“올해 상반기까지는 계속 어려운 시기가 되겠지만 그래도 하반기로 넘어가면서부터는 조금 기대를 해볼만 한 것 같습니다.” 최근 만난 국내 반도체 기업의 한 임원은 깊은 불황에 빠진 반도체 시장과 관련해 “올 상반기까지 매출 하락의 폭을 얼마나 줄이느냐가 관건”이라면서 하반기부터는 업계에 다시 활기가 돌 것으로 전망했다. 이는 비단 이 임원만의 시각은 아니다. 실제 국내외 반도체 업계에서는 지난해부터 ‘2023년 하반기 반등’ 전망이 이어졌다. 22일 업계에 따르면 파운드리(위탁생산) 분야 3위 기업 대만 UMC의 제이슨 왕 회장은 지난 16일 2022년도 연간 실적을 발표하면서 “스마트폰과 PC 소비 시장의 수요가 약화되고 있는 1분기가 업황의 저점이 될 것”이라면서 “2분기까지 재고가 정상 수준보다 크게 향상되고 하반기까지 점차 개선될 것을 확신한다”고 말했다. 파운드리 1위 대만 TSMC도 ‘하반기 반등’ 의견을 내놨다. C.C.웨이 TSMC 최고경영자(CEO)는 전년도 실적을 발표하면서 “올해 상반기는 작년보다 한자릿수 중반 % 대의 수익이 감소할 것”이라고 전망하면서도 “하반기에는 건강한 회복을 볼 것으로 전망한다”고 밝혔다. 메모리 시장 하락이 특히 컸던 탓에 지난해 4분기 ‘어닝쇼크’(실적충격)를 기록한 삼성전자도 비슷한 분위기다. 한종희 삼성전자 부회장은 지난 6일 미국 라스베이거스 CES2023 현장에서 가진 언론 간담회에서 “올해 글로벌 경기 상황이 그리 썩 좋지 않은 상황이나, 하반기부터 개선될 것으로 예상한다”고 말했다.삼성전자 반도체 사업부(DS)를 이끌고 있는 경계현 사장은 지난해 9월 언론 간담회에서 “내년에도 현재로선 좋아질 모멘텀이 보이지 않지만 항상 위기는 기회가 될 수 있다”면서 “시장이 좋지 않을 때 더 성장할 수 있도록 정해진 투자를 조절하는 식으로 지금 우리 위치가 지금보다 나아지는 기회를 삼도록 하고 있다”고 밝힌 바 있다. 업계 관계자는 반도체 기업 대표들이 올 하반기를 기대하고 있는 배경으로 크게 세 가지 이유를 들었다. 감산에 따른 재고 조정·스마트기기 및 서버 교체 주기·인텔 5세대 CPU 출시다. 이 세 요인이 모두 올 상반기 후반부터 맞물리기 시작해 하반기에는 반도체 수요 증가로 이어질 것이라는 설명이다. 이 관계자는 “쉽게 말해서 코로나19로 전 세계가 ‘비대면 사회’로 전환됐다 지난 2년은 기업 입장에서는 ‘대소비의 시대’라고 해도 과언이 아니었다”라면서 “기업은 재택근무와 원격 업무 등에 따라 서버와 IT시스템 확충에 나섰고, 이 기간 일반 소비시장에서는 스마트폰과 TV 등 반도체향 매출도 급등했다”고 말했다. 하지만 지난해 상반기부터 세계 주요 국가들이 ‘엔데믹’(감염병의 풍토병화)을 선언하면서 반도체 수요가 뚝 끊어졌고, 호황기에 과잉 생산한 재고 탓에 메모리를 중심으로 깊은 불황에 빠졌다는 게 이 관계자의 설명이다. 국내 반도체 기업 관계자는 “SK하이닉스와 마이크론, 키옥시아 등 주요 기업들은 이미 감산에 들어갔고, 이런 기업들의 재고 조정 효과가 올 하반기에는 실적 개선의 모멘텀이 될 것으로 보고 있다”라면서 “팬데믹 당시 판매가 급증했던 스마트폰은 통상 2~3년 교체 주기에 따라 올해부터 판매 상승세로 이어질 것”이라고 말했다. 이 관계자는 “스마트폰과 TV 등은 물론이고 기업 서버 교체 주기는 모두 세부적인 데이터로 측정·관리되는데, 개별 데이터의 상승 곡선의 교점을 이어보면 그 시기가 올 하반기로 수렴되는 것”이라고 덧붙였다. 아울러 서버용 CPU 시장을 사실상 독점하고 있는 인텔이 1년여의 지연 끝에 4세대 서버용 CPU ‘사파이어 래피즈’를 올해 1월 출시한 점도 반도체 시장 반등을 앞당길 호재로 꼽힌다. 신제품은 직전 세대 대비 전력 효율이 30% 이상 높고 데이터 처리 속도는 두 배 이상 향상됐다.당장 메타(옛 페이스북) 등 데이터센터를 운용하는 기업들과 구글, 아마존, 마이크로소프트 등 클라우드 데이터센터 업체들이 사파이어 래피즈가 적용된 서버 구매에 나설 것으로 전망된다. 이 경우 사파이어 래피즈의 성능을 극대화할 수 있는 차세대 D램인 DDR5에 대한 수요도 급증할 것으로 전망되는데, DDR5 양산은 삼성전자와 SK하이닉스가 선도하고 있다.

글로벌 중앙처리장치(CPU) 시장의 ‘게임 체인저’로 꼽혀 온 인텔의 4세대 서버용 CPU가 지난 10일(현지시간) 미국을 중심으로 본격 출시되면서 메모리 반도체 업계도 더불어 들썩이고 있다. 지난해 하반기부터 깊은 침체의 늪에 빠진 메모리 시장의 반등을 인텔의 신제품이 이끌 것으로 기대되기 때문이다. 메모리 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스도 ‘반도체 한파’를 끝내기 위한 잰걸음에 나섰다.12일 업계에 따르면 인텔이 최근 출시한 4세대 서버용 CPU ‘사파이어 래피즈’①는 직전 세대 대비 전력 효율은 30% 이상 높고 데이터 처리 속도는 두 배 이상 향상됐다. 서버용 CPU 시장에서 90% 이상을 점유하고 있는 인텔의 신제품이라는 점에서 반도체 업계에서는 일찌감치 ‘시장에 활력을 불어넣을 제품’으로 기대하면서 제품 출시만을 기다려 왔다.업계 관계자는 “인텔의 CPU 출시는 단순히 새로운 제품이 나오는 개념을 넘어 기업들의 연쇄적인 서버 교체 시점이 됐음을 의미한다”면서 “글로벌 기업들이 새 CPU에 맞춰 서버를 교체한다는 것은 그만큼 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 수요 증가로 이어지는 것”이라고 말했다. 특히 인텔의 새 CPU의 성능을 극대화하려면 차세대 D램인 DDR5가 필요하다는 점에서 D램 세대교체에 속도를 내고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 시너지가 기대된다. 삼성전자는 지난해 12월 업계 최초로 12㎚(나노미터·1㎚는 10억분의1m) D램 개발에 성공하며 DDR5 시대를 준비하고 있다. 인텔과는 메모리·CPU 호환성 테스트를 하며 협업 관계를 유지해 왔다. 2018년 세계 최초로 DDR5를 개발한 SK하이닉스는 최근 인텔로부터 신형 CPU에 자사 DDR5 서버용 D램②을 적용할 수 있다는 인증을 받았다. SK하이닉스 관계자는 “시장 수요에 맞춰 DDR5를 공급하면서 반도체 다운턴(하강 국면) 상황을 조기에 극복할 수 있도록 하겠다”고 강조했다. 삼성전자는 이날 기존 제품 대비 속도는 최대 1.8배, 전력 효율은 70% 향상된 PC용 고속 보조기억장치(SSD)③를 선보였다. 삼성의 PC용 SSD 가운데 처음으로 5㎚ 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 구현했다. 공정 고도화를 통한 제품 경쟁력 확보로 메모리 불황을 타개하겠다는 전략에 따른 것으로 풀이된다. 삼성전자는 SSD 시장에서는 2006년부터 점유율 1위를 지키고 있다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 3분기 삼성전자의 SSD 시장 점유율은 39.6%로 집계됐다.

글로벌 중앙처리장치(CPU) 시장의 ‘게임 체인저’로 꼽혀 온 인텔의 4세대 서버용 CPU가 지난 10일(현지시간) 미국을 중심으로 본격 출시되면서 메모리 반도체 업계도 더불어 들썩이고 있다. 지난해 하반기부터 깊은 침체의 늪에 빠진 메모리 시장의 반등을 인텔의 신제품이 이끌 것으로 기대되기 때문이다. 메모리 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스도 ‘반도체 한파’를 끝내기 위한 잰걸음에 나섰다.12일 업계에 따르면 인텔이 최근 출시한 4세대 서버용 CPU ‘사파이어 래피즈’는 직전 세대 대비 전력 효율은 30% 이상 높고 데이터 처리 속도는 두 배 이상 향상됐다. 서버용 CPU 시장에서 90% 이상을 점유하고 있는 인텔의 신제품이라는 점에서 반도체 업계에서는 일찌감치 ‘시장에 활력을 불어넣을 제품’으로 기대하면서 제품 출시만을 기다려 왔다. 업계 관계자는 “인텔의 CPU 출시는 단순히 새로운 제품이 나오는 개념을 넘어 기업들의 연쇄적인 서버 교체 시점이 됐음을 의미한다”면서 “글로벌 기업들이 새 CPU에 맞춰 서버를 교체한다는 것은 그만큼 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 수요 증가로 이어지는 것”이라고 말했다. 특히 인텔의 새 CPU의 성능을 극대화하려면 차세대 D램인 DDR5가 필요하다는 점에서 D램 세대교체에 속도를 내고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 시너지가 기대된다. 삼성전자는 지난해 12월 업계 최초로 12㎚(나노미터·1㎚는 10억분의1m) D램 개발에 성공하며 DDR5 시대를 준비하고 있다. 인텔과는 메모리·CPU 호환성 테스트를 하며 협업 관계를 유지해 왔다.2018년 세계 최초로 DDR5를 개발한 SK하이닉스는 최근 인텔로부터 신형 CPU에 자사 DDR5 서버용 D램을 적용할 수 있다는 인증을 받았다. SK하이닉스 관계자는 “시장 수요에 맞춰 DDR5를 공급하면서 반도체 다운턴(하강 국면) 상황을 조기에 극복할 수 있도록 하겠다”고 강조했다. 삼성전자는 이날 기존 제품 대비 속도는 최대 1.8배, 전력 효율은 70% 향상된 PC용 고속 보조기억장치(SSD)를 선보였다. 삼성의 PC용 SSD 가운데 처음으로 5㎚ 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 구현했다. 공정 고도화를 통한 제품 경쟁력 확보로 메모리 불황을 타개하겠다는 전략에 따른 것으로 풀이된다.삼성전자는 SSD 시장에서는 2006년부터 점유율 1위를 지키고 있다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 3분기 삼성전자의 SSD 시장 점유율은 39.6%로 집계됐다.

글로벌 D램 시장 부동의 1위 삼성전자가 반도체 기술력의 한계를 또 한번 뛰어넘으며 세계 최초로 12나노미터(㎚·10억분의1ｍ) D램 시대를 열었다. 내년 상반기까지는 ‘메모리 혹한기’가 지속될 전망이지만, 시장이 반등하는 하반기부터는 초격차 기술력을 바탕으로 그간의 매출 하락을 빠른 속도로 회복하고 재도약한다는 게 삼성의 전략이다. 삼성전자는 업계 최소 선폭인 12나노 DDR5 D램을 개발하고 최근 미국 AMD와 함께 호환성 검증까지 마쳤다고 21일 밝혔다. 지난해 10월 업계 최초로 14나노 DDR5 D램 양산에 들어간 삼성전자는 내년부터 신제품 양산을 본격화할 예정이다. 신제품은 반도체 제작 원판인 실리콘 웨이퍼에 유전율이 높은 신소재를 적용해 칩 내부 전하를 저장하는 공간인 ‘커패시터’ 용량을 높였다. 유전율은 전기적 특성이 없는 부도체의 전자기파 진행 능력을 의미하는데, 웨이퍼의 유전율 향상은 곧 D램 성능 향상을 위한 선행 조건으로 꼽힌다.신공정을 통해 소비 전력은 기존 제품 대비 약 23% 개선됐고, 최대 동작 속도는 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 소비 전력량이 줄었다는 점에서 기후위기 극복을 위한 정책을 강화하고 있는 유럽과 글로벌 정보기술(IT) 기업들의 수요가 늘어날 것이라는 기대감도 나온다. 삼성전자는 신제품에 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 더욱 세밀하게 회로를 설계하는 방식으로 생산성을 기존 제품 대비 20% 높였다. 웨이퍼 한 장으로 만들 수 있는 D램의 수량이 20% 증가한다는 의미다. 삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라면서 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다. 업계 관계자는 “위기에 더욱 공격적인 투자와 연구개발로 새로운 기회를 창출한다는 삼성전자의 전략을 신기술 확보로 증명해 보이고 있다”면서 “내년 하반기부터는 기업의 메모리 수요가 회복될 것으로 보이는 만큼 삼성의 메모리 시장 지배력 또한 더욱 커질 것”이라고 내다봤다.

삼성그룹에서 오너가 출신이 아닌 첫 여성 사장이 나왔다. 회장 취임 이후 ‘능력과 성과 위주 인사’를 강조해온 이재용 삼성전자 회장의 의중이 반영된 인사로 풀이된다. 삼성전자는 5일 이영희 DX부문 글로벌마케팅센터장이 글로벌마케팅실장 사장으로 승진하는 내용을 담은 2023년 정기 사장단 인사를 발표했다. 이번 인사에서 총 7명이 사장으로 승진하고 2명의 위촉 업무가 변경됐다.이 사장은 로레알 출신의 마케팅 전문가로 2007년 입사 후 갤럭시 마케팅 성공 스토리를 만들었다. 삼성전자의 두 번째 여성 부사장으로, 2012년 승진해 10년 만에 사장으로 올랐다. 삼성전자는 “역량과 성과가 있는 여성 부사장을 사장으로 승진시켜 여성 인재들에게 성장 비전을 제시하고 과감히 도전할 수 있는 계기를 마련했다”고 이번 인사를 자평했다. 삼성전자는 네트워크 사업 성장에 기여한 부사장을 사장으로 승진시켜 사업부장으로 보임하고, 반도체 사업 개발과 제조 역량 강화에 기여한 부사장을 사장으로 승진시켜 핵심 사업의 미래 대비 경쟁력 강화 의지를 확고히 했다고 설명했다. 이에 따라 김우준 DX부문 네트워크사업부 전략마케팅 팀장은 사장으로 승진하며 네트워크사업부장을 맡게 됐다. 서울대 전자공학 박사 출신으로 네트워크사업부 상품전략그룹장, 차세대전략그룹장, 전략마케팅팀장 등 주요 보직을 역임하면서 영업·기술·전략 등에서 비즈니스 성장을 주도했다는 평가를 받는다. 남석우 DS부문 글로벌 제조&인프라총괄 제조담당 신임 사장은 반도체 공정개발·제조 전문가로 반도체연구소에서 메모리 전제품 공정개발을 주도해왔다. 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장은 D램과 플래시 메모리 공정 개발부터 양산까지 반도체 전 과정에 대한 기술리더십을 발휘, 메모리 사업 글로벌 1위 달성에 기여한 공을 인정받았다.SBS 보도국 부국장 출신인 백수현 DX부문 커뮤니케이션팀장(부사장)과 중앙일보 편집국장 출신 박승희 삼성물산 건설부문 커뮤니케이션팀장(부사장)도 각각 사장으로 승진했다. 박 사장은 이인용 사장이 맡았던 삼성전자 CR을 담당하게 됐다. 양걸 삼성전자 중국전략협력실 부실장(부사장)은 중국전략협력실장(사장)을 맡아 중국 네트워크와 비즈니스 안목을 바탕으로 향후 반도체 이슈 등에 대응한다. 아울러 전경훈 DX부문 네트워크사업부장 사장은 DX부문 CTO 겸 삼성리서치장으로, 승현준 DX부문 삼성리서치장은 DX부문 삼성리서치 글로벌 R&D 협력담당 사장으로 자리를 바꾼다. 삼성전자는 이번에 7명의 사장 승진 인사를 내면서 기존 한종희(DX부문장) 부회장과 경계현(DS부문장) 사장 체제를 비롯한 주요 사업부장은 안정적 조직 경영을 위해 유임했다. 부사장 이하 임원 인사와 조직 개편도 조만간 확정해 발표될 예정으로, 이달 중순에는 글로벌 전략회의를 열고 내년 사업계획을 논의할 전망이다.

글로벌 경기침체에 따른 소비심리 위축과 지속적인 메모리 반도체 가격 하락의 늪에 빠진 삼성전자와 SK하이닉스가 기업 서버용 메모리 시장으로 눈을 돌리고 있다. 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 D램 시장의 상황은 더욱 악화하는 반면 넷플릭스 등 온라인동영상서비스(OTT) 대중화 바람을 타고 기업 서버용 반도체 사용량이 처음으로 모바일용을 추월할 것으로 전망되면서다. 1일 시장조사기관 옴디아에 따르면 올해 연간 서버용 D램의 수요(잠정치)는 684억 8600만Gb(기가비트)로 전망됐다. 스마트폰과 태블릿을 포함한 전체 모바일용 D램의 연간 수요 잠정치는 662억 7200만Gb다. 올해 처음으로 연간 서버용 D램의 수요가 모바일 D램의 수요를 넘어설 전망이다. 서버용 D램은 데이터센터에 들어가는 저장장치다. 구글과 아마존, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들은 전 세계에서 8000여개의 데이터센터를 운영하고 있다. 여기에 탑재되는 서버용 D램이 전 세계 약 150억대에 달하는 모바일 기기의 전체 D램 사용량을 넘어서게 될 것이라는 게 옴디아 측 예측이다. 이는 온라인상 데이터 사용량 증가와 OTT 활성화 등에 따른 것으로, 이런 추세는 앞으로도 상당 기간 지속되면서 2026년까지 서버용 D램 수요의 연평균 성장률은 24%에 이를 것으로 전망된다. 반면 이미 가격 하락이 지속되고 있는 모바일용 D램의 단기 전망은 어둡다. 옴디아는 올해 모바일용 D램의 수요가 지난해(668억 2900만Gb) 대비 역성장할 것으로 예상하며, 2026년까지 연평균 성장률은 서버용의 절반에도 못 미치는 10.4% 수준으로 내다봤다. 이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 서버용 메모리 고도화 및 시설 투자 강화에 나섰다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난달 27일 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 “내년에는 데이터센터 증설도 확대되고 신규 중앙처리장치(CPU)를 위한 DDR5(차세대 D램 규격) 채용도 늘 것”이라고 말했다. 노종원 SK하이닉스 사업 담당 사장도 실적 콘퍼런스콜에서 “인공지능(AI), 빅데이터 분석 등 향후 클라우드 사업의 지속적인 성장과 함께 빅테크 기업의 투자는 계속될 것으로 보여 서버용 메모리가 계속해서 메모리 수요의 성장을 견인할 것”이라고 예상했다.

글로벌 경기 침체에 따른 소비심리 위축과 지속적인 메모리 반도체 가격 하락의 늪에 빠진 삼성전자와 SK하이닉스가 기업 서버용 메모리 시장으로 눈을 돌리고 있다. 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 D램 시장 상황은 더욱 악화하는 반면 넷플릭스 등 온라인 동영상 서비스(OTT) 대중화 바람을 타고 기업 서버용 반도체 사용량이 처음으로 모바일용을 추월할 것으로 전망되면서다.1일 시장조사기관 옴디아에 따르면 올해 연간 서버용 D램 수요(잠정치)는 684억 8600만 기가비트(Gb)로 전망됐다. 스마트폰과 태블릿을 포함한 전체 모바일용 D램의 연간 수요 잠정치는 662억 7200만Gb다. 이에 따라 올해 처음으로 연간 서버용 D램의 수요가 모바일 D램의 수요를 넘어설 것으로 보인다. 서버용 D램은 데이터센터에 들어가는 저장장치로 구글과 아마존, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들은 전세계에서 8000여개의 데이터센터를 운영하고 있다. 여기에 탑재되는 서버용 D램이 전 세계 약 150억대에 달하는 모바일 기기의 전체 D램 사용량을 넘어서게 될 것이라는 게 옴디아 측 예측이다. 이는 온라인상 데이터 사용량 증가와 OTT 활성화 등에 따른 것으로, 이런 추세는 앞으로도 상당기간 지속되면서 2026년까지 서버용 D램 수요 연평균 성장률은 24%에 이를 것으로 전망된다. 반면 이미 가격 하락이 지속되고 있는 모바일용 D램의 단기 전망은 어둡다. 옴디아는 올해 모바일용 D램의 수요가 지난해 (668억 2900만Gb) 대비 역성장할 것으로 예상하며, 2026년까지 연평균 성장률은 서버용의 절반에도 못 미치는 10.4% 수준으로 내다봤다. 모바일용 반도체 수요 감소 등으로 3분기 영업이익이 크게 줄어든 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 대안으로 서버용 메모리 고도화 및 시설 투자 강화에 나섰다.한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난달 27일 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 “내년에는 데이터센터 증설도 확대되고 신규 중앙처리장치(CPU)를 위한 DDR5(차세대 D램 규격) 채용도 늘 것”이라고 말했다. 노종원 SK하이닉스 사업 담당 사장도 실적 컨퍼런스콜에서 “인공지능(AI), 빅데이터 분석 등 향후 클라우드 사업의 지속적인 성장과 함께 빅테크 기업의 투자는 계속될 것으로 보여 서버용 메모리가 계속해서 메모리 수요의 성장을 견인할 것”이라고 예상했다.

삼성전자가 최신 LPDDR5X D램으로 업계 최고 동작 속도 8.5Gbps를 구현했다. 삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB 패키지의 동작 속도를 검증했다고 18일 밝혔다. 지난 3월 퀄컴과 협력해 7.5Gbps를 검증한 지 5개월 만의 기술 혁신으로, 1Gbps 차이는 모바일 기기에 탑재 기준 초당 4GB의 FHD 영화 2편을 더 처리할 수 있는 속도다.저전력·고성능 강점을 갖춘 ‘LPDDR D램’은 모바일 시장을 넘어 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive) 등 다양한 분야로 급격하게 성장하고 있으며, 향후 인공지능(AI), 메타버스 등으로 시장이 더욱 확대될 전망이다. 최근 PC 시장에서는 패키지 크기는 작으면서도 고성능·저전력 특성을 갖춘 메모리가 요구되고 있어 LPDDR D램 탑재가 증가하고 있으며, 데이터센터 등 서버 시장에서도 LPDDR D램을 채용할 경우 데이터를 처리하는 데 소요되는 전력과 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용을 절감할 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 또한 전장 분야에서도 센서를 통해 수집되는 대용량 데이터의 빠른 처리가 중요해짐에 따라 LPDDR D램이 주목받고 있다. 삼성전자 LPDDR5X D램의 8.5Gbps 동작 속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작 속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일AP 간 통신 신호의 노이즈 영향을 최소화해주는 핵심 회로 설계 기술인 ‘고속 입출력 신호 개선 설계’ 등을 적용했다.삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “삼성전자는 퀄컴과의 협력을 통해 LPDDR5X D램의 업계 최고 동작 속도를 구현하고, 초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다”라면서 “삼성전자는 퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하는 등 메모리와 모바일AP 간의 기술 협력과 함께 초고속 메모리 시장 확대에 적극 나서겠다”고 말했다. 삼성전자의 올해 2분기 저전력 D램 시장 점유율은 57.7%로 압도적인 세계 1위를 유지하고 있으며, 경쟁 기업 대부분 1분기 대비 점유율이 하락했음에도 삼성전자는 2%포인트 상승했다. 삼성전자 관계자는 “삼성의 경쟁력 핵심은 저전력과 고성능을 동시에 구현할 수 있는 설계 기술을 갖고 있다는 것”이라면서 “차세대 저전력 D램의 신시장 개척을 위해 다양한 기업들과 협력하고 생태계를 더욱 확장해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다.반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다. 이날 발표는 메모리반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련해 “현재 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트(Bit)를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다.이날 발표는 메모리 반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해, 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나오고 있다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련 “현재로서 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다. 메모리 수요 감소에도 감산 계획보다는 기술 초격차를 유지하며 1993년부터 점유율 1위를 유지해 온 글로벌 주도권을 놓지 않겠다는 의미다. 지난 3일 ‘파운드리(위탁생산) 포럼’에서 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언한 것과도 맥이 통한다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

2015년 인텔은 마이크론과 합작으로 차세대 비휘발성 메모리인 3D Xpoint 기술을 공개했습니다. 현재 비휘발성 메모리의 대표 주자로 스마트폰의 저장 장치나 SSD에 사용되는 낸드 플래시 메모리는 사실 오래된 기술로 공정 미세화가 진행될수록 수명이 짧아질 뿐 아니라 속도도 느린 편입니다. 따라서 오래전부터 낸드 플래시보다 빠르고 내구성이 강한 차세대 비휘발성 메모리 기술이 요구됐는데, 인텔이 첫 스타트를 끊은 셈입니다.  3D Xpoint 메모리는 기존의 낸드 플래시 메모리 대비 1000배나 수명이 길고 1000배 빠르며 밀도도 10배 더 높일 수 있다고 소개됐습니다. 물론 최상의 경우를 가정한 이야기였지만, 옵테인이라는 상품명으로 등장한 인텔의 3D Xpoint는 실제로 낸드 플래시 메모리보다 속도가 빨라 D램에 근접할 수준이었습니다. 문제는 가격도 높았다는 것입니다.  2017년 소비자용으로 등장한 옵테인 메모리는 16GB와 32GB라는 적은 용량에도 가격이 44달러와 77달러로 당시 기준으로도 비싼 저장 장치였습니다. 이후 소비자용 SSD의 가격은 계속 낮아졌지만, 애매한 용량을 지닌 옵테인 메모리의 가격은 그보다 훨씬 높았습니다.  이런 약점을 극복하기 위해 옵테인 메모리와 낸드 플래시 메모리를 결합한 하이브리드 제품도 출시하긴 했지만, 소비자용 SSD의 체감 성능도 상당히 좋아져 소비자 입장에서는 더 많은 돈을 주고 구매하기 애매한 제품이 됐습니다. 결국 2021년 인텔은 소비자용 옵테인 메모리를 포기했습니다. 낸드 플래시 사업부도 SK 하이닉스에 매각했기 때문에 일반 SSD를 포함한 소비자용 저장 장치 시장에서 완전히 철수한 것입니다.  이런 실패는 소비자 시장에서만 국한되지 않았습니다. 기업용 제품은 비용이 높더라도 그만큼 성능이 우수하면 팔리는 시장입니다. 하지만 기업용 시장에서도 옵테인의 활약은 두드러지지 못했습니다. 데이터 센터를 운영하는 기업들은 전통적인 D램 + SSD 결합에 비해 옵테인 메모리가 지닌 장점이 확실치 않다고 여겼습니다. 확실한 이점을 없다면 추가로 부품을 더 구매하는 것은 이유 없는 비용 증가에 지나지 않습니다. 결국 공동 개발 파트너인 마이크론도 3D Xpoint 메모리에서 손을 떼고 해당 시설을 매각하는 수순을 밟게 됩니다.  옵테인에게 남은 기회는 고성능 컴퓨팅 (HPC) 시장이었습니다. 저장 장치에서 데이터를 불러와 메모리 저장한 후 이를 프로세서가 처리하고 다시 저장 장치에 결과물을 기록하는 방식은 여러 단계를 거쳐야 할 뿐 아니라 SSD 자체가 메모리보다 느리기 때문에 대규모의 데이터를 신속하게 처리해야 하는 상황에서는 비효율적입니다. 옵테인처럼 빠른 비휘발성 메모리를 사용해 데이터 로드, 처리, 저장을 한 번에 해결할 수 있다면 이론적으로 더 빠른 대규모 데이터 처리가 가능합니다. 그러나 저장 장치 + 메모리 + 프로세서의 전통적인 구조에 최적화된 생태계를 갑자기 바꾸는 일은 업계를 주도하는 인텔에도 쉽지 않은 일이었습니다. 메모리와 혼용할 수 있도록 DIMM 규격의 옵테인 메모리를 내놓기는 했지만, 시장의 반응은 폭발적이지 않았습니다. 컴퓨터의 전통적인 연산 방식을 바꾸는 것이 아니라 좀 더 빠르고 비싼 스토리지에 그쳤기 때문입니다.  결국 인텔의 옵테인 사업부는 누적된 손실 비용이 5억5900만 달러에 달해 2022년 2분기 어닝 쇼크를 기록한 상황에서 더 이상 손해를 감수하고 사업을 이어 가기 어려워졌습니다. 이번 분기 실적 발표와 함께 인텔은 앞으로 옵테인 제품군의 개발을 중단하겠다고 언급했습니다.  사실 인텔은 올해 차세대 제온 프로세서인 사파이어 래피즈를 내놓으면서 3세대 옵테인 제품군인 크로우 패스 (Crow Pass)를 내놓을 계획이었습니다. 시기적으로 봤을 때 크로우 패스는 이미 완성되어 있었을 것입니다. DDR5 메모리와 병행해서 사용할 수 있는 차세대 옵테인 메모리였지만, 이번 결정으로 출시 여부가 불투명해졌습니다. 만약 출시된다고 해도 앞으로 단종될 형태의 제품을 선뜻 구매할 기업은 거의 없을 것입니다.  인텔은 옵테인 메모리처럼 차세대 기술이기는 하지만, 당장에 수익을 내기 힘든 사업들을 정리하고 본업인 CPU 부분과 사활을 걸고 새로 진입하는 GPU 사업, 그리고 파운드리 사업에 집중할 것으로 보입니다. 오랜 시간 공들여 개발한 기술을 사장시킨다는 것은 힘든 결정이지만, 지금은 선택과 집중이 필요한 때입니다.  옵테인의 빈자리는 당분간 CXL (Compute Express Link) 규격의 메모리가 대신할 것으로 보입니다. 마치 SSD처럼 D램 용량을 쉽게 확장할 수 있는 CXL 기반 메모리는 옵테인보다 빠르고 현재의 서버 플랫폼에서 쉽게 확장할 수 있다는 장점이 있습니다. 삼성전자는 이미 512GB 용량의 CXL D램을 개발했습니다.  D램과 낸드 플래시 메모리를 대신하려는 옵테인의 꿈은 물거품이 됐지만, 장기적으로 볼 때 차세대 비휘발성 메모리의 필요성은 여전하다고 볼 수 있습니다. 인텔이 주춤한 사이 앞으로 이 부분에서 우리 반도체 기업들이 큰 역할을 할 수 있을지도 모릅니다. 

중국을 견제하기 위한 미국의 반도체지원법인 ‘반도체 및 과학법’이 지난 28일(현지시간) 하원 통과로 미 의회 문턱을 넘으며 국내 반도체 대표 기업인 삼성전자와 SK하이닉스도 수혜를 입을 전망이다. 하지만 법안이 세부 내용이 나오지 않은 가운데 인센티브를 받은 기업에 대해서는 중국 투자를 제한하는 조항이 담긴 것으로 알려져 대(對) 중국 반도체 수출 비중이 60%에 이르고 현지에 공장을 가동하고 있는 우리 기업에 특히 부담이 될 거란 우려가 나온다. 조 바이든 미 대통령의 서명만 남겨두고 있는 반도체지원법안은 미국의 반도체 산업 발전과 기술적 우위 유지를 위해 2800억 달러(약 363조원)를 투자한다는 내용을 담고 있다. 미국 내 반도체 시설 건립 지원에 390억 달러, 연구·노동력 개발에 110억 달러, 국방 관련 반도체 칩 제조에 20억 달러 등 반도체 산업에 520억 달러를 지원한다.특히 미국에 반도체 공장을 짓는 기업에는 25%의 세액 공제가 적용된다. 이에 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 22조원)을 들여 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 신설하는 삼성전자는 연방정부의 인센티브도 받게 될 전망이다. SK하이닉스도 최근 미국 출장에 나선 최태원 SK그룹 회장이 바이든 대통령과의 화상 면담에서 밝힌 220억 달러(약 29조원) 규모의 신규 투자 계획 가운데 150억 달러(19.5조원)를 후공정인 메모리반도체 첨단 패키징제조 시설과 반도체 연구개발(R&D)센터 건립에 투입한다고 소개한 바 있다.하지만 미국 반도체지원법은 인센티브를 받은 기업에 대해서는 향후 10년간 중국에 투자를 제한하는 조항이 포함된 것으로 알려져 국내 반도체 기업들이 예의주시하고 있다. 한 반도체 업계 관계자는 “비메모리반도체의 경우 28나노 이상 반도체에 대해서는 중국에 대한 투자 제한을 받지 않는다고 나와 있으나 우리 기업들이 주력으로 하는 메모리반도체에 대해서는 대(對) 중국 투자 제한 규정을 어떻게 할지 미국 정부에서 추후에 정하는 것으로 알고 있다”며 “각 회사별로 유리한 조건을 따져보고 사례별로 대응해야 하는 것이라 법안의 구체적인 내용이 나와 있지 않은 현 단계에서 영향을 판단하기는 이르다”고 말했다. 박재근 반도체디스플레이학회 회장은 “삼성전자는 낸스플래시 총 생산량의 42%를 중국 시안 공장에서, SK하이닉스는 D램 총 생산량의 47%를 중국 우시 공장에서 생산하고 이를 대부분 중국 IT 업체에 팔고 있다”며 “만약 미국의 지원을 받음으로써 중국에서 차세대 제품을 생산하지 못하게 되는 내용이 담긴다면 이는 (미국의) 지나친 관여라고 볼 수밖에 없다”고 지적했다. 반도체지원법 통과로 미 바이든 행정부가 우리 정부에 제안한 반도체 공급망 대화 ‘칩4’(미국·한국·대만·일본) 참여에 대한 압박이 더 거세질 수 있다는 관측도 나온다. 최태원 회장은 방미 중에 ‘칩4 가입이 중국 사업 규모가 큰 SK에 부담이 되는 측면이 있지 않느냐’는 기자들의 질문에 “조심스럽기는 한 얘기”라며 “정부나 다른 곳에서도 이 문제들을 잘 다루리라고 본다. 저희한테 가장 유리한 쪽으로 선택할 수밖에 없지 않나 생각한다”며 신중한 입장을 나타낸 바 있다.

삼성전자는 업계 최고 속도인 ‘24Gbps GDDR6 D램’을 개발했다고 14일 밝혔다. 이 제품은 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 3세대 10나노급 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다.이번 D램은 18Gbps GDDR6 D램 대비 동작 속도가 30% 이상 향상됐다는 게 삼성전자 측 설명이다. 삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해, 인공지능(AI)과 그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보하면서도 업계 최고 속도를 구현한 것으로 전해졌다. 신제품을 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재할 경우 최대 초당 1.1TB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용해 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. 동작 전압을 기존 1.35V보다 낮은 1.1V까지 지원해 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 증가할 것으로 전망된다. 특히 PC와 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 더욱 차별화된 사용자 경험을 제공할 것으로 주목받고 있다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 “‘24Gbps GDDR6 D램’은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정”이라면서 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고, 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

“반도체 시장은 피 말리는 경쟁의 장이면서도 경쟁사의 성장이 동반 성장을 이끄는 복합적 생태계입니다. 그래서 다들 인텔의 ‘성공’을 애타게 바라고 있는 것이기도 하고요.”러시아-우크라이나 전쟁 장기화가 촉발한 글로벌 경기침체에 세계 반도체 시장도 요동치고 있다. 글로벌 반도체 1위 삼성전자와 3위 SK하이닉스는 물론 미국 인텔과 대만 TSMC 등 ‘반도체 공룡’도 모두 하반기 시장 먹구름이 짙어지면서 비상이 걸렸다. 끝 모를 전쟁에 원자재와 물류비는 폭등을 이어가고 있는 반면 D램 등 반도체 가격은 소비 둔화로 폭락하고 있기 때문이다. 반도체 업계에서는 하반기 성장을 좌우할 요인으로 삼성전자와 애플의 신형 프리미엄폰 출시와 인텔의 차세대 CPU(중앙처리장치) 출시를 꼽고 있다. 9일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 D램 평균 계약가는 전년 동기 대비 10.5% 감소했다. 분기 기준 D램 평균 가격이 하락한 것은 2년 만에 처음이다. 더 큰 문제는 3분기를 포함한 하반기 시장 전망이다. 트렌드포스는 3분기 D램 가격이 2분기 대비 10% 하락할 것이라던 기존 전망을 ‘21% 하락’으로 수정했다. 가파른 물가 상승으로 소비심리가 얼어붙으면서 컴퓨터와 스마트폰 등에 대한 수요까지 급감할 것으로 보이기 때문이다. 시장조사업체 가트너는 올해 글로벌 PC 출하량은 전년 대비 9.5% 줄고, 스마트폰 출하량은 전년 대비 5.8% 감소할 것으로 전망한 바 있다. 반도체 시장에서는 하반기 삼성전자와 애플이 각각 출시할 프리미엄 폰이 ‘가뭄의 단비’가 될 것으로 기대하고 있다. 삼성전자는 다음달 10일 미국 뉴욕에서 ‘갤럭시 언팩’ 행사를 열고 폴더블폰 신제품 갤럭시 Z폴드4와 플립4를 공개할 것으로 알려졌다. 이어 애플은 9월 초순 쯤 아이폰14 시리즈 공개를 준비하고 있는 것으로 전해졌다. 중국 기업들도 하반기 프리미엄 폰 경쟁에 가세할 예정이다. 반도체 기업들은 미국과 유럽, 한국 모두 시장 소비 심리가 위축됐지만 소비 여력이 있고, 제품 충성도가 이미 형성된 프리미엄 시장 수요는 견조할 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 “과거의 신드롬까지는 아니더라도 아이폰의 인기는 해마다 변하지 않았고, 갤럭시 폴드와 플립은 폴더블폰 시장을 새롭게 이끄는 삼성전자의 주력 제품으로 성장하고 있다”라면서 “프리미엄 폰 출시는 반도체 공급사인 삼성과 SK하이닉스 모두에게 긍정적으로 작용할 것”이라고 전망했다.업계는 8~9월 프리미엄 폰 순차 출시에 이은 하반기 성장 동력으로 인텔의 차세대 서버용 CPU인 ‘사파이어래피즈’ 출시를 기다리고 있다. 애초 인텔은 이 CPU를 지난해 3분기 출시할 예정이었지만 주변 제품과 호환성 검증을 이유로 1년 가까이 출시가 지연되고 있다. 반도체 기업이 사파이어래피즈 출시를 기다리고 있는 것은 이 CPU가 차세대 메모리 규격인 차세대 D램인 DDR5를 지원하는 첫 서버용 CPU기 때문이다. 반도체 기업 관계자는 “인텔이 새 CPU를 출시한다는 것은 반도체 기업에게는 하나의 새로운 ‘시장’이 열리는 것을 의미한다”라면서 “차세대 CPU가 나오면 거기에 맞는 서버와 PC 교체가 이뤄지는 것이고, 그에 따라 DDR5 공급도 맞물려 증가하는 구조”라고 설명했다.

SK하이닉스는 현존 세계 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 양산을 시작해 미국 반도체 기업 엔비디아에 공급한다고 9일 밝혔다. HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. 이번 4세대 제품은 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD 영화 163편을 1초에 전송하는 수준이다.SK하이닉스 관계자는 “제품을 개발한 지 7개월 만에 고객사에 공급하며 초고속 인공지능(AI) 반도체 시장의 새 장을 열게 됐다”고 말했다. AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아는 최근 SK하이닉스의 HBM3 샘플에 대한 성능평가를 마쳤으며, 오는 3분기 출시 예정인 자사 신제품 ‘H100’에 HBM3를 결합해 가속컴퓨팅 등 AI 기반 첨단기술 분야에 공급할 계획이다. 최근 글로벌 빅테크 기업들은 AI, 빅데이터 등 첨단기술의 발전 속도가 빨라지면서 급격하게 늘어나는 데이터를 빠르게 처리하는 데 주력하고 있다. SK하이닉스 측은 데이터 처리 속도와 성능을 기존 D램 대비 현격히 높인 차세대 D램 HBM이 대안이 될 것으로 기대하고 있다. 노종원 SK하이닉스 사장(사업총괄)은 “엔비디아와의 긴밀한 협력을 통해 프리미엄 D램 시장에서 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 개방형 협업을 지속해 고객의 필요를 선제적으로 파악해 해결해주는 솔루션 프로바이더가 되겠다”고 말했다.

애플의 차세대 스마트폰 아이폰14 시리즈의 핵심 사양이 온라인을 들썩이고 있다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스는 아이폰14 시리즈의 핵심 사양(예상)을 표로 정리해 공개했다.가장 눈에 띄는 점은 아이폰14 표준 모델(6.1형, 6.7형 2개)의 램(RAM) 메모리 용량이 6㎇로 증가한다는 내용이다. 기존 아이폰13의 표준 모델(5.4형, 6.1형)은 4㎇로 타 제조사의 최신 플래그십(제조사 최신 기술이 적용된 스마트폰)에 사용되는 평균 램 메모리 용량(6~12㎇)에 비하면 작은 편에 속했다. 하지만 아이폰의 경우 글로벌 최고 수준의 애플리케이션프로세서(AP)와 운영체제(OS) 최적화를 이용해 작은 램 용량에도 불구하고 사용에 큰 문제가 없었다. 램은 컴퓨터나 스마트폰의 사용 중인 정보를 기억하는 장치로 용량을 늘리면 동시에 여러 가지 프로그램을 작업할 때 처리속도가 빨라진다. 표준 모델의 램 용량 증가는 이러한 작업 영역에서 더욱 더 빛을 발휘할 것으로 보인다. 사양표에 나타난 아이폰14의 프로 모델(6.1형 6.7형 2개) 역시 6㎇ 램으로 용량은 동일하다. 하지만 전작의 LPDDR(Low-Power Double Data Rate)4X가 아닌 LPDDR5 규격의 고성능 D램 사용으로 처리 속도 개선을 예상해 볼 수 있다. LPDDR5는 2019년 삼성전자에서 최초 상용화한 모바일 전용 D램으로 LPDDR4X 대비 각각 30% 높은 처리 속도와 전력 효율을 특징으로 한다. 상대적으로 높은 단가의 LPDDR5 D램을 애플에 공급할 것으로 알려진 SK하이닉스와 삼성전자의 수혜 역시 예상해 볼 수 있다.한편 스마트폰의 두뇌 역할을 하는 애플리케이션프로세서의 예상은 기존과 조금 다르다. 먼저 아이폰14 표준 모델의 경우 지난해 출시한 TSMC의 5㎚플러스 공정의 A15바이오닉을 그대로 사용한다는 내용은 동일하다. 하지만 아이폰14 프로 모델의 경우 4㎚ 공정의 A16바이오닉을 예상하고 나섰다. 그동안 A16바이오닉은 TSMC의 5㎚플러스 공정에서 벗어나지 않을 것이라는 전망이 높았다. 애플리케이션프로세서의 미세공정 개선의 기준은 ‘성능 향상’과 ‘전력 효율’을 들 수 있다. TSMC의 로드맵을 살펴보면 5㎚와 4㎚ 공정의 차이는 전력 효율 개선 없이 6%의 성능 향상만 존재한다. 반면 5㎚와 5㎚플러스 공정의 차이가 더 눈에 띄는데 성능 향상과 전력 효율에서 각각 7% 그리고 15% 더 높게 나타나기 때문이다. 이처럼 TSMC의 4㎚ 공정은 5㎚플러스 공정에 비해 전혀 나은 점이 없기 때문에 트렌드포스의 이 같은 예상은 의아할 수밖에 없다.  하지만 이로써 분명하게 알 수 있는 점은 아이폰14 시리즈의 표준 모델과 프로 모델 모두 애플리케이션프로세서의 개선폭이 크지 않다는 점이다. 다만 아이폰14 표준 모델은 이러한 점을 보완하기 위해 램 용량을 늘려 여러 가지 애플리케이션을 동시에 수행하는 멀티태스킹 성능 향상이 주요 개발 목표라는 점은 알 수 있다. 아이폰14 프로 모델은 D램 개선으로 데이터 처리 속도와 전력 효율을 꾀하고 있다는 점 역시 중요한 사실이다. 마지막으로 애플의 A16바이오닉의 성능 개선이 적다고 실망할 필요는 없다. 애플이 수년 전 내놓은 구형 애플리케이션프로세서도 경쟁사의 최신 제품과 비견될 수 있는 높은 성능을 보이고 있기 때문이다.

SK하이닉스 최고경영자(CEO) 곽노정 사장이 3일 임직원들과의 소통 행사에서 메모리반도체 D램과 낸드플래시의 차세대 기술 개발에 대한 자신감을 드러냈다. 곽 사장은 이날 온라인·오프라인으로 동시에 진행된 타운홀 미팅 ‘더 소통’에 참석했다. 곽 사장이 임직원 소통행사에 참석한 것은 지난 3월 각자 대표이사에 취임한 이후 처음이다. 곽 사장은 “과거에 D램은 100나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ)가 한계라고도 했지만, 이제 우리는 10나노대를 구현하고 있다”며 “우리 구성원들의 실력이라면 D램과 낸드 모두 앞으로도 계속해서 한계를 돌파해 나갈 것”이라고 말했다. 그러면서 “D램 미세화와 낸드 적층의 목표를 지금 상황에서 정확하게 얘기하긴 어렵지만 기술력이 진보해갈 것은 확실하다”고 덧붙였다. 회사 측은 현재 10나노대 5세대(1b) D램(12~13나노)과 낸드플래시 238단 기술 개발을 진행하고 있는 것으로 알려졌는데 곽 사장의 이날 발언은 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술 개발이 차질없이 진행되고 있음을 보여준다는 해석이 나온다. D램은 회로 선폭이 가늘수록, 낸드플래시는 셀을 더 많이 쌓을수록 메모리 성능이 좋아진다. 현재는 14나노 D램, 176단 낸드플래시가 가장 앞선 공정이다. 곽 사장은 최근 제기된 ‘솔리다임 분사설’은 “사실무근”이라고 일축했다. 업계에선 SK하이닉스가 낸드 솔루션 사업을 분사한 뒤 지난해 말 인수한 ‘솔리다임’(옛 인텔 낸드플래시 사업부)과 합병할 것이라는 분사설이 나돌았다. 그는 “인텔 낸드플래시 사업부 인수 이후 SK하이닉스와 솔리다임 솔루션 사업의 시너지 극대화를 위해 점진적으로 통합하는 방향성을 신중하게 검토 중”이라며 “방향성이 정해지면 가장 먼저 구성원들과 소통하겠다”고 말했다. 그러면서 “어떤 경우에도 구성원들의 처우에 불이익이 생기는 일은 없을 것”이라며 동요하지 말 것을 당부했다. 지난 6·1 지방선거 과정에서 주목받은 청주 반도체 공장 신설 계획에 대해서는 “용인 클러스터와 별개로 회사의 중장기 투자계획으로 청주 신규 팹을 검토하고 있지만 확정되지 않았다”고 설명했다. 청주에는 SK하이닉스가 지난 2019년 6월에 분양받은 43만 3000여㎡ 부지가 이미 확보돼 있다. 이미 M11·12·15 등 낸드플래시 생산 공장도 두고 있다. 이날 곽 사장은 거점 오피스 확대 등 직원들의 업무 환경을 개선할 다양한 프로그램을 마련할 계획도 공개했다.

이재용 삼성전자 부회장이 다음주 반도체 경쟁력 강화를 목표로 네덜란드 출장길에 오른다. 조직 내부적으로는 대외 위기 관리 컨트롤타워를 신설했고, 반도체 사업 관련 부서는 임원 30명 이상을 교체하는 등 반도체 전략 새판 짜기에 나섰다. 공급망 재편과 물류 대란 등 대외 불확실성을 사전에 관리하는 동시에 ‘초격차 기술력’ 유지·강화를 꾀하는 것으로 ‘위기를 기회로 만들겠다’는 이 부회장의 의지가 반영된 변화로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 이 부회장은 오는 7일 네덜란드로 출장을 떠날 예정이다. 이 부회장의 글로벌 경영에 ‘족쇄’로 작용하고 있는 자본시장법 위반 혐의 재판은 법원 결정으로 2주간 이 부회장 출석 없이 진행된다. 이 부회장의 출장지인 네덜란드는 글로벌 반도체 업계 ‘슈퍼을’로 불리는 ASML 본사가 있는 곳으로, ASML은 반도체 미세공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하고 있다. 이 부회장은 피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO) 등 임원진을 직접 만나 장비 공급 협의를 진행할 것으로 전망된다. 마르크 뤼터 네덜란드 총리 회동도 조율 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이에 앞서 대대적인 조직개편을 단행했다. 우선 러시아의 우크라이나 침공 등 대외 리스크에 전사 차원에서 통합 관리할 수 있도록 지난달 경영지원실 지원팀 산하에 ‘사업위기관리’(BRM) 그룹을 신설했다. 공급망 위기 등 리스크 발생 시 유관부서를 모은 태스크포스(TF)팀을 구성해 대책을 마련하고 CEO가 주요 의사결정을 내릴 수 있도록 지원하는 조직이다. 반도체 조직 역량도 강화했다. 삼성전자는 이날 신임 반도체연구소장으로 송재혁 플래시개발실장(부사장)을 선임했다. 아울러 기술개발 역량을 전문화하기 위해 메모리 기술 개발을 담당하는 메모리 기술개발(TD)실을 D램 TD실과 플래시 TD실로 분리했다. D램 TD실장은 박제민 부사장이, 플래시 TD실장은 장재훈 부사장이 각각 맡는다. 이번 인사로 부사장급 이상 임원 10여명이 자리를 옮겼고, 반도체연구소 내에는 ‘차세대연구실’이라는 미래 사업 조직도 신설됐다. 삼성전자는 통상 매년 연말에 정기 인사와 조직개편을 해 왔지만 이번 인사는 삼성의 ‘반도체 위기론’이 고조되는 시점에서 나왔다. 그간 시장에서는 삼성의 최첨단 4나노 공정 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 확보가 예상보다 더뎌지면서 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 대한 우려의 목소리가 나오기도 했다.

글로벌 반도체 시장 최대 경쟁사인 미국 인텔과 포괄적 협력을 추진 중인 삼성전자가 반도체 선행기술 연구개발(R&D) 전담 조직인 반도체연구소 중심 인사와 조직 개편으로 경쟁력 강화에 나섰다. 인텔과 비즈니스 미팅에 직접 나섰던 이재용 삼성전자 부회장은 다음주 네덜란드 출장길에 올라 반도체 사업을 진두지휘한다.2일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 신임 반도체연구소장으로 송재혁(55) 플래시개발실장(부사장)을 선임했다. 2020년 부사장으로 승진한 송 부사장은 그간 삼성전자에서 차세대 낸드플래시 개발을 주도해왔다. 삼성전자는 기술개발 역량을 전문화하기 위해 메모리 기술 개발을 담당하는 메모리TD(Technology Development)실을 D램 TD실과 플래시 TD실로 분리했다. D램 TD실장은 박제민(51) 부사장이, 플래시 TD실장은 장재훈(53) 부사장이 각각 맡는다. 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서는 남석우(56) 글로벌 제조·인프라총괄 부사장이 파운드리 제조기술센터장으로 자리를 옮겼다. 삼성전자 관계자는 “경쟁력 강화를 위해 매달 초 정기인사 외에 조직개편과 보직인사를 상시로 하고 있다”고 설명했다. 지난달 30일 펫 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)와 양사 협력 방안을 논의한 이 부회장은 오는 7일 네덜란드 출장을 준비 중인 것으로 전해졌다. 매주 목요일 이 부회장 등의 자본시장법 위반 혐의 재판을 진행 중인 서울중앙지법 형사합의25-2부는 앞으로 두 차례 공판은 이 부회장이 불출석한 상태에서 진행한다고 이날 밝혔다. 이 부회장 측은 ‘7~18일 네덜란드 출장으로 재판 출석이 어렵다’는 취지의 의견서를 재판부에 냈고, 검찰과 재판부 모두 이에 동의하면서 이 부회장은 출장길에 오를 수 있게 됐다.네덜란드는 글로벌 반도체 업계 ‘슈퍼을’로 불리는 반도체 노광장비회사 ASML 본사가 있는 곳으로, 반도체 미세공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하고 있다. 이 부회장은 피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO) 등 임원진을 직접 만나 장비 공급 협의를 진행할 것으로 전망된다. 이 부회장은 마크 루터 네덜란드 총리 회동도 조율 중인 것으로 알려졌다. 앞서 윤석열 대통령은 루터 총리와 통화하며 양국 간 반도체 협력을 더욱 확대할 것을 약속한 바 있다. 업계에서는 이 부회장이 재판까지 미루고 직접 네덜란드로 떠난다는 점에서 대형 인수·합병(M&A)도 상당 부분 진전된 것 아니냐는 기대감도 나온다.