올해 3월 마이크론 테크놀로지(Micron Technology, Inc. 이하 마이크론)는 인텔과 손잡고 개발했던 차세대 비휘발성 메모리인 3D 크로스포인트(Xpoint) 사업에서 철수한다고 발표했습니다. 그리고 지난 주 마이크론이 지닌 유일한 3D 크로스포인트 메모리 생산 시설인 유타주 레히(Lehi)의 팹(fab)을 텍사스 인스트루먼트에 9억 달러에 매각한다고 발표했습니다. 3D 크로스포인트 기술은 기존의 낸드 플래시 메모리 기반 SSD보다 레이턴시가 1000배 빠르고 공정이 미세해질수록 수명이 줄어드는 낸드와 달리 1000만 번 쓰기가 가능하고 D램보다 10배나 높은 집적도를 지닌 차세대 비휘발성 메모리로 소개됐습니다. 간단히 설명하면 D램과 비슷한 속도를 지닌 메모리 + 저장 장치를 만들기 위해 개발한 차세대 메모리라고 할 수 있습니다. 현재 컴퓨터는 작업에 필요한 데이터를 저장 장치에서 꺼내 D램으로 가져와서 처리하고 결과를 다시 저장 장치에 기록합니다. 데이터의 크기가 커질수록 비효율적인 구조입니다. 궁극적인 대안은 저장 장치에서 바로 데이터를 처리하고 결과물도 남기는 방식입니다. 3D 크로스포인트는 이를 가능하게 만들 차세대 메모리로 주목받았습니다. 하지만 출시 초기부터 과연 시장에서 성공할 수 있는지 회의적인 시각도 적지 않았습니다. 옵테인 브랜드로 출시된 인텔의 3D 크로스포인트 메모리는 SSD를 대신하기에는 너무 비쌌고 D램 대신 사용하기에는 다소 느렸습니다. 그래도 인텔은 적극적으로 옵테인을 밀면서 제품들을 출시했지만, 이를 공동으로 개발한 동업자인 마이크론은 미지근한 반응을 보였을 뿐입니다. 마이크론은 2019년에야 콴트X X100 (QuantX X100)라는 서버용 SSD 제품을 내놓긴 했으나 실제로 시장에서는 거의 볼 수 없었고 이후 후속작도 없어 3D 크로스포인트 사업에서 철수하게 될 것이라는 전망이 나왔습니다.이런 결과가 나오게 된 이유는 간단합니다. 생각보다 3D 크로스포인트 메모리의 수요가 저조하기 때문입니다. 일반 PC 시장에서는 낸드 플래시 메모리 기반 SSD의 가격이 저렴해지고 속도도 빨라지면서 굳이 비싼 가격을 주고 옵테인 SSD를 구매할 이유가 없습니다. 그나마 대용량 데이터를 고속으로 주고받으면서 내구성도 신경 써야 하는 서버 시장에서는 조금 희망이 있지만, 이 역시 비용에 민감한 건 마찬가지라서 수요가 크지 않은 편입니다. 결국 3D 크로스포인트 사업부는 인텔이나 마이크론이나 모두 적자로 알려져 있습니다. 쉽게 말해 인텔도 3D 크로스포인트 메모리 생산 능력이 부족하지 않고 오히려 현재 있는 것도 곤란한 상황이라 마이크론의 생산 시설을 구매할 이유가 없습니다. 이런 이유로 마이크론은 인텔이 아닌 제3의 구매자에게 3D 크로스포인트 생산 시설을 매각할 수밖에 없었던 것으로 보입니다. 당초 기술 유출을 우려한 인텔이 구매할 것이라는 관측도 있었으나 결국 인텔도 포기한 셈입니다. 매각 대상이 차세대 비휘발성 메모리 기술에 관심이 많은 삼성이나 SK 하이닉스가 아니라 텍사스 인스트루먼트라는 사실 역시 인텔이 끼어들지 않은 이유로 생각됩니다. 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)는 일반인들에게는 생소하지만, 사실 역사가 꽤 오래된 반도체 회사로 각종 마이크로 컨트롤러나 영상, 음향, 통신, 신호처리 등에 사용되는 반도체를 생산합니다. 아날로그 반도체 시장에서는 1위 업체이기도 합니다. 레히에 있는 팹은 시스템 반도체 팹으로 전환할 경우 45nm, 65nm 공정으로 생산성이 좋은 300mm 웨이퍼 팹이기 때문에 현재 수요가 넘치는 시스템 반도체 생산용으로 전환될 것으로 보입니다. 텍사스 인스트루먼트는 3D 크로스포인트 관련 특허가 없는 건 물론이고 메모리 생산 자체에 관심이 없기 때문에 기술 유출 우려는 크지 않습니다. 아무튼 이런 대상에게 매각된다는 사실 자체가 3D 크로스포인트 메모리의 현재 상황을 상징적으로 보여주고 있습니다. 3D 크로스포인트 기술이 6년 전 화려하게 스포트라이트를 받으며 공개되었던 때를 생각하면 격세지감이 느껴지지만, 이제는 새로 들어오려는 기업은 없고 나가려는 기업만 있는 셈입니다. 다만 인텔이 아직 옵테인을 포기하지 않았고 결국 다른 경쟁자들도 차세대 비휘발성 메모리가 필요하다는 점을 생각하면 반전의 기회는 남아 있습니다. 3D 크로스포인트가 메모리가 의도한 것처럼 D램과 SSD를 통합하거나 아니면 적어도 그 중간에서 자신만의 입지를 찾을지 아니면 결국 이도 저도 아닌 메모리로 자연스럽게 시장에서 퇴출될지 미래가 궁금합니다.

삼성전자가 기존 데이터센터의 메모리 용량 한계를 극복한 새로운 개념의 D램 기술을 세계 최초로 내놨다. 삼성전자는 업계 최초로 ‘컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)’ 기반 D램 메모리 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 인공지능(AI), 머신러닝, 빅데이터 등 데이터센터의 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 대용량·고대역 D램 기술이다. CXL은 고성능 컴퓨터 환경에서 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 메모리, 저장장치 등을 더 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스(장치 간 연결 방식)다. 일반적인 기업용 서버 CPU는 D램 모듈을 최대 16개까지 탑재할 수 있는데 새 인터페이스를 활용하는 CXL D램은 기존 DDR D램에 더해 추가로 장착될 수 있다. 기존에는 목적지까지 갈 수 있는 길이 16곳까지가 최대였다면 이제는 도로를 더 추가해 더 많은 차량이 오갈 수 있는 발판을 만든 것이다. CXL D램은 기존 시스템의 메인 D램과 함께 시스템 메모리 용량을 테라바이트급(TB)까지 확장할 수 있다고 회사는 설명했다. 삼성전자는 2019년 인텔 주도로 발족한 ‘CXL 컨소시엄’에 참여했는데 이곳에서 제안된 내용을 실제로 구현해 낸 것이다. 새로 개발한 CXL D램 기술은 인텔 플랫폼에서 이미 검증을 마쳤다. 삼성전자는 시장 상황을 살피며 CXL 기반 메모리를 적기에 상용화하며 ‘반도체 기술 초격차’를 이어 가겠다는 계획이다. 삼성전자 측은 “데이터센터가 요구하는 차세대 기술을 선도하고 CXL 생태계가 확장될 수 있도록 글로벌 기업들과의 협력을 강화해 나가겠다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 기존 데이터센터의 메모리 용량 한계를 극복한 새로운 개념의 D램 기술을 세계 최초로 내놨다. 삼성전자는 업계 최초로 ‘컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)’ 기반 D램 메모리 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 인공지능(AI), 머신러닝, 빅데이터 등 데이터센터의 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 대용량·고대역 D램 기술이다. CXL은 고성능 컴퓨터 환경에서 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 메모리, 저장장치 등을 더 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스(장치 간 연결 방식)다. 일반적인 기업용 서버 CPU는 D램 모듈을 최대 16개까지 탑재할 수 있는데 새 인터페이스를 활용하는 CXL D램은 기존 DDR D램에 더해 추가로 장착될 수 있다. 기존에는 목적지까지 갈 수 있는 길이 16곳까지가 최대였다면 이제는 도로를 더 추가해 더 많은 차량이 오갈 수 있는 발판을 만든 것이다. CXL D램은 기존 시스템의 메인 D램과 함께 시스템 메모리 용량을 테라바이트급(TB)까지 확장할 수 있다고 회사는 설명했다.삼성전자는 2019년 인텔 주도로 발족한 ‘CXL 컨소시엄’에 참여했는데 이곳에서 제안된 내용을 실제로 구현해 낸 것이다. 새로 개발한 CXL D램 기술은 인텔 플랫폼에서 이미 검증을 마쳤다. 삼성전자는 시장 상황을 살피며 CXL 기반 메모리를 적기에 상용화하며 ‘반도체 기술 초격차’를 이어 가겠다는 계획이다. 삼성전자 측은 “스마트 데이터센터가 요구하는 차세대 기술을 선도하고 CXL 생태계가 빠르게 확장될 수 있도록 글로벌 기업들과의 협력을 강화해 나가겠다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

UHD급 영화(30GB) 2편을 1초에 처리할 수 있는 차세대 DDR5 D램이 개발됐다. 삼성전자는 업계 최초로 전송 속도를 7200Mbps로 높인 512GB(기가바이트) 용량의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. 반도체 슈퍼사이클(가격 상승)과 맞물려 하반기 상용화에 나설 경우 한국 업체들의 독주에 속도가 붙을 것으로 보인다. D램의 규격을 의미하는 DDR은 숫자가 높아질수록 성능이 높아지며, 기존 DDR4는 256GB 용량에 최고 전송속도는 3200Mbps 수준이었다. 이번에 개발된 DDR5는 기존의 DDR4 보다 2배 이상의 성능을 보여주는 것이다. 삼성전자는 이 D램에 ‘하이케이 메탈 게이트’(HKMG) 공정을 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현할 수 있게 했다. 절연 효과가 높은 ‘하이케이’ 물질을 절연막으로 쓰는 HKMG 공정은 기존 대비 13%의 전력을 덜 쓰게 되는데, 전력효율이 중요한 데이터센터에 최적화할 수 있다. 또 삼성은 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용했다. 더불어 글로벌 CPU(컴퓨터 중앙처리장치) 시장의 강자인 인텔은 이번 DDR5와 호환이 가능한 제품을 하반기에 내놓을 것으로 알려졌다. 전날 반도체 파운드리(위탁생산) 분야에 진출을 선언하며 삼성 등을 위협하고 나섰지만, 한편에서는 긴밀한 협력관계를 유지하고 있는 것이다. 손영수 삼성전자 메모리사업부 상무는 “이번에 개발된 DDR5 메모리는 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화할 것으로 기대한다”고 밝혔다. 안석 기자 sartori@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 프로세서를 장착한 ‘지능형 메모리 반도체’를 개발했다. 정보 저장만 가능했던 메모리 반도체가 시스템 반도체의 영역인 AI 연산 기능까지 겸하는 새로운 패러다임을 열어 낸 것이다. 삼성전자는 차세대 융합기술이 적용된 ‘HBM-PIM’을 개발했다고 17일 밝혔다. 2018년 슈퍼컴퓨터에도 사용할 수 있는 2세대 고대역폭 메모리 반도체인 ‘HBM2아쿠아볼트’를 양산했는데, 이번에는 여기다 AI 엔진 기능을 장착한 새로운 제품을 만들어 낸 것이다. 슈퍼컴퓨터와 같은 AI 시스템에 이번에 개발한 HBM-PIM을 적용하면 기존 시스템과 견줘 성능은 약 2배 이상 높아지고, 시스템 에너지는 70% 이상 줄일 수 있다. 최근 AI 응용 영역이 넓어지면서 고성능 메모리 반도체 수요가 가파르게 성장 중인데 이번 신제품은 기존 D램이 지니던 한계를 뛰어넘었다. 여태까지의 설계에서는 중앙처리장치(CPU)와 기억장치(메모리) 사이에 직렬 방식으로 이동하는 데이터가 많아지면 지연 현상이 발생했다. 이를 극복하기 위해 메모리 내부에 AI 엔진을 장착한 뒤 병렬 처리를 극대화하니 일부 연산은 굳이 CPU까지 갈 필요가 없어 데이터 이동량이 줄었다. CPU의 기능을 완전히 대체한 것은 아니지만 HBM-PIM이 일부 ‘연산 업무’를 덜어 간 것이다. 삼성전자는 최근 국제고체회로학회(ISSCC)에 HBM-PIM에 대한 논문을 공개했다. 상반기 내 고객사와 함께 테스트 검증을 완료해 PIM 생태계를 구축해 나가며 반도체 ‘기술 초격차’ 전략을 이어 갈 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 프로세서를 장착한 ‘지능형 메모리 반도체’를 개발했다. 정보 저장만 가능했던 메모리 반도체가 시스템 반도체의 영역인 AI 연산 기능까지 겸하는 새로운 패러다임을 열어 낸 것이다. 삼성전자는 차세대 융합기술이 적용된 ‘HBM-PIM’을 개발했다고 17일 밝혔다. 2018년 슈퍼컴퓨터에도 사용할 수 있는 2세대 고대역폭 메모리 반도체인 ‘HBM2아쿠아볼트’를 양산했는데, 이번에는 여기다 AI 엔진 기능을 장착한 새로운 제품을 만들어 낸 것이다. 슈퍼컴퓨터와 같은 AI 시스템에 이번에 개발한 HBM-PIM을 적용하면 기존 시스템과 견줘 성능은 약 2배 이상 높아지고, 시스템 에너지는 70% 이상 줄일 수 있다.최근 AI 응용 영역이 넓어지면서 고성능 메모리 반도체 수요가 가파르게 성장 중인데 이번 신제품은 기존 D램이 지니던 한계를 뛰어넘었다. 여태까지의 설계에서는 중앙처리장치(CPU)와 기억장치(메모리) 사이에 직렬 방식으로 이동하는 데이터가 많아지면 지연 현상이 발생했다. 이를 극복하기 위해 메모리 내부에 AI 엔진을 장착한 뒤 병렬 처리를 극대화하니 일부 연산은 굳이 CPU까지 갈 필요가 없어 데이터 이동량이 줄었다. CPU의 기능을 완전히 대체한 것은 아니지만 HBM-PIM이 일부 ‘연산 업무’를 덜어 간 것이다. 삼성전자는 최근 국제고체회로학회(ISSCC)에 HBM-PIM에 대한 논문을 공개했다. 상반기 내 고객사와 함께 테스트 검증을 완료해 PIM 생태계를 구축해 나가며 반도체 ‘기술 초격차’ 전략을 이어 갈 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

“새해를 맞아 새로운 삼성으로 도약하자. 함께하면 미래를 활짝 열 수 있다. 삼성전자와 협력사, 학계, 연구기관이 협력해 건강한 생태계를 만들어 시스템반도체에서도 신화를 만들자.” 이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영 행보를 ‘차세대 반도체 전초기지’에서 시작했다. 삼성전자는 이 부회장이 4일 평택 2공장 파운드리 생산설비 반입식에 참석한 뒤 반도체 부문 사장단과 중장기 전략을 점검했다고 밝혔다. 특히 작업복 차림으로 나선 이 부회장의 이날 현장경영은 삼성전자와 40년 이상 함께한 협력회사 대표들과 동행하며 ‘반도체 산업생태계 육성’을 향한 의미 있는 한 걸음을 내디뎠다. 평택 2공장(연면적 12만 8900㎡)은 축구장 16개 크기인 세계 최대 규모의 반도체라인으로 D램, 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산하는 첨단 복합 생산라인이다. 이 부회장이 직접 내건 ‘2030년 시스템반도체 세계 1위’ 목표를 일궈 가는 현장의 중심에서 공장 운영 상황, 반도체 투자·채용 현황까지 면밀히 챙기며 위기에도 흔들림 없는 초격차 의지를 다진 것이다. 특히 이날 현장경영에서 이 부회장은 이용한 원익IPS 회장, 박경수 피에스케이 부회장, 이우경 ASML코리아 대표, 이준혁 동진쎄미켐 부회장, 정지완 솔브레인 회장 등과 함께 국내 반도체 생태계 육성, 상호 협력 증진 방안을 마련하기 위해 머리를 맞댔다. 모두 삼성전자와 협력하며 강소기업으로 성장한 반도체 장비·소재 회사들이다. 재계 관계자는 “이 부회장이 협력사 사장단과 신년 첫걸음을 뗀 것은 시스템반도체 생태계의 모든 구성원들과 함께 성장하며 전체 산업을 키워 세계 1위를 이루겠다는 ‘이재용식 승어부(아버지를 능가한다는 뜻)’를 보여 준 것으로 보인다”며 “‘함께 세계 최고가 되겠다’는 약속을 지키기 위해 제시한 새로운 성장 방정식인 셈”이라고 말했다. 이 부회장은 지난달 30일 국정농단 사건 파기환송심 결심 공판에서 “제가 꿈꾸는 승어부는 더 큰 의미를 담아야 한다. 학계, 벤처업계, 중소기업계 등과 유기적으로 협력해 우리 산업 생태계가 더욱 건강해질 수 있도록 최선을 다하겠다”는 각오를 밝힌 바 있다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

“새해를 맞아 새로운 삼성으로 도약하자. 함께하면 미래를 활짝 열 수 있다. 삼성전자와 협력사, 학계, 연구기관이 협력해 건강한 생태계를 만들어 시스템반도체에서도 신화를 만들자.” 이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영 행보를 ‘차세대 반도체 전초기지’에서 시작했다. 삼성전자는 이 부회장이 4일 평택 2공장 파운드리 생산설비 반입식에 참석한 뒤 반도체 부문 사장단과 중장기 전략을 점검했다고 밝혔다. 특히 작업복 차림으로 나선 이 부회장의 이날 현장경영은 삼성전자와 40년 이상 함께한 협력회사 대표들과 동행하며 ‘반도체 산업생태계 육성’을 향한 의미 있는 한 걸음을 내디뎠다.평택 2공장(연면적 12만 8900㎡)은 축구장 16개 크기인 세계 최대 규모의 반도체라인으로 D램, 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산하는 첨단 복합 생산라인이다. 이 부회장이 직접 내건 ‘2030년 시스템반도체 세계 1위’ 목표를 일궈 가는 현장의 중심에서 공장 운영 상황, 반도체 투자·채용 현황까지 면밀히 챙기며 위기에도 흔들림 없는 초격차 의지를 다진 것이다. 특히 이날 현장경영에서 이 부회장은 이용한 원익IPS 회장, 박경수 피에스케이 부회장, 이우경 ASML코리아 대표, 이준혁 동진쎄미켐 부회장, 정지완 솔브레인 회장 등과 함께 국내 반도체 생태계 육성, 상호 협력 증진 방안을 마련하기 위해 머리를 맞댔다. 모두 삼성전자와 협력하며 강소기업으로 성장한 반도체 장비·소재 회사들이다.재계 관계자는 “이 부회장이 협력사 사장단과 신년 첫걸음을 뗀 것은 시스템반도체 생태계의 모든 구성원들과 함께 성장하며 전체 산업을 키워 세계 1위를 이루겠다는 ‘이재용식 승어부(아버지를 능가한다는 뜻)’를 보여 준 것으로 보인다”며 “‘함께 세계 최고가 되겠다’는 약속을 지키기 위해 제시한 새로운 성장 방정식인 셈”이라고 말했다. 이 부회장은 지난달 30일 국정농단 사건 파기환송심 결심 공판에서 “제가 꿈꾸는 승어부는 더 큰 의미를 담아야 한다. 학계, 벤처업계, 중소기업계 등과 유기적으로 협력해 우리 산업 생태계가 더욱 건강해질 수 있도록 최선을 다하겠다”는 각오를 밝힌 바 있다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

이재용 삼성전자 부회장이 이건희 회장 별세 이후 주도한 첫 인사에서 ‘대표이사 3인’은 유임시킨 가운데 반도체·가전의 차세대 주자들을 사장으로 전면에 내세웠다. 이 부회장의 회장 승진은 이번 인사에선 제외됐다.삼성전자는 2일 내년도 사장단 인사를 단행했다. 사장 승진 3명, 위촉 업무 변경 2명 등 총 5명 규모다. 사장단 승진은 올 1월(4명)이나 2018년 12월(1명), 2017년 11월(7명), 2015년(4명) 등 예년에 비해 교체 폭이 비교적 작지만 불확실한 경영환경과 양호한 성과를 고려해 안정을 추구하면서도 초격차를 이룰 쇄신에 방점을 찍었다. 후속으로 이어질 전자 계열 부사장급 이하 임원 인사에서는 이런 기조를 바탕으로 대폭 물갈이가 이뤄질 전망이다. 삼성전자에서는 창립 이래 처음으로 가전 부문에서 사장 승진자가 탄생했다. 지난 1월 소비자가전(CE) 부문 생활가전사업부장(부사장)을 맡은 이재승(60) 신임 사장이 주인공이다. 1986년 입사 이래 34년간 가전 사업에만 매진해 온 이 사장은 무풍 에어컨, 비스포크 시리즈 등을 개발하며 삼성 생활가전에 르네상스를 가져왔다는 평이다. 지난 3분기 코로나19 여파를 뚫고 분기 기준 역대 최대 영업이익(1조 5600억원)을 올렸다. 사장 승진자 3명 중 2명이 반도체 쪽에서 나왔다. 50대 중반의 차세대 주자가 전면배치됐다. D램 전문가인 이정배(53) 신임 사장이 메모리사업부장을 맡아 마이크론 등 경쟁사의 추격을 따돌릴 임무를 부여받았다. 최시영(56) 신임 사장은 파운드리사업부장을 맡아 세계 1위인 TSMC와의 점유율을 좁힐 ‘기술 초격차’에 속도를 낸다. 정은승(전 파운드리사업부장) 사장은 디바이스솔루션(DS) 부문에 신설된 최고기술책임자(CTO) 사장으로 자리를 옮기며 반도체 사업의 선행 연구 역량을 높인다. DS 부문은 3개 사업부 가운데 가장 많은 6명의 사장단을 갖추면서 세력을 더욱 과시하게 됐다. 진교영(전 메모리사업부장) 사장은 종합기술원장으로 자리를 옮긴다. 이번 인사에서 내년 3월 임기 만료 예정이던 김기남 DS부문장 부회장과 고동진 IT·모바일(IM) 부문 사장, 김현석 CE 부문 사장은 모두 자리를 지켰다. 전자 계열사 일부 수장도 교체됐다. 황성우(58) 전 삼성전자 종합기술원장은 삼성SDS 신임 대표이사 사장으로 선임됐다. 삼성디스플레이에서는 최주선(57) 대형디스플레이사업부장 사장이 대표이사에 올랐다. ‘삼성가 사위’인 김재열 삼성경제연구소 스포츠마케팅 연구담당 사장은 이날 글로벌전략실장으로 보직이 바뀌었다. 해외 핵심 인재들을 영입하는 역할을 하며 그간 ‘인재 경영’의 중요성을 강조해 온 이 부회장을 지원할 것으로 보인다. 김 사장은 제일모직 사장, 삼성엔지니어링 사장 등을 지냈고 이 회장이 생전 애정을 쏟았던 국제올림픽위원회(IOC) 위원 활동 등에 동행하며 쌓은 글로벌 인맥이 풍부한 것으로 알려져 있다. 이 부회장의 승진이 이번 인사에서 이뤄지지 않으면서 재계에서는 내년 3월 주주총회 즈음에 등기이사 복귀, 회장 승진이 이뤄질 수 있다는 관측이 나온다. 재계 관계자는 “형식적인 절차만 남았고 현재 이 회장의 49재가 진행 중이고 두 개의 재판도 병행하고 있어 삼성 입장에서는 서두를 사안이 아니다”라고 말했다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

이재용 삼성전자 부회장이 이건희 회장 별세 이후 주도한 첫 인사에서 ‘대표이사 3인’은 유임시킨 가운데 반도체·가전의 차세대 주자들을 사장으로 전면에 내세웠다. 이 부회장의 회장 승진은 이번 인사에선 제외됐다. 　삼성전자는 2일 내년도 사장단 인사를 단행했다. 사장 승진 3명, 위촉 업무 변경 2명 등 총 5명 규모다. 사장단 승진은 올 1월(4명)이나 2018년 12월(1명), 2017년 11월(7명), 2015년(4명) 등 예년에 비해 교체 폭이 비교적 작지만 불확실한 경영환경과 양호한 성과를 고려해 안정을 추구하면서도 초격차를 이룰 쇄신에 방점을 찍었다. 후속으로 이어질 전자 계열 부사장급 이하 임원 인사에서는 이런 기조를 바탕으로 대폭 물갈이가 이뤄질 전망이다. 　삼성전자에서는 창립 이래 처음으로 가전 부문에서 사장 승진자가 탄생했다. 지난 1월 소비자가전(CE) 부문 생활가전사업부장을 맡은 이재승(60) 신임 사장이 주인공이다. 1986년 입사 이래 34년간 가전 사업에만 매진해 온 이 사장은 무풍 에어컨, 비스포크 시리즈 등을 개발하며 삼성 생활가전에 르네상스를 가져왔다는 평이다. 지난 3분기 코로나19 여파를 뚫고 분기 기준 역대 최대 영업이익(1조 5600억원)을 올렸다. 　사장 승진자 3명 중 2명이 반도체 부문에서 나왔다. 50대 중반의 차세대 주자가 전면배치됐다. D램 전문가인 이정배(53) 신임 사장이 메모리사업부장을 맡아 마이크론 등 경쟁사의 추격을 따돌릴 임무를 부여받았다. 최시영(56) 신임 사장은 파운드리사업부장을 맡아 세계 1위인 TSMC와의 점유율을 좁힐 ‘기술 초격차’에 속도를 낸다. 　정은승(전 파운드리사업부장) 사장은 디바이스솔루션(DS) 부문에 신설된 최고기술책임자(CTO) 사장으로 자리를 옮기며 반도체 사업의 선행 연구 역량을 높인다. DS 부문은 3개 사업부 가운데 가장 많은 6명의 사장단을 갖추면서 세력을 더욱 과시하게 됐다. 진교영(전 메모리사업부장) 사장은 종합기술원장으로 자리를 옮긴다. 　이번 인사에서 내년 3월 임기 만료 예정이던 김기남 DS부문장 부회장과 고동진 IT·모바일(IM) 부문 사장, 김현석 CE 부문 사장은 모두 자리를 지켰다. 　전자 계열사 일부 수장도 교체됐다. 황성우(58) 전 삼성전자 종합기술원장은 삼성SDS 신임 대표이사 사장으로 선임됐다. 삼성디스플레이에서는 최주선(57) 대형디스플레이사업부장 사장이 대표이사에 올랐다. 　‘삼성가 사위’인 김재열 삼성경제연구소 스포츠마케팅 연구담당 사장은 이날 글로벌전략실장으로 보직이 바뀌었다. 해외 핵심 인재들을 영입하는 역할을 하며 그간 ‘인재 경영’의 중요성을 강조해 온 이 부회장을 지원할 것으로 보인다. 김 사장은 제일모직 사장, 삼성엔지니어링 사장 등을 지냈고 이 회장이 생전 애정을 쏟았던 국제올림픽위원회(IOC) 위원 활동 등에 동행하며 쌓은 글로벌 인맥이 풍부한 것으로 알려져 있다. 　이 부회장의 승진이 이번 인사에서 이뤄지지 않으면서 재계에서는 내년 3월 주주총회 즈음에 등기이사 복귀, 회장 승진이 이뤄질 수 있다는 관측이 나온다. 재계 관계자는 “형식적인 절차만 남았고 현재 이 회장의 49재가 진행 중이고 두 개의 재판도 병행하고 있어 서두를 사안이 아니다”라고 말했다. 　정서린 기자 rin@seoul.co.kr

SK하이닉스가 세계 최초로 국제 규격에 맞춘 DDR5 D램을 출시했다고 6일 밝혔다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 7월 차세대 D램 규격(DDR5)을 정했는데 SK하이닉스가 업계에서 가장 먼저 이를 적용한 제품을 내놓은 것이다. 국제반도체표준협의기구는 메모리 반도체 기술의 발전 정도에 맞춰 표준 규격을 새로 정한다. 회사마다 상이한 규격의 D램을 만들다 보면 다른 부품들과의 호환이 제대로 이뤄지지 않을 수 있기 때문이다. DDR1부터 DDR5까지 각자 지원하는 전송 속도, 동작 전압, 지원 용량 등이 정해져 있다. 이번에 SK하이닉스가 내놓은 DDR5 D램은 DDR4 대비 전송 속도가 최대 1.8배까지 빨라졌다. 최대 속도가 5600Mbps로 5기가바이트(GB) 용량의 풀HD급 영화 9편을 1초 만에 전달할 수 있다. 전력 소비도 전작보다 20% 감축됐다. 데이터서버에는 D램이 다닥다닥 설치돼 있어 많은 열이 발생하는데 전력 소비가 줄어들면 발생하는 열이 그만큼 감소할 것으로 보인다. DDR5 D램은 향후 빅데이터, 인공지능(AI), 데이터센터 등 4차 산업혁명의 핵심 분야에서 다양하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다. 다만 DDR5 D램의 본격적인 양산은 내년 말이나 2022년쯤부터 시작될 것으로 보인다. DDR5 D램과 호환되는 PC나 서버용 중앙처리장치(CPU) 등이 시장에 나와야 이에 발맞춰 수요가 생기기 때문이다. 이러한 상황을 고려해 시장조사기관 옴디아는 DDR5가 전체 D램 시장에서 차지하는 점유율이 내년에는 1%에 불과하고 2024년쯤은 돼야 43%로 커 나갈 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 파트너사 등과 호환성 및 동작 테스트를 완료해 향후 DDR5 D램 시장이 열리면 언제든지 제품을 판매할 수 있도록 준비를 마쳤다. 한편 메모리 반도체 1위 업체인 삼성전자는 내년 하반기쯤 DDR5 D램 제품을 출하할 것으로 전망된다. 인텔, AMD와 같은 CPU 제작 업체들의 제품 발매 일정에 맞춰 신제품을 내놓을 계획인 것으로 알려졌다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인에서 제품 양산에 돌입했다. 이재용 삼성전자 부회장은 이미 회사 메모리 반도체 부문에서 압도적인 세계 1위 자리를 지키고 있지만 ‘초격차’를 유지하고 나아가 2030년에 시스템반도체 1위에 등극하고자 투자에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 연면적이 축구장 16개 크기(12만 8900㎡)인 평택 2라인이 가동에 들어가 이곳에서 처음으로 D램 제품을 양산했다고 30일 밝혔다. 기존에는 11만 9000㎡(3.6만평) 규모의 평택 1라인이 단일 공장으로 가장 컸는데 이를 뛰어넘은 것이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 2021년도 하반기에는 차세대 V낸드, 초미세 파운드리(위탁생산) 제품까지 생산한다. 지난 5월 착공한 극자외선(EUV) 기반의 파운드리 생산라인, 지난 6월 착공한 첨단 V낸드 라인까지 완성하면 평택 2라인은 D램·V낸드·파운드리의 최첨단 공정을 모두 보유한 대규모 반도체 종합 생산 시설의 위용을 완성한다. 평택 2라인은 이 부회장이 2018년 8월 ‘초격차’를 위해 약속한 ‘3년간 180조원 투자·4만명 고용’ 계획에 따라 건설됐다. 이 부회장은 지난 2월에도 “기업의 본분은 고용 창출과 혁신 투자다. 2년 전 약속을 꼭 지키겠다”고 강조했다. 지난 5월 평택 파운드리 생산라인 구축을 결정할 때는 디바이스솔루션(DS·반도체와 디스플레이) 부문 경영진들에게 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 전한 바 있다. 삼성전자는 평택 2라인에 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행하고 있다. 직접 고용 인력은 약 4000명이고, 협력사와 건설 인력까지 포함하면 3만명 이상의 고용을 창출할 것으로 보인다. 다만 이 같은 삼성 특유의 초격차 행보가 ‘사법리스크’에 발목이 잡힐 수 있다는 우려가 있다. 삼성 특유의 오너 경영에 제약이 생길 경우 과감한 선제투자가 중요한 반도체 시장에서 낙오할 수 있기 때문이다. 평택 2라인에서 이번에 출하한 ‘16Gb LPDDR5’ 모바일 D램은 전 세계 메모리 반도체 양산제품 중에서는 처음으로 EUV 공정이 적용됐다. 이번 제품은 기존 최고급 스마트폰에 들어가는 12Gb 모바일 D램(LPDDR5)보다 약 16% 빠른 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 화질의 영화(5GB) 약 10편을 처리할 수 있다. 기존보다 패키지 구성이 30% 더 얇기 때문에 스마트폰 두께를 줄이는 데 기여할 듯하다. 이 부회장은 인공지능, 5G, 자율주행용 반도체 분야에서 초격차를 이루기 위해 고성능, 저전력 반도체 개발에 필수적인 차세대 ‘EUV 기술’ 연구를 직접 챙겨왔다. 업계 관계자는 “현재 삼성전자 말고 메모리 반도체 공정에 EUV를 적용해 양산하는 곳은 없다. EUV를 적용하면 향후에 더 미세한 첨단 공정이 가능하다”면서 “1등임에도 아낌없는 투자로 다시 한번 경쟁자들과의 격차를 벌렸다는 데 의미가 있다”고 말했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

SK하이닉스가 현존하는 최고 속도의 D램인 ‘HBM2E’를 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 거둔 성과다. HBM2E는 1초에 풀HD급 영화(편당 3.7GB) 124편을 전달할 수 있는 업계에서 가장 빠른 D램 솔루션이다. HBM2E는 정보 출입구 1개당 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터를 처리할 수 있다. 정보 출입구 전체가 1024개이므로 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있는 성능을 지녔다. 용량은 8개의 16Gb D램 칩을 TSV라는 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV 기술은 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로 전력 소모를 50% 이상 줄인다. SK하이닉스는 “초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션”이라며 “기상 변화, 우주 탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 활용할 수 있을 것으로 전망한다”고 밝혔다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

SK하이닉스가 현존하는 최고 속도의 D램인 ‘HBM2E’을 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 거둔 성과다.　HBM2E은 1초에 풀HD급 영화(편당 3.7GB) 124편을 전달할 수 있는 업계에서 가장 빠른 D램 솔루션이다. HBM2E는 정보 출입구 1개당 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리를 할 수 있다. 정보 출입구 전체가 1024개이므로 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있는 성능을 지녔다. 　용량은 8개의 16Gb D램 칩을 TSV라는 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV 기술은 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로 전력 소모를 50% 이상 줄인다. 　SK하이닉스는 “초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션”이라며 “기상 변화, 우주 탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 활용할 수 있을 것으로 전망한다”고 밝혔다. 　정서린 기자 rin@seoul.co.kr

‘이오테크닉스’와 레이저 설비 독자 개발 ‘솔브레인’과 3D 공정 핵심 소재 만들어삼성전자가 중소 설비·부품 업체와 손잡고 국내 반도체 생태계를 강화하기 위한 노력이 성과로 나타나고 있다. 협력사 지원, 산학협력 강화, 친환경 경영에 힘쏟으며 국내 반도체 산업 성장을 이끌고 있다. 삼성전자만 홀로 잘나가는 ‘S칩 시대’보다는 국내 반도체 시장 업계가 함께 성장하는 ‘K칩 시대’를 만들겠단 것이다. 삼성전자는 25일 반도체 장비 제조업체인 ‘이오테크닉스’와 함께 그동안 주로 수입에 의존했던 고성능 레이저 설비 개발에 성공했다고 밝혔다. 큰 돈을 들여 레이저 설비를 수입했지만 반도체 회로가 점점 미세화되면서 불량이 발생하자 이오테크닉스와 함께 독자 개발에 나선 것이다. 삼성전자는 이번 레이저 설비를 통해 지난해 3월 세계 최초로 3세대 10나노(10억분의1m)급 D램 양산에 돌입했다.또 반도체 소재 생산업체인 ‘솔브레인’은 최근 삼성전자와 협업을 통해 3차원(3D) 낸드플래시 식각공정(반도체 회로를 깎는 공정)의 핵심소재 중 하나인 ‘고선택비인산’을 개발해 삼성전자의 차세대 반도체 품질을 크게 끌어올렸다. 솔브레인이 개발한 것은 세계 최고 품질 수준으로 평가받는다. 삼성전자의 이런 행보는 지난해 4월 이재용 삼성전자 부회장이 ‘시스템 반도체 비전 선포식’에서 “같이 나누고 함께 성장하는 것이야말로 세계 최고를 향한 도전을 멈추게 하지 않는 힘”이라고 강조한 것에 따른 것이다.‘동행’을 꾸준히 강조해온 이 부회장은 반도체 산업의 위기 대응과 지속 가능한 성장을 위해 상생 협력을 필수로 여겨야 한다는 의지를 여러 차례 내비쳤다. 올해에만 ‘반도체·부품(DS)부문 사장단 간담회’(1월), ‘EUV 전용 생산라인 V1 점검’(2월), ‘평택 EUV 파운드리 라인 투자’(5월), ‘반도체 연구소 간담회’(6월)를 직접 챙겨왔다. 이 부회장은 반도체·DS부문 사장단 간담회에서는 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길”이라 강조했다. 업계 관계자는 “최근 한일 경제 갈등이 재현될 조짐이기 때문에 이 같은 상생협력을 더욱 강화할 필요가 있다”고 강조했다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

“어렵고 힘든 때일수록 미래를 철저히 준비해야 한다. 국민의 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신이다.” 이재용 삼성전자 부회장이 25일 삼성종합기술원을 찾아 반도체·디스플레이·전지를 비롯한 차세대 신기술 개발 현황을 점검했다. 코로나19 사태로 경영 불확실성이 커진 가운데 혁신을 통해 미래 동력을 확보하겠다는 행보로 풀이된다. 이날 삼성에 따르면 이 부회장은 경기 수원에 위치한 삼성종합기술원을 방문해 “한계에 부딪혔다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자”며 직원들을 격려했다. 위기를 극복하기 위한 이 부회장의 ‘현장 경영’ 행보는 올 들어 여섯 번째다. 지난 1월에는 삼성전자 화성사업장의 반도체 연구소와 브라질 마나우스 법인을, 2월에는 삼성전자 화성사업장 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인을 방문했다. 지난 3일과 19일에는 삼성전자 구미사업장과 삼성디스플레이 아산사업장을 각각 찾아 코로나19 위기에 대응해 현장을 점검했다. 이번 방문에서는 차세대 인공지능(AI) 반도체와 양자 컴퓨터 기술, 반도체·디스플레이·전지 혁신 소재 등 선행 기술에 대해 논의했다. 이 부회장이 ‘기술 초격차’를 강조한 이날 삼성은 업계 최초로 D램 반도체에 EUV 공정을 적용해 양산 체계를 갖췄다는 내용도 밝혔다. EUV를 통해 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 이미 공급해 고객 평가를 완료했고 앞으로 차세대 D램에 EUV를 적용한다는 내용이다. 파장이 짧은 극자외선 광원을 활용하는 EUV 기술은 10나노 미만으로 선폭이 좁아지는 미세공정에서 기존의 불화아르곤보다 세밀한 회로 구현을 가능하게 하는 것으로 고성능·저전력 반도체 생산에 필수적인 기술이라 할 수 있다. 지난해 9월 양산에 돌입한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램까지는 EUV 공정을 도입하지 않았지만 공정 미세화에 한계가 오면서 EUV 적용에 박차를 가한 것으로 알려졌다. 삼성은 내년에 EUV를 전면 적용한 4세대 10나노급(1a) D램 양산에 돌입할 예정이고 5·6세대 D램도 선행 개발해 기술 격차를 이어 나갈 계획이다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

AI 데이터 등 활용 “초고가 메모리 선점”삼성전자가 풀HD 화질(5GB)의 영화를 1초당 82편씩 전송할 수 있는 초고속 메모리 반도체를 세계 최초로 시장에 내놨다. 삼성전자는 4일 슈퍼컴퓨터와 인공지능(AI) 기반 데이터 분석에 활용할 수 있는 초고속 D램인 ‘플래시 볼트’를 출시한다고 밝혔다. 이번 제품은 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 고대역폭 메모리(HBM2E) D램이다. 2세대 제품(초당 영화 61편 전송 가능 수준)보다 속도는 1.3배, 용량은 2.0배 향상됐다. 현존하는 D램 패키지 중에 데이터 처리 속도가 가장 빠르다. 2017년 12월에 2세대 제품을 양산한 지 2년여 만에 세계 최초로 3세대 제품 양산에 돌입했다. SK하이닉스도 지난해 8월 3세대 제품을 개발했다고 밝혔지만 아직 양산에 돌입하지는 않았다. 이번에 출시한 HBM2E는 HBM D램의 최신 규격이다. HBM은 칩 상단과 하단에 미세한 전자이동 통로를 만든 뒤 D램 칩을 쌓아 수직으로 연결한 제품을 뜻한다. 칩을 관통해 전극으로 연결하는 방식이어서 금선(와이어)을 통해 외부에서 묶는 것보다 칩 간에 신호를 빠르게 주고받는다. 특히 삼성전자는 16기가비트(Gb) D램에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개가 넘는 ‘실리콘 관통 전극’(TSV) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 기술’을 이 제품에 적용해 속도가 빨라지게 했다. ‘신호전송 최적화 회로 설계’ 덕에 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2Gb의 속도로 410GB의 데이터를 처리할 수 있다. 삼성전자는 이번 제품을 통해 차세대 초고가 메모리 시장을 선점하겠다는 계획을 지녔다. 한재희 기자 jh@seoul.co.kr

글로벌 반도체 불황으로 SK하이닉스의 지난해 영업이익이 전년보다 87% 급감한 것으로 나타났다.SK하이닉스는 지난해 매출이 26조 9907억원, 영업이익 2조 7127억원으로 집계됐다고 31일 공시했다. 매출은 전년보다 33.3% 줄었다. 지난해 4분기 영업이익은 2360억원으로 전년 동기보다 94.7% 축소됐다. 매출은 6조 9271억원으로 전년 동기보다 30% 감소했지만 전 분기보다는 1% 증가했다. 지난해 4분기 실적은 매출이 전 분기보다 소폭 늘었지만 수요 증가에 대응하기 위해 비중을 확대한 제품군의 수익성이 낮았다. 또 신규 공정 전환에 따른 초기 원가 부담으로 영업이익은 전 분기보다 50% 줄었다. SK하이닉스는 “지난해 글로벌 무역 갈등으로 세계 경제의 불확실성이 확대되고 고객들의 재고 증가와 보수적인 구매 정책으로 수요 둔화와 가격 하락이 이어져 실적이 전년보다 감소했다”고 밝혔다. 제품별로는 D램 출하량이 전 분기보다 8% 증가했고, 평균 판매가격은 7% 하락했다. 낸드플래시는 출하량이 10% 증가했고, 평균판매가격은 전 분기 수준을 유지했다. 올해는 반도체 경기 회복으로 실적이 개선될 것으로 보인다. 회사 측은 D램 시장의 경우 서버 D램의 수요 회복, 5G 스마트폰 확산에 따른 판매량 증가로 전형적인 상저하고의 수요 흐름이 나타날 것으로 예측했다. 낸드플래시 시장도 PC와 데이터센터 수요가 증가하고 고용량화 추세가 확대되면서 성장세가 예상된다. 하지만 SK하이닉스는 시장 불확실성을 감안해 신중한 생산·투자 전략을 운영할 방침이다. 공정 전환 과정에서도 기술 성숙도를 빠르게 향상시키는 한편 차세대 제품의 차질 없는 준비로 원가 절감을 가속화한다는 전략이다. 최근 확산되고 있는 신종 코로나바이러스 영향도 예의주시하고 있다. SK하이닉스는 중국 우시와 충칭에 반도체 사업장을 두고 있다. 이날 진행된 실적 발표 콘퍼런스콜에서 SK하이닉스 관계자는 “중국에서 발생한 신종 코로나 바이러스와 관련해 현재 우시 공장의 조업상 특이사항이나 별다른 문제는 보이지 않고 있다”면서도 “다만 2월 9일까지로 예정된 중국 당국의 휴무 조치가 추가 연장되는 등 장기화되면 실제 조업에 영향을 미칠 가능성을 배제할 수 없다”고 말했다. 회사 측은 이런 경우에 대비 컨틴전시 플랜(비상계획)을 마련해 대응할 예정이다. 정서린 기자 rin@seoul.co.kr

중국의 ‘반도체산업 굴기’에 먹구름이 드리우고 있다. 정부는 반도체산업 굴기를 위해 전폭적으로 지원하고 있지만, 지방정부 재정난 등 내부의 고질적 문제와 함께 미국과의 패권 경쟁으로 기술 우군 확보에도 한계를 보이면서 반도체 선진국인 한국, 대만 등을 따라잡을 추격권에서 멀어지고 있다. 네덜란드 반도체 장비 업체인 ASML은 지난해 11월 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(SMIC)에 반도체의 성능을 비약적으로 향상시키는 차세대 핵심 장비 ‘극자외선(EUV) 노광장비’의 납품을 보류했다. 미중 무역전쟁이 격화하는 와중에 미국의 ‘역린’을 건드리지 않으려는 의도가 깔린 것으로 알려졌다. EUV 노광장비는 ASML이 독점 개발·생산해 현재로서는 대체품이 없다. 반도체 성능 향상은 회로 선폭을 얼마나 미세하게 하느냐가 관건인데 이 미세화 공정에 노광장비는 필수적이다. 반면 파운드리 세계 1, 2위 쟁탈전을 벌이는 삼성전자와 대만 TSMC는 이 장비를 도입해 이미 첨단제품 양산에 들어갔다. 올해 출시될 미국 애플의 신형 스마트폰에 이 기술을 활용한 중앙연산처리장치(CPU)가 탑재될 전망이다. 중신궈지는 회로선폭 14나노(10억분의1ｍ) 제품의 시험 양산을 시작한 단계다. EUV 기술은 7나노 이하 제품까지 기술이 진전된 후 필요하기 때문에 당장 별다른 영향은 없을 전망이다. 그러나 중국 정부를 등에 업고 TSMC과 삼성을 추격하려던 중신궈지의 계획에는 타격이 클 수밖에 없다. 5세대(5G) 이동통신 서비스가 본격화되면 스마트폰 등의 데이터 처리량이 폭증하기 때문에 반도체 성능의 중요성이 더욱 커지기 때문이다.미국 블룸버그통신, 중국 온라인 경제매체 차이신 등에 따르면 중국 정부는 반도체산업에 대규모 자금을 쏟아붓고 있다. 중국 전역에서 추진되는 대규모 반도체 사업 50개의 총투자비는 2430억 달러(약 282조원)에 이른다. 게다가 중국 정부는 지난해 약 289억 달러(약 33조 5000만원) 규모의 반도체 펀드를 새로 조성했다. 2014년에 이어 두 번째 반도체 펀드다. 펀드에는 중국개발은행 등 중앙 및 지방정부의 지원을 받는 기업이 대거 참여했다. 반도체 펀드 조성을 두고 월스트리트저널(WSJ)은 미국의 강력한 견제 속에서도 중국 정부가 반도체 분야에서 미국 기술로부터 독립하고 글로벌 기술 리더가 되겠다는 야심찬 계획을 추진하겠다는 의지를 드러낸 것이라고 봤다. 미국과 격렬한 무역전쟁을 치르는 중국 입장에서 첨단기술 독립을 이루려면 모든 정보기술(IT) 부품의 ‘두뇌’에 해당하는 반도체 확보에 열을 올릴 수밖에 없다. 실제 중국은 2014년부터 반도체를 첨단산업과 국가안보에 필요한 핵심 산업으로 삼고 집중 육성 중이다. 그해 중국이 정부 주도로 설립한 반도체 펀드 규모만 1390억 위안(약 23조원)이다.미 무역대표부(USTR)는 보고서를 통해 “중국 정부가 국가 전략 목표를 위해 펀드 설립에 깊이 개입했다”며 자국 기업에 불공정한 우위를 제공하는 ‘국가자본주의’라고 강력히 비판했다. 이번에 조성한 새 반도체 펀드는 2014년보다 규모가 훨씬 커 미국 정부의 심기를 불편하게 할 공산이 크다. 미중 무역협상 2단계 합의를 앞두고 새로운 불씨로 작용할 것이란 전망도 나온다. 중국은 ‘반도체 인재 빼내오기’에도 총력전을 펼치고 있다. 특히 파운드리 강국인 대만이 중국의 노골적인 `반도체 인재 빼가기’에 속앓이 중이다. 반도체산업에서 초미세공정 기술 및 관련 장비를 다룰 수 있는 `경험 많은 인재’는 경쟁력의 핵심이다. 일본 니혼게이자이신문에 따르면 중국은 반도체산업을 2030년까지 세계 선진국 수준으로 도약시키기 위해 대만 기업들의 반도체 전문가들을 적극 영입하고 있다. 대만 반도체 업계는 중국이 고액 연봉을 앞세워 빼내간 대만 인재만 3000명 이상이라고 추산한다. 대만에서 활동하는 반도체 개발 기술자의 10% 수준에 이르는 수치다. 중국은 심지어 반도체 전문가를 지망하는 대만 대학생들까지 미리 선점해 자국 내 유학을 독려하고 있다. 멍즈청 대만 국립성공대 교수는 “중국의 목표는 대만 반도체 인재풀이 ‘푹 꺼질 만큼’ 인력을 빼내 가겠다는 것”이라고 우려했다. 중국이 ‘물불 가리지 않고’ 반도체산업 육성에 나섰지만 성과는 너무 더디다. 반도체산업의 투자 주체인 중국 지방정부들의 재정난이 심각해 자금 조달이 어려운 데다 선진국 업체들과의 기술 격차도 큰 상황이다. 치밀한 계획보다 지도자에 대한 충성심이 사업 추진의 목적이 되고 있는 것도 문제로 지적된다.중국 동부 지역의 한 반도체 산업단지는 이미 45억 위안(약 7470억원)을 투자했으나 주요 투자자인 지방정부의 재정난으로 사업을 중단할 위기다. 중국 중부의 대표적인 반도체산업 단지를 표방하는 후베이성 우한은 법원으로부터 산업단지의 토지 사용이 금지돼 자금 조달 통로가 막혔다. 반면 중국 반도체산업의 목표인 삼성전자는 지난 5년간 해마다 250억 달러(약 29조원)를 투자한 것으로 추산된다. 만일 중국이 TSMC의 첨단 웨이퍼 생산 능력을 따라잡으려면 600억~800억 달러를 투자해야 할 것으로 추정된다. 반도체산업의 동력이 매년 투입하는 대규모 투자금이라는 점에서 중국 반도체 업계의 전망은 어두운 상황이다. 반도체 선진국들과의 기술 격차도 크다. 중국 칭화대의 사업 부문인 칭화유니그룹 자회사 창장춘추(YMTC)가 대표적인 사례다. 중국 정부가 74%의 지분을 소유한 창장춘추는 중국 반도체 기업 중 전망이 밝은 업체로 꼽히지만, 선진국 플래시 메모리 업체들에 비하면 기술력은 반 세대나 뒤진 것으로 평가된다. 창장춘추는 D램 기술에 대해 외부에 의존하지 않고 시장 주도자로 성장하기 위해 향후 10년간 8000억 위안(약 133조원)이라는 천문학적 돈을 퍼부을 계획이다. 이 중 상당수 자금이 설비 투자 못지않게 첨단 장비를 운용할 수 있는 인력 확보에 쓰일 것이라는 게 세계 반도체 전문가들의 일치된 견해다. 시장조사기관인 IC인사이츠에 따르면 중국 반도체 기업의 기술 국산화율은 2010년 8.5%에서 지난해 15.4%로 상승하는 데 그쳤다. 다른 반도체 기업들은 기술력이 너무 떨어져 내세울 만한 곳이 없을 정도다. 중국 반도체 기술은 TSMC에 비해서도 3~5년 뒤진 것으로 평가된다. 중국의 지난해 반도체칩 무역적자는 2280억 달러(약 264조원) 규모로 10년 전보다 2배로 확대됐다. 이보다 더 ‘치명적인’ 문제는 시진핑 국가주석의 환심을 사기 위해 지방정부 관료들이 재정난에는 개의치 않고 경쟁적으로 대규모 반도체 사업을 추진하고 있다는 사실이다. 남부 해안도시 푸젠성 샤먼과 가장 가난한 성 가운데 하나인 구이저우도 반도체 사업에 뛰어들었다가 재원 낭비와 임금 인상이라는 부작용만 낳았다. 톈진시는 정부 소유의 대규모 종합상사인 톈진물산그룹의 디폴트(채무불이행)로 중국 전역에 ‘금융 패닉’을 부르고 있지만, 시 주석의 관심 사업인 인공지능(AI) 분야 투자를 위해 무려 160억 달러나 쌓아 둔 것으로 알려졌다. 가뜩이나 경제가 어려운 마당에 지도자의 마음을 얻기 위해 추진하는 사업이 공적자금의 부적절한 사용을 초래한다고 비판받고 있는 것이다. 신용평가사 무디스는 올해 중국 지방정부의 지출 규모가 수입보다 7조 6000억 위안(약 1262조원)이나 더 많을 것이라고 추정했다. khkim@seoul.co.kr ■이 기사는 서울신문 홈페이지에 연재 중인 ‘김규환 기자의 차이나 스코프’를 재구성한 것입니다. 인터넷에서 ‘김규환 기자의 차이나 스코프’(goo.gl/sdFgOq)의 전문을 만날 수 있습니다.

네덜란드의 반도체 장비업체인 ASML은 지난달 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 중신궈지(中芯國際·SMIC)에 반도체의 성능을 비약적으로 향상시키는 차세대 핵심장비인 ‘극자외선(EUV) 노광장비’ 납품을 보류하기로 했다. ASML의 납품 보류는 미중 무역전쟁이 격화하는 와중에 미국의 ‘역린’을 건드리지 않으려는 의도가 깔린 것으로 알려졌다. EUV 노광장비는 ASML이 세계적으로 독점 개발·생산하는 만큼 현재로선 대체품이 없다. 반도체 성능 제고는 회로 선폭을 얼마나 미세하게 하느냐가 관건인데 미세화 공정에 이 노광장비가 필수적이다. 그런데 파운드리 세계 1·2위 쟁탈전을 벌이는 대만 TSMC와 삼성전자는 올해부터 첨단제품 양산에 이 장비를 도입했다. 내년 출시될 미국 애플의 신형 스마트폰에 이 기술을 활용한 CPU(중앙연산처리장지)가 탑재될 전망이다. 중신궈지는 회로선폭 14나노(나노는 10억분의 1ｍ) 제품의 시험 양산을 시작한 단계다. EUV 기술이 필요한 단계는 7나노 이하 제품까지 기술이 진전된 이후의 일인 만큼 이 장비를 도입하지 못하더라도 당장에는 별 영향을 받지는 않는다. 그러나 중국 정부를 등에 업고 TSMC과 삼성전자를 추격하려던 중신궈지의 계획에는 타격이 클 수 밖에 없다. 5G 서비스가 본격화되면 스마트폰 등의 데이터 처리량이 폭증해 반도체 성능 제고의 중요성은 더욱 커지기 때문이다. 중신궈지로서는 첨단기술 도입이 그만큼 지연되는 셈이다. 중국의 ‘반도체 산업 굴기’에 먹구름이 드리우고 있다. 반도체 산업 굴기를 위해 중국 정부의 전폭적인 지원에도 불구하고 한국과 대만 등 반도체 선진국을 따라잡는 추격권에서 오히려 멀어지고 있는 것이다. 미국 블룸버그통신, 중국 온라인 경제매체 차이신(財新) 등에 따르면 중국 정부의 반도체 ‘사랑’은 엄청난 투자로 나타난다. 중국 전역에서 추진되는 50개 대규모 반도체 사업의 총투자비가 2430억 달러(약 282조원)에 이른다. 여기에다 중국 정부는 지난 10월 289억 달러 규모의 반도체 펀드를 새로 조성해 지원할 방침이다. 2014년에 이어 두번째 조성되는 반도체 펀드다. 이 펀드에는 중국개발은행 등 중앙정부와 지방정부의 지원을 받는 기업이 대거 참여한 것으로 전해졌다. 중국 정부가 도널드 트럼프 미국 행정부의 강력한 견제에도 반도체 분야에서 미국으로부터의 기술 독립은 물론 글로벌 기술 리더가 되겠다는 야심찬 계획을 추진하겠다는 의지를 드러낸 것이라고 월스트리트저널(WSJ)이 전했다.미국과 격렬한 무역전쟁을 치르는 만큼 중국은 첨단기술 독립을 위해 모든 정보기술(IT) 부품의 ‘두뇌’에 해당하는 반도체를 확보에 열을 올릴 수밖에 없다. 실제로 중국은 2014년부터 반도체가 첨단산업과 국가안보에 필요한 핵심 산업으로 규정해 집중 육성하고 있다. 그해 중국은 정부 주도로 1390억 위안(약 23조원) 규모의 반도체 펀드를 설립했다. 이와 관련해 미 무역대표부(USTR)는 보고서를 통해 “중국 정부가 국가 전략 목표를 위해 펀드 설립에 깊이 개입했다”며 자국 기업에 불공정한 우위를 제공하는 ‘국가자본주의’라며 강력히 비판했다. 이번에 조성한 새 반도체 펀드는 2014년 펀드보다 규모가 훨씬 크기 때문에 미국 정부의 심기를 불편하게 할 공산이 크다는 지적이다. 더욱이 2단계 합의를 앞두고 있는 미중 무역협상의 새로운 불씨로 작용할 것이란 전망도 나온다. 중국은 반도체 산업에 대한 자금 퍼붓기는 물론 ‘인재 빼내오기’에도 총력전을 펼치고 있다. 글로벌 파운드리 인프라스트럭처를 갖추고 있는 대만이 중국의 노골적인 `반도체 인재 빼가기`에 홍역을 앓고 있는 것이다. 반도체 산업은 초미세공정 기술과 관련 장비를 다룰 수 있는 `경험 있는 인재’가 삼박자를 갖춰야 수율을 높여 글로벌 경쟁력을 가질 수 있다. 일본 니혼게이자이신문 등에 따르면 중국은 자국 반도체 산업을 오는 2030년까지 세계 선진국 수준으로 도약시킨다는 목표를 실현하기 위해 대만 기업들의 반도체 전문가들을 적극 영입하고 있다. 대만 반도체 업계는 중국이 이를 위해 고액 연봉을 앞세워 빼내간 대만 인재가 3000명 이상이라고 추산한다. 대만 전체 반도체 개발 관련 기술자의 10%에 이르는 수준이다. 심지어 중국은 반도체 전문가를 꿈꾸는 대만 대학생들까지 미리 선점해 자국 내 유학을 독려하고 있다. 멍즈청(蒙志成) 대만 국립성공대 교수는 “중국의 목표는 대만 반도체 인재풀이 ‘푹 꺼질 만큼’ 인력을 빼내 가겠다는 것”이라고 우려했다. 중국이 이 같이 물불을 가리지 않고 반도체 산업 육성에 나섰지만 성과는 너무 더디다. 반도체 산업의 투자 주체인 중국 지방정부들의 재정난이 심각해 자금 조달이 어려운 데다 선진국 업체들과 기술격차가 크고 치밀한 계획보다 지도자에 대한 충성심이 사업 추진의 목적이 되고 있는 것이 주요인으로 꼽힌다. 중국 동부지역의 한 반도체 산업단지는 이미 45억 위안을 투자했으나 주요 투자자인 지방정부의 재정난으로 사업을 중단할 위기에 놓였다. 중국 중부의 대표적인 반도체 산업단지를 표방하는 후베이(湖北)성 우한(武漢)은 법원으로부터 산업단지의 토지 사용이 금지돼 자금조달 통로가 막혔다. 반면 삼성전자는 지난 5년간 해마다 250억 달러를 투자한 것으로 추산된다. 특히 TSMC의 첨단 웨이퍼 생산 능력을 따라잡으려면 중국은 600억~800억 달러를 투자해야 할 것으로 추정된다. 반도체 산업이 해마다 엄청나게 많은 투자비가 들어가는 사업이라는 점에서 중국 반도체 업계의 전망은 어둡기만 하다 반도체 선진국들과의 기술 격차도 크다. 중국 칭화(淸華)대의 사업 부문인 칭화유니그룹의 자회사 창장춘추(長江存儲科技公司·YMTC)가 대표적인 사례이다. 중국 정부가 74%의 지분을 소유하고 있는 창장춘추는 중국 반도체 기업 중 전망이 밝은 업체로 꼽히지만, 선진국 플래시 메모리 업체들에 비하면 기술력에서 반세대나 뒤진 것으로 평가된다. 창장춘추는 D램 기술에 대해 외부에 의존하지 않고 시장 주도자로 성장하기 위해 향후 10년간 8000억 위안이라는 천문학적 돈을 퍼부을 계획이다. 이 중 상당수 자금이 설비 투자 못지않게 첨단 장비를 운용할 수 있는 인력 확보에 쓰일 것이라는 게 세계 반도체 전문가들의 일치된 견해다. 하지만 시장조사기관인 IC인사이츠에 따르면 중국 반도체 기업의 기술 국산화율은 2010년 8.5%에서 지난해 15.4%로 상승하는데 그쳤다. 다른 반도체 기업들은 기술력이 너무 떨어져 내세울 만한 곳이 없을 정도다. 중국 반도체 기술은 타이완의 TSMC에 비해서도 3~5년 뒤진 것으로 평가된다. 이에 따라 중국의 지난해 반도체 칩 무역적자는 2280억 달러 규모로 10년 전의 2배로 확대됐다. 이보다 ‘치명적인’ 문제는 시진핑(習近平) 국가주석의 환심을 사기 위해 지방정부 관료들이 재정난은 개의치 않고 경쟁적으로 대규모 반도체 사업을 추진하고 있다는 사실이다. 남부 해안도시 푸젠(福建)성 샤먼(廈門)과 가장 가난한 성(省) 가운데 하나인 구이저우(貴州)도 반도체 사업에 뛰어들었다가 재원 낭비와 임금 인상이라는 부작용만 낳았다. 톈진(天津)시는 정부 소유의 대규모 종합상사인 톈진물산(天津物産·Tewoo)그룹의 디폴트(채무불이행)로 중국 전역에 ‘금융 패닉’을 부르고 있지만, 시 주석의 관심 사업인 인공지능(AI) 분야 투자를 위해 무려 160억 달러나 쟁여 놓은 것으로 알려졌다. 가뜩이나 경제가 어려운 마당에 지도자의 마음을 얻기 위해 추진하는 사업이 공적자금의 부적절한 사용을 초래한다고 비판받는 것이다. 신용평가사 무디스는 올해 중국 지방정부의 지출 규모가 수입보다 7조 6000억 위안이나 더 많을 것이라고 추정했다. 김규환 선임기자 khkim@seoul.co.kr