SK하이닉스가 중국 현지 공장 화재라는 대형 악재 속에서도 2분기 연속 사상 최대의 실적이라는 대기록을 이어갔다. SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 3분기 매출 4조 840억원, 영업이익 1조 1640억원을 올렸다고 밝혔다. 매출액은 지난해 같은 기간보다 69% 늘어났고, 영업이익도 흑자 전환했다. SK하이닉스 실적은 지난해 2월 SK그룹이 인수한 이후 꾸준한 오름세다. D램 부분의 업황이 좋지 않았던 지난해 3분기를 제외하면 분기별 매출과 영업이익은 지속적으로 성장했다. SK하이닉스 측은 “D램 가격이 상승하고, 모바일 신제품 출시에 따라 낸드플래시 출하량이 증가한 덕”이라고 설명했다. 실제 3분기 PC와 서버, 모바일 등 D램 평균 판매가격은 지난 2분기보다 5% 상승했다. 영업이익 역시 매출 증가와 미세공정 전환 및 수율 개선을 바탕으로 최고기록을 세울 수 있었다. 이런 성적은 지난달 4일 중국 장쑤성 우시 D램 반도체 공장화재로 애초 계획보다 출하량이 2% 감소한 상황에서 거둔 점이라는 데에서 의미가 깊다. 당시 공기정화 시설에서 발생한 화재는 1시간 반 만에 진화됐지만 3개 생산라인 중 1개 라인은 한 달 넘게 가동이 중단됐다. 낸드플래시는 평균 판매가격이 6% 하락했으나 모바일 신제품 출시 등 안정적 수요 덕분에 출하량은 전분기보다 11% 증가했다. SK하이닉스는 노트북과 태블릿을 결합한 PC의 등장과 신형 콘솔 게임기 출시, 서버 시스템의 D램 사용량 증가로 4분기 D램 수요 역시 늘 것으로 전망했다. SK하이닉스 관계자는 “20나노(10억분의1) 중반급 D램과 10나노급 낸드플래시의 개발을 마친 만큼 지속적이고 안정적인 이익 창출에 주력하겠다”고 말했다. 유영규 기자 whoami@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 반도체의 기본 저장단위인 셀을 수직으로 쌓은 ‘3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 플래시 메모리’의 본격 생산에 들어갔다. 반도체는 수평 구조로 생산해야 한다는 고정관념을 깨고 칩 구조에 수직 개념을 도입, 한계에 봉착한 메모리 기술의 신기원을 이뤘다는 평가를 받는다. 낸드플래시메모리란 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체를 말한다. 삼성전자는 6일 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리의 양산을 시작했다고 밝혔다. 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트 제품이다. 1280억개 메모리 저장장소를 손톱만 한 크기의 칩에 담았다는 의미다. 삼성전자는 독자적으로 개발한 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조’와 ‘3차원 수직적층 공정’ 기술을 적용했다고 밝혔다. 지금까지 낸드플래시 메모리칩은 40여년 전 개발된 플로팅 게이트 구조를 기본으로 한다. 데이터를 저장하는 기본 단위인 셀을 단독주택처럼 옆으로 붙여 가는 방식이다. 때문에 셀을 얼마나 가깝게 붙이느냐가 신기술의 관건이었다. 하지만 최근 들어 업계 내부에선 “옆으로 붙이는 것은 사실상 한계에 이르렀다”는 지적이 나왔다. 셀 사이 간격이 10나노(1나노는 10억분의1)급까지 바짝 붙으면서 전자가 옆으로 새는 ‘간섭 현상’이 심해졌기 때문이다. 이런 배경에서 전문가들은 “10나노급 이상의 낸드플래시 제품이 나오기는 쉽지 않을 것”이라는 전망을 했다. 수년간 반도체 업계들은 마치 고층건물을 올리듯 셀을 수직으로 쌓아가는 방법을 물밑에서 연구해왔다. 결국 경쟁사들 간의 개발경쟁에서 삼성전자가 가장 먼저 원통형 셀 구조를 완성해 양산체계에 들어간 셈이다. 개발된 ‘3차원 원통형 CTF 셀’은 24단(층)으로 전하를 안정적인 부도체에 저장해 위·아래 셀 간 간섭을 막을 수 있다는 장점이 있다. 이 덕분에 쓰기 속도는 2배 이상 빨라지고, 셀 수명인 쓰기 횟수(내구연한)는 2~10배까지 향상됐다. 소비전력은 절반으로 준다는 게 삼성 측의 설명이다. 삼성전자 관계자는 “1년 동안 검증한 결과 안정성도 확신할 수 있다는 결론을 내려 새 반도체를 서버 등 고급 제품라인에 먼저 투입시킬 계획”이라고 밝혔다. 신기술은 최근 정체기를 겪는 메모리 반도체 업계에 변화의 바람을 일으킬 것으로 보인다. 현재 출시한 제품인 128기가비트를 넘어 1테라비트 이상 낸드플래시를 출시할 수 있는 기술적 기반이 마련했기 때문이다. 최정혁 삼성전자 플래시개발실장(전무)는 “수년간 임직원 모두가 기술적 한계를 넘고자 기술 개발에 매진해 얻은 결실”이라며 “집적도를 높이고 성능을 향상시킨 차세대 제품을 연이어 출시할 계획”이라고 말했다. 유영규 기자 whoami@seoul.co.kr

LG전자와 SK하이닉스가 정보기술(IT) 업계의 전통적 비수기인 1분기에 호실적을 거뒀다. LG전자는 24일 1분기 실적 발표에서 연결기준 매출 14조 1006억원, 영업이익 3495억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년 동기 대비 6.8% 늘었지만, 전 분기보다는 4.7% 감소했다. 영업이익은 지난해 같은 기간보다 13.0% 줄었지만 전 분기와 비교하면 199.0% 증가했다. LG전자는 주력 제품인 TV·생활가전 분야의 수익성이 떨어졌지만, 스마트폰 분야의 실적이 좋아지면서 균형을 이뤘다. 휴대전화 사업이 속해 있는 모바일 커뮤니케이션(MC)사업본부는 매출 3조 2097억원, 영업이익 1328억원을 기록했다. MC사업본부가 1000억원 이상의 분기 영업이익을 낸 것은 2009년 3분기 이후 14분기 만이다. 휴대전화만 놓고 봐도 매출 3조 2023억원, 영업이익 1325억원으로 지난해 동기 대비 약 4배, 전 분기의 2.5배 수준이다. 스마트폰은 분기당 판매량이 처음으로 1000만대를 넘어섰고, 휴대전화 판매량 가운데 스마트폰의 비중도 사상 최대인 64%로 높아졌다. 영업이익률도 4.1%로 2009년 3분기(10.1%) 이후 최고치를 기록했다. MC사업본부는 ‘LG전자 실적 악화의 주범’으로 몰렸지만 발 빠른 대응으로 경쟁력을 회복해 가고 있어 장기적으로는 LG의 ‘캐시카우’(현금창출원)가 될 전망이다. 윤부현 LG전자 MC사업본부 상무는 실적설명회에서 “플라스틱 유기발광다이오드(OLED) 스마트폰을 LG디스플레이와 체계적으로 준비하고 있으며, 4분기쯤 출시될 전망”이라고 말했다. 하지만 플라스틱 OLED 스마트폰의 성능에 대해서는 밝히지 않았다. LG전자는 올해 스마트폰 판매실적을 4500만대로 예측했다. SK하이닉스도 1분기에 매출 2조 7810억원, 영업이익 3170억원, 순이익 1790억원을 기록했다고 공시했다. 매출은 전년 동기 대비 16.4%, 전 분기 대비 2.3% 증가했다. 영업이익은 지난해 동기 적자(-2635억원)에서 흑자 전환하고 지난 분기 대비 476% 늘었다. 계절적 비수기임에도 불구하고 PC 및 서버용 D램의 수요 증가로 매출이 늘고, 미세공정 전환 및 수율 개선으로 영업이익도 늘었다고 SK하이닉스는 설명했다. 2분기에는 주요 모바일 고객들의 신제품 출시와 더불어 중국 스마트폰 시장의 성장세가 회복되면서 모바일 D램의 수요 강세가 예상된다고 밝혔다. SK하이닉스는 시장 선도를 위해 모바일 D램을 포함한 모든 D램 제품군에 20나노급 공정기술을 본격 적용하고, 낸드플래시 역시 하반기에 10나노급 제품 생산을 진행할 계획이라고 덧붙였다. 류지영 기자 superryu@seoul.co.kr

삼성전자가 지구온난화와 자원고갈 등 환경문제에 대응할 초절전·고성능의 차세대 반도체인 ‘그린메모리’ 신제품과 관련 전략을 공개했다. 삼성전자는 6일 서울 신라호텔에서 ‘그린메모리 솔루션으로의 진화’라는 주제로 열린 최고정보책임자(CIO) 포럼에서 지난달 양산에 들어간 20나노급 4세대 그린메모리 신제품을 선보였다. 공개된 기업 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘480기가바이트(GB) SATA MLC SSD(SM843)’는 서버 시스템에 탑재될 경우 종전 40나노급 D램과 하드디스크드라이브(HDD)로 이뤄진 서버 시스템보다 처리 속도를 6배 높이고 소비전력은 26% 낮출 수 있다. 세계 최초로 양산하고 있는 ‘20나노급(2y나노·중반) 4Gb DDR3 D램’은 4세대 그린메모리 솔루션의 핵심 제품으로 전력 소모를 3세대 대비 7%, 1세대 대비 52%까지 줄일 수 있고, 노트북에 쓰이는 40나노급 DDR3 D램보다 3배 이상 높은 효율성을 자랑한다. 삼성전자는 20나노급 D램 제품을 기업 서버와 모바일 시장에서 PC 시장으로까지 확대해 기존 30·40나노급 D램을 빠르게 대체함으로써 환경보호에도 기여한다는 전략이다. 내년에는 20나노급(2z나노·초반) 차세대 기업용 모듈과 10나노급 고성능 낸드플래시 기반의 대용량 SSD 제품 등의 차세대 그린메모리 제품을 출시할 예정이다. 홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “그린메모리는 PC까지 고객공유가치(CSV)를 제공함으로써 친환경 그린 IT 시장 확대에 기여하게 될 것”이라며 “차별화된 제품과 솔루션을 적기에 개발해 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도해 가겠다.”고 밝혔다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

지식경제부는 삼성전자의 중국 현지 반도체 공장 설립을 위한 10나노급 낸드 플래시 국가핵심기술 수출 신고를 4일 수리했다고 밝혔다. 지경부는 전기전자 분야 산업기술보호 전문위원회를 두 차례 열고 중국 진출 필요성 및 기술 유출 가능성 등을 종합적으로 검토해 이같이 결정했다. 국가핵심기술의 불법 유출을 방지하기 위해 삼성전자가 기술보호대책을 수립·운영하도록 하고 정부가 정기적인 운영실태 점검 및 보안 컨설팅을 추진하기로 했다. 삼성전자는 지난달 6일 중국에 MP3, 휴대전화 등에 사용되는 메모리 카드용 낸드 소자 생산 설비를 건설한다는 내용의 신청서를 제출했다. 월 생산 규모는 12인치 웨이퍼 10만장이다. 상반기 인·허가 등 관련 절차를 완료하고 착공에 들어가 내년 하반기 제품을 양산한다는 계획이다. 삼성전자는 부지 선정 등 현지의 인·허가 절차를 추진하기로 했다. 한준규기자 hihi@seoul.co.kr

글로벌 반도체 업계가 D램 가격 폭락으로 ‘치킨게임’에 돌입한 가운데 삼성전자가 업계 최초로 20나노급 낸드 플래시 및 D램 양산에 돌입, 선두업체로서의 위상을 다시 한번 확인했다. 하이닉스반도체도 올해 안에 20나노급 제품을 개발할 예정이어서 국내 업체들이 ‘말로만’ 20나노 제품 양산에 나선 엘피다 등 해외업체들을 제치고 반도체 시장을 독차지할 것으로 보인다. 삼성전자는 22일 경기 화성시 나노시티 캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 가졌다. ●16라인 세계 최대 생산시설 가동 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 디바이스솔루션(DS) 사업총괄 사장, 이재용 사장 등 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 정보기술(IT) 업체 관계자 등 500여명이 참석했다. 마이크로소프트의 스티브 발머 최고경영자(CEO)와 HTC의 셰어 왕 회장 등도 영상 메시지로 축하를 대신했다. 지난해 5월 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 6만평 규모의 12층 건물로, 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산 라인이다. 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼(반도체 원판)로 월 1만장 이상 생산하며, 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다. 삼성전자는 이와 함께 세계 최초로 20나노급 2기가비트(Gb) D램의 양산을 시작했다. 20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 같은 세계 최고의 성능을 구현하면서도 생산성은 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 친환경 제품이다. 삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발, 내년부터는 4기가바이트(GB)·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 양산할 계획이다. 이날 이건희 삼성전자 회장은 가동식 행사에서 “반도체 업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다.”면서 “앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발(發) 태풍에도 대비해야 한다.”고 강조했다. 이는 국내 경쟁업체는 물론 일본, 타이완 업체들과의 미세공정 경쟁이 더욱 치열해지는 상황에서 반드시 기술력에서 앞서야 한다는 의미로 풀이된다. 한편 삼성전자에 이어 하이닉스도 4분기에 20나노급 D램 개발을 끝낼 예정이어서 한국업체들의 시장 점유율은 더욱 공고해질 전망이다. 특히 수익성이 크게 좋아져 가격 하락 국면에서 국내 업계의 시장 지배력은 더욱 강화될 것으로 보인다. 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 올해 2분기 D램 시장에서 삼성전자는 41.6%의 최고 분기 점유율을 기록하며 1위를 지켰다. 하이닉스도 23.4%로 역시 최고 분기 점유율을 기록하며 2위로 선전했다. 일본 엘피다(14.6%), 미국 마이크론(10.6%), 타이완 난야(4.7%) 등이 큰 차이로 뒤를 이었다. ●한국업체 2분기 D램 점유율 65% 한국 업체의 2분기 D램 시장 점유율은 65.0%로, 1980년대 말 일본 업체들의 점유율이 75% 안팎에 달했던 이래 최고 수준의 지배력을 보였다. 한국의 시장 점유율은 2007년 49%에서 지난해 59%, 올해 2분기 65%로 3년 6개월 만에 16% 포인트나 치솟았다. 이러한 추세면 올해 안에 점유율 70% 달성도 어렵지 않을 것으로 보인다. 2분기 낸드 플래시 시장 점유율도 삼성전자(41.6%), 일본 도시바(28.7%), 마이크론(16%), 하이닉스(13.5%) 순으로 나타났다. 한국 점유율은 2007년 59.1%를 정점으로 조금씩 하락하다 올해 1분기 50.3%, 2분기 55.1%로 다시 높아지고 있다. 업계 관계자는 “반도체 가격 폭락 국면에서도 국내 업체들이 시장 점유율을 높일 수 있는 것은 미세 공정에서 경쟁업체들보다 6개월 이상 앞서 있는 데다 제품군이 다양화돼 있기 때문”이라면서 “국내 업체들이 20나노 공정을 본격화하면 시장 지배력은 더욱 공고해질 것”이라고 내다봤다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr