“봄이 왔네요.” 이재용(56) 삼성전자 회장은 3일 약 열흘간의 유럽 출장을 마치고 귀국하는 길에 취재진을 만나 이렇게 말했다. 이 회장은 유럽 출장 소외와 성과를 묻는 취재진의 질문에는 별다른 답변을 하지 않고 “아침부터 나와서 고생 많으셨다”라는 말로 인사를 대신했다. 이 회장은 출장 기간 독일과 프랑스, 이탈리아 등을 방문해 유럽 시장을 점검하고 비즈니스 미팅과 해외 주재원 간담회 등의 일정을 소화했다. 일각에선 이 회장이 언급한 ‘봄이 왔다’는 말을 두고 유럽과 한국의 계절적 변화뿐만 아니라 최근 반도체 업황 개선에 힘입어 호실적을 기록한 삼성전자의 상황을 빗대어 해석하기도 했다. 삼성전자는 올해 1분기 매출에서 5개 분기 만에 70조원대를 회복하기도 했다. 특히 반도체(DS) 부문에서도 5개 분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 특히 지난달 26일(현지시간)에는 독일 오버코헨에 있는 글로벌 광학 기업 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트 자이스 그룹 최고경영자(CEO) 등과 만나 양사 협력 강화 방안을 논의하기도 했다.자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 극자외선(EUV) 기술 관련 핵심 특허를 2000개 이상 보유하고 있는 글로벌 광학 기업이다. 반도체 업계의 이른바 ‘슈퍼 을’로도 불리는 반도체 노광장비 기업 네덜란드 ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스 부품은 3만개 이상이다. 이 회장은 이 자리에서 최근 취임한 ASML의 크리스토퍼 푸케 신임 CEO와 만나 반갑게 포옹하기도 했다. 이 회장은 자이스 경영진과 반도체 핵심 기술 흐름과 양사의 중장기 기술 로드맵에 대해 논의했다. 특히 자이스 공장을 방문해 최신 반도체 부품과 장비가 생산되는 모습을 직접 살펴보기도 했다. 자이스 본사 방문에는 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO), 남석우 삼성전자 DS 부문 제조 & 기술 담당 사장 등 반도체 생산기술을 총괄하는 경영진이 동행했다.삼성전자와 자이스는 이 회장의 방문을 계기로 파운드리와 메모리 사업 경쟁력을 강화하기 위해 향후 EUV 기술과 첨단 반도체 장비 관련 분야에서의 협력을 더욱 확대하기로 했다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고, 연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산한다는 계획이다. 특히 삼성전자는 자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 성능 개선과 생산 공정 최적화, 수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다. 한편 이 회장은 이후 이탈리아로 이동해 바티칸 사도궁에서 프란치스코 교황을 개인 알현하기도 했다. 이 회장이 교황을 만난 것은 이번이 처음이다. 교황청 성직자 부 장관인 유흥식 추기경이 가교 구실을 한 것으로 알려졌다.

영업이익 734%·매출 144% 증가 AI 메모리 수요 늘며 반등 본격화 청주에 차세대 D램 생산기지 구축엔비디아와 ‘AI반도체 동맹’ 베팅 SK하이닉스가 올해 1분기 사상 최대 수준의 매출과 영업이익을 올리며 장기간 지속된 다운턴(하강 국면)에서 벗어났다. 인공지능(AI) 개발 경쟁으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 급증하면서 최태원 SK그룹 회장까지 직접 나서 엔비디아를 비롯한 글로벌 기업과의 협력을 모색하고 있다. SK하이닉스는 연결 기준 올해 1분기 영업이익이 2조 8860억원으로 지난해 동기(영업손실 3조 4023억원)와 비교해 흑자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 25일 공시했다. 매출은 12조 4296억원으로 전년 동기 대비 144.3% 늘었다. 이번 영업이익은 반도체 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째로 많은 규모로 시장 전망치였던 1조 8551억원을 훌쩍 뛰어넘었다. 지난해 극심한 불황에 빠졌던 메모리 시장은 올해는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복되면서 안정적인 성장세를 이어 갈 것으로 전망된다. 특히 일반 D램보다 큰 생산능력이 필요한 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼 공급사와 고객이 보유한 재고도 소진될 것으로 보인다. 이에 SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 공급을 늘리고 고객층을 확대하기로 했다. 이와 관련해 SK하이닉스는 애초 낸드 생산 시설로 조성하려던 충북 청주 M15X 신규 공장을 HBM 양산을 위한 D램 생산 기지로 결정했다고 전날 밝혔다. 전체 투자 규모는 기존 15조원에서 20조원 이상으로 높였다. SK하이닉스는 2022년 10월 M15X 공장 건설을 시작했으나 지난해 4월 업황 악화에 공사를 중단하고 사업 계획을 재검토해 왔다. 이날 최 회장은 자신의 인스타그램 계정을 통해 AI 반도체 시장을 독점하고 있는 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)를 만난 사실을 공개했다. 비공개 일정으로 미국 출장길에 오른 최 회장은 지난 24일(현지시간) 실리콘밸리에서 황 CEO와 만나 AI반도체 협력 방안을 논의한 것으로 전해졌다. 황 CEO는 “우리의 협력을 통해 AI와 인류의 미래를 함께 만들어 갑시다”라는 메시지와 자신의 서명을 담은 엔비디아 기업 홍보 책자를 최 회장에게 선물했다. 짧은 일정으로 실리콘밸리를 방문한 최 회장은 황 CEO를 비롯해 AI 테크 기업 CEO를 만난 것으로 전해졌다.

차세대 인공지능(AI) 메모리 반도체인 6세대 고대역폭메모리 ‘HBM4’ 개발을 놓고 국내 업체 간 주도권 경쟁이 치열하다. 삼성전자는 자체 기술력, SK하이닉스는 파운드리(위탁생산) 1위인 대만 TSMC와의 협업으로 성능의 한계를 돌파한다는 전략이다. 2026년 HBM4 양산을 앞두고 두 업체가 얼마나 많은 고객사를 확보하느냐가 관건이 될 것으로 보인다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월 D램 칩을 12단까지 쌓아 올린 5세대 HBM(HBM3E)을 가장 먼저 개발한 데 이어 HBM4에는 16단 기술을 도입한다는 계획이다. D램 칩을 수직으로 많이 쌓을수록 용량과 대역폭(메모리의 데이터 전송 속도)이 늘어난다. 대역폭이 높을수록 한번에 처리할 수 있는 데이터의 양이 많아지기 때문에 고성능 메모리를 요구하는 인공지능(AI) 반도체 업체로부터 선택받을 확률도 커진다. 다만 HBM 제품의 전체 두께는 고정돼 있는 상황에서 층수를 높이는 거라 조립 난도가 높아지고 열 저항이 커지는 문제가 발생한다. 메모리와 파운드리 역량을 결집해 차세대 HBM 전담팀을 구성한 삼성전자는 자체 기술력으로 이 한계를 극복하면서 수율을 극대화한다는 전략이다. 윤재윤 삼성전자 D램개발실 상무는 지난 18일 삼성전자 뉴스룸 인터뷰에서 16단 도입 계획을 밝히며 “HBM 칩 1개라도 불량이 발생하면 AI 서비스가 그 순간 멈출 수 있기 때문에 HBM의 품질을 완벽하게 보증할 수 있는 설계·테스트 기술을 확보하는 게 중요하다”고 강조했다. 이에 맞서 SK하이닉스는 파운드리 1위 업체인 대만 TSMC와의 협업 카드를 꺼내 들었다. SK하이닉스는 5세대 HBM까지는 자체 공정으로 HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스 다이’를 만들었는데, 6세대부터는 TSMC가 보유한 초미세 선단 공정을 활용한다는 것이다. 베이스 다이는 HBM 제품의 바닥 부분으로 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 한다. TSMC의 패키징 방식(CoWoS)과 SK하이닉스의 HBM 기술 결합을 최적화해 HBM 관련 고객사 요청에도 공동 대응한다는 방침이다. 업계에선 두 업체가 HBM 설계·생산부터 함께하면 맞춤형 설계 요구에 대응하기 수월해져 이들의 고객사인 엔비디아와의 공조 체제도 더 강화될 것으로 본다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “메모리와 파운드리 업체 간 협력은 (기존에) 없었던 모델”이라면서 “이러한 협업으로 SK하이닉스가 TSMC의 고객사까지 확보가 용이해졌다는 점은 주목할 만하다”고 말했다.

“SK하이닉스는 곧 인디애나에서 누구나 아는 이름이 될 것입니다.”(토드 영 미국 상원의원) SK하이닉스가 미국 인디애나주 투자를 공식화한 3일(현지시간) 현지 정가에서는 한국 ‘메모리 공룡’ 기업의 투자 결정을 반기며 동반 성장을 약속하는 목소리가 나왔다. SK하이닉스는 이날 인디애나 웨스트라피엣에 있는 퍼듀대에서 주정부·대학 등 관계자들과 함께 투자 협약식을 열고 고대역폭메모리(HBM) 생산 시설 구축 계획을 발표했다. 인공지능(AI) 반도체 경쟁력을 좌우하는 HBM은 SK하이닉스가 2013년 업계 최초로 개발한 제품으로, SK하이닉스가 HBM 생산기지를 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 협약식에서 총 38억 7000만 달러(약 5조 2000억원)를 들여 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스트 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대 등 현지 연구기관과 반도체 연구개발(R&D)에 협력하기로 했다. SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라며 “이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 강조했다. 이어 “인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다”고 덧붙였다. 기존 D램을 수직 구조로 쌓아 올려 에너지 효율과 데이터 처리 속도를 획기적으로 개선한 HBM은 SK하이닉스가 시장 점유율 1위(2023년 6월 기준)를 지키고 있다. AI 반도체 시장 90%를 점유하고 있는 미국 엔비디아가 SK하이닉스에서 HBM을 공급받고, 이를 다시 세계 최대 파운드리(위탁생산) 기업 대만 TSMC에 맡겨 최종 조립(패키징)을 거치는 구조다. 미국 공장이 완공되면 SK하이닉스는 경기 이천과 충북 청주 캠퍼스에서 양산한 HBM을 인디애나 패키징 공장으로 보내 미국 내에서 조립까지 마치는 시스템을 구축하게 된다. 미국 정부는 2022년 반도체 지원법(칩스법)을 제정해 AI 반도체 설계부터 HBM 생산, 패키징까지 모든 공정을 미국 내에서 진행하는 생태계 조성을 목표로 하고 있다. 이를 위해 390억 달러를 보조금으로 책정했고, SK하이닉스는 인디애나 공장 건설 협약과 동시에 보조금 신청서도 미 정부에 제출했다. SK하이닉스는 인디애나 공장 신설 투자를 포함해 미국에서만 150억 달러 규모의 투자를 집행할 계획이다. SK하이닉스는 인디애나를 투자처로 결정한 이유로 “주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라도 풍부하다”며 “반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다”고 말했다. 투자 협약식에 참석한 에릭 홀컴 인디애나 주지사는 “SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다”고 밝혔다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 “반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스트 패키징 생산 시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것”이라고 화답했다.

삼성전자가 연내 업계 최초로 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의1m)급 D램 양산을 시작한다. SK하이닉스는 미국 인디애나주에서의 첨단 패키징(후공정) 공장 신설 계획을 공식화했다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024’에서 차세대 D램 개발 로드맵을 발표했다. 6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다. 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획이다. EUV 장비를 활용하면 동일한 칩 면적에도 기억 소자를 더욱 정밀하게 배치할 수 있어 기존보다 데이터 처리 용량을 높이면서 속도는 더 빠른 제품을 만들 수 있다. 삼성전자는 2026년 10나노급 7세대 제품을 양산하고 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램을 생산한다는 계획이다. 3차원 구조의 D램 또한 삼성전자가 업계 최초 공개를 목표로 개발하고 있다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 기존 D램처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 3배 키운 제품이다. SK하이닉스는 이날 인디애나 북서부 웨스트라피엣 소재 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 반도체 시설 투자협약을 맺었다. SK하이닉스는 웨스트라피엣에 38억 7000만 달러(약 5조 2000억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키지 공장을 신설한다. SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라면서 “이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 인디애나 공장 신설 등을 계기로 현지에서 1000개 이상의 일자리가 창출될 것으로 추산했다. 아울러 반도체 등 첨단공학 연구를 특화한 퍼듀대와는 반도체 연구개발에 협력하기로 했다.

지난해 혹한기를 보낸 반도체 시장에 훈풍이 불고 있다. 삼성전자의 반도체 부문은 연간 적자 행진을 끝내고 올 1분기 흑자 전환에 나설 것으로 보이며 한발 앞서 흑자 전환을 이뤄 냈던 SK하이닉스는 시장 전망치를 웃도는 ‘어닝 서프라이즈’를 기록할 것으로 전망된다. 인공지능(AI) 서비스 확대로 차세대 메모리 제품 수요가 확대됨에 따라 두 회사 간 경쟁은 더욱 치열해질 것이란 분석이다. 25일 반도체 업계에 따르면 D램과 낸드 등 메모리 반도체 가격이 회복세에 접어들면서 관련 기업들의 실적이 개선되고 있다. 미국 최대 메모리 칩 제조업체인 마이크론 테크놀로지는 지난 20일(현지시간) 회계연도 2024년 2분기(2023년 12~2024년 2월) 매출이 전년 대비 58% 증가한 58억 5000만 달러(약 7조 8447억원)를 웃돌았다고 밝혔다. 7개 분기 만에 흑자로 돌아선 데다 시장 전망치도 뛰어넘었다. 마이크론의 실적 개선에 국내 메모리 업체의 실적 개선에 대한 기대감이 커지는 분위기다. 삼성전자의 올 1분기 영업이익에 대한 증권가 전망치(컨센서스)는 4조 9292억원으로 지난해 1분기(6402억원)의 약 8배이며 지난해 4분기(2조 8257억원) 대비 약 2배나 높다. 특히 반도체 사업을 하는 DS(디바이스솔루션) 부문의 실적이 개선돼 올 1분기 2000억원에서 3000억원 중반대의 영업이익을 달성할 것으로 전망되고 있다. 해당 부문은 지난해 4분기 내내 영업손실을 기록하며 연간 누적 적자가 14조 8700억원에 달했으나 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 지난 20일 정기 주주총회에서 “올 1월부터 적자에서 벗어나 흑자 기조에 들어왔다”고 말했다. SK하이닉스 역시 올 1분기 시장 전망치를 뛰어넘는 실적을 기록할 것으로 기대되고 있다. SK하이닉스의 올 1분기 영업이익 컨센서스는 1조 3000억원으로 지난해 1분기(-3조 4023억원)와 비교하면 138%나 증가한 수준인데 메모리 반도체 업계에서 가장 주목받고 있는 고대역폭메모리(HBM) 선두업체로 엔비디아의 HBM 최대 공급사인 만큼 수익성이 크게 강화됐을 것이란 평가다. 차세대 메모리 시장을 놓고 양사의 경쟁은 가속화되고 있다. SK하이닉스는 메모리 업계에선 처음으로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 대규모 양산에 돌입하고 이달 말 엔비디아에 납품을 시작한다. HBM 분야의 선점 경쟁에서 SK하이닉스에 다소 밀렸다는 평가를 받고 있는 삼성전자는 차세대 HBM 개발에 속도를 내는 한편 내년 초 엔비디아의 AI 가속기를 대체할 수 있는 추론칩 ‘마하1’을 출시할 예정이다.

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 신제품인 HBM3E D램을 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 미 반도체 기업인 엔비디아의 차세대 인공지능(AI)칩 ‘블랙웰’ 공개에 발맞춘 행보로 보인다. 19일 SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 메모리 업체 중 가장 먼저 양산해 이달 말부터 납품을 시작한다고 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다. 고객사를 따로 밝히진 않았지만 세계 최대 반도체 회사인 엔비디아에 해당 제품을 공급할 전망이다.SK하이닉스에 따르면 HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다. 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리하며 이는 풀고화질(FHD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다”면서 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 이어 가겠다”고 강조했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 앞서 세계 D램 3위 업체인 마이크론 테크놀로지가 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 HBM3E 양산을 시작했다고 발표했으나 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 처음인 것으로 알려졌다. 한편 HBM 시장은 현재까지 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%로 추정된다. 올해 HBM3E 시장이 열리면서 경쟁이 치열해질 전망이다.

업계 최대 용량 36GB 구현 성공8단 쌓은 ‘선두’ SK하이닉스 추격D램 점유율 46%… 7년 만에 최고마이크론, 엔비디아용 HBM 양산새달 삼성과 ‘36GB 용량’ 맞붙어 인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM)를 놓고 메모리 반도체 업체간 경쟁이 본격화됐다. 선두 SK하이닉스를 추격 중인 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단으로 쌓은 ‘5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공하면서 반전 계기를 맞았다. 미국 마이크론도 엔비디아용 5세대 HBM 양산을 시작하고 HBM 시장을 사실상 양분하고 있는 국내 업체에 도전장을 냈다. 27일 업계에 따르면 삼성전자가 이번에 개발한 36기가바이트(GB) 5세대 HBM은 업계 최대 용량이다. 3GB 용량인 24기가비트(Gb) D램을 12단으로 쌓아 올려 8단까지 쌓은 경쟁업체 제품(24GB)과 차별화를 한 것이다. 수천개의 미세 구멍을 뚫은 D램을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술(TSV·실리콘 관통 전극)을 활용했다고 한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 삼성전자가 고용량 HBM 시장을 주목한 건 AI 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증하고 있기 때문이다. 회사 측은 “성능과 용량이 이전 제품인 4세대 HBM(HBM3 8단) 대비 50% 이상 개선됐다”면서 “이 제품을 사용하면 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 비용을 절감할 수 있다”고 했다. 삼성전자는 6세대 HBM도 2026년 양산을 목표로 준비 중이다. 6세대에서는 16단까지 용량이 커질 것으로 보고, 칩과 칩 사이의 ‘갭’을 완전히 없애는 신공정도 개발하고 있다. 삼성전자의 HBM 매출이 늘면서 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%(옴디아 기준)를 기록했다. 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다. 다만 HBM 시장만 놓고 보면 SK하이닉스가 앞서가고 있다는 평가를 받는다. SK하이닉스는 AI 반도체의 핵심인 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 지난달 8단으로 쌓은 5세대 HBM도 초기 양산을 시작했다. 내부 인증을 마친 HBM 제품을 고객사에 보냈고, 고객사 인증 절차가 마무리되는 대로 본격 양산에 돌입할 계획이다. 12단 제품도 국제 표준 규격(JEDEC)에 맞춰 개발 중이다. 국내 업체에 비해 HBM 시장 점유율이 상대적으로 미미한 마이크론도 반격에 나섰다. 마이크론은 26일(현지시간) 2분기 출시 예정인 엔비디아의 ‘H200’ GPU에 탑재될 5세대 HBM(24GB 8단) 양산을 시작한다고 공식 발표했다. H200은 엔비디아의 주력 제품인 ‘H100’을 대체할 차세대 제품이다. 마이크론도 다음달 36GB 12단 5세대 HBM의 샘플 제품을 내놓고 고용량 시장에서 삼성전자와 맞붙는다. HBM 생산 능력과 함께 얼마나 효율적으로 생산할 수 있느냐에 따라 HBM 시장의 판도도 바뀔 것으로 보인다.

반도체 불황으로 실적 부진의 늪에 빠져 있던 삼성전자가 주력 제품인 D램의 흑자 전환에 힘입어 적자폭을 크게 줄였다. 삼성전자는 올해 1분기 D램, 낸드를 포함한 메모리 사업이 흑자로 돌아설 것으로 내다봤다. 지난해 4분기 연구개발(R&D) 투자금액이 역대 최대치를 기록한 것도 바닥을 찍고 반등할 것이란 자신감이 반영된 것이란 분석이 나온다. 삼성전자는 지난해 4분기 반도체(DS)부문에서 2조 1800억원의 영업손실을 기록했다고 31일 밝혔다. 이 회사의 캐시카우(현금창출원)인 반도체 사업의 고전으로 지난해 연간 영업이익도 6조 5670억원으로 쪼그라들었다. 전년 대비 84.86% 줄어든 수치다. DS 부문은 2022년 4분기 2700억원의 흑자를 낸 뒤 지난해 1분기부터 적자 행진을 이어 왔다. 지난 한 해 반도체 적자 규모만 14조 8800억원에 이른다. 눈여겨볼 점은 지난해 1분기(4조 5800억원)에 비해 4분기 적자 규모가 절반 아래로 줄었다는 점이다. 이는 반도체 업황이 최악의 국면을 지나 다시 살아난다는 신호로 읽힐 수 있는 대목이다. 실제 메모리 사업부의 D램 부문은 지난해 4분기 재고 개선의 영향으로 흑자 전환을 달성했다. 구체적 실적은 공개되지 않았지만 증권가에서는 7200억~1조 2000억원 사이의 흑자를 낸 것으로 추정한다. D램에 비해 회복세가 더딘 낸드도 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 중심으로 수요가 늘면서 1분기 실적 전망은 밝은 편이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 실적 발표 콘퍼런스 콜에서 “생성형 인공지능(AI) 관련 고대역폭 메모리(HBM)와 서버 SSD 수요에 적극 대응해 수익성 개선에 집중하겠다”면서 “올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”고 말했다. 지난해 4분기 HBM 판매량은 전년 같은 기간 대비 3.5배 늘어난 것으로 나타났다. 김 부사장은 “차세대 HBM3E는 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정이고, HBM4는 2026년 양산을 목표로 개발 중”이라고 밝혔다. 완제품을 만드는 디바이스경험(DX)부문에선 영상디스플레이·가전 사업이 지난해 4분기 실적 둔화로 적자 전환(-500억원)했다. 스마트폰을 담당하는 모바일 사업도 신모델 출시 효과 둔화로 전분기 대비 매출, 이익이 모두 감소했다. 다만 모바일경험(MX)사업부와 네트워크사업부의 연간 영업이익은 전년 대비 14.3% 늘어난 13조 100억원으로 집계됐다. 삼성전자는 이날 정식 출시한 첫 AI폰 ‘갤럭시S24’를 앞세워 초기 AI폰 시장의 주도권을 장악하겠다는 포부도 내비쳤다. 삼성전자는 실적 부진에도 미래 성장 준비를 위해 R&D 투자액을 끌어올렸다. 지난해 4분기 R&D 투자액은 7조 5500억원으로 역대 분기 최대치를 기록했다. 올해부터 2026년까지 3년간 발생하는 잉여현금흐름의 50%를 주주 환원에 활용하고 연간 9조 8000억원의 배당금을 지급하겠다는 계획도 내놓았다.

기기에서 바로 명령·실행AI 칩이 사용자의 활용 습관 학습클라우드로 데이터 보내지 않아개인정보 보호 대안 될 가능성도글로벌 기업들 AI 주도 경쟁美 엔비디아·AMD AI 칩 선보여삼성 D램 라인업 전시·최초 공개‘갤럭시 북4·갤럭시 S24’ AI 탑재 “1년 뒤가 더 기대된다.” 지난 9~12일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 CES 2024는 인공지능(AI)이 점령한 무대였다고 해도 과언이 아니다. 생성형 AI 챗GPT 등장 이후 AI 기술이 어떻게 각 산업에 접목될 수 있는지를 보여 준 첫 번째 CES라는 평가다. 특히 AI 기술이 모든 기기에 적용되면서 ‘온디바이스 AI’(클라우드를 거치지 않고 기기 내부에서 AI 구동)가 대세로 떠올랐다. 스마트폰, PC, 자동차에 탑재된 AI 칩이 사용자의 활용 방식을 스스로 학습하며 개인에게 최적화된 기기로 진화한다는 것이다. 온디바이스 AI는 기기에서 바로 명령과 실행을 할 수 있다는 장점이 있다. 인터넷, 통신이 끊긴 상태에서도 내장된 AI 칩을 통해 실시간 번역이나 이미지 생성을 할 수 있다. 클라우드를 거치지 않아 빠르고 전력 소비를 줄일 수 있으며 개인정보 보호에도 강점을 가진다. 시장분석기관 마켓앤마켓에 따르면 글로벌 온디바이스 AI 시장은 지난해 185억 달러(약 24조원)에서 2030년 1739억 달러(228조원) 규모로 연평균 37.7% 성장할 것으로 전망된다.온디바이스 AI를 주도하는 건 반도체칩 제조사들이다. 미국 반도체 기업 엔비디아와 AMD는 이번 CES 기간 AI 칩을 선보였고 삼성전자도 온디바이스 AI 시장을 겨냥해 D램 라인업을 전시하고 국내 언론에 최초로 공개했다. 차세대 컴퓨터인 AI PC를 들고나온 인텔의 팻 겔싱어 최고경영자(CEO)는 지난 9일 CES 2024 기조연설에서 개별 기기에 AI가 탑재돼야 하는 이유로 ‘경제·물리·토지의 손실’이라는 세 가지 법칙을 언급했다. 겔싱어 CEO는 “첫 번째는 경제적 손실 법칙인데 내 기기에서 하는 것이 더 저렴하다는 뜻”이라고 강조했다. 이어 데이터를 클라우드로 전송했다가 다시 가져와야 한다면 반응이 빠르지 않아 물리적인 손실이 발생할 수 있다고 설명했다. 그는 또 “데이터센터를 지으려면 땅이 필요하다”면서 “이는 토지의 손실로 이어지고 이때 상당수는 어떤 식으로든 규제를 받을 수 있다”고 지적했다. 삼성전자도 CES 기간 전시관에서 새로운 인텔 프로세서가 탑재된 AI 노트북 ‘갤럭시 북4’를 선보였다. 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장은 11일 기자들과 만나 “미국에서도 온디바이스 AI가 적용된 AI PC가 본격적으로 출시될 것”이라고 내다봤다. 삼성전자가 오는 17일 공개하는 갤럭시 S24에도 온디바이스 AI 기능이 탑재된다. 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아누 아몽 CEO도 10일 ‘온디바이스 AI’를 주제로 한 기조연설에서 “인터넷 연결 없이도 AI가 당신의 모든 터치와 입력을 학습하고 다음 행동을 예측해 줄 것”이라고 전망했다. 개개인이 매일 휴대전화를 사용하면서 보이는 패턴, 문자를 보낼 때 자주 쓰는 이모티콘 등이 모두 AI의 학습 대상이 될 수 있다는 뜻이다. 이는 개개인의 활용 습관을 인지한 AI가 ‘똑똑한 개인 비서’로 사용될 수 있다는 의미이기도 하다. 아몽 CEO는 “AI는 기기를 사용하는 방식에 변화를 가져오고 컴퓨팅 플랫폼도 바꾸고 있다”면서 “스마트폰도 다른 역할을 하게 될 것”이라고 내다봤다. AI 기술 발전으로 보안 우려가 커지는 가운데 온디바이스 AI가 대안이 될 수 있다는 의견도 있다. 데이터를 클라우드로 내보내지 않기 때문에 훨씬 안전하다는 것이다. 한종희 삼성전자 부회장도 9일 기자간담회에서 “온디바이스 AI 구현을 통해 프라이버시, 개인정보 등을 엄격하게 보호할 수 있도록 하겠다”고 말했다.

지난해 사상 최악의 혹한기를 보냈던 반도체 업계가 ‘생성형 인공지능(AI) 시대’를 맞아 다시 호황을 바라보게 됐다. 특히 올해부터 본격화될 ‘온디바이스 AI’ 시장 경쟁이 메모리 반도체 수요를 크게 확대할 전망이다. 삼성전자가 생성형 AI를 활용한 기능을 처음 탑재한 ‘갤럭시S24’ 시리즈를 공개할 예정인 가운데, 애플도 오는 9월 ‘아이폰16’에 생성형 AI를 적용할 것으로 추정된다. 업계는 AI 스마트폰 시장이 메모리 반도체 분야에 새로운 수요를 창출할 것으로 기대하고 있다. 특히 AI 기능을 기기에 탑재하는 온디바이스 AI 분야는 스마트폰뿐만 아니라 향후 PC, 가전, 자동차, 보안, 헬스케어 등 다양한 분야로 확산할 것으로 전망된다. 이에 따라 각 기기에 적합한 맞춤형 AI 칩 수요도 급증할 것으로 예상된다. 서버 대신 기기 자체에 AI 모델을 탑재하는 온디바이스 AI의 특성상 데이터를 저장하기 위한 고용량·고성능 낸드가 필수적인 만큼 그간 부진했던 낸드 수요도 늘어날 전망이다. 차세대 D램 기술로 떠오르는 ‘컴퓨트 익스프레스 링크’(CXL) 시장도 커질 것으로 관측된다. CXL은 AI, 머신러닝, 빅데이터 등 고성능 연산이 필요한 경우 다른 기종의 제품을 효율적으로 연결할 수 있는 차세대 D램 연결 기술이다. 시장조사업체 욜 인텔리전스에 따르면 글로벌 CXL 시장은 2028년 150억 달러(약 20조원)에 달할 것으로 전망된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL 상용화를 앞당기고 시장을 선점하기 위해 기술 개발에 나서고 있다. SK하이닉스는 AI 반도체 성능을 좌우하는 ‘고대역폭메모리’(HBM) 반도체 시장에서 차세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산할 예정이다. HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 8월 개발에 성공한 현존 최고 성능의 메모리다. SK하이닉스는 상반기부터 이를 양산해 AI 빅테크 고객에게 공급한다는 계획이다. HBM 시장은 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 전체 시장 규모는 올해 약 2배 이상 성장할 것이란 전망이 나온다.

“작년 5월 조 바이든 미국 대통령의 방한 첫 일정이 삼성전자 평택 반도체 캠퍼스 방문이었습니다. 이번에 윤석열 대통령이 네덜란드 순방 첫 일정이 ASML 방문이라는 것을 보면, 각국 정상이 해당 기업을 얼마나 중요한 파트너로 보고 있는 것인지 가늠할 수 있죠.” (한국 반도체 업계 임원)과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.윤석열 대통령의 네덜란드 순방을 계기로 그간 반도체 업계에서 막강한 영향력을 행사하며 ‘슈퍼 을(乙)’로 통하는 장비 제조 기업 ASML이 재조명받고 있습니다. 윤 대통령의 지난 12일(현지시간) 벨트호벤 소재 ASML 본사 방문 행사에는 미국 인텔과 함께 글로벌 반도체 매출 1위 자리를 다투고 있는 삼성전자의 이재용 회장과 D램 점유율 세계 2위 SK하이닉스가 속한 SK그룹의 최태원 회장이 동행했습니다. 이 자리에서 윤 대통령은 “오늘 방문은 제 해외 순방 중 첫 번째 기업 방문”이라며 “한국 기업들과 긴밀히 협력해 반도체 혁신과 글로벌 공급망 안정화 노력에 기여해주시길 바란다”고 ASML에 당부했습니다.윤 대통령과 두 반도체 기업 총수의 ASML 방문 행사의 하이라이트는 ASML의 성장 동력이자, 글로벌 첨단 반도체 경쟁의 ‘필수품’인 차세대 극자외선(EUV) 노광장비가 제작되는 ‘클린룸’(무균청정공간) 시찰이었습니다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스는 물론 인텔, 마이크론(미국), TSMC(대만) 등 대형 반도체 제조기업들이 ASML의 납품만을 손꼽아 기다리고 있는 상황에서, 한국 기업에 먼저 제공해 줄 것을 요청하는 취지로 풀이됩니다. 지난해 5월 한국을 방문한 조 바이든 미국 대통령이 방한 첫 일정을 삼성전자 평택 캠퍼스에서 시작해 ‘한미 경제안보 동맹’을 강조함으로서 삼성전자를 비롯한 한국 반도체 기업이 미 행정부가 중국을 상대로 벌이는 ‘반도체 전쟁’에 동맹군으로 참전할 것을 요구했다면, 이번에는 윤 대통령이 네덜란드 ASML 본사 클린룸을 방문해 ASML과 한국 기업의 협력 강화를 촉구했다는 해석입니다.ASML이 업계에서 강점을 보이는 노광장비는 반도체 제조 8대 공정 중 웨이퍼에 반도체 설계도인 초미세 회로를 새겨 넣는 ‘포토 공정’에 쓰입니다. 7나노미터(nm·10억분의 1m) 이상 공정에는 일본 광학 기업 캐논과 니콘도 생산하는 심자외선(DUV) 노광장비와 ASML의 극자외선(EUV) 장비가 혼용되지만, 7나노 이하 첨단 공정부터는 ASML의 EUV 장비만 쓰이고 있어 이 시장은 ASML이 독점하고 있는 구조입니다. ASML이 삼성전자, 인텔, TSMC와 같은 반도체 제조 기업(갑)에 장비를 납품하는 ‘협력사’(을)의 위치이면서도 납품 가격과 수량 등 협상에 있어서는 더 큰 목소리를 낼 수 있는 ‘슈퍼 을’인 이유가 여기에 있습니다. EUV 노광기 한 대당 가격은 2000억원이 넘지만, 연간 출하량은 40대 안팎이어서 이를 제조 기업들이 나눠 갖고 있는데 ASML은 파운드리(위탁생산) 1위 기업 TSMC에 우선 공급하고 있는 것으로 알려져 있습니다. 업계에서는 TSMC가 100대에 달하는 EUV 장비를 확보했고 삼성전자는 절반에도 못 미치는 40대가량을 확보한 것으로 보고 있죠. 반도체 기업들의 ASML을 향한 ‘구애’는 이제 7나노 이하 공정에 필요한 EUV 노광기에서 2나노 공정의 효율성을 높일 수 있는 ‘하이 NA EUV’ 확보전으로 전개되고 있습니다. 이번에 윤 대통령이 클린룸에서 직접 둘러본 장비가 하이 NA EUV 입니다. 이 장비는 한 대에 5000억원에 달하는데 내년 말 공급될 초도물량 6대는 모두 인텔에 인계될 예정입니다. 삼성전자, TSMC와 함께 2나노 칩 개발 경쟁에 뛰어든 인텔은 펫 겔싱어 최고경영자(CEO)가 “장비 확보가 반도체 생산 능력 확대에 가장 중요한 과제다”라며 피터 베닝크 ASML CEO에 직접 전화를 걸어 지원을 요청한 것으로 전해집니다. 삼성전자와 SK하이닉스도 하이 NA EUV 납품을 기다리고 있는데, 업계에서는 윤 대통령과 기업인들의 이번 네덜란드 방문을 계기로 그 시기가 당겨질 것이라는 기대감이 나옵니다. 이 회장과 함께 ASML 본사를 찾았던 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 15일 오전 서울 김포공항 비즈니스센터에서 만난 취재진에게 “이제 삼성이 하이 NA EUV에 대한 기술적인 우선권을 갖게 됐다”라면서 “장기적으로 D램이나 로직에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다”고 밝혔습니다.이어 경 사장은 ASML과 맺은 협약을 언급하며 “이번 협약은 경기도 동탄에 공동 연구소를 짓고 거기서 하이 NA EUV를 들여와서 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어들이 같이 기술 개발하는 것이 주목적”이라며 “장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 공동 연구를 통해 삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 게 더 중요하다”고 덧붙였습니다. 경 사장은 또 “EUV가 가장 중요한 툴 중 하나이기 때문에 이를 통해 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 튼튼한 우군을 확보했다”고 강조했습니다. 경 사장과 함께 장거리 비행을 마친 이 회장은 취재진의 질문에 “반도체가 (순방의) 거의 90%”였다고 말했고, 경 사장을 격려하는 듯 밝은 표정으로 그의 등을 몇 차례 두드린 뒤 자리를 떠났습니다.

이재용 삼성전자 회장이 15일 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문일정 동행을 마치고 귀국하면서 “반도체가 (순방 성과의) 거의 90%였다”며 미소를 지었다. 이 회장은 이날 오전 서울 김포 비즈니스 항공센터(SGBAC)를 통해 귀국하면서 이번 순방 성과를 묻는 취재진의 질문에 “잠에서 막 깼다”고 웃으며 짧게 화답했다. 회색 목도리를 두르고 나온 이 회장은 밝은 표정을 지으면서 함께 귀국한 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장 사장을 격려하는 듯 경 사장의 등을 여러 차례 두드리기도 했다. 삼성전자와 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML은 지난 12일(현지시간) 네덜란드 ASML 본사에서 진행된 한·네덜란드 반도체 협력 협약식에서 업무협약(MOU)을 맺고 7억 유로(약 1조원)를 투자해 차세대 노광장비 개발을 위한 차세대 극자외선(EUV) 공동연구소 설립을 추진하기로 했다.ASML은 최첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 노광장비를 세계에서 유일하게 생산하는 기업이다. EUV 1대당 약 2000억원에 달하지만, 연간 약 50대만 생산해 공급이 수요를 따라가지 못하는 품귀 현상을 빚기도 한다. 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하의 초미세공정을 구현하려면 EUV 장비를 필수로 사용해야 한다. ASML이 조만간 출하할 ‘하이 뉴메리컬어퍼처’(High NA) EUV 장비는 2나노 공정의 핵심 장비다. 하이 NA EUV는 최신 노광장비인 EUV의 다음 버전으로, 현재 최첨단 공정인 3나노 이후 공정에 필요한 기술이다. 이 회장은 ASML 외에도 차량 반도체 회사인 NXP 등 현지 주요 반도체 기업 최고경영자(CEO)들과도 만난 것으로 알려졌다.이 회장과 동행한 경 사장은 “이제 삼성이 하이 NA EUV에 대한 기술적인 우선권을 갖게 됐다”며 “장기적으로 D램이나 로직 반도체(비메모리)에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다”고 설명했다. 업계에선 ASML과의 전략적 협업으로 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 TSMC 추격에도 속도가 붙을 것이란 전망이 나온다. 경 사장은 “이번 협약은 경기도 동탄에 공동 연구소를 짓고 거기서 하이 NA EUV를 들여와서 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어들이 같이 기술 개발을 할 것”이라며 “공동 연구를 통해 삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 게 중요하다”고 강조했다. 그러면서 “EUV가 가장 중요한 ‘툴’(장비) 중 하나이기 때문에 이를 통해 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 든든한 우군을 확보했다”고 평가했다.

ASML은 반도체 업계 ‘슈퍼 을(乙)’로 통한다. 7나노미터(㎚·10억분의1m) 이하 반도체 공정에 필수인 극자외선(EUV) 노광장비를 세계에서 유일하게 생산하기 때문이다. ASML을 우군으로 둬야 글로벌 반도체 전쟁에서 승리할 수 있다는 말까지 나올 정도로 영향력이 크다. 노광 공정은 반도체의 기판인 웨이퍼에 설계도 격인 미세 전자회로를 그려 넣는 과정으로, EUV 장비를 활용하면 짧은 파장으로 더욱 세밀하게 회로를 그릴 수 있다. 7나노 이전 세대 반도체 제조에는 일본 광학 기업 캐논과 니콘이 생산하는 심자외선(DUV) 장비와 ASML의 EUV 장비가 혼용됐지만 7나노 공정부터는 ASML의 장비가 필요하다. 장비 한 대당 가격은 2000억원이 넘지만, 연간 출하량은 40대 안팎이어서 대만 TSMC, 미국 인텔, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 제조사들이 EUV 확보를 놓고 경쟁하고 있다. 현재 ASML이 생산하는 EUV 장비는 TSMC에 우선 공급된다. 업계에서는 TSMC가 100대에 달하는 EUV 장비를 보유한 반면 삼성전자는 40대가량을 확보해 가동 중인 것으로 전해졌다. ASML은 EUV 기술을 더욱 고도화해 2나노 공정의 효율성을 높일 수 있는 ‘하이 NA EUV’ 장비 생산도 시작했는데, 초도 생산물량은 인텔에 공급된 것으로 전해졌다. 한 대에 5000억원에 달하며, 2나노 고지 선점을 놓고 경쟁하는 삼성전자와 TSMC, 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있는 SK하이닉스도 ASML의 납품을 기다리고 있다.

전세계 고대역폭메모리(HBM) 1위사인 SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 기술 경쟁력을 공고히 하기 위해 대규모 경력 공채에 나섰다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 20일까지 D램 설계, HBM 패키지(PKG) 제품 개발, 첨단 패키지, 품질 보증, 상품 기획 등 총 28개 직무에서 경력 사원을 채용한다. 채용 규모는 미정이다. SK하이닉스는 이번 경력 채용에서 반도체 관련 경력 2년 이상이라면 누구든 지원할 수 있도록 지원 기준을 완화했다. 석·박사 학위 기간도 별도 경력 기간으로 인정하는 등 우수한 반도체 인재들이 지원할 수 있도록 범위를 대폭 확대했다. 이번 채용은 약 2개월 동안 진행된다. 지원자는 서류전형, 필기전형, 면접 등의 과정을 거쳐 합격이 결정되면 내년 초 입사하게 된다. 합격자들은 본사가 있는 경기 이천캠퍼스와 서울캠퍼스(중구 을지로 미래에셋센터원빌딩), 2027년 5월부터 가동을 시작할 경기 용인 반도체 클러스터, 현재 미국에서 부지 선정 중인 첨단 패키지 제조 시설 등 국내외 지역에서 근무할 수 있게 된다. 전날 SK하이닉스는 AI 메모리를 선도하기 위해 ‘AI 인프라’ 조직을 신설하는 내용을 골자로 하는 조직 개편과 임원 인사를 단행했다. 김주선 사장이 이끄는 AI 인프라 산하엔 부문별로 흩어져 있던 HBM 관련 역량을 결집한 ‘HBM 비즈니스’와 차세대 HBM 등 새 시장 발굴을 담당할 ‘AI & 넥스트(Next)’ 조직이 신설된다. 한편 전날 구글이 최신 AI 모델 ‘제미나이’를 공개하자 국내 증시도 반도체주를 중심으로 상승 압력을 받고 있다. 삼성전자가 0.84%, SK하이닉스 2.55% 상승하는 등 반도체주가 강세다. 한지영 키움증권 연구원은 “AI 모델 제미나이에 대한 호평으로 급등한 알파벳, 신규 AI용 반도체를 공개한 AMD 효과 등으로 AI 및 반도체주를 중심으로 차별화 장세를 보일 것”이라고 예상했다.

삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 초고성능 고대역폭 메모리(HBM)부터 차세대 PC와 노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 패키지 모듈까지 다양한 분야에서 폭넓게 활용할 수 있는 메모리 솔루션을 대거 공개했다.삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 반도체 시장의 신기술 흐름과 주요 제품을 소개했다. ‘메모리 역할의 재정의’를 주제로 열린 이번 행사는 삼성전자의 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자는 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ ▲ 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기와 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기 등 데이터를 생성하고 활용·소비하는 모든 기기를 의미한다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라면서 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이어 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다. 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

삼성전자가 PC·노트북 D램 시장의 새로운 폼팩터(제품구조)를 제시할 차세대 모듈 ‘LPCAMM’(저전력 LP모듈)을 업계 최초로 개발했다. 메모리반도체 불황기에도 ‘흔들리지 않는 투자’를 강조해 온 삼성전자는 시장 반등기에 또 한번 초격차 제품을 앞세워 시장 점유율에서 더욱 빠르게 치고 나갈 것으로 전망된다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품은 LPDDR(저전력 더블데이터레이트) D램 기반의 7.5Gbps 성능으로, 이 모듈을 사용하면 기존보다 PC나 노트북의 두께를 크게 줄일 수 있다. 기존 PC나 노트북에는 LPDDR 패키지 제품을 메인 보드에 직접 탑재한 온보드 방식과 DDR 기반 모듈 형태를 따르고 있다. 온보드 방식은 소형화·저전력 등의 장점이 있지만 메인 보드에 직접 탑재돼 교체가 어렵고, DDR 기반 모듈은 전송 속도와 공간 효율화 등에서 물리적 한계가 있다. 이에 삼성전자는 LPDDR을 모듈에 탑재해 고성능·저전력을 구현하면서 동시에 탈부착이 가능한 새 모듈을 만들었다. 제품 형태 측면에서는 내부 구성의 유연성을 확보하고, 사용자의 모듈 교체 및 업그레이드 등 편의성이 향상된다. 성능 측면에서는 기존 모듈 대비 최대 50%, 전력효율은 최대 70% 높였다. 업계에서는 삼성전자의 신형 모듈이 슬림화 경쟁이 치열해지고 있는 노트북 시장의 판도를 바꿀 게임체인저가 될 것이라는 기대감이 나온다. 노트북이 갈수록 얇고 가벼워짐에 따라 노트북 시장에서 초슬림 노트북이 차지하는 비중은 올해 64%에서 2027년 88%로, 연평균 약 14%씩 증가할 전망이다. 삼성전자는 인텔 플랫폼에서 7.5Gbps LPCAMM 동작 검증을 마쳤으며, 2024년 상용화를 위해 연내 인텔을 포함한 주요 고객사와 차세대 시스템에서 검증할 예정이다. 올해 1분기 기준 저전력 D램 시장점유율 1위(57.6%)를 유지하고 있는 삼성전자는 신규 모듈 공급 확대로 2위 SK하이닉스(18.8%), 3위 마이크론(17.9%) 등 경쟁사와의 격차를 더욱 벌려 나간다는 전략이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “다양한 분야에 걸쳐 고성능, 저전력, 제조 융통성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM은 PC·노트북과 데이터센터 등으로 점차 응용처가 늘어날 전망”이라며 “앞으로 시장 확대 기회를 적극 타진하고 신규 시장을 개척해 메모리 산업을 이끌어 갈 것”이라고 말했다.

삼성전자가 PC·노트북 D램 시장의 새로운 폼팩터(제품구조)를 제시할 차세대 모듈 ‘LPCAMM(저전력 LP모듈)’을 업계 최초로 개발했다. 메모리 반도체 불황기에도 ‘흔들리지 않는 투자’를 강조해온 삼성전자는 시장 반등기에 또 한번 초격차 제품을 앞세워 시장 점유율에서 더욱 빠르게 치고 나갈 것으로 전망된다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품은 LPDDR(저전력 더블데이터레이트) D램 기반의 7.5Gbps 성능으로, 이 모듈을 사용하면 기존보다 PC나 노트북의 두께를 크게 줄일 수 있다. 기존 PC나 노트북에는 LPDDR 패키지 제품을 메인보드에 직접 탑재한 온보드 방식과 DDR 기반 모듈 형태를 따르고 있다. 온보드 방식은 소형화·저전력 등의 장점이 있지만 메인보드에 직접 탑재돼 교체가 어렵고, DDR 기반 모듈은 전송 속도와 공간 효율화 등에서 물리적 한계가 있다.이에 삼성전자는 LPDDR을 모듈에 탑재해 고성능·저전력을 구현하면서 동시에 탈부착이 가능한 새 모듈을 만들었다. 제품 형태 측면에서는 내부 구성의 유연성을 확보고, 사용자의 모듈 교체 및 업그레이드 등 편의성이 향상된다. 성능 측면에서는 기존 모듈 대비 최대 50%, 전력효율은 최대 70% 높였다. 업계에서는 삼성전자의 신형 모듈이 슬림화 경쟁이 치열해지고 있는 노트북 시장의 판도를 바꿀 ‘게임 체인저’가 될 것이라는 기대감이 나온다. 노트북이 갈수록 얇고 가벼워짐에 따라 노트북 시장에서 초슬림 노트북이 차지하는 비중은 올해 64%에서 2027년 88%로, 연평균 약 14%씩 증가할 전망이다. 삼성전자는 인텔 플랫폼에서 7.5Gbps LPCAMM 동작 검증을 마쳤으며, 2024년 상용화를 위해 연내 인텔을 포함한 주요 고객사와 차세대 시스템에서 검증할 예정이다. 올해 1분기 기준 저전력 D램 시장점유율 1위(57.6%)를 유지하고 있는 삼성전자는 신규 모듈 공급 확대로 2위 SK하이닉스(18.8%), 3위 마이크론(17.9%) 등 경쟁사와의 격차를 더욱 벌려나간다는 전략이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “다양한 분야에 걸쳐 고성능, 저전력, 제조 융통성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM은 PC·노트북과 데이터센터 등으로 점차 응용처가 늘어날 전망”이라며 “앞으로 삼성전자는 시장 확대 기회를 적극 타진해 신규 시장을 개척하여 메모리 산업을 이끌어 갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 혁신적인 기술을 통해 고객이 더욱 풍요로운 일상을 즐길 수 있도록 ‘DX 부문’과 ‘DS 부문’으로 나눠 새로운 가치와 가능성을 추진한다고 26일 밝혔다. 먼저 DX 부문은 미래 시장과 라이프스타일을 창출하기 위한 노력을 확대한다. 이를 위해 IT 기술로 일상이 더욱 풍요로워지는 ‘캄테크’(Calm Tech) 비전을 구체화한다는 계획이다. 구체적으로 ‘갤럭시 Z 플립’은 혁신적인 디자인과 더 많은 맞춤형 기능을 갖춘 ‘갤럭시 Z 플립5’로 돌아왔다. 가장 도드라지는 특징은 전작 대비 3.78배 커진 커버 디스플레이 ‘플렉스 윈도우’(Flex Window)다. 넓어진 화면만큼 취향을 투영하는 공간이 확장되고 사용성 또한 향상됐다. 플렉스 윈도우를 활용하면 스마트폰을 열지 않고도 날씨, 주식시장 정보, 미디어 재생까지 많은 것들을 손쉽게 확인하고 제어할 수 있다. 지난 1월 ‘CES 2023’에서 공개된 ‘스마트싱스 스테이션’은 사용자들이 평소에 자주 사용하는 무선 충전 기능과 폰 찾기 기능을 추가함으로써 제품 활용성을 높이고, 제품과 사용자가 더욱 친해질 수 있도록 했다. 스마트싱스 스테이션은 다양한 제품을 한 번에 연결하고 제어할 수 있는 스마트홈 허브다. 사용자들이 평소에 자주 사용하는 무선 충전 기능과 폰 찾기 기능을 추가함으로써 제품 활용성을 높이고, 제품과 사용자가 더욱 친해질 수 있도록 했다. 삼성전자 DS 부문은 사업 특성에 맞게 전략을 수립해 지속적으로 반도체 시장을 주도한다는 계획이다. 구체적으로 ‘32Gbps GDDR7 D램’을 업계 최초로 개발했다. 32Gbps GDDR7 D램은 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 연내 검증이 시작될 예정이다. 이 제품은 한층 향상된 고성능·저전력 특성을 갖춘 16Gb 제품으로, 기존 대비 데이터 처리 속도는 1.4배, 전력 효율은 20% 향상됐다. 또한 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30Gb 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128Gb CXL D램도 개발했다. CXL D램은 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 인공지능, 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다.

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 최근 SK하이닉스와 삼성전자가 업계 선두 자리를 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 말까지는 SK하이닉스가 시장 점유율 50%로 삼성전자에 10%포인트 앞섰지만, 올해는 삼성이 점유율을 늘려나가며 양사가 각각 46~49%로 시장을 양분할 것으로 보고 있다. SK하이닉스가 성능 검증에 들어간 HBM3E는 5세대 제품으로, 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품은 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 적용할 수 있으며, 열 방출 성능은 기존 대비 10% 향상됐다. SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다. 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.