고온 환경에서도 안 터지고 배터리 용량도 커서 오래가서 주목받고 있는 차세대 배터리인 ‘리튬-황 배터리’를 프린트해서 만드는 기술을 국내 연구진이 개발해냈다. 울산과학기술원(UNIST) 에너지 및 화학공학부 연구진은 프린트 방식으로 폭발이나 화재 위험성이 없고 오래 가는 ‘다형상 전고체 리튬-황 전지’를 개발했다고 11일 밝혔다. 이번 연구결과는 에너지 분야 국제학술지 ‘어드밴스드 에너지 머티리얼스’ 표지논문으로 실렸다. 리튬-황 전지는 리튬을 음극(-)재로 사용하고 황을 양극(+)재로 사용하는 2차전지로 현재 널리 사용되는 리튬 이온전지에 비해 에너지 밀도가 5배 이상 높다. 이 때문에 전기차, 사물인터넷(IoT) 등 2차전지 활용처가 점점 늘어나면서 주목받고 있는 차세대 전지이다. 그러나 충전과 방전을 거듭할 수록 황화합물이 음극 표면에 얇은 막을 만들면서 전기를 만들어 내는 리튬 이온의 움직임을 가로막아 시간이 지날수록 성능이 저하된다는 문제가 있다. 연구팀은 이 같은 문제를 해결하기 위해 두 개의 층으로 이뤄진 젤 상태의 전해질을 만들었다. 음극에는 황화합물이 이동해 들어붙는 것을 억제하는 전해질을, 양극에는 황의 산화환원 반응이 잘 일어나도록 해 황화합물이 만들어지지 않도록 한 것이다. 두 전해질은 액체가 아니라 반 고체인 젤 상태이고 열역학적으로 안정돼 있어 서로 섞이지 않는다는 장점도 갖고 있다. 또 글자나 그림을 종이에 인쇄하듯 연구팀은 단계적 프린팅 공정도 개발해 리튬-황 전지를 만들기 때문에 원하는 자리에 다양한 모양의 전지를 직접 만들 수 있기 때문에 다양한 형태의 배터리를 구현할 수 있다.실제로 연구팀은 굴곡진 비행기 날개 위에 알파벳 형상의 리튬-황 전지를 만들어 작동시키는데 성공하기도 했다. 연구팀이 이번에 만든 리튬-황 전지는 다양한 방식으로 접고 구부리고 펴기를 반복해도 정상 작동하는 것이 확인됐으며 LED램프와 연결된 전지를 가위로 일부를 잘라내도 램프에 빛이 계속 유지될 정도로 안전성이 높았다. 또 전지에 불을 붙여도 폭발하지 않고 정상 작동하는 것도 관찰됐다. 인화성 액체 전해질 대신 젤 전해질을 사용했기 ?문이다. 이상영 교수는 “이번 연구는 가위로 자르거나 불을 붙이는 상황에서도 정상 작동하는 매우 안전한 고용량 고안전성 전고체전지를 만드는 새로운 개념을 제시했다는데 의미가 크다”라며 “또 프린팅 공정을 이용해 다양한 모양을 갖는 전고체전지를 쉽게 제조할 수 있기 때문에 리튬-황 전지의 실용화를 앞당기는데 도움이 될 것”이라고 말했다. 유용하 기자 edmondy@seoul.co.kr

지난 26일 인텔은 이례적으로 서울에서 메모리 및 스토리지 데이 행사를 개최했습니다. 물론 글로벌 IT 기업인 만큼 인텔의 공개 행사는 전 세계에서 진행할 수 있으며 당연히 서울에서도 할 수 있지만, 발표하는 제품이 낸드 플래시 및 옵테인 메모리 제품군이라 한국 반도체 제조사들을 겨냥한 것이라는 이야기가 나오고 있습니다. 인텔의 발표에서 눈길을 끄는 제품은 삼성전자와 SK 하이닉스가 강한 경쟁력을 지닌 낸드 플래시 메모리가 아니라 인텔의 신무기인 옵테인 메모리입니다. 옵테인(Optane)은 인텔과 마이크론이 협력해서 개발한 차세대 비휘발성 메모리인 3D Xpoint의 브랜드 네임으로 D램과 낸드 플래시 메모리의 중간에 있는 제품이라고 할 수 있습니다. 낸드 플래시 메모리는 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않기 때문에 저장 장치로 사용할 수 있지만, D램에 비해 속도가 느린 편이라 메모리 대신 사용하기는 어렵습니다. 그래도 HDD보다 훨씬 빠르기 때문에 요즘처럼 데이터가 많아진 시대에는 낸드 플래시 기반 저장장치인 SSD가 필수라고 할 수 있습니다. 그러나 데이터 양이 커지면서 더 빠른 저장장치에 대한 수요는 계속 늘어나고 있습니다. 반도체 제조사들이 생각하는 해결책은 차세대 비휘발성 메모리입니다. P램(phase change memory, 상변화 메모리), STT-M램(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, 스핀주입 자화반전 메모리)과 Re램(저항변화 메모리) 등이 대표적입니다. 옵테인은 상변화 메모리의 일종이라고 알려져 있지만, 인텔은 구체적인 원리를 공개하지 않았습니다. 아마도 원리보다 더 중요한 사실은 옵테인이 서버용 저장장치로 사용할 수 있을 만큼 대량 생산한 첫 번째 차세대 메모리라는 것입니다. 삼성전자와 다른 제조사에서도 M램 같은 차세대 메모리를 선보이기는 했지만, 옵테인처럼 주력 제품은 아닙니다. 인텔은 지난 몇 년간 옵테인에 많은 공을 들였습니다. 인텔의 발표 내용을 종합하면 현재 주력 제품인 CPU에 못지않은 차세대 먹거리라고 할 수 있습니다. 3D Xpoint를 공동개발했지만, 적극적인 모습을 보이지 않는 마이크론과는 대조적입니다. 사실 이 두 회사는 지난 1월 1일 협력 관계를 중단한다고 발표했으며 올해까지만 3D Xpoint를 공동 생산한 후 이후에는 각자의 길을 갈 예정입니다. 이미 D램과 낸드 플래시 메모리에서 비중 있는 회사인 마이크론과 달리 인텔은 완전히 새로운 제품군으로 메모리 시장에 도전장을 내민다는 계획입니다. 인텔이 이렇게 옵테인 메모리에 대해서 자신감을 가지는 데는 그럴 만한 이유가 있습니다. CPU가 처리해야 할 데이터의 양이 폭발적으로 증가하면서 SSD나 HDD 같은 저장장치에서 데이터를 읽은 후 이를 메모리에서 처리하고 다시 결과를 저장장치에 기록하는 방식은 점점 더 효율이 떨어지고 있습니다. 메모리와 동급의 성능을 지닌 저장장치나 아예 메모리 + 저장장치를 지닌 시스템을 만들면 대용량 데이터처리 속도가 매우 빨라질 것입니다. 인텔이 올해 공개한 서버 CPU인 캐스케이드 레이크(Cascade Lake)의 경우 CPU 한 개당 최대 1.5TB DDR4 메모리나 4.5TB의 옵테인 DCPM(DC Persistent Memory)를 탑재할 수 있습니다. 본래 D램을 장착할 수 있는 DIMM 폼펙터에 맞게 나온 옵테인 DCPM는 128/256/512GB 용량으로 D램과 혼용해서 메모리처럼 사용하거나 저장장치처럼 사용할 수 있습니다. D램에 근접하는 빠른 속도 덕분에 서버에서는 어려운 순간 재부팅도 가능합니다. 9월 26일 있었던 공개 시연에서 인텔은 기존 시스템과 비교할 수 없을 만큼 빠른 재부팅 속도(10분15초 vs 19초)를 자량했습니다. 인텔은 옵테인 메모리를 D램과 낸드 플래시를 통합할 차세대 메모리로 발전시켜 반도체 시장을 리드한다는 계획입니다. - 문제는 가격 하지만 인텔의 야심찬 계획에도 불구하고 지난 몇 년간 주요 메모리 제조사의 주가는 폭락하지 않았습니다. 인텔의 계획에 대해 시장이 의구심을 품고 있다는 이야기입니다. 이런 의구심의 핵심은 가격입니다. 새로 공개한 인텔 로드맵(사진)에는 일반 소비자용 옵테인 SSD에 대한 이야기가 빠져 있습니다. 본래 인텔은 일반 소비자용 SSD 시장을 겨냥한 옵테인 제품군도 내놓았지만 용량이 작은데다 가격까지 비싸 시장에서 큰 호응을 얻지 못했습니다. 인텔이 데이터 센터 제품에 집중하는 것은 옵테인이 저렴한 제품이 아니면 살아남기 힘든 일반 소비자용 시장보다 비싸도 성능이 좋으면 팔리는 서버 시장에 적합한 제품이기 때문입니다. 하지만 대량으로 구매하는 서버 시장 역시 가격에 민감한 건 마찬가지입니다. 오래전 일이지만, 인텔은 펜티엄 4 프로세서를 출시하면서 당시 기준으로 획기적인 성능을 지닌 차세대 메모리인 램버스 D램을 독점적으로 지원했습니다. 업계 1위인 인텔이 적극 밀었고 성능도 당시 사용되던 D램보다 우수했기 때문에 램버스 D램의 미래는 밝아 보였습니다. 하지만 이를 생산하기 위해서는 새로운 생산 시설이 필요했고 따라서 가격이 비쌌습니다. 반면 DDR 메모리의 경우 기존의 생산 시설을 활용할 수 있어 가격이 상대적으로 저렴했습니다. 이 메모리 전쟁의 승자는 모두가 알다시피 DDR 메모리였습니다. 초기 펜티엄 4 프로세서는 별로 빠르지 않았지만, 신제품이라 가격이 비쌌고 램버스 D램은 DDR과 비교도 되지 않을 만큼 비쌌습니다. 결국 엄청난 비용을 내고 얻을 수 있는 성능상이 이득이 미미했기 때문에 시장에서 외면 받을 수밖에 없었습니다. 결국 인텔은 경장자인 AMD처럼 DDR 메모리를 지원할 수밖에 없었고 메모리 시장은 DDR 메모리 위주로 흘러가게 됩니다. 기술적인 우위만큼 중요한 요소가 가격이라는 점을 보여주는 좋은 사례입니다. 옵테인 메모리가 성공하기 위해서는 상대적인 가격 경쟁력이 확보되야 합니다. 하지만 최근 D램 및 낸드 플래시 메모리 가격이 하락하면서 쉽지 않은 싸움이 예상되고 있습니다. 제조 공정이 향상됨에 따라 옵테인 메모리도 매년 가격이 내려가긴 하겠지만, 이 점은 D램과 낸드 플래시 메모리 역시 마찬가지입니다. 특히 여러 제조사에서 경쟁적으로 만드는 낸드 플래시 메모리 가격은 인텔 독점인 옵테인보다 가격 인하 가능성이 훨씬 큽니다. 옵테인이 차세대 메모리의 대세가 될지 아니면 고성능 D램과 낸드플래시 메모리 사이 낀 샌드위치 신세가 될지는 지금 판단하기 어렵습니다. 하지만 현재의 낸드플래시 메모리 기술은 공정 미세화, 수명, 속도 등에서 이미 한계를 보이고 있기 때문에 차세대 메모리가 필요한 건 분명합니다. 아마도 누가 먼저 출시했느냐 보다는 성능과 가격 두 마리 토끼를 잡는 제조사가 시장을 장악할 것입니다. 국내 제조사들이 차세대 메모리 개발을 위해 투자를 아끼지 않는 이유입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com

현재 그래픽 카드 메모리의 주류는 GDDR (Graphics DDR) SDRAM 메모리입니다. 초창기 그래픽 카드는 PC용 시스템 메모리와 동일한 메모리를 사용했지만, 그래픽 처리 프로세서인 GPU의 급격한 성능 발달로 이미 2000년대 초반 속도 한계에 직면했습니다. CPU용으로 개발된 시스템 메모리로는 GPU가 처리하는 방대한 데이터를 감당하기 어려워진 것입니다. 기본적으로 GPU는 큰 크기의 고해상도 그래픽 데이터를 빠르게 (가능한 초당 60 프레임 이상으로) 처리해야 합니다. 그래야 화려한 게임 그래픽을 끊김 없이 처리할 수 있습니다. 이런 이유로 2003년부터 일반 DDR 메모리보다 더 큰 대역폭을 지닌 GDDR 메모리가 그래픽 카드에 도입되기 시작합니다. GDDR2 메모리는 2003년 출시한 엔비디아의 지포스 FX 5700/5800 울트라 시리즈에 처음 사용됩니다. (1세대 GDDR 메모리는 90년대 후반 등장했는데 당시 그래픽 카드에는 사용되지 않았습니다) 하지만 GDDR 메모리의 본격적인 보급은 2004년 등장한 GDDR3부터입니다. GDDR3는 나중에 AMD에 합병된 ATI와 엘피다, 하이닉스, 인피니온 등 메모리 제조사들이 협력해 만든 그래픽 메모리 규격입니다. 이름과는 달리 DDR2 기반으로 덕분에 DDR3 메모리 규격이 확립되기 전인 2004년부터 본격적으로 보급될 수 있었습니다. GDDR 메모리는 DDR 메모리보다 데이터가 지날 수 있는 통로가 더 많고 데이터 전송 속도가 빨라 3D 그래픽처럼 대용량 데이터를 빠르게 처리할 때 유리합니다. 사실 GPU가 빠른 속도로 발전할 수 있었던 것은 이를 뒷받침할 GDDR 메모리의 발전이 있었기 때문입니다. 따라서 DDR 메모리보다 버전 업데이트가 훨씬 빨리 이뤄져 DDR4 메모리가 도입되는 동안 GDDR5, GDDR5x, GDDDR6 같은 새로운 규격이 등장했습니다. GDDR6 메모리를 사용한 지포스 RTX 2080의 경우 14Gbps GDDR5 (256bit) 메모리에서 448GB/s의 넓은 대역폭을 지원받고 있습니다. 이는 DVD 영화 100편 정도를 1초에 전송하는 속도입니다. 하지만 GDDR 메모리 규격 역시 점점 한계에 도달하고 있습니다. GDDR3에서 메모리 칩 하나 당 19.9 GB/s의 속도를 확보했고, GDDR5에서 40–64 GB/s, GDDR6에서 112–128 GB/s으로 늘어나기는 했지만, GPU의 연산 능력이 급격히 향상되면서 한계에 봉착한 것입니다. 이는 GPU가 게임에서만 쓰이는 것이 아니라 인공지능이나 슈퍼컴퓨터 같은 더 중요한 분야에 사용되면서 연산 능력이 급격히 높아진 것도 원인입니다. HBM (High Bandwidth Memory) 메모리는 이 문제에 대한 가장 합리적인 해결책입니다. HBM 메모리는 삼성전자, SK 하이닉스, AMD의 협력으로 개발되었으며 2013년 SK 하이닉스에서 첫 제품을 내놓았습니다. HBM은 여러 개의 D램 다이(die)를 아파트처럼 수직으로 쌓고 여기에 데이터 통로인 TSV (through-silicon via)를 뚫어 고속으로 데이터를 주고받는 메모리라고 할 수 있습니다. 아예 통로를 여러 개 뚫어 대량으로 데이터를 전송하기 때문에 대역폭에서 GDDR6 메모리를 크게 앞설 수 있습니다. 따라서 슈퍼컴퓨터나 인공지능 연산용 고성능 GPU에 사용됩니다. 하지만 비싼 가격으로 인해 일반 그래픽 카드에는 제한적으로 보급되고 있습니다.올해 출시된 AMD의 라데온 VII 그래픽 카드는 HBM2 메모리를 사용하는데, 4개만 있어도 1TB/s의 대역폭과 16GB의 메모리 용량을 확보할 수 있습니다. 하지만 이미 국내 메모리 제조사들은 이를 뛰어넘는 제품을 개발했습니다. 올해 3월 삼성전자가 공개한 플래시볼트 (Flashbolt) HBM2E 메모리는 칩 하나 당 410GB/s의 대역폭과 16GB의 용량을 제공합니다. 8개의 다이를 수직으로 올린 후 5000개 이상의 TSV로 연결해 속도와 용량을 획기적으로 끌어 올렸습니다. 그리고 이번 달 SK 하이닉스는 이보다 더 빠른 460GB/s 속도의 HBM2E 메모리를 개발했다고 발표했습니다. 이 제품을 4개 사용한 GPU는 1.84TB/s의 대역폭과 64GB의 용량을 확보할 수 있습니다. 이렇게 빠르고 용량이 큰 메모리가 필요한지 의문을 지닐 수도 있지만, 단순히 게임용이 아니라 인공지능 및 슈퍼컴퓨터를 위해서는 이것도 부족할 수 있습니다. 현재 국내 제조사들은 HBM2E보다 더 빠른 HBM3 및 HBM4 메모리 개발을 위한 연구를 진행하고 있습니다. 이 메모리는 현재 미국이 개발하는 엑사스케일 슈퍼컴퓨터에 사용될 것입니다. 국내 기업이 주도하는 HBM 메모리는 인공지능 및 슈퍼컴퓨터 개발에 없어서는 안 될 핵심 부품이라고 할 수 있습니다. 다른 한편으로 일반 소비자용 그래픽 카드에서 HBM 메모리를 사용할 수 있게 하려는 시도도 진행 중입니다. GDDR 규격도 좀 더 빨라질 수 있지만, 대역폭 문제의 근본적인 해결책은 메모리 구조 자체를 혁신한 HBM 메모리의 염가형 버전을 보급하는 것입니다. HBM 메모리를 사용한 그래픽 카드 중 그나마 저렴한 라데온 VII이 699달러로 아직 꽤 비싼 편이기 때문에 500달러 이하 그래픽 카드에서 사용할 수 있는 HBM 메모리가 필요할 것입니다. 결국 이 문제 역시 국내 제조사들의 노력에 달려 있습니다. GDDR 메모리가 결국 DDR 메모리를 대체하고 그래픽 카드 메모리의 대세가 된 것처럼 언젠가는 HBM 메모리가 새로운 대세가 될 날이 올 것으로 기대합니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com　

SK하이닉스가 업계 최고 속도를 지원하는 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM2E D램’ 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 대용량 데이터 처리에 특화된 HBM2E는 HBM2의 차세대 규격 제품이다. 2013년에 HBM D램이 처음 나왔고, HBM2는 지난해 개발됐다. 1년 만에 한 단계 발전한 HBM2E가 출시된 것이다. 본격적인 양산은 2020년부터 시작된다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 업계 최고 속도를 구현했다. 핀당 3.6기가비트(Gbit/s) 속도를 지원할 수 있다. 총 1024개 정보출입구(IO)를 통한 전체 데이터 처리 속도는 초당 460기가바이트(GByte)다. 풀HD 영화(3.7GB 용량) 124편 분량을 단 1초에 처리할 수 있는 수준이다. HBM2보다 속도를 50% 높였다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다. TSV를 활용하면 기존 패키징 방식보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄일 수 있다. HBM은 짧은 시간에 대용량 데이터를 처리하는 특성 때문에 그동안 그래픽카드(GPU) 등 고성능 그래픽 처리 분야에 활용됐다. 향후 자율주행차뿐만 아니라 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터 등에서 대용량 그래픽 데이터 처리가 필수인 만큼 HBM에 대한 수요 확대가 예상된다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

일본 정부가 지난 4일부터 대(對)한국 수출 규제를 시작했다. 반도체와 디스플레이 소재인 플루오린 폴리이미드, 레지스트(감광재), 에칭가스(고순도 불화수소) 등 3개 품목에 대한 기존 포괄수출허가를 개별수출허가로 전환한 것이다. 일본은 이어 안보 우방국인 ‘화이트리스트’에서 한국을 제외하는 방안도 검토하고 있다. 일본의 수출 규제가 반도체 산업의 글로벌 공급 체계를 바꿀 것이라는 전망은 “너무 앞선 얘기”라는 게 중론이다. 하지만 이번 사태가 어떤 방향으로 전개될지 현재로선 ‘시계 제로’에 가깝다. 한국 경제에 미칠 충격파는 얼마인지, 규제 이면에 깔린 숨은 의도는 무엇인지 등을 짚어 봤다.●규제 대상·수위·기간에 따라 충격파 달라져 반도체는 한국 경제에서 ‘황금알을 낳는 거위’다. 지난해 전체 수출에서 반도체가 차지하는 비중은 21%, 수출 성장 기여율은 92%다. 그만큼 반도체 산업 의존도가 높다. 일본의 수출 규제로 반도체 산업은 물론 경제 전체에 충격파가 클 것이라는 우려가 나오는 이유다. 가장 먼저 불을 지핀 곳은 전경련 산하 한국경제연구원(한경연)이다. 조경엽 한경연 선임연구위원은 지난 10일 ‘일본 경제 제재의 영향 및 해법’ 긴급 세미나에서 일본의 수출 규제로 반도체 핵심 소재 공급이 30% 부족할 경우 우리나라 국내총생산(GDP)은 2.2%, 소재 부족이 45%로 확대되면 GDP는 4.2~5.4%가 각각 감소할 수 있다고 분석했다.국책연구기관인 대외경제정책연구원(KIEP)은 이틀 뒤인 지난 12일 현안 토론회에서 한경연의 분석이 ‘무리한 가정’에 근거한 것이라고 정면으로 반박했다. 서진교 KIEP 선임연구위원은 “우리나라의 반도체와 LCD 패널 연간 수출액을 합치면 1000억 달러 정도”라면서 “일본의 수출 규제로 수출의 절반인 500억 달러가 줄었다고 하고, 전후방 산업에 영향을 미쳐서 1000억 달러 손실이 났다고 가정하자. 지난해 우리나라 GDP가 1조 5000억 달러인데 1000억 달러 손실은 대략 0.5~0.6% 수준”이라고 강조했다. 글로벌 투자은행(IB)인 골드만삭스도 지난 14일 “반도체 공급 차질로 인한 영향을 분석한 결과 반도체 생산이 10% 줄어들 경우 한국 GDP는 0.4%, 경상수지는 100억 달러(약 11조원)가 감소할 것”이라고 전망했다. 다만 일본의 수출 규제가 가전 등 비반도체 부문과 자동차·화학 등의 분야로 확산한다면 경상수지 감소 폭은 135억 달러로 커질 수 있다고 내다봤다. 수출 규제의 대상과 수위 못지않게 기간도 중요한 변수다. KB증권은 일본의 수출 규제로 한국의 수출 물량이 10% 감소한다고 가정했을 때 수출 규제가 3분기까지만 이뤄지면 경제성장률이 0.19% 포인트, 3~4분기에 지속되면 0.37% 포인트, 내년 말까지 유지되면 0.74% 포인트 각각 떨어지는 요인으로 작용할 수 있다고 분석했다. 장재철 KB증권 이코노미스트는 “그동안 한일 양국 간 신뢰 관계가 상당히 훼손됐다는 점, 한일 양국의 정치 일정, 전 세계적인 보호무역 기조 등을 고려할 때 한일 무역 갈등이 쉽게 해소되기 어려울 것”이라고 말했다. ●반도체 시장 주도권 경쟁 속셈? 수출 규제의 원인을 놓고 일본 정부는 ‘안보상의 이유’를 내세우고, 국내에서는 한일 역사 갈등에 대한 경제 보복이라는 시각이 우세하다. 그렇다면 안보상의 이유나 역사 문제가 해소되면 무역 갈등이 사라질까.일본 정부가 규제 대상에 올린 극자외선(EUV) 레지스트를 보면 속단하기 어렵다. EUV 레지스트는 우리 정부가 지난 4월 30일 야심 차게 비전과 전략을 발표한 시스템 반도체와 연관이 있다. 시스템 반도체는 비메모리 반도체의 또 다른 이름이다. 우리나라의 반도체 산업은 D램과 낸드플래시 등 메모리 중심의 편중 구조다. 메모리 반도체가 정보 저장을 담당한다면 비메모리 반도체는 정보 처리에 사용된다. 지금까지는 컴퓨터와 스마트폰의 성장세가 메모리 반도체의 전성시대를 만들어냈다면 자율주행차와 증강현실(AR), 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI) 등 4차 산업혁명 시대에는 비메모리 반도체의 폭발적인 수요를 이끌어낼 것으로 예상된다. 정부의 비메모리 반도체 육성 계획은 이번이 처음은 아니다. 1998년 ‘시스템 반도체 2010’, 2011년 ‘시스템 반도체 2015’ 계획이 각각 추진되기도 했다. 일부 성과도 있었지만 근본 체질을 바꾸지는 못했다. 지금도 비메모리 반도체의 세계 시장 규모가 메모리보다 2배가량 큰 상황에서 이번 비메모리 반도체 육성 전략은 반도체로 먹고사는 한국으로서는 사실상 마지막 기회이자 피할 수 없는 선택이다. 더욱이 반도체 분야는 일반적으로 대규모 시설 투자가 전제돼야 하는 ‘머니게임’이자 경쟁 기업이나 국가보다 앞서 구체적인 성과를 내야 하는 ‘속도 전쟁’의 성격을 내포하고 있다. 더욱이 삼성전자는 지난 4월 EUV 공정으로 생산한 7나노 제품을 세계 최초로 양산에 돌입했다. EUV 레지스트 수출 규제는 결국 우리나라 반도체 산업의 현재가 아닌 미래를 볼모로 삼는 것이라고 할 수 있다. 우리 정부와 기업의 비메모리 반도체 육성 계획이 외부에선 ‘약자의 몸부림’이 아닌 ‘강자의 포효’로 받아들여질 수밖에 없고, 조만간 꽃망울을 터뜨릴 것으로 예상되는 최첨단 기술 분야에서 주도권 경쟁이 본격화됐다는 의미로도 볼 수 있다. 박상현 하이투자증권 연구원은 “단순한 정치 보복 차원을 넘어 글로벌 반도체 주도권 또는 차세대 산업을 둘러싼 갈등이 아닐까 하는 의구심이 증폭되고 있다”면서 “전략적 규제일 수 있다”고 말했다. ●중재 대신 침묵하는 미국, 차도지계? 우리 정부는 일본의 수출 규제와 관련해 미국의 역할론에도 주목하고 있다. 하지만 적어도 현재까지 미국의 적극적인 중재나 개입 의지는 찾아볼 수 없다. 그 이유를 전 세계 반도체 시장의 경쟁 구도에서 살펴볼 필요도 있다. 2017년 기준 전 세계 메모리 반도체 시장에서 한국의 시장 점유율은 58%, 비메모리 반도체 시장에서는 미국이 70%로 절대 강자다. 또 비메모리 반도체 시장의 약 40%를 차지하는 게 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU)와 스마트폰용 CPU인 AP다. 이 중 CPU 분야는 미국 기업인 인텔과 AMD가 시장을 장악한 상황이라 다른 기업이 끼어들 여지가 거의 없다. AP 분야는 퀄컴(미국), 미디어텍(대만), 애플(미국), 삼성전자(한국) 등의 순이다. 또 비메모리 분야는 설계를 담당하는 팹리스와 제조를 담당하는 파운드리로 분업 구조를 갖는 게 특징인데, 현재 세계 1위는 각각 퀄컴과 TSMC(대만)다. 하지만 삼성전자만 유일하게 팹리스와 파운드리를 동시에 할 수 있다. 한 업계 관계자는 “삼성의 AP 설계 기술은 퀄컴 수준을 따라잡았고 공정 기술에서는 AP 파운드리 3사(TSMC·글로벌파운드리·삼성) 중 가장 앞서 있다”고 평가했다. 비메모리 반도체 시장은 한국을 비롯해 기술 패권을 유지하려는 미국, 부품·소재를 내다 파는 처지에서 재도약을 꿈꾸는 일본, 강력한 정부 지원을 토대로 가격 경쟁력을 확보하려는 중국, TSMC라는 글로벌 파운드리를 중심으로 생태계가 유기적으로 연결된 대만 등의 각축장인 셈이다. 1984년 촉발돼 1996년까지 13년 동안 지속된 미일 반도체 분쟁 사례도 있다. 핵심은 급성장하는 일본 반도체 산업에 미국 정부가 제동을 건 것이다. 이 과정에서 1987년만 해도 반도체 시장 점유율에서 10위였던 인텔이 1992년부터는 1위로 도약했다. 반대로 NEC와 도시바, 히타치 등 수년간 1~3위를 점유했던 일본 기업들은 속절없이 무너져내렸고, 지금은 존재감마저 지워졌다. 미중 무역분쟁 역시 미국은 중국의 ‘불공정 무역’을 이유로 내세웠지만, 그 이면에는 천문학적인 무역적자(2017년 기준 3750억 달러)가 깔려 있고, 본질적으로는 중국의 급성장에 대한 견제가 자리하고 있다. 김학주 한동대 ICT창업학부 교수는 “일본의 수출 규제가 단순히 감정적이라면 오래가지 않을 것”이라면서도 “그러나 일본이 미국의 자동차 관세를 피하기 위해 반도체 주도권을 삼성전자에서 미국의 마이크론으로 옮기려는 전략적 계획이 숨어 있다면 우리에게는 심각한 도전”이라고 지적했다. shjang@seoul.co.kr

삼성전자가 업계 최고 성능의 차세대 모바일 D램의 양산을 개시하며 경쟁사와의 ‘기술 초격차’를 유지했다. 삼성전자는 18일 세계 최초로 12Gb(기가비트) LPDDR5 모바일 D램 양산을 시작한다고 밝혔다. 5세대 이동통신 시대를 맞이해 시장을 주도할 것으로 평가받는 LPDDR5 D램을 지난해 4월 개발한 이후 1년여 만에 양산 체제에 돌입한 것이다. 일본의 수출 규제로 반도체 산업의 불확실성이 커진 상황에서도 경쟁사들과 비교 불가능한 기술 우위를 뜻하는 ‘초격차’를 지켜 내고 있다. LPDDR5에서 ‘LP’는 모바일 기기에 사용되는 저전력 D램 규격을, 뒤에 붙는 ‘DDR5’는 데이터 처리 속도를 각각 뜻한다. 12Gb LPDDR5 모바일 D램은 현재 고급형 스마트폰에 탑재된 기존 모바일 D램(LPDDR4X)보다 약 1.3배 빠른 속도로 동작한다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현했을 때 풀HD급 영화(3.7GB) 약 12편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. 저전력 동작 구현을 위해 새로운 회로 구조를 도입해 기존 제품보다 소비전력을 최대 30% 줄일 수 있다. 현재 경기 화성캠퍼스에서 LPDDR5 모바일 D램을 양산 중인 삼성전자는 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램을 본격적으로 양산하는 방안을 검토 중이다. 삼성전자는 또 용량과 성능을 더 높인 16Gb D램도 선행 개발해 초격차 전략을 유지할 계획이다. 2000년대 초 치킨게임 당시 삼성전자의 기술력이 경쟁업체에 비해 몇 달 빠른 정도였다면, 지금은 중국 업체들보다 몇 년 앞선 상태로 품질에서 삼성전자를 대체할 기업을 찾기 어렵다는 게 반도체 업계의 대체적인 평가다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

일본 정부의 반도체 소재 수출 규제가 단순한 정치 보복을 넘어 한국 반도체 산업을 견제하기 위한 전략이라는 분석이 나왔다. 세계 반도체 시장의 주도권을 잡기 위해 규제를 장기화할 가능성도 있다는 것이다. 반면 수출 불허라는 최악의 시나리오까지 가지 않는다면 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체에 오히려 기회로 작용할 것이라는 의견도 있다. 창고에 쌓아둔 재고를 소진하면서 생산량을 줄이면 단기적으로는 반도체 공급량 감소로 가격 상승이 기대돼서다. 박상현 하이투자증권 연구원은 12일 ‘80년 미일 반도체 갈등 사례의 시사점’이라는 보고서를 발표하고 “한일 갈등 문제가 불거지는 배경이 글로벌 반도체 주도권 혹은 차세대 산업을 둘러싼 갈등이 아닐까 하는 의구심이 증폭되고 있다”고 밝혔다. 박 연구원에 따르면 최근 한일 무역 갈등을 이해하려면 과거 미국과 일본의 반도체 무역 갈등을 되짚어 볼 필요가 있다. 세계 반도체 시장의 후발 주자였던 미쓰비시전기, 히타치, 도시바 등 일본 업체들은 1980년대 들어 일본 정부의 반도체 육성 정책에 힘입어 급성장해 미국 업체들을 제치고 세계 시장의 주도권을 잡았다. 이에 미국 정부는 최첨단 산업인 반도체 산업의 주도권을 되찾고 자국 기업들을 보호하기 위해 일본 업체들의 반도체 덤핑을 조사하는 등 강한 통상 압박을 가했다. 미국 정부는 일본과 반도체 협정을 맺어 미국산 반도체 수입을 늘리도록 강요해 시장 점유율을 높였고 1990년대 중반 다시 세계 시장을 장악했다. 박 연구원은 “최근 일본 정부의 반도체 관련 중간재 수출 규제도 향후 반도체 산업에서 한국을 견제하기 위한 것으로 해석할 수 있다”면서 “비메모리 반도체를 중심으로 한 정보기술(IT) 경쟁에서 한국이 앞서는 것을 막기 위한 전략적 규제일 가능성이 있다”고 밝혔다. 박 연구원은 일본의 추가 조치도 주목해야 하지만 미국 정부의 입장도 주시해야 한다고 강조했다. 한국 반도체 산업을 견제하는데 미국 정부의 암묵적 동의가 있었다면 일본의 규제가 더 커질 수 있어서다. 박 연구원은 “이미 메모리 반도체 시장에서 압도적인 시장 점유율을 차지하는 한국 반도체 산업이 비메모리 반도체 산업 육성을 통해 시장 점유율을 높여간다면 일본은 물론 미국도 한국을 견제할 수밖에 없을 것”이라면서 “향후 반도체 산업을 두고 미국과 일본의 경제 규제가 장기화할 수도 있다”고 내다봤다. 한편 정창원 노무라금융투자 리서치센터장은 이날 서울 사무실에서 연 ‘하반기 한국 주식시장 전망’ 미디어 브리핑에서 “국내 반도체 업체들의 완제품 재고가 많은 상황이어서 단기적으로는 일부 감산을 하는 것이 반도체 가격에 긍정적일 수 있다”고 밝혔다. 그동안 반도체 재고가 너무 많은 것이 이익 회복에 걸림돌로 작용했는데 일본의 반도체 소재 수출 불허라는 최악의 시나리오만 아니라면 이번 사태가 독이 아닌 약이 될 수 있다는 분석이다. 정 센터장은 “반도체는 필수재이기 때문에 가격이 수급에 따라 탄력적”이라면서 “반도체 완제품 재고는 기업들이 IR(기업설명회)에서 6주 정도의 공급분이 있다고 얘기하는데 실제로는 조금 더 많은 것으로 알고 있다. 두 달 정도는 가동이 중단돼도 큰 영향이 없을 테고 (공급이 줄어) 비싸게 팔 수 있을 것”이라고 말했다. 정 센터장은 일본이 앞으로 한국에 대한 반도체 소재 수출 불허까지 규제를 확대할 가능성은 굉장히 낮을 것으로 전망했다. 그는 “이란에서 정치적 불안이 있으면 유가가 오르는데 디지털 시대에는 D램이 원유만큼 중요하고 만약 이런 저런 이유로 생산을 못 하게 된다면 전 세계적으로 불편해지는 회사들과 나라들이 엄청 많아져 파장이 어마어마하기 때문”이라고 설명했다. 이어 “한국이 가진 D램이 전 세계 시장 점유율 75%로 파워(영향력)가 굉장한 제품”이라면서 “일본의 주요 소재 수출 규제에 따라 국내 반도체 생산이 2개월여만 중단돼도 지구적 상황이 발생하고 그렇게 되면 반도체 가격이 폭등할 것”이라고 말했다. 이런 이유로 주식시장에서는 일본 정부가 한국 반도체 산업 관련 무역 보복 조치를 선언한 지난 1일 이후에도 외국인들이 삼성전자와 SK하이닉스의 주식을 사들이고 있다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 지난 1~11일 외국인들은 삼성전자 주식을 5872억원, SK하이닉스 주식을 2477억원 순매수했다. 지난 11일 삼성전자 주가는 1주당 4만 6200원으로 일본의 무역 보복 조치 발표 직전 거래일인 지난달 28일보다 1.7%(800원) 떨어지는데 그쳤고, SK하이닉스 주가는 7만 5500원으로 같은 기간 8.6% 올랐다. 김형렬 교보증권 리서치센터장은 “그동안 우리 반도체 기업들의 실적이 부진했던 이유는 공급 과잉과 수요 감소로 수익성이 약화됐었기 때문”이라면서 “이번 사안이 결국 우리 반도체 기업들에 공급 축소 요인이 된다면 수익성이 개선될 수 있어서 악재라고 볼 수만은 없다”고 말했다. 장은석 기자 esjang@seoul.co.kr

삼성전자가 폴더블폰 ‘갤럭시 폴드’에 들어갈 12GB(기가바이트) 모바일 D램 양산에 들어간다고 14일 밝혔다. 12GB ‘LPDDR(저전력 더블데이터레이트) 4X’ 모바일 D램은 2세대 10나노급 16Gb(기가비트) 칩을 6개 탑재한 제품으로 기존 8GB 모바일 D램보다 용량을 1.5배 늘린 역대 최대 용량이다. 이는 일반적인 울트라 슬림형 노트북PC 1대에 탑재된 8GB D램 모듈보다 더 큰 용량으로 폴더블폰 등 화면이 2배 이상 넓은 초고해상도 스마트폰에서 다양한 애플리케이션을 원활하게 사용할 수 있게 한다. 삼성전자 관계자는 “최근 모바일 업체들이 차세대 스마트폰에 5개 이상의 카메라 모듈과 대형·멀티 디스플레이, 인공지능(AI) 프로세서, 5G 통신서비스 등을 적용하고 있다”면서 “이런 고사양 모바일 기기에서 시스템 성능을 향상시킬 수 있다”고 밝혔다. 아울러 현재 모바일 기기에 사용되는 가장 빠른 속도인 초당 34.1GB의 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있으며, 패키지 두께도 1.1㎜에 불과해 모바일 기기를 더 슬림하게 설계할 수 있게 한다고 회사 측은 설명했다. 특히 12GB 대용량을 1개의 패키지로 구현해 소비전력 효율을 높이고 배터리 탑재 면적도 키울 수 있다고 덧붙였다. 삼성전자는 이달 12GB 모바일 D램 양산을 시작으로 올 하반기에는 8GB 이상 고용량 모바일 D램 라인업의 공급 물량을 3배 이상으로 확대해 프리미엄 메모리 수요 증가에 대응할 계획이다. 메모리사업부 전세원 부사장은 “12GB 모바일 D램을 본격 양산해 차세대 플래그십 스마트폰에 필요한 모든 메모리 라인업을 글로벌 업계에서 유일하게 공급하게 됐다”면서 “고객의 D램 수요 증가에 맞춰 평택 라인의 생산 비중을 확대할 것”이라고 말했다. 이은주 기자 erin@seoul.co.kr

인재 영입·협력 업체와 시너지 등 고려 이천 R&D, 청주 낸드플래시 생산 거점화 120조원이 투입될 세계 최대 규모의 ‘반도체 특화 클러스터’ 후보지로 경기 용인이 선정됐다. 이에 따라 SK하이닉스로서는 ‘이천·청주·용인’이라는 반도체 거점 3각 축 조성이 가능해질 전망이다. SK하이닉스는 21일 “반도체 클러스터 부지 조성을 위해 설립된 특수목적회사(SPC)인 ㈜용인일반산업단지가 어제(20일) 용인시에 투자의향서를 공식 제출했다”고 밝혔다. 반도체 클러스터는 정부와 SK하이닉스가 주도해 50여개 장비, 소재 등 협력업체가 함께 참가하는 대형 산업단지로 용인시 원삼면 일대 448만㎡(약 135만평) 규모다. 그동안 반도체 클러스터 부지 선정을 두고 용인과 경기 이천, 충북 청주, 경북 구미 등이 치열하게 유치경쟁을 벌여 왔다. 하지만 SK하이닉스는 국내외 우수인재 영입과 대·중소기업 협력 생태계, 반도체 기업 사업장(이천, 청주, 기흥, 화성, 평택 등)과의 연계성 등을 종합적으로 고려해 용인을 선택한 것으로 전해졌다. SK하이닉스는 협력업체들과의 시너지 창출을 위해 10년간 상생펀드 조성과 공동 연구개발(R&D) 등에 1조 2200억원을 지원할 계획이다. ‘이천·청주·용인’이라는 반도체 거점 3각 축이 조성될 경우 이천은 본사 기능과 R&D·마더 팹 및 D램 생산기지를 담당하고, 충북 청주는 낸드플래시 중심 생산기지를 맡는다. 용인은 D램·차세대 메모리 생산기지 및 반도체 상생 생태계 거점으로 키운다는 계획이다. 이를 위해 SK하이닉스는 이천과 청주에 대한 투자도 계속 진행한다. 이천에는 반도체 생산라인 M16의 구축과 연구개발동 건설 등에 약 10년간 20조원 규모를 투자하고, 청주에는 작년부터 가동 중인 M15의 생산능력 확대를 포함해 약 10년간 35조원 규모의 투자를 집행할 예정이다. 앞으로 남은 과제는 반도체 클러스터 부지 조성에 필요한 정부의 수도권 규제 완화다. 수도권정비계획법에 따르면 수도권은 공장건축 총허용량제가 적용되기 때문에 공장을 건설하려면 국토교통부 장관이 위원장인 수도권정비위원회에서 이를 승인해야 한다. 이와 관련해 산업통상자원부 관계자는 “신청 내용을 검토해 조속히 입장을 결정하겠다”고 밝혔다. 한편 구미국가산업단지의 부활을 노리고 지난해 11월부터 유치 전략을 펴 온 경북도와 구미시는 “지방균형발전을 어긴 정책”이라며 반발했다. 서울 이은주 기자 erin@seoul.co.kr 청주 남인우 기자 niw7263@seoul.co.kr

포스트 메모리 공략·폴더블폰 등 핵심 신성장 동력 AI·5G 주도권 주요 의제 불참해온 이재용 부회장 참석 여부 관심 삼성전자가 글로벌 불확실성이 짙어진 내년을 앞두고 ‘초격차 전략’ 구상에 나섰다. 삼성전자는 17일부터 20일까지 경기 수원·기흥 사업장에서 소비자가전(CE), 인터넷모바일(IM), 디바이스솔루션(DS) 부문별로 차례로 ‘2018 하반기 글로벌 전략회의’에 돌입한다. 국내외 주요 임직원이 모여 한 해 성과를 점검하고 차기 사업계획을 논의하는 자리다. 반도제 고점 논란, 스마트폰 실적 부진 속에서 위기를 타개하고 신성장 산업의 주도권을 쥘 ‘차세대 전략’에 시선이 모아진다. 신성장 동력인 인공지능(AI)과 5세대(5G) 이동통신 기술력 및 주도권 확보 역시 주요 의제다. 매년 6월과 12월 두 차례 열리는 비공식 행사로 이재용 부회장은 통상 불참해 왔지만, 시기적 중요성을 이유로 이 부회장의 참석 여부에도 관심이 쏠린다. 회의는 각 부문장인 김기남 DS부문장 부회장, 고동진 IM부문장 사장, 김현석 CE부문장 사장 등 대표이사 3명이 직접 주재한다. 전 세계 주요 법인장, 개발 부문 책임자 등이 참석한다. 반도체 분야는 ‘포스트 메모리’ 공략이 관건이다. D램 가격 하락에 대응해 투자 속도 조절 및 시스템 LSI, 파운드리 등 비메모리 분야 확대, 육성 방안이 중점 논의될 전망이다. IM 부문은 중국의 거센 스마트폰 굴기 속에 폴더블폰, 5G 스마트폰 등 신제품 출시 마케팅, 사용자 경험 차별화 등 글로벌 1위 수성 방안이 핵심이다. 5G 네트워크 장비 공급 등 신규 시장 확대 방안도 걸려 있다. 스마트폰 혁신이 한계에 다다른 상황에서 폴더블폰의 시장 잠재력을 업계가 주목하고 있다. CE 부문은 내년 1월 초 미국 라스베이거스에서 열리는 소비자가전전시회(CES) 전략 및 신제품 출시, 퀀텀닷발광다이오드(QLED) TV와 차세대 디스플레이 공략 계획 등을 논의할 전망이다. 이 부회장이 차세대 먹거리로 지목하고 각별한 관심을 기울이고 있는 AI 기술 경쟁력·인력 확보 방안 역시 키워드 중 하나다. 2020년까지 자사 모든 스마트 제품에 AI 플랫폼 ‘빅스비’를 적용하고 오픈 플랫폼을 강화하겠다는 계획인 만큼 삼성이 제시할 AI 로드맵은 향후 10년을 판가름할 전략으로 평가된다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

속도 5200메가비트… 영화 11편 1초에 초격차 기술 미국·중국 업체와 더 벌려SK하이닉스가 차세대 표준 규격을 만족하는 DDR5 개발에 성공하며 미국·중국 업체들과의 기술 격차를 더 벌렸다. DDR은 PC용 D램의 표준 규격이다. SK하이닉스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 DDR5를 주요 칩셋 업체에 실제로 제공했다고 15일 밝혔다. 칩셋 업체에 제공했다는 건 DDR5를 다른 반도체들과 함께 적용해 오류 가능성 등을 점검했다는 것으로, 상용화에 한발 더 다가갔다는 의미다. 현재 상용화돼 있는 DDR4는 초당 데이터 1600~3200메가비트(Mbps)를 전송할 수 있다. SK하이닉스가 이번에 개발한 DDR5는 DDR4의 다음 단계로, 같은 10나노급 미세 공정이 적용됐다. 전송 속도는 5200Mbps에 달하면서 전력 소비량은 30%나 줄였다. 5200Mbps는 3.8기가바이트 풀고화질(FHD) 영화 11편 용량을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC에 사용되는 반도체로 오류 정정 회로를 내장하고 있어 고용량 시스템 신뢰성을 높였다. 또 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 기술, 전송 잡음을 제거하는 기술, 읽기 데이터 왜곡이나 잡음을 최소화하는 기술 등이 적용됐다. DDR5 수요는 2020년부터 본격적으로 발생할 것으로 전망된다. 시장조사기관 IDC는 DDR5 수요가 2021년엔 전체 D램 시장의 25%로, 2022년엔 44%로 확대될 것으로 예상했다. 조주환 SK하이닉스 D램개발사업 VPD 담당 상무는 “초격차 기술을 바탕으로 2020년부터 DDR5 본격 양산을 시작해 수요에 적극 대응할 것”이라고 설명했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

SK하이닉스가 차세대 표준규격을 만족하는 ‘DDR5’ 개발에 성공하며 미국·중국 등 업체와 기술격차를 더 벌렸다. DDR은 PC용 D램의 표준 규격이다. SK하이닉스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 DDR5를 주요 칩셋 업체에 실제로 제공했다고 15일 밝혔다. 칩셋 업체에 제공했다는 건 DDR5를 다른 반도체들과 함께 적용해 오류 가능성 등을 점검했다는 것으로, 상용화에 한 발 더 다가갔다는 의미다.현재 상용화돼 있는 DDR4는 초당 데이터 1600~3200메가비트(Mbps)를 전송할 수 있다. SK하이닉스가 이번에 개발한 DDR5는 DDR4의 다음 단계로, 같은 10나노급 미세공정이 적용됐다. 전송 속도는 5200Mbps에 달하면서 전력 소비량은 30%나 줄였다. 5200Mbps는 3.8기가바이트 풀고화질(FHD) 영화 11편 용량을 1초만에 처리할 수 있는 속도다. 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC에 사용되는 반도체로 오류정정 회로를 내장하고 있어 고용량 시스템 신뢰성을 높였다. 또 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 기술, 전송 잡음을 제거하는 기술, 읽기 데이터 왜곡이나 잡음을 최소화하는 기술 등이 적용됐다. DDR5 수요는 2020년부터 본격적으로 발생할 것으로 전망된다. 시장조사기관 IDC는 DDR5 수요가 2021년엔 전체 D램 시장의 25%로, 2022년엔 44%로 확대될 것으로 예상했다. 조주환 SK하이닉스 D램개발사업 VPD담당 상무는 “초격차 기술을 바탕으로 2020년부터 DDR5 본격 양산을 시작해 수요에 적극 대응할 것”이라고 설명했다. 김민석 기자 shiho@seoul.co.kr

반도체 53%가 연산·정보처리 ‘두뇌 칩’ D램·낸드플래시 등 메모리 의존 줄이고 非메모리 국산화 위한 R&D 지원해야한국 반도체 산업은 유례없는 초호황기를 맞았지만, 최근 반도체 호황이 지났다는 진단이 나오고 있다. 한국은행에 따르면 D램 수출 물가는 8월(-0.1%)부터 3개월 연속 전월보다 떨어져 10월에는 4.9% 감소했다. 글로벌 시장조사업체인 D램 익스체인지에 따르면 PC에 주로 쓰이는 D램 메모리인 DDR4 8Gb 제품의 지난달 말 가격은 개당 7.31달러로, 전월(8.19달러)보다 10.74% 하락했다. 지난달 말 낸드플래시(메모리카드 및 USB향·128Gb MLC) 가격은 4.74달러로 전월 대비 6.51% 하락하면서 낙폭을 키웠다. 삼성전자와 SK하이닉스는 내년 1분기까지 D램·낸드플래시 가격 하락세가 이어질 것으로 보고 수요 조절에 나서고 있다. 반도체 업계가 이처럼 불안한 선두를 벗어나기 위해서는 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 의존도를 줄이고, 파운드리(위탁 주문생산)와 시스템 반도체 등 비(非)메모리 분야에 매진해야 한다는 얘기가 나온다. 시스템 반도체는 연산과 정보처리를 담당하는 두뇌 역할을 한다. 한국반도체산업협회에 따르면 지난해 세계 반도체 시장의 53.4%(금액 기준)가 시스템 반도체였지만, 한국의 점유율은 2.9%에 불과했다. 정부의 역할은 우리 업계가 세계 1위인 메모리반도체의 ‘초격차’(넘을 수 없는 차이의 격) 전략을 유지하고, 시스템 반도체 개발 역량을 키울 수 있도록 측면 지원하는 것이다. 반도체 장비산업의 국산화를 위한 연구개발(R&D)도 적극 지원해야 한다. 산업부 관계자는 “반도체 장비의 국산화율은 20%에 불과하다”면서 “반도체 장비 시장도 미국, 네덜란드, 일본 업체들이 절반 이상을 차지하고 있어 우리나라는 수입에 의존하고 있는 실정”이라고 말했다. 정부는 뒤늦게 차세대 반도체 R&D 사업 예비타당성 조사를 진행 중이다. 산업통상자원부와 과학기술정보통신부가 각각 7500억원씩 1조 5000억원 규모로 수행하며 전체 기간은 10년이다. 박영준 전 서울대 교수는 “정부가 15년 동안 반도체 분야 지원을 거의 안 해서 인재들이 배출되지 못했다”면서 “중국이 앞선 시스템 반도체 분야를 따라가려면 지금이라도 빨리 빅데이터를 처리하기 위한 반도체칩 설계·제조 기술 연구를 해야 한다”고 강조했다. 우리나라 반도체 업계의 현재 실적은 다행히 최고 수준이다. 삼성전자의 3분기 영업이익이 17조 5700억원인데, 이 가운데 반도체 부문 영업이익은 13조 6500억원(77.7%)이다. 시장조사업체 IC인사이츠의 ‘2018년 반도체 시장 전망 보고서’에 따르면 지난해 세계 1위였던 삼성전자의 올해 반도체 사업 매출은 832억 5800만 달러로, 지난해(658억 8200만 달러)보다 26% 증가할 것으로 예상됐다. 올해 701억 5400만 달러의 매출이 예상되는 인텔을 제치고 2년 연속 세계 1위 자리를 지킬 것으로 전망된다. SK하이닉스는 지난해보다 41% 늘어난 377억 3100만 달러의 매출로 세계 3위에 진입할 것으로 예상됐다. 디스플레이 부문은 지난해까지 세계 1위였던 액정표시장치(LCD) 시장을 중국에 넘겨준 상황이다. 중국 디스플레이 업체들은 막대한 정부 보조금에 힘입어 본격적으로 LCD 양산에 들어갔고, 그 결과 공급과잉으로 LCD 단가가 폭락해 우리 장비·부품 업체들을 위협하고 있다. 산업부에 따르면 올해 10월 65인치 TV용 LCD 패널 단가는 243달러로 전년 같은 기간(352달러) 대비 31% 하락했다. 이에 맞서 우리 업체들은 유기발광다이오드(OLED) 시장에서 ‘초격차’ 유지 전략으로 승부를 걸겠다는 각오다. 삼성디스플레이는 중소형 OLED 시장에서 점유율이 97.6%에 이르고, LG디스플레이는 TV용 OLED를 생산하는 유일한 업체다. LG디스플레이는 현재 10%에 불과한 OLED 매출 비중을 내년에 40%까지 끌어올린다는 계획을 세웠다. 업계 관계자는 “삼성·LG디스플레이 모두 아직 LCD 매출이 크다”면서 “LCD 매출을 줄이고 OLED 매출을 키워야 중국과의 격차를 벌릴 수 있다”고 강조했다. 정부는 중국이 OLED 기술도 따라올 것에 대비해 ‘제5세대 디스플레이’ 개발을 준비하고 있다. 지난달 15일에는 산업부가 추진하는 디스플레이 예비타당성 조사 사업이 5230억원 규모로 최종 심사를 통과했다. 차세대 디스플레이 기술 확보, 후방산업 경쟁력 강화, 다품종 소량 생산 체계 정립 등을 통한 원가 감축과 시장 점유율 확보, 초격차 유지 등이 목표다. 문제는 디스플레이 장비업체 등 중소기업에 대한 지원이다. 디스플레이 장비업체들의 매출과 영업이익이 반 토막 나고 있기 때문이다. 지난해 상반기에 8971억원의 매출을 기록한 디스플레이 제조용 장비업체 톱텍의 올해 상반기 매출은 2069억원, 같은 기간 영업이익은 1501억원에서 142억원으로 급감했다. 산업부는 내년부터 중소업체들의 R&D를 공동 지원하기 위해 충남 천안에 디스플레이 혁신공정센터를 건립하기로 했다. 장진 경희대 정보디스플레이학과 교수는 “디스플레이에 들어가는 미국 장비업체들도 미국 정부에서 지원해서 커졌다”면서 “우리나라도 장비와 부품이 중국 디스플레이 업체에 들어갈 수 있도록 기업을 육성할 필요가 있다”고 강조했다. 황비웅 기자 stylist@seoul.co.kr

생산성 20% ‘쑥’… 소비전력 15% ‘뚝’ 내년 1분기부터 시장에 공급 나서SK하이닉스가 낸드플래시에 이어 D램에서 차세대 공정 양산을 본격 시작한다. SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트급 DDR D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 1세대(1x) 제품보다 생산성은 약 20% 향상됐고, 전력소비는 15% 이상 줄었다. DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3200Mbps 데이터 전송 속도를 안정적으로 구현할 수 있다. D램은 삼성전자가 앞서 지난해 11월 2세대 10나노급 서버용 D램 양산을 시작했고, 마이크론도 최근 동일 공정 D램 양산을 시작했다. 세계 D램 3강이 모두 2세대 10나노급 D램 양산을 시작하며 하위권 업체들과 격차가 더 벌어지게 됐다. SK하이닉스는 이달 초 세계 최초로 96단 4D 낸드플래시를 개발한 데 이어 D램에서도 초격차 전략에 속도를 높이는 모습이다. 특히 데이터 전송 속도를 높이기 위해 ‘4페이즈 클로킹’ 설계 기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존보다 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 마치 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활하게 하는 것과 같은 원리다. 이와 함께 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 ‘센스 앰프’ 기술도 적용했다고 회사 측은 설명했다. SK하이닉스는 PC, 서버 시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다. 김석 D램마케팅담당 상무는 “2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품”이라면서 “내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

조대식 의장, 학교 동문인 최태원 회장 지근거리에서 보좌 박정호 사장, ICT그룹으로 탈바꿈시켜 최 회장 신임 두터운 측근박성욱 부회장, 34년간 하이닉스에 근무한 반도체전문가 　SK그룹은 ‘수펙스(SUPEX)추구협의회’라는 고유의 경영시스템을 갖고 있다. 2013년 공식 출범한 수펙스추구협의회는 산하에 총 7개 위원회를 두고 있다. 7개 위원회는 주요 CEO들이 위원장을 맡는다. 이 체제에서 각 관계사는 자율적으로 경영행위를 판단하고 책임을 진다. 경영행위에 대한 판단을 도울 수 있도록 그룹 차원에서 별도의 전문위원회를 구성해 지원한다. 이런 시스템은 최종현 선대회장이 손길승 회장과 주종관계가 아닌 파트너십을 이어간 전통을 이어 받았다. 최 선대회장은 1995년 노태우 전 대통령의 비자금 문제로 검찰에서 조사받을 때 당시 손 기획실장이 거액의 정치헌금을 다룰 수 있느냐는 검사의 추궁을 받자 “손길승 실장은 단순히 내가 부려먹는 사원이 아니라 나의 비즈니스 파트너, 동업자입니다”라고 대답했다. 최 선대회장의 발언은 당시 정태수 한보 회장의 ‘머슴론’과 비교되면서 화제가 됐다. 　조대식(58) 의장 겸 전략위원장은 최태원 회장과 함께 이대부속초등학교와 고려대를 나온 ‘동문’이다. 대성고-고려대 사회학과-미국 클락대 경영대학원을 마쳤다. 지난 2007년 삼성물산 상사부문에서 미주총괄 관리담당 임원을 지내다 SK에 재무담당으로 입사했다. 이후 줄곧 최 회장의 지근거리에서 일해 회장의 의중을 누구보다 잘 파악하고 실행에 옮기는 최고경영진이다. 최 회장이 수펙스추구협의회 의장뿐만 아니라 전략위원장을 맡긴 것도 이 때문이다. 　조 의장은 지난 2013년부터 2017년까지 SK㈜ 대표이사 사장으로 재직하는 동안 SK머티리얼즈과 SK실트론 인수, 공유차량 서비스 ‘쏘카’ 지분 투자, SK트리켐과 SK쇼와덴코 설립 등을 진행했다. 이를 통해 SK㈜를 종전 관리형 지주회사에서 투자전문사로 기반을 닦았다. 지난 2015년에는 SK㈜와 SK C&C를 합병, 통합 지주회사를 출범시키는 등 SK그룹 지배구조를 완성했다. 　올해부터 에너지·화학위원장을 맡고 있는 유정준(56) SK E&S 사장은 그룹 내 대표적인 글로벌 통이자 에너지 전문가로 손꼽힌다. 2015년부터 지난해까지 3년간 글로벌성장위원장을 역임했다. 인도네시아, 중국, 쿠웨이트 등 주요 국영기업과의 사업협력은 물론, 미국의 셰일에너지 선두주자인 콘티넨탈리소시스, 스페인 석유기업 렙솔, 일본 JX 니폰 오일&에너지와의 글로벌 파트너십 등을 주도했다. 　또한 유 위원장은 에너지 분야의 오랜 경험을 바탕으로 국내기반의 도시가스 지주회사였던 SK E&S를 글로벌 LNG 유통회사로 성장시켰다. 현재 SK E&S는 도시가스뿐만 아니라 전력, 집단에너지, 신재생에너지, 해외 에너지 사업을 펼치고 있다. 경기고, 고려대 경영학과를 거쳐 미 일리노이주립대에서 회계학 석사학위를 받았다. 　ICT위원회를 이끌고 있는 박정호(55) SK텔레콤 사장은 그룹의 ICT 사업 확장과 성장동력 발굴을 주도하는 등 인수·합병(M&A) 전문가로 꼽힌다. 박 위원장은 신입사원 시절 최종현 선대회장에게 “그룹의 미래 성장을 위한 사업 포트폴리오가 약한 것 같아 걱정이 된다”고 질문해 주위를 놀라게 했을 정도로 당차다. 지난 2001년부터 4녀간 최 회장 비서실장을 맡은 박 위원장은 신세기통신, 하이닉스, 도시바 등의 굵직한 M&A를 주도적으로 이끌며 ICT를 SK그룹 성장의 한 축으로 키운 최 회장의 최측근이다. 특히 2012년 하이닉스를 인수할 당시 그룹 내부에서도 반대 의견이 지배적이었지만 SK텔레콤 사업개발부문장이었던 박 위원장은 반대 세력을 추스리고 돌파해 최 회장의 신임을 얻었다. 　2014년 SK C&C 사장에 올랐고, 2015년 SK C&C와 ㈜SK가 합병되면서 SK㈜ C&C 대표이사가 됐다. 지난해 1월 SK텔레콤 대표이사에 취임한 박 위원장은 최근 ADT캡스를 인수하는 등 AI, IoT, 자율주행, 보안 등 New ICT 기반 미래사업 발굴에 나서고 있다. 마산고-고려대 경영학과-미 조지워싱턴대 경영학 석사 출신이다. 　글로벌성장위원회는 박성욱(60) SK하이닉스 부회장이 위원장을 맡고 있다. 박 위원장은 동지고와 울산대 재료공학과를 거쳐 KAIST 석·박사학위를 취득한 ‘엔지니어 출신 CEO’다. 지난 1984년 옛 현대전자에 연구소 엔지니어로 입사한 후 34년간 SK하이닉스에만 근무해 왔다. 2013년 대표이사로 취임해 ‘기술 리더십’을 바탕으로 SK하이닉스를 세계 2위의 메모리 반도체 회사로 이끌었고 2017년 부회장으로 승진했다. 최근에는 10나노급 후반의 D램 및 업계 최초 72단 3D낸드를 성공적으로 개발·양산했으며 고대역폭 메모리(HBM)와 차세대 메모리 제품 개발에 진력하는 등 메모리반도체인 D램 분야에서 업계 최고의 전문가다. 　김준(57) SK이노베이션 사장이 위원장을 맡고 있는 커뮤니케이션위원회는 그룹의 대외 업무를 담당한다. 유공에 입사해 여러 관계사에서 굵직한 신사업을 담당했던 김 위원장은 2015년부터 SK에너지 사장을 맡아 수익구조 혁신 등을 통해 약 1조원 대의 적자를 기록 중이던 석유사업의 흑자 전환을 이끌었다. 지난해부터 SK이노베이션 총괄사장을 맡고 있는 김 위원장은 비정유부문 강화를 통한 사업구조 혁신에 나섰다. 　신성장동력인 전기차 배터리 사업도 글로벌 시장으로 반경을 넓히고 있다. SK이노베이션은 지난해 비정유부문 영업이익이 2조원을 넘는 등 사상 최대 실적을 기록했다. 경동고와 서울대 경영학과와 대학원을 졸업했다. 　서진우(57) 위원장은 SK그룹에서 주로 마케팅 분야와 성장동력 발굴 업무를 담당해왔다. 우신고-서울대 전기공학-미 아이오와대 경영학 석사 출신인 서 위원장은 대한텔레콤을 거쳐 SK텔레콤으로 옮겨 젊은 고객층에게 센세이션을 불러 일으켰던 ‘TTL’ 브랜드를 성공시켰다. 이후 와이더댄닷컴 대표, 넷츠고 대표, SK커뮤니케이션즈 대표를 역임하며 그룹의 인터넷 사업을 성장시켰다. 2011년부터 2016년까지는 SK플래닛 사장으로 재임하며 플랫폼 비즈니스의 기반을 닦았다. 　최광철(63) 위원장은 글로벌 건설업체인 벡텔(Bechtel)에 입사해 부사장 겸 최고정보책임자(CIO)까지 지낸 뒤 KAIST 교수로 강단에 서다, 2008년 SK건설 부사장직인 최고기술책임자(CTO)로 SK그룹에 합류해 플랜트 담당 사장과 인더스트리 담당 사장을 거쳤다. 2012년부터 2016년까지 SK건설 대표이사를 역임했다. 경복고와 서울대 토목공학과를 거친 뒤 미 UC버클리대에서 토목공학 석사, 공사경영 박사학위를 받았다. 이종락 논설위원 jrlee@seoul.co.kr

삼성, 영업이익 17조 5000억 발표 이어 SK도 역대 최고 6조 4000억 안팎 예상 D램 가격 떨어져 4분기부터 부진 우려 양사 각각 16조·4조원대로 추락 가능성 사상 최대 수준의 3분기 영업실적을 낸 반도체 코리아 연합군인 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 먹거리 공략에 고심하고 있다. 반도체 호황의 고점론이 최근 가시화하면서 효자종목 D램 이외 포트폴리오 다변화 및 중국과의 기술 격차 유지에 비상이 걸렸다. ‘선택과 집중’으로 반도체 글로벌 강국 자리에 올랐지만 파운드리(수탁생산)를 위시한 시스템 반도체 등 투자로 ‘비(非)D램 분야’ 띄우기가 관건이다. 21일 업계에 따르면 이번 주 3분기 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스는 영업이익 6조 4000억원 안팎의 역대 최대 실적이 예상된다. 앞서 지난 5일 삼성전자는 3분기 영업이익이 역대 최고인 17조 5000억원이라고 발표했다. 13조원 이상이 반도체 사업부에서 나왔다는 분석이다. 그러나 오는 4분기부터 반도체 실적이 내리막길을 걸을 것이라는 투자업계 예상이 지배적이다. 신규 스마트폰 수요 하락으로 인한 D램 가격 하락, 공급 부족을 겪었던 서버 D램 공급량 증가 등이 주원인이다. 낸드 메모리 역시 내년 상반기 SK하이닉스 M15 라인, 도시바 팹6의 신규 양산 등으로 공급량이 늘어난다. SK하이닉스 영업이익이 내년 1분기 4조 3000억원대까지 떨어지고 삼성전자의 4분기 영업이익도 16조원대로 내려앉을 것이라는 관측이 나온다. 세계 반도체 시장의 70% 이상을 차지하는 시스템 반도체 분야 역량 향상에 업체들이 뒤늦게 사활을 걸고 나섰지만 갈 길이 멀다는 지적이다. 완성품 제조뿐 아니라 팹리스(반도체 설계) 업체들과 제휴를 통한 윈윈 효과를 노려야 한다는 것이다. 삼성전자는 파운드리 사업부를 올해 업계 2위로 올려놓겠다는 목표를 세운 만큼, 연내 매출 100억 달러(약 11조 3300억원) 돌파가 첫 관문이다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC를 비롯해 미국 글로벌파운드리, 대만 UMC에 이어 점유율 4위지만 지난주 세계 최초로 극자외선(EUV) 노광기술을 적용한 7나노 공정 생산을 시작하는 등 ‘초격차’에 몰두하고 있다. 삼성이 최근 스마트기기보다 사용환경, 수명 등에서 더 고품질이 요구되는 차량용 반도체 출시를 선언한 것도 같은 맥락이다. SK하이닉스도 D램에 편중된 사업 구조를 낸드 메모리, 파운드리까지 3각 포트폴리오로 완성하기 위한 움직임이 분주하다. 이달 초 충북 청주 M15 공장 준공을 3개월여 앞당긴 것도 연말부터 72단 3D(3차원) 낸드플래시, 5세대 96단 낸드플래시를 생산하기 위해서다. 파운드리 투자를 위해서는 경기 이천에 M16 EUV 라인, 중국 우시에 합작법인을 통한 공장 건설 등이 예정돼 있다. 업계 관계자는 “시스템 반도체 분야는 메모리보다 더 복잡하고 고객사별 맞춤 요구가 천차만별이지만 진입 장벽을 한번 넘으면 안정적 호황이 예상되는 곳간”이라고 말했다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

축구장 8배… 이르면 연말 본격 가동 “2023년까지 21만 8000명 고용 창출” 4일 문을 연 SK하이닉스의 충북 청주 M15 공장은 낸드플래시 메모리 반도체 전용 생산라인이다. 총 23만㎡ 면적에 건설 투자 금액만 2조 2000억원이 들었다. 추가 설비투자를 포함해 순차적으로 20조원이 투입된다. 공장은 축구장 8개 크기인 6만㎡ 규모로, 길이 339m, 폭 172m, 높이 71m 크기다. 복층으로 구성된 클린룸으로 설계됐다. 지난해 4월 본공사에 들어간 이후 1년 6개월 만에 준공됐다. 공장은 이르면 올 연말 본격 가동된다. 이곳에서 기존 72단 3D(3차원) 낸드플래시를 주력으로, 현재 개발 단계인 5세대 96단 낸드플래시까지 생산해 중국 등 해외 업체와의 격차를 벌리고 글로벌 입지를 강화한다는 게 회사 방침이다. 기존 청주 M11·M12, 경기 이천 M14 라인 일부에서도 낸드플래시를 생산 중이지만, 차세대 첨단 기술을 적용한 제품 비중을 늘려 초격차를 유지하겠다는 전략이다. 그동안 D램 생산 위주였던 SK하이닉스는 M15 준공으로 업계 5위인 낸드플래시 분야 점유율도 끌어올린다는 계획이다. 연간 생산량은 대외비라고 밝혔지만 이천 M14 생산라인과 비슷한 월 20만장 규모로 예상된다. 서울대 경제연구소는 2023년까지 M15가 21만 8000명의 고용창출 및 70조 9000억원의 생산유발 효과, 25조 8000억원의 부가가치를 낼 것으로 추산했다. M15는 건설 과정에 협력사 160여곳이 참여했고 연간 약 240만명의 인력이 투입됐다고 회사는 설명했다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr

올 삼성 13조·SK 8조 역대 최대 투자 2020년까지 최소 5개 생산라인 추가SK하이닉스가 여섯 번째 반도체 생산 라인의 준공식을 갖는다. 삼성전자와 SK하이닉스로 대표되는 ‘코리아 반도체’ 연합군이 ‘초격차’ 승부수로 설비 투자에 힘을 쏟고 있다. 무서운 기세로 추격 중인 중국 등을 따돌리기 위한 해법은 결국 첨단 기술 개발과 설비 투자라는 게 업계의 인식이다. ●SK하이닉스, 6번째 생산라인 준공식 SK하이닉스는 4일 충북 청주 테크노폴리스에서 최태원 SK그룹 회장, 박성욱 SK하이닉스 대표이사 부회장 등이 참석한 가운데 M15 공장 준공식을 개최한다고 3일 밝혔다. 총 23만㎡ 면적에 약 15조원이 투자되는 M15 공장은 낸드플래시 메모리 전용 생산라인으로 지난해 4월 착공됐다. 이르면 연말부터 72단 3D(3차원) 낸드플래시와 함께 현재 개발 중인 5세대 96단 낸드플래시도 생산할 예정이다. SK하이닉스의 메모리 생산라인은 2005년 경기 이천시의 M10(D램)을 비롯, 청주 M11·M12(낸드), 이천 M14(D램·낸드), 중국 우시 C2(D램)에 이어 총 6곳으로 늘었다. 올해 들어 반도체 고점 우려가 제기되고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스는 역대 최대 규모 투자를 계속하고 있다. 양사의 반기 보고서에 따르면 올 상반기 반도체 시설 부문에 삼성전자는 13조 3415억원, SK하이닉스는 8조 960억원을 투자했다. 삼성전자는 상반기 시설 투자액 16조 6478억원 중 80%가 반도체에 집중됐다. SK하이닉스 역시 사상 처음으로 반도체 투자액이 8조원을 넘었다. 지난해 같은 기간 대비 약 2배 증가한 것이다. ●삼성전자, 화성 등 3곳서 생산라인 건설 중 양사는 2020년까지 국내외 최소 5개 반도체 생산라인을 추가할 계획이다. 메모리 반도체 점유율 세계 1위인 삼성전자는 현재 가동 중인 경기 화성·평택·기흥 등의 라인 외에 3곳에서 건설을 진행 중이다. 화성에 차세대 첨단 미세공정인 극자외선(EUV) 장비를 도입한 라인, 평택에 2기 메모리 라인을 각각 건설 중이고, 중국 시안에 기존 V낸드·패키지 라인 외 두 번째 라인을 구축하고 있다. SK하이닉스 역시 우시 공장의 팹 확장 공사를 하고 있다. 연말쯤 착공할 이천의 EUV M16 생산라인에는 약 15조원을 신규 투자할 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “반도체 업계의 생존 수단은 결국 선제 투자를 통한 기술 초격차 유지밖에 없다는 뜻”이라고 말했다. 이재용 삼성전자 부회장은 지난 8월 화성 사업장을 찾아 “4차 산업혁명을 선도하고 미래 수요에 대비하려면 기술 초격차가 반드시 유지돼야 한다”고 강조했다. 반도체 수출은 지난 8월 115억 달러를 기록하며 6월 최고 기록을 갈아치웠고, 전체 수출액에서 차지하는 비중도 22%를 넘어섰다. 반도체 단일 품목이 수출의 5분의1을 책임지는 셈이다. 인공지능(AI), 빅데이터, 클라우드컴퓨팅 시장 증가로 반도체 신규 수요가 고점 논란을 상쇄하리라는 전망이다. 이재연 기자 oscal@seoul.co.kr