“섬성전자·SK 하이닉스, 수도권 대비 연간 8000억원 전력 비용 절감”차등요금제시 20년간 최대 16조 절감…Direct PPA로 주민 소득 연계호남 반도체 클러스터가 수도권 송전망 한계를 극복하고 2050 탄소중립과 지역균형발전을 이끌 미래 핵심 모델로 떠오르고 있다. 전남·광주 지역의 풍부한 무탄소 에너지를 기반으로 지산지소(地産地消)형 분산전력망을 구축할 경우, 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체 대기업이 연간 최대 8000억 원에 달하는 전력 비용을 절감할 수 있다는 분석이 나왔다. 이호근 전 연세대 교수는 최근 광주테크노파크에서 열린 (사)에너지밸리포럼 주제 강연에서 “‘전력이 있는 곳에 공장이 간다’는 정의로운 전환을 실현할 최적지가 바로 호남”이라며 “호남 반도체 클러스터는 대한민국 에너지 민주주의와 지속 가능한 균형발전의 이정표가 돼야 한다”고 밝혔다. 이 교수에 따르면 전남·광주 지역은 전력 자급률이 210%에 달하고 재생에너지 설비 비중도 44.1%에 이르는 무탄소·친환경 에너지 요충지다. 생산지 인근에서 전력을 직접 소비하고 양방향 거래를 구현하는 ‘지산지소형 분산전력망’으로 전환할 경우, 수도권의 심각한 송전선로 병목현상을 단번에 해소할 수 있다는 지적이다. 특히 분산에너지 활성화에 따른 ‘지역별 차등 전기요금제’(전기료 10% 할인 가정)가 적용될 경우 파급효과는 상당하다. 호남 반도체 메가 프로젝트에 참여하는 삼성전자와 SK하이닉스는 수도권 대비 연간 7000억~8000억 원, 20년간 최대 16조 원의 전력 비용을 아낄 수 있을 것으로 시산됐다. 이 교수는 “전남 분산에너지 특화지역 내 직접전력구매계약(Direct PPA)이 활성화되면 재생에너지 발전 수익이 주민 소득으로 리턴되는 선순환 구조가 형성된다”고 설명했다. 반도체 공장의 핵심인 안정적 전력 공급 방안으로는 정교한 ‘무탄소 에너지(CFE) 믹스’가 제시됐다. 변동성이 큰 재생에너지의 단점을 보완하기 위해 한빛원전의 기저전력과 LNG·수소 혼소, 배터리에너지저장장치(BESS), 구례·곡성 신규 양수발전을 유기적으로 결합해야 한다는 구상이다. 이 교수는 “한국은 세계 10위권 경제 대국이지만 수도권 집중도와 지역 불균형은 OECD 최하위 수준”이라며 “호남 반도체 클러스터가 지역 불균형을 깨뜨릴 성공 방정식이 될 수 있다”고 강조했다. 이 교수는 호남 반도체 클러스터가 성공적으로 안착하기 위한 4대 과제로 △완결형 생태계 구축 △인재 정주 환경 조성 △자생적 경쟁력 확보 △통합 거버넌스 구축을 꼽았다. 우선 소부장(소재·부품·장비)·팹리스·후공정 기업이 함께 입주하는 완결형 클러스터를 기획해야 한다고 주문했다. 이어 GIST(광주과학기술원)·전남대·전북대 등 지역 거점 대학과 연계한 R＆D 투자를 확대하고, 주거·교육·의료·문화 인프라를 과감히 확충해 우수 인재가 정주할 수 있는 여건을 만들어야 한다고 촉구했다. 아울러 단순 정부 보조금 의존에서 벗어나 기업 중심의 계통·물류·수율 최적화 환경을 조성하는 한편, ‘전남광주통합특별시’ 출범과 연계해 지자체·산업계·학계가 참여하는 민간·시장 주도의 통합 거버넌스를 구축해야 한다고 덧붙였다. 한편 이날 포럼에는 한국전력공사, 한전KDN, 한전KPS, 전력거래소, 한국광기술원, (재)녹색에너지연구원, 에너지밸리기업개발원, 해양도시가스, 동북아LNG허브터미널(주) 등 에너지 관련 공기업과 기업체 임직원 100여 명이 참석했다.

삼성전자가 차세대 저전력 D램(LPDDR)6를 퀄컴의 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에서 업계 최초로 검증했다. 중국 메모리 업체들이 LPDDR5X 개발에 속도를 내는 가운데 온디바이스 인공지능(AI) 확산으로 커지는 차세대 모바일 D램 시장의 기술 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 23일 반도체 테크 블로그를 통해 16기가바이트(GB) LPDDR6를 퀄컴의 ‘스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대’에서 최대 초당 10.7기가비트(Gbps) 속도로 검증했다고 밝혔다. 지난해 업계 최초로 LPDDR6를 개발한 데 이어 실제 차세대 모바일 플랫폼에서 동작 검증까지 마친 것이다. LPDDR은 스마트폰 등에 주로 쓰이는 저전력 D램이다. 최근 스마트폰 자체에서 생성형 AI를 구동하는 온디바이스 AI가 확산하면서 중요성이 커지고 있다. AI가 텍스트뿐 아니라 이미지와 음성을 함께 처리하고 여러 작업을 연속 수행할수록 프로세서와 메모리 사이에서 오가는 데이터가 늘어나기 때문이다. 삼성 LPDDR6는 최대 초당 114GB의 데이터를 처리할 수 있으며 이전 세대인 LPDDR5X보다 전력 효율을 최대 21% 높였다. 작업량에 따라 동작 전압과 속도를 조절해 불필요한 전력 소모를 줄이는 기술도 적용했다. 데이터 처리 성능을 높이면서 배터리 소모와 발열 부담을 줄이는 데 초점을 맞춘 것이다. AI 확산으로 스마트폰에 들어가는 메모리도 늘고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 1분기 세계 스마트폰 출하량은 전년 동기보다 0.5% 늘었지만 탑재된 전체 D램 용량은 6.1% 증가했다. 기기당 평균 D램 용량도 7.8GB에서 8.3GB로 늘었다. 삼성전자는 같은 기간 모바일 D램 시장에서 매출 기준 43%로 1위를 기록했다. 차세대 규격으로의 전환도 예상된다. 옴디아는 전체 LPDDR 출하량에서 LPDDR6 비중이 2027년 3%에서 2028년 9%, 2029년 21%, 2030년 39%로 높아질 것으로 전망했다. 삼성전자는 LPDDR 적용처를 스마트폰에서 AI PC와 자동차, 데이터센터 등으로 확대하고 있다.

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 최신 모바일 D램 양산에 이어 차세대 공정까지 상용화하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 아직 첨단 공정과 고대역폭메모리(HBM) 등에서는 격차가 있지만 범용 D램에서 시작한 중국의 추격이 고성능 모바일 제품으로 빠르게 확산하는 모습이다. 23일 업계에 따르면 CXMT는 지난 20일 중국 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대 D램 기술 플랫폼 ‘G5’의 양산에 들어갔다고 발표했다. 같은 날 로이터통신은 CXMT가 메모리 배열의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚)까지 줄였으며, 회사 측이 이를 세계 최고 수준의 양산 공정에 근접한 기술이라고 설명했다고 보도했다. CXMT는 G5를 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. 회사에 따르면 기존 공정과 비교해 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩의 수가 50% 이상 늘었다. 다만 이는 CXMT가 자체 제시한 수치다. 차세대 모바일 D램인 LPDDR6에서는 한발 먼저 상용화에 들어갔다. CXMT는 지난 7일 LPDDR6를 양산해 샤오미의 폴더블 스마트폰 ‘샤오미 18 폴드’에 탑재했다고 발표했다. 최대 데이터 전송속도는 초당 12.8기가비트(Gbps)다. LPDDR은 스마트폰 등에 주로 쓰이는 저전력 D램으로, 기기 자체에서 인공지능(AI)을 구동하는 온디바이스 AI 확산과 함께 처리 속도와 전력 효율의 중요성이 커지고 있다. 사업 영역을 낸드플래시까지 넓히려는 움직임도 나타났다. 로이터통신은 지난 18일 복수의 소식통을 인용해 CXMT가 베이징에 짓는 새 공장에 3차원(3D) 낸드 연구개발(R＆D) 생산라인을 구축할 계획이라고 보도했다. 별도 연구소에서도 낸드 기술을 개발하고 있는 것으로 전해졌다. 다만 로이터는 낸드 양산 시점은 정해지지 않았으며 계획이 바뀔 가능성도 있다고 전했다. D램 전문업체인 CXMT가 실제 낸드 양산에 나설 경우 삼성전자·SK하이닉스뿐 아니라 중국 낸드 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와도 경쟁하게 된다. 한국 업체들과의 격차가 당장 사라진 것은 아니다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 세계 D램 매출 점유율은 삼성전자가 39.4%, SK하이닉스가 24.9%, 미국 마이크론이 23.3%로 상위 3사가 시장 대부분을 차지했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM을 비롯한 AI용 고부가 메모리와 10나노급 6세대(1c) D램 등 첨단 제품에 투자를 집중하고 있다. 모바일 D램에서도 차세대 제품 경쟁이 본격화하고 있다. 삼성전자는 23일 LPDDR6를 퀄컴의 차세대 ‘스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대’ 플랫폼에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 3월 1c 공정을 적용한 LPDDR6 개발을 완료하고 하반기 공급에 나선다는 계획을 밝힌 바 있다.

한국엡손이 차세대 성장 전략으로 로보틱스와 산업용 잉크젯, 마이크로디바이스 등 기업 간 거래(B2B)를 공략한다. 프린팅 사업에서 축적한 초소형·고정밀 기술을 산업 현장에 적용해 사업 구조를 ‘프린터 기업’에서 ‘산업용 기술 기업’으로 전환한다는 전략이다. 세이코엡손은 22일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 한국엡손 창립 30주년 및 글로벌 최고경영자(CEO) 방한 미디어 간담회를 열고 이 같은 내용의 중장기 성장 전략을 발표했다. 요시다 준키치 세이코엡손 대표이사 사장은 이날 향후 10년 장기 비전인 ‘엔지니어드 퓨처 2035’를 공개하며 “지금까지 축적해온 코어 기술을 기반으로 성장 영역에서 사업 확대를 지속하겠다”고 밝혔다. 요시다 대표의 한국 방문은 취임 이후 처음이다. 엡손의 사업 전환을 이끌 핵심은 로보틱스와 산업용 잉크젯, 마이크로디바이스다. 현재 전체 매출의 약 33%인 산업용 영역의 매출 비중을 2035년 50%까지 끌어올리고, 전체 사업이익에서 차지하는 비중도 45%에서 70%까지 높인다는 목표다. 기존 프린팅 사업을 축소하는 대신 이를 안정적인 수익 기반으로 유지하면서 제품을 만들며 축적한 정밀 기술을 산업용 부품과 소재, 자동화 분야로 확장한다는 구상이다. 엡손은 현재 매출의 약 70%를 프린팅 사업에서 거두고 있다. 로보틱스에서는 수평 다관절 방식의 스카라(SCARA) 로봇과 6축 로봇 등을 앞세워 전자·반도체 기업을 중심으로 자동화 수요를 공략한다. 반복 작업뿐 아니라 정밀도가 요구되는 제조 공정으로 로봇 적용 분야를 넓힐 계획이다. 산업용 잉크젯은 기존 프린터의 ‘출력’ 개념을 제조 공정으로 확장하는 분야다. 엡손은 잉크젯 솔루션과 프린트헤드 기술을 기반으로 상업·산업용 프린팅은 물론 굿즈 제작, 온디맨드 생산 등 디지털 제조 영역으로 사업을 확대하고 있다. 마이크로디바이스도 성장축으로 꼽힌다. 엡손은 수정 원재료의 제조·가공부터 반도체와 수정 디바이스 기술까지 확보하고 있다. 데이터센터와 서버, 고속통신 시장에서 데이터 처리량과 통신 속도가 높아질수록 정밀한 타이밍 제어와 저전력·소형 부품에 대한 수요가 커질 것으로 보고 관련 사업을 확대한다. 요시다 대표는 “그래픽처리장치(GPU)와 메모리 분야에 큰 투자가 이뤄지고 있다”며 “데이터센터와 서버, 통신 속도가 빨라질수록 소비되는 전력도 많아진다”고 말했다. 이어 “엡손은 데이터 전송과 서버, 데이터센터 등 고정밀 타이밍이 요구되는 영역에 대응하면서 저전력과 소형화를 함께 구현하고 있다”고 설명했다. 사업구조 전환을 위한 투자도 본격화한다. 엡손은 2026~2028년 성장·전략 분야에 총 2800억엔(약 2조 4000억원)을 투자한다. 이 가운데 성장 분야 투자와 인수·합병(M＆A) 등 전략 투자를 통해 로보틱스와 정밀 이노베이션 등 신성장 영역을 확대할 계획이다. 수익성 개선도 병행한다. 엡손은 글로벌 운영체계와 공급망을 재설계하고 고정비 구조와 자산 효율을 개선해 3년간 260억엔 규모의 수익 개선을 추진한다. 2028회계연도까지 투하자본이익률(ROIC) 8% 이상, 자기자본이익률(ROE) 10% 이상, 매출이익률(ROS) 8% 이상을 달성한다는 목표도 제시했다. 한국 시장에서도 산업용 사업 확대에 나선다. 한국엡손은 지난해 회계연도 매출 2276억원을 기록해 전년보다 약 28% 성장했다. 특히 정밀 이노베이션 부문 매출이 205%, 산업·로보틱스 부문이 24% 증가하며 성장을 이끌었다. 정밀 이노베이션 부문에서는 잉크젯 솔루션을 기반으로 프린트헤드 사업을 확대했고, 산업·로보틱스 부문에서는 상업·산업용 프린팅과 자동화 분야로 적용처를 넓혔다. 한국엡손은 국내 반도체·이차전지·IT 기업을 대상으로 산업용 잉크젯과 로보틱스 등 B2B 사업을 확대할 계획이다. 요시다 대표는 “한국은 반도체, 이차전지, IT 등 첨단산업 분야에서 세계적인 경쟁력을 갖춘 중요한 전략 시장”이라며 “단순한 판매 시장을 넘어 새로운 가치를 함께 만들어가는 ‘공동 창조 파트너’로 보고 있다”고 말했다. 모로후시 준 한국엡손 대표는 “30주년은 지난 성과를 돌아보는 동시에 앞으로의 성장을 준비하는 새로운 출발점”이라며 “엡손만의 정밀 기술과 엔지니어링 역량을 바탕으로 산업의 혁신과 생산성 향상을 지원하겠다”고 말했다.

이미지스가 피지컬 AI(Physical AI) 및 엣지 AI 반도체 전문기업 SiMa.ai와 손잡고 국내 시장 확대에 나선다. 이미지스는 SiMa.ai의 MLSoC(머신러닝 시스템온칩)와 모달릭스(Modalix) SoM, PCIe 카드, 개발 키트 등 주요 제품을 국내 고객에게 공급하고 기술 지원까지 담당하는 총판 겸 VAR(부가가치재판매) 파트너로 사업을 펼치고 있다. 지난 9월 18일에는 SiMa.ai 본사 관계자가 이미지스를 찾아 국내 고객 확대와 기술 지원, 피지컬 AI 솔루션의 적용 범위 확대를 놓고 협력 방향을 논의했다. 양사는 기존 파트너십을 토대로 국방과 교통 등 다양한 분야에서 신규 사업 기회를 발굴하기로 뜻을 모았다. 이미지스는 반도체 개발·양산 경험과 국내 고객 대응 역량을 살려 SiMa.ai의 피지컬 AI 솔루션이 여러 산업에 적용될 수 있도록 고객 발굴과 사업 확대를 추진할 계획이다. 이미지스 관계자는 “Physical AI 시장이 확대되는 가운데 SiMa.ai의 AI 반도체 기술과 이미지스의 반도체 사업 및 고객 지원 역량을 결합해 국내 고객에게 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 기대한다”며 “제품 공급뿐 아니라 고객의 개발 단계부터 실제 제품 적용까지 지원할 수 있도록 SiMa.ai와의 협력을 지속적으로 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 한편 SiMa.ai는 저전력·고성능 AI 컴퓨팅을 기반으로 MLSoC와 모달릭스 제품군을 공급하며, 드론과 로보틱스, 자율주행, 산업 자동화, 스마트 비전 등 피지컬 AI·엣지 AI 분야를 위한 컴퓨팅 플랫폼을 지원하고 있다.

인공지능(AI), 사물인터넷, 로봇 등 그야말로 우리 주변 모든 전자기기에 반도체가 활용되면서 효율은 높지만 작고 얇은 제품을 만들기 위한 경쟁이 치열하다. 그래서 등장한 것이 원자 한 층에 해당하는 0.7㎚(나노미터) 두께의 2차원 반도체다. 2차원 반도체의 대표 소재로 몰리브덴 원자 하나 위아래로 황 원자가 하나씩 붙은 이황화몰리브덴이다. 종이 한 장보다 10만 배 얇은 판이다. 소자가 얇으면 아무리 미세하게 깎아도 전류를 여닫는 제어력이 흐트러지지 않는다는 장점 때문에 실리콘 반도체를 대체할 것으로 기대된다. 2차원 반도체가 등장한 지 10년이 넘었지만 상용화는 아직 요원하다. 반도체 소자는 금속 전극에서 반도체로 전자가 갈아타는 지점이 있는데 여기서 생기는 저항을 ‘접촉저항’이라고 한다. 뻥 뚫린 고속도로에서 갑자기 1차선 진입 램프가 나타나는 격이다. 2차원 반도체는 채널 자체 성능이 아무리 좋아도 접촉저항 때문에 성능이 떨어지게 된다. 실리콘 반도체에서는 도핑 기술을 이용해 전극이 닿는 부분에만 불순물을 넣어 전자를 잔뜩 채워두면 저항이 떨어진다. 그러나 2차원 반도체는 원자 세 겹짜리로 실리콘 반도체에서처럼 이온을 가속해 총알처럼 박는 이온 주입 공정을 사용하면 판 자체가 뚫리게 된다. 도핑을 하다가 반도체를 망가뜨리게 된다는 것이다. 화학 반응성이 높은 입자를 만들어주지만 동시에 강한 물리적 충격으로 결정 구조를 깎아내는 플라즈마 처리도 2차원 반도체에서는 사용이 쉽지 않다. 카이스트 전기및전자공학부 연구팀은 플라즈마 처리 시 그 앞에 막을 한 겹 세우는 방식으로 이런 문제를 해결할 수 있다고 7일 밝혔다. 이 연구 결과는 재료과학 분야 국제 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈’에 실렸다. 연구팀은 이황화몰리브덴 위에 고분자 절연막을 얇게 깔고 그 위에 산화알루미늄을 덧씌우는 방식으로 2㎚ 두께의 이중 보호층을 만들었다. 아래층 고분자는 원자 하나 수준으로 울퉁불퉁한 2차원 표면을 덮어 계면 결함을 보완하고 위층 산화막은 플라즈마의 물리적 충격을 받아내는 것이다. 충격은 튕겨내고 필요한 화학 물질만 들여보내는 선택적 화학 필터이다. 방탄유리와 정수기 필터를 한 장에 겹쳐놓은 것과 같다. 그 결과 결정 구조는 그대로 보존된 채 전자 농도는 높아지고 접촉저항은 기존 2차원 반도체 대비 32분의 1 수준으로 떨어졌다. 연구팀은 양자역학 방정식으로 물질 거동을 계산한 결과 실리콘 반도체처럼 도핑을 하면서 소재 품질까지 개선되는 것으로 나타났다. 연구팀은 전류가 지나는 길목 중 저항이 문제가 되는 지점만 골라 도핑하는 ‘영역 선택적 저항 제어’도 구현했다. 이렇게 만든 소자는 낮은 전압에서 흐르는 전류가 최대 260배까지 늘었다. 같은 일을 훨씬 적은 전력으로 해낼 수 있다는 의미다. 스마트폰과 전기 소모가 큰 데이터센터에서 저전압 구동은 성능만큼 중요한 지표다. 연구를 이끈 최성률 교수는 “이번 기술은 초미세 저전력 논리소자와 모노폴리식 3차원 반도체, 2차원 CMOS 회로에 사용될 것으로 기대된다”면서 “실제 반도체 제조공정에 적용하기 위해서는 도핑 균일성 검증, 공정시간 단축, 극도로 미세화된 소자에서의 도핑 영역 제어 등에 대한 추가적인 검증이 필요하다”고 설명했다.

한때 반도체 업계의 부동의 1위로 꼽혔던 인텔은 지난 몇 년간 큰 어려움을 겪었습니다. 10㎚ 이하 미세공정과 극자외선(EUV) 공정 도입이 늦어지면서 경쟁사에 뒤처졌고, 결국 자사 최신 중앙처리장치(CPU)에 대만 TSMC 공정을 도입하는 상황까지 맞았습니다. 하지만 최근 18A 공정 양산에 들어가면서 반등의 발판을 마련했습니다. 에이전틱 인공지능(AI) 확산으로 서버용 CPU의 역할이 커지면서 관련 수요도 늘고 있습니다. 인텔은 현재 18A의 개량형인 18A-P 공정의 초기 생산에 들어가는 한편, 차세대 미세공정인 14A 개발에도 속도를 내고 있습니다. 최근 열린 반도체 기술 학술행사 ‘핫칩스’(Hot Chips) 2026에서 인텔은 18A-P 공정의 세부 내용을 공개했습니다. 차세대 제온 프로세서 ‘다이아몬드 래피즈’(Diamond Rapids)뿐 아니라 소비자용 CPU인 ‘노바 레이크’(Nova Lake)에도 18A-P를 적용할 수 있다고 밝혔습니다. 성능 9% 높이고 전력 18% 줄여…핵심은 ‘파워부스트’인텔에 따르면 18A-P는 기존 18A와 비교해 같은 전력에서 성능을 약 9% 높이거나, 같은 성능에서 전력 소모를 약 18% 줄일 수 있습니다. 성능 향상의 핵심은 ‘파워부스트’(Power Boost) 기술입니다. 인텔은 18A에서 후면 전력 공급 기술인 ‘파워비아’(PowerVia)를 도입했습니다. 기존에는 트랜지스터층 위에 신호선과 전력선을 함께 배치했지만, 파워비아는 전력 공급 경로를 웨이퍼 후면으로 옮깁니다. 기존 전면 전력 공급 방식은 제조가 비교적 쉽지만 프로세서가 복잡해질수록 신호선과 전력선이 얽히면서 성능과 전력 효율을 떨어뜨릴 수 있습니다. 파워비아는 전력선을 후면으로 옮겨 이런 문제를 줄이는 방식입니다. 18A-P에는 여기에 파워부스트가 더해졌습니다. 트랜지스터의 앞뒤 양쪽에서 전류를 공급해 전력 효율을 높이고 보다 세밀하게 전력을 제어하는 기술입니다. 인텔은 18A에서 도입한 게이트올어라운드(GAA) 구조의 ‘리본펫’(RibbonFET)도 개선했습니다. 열 배출 성능 역시 보완해 18A-P의 성능을 끌어올렸습니다. 특히 인텔은 0.5V의 낮은 전압에서 기존 18A보다 약 30% 높은 동작 주파수를 달성했다고 밝혔습니다. 저전력으로 구동해야 하는 노트북이나 태블릿 등에 유리한 특성입니다. 서버용 넘어 노바 레이크까지…18A-P 적용 확대당초 18A-P는 차세대 제온 서버용 프로세서인 다이아몬드 래피즈에 우선 적용될 것으로 알려졌습니다. 그러나 인텔은 이번 행사에서 이미 생산 중인 실리콘을 기준으로 저전압에서는 약 30%, 고전압에서도 두 자릿수의 성능 개선을 확인했다고 밝혔습니다. 또 다이아몬드 래피즈와 노바 레이크가 모두 18A-P의 초기 성능 개선 효과를 받을 예정이라고 설명했습니다. 서버용뿐 아니라 소비자용 CPU로 적용 범위를 확대하겠다는 의미입니다. 18A-P 공정의 완성도와 생산성이 예상보다 빠르게 개선되고 있다는 신호로 해석할 수 있습니다. 인텔은 미국 애리조나주의 팹 52(Fab 52)에서 18A 공정 양산을 시작했습니다. 초기에는 수율이 낮았던 것으로 알려졌지만 최근에는 상당 부분 개선됐고, 18A-P도 시험 생산 단계에 들어간 것으로 전해졌습니다. 다만 내년 노바 레이크 물량까지 모두 18A-P로 생산하기에는 생산능력이 충분하지 않을 것이라는 전망도 나옵니다. 현재 18A급 미세공정을 생산할 수 있는 주요 시설은 애리조나 팹 52와 오리건 D1X 팹입니다. D1X는 규모가 상대적으로 작아 실질적인 양산 물량 상당 부분을 팹 52가 담당해야 합니다. 현재 장비 반입이 진행 중인 팹 62가 본격 가동되면 생산능력 부족은 완화될 수 있습니다. 그전까지는 노바 레이크 일부 물량을 TSMC 2㎚ 공정에 맡길 가능성도 거론됩니다. 그럼에도 인텔이 18A-P의 적용 범위를 서버용에서 소비자용 CPU까지 넓히려는 것은 공정 성능과 수율에 대한 자신감을 보여주는 대목입니다. 인텔이 18A-P를 안정적으로 양산하고 차세대 14A 공정까지 성공적으로 이어가며 과거의 경쟁력을 되찾을 수 있을지 주목됩니다.

중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했다. 샤오미의 최신 폴더블폰에도 탑재될 예정이어서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 모바일 D램 시장의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다. CXMT는 지난 29일(현지시간) 웨이보를 통해 LPDDR6 메모리가 정식 양산에 들어갔다고 밝혔다. 첫 적용 제품은 샤오미의 ‘18 폴드’로, 오는 9월 출시될 예정이다. 레이쥔 샤오미 최고경영자(CEO)는 “샤오미의 자체 개발 AI 프로세서 ‘쉬안제 O3’가 CXMT의 LPDDR6을 처음 지원하며 18 폴드에 최초 탑재된다”고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등에 사용되는 저전력 D램 규격이다. CXMT는 자사 LPDDR6이 최대 1만 2800Mbps의 전송 속도와 16Gb 용량을 지원한다고 공개한 바 있다. LPDDR6은 온디바이스 인공지능(AI) 연산 성능을 높이는 핵심 메모리로 꼽혀 향후 PC·서버·차량 등으로 활용 범위가 확대될 전망이다. 중국 매체 증권시보는 CXMT의 이번 양산을 세계 최초 LPDDR6 상용화로 평가하며 “중국 메모리 기업이 고사양 메모리 표준에서 처음으로 세계 최초 양산에 성공했다”고 의미를 부여했다. CXMT의 거센 기술 추격에 삼성전자와 SK하이닉스에는 위협이 되고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스도 LPDDR6 시장 선점에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발을 완료하고 올해 하반기 공급을 예고했다. 삼성전자는 지난 1월 ‘CES 2026’에서 LPDDR6 제품을 공개했지만 구체적인 양산 일정은 밝히지 않았다. 글로벌 투자은행 모건스탠리는 “CXMT가 올해 말까지 월 30만 장의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것”이라며 “이는 전 세계 D램 웨이퍼 생산 능력의 약 13%, 글로벌 비트(Bit) 출하량의 11%에 해당하는 규모로 오는 2028년까지 생산 능력을 월 50만장까지 끌어올릴 것”이라고 내다봤다.

삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 ‘V10 BV-낸드’로 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’으로 차세대 메모리상을 각각 받았다고 6일 밝혔다. V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이면서도 전력 소비와 발열을 줄였다. LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리(PIM) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화하고 성능과 전력 효율을 높였다. 인공지능(AI) 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 메모리 기술로 주목받고 있다.

중앙대학교가 교육부와 한국연구재단이 주관하는 ‘2026년 대학기초연구소 지원(G-LAMP) 사업’에 예비 선정됐다고 5일 밝혔다. 이로써 중앙대는 최종 확정 시 오는 9월부터 5년간 연간 50억원씩 총 250억원의 국비를 지원받게 된다. G-LAMP는 대학 연구소 관리 체계를 혁신하고 대형 융복합 연구를 지원하는 대형 국책 사업이다. 이번 공모에서 중앙대는 공학 분야(유형Ⅱ) 전기·전자·통신 영역에서 수도권 대학 중 유일하게 이름을 올렸다. 중앙대는 정보통신연구원을 중점테마연구소로 지정하고 ‘A-HUMAN 연구소’를 구축한다. 인간 신경계의 초저전력·고효율 메커니즘을 기초 연구로 확장해 AI 반도체, 로봇, 헬스케어 등 첨단 산업 응용 분야로 확산시킬 계획이다. 아울러 반도체 공정장비 등 첨단 인프라를 통합 운영하며 박사후연구원과 신진 교원을 집중 육성할 방침이다. 박세현 총장은 “이번 성과는 중앙대의 뛰어난 연구 역량과 공학 경쟁력을 입증한 결과”라며 “신진 연구자들이 연구에 몰입할 수 있도록 아낌없이 지원하겠다”고 밝혔다.

과학기술정보통신부는 올해 ‘탑티어 연구기관 간 협력플랫폼 구축 및 공동연구 지원’ 사업 신규 선정결과를 확정하고 지원을 시작한다고 4일 밝혔다. 탑티어 사업은 국내외 최고 수준의 연구기관끼리 공동연구, 인력교류 및 정보교환 등 포괄적 국제 협력을 통해 중장기적이고 지속가능한 협력 플랫폼 구축을 지원한다. 이를 통해 해외 우수 연구 공동체와 네트워크를 축적하고 확산하는 동시에 세계적 수준의 선도기술을 개발하고 기후위기나 전염병 같은 글로벌 공동 문제 해결을 목표로 한다. 올해 신규 선정된 과제는 4개 국내외 연구기관 컨소시엄으로 연간 23억 원씩의 연구개발비가 10년 동안 지원된다. 우선 서울대와 미국 캘리포니아공과대(칼텍)의 ‘반도체 검사·계측 연구센터’ 공동연구팀은 미래 차세대 반도체 정밀구조 제조·검사에 대응하기 위해 초고해상도·초고속·고신뢰성 계측기술 확보를 목표로 한다. 눈에 보이지 않는 초미세 반도체 내부결함을 찾아내는 비파괴 검사 역량을 높이고 인공지능(AI) 기반 첨단 공정 혁신에도 이바지할 것으로 기대된다. 포스텍과 독일 막스플랑크 연구소 컨소시엄의 ‘양자 기능성 소재 연구센터’는 양자의 핵심 성질을 정밀 제어하는 신소재를 개발해 기존 전자기술의 한계를 뛰어넘을 차세대 양자소자 원천기술 확보에 나설 계획이다. 이를 통해 초저전력 정보처리, 양자 AI정보소자 등 첨단 산업 분야로 성과를 확산하겠다는 계획이다. 대구경북과학기술원(DGIST)와 일본 국립생리학연구소 공동연구팀은 소아 뇌병증 등을 유발하는 이온채널 변이구조와 작동원리를 규명하고 맞춤형 후보물질 발굴을 추진할 예정이다. 카이스트와 미국 칼텍의 ‘지능형 순환 화학 생태계 혁신센터’는 할로젠 화합물, 황폐기물 등 화학산업 부산물을 분해해 고부가가치 화학 제품·소재로 업사이클링하는 기술 확보로 탄소중립 및 순환경제 실현의 핵심 기술로 확장하겠다는 계획을 갖고 있다.

국내 연구진이 차세대 인공지능(AI) 반도체 상용화의 최대 난제로 꼽혀온 ‘누설 전류’와 ‘정보 저장의 비선형성’ 문제를 동시에 해결하는 세계 최초의 핵심 소자 기술을 개발했다. 별도의 선택(Selector) 소자 없이도 스스로 전류를 제어하는 ‘자기정류(Self-Rectifying)’ 기능을 구현함으로써 고집적·초저전력 뉴로모픽(Neuromorphic) 반도체 시대를 앞당길 핵심 원천기술로 평가받고 있다. 30일 광주과학기술원(GIST)에 따르면 GIST 신소재공학과 이상한 교수 연구팀은 서울대 재료공학부 장호원 교수팀, 미국 서던캘리포니아대학교(USC) 조슈아 양(Joshua Yang) 교수팀과의 국제 공동연구를 통해 메모리 기능과 자기정류 기능을 하나의 소자에 동시에 구현하는 데 성공했다. 이번 연구는 차세대 AI 반도체 분야의 권위 있는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)’ 에 게재되며 기술적 우수성을 국제적으로 인정받았다. 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 신경망을 모방해 정보를 처리하는 차세대 AI 반도체로, 초저전력과 초고속 연산이 가능해 미래 AI 산업의 핵심 기술로 주목받고 있다. 그러나 기존 소자는 미세한 누설 전류를 차단하기 위해 메모리 소자와 별도로 선택 소자를 추가해야 했고, 이로 인해 회로가 복잡해지고 집적도가 떨어지는 한계를 안고 있었다. 공동연구진은 강유전체 소재인 비스무트 철 산화물(BiFeO₃)에 바륨(Ba)을 정밀하게 첨가하는 공정을 개발해 이 같은 난제를 해결했다. 바륨 첨가를 통해 산소 공공(Oxygen Vacancy)의 이동을 정교하게 제어하면서 반복적인 전기 자극에도 정보가 일정하게 저장되는 선형적 저장 특성을 확보했다. 동시에 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 자기정류 특성을 구현해 정류비(Rectification Ratio)를 기존 대비 100만 배 이상 향상시키는 데 성공했다. 이에 따라 별도의 선택 소자 없이도 누설 전류를 사실상 차단할 수 있게 됐다. 성능 검증 결과도 뛰어났다. 연구팀이 개발한 소자는 1000만 회 이상의 반복적인 쓰기·지우기 동작에서도 안정적인 성능을 유지했다. 또한 11×11 크기의 크로스바(Crossbar) 메모리 어레이, 총 121개 메모리 셀 실험에서는 텍스트와 이미지 데이터를 오차 없이 안정적으로 저장·처리하며 실제 뉴로모픽 컴퓨팅 적용 가능성을 입증했다. 이상한 GIST 교수는 “이번 연구는 뉴로모픽 반도체의 대표적인 난제였던 비선형성과 누설 전류 문제를 단일 소자에서 동시에 해결해 회로를 획기적으로 단순화한 데 의미가 있다”며 “향후 인간의 뇌를 닮은 초고효율 AI 반도체 상용화를 앞당기는 핵심 기반 기술이 될 것으로 기대한다”고 말했다.

SK하이닉스가 올해 2분기 60조원이 넘는 영업이익을 거두며 주요 글로벌 테크기업 가운데 최상위권에 올랐다. 매출과 영업이익 모두 분기 기준 신기록을 세웠고 영업이익률은 76.3%로 전 세계 2위에 올랐다. 금융시장에서는 주가 하락으로 응답했지만 실적 자체는 SK하이닉스의 견조한 성장은 물론 메모리 반도체 슈퍼사이클을 재확인했다는 게 업계의 시각이다. SK하이닉스는 29일 2분기 영업이익이 60조 5426억원으로 지난해 같은 기간보다 557.2% 증가했다고 밝혔다. 매출은 79조 3187억원으로 256.8% 늘었다. 최근 분기 실적을 원화로 환산해 비교하면 삼성전자 89조 4000억원, 엔비디아 약 78조원, 애플 약 74조원에 이어 네 번째 수준이다. 구글 모회사인 알파벳의 약 59조원도 웃돌았다. 영업이익률(76.3%)은 전 분기보다 4.8% 포인트 올랐다. 마이크론의 80.4%에 이어 주요 테크기업 중 두 번째로 높고 엔비디아 65.6%, 대만 TSMC 60.3%를 앞섰다. TSMC보다 높은 영업이익률을 기록한 것은 세 분기째다. 메모리 가격 급등에 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품 판매가 맞물리면서 매출의 4분의3 이상을 영업이익으로 남겼다. D램 출하량도 전 분기보다 늘었고 평균판매가격은 약 30% 상승했다. HBM3E 판매가 이어진 가운데 인공지능(AI) 서버용 저전력 D램 ‘SOCAMM2’ 공급도 확대됐다. 낸드는 출하량이 10% 중반, 평균판매가격이 50% 중반 올랐다. 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 매출은 두 배 이상, 자회사 솔리다임의 30테라바이트 이상 고용량 제품 매출은 세 배 넘게 증가했다. 2분기 주요 고객사에 양산 공급을 시작한 HBM4는 하반기부터 판매를 본격적으로 늘린다. 현재 수율과 품질은 양산이 안정된 HBM3E에 근접했다는 게 회사 측 설명이다. 차세대 HBM4E는 고객사에 샘플을 공급했으며 2027년 양산을 목표로 개발하고 있다. SK하이닉스는 올해 설비투자를 40조원 후반으로 늘리고 청주 M15X 양산 시점을 앞당긴다. 지난해 설비투자액 30조 2000억원보다 15조원 이상 늘어난 규모다. 또 핵심 고객을 포함한 10여곳과 통상 5년간 적용되는 장기공급계약 협상을 마쳤다. 키옥시아 지분 매각과 투자자산 평가이익까지 반영되면서 2분기 말 현금은 88조원으로, 차입금을 뺀 순현금은 69조 4000억원으로 늘었다. AI 데이터센터 건설에 막대한 자금을 투입하는 글로벌 빅테크와 달리 AI 투자 성과가 현금 여력으로 축적되는 모습이다.

서울 지하철 9호선에서도 카드를 소지하고 있기만 해도 카드를 대는 ‘태그’ 없이 승차할 수 있는 ‘태그리스’ 서비스가 시행된다. 티머니는 9호선 개화~신논현 25개 역사에서 태그리스 결제 서비스를 시작한다고 27일 밝혔다. 태그리스 서비스는 ‘모바일티머니(안드로이드)’를 통해 태그리스 결제를 설정한 후 개찰구를 통과하면 모바일 센서와 BLE(Bluetooth Low Energy, 저전력 블루투스)기술을 통해 별도의 태그 없이 자동으로 승·하차 처리되는 기술이다. 티머니는 우이신설선과 인천 지하철, 서울시 시내버스(시범 서비스)에 태그리스 서비스를 운영 중이다. 태그리스는 기존 태그 방식 중 사용자가 원하는 방식으로 선택해 이용할 수있다. 티머니는 태그리스 서비스가 확대되면 스마트폰이나 카드를 꺼낼 필요가 없어 ▲출퇴근 혼잡 완화 ▲캐리어·유모차 이용객 편의 ▲교통약자(목발·휠체어 이용객, 노약자 등) 이동 편의가 크게 향상될 것으로 기대하고 있다. 티머니는 서비스 오픈을 기념해 행사 기간(7월 27일~별도 공지 시까지) 동안 서울지하철 9호선에서 태그리스를 이용하면 승차 1회당 300원의 마일리지를 적립해주는 이벤트를 진행한다. 최문근 티머니 사장은 “서울지하철 9호선 태그리스 서비스 오픈은 서울 시민들의 이동 경험을 한 단계 높이는 중요한 전환점”이라며 “서울 시민들이 태그리스 결제의 편리함을 직접 경험할 수 있도록 서비스를 지속 확대하고, 차세대 교통 결제 시스템 구축을 선도하겠다”고 밝혔다.

인공지능(AI) 반도체 핵심인 고대역폭메모리(HBM)4 베이스 다이 개발에 기여한 삼성전자 엔지니어가 대한민국 엔지니어상을 받았다. HBM4 성능을 좌우하는 4나노 초저전력 공정 기술을 개발한 공로를 인정받은 것이다. 최근 AI 반도체 시장에서 존재감을 키우고 있는 삼성 파운드리의 선단 공정 경쟁력을 보여 주는 사례라는 평가다. 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 최정민 PL(프로젝트 리더)은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반 4나노 초저전력 공정 기술 개발 성과를 인정받아 지난 3월 대한민국 엔지니어상을 수상했다. 삼성전자가 지난 20일 반도체 뉴스룸에 공개한 인터뷰에서 최 PL은 “4나노 초저전력 공정을 선제적으로 도입해 HBM4 베이스 다이 개발과 양산화에 기여해 데이터 처리 성능을 높일 수 있었다”고 말했다. 해당 기술은 세계 최초로 양산된 HBM4 베이스 다이에 적용됐다. HBM4 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 연결하는 핵심 칩으로, 저전력과 고성능을 동시에 구현해야 해 첨단 파운드리 기술력이 요구된다. 

인텔 역사상 가장 특이한 형태의 프로세서가 공개됐습니다. 18A 공정으로 제조된 스타파이어(Starfire) SoC(System on a chip)가 그것으로 세계 최초의 ‘18A 미세 공정 우주 등급 프로세서’입니다. 이 프로세서는 과거 바이든 행정부의 ‘반도체 및 과학법’(CHIPS and Science Act)을 통해 미 국방부·안보 목적으로 배정된 약 30억 달러 규모의 별도 프로그램 지원을 바탕으로 개발됐습니다. 스타파이어는 인텔의 18A 미세 공정 프로세서인 ‘팬서 레이크’ 기반입니다. 그래서 팬서 레이크에 사용된 것과 동일한 고성능 P코어 4개와 고효율 E코어 4개를 사용하며 내장 그래픽으로 4Xe3 GPU(그래픽처리장치)를 지니고 있습니다. 별도의 NPU(신경망처리장치)까지 지니고 있어 우주 등급 프로세서 가운데 최초로 인공지능(AI) 연산까지 가능합니다. 이번 발표가 놀라운 이유는 일반적으로 고방사선 환경인 우주에서는 최첨단 미세 공정 프로세서가 오히려 불리하기 때문입니다. 따라서 지금까지 우주선이나 우주 망원경에는 오래된 프로세서를 이용한 방사선 내성 프로세서가 사용되어 왔습니다. 예를 들어 미 항공우주국(NASA)의 큐리오시티 로버나 퍼서비어런스 로버, 제임스 웹 우주 망원경에는 2001년 개발한 방사선 내성 프로세서인 ‘RAD 750’이 사용됐습니다. RAD 750은 기술적으로 1990년대 CPU(중앙처리장치)인 ‘IBM PowerPC 750’ 기반으로 30년 전 컴퓨터 성능을 지니고 있습니다. 제조 공정도 이 시기 펜티엄 2나 3급 CPU를 만들던 250㎚, 혹은 150㎚ 공정을 사용합니다. 하지만 오히려 이렇게 오래된 공정으로 만든 프로세서가 방사선에 잘 버티는 장점이 있습니다. 회로가 큰 만큼 외부 방사선에 노출되어도 잘 버틸 수 있기 때문입니다. 하지만 워낙 오래된 기술을 사용하다 보니 기술적으로 새로운 기능을 탑재하기 어렵다는 문제점이 있어 왔습니다. 인텔이 개발한 18A 공정의 스타파이어는 이 한계를 말끔하게 극복한 프로세서입니다. 물론 우주에서의 안전성 확보를 위해 저전력 버전은 클록을 1GHz까지 낮추고 고성능 버전도 3.1GHz로 제한했지만, 이것만으로도 오래전 사용된 프로세서의 성능을 크게 뛰어넘을 것으로 예상됩니다. 다만 앞서 말한 것처럼 트랜지스터 크기가 줄어들고 회로가 작아지면 프로세서 성능은 좋아지지만, 외부 방사선에는 취약해집니다. 예를 들어 트랜지스터가 작아지면 저장된 전하량이 줄어듭니다. 따라서 우주 공간에 풍부한 고에너지 입자(우주선, 양성자, 중이온)가 한 번 충돌해도 심각한 오류가 나기 쉽습니다. 여기에 누적된 방사선량이 지구와는 비교할 수 없이 크기 때문에 프로세서 자체에 손상이 날 가능성도 커집니다. 마지막으로 우주에는 태양광과 어두운 지역 사이의 온도 차이가 커서 극단적인 저온과 고온 사이를 오가게 됩니다. 모든 것이 프로세서와 전자기기에 치명적인 문제를 일으킬 수 있습니다. 인텔은 이를 막기 위해 프로세서 설계 단계부터 TID(총 이온화 선량), SEL(단일 사건 래치업), SEE(단일 사건 효과) 대응을 강화하고, 첨단 Foveros 3D 패키징을 활용해 극한 환경에서도 안정성을 확보했습니다. 또 고에너지 방사선을 차폐할 수 있는 고성능 보호 장치를 추가했습니다. 스타파이어는 우주 환경에서 10년 이상 작동할 수 있으며, 영상 125도에서 영하 55도까지 매우 넓은 작동 온도를 보장합니다. 18A 같은 최신 미세 공정에서 이는 놀라운 기술적 혁신입니다. 구체적으로 어떤 우주선이나 위성에 스타파이어를 사용할지는 공개하지 않았지만, 우주 등급인 만큼 군사위성이나 아니면 고고도 비행하는 항공기 등에 사용할 수 있을 것으로 생각됩니다. 또 앞으로 NASA의 심우주 탐사선이나 우주 망원경에도 이 최신 프로세서가 사용될 수 있을 것입니다. 후자의 경우 최신 프로세서의 성능을 통해 과거에는 불가능했던 인공지능 자율 임무 수행도 기대할 수 있을 것으로 보입니다.

국내 연구진이 반도체의 성능을 떨어뜨리고 전력 낭비를 일으키는 전기 병목현상에 대한 해결법을 처음으로 찾아냈다. 카이스트 신소재공학과·성균관대 신소재공학과 공동 연구팀은 차세대 반도체 소자로 주목받는 2차원 소재에서 전기가 막힘없이 흐르는 새로운 구조를 설계하고 이를 나노미터 수준에서 직접 관찰할 수 있는 분석 플랫폼을 개발했다고 13일 밝혔다. 연구 결과는 재료과학 분야 국제 학술지 ‘매터’(Matter) 7월호에 실렸다. 반도체는 금속 전극과 반도체가 만나는 경계에서 접촉 저항이 발생해 성능이 떨어지고 전력 손실이 발생한다. 접촉 저항의 영향은 반도체가 점점 작아질수록 더 커지는 경향이 있어 차세대 반도체 개발의 가장 큰 기술적 난제로 꼽혔다. 연구팀은 이런 전기 병목현상을 막기 위해 금속 전극을 반도체 위에 붙이는 대신, 원자 한두 층 두께의 2차원 소재 안에 금속처럼 전기가 잘 흐르는 성질의 준금속과 반도체 영역을 연속적으로 구현했다. 같은 소재 안에서 두 영역이 자연스럽게 이어지도록 해, 전류가 경계에서 막히지 않고 흐를 수 있음을 세계 최초로 입증한 것이다. 연구팀은 탐침으로 표면과 전기적 특성을 원자 수준까지 측정할 수 있는 원자힘현미경(AFM)으로 박막 내부에서 전하가 이동하는 모습을 나노미터 수준에서 직접 관찰하는 데도 성공했다. 단일 소재 내에 준금속과 반도체 영역을 연속 구현하면 전류의 흐름이 방해되지 않는다는 사실을 실험적으로 처음 입증한 것이다. 홍승범 카이스트 신소재공학과 교수는 “이번 기술은 인공지능(AI) 반도체, 초저전력 반도체, 차세대 로직 반도체 등 미래 반도체 기술 개발에 폭넓게 활용될 것으로 기대한다”고 설명했다.

국내 연구진이 반도체의 성능을 떨어뜨리고 전력 낭비를 일으키는 전기 병목현상 해결법을 처음 개발했다. 카이스트 신소재공학과, 성균관대 신소재공학과 공동 연구팀은 차세대 반도체 소자로 주목받는 2차원 소재에서 전기가 막힘없이 흐르는 새로운 구조를 설계하고 이를 나노미터 수준에서 직접 관찰할 수 있는 분석 플랫폼을 개발했다고 13일 밝혔다. 이 연구 결과는 재료과학 분야 국제 학술지 ‘매터’(Matter) 7월호에 실렸다. 반도체는 금속 전극과 반도체가 만나는 경계에서 접촉 저항이 발생해 성능이 떨어지고 전력 손실이 발생한다. 반도체가 점점 작아질수록 접촉 저항의 영향은 더욱 커져 차세대 반도체 개발의 가장 큰 기술적 난제로 꼽혔다. 연구팀은 이 같은 전기 병목현상을 막기 위해 금속 전극을 반도체 위에 붙이는 대신 원자 한두 층 두께의 2차원 소재 안에 금속처럼 전기가 잘 흐르는 성질의 준금속과 반도체 영역을 연속적으로 구현했다. 연구팀은 원자층 두께의 2차원 소재인 백금 다이셀레나이드 하나의 박막 안에 준금속과 반도체 영역을 연속적으로 만든 것이다. 같은 소재 안에서 두 영역이 자연스럽게 이어지도록 해 전류가 경계에서 막히지 않고 흐를 수 있음을 세계 최초로 입증했다. 연구팀은 탐침으로 표면과 전기적 특성을 원자 수준까지 측정할 수 있는 원자힘현미경(AFM)으로 박막 내부에서 전하가 이동하는 모습을 나노미터 수준에서 직접 관찰하는 데도 성공했다. 이를 통해 준금속 영역에서 반도체 영역으로 전류가 이동할 때 흐름이 막히거나 방향이 꺾이는 ‘전기 병목현상’ 없이 자연스럽게 이어지는 것도 처음 관찰했다. 단일 소재 내에 준금속과 반도체 영역을 연속 구현하면 전류의 흐름이 방해되지 않는다는 사실을 실험적으로 처음 입증한 것이다. 홍승범 카이스트 신소재공학과 교수는 “이번 연구는 2차원 반도체 계면에서 전류가 흐르는 모습을 나노미터 수준에서 직접 확인한 첫 사례”라며 “단일체 계면이 전류의 흐름을 방해하지 않는다는 사실을 실험적으로 입증한 만큼 인공지능(AI) 반도체, 초저전력 반도체, 차세대 로직 반도체 등 미래 반도체 기술 개발에 폭넓게 활용될 것으로 기대한다”고 설명했다.

대구경북과학기술원(DGIST) 전기전자컴퓨터공학과 권혁준 교수팀이 금속-유기 골격체(MOF)를 활용해 사람 코처럼 냄새를 감지하고 인공지능(AI)으로 분석하는 인공 후각 시스템 기술 발전 방향을 제시했다. 권 교수팀은 MOF 소재 설계부터 센서 구현, AI 기반 냄새 패턴 인식까지 전자코 기술의 핵심 연구 흐름을 체계적으로 정리해 재료과학 분야 국제 학술지 ‘프로그레스 인 머티리얼즈 사이언스’에 발표했다. 전자코로 불리는 인공 후각 시스템은 여러 센서가 냄새 분자에 반응해 만들어낸 신호 패턴을 AI가 학습하고 분석하는 기술이다. 식품 위생, 환경오염 감시, 유해가스 탐지, 질병 진단 등 다양한 분야에서 활용 가능성이 큰 것으로 평가받지만 기존 센서 소재로는 선택성, 반응 속도, 작동 조건 등에서 한계가 있었다. 연구팀은 이런 한계를 극복할 수 있는 핵심 소재로 MOF에 주목했다. MOF는 금속 이온과 유기물이 결합해 형성된 다공성 물질로, 미세한 구멍을 통해 냄새 분자를 효과적으로 흡착할 수 있다. 또한 구조와 화학적 성질을 목적에 맞게 설계할 수 있어, 상온·저전력 조건에서도 다양한 냄새를 민감하게 감지할 수 있는 차세대 센서 소재로 평가된다. 연구팀에 따르면 MOF 기반 전자코 기술은 세 부분으로 나눠 볼 수 있는데 MOF는 다공성과 골격 구조를 조절할 수 있는 기본 플랫폼이고 MOF-복합체와 MOF-유도체는 감도·안정성·선택성을 높여준다. 여기에 AI 기반 분석 기술을 접목하면 복잡한 냄새 신호를 보다 정확하게 분류하고 해석할 수 있게 된다. 권혁준 교수는 “MOF는 사람의 후각 수용체처럼 다양한 냄새에 서로 다른 반응을 보이도록 설계할 수 있는 무한한 소재 라이브러리를 제공한다”며 “MOF 기반 전자코가 향후 질병 진단 등 헬스케어, 공기질 및 산업 안전 모니터링, 스마트 농업, 자율주행·로봇의 화학 인지 기술 등으로 확장될 수 있을 것”이라고 설명했다.

의료기기 및 온열기기 전문기업 닥터서플라이(대표 안승규)는 서울경제진흥원이 주최한 ‘2026 서울어워드(Seoul Award 2026)’에서 자사의 2027년형 프리미엄 은사매트·패드 시리즈 3종이 우수상품으로 선정됐다고 밝혔다. 서울어워드는 서울시와 서울경제진흥원이 주관하는 우수상품 인증 제도로, 서울 소재 중소기업이 제조한 우수 제품을 대상으로 상품성, 기술력, 디자인, 글로벌 경쟁력 등을 종합적으로 평가해 선정한다. 선정된 기업에는 해외 판로 개척과 수출 확대를 위한 다각적인 지원이 제공된다. 이번에 우수상품으로 선정된 제품은 프리미엄 은사매트, 은사매트 뱀부 클래식, 하이브리드 은사패드 등 총 3종이다. 주요 모델인 프리미엄 은사매트는 1mm 두께의 슬림 설계와 저전력 기술, 전자파 저감 설계를 적용한 것이 특징이다. IoT(사물인터넷) 기반의 스마트 기능을 도입했으며, AI(인공지능) 기반 수면 데이터 분석 기능을 통해 사용자 맞춤형 수면 환경을 지원한다. 은사매트 뱀부 클래식은 천연 대나무 소재를 활용해 원적외선 방사 특성을 강화한 사계절용 제품이다. 하이브리드 은사패드는 USB 전원 방식을 지원해 보조배터리와 연결이 가능하며, 여행·캠핑·차량 등 야외 환경에서도 사용할 수 있도록 휴대성을 높였다. 닥터서플라이는 오는 9월 삼성 스마트싱스(SmartThings)를 비롯한 스마트홈 플랫폼과의 연동성을 강화하고, AI 기반 수면 기술을 고도화한 신제품을 출시할 예정이다. 이와 함께 양모 등 프리미엄 소재를 적용한 신규 매트 라인업도 함께 선보인다는 계획이다. 송성한 닥터서플라이 CMO 본부장은 “지난 2024년 서울어워드에서 은사매트가 우수상품으로 선정된 데 이어 올해 후속 제품 3종이 연이어 선정되는 성과를 거뒀다”라며 “주력 제품의 판매 확대에 힘입어 매트 사업 부문 매출도 최근 3년간 약 800% 성장세를 기록했다. 이번 수상을 계기로 연구개발과 기술 투자를 지속해 국내뿐만 아니라 해외 시장에서도 경쟁력을 갖춘 제품을 꾸준히 선보일 것”이라고 밝혔다.