정보통신부는 하나의 반도체 칩에 여러 기능을 집적해 복합기능화, 저전력화, 고성능화를 가능하게 하는 차세대 반도체 SoC(System on Chip)의 최신 기술 및 제품을 확인할 수 있는 ‘IT-SoC 페어 2006’을 1∼2일 서울 코엑스 인도양홀에서 개최한다.이번 행사는 4개국 총 47개의 국내외 업체 및 기관이 참가한다. 전시장 특별부스에서는 삼성전기, 코아로직, 엠텍비젼 등 SoC 기업들이 채용 면담도 한다.

과학기술부와 한국산업기술진흥협회는 14일 ‘이달의 엔지니어상’ 2월 수상자로 하이닉스반도체 박성계(사진 왼쪽·39) 수석연구원과 서울화학 정종석(오른쪽·54) 대표이사를 선정했다. 박 수석연구원은 D램 제품의 성능을 결정하는 주요 인자인 저전력 및 고속 동작의 특성을 향상시키는데 핵심 역할을 수행했다. 이를 통해 D램 제품의 수율은 높이고, 불량률은 낮추는데 공헌했다. 정 대표는 가공목재(MDF)용 전사지를 개발해 수출하는 등 그동안 불모지였던 국내 전사지 산업발전에 기여한 점이 높이 평가됐다. 정 대표가 개발한 가공목재(MDF)용 전사필름은 수입대체 효과를 거두며 국내시장 점유율이 70%를 넘고 있다.

삼성전자는 지난 15일부터 미국 하와이에서 열리고 있는 ‘2004 VLSI 심포지엄’에서 ▲50나노 이하급 차세대 트랜지스터 제조기술 ▲세계 최초의 64Mb 대용량 P램기술 ▲70나노 노아(NOR) 플래시 및 저전력 D램 기술 등 22가지의 차세대 반도체 기술을 발표했다고 16일 밝혔다.삼성전자는 지난해 12월 국제전자소자회의(IEDM) 최다 논문 발표,지난 2월 세계고체회로회의(ISSCC) 최우수 논문 선정에 이어 이번 VLSI학회에서 최다 논문을 발표함으로써 3대 반도체 학회에서 최고의 기술력을 입증받았다.˝

삼성전자는 모바일용 차세대 메모리 반도체인 4Mb F램(강유전체 메모리)을 세계 처음 개발했다고 16일 밝혔다. F램은 집적도가 높고 고용량인 D램과 고속·저전력 제품인 S램,전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 플래시메모리 등 기존 메모리의 장점을 지닌 새로운 개념의 메모리다.제조공정이 단순하고 제조원가가 낮은 데다 기존 메모리 제조라인을 사용해 투자부담도 적어 업체간 개발경쟁이 치열하다. 삼성전자는 1998년 4Mb F램의 엔지니어링 샘플을 개발한 데 이어 이번에 32Mb 제품 기술과 이 기술을 적용한 4Mb F램 개발을 마치고,이를 휴대폰에 완벽히 탑재해 모바일 기기용으로 선보였다. 삼성전자의 4Mb F램은 기존 256Kb 제품의 16배 용량이며 3.0V의 저전압 동작,80ns(나노초:10억분의 1초)의 고속동작,비휘발성 등의 특성을 갖추었다. 삼성전자는 네트워크 기기의 배터리 백업용 S램 시장과 내년부터 급격한 성장이 예상되는 모바일용 F램 시장의 선점에 본격적으로 나서는 한편 64Mb 이상의 F램 개발을 본격화할 계획이다. 메가급의 대용량 F램은 휴대폰,PDA,스마트폰,스마트카드,네트워크 제품 등에서 폭넓게 사용될 것으로 보이며 시장규모는 2004년 33억달러,2008년 267억불로 예상된다. 현재 전세계적으로 F램 개발 기술은 삼성전자와 일본의 후지쓰,미국의 텍사스인스트루먼트(TI) 정도만이 보유하고 있다. 박홍환기자 stinger@

삼성전자는 256메가 저전력 SD램을 업계 처음으로 양산한다고 23일 밝혔다.이 제품은 2.5V 저전압에서 작동되도록설계돼 저장용량이 크다.소비전력과 사이즈가 작은 차세대휴대형 디지털 정보기기용 SD램 시장에서 개발경쟁이 가장치열한 고부가가치 반도체다.

수출 원동력인 반도체 산업의 전망을 놓고 치열한 논쟁이불붙었다.경기가 언제쯤 되살아날지,차세대 주력제품은 어떤 게 될지 등 핵심 사안에 대해 전문가와 업계의 분석들이 저마다 다르다.산업의 미래가 오리무중(五里霧中)이다보니 삼성전자 하이닉스반도체(옛 현대전자) 등 국내외 업계는 좌표를 찾지 못해 애태우고 있다. [전망 제각각] 업계 관계자는 “지금처럼 다양한 분야에서전문가의 분석이 엇갈린 적이 없었다”고 말했다.극도의 경기 침체와 시장 주력제품의 전환 등 요인이 교묘하게 맞물렸기 때문이다.잇따른 신제품 개발과 D램 공급처의 다변화도이유로 꼽힌다. [경기 언제 풀리나] 지난 4월 미국에서 시작된 ‘바닥(최저점) 논쟁’이 국내에서도 활발하다.전문가들의 의견이 크게‘V곡선’과 ‘U곡선’으로 나뉜다.V곡선을 주장하는 측은지난해 하반기부터 급락한 SD램 반도체의 가격이 이미 최저점에 도달,오는 3·4분기 이후 V자형으로 가파르게 반등할것으로 본다.미국의 금리인하 효과가 통상 6개월 뒤 경기활성화로 나타난다는 게 이론적 근거다.미국은 금리를 지난 1월 내렸다. 반면 U곡선 이론가들은 10여년에 걸친 미국 경제의 호황과IT(정보기술)신경제의 거품이 걷히려면 시간이 더 필요하다고 말한다.그 시점은 빨라야 내년 초이고,그때까지는 U자 형태로 바닥권이 오래갈 것이라는 주장이다.삼성전자 관계자는 “제조업체 입장에서 전망치를 내놓기는 어렵지만 V곡선으로 가야만 국내 경제가 빠르게 활성화될 것”이라고 말했다. [DDR인가,램버스인가] 차세대 주력제품 방식을 놓고 양대진영으로 갈린다.삼성전자-도시바-인텔 진영은 램버스 D램의우세를 점치는 반면 하이닉스반도체-마이크론-인피니온 진영은 DDR D램을 주장한다.삼성전자측은 “초기시장에서 램버스가 KO승을 거뒀으며 DDR 적용제품은 거의 나와있지 않다”고 말했다.그러나 하이닉스측은 “DDR이 주류가 되고 램버스는 아주 작은 틈새시장을 형성하는 정도에 그칠 것”이라고 반박한다. [일반 SD램 힘 잃었나] 현재 쓰이는 일반 SD램의 퇴조 여부를 놓고도 설전이 한창이다.메리츠증권 최석포(崔錫布)연구위원은 “램버스나 DDR 가운데 하나가 시장 주력으로 자리잡으면 일반 SD램은 급격히 힘을 잃을 것”이라고 분석했다.그러나 삼성전자 관계자는 “일반 SD램의 비중은 상대적으로점차 줄어들겠지만 SD램의 사용처가 다양화하고 있기 때문에 퇴조는 있을 수 없다”고 말했다. [SD램 사용처 확대되나] 하이닉스측은 최근 저전력 메모리양산계획을 발표하면서 “IMT-2000(차세대이동통신)휴대폰등에는 SD램이 들어가게 될 것”이라고 발표했다.그러나 삼성전자 관계자는 “차세대 이동통신기기의 핵심칩 등이 나오지 않은 상태에서 SD램 장착 여부를 말하는 것은 너무나도먼 얘기”라고 했다. 김태균기자 windsea@

삼성전자가 지난 15일 국내 최초로 출시한 컬러 동영상 휴대폰에는 기존 휴대폰보다 훨씬 큰 배터리가 장착됐다.때문에 제품이 이전보다 눈에 띄게 커졌다.기존제품에는 500㎃(밀리암페어)용량의 배터리가 표준형(연속통화 200분 안팎)으로 쓰였지만 동영상폰에는 이보다 60% 더 많은 800㎃짜리가 장착됐다.배터리 용량이 높아지면 부피도 그만큼 늘어난다. 동영상 휴대폰·컬러 PDA(개인정보단말기) 등 첨단 정보기기들이 쏟아져나오고 있는 가운데 정보통신기기 제조업계가‘배터리와의 전쟁’에 들어갔다. 첨단 제품일수록 전력을많이 소모해 배터리 사용시간이 이전보다 크게 줄어든 탓이다. ■동영상폰 조명에 전력소모 4배 삼성전자는 동영상 휴대폰이 20만가지 고해상도 컬러와 동영상을 구현하기 때문에 전력소모가 많다고 설명했다. 관계자는 “연속통화 가능시간을 기존 제품과 비슷하게 유지하려다 보니 배터리의 크기를 키울 수 밖에 없었다”고말했다. 이달 중 나올 LG전자의 동영상 휴대폰도 사정은 마찬가지. 액정화면 배경조명의 전력소모가 20㎽(밀리와트)로 기존 제품(5㎽)의 4배에 이른다. ■“이용시간 늘려라” 배터리를 한번 충전해서 얼마나 오래 쓸 수 있느냐는 소비자의 선택을 좌우하는 핵심 요소.제조업계는 배터리 지속시간을 늘리기 위해 다양한 노력을 하고 있다. 지난해 말 휴대폰 겸용 PDA ‘PC-E폰’을 출시한 ㈜사이버뱅크는 제품출시 초기 2시간이던 무선인터넷 연속사용 시간을 2시간30분으로 늘리는데 성공했다.내장 소프트웨어를 저전력형으로 바꾸고 하드웨어에도 절전기능을 강화했다. 하반기에 컬러 PDA 출시를 준비 중인 ㈜세스컴은 다양한 형태의 배터리 성형기술을 활용,배터리 부피는 줄이고 용량은최대한 키운다는 목표다. ■배터리 세대교체 가속 정보통신 단말기의 고성능화에 따라 현재 주류를 이루고 있는 리튬이온 배터리가 한단계 발전된 리튬폴리머 배터리로 빠르게 대체될 전망이다.리튬이온 배터리는 모양을 자유롭게 변형시키기 어렵다. 휴대폰 배터리가 통상 두껍고 폭이 좁은 직육면체 형태로돼 있는 것은 이 때문이다.반면 리튬폴리머 배터리는 얇은막이나 공 모양등으로 쉽게 성형할 수 있어 제품의 전체부피를 줄일 수 있는 차세대 단말기용 배터리로 각광받고있다. ■배터리 업계에는 기회 국내 배터리 제조업계의 대표격인삼성SDI는 자체 개발한 리튬폴리머 배터리 ‘PLI’를 지난3월 컴팩의 PDA용으로 10만개 공급했다.3㎜ 두께의 얇은 리튬폴리머 박막을 여러개 겹친뒤 자유자재로 변형할 수 있는제품이다. 회사 관계자는 “정보통신 기기들이 첨단화하면서 고성능배터리의 수요가 크게 늘 것”이라고 말했다. 김태균기자 windsea@

“작은 것이 아름답다”다는 말이 가장 잘 적용되는 곳은 아마도 반도체 기술 분야일 것이다.크고 화려한 것이 흔히 대접받는 세상이지만 이 분야에서는 ‘작게,더 작게’가 절대적인 명제다.반도체 기술의 핵심은 한마디로 반도체안 회로의 굵기를 더 미세하게 만드는 것이다.반도체의 집적도를 높이고제품 원가를 낮추어 경쟁력을 올릴 수 있기 때문이다. 집적도가 높아지면 정보 저장 용량이 그만큼 늘어나는데 반도체의 저장용량은 보통 메가·기가·테라로 표시된다.물리학에서 메가는 10의 6제곱,기가는 10의 9제곱,테라는 10의 12제곱을 뜻한다.즉 메가는 100만,기가는 1조,테라는 1,000조의 단위다. 현재 상용화된 메가급 반도체의 회로 굵기는 머리카락 굵기의 1,000분의 1(1만분의 1㎜) 정도다.기가급은 4,000분의 1,테라급은 400만분의 1정도가 된다.한국은 지금 세계 반도체시장 메가D램 분야에서 점유율 1위를 차지하고있고,기가급 반도체 생산도 눈앞에 두고 있다.지난해 6월 삼성전자가 세계첫 4기가D램 공정기술을 개발,2001∼2002년이면 제품 생산이 가능하다고 밝혔다. 기가급에 이어 테라급 반도체 생산이 가능한 기반기술이 우리 학자들에 의해 개발됐다.연세대 黃正男·呂寅煥,포항공대 姜明昊교수 팀이 반도체를 구성하는 핵심물질인 실리콘과 산소를 원자 수준에서 미세하게 조절할 수 있는 방법을 찾아내 최근 국제학계에 발표했다. 이들은 상온(常溫)에서 실리콘 원자 한 개와 산소원자 한 개가 결합할 때의 기본과정 및 원리를 규명했고 아울러 분자 크기의 글자를 써내는데 성공했다.지난 90년 미국 IBM사가 원자글자를 처음 써보였지만 상온이 아닌 섭씨마이너스 269도(절대영도 근방)의 극저온 상태에서였다. 원자를 자유롭게 조작할 수 있는 실험적·이론적 근거를 제시한 이 연구결과에 따라 앞으로 초미세·초저전력·초고속의 마이크로 컴퓨터를 개발할 수 있게 됐다.이 기술을 바탕으로 테라급 반도체가 만들어지면 현재 300∼400평 정도의 공간을 차지하는 슈퍼 컴퓨터를 책상에 올려 놓을 수 있는 소형으로 축소 할 수 있다니 획기적인 기술개발이 이루어진 셈이다.이 기술의 실용화는 2010년 정도에 가능할 것으로 연구진은 전망한다. 지금까지 한국의 메가D램 반도체 기술이 막대한 로열티를 지불해야 하는 외국의 기반기술을 바탕으로 한 것인데 비해 이번 초미세 반도체 기반기술은순수한 우리 기술을 바탕으로 차세대 반도체 개발의 길을 텄다는 점에서 더욱 의미가 깊다.

○초소형 초경량 디지털 핸드폰 ◇어필텔레콤 어필 PCS 초소형 초경량 핸드폰이다.디지털 이동전화의 주요 기능은 모두 갖췄다.크기 105×43×19.8㎜,무게 79g.저전력 회로를 내장했으며 리튬이온 배터리(중용량)사용시 최대 180분 연속통화와 96시간 연속대기가 가능하다.세련된 디자인과 휴대가 편리한 점도 장점이다. ○문자서비스 제공 셀룰러폰 ◇모토로라 마이크로택­8000 한글 메뉴와 한글 문자서비스를 제공한다.모토롤러가 자체 개발한 CDMA 디지털 칩을 내장했다.기존 아날로그택 제품 액세서리와 호환이 가능하다.스마트버튼으로 수십가지 기능 조작이 쉽고 통화감도가 선명하다. ○키표면 인쇄내용 잘 안지워져 ◇유일전자공업 이동전화 키패드 스위치 필름(폴리카보이트)과 플라스틱(ABS)을 소재로 한 국내 최초의 키 스위치(FI및 FL타입).감촉이 뛰어나다.기존 이동전화용 스위치는 실리콘 고무를 사용했다.삼성·현대·LG전자의 이동전화 신제품에 사용한다.키 표면에 인쇄된 글자가 지워지지 않고 다른 소재보다 가벼운 게 특징.12개 특허와 실용신안을 신청해 놓고 있다. ○이동전화 전자파 90% 차단 ◇디엘텔레콤 캡돔,캡체인 이동전화에서 나오는 전자파를 90% 차단한다.일본 제품보다 성능이 우수하다는 평가.세계 35개국 130여 업체에 수출할 정도다.캡돔은 소리까지 모아주는 기능을 갖췄으며 최고급 양면테이프를 사용했다.캡체인은 다양한 재질과 색상을 지녀 신세대가 선호하는 스타일이다. ○상호 메시지 교환 양방향 삐삐 ◇넥서스 TAG 양 방향 무선호출기이다.기존 무선호출 서비스의 최대 약점인 단방향을 보완해 상호간 메시지를 주고받을 수 있게 했다.E메일,팩스,PC통신 서비스와 통신할 수 있다.크기 100×65×23.5㎜ 무게 150g.4라인으로 20자까지 한 화면에 나타나 정보를 한눈에 알아볼 수 있다. ○키표면 인쇄내용 잘 안지워져 ◇유일전자공업 이동전화 키패드 스위치 필름(폴리카보이트)과 플라스틱(ABS)을 소재로 한 국내 최초의 키 스위치(FI및 FL타입).감촉이 뛰어나다.기존 이동전화용 스위치는 실리콘 고무를 사용했다.삼성·현대·LG전자의 이동전화 신제품에 사용한다.키 표면에인쇄된 글자가 지워지지 않고 다른 소재보다 가벼운 게 특징.12개 특허와 실용신안을 신청해 놓고 있다.

◎시설·연구비 3년간 집중 배정 LG반도체는 25일 초고속D램,미디어 프로세서,TFT­LCD를 ‘21세기 승부사업’으로 선정해 집중 육성키로 하고 오는 2000년까지 시설투자와 연구개발에 모두 13조원을 투자할 방침이라고 발표했다. LG반도체 문정환 부회장은 최근 미국 샌프란시스코에서 6개 해외 지역본부장을 비롯 전 임원이 참석한 사업전략회의를 열고,이같은 내용의 사업전략을 확정했다.사업계획은 오는 2000년 10조원,2005년 30조원의 매출을 달성할 계획이다. LG는 초고속D램 부문에서 98년 말부터 메인 메모리에 채용이 예상되는‘램버스D램­다이렉트’(범용D램보다 처리속도가 30배 이상 빠른 제품)를 세계 최초로 제품화,약 20%의 시장 점유율을 확보해 세계 최대 메이커로 부상하고 미디어 프로세서 부문에서는 메모리와 로직의 복합기술,저전력기술,초소형 패키지기술 등의 핵심기술 개발력을 강화해 나갈 예정이다. 또 TFT­LCD 부문에서 노트북을 중심으로 시장 점유율을 확대해 나가는 한편 모니터용 LCD의 세계 3대 공급 메이커로 성장하기 위해앞으로 5년동안 약 4조원을 투자해 2000년 2조,2005년 6조원의 매출을 달성키로 했다.

LG반도체는 동작하는데 드는 전력을 최소화해 휴대용기기의 주기억용 소자로 사용될 수 있는 초저전력 고속 1M S램을 개발,7월부터 본격 양산할 계획이다. 17일 LG반도체에 따르면 1M S램은 박막 트랜지스터 기술을 채택,최소한의 전력으로 작동이 가능하며 동작시에는 자동적으로 전력소모가 줄어드는 회로기술을 채택해 건전지에 의존하는 개인용 정보단말기,휴대용 전화기,전자수첩 등에 매우 적합한 제품이다.

◎미 NASA연구팀,극소형 화소센서 개발/사진 촬영­영상 컴퓨터출력­디스켓 저장 가능 컴퓨터칩 한개 크기의 극소형 카메라개발이 실현을 눈앞에 두고 있다. 비즈니스위크지에 따르면 각종 사진촬영은 물론 영상의 컴퓨터출력이나 디스켓 저장이 가능하도록 아날로그­디지털신호 내부 변환장치까지 갖춘 극소형 화소센서가 미국항공우주국(NASA·나사)연구팀에 의해 개발돼 게임용 주사위만한 크기의 비디오카메라 등장을 예고하고 있다. 「활성 화소센서」라는 이 장치의 개발자는 나사소속 캘리포니아 기술연구소 제트추진연구팀의 포섬씨(38)등 3명으로 위성탑재용 소형카메라 제작에 손댄 것이 이 장치 개발의 계기가 됐다.이들은 처음 CCD(전하결합소자)라는 기존의 전자영상센서칩에 조절회로를 삽입하는 연구를 했으나 도중에 방향을 선회,컴퓨터회로와 유사한 한개의 칩에 수천개의 미세 CCD를 집적시키는 새로운 방법을 생각하기에 이르렀다. CCD는 25년전 AT&T의 벨연구소에 의해 개발돼 현재 팩시밀리 캠코더등에 널리 쓰이는 전자영상센서.개발당시연구자들은 한개의 칩을 빛감지장치(픽셀,화소)로 감쌀 수 있다는 것을 알고 있었다.각 화소는 광자를 포착해 빛의 명도에 따라 이를 전자로 바꾼다.문제는 화소로부터 전달된 신호를 복구시키는 방법.각 화소를 선으로 연결시키면 칩이 금속물질에 싸여 암흑속에 빠지고 만다.이에 벨연구소는 칩의 가장자리에 이르기까지 한 화소에서 다른 화소로 전자를 연결시키기 위해 서로 다른 전압을 가진 전극의 사용을 착안하기에 이르렀다.하지만 이들 CCD칩에는 초순도의 실리콘이 필요한 데다 많은 전력소모와 주문제작공정이 요구돼 이 착상은 실현되지 못했다. 나사 연구팀이 단일칩 센서제작에 성공한 것은 회로선폭을 1M 이하까지 줄일수 있는 반도체칩 기술의 눈부신 발전 덕분이다.연구팀은 25년전에 비해 10분의1두께에 불과한 한개의 칩에 화소를 연결시켰을뿐만 아니라 증폭기와 줌등의 명령해독회로,시간조절기능,아날로그­디지털 변환기능까지 추가시킴으로써 CCD의 1%에 불과한 전력으로 완벽한 기능을 갖는 극소형 센서를 개발할수 있었다. 시력을 가진장난감인형,자동차 후진보조용 뒷범퍼카메라,휴대용 비디오폰,비디오 유아 감시기등 소형화,저전력을 요구하는 품목에서 이 기술의 응용분야는 무궁무진하다.CCD에서 일본에 추월을 당한 전력이 있는 AT&T는 이번 기회를 설욕전의 호기로 보고 나사연구팀과 손을 잡았다.20달러이하의 저가에 비디오전화의 카메라 관련 장비를 공급할수 있는 기술을 개발하는게 목표. 이것이 실현되면 스피커 장착 멀티미디어 PC 대신 비디오영상회의 장치가 기본사양이 되는 멀티 PC시대가 열릴수 있을 것이라는 게 관계자들의 기대다.

◎시제품 성공… 98년부터 상용화/손톱크기 칩에 16만자 저장 가능 최첨단 반도체인 2백56메가 D램이 국내 기술진에 의해 세계 최초로 개발됐다.한국의 메모리 분야 반도체 기술이 세계 최고임이 입증된 셈이다. 삼성전자(대표 김광호)는 29일 차세대 메모리 반도체인 2백56 메가 D램을 세계 최초로 개발,풀리 워킹 다이(Fully Working Die,완전한 시험용 제품)를 만드는데 성공했다고 발표했다. 2년6개월 동안 1천2백억원을 들여 개발한 이 제품은 2억7천만개의 셀(단위 소자)이 완벽하게 작동하는 샘플로,아직까지 일본을 비롯한 선진 반도체 업계도 개발하지 못한 것이다. 2백56메가 D램은 2백자 원고지 8만장,신문 2천쪽,단행본 40권 분량의 정보를 손톱 크기의 칩에 저장할 수 있는 초고집적 메모리이다.컴퓨터 및 고성능 워크스테이션의 주 기억장치에 주로 사용되며,향후 멀티미디어 제품과 HD(고화질) TV에도 응용할 수 있는 「차세대 전자산업의 쌀」로 알려져 있다. 삼성은 초전압 구동 설계기술을 적용함으로써 2·2∼2·4V의 저전력화를 실현하고,양산에 이용할 수 있는 공정기술을 채택해 차세대 전자제품에 쉽게 쓸 수 있도록 했다고 밝혔다.처리 속도는 40나노초(나노는 10억분의1). 김광호 사장은 『2백56메가 D램은 오는 98년쯤부터 상용화가 시작돼 2000년에 들어서면 본격적인 시장이 형성될 것으로 예상된다』며 『이 제품 하나로 현 반도체 수출(올해 추정 1백억달러)의 2배 이상의 실적을 올릴 것으로 기대한다』고 말했다. 이 제품과 관련,삼성은 이미 1백29건의 특허를 국내에,49건은 미국 등 해외에 출원을 완료한 상태여서 선진국의 특허 및 덤핑 공세에도 유리하게 대응할 수 있다. ◎삼성,256MD램 개발 의미/반도체,미·일 완전추월 개가/양산초기 부가가치 ㎏당 금의 약15배/2천년초 주력제품… 유리한 고지 선점 반도체의 개발은 통상 설계,워킹 다이(시험용 제품),엔지니어링 샘플,시제품 및 양산의 5단계로 이뤄진다.삼성전자가 개발한 2백56 메가 D램은 2단계인 워킹 다이이다.일견 5분의 2 정도의 진척도인 것 같지만,사실은 전부라 할 수 있다.워킹 다이 이후는 상용화를 위한「다듬기」에 불과하다. 지난 92년 개발에 착수,지난 4월 설계에 성공한 삼성은 4개월 뒤인 지난 18일 워킹 다이를 확보했다.그러나 단위 소자(CELL)의 완벽한 리페어를 확인하기 위해 실험을 계속,지난 26일 완전한 샘플을 얻었다. 이건희 회장은 이 날 사저인 승지원에서 사장단을 모아 시험가동을 했으며,27일에는 청와대에도 보고했다.지난 73년 반도체 사업에 뛰어든 20여년만에 선진국을 완전 제친 것이다. 84년 초 일본과 미국보다 4년 늦게 64K D램을 개발했고,86년의 1메가 D램에서는 일본과의 격차를 2년으로 줄였으며 92년의 64메가 D램부터 일본을 앞질렀다. 2백56 메가 D램의 집적도는 삼성이 최초 개발한 64K D램의 4천배가 넘는다.부가가치에서 이 제품 1㎏은 양산 초기 약 20만달러로,㎏당 1만3천달러인 금보다 약 15배 정도나 비싸다. 세계 반도체 시장은 지난 해 8백60억달러에서 올해에는 1천억달러,97년 1천4백억달러,98년 1천6백억달러의 지속적인 성장이 예상된다.현재 4메가 D램이 전성기이고,16메가 D램이 시장 진입기에 있어 2백56 메가 D램은 오는 2000년 초기의 주력제품이 될 전망이다.2000년대에도 메모리 분야의 정상을 확고하게 지킬 수 있다는 얘기이다. 삼성은 96년 64메가 D램의 양산에 이어 곧 개시될 2백56 메가 D램의 양산 설비에 소요되는 막대한 투자비용을 절감하기 위해 2백56 메가 라인을 조기에 구축할 생각이다.이 라인에서 64메가 제품을 먼저 생산할 계획이라 경쟁력에서도 유리한 고지를 점령할 것으로 보인다. 양산까지는 다소의 시간이 걸리며,비용도 16메가의 3∼4배에 달하는 30억∼40억달러가 소요되리라는 것이 삼성의 설명이다.

◎「2백56메가D램」 개발 길 터 한국전자통신연구소(소장 경상현) 연구팀이 2백56메가D램 이상의 차세대 기억소자를 개발가능토록 하는 새로운 핵심 단위기억소자를 세계 최초로 발명했다. 이번에 한국전자통신연구소 이진효 책임연구원팀이 발명한 핵심단위소자는 지금까지 모든 D램에 사용된 모스트랜지스터 대신 속도가 빠른 바이폴라트랜지스터를 쓴 수직구조의 소자로서 고집적·저전력·초고속의 차세대 D램을 실현할 획기적인 발명으로 평가된다. 수직구조소자는 기존의 평면구조 소자에 비해 단위소자가 차지하는 면적을 50% 이상 축소할 수 있어 고밀도 D램을 제조하기 위한 그 동안의 어려움을 크게 완화할 것으로 기대된다. 따라서 이 소자가 실용화되면 2백56M급 D램 개발이 촉진될 것이며 기가비트D램 개발에의 도전이 앞당겨질 수 있다.