삼성·SK, 수백조원대 규모 공급전 세계 HBM 생산능력 2배 수준‘스타게이트 프로젝트’ 참여키로전남에 AI 데이터센터 설립 협력 삼성과 SK그룹이 챗GPT 개발사 오픈AI의 ‘스타게이트’ 프로젝트에 참여해 월 최대 웨이퍼 90만장 규모의 고대역폭 메모리(HBM) 공급 파트너로 나선다. 두 그룹은 오픈AI와 서남권에 인공지능(AI) 데이터센터를 짓는 데도 협력하기로 했다. 1일 방한한 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO)는 최태원 SK그룹 회장, 이재용 삼성전자 회장과 잇따라 회동하고 이러한 내용의 파트너십을 구축했다. 삼성과 SK그룹은 오픈AI의 전략적 파트너로서 오픈AI를 중심으로 글로벌 AI 핵심 인프라를 구축하는 스타게이트 프로젝트에 참여한다. 스타게이트는 지난 1월 오픈AI와 미국 소프트웨어 및 클라우드 기업 오라클, 일본 투자회사 소프트뱅크가 함께 4년간 5000억 달러(약 703조원)를 투자하기로 한 데이터 건설 프로젝트다. 우선 삼성전자와 SK하이닉스는 이날 각각 오픈AI와 메모리 공급 의향서(LOI)를 체결하고 D램 웨이퍼 기준 월 최대 90만장 규모에 달하는 HBM 공급 파트너로 참여하기로 했다. 이는 전 세계 HBM 생산능력의 2배가 넘는 수준으로, 계약이 실현되면 한국 메모리 반도체는 향후 수년간 수백조원의 초대형 수출 물량을 확보할 것으로 기대된다. 오픈AI가 삼성전자와 SK하이닉스를 공급 파트너로 선택한 것은 두 기업이 메모리 반도체, 특히 HBM 분야에서 세계적 경쟁력을 갖고 있기 때문이다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 기술력과 점유율이 글로벌 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 전통적으로 D램 전체 시장에서 1위를 유지하며 자체 파운드리 및 메모리 일괄생산 시스템(턴키)을 갖춘 유일한 기업이다. 올트먼 CEO는 자사 블로그를 통해 관련 소식을 전하며 “한국은 훌륭한 기술 인재와 세계적 수준의 인프라, 강력한 정부 지원, 활발한 AI 생태계 등 AI 글로벌 리더가 될 모든 요소를 갖추고 있다”고 평가했다. 삼성전자 관계자는 “오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침”이라며 “패키징 기술, 메모리·시스템 반도체의 융복합 기술 측면에서도 오픈AI에 차별화된 솔루션을 제공할 수 있다”고 설명했다. SK하이닉스 관계자도 “오픈AI의 HBM 공급 요청에 적기 대응할 수 있는 생산 체제를 구축할 예정”이라며 “오픈AI의 AI 가속기(GPU) 확보 전략 실현에 적극 협력하겠다”고 밝혔다. 삼성과 SK그룹은 오픈AI와 함께 스타게이트 프로젝트를 위한 대규모 AI 데이터센터를 설립하는 데도 협력하기로 했다. 울산 AI 데이터센터 구축에 이은 대규모 AI 데이터센터는 아시아 지역 허브로서 지속 가능한 협력의 기반이 될 것으로 기대된다. 구체적으로 SK텔레콤은 이날 오픈AI와 양해각서(MOU)를 체결하고 서남권(전남)에 오픈AI 전용 AI 데이터센터 공동 구축에 나선다고 밝혔다. SK텔레콤은 지난 8월 아마존웹서비스(AWS)와도 손잡고 울산에 7조원 규모의 AI 데이터센터 구축을 진행하고 있다. AI 데이터센터를 기반으로 한 양사 협력은 기업과 소비자 간 거래(B2C)·기업과 기업 간 거래(B2B)에서 다양한 AI 활용 사례를 발굴하는 동시에 차세대 컴퓨팅과 데이터센터 솔루션의 시범 운용으로까지 이어질 전망이다. 이를 발판으로 한국은 세계 최고 수준의 통신·전력 인프라와 반도체 기술, 풍부한 AI 수요를 바탕으로 글로벌 AI 혁신의 테스트베드로 거듭날 것이라는 기대가 나온다. 이날 올트먼 CEO와 만난 최 회장은 “메모리 반도체부터 데이터센터까지 아우르는 SK의 통합 AI 인프라 역량을 이번 파트너십에 집중해 글로벌 AI 인프라 혁신과 대한민국의 국가 AI 경쟁력 강화에 적극 나설 것”이라고 말했다. 삼성SDS도 첨단 데이터센터 기술을 기반으로 AI 데이터센터 설계·구축·운영 분야에서 협력한다. 삼성SDS는 국내 최초로 오픈AI의 기업용 서비스를 판매하고 기술을 지원할 수 있는 리셀러 파트너십을 체결해 국내 기업들이 오픈AI의 챗GPT 엔터프라이즈 서비스를 사용할 수 있도록 지원할 예정이라고 밝혔다. 삼성물산과 삼성중공업은 플로팅 데이터센터 공동 개발을 위해 협력한다. 플로팅 데이터센터는 바다 위에 설치하는 첨단 데이터센터로, 육지에 데이터센터를 설치하는 것보다 공간 제약이 적어 열냉각 비용 및 탄소 배출량을 줄일 수 있다. 삼성물산과 삼성중공업은 독자 기술을 바탕으로 ▲플로팅 데이터센터 ▲부유식 발전설비 ▲관제센터 개발을 추진할 예정이라고 밝혔다. 삼성은 미래 AI 경쟁력 제고를 위해 대규모 연구개발(R&D) 투자, 선제적 국내외 시설 투자, 국내외 우수 인재 육성과 유치도 지속할 방침이라고 밝혔다. 이재명 대통령은 이날 용산 대통령실에서 올트먼 CEO를 접견하며 오픈AI와 삼성전자·SK하이닉스 간 파트너십 관련해 금산분리 규제 완화를 검토할 수 있다고 밝혔다. 이 대통령은 “대규모 투자가 예상되고, 막대한 투자 재원이 조달돼야 한다”면서 “독점의 폐해가 없다는 안전장치가 마련된 범위 내에서 금산분리 규제를 완화하는 방안을 검토할 수 있다”고 밝혔다고 김용범 정책실장이 전했다. 아울러 김 실장은 “150조원 규모의 국민성장펀드도 스타게이트와 같은 메가 프로젝트에 투자하는 방안을 검토하고 있다”고 밝혔다. 과학기술정보통신부도 이날 오픈AI와 AI 분야 협력 MOU를 체결했다. 오픈AI는 지역균형발전을 위한 한국 정부의 정책 방향에 깊이 공감하면서 한국의 파트너 기업들과 함께 전남, 포항에 대규모 데이터센터 구축을 추진키로 했다.

SK, 공정기술 추가 적용해 장점 확보삼성, 집적도와 속도 높인 샘플 출하차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

SK하이닉스가 메모리 업계에서 처음으로 양산용 차세대 노광 장비인 ‘High(하이) NA EUV’를 이천 M16 팹(반도체 생산공장)에 도입했다고 3일 밝혔다. 노광 장비는 반도체 제조 공정에서 설계도인 회로 패턴을 웨이퍼 위에 새겨 넣는 장비다. 하이 NA EUV는 네덜란드 ASML이 개발한 ‘트윈스캔 EXE:5200B’ 모델로 현존 장비 중 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 수 있다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. 패턴 구현 과정에서 반복 노광을 줄여 시간과 비용을 절감할 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업체는 회로를 더 정밀하게 새길수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘고 전력 효율과 성능이 개선돼 생산성과 경쟁력을 동시에 확보할 수 있다. SK하이닉스는 2021년 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 4세대 D램 공정에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 확대해 왔다. 이번 하이 NA EUV 장비 도입을 통해 기존 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 전략이다. SK하이닉스는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”고 밝혔다. 이날 열린 반입 기념행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)과 이병기 제조기술담당 부사장 등이 참석했다. 차선용 CTO는 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 했다. 한편 삼성전자는 지난 3월 하이 NA EUV 장비를 들여와 안정화 작업을 진행 중이며, 메모리와 파운드리 제품 개발에 활용하는 것으로 알려졌다.

글로벌 3위 메모리반도체 기업 미국 마이크론이 주요 고객사에 6세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’의 샘플을 공급했다. SK하이닉스가 세계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 지 불과 3개월 만이다. HBM4 시장의 주도권을 놓고 글로벌 메모리 반도체 기업 간 경쟁이 본격화됐다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 지난 10일(현지시간) 36기가바이트(GB) 용량의 12단 적층 HBM4 샘플을 주요 고객사에 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 5세대(1b) 10나노급 D램 공정이 적용됐으며, 이전 세대인 HBM3E 대비 성능은 60%, 전력 효율은 20% 이상 향상된 것으로 전해졌다. 마이크론은 “고객의 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 양산 일정과 발맞춰 2026년 HBM4 양산을 확대할 계획”이라고 말했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만든 초고속 메모리로, AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 특히 내년부터 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘루빈’에 HBM4가 탑재될 예정이어서 주요 반도체 기업들은 지금부터 최종 납품권 확보를 위한 경쟁에 돌입한 상태다. 현재는 SK하이닉스가 HBM4 시장에서 우위를 점한 상황이다. SK하이닉스는 이미 지난 3월 12단 HBM4 샘플을 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 공급하며 선두를 선점했다. 현재 HBM3E를 기반으로 한 블랙웰 그래픽처리장치(GPU) 납품에서도 시장 점유율 80% 이상을 확보하고 있다. 이상락 SK하이닉스 글로벌세일즈마케팅(GSM)담당 부사장은 이날 이천캠퍼스에서 열린 사내 소통 행사에서 “상반기 시황은 아주 좋았고 하반기도 비관적이지 않다”며 “우리의 경쟁력은 HBM이며, 기존 D램도 충분한 경쟁력을 갖추고 있다”고 했다.

‘화학 산업의 쌀’ 첫 국산화 기록2001년 종합화학 DCC로 새출발폴리실리콘 대량 생산하며 도약OCI로 사명 바꾸고 태양광 진출지주사와 사업회사로 인적 분할바이오 제약 지분 투자 등 계획도 OCI그룹은 국내 최초로 ‘화학 산업의 쌀’이라 불리는 소다회의 국산화에 성공하며 기틀을 닦았다. 지난 반세기 동안 무기화학과 신재생에너지 분야로 영역을 확장하며 대한민국 중화학 산업을 이끌었다. 최근엔 말레이시아에 반도체용 폴리실리콘 생산 공장을 설립하며 반도체 소재를 포함한 첨단 화학 소재 기업으로 첫발을 내디뎠다. 또 폴리실리콘 전문 기업에서 종합 태양광 전지 기업으로 전환하고 있다. OCI그룹의 전신인 동양화학은 1959년 삼척에 있는 일본인 소유 비누 공장을 불하받은 김승호씨가 소다회를 생산하기 위해 설립한 기업이었다. 그러나 자금 사정이 어려워진 김씨는 고 이회림 창업주에게 동양화학 인수를 요청했다. 이후 이 창업주는 인천 해안 80만평을 매립해 대규모 소다회 공장을 건설했고 국내 최초로 열병합발전소를 지었다. 미국과 일본, 독일 전문가의 기술 자문 아래 설비를 도입하며 한국 화학공업 사상 첫 ‘알칼리(소다회·가성소다 등) 공업’의 시작을 알렸다. ●국내 화학 기업 최초 美 대형회사 인수 하지만 1968년 공장 준공과 동시에 내수 부진, 일본의 불공정 가격 경쟁, 수입 자유화라는 3중 악재가 겹치며 수익성이 급격히 악화했다. 결국 동양화학은 은행으로부터 부실기업으로 분류됐다. 이에 이 창업주는 사재를 출연해 자금을 충당했고 이후 소다회 가격이 반등하면서 1970년대 초 기업 정상화의 계기를 마련했다. 이 시기 장남인 고 이수영 명예회장이 실질적인 경영을 맡으며 동양화학은 국내 최초의 종합화학회사로 성장했다. 1977년에는 무기화학 제품인 인산칼슘 제조 공정을 자체 개발해 울산에 공장을 준공했고, 1978년에는 필리핀 PWCC사와 백시멘트 공장 건설 계약을 체결해 국내 최초로 화학 플랜트 수출에 성공했다. 특히 1979년 설립된 익산 과산화수소 공장은 세계적인 화학 기업인 미국 듀폰과의 기술 협력을 통해 수입에 의존하던 제품을 국산화했다. 1994년에는 청구물산(옛 청구목재)과 한국카리화학을 합병해 유니드(UNID)를 출범시켰다. 이는 무기화학 및 목재 가공 분야를 독립된 전문 기업으로 육성하기 위한 계열 분리 전략의 일환이었다. 1995년 동양화학은 미국 롱프랑의 와이오밍 소다회 공장을 인수하면서 연간 260만t의 생산능력을 확보했고, 세계 공급량의 10%를 차지하는 3대 소다회 공급사로 도약했다. 이는 한국 화학 기업 최초로 미국 대형 회사를 인수해 경영권을 확보한 사례다. 2001년에는 제철화학과 제철유화를 흡수 합병해 동양제철화학(DCC)으로 새롭게 출범했다. 무기화학, 정밀화학, 석탄화학을 아우르는 종합화학 기업으로의 체제 전환이었다. 이후 카본블랙, 톨루엔디이소시아네이트(TDI), 과산화수소 등 주력 제품군을 재정비하고 품질관리 체계를 고도화해 안정적인 수익 구조를 확보했다. 같은 해 군장에너지도 설립했다. 이는 이후 2020년 이테크건설, 삼광글라스 3사의 분할 합병을 통해 SGC에너지로 발전하게 된다. DCC의 가장 큰 전환점은 2006년 폴리실리콘 사업 진출이었다. 태양전지와 반도체 웨이퍼의 핵심 원료인 폴리실리콘 생산을 위해 전북 군산에 대규모 공장을 지었고, 2008년 상업 생산에 성공했다. 2009년에는 제2공장을 세워 생산량을 크게 확대했고, 세계 폴리실리콘 업계 1위인 미국 헴록사에 이어 세계 2위 업체로 부상했다. 같은 해 사명도 OCI로 변경했다. OCI는 태양광과 기초화학 중심의 사업을 이어 갔고, 분리된 계열사인 유니드와 SGC는 무기화학·에너지·건설·개발 부문에서 독립적으로 나아갔다. 그러나 중국산 저가 폴리실리콘의 공세로 공급 과잉과 가격 하락이 이어졌고 이는 OCI그룹에 큰 타격을 줬다. 이에 OCI는 제조원가를 중국 수준으로 낮추기 위해 말레이시아 폴리실리콘 공장의 생산 규모를 확장했다. ●“중국이 진출할 수 없는 산업에 집중” OCI는 2017년 일본 도쿠야마로부터 말레이시아 폴리실리콘 공장을 2174억원에 인수했으며 2020년에는 국내 태양광용 폴리실리콘 생산을 중단하고 말레이시아 자회사 ‘OCI TerraSus’의 생산능력을 연 3만 500t까지 확대했다. 향후 5만 6600t으로 증설하기 위해 8500억원이 투자된다. 이우현 OCI홀딩스 회장은 최근 한 언론과의 인터뷰에서 “가격으로 중국을 이길 방법은 없다”며 “중국이 진출할 수 없는 지역과 산업에 집중할 것”이라고 밝혔다. 동시에 ‘셀→모듈→발전’으로 이어지는 태양광 산업의 밸류체인 전반에 진출해 수직계열화를 추진했다. OCI는 지난 3월 미국 태양광 밸류체인 확장을 위해 텍사스에 있는 태양광 자회사 미션솔라에너지(MSE) 부지에 독자적인 태양광 셀 생산 공장을 세우겠다고 발표했다. 총 2억 6500만 달러(약 3840억원)를 투자해 2026년 상반기부터 1기가와트(GW) 규모의 상업 생산을 시작하고, 하반기에는 점진적으로 1GW를 추가 증설해 총 2GW 이상의 생산능력을 확보할 계획이다. 또 MSE는 텍사스 모듈 공장의 생산능력을 500메가와트(㎿) 수준으로 유지하면서 향후 확장을 모색하고 있다. 이처럼 셀과 모듈 생산 등 제조 부문에 투자해 온 OCI는 발전 프로젝트 개발에서도 두각을 나타내고 있다. 2012년 당시 세계 최대 규모인 650㎿급 태양광 발전소 ‘알라모 프로젝트’를 성공적으로 건설하며 북미 시장에 진출했다. 이는 한국 기업의 북미 태양광 시장 진출 첫 사례로 기록되며 이후 다수의 프로젝트를 계약해 총 2.4GW에 달하는 계약 실적을 보유하고 있다. 현재는 미국 자회사 OCI 에너지를 통해 텍사스를 중심으로 총합산 규모 5.5GW에 달하는 20여개의 태양광 발전과 차세대 에너지저장시스템(ESS) 프로젝트 파이프라인을 보유하고 있다. OCI는 2023년 5월 또 한 번의 큰 변화를 단행했다. 인적 분할을 통해 지주사 ‘OCI홀딩스’와 사업회사 ‘OCI’로 분리한 것이다. 이 중 지주사 OCI홀딩스는 태양광 중심 사업을 담당하며, 신설된 OCI는 반도체와 배터리 소재 등 첨단 화학소재 사업을 전담하게 됐다. 신설 OCI는 반도체, 디스플레이, 전기차 등 첨단 산업에 필요한 고부가가치 전자 소재를 중심으로 박차를 가하고 있다. 2020년 포스코퓨처엠과 합작해 피앤오케미칼을 설립했으며 고연화점 피치(배터리 음극재용)와 고순도 과산화수소(반도체·디스플레이용) 생산 등에 나섰다. 지난해엔 피앤오케미칼 지분 51%를 537억원에 인수하기로 했고 올해 완료했다. 피앤오케미칼은 지난해 충남 공주 탄천산업단지 내 3만 2500㎡ 부지에 963억원을 투입해 고연화점 피치 생산 공장을 준공했다. 생산능력은 연 1만 5000t이며, 배터리 음극재에 들어가는 핵심 소재를 국내에서 양산 중이다. 전남 광양에는 연간 5만t 규모의 과산화수소 공장도 준공됐으며 이 중 3만t은 반도체와 디스플레이 공정에 사용되는 고순도 제품으로 생산된다. 고순도 과산화수소는 반도체 제조 공정의 세정 단계에서 쓰이는 핵심 소재다. ●부광약품 최대주주로 공동 경영 또 OCI는 도쿠야마와 함께 말레이시아 내 반도체용 폴리실리콘 공장 증설을 위한 합작법인 설립도 추진 중이며, 2026년부터 연 1만 1000t 규모의 반제품을 생산할 예정이다. 군산 공장에서 최종 가공해 SK실트론 등 주요 고객사에 공급할 계획이다. 반도체용 폴리실리콘은 실리콘 웨이퍼의 원재료로, 태양광용에 비해 훨씬 높은 순도가 요구된다. 현재 전 세계에서 해당 생산 기술을 보유한 업체는 OCI, 독일 바커, 헴록, 도쿠야마 등 6곳에 불과하다. OCI는 반도체용 인산 시장에서도 경쟁력을 높이고 있다. 2023년부터 SK하이닉스에 신규 공급을 시작했으며 삼성전자, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체에 인산을 공급하는 유일한 기업으로 자리잡았다. 반도체 인산은 웨이퍼 식각 공정에 쓰이는 핵심 소재로, D램·낸드플래시·파운드리 등 다양한 반도체 공정에 사용된다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 확산과 반도체 업황 회복에 따라 수요 증가가 기대된다. OCI는 바이오 분야에도 관심을 보이고 있다. 2022년 2월 부광약품 지분 773만주를 1461억원에 매입해 최대주주로 올라섰으며 공동 경영 체제를 구축해 바이오제약 사업에 진출했다. 2024년 초에는 한미약품 인수를 전격 추진하며 바이오 포트폴리오 확장을 시도했으나 한미약품 측의 입장 변화로 인해 협상이 결렬됐다. OCI 관계자는 “앞으로도 전략적 제휴 또는 지분 투자 방식으로 바이오 사업을 확대해 나갈 방침”이라고 밝혔다.

SK하이닉스가 ‘차세대 HBM’으로 불리는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 2.0 기반 솔루션 CMM-DDR5 96기가바이트(GB)의 고객 인증을 처음으로 완료하고, 양산 준비를 마쳤다. 이미 고대역폭메모리(HBM)가 실적 효자로 자리 잡은 가운데 CXL 메모리까지 더해지면서 HBM과 함께 향후 성장을 이끌 ‘쌍두마차’가 될지 관심이 쏠린다. 23일 SK하이닉스에 따르면 CXL은 컴퓨팅 시스템 내 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 솔루션이다. CPU와 GPU가 각각 자기와 연결된 D램만 쓸 수 있었다면 CXL을 도입할 경우 다양한 부품들이 서로의 메모리를 공유할 수 있게 된다. 데이터센터를 운영하는 고객사가 서버 시스템에 이를 적용하면 기존 DDR5(5세대 범용 D램) 대비 용량이 50% 늘어나고 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다. SK하이닉스 관계자는 “CXL을 활용하려면 그에 맞는 수준의 CPU가 필요한데, AMD와 인텔이 지난해 말부터 관련 CPU를 내놓기 시작했다”면서 “CXL 시장이 이제 막 열리는 단계이고, (매출 측면에서) 차세대 HBM으로서 성장을 기대하는 중”이라고 밝혔다. 또 SK하이닉스는 (CXL) 128GB 제품도 다른 고객과 인증 절차를 진행 중이며, 이를 빠르게 마무리해 고객이 원하는 시점에 공급할 수 있는 포트폴리오를 구축할 계획이다. SK하이닉스는 CXL D램 개발과 더불어 CXL 생태계 확장을 위한 노력도 하고 있다. 지난해 9월 SK하이닉스는 세계 최대 오픈소스 운영체제인 리눅스에 CXL 구동 최적화를 위한 자체 개발 메모리 제어 솔루션(HMSDK)을 탑재, CXL 적용 시스템 성능을 개선했다. 한편 SK하이닉스는 이날 보통주 1주당 배당금을 375원으로 책정했다고 공시했다. 이는 지난해 분기 배당금인 주당 300원보다 25% 증가한 것이다.

대우건설은 경기 용인시 처인구 남동 산126-13 일원(은화삼 지구)에 들어서는 ‘용인 푸르지오 원클러스터 2·3단지’를 이달부터 분양한다고 21일 밝혔다. 총 3724가구 규모로 완성되는 이 단지는 용인 반도체 클러스터와 가까이 있어 미래 가치가 높다. 처음 분양한 1단지(1681가구)가 100% 계약된 만큼 후속 분양인 2·3단지도 빠르게 분양될 것으로 예상된다. 2·3단지는 전용면적 59·84㎡, 총 2043가구 규모다. 이 단지는 반도체 산업 발전과 정부 지원으로 시세 상승이 기대된다. SK하이닉스는 차세대 D램 생산 기지를 건설 중이다. 삼성전자도 360조원을 투자해 ‘첨단 시스템 반도체 클러스터 국가산업단지’를 건설할 예정이다. 정부도 송전선로 비용, 전력과 용수 공급 등을 지원해 반도체 클러스터 조성에 속도가 붙을 것으로 보인다. 교통 인프라도 크게 개선된다. 45번 국도의 이설·확장 사업이 상반기에 발주된다. 45번 국도와 국지도 57호선, 영동고속도로 등과 연결됐고 향후 세종~포천고속도로와 경강선 연장선이 개통될 예정이다. 견본 주택은 용인시 수지구 동천동 901(신분당선 동천역 부근)에 있다.

삼성전자가 전 세계 TV, 스마트폰, 반도체 등의 시장을 주도해 오고 있다. 투자와 혁신에 더욱 속도를 내 글로벌 1위의 자리를 굳힌다는 전략이다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 2006년부터 19년 연속 글로벌 TV 판매 1위를 달성했다. 2018년 세계 처음으로 8K TV를 글로벌시장에 공개하면서 프리미엄 TV 시장을 주도했다. 2020년 코로나19로 인한 위기 상황에서도 QLED 4·8K TV 등을 내놓으며 시장 지배력을 공고히 하고, 명암비·화질을 획기적으로 개선한 ‘네오(Neo) QLED’와 OLED를 출시하며 프리미엄 제품군을 지속적으로 확대했다. 삼성전자는 AI를 활용한 기술을 TV 제품에 적용해 ‘AI 스크린 시대’를 주도하고, 투명 마이크로 LED, AI 업스케일링 등 혁신적 제품·기능 등으로 소비자들의 일상을 더욱 가치 있게 만드는 데 노력한다는 계획이다. 삼성전자는 스마트폰 시장에서도 두각을 나타내고 있다. 2011년 이후 13년 연속 스마트폰 글로벌 출하량 1위를 유지 중이다. 전체 모바일 시장에서의 사업 위상을 강화하기 위해 태블릿과 웨어러블(스마트워치·무선이어폰 등), 액세서리 등의 제품과 함께 디지털 헬스, 디지털 월렛 등 콘텐츠·서비스 부문에서도 사업 경쟁력을 키우고 있다. 아울러 메모리 시장 경쟁력도 공고히 하고 있다. 삼성전자는 1992년 D램 시장 세계 1위를 달성한 뒤 32년 동안 D램 점유율 1위를 유지하고 있다. 플래시 메모리 분야에서도 2003년부터 21년간 선두를 지켜왔다. 지난해에는 선단 및 고부가 제품 위주로 사업 포트폴리오를 조정하는 데 주력했다. HBM, DDR5, 고용량 SSD 등 AI 및 서버향 고수익 제품 수요에 적극 대응하기 위한 전략이다. HBM의 경우 성장하는 생성형 AI 수요 대응을 위해 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산 판매하고 있으며, HBM4는 올해 하반기 양산 목표로 개발 중이다. 디램(DRAM)은 1b 나노 32Gb DDR5 제품 판매 비중을 늘리고, 10.7Gbps LPDDR5x와 GDDR7의 공급을 확대한다는 계획이다. 낸드(NAND) 또한 서버향 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 수익성을 개선해 갈 예정이다. 한편, 삼성전자는 경기 용인 삼성전자 기흥캠퍼스 내에 20조원을 들여 차세대 반도체 R&D 단지 ‘New Research&Development–K’(이하 NRD-K) 등을 짓고 있다. NRD-K는 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 10만 9000㎡(3만 3000여평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로, 2030년까지 20조원이 투자될 예정이다.

SK하이닉스가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 사실상 엔비디아에 제공한 것으로 HBM 시장에서 주도권을 공고히 했다는 평가다. 해당 HBM은 엔비디아가 내년 하반기 선보일 새로운 인공지능(AI) 칩인 ‘루빈’에 탑재될 가능성이 높다. SK하이닉스가 19일 세계 최초로 샘플을 제공했다고 밝힌 AI용 초고성능 D램인 HBM4 12단은 속도나 용량 측면에서 세계 최고 수준이다. 처음으로 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 대역폭을 구현했는데, 이는 5GB(기가바이트)짜리 FHD(Full-HD)급 영화 400편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준으로, 5세대(HBM3E) 대비 60% 이상 빠르다. SK하이닉스는 올 하반기부터 해당 제품을 본격 양산할 계획인데, 이는 엔비디아가 내년 하반기 출시할 새로운 AI 칩인 루빈에 탑재될 전망이다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2025’에서 향후 AI 칩 로드맵을 공개했다. 올 하반기 블랙웰 업그레이드 버전인 블랙웰 울트라를, 내년 하반기엔 루빈, 2027년엔 루빈 울트라, 2028년에는 새로운 AI 칩인 ‘파인먼’을 차례로 선보인다고 밝혔다. 루빈은 HBM4가 처음으로 탑재되는 제품인데, 이후 출시되는 루빈 울트라에는 7세대인 HBM4E가, 파인먼 이후엔 8세대인 HBM5가 탑재될 것으로 보인다. 엔비디아의 AI 칩 로드맵에 따르면 현재 시장의 주류인 HBM3E뿐 아니라 HBM4를 둘러싼 경쟁도 본격화할 전망이다. 당장 HBM3E에서 엔비디아에 대부분의 물량을 공급 중인 SK하이닉스는 올해 HBM 물량을 ‘완판’했으며, HBM3E 12단 제품 양산에 집중하고 있다. 엔비디아에 HBM3E 8단을 공급하는 마이크론은 이번 행사에서 HBM3E 12단(36GB) 제품을 선보인 데 이어 2년 내 HBM4 양산을 목표로 세우는 등 SK하이닉스를 추격 중이다. 삼성전자는 HBM3E 공급에 있어 SK하이닉스와 마이크론에 뒤처진 상태다. 아직 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하지 못하고 있는데, 이달 말부터 HBM3E 개선 제품을 주요 고객사에 공급하며 엔비디아 공급망에 진입할 가능성도 제기되고 있다. 올 하반기엔 HBM4 양산을 목표로 하고 있다.

삼성전자가 경기 용인 삼성전자 기흥캠퍼스 내에 20조원을 들여 차세대 반도체 R&D 단지 ‘New Research&Development–K’(이하 NRD-K) 등을 짓고 있다. NRD-K는 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 10만 9000㎡(3만 3000여평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로, 2030년까지 20조원이 투자된다. 28일 삼성전자에 따르면 NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 처음으로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실로 평가받고 있다. 전 세계 메모리 시장 이끌어가는 ‘삼성 반도체’삼성전자는 1992년 D램 시장 세계 1위를 달성한 뒤 32년 동안 D램 점유율 1위를 유지하고 있다. 플래시 메모리 분야에서도 2003년부터 21년간 선두를 지켜왔다. 지난해에는 근원적 사업 체질 강화를 목표로 선단 및 고부가 제품 위주로 사업 포트폴리오를 조정하는 데 주력했다. HBM, DDR5, 고용량 SSD 등 AI 및 서버향 고수익 제품 수요에 적극 대응하기 위한 전략이다. HBM의 경우 성장하는 생성형 AI 수요 대응을 위해 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산 판매하고 있으며, HBM4는 올해 하반기 양산 목표로 개발 중이다. 디램(DRAM)은 1b 나노 32Gb DDR5 제품 판매 비중을 늘리고, 업계 처음으로 개발한 10.7Gbps LPDDR5x와 GDDR7의 공급을 확대한다는 계획이다. 낸드(NAND) 또한 서버향 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 수익성을 개선해 갈 예정이다. 2006년부터 19년 연속 글로벌 TV 판매 1위한편, 삼성전자는 2006년부터 19년 연속 글로벌 TV 판매 1위를 달성했다. 2018년 세계 처음으로 8K TV를 글로벌시장에 공개하면서 프리미엄 TV 시장을 주도했다. 스크린 크기도 중형에서 초대형까지 다양화했다. 2020년 코로나19로 전 세계 경제위기 상황에서도 QLED 4·8K TV 등을 내놓으며 시장 지배력을 공고히 하고, 명암비·화질을 획기적으로 개선한 ‘네오(Neo) QLED’와 OLED를 출시하며 프리미엄 제품군을 지속적으로 확대했다. 스마트 생태계 부분에서는 TV 플러스, OTT, 게임, 홈트레이닝 등 외부 업체들과의 협업을 이어가며 새로운 성장 동력으로 삼고 있다. 삼성전자는 네오 QLED와 초대형, OLED 등 프리미엄 제품에 집중해 시장 점유율을 높여가는 한편 라이프스타일 부문에서도 라인업 확대와 제품 성능 개선 등을 통해 소비자 맞춤형 제품들을 지속적으로 선보일 예정이다. 또한 AI를 활용한 기술을 TV 제품에 적용해 ‘AI 스크린 시대’를 주도하고, 투명 마이크로 LED, AI 업스케일링 등 혁신적 제품·기능 등으로 소비자들의 일상을 더욱 가치 있게 만드는 데 노력한다는 계획이다. 2011년 이후 13년 연속 글로벌 스마트폰 출하량 1위스마트폰 시장에서도 두각을 나타내고 있다. 2011년 이후 13년 연속 스마트폰 글로벌 출하량 1위를 유지 중이다. 스마트폰뿐만 아니라 전체 모바일 시장에서의 사업 위상을 강화하기 위해 태블릿과 웨어러블(스마트워치·무선이어폰 등), 액세서리 등의 제품과 함께 디지털 헬스, 디지털 월렛 등 콘텐츠·서비스 부문에서도 사업 경쟁력을 키우고 있다. 특히 프리미엄 스마트폰은 생성형 AI를 적용한 검색, 실시간 통번역, 자동 내용 요약, 사진 편집, 콘텐츠 공유, 초음파 온스크린 지문 인식, 야간 촬영, 8K 동영상 녹화 등 차별화 기능을 지속해서 선보인다. 스마트폰 외에도 ▲대화면 디스플레이와 S펜을 갖춘 태블릿 ▲생체 센서 기술을 적용해 고도화된 웰니스 기능을 제공하는 스마트 워치 ▲맞춤형 건강정보를 제공하는 스마트 링 ▲뛰어난 사운드 경험을 제공하는 무선이어폰 등으로 더욱 풍부한 모바일 경험을 제공하고 있다. 재활용 소재 적용을 확대하는 등 친환경 기술 혁신도 지속하고 있다. 삼성전자는 플라스틱 폐기물 중 하나인 폐어망을 재활용해 만든 소재를 ‘갤럭시 S22’ 시리즈 이후 많은 과제에 적용하고 있다. ‘갤럭시 S24’ 시리즈에는 재활용 코발트와 희토류를 사용했고, ‘갤럭시 Z 폴드6’ 및 ‘갤럭시 Z 플립6’에는 재활용 금과 구리를 추가로 활용했다. 프리미엄 가전 ‘비스포크’, 글로벌 소비자 가치 확장프리미엄 가전 비스포크는 가전의 대세로 자리 잡았다. 삼성전자는 2019년 6월 생활가전 사업의 새로운 비전인 ‘프로젝트 프리즘’ 아래 비스포크 냉장고를 출시했다. 2020년엔 ‘비스포크 김치플러스’, ‘비스포크 식기세척기’ 등으로 라인업을 확대했고, 비스포크 누적 출하량 100만대(2019년 6월~2020년 12월)를 돌파했다. 글로벌시장에서는 북미와 유럽 등에 비스포크 냉장고부터 전자레인지, 식기세척기 등 비스포크 키친을 확대하고 ‘스마트싱스’(SmartThings) 기반 연결 생태계를 넓혔다. 올해 비스포크 AI로 완성하는 ‘새로운 AI 라이프(Life)’의 시작을 위해 비스포크의 진화한 AI 기능과 7인치 터치스크린 기반의 ‘AI 홈’, 음성 인식 ‘빅스비’(Bixby) 등으로 집안에 연결된 기기들을 원격 제어할 수 있게 했다.

SK그룹이 AI 인프라 구축 및 생태계 확장 등을 추진하며 미래 성장 동력을 확보하기 위해 노력 중이다. 제약 부문은 지속적인 투자와 R&D를 통해 포트폴리오를 확장해 간다는 전략이다. 26일 SK그룹에 따르면 SK텔레콤은 AI 컴퍼니로의 변화·혁신 결실을 가시화해 ‘글로벌 AI 컴퍼니’로 도약하고 있다. ▲AI 데이터센터(AI DC) ▲GPU 클라우드 서비스(GPUaaS) ▲에지AI(Edge AI) 등 세 가지 축을 중심으로 ‘AI 인프라 슈퍼 하이웨이’ 구축을 가속한다. AI DC사업 본격 추진을 위해 지난해 글로벌 GPU 클라우드 기업인 ‘람다’(Lambda)에 전략적 투자를 단행했고, AI 데이터센터 통합 솔루션 대표 기업인 ‘펭귄 솔루션스’와는 AI 투자 중 최대 규모인 2억 달러 투자 계약을 체결했다. 이런 파트너십을 기반으로 지난해 12월 람다와 협력해 가산 AI데이터센터를 연 데 이어 ‘SKT GPUaaS’(GPU-as-a-Service)’를 선보였다. SK그룹은 멤버사 간 협력을 통해서도 AI 생태계 확장 및 인프라 구축을 추진 중이다. 지난달에는 SK하이닉스가 SK텔레콤, 펭귄 솔루션스와 ‘AI 데이터센터 솔루션 공동 R&D 및 사업 추진’ 협약을 체결하며 힘을 보탰다. 펭귄 솔루션스는 AI 서비스를 제공하는 기업에 맞춤형 데이터센터를 구축해 주고 관리하는 사업을 하는 대표 기업이다. 3사는 협약으로 AI 데이터센터의 글로벌 확장을 위해 신규 시장을 개척하고 솔루션 공동 연구개발(R&D) 및 상용화에 나섰다. 또한 3사는 긴밀히 협력해 데이터센터용 차세대 메모리 제품 개발에서도 SK하이닉스의 차별적인 HBM 경쟁력을 확대해 나갈 예정이다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 SK하이닉스는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나간다. 낸드는 지난해에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 뇌전증치료제 ‘세노바메이트’의 호조에 힘입은 SK바이오팜도 공격적인 마케팅을 진행한다. SK바이오팜은 지난해 뇌전증 센터와 환자 롱텀 케어(Long-term care) 전담 인력 등 스페셜티 영업 조직과 인력을 강화했고, 올해 환자와의 접점을 확대하기 위해 사상 첫 DTC(Direct-to-consumer) 광고를 집행한다. SK바이오팜은 미국 시장뿐 아니라 글로벌 시장에서의 세노바메이트의 저변을 확대 중이다. 지난해 중국에서 신약승인신청(NDA)를 신청했고, 올해는 브라질을 시작으로 중남미 약 17개국 진출도 진행 중이다. 또한 차세대 신규 모달리티(New Modality)로 선정된 RPT(방사성의약품 치료제), TPD(표적단백질분해 치료제) 개발 및 저분자(small molecule) 분야의 R&D 역량 확장을 통해 포트폴리오를 다각화한다는 계획이다.

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 반도체 사업의 핵심 거점으로 삼을 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다. 2019년 약 120조원을 투자해 공장 4개를 짓겠다는 사업 계획을 밝힌 지 6년 만이다. SK하이닉스는 지난 24일부터 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다. 애초 다음 달부터 착공할 계획이었으나 용인시가 예정보다 빠른 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당기게 됐다. 용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 인허가 절차에 속도를 내왔다. 경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다. SK하이닉스는 지난해 7월 용인 클러스터의 1기 팹과 업무시설 건설에 약 9조 4000억원을 투자하기로 했다. SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 2050년까지 순차적으로 조성한다는 계획이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다. SK하이닉스는 이곳을 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응하고 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획이다. 또한 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 협력사들은 실제 생산 현장과 유사한 환경을 갖춘 연구시설인 미니팹을 통해 자체 기술 완성도를 높일 수 있을 것으로 보인다. SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 설명했다.

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 반도체 사업의 핵심 거점으로 삼을 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다. 2019년 약 120조원을 투자해 공장 4개를 짓겠다는 사업 계획을 밝힌 지 6년 만이다. SK하이닉스는 지난 24일부터 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다. 애초 다음 달부터 착공할 계획이었으나 용인시가 예정보다 빠른 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당기게 됐다. 용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 인허가 절차에 속도를 내왔다. 용인 반도체 클러스터 사업은 2019년 시작됐지만 그동안 각종 규제와 지역 주민 반발, 토지 보상 등 문제로 순탄치 않았다. 경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다. SK하이닉스는 지난해 7월 용인 클러스터의 1기 팹과 업무시설 건설에 약 9조 4000억원을 투자하기로 했다. SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 2050년까지 순차적으로 조성한다는 계획이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다. SK하이닉스는 이곳을 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응하고 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획이다. 또한 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 협력사들은 실제 생산 현장과 유사한 환경을 갖춘 연구시설인 미니팹을 통해 자체 기술 완성도를 높일 수 있을 것으로 보인다. SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 설명했다.

중국 메모리반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 만든 것으로 추정되는 ‘DDR5’가 시장에 등장하면서 반도체 업계가 촉각을 곤두세우고 있다. 그간 구형인 DDR4 위주로 생산하던 중국 업체가 최신 제품을 내놓으면서 DDR5로 시장을 장악 중인 삼성전자와 SK하이닉스의 자리가 위협받을 수 있다는 우려가 나온다. 19일 업계에 따르면 중국 저장장치 제조사인 ‘킹뱅크’와 ‘글로웨이’는 지난 17일 중국의 대표적인 할인 가격 비교 쇼핑 플랫폼 선머즈더마이(smzdm)를 포함한 전자상거래 사이트에 32G 용량의 DDR5 D램을 내놨다. DDR5는 PC뿐 아니라 데이터센터에 공급되는 서버용 중앙처리장치(CPU)에도 탑재되는 차세대 D램이다. 킹뱅크, 글로웨이 등 제조사들은 메모리 업체에서 D램을 사들인 다음 조립해 완성품으로 판매한다. 두 업체의 판매 페이지에는 ‘국산(중국) 메모리, 거침없는 혁신으로 앞으로 나아가다’는 문구가 적혀있으며 일부 상품 설명페이지에는 ‘창신메모리’가 쓰여 있다. 업계에서는 그동안 DDR4에 머물렀던 중국 업체들이 시장 주류가 된 고부가 제품 DDR5 생산에도 나선 것을 두고 ‘긴장’하는 모습이다. 중국 업체들의 물량 공세로 DDR4 같은 범용 제품에서 나타난 가격 하락세가 DDR5로도 빠르게 번질 수 있고, 중국 정부의 막강한 지원을 등에 업고 가격 경쟁력을 앞세워 삼성과 SK하이닉스의 점유율을 뺏어갈 수 있다는 이유에서다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 전 세계 D램 시장 점유율(매출기준)은 삼성전자 41.1%, SK하이닉스 34.4%, 미국 마이크론 22.2%로 확고한 3강 체제를 이루고 있다. 자국 업체를 중심으로 범용 D램 제품을 공급하고 있는 CXMT는 낮은 매출로 순위권에 존재하지 않는다. CXMT는 지난 2016년 설립됐다. 하지만 월 생산능력에서는 CXMT가 웨이퍼 16만장, 글로벌 생산 능력의 10% 수준으로 ‘톱3’를 턱밑까지 따라왔다는 게 업계의 대체적인 시각이다. IT홈 등 일부 현지 매체는 중국에서 DDR5 메모리가 출시된 것은 단순히 기술적인 돌파구를 마련한 것을 넘어 중국 기술의 핵심 경쟁력이 또 한 번 향상됐다는 것을 보여준다고 했다. 또 아직 제품들이 강력한 성능을 보이지는 않더라도, 중국산 첨단 D램의 등장 자체가 중국의 메모리칩 제조 기술이 역사적인 전진을 이뤘다는 의미를 갖는다고 전했다. 다만 현재 CXMT의 공식 홈페이지에는 DDR5의 양산에 성공했다는 소식은 없고, 중국 관영 언론에서도 첨단 D램 출시와 관련해 보도하진 않고 있다. 이를 두고 내년 1월 트럼프 행정부 출범에 따라 대중국 제재가 더 강화될 수 있는 만큼 ‘눈치 보기’에 들어간 것이라는 해석도 나온다. 무엇보다 CXMT의 DDR5가 삼성전자나 SK하이닉스의 제품과 비슷한 성능을 구현하는지 밝혀지진 않았지만, 업계에서는 국내 업체들의 제품과는 큰 성능 격차가 있을 것으로 보고 있다. 중국은 지난 2019년부터 이어진 미국의 대중국 극자외선(EUV) 장비 제재로 EUV를 활용해 반도체를 만들 수 없다. 네덜란드 ASML이 독점 생산하는 EUV는 초미세 반도체 제조를 위한 필수 장비다.

삼성전자는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명을 승진 발령하는 내용의 2025년 정기 임원 인사를 실시했다고 29일 밝혔다. 승진 규모는 지난해 대비 소폭 줄었으나 미래 성장을 이끌 인공지능(AI)과 6G, 차세대 반도체 등 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다. 삼성전자는 “현재의 경영 위기 상황 극복을 위해 성과주의 원칙 하에 검증된 인재 중심으로 세대교체를 추진하는 등 인적 쇄신을 단행했다”며 “주요 사업의 지속 성장을 이끌 리더십을 보강하는 한편 신성장 동력 강화를 위해 소프트웨어, 신기술 분야 인재를 다수 승진시켰다”고 말했다. 주요 사업분야에서 성과 창출과 핵심적 역할이 기대되는 리더들이 부사장으로 승진했다. AI 가전의 기능 고도화 등의 성과를 창출한 홍주선(53) 디바이스경험(DX)부문 생활가전(DA)사업부 회로개발그룹장, 스마트폰 선행 디자인 전문가인 부민혁(51) 모바일경험(MX)사업부 Advanced디자인그룹장, 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도한 배승준(48) 디바이스경험(DS) 부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 등이 부사장으로 승진했다. 또 6G 에코시스템 구축 등을 주도한 박정호(50) DX부문 CTO SR 차세대통신연구센터 부센터장, 갤럭시 AI 개발 과제를 주도한 이형철(48) MX사업부 스마트폰S/W PL2그룹장 등 차기 신기술 분야에서 역량이 입증된 우수인력이 다수 승진했다. 이번 인사에서는 30대 상무 1명과 40대 부사장 8명이 배출됐다. 지난해(30대 상무 1명, 40대 부사장 11명)보다는 규모가 줄었다. 신규 임원 승진자 중 최연소는 하지훈(39) DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 상무다. 여성·외국인 리더 발탁 기조도 이어갔다. 온라인 비즈니스 전문가인 서정아(53) DX부문 MX사업부 Digital Commerce팀장, B2B 영업 전문가인 이지연(45) DX부문 한국총괄 A&E영업2그룹장 등 여성 리더와 태국 출신의 시티촉(52) DX부문 동남아총괄 TSE-S법인 상무 등이 있다. 삼성전자는 이날 임원 인사로 경영진 인사를 마무리한 데 이어 조만간 조직개편과 보직인사를 확정해 발표할 예정이다.

원삼면에 차세대 D램 팹 4기 건설이동·남사읍엔 시스템반도체 산단산단 완공 땐 세계 반도체 33% 생산지역 산단 1년 새 469개 기업 유입벤처·창업기업 늘어 IT 인재 몰려인구 장기적으로 150만명 넘을 것이동읍에 1만 6000가구 신도시 예정반도체 인재 특화된 정주 여건 조성경기 용인시가 세계 최대 규모 반도체 생태계를 구축하면서 글로벌 반도체 중심도시를 향한 힘찬 비상을 하고 있다. 용인시는 첨단시스템반도체 국가산업단지와 반도체클러스터 일반산단, 삼성전자 미래연구단지 등 3곳을 잇는 1244만㎡(약 376만평)의 ‘L’자형 반도체클러스터를 조성하고 메모리와 파운드리, 연구개발(R&D), 소재·부품·장비(소부장) 기업 등 반도체 전 분야를 아우르는 세계 최고의 밸류체인 모델 도시 계획에 박차를 가하고 있다고 24일 밝혔다. 용인에서는 현재 SK하이닉스의 원삼면 반도체클러스터 일반산단과 삼성전자가 입주할 이동·남사읍 첨단시스템반도체 국가산단 등 세계 규모의 반도체 산업단지 2곳이 조성되고 있다. 원삼면 용인반도체클러스터에선 내년 3월 인공지능(AI)에 쓰이는 대표적 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산하는 첫 번째 제조공장(팹) 건설이 시작된다. 팹 1기는 잠실 롯데월드타워 5동을 합한 규모다. SK하이닉스는 팹 4기를 건설할 계획이다. SK하이닉스가 122조원을 투자하는 415만 6135㎡ 규모의 용인반도체클러스터에는 4개 팹 운영에 1만 2000명, 지원시설에 3000명 등 1만 5000명이, 협력화단지 내 소부장 업체에 8000명 등 총 2만 3000여 명의 정보기술(IT) 인재가 들어온다. ●솔브레인 등 29개 기업과 입주 협약 2027년 첫 번째 팹 가동에 맞춰 협력업체들도 대거 입주한다. 협력화단지에는 50여 반도체 소부장 기업들이 들어올 예정이다. 벌써 37개 필지 가운데 31개 필지에 원익IPS, 주성엔지니어링, 솔브레인 등 굴지의 소부장 기업 29곳이 시와 입주 협약을 마쳤다. 이동·남사읍엔 이보다 훨씬 큰 반도체 국가산단이 조성된다. 삼성전자가 360조원을 투자하는 첨단시스템반도체 국가산단 면적은 728만㎡로 용인반도체클러스터의 1.75배나 된다. 삼성전자는 6기의 팹을 세울 예정이다. 국가산단은 내년 초 국토교통부가 산단 계획을 승인하면 토지 보상이 진행된다. 함께 입주할 소부장, 팹리스 기업들도 200여개에 달할 것으로 보인다. 대한민국 반도체 신화가 시작된 기흥구 농서동 삼성전자 기흥캠퍼스엔 122만㎡ 규모의 미래연구단지가 조성된다. 차세대 첨단 반도체 기술의 경쟁력 강화를 위한 핵심 연구기지다. 삼성전자는 약 20조원을 투자해 2028년까지 세계 최고 수준의 파운드리 및 차세대 비메모리 분야 R&D 센터를 구축한다. 국가산단에는 5만명의 IT 인재가, 미래연구단지에는 5000여명의 전문 인력이 유입될 전망이다. 정부는 첨단시스템반도체 국가산단 지정 이후 ‘세계 최대 반도체 메가 클러스터’라는 표현을 쓰기 시작했는데 그만큼 엄청난 투자가 진행된다. 반도체 앵커기업인 삼성전자와 SK하이닉스는 이들 3곳에 502조원을 투자한다. 반도체 산단이 조성되면 세계 반도체의 3분의1이 대한민국 용인에서 생산될 것이란 전망이 나온다. 그뿐이 아니다. 용인반도체클러스터 협력화단지에는 국내 반도체 소부장 기업들이 염원하는 ‘첨단 반도체 양산 연계형 미니팹’(테스트베드)도 들어선다. 소부장 기업이 개발한 제품이나 소재가 생산라인에 투입될 수 있는지 실증하는 시설이다. ●소부장 세계 빅10 기업 중 3곳 모여 용인이 반도체 중심도시로 급부상하면서 세계적인 소부장 기업들도 모여든다. 세계 10대 반도체 장비업체 가운데 한국에 들어온 6곳 중 램리서치, 도쿄일렉트론, 세메스 등 3곳이다. 램리서치는 최근 한국 본사까지 용인으로 이전했다. 국내 굴지의 반도체 장비업체들도 용인으로 모여들고 있다. 반도체 중심도시로 경제 규모가 급격히 커질 것으로 예상되면서 창업기업이나 벤처기업들의 입주도 이어진다. 용인엔 기흥ICT밸리 등 5개 도시첨단산단과 용인테크노밸리 등 21개 일반산단(2곳 추진 중)이 있는데 지난해부터 지난 9월 23일까지 469개 기업이 입주했다. 첨단기업들이 모여들면서 용인은 IT 인재들의 집결지로 부상하고 있다. 벤처기업이나 창업기업들이 늘어나는 만큼 대규모 인력의 유입이 예상된다. 이는 대규모 인구 증가로 연결될 것이다. ●외국인 유학생 급증, 등록 2만명 돌파 외국인 전문 인력도 대거 유입될 것으로 보인다. 용인에 거주하는 등록 외국인은 지난 9월 기준 2만 796명으로 처음으로 2만명 선을 넘었다. 지난 9월에만 1230명이 증가했는데 외국인 유학생 급증이 주요 원인으로 분석됐다. 용인시는 전문직 외국인도 늘어날 것으로 본다. 이처럼 내외국인 인구 유입이 이어지면서 용인 인구가 중장기적으로 150만명을 넘을 것이란 전망까지 나온다. 지난 5월 용인시 총인구는 110만명을 넘어섰다. 시는 도시기본계획도 전면 수정한다. 2035년 계획인구는 128만 7000명인데 2040년 20만명 이상 더 늘어날 것으로 보고 주거지역이나 공업지역을 조정하려는 것이다. 시는 국토연구원과 긴밀하게 협의해 내년 상반기 경기도에 2040년 용인도시기본계획을 제출할 방침이다. 중단기적으로 교통망을 확충하고 주택공급도 확대할 계획이다. 시는 국도 45호선 확장, 국도 17호선 확장 등 반도체 산단 건설에 따라 시급한 진입도로를 확충하는 것과 별도로 시 전역을 고속도로나 자동차전용도로로 촘촘히 엮는 L자형 3축 도로망 계획을 세워 추진하고 있다. 반도체 산단에서 활동할 IT 인재들의 정주 여건 조성을 위해 1만 6000가구 규모의 반도체 특화 신도시를 한국토지주택공사(LH)와 함께 이동읍에 조성할 예정이다. 이상일 용인시장은 “용인시가 전국 최대 규모의 특화단지로 지정되면서 삼성전자와 SK하이닉스를 선도기업으로 하는 ‘용인 L자형 반도체 벨트’의 반도체 생태계는 세계 최고가 될 것”이라며 “반도체 경쟁력 강화를 위해 가장 중요한 것은 정부의 혁신적이고 전폭적인 지원이 신속하게 이뤄지는 것이며, 용인시도 정부와 손발을 맞춰 사업을 진행할 것”이라고 강조했다.

삼성전자가 18일 경기 용인시 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 ‘New Research & Development-K’(NRD-K) 설비 반입식을 개최했다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 10만 9000㎡ 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 20조원을 투자한다. 메모리, 시스템, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한곳에서 이뤄지도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 기흥캠퍼스는 고 이병철 삼성 창업회장이 1983년 2월 반도체 사업의 시작을 알리는 ‘도쿄 선언’ 이후 반도체 사업을 본격화한 상징적인 곳이기도 하다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고 1993년 메모리 반도체 분야 1위를 이뤄 냈다. 전영현 삼성전자 부회장은 이날 기념사에서 “삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다”고 말했다.

3분기 선택·집중 영업익 40% 넘어AI 강세에 HBM 매출 70% 급등‘HBM 주도권’ 4분기도 승승장구증권가 “삼성 영업익 4조대 추정” 고대역폭 메모리(HBM) 주도권을 쥔 SK하이닉스는 3분기 매출, 영업이익, 순이익 모두 사상 최대 실적을 올렸다. 고부가가치 제품 중심으로 선택과 집중을 하면서 영업이익률은 40%를 넘었다. HBM 개발 과정에서 어려움을 겪었지만 절치부심하며 기술력을 끌어올린 게 결국 위기 후 찾아온 기회를 잡도록 했다. 4조원대로 추정되는 3분기 삼성전자 반도체 부문 영업이익을 넉넉히 추월하면서 국내 반도체 생산 ‘만년 2위’ 딱지도 벗어던졌다. 이 흐름이라면 4분기 최대 실적 기록도 다시 쓸 것으로 전망된다. ●SK하이닉스 4분기도 1위 자리 예약 SK하이닉스는 연결 기준 3분기 매출과 영업이익이 각각 17조 5731억원, 7조 300억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 분기 기준 역대 최대 실적을 기록한 지난 2분기 16조 4233억원보다 1조원 이상 많다. 영업이익은 반도체 초호황기였던 2018년 3분기(6조 4724억원) 기록을 크게 뛰어넘었다. 순이익은 5조 7534억원으로 집계됐다. 회사 측은 고부가가치 제품 위주로 판매가 늘며 D램과 낸드 모두 평균판매단가(ASP)가 직전 분기 대비 10% 중반대로 오른 게 사상 최대 영업이익을 거둔 배경이라고 설명했다. 인공지능(AI) 메모리 수요 강세가 지속돼 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상 늘었다. 전체 D램 매출의 30%에 달한 HBM 매출 비중이 4분기 40%로 커질 것으로 전망되면서 4분기 실적 기대감도 커졌다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 SK하이닉스 4분기 영업이익 컨센서스(증권사 전망치 평균)는 7조 9460억원이다. 지난달 양산에 들어간 5세대 HBM3E 12단 제품도 4분기 내 고객사에 공급될 예정이다. SK하이닉스는 시장 수요가 늘고 있는 고용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)를 앞세워 낸드 사업의 수익성을 끌어올린다는 계획이다. 3분기 낸드 매출 비중에서 eSSD는 60% 이상을 차지했다. ●“최태원 반도체 뚝심 투자 통했다” 삼성전자의 3분기 부문별 상세 실적은 오는 31일 공개되지만 영업이익 기준으로 SK하이닉스가 삼성전자 반도체(디바이스솔루션·DS) 부문을 따돌렸을 것으로 관측된다. 한화투자증권 김광진 연구원은 지난 8일 3분기 삼성전자 잠정실적 발표 당시 DS부문이 3분기 4조 4000억원의 영업이익을 기록했을 것으로 추정했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기에도 2조 8860억원의 영업이익을 올려 삼성전자 DS부문 영업이익(1조 9100억원)을 넘어섰다. 두 기업이 흑자를 낸 분기 기준으로 보면 SK하이닉스의 두 번째 ‘역전’이다. 다만 삼성전자는 파운드리(위탁 생산)와 시스템LSI 사업부의 조 단위 적자, 성과급 충당금 등 일회성 비용이 DS부문 영업이익을 깎아 먹은 측면도 있다. SK하이닉스가 HBM을 세상에 내놓은 건 2013년 12월의 일이다. 2009년부터 고성능 메모리 수요에 대비해 HBM 개발에 나섰고 4년간의 개발 과정을 거쳐 1세대 HBM을 선보였다. 2012년 채권단 관리에서 벗어나 SK그룹에 인수된 SK하이닉스는 연구개발(R&D) 등에 대규모 투자 비용을 쏟아부었다. 당시 그룹 내 반대에도 반도체 산업의 성장 가능성을 확인하고 대대적 투자를 밀어붙인 최태원 SK그룹 회장의 ‘뚝심’이 통했다는 평가가 나온다. ●SK하이닉스 1%↑… 삼성은 또 최저가 SK하이닉스는 2세대 HBM 개발 과정에서는 삼성전자에 선두를 뺏겼지만 2019년 3세대 HBM2E를 가장 먼저 개발하면서 주도권을 되찾아왔다. 이 시기 삼성전자는 HBM 시장성이 크지 않다고 판단하고 개발 인력을 축소한 것으로 전해진다. 당시 경영진의 판단 미스가 AI 시대 경쟁력 저하로 이어진 셈이다. 일부 인력이 SK하이닉스 쪽으로 넘어간 것으로 알려졌지만 박명재 SK하이닉스 부사장은 지난 6월 자사 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM 설계 조직에 들어온 경쟁사 인력은 한 명도 없다”며 자체 기술로 개발했음을 강조했다. SK하이닉스의 최전성기가 내년에도 이어질지에 대해선 회의적인 시각도 있지만 회사 측은 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 “현시점에서 AI 반도체나 HBM의 수요 둔화를 거론하는 것은 시기상조”라고 밝혔다. 그러면서 “내년에도 (HBM) 공급보다는 수요가 강한 상황이 지속될 것으로 전망한다”고 덧붙였다. 차세대 HBM인 HBM4에 대해서는 예정대로 내년 하반기 고객 출하를 목표로 개발 중이라고 했다. 이날 SK하이닉스 주가는 직전 거래일 대비 1.12% 오른 19만 8200원에 거래를 마쳤다. 반면 삼성전자는 4.23% 내린 5만 6600원에 장을 마감하며 지난해 1월 3일(5만 5400원) 이후 1년 9개월 만에 최저치를 기록했다. 외국인이 역대 최장인 32거래일 연속 순매도 행진을 이어 갔다.

“인공지능(AI) 수요는 진짜다. 이제 시작일 뿐이다.”(TSMC) 대만 반도체 파운드리(위탁 생산) 기업 TSMC가 AI 붐으로 올 3분기 시장 예상치를 뛰어넘는 순익을 거뒀다. 올 4분기 전망치 역시 시장 전망치를 웃돌면서 네덜란드 ASML의 기대 이하 실적에 다시금 대두됐던 ‘반도체 겨울론’이 일부 불식될 것으로 보인다. 다만 TSMC의 독주에 파운드리 영역에서 경쟁 관계에 있는 삼성전자 위기론에 힘이 실리는 모양새다. 일각에선 TSMC와 엔비디아 간 동맹에 균열이 있다는 보도가 나오면서 삼성전자가 기회를 잡을 수 있을지에도 관심이 모인다. 17일 로이터통신 등에 따르면 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC의 올 3분기 순이익은 3253억 대만달러(약 13조 8000억원)로 지난해 같은 기간 대비 54.2% 급증한 것으로 나타났다. 이는 시장조사 업체인 LSEG가 제시한 시장 예상치 3000억 대만달러를 뛰어넘는 실적이다. 앞서 TSMC는 올 3분기 매출이 지난해 대비 36.5% 증가한 236억 2200만 달러를 기록했다고 밝혔다. 이날 공개한 올 4분기 매출 가이던스는 261억~269억 달러로 이 또한 시장 예상치를 웃돈다. TSMC는 AI 모델을 학습시키는 데 필요한 최첨단 반도체를 위탁 생산하는 업체로 전 세계적인 AI 지출 급증 추세에 따른 핵심 수혜 기업으로 꼽힌다. 특히 AI 붐을 이끌고 있는 엔비디아와 30년 가까이 끈끈한 관계를 이어 오고 있다. 최근 두 회사는 신제품 출시 연기를 두고 갈등론이 불거졌다. 16일(현지시간) 미 정보기술(IT) 전문매체 디인포메이션은 복수의 소식통을 인용해 “AI 분야에서 가장 성공적이고 수익성 높은 제휴 관계가 긴장의 조짐을 보이고 있다”고 보도했다. 엔비디아와 TSMC가 차세대 AI 반도체인 ‘블랙웰’ 시리즈 생산을 두고 서로를 비난하고 있다는 것인데, 블랙웰 시제품에서 결함이 발견되며 출시 시기가 늦춰진 것과 관련해 엔비디아는 TSMC의 후공정 기술에 문제가 있다고 주장하는 반면 TSMC는 엔비디아가 자사 설계에 문제가 있었음에도 설계를 서둘렀다는 입장인 것으로 알려졌다. 상황이 이렇다 보니 엔비디아가 삼성전자에 일부 물량을 맡길 것이라는 관측도 나온다. 최신 AI 칩보다 비교적 간단하게 제조가 가능한 게임용 그래픽 처리장치(GPU) 제조를 삼성전자에 맡기는 걸 검토 중이라는 설명이다. 해당 언론은 “엔비디아는 현재 삼성전자와 해당 칩 제조 단가에 대해 협상 중”이라고 전했다. 한편 올 3분기 부진한 실적으로 전례 없는 위기론에 휩싸인 삼성전자는 이날 업계 최초로 12나노급 ‘24Gb(기가비트) GDDR7 D램’ 개발을 완료했다고 밝혔다. 업계 최고 사양인 이번 제품은 전작보다 용량·성능·전력 효율이 모두 향상됐다. 12나노급 미세 공정을 적용해 동일한 패키지 크기에서의 셀 집적도를 높였고 전작 대비 50% 향상된 용량이다. 그래픽 D램 중에서는 업계 최고 속도인 40Gbps를 구현했다. 사용 환경에 따라선 최대 42.5Gbps까지의 성능도 가능한데 이는 SK하이닉스가 지난 7월 공개한 GDDR7 속도(최대 40Gbps)보다 빠르다. GDDR은 고대역폭메모리(HBM) 대비 상대적으로 저렴하며 높은 전력 효율을 구현해 AI 시대에 응용처가 더욱 확대될 것으로 기대되는 D램이다. 일반적으로 데이터 학습을 위한 고성능 AI 칩에는 HBM이 주로 사용되며 데이터 추론을 위한 AI 칩에는 GDDR이 사용된다.