SK하이닉스는 현존 최고 속도 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발했다고 25일 밝혔다. 신제품은 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 2개월 만에 업그레이드한 것이다. 신제품의 동작 속도는 초당 9.6기가비트(Gb)로 기존 제품보다 13% 빨라졌다. SK하이닉스는 더욱 빨라진 동작 속도를 강조하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(Turbo)’를 의미하는 ‘T’를 붙였다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량 최소화가 관건이기 때문에 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. 신제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. SK하이닉스는 최근 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16기가바이트(GB) 용량의 패키지 제품 샘플을 만들어 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(풀-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 제품 양산에 들어갈 계획이다. SK하이닉스는 신제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다. IT 업계는 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도나 용량 등이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. LPDDR5T의 활용 범위도 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(기계학습), 증강·가상현실 등으로 확대될 전망이다. 류성수 SK하이닉스 부사장은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객의 니즈를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

“삼성전자가 작심하고 나왔다. 그 작심엔 그만한 자신감이 있어 더 무섭다.” 삼성전자가 최근 미국에서 진행한 반도체 사업부별 로드맵 발표를 두고 반도체 업계 내부에서 나오는 반응이다. 삼성전자의 주력 사업부인 메모리사업부는 물론 파운드리(위탁생산)사업부, 시스템LSI사업부까지 모두 예년과 달리 ‘초격차’ 기술력을 공언하며 구체적인 양산 시기와 공정 방법까지 제시했기 때문이다. 특히 메모리반도체 사이클 하강에 따라 주요 글로벌 기업들이 잇달아 ‘감산’을 선언한 가운데 삼성전자의 ‘무감산’ 전략은 경쟁 기업들도 놀라게 했다.●TSMC에 매출은 역전됐지만...초격차 기술로 경쟁력 확보 앞서 삼성전자는 지난 3일(현지시간) 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산호세에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 삼성이 현재 보유하고 개발 중인 신기술과 구체적인 사업 계획을 공개했다. 이날 삼성전자는 1.4나노((㎚·10억분의 1m) 카드를 꺼내 들며 업계를 놀라게 했다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 시대를 열며 기술 우위를 확보한 데 이어 ‘기술의 한계’로 꼽히는 2나노를 넘어 1.4나노 공정을 2027년에 시작하겠다는 게 삼성전자의 계획이다. 파운드리 1위 대만 TSMC 역시 1.4나노 공정 기술 개발에 뛰어들었지만 삼성전자와 달리 양산 시점은 밝히지 않은 상황이다. 매출과 시장 점유율만 놓고 보면 파운드리 시장은 TSMC가 압도적인 1위를 유지하고 있지만, 업계는 무서운 속도로 치고 올라오는 삼성전자의 기술력에 주목하고 있다. 시스템반도체를 위탁생산하는 파운드리 사업만 하고 있는 TSMC는 메모리 가격 하락으로 침체에 빠진 삼성전자를 제치고 올해 말 반도체 시장 종합 매출에서 세계 1위로 올라설 것으로 전망된다. 삼성전자가 1.4나노를 비롯해 파운드리 사업 비전을 공개한 배경 역시 메모리가 침체에 빠진 상황에서 가격 변동이 적은 파운드리 시장의 고객사 확보를 위한 것으로 풀이된다.최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “설계 전문 기업인 팹리스, 하이퍼스케일, 스타트업 등 다양한 고객에 맞는 구별된 니즈(Needs)를 제공할 것”이라고 했다. ●5세대 D램·1000단 낸드…세계1위 메모리 지배력 강화 파운드리 사업부 발표 이틀 뒤 삼성전자 메모리사업부와 시스템LSI사업부도 사업비전을 공개했다. 이날 업계의 관심사는 메모리 불황에 따른 삼성전자의 메모리 반도체 감산 여부였다. 이에 대해 한진만 메모리사업부 부사장은 “현재 감산은 논의하고 있지 않다. 우리는 당장 상황이 좋지 않더라도 예정된 경로를 손쉽게 바꾸지 않는다”고 단언했다. 이는 미국 마이크론과 일본 키옥시아 등 해외 경쟁사들이 잇달아 감산 계획을 밝힌 것과 대비되는 행보다. 삼성전자는 5세대 10나노급 D램을 내년부터 양산하겠다는 계획도 공개했다. 경쟁사들이 4세대 14나노급 D램을 생산하고 있는 상황에서 세계 최초로 5세대 10나노급을 양산하며 메모리 세계 1위 시장 지배력을 더욱 강화하겠다는 전략이다. SK하이닉스와 마이크론이 ‘적층경쟁’을 벌이고 있는 낸드플래시 사업에서는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓아 올린 V낸드를 만들겠다고 밝혔다. 현재 삼성전자의 낸드플래시 주력 제품은 170단대로 이보다 6배가량 높은 적층 기술을 구현하겠다는 의미다.이정배 메모리사업부장(사장)은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 디지털 전환이 급속히 진행되고 있다”라면서 “앞으로 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 강조했다. ●인간 오감까지 학습…시스템반도체 새지평 제시 시스템LSI사업부는 인간의 신체 기능을 가장 가깝게 구현하는 시스템반도체 청사진을 제시했다. 삼성전자는 인간의 두뇌 역할을 하는 시스템온칩(SoC)을 비롯해 이미지센서(눈), 통신용 칩(신경망·혈관), 전력 반도체(심장·면역체·피부) 등을 선보일 예정이다.박용인 시스템LSI사업부장(사장)은 “사물이 사람처럼 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌·심장·신경망·시각 등의 역할을 하는 시스템반도체의 중요성은 더 커질 것”이라면서 “삼성전자는 SoC·이미지센서·디스플레이 구동칩(DDI), 모뎀(통신 칩) 등 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합하는 ‘통합 솔루션 팹리스(반도체 설계업체)’가 될 것”이라고 강조했다. 업계에서는 삼성전자의 ‘반도체 비전’ 발표가 대형 고객사 확보와 연구개발(R&D) 인재 유치로 이어질 것이라는 기대감이 나온다. 업계 관계자는 “이번 발표의 핵심은 각 사업부가 보유한 ‘초격차 기술력’ 공개였다고 본다”라면서 “반도체 고객사 입장에서는 글로벌 경영 불확실성이 커진 상황에서 ‘삼성을 택하면 안정적인 결과물을 낼 수 있다’는 신뢰감을 받을 수 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다.반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다. 이날 발표는 메모리반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련해 “현재 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트(Bit)를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다.이날 발표는 메모리 반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해, 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나오고 있다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련 “현재로서 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다. 메모리 수요 감소에도 감산 계획보다는 기술 초격차를 유지하며 1993년부터 점유율 1위를 유지해 온 글로벌 주도권을 놓지 않겠다는 의미다. 지난 3일 ‘파운드리(위탁생산) 포럼’에서 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언한 것과도 맥이 통한다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

삼성전자는 업계 최고 속도인 ‘24Gbps GDDR6 D램’을 개발했다고 14일 밝혔다. 이 제품은 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 3세대 10나노급 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다.이번 D램은 18Gbps GDDR6 D램 대비 동작 속도가 30% 이상 향상됐다는 게 삼성전자 측 설명이다. 삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해, 인공지능(AI)과 그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보하면서도 업계 최고 속도를 구현한 것으로 전해졌다. 신제품을 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재할 경우 최대 초당 1.1TB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용해 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. 동작 전압을 기존 1.35V보다 낮은 1.1V까지 지원해 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 증가할 것으로 전망된다. 특히 PC와 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 더욱 차별화된 사용자 경험을 제공할 것으로 주목받고 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “‘24Gbps GDDR6 D램’은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정”이라면서 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고, 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

SK하이닉스가 메모리 반도체 호황에 힘입어 올해 3분기에 분기 사상 최대 매출을 기록했다. SK하이닉스는 3분기 매출이 11조 8053억원을, 영업이익이 4조 1718억원을 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년 같은 기간(8조 1288억원) 대비 45% 증가하며 창사 이래 분기 기준 최대를 기록했고, 영업이익도 전년 같은 기간(1조 2997억원) 대비 220%나 증가하며 반도체 슈퍼사이클이 있었던 2018년 4분기 이후 2년 6개월 만에 4조원대로 올라섰다. 이번 호실적은 올해 초부터 이어진 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 가격 상승과 수요 증가 때문으로 풀이된다. 더불어 10나노급 3세대 D램과 128단 4D 낸드 등 주력 제품의 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 높이는 동시에 생산 비중 확대로 원가 경쟁력을 개선해 영업이익이 많이 늘어난 것으로 SK하이닉스는 분석했다. 특히 적자가 지속됐던 낸드플래시 사업이 흑자로 돌아선 것도 주목된다. 메모리 반도체 업황에 대한 전망이 엇갈리고 있지만, SK하이닉스는 향후 시장을 낙관했다. 노종원 경영지원담당 부사장(CFO)은 이날 실적 발표 콘퍼런스콜에서 “올해 4분기에 D램 출하량은 한 자릿수 중후반 증가를, 낸드 플래시는 3분기에 이어 두 자릿수 이상의 높은 출하량 증가를 계획하고 있다”면서 “여기에 원가 개선을 통해 연간 흑자 전환을 달성하겠다”고 말했다. 또 설비투자와 관련, 노 부사장은 “매출의 30% 수준으로 유지할 예정”이라며 “시장 불확실성이 커 경영계획을 예전보다 최소 두 달 앞당겨 내년을 준비하고 있다”고 했다.

SK하이닉스가 메모리 반도체 호황에 힘입어 올해 3분기에 분기 사상 최대 매출을 기록했다. SK하이닉스는 3분기 매출이 11조 8053억원을, 영업이익이 4조 1718억원을 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년 같은 기간(8조 1288억원) 대비 45% 증가하며 창사 이래 분기 기준 최대를 기록했고, 영업이익도 전년 같은 기간(1조 2997억원) 대비 220%나 증가하며 반도체 슈퍼사이클이 있었던 2018년 4분기 이후 2년 6개월 만에 4조원대로 올라섰다. 이번 호실적은 올해 초부터 이어진 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 가격 상승과 수요 증가 때문으로 풀이된다. 더불어 10나노급 3세대 D램과 128단 4D 낸드 등 주력 제품의 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 높이는 동시에 생산 비중 확대로 원가 경쟁력을 개선해 영업이익이 많이 늘어난 것으로 SK하이닉스는 분석했다. 특히 적자가 지속됐던 낸드플래시 사업이 흑자로 돌아선 것도 주목된다. 메모리 반도체 업황에 대한 전망이 엇갈리고 있지만, SK하이닉스는 향후 시장을 낙관했다. 노종원 경영지원담당 부사장(CFO)은 이날 실적 발표 콘퍼런스콜에서 “올해 4분기에 D램 출하량은 한 자릿수 중후반 증가를, 낸드 플래시는 3분기에 이어 두 자릿수 이상의 높은 출하량 증가를 계획하고 있다”면서 “여기에 원가 개선을 통해 연간 흑자 전환을 달성하겠다”고 말했다. 또 설비투자와 관련, 노 부사장은 “매출의 30% 수준으로 유지할 예정”이라며 “시장 불확실성이 커 경영계획을 예전보다 최소 두 달 앞당겨 내년을 준비하고 있다”고 했다.

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비(빛을 쬐 회로를 그리는 장치)를 이용한 ‘10나노급 4세대(1a)’ 미세공정을 D램 양산에 도입했다. SK하이닉스가 EUV 공정을 D램 양산에 적용한 것은 이번이 처음이다. 이미 EUV를 활용한 D램을 생산중인 삼성전자에 이어서 SK하이닉스까지 뛰어들면서 한국 메모리 반도체의 경쟁력이 더 높아지게 됐다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 반도체 톱3 중에서 한국 기업들만 EUV를 적용중이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달초 시작했다고 12일 밝혔다. 같은 10나노급 D램이라도 얼마나 더 미세한 공정이냐에 따라서 세대를 나누는데 이번 기술은 10나노급 중에서 가장 발전된 형태라고 할 수 있다. 반도체를 만들 때는 웨이퍼(반도체의 재료가 되는 얇은 원판)에 미세한 회로를 얼마나 정확하게 그리는지가 제품의 성능을 좌우하는 핵심이다. 기존에는 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)을 활용했는데 EUV는 그보다 훨씬 더 미세한 작업이 가능하다. 1a를 적용한 LPDDR4 모바일 D램은 3세대 같은 규격의 제품보다 웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 D램의 수량이 약25% 늘어난다. 전력 소비도 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 현재 모바일 제품에 들어가는 D램 중에 70~80%가 LPDDR4인 것을 고려해 이를 먼저 10나노 1a 기술로 만들기 시작했다. 내년에는 PC나 서버용 D램인 DDR5에도 EUV를 활용한 4세대 기술을 적용할 계획이다.

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비(빛을 쬐 회로를 그리는 장치)를 이용한 ‘10나노급 4세대(1a)’ 미세공정을 D램 양산에 도입했다. SK하이닉스가 EUV 공정을 D램 양산에 적용한 것은 이번이 처음이다. 이미 EUV를 활용한 D램을 생산중인 삼성전자에 이어서 SK하이닉스까지 뛰어들면서 한국 메모리 반도체의 경쟁력이 더 높아지게 됐다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 반도체 톱3 중에서 한국 기업들만 EUV를 적용중이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달초 시작했다고 12일 밝혔다. 같은 10나노급 D램이라도 얼마나 더 미세한 공정이냐에 따라서 세대를 나누는데 이번 기술은 10나노급 중에서 가장 발전된 형태라고 할 수 있다.반도체를 만들 때는 웨이퍼(반도체의 재료가 되는 얇은 원판)에 미세한 회로를 얼마나 정확하게 그리는지가 제품의 성능을 좌우하는 핵심이다. 기존에는 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)을 활용했는데 EUV는 그보다 훨씬 더 미세한 작업이 가능하다. SK하이닉스는 10나노 2세대 D램 제품을 만들 때 개발 단계에서 EUV를 적용한 적이 있는데 실제 양산에 EUV를 활용한 것은 이번이 처음이다. 1a를 적용한 LPDDR4 모바일 D램은 3세대 같은 규격의 제품보다 웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 D램의 수량이 약 25% 늘어난다. 전력 소비도 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 현재 모바일 제품에 들어가는 D램 중에 70~80%가 LPDDR4인 것을 고려해 이를 먼저 10나노 1a 기술로 만들기 시작했다. 내년에는 PC나 서버용 D램인 DDR5에도 EUV를 활용한 4세대 기술을 적용할 계획이다.

세계 1위 메모리 제조업체인 삼성전자의 경기 평택캠퍼스 파운드리(위탁생산) 라인 신규 가동이 가시화되고 있다. 삼성전자는 올해 하반기 본격 가동할 예정이던 평택 파운드리 전용라인 가동 시기를 상반기로 앞당길 방침이다. 앞서 삼성은 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV(극자외선) 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 EUV 전용 화성 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 꾸준히 확대해 왔다. 또 같은 해 평택캠퍼스 평택 2라인을 가동하며 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 양산했다. 이런 발 빠른 대응은 코로나19로 인해 전 세계 산업계의 투자 심리가 위축된 상황에서도 주력 사업의 경쟁력 강화를 늦출 수 없다는 판단 때문에 이뤄졌다. 삼성전자의 지난해 시설투자비는 2019년 대비 43% 증가한 38조 5000억원이었다. 지난해 3분기 누적 연구개발(R&D) 투자 집행비는 역대 최대인 15조 9000억원이었다. 앞서 삼성전자는 2019년 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 자리에서 “2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다”는 목표를 밝힌 바 있다. 당시 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 투자하겠다고 밝힌 규모는 133조원이었다. 삼성전자는 “위기를 기회로 바꾸기 위한 투자를 지속하겠다”면서 “평택캠퍼스에 적극적으로 투자해 반도체 초격차를 달성하고 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획”이라고 강조했다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

SK하이닉스가 지난해 코로나19에 따른 반도체 수요 증가로 5조 126억원의 영업이익을 냈다. 이는 전년보다 84.3% 증가한 것이다. 지난해 매출은 81조 9004억원으로 전년 대비 18.2% 증가했다. 순이익은 4조 7589억원으로 전년보다 136.9% 올랐다. 영업이익율은 16%를 기록했다. 회사 측은 주당 배당금을 1170원으로 결정했다. 총 배당금은 8002억원이다. 주당 배당금은 1000원을 최소 금액으로 고정하고 여기에 연간 창출되는 잉여현금흐름의 5%를 추가로 지급한다는 기존 배당 정책에 따라 정해졌다. 노종원 경영지원 담당 부사장(CFO)은 “지난해 코로나19와 무역 갈등의 격화로 메모리 시장은 부진한 흐름을 보였다”면서도 “SK하이닉스는 D램 10나노급 3세대(1Z나노), 낸드 128단 등 주력 제품을 안정적으로 양산하고 품질 경쟁력을 바탕으로 서버 시장 점유율을 확대해 매출과 영업이익을 각각 전년 대비 18%, 84% 올리는 성과를 거뒀다”고 말했다. 지난해 4분기 영업이익은 전년 동기보다 298.3% 늘어난 9659억원을 기록했다. 매출은 전년 동기보다 15% 늘어난 17조 9662억원이었다. 회사 측은 반도체 가격 하락에 따른 매출 감소, 달러화 약세에도 지난해 3분기부터 이어진 모바일 반도체 수요 강세로 큰 폭의 영업이익 성장이 이뤄졌다고 설명했다. 제품별로는 D램 출하량은 전 분기보다 11% 증가했고 평균판매가격(ASP)은 7% 하락했다. 낸드플래시는 출하량은 8% 증가, 평균판매가격은 8% 하락했다. 회사 측은 올해 D램 시장은 서버, 모바일 중심으로 수요가 늘며 수요 증가율이 공급 증가율을 웃돌 것으로 전망했다. 예상 D램 수요 성장률은 10% 후반~20% 수준이다. 박명수 D램마케팅 담당 부사장은 “글로벌 기업들의 신규 데이터센터 투자로 연간 30% 이상의 서버 D램 수요 증가가 이뤄질 것으로 예상된다”며 “코로나19로 주춤했던 5G 스마트폰 출하량은 지난해 2배 수준인 5억대로 예상됨에 따라 올해 모바일 D램 수요 증가율은 20%로 관측된다”고 말했다. 낸드플래시 시장은 하반기부터 점차 회복될 것으로 전망했다. 낸드 수요 예상 성장률은 30% 초반 수준이다. 올해 SK하이닉스는 인텔의 낸드 사업 부문 인수 작업을 이어가면서 극자외선(EUV) 공정이 적용된 신규 반도체 생산라인 M16을 본격적으로 가동한다. 오는 2월 1일 준공식이 예정된 M16에서는 오는 6월부터 양산이 이뤄질 예정이다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

국내 반도체 대기업 SK하이닉스의 D램 반도체 핵심 기술을 빼내 중국 경쟁사에 넘기고, 삼성전자 자회사의 기술을 빼돌려 자사 장비 개발에 사용한 SK하이닉스 협력업체 임직원 10여명이 재판에 넘겨졌다. 국가핵심기술 국외 유출 사건을 수사한 서울중앙지검 형사12부(부장 조상원)는 26일 반도체 장비업체 A사의 임모(51) 연구소장과 윤모(53) 이사 등 5명을 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다. 범행에 가담한 A사 부사장과 삼성전자 전 직원 등 12명은 불구속 기소됐다. 임 연구소장 등은 2018년 8월부터 지난해 6월까지 SK하이닉스의 HKMG(하이K메탈게이트) 반도체 제조 기술과 반도체 세정 레시피 등 첨단 기술을 중국 반도체 업체들에 유출한 혐의를 받는다. HKMG 기술은 D램 반도체 성능을 향상시키기 위해 전도율이 높은 신소재를 사용한 최신 기술이다. 이들은 SK하이닉스와의 협업 과정에서 알게 된 핵심 기술들을 빼돌린 것으로 확인됐다. 이와 별도로 윤 이사 등은 A사의 경쟁 업체이자 삼성전자의 자회사인 반도체 장비업체 세메스의 전 직원을 매수해 초임계 세정장비 도면 등 영업비밀을 확보하고 자신들의 수출용 반도체 세정장비 개발에 활용한 혐의가 있다. 초임계 세정장비는 액체 이산화탄소를 활용한 최첨단 화학물질 건조 장비로 세메스가 세계 최초로 개발했다. 검찰은 국가정보원 산하 산업기밀보호센터로부터 국내 반도체 기술이 중국 업체에 유출된 정황이 있다는 정보를 제공받아 수사에 착수했다. 지난해 7월과 10월 A사에 대한 압수수색을 벌인 끝에 지난달부터 이날까지 모두 17명을 재판에 넘겼다. 검찰은 “A사가 빼돌린 기술은 10나노급 D램 반도체 제조 공정의 핵심 기술”이라며 “신속한 수사를 통해 HKMG 제조 기술의 추가적인 국외 유출을 방지하고, 유출된 기술을 사용해 제조한 반도체 초임계 세정장비의 중국 수출을 사전에 막았다”고 밝혔다. 진선민 기자 jsm@seoul.co.kr

“어렵고 힘든 때일수록 미래를 철저히 준비해야 한다. 국민의 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신이다.” 이재용 삼성전자 부회장이 25일 삼성종합기술원을 찾아 반도체·디스플레이·전지를 비롯한 차세대 신기술 개발 현황을 점검했다. 코로나19 사태로 경영 불확실성이 커진 가운데 혁신을 통해 미래 동력을 확보하겠다는 행보로 풀이된다. 이날 삼성에 따르면 이 부회장은 경기 수원에 위치한 삼성종합기술원을 방문해 “한계에 부딪혔다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자”며 직원들을 격려했다. 위기를 극복하기 위한 이 부회장의 ‘현장 경영’ 행보는 올 들어 여섯 번째다. 지난 1월에는 삼성전자 화성사업장의 반도체 연구소와 브라질 마나우스 법인을, 2월에는 삼성전자 화성사업장 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인을 방문했다. 지난 3일과 19일에는 삼성전자 구미사업장과 삼성디스플레이 아산사업장을 각각 찾아 코로나19 위기에 대응해 현장을 점검했다. 이번 방문에서는 차세대 인공지능(AI) 반도체와 양자 컴퓨터 기술, 반도체·디스플레이·전지 혁신 소재 등 선행 기술에 대해 논의했다. 이 부회장이 ‘기술 초격차’를 강조한 이날 삼성은 업계 최초로 D램 반도체에 EUV 공정을 적용해 양산 체계를 갖췄다는 내용도 밝혔다. EUV를 통해 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 이미 공급해 고객 평가를 완료했고 앞으로 차세대 D램에 EUV를 적용한다는 내용이다. 파장이 짧은 극자외선 광원을 활용하는 EUV 기술은 10나노 미만으로 선폭이 좁아지는 미세공정에서 기존의 불화아르곤보다 세밀한 회로 구현을 가능하게 하는 것으로 고성능·저전력 반도체 생산에 필수적인 기술이라 할 수 있다. 지난해 9월 양산에 돌입한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램까지는 EUV 공정을 도입하지 않았지만 공정 미세화에 한계가 오면서 EUV 적용에 박차를 가한 것으로 알려졌다. 삼성은 내년에 EUV를 전면 적용한 4세대 10나노급(1a) D램 양산에 돌입할 예정이고 5·6세대 D램도 선행 개발해 기술 격차를 이어 나갈 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

초고화질 영화 9편 용량 1초만에 처리 업계 유일 풀라인업 안정 공급 체제 구축삼성전자가 세계 최초로 초고급형 스마트폰에 들어가는 모바일 D램인 16기가바이트(GB) LPDDR5의 양산에 돌입했다고 25일 밝혔다. 지난해 7월 12GB LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 출시한 데 이어 5개월 만에 16GB 모바일 D램을 양산하며 경쟁사와의 ‘기술 초격차’를 유지했다. 모바일 D램은 기기의 두뇌 역할을 하는 AP의 연산을 돕는 역할을 한다. 이번에 양산에 돌입한 16GB LPDDR5에서 ‘LP’는 스마트폰·태블릿PC 등의 모바일 기기에 사용되는 저전력 D램 규격을 의미하고 ‘DDR5’에 적힌 숫자가 하나씩 커질 때마다 데이터 처리 속도가 보통 2배씩 증가한다. 이번 16GB 모바일 D램 패키지에는 2세대 10나노급(1y) 12기가비트(Gb) 칩 8개와 8Gb 칩 4개가 탑재됐다. 전작(8GB LPDDR4X)보다 용량은 2배 늘고 소비전력은 약 20% 줄었다. LPDDR4X에 비해 약 1.3배 빠른 속도를 구현해 초고화질(풀HD급) 영화(5GB) 9편 용량인 44GB 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. 삼성전자 관계자는 “전문가용 노트북·게이밍 PC에 주로 탑재되는 8GB D램보다 용량이 2배나 높아 서바이벌 슈팅게임을 할 때 멀리 있는 대상을 더 빠르게 보고 반응할 수 있다”면서 “플래그십 스마트폰으로 콘솔게임(TV와 연결하는 게임기) 수준의 게임 성능을 느낄 수 있을 것”이라고 말했다. 이로써 삼성전자는 업계에서 유일하게 8GB, 12GB, 16GB ‘LPDDR5 모바일 D램 풀라인업(제품군)’을 고객에게 안정적으로 공급할 수 있는 체제를 구축했다. 향후 초고급형 스마트폰과 PC는 물론이고 자동차 시장까지 본격적으로 공략할 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

단일칩 업계 최대 용량 16Gb 구현 전력 효율도 확보… 내년 본격 공급SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정 적용 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 발표했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산하는 메모리 총용량이 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품에 비해 생산성이 약 27% 향상됐고, 초고가 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가 경쟁력을 갖췄다고 SK하이닉스는 밝혔다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. D램개발사업 1z 태스크포스(TF)장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라면서 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

김기남(61) 삼성전자 대표이사 부회장과 장석복(57) 카이스트 화학과 특훈교수가 올해 대한민국 최고과학기술인상 수상자로 선정됐다. 과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회(과총)는 김 부회장과 장 교수를 올해 수상자로 선정하고 오는 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 ‘2019 대한민국과학기술연차대회’ 개회식에서 대통령 상장과 상금 3억원을 수여한다고 2일 밝혔다. 공학분야 수상자로 선정된 김기남 부회장은 서울대 전자공학과를 나와 카이스트와 미국 캘리포니아 로스앤젤레스대(UCLA)에서 전자공학으로 석, 박사학위를 받았다. 1981년 삼성전자에 입사 후 38년 동안 삼성전자에만 근무하면서 시스템 반도체 제조공정과 설계분야에서 세계 최고 수준의 기술을 확보해 한국 시스템 반도체 산업을 크게 도약시켰다는 평가를 받았다. 세계 최초로 14나노 핀펫 및 극자외선 적용 7나노 제조공정 기술을 개발하고 고성능 시스템온칩 설계 기술 개발 및 첨단 이미지 센서를 개발하는 한편 3차원 버티컬 낸드 플래쉬 메모리를 상용화하고 2016년에는 1세대 10나노급 D램, 2017년에는 2세대 10나노급 D램 양산에 성공해 세계 IT시장을 견인해 왔다. 뿐만 아니라 서울대와 카이스트 등 국내 최고 대학들과 전략적 산학협력을 통해 반도체 인력 양성을 적극 지원하는 등 반도체 인재양성에도 기여한 공로가 크다고 과총은 밝혔다. 김 부회장은 “연구개발에 있어서 전문성을 인정받았기 때문에 이번 수상도 가능했던 것으로 생각해 너무 기쁘다”며 “반도체 분야에서 전문가가 되기로 결정한 이상 연구개발이 핵심이라고 생각했고, 주어진 상황에서 최선을 다하면서 실력을 배양하는 것이 더 중요하다고 생각해 그렇게 노력해왔다”라고 소감을 말했다. 김 부회장은 “이번 수상의 영광은 모든 연구원들이 함께 만든 성과”라고 덧붙였다. 김 부회장은 지난해 한국공학한림원에서 주는 ‘제22회 공학한림원 대상’을 수상하기도 했다. 기초과학 분야 수상자인 장석복 교수는 2013년부터 기초과학연구원(IBS) 분자활성촉매반응연구단 단장으로도 관련 연구를 이끌면서 탄소-수소 결합 활성화 촉매반응 개발에 있어서 선도적인 연구결과를 내놔 국내 자연과학의 위상을 높였다는 평가를 받았다. 장 교수는 “운 좋게 동료 선후배들보다 더 나은 여건에서 연구를 해 올 수 있었을 뿐인데 과분한 상을 받게 돼 영광”이라고 수상소감을 말했다. 2015년 장 교수가 발표한 탄소-수소결합 활성화를 위한 질소그룹 도입반응은 올해 2월 기준으로 전 세계 대학과 연구소 등 35개 합성, 의약, 재료과학 연구팀에서 적용해 후속 연구결과들을 내놓고 있는 화학 기본 반응으로 인정받고 있다. 장 교수는 올해 3월 기준 200여편의 관련 논문을 발표해 2만 2145회에 달하는 논문 인용수, 연구자 영향력을 의미하는 H-인덱스 80을 기록하는 등 촉매분야에서 최고 석학으로 평가받고 있는 상황이다. 향후 계획에 대해 장 교수는 “저반응성 유기분자의 탄소-수소결합 활성화 과정에 대한 기초원리를 규명하는데 우선 집중하고 있다”라며 “이를 바탕으로 새로운 촉매 시스템을 개발한다면 천연가스의 주성분인 메탄 등의 저분자량 탄화수소에 유용한 물질을 도입할 수 있기 때문”이라고 설명했다. 대한민국 최고과학기술인상은 2003년부터 시상해온 국내 최고 과학기술분야 상으로 올해까지 총 42명의 수상자를 배출했다. 유용하 기자 edmondy@seoul.co.kr

삼성전자가 폴더블폰 ‘갤럭시 폴드’에 들어갈 12GB(기가바이트) 모바일 D램 양산에 들어간다고 14일 밝혔다. 12GB ‘LPDDR(저전력 더블데이터레이트) 4X’ 모바일 D램은 2세대 10나노급 16Gb(기가비트) 칩을 6개 탑재한 제품으로 기존 8GB 모바일 D램보다 용량을 1.5배 늘린 역대 최대 용량이다. 이는 일반적인 울트라 슬림형 노트북PC 1대에 탑재된 8GB D램 모듈보다 더 큰 용량으로 폴더블폰 등 화면이 2배 이상 넓은 초고해상도 스마트폰에서 다양한 애플리케이션을 원활하게 사용할 수 있게 한다. 삼성전자 관계자는 “최근 모바일 업체들이 차세대 스마트폰에 5개 이상의 카메라 모듈과 대형·멀티 디스플레이, 인공지능(AI) 프로세서, 5G 통신서비스 등을 적용하고 있다”면서 “이런 고사양 모바일 기기에서 시스템 성능을 향상시킬 수 있다”고 밝혔다. 아울러 현재 모바일 기기에 사용되는 가장 빠른 속도인 초당 34.1GB의 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있으며, 패키지 두께도 1.1㎜에 불과해 모바일 기기를 더 슬림하게 설계할 수 있게 한다고 회사 측은 설명했다. 특히 12GB 대용량을 1개의 패키지로 구현해 소비전력 효율을 높이고 배터리 탑재 면적도 키울 수 있다고 덧붙였다. 삼성전자는 이달 12GB 모바일 D램 양산을 시작으로 올 하반기에는 8GB 이상 고용량 모바일 D램 라인업의 공급 물량을 3배 이상으로 확대해 프리미엄 메모리 수요 증가에 대응할 계획이다. 메모리사업부 전세원 부사장은 “12GB 모바일 D램을 본격 양산해 차세대 플래그십 스마트폰에 필요한 모든 메모리 라인업을 글로벌 업계에서 유일하게 공급하게 됐다”면서 “고객의 D램 수요 증가에 맞춰 평택 라인의 생산 비중을 확대할 것”이라고 말했다. 이은주 기자 erin@seoul.co.kr

최대 교역국이지만 사드·무역갈등 휘청 신작 게임 빗장…식품 업체들은 선전 세계 최대 미래 모빌리티 시장에 사활 전기차 배터리 공장 증설 등 투자 확대 유통업계 줄줄이 철수 수순…‘무덤’으로국내 기업들에 중국은 세계 최대 시장이라는 ‘기회의 땅’이면서 전례 없는 무역 갈등을 겪고 있는 ‘위기의 땅’이기도 하다. 1992년 한·중 수교 이후 국내 기업들의 중국 진출이 본격화됐고, 이후 중국은 한국의 최대 교역국 자리를 차지하고 있다. 하지만 2016년 말 불거진 사드(고고도미사일방어체계) 갈등 이후 국내 기업들은 중국에서 가시밭길을 걷고 있다. 특히 한국과 중국의 기술 격차가 빠르게 좁혀지면서 한국의 수출 경쟁력까지 위협하고 있는 실정이다. 포스코는 한·중 수교 직전인 1991년 베이징에 사무소를 개설하며 중국에 진출했다. 2003년 중국 지주회사인 포스코차이나를 설립해 4개 생산법인과 11개 가공센터를 세우고 고부가가치 제품을 중심으로 시장을 공략하고 있다. 현대차는 2002년 중국 베이징기차와 합작법인을 설립하고 같은 해 ‘밍위’(EF쏘나타)를 출시하며 중국 시장에 발을 내디뎠다. 2008년 2월에는 중국 내 자동차회사 중 최단기간인 5년 2개월 만에 누적 생산 및 판매 100만대를 돌파하는 기염을 토했다. 그러나 사드 갈등 이후 국내 기업들은 중국의 무역 보복과 자국 산업 보호를 위한 무역 장벽, 국내 기업에 대한 중국인들의 부정적 여론이 맞물려 직격탄을 맞았다. 중국에서 연간 100만대 이상 판매해 왔던 현대·기아차는 지난해 82만대 판매에 그쳤다. 전기차 시장은 세계에서 가장 빠른 속도로 성장하고 있지만 중국 정부는 LG화학과 삼성SDI, SK이노베이션 등 국내 기업들의 전기차 배터리를 탑재한 차량에 보조금을 지급하지 않는 방식으로 국내 기업들의 진출을 차단하고 있다. 지난해 2월부터는 국내 게임사들의 신작 게임에 판호(유통허가권)을 내주지 않아 국내 게임의 중국 출시가 완전히 가로막혔다. 국내 기업들은 미래 모빌리티 시장에 사활을 걸고 있다. 현대·기아차는 지난해 9월 중국 구이저우성에 중국 빅데이터 센터를 세운 데 이어 지난 7월에는 중국 최대 인터넷 기업 바이두와 ‘커넥티드카 전략적 협업 양해각서(MOU)’를 체결했다. LG화학과 삼성SDI, SK이노베이션 등 전기차 배터리를 개발하는 3사도 중국에서 잇달아 공장 증설에 나서고 있다. LG화학은 올해 들어 중국 난징에 고성능 전기차 배터리 50만대를 생산할 수 있는 전기차 배터리 공장 건설에 나섰으며 SK이노베이션은 전기차 배터리 핵심소재인 분리막 생산공장을 짓기로 했다. 2020년 중국이 전기차 보조금 제도를 폐지하면 국내 기업들이 전기차 배터리 분야에서 중국 기업들과 ‘진검승부’가 가능할 것으로 보고 있다. 삼성전자는 1992년 중국 혜주 오디오 생산법인(현재 철수)으로 첫 현지 진출한 이후 현재 현지 판매법인 3개, 생산법인 11개를 운영 중이다. 대표적 투자로는 2012년 9월 산시성 시안에 착공해 2014년 5월부터 양산을 시작한 낸드플래시 메모리 반도체 공장이다. 시안 반도체 생산라인은 총 90억 달러를 투자해 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산해 왔다. 올해 3월 시안에 반도체 2기 라인을 착공했다. 2020년까지 총 70억 달러가 투자돼 내년 완공이 목표다. 낸드플래시 최대 수요처이자 모바일, 정보기술(IT)업체 생산기지가 집중된 현지의 제조 경쟁력을 강화하겠다는 복안이다. 다만 톈진 휴대전화 공장은 생산 효율화 차원에서 이달 중 철수 예정으로, 글로벌 IT 경쟁 심화, 보호주의 무역전쟁 등에 유연하겠다는 방침이다. LG전자는 1993년 중국 후이저우에 생산법인을 설립한 것을 시작으로 현재 15개 생산법인, 2개 판매법인을 운영하면서 수요도 커진 프리미엄 가전 판매 전략을 펼치고 있다. 2004년 8월 우시시와 투자계약을 체결하면서 중국에 진출한 SK하이닉스는 2016년 12월 우시 공장 클린룸 확장으로 9500억원을 투입했다. 2021년까지 국내 파운드리 공장(청주 M8) 장비를 현지로 모두 이전키로 하는 등 투자를 확대하고 있다. 유통업계는 사드보복 이후 규제가 심화되면서 줄줄이 철수 수순을 밟고 있다. 롯데는 지난 9월 롯데마트 점포 112개(롯데슈퍼 포함)를 분할 매각하고 완전히 철수한 데 이어 백화점도 철수 수순을 밟고 있다. 약 3조원을 투자해 중국 선양에 진행 중이던 롯데월드 건설 사업도 무기한 연기 상태다. 앞서 신세계도 지난해 12월 남아 있던 이마트 점포 5개를 매각하고 중국 사업을 정리했다. 그러나 현지화에 성공한 식품업체들은 선전하고 있다. 오리온은 지난 10월 기준 중국 법인의 매출이 전년 동기보다 245.7% 껑충 뛰었다. 사드 사태로 주춤했던 초코파이 매출이 회복한 데 이어 신제품이 빠르게 시장에 안착했다는 설명이다. 오리온은 1993년 좋은 친구라는 의미인 ‘하오리여우’라는 이름의 현지 법인을 세우며 중국에 진출했다. 의리와 정을 강조하는 브랜드 마케팅으로 현지에 긍정적으로 각인됐다는 평이다. 1999년 중국에 진출한 농심도 올해 말까지 현지 매출액이 약 2억 8000만 달러에 달할 것이라는 관측이다. 첫해 매출 700만 달러에서 40배가량 성장한 셈이다. 농심은 중국의 국민 스포츠인 바둑대회를 20년째 개최하고 있는 등 현지 눈높이를 맞춘 마케팅으로 시장 공략에 성공했다. 김소라 기자 sora@seoul.co.kr 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr 김희리 기자 hitit@seoul.co.kr

속도 5200메가비트… 영화 11편 1초에 초격차 기술 미국·중국 업체와 더 벌려SK하이닉스가 차세대 표준 규격을 만족하는 DDR5 개발에 성공하며 미국·중국 업체들과의 기술 격차를 더 벌렸다. DDR은 PC용 D램의 표준 규격이다. SK하이닉스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 DDR5를 주요 칩셋 업체에 실제로 제공했다고 15일 밝혔다. 칩셋 업체에 제공했다는 건 DDR5를 다른 반도체들과 함께 적용해 오류 가능성 등을 점검했다는 것으로, 상용화에 한발 더 다가갔다는 의미다. 현재 상용화돼 있는 DDR4는 초당 데이터 1600~3200메가비트(Mbps)를 전송할 수 있다. SK하이닉스가 이번에 개발한 DDR5는 DDR4의 다음 단계로, 같은 10나노급 미세 공정이 적용됐다. 전송 속도는 5200Mbps에 달하면서 전력 소비량은 30%나 줄였다. 5200Mbps는 3.8기가바이트 풀고화질(FHD) 영화 11편 용량을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC에 사용되는 반도체로 오류 정정 회로를 내장하고 있어 고용량 시스템 신뢰성을 높였다. 또 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 기술, 전송 잡음을 제거하는 기술, 읽기 데이터 왜곡이나 잡음을 최소화하는 기술 등이 적용됐다. DDR5 수요는 2020년부터 본격적으로 발생할 것으로 전망된다. 시장조사기관 IDC는 DDR5 수요가 2021년엔 전체 D램 시장의 25%로, 2022년엔 44%로 확대될 것으로 예상했다. 조주환 SK하이닉스 D램개발사업 VPD 담당 상무는 “초격차 기술을 바탕으로 2020년부터 DDR5 본격 양산을 시작해 수요에 적극 대응할 것”이라고 설명했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

SK하이닉스가 차세대 표준규격을 만족하는 ‘DDR5’ 개발에 성공하며 미국·중국 등 업체와 기술격차를 더 벌렸다. DDR은 PC용 D램의 표준 규격이다. SK하이닉스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 DDR5를 주요 칩셋 업체에 실제로 제공했다고 15일 밝혔다. 칩셋 업체에 제공했다는 건 DDR5를 다른 반도체들과 함께 적용해 오류 가능성 등을 점검했다는 것으로, 상용화에 한 발 더 다가갔다는 의미다.현재 상용화돼 있는 DDR4는 초당 데이터 1600~3200메가비트(Mbps)를 전송할 수 있다. SK하이닉스가 이번에 개발한 DDR5는 DDR4의 다음 단계로, 같은 10나노급 미세공정이 적용됐다. 전송 속도는 5200Mbps에 달하면서 전력 소비량은 30%나 줄였다. 5200Mbps는 3.8기가바이트 풀고화질(FHD) 영화 11편 용량을 1초만에 처리할 수 있는 속도다. 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC에 사용되는 반도체로 오류정정 회로를 내장하고 있어 고용량 시스템 신뢰성을 높였다. 또 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 기술, 전송 잡음을 제거하는 기술, 읽기 데이터 왜곡이나 잡음을 최소화하는 기술 등이 적용됐다. DDR5 수요는 2020년부터 본격적으로 발생할 것으로 전망된다. 시장조사기관 IDC는 DDR5 수요가 2021년엔 전체 D램 시장의 25%로, 2022년엔 44%로 확대될 것으로 예상했다. 조주환 SK하이닉스 D램개발사업 VPD담당 상무는 “초격차 기술을 바탕으로 2020년부터 DDR5 본격 양산을 시작해 수요에 적극 대응할 것”이라고 설명했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr