이재용 삼성전자 부회장이 이건희 회장 별세 이후 주도한 첫 인사에서 ‘대표이사 3인’은 유임시킨 가운데 반도체·가전의 차세대 주자들을 사장으로 전면에 내세웠다. 이 부회장의 회장 승진은 이번 인사에선 제외됐다. 　삼성전자는 2일 내년도 사장단 인사를 단행했다. 사장 승진 3명, 위촉 업무 변경 2명 등 총 5명 규모다. 사장단 승진은 올 1월(4명)이나 2018년 12월(1명), 2017년 11월(7명), 2015년(4명) 등 예년에 비해 교체 폭이 비교적 작지만 불확실한 경영환경과 양호한 성과를 고려해 안정을 추구하면서도 초격차를 이룰 쇄신에 방점을 찍었다. 후속으로 이어질 전자 계열 부사장급 이하 임원 인사에서는 이런 기조를 바탕으로 대폭 물갈이가 이뤄질 전망이다. 　삼성전자에서는 창립 이래 처음으로 가전 부문에서 사장 승진자가 탄생했다. 지난 1월 소비자가전(CE) 부문 생활가전사업부장을 맡은 이재승(60) 신임 사장이 주인공이다. 1986년 입사 이래 34년간 가전 사업에만 매진해 온 이 사장은 무풍 에어컨, 비스포크 시리즈 등을 개발하며 삼성 생활가전에 르네상스를 가져왔다는 평이다. 지난 3분기 코로나19 여파를 뚫고 분기 기준 역대 최대 영업이익(1조 5600억원)을 올렸다. 　사장 승진자 3명 중 2명이 반도체 부문에서 나왔다. 50대 중반의 차세대 주자가 전면배치됐다. D램 전문가인 이정배(53) 신임 사장이 메모리사업부장을 맡아 마이크론 등 경쟁사의 추격을 따돌릴 임무를 부여받았다. 최시영(56) 신임 사장은 파운드리사업부장을 맡아 세계 1위인 TSMC와의 점유율을 좁힐 ‘기술 초격차’에 속도를 낸다. 　정은승(전 파운드리사업부장) 사장은 디바이스솔루션(DS) 부문에 신설된 최고기술책임자(CTO) 사장으로 자리를 옮기며 반도체 사업의 선행 연구 역량을 높인다. DS 부문은 3개 사업부 가운데 가장 많은 6명의 사장단을 갖추면서 세력을 더욱 과시하게 됐다. 진교영(전 메모리사업부장) 사장은 종합기술원장으로 자리를 옮긴다. 　이번 인사에서 내년 3월 임기 만료 예정이던 김기남 DS부문장 부회장과 고동진 IT·모바일(IM) 부문 사장, 김현석 CE 부문 사장은 모두 자리를 지켰다. 　전자 계열사 일부 수장도 교체됐다. 황성우(58) 전 삼성전자 종합기술원장은 삼성SDS 신임 대표이사 사장으로 선임됐다. 삼성디스플레이에서는 최주선(57) 대형디스플레이사업부장 사장이 대표이사에 올랐다. 　‘삼성가 사위’인 김재열 삼성경제연구소 스포츠마케팅 연구담당 사장은 이날 글로벌전략실장으로 보직이 바뀌었다. 해외 핵심 인재들을 영입하는 역할을 하며 그간 ‘인재 경영’의 중요성을 강조해 온 이 부회장을 지원할 것으로 보인다. 김 사장은 제일모직 사장, 삼성엔지니어링 사장 등을 지냈고 이 회장이 생전 애정을 쏟았던 국제올림픽위원회(IOC) 위원 활동 등에 동행하며 쌓은 글로벌 인맥이 풍부한 것으로 알려져 있다. 　이 부회장의 승진이 이번 인사에서 이뤄지지 않으면서 재계에서는 내년 3월 주주총회 즈음에 등기이사 복귀, 회장 승진이 이뤄질 수 있다는 관측이 나온다. 재계 관계자는 “형식적인 절차만 남았고 현재 이 회장의 49재가 진행 중이고 두 개의 재판도 병행하고 있어 서두를 사안이 아니다”라고 말했다. 　정서린 기자 rin@seoul.co.kr

SK하이닉스가 세계 최초로 국제 규격에 맞춘 DDR5 D램을 출시했다고 6일 밝혔다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 7월 차세대 D램 규격(DDR5)을 정했는데 SK하이닉스가 업계에서 가장 먼저 이를 적용한 제품을 내놓은 것이다. 국제반도체표준협의기구는 메모리 반도체 기술의 발전 정도에 맞춰 표준 규격을 새로 정한다. 회사마다 상이한 규격의 D램을 만들다 보면 다른 부품들과의 호환이 제대로 이뤄지지 않을 수 있기 때문이다. DDR1부터 DDR5까지 각자 지원하는 전송 속도, 동작 전압, 지원 용량 등이 정해져 있다. 이번에 SK하이닉스가 내놓은 DDR5 D램은 DDR4 대비 전송 속도가 최대 1.8배까지 빨라졌다. 최대 속도가 5600Mbps로 5기가바이트(GB) 용량의 풀HD급 영화 9편을 1초 만에 전달할 수 있다. 전력 소비도 전작보다 20% 감축됐다. 데이터서버에는 D램이 다닥다닥 설치돼 있어 많은 열이 발생하는데 전력 소비가 줄어들면 발생하는 열이 그만큼 감소할 것으로 보인다. DDR5 D램은 향후 빅데이터, 인공지능(AI), 데이터센터 등 4차 산업혁명의 핵심 분야에서 다양하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다. 다만 DDR5 D램의 본격적인 양산은 내년 말이나 2022년쯤부터 시작될 것으로 보인다. DDR5 D램과 호환되는 PC나 서버용 중앙처리장치(CPU) 등이 시장에 나와야 이에 발맞춰 수요가 생기기 때문이다. 이러한 상황을 고려해 시장조사기관 옴디아는 DDR5가 전체 D램 시장에서 차지하는 점유율이 내년에는 1%에 불과하고 2024년쯤은 돼야 43%로 커 나갈 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 파트너사 등과 호환성 및 동작 테스트를 완료해 향후 DDR5 D램 시장이 열리면 언제든지 제품을 판매할 수 있도록 준비를 마쳤다. 한편 메모리 반도체 1위 업체인 삼성전자는 내년 하반기쯤 DDR5 D램 제품을 출하할 것으로 전망된다. 인텔, AMD와 같은 CPU 제작 업체들의 제품 발매 일정에 맞춰 신제품을 내놓을 계획인 것으로 알려졌다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인에서 제품 양산에 돌입했다. 이재용 삼성전자 부회장은 이미 회사 메모리 반도체 부문에서 압도적인 세계 1위 자리를 지키고 있지만 ‘초격차’를 유지하고 나아가 2030년에 시스템반도체 1위에 등극하고자 투자에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 연면적이 축구장 16개 크기(12만 8900㎡)인 평택 2라인이 가동에 들어가 이곳에서 처음으로 D램 제품을 양산했다고 30일 밝혔다. 기존에는 11만 9000㎡(3.6만평) 규모의 평택 1라인이 단일 공장으로 가장 컸는데 이를 뛰어넘은 것이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 2021년도 하반기에는 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(위탁생산) 제품까지 생산한다. 지난 5월 착공한 극자외선(EUV) 기반의 파운드리 생산라인, 지난 6월 착공한 첨단 V낸드 라인까지 완성하면 평택 2라인은 D램·V낸드·파운드리의 최첨단 공정을 모두 보유한 대규모 반도체 종합 생산 시설의 위용을 완성한다. 평택 2라인은 이 부회장이 2018년 8월 ‘초격차’를 위해 약속한 ‘3년간 180조원 투자·4만명 고용’ 계획에 따라 건설됐다. 이 부회장은 지난 2월에도 “기업의 본분은 고용 창출과 혁신 투자다. 2년 전 약속을 꼭 지키겠다”고 강조했다. 지난 5월 평택 파운드리 생산라인 구축을 결정할 때는 디바이스솔루션(DS·반도체와 디스플레이) 부문 경영진들에게 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 전한 바 있다. 삼성전자는 평택 2라인에 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행하고 있다. 직접 고용 인력은 약 4000명이고, 협력사와 건설 인력까지 포함하면 3만명 이상의 고용을 창출할 것으로 보인다. 다만 이 같은 삼성 특유의 초격차 행보가 ‘사법리스크’에 발목이 잡힐 수 있다는 우려가 있다. 삼성 특유의 오너 경영에 제약이 생길 경우 과감한 선제투자가 중요한 반도체 시장에서 낙오할 수 있기 때문이다. 평택 2라인에서 이번에 출하한 ‘16Gb LPDDR5’ 모바일 D램은 전 세계 메모리 반도체 양산제품 중에서는 처음으로 EUV 공정이 적용됐다. 이번 제품은 기존 최고급 스마트폰에 들어가는 12Gb 모바일 D램(LPDDR5)보다 약 16% 빠른 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 화질의 영화(5GB) 약 10편을 처리할 수 있다. 기존보다 패키지 구성이 30% 더 얇기 때문에 스마트폰 두께를 줄이는 데 기여할 듯하다. 이 부회장은 인공지능, 5G, 자율주행용 반도체 분야에서 초격차를 이루기 위해 고성능, 저전력 반도체 개발에 필수적인 차세대 ‘EUV 기술’ 연구를 직접 챙겨왔다. 업계 관계자는 “현재 삼성전자 말고 메모리 반도체 공정에 EUV를 적용해 양산하는 곳은 없다. EUV를 적용하면 향후에 더 미세한 첨단 공정이 가능하다”면서 “1등임에도 아낌없는 투자로 다시 한번 경쟁자들과의 격차를 벌렸다는 데 의미가 있다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

SK하이닉스가 현존하는 최고 속도의 D램인 ‘HBM2E’를 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 거둔 성과다. HBM2E는 1초에 풀HD급 영화(편당 3.7GB) 124편을 전달할 수 있는 업계에서 가장 빠른 D램 솔루션이다. HBM2E는 정보 출입구 1개당 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터를 처리할 수 있다. 정보 출입구 전체가 1024개이므로 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있는 성능을 지녔다. 용량은 8개의 16Gb D램 칩을 TSV라는 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV 기술은 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로 전력 소모를 50% 이상 줄인다. SK하이닉스는 “초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션”이라며 “기상 변화, 우주 탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 활용할 수 있을 것으로 전망한다”고 밝혔다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

SK하이닉스가 현존하는 최고 속도의 D램인 ‘HBM2E’을 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 거둔 성과다.　HBM2E은 1초에 풀HD급 영화(편당 3.7GB) 124편을 전달할 수 있는 업계에서 가장 빠른 D램 솔루션이다. HBM2E는 정보 출입구 1개당 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리를 할 수 있다. 정보 출입구 전체가 1024개이므로 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있는 성능을 지녔다. 　용량은 8개의 16Gb D램 칩을 TSV라는 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV 기술은 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로 전력 소모를 50% 이상 줄인다. 　SK하이닉스는 “초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션”이라며 “기상 변화, 우주 탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 활용할 수 있을 것으로 전망한다”고 밝혔다. 　정서린 기자 rin@seoul.co.kr

‘이오테크닉스’와 레이저 설비 독자 개발 ‘솔브레인’과 3D 공정 핵심 소재 만들어삼성전자가 중소 설비·부품 업체와 손잡고 국내 반도체 생태계를 강화하기 위한 노력이 성과로 나타나고 있다. 협력사 지원, 산학협력 강화, 친환경 경영에 힘쏟으며 국내 반도체 산업 성장을 이끌고 있다. 삼성전자만 홀로 잘나가는 ‘S칩 시대’보다는 국내 반도체 시장 업계가 함께 성장하는 ‘K칩 시대’를 만들겠단 것이다. 삼성전자는 25일 반도체 장비 제조업체인 ‘이오테크닉스’와 함께 그동안 주로 수입에 의존했던 고성능 레이저 설비 개발에 성공했다고 밝혔다. 큰 돈을 들여 레이저 설비를 수입했지만 반도체 회로가 점점 미세화되면서 불량이 발생하자 이오테크닉스와 함께 독자 개발에 나선 것이다. 삼성전자는 이번 레이저 설비를 통해 지난해 3월 세계 최초로 3세대 10나노(10억분의1m)급 D램 양산에 돌입했다.또 반도체 소재 생산업체인 ‘솔브레인’은 최근 삼성전자와 협업을 통해 3차원(3D) 낸드플래시 식각공정(반도체 회로를 깎는 공정)의 핵심소재 중 하나인 ‘고선택비인산’을 개발해 삼성전자의 차세대 반도체 품질을 크게 끌어올렸다. 솔브레인이 개발한 것은 세계 최고 품질 수준으로 평가받는다. 삼성전자의 이런 행보는 지난해 4월 이재용 삼성전자 부회장이 ‘시스템 반도체 비전 선포식’에서 “같이 나누고 함께 성장하는 것이야말로 세계 최고를 향한 도전을 멈추게 하지 않는 힘”이라고 강조한 것에 따른 것이다.‘동행’을 꾸준히 강조해온 이 부회장은 반도체 산업의 위기 대응과 지속 가능한 성장을 위해 상생 협력을 필수로 여겨야 한다는 의지를 여러 차례 내비쳤다. 올해에만 ‘반도체·부품(DS)부문 사장단 간담회’(1월), ‘EUV 전용 생산라인 V1 점검’(2월), ‘평택 EUV 파운드리 라인 투자’(5월), ‘반도체 연구소 간담회’(6월)를 직접 챙겨왔다. 이 부회장은 반도체·DS부문 사장단 간담회에서는 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길”이라 강조했다. 업계 관계자는 “최근 한일 경제 갈등이 재현될 조짐이기 때문에 이 같은 상생협력을 더욱 강화할 필요가 있다”고 강조했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

“어렵고 힘든 때일수록 미래를 철저히 준비해야 한다. 국민의 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신이다.” 이재용 삼성전자 부회장이 25일 삼성종합기술원을 찾아 반도체·디스플레이·전지를 비롯한 차세대 신기술 개발 현황을 점검했다. 코로나19 사태로 경영 불확실성이 커진 가운데 혁신을 통해 미래 동력을 확보하겠다는 행보로 풀이된다. 이날 삼성에 따르면 이 부회장은 경기 수원에 위치한 삼성종합기술원을 방문해 “한계에 부딪혔다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자”며 직원들을 격려했다. 위기를 극복하기 위한 이 부회장의 ‘현장 경영’ 행보는 올 들어 여섯 번째다. 지난 1월에는 삼성전자 화성사업장의 반도체 연구소와 브라질 마나우스 법인을, 2월에는 삼성전자 화성사업장 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인을 방문했다. 지난 3일과 19일에는 삼성전자 구미사업장과 삼성디스플레이 아산사업장을 각각 찾아 코로나19 위기에 대응해 현장을 점검했다. 이번 방문에서는 차세대 인공지능(AI) 반도체와 양자 컴퓨터 기술, 반도체·디스플레이·전지 혁신 소재 등 선행 기술에 대해 논의했다. 이 부회장이 ‘기술 초격차’를 강조한 이날 삼성은 업계 최초로 D램 반도체에 EUV 공정을 적용해 양산 체계를 갖췄다는 내용도 밝혔다. EUV를 통해 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 이미 공급해 고객 평가를 완료했고 앞으로 차세대 D램에 EUV를 적용한다는 내용이다. 파장이 짧은 극자외선 광원을 활용하는 EUV 기술은 10나노 미만으로 선폭이 좁아지는 미세공정에서 기존의 불화아르곤보다 세밀한 회로 구현을 가능하게 하는 것으로 고성능·저전력 반도체 생산에 필수적인 기술이라 할 수 있다. 지난해 9월 양산에 돌입한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램까지는 EUV 공정을 도입하지 않았지만 공정 미세화에 한계가 오면서 EUV 적용에 박차를 가한 것으로 알려졌다. 삼성은 내년에 EUV를 전면 적용한 4세대 10나노급(1a) D램 양산에 돌입할 예정이고 5·6세대 D램도 선행 개발해 기술 격차를 이어 나갈 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

AI 데이터 등 활용 “초고가 메모리 선점”삼성전자가 풀HD 화질(5GB)의 영화를 1초당 82편씩 전송할 수 있는 초고속 메모리 반도체를 세계 최초로 시장에 내놨다. 삼성전자는 4일 슈퍼컴퓨터와 인공지능(AI) 기반 데이터 분석에 활용할 수 있는 초고속 D램인 ‘플래시 볼트’를 출시한다고 밝혔다. 이번 제품은 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 고대역폭 메모리(HBM2E) D램이다. 2세대 제품(초당 영화 61편 전송 가능 수준)보다 속도는 1.3배, 용량은 2.0배 향상됐다. 현존하는 D램 패키지 중에 데이터 처리 속도가 가장 빠르다. 2017년 12월에 2세대 제품을 양산한 지 2년여 만에 세계 최초로 3세대 제품 양산에 돌입했다. SK하이닉스도 지난해 8월 3세대 제품을 개발했다고 밝혔지만 아직 양산에 돌입하지는 않았다. 이번에 출시한 HBM2E는 HBM D램의 최신 규격이다. HBM은 칩 상단과 하단에 미세한 전자이동 통로를 만든 뒤 D램 칩을 쌓아 수직으로 연결한 제품을 뜻한다. 칩을 관통해 전극으로 연결하는 방식이어서 금선(와이어)을 통해 외부에서 묶는 것보다 칩 간에 신호를 빠르게 주고받는다. 특히 삼성전자는 16기가비트(Gb) D램에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개가 넘는 ‘실리콘 관통 전극’(TSV) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 기술’을 이 제품에 적용해 속도가 빨라지게 했다. ‘신호전송 최적화 회로 설계’ 덕에 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2Gb의 속도로 410GB의 데이터를 처리할 수 있다. 삼성전자는 이번 제품을 통해 차세대 초고가 메모리 시장을 선점하겠다는 계획을 지녔다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

글로벌 반도체 불황으로 SK하이닉스의 지난해 영업이익이 전년보다 87% 급감한 것으로 나타났다.SK하이닉스는 지난해 매출이 26조 9907억원, 영업이익 2조 7127억원으로 집계됐다고 31일 공시했다. 매출은 전년보다 33.3% 줄었다. 지난해 4분기 영업이익은 2360억원으로 전년 동기보다 94.7% 축소됐다. 매출은 6조 9271억원으로 전년 동기보다 30% 감소했지만 전 분기보다는 1% 증가했다. 지난해 4분기 실적은 매출이 전 분기보다 소폭 늘었지만 수요 증가에 대응하기 위해 비중을 확대한 제품군의 수익성이 낮았다. 또 신규 공정 전환에 따른 초기 원가 부담으로 영업이익은 전 분기보다 50% 줄었다. SK하이닉스는 “지난해 글로벌 무역 갈등으로 세계 경제의 불확실성이 확대되고 고객들의 재고 증가와 보수적인 구매 정책으로 수요 둔화와 가격 하락이 이어져 실적이 전년보다 감소했다”고 밝혔다. 제품별로는 D램 출하량이 전 분기보다 8% 증가했고, 평균 판매가격은 7% 하락했다. 낸드플래시는 출하량이 10% 증가했고, 평균판매가격은 전 분기 수준을 유지했다. 올해는 반도체 경기 회복으로 실적이 개선될 것으로 보인다. 회사 측은 D램 시장의 경우 서버 D램의 수요 회복, 5G 스마트폰 확산에 따른 판매량 증가로 전형적인 상저하고의 수요 흐름이 나타날 것으로 예측했다. 낸드플래시 시장도 PC와 데이터센터 수요가 증가하고 고용량화 추세가 확대되면서 성장세가 예상된다. 하지만 SK하이닉스는 시장 불확실성을 감안해 신중한 생산·투자 전략을 운영할 방침이다. 공정 전환 과정에서도 기술 성숙도를 빠르게 향상시키는 한편 차세대 제품의 차질 없는 준비로 원가 절감을 가속화한다는 전략이다. 최근 확산되고 있는 신종 코로나바이러스 영향도 예의주시하고 있다. SK하이닉스는 중국 우시와 충칭에 반도체 사업장을 두고 있다. 이날 진행된 실적 발표 콘퍼런스콜에서 SK하이닉스 관계자는 “중국에서 발생한 신종 코로나 바이러스와 관련해 현재 우시 공장의 조업상 특이사항이나 별다른 문제는 보이지 않고 있다”면서도 “다만 2월 9일까지로 예정된 중국 당국의 휴무 조치가 추가 연장되는 등 장기화되면 실제 조업에 영향을 미칠 가능성을 배제할 수 없다”고 말했다. 회사 측은 이런 경우에 대비 컨틴전시 플랜(비상계획)을 마련해 대응할 예정이다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

중국의 ‘반도체산업 굴기’에 먹구름이 드리우고 있다. 정부는 반도체산업 굴기를 위해 전폭적으로 지원하고 있지만, 지방정부 재정난 등 내부의 고질적 문제와 함께 미국과의 패권 경쟁으로 기술 우군 확보에도 한계를 보이면서 반도체 선진국인 한국, 대만 등을 따라잡을 추격권에서 멀어지고 있다. 네덜란드 반도체 장비 업체인 ASML은 지난해 11월 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(SMIC)에 반도체의 성능을 비약적으로 향상시키는 차세대 핵심 장비 ‘극자외선(EUV) 노광장비’의 납품을 보류했다. 미중 무역전쟁이 격화하는 와중에 미국의 ‘역린’을 건드리지 않으려는 의도가 깔린 것으로 알려졌다. EUV 노광장비는 ASML이 독점 개발·생산해 현재로서는 대체품이 없다. 반도체 성능 향상은 회로 선폭을 얼마나 미세하게 하느냐가 관건인데 이 미세화 공정에 노광장비는 필수적이다. 반면 파운드리 세계 1, 2위 쟁탈전을 벌이는 삼성전자와 대만 TSMC는 이 장비를 도입해 이미 첨단제품 양산에 들어갔다. 올해 출시될 미국 애플의 신형 스마트폰에 이 기술을 활용한 중앙연산처리장치(CPU)가 탑재될 전망이다. 중신궈지는 회로선폭 14나노(10억분의1ｍ) 제품의 시험 양산을 시작한 단계다. EUV 기술은 7나노 이하 제품까지 기술이 진전된 후 필요하기 때문에 당장 별다른 영향은 없을 전망이다. 그러나 중국 정부를 등에 업고 TSMC과 삼성을 추격하려던 중신궈지의 계획에는 타격이 클 수밖에 없다. 5세대(5G) 이동통신 서비스가 본격화되면 스마트폰 등의 데이터 처리량이 폭증하기 때문에 반도체 성능의 중요성이 더욱 커지기 때문이다.미국 블룸버그통신, 중국 온라인 경제매체 차이신 등에 따르면 중국 정부는 반도체산업에 대규모 자금을 쏟아붓고 있다. 중국 전역에서 추진되는 대규모 반도체 사업 50개의 총투자비는 2430억 달러(약 282조원)에 이른다. 게다가 중국 정부는 지난해 약 289억 달러(약 33조 5000만원) 규모의 반도체 펀드를 새로 조성했다. 2014년에 이어 두 번째 반도체 펀드다. 펀드에는 중국개발은행 등 중앙 및 지방정부의 지원을 받는 기업이 대거 참여했다. 반도체 펀드 조성을 두고 월스트리트저널(WSJ)은 미국의 강력한 견제 속에서도 중국 정부가 반도체 분야에서 미국 기술로부터 독립하고 글로벌 기술 리더가 되겠다는 야심찬 계획을 추진하겠다는 의지를 드러낸 것이라고 봤다. 미국과 격렬한 무역전쟁을 치르는 중국 입장에서 첨단기술 독립을 이루려면 모든 정보기술(IT) 부품의 ‘두뇌’에 해당하는 반도체 확보에 열을 올릴 수밖에 없다. 실제 중국은 2014년부터 반도체를 첨단산업과 국가안보에 필요한 핵심 산업으로 삼고 집중 육성 중이다. 그해 중국이 정부 주도로 설립한 반도체 펀드 규모만 1390억 위안(약 23조원)이다.미 무역대표부(USTR)는 보고서를 통해 “중국 정부가 국가 전략 목표를 위해 펀드 설립에 깊이 개입했다”며 자국 기업에 불공정한 우위를 제공하는 ‘국가자본주의’라고 강력히 비판했다. 이번에 조성한 새 반도체 펀드는 2014년보다 규모가 훨씬 커 미국 정부의 심기를 불편하게 할 공산이 크다. 미중 무역협상 2단계 합의를 앞두고 새로운 불씨로 작용할 것이란 전망도 나온다. 중국은 ‘반도체 인재 빼내오기’에도 총력전을 펼치고 있다. 특히 파운드리 강국인 대만이 중국의 노골적인 `반도체 인재 빼가기’에 속앓이 중이다. 반도체산업에서 초미세공정 기술 및 관련 장비를 다룰 수 있는 `경험 많은 인재’는 경쟁력의 핵심이다. 일본 니혼게이자이신문에 따르면 중국은 반도체산업을 2030년까지 세계 선진국 수준으로 도약시키기 위해 대만 기업들의 반도체 전문가들을 적극 영입하고 있다. 대만 반도체 업계는 중국이 고액 연봉을 앞세워 빼내간 대만 인재만 3000명 이상이라고 추산한다. 대만에서 활동하는 반도체 개발 기술자의 10% 수준에 이르는 수치다. 중국은 심지어 반도체 전문가를 지망하는 대만 대학생들까지 미리 선점해 자국 내 유학을 독려하고 있다. 멍즈청 대만 국립성공대 교수는 “중국의 목표는 대만 반도체 인재풀이 ‘푹 꺼질 만큼’ 인력을 빼내 가겠다는 것”이라고 우려했다. 중국이 ‘물불 가리지 않고’ 반도체산업 육성에 나섰지만 성과는 너무 더디다. 반도체산업의 투자 주체인 중국 지방정부들의 재정난이 심각해 자금 조달이 어려운 데다 선진국 업체들과의 기술 격차도 큰 상황이다. 치밀한 계획보다 지도자에 대한 충성심이 사업 추진의 목적이 되고 있는 것도 문제로 지적된다.중국 동부 지역의 한 반도체 산업단지는 이미 45억 위안(약 7470억원)을 투자했으나 주요 투자자인 지방정부의 재정난으로 사업을 중단할 위기다. 중국 중부의 대표적인 반도체산업 단지를 표방하는 후베이성 우한은 법원으로부터 산업단지의 토지 사용이 금지돼 자금 조달 통로가 막혔다. 반면 중국 반도체산업의 목표인 삼성전자는 지난 5년간 해마다 250억 달러(약 29조원)를 투자한 것으로 추산된다. 만일 중국이 TSMC의 첨단 웨이퍼 생산 능력을 따라잡으려면 600억~800억 달러를 투자해야 할 것으로 추정된다. 반도체산업의 동력이 매년 투입하는 대규모 투자금이라는 점에서 중국 반도체 업계의 전망은 어두운 상황이다. 반도체 선진국들과의 기술 격차도 크다. 중국 칭화대의 사업 부문인 칭화유니그룹 자회사 창장춘추(YMTC)가 대표적인 사례다. 중국 정부가 74%의 지분을 소유한 창장춘추는 중국 반도체 기업 중 전망이 밝은 업체로 꼽히지만, 선진국 플래시 메모리 업체들에 비하면 기술력은 반 세대나 뒤진 것으로 평가된다. 창장춘추는 D램 기술에 대해 외부에 의존하지 않고 시장 주도자로 성장하기 위해 향후 10년간 8000억 위안(약 133조원)이라는 천문학적 돈을 퍼부을 계획이다. 이 중 상당수 자금이 설비 투자 못지않게 첨단 장비를 운용할 수 있는 인력 확보에 쓰일 것이라는 게 세계 반도체 전문가들의 일치된 견해다. 시장조사기관인 IC인사이츠에 따르면 중국 반도체 기업의 기술 국산화율은 2010년 8.5%에서 지난해 15.4%로 상승하는 데 그쳤다. 다른 반도체 기업들은 기술력이 너무 떨어져 내세울 만한 곳이 없을 정도다. 중국 반도체 기술은 TSMC에 비해서도 3~5년 뒤진 것으로 평가된다. 중국의 지난해 반도체칩 무역적자는 2280억 달러(약 264조원) 규모로 10년 전보다 2배로 확대됐다. 이보다 더 ‘치명적인’ 문제는 시진핑 국가주석의 환심을 사기 위해 지방정부 관료들이 재정난에는 개의치 않고 경쟁적으로 대규모 반도체 사업을 추진하고 있다는 사실이다. 남부 해안도시 푸젠성 샤먼과 가장 가난한 성 가운데 하나인 구이저우도 반도체 사업에 뛰어들었다가 재원 낭비와 임금 인상이라는 부작용만 낳았다. 톈진시는 정부 소유의 대규모 종합상사인 톈진물산그룹의 디폴트(채무불이행)로 중국 전역에 ‘금융 패닉’을 부르고 있지만, 시 주석의 관심 사업인 인공지능(AI) 분야 투자를 위해 무려 160억 달러나 쌓아 둔 것으로 알려졌다. 가뜩이나 경제가 어려운 마당에 지도자의 마음을 얻기 위해 추진하는 사업이 공적자금의 부적절한 사용을 초래한다고 비판받고 있는 것이다. 신용평가사 무디스는 올해 중국 지방정부의 지출 규모가 수입보다 7조 6000억 위안(약 1262조원)이나 더 많을 것이라고 추정했다. khkim@seoul.co.kr ■이 기사는 서울신문 홈페이지에 연재 중인 ‘김규환 기자의 차이나 스코프’를 재구성한 것입니다. 인터넷에서 ‘김규환 기자의 차이나 스코프’(goo.gl/sdFgOq)의 전문을 만날 수 있습니다.

네덜란드의 반도체 장비업체인 ASML은 지난달 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(中芯國際·SMIC)에 반도체의 성능을 비약적으로 향상시키는 차세대 핵심장비인 ‘극자외선(EUV) 노광장비’ 납품을 보류하기로 했다. ASML의 납품 보류는 미중 무역전쟁이 격화하는 와중에 미국의 ‘역린’을 건드리지 않으려는 의도가 깔린 것으로 알려졌다. EUV 노광장비는 ASML이 세계적으로 독점 개발·생산하는 만큼 현재로선 대체품이 없다. 반도체 성능 제고는 회로 선폭을 얼마나 미세하게 하느냐가 관건인데 미세화 공정에 이 노광장비가 필수적이다. 그런데 파운드리 세계 1·2위 쟁탈전을 벌이는 대만 TSMC와 삼성전자는 올해부터 첨단제품 양산에 이 장비를 도입했다. 내년 출시될 미국 애플의 신형 스마트폰에 이 기술을 활용한 CPU(중앙연산처리장지)가 탑재될 전망이다. 중신궈지는 회로선폭 14나노(나노는 10억분의 1ｍ) 제품의 시험 양산을 시작한 단계다. EUV 기술이 필요한 단계는 7나노 이하 제품까지 기술이 진전된 이후의 일인 만큼 이 장비를 도입하지 못하더라도 당장에는 별 영향을 받지는 않는다. 그러나 중국 정부를 등에 업고 TSMC과 삼성전자를 추격하려던 중신궈지의 계획에는 타격이 클 수 밖에 없다. 5G 서비스가 본격화되면 스마트폰 등의 데이터 처리량이 폭증해 반도체 성능 제고의 중요성은 더욱 커지기 때문이다. 중신궈지로서는 첨단기술 도입이 그만큼 지연되는 셈이다. 중국의 ‘반도체 산업 굴기’에 먹구름이 드리우고 있다. 반도체 산업 굴기를 위해 중국 정부의 전폭적인 지원에도 불구하고 한국과 대만 등 반도체 선진국을 따라잡는 추격권에서 오히려 멀어지고 있는 것이다. 미국 블룸버그통신, 중국 온라인 경제매체 차이신(財新) 등에 따르면 중국 정부의 반도체 ‘사랑’은 엄청난 투자로 나타난다. 중국 전역에서 추진되는 50개 대규모 반도체 사업의 총투자비가 2430억 달러(약 282조원)에 이른다. 여기에다 중국 정부는 지난 10월 289억 달러 규모의 반도체 펀드를 새로 조성해 지원할 방침이다. 2014년에 이어 두번째 조성되는 반도체 펀드다. 이 펀드에는 중국개발은행 등 중앙정부와 지방정부의 지원을 받는 기업이 대거 참여한 것으로 전해졌다. 중국 정부가 도널드 트럼프 미국 행정부의 강력한 견제에도 반도체 분야에서 미국으로부터의 기술 독립은 물론 글로벌 기술 리더가 되겠다는 야심찬 계획을 추진하겠다는 의지를 드러낸 것이라고 월스트리트저널(WSJ)이 전했다.미국과 격렬한 무역전쟁을 치르는 만큼 중국은 첨단기술 독립을 위해 모든 정보기술(IT) 부품의 ‘두뇌’에 해당하는 반도체를 확보에 열을 올릴 수밖에 없다. 실제로 중국은 2014년부터 반도체가 첨단산업과 국가안보에 필요한 핵심 산업으로 규정해 집중 육성하고 있다. 그해 중국은 정부 주도로 1390억 위안(약 23조원) 규모의 반도체 펀드를 설립했다. 이와 관련해 미 무역대표부(USTR)는 보고서를 통해 “중국 정부가 국가 전략 목표를 위해 펀드 설립에 깊이 개입했다”며 자국 기업에 불공정한 우위를 제공하는 ‘국가자본주의’라며 강력히 비판했다. 이번에 조성한 새 반도체 펀드는 2014년 펀드보다 규모가 훨씬 크기 때문에 미국 정부의 심기를 불편하게 할 공산이 크다는 지적이다. 더욱이 2단계 합의를 앞두고 있는 미중 무역협상의 새로운 불씨로 작용할 것이란 전망도 나온다. 중국은 반도체 산업에 대한 자금 퍼붓기는 물론 ‘인재 빼내오기’에도 총력전을 펼치고 있다. 글로벌 파운드리 인프라스트럭처를 갖추고 있는 대만이 중국의 노골적인 `반도체 인재 빼가기`에 홍역을 앓고 있는 것이다. 반도체 산업은 초미세공정 기술과 관련 장비를 다룰 수 있는 `경험 있는 인재’가 삼박자를 갖춰야 수율을 높여 글로벌 경쟁력을 가질 수 있다. 일본 니혼게이자이신문 등에 따르면 중국은 자국 반도체 산업을 오는 2030년까지 세계 선진국 수준으로 도약시킨다는 목표를 실현하기 위해 대만 기업들의 반도체 전문가들을 적극 영입하고 있다. 대만 반도체 업계는 중국이 이를 위해 고액 연봉을 앞세워 빼내간 대만 인재가 3000명 이상이라고 추산한다. 대만 전체 반도체 개발 관련 기술자의 10%에 이르는 수준이다. 심지어 중국은 반도체 전문가를 꿈꾸는 대만 대학생들까지 미리 선점해 자국 내 유학을 독려하고 있다. 멍즈청(蒙志成) 대만 국립성공대 교수는 “중국의 목표는 대만 반도체 인재풀이 ‘푹 꺼질 만큼’ 인력을 빼내 가겠다는 것”이라고 우려했다. 중국이 이 같이 물불을 가리지 않고 반도체 산업 육성에 나섰지만 성과는 너무 더디다. 반도체 산업의 투자 주체인 중국 지방정부들의 재정난이 심각해 자금 조달이 어려운 데다 선진국 업체들과 기술격차가 크고 치밀한 계획보다 지도자에 대한 충성심이 사업 추진의 목적이 되고 있는 것이 주요인으로 꼽힌다. 중국 동부지역의 한 반도체 산업단지는 이미 45억 위안을 투자했으나 주요 투자자인 지방정부의 재정난으로 사업을 중단할 위기에 놓였다. 중국 중부의 대표적인 반도체 산업단지를 표방하는 후베이(湖北)성 우한(武漢)은 법원으로부터 산업단지의 토지 사용이 금지돼 자금조달 통로가 막혔다. 반면 삼성전자는 지난 5년간 해마다 250억 달러를 투자한 것으로 추산된다. 특히 TSMC의 첨단 웨이퍼 생산 능력을 따라잡으려면 중국은 600억~800억 달러를 투자해야 할 것으로 추정된다. 반도체 산업이 해마다 엄청나게 많은 투자비가 들어가는 사업이라는 점에서 중국 반도체 업계의 전망은 어둡기만 하다 반도체 선진국들과의 기술 격차도 크다. 중국 칭화(淸華)대의 사업 부문인 칭화유니그룹의 자회사 창장춘추(長江存儲科技公司·YMTC)가 대표적인 사례이다. 중국 정부가 74%의 지분을 소유하고 있는 창장춘추는 중국 반도체 기업 중 전망이 밝은 업체로 꼽히지만, 선진국 플래시 메모리 업체들에 비하면 기술력에서 반세대나 뒤진 것으로 평가된다. 창장춘추는 D램 기술에 대해 외부에 의존하지 않고 시장 주도자로 성장하기 위해 향후 10년간 8000억 위안이라는 천문학적 돈을 퍼부을 계획이다. 이 중 상당수 자금이 설비 투자 못지않게 첨단 장비를 운용할 수 있는 인력 확보에 쓰일 것이라는 게 세계 반도체 전문가들의 일치된 견해다. 하지만 시장조사기관인 IC인사이츠에 따르면 중국 반도체 기업의 기술 국산화율은 2010년 8.5%에서 지난해 15.4%로 상승하는데 그쳤다. 다른 반도체 기업들은 기술력이 너무 떨어져 내세울 만한 곳이 없을 정도다. 중국 반도체 기술은 타이완의 TSMC에 비해서도 3~5년 뒤진 것으로 평가된다. 이에 따라 중국의 지난해 반도체 칩 무역적자는 2280억 달러 규모로 10년 전의 2배로 확대됐다. 이보다 ‘치명적인’ 문제는 시진핑(習近平) 국가주석의 환심을 사기 위해 지방정부 관료들이 재정난은 개의치 않고 경쟁적으로 대규모 반도체 사업을 추진하고 있다는 사실이다. 남부 해안도시 푸젠(福建)성 샤먼(廈門)과 가장 가난한 성(省) 가운데 하나인 구이저우(貴州)도 반도체 사업에 뛰어들었다가 재원 낭비와 임금 인상이라는 부작용만 낳았다. 톈진(天津)시는 정부 소유의 대규모 종합상사인 톈진물산(天津物産·Tewoo)그룹의 디폴트(채무불이행)로 중국 전역에 ‘금융 패닉’을 부르고 있지만, 시 주석의 관심 사업인 인공지능(AI) 분야 투자를 위해 무려 160억 달러나 쟁여 놓은 것으로 알려졌다. 가뜩이나 경제가 어려운 마당에 지도자의 마음을 얻기 위해 추진하는 사업이 공적자금의 부적절한 사용을 초래한다고 비판받는 것이다. 신용평가사 무디스는 올해 중국 지방정부의 지출 규모가 수입보다 7조 6000억 위안이나 더 많을 것이라고 추정했다. 김규환 선임기자 khkim@seoul.co.kr

고온 환경에서도 안 터지고 배터리 용량도 커서 오래가서 주목받고 있는 차세대 배터리인 ‘리튬-황 배터리’를 프린트해서 만드는 기술을 국내 연구진이 개발해냈다. 울산과학기술원(UNIST) 에너지 및 화학공학부 연구진은 프린트 방식으로 폭발이나 화재 위험성이 없고 오래 가는 ‘다형상 전고체 리튬-황 전지’를 개발했다고 11일 밝혔다. 이번 연구결과는 에너지 분야 국제학술지 ‘어드밴스드 에너지 머티리얼스’ 표지논문으로 실렸다. 리튬-황 전지는 리튬을 음극(-)재로 사용하고 황을 양극(+)재로 사용하는 2차전지로 현재 널리 사용되는 리튬 이온전지에 비해 에너지 밀도가 5배 이상 높다. 이 때문에 전기차, 사물인터넷(IoT) 등 2차전지 활용처가 점점 늘어나면서 주목받고 있는 차세대 전지이다. 그러나 충전과 방전을 거듭할 수록 황화합물이 음극 표면에 얇은 막을 만들면서 전기를 만들어 내는 리튬 이온의 움직임을 가로막아 시간이 지날수록 성능이 저하된다는 문제가 있다. 연구팀은 이 같은 문제를 해결하기 위해 두 개의 층으로 이뤄진 젤 상태의 전해질을 만들었다. 음극에는 황화합물이 이동해 들어붙는 것을 억제하는 전해질을, 양극에는 황의 산화환원 반응이 잘 일어나도록 해 황화합물이 만들어지지 않도록 한 것이다. 두 전해질은 액체가 아니라 반 고체인 젤 상태이고 열역학적으로 안정돼 있어 서로 섞이지 않는다는 장점도 갖고 있다. 또 글자나 그림을 종이에 인쇄하듯 연구팀은 단계적 프린팅 공정도 개발해 리튬-황 전지를 만들기 때문에 원하는 자리에 다양한 모양의 전지를 직접 만들 수 있기 때문에 다양한 형태의 배터리를 구현할 수 있다.실제로 연구팀은 굴곡진 비행기 날개 위에 알파벳 형상의 리튬-황 전지를 만들어 작동시키는데 성공하기도 했다. 연구팀이 이번에 만든 리튬-황 전지는 다양한 방식으로 접고 구부리고 펴기를 반복해도 정상 작동하는 것이 확인됐으며 LED램프와 연결된 전지를 가위로 일부를 잘라내도 램프에 빛이 계속 유지될 정도로 안전성이 높았다. 또 전지에 불을 붙여도 폭발하지 않고 정상 작동하는 것도 관찰됐다. 인화성 액체 전해질 대신 젤 전해질을 사용했기 ?문이다. 이상영 교수는 “이번 연구는 가위로 자르거나 불을 붙이는 상황에서도 정상 작동하는 매우 안전한 고용량 고안전성 전고체전지를 만드는 새로운 개념을 제시했다는데 의미가 크다”라며 “또 프린팅 공정을 이용해 다양한 모양을 갖는 전고체전지를 쉽게 제조할 수 있기 때문에 리튬-황 전지의 실용화를 앞당기는데 도움이 될 것”이라고 말했다. 유용하 기자 edmondy@seoul.co.kr

지난 26일 인텔은 이례적으로 서울에서 메모리 및 스토리지 데이 행사를 개최했습니다. 물론 글로벌 IT 기업인 만큼 인텔의 공개 행사는 전 세계에서 진행할 수 있으며 당연히 서울에서도 할 수 있지만, 발표하는 제품이 낸드 플래시 및 옵테인 메모리 제품군이라 한국 반도체 제조사들을 겨냥한 것이라는 이야기가 나오고 있습니다. 인텔의 발표에서 눈길을 끄는 제품은 삼성전자와 SK 하이닉스가 강한 경쟁력을 지닌 낸드 플래시 메모리가 아니라 인텔의 신무기인 옵테인 메모리입니다. 옵테인(Optane)은 인텔과 마이크론이 협력해서 개발한 차세대 비휘발성 메모리인 3D Xpoint의 브랜드 네임으로 D램과 낸드 플래시 메모리의 중간에 있는 제품이라고 할 수 있습니다. 낸드 플래시 메모리는 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않기 때문에 저장 장치로 사용할 수 있지만, D램에 비해 속도가 느린 편이라 메모리 대신 사용하기는 어렵습니다. 그래도 HDD보다 훨씬 빠르기 때문에 요즘처럼 데이터가 많아진 시대에는 낸드 플래시 기반 저장장치인 SSD가 필수라고 할 수 있습니다. 그러나 데이터 양이 커지면서 더 빠른 저장장치에 대한 수요는 계속 늘어나고 있습니다. 반도체 제조사들이 생각하는 해결책은 차세대 비휘발성 메모리입니다. P램(phase change memory, 상변화 메모리), STT-M램(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, 스핀주입 자화반전 메모리)과 Re램(저항변화 메모리) 등이 대표적입니다. 옵테인은 상변화 메모리의 일종이라고 알려져 있지만, 인텔은 구체적인 원리를 공개하지 않았습니다. 아마도 원리보다 더 중요한 사실은 옵테인이 서버용 저장장치로 사용할 수 있을 만큼 대량 생산한 첫 번째 차세대 메모리라는 것입니다. 삼성전자와 다른 제조사에서도 M램 같은 차세대 메모리를 선보이기는 했지만, 옵테인처럼 주력 제품은 아닙니다. 인텔은 지난 몇 년간 옵테인에 많은 공을 들였습니다. 인텔의 발표 내용을 종합하면 현재 주력 제품인 CPU에 못지않은 차세대 먹거리라고 할 수 있습니다. 3D Xpoint를 공동개발했지만, 적극적인 모습을 보이지 않는 마이크론과는 대조적입니다. 사실 이 두 회사는 지난 1월 1일 협력 관계를 중단한다고 발표했으며 올해까지만 3D Xpoint를 공동 생산한 후 이후에는 각자의 길을 갈 예정입니다. 이미 D램과 낸드 플래시 메모리에서 비중 있는 회사인 마이크론과 달리 인텔은 완전히 새로운 제품군으로 메모리 시장에 도전장을 내민다는 계획입니다. 인텔이 이렇게 옵테인 메모리에 대해서 자신감을 가지는 데는 그럴 만한 이유가 있습니다. CPU가 처리해야 할 데이터의 양이 폭발적으로 증가하면서 SSD나 HDD 같은 저장장치에서 데이터를 읽은 후 이를 메모리에서 처리하고 다시 결과를 저장장치에 기록하는 방식은 점점 더 효율이 떨어지고 있습니다. 메모리와 동급의 성능을 지닌 저장장치나 아예 메모리 + 저장장치를 지닌 시스템을 만들면 대용량 데이터처리 속도가 매우 빨라질 것입니다. 인텔이 올해 공개한 서버 CPU인 캐스케이드 레이크(Cascade Lake)의 경우 CPU 한 개당 최대 1.5TB DDR4 메모리나 4.5TB의 옵테인 DCPM(DC Persistent Memory)를 탑재할 수 있습니다. 본래 D램을 장착할 수 있는 DIMM 폼펙터에 맞게 나온 옵테인 DCPM는 128/256/512GB 용량으로 D램과 혼용해서 메모리처럼 사용하거나 저장장치처럼 사용할 수 있습니다. D램에 근접하는 빠른 속도 덕분에 서버에서는 어려운 순간 재부팅도 가능합니다. 9월 26일 있었던 공개 시연에서 인텔은 기존 시스템과 비교할 수 없을 만큼 빠른 재부팅 속도(10분15초 vs 19초)를 자량했습니다. 인텔은 옵테인 메모리를 D램과 낸드 플래시를 통합할 차세대 메모리로 발전시켜 반도체 시장을 리드한다는 계획입니다. - 문제는 가격 하지만 인텔의 야심찬 계획에도 불구하고 지난 몇 년간 주요 메모리 제조사의 주가는 폭락하지 않았습니다. 인텔의 계획에 대해 시장이 의구심을 품고 있다는 이야기입니다. 이런 의구심의 핵심은 가격입니다. 새로 공개한 인텔 로드맵(사진)에는 일반 소비자용 옵테인 SSD에 대한 이야기가 빠져 있습니다. 본래 인텔은 일반 소비자용 SSD 시장을 겨냥한 옵테인 제품군도 내놓았지만 용량이 작은데다 가격까지 비싸 시장에서 큰 호응을 얻지 못했습니다. 인텔이 데이터 센터 제품에 집중하는 것은 옵테인이 저렴한 제품이 아니면 살아남기 힘든 일반 소비자용 시장보다 비싸도 성능이 좋으면 팔리는 서버 시장에 적합한 제품이기 때문입니다. 하지만 대량으로 구매하는 서버 시장 역시 가격에 민감한 건 마찬가지입니다. 오래전 일이지만, 인텔은 펜티엄 4 프로세서를 출시하면서 당시 기준으로 획기적인 성능을 지닌 차세대 메모리인 램버스 D램을 독점적으로 지원했습니다. 업계 1위인 인텔이 적극 밀었고 성능도 당시 사용되던 D램보다 우수했기 때문에 램버스 D램의 미래는 밝아 보였습니다. 하지만 이를 생산하기 위해서는 새로운 생산 시설이 필요했고 따라서 가격이 비쌌습니다. 반면 DDR 메모리의 경우 기존의 생산 시설을 활용할 수 있어 가격이 상대적으로 저렴했습니다. 이 메모리 전쟁의 승자는 모두가 알다시피 DDR 메모리였습니다. 초기 펜티엄 4 프로세서는 별로 빠르지 않았지만, 신제품이라 가격이 비쌌고 램버스 D램은 DDR과 비교도 되지 않을 만큼 비쌌습니다. 결국 엄청난 비용을 내고 얻을 수 있는 성능상이 이득이 미미했기 때문에 시장에서 외면 받을 수밖에 없었습니다. 결국 인텔은 경장자인 AMD처럼 DDR 메모리를 지원할 수밖에 없었고 메모리 시장은 DDR 메모리 위주로 흘러가게 됩니다. 기술적인 우위만큼 중요한 요소가 가격이라는 점을 보여주는 좋은 사례입니다. 옵테인 메모리가 성공하기 위해서는 상대적인 가격 경쟁력이 확보되야 합니다. 하지만 최근 D램 및 낸드 플래시 메모리 가격이 하락하면서 쉽지 않은 싸움이 예상되고 있습니다. 제조 공정이 향상됨에 따라 옵테인 메모리도 매년 가격이 내려가긴 하겠지만, 이 점은 D램과 낸드 플래시 메모리 역시 마찬가지입니다. 특히 여러 제조사에서 경쟁적으로 만드는 낸드 플래시 메모리 가격은 인텔 독점인 옵테인보다 가격 인하 가능성이 훨씬 큽니다. 옵테인이 차세대 메모리의 대세가 될지 아니면 고성능 D램과 낸드플래시 메모리 사이 낀 샌드위치 신세가 될지는 지금 판단하기 어렵습니다. 하지만 현재의 낸드플래시 메모리 기술은 공정 미세화, 수명, 속도 등에서 이미 한계를 보이고 있기 때문에 차세대 메모리가 필요한 건 분명합니다. 아마도 누가 먼저 출시했느냐 보다는 성능과 가격 두 마리 토끼를 잡는 제조사가 시장을 장악할 것입니다. 국내 제조사들이 차세대 메모리 개발을 위해 투자를 아끼지 않는 이유입니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com

현재 그래픽 카드 메모리의 주류는 GDDR (Graphics DDR) SDRAM 메모리입니다. 초창기 그래픽 카드는 PC용 시스템 메모리와 동일한 메모리를 사용했지만, 그래픽 처리 프로세서인 GPU의 급격한 성능 발달로 이미 2000년대 초반 속도 한계에 직면했습니다. CPU용으로 개발된 시스템 메모리로는 GPU가 처리하는 방대한 데이터를 감당하기 어려워진 것입니다. 기본적으로 GPU는 큰 크기의 고해상도 그래픽 데이터를 빠르게 (가능한 초당 60 프레임 이상으로) 처리해야 합니다. 그래야 화려한 게임 그래픽을 끊김 없이 처리할 수 있습니다. 이런 이유로 2003년부터 일반 DDR 메모리보다 더 큰 대역폭을 지닌 GDDR 메모리가 그래픽 카드에 도입되기 시작합니다. GDDR2 메모리는 2003년 출시한 엔비디아의 지포스 FX 5700/5800 울트라 시리즈에 처음 사용됩니다. (1세대 GDDR 메모리는 90년대 후반 등장했는데 당시 그래픽 카드에는 사용되지 않았습니다) 하지만 GDDR 메모리의 본격적인 보급은 2004년 등장한 GDDR3부터입니다. GDDR3는 나중에 AMD에 합병된 ATI와 엘피다, 하이닉스, 인피니온 등 메모리 제조사들이 협력해 만든 그래픽 메모리 규격입니다. 이름과는 달리 DDR2 기반으로 덕분에 DDR3 메모리 규격이 확립되기 전인 2004년부터 본격적으로 보급될 수 있었습니다. GDDR 메모리는 DDR 메모리보다 데이터가 지날 수 있는 통로가 더 많고 데이터 전송 속도가 빨라 3D 그래픽처럼 대용량 데이터를 빠르게 처리할 때 유리합니다. 사실 GPU가 빠른 속도로 발전할 수 있었던 것은 이를 뒷받침할 GDDR 메모리의 발전이 있었기 때문입니다. 따라서 DDR 메모리보다 버전 업데이트가 훨씬 빨리 이뤄져 DDR4 메모리가 도입되는 동안 GDDR5, GDDR5x, GDDDR6 같은 새로운 규격이 등장했습니다. GDDR6 메모리를 사용한 지포스 RTX 2080의 경우 14Gbps GDDR5 (256bit) 메모리에서 448GB/s의 넓은 대역폭을 지원받고 있습니다. 이는 DVD 영화 100편 정도를 1초에 전송하는 속도입니다. 하지만 GDDR 메모리 규격 역시 점점 한계에 도달하고 있습니다. GDDR3에서 메모리 칩 하나 당 19.9 GB/s의 속도를 확보했고, GDDR5에서 40–64 GB/s, GDDR6에서 112–128 GB/s으로 늘어나기는 했지만, GPU의 연산 능력이 급격히 향상되면서 한계에 봉착한 것입니다. 이는 GPU가 게임에서만 쓰이는 것이 아니라 인공지능이나 슈퍼컴퓨터 같은 더 중요한 분야에 사용되면서 연산 능력이 급격히 높아진 것도 원인입니다. HBM (High Bandwidth Memory) 메모리는 이 문제에 대한 가장 합리적인 해결책입니다. HBM 메모리는 삼성전자, SK 하이닉스, AMD의 협력으로 개발되었으며 2013년 SK 하이닉스에서 첫 제품을 내놓았습니다. HBM은 여러 개의 D램 다이(die)를 아파트처럼 수직으로 쌓고 여기에 데이터 통로인 TSV (through-silicon via)를 뚫어 고속으로 데이터를 주고받는 메모리라고 할 수 있습니다. 아예 통로를 여러 개 뚫어 대량으로 데이터를 전송하기 때문에 대역폭에서 GDDR6 메모리를 크게 앞설 수 있습니다. 따라서 슈퍼컴퓨터나 인공지능 연산용 고성능 GPU에 사용됩니다. 하지만 비싼 가격으로 인해 일반 그래픽 카드에는 제한적으로 보급되고 있습니다.올해 출시된 AMD의 라데온 VII 그래픽 카드는 HBM2 메모리를 사용하는데, 4개만 있어도 1TB/s의 대역폭과 16GB의 메모리 용량을 확보할 수 있습니다. 하지만 이미 국내 메모리 제조사들은 이를 뛰어넘는 제품을 개발했습니다. 올해 3월 삼성전자가 공개한 플래시볼트 (Flashbolt) HBM2E 메모리는 칩 하나 당 410GB/s의 대역폭과 16GB의 용량을 제공합니다. 8개의 다이를 수직으로 올린 후 5000개 이상의 TSV로 연결해 속도와 용량을 획기적으로 끌어 올렸습니다. 그리고 이번 달 SK 하이닉스는 이보다 더 빠른 460GB/s 속도의 HBM2E 메모리를 개발했다고 발표했습니다. 이 제품을 4개 사용한 GPU는 1.84TB/s의 대역폭과 64GB의 용량을 확보할 수 있습니다. 이렇게 빠르고 용량이 큰 메모리가 필요한지 의문을 지닐 수도 있지만, 단순히 게임용이 아니라 인공지능 및 슈퍼컴퓨터를 위해서는 이것도 부족할 수 있습니다. 현재 국내 제조사들은 HBM2E보다 더 빠른 HBM3 및 HBM4 메모리 개발을 위한 연구를 진행하고 있습니다. 이 메모리는 현재 미국이 개발하는 엑사스케일 슈퍼컴퓨터에 사용될 것입니다. 국내 기업이 주도하는 HBM 메모리는 인공지능 및 슈퍼컴퓨터 개발에 없어서는 안 될 핵심 부품이라고 할 수 있습니다. 다른 한편으로 일반 소비자용 그래픽 카드에서 HBM 메모리를 사용할 수 있게 하려는 시도도 진행 중입니다. GDDR 규격도 좀 더 빨라질 수 있지만, 대역폭 문제의 근본적인 해결책은 메모리 구조 자체를 혁신한 HBM 메모리의 염가형 버전을 보급하는 것입니다. HBM 메모리를 사용한 그래픽 카드 중 그나마 저렴한 라데온 VII이 699달러로 아직 꽤 비싼 편이기 때문에 500달러 이하 그래픽 카드에서 사용할 수 있는 HBM 메모리가 필요할 것입니다. 결국 이 문제 역시 국내 제조사들의 노력에 달려 있습니다. GDDR 메모리가 결국 DDR 메모리를 대체하고 그래픽 카드 메모리의 대세가 된 것처럼 언젠가는 HBM 메모리가 새로운 대세가 될 날이 올 것으로 기대합니다. 고든 정 칼럼니스트 jjy0501@naver.com　

SK하이닉스가 업계 최고 속도를 지원하는 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM2E D램’ 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 대용량 데이터 처리에 특화된 HBM2E는 HBM2의 차세대 규격 제품이다. 2013년에 HBM D램이 처음 나왔고, HBM2는 지난해 개발됐다. 1년 만에 한 단계 발전한 HBM2E가 출시된 것이다. 본격적인 양산은 2020년부터 시작된다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 업계 최고 속도를 구현했다. 핀당 3.6기가비트(Gbit/s) 속도를 지원할 수 있다. 총 1024개 정보출입구(IO)를 통한 전체 데이터 처리 속도는 초당 460기가바이트(GByte)다. 풀HD 영화(3.7GB 용량) 124편 분량을 단 1초에 처리할 수 있는 수준이다. HBM2보다 속도를 50% 높였다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다. TSV를 활용하면 기존 패키징 방식보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄일 수 있다. HBM은 짧은 시간에 대용량 데이터를 처리하는 특성 때문에 그동안 그래픽카드(GPU) 등 고성능 그래픽 처리 분야에 활용됐다. 향후 자율주행차뿐만 아니라 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터 등에서 대용량 그래픽 데이터 처리가 필수인 만큼 HBM에 대한 수요 확대가 예상된다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

삼성전자가 PCIe(직렬 전송 방식 인터페이스) 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD ‘PM1733’ 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM(서버용 메모리로 많이 사용되는 D램 모듈), LRDIMM(RDIMM 용량과 처리 속도 개선을 위해 모듈 상에 버퍼를 추가한 것)을 본격 양산했다. PM1733은 PCIe4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8000MB/s, 임의 읽기 150만 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능 제품으로 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산된다. 삼성전자는 PM1733외에도 AMD의 신규 프로세서 ‘EPYC 7002’에서 최대 용량을 지원하는 RDIMM과 LRDIMM 등 D램 모듈을 공급한다. 삼성전자는 8Gb, 16Gb DDR4 제품을 활용해 8GB부터 최대 256GB 용량까지의 다양한 RDIMM을 제공하며, 사용자들이 삼성전자의 고용량 RDIMM을 활용할 경우 CPU 당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 한진만 전무는 “삼성전자는 AMD와 함께 차세대 서버에 탑재할 최신 프로세서, 메모리, 스토리지 제품 분야에서 밀접하게 협업하고 있다”면서 “삼성전자의 PM1733, RDIMM, LRDIMM과 함께 AMD는 EPYC 7002 프로세서를 고객들에게 제공하며 새로운 표준을 적용한 신규 데이터센터 구축을 가능하게 하고 있다”고 설명했다. AMD는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 EPYC 7002 프로세서를 선보이는 행사를 가졌다. 홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr

일본 정부가 지난 4일부터 대(對)한국 수출 규제를 시작했다. 반도체와 디스플레이 소재인 플루오린 폴리이미드, 레지스트(감광재), 에칭가스(고순도 불화수소) 등 3개 품목에 대한 기존 포괄수출허가를 개별수출허가로 전환한 것이다. 일본은 이어 안보 우방국인 ‘화이트리스트’에서 한국을 제외하는 방안도 검토하고 있다. 일본의 수출 규제가 반도체 산업의 글로벌 공급 체계를 바꿀 것이라는 전망은 “너무 앞선 얘기”라는 게 중론이다. 하지만 이번 사태가 어떤 방향으로 전개될지 현재로선 ‘시계 제로’에 가깝다. 한국 경제에 미칠 충격파는 얼마인지, 규제 이면에 깔린 숨은 의도는 무엇인지 등을 짚어 봤다.●규제 대상·수위·기간에 따라 충격파 달라져 반도체는 한국 경제에서 ‘황금알을 낳는 거위’다. 지난해 전체 수출에서 반도체가 차지하는 비중은 21%, 수출 성장 기여율은 92%다. 그만큼 반도체 산업 의존도가 높다. 일본의 수출 규제로 반도체 산업은 물론 경제 전체에 충격파가 클 것이라는 우려가 나오는 이유다. 가장 먼저 불을 지핀 곳은 전경련 산하 한국경제연구원(한경연)이다. 조경엽 한경연 선임연구위원은 지난 10일 ‘일본 경제 제재의 영향 및 해법’ 긴급 세미나에서 일본의 수출 규제로 반도체 핵심 소재 공급이 30% 부족할 경우 우리나라 국내총생산(GDP)은 2.2%, 소재 부족이 45%로 확대되면 GDP는 4.2~5.4%가 각각 감소할 수 있다고 분석했다.국책연구기관인 대외경제정책연구원(KIEP)은 이틀 뒤인 지난 12일 현안 토론회에서 한경연의 분석이 ‘무리한 가정’에 근거한 것이라고 정면으로 반박했다. 서진교 KIEP 선임연구위원은 “우리나라의 반도체와 LCD 패널 연간 수출액을 합치면 1000억 달러 정도”라면서 “일본의 수출 규제로 수출의 절반인 500억 달러가 줄었다고 하고, 전후방 산업에 영향을 미쳐서 1000억 달러 손실이 났다고 가정하자. 지난해 우리나라 GDP가 1조 5000억 달러인데 1000억 달러 손실은 대략 0.5~0.6% 수준”이라고 강조했다. 글로벌 투자은행(IB)인 골드만삭스도 지난 14일 “반도체 공급 차질로 인한 영향을 분석한 결과 반도체 생산이 10% 줄어들 경우 한국 GDP는 0.4%, 경상수지는 100억 달러(약 11조원)가 감소할 것”이라고 전망했다. 다만 일본의 수출 규제가 가전 등 비반도체 부문과 자동차·화학 등의 분야로 확산한다면 경상수지 감소 폭은 135억 달러로 커질 수 있다고 내다봤다. 수출 규제의 대상과 수위 못지않게 기간도 중요한 변수다. KB증권은 일본의 수출 규제로 한국의 수출 물량이 10% 감소한다고 가정했을 때 수출 규제가 3분기까지만 이뤄지면 경제성장률이 0.19% 포인트, 3~4분기에 지속되면 0.37% 포인트, 내년 말까지 유지되면 0.74% 포인트 각각 떨어지는 요인으로 작용할 수 있다고 분석했다. 장재철 KB증권 이코노미스트는 “그동안 한일 양국 간 신뢰 관계가 상당히 훼손됐다는 점, 한일 양국의 정치 일정, 전 세계적인 보호무역 기조 등을 고려할 때 한일 무역 갈등이 쉽게 해소되기 어려울 것”이라고 말했다. ●반도체 시장 주도권 경쟁 속셈? 수출 규제의 원인을 놓고 일본 정부는 ‘안보상의 이유’를 내세우고, 국내에서는 한일 역사 갈등에 대한 경제 보복이라는 시각이 우세하다. 그렇다면 안보상의 이유나 역사 문제가 해소되면 무역 갈등이 사라질까.일본 정부가 규제 대상에 올린 극자외선(EUV) 레지스트를 보면 속단하기 어렵다. EUV 레지스트는 우리 정부가 지난 4월 30일 야심 차게 비전과 전략을 발표한 시스템 반도체와 연관이 있다. 시스템 반도체는 비메모리 반도체의 또 다른 이름이다. 우리나라의 반도체 산업은 D램과 낸드플래시 등 메모리 중심의 편중 구조다. 메모리 반도체가 정보 저장을 담당한다면 비메모리 반도체는 정보 처리에 사용된다. 지금까지는 컴퓨터와 스마트폰의 성장세가 메모리 반도체의 전성시대를 만들어냈다면 자율주행차와 증강현실(AR), 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI) 등 4차 산업혁명 시대에는 비메모리 반도체의 폭발적인 수요를 이끌어낼 것으로 예상된다. 정부의 비메모리 반도체 육성 계획은 이번이 처음은 아니다. 1998년 ‘시스템 반도체 2010’, 2011년 ‘시스템 반도체 2015’ 계획이 각각 추진되기도 했다. 일부 성과도 있었지만 근본 체질을 바꾸지는 못했다. 지금도 비메모리 반도체의 세계 시장 규모가 메모리보다 2배가량 큰 상황에서 이번 비메모리 반도체 육성 전략은 반도체로 먹고사는 한국으로서는 사실상 마지막 기회이자 피할 수 없는 선택이다. 더욱이 반도체 분야는 일반적으로 대규모 시설 투자가 전제돼야 하는 ‘머니게임’이자 경쟁 기업이나 국가보다 앞서 구체적인 성과를 내야 하는 ‘속도 전쟁’의 성격을 내포하고 있다. 더욱이 삼성전자는 지난 4월 EUV 공정으로 생산한 7나노 제품을 세계 최초로 양산에 돌입했다. EUV 레지스트 수출 규제는 결국 우리나라 반도체 산업의 현재가 아닌 미래를 볼모로 삼는 것이라고 할 수 있다. 우리 정부와 기업의 비메모리 반도체 육성 계획이 외부에선 ‘약자의 몸부림’이 아닌 ‘강자의 포효’로 받아들여질 수밖에 없고, 조만간 꽃망울을 터뜨릴 것으로 예상되는 최첨단 기술 분야에서 주도권 경쟁이 본격화됐다는 의미로도 볼 수 있다. 박상현 하이투자증권 연구원은 “단순한 정치 보복 차원을 넘어 글로벌 반도체 주도권 또는 차세대 산업을 둘러싼 갈등이 아닐까 하는 의구심이 증폭되고 있다”면서 “전략적 규제일 수 있다”고 말했다. ●중재 대신 침묵하는 미국, 차도지계? 우리 정부는 일본의 수출 규제와 관련해 미국의 역할론에도 주목하고 있다. 하지만 적어도 현재까지 미국의 적극적인 중재나 개입 의지는 찾아볼 수 없다. 그 이유를 전 세계 반도체 시장의 경쟁 구도에서 살펴볼 필요도 있다. 2017년 기준 전 세계 메모리 반도체 시장에서 한국의 시장 점유율은 58%, 비메모리 반도체 시장에서는 미국이 70%로 절대 강자다. 또 비메모리 반도체 시장의 약 40%를 차지하는 게 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU)와 스마트폰용 CPU인 AP다. 이 중 CPU 분야는 미국 기업인 인텔과 AMD가 시장을 장악한 상황이라 다른 기업이 끼어들 여지가 거의 없다. AP 분야는 퀄컴(미국), 미디어텍(대만), 애플(미국), 삼성전자(한국) 등의 순이다. 또 비메모리 분야는 설계를 담당하는 팹리스와 제조를 담당하는 파운드리로 분업 구조를 갖는 게 특징인데, 현재 세계 1위는 각각 퀄컴과 TSMC(대만)다. 하지만 삼성전자만 유일하게 팹리스와 파운드리를 동시에 할 수 있다. 한 업계 관계자는 “삼성의 AP 설계 기술은 퀄컴 수준을 따라잡았고 공정 기술에서는 AP 파운드리 3사(TSMC·글로벌파운드리·삼성) 중 가장 앞서 있다”고 평가했다. 비메모리 반도체 시장은 한국을 비롯해 기술 패권을 유지하려는 미국, 부품·소재를 내다 파는 처지에서 재도약을 꿈꾸는 일본, 강력한 정부 지원을 토대로 가격 경쟁력을 확보하려는 중국, TSMC라는 글로벌 파운드리를 중심으로 생태계가 유기적으로 연결된 대만 등의 각축장인 셈이다. 1984년 촉발돼 1996년까지 13년 동안 지속된 미일 반도체 분쟁 사례도 있다. 핵심은 급성장하는 일본 반도체 산업에 미국 정부가 제동을 건 것이다. 이 과정에서 1987년만 해도 반도체 시장 점유율에서 10위였던 인텔이 1992년부터는 1위로 도약했다. 반대로 NEC와 도시바, 히타치 등 수년간 1~3위를 점유했던 일본 기업들은 속절없이 무너져내렸고, 지금은 존재감마저 지워졌다. 미중 무역분쟁 역시 미국은 중국의 ‘불공정 무역’을 이유로 내세웠지만, 그 이면에는 천문학적인 무역적자(2017년 기준 3750억 달러)가 깔려 있고, 본질적으로는 중국의 급성장에 대한 견제가 자리하고 있다. 김학주 한동대 ICT창업학부 교수는 “일본의 수출 규제가 단순히 감정적이라면 오래가지 않을 것”이라면서도 “그러나 일본이 미국의 자동차 관세를 피하기 위해 반도체 주도권을 삼성전자에서 미국의 마이크론으로 옮기려는 전략적 계획이 숨어 있다면 우리에게는 심각한 도전”이라고 지적했다. shjang@seoul.co.kr

삼성전자가 업계 최고 성능의 차세대 모바일 D램의 양산을 개시하며 경쟁사와의 ‘기술 초격차’를 유지했다. 삼성전자는 18일 세계 최초로 12Gb(기가비트) LPDDR5 모바일 D램 양산을 시작한다고 밝혔다. 5세대 이동통신 시대를 맞이해 시장을 주도할 것으로 평가받는 LPDDR5 D램을 지난해 4월 개발한 이후 1년여 만에 양산 체제에 돌입한 것이다. 일본의 수출 규제로 반도체 산업의 불확실성이 커진 상황에서도 경쟁사들과 비교 불가능한 기술 우위를 뜻하는 ‘초격차’를 지켜 내고 있다. LPDDR5에서 ‘LP’는 모바일 기기에 사용되는 저전력 D램 규격을, 뒤에 붙는 ‘DDR5’는 데이터 처리 속도를 각각 뜻한다. 12Gb LPDDR5 모바일 D램은 현재 고급형 스마트폰에 탑재된 기존 모바일 D램(LPDDR4X)보다 약 1.3배 빠른 속도로 동작한다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현했을 때 풀HD급 영화(3.7GB) 약 12편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. 저전력 동작 구현을 위해 새로운 회로 구조를 도입해 기존 제품보다 소비전력을 최대 30% 줄일 수 있다. 현재 경기 화성캠퍼스에서 LPDDR5 모바일 D램을 양산 중인 삼성전자는 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램을 본격적으로 양산하는 방안을 검토 중이다. 삼성전자는 또 용량과 성능을 더 높인 16Gb D램도 선행 개발해 초격차 전략을 유지할 계획이다. 2000년대 초 치킨게임 당시 삼성전자의 기술력이 경쟁업체에 비해 몇 달 빠른 정도였다면, 지금은 중국 업체들보다 몇 년 앞선 상태로 품질에서 삼성전자를 대체할 기업을 찾기 어렵다는 게 반도체 업계의 대체적인 평가다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

일본 정부의 반도체 소재 수출 규제가 단순한 정치 보복을 넘어 한국 반도체 산업을 견제하기 위한 전략이라는 분석이 나왔다. 세계 반도체 시장의 주도권을 잡기 위해 규제를 장기화할 가능성도 있다는 것이다. 반면 수출 불허라는 최악의 시나리오까지 가지 않는다면 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체에 오히려 기회로 작용할 것이라는 의견도 있다. 창고에 쌓아둔 재고를 소진하면서 생산량을 줄이면 단기적으로는 반도체 공급량 감소로 가격 상승이 기대돼서다. 박상현 하이투자증권 연구원은 12일 ‘80년 미일 반도체 갈등 사례의 시사점’이라는 보고서를 발표하고 “한일 갈등 문제가 불거지는 배경이 글로벌 반도체 주도권 혹은 차세대 산업을 둘러싼 갈등이 아닐까 하는 의구심이 증폭되고 있다”고 밝혔다. 박 연구원에 따르면 최근 한일 무역 갈등을 이해하려면 과거 미국과 일본의 반도체 무역 갈등을 되짚어 볼 필요가 있다. 세계 반도체 시장의 후발 주자였던 미쓰비시전기, 히타치, 도시바 등 일본 업체들은 1980년대 들어 일본 정부의 반도체 육성 정책에 힘입어 급성장해 미국 업체들을 제치고 세계 시장의 주도권을 잡았다. 이에 미국 정부는 최첨단 산업인 반도체 산업의 주도권을 되찾고 자국 기업들을 보호하기 위해 일본 업체들의 반도체 덤핑을 조사하는 등 강한 통상 압박을 가했다. 미국 정부는 일본과 반도체 협정을 맺어 미국산 반도체 수입을 늘리도록 강요해 시장 점유율을 높였고 1990년대 중반 다시 세계 시장을 장악했다. 박 연구원은 “최근 일본 정부의 반도체 관련 중간재 수출 규제도 향후 반도체 산업에서 한국을 견제하기 위한 것으로 해석할 수 있다”면서 “비메모리 반도체를 중심으로 한 정보기술(IT) 경쟁에서 한국이 앞서는 것을 막기 위한 전략적 규제일 가능성이 있다”고 밝혔다. 박 연구원은 일본의 추가 조치도 주목해야 하지만 미국 정부의 입장도 주시해야 한다고 강조했다. 한국 반도체 산업을 견제하는데 미국 정부의 암묵적 동의가 있었다면 일본의 규제가 더 커질 수 있어서다. 박 연구원은 “이미 메모리 반도체 시장에서 압도적인 시장 점유율을 차지하는 한국 반도체 산업이 비메모리 반도체 산업 육성을 통해 시장 점유율을 높여간다면 일본은 물론 미국도 한국을 견제할 수밖에 없을 것”이라면서 “향후 반도체 산업을 두고 미국과 일본의 경제 규제가 장기화할 수도 있다”고 내다봤다. 한편 정창원 노무라금융투자 리서치센터장은 이날 서울 사무실에서 연 ‘하반기 한국 주식시장 전망’ 미디어 브리핑에서 “국내 반도체 업체들의 완제품 재고가 많은 상황이어서 단기적으로는 일부 감산을 하는 것이 반도체 가격에 긍정적일 수 있다”고 밝혔다. 그동안 반도체 재고가 너무 많은 것이 이익 회복에 걸림돌로 작용했는데 일본의 반도체 소재 수출 불허라는 최악의 시나리오만 아니라면 이번 사태가 독이 아닌 약이 될 수 있다는 분석이다. 정 센터장은 “반도체는 필수재이기 때문에 가격이 수급에 따라 탄력적”이라면서 “반도체 완제품 재고는 기업들이 IR(기업설명회)에서 6주 정도의 공급분이 있다고 얘기하는데 실제로는 조금 더 많은 것으로 알고 있다. 두 달 정도는 가동이 중단돼도 큰 영향이 없을 테고 (공급이 줄어) 비싸게 팔 수 있을 것”이라고 말했다. 정 센터장은 일본이 앞으로 한국에 대한 반도체 소재 수출 불허까지 규제를 확대할 가능성은 굉장히 낮을 것으로 전망했다. 그는 “이란에서 정치적 불안이 있으면 유가가 오르는데 디지털 시대에는 D램이 원유만큼 중요하고 만약 이런 저런 이유로 생산을 못 하게 된다면 전 세계적으로 불편해지는 회사들과 나라들이 엄청 많아져 파장이 어마어마하기 때문”이라고 설명했다. 이어 “한국이 가진 D램이 전 세계 시장 점유율 75%로 파워(영향력)가 굉장한 제품”이라면서 “일본의 주요 소재 수출 규제에 따라 국내 반도체 생산이 2개월여만 중단돼도 지구적 상황이 발생하고 그렇게 되면 반도체 가격이 폭등할 것”이라고 말했다. 이런 이유로 주식시장에서는 일본 정부가 한국 반도체 산업 관련 무역 보복 조치를 선언한 지난 1일 이후에도 외국인들이 삼성전자와 SK하이닉스의 주식을 사들이고 있다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 지난 1~11일 외국인들은 삼성전자 주식을 5872억원, SK하이닉스 주식을 2477억원 순매수했다. 지난 11일 삼성전자 주가는 1주당 4만 6200원으로 일본의 무역 보복 조치 발표 직전 거래일인 지난달 28일보다 1.7%(800원) 떨어지는데 그쳤고, SK하이닉스 주가는 7만 5500원으로 같은 기간 8.6% 올랐다. 김형렬 교보증권 리서치센터장은 “그동안 우리 반도체 기업들의 실적이 부진했던 이유는 공급 과잉과 수요 감소로 수익성이 약화됐었기 때문”이라면서 “이번 사안이 결국 우리 반도체 기업들에 공급 축소 요인이 된다면 수익성이 개선될 수 있어서 악재라고 볼 수만은 없다”고 말했다. 장은석 기자 esjang@seoul.co.kr