에 대한 자신감 표출인 동시에 글로벌 고객사 확보를 위한 포석이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 인텔을 제치고 반도체 시장 매출 1위에 올랐지만, 매출이 메모리반도체에 편중된 탓에 ‘반쪽짜리 1등’이라는 꼬리표가 붙어 있다. 게다가 메모리 시장은 내년 상반기까지 가격 하락세가 지속할 것으로 전망되면서 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리의 성장이 절실한 상황이다. 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위다.업계 관계자는 “퀄컴과 애플, 브로드컴 등 대형 고객사가 북미에 포진한 상황에서 삼성전자의 1.4나노 계획 발표는 고객 확보에도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다”라면서 “파운드리 성장은 ‘2030년까지 시스템반도체에서도 1위를 달성하겠다’는 이재용 부회장의 비전 달성을 위한 필수조건”이라고 말했다. 한편 이 부회장은 지난 1일 방한한 손정의 소프트뱅크 회장과의 회동을 통해 소프트뱅크가 소유한 영국 반도체 설계기업 ARM의 지분 참여를 추진하고 있는 것으로 알려졌다. ARM은 전 세계 스마트폰에 들어가는 애플리케이션 프로세서(AP)의 설계도를 독점적으로 제공하고 있는 기업으로, 단일 기업의 인수는 사실상 불가능해 지분 투자 방식의 전략적 제휴 방안이 거론된다. 일각에서는 사안의 민감성을 고려해 두 사람이 이미 배석자 없이 단독으로 만나 대화를 나눴을 것이라는 시각도 나온다.

삼성전자가 5년 뒤 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다. 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서는 2나노를 기술의 한계로 꼽아왔지만, 이를 뛰어넘어 세계 최초로 1.4나노 시대를 열겠다는 게 삼성전자의 로드맵이다.삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최하고 파운드리 사업 청사진과 신기술을 발표했다. 파운드리사업부장인 최시영 사장은 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 “게이트 올 어라운드(GAA) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 삼성전자는 2나노 공정 계획을 밝힌 적이 있지만, 1.4나노 계획을 언급한 것은 이번이 처음이다. 파운드리 시장 점유율 1위 대만 TSMC 역시 2나노에 이어 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌지만, 삼성전자와 달리 양산 시기 등 구체적인 계획은 밝히지 않은 상황이다. 삼성전자는 1.4나노 양산 외에 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나간다는 목표도 제시했다. 현재 모바일에 집중된 매출을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 오토모티브 차량용 반도체, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 비모바일 제품군으로 확대해 나간다. 이를 위해 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 비휘발성메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 계획이다. 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다. 삼성전자는 2027년까지 선단공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대하는 것을 목표로 현재 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장 라인을 1개에서 2개로 늘린다는 계획도 공개했다.테일러 2라인은 클린룸을 먼저 건설하는 ‘쉘 퍼스트’(Shell First) 방식을 통해 고객 수요에 적극 대응하기로 했다. 주문이 들어오면 공장을 짓는 기존 방식과 달리 TSMC나 인텔처럼 공장 프레임을 우선 만든 뒤 주문이 들어오면 생산 설비를 투입한다는 취지다. 삼성전자는 이를 통해 생산 시점을 앞당겨 공급을 넘는 수요에 적극적으로 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템 반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.” 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다.경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 이날 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령이 평택 캠퍼스를 방문했을 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 대해 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하며 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려 나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 지난 7월부터 낸드플래시 양산에 들어간 3공장은 평택 캠퍼스 내에서도 가장 큰 규모로 조성되고 있다. 공장 전체 면적은 99만㎡로 이는 축구경기장 25개를 합쳐 놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 각 공정은 100% 자동화로 24시간 중단 없이 진행된다. 3공장 완공 이후 289만㎡(약 87만평) 부지의 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성한다는 게 삼성전자의 장기 비전이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

“지속적인 투자와 청년 일자리 창출로 경제에 힘을 보태겠습니다. 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장할 수 있도록 노력하겠습니다.” 이달 중순 복권으로 전면적인 경영 행보에 나선 이재용 삼성전자 부회장은 첫 일성으로 과감한 투자와 청년 고용을 약속했다. 예측 불가능한 대외 변수로 경영 환경의 리스크가 커지는 가운데 선대부터 내려온 ‘사업보국’, ‘인재 육성’을 이어 가겠다는 의지를 다시금 강조한 것이다. 이 부회장이 복권 이후 첫 대외 경영 행선지로 1983년 삼성의 반도체 사업을 처음 싹 틔운 기흥캠퍼스를 찾아 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 기공식에 참석한 것은 투자 가속화 행보를 뒷받침한다. 삼성전자는 이곳에 10만 9000㎡(3만 3000여평)의 R&D 단지를 조성하는 데 2028년까지 20조원을 쏟는다. 이 부회장은 이 자리에서 “차세대뿐만 아니라 차차세대 제품에 대한 과감한 R&D 투자가 없었다면 오늘의 삼성 반도체는 존재하지 못했을 것”이라며 “세상에 없는 기술로 미래를 만들자”고 천명했다. 삼성 반도체의 새로운 초격차를 이끌 R&D 단지 투자는 삼성이 지난 5월 발표한 향후 5년간 450조원(국내 360조원) 투자 계획에서 비롯된 것이다. 이는 삼성이 지난 5년간 투자한 330조원보다 30%(120조원) 늘어난 규모로 반도체, 바이오, 신성장 정보기술(IT) 등 미래 먹을거리 육성에 집중될 예정이다. 특히 대부분 4차 산업혁명의 핵심 기반 기술인 반도체에 투입할 계획이다. 삼성전자의 팹리스 시스템반도체 사업 가운데 모바일 시스템온칩(SoC), 이미지센서 등은 퀄컴, 소니 등 1위 업체들과의 시장 격차가 크지만 선제적인 투자와 R&D를 통해 이를 극복하겠다는 복안이다. 대만 TSMC가 압도하고 있는 파운드리 시장에서도 지난 6월 3나노 반도체 양산에 세계 최초로 성공한 사례처럼 선단 공정 중심의 기술 개발을 통해 시장 확대에 주력한다. 삼성은 이렇듯 반도체가 한국 경제의 성장판 역할을 할 수 있도록 꾸준히 지원함으로써 ‘반도체 초강대국’ 달성을 주도하고 경제를 발전시키는 데 기여하겠다는 뜻을 견지하고 있다. 삼성은 청년들을 위한 일자리 창출에도 속도를 낼 예정이다. 지난 5월 투자 발표와 함께 5년간 8만명을 신규 채용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 삼성은 청년들에게 공정한 기회와 미래에 대한 희망을 주기 위해 유일하게 신입사원 공채 제도를 유지하고 있다.

삼성전자가 세계 최초로 3나노 반도체를 양산하며 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC를 맹추격하는 가운데 삼성전자가 조세, 인건비, 인력 양성 등의 측면에서 TSMC보다 경쟁 환경이 불리하다는 분석이 나왔다. 기업이 제 기량을 발휘하려면 선진 기업 수준의 지원과 규제 완화가 시급하다는 지적이다. 10일 전국경제인연합회 산하 한국경제연구원은 국내와 TSMC 본사가 있는 대만의 조세 정책과 투자 인센티브, 인력 수급 현황 등 경영 환경을 비교·분석한 결과 삼성전자가 열위에 놓여 있다며 이같이 밝혔다. 먼저 한국의 법인세 최고세율은 25%로 대만의 20%보다 5% 포인트 높다. 새 정부의 세제개편안이 통과돼 법인세율이 22%로 낮아져도 대만보다 2% 포인트 더 높아 삼성전자가 불리하다는 지적이다. 인건비도 삼성전자의 직원 1인당 평균 임금이 1억 4400만원으로 TSMC(9500만원)에 비해 부담이 크다. 반도체 인력 수급도 한국은 대만을 한참 못 따라가는 수준이다. 대만은 반도체학과 등을 통해 매년 1만명의 반도체 인력을 키워 내고 있지만 우리는 한 해 1400명가량의 반도체 인력이 배출돼 업계의 인력난 호소가 계속되고 있다. 현재도 TSMC의 임직원 수는 6만 5152명인 반면 삼성전자의 파운드리 사업부 소속 직원은 2만여명(전체 반도체 부문 임직원 수는 6만 3902명) 수준이라 격차가 크다. 이규석 한경연 부연구위원은 “최근 새 정부가 10년간 15만명을 육성한다는 반도체 인력 양성 방안을 내놓았는데 이 계획대로 추진된다면 인력난이 개선될 여지는 있지만 당분간 삼성전자의 인력 수급은 TSMC에 비해 부족할 것”이라고 짚었다. 그러면서 “연구개발 및 시설 투자 부문에서는 우리 정부의 ‘반도체 초강대국 달성 전략’ 등으로 TSMC보다 유리해질 전망이지만 미국의 시설투자 세액공제율에는 미치지 못하는 수준”이라고 덧붙였다. TSMC는 지난 1분기 세계 파운드리 시장에서 175억 2900만 달러의 매출을 올리며 시장점유율 1위(53.6%) 자리를 굳게 지켰다. 2위인 삼성전자 매출(53억 2800만 달러)의 3배가 넘는 수준이다.

삼성전자가 세계 최초로 3나노 반도체를 양산하며 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC를 맹추격하는 가운데 삼성전자가 조세, 인건비, 인력 양성 등의 측면에서 TSMC보다 경쟁 환경이 불리하다는 분석이 나왔다. 미국, 유럽, 일본 등 주요국이 대규모 지원 정책을 쏟아내며 반도체 산업이 기업과 국가의 ‘연합 경쟁 시대’가 된 상황에서 기업이 제 기량을 발휘하려면 선진 기업 수준의 지원과 규제 완화가 시급하다는 지적이다. 10일 전국경제인연합회 산하 한국경제연구원은 국내와 TSMC 본사가 있는 대만의 조세 정책과 투자 인센티브, 인력수급 현황 등 경영 환경을 비교·분석한 결과 삼성전자가 열위에 놓여 있다며 이같이 밝혔다. 먼저 한국의 법인세 최고세율은 25%로 대만의 20%보다 5%포인트 높다. 새 정부의 세제개편안이 통과돼 법인세율이 22%로 낮아져도 대만보다 2%포인트 더 높아 삼성전자가 불리하다는 지적이다.인건비도 삼성전자의 직원 1인당 평균 임금은 1억 4400억원으로 TSMC(9500만원)에 비해 부담이 크다. 반도체 인력 수급도 한국은 대만을 한참 못 따라가는 수준이다. 대만은 반도체 학과 등을 통해 매년 1만명의 반도체 인력을 키워내고 있지만 우리는 한 해 1400명가량의 반도체 인력이 배출돼 업계의 인력난 호소가 계속되고 있다. 현재도 TSMC의 임직원 수는 6만 5152명인 반면 삼성전자의 파운드리 사업부 소속 직원은 2만여명(전체 반도체 부문 임직원 수는 6만 3902명) 수준이라 격차가 크다. 이규석 한경연 부연구위원은 “최근 새 정부가 10년간 15만명을 육성한다는 반도체 인력 양성 방안을 내놓았는데 이 계획대로 추진된다면 인력난이 개선될 여지는 있지만 당분간 삼성전자의 인력 수급은 TSMC에 비해 부족할 것”이라고 짚었다. 그러면서 “연구개발 및 시설 투자 부문에서는 우리 정부의 ‘반도체 초강대국 달성전략’ 등으로 TSMC보다 유리해질 전망이지만 미국의 시설투자 세약공제율에는 미치지 못하는 수준”이라고 덧붙였다. TSMC는 지난 1분기 세계 파운드리 시장에서 175억 2900만 달러의 매출을 올리며 시장점유율 1위(53.6%) 자리를 굳게 지켰다. 2위인 삼성전자 매출(53억 2800만 달러)의 3배가 넘는 수준이다.

삼성전자가 25일 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 공정 기반 파운드리(위탁생산) 제품을 내놓으면서 세계 반도체 시장에서 ‘3나노 시대’를 처음 열었다. 파운드리 후발 주자인 삼성전자가 시장 진출 18년 만에 기술력으로 1위 기업 대만 TSMC를 추월한 것으로, 업계에서는 초미세 공정 주도권이 삼성전자로 넘어오는 계기가 됐다는 평가가 나온다. 삼성전자는 이날 오전 경기 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 파운드리사업부는 제품을 실은 차량에 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’란 문구를 내세워 강한 자신감을 피력했다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스(설계회사) 관계자 등 100여명이 참석했다. 경 사장은 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 자평하면서 “핀펫(FinFET) 트랜지스터가 기술적 한계에 봉착했을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조한 혁신적인 결과”라고 말했다. 3나노 GAA 공정 제품은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적은 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 2000년대 초 이 기술 연구에 착수한 삼성전자는 지난달 말 세계 최초로 이 공정을 적용한 제품 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 반도체 업계는 삼성전자가 한 번에 두 가지 신기록을 쓴 점에 주목한다. 파운드리 업계에서 7나노 이하 미세 공정이 가능한 곳은 삼성전자와 TSMC 두 곳으로, 1987년 창립된 TSMC는 올 연말 핀펫 기반 3나노 제품을 양산하고 2025년 2나노 제품부터 GAA 공정 적용을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 삼성전자가 7나노와 5나노 제품 양산 때와 달리 이번에는 출하식 형태의 공식 행사를 연 것도 이례적이다. “세계 최초 기술 적용을 기념하기 위한 것”이라는 게 삼성전자 측 설명이지만, 최근 3나노 공정 개발과 관련해 부정적 전망을 쏟아낸 경쟁국 대만, 일본에 대한 맞대응으로도 풀이된다. 대만과 일본 언론은 ‘삼성전자가 첨단 공정 경쟁에서 TSMC에 밀릴 것이며 3나노 공정도 수율(합격품 비율)에 문제가 있다’는 취지로 보도해 왔다. 하지만 삼성전자는 이날 3나노 신공정 제품 출하를 공개하면서 수율 확보 등 개발에서 양산에 이르기까지의 과정을 상세히 공개했다. 지난해 100곳 이상의 파운드리 고객사를 확보한 삼성전자는 3나노 신공정을 통해 2026년까지 고객사 300곳 이상을 확보하겠다는 복안이다. 안기현 한국반도체산업협회 전무는 “삼성전자가 신기술을 먼저 확보했다는 것은 큰손 고객사 유치를 확대하고 차세대 초미세 공정에서 TSMC보다 더 빠르게 치고 나갈 기반을 마련한 것”이라고 짚었다. 정부는 이 자리에서 반도체산업에 대한 지속적 지원을 약속했다. 이 장관은 “디스플레이·배터리·모빌리티·로봇·바이오 등 미래 반도체 수요를 견인할 ‘반도체 플러스 산업’에 관한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 밝혔다.

삼성전자가 25일 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 공정 기반 파운드리(위탁생산) 제품을 내놓으면서 세계 반도체 시장에서 ‘3나노 시대’를 처음 열었다. 파운드리 후발 주자인 삼성전자가 시장 진출 18년 만에 기술력으로 1위 기업 대만 TSMC를 추월한 것으로, 업계에서는 초미세 공정 주도권이 삼성전자로 넘어오는 계기가 됐다는 평가가 나온다.삼성전자는 이날 오전 경기 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 파운드리사업부는 제품을 실은 차량에 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’란 문구를 내세워 강한 자신감을 피력했다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 DS부문장(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스(설계회사) 관계자 등 100여명이 참석했다. 경 사장은 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 자평하면서 “핀펫(FinFET) 트랜지스터가 기술적 한계에 봉착했을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조한 혁신적인 결과”라고 말했다. 3나노 GAA 공정 제품은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적은 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 2000년대 초 이 기술 연구에 착수한 삼성전자는 지난달 말 세계 최초로 이 공정을 적용한 제품 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 반도체 업계는 삼성전자가 한 번에 두 가지 신기록을 쓴 점에 주목한다. 파운드리 업계에서 7나노 이하 미세 공정이 가능한 곳은 삼성전자와 TSMC 두 곳으로, 1987년 창립된 TSMC는 올 연말 핀펫 기반 3나노 제품을 양산하고 2025년 2나노 제품부터 GAA 공정 적용을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 삼성전자가 7나노와 5나노 제품 양산 때와 달리 이번에는 출하식 형태의 공식 행사를 연 것도 이례적이다. “세계 최초 기술 적용을 기념하기 위한 것”이라는 게 삼성전자 측 설명이지만, 최근 3나노 공정 개발과 관련해 부정적 전망을 쏟아낸 경쟁국 대만, 일본에 대한 맞대응으로도 풀이된다. 대만과 일본 언론은 ‘삼성전자가 첨단 공정 경쟁에서 TSMC에 밀릴 것이며 3나노 공정도 수율(합격품 비율)에 문제가 있다’는 취지로 보도해 왔다. 하지만 삼성전자는 이날 3나노 신공정 제품 출하를 공개하면서 수율 확보 등 개발에서 양산에 이르기까지의 과정을 상세히 공개했다. 지난해 100곳 이상의 파운드리 고객사를 확보한 삼성전자는 3나노 신공정을 통해 2026년까지 고객사 300곳 이상을 확보하겠다는 복안이다.안기현 한국반도체산업협회 전무는 “삼성전자가 신기술을 먼저 확보했다는 것은 큰손 고객사 유치를 확대하고 차세대 초미세 공정에서 TSMC보다 더 빠르게 치고 나갈 기반을 마련한 것”이라고 짚었다. 정부는 이 자리에서 반도체산업에 대한 지속적 지원을 약속했다. 이 장관은 “디스플레이·배터리·모빌리티·로봇·바이오 등 미래 반도체 수요를 견인할 ‘반도체 플러스 산업’에 관한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 밝혔다.

이창양 산업통상장자원부 장관은 25일 “반도체 파운드리(위탁생산) 생태계 구축을 전폭적으로 지원하겠다”고 밝혔다.이 장관은 이날 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 열린 3나노(㎚·1나노미터는 10억분의 1m) 반도체 양산 출하식에 참석해 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가한 뒤 이같이 말했다. 그는 “반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 경쟁력 강화를 지원하겠다”면서 “이를 통해 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것”이라고 강조했다. 이어 “3나노 파운드리 시장의 안정적 확보를 위해 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요하다”며 “반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화 방안도 순차적으로 수립할 계획”이라고 소개했다. 삼성전자는 화성캠퍼스 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 최초로 달성했다. GAA 기술은 기존 핀(Fin) 기술보다 칩 면적(35%)과 전력(50%)은 줄이고 성능(30%)은 높일 수 있는 기술로 평가된다. 이날 행사에는 삼성전자 협력사와 팹리스(반도체 설계전문회사) 관계자 등도 참석했다. 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재와 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발해 3나노 제품 양산을 뒷받침했다는 상징적 의미를 담고 있다. 산업부는 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산으로, 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크다고 설명했다. 특히 메모리반도체 생산기지이자 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 한국의 위상 제고를 기대했다.

정부가 반도체 산업 육성을 발표한 가운데 특허청이 반도체 특허에 대해 우선심사를 시행 등 전방위 지원에 나서기로 했지만 실효성에 의문이 제기되고 있다.24일 특허청에 따르면 글로벌 반도체 기업들이 3나노 반도체 등의 개발을 놓고 치열하게 경쟁 중인 가운데 신속한 특허 획득을 위해 우선심사를 실시키로 했다. 이를 위해 반도체 등 첨단기술 관련 특허를 우선심사 대상에 포함하는 특허법 시행령을 8월 개정해 10월 시행할 계획이다. 우선심사가 적용되면 현재 12.7개월인 특허심사가 2.5개월로 단축될 전망이다. 반도체 특허출원서의 발명자 정보를 활용한 반도체 핵심 인력 관리도 지원한다. 분야별 핵심 인력과 발명자 평균연령 변화 등을 분석해 인력양성이 우선 필요한 분야 등을 제시할 계획이다. 또 반도체 등 핵심기술 분야 퇴직 연구인력을 특허심사에 활용해 해외 이직으로 인한 기술 유출을 방지하고, 정확한 심사 서비스를 제공키로 했다. 다만 정책 취지는 이해되나 실현가능성이 떨어진다는 지적이다. 심사에 투입하려면 특허청 심사관으로 채용해야 하는 데 논란의 여지가 있다. 현재 민간 조사기관 등에서 실시하는 선행기술조사에 참여하는 방안도 있지만 특허청이 강제할 수 있는지 해석이 필요하다. 특히 퇴직 연구인력들의 지원 여부조차 불분명하다. 특허청은 글로벌 반도체 기업의 특허 빅데이터를 분석해 향후 기술개발 방향을 가늠하고, 선점가능한 연구개발(R&D) 분야도 제시할 계획이다. 반도체 관련 국내 특허출원은 2019년 3만 9059건, 2020년 3만 9913건, 지난해 4만 1636건으로 연평균 3.2% 증가하는 것으로 나타났다.

우리나라 경제 규모는 이미 세계 10위에 올랐고 지난해 1인당 국민총소득(GNI)은 처음으로 3만 5000달러를 넘었다. 그러나 노동 분야는 아직 후진국이다. 노동은 노동시장, 노사관계, 노동법의 세 분야가 서로 얽혀 노동법의 후진성이 전 분야의 후진성으로 연결된다. 산업 4.0과 코로나19 발발에 따라 근로환경은 디지털 전환을경험하고 있으며, 긱(gig)경제의 다양한 플랫폼 노동을 출현시키고 있다. 그러나 노동법의 현실은 정상적인 보호체계를 마련하지 못한 채 과거 노동법이 현실을 강요하는 ‘프로크루스테스의 침대’에 묶여 있다. ●강요된 획일적 ‘저녁이 있는 삶’ 예컨대 노동개혁의 화두가 되는 임금체계 개선은 노동법의 취업규칙불이익변경금지 규정에 의해 혈도가 눌려서 요원한 실정이다. 정기상여금의 통상임금 포함 여부는 2013년 대법원 전원합의체 판결이 나온 이후 여전히 공방 중이다. 임금피크제 유효성 여부도, 최근 대법 판결 이후 임금 반환 줄소송 조짐이 나타나고 있다. 법정 근로시간의 상한, 단위시간 정산기간, 과반수 근로자 대표와 합의 절차 등 과도한 규제들로 말미암아 스스로에게 필요한 근로조건을 설계할 협치 역량이 고사(枯死)하고 있다. 중대재해처벌법도 산재예방의무를 주체별로 부여하지 못하고, 법안이 ‘적절한’ 혹은 ‘충분한’ 등의 모호한 문구를 사용해 혼란을 부추기고 있다. 산재 원인 규명과 예방보다는 ‘악당 찾기’에 몰입하는 형국이다. 설상가상으로 어느 법관이 어느 시기에 재판하느냐에 따라 국민 후생은 휘청이고 있다. 노동시장은 대기업, 정규직, 노동조합 중심의 강자 노동시장과 비정규직, 중소기업, 하청근로자 등 약자 노동시장으로 갈라져 있다. 청년들은 강자 노동시장 취업을 위해서 사용하지도 않는 스펙 쌓기에 몰입하고 대기실업, 노동력의 유휴화가 유발되고 약자 노동시장에서는 만성적인 인력 부족 문제를 겪고 있다. 전문가들은 비정규직에서 정규직으로 전환하는 가교(bridge)를 튼실하게 구축하라고 주문했지만, 문재인 정부는 비정규직 제로를 선언하며 비정규직 마을을 아예 없애버리려는 정책을 펼쳤다. 그래서 기업들의 일자리 창출은 위축되고 원래 존재했던 ‘고용 없는 성장’은 악화됐다. 고용인프라는 ‘새총으로 전투기 잡기’ 격이다. 실업급여 받으려 고용센터에 가면 적합훈련 안내는 ‘5분 땡처리’이고 고용서비스도 저임 직종을 중심으로 아날로그 방식으로 제공하기 급급하다. 산업 4.0시대에 맞는 직무역량을 키워야 하는 직업훈련도 물량규제, 가격규제에 눌려서 질이 낮고 반복되는 훈련 비중이 높은 게 현실이다. 청년들의 일자리 양과 질이 개선되고 근로시간의 개인 선택 폭이 커져야 출산율도 증가한다. 노동법에 의해 강요된 획일적인 ‘저녁이 있는 삶’이 아니라 ‘내가 선택하는 삶’으로 개인 선택의 다양성이 존중되는 노동제도를 설계해야 한다. 고령 근로자의 경우도 주된 일자리에서 더 길게 일하되 노동의 강도를 자발적으로 줄여나가는, 선진국형 은퇴 패턴으로 전환할 수 있도록 정년제도, 임금체계, 직무설계, 근로시간제도를 개혁해 가야 한다. 이는 연금개혁의 필요조건이기도 하다. ●한국 성공한 노동개혁 하나도 없어 산업체 수요에 맞는 노동 공급을 위한 교육체계도 각종 규제로 말미암아 경직적이다. 3나노 대량생산에 진입한 반도체 파운드리(위탁생산)와 팹리스(설계)에 인력 부족 문제가 화두로 떠올랐다. 하지만 이 문제는 반도체학과 학사 인력 부족에 기인한 것도 아니고, 지역균형발전 차원에서 접근할 문제도 아니다. 반도체의 첨단화가 극에 달한 현시점에서 필요한 인력은 톱엔지니어들이다. 우리가 메모리 반도체 최강국으로 우뚝 선 데에는 1980~90년대 의대 대신에 전기전자학과에 우수 인재가 몰리고 삼성전자가 선제적으로 그리고 파격적으로 투자를 한 결과다. 오늘날 필요한 핵심인력은 반도체와 전기전자를 넘어서 기계, 신소재, 물리 등 종합과학교육을 받은 인재다. 이들은 정치 논리로 1~2년 동안 육성될 문제가 아니며 향후 10년간 국가인재를 육성한다는 각오로 임해야 할 정책과제다. 반도체 외에도 소프트웨어, 에너지와 배터리 같은 한국 경제의 미래 먹거리 분야에는 대통령 직속 미래첨단산업 핵심인력정책 컨트롤타워를 두어 장기 인력수급 방안을 수립해야 한다. 인력 공급 측면에서 학과 신설, 학생 정원, 해외석학 교수 채용, 교외 현장실습, 학과 파괴 융복합 교육, 캠퍼스 밖 교육장 설립, 글로벌 캠퍼스 운영 등 교육 현장의 보이거나 보이지 않는 규제들을 과감히 털어내야 한다. 또한 톱클래스 연구개발 인력 육성을 위해 국가주도 첨단산업 대형연구사업 등에도 파격적인 지원을 해야 한다. 단순히 교육부가 대학 반도체학과를 증원하고 계약학과가 늘어나고, 정치권이 반도체특위를 운영한다고 해결될 문제가 아닌 것이다. 선진국들은 1990년대 이전에 노동개혁을 이미 졸업했고 사회환경에 맞추어 노동법도 유연하게 바꾸면 그만이다. 반면 우리나라에는 성공한 노동개혁이 하나도 없다. 경제위기가 닥쳐서 노동개혁을 한다면 국민들이 감내해야 하는 고통은 너무나도 크다. 노동개혁 선진국 사례처럼 정부 책임행정하에 전문가 협의체 중심으로 노동개혁안을 먼저 만들고 정책과 시행령으로 추진할 사항, 경제사회노동위에서 사회적 협의와 합의를 통해 국회 입법 추동력 확보가 필요한 사항 등으로 나누어 전략적 접근을 해야 한다. 문재인 정부처럼 노동개혁의 ‘개혁’이란 단어 자체를 기피해서는 무책임한 정부로 역사에 기록될 수밖에 없다. 박근혜 정부처럼 책임행정도, 전략도 없이 경제사회노동위에서 노사 간에 광범위한 딜 방식으로 노동개혁을 추진하다가는 추상적인 수사 외에 노사가 찍은 사진만 남는다. 윤석열 정부도, 주52시간과 같은 단발성 낱개 메뉴를 정부 주도로 발표하기보다는, 근원적 노동개혁 플랜과 치밀한 추진 방안을 지금부터라도 준비해 가야 한다. 노동개혁에 대해서 일부 정치권이 진영논리로 반대해도, 결국은 선거에서 국민들로부터 외면당할 수밖에 없다. ●권리만 남용하는 노사관계 개혁해야 베이비붐세대와는 전혀 다른 MZ세대들은 ‘조용한 노동개혁’을 추동하고 있다. 워라밸을 우선하여 근로시간 유연화, 직장 내 갑질에 대한 문제제기, 창의창업과 프리랜서 노동의 고부가가치화 등 노동시장 선진화를 이끌어 내고 있다. 이들은 한 직장만 다니며 호봉제를 고집하는 평생직장관을 이미 포기했고 경쟁력 있는 직무능력만이 본인의 미래를 보장해 준다는 사고를 가지고 있다. MZ세대는 사회규범을 젠더평등으로 변화시켜 베이비붐세대가 만들어 놓은 여성의 경력단절과 남녀 임금격차도 줄여 가고 있다. MZ세대가 대다수가 되는 시점에 우리 노동시장은 대대적인 변화를 경험하게 될 것이다. 조직 구성원에게 안전하고 건강한 근로조건을 제공하고 역량 개발을 지원하며 기업과 근로자가 상생하는 기업들이 늘어나야 선진국에 진입하게 된다. 기업들의 갑질, 불법은 반기업정서를 조장하고 정치권은 이에 반응해 기업경영에 족쇄가 되는 입법을 양산하게 된다. 반면 문재인 정부에서 그랬듯이, 반복되는 불법파업에 대해 공권력이 법과 원칙을 포기하고 방관하는 것은 후진국의 전형이다. 경영진 타도, 운동권 투사들의 선명성 정쟁, 국회의원 공천에서 나타나는 586 성공 신화도 이제는 마감돼야 한다. 국제노동기구(ILO) 핵심협약 비준으로 선진국 수준의 노동권은 이미 보장받은 바 있지만, 노사책임을 위한 협약자치 역량은 아직도 후진국 수준이다. 책임은 외면하고 권리만 남용하는 현장 노사관계도 이제는 개혁돼야 한다. 자유에 따르는 책임도 선진국 수준이 돼야 비로소 ‘진정한 선진국’에 진입할 수 있다. 조준모 성균관대 교수·경제학 ■ 조준모 교수는 미국 시카고대에서 1990년에 경제학 박사 학위를 취득했다. 미국 오클라호마대 경제학과 교수를 거쳐 성균관대 경제학과 교수로 재직 중이다. 중앙노동위원회, 최저임금심의회, 국무총리실 규제개혁위원회 공익위원으로 활동했으며 고용노동부 고용정책심의회와 경제사회노동위원회 공익위원을 지냈다. 한국노동경제학회 회장, 한국고용노사관계학회 회장, 한국경제학회 부회장을 역임했으며 현재 성균관대 부총장 겸 교무처장을 맡고 있다.

D램 가격 폭락과 가전 수요 위축 등 하반기 반도체 시장 침체 전망에 글로벌 기업들이 생산·투자 속도 조절에 나서면서 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업의 행보에도 관심이 쏠리고 있다. 두 기업 모두 이달 말 2분기 확정 실적 발표와 함께 하반기 경영 방향을 공개할 예정으로, 해외 경쟁 기업에 비해 전략 수정은 제한적일 것으로 전망된다. 11일 반도체 업계와 외신 등에 따르면 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 점유율 1위(53.6%) 기업인 대만 TSMC는 최근 글로벌 인플레이션 심화에 대비해 생산 설비 신설 계획을 일부 변경하기로 했다. TSMC는 대만 타이난 과학단지 내 자사 2개 공장에 설치할 예정이었던 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 생산 시설 대신 5나노미터 시설을 우선 배치하기로 했다. 삼성전자(43.6%)와 SK하이닉스(27.7%)에 이어 D램 시장 점유율 3위 기업인 미국 마이크론테크놀로지(22.8%)는 지난달 30일 3~5월 실적을 발표하면서 “향후 수 분기에 걸쳐 공급 과잉을 피하기 위해 생산량을 조절하고 있다”고 밝힌 바 있다. 마이크론테크놀로지는 앞서 밝혔던 설비 투자 규모 축소와 시기 지연 계획도 덧붙였다. 시장에서는 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체에 주력하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스도 하반기 경영전략 수정이 있을 것이라는 전략이 나오지만, 두 기업 모두 해외 기업과의 단순 비교에 선을 그었다. 전분기 대비 10% 하락할 것으로 예상되는 3분기 D램 가격, 스마트폰과 PC 등 반도체 소비재 수요의 감소 등 부정적 전망과 관련해 “조사업체와 증권가의 ‘전망’일 뿐, 생산과 투자 계획이 시장 전망에 따라 쉽게 움직이지는 않는다”라는 게 두 회사의 공통된 반응이다. 실제 2030년까지 시스템반도체 1위 등극을 목표로 공격적인 투자를 이어 가고 있는 삼성전자는 지난달 말 파운드리 1위 TSMC와의 점유율 격차를 단번에 좁힐 기술력으로 주목받는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반 반도체 양산에 들어갔고, 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 20조원) 규모를 투자하는 제2파운드리 생산 시설 신설도 기초 공사를 진행하고 있다. 국내 기업 관계자는 “하반기 시장 상황이 어려울 것이라는 전망은 부인할 수 없지만 공급 과잉에 따른 가격 폭락이 왔던 2019년보다는 긍정적일 것으로 보고 있다”고 내부 분위기를 전했다.

D램 가격 폭락과 가전 수요 위축 등 하반기 반도체 시장 침체 전망에 글로벌 기업들이 생산·투자 속도 조절에 나서면서 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업의 행보에도 관심이 쏠리고 있다. 두 기업 모두 이달 말 2분기 확정 실적 발표와 함께 하반기 경영 방향을 공개할 예정으로, 해외 경쟁 기업에 비해 전략 수정은 제한적일 것으로 전망된다.11일 반도체 업계와 외신 등에 따르면 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 점유율 1위(53.6%) 기업인 대만 TSMC는 최근 글로벌 인플레이션 심화에 대비해 생산 설비 신설 계획을 일부 변경하기로 했다. TSMC는 대만 타이난 과학단지 내 자사 2개 공장에 설치할 예정이었던 3나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 생산 시설 대신 5나노미터 시설을 우선 배치하기로 했다. 대만 현지 언론은 이와 관련해 “최근 인플레이션과 금리 인상, 코로나19 대유행 등에 따른 충격 여파로 (계획을) 재조정한 것”이라고 해석했다. 삼성전자(43.6%)와 SK하이닉스(27.7%)에 이어 D램 시장 점유율 3위 기업인 미국 마이크론테크놀로지(22.8%)는 지난달 30일 3~5월 실적을 발표하면서 “향후 수 분기에 걸쳐 공급 과잉을 피하기 위해 생산량을 조절하고 있다”고 밝힌 바 있다. 마이크론테크놀로지는 앞서 밝혔던 설비 투자 규모 축소와 시기 지연 계획도 덧붙였다. 시장에서는 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체에 주력하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스도 하반기 경영전략 수정이 있을 것이라는 전략이 나오지만, 두 기업 모두 해외 기업과의 단순 비교에 선을 그었다. 전분기 대비 10% 하락할 것으로 예상되는 3분기 D램 가격, 스마트폰과 PC 등 반도체 소비재 수요의 감소 등 부정적 전망과 관련해 “조사업체와 증권가의 ‘전망’일 뿐, 생산과 투자 계획이 시장 전망에 따라 쉽게 움직이지는 않는다”라는 게 두 회사의 공통된 반응이다.실제 2030년까지 시스템반도체 1위 등극을 목표로 공격적인 투자를 이어 가고 있는 삼성전자는 지난달 말 파운드리 1위 TSMC와의 점유율 격차를 단번에 좁힐 기술력으로 주목받는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반 반도체 양산에 들어갔고, 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 20조원) 규모를 투자하는 제2파운드리 생산 시설 신설도 기초 공사를 진행하고 있다. 국내 기업 관계자는 “하반기 시장 상황이 어려울 것이라는 전망은 부인할 수 없지만 공급 과잉에 따른 가격 폭락이 왔던 2019년보다는 긍정적일 것으로 보고 있다”고 내부 분위기를 전했다.

“메모리에 이어 파운드리를 포함한 시스템반도체 분야에서도 확실히 1등을 하도록 하겠다.”(2019년 시스템반도체 비전 선포식) 삼성전자가 전 세계 최초로 3나노(㎚·나노미터) 반도체 양산에 성공하며 이재용 삼성전자 부회장의 ‘2030년 시스템반도체 1위’ 목표에 한 발짝 더 다가서게 됐다. 삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, GAA 기술을 적용한 것은 삼성전자가 첫 사례다. 파운드리 독립사업부를 꾸린 지 5년 된 삼성전자가 35년 역사를 자랑하는 파운드리 1위 업체 대만의 TSMC보다 기술적 우위에 선 것이다. 삼성전자는 3나노 반도체를 ‘게임 체인저’로 삼고 1위 추격에 본격 시동을 건다. 3나노는 반도체 회로의 선폭을 가리키는 것으로, 머리카락 굵기의 10만분의3 수준이다. 선폭이 좁을수록 고효율, 고성능, 저전력의 반도체를 만들 수 있다. 웨이퍼에서 더 많은 칩을 만들 수 있어 생산성도 높아진다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 ‘채널’ 4개 면을 스위치 역할을 하는 게이트가 상하좌우 전방위로 감싸는 형태다. 위·왼쪽·오른쪽 3개 면만 감싸는 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 높아진다. 면적도 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 내년에 도입할 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등으로 대폭 진화한다.삼성전자가 파운드리 시장에서 기술로 먼저 치고 나가는 것은 높은 성장성 때문이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 3나노 이하 글로벌 파운드리 매출(종합반도체기업 제외)은 올해 39억 7100만 달러(약 5조원)에서 2025년 254억 500만 달러(약 33조원)로 3년 새 539.8% 급증할 것으로 전망된다. 이에 삼성전자는 파운드리 고객사를 2017년 30곳에서 지난해 100곳 이상으로 4년 만에 약 3배 이상 늘리는 등 적극적인 영토 확장에 나서고 있다. 삼성전자는 2026년까지 고객사를 300곳 이상 확보하겠다는 목표다. 특히 이번 3나노 양산은 독보적 1위인 TSMC보다 초미세공정 기술력에서 한발 앞서게 됐다는 점에서 의미가 크다. TSMC는 올 하반기에 GAA가 아닌 기존 핀펫 기반 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 옴디아에 따르면 지난해 기준 TSMC가 전 세계 파운드리 시장 매출의 49.5%를 차지하고 있다. 삼성전자(16.3%), UMC(7.3%) 글로벌파운드리(5.8%), SMIC(4.8%)가 뒤를 잇는다. 결국 삼성전자의 최우선 과제는 추가 고객사를 끌어들여 점유율을 가져오는 데 있다. 3나노 파운드리 고객사로는 현재 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체)인 AMD, 퀄컴 등이 거론된다. 충분한 수율(양품 비율)을 내는 것도 관건이다. 수율이 60%라면 10개 제품을 생산해 4개 제품은 불합격을 받는다는 의미다. 앞서 삼성전자는 4나노 공정 수율에선 TSMC에 밀린다는 평가를 받았지만 3나노 공정 수율은 개선된 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “구체적인 수치를 밝힐 수는 없지만 원활한 공급이 가능하다고 판단되는 수준까지 올라왔다”고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 말했다.

삼성전자, 세계 최초로 GAA 기술 3나노 양산 시작‘파운드리 1위’ 대만 TSMC보다 기술적 우위 점해기존 핀펫 기술 대비 전력·면적 줄이고 성능 높아져고객사·수율 확보가 관건…“수율 충분한 수준 달성”삼성전자가 세계 최초로 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 기술을 적용한 3나노(㎚·나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 1987년 설립돼 35년 역사를 자랑하는 파운드리 시장 1위 대만의 TSMC보다 2017년 독립사업부로 승격돼 5년 남짓된 삼성전자가 기술적 우위에 선 것이다. 삼성전자는 3나노 파운드리 공정을 ‘게임 체인저’로 삼고 1위 추격에 나설 계획이다. 30일 삼성전자에 따르면 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 특히 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스를 시작하는 것은 삼성전자가 전 세계에서 유일하다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 ‘채널’ 4개면을 스위치 역할을 하는 ‘게이트’가 상하좌우 전방위 4개면을 감싸는 형태로 이뤄져 있다. 이는 위·왼쪽·오른쪽 3개면만 감싸는 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45%를 절감하고 성능은 23%를 향상시킨다. 면적도 16% 축소돼 더욱 효율적인 활용이 가능하다. 더욱 발전된 GAA 2세대 공정과 비교하면 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 효과가 기대된다.삼성전자는 칩의 설계와 검증 작업도 효율적이고 빠르게 진행하기 위한 파트너십을 가동한다고 밝혔다. 이른바 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너인 시높시스, 케이던스 등과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공해 고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나가겠다는 계획이다. 상카 크리슈나무티 시높시스 실리콘 리얼라이제이션그룹 총괄 매니저는 “시높시스는 삼성전자와 장기적·전략적 협력관계를 유지하고 있다”면서 “삼성전자와의 GAA기반 3나노 협력은 향후 시높시스의 디지털 디자인, 아날로그 디자인, IP 제품으로 계속 확장되어, 주요 고성능 컴퓨팅 어플리케이션을 위한 차별화된 SoC를 제공할 것이다”고 말했다. 삼성전자가 파운드리 시장을 적극 두드리는 것은 높은 성장성 때문이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부 2021년 매출은 약 169억 달러로, 처음 파운드리 사업부 자체로 매출 집계가 시작된 2018년(117억 달러)와 비교해 연평균 약 13%의 고성장을 이어가고 있다. 같은 기간 파운드리 시장 연평균 성장률(12%)보다 높은 수준이다. 파운드리 고객사도 2017년 30곳에서 지난해 100곳 이상으로 4년 만에 약 3배 이상 증가했다. 삼성전자 관계자는 “2026년까지 300곳 이상 확보하는 것이 목표”라고 밝혔다. 최근 이재용 삼성전자 부회장도 유럽 출장에서 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조했다.특히 이번 3나노 양산은 파운드리 시장에서 압도적 1위 자리에 있는 TSMC보다 기술적 우위를 선점했다는 측면에서 의미가 크다. TSMC는 올 하반기에 GAA가 아닌 기존 핀펫 기반 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 옴디아에 따르면 지난해 기준 TSMC가 전 세계 파운드리 시장 매출의 49.5%를 차지하고 있고, 뒤이어 삼성전자(16.3%), UMC(7.3%) 글로벌파운드리(5.8%), SMIC(4.8%) 순으로 이어지고 있다. 결국 삼성전자의 최우선 과제는 고객사 추가 확보를 통해 점유율을 가져오는 것에 있다. 3나노 파운드리 고객사로는 현재 글로벌 팹리스(생산시설 없이 반도체 설계를 전문으로 하는 업체) AMD, 퀄컴 등이 거론되고 있다. 특히 조 바이든 미국 대통령이 지난달 삼성전자 평택공장을 방문했을 때 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO)도 동행해 3나노 반도체를 직접 확인하기도 했다. 충분한 수율 확보도 관건이다. 예를 들어 수율이 60%라면 10개 제품을 생산해 4개 제품은 불합격을 받는다는 의미다. 삼성전자는 앞서 4나노 공정 수율에서 TSMC에 못 미쳤다는 평가를 받았지만, 3나노 공정 수율은 크게 개선된 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “구체적인 수율을 밝힐 수는 없지만, 원활한 공급이 가능하다고 판단되는 수준까지 올라왔다”고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트’, 핀펫, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”면서 “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 밝혔다.

삼성전자가 지난해 반도체 매출에서 미국 인텔을 넘어서며 세계 1위에 복귀한 데 이어 올해 1분기에도 가장 많은 매출을 올린 것으로 집계됐다. 삼성전자는 메모리에 편중된 한계를 ‘초격차 기술’로 극복 시스템과 파운드리(위탁생산) 등 반도체 산업 전 분야 경쟁력을 끌어올려 반도체 글로벌 1위 굳히기에 들어간다는 전략이다.24일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 반도체 사업에서 201억 5500만 달러(약 26조원)의 매출을 기록, 동기 대비 글로벌 반도체 기업 중 매출 1위를 유지했다. 특히 계절적 반도체 비수기임에도 전 분기 대비 199억 9500만 달러(0.8%) 가량 매출이 증가했다. 삼성전자는 지난해 3분기를 기점으로 메모리 반도체 대호황이었던 2018년 4분기 이후 약 3년만에 인텔의 매출을 앞지른 뒤 3분기 연속으로 매출 1위 자리를 지켰다. 반면 인텔의 1분기 매출은 178억 2700만 달러(약 23조원)로 전 분기 대비 10.8% 줄었다. 이는 인텔의 주력제품인 마이크로프로세서유닛(MPU) 매출이 정체된 탓으로 풀이된다. 옴디아는 “지난해 4분기 간발의 차이로 인텔을 추월한 삼성전자는 올해도 1위를 차지했다”라면서 “1분기 삼성전자의 메모리 매출은 견조한 반면, 인텔의 MPU 매출은 약세를 보였다”고 설명했다. SK하이닉스는 1분기 99억 4100만 달러(약 12조 9300억원)를 기록하며 전 분기 대비 3.2% 감소했지만 1분기 95억 4800만 달러(약 12조 4200억원) 매출을 올린 퀄컴에 앞서며 3위를 유지했다. 1분기 반도체 시장 전체 매출은 1593억 400만 달러(약 207조원)로, 지난해 4분기 1593억 4700만 달러 대비 0.03% 감소했다. 옴디아는 “반도체 시장은 지난 2020년 4분기를 시작으로 5분기 연속 신기록을 수립했으나 고원에 도달했다”라면서 “다만 시장 규모를 감안할 때 감소가 매우 작고, 올해 1분기 매출은 역대 2번째로 많은 수준”이라고 전했다. 한편 2030년까지 시스템 반도체 분야 1위 달성을 목표로 한 ‘시스템 반도체 2030 비전’을 가동 중인 삼성전자는 파운드리 시장 격차를 좁힐 카드로 꼽히는 3나노미터(㎚=10억분의1ｍ) 반도체 공정 양산을 내주 본격화한다. 3나노 반도체 양산은 세계 최초로, 삼성은 다음 주중 이를 공식화할 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체를 경쟁사인 대만 TSMC보다 앞선 올 상반기 중 양산한다는 계획을 밝힌 바 있다.GAA는 기존 핀펫(3D 구조화) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 반도체 소형화와 고성능화를 함께 실현할 수 있다. 이재용 부회장은 지난달 조 바이든 미국 대통령의 평택 반도체 공장 방문 당시 한미 양국 정상에게 이 기술을 적용한 3나노 시제품을 소개하며 양산을 앞두고 있음을 예고하기도 했다. 삼성전자는 이달 중 3나노 반도체 양산을 시작으로 내년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 착수하는 ‘초격차 기술’ 전략으로 파운드리 1위 기업 TSMC와의 점유율 격차를 단기간에 따라잡겠다는 계획이다.

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 성장 동력으로 꼽고 있는 3나노미터(㎚=10억분의1ｍ) 반도체 공정 양산을 본격화한다. 3나노 반도체 양산은 세계 최초로, 삼성은 다음 주중 이를 공식 발표할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 22일 그간 시장에서 제기된 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 양산 지연 우려와 관련해 “처음 계획했던 대로 일정이 진행되고 있다”고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올 상반기 안에 경쟁사 대만 TSMC보다 먼저 3나노 반도체 양산을 시작하겠다는 목표를 제시한 바 있다. GAA는 기존 핀펫(3D 구조화) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다. 반도체 소형화와 고성능화를 함께 실현할 수 있어 업계에서는 3나노 GAA공정이 시장 점유율을 좌우할 ‘게임 체인저’가 될 것으로 보고 있다. 이재용 삼성전자 부회장은 지난달 조 바이든 미국 대통령의 평택 반도체 공장 방문 당시 한미 양국 정상에게 이 기술을 적용한 3나노 시제품을 소개하며 양산을 앞두고 있음을 예고하기도 했다. 삼성전자는 이달 중 3나노 반도체 양산을 시작으로 내년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 착수하는 ‘초격차 기술’ 전략으로 파운드리 1위 기업 TSMC와의 점유율 격차를 단기간에 따라잡겠다는 계획이다. 2030년 시스템 반도체 분야 1위 달성을 목표로 한 ‘시스템 반도체 2030 비전’을 2019년 발표한 삼성전자는 반도체 공정 고도화를 이끌 대규모 설비 투자도 진행하고 있다. 최근 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC는 올 1분기 기준 파운드리 시장점유율 53.6%로 압도적인 1위를 유지한 반면 2위 삼성전자는 점유율 16.3%로 지난해 4분기(18.3%)보다 소폭 하락한 것으로 집계됐다. 이에 대해 삼성전자 관계자는 “파운드리 매출을 따로 공개하지 않는데 조사기관이 임의로 추산한 것이라 정확한 통계가 아니다”라고 일축했다.

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 성장 동력으로 꼽고 있는 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 반도체 공정 양산을 본격화한다. 3나노 반도체 양산은 삼성전자가 세계 최초로, 삼성은 다음주 중 이를 공식 발표할 것으로 알려졌다.삼성전자는 22일 그간 시장에서 제기된 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 양산 지연 우려와 관련해 “처음 계획했던 데로 일정이 진행되고 있다”고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 안으로 경쟁사 대만 TSMC보다 먼저 3나노 반도체 양산을 시작하겠다는 목표를 제시한 바 있다. GAA는 기존 핀펫(3D구조화) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다. 반도체 소형화와 고성능화를 함께 실현할 수 있어 업계에서는 3나노 GAA공정을 시장 점유율을 좌우할 ‘게임체인저’가 될 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자는 지난달 조 바이든 미국 대통령의 평택 반도체 공장 방문 당시 한미 양국 정상에게 이 기술을 적용한 3나노 시제품을 제공하며 양산을 앞두고 있음을 예고하기도 했다. 이달 중 3나노 반도체 양산을 시작으로 내년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 착수하는 ‘초격차 기술’ 전략으로 글로벌 파운드리 1위 기업 TSMC와의 시장 점유율을 단기간에 따라잡겠다는 게 삼성전자의 계획이다. 2030년 시스템 반도체 분야 1위 등극을 목표로 한 ‘시스템 반도체 2030 비전’을 2019년 발표한 삼성전자는 반도체 공정 고도화를 이끌 대규모 설비 투자도 진행하고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC는 올 1분기 기준 파운드리 시장점유율 53.6%로 압도적인 1위를 유지한 반면 2위 삼성전자는 점유율 16.3%로 지난해 4분기(18.3%)보다 소폭 하락한 것으로 집계됐다. 이와 관련해 삼성전자 관계자는 “매출 자체가 파운드리만 잡힌 게 아니기 때문에 통계도 정확하지 않다”고 반박했다.

SK하이닉스 최고경영자(CEO) 곽노정 사장이 3일 임직원들과의 소통 행사에서 메모리반도체 D램과 낸드플래시의 차세대 기술 개발에 대한 자신감을 드러냈다. 곽 사장은 이날 온라인·오프라인으로 동시에 진행된 타운홀 미팅 ‘더 소통’에 참석했다. 곽 사장이 임직원 소통행사에 참석한 것은 지난 3월 각자 대표이사에 취임한 이후 처음이다. 곽 사장은 “과거에 D램은 100나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ)가 한계라고도 했지만, 이제 우리는 10나노대를 구현하고 있다”며 “우리 구성원들의 실력이라면 D램과 낸드 모두 앞으로도 계속해서 한계를 돌파해 나갈 것”이라고 말했다. 그러면서 “D램 미세화와 낸드 적층의 목표를 지금 상황에서 정확하게 얘기하긴 어렵지만 기술력이 진보해갈 것은 확실하다”고 덧붙였다. 회사 측은 현재 10나노대 5세대(1b) D램(12~13나노)과 낸드플래시 238단 기술 개발을 진행하고 있는 것으로 알려졌는데 곽 사장의 이날 발언은 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술 개발이 차질없이 진행되고 있음을 보여준다는 해석이 나온다. D램은 회로 선폭이 가늘수록, 낸드플래시는 셀을 더 많이 쌓을수록 메모리 성능이 좋아진다. 현재는 14나노 D램, 176단 낸드플래시가 가장 앞선 공정이다. 곽 사장은 최근 제기된 ‘솔리다임 분사설’은 “사실무근”이라고 일축했다. 업계에선 SK하이닉스가 낸드 솔루션 사업을 분사한 뒤 지난해 말 인수한 ‘솔리다임’(옛 인텔 낸드플래시 사업부)과 합병할 것이라는 분사설이 나돌았다. 그는 “인텔 낸드플래시 사업부 인수 이후 SK하이닉스와 솔리다임 솔루션 사업의 시너지 극대화를 위해 점진적으로 통합하는 방향성을 신중하게 검토 중”이라며 “방향성이 정해지면 가장 먼저 구성원들과 소통하겠다”고 말했다. 그러면서 “어떤 경우에도 구성원들의 처우에 불이익이 생기는 일은 없을 것”이라며 동요하지 말 것을 당부했다. 지난 6·1 지방선거 과정에서 주목받은 청주 반도체 공장 신설 계획에 대해서는 “용인 클러스터와 별개로 회사의 중장기 투자계획으로 청주 신규 팹을 검토하고 있지만 확정되지 않았다”고 설명했다. 청주에는 SK하이닉스가 지난 2019년 6월에 분양받은 43만 3000여㎡ 부지가 이미 확보돼 있다. 이미 M11·12·15 등 낸드플래시 생산 공장도 두고 있다. 이날 곽 사장은 거점 오피스 확대 등 직원들의 업무 환경을 개선할 다양한 프로그램을 마련할 계획도 공개했다.