미국 조 바이든 행정부가 인공지능(AI) 등 첨단 반도체 기술에 대한 중국의 접근을 차단하기 위해 추가 규제를 검토 중인 것으로 알려졌다. 첨단 반도체, 장비 등 하드웨어에 이어 기술 자체 통제에도 나선 것으로, 중국의 초기 AI 기술 접근을 막아 격차를 키우려는 의도로 풀이된다. 11일(현지시간) 블룸버그통신은 미국 정부가 차세대 반도체 설계 방식인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA)와 고대역폭 메모리(HBM) 등에 대한 중국 접근을 막는 추가 규제를 논의 중이라고 보도했다. GAA는 반도체의 트랜지스터 구조인 기존 핀펫(FinFET) 공법보다 데이터 처리 속도와 전력효율이 높다. 엔비디아와 인텔 등이 내년 TSMC, 삼성전자 등 위탁생산업체를 통해 반도체 대량 생산을 추진 중이다. 삼성전자는 이미 3나노 공정에 GAA를 최초로 도입했다. HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓아 고성능 메모리를 만드는 기술로, AI 고도화 훈련에 사용된다. 수출 통제를 감독하는 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 최근 GAA 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술자문위원회에 보낸 것으로 확인됐다. 당시 업계 측은 상무부의 규제 초안이 지나치게 광범위하다는 우려를 제기했다고 블룸버그는 설명했다. 블룸버그는 “미국 목표는 중국이 AI 모델을 개발하고 구동하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 체계를 구축하기 어렵게 만들고 기술이 상용화하기 전 미리 이를 차단하는 것”이라고 전했다. 소식통들은 최종 결정이 언제 내려질지는 불분명하며 규제 범위와 강도를 여전히 고민 중이라고 전했다. 블룸버그는 “이번 금지 조치가 중국의 자체 GAA 반도체 개발 능력을 제한할지, 해외 기업이나 미 반도체 제조업체가 중국에 관련 제품을 판매하는 것을 차단할지는 확실치 않다”고 보도했다. 그러면서 “바이든 행정부가 HBM 반도체 수출 제한에 대한 논의도 시작했다”고 전했다. 미국의 추가 규제가 설비나 공정 기술 개발 능력을 제한하는 방향으로 가면 중국에만 타격이 커지지만 해외 기업의 중국 판매 제한까지 확대되면 한국 기업에도 영향이 생길 수 있다.

삼성전자는 초거대 인공지능(AI) 시대를 맞아 반도체 기술의 발전과 성능 향상을 위한 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등을 지속하고 있다. 삼성전자는 2023년 연간 시설투자 비용이 53조 1000억여원이라고 23일 밝혔다. 이는 2022년과 비슷한 수준이다. 메모리의 경우 지난해 4분기에도 중장기 수용 대응을 위한 청정실 확보 목적의 평택 투자와 기술 지배력 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 ‘고대역폭 메모리’(HBM), ‘더블 데이터 레이트 5’(DDR5) 등 첨단공정 생산능력 확대를 위한 투자가 지속됐다. 파운드리는 극자외선(EUV)을 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 증가했다. 또한 2023년 4분기는 미래 성장을 위한 적극적인 연구개발 투자를 지속하면서 분기 최대 7조 5500억원의 연구개발비를 투입했다. 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매와 다양한 응용처의 신규 수주를 확대해 기술 경쟁력과 시장 지배력을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 삼성전자 관계자는 “앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침”이라고 강조했다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산력을 기반으로 HBM3, HBM 3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 또 시스템 대규모 집적회로(LSI)는 주력 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외에도 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖춰 나갈 예정이다. 파운드리는 ‘게이트올어라운드’(GAA) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다. 특히 삼성전자는 지난 40년간 업계를 선도하며 AI 반도체 생태계를 확장할 다양한 메모리 제품을 준비해왔다. 삼성전자는 AI 시대에 최적화된 다양한 차세대 메모리 솔루션을 개발해 메모리 패러다임 변화도 꾀하고 있다. 삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI 용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 2017년 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 구현했다. 삼성전자는 이 제품을 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보일 수 있었다. 이후에도 삼성전자는 HBM2 제품을 거쳐 HBM 2E, HBM 3를 양산하고 있으며, 9.8Gbps 속도의 HBM 3E 제품을 개발해 고객사에 샘플을 공급할 예정이다. HBM 4는 2025년을 목표로 개발 중으로, 해당 제품에 적용하기 위해 고온 열특성에 최적화된 기술도 준비하고 있다.

인공지능(AI) 시장에서 뒤처지고 있다는 평가를 받는 애플이 신형 아이패드 프로에 AI 전용의 고성능 M4칩을 탑재하면서 AI 기술 경쟁에 본격적으로 뛰어들었다. 최근엔 데이터센터용 반도체 자체 개발에도 착수한 것으로 알려지면서 AI 시장 전반에 파장이 일 것으로 보인다. 애플은 7일(현지시간) 온라인으로 ‘렛 루즈’ 행사를 열어 신형 아이패드 프로(11·13인치)와 에어를 공개했다. 새로운 아이패드가 출시된 건 2022년 10월 이후 약 18개월 만으로 아이패드 프로는 아이패드 시리즈 중 최고급형에, 에어는 고급형에 해당한다. 아이패드 프로와 에어는 이날부터 미국 등 29개 국가에서 주문할 수 있고 오는 15일부터 매장에 전시된다. 우리나라 출시 일정은 아직 알려지지 않았다. 시장에서 주목하는 건 아이패드 프로 모델에 탑재된 M4로 애플은 해당 칩에 대해 “강력한 인공지능을 위한 칩”이라고 소개했다. 2세대 3나노미터(㎚·10억분의1m) 공정으로 제작한 시스템온칩(SoC)인 M4는 기존 프로에 적용되던 M2는 물론 애플의 최근 노트북에 사용되는 M3보다 앞선 칩으로 AI 성능 향상에 방점이 찍혔다. 차세대 기계학습 가속기를 갖추고 있는 10코어 중앙처리장치(CPU) 성능은 기존 M2보다 1.5배 향상된 속도를 갖췄으며, 그래픽처리장치(GPU)의 성능도 최대 4배 빠르다는 게 애플 측의 설명이다. 전력 효율성을 높이는 데도 성공해 전력을 절반만 써도 M2와 동일한 성능을 제공할 수 있다.특히 애플의 가장 빠른 ‘뉴럴 엔진’을 탑재해 초당 38조 회에 달하는 연산 처리 기능을 갖췄는데, 이는 AI 기계 학습을 가속화한다. 뉴럴 엔진은 애플이 AI 소프트웨어를 위한 신경망을 최적으로 실행하기 위해 만든 특수 하드웨어로, 애플의 최초 뉴럴 엔진(A11 바이오닉 칩)에 비해 속도가 60배나 빠르다. 팀 밀레 애플 플랫폼 아키텍처 담당 부사장은 “뉴럴 엔진과 M4칩은 오늘날 어떤 AI PC의 신경망처리장치(NPU)보다 강력하다”고 말했으며, 조니 스루지 애플 하드웨어 기술담당 수석부사장도 “M4가 AI를 활용하는 최신 앱에 최적화된 칩으로 자리잡았다”고 설명했다. 부진했던 아이패드 판매를 늘리기 위해 AI 기능 최적화에 초점을 맞춘 제품을 내놓은 애플은 이를 통해 실현될 수 있는 AI 서비스에 대해서는 따로 언급하지 않았다. 오는 6월 10일부터 닷새 동안 열리는 세계개발자회의(WWDC)에서 차세대 아이폰 운영체제(iOS18) 등 소프트웨어에 탑재될 생성형 AI 기능 일부를 선보일 것으로 예상된다. AI 기반의 시리(Siri)를 공개하거나, 구글 혹은 오픈AI와 파트너십을 맺고 이를 공개할 가능성이 높다. 팀 쿡 CEO는 이날 영상 막바지에서 “다음달 WWDC에서 다시 만나길 기대하겠다”며 “우리 플랫폼의 미래를 논하고 앞으로 다가올 흥미진진한 일을 공유하도록 할 것”이라고 예고했다. 한편 애플은 최근 초거대 AI 서비스를 위한 데이터센터용 반도체 자체 개발에도 착수했다. 지난 6일 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 애플은 최근 ‘ACDC’라는 이름의 프로젝트를 통해 AI 데이터센터 서버용 자체 칩을 개발 중이다. 애플이 설계하고 파운드리(반도체 위탁생산) 파트너인 대만 TSMC가 생산을 맡을 것으로 알려졌다. 애플은 이번 AI칩을 AI 학습용이 아닌 추론에 특화된 칩으로 개발할 것으로 보인다. AI칩은 학습용과 추론용으로 나뉘는데, 최근 학습에서 추론으로 무게중심이 옮겨 가고 있다. 삼성전자 역시 최근 추론용 칩 ‘마하-1’을 공개하며 추론 시장에서 빅테크 고객사를 확보하기 위해 속도를 내고 있다.

“봄이 왔네요.” 이재용(56) 삼성전자 회장은 3일 약 열흘간의 유럽 출장을 마치고 귀국하는 길에 취재진을 만나 이렇게 말했다. 이 회장은 유럽 출장 소외와 성과를 묻는 취재진의 질문에는 별다른 답변을 하지 않고 “아침부터 나와서 고생 많으셨다”라는 말로 인사를 대신했다. 이 회장은 출장 기간 독일과 프랑스, 이탈리아 등을 방문해 유럽 시장을 점검하고 비즈니스 미팅과 해외 주재원 간담회 등의 일정을 소화했다. 일각에선 이 회장이 언급한 ‘봄이 왔다’는 말을 두고 유럽과 한국의 계절적 변화뿐만 아니라 최근 반도체 업황 개선에 힘입어 호실적을 기록한 삼성전자의 상황을 빗대어 해석하기도 했다. 삼성전자는 올해 1분기 매출에서 5개 분기 만에 70조원대를 회복하기도 했다. 특히 반도체(DS) 부문에서도 5개 분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 특히 지난달 26일(현지시간)에는 독일 오버코헨에 있는 글로벌 광학 기업 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트 자이스 그룹 최고경영자(CEO) 등과 만나 양사 협력 강화 방안을 논의하기도 했다.자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 극자외선(EUV) 기술 관련 핵심 특허를 2000개 이상 보유하고 있는 글로벌 광학 기업이다. 반도체 업계의 이른바 ‘슈퍼 을’로도 불리는 반도체 노광장비 기업 네덜란드 ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스 부품은 3만개 이상이다. 이 회장은 이 자리에서 최근 취임한 ASML의 크리스토퍼 푸케 신임 CEO와 만나 반갑게 포옹하기도 했다. 이 회장은 자이스 경영진과 반도체 핵심 기술 흐름과 양사의 중장기 기술 로드맵에 대해 논의했다. 특히 자이스 공장을 방문해 최신 반도체 부품과 장비가 생산되는 모습을 직접 살펴보기도 했다. 자이스 본사 방문에는 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO), 남석우 삼성전자 DS 부문 제조 & 기술 담당 사장 등 반도체 생산기술을 총괄하는 경영진이 동행했다.삼성전자와 자이스는 이 회장의 방문을 계기로 파운드리와 메모리 사업 경쟁력을 강화하기 위해 향후 EUV 기술과 첨단 반도체 장비 관련 분야에서의 협력을 더욱 확대하기로 했다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고, 연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산한다는 계획이다. 특히 삼성전자는 자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 성능 개선과 생산 공정 최적화, 수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다. 한편 이 회장은 이후 이탈리아로 이동해 바티칸 사도궁에서 프란치스코 교황을 개인 알현하기도 했다. 이 회장이 교황을 만난 것은 이번이 처음이다. 교황청 성직자 부 장관인 유흥식 추기경이 가교 구실을 한 것으로 알려졌다.

이재용 삼성전자 회장이 글로벌 광학 기업 ‘자이스’ 경영진과 반도체 협력 강화 방안을 논의했다. 3나노(㎚·10억분의1m) 이하 초미세공정 시장이 커지면서 관련 기술을 보유한 업체와의 협업 중요성이 커지다 보니 이 회장이 직접 ‘관계 다지기’에 나선 것이다. 삼성전자는 이 회장이 지난 26일(현지시간) 독일 오버코헨의 자이스 본사를 방문해 칼 람프레히트 자이스그룹 최고경영자(CEO), 안드레아스 페허 자이스SMT CEO 등 경영진과 만났다고 28일 밝혔다. 이 회장은 자이스 공장을 찾아 최신 반도체 부품·장비 생산 현장을 둘러보고 자이스 경영진과 핵심 기술 트렌드, 중장기 기술 로드맵에 대해 대화를 나눴다. 자이스는 세계 1위 반도체 노광장비 기업인 네덜란드 ASML의 핵심 협력 파트너다. ASML의 극자외선(EUV) 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하는 업체로 EUV 기술 관련 핵심 특허만 2000개 이상 보유하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스 부품은 3만개가 넘는다. 이 회장은 지난해 12월 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문 때 반도체 장비 기업 ASML 본사에서 페허 CEO와 만난 적이 있다. 4개월 만에 자이스 본사에서 성사된 미팅에는 크리스토프 푸케 신임 ASML CEO도 참석했다. 자이스와 ASML이 반도체 공급망 생태계로 묶여 있다 보니 삼성과 자이스의 협력 강화는 삼성이 이 생태계의 핵심 일원이 될 수 있다는 뜻이기도 하다. 자이스는 2026년까지 480억원을 투자해 한국에 연구개발(R&D) 센터를 세우기로 했다. 한국에 R&D 거점을 마련하겠다는 것으로 삼성과의 전략적 협력도 강화될 전망이다. 대만 TSMC, 미국 인텔 등 파운드리(위탁생산) 업체 간 초미세공정 경쟁이 격화되는 상황에서 삼성전자로서는 ‘든든한 우군’을 확보한 셈이다. 삼성 측은 “자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 성능 개선, 생산 공정 최적화, 수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 것”이라며 기대감을 감추지 않았다. 이 회장이 파운드리 시장에 공을 들이는 건 이 시장의 잠재력이 무궁무진해서다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 파운드리시장은 지난해 1044억 달러(약 143조 9000억원)에서 2026년 1538억 달러(212조원) 규모로 커질 전망이다. 특히 3나노 이하 시장이 같은 기간 74억 달러(10조 2000억원)에서 331억 달러(45조 6000억원) 규모로 커지며 전체 파운드리시장 성장을 견인할 것으로 예상된다. 1위 TSMC를 추격하는 삼성전자도 3나노 이하 초미세공정에서 승부를 내겠다는 전략이다. 한편 지난 2월 말레이시아 출장 이후 2개월 만에 해외 공개 출장에 나선 이 회장은 독일을 비롯해 프랑스·이탈리아 등 유럽 국가를 방문, 비즈니스 미팅을 이어 가는 한편 주재원들과도 간담회를 할 계획이다.

TSMC “새 공정, AI칩 속도 향상”삼성, 2나노 이후 1.4나노로 승부인텔, 올해 말 1.8나노 공정 양산 파운드리(반도체 위탁생산) 1위인 대만 TSMC가 2026년 하반기 1.6나노(㎚·10억분의1m) 공정 양산을 시작한다. 후발주자 인텔이 올해 말 1.8나노 공정(18A) 양산에 나선다고 선언한 데 이어 TSMC가 새 공정 계획을 밝히면서 미세공정 주도권을 잡기 위한 ‘나노 경쟁’이 새 국면에 진입했다. TSMC 공동 최고운영책임자(COO)인 Y J 미는 24일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’이 2026년 하반기 생산에 들어간다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 뜻한다. 미 COO는 “A16 기술을 통해 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있어 인공지능(AI) 칩의 속도를 높일 수 있다”면서 “이는 인텔과 경쟁하고 있는 분야”라고 말했다. TSMC가 내년 2나노에 이어 2027년 1.4나노 공정을 통한 반도체 생산 계획을 밝힌 적은 있지만 1.6나노 공정을 언급한 것은 처음이다. 2나노 주도권을 놓고 TSMC와 경쟁하는 삼성전자도 2나노 이후 1.4나노에서 승부를 볼 계획이었다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄어들고 처리 속도는 빨라진다. 현재 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장은 “AI 칩 업체들의 수요로 예상보다 빨리 새로운 A16 칩 제조 프로세스를 개발했다”면서 “A16 공정을 위해 ASML(네덜란드 반도체 장비 기업)의 새로운 차세대 노광장비를 사용할 필요는 없을 것 같다”고 했다. 차세대 노광장비는 반도체 회로를 더 세밀하게 그릴 수 있는 ‘하이 NA EUV’로 최근 인텔이 가장 먼저 도입했다. 인텔은 이 장비로 1.8나노 공정을 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다고 밝혔다. 업계에서는 TSMC의 새 공정 계획이 미세공정 기술 개발 과정에서 생기는 파생공정으로 이례적으로 보기는 어렵다는 시각도 있지만 인텔의 도발 이후 TSMC의 ‘선두 굳히기’ 전략이 공개되면서 TSMC·삼성전자·인텔의 3파전이 더 치열해질 것이란 전망도 나온다.

파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 2026년 하반기부터 1.6나노 공정을 시작한다. 2나노에서 1.4나노 공정으로 가기 위한 중간 지대로 1.6공정을 추가한 것이다. 삼성전자, 인텔과의 미세공정 주도권 경쟁에서 우위를 차지하기 위해 승부수를 띄운 것으로 풀이된다. TSMC 공동 최고운영책임자(COO)인 Y.J. 미이는 24일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’이 2026년 하반기 생산에 들어간다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 뜻한다. 미이 COO는 “A16 기술을 통해 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있어 인공지능(AI) 칩의 속도를 높일 수 있다”면서 “이는 인텔과 경쟁하고 있는 분야”라고 말했다. TSMC는 내년 2나노에 이어 2027년 1.4나노 공정을 통한 반도체 생산 계획을 밝힌 적이 있지만 1.6나노 공정을 언급한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자도 2나노와 1.4나노 공정 계획을 갖고 있지만 1.6나노 공정은 없다. 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장은 “AI 칩 업체들의 수요로 예상보다 빨리 새로운 A16 칩 제조 프로세스를 개발했다”면서 “AI 칩 제조 기업들은 칩 설계를 최적화해 그 성능을 극대화하려고 하고 있다”고 말했다. 이어 “A16 공정을 위해 ASML(네덜란드 반도체 장비기업)의 새로운 차세대 노광장비를 사용할 필요는 없을 것 같다”고 덧붙였다. 차세대 노광장비는 반도체 회로를 더 세밀하게 그릴 수 있는 ‘하이 NA EUV’로 최근 인텔이 가장 먼저 도입했다. TSMC가 1.6 나노 공정 계획을 추가로 밝히면서 미세공정 주도권을 둘러싼 경쟁이 한층 가열될 전망이다. 인텔은 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언하며 TSMC와 삼성을 따라잡겠다는 포부를 밝힌 바 있다. 인텔은 올해 말부터 1.8나노 공정 양산에 착수할 계획이다. 1.8나노는 두 회사가 양산 중인 3나노보다 앞선 공정이다. 인텔은 1.4나노 공정에서도 TSMC, 삼성과 비슷한 시기 양산을 목표로 한다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 61.2%, 삼성전자는 11.3%를 차지했다.

삼성전자가 AI 반도체 시장에서 주도권을 잡기 위해 총력전을 펼치고 있다. 최근 AI 추론칩 ‘마하1’ 개발을 공식화하는 등 미래 경쟁력 확보를 위한 시설과 연구개발(R&D) 투자를 꾸준히 이어가고 있다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 지난 20일 주주총회에서 AI 추론칩 마하1을 개발 중이라고 밝혀 전 세계 이목이 집중됐다. 경계현 사장은 “AI 시대에는 컴퓨터와 메모리가 대규모로 결집할 수밖에 없는데 현존하는 AI 시스템은 메모리 병목으로 인해 성능 저하와 파워 문제를 안고 있다”면서 “DS는 이 문제를 개선하기 위해 AGI 컴퓨팅 랩을 신설하고 AI 아키텍처의 근본적인 혁신을 추진하겠다”고 밝혔다. 이어 “현재 개발 중인 마하1 AI 인퍼런스 칩은 그 혁신의 시작이 될 것”이라고 강조했다. 삼성전자는 앞서 미국과 한국에서 ‘삼성전자 반도체 AGI(범용인공지능) 컴퓨팅 랩’을 신설했다. 이는 미래 AGI의 엄청난 처리 수요를 충족할 완전히 새로운 유형의 반도체를 만들기 위한 전략으로 풀이된다. 마하1은 AGI 컴퓨팅 랩에서 개발하는 칩 중 처음 공개된 제품이다. 삼성전자는 올해 연말 마하1 생산에 돌입할 계획이다. 현재 기술 검증이 완료됐고, 시스템온칩(SoC) 디자인이 진행되고 있다. 올 연말 생산에 들어가면 내년 초 삼성전자 칩으로 구성된 AI 시스템을 완성하는 게 목표다. 삼성전자는 이처럼 초거대 AI 시대에 메모리 기술의 발전과 성능 향상에 사활을 걸고 있다. 삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 2017년 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 구현했고, 이 제품을 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보일 수 있었다. 이후에도 삼성전자는 고객과 밀접히 협업하여 AI·HPC 생태계를 견인하고 있다. 또 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖추어 나갈 방침이다. 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다. 삼성전자 관계자는 “지난해 반도체 경기 불황에서 연간 53조여원을 시설투자에 쏟아붓는 등 혁신과 연구개발을 이어왔다”면서 “지난 40여 년간 끊임없는 변화와 혁신의 초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것”이라고 강조했다.

반도체 위탁생산(파운드리) 1위 업체인 대만 TSMC의 일본 규슈 구마모토현 제1공장 개소식이 24일 열린다. TSMC는 2027년까지 제2공장도 완공해 매달 10만장 이상의 반도체를 양산한다는 계획이다. 미국 반도체 기업 인텔도 올해 연말부터 1.8나노(㎚·10억분의 1m) 공정(18A)의 양산에 들어간다. TSMC를 따라잡겠다는 야심찬 목표를 세운 삼성전자는 미 정부·빅테크(대형기술기업)의 지원을 등에 업은 인텔의 추격도 따돌려야 한다. 팹리스(반도체 설계전문 기업) 고객을 유치하기 위한 불꽃 튀는 반도체 ‘나노 경쟁’도 새 국면에 접어들었다.●TSMC, 日 1공장 개소…대만에도 최첨단 공장 구마모토현 농촌 마을인 기쿠요마치(菊陽町)의 약 21만㎡ 부지에 들어선 1공장은 클린룸이 들어서는 FAB동과 오피스동, 가스 저장시설 등으로 구성된다. 반도체 제조 공정에 필수인 클린룸은 4만 5000㎡ 크기다. 반도체 산업 부활을 노리는 일본 정부의 지원 정책도 눈여겨 볼 부분이다. 앞서 일본 정부는 제1공장에 4760억엔(약 4조 2000억원)을 투자하기로 결정했다. 2027년 말 가동을 목표로 구마모토현에 들어서는 제2공장에는 약 7300억엔(약 6조 5000억원)을 지원할 것이란 일본 언론 보도(교도통신)도 있었다. 보도가 현실화된다면 1공장과 2공장에 대한 일본 정부 지원금만 10조원이 넘는 셈이다. 제1공장 운영은 ‘일본첨단반도체제조’를 뜻하는 JASM이 맡는다. 대주주인 TSMC 이외에 소니, 덴소 등 일본 기업도 출자에 참여했다. 1공장에서는 12∼28나노 공정의 제품을 한 달에 약 5만 5000장(300㎜ 웨이퍼 환산 기준) 생산할 예정인데 제조 장치의 반입, 설치 등 남은 작업을 고려하면 올해 안에는 양산을 할 수 있을 것으로 보인다. 2공장에선 6~7나노 공정 반도체가 양산할 예정이다. 반도체 회로 선폭을 의미하는 나노는 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. TSMC는 대만 중부 타이중 과학단지와 남서부 타이바오에 최첨단 반도체 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 대만 언론에 따르면 TSMC는 타이중에 1나노 혹은 1.4나노 공정 반도체 공장, 타이바오에는 1나노 공정 제품을 생산할 공장을 각각 착공할 계획이다. 대만 행정원도 경쟁력 강화 차원에서 대만판 실리콘밸리를 조성한다. 대만 북서부에 위치한 타오위안·신주·먀오리에 16㎢에 달하는 과학단지용 부지를 마련하고, 2027년까지 4년간 1000억 대만달러(약 4조 2000억원) 이상의 공사비를 투입한다는 게 핵심이다.●인텔, 올해 1.8나노 공정 양산…2030년 2위 목표 파운드리 후발 주자인 인텔도 지난 21일(현지시간) ‘파운드리 전략 발표 IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트’ 행사에서 “2030년까지 세계에서 두 번째로 큰 반도체 파운드리 기업을 목표로 하고 있다”며 2위 삼성전자에 도전장을 냈다. 1.8나노 공정 양산 계획도 내년에서 올해로 1년 앞당겼다. 상위 두 업체인 TSMC(시장점유율 57.9%, 지난해 3분기 기준)와 삼성전자(12.4%)는 내년 2나노급 공정 양산을 목표로 하고 있는데 인텔이 이 두 업체를 앞지르겠다는 것이다. 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입하겠다는 계획도 밝혔다. TSMC와 삼성전자도 2027년 1.4나노 공정 상용화를 목표로 하고 있다. 현재 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 3나노를 생산하지 않는 인텔이 역전을 노릴 수 있을지에 대해선 회의적 시각도 있다. 그러나 미 정부의 파격 지원이 단숨에 시장의 판도를 바꿀 수 있다는 전망도 나온다. 블룸버그 통신에 따르면 미 정부는 반도체법에 따른 보조금 등으로 인텔에 100억 달러(약 13조 3550억원)가 넘는 금액을 지원하는 방안을 인텔과 논의 중이다. 마이크로소프트(MS)도 인텔의 든든한 지원군 역할을 할 것으로 보인다. 인텔의 1.8나노 공정에서도 MS 칩이 생산될 예정이다. 구체적인 칩 종류는 알려지지 않았지만 MS가 지난해 발표한 AI 칩(마이아)을 생산하지 않겠느냐는 관측이 나왔다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 “우크라이나·이스라엘 사례에서 알 수 있듯 지정학적 위기를 극복하려면 동아시아에 80%가량 쏠려있는 반도체 공급망을 북미와 유럽으로 재배치해야 한다”며 가장 안정적이고 탄력적인 생산망을 지닌 파운드리는 인텔이라고 자평했다.●삼성 파운드리 분사?…“반도체 3개 사업 시너지 총력” 삼성전자는 2019년 4월 시스템 반도체(파운드리·시스템LSI 사업) 분야에 133조원을 투자해 2030년까지 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 내놓았다. 3년 뒤인 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 공정 기반의 양산을 시작했다. 최근 영국 반도체 설계업체 Arm의 설계 자산(IP)을 GAA 공정에 적용하기 위해 Arm과 협력 관계를 강화했다. 삼성전자는 GAA 공정 수율 확보가 경쟁사와의 기술 격차를 좁히는 승부처로 보고 있다. TSMC와 인텔도 막대한 자금을 투입하고 기술력을 높이는 상황에서 삼성전자 파운드리 사업이 자체 경쟁력을 키우려면 현재 사업부 차원의 조직으로는 한계가 있다는 지적도 있다. 아예 분사를 시켜 ‘홀로서기’를 하는 게 장기적으로 고객사 확보에 도움이 된다는 것이다. 막대한 설비투자 자금 조달을 위해 분사 후 미 증시에 상장하는 방안도 대안으로 거론된다. 그러나 반도체 설계를 담당하는 시스템반도체, 파운드리, 메모리사업을 모두 수행하면서 시너지를 내는 데 총력을 기울이는 삼성전자로서는 분사를 결정하는 게 쉽지 않을 것이란 의견도 만만치 않다. 수년 뒤 반도체 시장을 내다보고 과감한 투자를 해야 하는 현 시점에서 이재용 삼성전자 회장이 어떤 결단을 내릴지 주목된다.

세계 최대 반도체 기업인 인텔이 대만 TSMC의 주요 사업 분야인 파운드리(주문생산)에 본격 진출을 선언했다. 당장 연말부터 TSMC보다 더 고도화된 1.8나노미터(㎚·10억 분의 1m) 공정으로 마이크로소프트(MS)의 인공지능(AI) 전용칩을 생산할 계획으로 알려졌다. TSMC는 물론 파운드리 투자를 늘리고 있는 삼성전자도 영향을 받을 전망이다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 ‘IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트’ 행사를 열고, 연말 1.8나노 공정 양산과 2027년까지 1.4나노 공정 도입을 선언했다. 1.8나노 공정은 반도체 회로의 폭을 1.8㎚까지 촘촘하게 만든다는 의미다. 수치가 낮을수록 더 작고 저전력, 고성능 반도체를 만들 수 있다. 1.4나노 공정은 최근 주목받는 AI 반도체의 성능을 획기적으로 끌어올릴 수 있을 것으로 전망돼 파운드리 업계에서는 ‘꿈의 공정’으로 인식된다. 인텔의 연말 목표가 1.8 나노 공정이란 것은 파운드리 1, 2위인 TSMC와 삼성전자를 앞서겠다는 의미다. 현재 5나노 이하 양산이 가능한 업체는 3나노 공정을 운용하는 TSMC와 삼성전자 뿐이다. 업계 과반(57.9%)을 점유한 TSMC와 삼성전자는 연말 2나노 공정 도입이 목표이며, 삼성전자는 TSMC보다 조금이라도 앞서 나가기 위해 최근 영국 반도체 설계(팹리스) 업체 Arm과 협력하기로 했다. 이제야 본격적으로 파운드리 사업에 뛰어드는 것 치고 인텔의 목표는 다소 과감하다. 하지만 인텔은 삼성전자와 매년 전세계 반도체 시장 점유율 1, 2위를 다투는 기반과 기술을 보유했다. 게다가 반도체지원법(칩스법)으로 전세계 반도체 수급을 쥐락펴락하는 미국 토종 기업이다. 특히 이날 행사에서 인텔은 연말 도입할 1.8나노 공정으로 MS의 칩을 생산할 것이라고 밝혔다. 인텔은 구체적인 칩 종류를 밝히지 않았지만 MS가 지난해 발표한 ‘마이아’라는 AI 전용 칩으로 추정된다. 인텔이 파운드리로 영역을 넓힌 것은 MS, 아마존, 구글 등 글로벌 기업이 인공지능(AI) 반도체를 직접 설계하기로 한 만큼 이들이 개발한 칩을 대신 제조해줄 파운드리 수요가 급증할 것으로 보기 때문이다. 업계 관계자는 “TSMC에 이어 2순위로 파운드리 시장을 넓혀가고 있는 삼성전자는 TSMC에 밀리고 인텔에 쫓기는 신세가 될 수 있다”면서 “업계가 현재 1강 1중 구도에서 1강 2중으로 재편될 수 있다”고 우려했다.

파운드리(반도체 위탁생산) 분야 1위 대만 TSMC를 맹추격하는 삼성전자가 2나노(㎚·10억분의 1m) 파운드리 시장 선점을 위해 영국 반도체 설계업체 Arm과 협력을 강화한다. Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) 설계 자산(IP)에 삼성전자의 최첨단 공정 기술을 심어 고성능 칩을 설계하는 업체(팹리스)를 최대한 많이 끌어들이겠다는 전략이다. 삼성전자는 21일 Arm의 차세대 설계 자산을 자체 개발한 ‘게이트올어라운드’(GAA) 공정에 최적화한다고 밝혔다. 이렇게 최적화를 해놓으면 팹리스의 제품 개발에 들어가는 시간과 비용을 줄일 수 있기 때문에 파운드리 고객 유치 경쟁에서도 유리할 것이란 계산이 깔려 있다. GAA 기술은 공정 미세화로 트랜지스터(게이트를 통해 전류 흐름을 조절하는 역할)의 성능이 떨어지는 걸 막아주고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높여주는 기술이다. 기존 3차원 ‘핀펫’ 공정보다 전류 조절이 더 정교해지고 확실하게 전류 제어가 가능하다는 게 장점이다. 미세 회로 구현을 위해 필수적인 기술로 삼성전자는 2022년 6월 3나노 공정에 세계 최초로 도입했다. 현재 GAA 기반 3나노 1세대를 양산 중이다. 반면 TSMC가 양산하는 3나노는 기존 ‘핀펫’ 트랜지스터 구조다. 삼성전자와 TSMC의 시장점유율 격차는 45.5%(지난해 3분기 기준)포인트로 여전히 크지만, Arm과의 협력을 통해 2나노 시장에서 치고 나가면 ‘파운드리의 봄’을 앞당길 수 있을 것이란 기대감도 엿보인다. 반도체 설계도를 만드는 회사인 Arm의 중앙처리장치(CPU)는 성능이 뛰어나면서도 전력 소모가 적다는 평가를 받는다. 효율적인 구조로 설계를 한 덕분이다. 생성형 인공지능(AI) 등장 이후 AI 반도체 시장이 커지면서 Arm이 더 주목받는 것도 갈수록 ‘초고성능, 초저전력 스펙’이 요구되기 때문이다. 삼성전자와 Arm의 협력은 10년 넘게 이어지고 있다. Arm의 중앙처리장치 CPU IP에 다양한 파운드리 공정을 적용해 왔다. 이재용 삼성전자 회장도 2022년 10월 Arm 최대주주인 손정의 일본 소프트뱅크그룹 회장과 만나 포괄적 협력 방안을 논의했다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 2026년까지 전세계 파운드리 시장의 성장률은 연평균 13.8%로 예상된다. 특히 3나노 이하 최첨단 공정의 연평균 성장률은 64.8%로 삼성 입장에서는 이 시장에서 승부수를 띄운 셈이다. 김동원 KB증권 연구원은 “올해 삼성전자 파운드리 매출은 전년 대비 최대 26% 성장할 것으로 예상된다”면서 “AI 반도체 수요가 큰 폭으로 늘고 있다”고 했다. 파운드리 시장이 커지면서 후발주자인 미국 인텔도 사업 확대에 나섰다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 파운드리 공정 기술 로드맵 등 운영 전략과 포트폴리오를 소개하는 행사를 연다. 자체 AI 칩 개발을 추진 중인 오픈 AI의 샘 올트먼 최고경영자도 참석한다.

삼성전자가 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등 지속 성장을 위한 기반을 강화하고 있다. 21일 삼성전자에 따르면 지난해 삼성전자의 연간 시설투자는 약 53조 1000억원으로 이전 해와 같은 수준이다. 메모리의 경우 지난해 4분기에 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 HBM·DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자를 지속해 왔다. 파운드리는 EUV를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 지난해보다 연간 투자액을 늘렸다. 또한 지난해 4분기 연구개발 투자를 지속하며 분기 최대 7조 5500억원의 연구개발비를 기록했다. 한편 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매 및 다양한 응용처의 신규 수주를 지속적으로 확대한다는 계획이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 늘려 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응한다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖출 예정이다. 파운드리는 GAA 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대한다. 특히 AI 시대에 최적화한 차세대 메모리 솔루션 개발을 이어간다. 삼성전자는 세트 사업에서 플래그십 중심으로 스마트폰 판매를 확대하고 초대형 TV 시장을 선도해 프리미엄 중심으로 경쟁력을 강화한다는 방침이다. 또 AI 기술 적용을 확대하고 스마트싱스를 통한 고객 맞춤형 초연결 경험을 제공하는 한편, 제너레이티브(Generative) AI, 디지털 헬스(Digital Health), XR 등 미래 성장 분야에서 기반 기술 확보를 위한 선행 R&D 및 투자도 강화할 계획이다. MX는 새롭게 론칭한 갤럭시 AI 탑재 스마트폰, 갤럭시 S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점한다. 또한 폴더블 시장의 글로벌 리더로서 격차를 벌리면서 고객의 실사용 경험을 지속적으로 개선해 폼팩터에 최적화된 갤럭시 AI 경험으로 사용성을 극대화할 방침이다. 나아가 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 모바일 AI의 글로벌 스탠다드로 자리 잡을 수 있도록 할 계획이다. VD는 프리미엄, 라이프스타일 중심으로 제품 혁신을 초고화질·초대형 TV 시장을 이끌어 나간다는 계획이다. 생활가전은 스마트싱스를 기반으로 가전과 기기 간 연동 경험을 고도화한다. 하만은 차량 내 고객 경험을 강화해 전장 디스플레이 등 신규 분야 사업 수주를 확대하고 홈오디오 등 고성장 제품 대응을 강화한다. 또 하만·삼성전자 간 협업을 확대할 계획이다.

경영권 불법승계 의혹 사건 1심 재판에서 무죄를 선고받은 이재용(56) 삼성전자 회장이 보다 적극적으로 경영에 참여하며 자신만의 색깔을 드러낼 것으로 보인다. 지난 9년간 이어진 수사와 재판에서 무죄 입증에 전력투구를 했다면 앞으로 이 회장은 10년 후 미래 먹거리를 챙기며 경영 능력을 입증해야 한다. 6일 재계에 따르면 이 회장은 이날 오후 늦게 서울김포비즈니스항공센터를 통해 해외로 출국했다. 이 회장은 출장 목적을 묻는 취재진 질문에 답하지 않았지만 설 연휴를 맞아 중동, 동남아 등 해외 사업장을 점검하려는 것으로 관측된다. 이 회장은 예년에도 재판이 없는 명절 연휴 기간 해외로 나가 임직원을 격려하고 글로벌 기업 최고경영자(CEO)들과 미팅을 했다. 검찰이 항소하면 재판이 더 길어질 수 있지만 1심에서 무죄를 받아 심리적 여유를 갖게 된 만큼 설 연휴 동안 숨고르기를 한 뒤 적극적인 경영 활동에 나서지 않겠느냐는 관측이 나온다. 경영 승계 과정에 불법행위가 없다는 재판부 판단은 2022년 회장 취임 이후에도 사법 리스크로 인해 불안했던 ‘이재용 시대’가 안정적 궤도에 올라서는 계기로 작용할 수 있다는 것이다. 재계 관계자는 “이제는 사법 리스크 때문이라는 변명이 안 통한다는 뜻이기도 하다”면서 “오로지 성과로만 평가받게 될 것”이라고 내다봤다. 이 회장이 재판을 받는 동안 삼성전자는 그간 우위에 있던 주력 사업에서도 경쟁사에 따라잡히는 등 예전과는 다른 모습을 보였다. 지난해 반도체 부문 영업손실은 15조원에 달했고, 매출도 크게 줄면서 인텔에 1위 자리를 뺏겼다. 인공지능(AI) 시대 필수 반도체로 부상한 고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서도 SK하이닉스에 밀렸고, 연간 스마트폰 출하량은 애플에 1위를 내줬다.사실상 경영에 전념할 수 있게 된 이 회장으로선 ‘패스트 팔로어’(빠른 추격자)에서 ‘퍼스트무버’(선도자)로 기업 체질을 변화시키며 미래 밑그림을 그려야 하는데, 현 상황은 여전히 따라잡는 게 급선무가 돼 버린 것이다. 파운드리(반도체 위탁생산), 바이오, 차세대 통신 등 이 회장이 관심을 갖고 추진해 온 신사업도 글로벌 기업 간 패권 경쟁이 치열한 분야이다 보니 선제적 의사결정이 중요해졌다. 삼성은 2019년 파운드리를 포함한 시스템반도체에 133조원을 투자해 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 내놓았지만 대만 TSMC(파운드리 1위 업체)와의 시장 점유율 격차(45.5% 포인트)는 여전히 크다. 2022년 3나노 공정(GAA 기술 적용)을 세계 최초로 시작한 삼성전자는 올해 2나노 공정 개발 등 첨단 공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 새 제품 수주를 확대한다는 구상이다. 바이오의약품 위탁개발생산(CDMO)과 바이오시밀러를 양대 축으로 바이오를 ‘제2의 반도체 신화’로 키우겠다고 발표한 삼성은 지난해 연간 영업이익이 처음으로 1조원(삼성바이오로직스 기준)을 넘어서는 성과를 냈지만 여기서 만족하지 않고 공격적인 투자를 확대해 글로벌 제약사로 발돋움하겠다는 계획이다. 차세대 통신 기술인 6G 분야에서도 주도권을 갖기 위해 선행 연구를 진행 중이다. 6G는 AI, 자율주행차, 로봇, 확장현실(XR) 등 첨단 기술을 일상생활에서 구현할 수 있게 해 주는 핵심 기반 기술이다. 이 회장도 지난달 차세대 통신 기술 점검을 위해 삼성리서치를 찾았다. 당시 이 회장은 “새로운 기술 확보에 우리 생존과 미래가 달려 있다”고 말했다. 이성엽 고려대 기술경영전문대학원 교수는 “미중 경쟁이 심화되고 AI 시대가 도래하면서 ‘기술 초격차’를 이루지 못하면 살아남기 힘든 상황”이라며 “빅딜이 됐든 인수합병(M&A)이 됐든 경쟁력을 확보할 수 있는 방안도 찾아야 한다”고 했다.

‘선거의 해’ 2024년을 여는 가장 중요한 선거 가운데 하나인 대만 선거가 끝난 뒤 많은 전문가는 양안(중국과 대만) 관계의 불안을 거론하며 한반도 정세 관리에 촉각을 곤두세우고 있다. 대만을 둘러싼 미중 갈등은 언제라도 촉발될 가능성을 내포하고 있어 한국의 위기관리 능력이 어느 때보다 필요하다. 김수한 인천연구원 연구위원은 민진당 라이칭더 총통 당선인의 승리 배경으로 대만인의 정체성 확립과 민진당의 구조적 우위를 들면서 ‘독립국가’와 ‘현상유지’를 어떻게 활용해야 할지 조언했다. 김 위원은 대만인의 정체성을 독립국으로서 제약을 안고 있지만 이미 독립국가로서 정체성을 갖고 있어 새롭게 독립선언을 하지 않고 ‘현상유지’를 원하는 것이라고 봤다. 이는 라이칭더 총통 당선인의 주장이기도 하다. 김 위원은 라이 당선인 자신은 ‘강경한 독립주의자’이지만 그가 선거 기간 내내 이를 꺼내 들지 않은 점을 설명하며 “대만의 중도층은 현상유지를 원하기 때문에 과도하게 대만 독립을 지향하면 불안해한다. 이들을 안심시킨 게 라이 당선인의 전략”이라고 분석했다. 민진당은 2000~2008년 천수이볜 전 총통과 2016~2024년 차이잉원 총통 집권 시기를 거치며 어떤 일이 있더라도 우위에서 선거를 치르는 구조와 실력을 쌓았다. 또 라이 당선인은 부총통을 역임하며 ‘준비된 후보’ 이미지를 보였다. 반면 막강한 경쟁자였던 허우유이 국민당 후보는 개인적 매력이 떨어지고 커원저 민중당 후보처럼 포퓰리즘에 능하지도 않았다. “허우 후보는 대만 출신임을 내세우기 위해 유세에서는 계속 민난어(대만 방언)를 사용했지만 선거 패배를 사죄하는 연설에서는 표준 중국어를 정확하게 구사해 조금 우스웠다”면서 국민당은 중국과 불화하더라도 새로운 비전을 보여 줘야 다음을 기약할 수 있을 것이라고 지적했다. 그러면서 ‘하나의 중국’ 원칙 안에서 대만을 국제사회의 일원으로 존중하며 미중 경쟁 속에서 국가이익을 중심으로 우리의 원칙과 기준을 강조하는 것이 필요하다고 봤다.박병광 국가안보전략연구원 책임연구위원은 “한국이 대만 문제에 대한 발언을 놓고 중국 때문에 위축되면 ‘사대관계’밖에 되지 않는다”며 “국격을 지키기 위해 주요 사안에 대해 국제사회의 일원으로 할 말은 해야 하지만 한중 관계와 한미 관계 속에 균형을 맞추는 지혜가 필요하다”고 제안했다. 이어 반도체 산업을 통해 한국과 대만, 미중 관계와 한중 관계를 전망했다. 박 위원은 “반도체 산업에서 섣부른 기대를 하는 것은 희망에 그칠 수도 있다”며 “대만은 파운드리(반도체 위탁생산), 우리는 메모리 반도체 중심으로 중국 입장에서는 두 개 다 필요하다”고 강조했다. 중국이 파운드리를 쓰지 않고 메모리 반도체만 수입하는 상황은 있을 수 없다는 것이다. 또 미국이 중국에 제재하는 것은 7나노 칩 이하이며 삼성전자와 대만 TSMC는 3나노 칩을 두고 파운드리 부문에서 경쟁 중이라고 설명했다. 즉, 대만과 우리가 중국 반도체 시장에서 겹치는 부분이 없기 때문에 민진당 당선에 따른 양안 관계 불화로 기대할 여지가 없다는 것이다. 미중 관계는 민진당 집권으로 대립적 방향으로 나아갈 것이라고 진단했다. 그는 “미국은 중국과의 패권 경쟁에서 하나의 히든카드 내지는 조커로 대만 문제를 활용하고 있는데, 반중 성향의 민진당 정부가 대만을 흔들기에 훨씬 쉽다”고 지적했다.

이재용 삼성전자 회장이 15일 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문일정 동행을 마치고 귀국하면서 “반도체가 (순방 성과의) 거의 90%였다”며 미소를 지었다. 이 회장은 이날 오전 서울 김포 비즈니스 항공센터(SGBAC)를 통해 귀국하면서 이번 순방 성과를 묻는 취재진의 질문에 “잠에서 막 깼다”고 웃으며 짧게 화답했다. 회색 목도리를 두르고 나온 이 회장은 밝은 표정을 지으면서 함께 귀국한 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장 사장을 격려하는 듯 경 사장의 등을 여러 차례 두드리기도 했다. 삼성전자와 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML은 지난 12일(현지시간) 네덜란드 ASML 본사에서 진행된 한·네덜란드 반도체 협력 협약식에서 업무협약(MOU)을 맺고 7억 유로(약 1조원)를 투자해 차세대 노광장비 개발을 위한 차세대 극자외선(EUV) 공동연구소 설립을 추진하기로 했다.ASML은 최첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 노광장비를 세계에서 유일하게 생산하는 기업이다. EUV 1대당 약 2000억원에 달하지만, 연간 약 50대만 생산해 공급이 수요를 따라가지 못하는 품귀 현상을 빚기도 한다. 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하의 초미세공정을 구현하려면 EUV 장비를 필수로 사용해야 한다. ASML이 조만간 출하할 ‘하이 뉴메리컬어퍼처’(High NA) EUV 장비는 2나노 공정의 핵심 장비다. 하이 NA EUV는 최신 노광장비인 EUV의 다음 버전으로, 현재 최첨단 공정인 3나노 이후 공정에 필요한 기술이다. 이 회장은 ASML 외에도 차량 반도체 회사인 NXP 등 현지 주요 반도체 기업 최고경영자(CEO)들과도 만난 것으로 알려졌다.이 회장과 동행한 경 사장은 “이제 삼성이 하이 NA EUV에 대한 기술적인 우선권을 갖게 됐다”며 “장기적으로 D램이나 로직 반도체(비메모리)에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다”고 설명했다. 업계에선 ASML과의 전략적 협업으로 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 TSMC 추격에도 속도가 붙을 것이란 전망이 나온다. 경 사장은 “이번 협약은 경기도 동탄에 공동 연구소를 짓고 거기서 하이 NA EUV를 들여와서 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어들이 같이 기술 개발을 할 것”이라며 “공동 연구를 통해 삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 게 중요하다”고 강조했다. 그러면서 “EUV가 가장 중요한 ‘툴’(장비) 중 하나이기 때문에 이를 통해 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 든든한 우군을 확보했다”고 평가했다.

우리나라와 네덜란드가 반도체동맹을 공식화했다. 네덜란드를 국빈 방문 중인 윤석열 대통령은 마르크 뤼터 총리와 정상회담을 가진 뒤 ‘반도체동맹’이란 표현이 정식 명기된 양국 공동성명을 발표했다. 최첨단 반도체 공정을 향한 글로벌 경쟁이 격화되는 가운데 제조와 장비 분야의 선두주자인 두 나라가 그간의 반도체 협력을 동맹으로 격상시킨 것은 상징적인 의미 이상을 지닌다고 할 것이다. 세계 반도체 시장의 화두는 2나노미터(1나노미터=10억분의1미터)다. 양산 기술은 3나노까지 와 있다. 이 분야 강자는 삼성전자이지만 2나노에서는 대만 TSMC가 조금 앞서 있다. 삼성과 TSMC 모두 양산 목표는 2025년이다. 그런데 TSMC가 얼마 전 시제품을 만들었다는 말이 들린다. 최첨단 공정에 없어서는 안 될 장비가 극자외선(EUV) 노광장비다. 세계에서 유일하게 이 장비를 만드는 회사가 네덜란드의 간판 기업 ASML이다. 이번 반도체동맹 핵심인 ASML과의 협력 강화는 2나노 경쟁에서 대만을 따라잡을 여건을 다졌다는 점에서 매우 반갑다. 윤 대통령에게 “심장을 열어 보였다”는 클린룸이 2나노 공정에 투입될 차세대 EUV 장비가 있는 곳이다. 두 나라는 공급망 위기 때 우선 공조한다는 데도 합의했다. 더욱 고무적인 것은 반도체 인재 양성과 미래기술 개발에도 손을 잡았다는 점이다. ‘컨설팅 강자’ 매킨지는 한국을 향해 “끓는 냄비에서 개구리를 꺼낼 시간”이라며 강점인 반도체, 모빌리티도 원천기술에 기반한 신사업으로 전환해야 한다고 충고했다. 한국 반도체산업의 종합 경쟁력이 미국, 대만, 일본, 중국에 이어 5위라는 냉정한 평가가 나온 게 벌써 지난해다. 네덜란드와의 반도체 대화체 신설을 십분 활용해 우리가 취약한 장비·소재 노하우를 전수받는 데도 힘을 쏟기 바란다.

삼성전자가 30대 상무와 40대 부사장 등 성장 잠재력이 있는 젊은 리더를 발탁해 미래 성장기반 구축에 나섰다. 소프트웨어(SW) 전문가와 신기술 분야 우수 인력도 대거 임원 승진 대상에 포함됐다. 기술과 인재를 중시하는 이재용 삼성전자 회장의 인재 철학이 반영된 인사로 세대교체가 빠르게 진행되는 모습이다. 삼성전자는 29일 부사장 51명, 상무 77명, 펠로우 1명, 마스터 14명 등 총 143명을 승진 발령하는 내용의 2024년 정기 임원 인사를 실시했다. 지난해 승진 대상자(187명)에 비해 승진 규모는 크게 줄었다. 특히 상무 승진자가 1년 전에 비해 30명이나 줄었다. 글로벌 경영 불확실성, 실적 부진 영향 등으로 사장단 인사와 마찬가지로 인사폭을 최소화한 셈이다. ‘국정농단’ 사건으로 인사가 지체돼 2017년 5월 소폭의 승진 인사(96명)를 한 이후 가장 작은 규모다. 승진자는 줄었지만 성과를 내고 성장 잠재력을 갖춘 인재를 부사장으로 과감하게 발탁한 것이 이번 인사의 특징이다. 마이크로 발광다이오드(LED) TV, 8K, QLED 등 프리미엄 제품 개발을 성공적으로 이끈 손태용(51) 디바이스경험(DX·완제품)부문 영상디스플레이사업부 마이크로 LED팀장, 플래시 제품 설계 전문가인 강동구(47) 디바이스솔루션(DS·반도체)부문 메모리사업부 플래시설계2팀장도 경영 성과를 인정받아 부사장으로 승진했다.기술 인재 중용 기조도 이어졌다. SW 혁신을 주도한 전문가와 신기술 분야에서 승진자가 다수 나왔다. 차세대 반도체 공정개발 전문가로 3나노 제품 양산화 성공에 기여한 현상진(51) DS부문 최고기술책임자(CTO) 반도체연구소 차세대공정개발실장도 부사장으로 승진했다. 또 다른 특징은 세대교체 가속화다. 30대 상무, 40대 부사장의 전진 배치로 조직에 변화를 주고자 했다. 30대 상무는 1명, 40대 부사장은 11명으로 지난해(30대 상무 3명, 40대 부사장 17명)에 비해 규모가 줄긴 했지만 나이에 관계없이 능력 있는 직원에게 기회를 준다는 기조는 유지했다. 올해 신임 임원 평균 연령은 47.3세로 지난해(46.9세)보다는 다소 높아졌다. 갤럭시 S시리즈 선행 개발을 주도한 손왕익(39) DX부문 MX사업부 스마트폰개발1그룹 상무는 하드웨어 개발 전문가로 혁신 기술과 특허 기술을 다수 확보해 제품 경쟁력을 높였다는 평가를 받는다. 최연소 부사장 승진자는 황인철(46) DX부문 MX사업부 인공지능(AI)개발그룹장이다. 올해 여성, 외국인 신규 임원은 각각 6명, 1명(상무 기준)이다. 삼성전자는 다양성을 갖춘 조직 문화 구축과 글로벌 기업으로서의 경쟁력 강화를 위해 해마다 10명 안팎의 여성·외국인 임원을 배출하고 있다. 갤럭시 스마트폰의 최적 소프트웨어 솔루션을 기획·개발해 제품 완성도를 높인 정혜순(48) DX부문 MX사업부 프레임워크개발팀장은 부사장 타이틀을 달았다. 이영아(40) DX부문 영상디스플레이사업부 차세대UX그룹장, 송문경(46) DX부문 글로벌마케팅실 소비자직접판매(D2C)센터 오퍼레이션그룹장은 상무로 승진했다. 외국인 중에선 발라지 소우리라잔(54) DS부문 반도체인도연구소(SSIR)장과 찰리 장(50) DX부문 CTO 삼성리서치 6세대(G)연구팀장이 각각 부사장과 상무에 올랐다. 전자 계열사들도 성과주의 원칙을 유지하면서 젊은 리더 발탁으로 조직에 변화를 줬다. 부사장 10명, 상무 15명 등 총 27명이 승진한 삼성디스플레이에서는 1985년생 상무가 탄생했다. 유동곤(38) 생산기술연구소 검사설비개발팀 상무로 AI 기반 검사 소프트웨어를 광학 설비에 접목해 해외 생산법인 검사 자동화 체계를 구축한 공로 등을 인정받았다. 삼성SDS에서도 세계 최고 권위 AI 학회인 ‘신경정보처리시스템학회’(NeurIPS)에 3년 연속 논문을 등재한 1984년생 권영대(39) 상무를 포함해 부사장 2명, 상무 7명이 승진했다. 삼성SDS에서 30대 임원이 나온 건 창사 이래 처음이다. 삼성SDI는 부사장 6명, 상무 15명 등 총 21명, 삼성전기에서는 부사장 2명, 상무 6명 등 총 8명의 승진자가 나왔다.

삼성전자가 30대 상무와 40대 부사장 등 ‘젊은 인재’를 발탁해 세대교체를 가속화했다. 삼성전자는 부사장 51명, 상무 77명, 펠로우 1명, 마스터 14명 등 총 143명을 승진 발령하는 내용의 2024년 정기 임원 인사를 실시했다고 29일 밝혔다. 지난해 승진 대상자(187명)에 비해 승진 규모가 크게 줄었다. 글로벌 경영 불활실성, 실적 부진 등의 영향으로 인사 폭을 최소화한 셈이다. 다만 성과를 내고 성장 잠재력을 갖춘 인재에 대해선 과감하게 발탁한 게 이번 인사 특징이다. 마이크로 LED TV, 8K, QLED 등 프리미엄 제품 개발을 이끈 손태용(51) 디바이스경험(DX·완제품)부문 영상디스플레이사업부 마이크로 LED 팀장, 갤럭시 S시리즈, 폴더블 등 주력 제품 하드웨어 개발을 주도한 김성은(53) DX부문 모바일경험(MX)사업부 스마트폰개발2팀장이 부사장으로 승진했다. 최연소 부사장 승진자는 황인철(46) DX부문 MX사업부 AI개발그룹장이다. 3나노 제품 양산화 성공에 기여한 현상진(51) 디바이스솔루션(DS·반도체)부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발실장, 갤럭시 스마트폰의 펀치홀 등을 구현한 양병덕(52) DX부문 MX사업부 디스플레이그룹장 등 소프트웨어(SW) 전문가와 차기 신기술 분야 우수 인력도 다수 승진했다. 갤럭시 S시리즈 선행 개발을 이끈 손왕익(39) DX부문 MX사업부 스마트폰개발1그룹 상무를 비롯해 젊은 인재를 중용한 것도 특징이다. 30대 상무 1명과 40대 부사장 11명으로 지난해 30대 상무 3명, 40대 부사장 17명에 비해서는 규모가 줄었다. 삼성전자는 “지속 성장을 위한 리더십 기반을 확대하고 미래 성장동력 강화를 위해 SW와 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다”면서 “젊은 리더와 기술인재 발탁을 통한 세대교체도 가속화했다”고 설명했다. 여성·외국인 임원도 다수 나왔다. 이영아(40) DX부문 VD사업부 차세대UX그룹장, 송문경(46) DX부문 글로벌마케팅실 D2C센터 오퍼레이션그룹장 등의 여성 인재 6명이 상무로 승진했다. 정혜순(48) DX부문 MX사업부 프레임워크개발팀장과 발라지 소우리라잔(54) DS부문 SSIR 연구소장은 부사장으로 승진했다.

2024 정기 임원 인사…승진 폭 감소“소프트웨어·신기술 인재 다수 승진”신임 임원 평균 연령 47.3세최연소는 39세 손왕익 상무 삼성전자가 올해 임원 인사에서도 30대 상무와 40대 부사장 등 ‘젊은 리더’를 발탁하며 미래 성장 기반 구축에 나섰다. 삼성전자는 부사장 51명, 상무 77명, 펠로우 1명, 마스터 14명 등 총 143명을 승진 발령하는 내용의 2024년 정기 임원 인사를 실시했다고 29일 밝혔다. 지난해 부사장 59명, 상무 107명, 펠로우 2명, 마스터 19명 등 총 187명이 승진한 것과 비교하면 승진 규모는 대폭 감소했다. 다만 글로벌 경영 환경의 불확실성을 극복하고 지속적인 미래 성장 기반을 다지기 위해, 성장 잠재력을 갖춘 인물을 발탁하는 기조는 올해도 이어졌다. 삼성전자는 “지속 성장을 위한 리더십 기반을 확대하고 미래 성장동력 강화를 위해 소프트웨어(SW)와 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다”며 “젊은 리더와 기술인재 발탁을 통한 세대교체도 가속화했다”고 설명했다. ▲마이크로 LED TV, 8K, QLED 등 프리미엄 제품 개발을 성공적으로 리딩한 손태용(51) 디바이스경험(DX)부문 VD사업부 마이크로 LED 팀장 ▲갤럭시 S시리즈, 폴더블 등 주력 제품 하드웨어(HW) 개발을 주도한 김성은(53) DX부문 MX사업부 스마트폰개발2팀장 등 경영 성과와 성장 잠재력을 갖춘 리더들이 부사장으로 승진했다. 또 ▲세계 최초 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around)를 적용한 3나노 제품 양산화 성공에 기여한 현상진(51) 디바이스솔루션(DS)부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발실장 ▲갤럭시 스마트폰의 펀치홀 등을 구현한 양병덕(52) DX부문 MX사업부 디스플레이그룹장 등 SW 전문가와 차기 신기술 분야 우수 인력도 다수 승진했다.이번 인사에서는 30대 상무 1명과 40대 부사장 11명이 배출됐다. 다만 작년(30대 상무 3명, 40대 부사장 17명)보다는 규모가 줄었다. 올해 신임 임원 평균 연령은 47.3세로, 작년(46.9세)보다는 다소 높아졌다. ▲갤럭시 S시리즈 선행 개발을 리딩한 손왕익(39) DX부문 MX사업부 스마트폰개발1그룹 상무가 이번 인사에서 유일한 30대 상무다. 손 상무는 하드웨어 개발 전문가로서 혁신기술과 특허기술을 다수 확보하며 제품 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 최연소 부사장 승진자는 ▲황인철(46) DX부문 MX사업부 AI개발그룹장이다. ▲강동구(47) DS부문 메모리사업부 플래시설계2팀장 ▲김일룡(49) DS부문 S.LSI사업부 제품기술팀장 ▲박태상(48) DX부문 생산기술연구소 스마트팩토리팀장 등도 40대 부사장 명단에 이름을 올렸다. 이번에도 역대 최연소 상무·부사장 기록은 깨지지 않았다. 역대 최연소 상무는 현재는 퇴사한 인도 국적 프라나브 미스트리씨로 2014년 33세에 상무로 승진했다. 역대 최연소 부사장은 2001년 43세에 부사장으로 승진했던 김인주 전 사장이다. 삼성전자는 다양성을 갖춘 혁신적 조직문화를 구축하고 글로벌 기업으로서 경쟁력 강화를 위해 여성과 외국인 승진 발탁 기조를 유지했다고 설명했다. ▲이영아(40) DX부문 VD사업부 차세대UX그룹장 ▲송문경(46) DX부문 글로벌마케팅실 D2C센터 오퍼레이션그룹장 등의 여성 인재 6명이 상무로 승진했고, ▲찰리장(50) DX부문 CTO 삼성리서치 6G연구팀장이 외국인 중 신임 상무 타이틀을 달았다. 이와 함께 ▲정혜순(48) DX부문 MX사업부 프레임워크개발팀장 ▲발라지 소우리라잔(54) DS부문 SSIR 연구소장이 부사장으로 승진했다. 삼성전자는 조직의 다양성과 포용성을 강화하는 차원에서 2018년 12월 11명, 2020년 1월 9명, 2020년 12월 10명, 2021년 12월 17명, 2022년 12월 11명 등 매년 10명 안팎의 여성·외국인 임원을 배출하고 있다. 삼성전자는 이번 임원 인사를 통해 경영진 인사를 마무리했으며, 조만간 조직 개편과 보직 인사를 확정해 발표할 예정이다.

“주주와 고객 여러분께 심려를 끼쳐 송구합니다. 고객 여러분의 마음을 처음부터 헤아리지 못한 점에 대해 다시 한 번 사과 말씀드립니다.”과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.지난해 3월 16일 삼성전자의 53기 정기 주주총회가 열린 경기 수원시 수원컨벤션센터. 국민주인 삼성전자 주총답게 당시 코로나19 사회적 거리두기에도 주총장은 전국 각지에서 올라온 개인주주들로 붐볐고, 주총을 향한 주주들의 열기 또한 뜨거웠습니다. 이날 주총은 삼성전자의 ‘아픈 손가락’ 갤럭시S22 GOS(게임옵티마이징서비스) 사태에 따른 성난 주주들의 성토가 이어지기도 했습니다. 단상 위 아크릴 가림막 뒤에서 주총을 진행하던 한종희 삼성전자 부회장(DX부문장)이 단상 아래로 내려와 정중히 사과하는 모습도 연출됐죠. 고사양 게임 ‘원신’ 플레이를 통해 드러난 ‘GOS 사태’는 2016년 갤럭시노트7 화재 사고 이후 삼성 스마트폰 사업부의 최대 위기로 떠오르기도 했습니다.‘GOS 사태’는 삼성전자가 고사양 게임 구동 시 발생하는 스마트폰 발열 문제를 잡기 위해 화면 해상도를 인위적으로 낮추는 GOS 기능을 적용하고도, 이를 사전에 소비자에게 알리지 않아 소비자를 기만했다는 게 논란의 주된 내용입니다. 이런 논란은 게임 사양이 높은 ‘원신’을 즐기는 이용자층에서 시작되면서 이제 국내 업계에서는 ‘원신=게이밍 성능 기준’이 되기도 했죠. 삼성에 아픔과 악몽만을 남긴 이 게임 원신을 둘러싼 논란이 이번에는 스마트폰 시장에서 삼성전자의 최대 라이벌인 애플로 옮겨붙었습니다. 애플이 지난 12일(현지시간) 공개한 아이폰15 시리즈는 충전단자를 애플만 고집해온 라이트닝 단자에서 삼성 갤럭시 등 안드로이드 폰이 이미 적용해온 USB-C 충전단자로 바뀐 점이 ‘유일한 혁신’이라는 지적이 나올 정도로 업계의 반응은 싸늘한 상황입니다. 그런데 여기에 2년 전 삼성전자를 괴롭혔던 발열 논란까지 제기된 겁니다. 논란의 시작은 중국의 한 IT 전문 리뷰어입니다. 출처가 중국 리뷰어라서 미국 기업, 애플을 향한 악의적 혹은 억지 주장이 아닐까 해서 해당 콘텐츠는 물론 그간 이 리뷰어가 제작한 영상들을 구글 번역기와 딥엘 번역기 등을 동원해 살펴봤습니다. 일단 억지 주장 같아 보이진 않습니다.이 영상에서 중국 리뷰어는 아이폰15 프로로 원신을 구동합니다. 30분이 지나자 아이폰15 프로의 온도는 48도까지 치솟았습니다. 2년 전 삼성이 게임 그래픽을 강제로 떨어트려 논란이 된 것과 달리 아이폰15는 발열 그 자체가 논란인 거죠. 해외 IT전문 매체에서는 발열의 원인으로 아이폰15 프로가 채택한 모바일 AP ‘A17 프로’를 주목하고 있습니다. 반도체 업계 이야기를 전해드리는 코너에서 철 지난 GOS 사태를 가져온 이유도 여기에 있습니다. 바로 A17 프로의 제조사가 삼성전자의 반도체 파운드리(위탁생산) 라이벌 대만 TSMC이기 때문이죠. 아직 발열의 원인은 알려지지 않았지만 업계에서는 A17 프로 칩 설계 및 제조 공정에 문제가 있었을 것으로 보고 있습니다. A17 프로는 TSMC가 3나노(1nm·10억분의 1m) 공정으로 제작한 모바일 AP칩으로 애플에서는 이번 아이폰15 시리즈에 처음 탑재된 것으로 전해집니다. 반도체 업계에서 3나노 공정은 삼성전자가 지난해 6월 세계 최초로 양산을 시작했지만, 애플의 선택은 오랜 고객사이자 파운드리 1위인 TSMC였죠. 하지만 삼성과 다른 방식으로 3나노 공정을 구현한 제품에서 발열 논란이 나오면서 업계에서는 애플의 칩 공급사를 다변화해야 한다는 지적도 나옵니다. 조금 복잡하고 어려운 개념일 수 있지만, 삼성전자와 TSMC의 3나노 공정은 반도체 원판인 웨이퍼에 극미세 회로도를 새겨넣는 폭은 3나노급으로 같지만, 칩에서 전류가 흐르는 통로(채널)를 내는 방식에서 큰 차이를 보입니다. TSMC는 전통적인 트렌지스터(반도체 소자) 구조인 ‘핀펫’(FinFET) 방식을 3나노에도 고수했고, 기존의 방식은 3나노 이하 공정에서는 비효율적이라고 판단한 삼성전자는 전력 효율을 한층 높인 ‘GAA’(게이트올어라운드) 구조를 적용해 3나노 칩 양산에 성공했습니다.이론상 GAA는 핀펫보다 전류가 흐르는 통로와 스위치(게이트) 간 접촉면이 넓어 전류의 흐름을 세밀하게 제어할 수 있습니다. 또 전력 소모가 적고, 전성비(전력대비 성능) 측면에서도 10% 정도 우위에 있는 것으로 알려져 있습니다. 삼성은 내부적으로 GAA 방식이 TSMC와의 시장 점유율 격차를 빠른 속도로 좁힐 수 있는 ‘게임 체인저’가 될 것으로 기대하고 있죠. 결국 3나노 공정에도 기존에 해왔던 방식을 그대로 따른 TSMC가 기술력에서 한계를 드러낸 게 아닌가 하는 게 ‘아이폰15 원신 사태’의 핵심입니다. 업계 관계자는 “발열의 원인에 대한 제조사의 정확한 원인 진단이 나와봐야겠지만, 삼성 3나노 공정부터 핀펫에서 GAA 방식으로 전환한 삼성에게는 호재가 될 수 있다”라면서 “이번 논란은 스마트폰과 반도체 시장 모두에 영향을 미칠 수 있을 것”이라고 내다봤습니다.