IBM이 세계 최초의 ‘sub-1㎚’(1나노미터 미만) 공정인 0.7나노(7옹스트롬) 노드 기술을 공개했습니다. 현재 반도체 최첨단 기술은 2㎚ 혹은 18A 공정에 도달한 상태인데, 최근 점점 더 공정 미세화가 어려워지면서 1㎚ 혹은 10A 이하 공정 진입이 쉽지 않은 상태입니다. 실제로 TSMC의 최신 로드맵을 보더라도 2029년까지 12A, 13A 계획만 잡혀 있고 그 이후 공정은 없습니다. 따라서 IBM의 발표는 2030년대 반도체 업계가 서브 1㎚ 혹은 10A 이하 공정에 도달할 수 있다는 점을 보여줬다는 데서 주목됩니다. 물론 현재 반도체 업계에서 관행으로 사용하는 ㎚나 옹스트롬은 모두 실제 물리적 크기와 연관이 없습니다. 과거에는 반도체 노드(Node) 명칭이 트랜지스터의 실제 물리적 크기(게이트 길이 또는 하프 피치)에서 유래됐지만, 현재는 물리적 크기를 줄이기 힘들어지면서 실제 크기가 아닌 이전 세대 대비 성능 향상을 의미하는 마케팅 용어로 변했습니다. 예를 들어 ‘우리의 5㎚ 공정은 10㎚ 공정보다 회로폭이 절반인 건 아니지만, 성능을 두 배 높였다’라는 식입니다. IBM의 0.7㎚ 공정 공개에 대해 일론 머스크가 “이런 명명 방식은 전혀 의미가 없고 오해를 불러일으킨다. 원자 수로 노드를 명명해야 한다”라고 지적한 것도 이 때문입니다. 다만 원자 수로 명명하더라도 0.7㎚ 공정은 첨단 반도체 공정의 극한을 보여주고 있습니다. 실제 회로에서 0.7㎚인 부분은 존재하지만, 않지만, 5㎚에 불과한 나노시트의 실리콘 원자 두께는 15개에 불과합니다. IBM 0.7㎚ 공정의 핵심은 ‘나노스택’(Nanostack) 아키텍처에 있습니다. 이는 기존의 나노시트 GAA(Gate-All-Around) 구조를 한 단계 더 발전시킨 3D 트랜지스터 기술입니다. 트랜지스터를 단순히 평면적으로 배치하는 것이 아니라, 수직으로 쌓아 올리면서 서로 어긋나게 배치하는 방식으로, 초미세 구조에서도 실제 작동 가능한 트랜지스터를 구현했습니다. 제조 방식도 혁신인데, IBM은 서로 다른 웨이퍼에서 n형과 p형 트랜지스터를 각각 제작한 뒤, ‘초박막 유전체 본딩’(ultra-thin dielectric bonding) 기술을 통해 결합하는 3D 순차적 집적 방식을 사용했습니다. 이를 통해 수평적 축소로 인한 물리적 한계를 수직 방향의 밀도 향상으로 극복한 것입니다. 덕분에 손톱 크기의 칩 하나에 거의 1000억 개의 트랜지스터를 탑재할 수 있어, IBM이 2021년 발표된 2㎚ 공정 대비 트랜지스터 밀도가 거의 2배에 달합니다. 또 기존 2㎚ 공정과 비교해 성능은 최대 50% 높이면서도 에너지 효율은 70%까지 끌어올렸다는 게 IBM의 설명입니다. 그리고 고대역폭을 요구하는 AI 워크로드에 유리하도록 SRAM(정적 랜덤 액세스 메모리) 밀도를 40% 정도 더 높였습니다. 실제 회로에서 0.7㎚인 부분은 없어도 0.7㎚ 공정이 반도체 기술의 혁신인 이유입니다. 참고로 IBM은 2014년 15억 달러를 주고 글로벌 파운드리에 반도체 생산 시설을 매각한 상태입니다. 그럼에도 과거 반도체를 포함해 IT 산업 전반에 지대한 영향력을 끼친 기업으로 각종 특허가 많기 때문에 여기서 나오는 라이선스 수입이 적지 않습니다. 반도체 생산 시설을 매각한 후에도 IBM은 최첨단 반도체 공정 기술을 계속 개발하고 있으며 주요 반도체 생산 기업들에게 도움을 주고 있습니다. 다만 0.7㎚ 공정의 상용화까지는 넘어야 할 산이 많습니다. 현재 이 기술은 기능적 CMOS 인버터 등을 통해 실험적 검증을 마친 단계로, 실제 양산에 적용되기까지는 최소 5년 정도의 시간이 소요될 전망하고 있습니다. 단순히 샘플을 제작하는 것이 아니라 웨이퍼를 대량 생산하기 위해서는 적합한 신소재 발굴부터 새로운 리소그래피(노광) 장비 설계, 그리고 대규모 생산 라인 구축에 이르기까지 방대한 공정 최적화 과정이 필수적이기 때문입니다. 이번 연구 결과는 반도체 업계가 1㎚의 벽을 뚫을 수 있다는 점과 함께 이제 물리적 한계가 다가오고 있다는 점 역시 같이 보여주고 있습니다. 지금도 회로 선폭이 너무 좁아서 트랜지스터의 안정적인 작동을 보장하기 어려운데, 실리콘 원자 15개 이하에서는 더 힘들 것이고 나중에는 원자 몇 개 정도만 남을 수 있기 때문입니다. 따라서 양자 컴퓨터처럼 완전히 다른 형태의 컴퓨터나 혹은 실제 뇌를 모방한 뉴로모픽 칩 같이 새로운 시도가 이어지고 있습니다. 점점 원자의 물리적 한계에 도달하고 있는 시대에 미래 반도체와 IT 산업이 어떻게 변모할지 주목됩니다.

연산 성능 50%·전력 효율 70% 향상수직으로 쌓아… 5년 뒤 양산 전망삼성 등 파운드리 시장 ‘3파전’ 변수 미국 정보기술(IT) 기업 IBM이 세계 최초로 1㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 반도체 공정 기술을 공개했다. 상용화에 성공하면 인공지능(AI) 확산으로 늘어난 연산 수요를 충족하고 전력 효율을 끌어올릴 수 있어 글로벌 반도체 패권 경쟁에 새로운 변수가 될 것으로 전망된다. IBM은 25일(현지 시간) 세계 최초의 ‘1나노 이하’ 칩 기술인 0.7나노(7옹스트롬) 공정 ‘나노스택’ 아키텍처를 개발했다고 밝혔다. 반도체 공정에서 나노는 공정의 미세함을 나타내는 단위로, 숫자가 작을수록 더 정교한 공정을 뜻한다. 나노스택 아키텍처는 평면에 트랜지스터 소자를 최대한 촘촘하게 배열해 미세화를 진행해 온 기존 반도체 업계의 방식에서 벗어나, 소자를 수직 방향으로 엇갈리게 쌓아 올리는 적층 공법을 적용한 것이 특징이다. IBM은 이 기술을 활용하면 손톱 크기 칩에 트랜지스터 1000억 개를 채워 넣을 수 있다고 소개했다. 이는 2021년 발표한 기존 2나노 칩보다 밀도가 두 배가량 높아진 수준이다. 이를 통해 칩의 연산 성능을 50% 높이거나 전력 효율을 최대 70%까지 끌어올릴 수 있다는 게 IBM의 설명이다. 또 칩 내부 메모리인 S램의 공간 효율도 40% 향상돼 고대역폭을 요구하는 AI 반도체 설계에도 유리할 것으로 전망된다. 후이밍 부 IBM 리서치 반도체 글로벌 연구개발(R＆D) 총괄 부사장은 “AI 컴퓨팅 시대에는 모두가 더 높은 성능을 원하지만, 폭증하는 전력 비용까지 감당하고 싶어 하지는 않는다”며 “이번 기술은 성능을 높이는 동시에 전력 부담을 줄일 수 있다는 점에서 AI에 중요한 의미가 있다”고 강조했다. IBM은 이번 기술이 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 등 다양한 반도체에 적용할 수 있는 범용 기술이라고 밝혔다. 이어 실제 생산 시기를 이르면 5년 뒤로 전망했다. 다만 양산까지는 기술적으로 넘어야 할 과제가 적지 않아 더 많은 시간이 걸릴 수 있다는 관측도 나온다. 이번 기술 공개는 TSMC와 삼성전자, 인텔의 3파전 양상으로 전개되고 있는 파운드리(위탁 생산) 시장에도 새로운 변수로 작용할 전망이다. IBM은 일본 파운드리 업체 라피더스와 협력 관계를 맺고 있으며, 현재 라피더스에 2나노 생산 기술을 이전하고 있다. 다만 이번 발표에서 구체적인 상용화 파트너를 공개하지는 않았다.

소재·부품 경쟁력 앞세워 존재감 부각 변기를 만드는 회사가 AI 반도체에 800억엔(약 7600억원)을 투자합니다. 일본 대표 위생도기 업체 TOTO 이야기입니다. 반도체 회사도 아닌 곳이 왜 이런 투자를 하는 걸까요. 답은 변기에 있습니다. TOTO는 변기와 세면대를 만들며 오랫동안 고순도 세라믹 기술을 발전시켜 왔습니다. 고온에서도 변형이 적고 불순물이 거의 없는 이 기술은 반도체 웨이퍼를 고정하는 핵심 부품인 정전척(ESC) 생산으로 이어졌습니다. 인공지능(AI) 데이터센터 건설 경쟁이 본격화되면서 정전척 수요도 빠르게 늘고 있습니다. 이에 TOTO는 향후 5년간 반도체 제조장비용 부품 사업에 800억 엔을 투자하고 차세대 1나노급 공정에 필요한 부품 개발에도 나선다고 합니다. 실적을 보면 이유가 더 분명해집니다. 22일 니혼게이자이신문에 따르면 반도체 관련 부품을 담당하는 TOTO의 신사업 부문은 지난해 매출 674억엔, 영업이익 289억엔을 기록했습니다. 매출 비중은 10% 수준이지만 영업이익 기여도는 절반을 넘습니다. 반도체 부품이 이제는 회사의 수익을 떠받치는 핵심 사업으로 성장한 겁니다. TOTO만의 이야기가 아닙니다. 한국에서 ‘미원’으로 익숙한 일본 최대 식품 기업 아지노모토는 AI 반도체 패키지용 핵심 절연 소재인 ABF(Ajinomoto Build-up Film) 분야의 사실상 독점 기업입니다. 회사 이름을 딴 제품명이 업계 표준처럼 통용될 정도입니다. 비오레와 어택으로 유명한 생활용품 업체 카오는 반도체 공정용 초정밀 세정제를 생산하고 크레파스를 만드는 사쿠라크레파스는 생산 현장에서 사용하는 산업용 특수 마커를 공급합니다. 조미료 회사와 세제 회사, 크레파스 회사가 AI 공급망의 한 축을 담당하고 있는 셈입니다. 일본은 오랫동안 소재·부품·장비 산업에 강점을 가진 나라였습니다. 스마트폰과 TV 시장에서는 한국과 중국에 밀렸지만 제품을 만드는 데 필요한 소재와 부품 분야에서는 경쟁력을 유지해 왔습니다. AI 시대가 되면서 이런 강점이 다시 주목받고 있습니다. 조미료를 연구하며 쌓은 화학 기술은 반도체 소재가 됐고, 변기를 만들며 발전시킨 세라믹 기술은 반도체 부품이 됐습니다. 세정 기술은 반도체 공정으로, 필기 기술은 산업용 마커로 확장됐습니다. AI 산업의 주인공은 엔비디아와 TSMC일지 모릅니다. 하지만 AI 반도체 공장의 한쪽에서는 지금 조미료 회사가 만든 소재와 변기 회사가 만든 세라믹 부품, 세제 회사가 만든 화학제품이 함께 움직이고 있습니다. AI 시대 일본 제조업의 저력이 뜻밖의 곳에서 다시 빛나고 있습니다. ‘와쿠와쿠’(わくわく)는 일본어 의성어로, 무언가 즐거운 일이 생길 것 같아 들뜨고 기대되는 느낌을 표현할 때 쓰입니다. 도쿄에서 보고, 듣고, 느낀 일본의 아기자기하면서도 역동적인 현장을 연재합니다. 화려한 뉴스의 이면, 숫자로는 보이지 않는 흐름 속에서 일본의 또 다른 표정을 전합니다.

드라이클리닝에 주로 사용되는 화학물질이 간 손상 위험을 3배나 높이고, 나아가 암과 간부전까지 유발할 수 있다는 연구 결과가 나왔다. 12일(현지시간) 데일리메일에 따르면 미국 서던캘리포니아대 연구팀은 국제학술지 ‘리버 인터내셔널’에 발표한 최근 논문에서 이렇게 밝혔다. 문제가 된 물질은 ‘퍼클로로에틸렌’(PCE)이다. 이 화학물질은 드라이클리닝 용제로 주로 쓰이며, 공업용 금속 세척제로도 사용된다. 연구진은 2017년부터 2020년까지 미국 국민건강영양조사에 참여한 성인 1614명의 건강 데이터를 분석했다. 참가자들의 혈액 내 PCE 수치를 측정하고, 이후 간 손상이 발생한 사례를 추적했다. 연구 결과 81명의 참가자에게서 혈액 내 PCE가 검출됐다. 이들은 PCE에 노출되지 않은 사람들에 비해 치명적인 간 손상을 겪을 확률이 3배나 높았다. EPA, 10년 내 단계적 사용 금지앞서 미국 환경보호청(EPA)은 지난해 PCE가 암과 각종 심각한 건강 문제를 일으킨다는 사실이 밝혀지자 향후 10년간 단계적으로 사용을 금지하는 최종 규정을 발표한 바 있다. PCE는 이미 ‘발암 가능 물질’로도 분류돼 있다. PCE 노출로 생기는 질환은 의학적으로 ‘대사기능장애 관련 지방간 질환’(MASLD)이라 불린다. 이전에는 ‘비알코올성 지방간 질환’으로 알려졌던 이 병은 간에 지방이 쌓여 염증을 일으키는 흔한 간 질환이다. 시간이 지나면서 이 염증은 간에 상처를 남기는데, 이를 ‘섬유증’이라 한다. 섬유증이 진행되면 결국 간경화나 간부전, 암으로 이어질 수 있다. 이번 연구를 이끈 서던캘리포니아대의 브라이언 리 박사는 간 이식 전후 환자를 치료하는 이식 간 전문의다. 그는 “간 섬유증은 간 질환으로 인한 질병과 사망을 예측하는 가장 중요한 지표”라며 “섬유증이 많을수록 간 질환으로 사망할 가능성이 커진다”라고 설명했다. PCE 농도 높을수록 섬유증 위험↑연구진은 혈액 내 PCE 농도가 밀리리터당 1나노그램 증가할 때마다 심각한 간 섬유증 발생 확률이 5배나 높아진다는 사실도 발견했다. 리 박사는 “이는 PCE와 간 섬유증 사이에 용량 반응 관계가 있다는 점을 보여준다”라며 “단순한 상관관계를 넘어 PCE가 실제로 간 섬유증을 유발한다는 가능성을 뒷받침한다”라고 설명했다. 연구진은 이번 연구 결과가 간 질환 위험이 있는 사람들을 조기에 찾아내는 검진 전략 수립에 도움이 되기를 바라고 있다. 리 박사는 “의사들은 환자에게 환경 유해 물질 노출 가능성에 관해 물어봐야 하고, 정책 입안자들은 국민을 환경 독성물질로부터 보호하는 정책을 만들어야 한다”라고 촉구했다.

서울특별시의회 문성호 의원(국민의힘·서대문2)이 전국장애인차별철폐연대(이하 전장연)가 시청역 불법점거와 같은 선전전을 연이어 진행해 서울시민의 교통권을 심각하게 침해한 사실에 덧붙여 서울교통공사 직원들에게 가해진 폭력행위에 대해 규탄함을 담아 일벌백계하고자 전장연 박경석 상임공동대표와 이규식, 이형숙 공동대표를 철도안전법 및 형법 위반을 근거로 서울경찰청에 고발 조치했음을 전했다. 문 원은 전장연이 연이은 시청역 점거에 강경 대응을 예고한 바 있으며, 이에 대한 두 번째 대응으로 열차 운행을 방해하거나 지장을 초래하는 행위, 역사 점거와 같이 시민의 교통편의와 안전을 현저히 방해하는 행위에 대해 철도안전법 제48조(철도 보호 및 질서유지를 위한 금지행위), 동법 제49조(철도종사자의 직무상 지시 준수), 동법 제50조(퇴거조치), 형법 제186조(기차 등의 교통방해), 동법 제314조(업무방해) 위반으로 고발하며, 덧붙여 이를 제재하고 시민을 보호하고자 한 서울교통공사 직원(지하철보안관)들에게 행해진 폭력행위에 대해 형법 제260조(폭행) 및 지속적인 폭력행위를 방조하였기에 동법 제32조(종범) 등 법적 근거에 의거 서울경찰청에 고발 조치했음을 전했다. 문 의원은 “전장연이 무고한 시민에게 행하는 교통권 침해와 서울교통공사 직원들을 향한 폭력행위는 절대로 정당화될 수 없다. 서울시민은 물론 서울교통공사 직원들에게 눈물 한 방울이라도 흘리게 하거나 단 1나노미터의 상처라도 낸다면 지옥 끝까지 쫓아가서라도 합당한 책임을 물을 것”이라며 본 고발의 취지를 설명했다. 또한 문 의원은 “지하철 역사에서 집회 시위를 개시하고 열차 운행을 방해하는 것이 명백한 불법 행위라고 그렇게 친절히 현장까지 찾아가 설명을 해줬는데도 알아듣지 못한다면 형사를 통해 배워가는 것이 답이다. 또한 전장연 회원들은 물론 비장애인 활동가들이 우리 서울교통공사 직원들에게 가한 폭언과 폭력행위는 처벌받아야 마땅하며, 특히 공동대표라는 직함을 달고도 그러한 불법점거를 연이어 계획함과 동시에 회원들의 폭언 폭력행위를 막지 않고 방조하는 자들은 자신들의 책임감 결여에 있어 더욱 깊은 반성의 계기가 되기를”이라며 강도 높은 비판을 덧붙였다. 문 의원은 민주노동당 대통령 후보 권영국 후보의 선거사무원도 공직선거법 위반 혐의로 고발했는데, “공직선거법에서는 지하철역 구내에서의 연설을 분명하게 금지하고 있는데도 불구하고 버젓이 선거사무원복을 입고 확성장치를 사용해 본인이 속한 권영국 대통령 후보의 지지를 호소하며 타 후보인 이준석 대통령 후보를 향해서는 ‘장애인 혐오 정치인’이라는 악성 프레이밍을 씌워 비방하는 행태를 보고 명백한 공직선거법 위반이라 판단했다”며 고발 취지를 밝혔으며, “진정한 장애인 권리를 위해 정치를 하겠다면 이딴 불법 시위 현장을 옹호하지 말고 올바른 방식으로 목소리를 낼 수 있도록 선도하는 것이 마땅하다. 장애인들을 선동하여 정치적 이득을 챙기려 하지 말고 올바른 정치를 하기 바란다”며 강도 높은 비판을 가한 것으로 알려졌다. 한편, 문 의원은 “거듭 말하지만, 열차 내부와 역사 내 승강장에서 소란 및 집단행동을 강행하여 운행에 차질을 주고 직원을 폭행한 사실에 대해 규탄하고 고발 조치를 하는 것은 ‘전장연이어서’가 아니라 ‘전장연이 그러한 행위를 행해서’다. 전장연이 아니라 비장애인 그 어느 단체가 똑같은 행위를 저지르면 본 의원은 마찬가지로 고발 조치할 것이다”라며 전장연의 지하철, 역사 무단 점거와 운행방해 행위의 근본적 문제점을 지속해서 꼬집었다. 전철역 및 전철 내 무질서 행위 신고는 ‘또타’ 앱을 통하여 쉽고 간편하게 모든 시민이 함께 참여할 수 있다.

도시 생활을 유지하기 위해 의식주와 에너지는 필수적이며, 이 과정에서 폐기물 발생은 불가피하다. 그렇다면 이러한 최종 산물인 폐기물을 어떻게 활용해야 할 것인가. 2024년 환경부 자료에 따르면 우리나라 연간 생활폐기물 1669만t 중 58.7%는 재활용, 29.8%는 소각, 10.6%는 직매립되고 있다. 하지만 2026년 수도권을 시작으로 2030년 전국적으로 직매립이 금지될 예정이다. 소각 방식은 폐기물 부피를 95%, 무게를 83%까지 줄이며 매립 부담을 줄일 수 있다. 또한 발생하는 열에너지는 전기와 난방에 활용 가능해 자원순환 효과를 극대화한다. 스위스, 독일 등 선진국들도 소각과 재활용을 적극 활용해 매립률을 1% 미만으로 유지하고 있다. 그럼에도 소각시설에 대한 주민 반대는 여전하다. 서울시가 한국리서치에 의뢰해 실시한 설문조사(만 18세 이상 서울시민 1500명 대상) 결과에 따르면 반대 이유로 건강 피해(52.0%), 악취와 운반차량 오염(각 11.9%) 등이 꼽혔다. 이는 소각시설이 환경과 건강에 미치는 영향에 대한 불안감을 반영한다. 그러나 실제로 소각시설은 환경상 안전성을 확보하고 있다. 법에 따라 3년마다 주변 환경영향을 조사·공개해야 하며 서울시 4개 소각시설의 경우 대기질, 수질, 소음 모두 법적 기준을 충족했다. 대기질 조사에서 시설 인근 미세먼지 평균 농도(32.3㎍/㎥)는 서울시 전체 평균(32.8㎍/㎥)과 유사한 수준이었으며 시설 가동 여부와 대기질 사이의 유의미한 상관관계는 확인되지 않았다. 소각시설에서 가장 우려되는 다이옥신 배출농도는 평균 0.001ng-TEQ/S㎥(1㎥당 0.001나노그램)로, 법적 허용 기준치(0.1ng-TEQ/S㎥)의 1% 수준에 불과하며 이는 담배 1개비를 태울 때 나오는 다이옥신 농도(0.09ng-TEQ/S㎥)보다 낮다. 한편 서울시는 연세대 환경공해연구소에 의뢰해 인근 주민 건강영향 조사를 20년 이상 진행해 왔으며 이상 징후는 발견되지 않았다. 이를 통해 소각시설이 환경과 건강에 미치는 영향이 매우 미미하다는 것이 과학적으로 확인되고 있다. 이러한 결과는 최신 소각 방식이 전기집진장치, 습식세정장치, 반건식반응탑 등 첨단 대기오염 방지시설을 통해 오염물질을 효과적으로 제어하고 있기 때문으로 볼 수 있다. 특히 굴뚝자동측정시스템을 통해 환경오염물질 배출 상태를 24시간 실시간으로 측정하며 한국환경공단으로 측정 데이터가 자동 전송돼 상시 감시 체계가 유지 또는 공개되고 있다. 필요한 것은 대기오염 방지시설 정상가동을 모니터링해 공개하는 일이다. 또 사전 견학을 신청하면 지역주민 등은 물론 모든 시민이 확인할 수 있도록 개방해야 한다. 소각시설은 폐기물 처리를 위해 필수적이며 최신 기술과 법적 제도를 통해 충분히 안전하게 운영될 수 있다. 다만 행정기관은 주민 신뢰를 얻기 위해 더 적극적으로 노력해야 한다. 환경영향 조사 결과에 대한 신뢰도를 높이기 위해 한국환경보건학회, 한국대기환경학회 등 공인 기관을 통한 교차 검증을 실시하고 조사 결과를 쉽게 열람할 수 있도록 접근성을 높이는 방안도 적극 검토할 필요가 있다. 또한 주민 대상 설명회를 정기적으로 개최하는 등 투명성 강화를 위해 노력해야 한다. 이러한 노력이 뒷받침된다면 소각시설에 대한 불필요한 오해를 해소하고 보다 안정적인 폐기물 처리가 가능할 것이다. 정권 건국대 사회환경공학부 교수

일본 정부가 반도체와 인공지능(AI) 분야에 2030년까지 10조엔(약 91조원)의 공적 자금을 투입한다. 미중 갈등 속 각국이 반도체 산업의 기간산업화를 목표로 경쟁적인 지원책을 펼치고 있는 가운데 이에 뒤처지지 않고 국제 경쟁력을 확보하기 위해 속도를 내겠단 의도다. 이시바 시게루 내각이 내건 지방경제 활성화와 연결하려는 목적도 읽힌다. 지난 11일 밤 2기 내각을 발족한 이시바 일본 총리는 기자회견에서 “향후 10년간 50조엔을 넘는 관민 투자를 끌어내기 위해 새 지원 프레임을 책정한다”며 이렇게 말했다. 새 지원 계획에 따른 경제 파급 효과는 160조엔(1440조원)으로 전망했다. ‘AI·반도체 산업 기반 강화 프레임’이라는 이름의 지원 계획은 이달 중 정리할 경제 대책에 포함될 예정이다. 지원 방식으로는 보조금과 정부 기관을 통한 출자, 민간 융자에 대한 채무 보증 등이 거론되고 있다. 니혼게이자이신문 등 일본 매체들은 최첨단 반도체 양산을 목표로 하고 있는 기업 ‘라피더스’를 염두에 둔 것이라고 12일 보도했다. 라피더스는 도요타자동차, 소니그룹 등 8개사가 출자해 2022년 설립한 회사로, 미국 IBM의 기술 협력을 받아 2027년 2나노미터(㎚·1나노는 10억분의1m) 제품 양산을 준비하고 있다. 사실상 ‘국책 파운드리(위탁생산) 회사’로 일본 정부는 라피더스에 최근까지 9200억엔(8조 3000억원)을 지원했다. 라피더스는 현재 홋카이도 지토세에 공장을 짓고 있다.  2월 완공 예정이다. 고이케 아쓰요시 라피더스 사장은 지난 7일 기자회견에서 “12월부터 제조 장치의 반입을 시작해 내년 4월 라인을 가동할 예정”이라며 “단 하루의 지연도 없다”고 자신감을 보였다. 다만 돌아온 도널드 트럼프 2기 행정부가 반도체 등 각종 첨단 기술 분야에서 반중 정책을 강화할 가능성이 커지면서 일본 정부의 고민도 깊어지고 있다. 반도체 업계는 라피더스 제품의 중국 판매망이 막힐 경우 첨단 반도체 시장에 안착하기 쉽지 않을 것이라고 보고 있다. 라피더스는 판매처 용도에 따라 반도체를 설계 단계부터 공동 개발하는 게 특징인데 처음부터 파운드리 큰손인 애플, 아마존 등과 손잡기는 쉽지 않을 것이란 진단이다. 이에 일각에서는 일본이 미중 사이에서 줄타기에 나서게 될지도 모른다는 전망이 조심스럽게 제기된다.

일본 정부가 반도체와 인공지능(AI) 분야에 2030년까지 10조엔(약 91조원)의 공적 자금을 투입한다. 미중 갈등 속 각국이 반도체 산업의 기간산업화를 목표로 경쟁적인 지원책을 펼치고 있는 가운데 이에 뒤처지지 않고 국제 경쟁력을 확보하기 위해 속도를 내겠단 의도다. 이시바 시게루 내각이 내건 지방경제 활성화와 연결하려는 목적도 읽힌다. 지난 11일 밤 2기 내각을 발족한 이시바 일본 총리는 기자회견에서 “향후 10년간 50조엔을 넘는 관민 투자를 끌어내기 위해 새 지원 프레임을 책정한다”며 이렇게 말했다. 새 지원 계획에 따른 경제 파급 효과는 160조엔(1440조원)으로 전망했다. ‘AI·반도체 산업 기반 강화 프레임’이라는 이름의 지원 계획은 이달 중 정리할 경제 대책에 포함될 예정이다. 지원 방식으로는 보조금과 정부 기관을 통한 출자, 민간 융자에 대한 채무 보증 등이 거론되고 있다. 니혼게이자이신문 등 일본 매체들은 최첨단 반도체 양산을 목표로 하고 있는 기업 ‘라피더스’를 염두에 둔 것이라고 12일 보도했다. 라피더스는 도요타자동차, 소니그룹 등 8개사가 출자해 2022년 설립한 회사로, 미국 IBM의 기술 협력을 받아 2027년 2나노미터(㎚·1나노는 10억분의1) 제품 양산을 준비하고 있다. 사실상 ‘국책 파운드리(위탁생산) 회사’로 일본 정부는 라피더스에 최근까지 9200억엔(8조 3000억원)을 지원했다. 라피더스는 현재 홋카이도 지토세에 공장을 짓고 있다. 공장은 2월 완공 예정이다. 고이케 아쓰요시 라피더스 사장은 지난 7일 기자회견에서 “12월부터 제조 장치의 반입을 시작해 내년 4월 라인을 가동할 예정”이라며 “단 하루의 지연도 없다”고 자신감을 보였다. 다만 돌아온 도널드 트럼프 2기 행정부가 반도체 등 각종 첨단 기술 분야에서 반중 정책을 강화할 가능성이 커지면서 일본 정부의 고민도 깊어지고 있다. 반도체 업계는 라피더스 제품의 중국 판매망이 막힐 경우 첨단 반도체 시장에 안착하기 쉽지 않을 것이라고 보고 있다. 라피더스는 판매처 용도에 따라 반도체를 설계 단계부터 공동 개발하는 게 특징인데 처음부터 파운드리 큰손인 애플, 아마존 등과 손잡기는 쉽지 않을 것이란 진단이다. 이에 일각에서는 일본이 미중 사이에서 줄타기에 나서게 될지도 모른다는 전망이 조심스럽게 제기된다. 일본의 대중국 반도체 장비 수출액은 지난 8월 기준 1799억엔(1조 6800억원)이었다. 이는 전월보다 61.6% 급증한 규모다.

과거 반도체 제왕으로 불렸던 미국 기업 인텔이 파운드리(위탁생산) 1.8나노(18A) 공정에 난항을 겪고 있다는 외신 보도가 나왔다. 로이터통신은 4일(현지시간) 소식통의 말을 인용해 “인텔이 브로드컴의 반도체 제조 테스트에서 실패했다”고 전했다. 반도체 설계 회사인 브로드컴은 자체 칩 설계도를 보내 인텔의 최첨단 1.8나노 공정 등을 테스트했고, 그 결과 인텔의 1.8나노 제조 공정이 아직 대량생산으로 전환할 수 없다는 결론을 내렸다고 소식통은 전했다. 브로드컴은 “우리는 인텔 파운드리의 제품 및 서비스를 평가하고 있지만 아직 마무리하지 않았다”고 말했다고 로이터는 보도했다. 앞서 인텔은 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언했다. 지난해 대만 TSMC와 삼성전자가 양산 중인 3나노보다 앞선 공정인 1.8나노 시제품을 공개하면서 업계를 깜짝 놀라게 했다. 인텔은 한 발 더 나아가 올해 연말 18A 공정 양산에 착수하겠다고 밝혔다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 지난달 실적 발표 후 “올해 말까지 1.8나노 공정을 통해 자체 반도체를 제조하도록 준비하고 있다. 내년부터 외부 고객을 위한 대량 생산을 시작할 계획”이라고 말했다. 인텔 계획대로라면 내년에 각각 2나노 공정에 들어가는 TSMC나 삼성전자보다 빨리 1나노대에 진입하는 셈이다. 그러나 삼성전자를 추격할 비장의 무기인 1.8나노 공정 난항 소식에 인텔 주가는 이날 뉴욕 증시에서 직전 거래일보다 3.33% 하락한 19.43달러에 장 마감했다. 파운드리 시장은 여전히 TSMC의 독주 체제가 이어지고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 2분기 시장 점유율은 62.3%로 직전 분기보다 0.6%포인트 상승했다. 삼성전자의 2분기 시장 점유율도 11.5%로 직전 분기 대비 0.5%포인트 올랐지만 TSMC와의 격차를 좁히진 못했다. 인텔은 아직 상위권이 아니다. 중국 SMIC(5.7%), 대만 UMC(5.3%), 미국 글로벌파운드리(4.9%), 중국 화홍그룹(2.1%)이 TSMC와 삼성전자 뒤를 잇고 있다.

반도체 위탁생산(파운드리) 1위 업체인 대만 TSMC의 일본 규슈 구마모토현 제1공장 개소식이 24일 열린다. TSMC는 2027년까지 제2공장도 완공해 매달 10만장 이상의 반도체를 양산한다는 계획이다. 미국 반도체 기업 인텔도 올해 연말부터 1.8나노(㎚·10억분의 1m) 공정(18A)의 양산에 들어간다. TSMC를 따라잡겠다는 야심찬 목표를 세운 삼성전자는 미 정부·빅테크(대형기술기업)의 지원을 등에 업은 인텔의 추격도 따돌려야 한다. 팹리스(반도체 설계전문 기업) 고객을 유치하기 위한 불꽃 튀는 반도체 ‘나노 경쟁’도 새 국면에 접어들었다.●TSMC, 日 1공장 개소…대만에도 최첨단 공장 구마모토현 농촌 마을인 기쿠요마치(菊陽町)의 약 21만㎡ 부지에 들어선 1공장은 클린룸이 들어서는 FAB동과 오피스동, 가스 저장시설 등으로 구성된다. 반도체 제조 공정에 필수인 클린룸은 4만 5000㎡ 크기다. 반도체 산업 부활을 노리는 일본 정부의 지원 정책도 눈여겨 볼 부분이다. 앞서 일본 정부는 제1공장에 4760억엔(약 4조 2000억원)을 투자하기로 결정했다. 2027년 말 가동을 목표로 구마모토현에 들어서는 제2공장에는 약 7300억엔(약 6조 5000억원)을 지원할 것이란 일본 언론 보도(교도통신)도 있었다. 보도가 현실화된다면 1공장과 2공장에 대한 일본 정부 지원금만 10조원이 넘는 셈이다. 제1공장 운영은 ‘일본첨단반도체제조’를 뜻하는 JASM이 맡는다. 대주주인 TSMC 이외에 소니, 덴소 등 일본 기업도 출자에 참여했다. 1공장에서는 12∼28나노 공정의 제품을 한 달에 약 5만 5000장(300㎜ 웨이퍼 환산 기준) 생산할 예정인데 제조 장치의 반입, 설치 등 남은 작업을 고려하면 올해 안에는 양산을 할 수 있을 것으로 보인다. 2공장에선 6~7나노 공정 반도체가 양산할 예정이다. 반도체 회로 선폭을 의미하는 나노는 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. TSMC는 대만 중부 타이중 과학단지와 남서부 타이바오에 최첨단 반도체 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 대만 언론에 따르면 TSMC는 타이중에 1나노 혹은 1.4나노 공정 반도체 공장, 타이바오에는 1나노 공정 제품을 생산할 공장을 각각 착공할 계획이다. 대만 행정원도 경쟁력 강화 차원에서 대만판 실리콘밸리를 조성한다. 대만 북서부에 위치한 타오위안·신주·먀오리에 16㎢에 달하는 과학단지용 부지를 마련하고, 2027년까지 4년간 1000억 대만달러(약 4조 2000억원) 이상의 공사비를 투입한다는 게 핵심이다.●인텔, 올해 1.8나노 공정 양산…2030년 2위 목표 파운드리 후발 주자인 인텔도 지난 21일(현지시간) ‘파운드리 전략 발표 IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트’ 행사에서 “2030년까지 세계에서 두 번째로 큰 반도체 파운드리 기업을 목표로 하고 있다”며 2위 삼성전자에 도전장을 냈다. 1.8나노 공정 양산 계획도 내년에서 올해로 1년 앞당겼다. 상위 두 업체인 TSMC(시장점유율 57.9%, 지난해 3분기 기준)와 삼성전자(12.4%)는 내년 2나노급 공정 양산을 목표로 하고 있는데 인텔이 이 두 업체를 앞지르겠다는 것이다. 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입하겠다는 계획도 밝혔다. TSMC와 삼성전자도 2027년 1.4나노 공정 상용화를 목표로 하고 있다. 현재 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 3나노를 생산하지 않는 인텔이 역전을 노릴 수 있을지에 대해선 회의적 시각도 있다. 그러나 미 정부의 파격 지원이 단숨에 시장의 판도를 바꿀 수 있다는 전망도 나온다. 블룸버그 통신에 따르면 미 정부는 반도체법에 따른 보조금 등으로 인텔에 100억 달러(약 13조 3550억원)가 넘는 금액을 지원하는 방안을 인텔과 논의 중이다. 마이크로소프트(MS)도 인텔의 든든한 지원군 역할을 할 것으로 보인다. 인텔의 1.8나노 공정에서도 MS 칩이 생산될 예정이다. 구체적인 칩 종류는 알려지지 않았지만 MS가 지난해 발표한 AI 칩(마이아)을 생산하지 않겠느냐는 관측이 나왔다. 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 “우크라이나·이스라엘 사례에서 알 수 있듯 지정학적 위기를 극복하려면 동아시아에 80%가량 쏠려있는 반도체 공급망을 북미와 유럽으로 재배치해야 한다”며 가장 안정적이고 탄력적인 생산망을 지닌 파운드리는 인텔이라고 자평했다.●삼성 파운드리 분사?…“반도체 3개 사업 시너지 총력” 삼성전자는 2019년 4월 시스템 반도체(파운드리·시스템LSI 사업) 분야에 133조원을 투자해 2030년까지 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 내놓았다. 3년 뒤인 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 공정 기반의 양산을 시작했다. 최근 영국 반도체 설계업체 Arm의 설계 자산(IP)을 GAA 공정에 적용하기 위해 Arm과 협력 관계를 강화했다. 삼성전자는 GAA 공정 수율 확보가 경쟁사와의 기술 격차를 좁히는 승부처로 보고 있다. TSMC와 인텔도 막대한 자금을 투입하고 기술력을 높이는 상황에서 삼성전자 파운드리 사업이 자체 경쟁력을 키우려면 현재 사업부 차원의 조직으로는 한계가 있다는 지적도 있다. 아예 분사를 시켜 ‘홀로서기’를 하는 게 장기적으로 고객사 확보에 도움이 된다는 것이다. 막대한 설비투자 자금 조달을 위해 분사 후 미 증시에 상장하는 방안도 대안으로 거론된다. 그러나 반도체 설계를 담당하는 시스템반도체, 파운드리, 메모리사업을 모두 수행하면서 시너지를 내는 데 총력을 기울이는 삼성전자로서는 분사를 결정하는 게 쉽지 않을 것이란 의견도 만만치 않다. 수년 뒤 반도체 시장을 내다보고 과감한 투자를 해야 하는 현 시점에서 이재용 삼성전자 회장이 어떤 결단을 내릴지 주목된다.

우리나라와 네덜란드가 반도체동맹을 공식화했다. 네덜란드를 국빈 방문 중인 윤석열 대통령은 마르크 뤼터 총리와 정상회담을 가진 뒤 ‘반도체동맹’이란 표현이 정식 명기된 양국 공동성명을 발표했다. 최첨단 반도체 공정을 향한 글로벌 경쟁이 격화되는 가운데 제조와 장비 분야의 선두주자인 두 나라가 그간의 반도체 협력을 동맹으로 격상시킨 것은 상징적인 의미 이상을 지닌다고 할 것이다. 세계 반도체 시장의 화두는 2나노미터(1나노미터=10억분의1미터)다. 양산 기술은 3나노까지 와 있다. 이 분야 강자는 삼성전자이지만 2나노에서는 대만 TSMC가 조금 앞서 있다. 삼성과 TSMC 모두 양산 목표는 2025년이다. 그런데 TSMC가 얼마 전 시제품을 만들었다는 말이 들린다. 최첨단 공정에 없어서는 안 될 장비가 극자외선(EUV) 노광장비다. 세계에서 유일하게 이 장비를 만드는 회사가 네덜란드의 간판 기업 ASML이다. 이번 반도체동맹 핵심인 ASML과의 협력 강화는 2나노 경쟁에서 대만을 따라잡을 여건을 다졌다는 점에서 매우 반갑다. 윤 대통령에게 “심장을 열어 보였다”는 클린룸이 2나노 공정에 투입될 차세대 EUV 장비가 있는 곳이다. 두 나라는 공급망 위기 때 우선 공조한다는 데도 합의했다. 더욱 고무적인 것은 반도체 인재 양성과 미래기술 개발에도 손을 잡았다는 점이다. ‘컨설팅 강자’ 매킨지는 한국을 향해 “끓는 냄비에서 개구리를 꺼낼 시간”이라며 강점인 반도체, 모빌리티도 원천기술에 기반한 신사업으로 전환해야 한다고 충고했다. 한국 반도체산업의 종합 경쟁력이 미국, 대만, 일본, 중국에 이어 5위라는 냉정한 평가가 나온 게 벌써 지난해다. 네덜란드와의 반도체 대화체 신설을 십분 활용해 우리가 취약한 장비·소재 노하우를 전수받는 데도 힘을 쏟기 바란다.

글로벌, 초미세 공정 전쟁 격화 속민관합동 차세대 공정장비 러브콜파운드리 1위 TSMC 잡을 기회로양국 기술 협력 등 MOU 3건 체결한국에 1조 투입 R&D센터 설립 12일(현지시간) 윤석열 대통령의 세계적인 반도체 장비 회사 ASML 방문은 글로벌 ‘반도체 거인’들의 초미세 공정 경쟁이 격화되는 가운데 우리 기업의 ‘퍼스트 무버’ 전환에 힘을 싣기 위한 행보로 풀이된다. 이날 일정에는 이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장 등 주요 재계 총수들이 동행하며 업계 ‘슈퍼 을(乙)’로 불리는 ASML에 민관이 함께 러브콜을 보냈다. 윤 대통령은 이날 빌럼 알렉산더르 네덜란드 국왕과 함께 펠트호번 소재 ASML 본사를 찾아 양국 정상의 동반 방문을 기념하는 문구가 새겨진 웨이퍼에 서명하고 양국 주요 반도체 기업 간담회에 참석했다. 우리 측에서는 이 회장과 최 회장이, 네덜란드 측에서는 ASML과 원자층증착(ALD) 장비 기업인 ASM의 최고경영자(CEO) 등이 동석했다. 이어 윤 대통령은 양국 정부·기업 간 양해각서(MOU) 체결식에 임석한 후 페터르 베닝크 ASML CEO 등과 함께 ‘클린룸’(청정실)을 시찰했다. 서명된 웨이퍼는 본사 클린룸에 전시됐다. 윤 대통령은 그간 네덜란드의 반도체 기업들이 한국의 생산·연구개발(R&D)·인재 양성 시설 등에 대한 투자를 확대해 온 것에 감사를 표했다. ASML은 윤 대통령에게 2나노 이하 최첨단 반도체 생산에 투입되는 차세대 극자외선(EUV) 장비 시설을 처음 공개했다. 삼성전자와 대만 TSMC 등이 치열하게 격돌하는 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서 ASML은 자신들의 ‘비밀 병기’를 한국 측이 엿볼 수 있도록 한 것이다. 특히 우리 기업들로서는 2나노 경쟁에서 기술을 선점하지 못하면 파운드리 1위 업체인 TSMC를 따라잡기 어렵다는 위기감이 적지 않은 상황이기도 하다. EUV 반도체 장비를 직접 확보하기 위해 2020년 10월과 2022년 6월 ASML을 직접 방문한 바 있는 이 회장은 이번 방문에서 다시 한번 ASML 측과 차세대 EUV 장비 수급 문제를 논의했을 것으로 관측된다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정으로 반도체를 생산할 계획이고, TSMC는 2025년 2나노 공정, 2028년 1나노 공정 양산을 목표로 하고 있어 당장 내년부터 두 기업 간의 기술 경쟁은 한층 치열해질 것으로 전망된다. 박춘섭 경제수석은 현지 브리핑에서 “윤 대통령 방문에 맞춰 처음으로 차세대 EUV 장비를 대외 공개한 것은 ASML과 한국 반도체 기업들의 깊은 신뢰 관계와 전략적 협력의 중요성을 보여 준다”고 설명했다. 이날 방문에서 ▲삼성전자·ASML의 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터 설립 ▲SK하이닉스·ASML의 EUV용 수소가스 재활용 기술 공동개발 ▲한·네덜란드 첨단 반도체 아카데미 협력 등 3건의 MOU가 각각 체결됐다. 첨단 반도체 아카데미는 내년 2월 양국에서 100명이 참석한 가운데 네덜란드에서 첫 번째 교육이 이뤄진다. 이번 MOU 체결에 따라 삼성전자와 ASML은 1조원을 투입해 한국에 R&D센터를 설립한다. ASML이 반도체 제조기업과 해외에 R&D 센터를 설립하는 건 이번이 처음으로, 대통령실은 센터 설립부터 운영까지 전폭적으로 지원할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 초고성능 고대역폭 메모리(HBM)부터 차세대 PC와 노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 패키지 모듈까지 다양한 분야에서 폭넓게 활용할 수 있는 메모리 솔루션을 대거 공개했다.삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 반도체 시장의 신기술 흐름과 주요 제품을 소개했다. ‘메모리 역할의 재정의’를 주제로 열린 이번 행사는 삼성전자의 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자는 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ ▲ 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기와 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기 등 데이터를 생성하고 활용·소비하는 모든 기기를 의미한다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라면서 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이어 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다. 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

“미국의 유명 칩 설계사와 차세대 통신시스템을 개발하던 중 발견한 문제점을 해결하는 데 성공했다. 기존 방식으로 고용량의 데이터를 고속으로 전송할 때 신호 손실과 전자기 간섭이 발생해 프로세서와 전자기기의 성능이 제대로 발휘되지 못한다. 갈수록 데이터 전송 속도와 용량이 급증함에 따라 이런 문제는 심각해진다. 우리는 고객사들이 이런 고충을 해결하는 데 필요한 솔루션을 개발했고 제품화 단계에 도달했다.”● 5㎝ 이내에서 무선으로 데이터 전송 ‘차세대 데이터 전송 솔루션’을 칩으로 개발한 유니컨 김영동 대표는 지난 2일 서울신문과의 인터뷰 자리에 어른 엄지손톱의 10분의1 크기의 칩을 들고나왔다. 65나노미터(1나노미터는 10억분의1m) 크기의 반도체다. 한국은 삼성전자와 하이닉스로 대표되는 메모리 반도체 부문 강자이지만 비메모리 즉 시스템반도체 부문은 약하다. 그마저도 생산 공정인 ‘파운드리’ 중심으로, 반도체의 설계를 담당하는 ‘팹리스’는 더욱 열악하다. 이런 상황에서 반도체 설계에 뛰어든 스타트업 유니컨은 회사 설립 1년 만에 케이블과 커넥터 없이도 5㎝ 이내에서 6Gbps(1Gbps는 초당 10억번의 비트를 보내는 속도)로 데이터를 주고받을 수 있는 반도체 칩을 개발했다. 디바이스의 두뇌 격인 프로세서는 디스플레이·카메라·안테나·메모리·배터리·센서·외부 포트·스피커 등과 케이블, 커넥터로 연결돼 있다. 물론 칩과 칩을 케이블로 연결하는 경우도 다수다. 이런 커넥터와 케이블은 고속·고용량 데이터 전송에서 문제점이 발견됐다. 신호손실과 전자기 간섭이 심각해지면서 시스템의 신호품질에 문제가 생기는 것이다. 도체 접촉 방식의 한계 때문이다. 이런 문제점에 대해 김 대표는 “우리 데이터 전송 솔루션은 도체가 아닌 반도체다. 회로적인 요소가 들어가기에 6Gbps 이상의 고속에서도 깨끗한 신호품질이 보장되며 주변 칩까지 통합할 수 있다. 초고주파 기반의 무선으로 보낼 수 있고 다양한 인터페이스를 동시에 사용할 수 있다”고 설명했다. 유니컨이 만든 제품인 ‘칩 커넥터’(트랜시버)는 고화질 카메라와 디스플레이, 스마트 팩토리, 각종 전자기기 등에 사용할 수 있다. ‘월드 케이블 어셈블리 마켓’에 따르면 이런 제품에 들어가는 케이블과 커넥터의 글로벌 시장은 2021년 기준 210조원(1617억 달러) 규모다. 이 시장이 그의 타깃이다. 김 대표는 “현재의 케이블과 커넥터는 손실된 신호를 복원하는 칩이나 장치가 별도로 탑재돼 있다. 기기 내부에 들어 있기에 소비자들은 체감하기 어렵지만 제조사엔 심각한 문제”라며 “우리의 솔루션은 현재 출시된 제품 가운데 송수신된 신호가 가장 온전하며 고객사가 기존 탑재하던 별도의 신호 복원 칩을 뺄 수 있는 수준임을 확인했다”고 설명했다. 유니컨이 개발한 트랜시버는 프로세서와 각 하드웨어 또는 칩과 칩 사이를 초고주파인 밀리미터파(㎜Wave)로 연결한다. 유니컨은 초고주파를 5㎝ 내에서 무선으로 송수신할 수 있는 안테나 방식의 칩을 개발했다. 김 대표의 설명이다. “현재 유니컨의 솔루션은 기존 도체 커넥터 및 케이블 대비 가격은 30% 수준, 크기는 70% 수준만큼 절감되며 전자기기 제조 과정의 무인화도 가능해 제조원가를 줄일 수 있다.”●유선 방식의 한계 뛰어 넘어 회사는 작년 5월에 창립됐다. 1년 만에 칩을 뚝딱 만들 수 있을까. 그는 “도체 전송선로의 문제점을 발견한 이후 초고주파 전송 방식의 국내 최고 전문가들과 함께 2019년 2월부터 연구와 개발을 해 왔다. 실패와 성공을 반복하다 핵심 기술의 실현 가능성을 확인한 후 제대로 제품화하고 영업하려고 법인을 설립했다”고 말했다. 직원들은 기술자문을 포함해 박사 4명과 석사 8명 등 16명이다. 특허는 6개를 출원한 상태다. 김 대표의 전공은 컴퓨터나 전자가 아니라 뜻밖에도 군사학이다. 1987년 서울 출생으로 육군사관학교 66기 출신이다. 2010년 소위로 임관했다가 5년 만인 2015년 중위 때 5년차 희망전역을 신청, 군복을 벗었다. “전역 당시 경제를 통해 보국할 수 있다는 자신감이 충만했다. 그런데 실제로 나와 생활해 보니 사회는 군대보다 더 격전지더라. 기업은 매일 세계 최정예 부대와 싸우는 치열한 전쟁터인 걸 실감한다.” 전역 직후 초고속 커넥터와 케이블 관련 사업을 하는 업체에서 제품 관리와 마케팅을 맡으면서 데이터 전송 사업과 인연을 맺었다. 미국 샌디에이고에서 퀄컴 등 글로벌 기업들과 일하다 기존 방식의 한계를 발견, 돌파구를 찾아 나선 것이다. “기존 방식의 한계를 뚫고자 무선통신 칩 개발 전문가를 찾아보니 김창완 동아대 교수가 나왔다. 2년가량 핵심 블록을 만들고 설계해 샘플을 제작해 검증했더니 잘 작동했다. 2021년 5월 대만 TSMC에 주문한 칩을 8월에 받아 몇 달간 측정해 보니 확신이 들었다. 제대로 된 완성품을 만들고 영업도 하자고 의기투합해 김 교수와 공동 창업했다.” 한 번 주문하면 칩을 100개에서 200개 정도 받는단다. “65나노미터나 28나노미터를 한 번 찍는 데 6000만~8000만원가량 든다. 세 번의 과정 끝에 가능성을 확인하고 사업성을 확신했다.” TSMC에 주문한 이유를 묻자 김 대표는 “몇 백개 단위의 초소량도 적기에 비교적 저렴한 가격으로 찍어준다”고 말했다. 글로벌 칩 메이커들과 비교해 달라는 질문에 “삼성전자이나 애플, 퀄컴 등과 프로세서와 같은 초고난도 반도체 경쟁을 한다. 커넥터와 차폐 회로들은 직접 하지도 않는다. 우리 같은 칩은 전자제품의 메인이 아니라 부품이고 ‘빅 플레이어’들은 우리를 보고 ‘이런 것을 하는 업체도 있네’라고 생각할 것”이라고 강조했다. “지난 2월에 엔지니어링 샘플(ES), 즉 시제품이 나왔다. 이를 토대로 고객이 사용할 수 있는 칩을 만들고자 영업 중이며 일부 고객사와는 검증 절차를 밟고 있다. 고객 맞춤형인 ‘커스터머 샘플’(CS)이 통과돼야 양산할 수 있다. 양산까지 적어도 1년은 소요된다.” 또 유니컨의 트랜시버는 제품을 외부 장치와 연결하는 포트 때문에 일어날 수 있는 보안 사고를 줄일 수 있다. “자율주행 로봇이 건물 사이를 다니면서 많은 정보를 수집하고 심지어 자사 내부망에도 접속한다. 어떤 이가 그 로봇의 포트에 해킹 장치를 잠시라도 꽂으면 로봇의 로그 기록뿐 아니라 해당 기업의 내부망도 접속이 가능하다. 하지만 우리의 무선 솔루션을 사용하면 포트가 외부에 표출되지 않는다. 예컨대 제조사만 로봇 내에 장착된 트랜시브의 위치를 알고 디바이스를 맞춰 업그레이드하거나 로그 기록을 뽑아 수리할 수도 있다. 그러면 로봇뿐 아니라 건물의 보안등급도 올라갈 수 있다.” 외부 포트가 없으니 방수 기능도 강화된다.●초고속 전송선로 준비에 전력투구 김 대표가 준비하는 또 다른 비장의 무기는 초고속 전송선로다. “길이 15m 이내의 비직선 구간에서의 고속 데이터 전송을 위해 지름(OD) 4㎜ 미만의 폴리머 형태의 전송 방식을 준비하고 있다. 트랜시버에 내장된 안테나가 쏴 주는 무선 신호를 폴리머 극세섬유(PMF)로 가둬 목적지까지 데이터 손실 없이, 기존 신호들과의 충돌 없이 보내는 것이다. 신뢰성이 높고 제조 원가가 낮다. 사용처는 노트북과 4K 이상 초고해상도의 디스플레이, 자율주행차 레벨4 등이 될 것이다.” “당장은 양산 체제를 갖추기 위해 투자 유치와 고객 확보에 전력투구하고 있다. 퀄컴을 포함한 다양한 글로벌 기업들과의 협력을 강화해 내년부터 매출을 실현할 계획이다. 또 내년 상반기에는 12Gbps 트랜시버의 엔지니어링 샘플을 개발하는 것이 목표다. 이를 통해 글로벌 최고 기술을 선점하고 케이블, 커넥터의 반도체화를 선도하는 기업으로 성장하겠다.”

세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 최첨단 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 반도체 제품의 시범 생산 준비에 착수했다고 6일 자유시보 등 현지 언론이 보도했다. 보도에 따르면 한 소식통은 TSMC가 첨단 인공지능(AI)시스템을 사용해 반도체 생산 시 에너지 효율 개선을 가속할 것이라며 이같이 밝혔다. 이어 애플과 엔비디아가 2나노 제품 생산의 첫 번째 고객이 될 것으로 예상된다며 이는 한국 삼성전자 같은 경쟁업체에 큰 압박이 될 것이라고 전망했다. TSMC는 구체적인 내용에 대해서는 언급하지 않았지만, 2나노 기술 개발이 순조롭게 진행되고 있으며 2025년까지 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 2나노 제품 생산은 TSMC의 대만 북부 신주과학단지 바오산 지역에 건설하는 20팹(fab·반도체 생산공장)에서 시작되며 향후에는 대만 중부 타이중 중부과학단지로 생산이 확대될 것으로 알려졌다. 앞서 류더인 TSMC 회장은 지난해 12월 남부과학단지에서 열린 3나노 제품 양산 기념행사에서 신주과학단지 바오산 지역과 타이중 중부과학단지에서 2나노 공정을 준비하고 있다고 밝힌 바 있다. TSMC는 지난해 12월부터 3나노 제품 양산에 들어갔고, 이르면 2026년에 1나노 공장을 북부 타오위안 룽탄 과학단지에 착공해 2027년 시범 생산, 2028년 양산에 들어간다는 계획을 갖고 있다.

메모리 업황 악화에 고난의 시간을 보낸 삼성전자가 또다시 ‘초격차’ 기술력으로 시장 반등에 나선다. 제품 감산을 통한 2분기 재고 안정화에 이어 하반기부터 기업의 메모리 수요가 증가할 것으로 전망되면서 그간의 실적 하락을 단숨에 만회한다는 전략이다. 삼성전자는 18일 업계 최초로 12나노미터(㎚·1나노는 10억분의1m)급 공정을 적용한 5세대 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 D램 공정 고도화를 위해 재고를 충분히 확보한 기존 4세대 D램 생산량을 줄이면서 5세대 D램 생산에 집중한다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 메모리에서 확보한 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 ‘12나노’라는 구체적 선폭을 공개했다. 이번 제품은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력은 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 밝혔다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 명확하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps로, 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 호환성 검증을 마치고 글로벌 정보기술(IT) 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다. 업계에서는 메모리 업황이 올 하반기부터 반등하기 시작해 내년부터는 성장세로 돌아설 것으로 보고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램 시장(매출 기준)은 올해 443억 2200만 달러(약 59조 1300억원) 규모로 전년 대비 44.1% 감소할 것으로 예상된다. 다만 2014년 15.3%, 2025년 49.1%, 2026년 24.2%, 2027년 3.9% 증가하며 2027년에는 983억 3400만 달러 규모로 올해 대비 2배 이상으로 커질 전망이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 제품군을 확대해 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

메모리 업황 악화에 고난의 시간을 보낸 삼성전자가 또 다시 ‘초격차’ 기술력으로 시장 반등에 나선다. 제품 감산을 통한 2분기 재고 안정화에 이어 하반기부터 기업의 메모리 수요가 증가할 것으로 전망되면서 그간의 실적 하락을 단숨에 만회한다는 전략이다.삼성전자는 18일 업계 최초로 12나노미터(㎚·1나노는 10억분의 1m)급 공정을 적용한 5세대 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 D램 공정 고도화를 위해 재고를 충분히 확보한 기존 4세대 D램 생산량을 줄이면서 5세대 D램 생산에 집중한다고 밝힌 바 있다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 삼성전자는 메모리에서 확보한 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 ‘12나노’라는 구체적 선폭을 공개했다. 이번 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력은 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 명확하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps로, 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 호환성 검증을 마치고 글로벌 정보기술(IT) 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.업계에서는 메모리 업황이 올 하반기부터 반등하기 시작해 내년부터는 성장세로 돌아설 것으로 보고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램 시장(매출 기준)은 올해 443억 2200만달러(약 59조 1300억원) 규모로 전년 대비 44.1% 감소할 것으로 예상된다. 다만 2014년 15.3%, 2025년 49.1%, 2026년 24.2%, 2027년 3.9% 증가하며 2027년에는 983억 3400만달러 규모로 올해 대비 2배 이상으로 커질 전망이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 제품군을 확대해 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

정부가 반도체 등 11대 핵심투자 분야에서 40개 연구개발(R&D) 프로젝트를 선정해 2027년까지 6조 2000억원, 2030년까지 13조 5000억원을 투자한다. 이 프로젝트들에 신규 R&D 예산의 70%를 투입하는 동시에 민간 기업에 프로젝트를 주도할 권한을 줄 방침이다. 산업통상자원부는 10일 서울 중구 대한상공회의소에서 최고기술책임자(CTO) 라운드테이블을 열고 이런 내용의 ‘산업대전환 초격차 프로젝트’ 추진방향을 논의했다. 삼성디스플레이, 현대차, 포스코, LG이노텍, CJ제일제당, 유진로봇, LX세미콘, 엘앤에프, 한화에어로스페이스 등 9개 기업 CTO가 참석했다. 또 전략기획단과 한국산업기술진흥원, 한국산업기술평가관리원, 한국에너지기술평가원 등 4개 전문기관장이 함께 추진방향을 논의했다. 산업대전환 초격차 프로젝트는 ▲민관이 함께 분야별로 명확한 목표와 투자 방향을 정해 집중 투자 ▲최고 시장·산업 전문가에게 프로젝트의 실질적 운영권한 부여 ▲혁신역량이 뛰어난 기관이 참여해 프로젝트의 목표를 책임지고 달성할 수 있도록 대형 임무지향 과제 방식으로 연구개발을 지원하는 3가지 방향에서 기존 기술 R&D와 차별점을 지닌다고 산업부는 설명했다. 이 같은 방향을 정하게 된 배경에는 그간 정부의 R&D 투자 방향성이 불분명해 시류에 편승하는 사업과 과제가 양산됐고, 역으로 기업의 요구사항(니즈)이 제대로 반영되지 못했다는 자성이 깔려 있다. 40개 분야 중 반도체 분야에서는 3개 미션과 4개 프로젝트가 선정됐다. 구체적으로 ‘첨단 시스템반도체 강국 도약’을 목표로 모빌리티·에너지·가전용 화합물 전력반도체를 개발하고, 레벨4 이상 자율주행 차량용 반도체 기술개발 프로젝트를 추진하며, 글로벌 톱10 후공정 기업 육성을 위한 1나노미터 이하 반도체 첨단패키징용 핵심기반 기술 개발에 나선다는 미션을 세웠다. 장영진 산업부 1차관은 “초격차 프로젝트를 통해 국내 최고 전문가들이 방향을 잡고 혁신역량이 가장 뛰어난 드림팀을 구성해 임팩트 있는 성과를 낼 수 있는 R&D시스템을 만들겠다”고 말했다.

지난해 글로벌 경기침체에 따른 메모리 수요 급감으로 불황의 늪에 빠진 국내 반도체 업계가 또다시 미국발 중국 견제 신호에 술렁이고 있다. 미 행정부가 지난해 10월 중국의 ‘반도체 굴기’를 꺾기 위해 반도체 기술·장비 대중 수출 금지 조항을 발효한 데 이어 중국에 공장을 둔 한국 기업을 대상으로 추가 규제 가능성을 언급하면서다. 26일 업계에 따르면 앨런 에스테베스 미 상무부 산업안보 차관은 지난 23일(현지시간) 워싱턴DC에서 열린 ‘한미 경제안보포럼’에서 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 공장과 관련해 “기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다”고 밝혔다. 에스테베스 차관의 발언은 앞서 미 정부가 삼성과 SK하이닉스에 적용한 대중 반도체 수출통제 1년 유예 기간 종료 이후 추가 조치에 대한 물음에 답변하는 과정에서 나왔다. 이는 두 기업의 중국 공장 설비 투자를 막겠다는 의미로 풀이된다. 삼성전자는 중국 시안에서 128단 낸드플래시를, SK하이닉스는 우시 공장에서 10나노미터(㎚·1나노미터는 10억분의1m) 후반대 D램과 다롄 공장에서 96·144단 낸드플래시를 생산하고 있다. 두 기업이 중국 공장에 적용한 공정은 미국이 주목하고 있는 ‘첨단 공정’과는 거리가 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 낸드의 경우 미국 규제 기준(128단 이상)을 훌쩍 뛰어넘는 200단 이상의 제품을 모두 국내에서 생산하고 있다. 이와 관련해 삼성전자와 SK하이닉스는 “구체적인 내용이 담긴 상무부의 공식 발표가 아닌 데다 차관의 메시지 역시 반도체 기업이 아닌 중국을 향한 것으로 보고 있다”며 확대 해석을 경계했다. 업계 관계자는 “미국의 목적은 동맹국의 기업을 괴롭히거나 공급망을 교란하려는 게 아니라 중국의 반도체 성장 견제에 있다”면서 “다만 중국이 한국 반도체의 최대 시장인 만큼 정부가 더 적극적으로 미중 양국을 설득해 주기를 바란다”고 덧붙였다. 기업들의 중국 설비 투자 또한 후순위로 밀려 있는 상황이다. 지난해 실적 악화로 당장 국내 투자도 쉽지 않은 상황에 미국 투자가 더 시급한 과제로 떠오르면서다. 미국은 자국에 반도체 공장을 신설하는 기업에는 총 390억 달러(약 51조 4000억원) 예산에서 생산 보조금을 5년간 지원하고, 연구개발(R&D) 시설을 세우는 기업에는 연구개발 지원금(총 132억 달러)을 준다. 오는 28일부터 보조금 신청을 받는다. 보조금을 받는 기업은 향후 10년간 중국 등의 우려국에서 반도체 생산 능력을 확대하지 않기로 상무부와 협약을 체결해야 한다. 텍사스주 테일러시에 제2파운드리(위탁생산) 공장을 짓고 있는 삼성전자가 보조금을 신청할 것으로 보인다. SK하이닉스는 실리콘밸리에 SK그룹 차원의 반도체 R&D 센터를 설립하겠다는 계획을 밝혔지만 구체적인 실행안은 아직 나오지 않았다.

이창양 산업통상장자원부 장관은 25일 “반도체 파운드리(위탁생산) 생태계 구축을 전폭적으로 지원하겠다”고 밝혔다.이 장관은 이날 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 열린 3나노(㎚·1나노미터는 10억분의 1m) 반도체 양산 출하식에 참석해 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가한 뒤 이같이 말했다. 그는 “반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 경쟁력 강화를 지원하겠다”면서 “이를 통해 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것”이라고 강조했다. 이어 “3나노 파운드리 시장의 안정적 확보를 위해 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요하다”며 “반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화 방안도 순차적으로 수립할 계획”이라고 소개했다. 삼성전자는 화성캠퍼스 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 최초로 달성했다. GAA 기술은 기존 핀(Fin) 기술보다 칩 면적(35%)과 전력(50%)은 줄이고 성능(30%)은 높일 수 있는 기술로 평가된다. 이날 행사에는 삼성전자 협력사와 팹리스(반도체 설계전문회사) 관계자 등도 참석했다. 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재와 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발해 3나노 제품 양산을 뒷받침했다는 상징적 의미를 담고 있다. 산업부는 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산으로, 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크다고 설명했다. 특히 메모리반도체 생산기지이자 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 한국의 위상 제고를 기대했다.