“화성 ‘뉴 캠퍼스’ 설립을 기점으로 ASML의 기술이 한국 고객사에 더 가까이 갈 것이고, 이는 한국 반도체 산업에도 의미 있는 일이 될 것입니다.”반도체 초미세 공정에 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점적으로 생산하는 네덜란드 ASML의 페테르 베닝크 최고경영자(CEO)가 15일 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 고객사와의 협력 강화 의지를 밝혔다. 베닝크 CEO는 경기 화성에서 열리는 자사 반도체 클러스터 ‘뉴 캠퍼스’ 기공식을 하루 앞둔 이날 서울 삼성동 인터컨티넨탈 호텔에서 언론 간담회를 열고 ASML이 한국에서 펼칠 사업 비전을 공개했다. ASML은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 나노미터(㎚·1억 분의 1m) 단위로 그려 넣는 노광 공정 장비를 제작하는 회사로 삼성전자, SK하이닉스를 비롯해 미국 인텔, 대만 TSMC 등을 주요 고객사로 두고 있다. EUV 노광장비는 1대당 가격이 2000억원에 달함에도 연간 생산 물량이 40대 규모에 불과해 주요 기업들은 저마다 ASML과 긴밀한 관계를 구축하고자 노력하고 있다. 이재용 삼성전자 회장도 유럽 출장 때마다 ASML 본사를 찾아 베닝크 CEO를 만나왔다. 베닝크 CEO는 이 회장과 관련한 질문에 “그와는 주로 (반도체) 사업이나 사업을 둘러싼 주변 환경 등 광범위한 대화를 나눈다”라면서 “수년 동안 인연을 쌓은 만큼 친밀해져서 개인적인 대화도 나누는 사이”라고 소개했다. 베닝크 CEO와 이 회장은 16일 기공식 이후 따로 만날 것으로 알려졌다.ASML이 2400억원을 들여 2024년 말 완공을 목표로 하는 화성 캠퍼스에는 심자외선(DUV)·EUV 노광장비와 관련한 부품 등의 재(再)제조센터와 첨단기술을 전수하기 위한 트레이닝 센터, 체험관 등이 들어선다. 이 가운데 재제조센터는 네덜란드에서 한국 기업에 납품한 장비와 부품의 조립과 수리 등을 담당한다. 이우경 ASML코리아 대표이사는 “재제조센터를 만들면 부품 현지조달이 이뤄질 것이고 한국 협력사 기반이 더욱 확대될 것”이라며 “과거 폐기되던 부품을 다시 제조한다는 면에서 최근 화두로 떠오른 ESG(환경·사회·지배구조) 측면에서도 많은 고객의 요구를 시의적절하게 충족할 수 있다”고 설명했다. 베닝크 CEO는 “한국 고객의 비즈니스가 급격히 성장하고 있다”라면서 “기술의 복잡성이 높아지면서 고객사와 협력이 중요하다. 또 재제조 사업도 대규모로 할 것이기 때문에 고객사와 가깝게 있는 것이 중요하다”고 강조했다. 베닝크 CEO는 글로벌 경기 침체 지속에도 회사의 성장을 확신했다. 그는 “2023년에도 (EUV 장비) 공급이 수요를 따라가기 어려울 것”이라면서 “고성장 시나리오에 따르면 2030년 매출은 지금보다 3배 높은 300억 유로(약 40조 8500억원)로 예상된다”고 말했다. 이어 낙관의 배경으로 “한국에서도 협력 기반을 확대할 기회가 있을 것으로 본다”고 덧붙였다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.　삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 　업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다.  　당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 　허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 　앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려를 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 ‘비트 밀도’를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼상전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론, 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 3위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 ‘200단 시대’를 열었고, 지난 8월 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다.삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 기업용 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전장 시장까지 사업 영역을 확장할 방침이다. 특히 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 전망된다. 전장 시장의 경우 최근 시스템 수준이 향상되면서 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량은 물론 사양 자체도 높아지고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 메모리반도체 업계 경쟁사들이 잇달아 감산을 선언한 데 이어, 자사 3분기 반도체 영업 이익이 거의 ‘반토막’이 났지만, 인위적인 감산은 하지 않을 계획이며 오히려 대규모 시설투자를 계속한다는 방침을 재확인했다. 27일 한진만 삼성전자 부사장은 실적발표 뒤 이어진 컨퍼런스콜에서 “이달 초 ‘테크데이’ 행사에서 인위적 생산 감축은 고려하지 않는다고 했는데 기본 입장에 변화가 없다”며 “중장기 수요 대응을 위해 적정 수준의 인프라 투자를 계속할 것”이라고 말했다. 이어 “다만 시장 상황이 급격하게 변화하는지는 주의깊게 보고 있다”고 말했다. 한 부사장의 발언은 이날 전년 동기 대비 반도체 영업이익이 46%나 감소한 실적발표 직후에 나왔다. 반도체를 담당하는 DS부문 영업이익은 5조 1200억원으로, 지난해 3분기 10조 700억원에 비새 4조 9500억원(49.5%), 지난 분기 9조 9800억원에 비해 4조 8700억원(48.7%)이 줄어든 수치다. 그럼에도 삼성전자는 이날 시설투자 현황과 계획을 함께 발표했다. 3분기 시설투자 12조 7000억원 중 DS 부문에 11조 5000억원이 집중됐다. 올해 연간 시설투자액 약 54조원 중에서도 DS 부문이 47조 7000억원을 차지했다. 메모리의 경우, 평택 3·4기 인프라와 중장기 시장경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 중심 투자가 예상된다. 파운드리는 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 전략으로 수요에 신속하고 탄력적으로 대응한다는 방침 하에 EUV 첨단 공정 수요 대응을 위한 미국 테일러·평택 생산 능력 확대를 중심으로 투자가 집행될 예정이다. 한편 업계에 따르면 세계 3위 D램 업체인 미국 마이크론은 지난달 “2023 회계연도(2022년 9월~2023년 8월) 설비투자를 약 50% 축소, 공급을 줄이기 위한 조치를 시작했다”고 발표했다. 낸드플래시 세계 3위 업체인 일본의 키오시아도 “이달부터 웨이퍼 투입량을 30% 줄이겠다”고 선언했다. 여기에 전날 실적을 발표한 세계 2위 메모리 업체 SK하이닉스마저 감산을 공식화했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다. SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 전년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다.SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아·우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다. SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 늦출 계획”이라고 밝혔다. 노 사장은 미국의 대중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례 없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다.SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 작년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다. SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아-우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 컨퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”라면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다.SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 지연할 계획”이라고 밝혔다. 또 수익성이 낮은 제품을 중심으로 생산량을 줄여 시장의 수급 균형을 맞춰나가기로 했다. 노 사장은 미국의 대 중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.　

반도체 공정의 필수 소재인 과산화수소가 국내 처음으로 제철 과정에서 나오는 부산 가스로 생산된다. 제철 공정에서 발생하는 부산 수소를 원료로 활용함으로써 경제성과 친환경성을 높였다. 포스코케미칼과 OCI의 첨단화학소재 합작사 피앤오케미칼은 20일 전남 광양시 국가산업단지에서 과산화수소 공장 준공식을 열었다. 피앤오케미칼은 광양 국가산업단지 4만 1530㎡ 부지에 연산 5만t 규모의 과산화수소 공장을 세웠다. 과산화수소는 표백과 소독 등에 사용되는 산화제로, 이 공장에서는 반도체 웨이퍼와 디스플레이 기판의 세정·식각 공정에서 필수 소재로 활용되는 전자급 제품과 일반적인 표백·소독 등에 쓰이는 공업용 제품을 생산한다. 이를 통해 국내 반도체 고객사에 경제성이 높고 친환경적인 고순도 과산화수소를 안정적으로 공급할 수 있게 됐다. 업계는 국내 반도체용 과산화수소 수요가 2025년 20만t에 이를 것으로 추산한다. 피앤오케미칼은 국내 최초로 제철 공정에서 발생하는 코크스오븐가스에서 추출한 원료로 과산화수소를 생산한다. 기존의 액화천연가스(LNG) 추출 방식과 비교하면 원료 재활용이 가능해 경제적이며, 탄소 배출량도 29% 줄인 친환경 방식이다. 광양제철소와 배관망을 연결해 제철 공정에서 발생하는 코크스오븐가스를 공급받아 수소를 추출·정제하고, 수소 추출을 마친 코크스오븐가스는 다시 제철소에 공급해 열원으로 재활용한다. 포스코케미칼은 이로써 배터리 소재 외에도 반도체 등 첨단화학소재 분야로 제품 포트폴리오를 확대하고 새로운 성장 동력을 마련하게 됐다. 민경준 포스코케미칼 사장은 “고부가가치 소재 분야로 사업 모델을 고도화하고 성장 동력을 확보하게 됐다”며 “OCI와의 긴밀한 협력으로 반도체 산업의 필수 소재를 안정적으로 공급해 국내 산업 발전에 기여하겠다”고 말했다. 피앤오케미칼은 2020년 7월 포스코케미칼 51%, OCI 49%의 지분으로 설립한 합작사로 과산화수소뿐 아니라 음극재용 피치 등의 첨단화학소재 사업을 추진하고 있다.

●포스코케미칼-OCI, 20일 광양서 연 5만톤 공장 준공포스코케미칼과 OCI가 반도체 공정의 필수소재인 과산화수소를 국내 처음으로 제철공정에서 발생하는 부산 가스로 생산한다. 제철 과정에서 나오는 코크스오븐가스에서 추출한 수소를 원료로 활용함으로써 경제성과 친환경성을 높여 반도체 산업의 경쟁력 강화가 기대된다. 포스코케미칼과 OCI의 첨단화학소재 합작사 피앤오케미칼은 20일 전남 광양시 국가산업단지에서 과산화수소 공장 준공식을 개최했다. 피앤오케미칼은 광양시 국가산업단지 내 4만 1530㎡ 부지에 1459억원을 투자해 연산 5만톤의 공장을 준공했다. 과산화수소(H₂O₂)는 표백과 소독 등에 사용하는 산화제로, 이 공장에서는 반도체 웨이퍼와 디스플레이 기판의 세정·식각 공정에서 필수 소재로 활용되는 전자급 제품과 일반적인 표백·소독 등에 쓰이는 공업용 제품을 생산한다. 이를 통해 대규모 생산라인 증설과 공정 단계 증가로 제품 수요가 크게 늘어나는 국내 반도체 고객사에 경제성이 높고 친환경적인 고순도 과산화수소를 안정적으로 공급할 수 있게 되었다. 피앤오케미칼은 국내 최초로 제철공정에서 발생하는 코크스오븐가스(COG)에서 추출한 원료로 과산화수소를 생산한다. 기존의 LNG 추출 방식과 비교해 원료 재활용이 가능해 경제적이며, 탄소배출량도 약 29% 줄일 수 있어 친환경적인 방식이다. 광양제철소와 배관망을 연결해 제철공정에서 발생하는 코크스오븐가스를 공급받아 수소를 추출 정제하고, 수소 추출을 마친 코크스오븐가스는 다시 제철소에 공급해 열원으로 재활용한다. 코크스오븐가스는 석탄을 제철공정의 코크스로 고온 가공할 때 부산물로 발생하는 가스로 수소와 메탄이 주성분이다. ●반도체 세정용 고순도 과산화수소, 국내 수요 급증포스코케미칼은 과산화수소 사업에 진출하며 배터리소재 외에도 반도체 등 첨단화학소재 분야로 제품 포트폴리오를 확대하고 새로운 성장동력을 확보하게 되었다. 또 철강공정의 부산물을 원료로 화학 제품을 생산해 탄소소재 사업의 부가가치를 극대화할 수 있게 되었다. OCI는 그동안 축적된 기술력을 바탕으로 반도체 공정용 고순도 과산화수소를 안정적으로 생산해 시장 지배력을 더욱 확대하게 되었다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산하고 있으며 이번 공장 준공으로 총 생산량은 기존 7만 5000톤에서 12만 5000톤으로 확대된다. 민경준 포스코케미칼 사장은 “고부가가치 소재 분야로 사업 모델을 고도화하고 성장동력을 확보하게 되었다”며 “OCI와 긴밀한 협력으로 반도체 산업의 필수소재를 안정적으로 공급해 국내 산업 발전에 기여하게 되어 기쁘다”고 말했다. 피앤오케미칼은 2020년 7월 포스코케미칼이 51%, OCI가 49%의 지분으로 설립한 합작사로 과산화수소 외에도 음극재용 피치 등의 첨단화학소재 사업을 추진하고 있다. 양사는 향후에도 원료와 기술 경쟁력을 바탕으로 다양한 고부가가치 소재 사업에 나설 계획이다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다.반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다. 이날 발표는 메모리반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나온다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련해 “현재 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 내년 세계 최초로 5세대 10나노(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산하고 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 선언했다. 메모리 반도체 업계에 혹독한 겨울이 예고되며 경쟁사들이 생산량을 조정하는 가운데, 업계 1위로서 기술력으로 격차를 더 벌리겠다는 전략이다. 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 열고, 차세대 반도체 전략을 발표했다. 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 이정배 메모리사업부장(사장)은 내년 5세대 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 반도체 안의 회로 간격을 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준까지 촘촘하게 만들겠다는 설명이다. 회로 간격이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율이 높아진다. 현재 경쟁사들은 4세대 14나노급 D램을 양산하고 있다. 이날 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술을 제시하겠다고도 밝혔다. 데이터를 저장하는 셀을 높이 쌓을수록 반도체 크기 대비 저장 용량이 커진다. 삼성전자는 현재 7세대 176단 V낸드를 생산하고 있으며, 230단까지 시중에 나와 있다. 다만 셀을 높이 쌓는 것만이 중요한 것은 아니다. 셀의 흔들림이나 셀 사이 간섭을 줄이는 기술이 빠르고 안정적인 낸드플래시를 만드는 핵심이다. 삼성전자는 셀 적층 수뿐 아니라 셀 하나에 저장되는 용량도 높인다. 올해는 세계 최고 용량 8세대 V낸드 기반 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 양산할 계획인데, TLC는 셀 하나에 3비트(Bit)를 저장하는 기술이다. 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가비트) TLC 제품을 공개했다. 이는 업계 최고 수준이다.이날 발표는 메모리 반도체 분야 최강자로서 기술 개발을 주도해 온 삼성전자가 업계 불황이 계속되는 가운데 던진 승부수다. 메모리 반도체를 중심으로 반도체 업황이 전반적으로 부진해, 내년엔 D램 매출이 16% 줄어들 것이라는 전망도 나오고 있다. 삼성전자의 경쟁사인 미국 최대 메모리반도체 생산업체 마이크론은 지난달 29일 기존 공장 생산량을 줄이고 내년 설비투자를 30% 감축할 계획이라고 밝혔다. 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다. 그러나 이날 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 감산 계획과 관련 “현재로서 (감산에 대한) 논의는 없다”며 “다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다”고 말했다. 메모리 수요 감소에도 감산 계획보다는 기술 초격차를 유지하며 1993년부터 점유율 1위를 유지해 온 글로벌 주도권을 놓지 않겠다는 의미다. 지난 3일 ‘파운드리(위탁생산) 포럼’에서 2027년 1.4나노 공정 도입을 선언한 것과도 맥이 통한다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

SK그룹이 올해 사상 최대 규모인 1만 3000명 이상을 채용한다. 이는 지난해 채용 규모인 8500명보다 50%나 늘어난 수준으로, SK가 올해 채용 규모가 이처럼 대폭 늘린 것은 그룹의 핵심 성장 동력인 반도체, 배터리, 바이오 등 이른바 ‘BBC’ 산업의 경쟁력을 더욱 끌어올리기 위해서다. 특히 배터리 사업은 폭발적으로 성장하는 전기차 시장에 대응하기 위해 올해 1000명 이상을 채용했다.SK그룹은 또 앞으로 5년간 서울, 경기, 인천 등 수도권을 제외한 지방에 67조원에 이르는 투자를 단행한다고 14일 밝혔다. 지난 5월 윤석열 정부 출범과 맞물려 발표한 향후 5년간 국내 투자 금액 179조원 가운데 비수도권에 67조원을 쏟아부어 지방경제에 활기를 불어넣고 국토 균형 발전에 기여하겠다는 포석이다. 분야별 비수도권 투자 금액은 반도체·소재 30조 5000억원, 그린산업 22조 6000억원, 디지털 산업 11조 2000억원, 바이오·기타 산업 2조 8000억원 등이다. SK의 주력 사업인 ‘BBC’ 분야의 국내 기반 시설과 기술 경쟁력을 키우려는 의지가 반영된 것이다. SK그룹은 또 올해와 내년까지 기존 국내 공장을 증설하거나 신규로 착공하는 등의 시설 투자에 73조원을 투자하기로 했다. 기술 경쟁력을 높일 연구개발(R&D) 투자에는 향후 5년간 25조원을 쓰겠다는 계획이다. 최근 SK하이닉스가 청주에 신규 반도체 생산 공장인 M15X에 앞으로 15조원을 투자하기로 한 것이나 SK실트론이 최근에 1900억원을 들여 경북 구미2공장에 웨이퍼링과 에피 그로잉 생산 설비를 증설하며 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 제조 공정을 늘린 것이 대표적인 비수도권 투자 사례다. SK 관계자는 “지난 5월 발표한 대규모 국내 투자 계획을 구체적인 청사진을 통해 흔들림 없이 추진해나갈 거란 그룹의 의지를 이번 발표로 보여준 것”이라며 “최근 계속되는 경제위기와 지정학적 리스크 등에 선제적으로 대응하기 위해서는 주요 관계사의 성장 기반인 국내 생산시설에 집중적인 투자를 지속하고 국내 고용을 꾸준히 창출해나가는 것이 필요하다고 판단했다”고 말했다.

대만 반도체 기업이 한국에 하려던 7조원 규모의 투자를 미국이 가로챘다고 한다. 지나 러몬도 미 상무장관은 지난 6일 월스트리트저널과의 인터뷰에서 글로벌웨이퍼스 최고경영자(CEO)와 1시간 통화해 투자를 받아냈다고 밝혔다. 세계 3위의 실리콘 웨이퍼 생산업체인 글로벌웨이퍼스는 지난 2월 독일 투자가 무산된 뒤 대체지로 한국을 염두에 두고 있었다. 웨이퍼는 반도체 집적회로의 핵심 소재다. “한국에선 공장 건설 비용이 미국의 3분의1”이라는 CEO에게 러몬도 장관은 “맞춰 주겠다”고 제안했고, 글로벌웨이퍼스는 2주 뒤인 6월 말 텍사스주에 50억 달러의 공장 건설 계획을 발표했다. 미국은 미래 경제패권을 결정짓는 핵심 물자 확보와 일자리 창출에 공격적으로 나서고 있다. 러몬도 장관은 지난 7월 의회를 통과한 반도체지원법 세부안을 공개하면서 “내년부터 390억 달러(약 54조원)를 풀어 글로벌 반도체 기업을 더 적극적으로 미국으로 유치하겠다”고 말했다. 또 기업을 평가하는 주요 요소는 ‘미국 국가안보’라고도 했다. 미 의회는 지난달 북미 지역에서 생산되지 않은 전기차에 대한 보조금 지급을 배제하는 인플레이션감축법(IRA)도 통과시킨 바 있다. 올 상반기 외국인의 국내 직접투자가 111억 달러로 지난해 같은 기간보다 15.6% 줄었다. 올 1분기 우리 기업들의 해외 직접투자는 254억 달러로 123.9% 늘었다. 한국 기업들은 해외로 나가고, 외국 기업은 국내 환경에 매력을 느끼지 못하고 있다. 세계 최강대국인 미국의 대통령, 정부, 의회가 혼연일체로 보조금을 풀며 기업을 유치하고 있다. 동맹의 가치가 아니라 자국의 이해득실을 우선시하는 냉혹한 현실이다. 이 와중에 우리 정부와 국회는 무엇을 했는지 국민들에게 설명하길 바란다.

한화솔루션이 태양광 사업 경쟁력 강화를 위해 국내에 7600억원을 투자한다. 글로벌 재생에너지 시장 확대에 맞춰 태양광 소재 사업에 박차를 가한다는 취지다. 특히 한화의 이 같은 행보는 최근 김동관 한화솔루션 사장의 부회장 승진 이후 그룹의 핵심 동력인 태양광 사업에 대한 투자를 가속하고 있어 눈길을 끈다. 한화솔루션 케미칼 부문은 GS에너지와 손잡고 태양광 모듈용 시트의 핵심 소재인 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA)를 생산하는 합작회사를 전남 여수산업단지에 설립한다고 7일 밝혔다. 두 회사가 총 5900억원을 투자해 설립하는 에이치앤지케미칼은 2025년 9월부터 연산 30만t을 목표로 EVA를 생산할 계획이다. 한화솔루션이 합작사의 지분 51%를 보유한다. EVA 시트는 태양광 셀의 성능을 유지하는 핵심 자재다. 한화솔루션 첨단소재 부문도 이에 맞춰 충북 음성에 약 417억원을 투자해 EVA 시트 생산라인을 증설한다. 업계에 따르면 지난해 연간 440만t 규모의 글로벌 EVA 시장은 태양광 시트 수요 증가로 연평균 5.6%씩 성장할 것으로 전망되고 있다. 이번 합작회사를 통해 한화솔루션을 포함한 한화그룹의 EVA 생산 능력은 총 92만t으로 늘어나 미국 엑슨모빌(79만t)을 제치고 글로벌 1위 EVA 생산 업체로 도약하게 된다. 한화솔루션 큐셀 부문은 충북 진천공장에 고효율의 탑콘(셀에 얇은 산화막을 삽입한 제품) 기반 셀과 대형 웨이퍼(M10)를 활용한 모듈 생산라인을 설치하는 데 약 1300억원을 투입한다. 한화솔루션 관계자는 “이번 투자는 글로벌 태양광 시장에 선제 대응하고 국내에서 고출력의 태양광 핵심 제품 생산 기반도 확보하겠다는 것”이라며 “한화솔루션이 50년간 축적한 소재 생산 역량과 GS에너지의 자회사인 GS칼텍스의 경쟁력 있는 원료를 활용해 합작회사를 단기간에 세계 일류 EVA 제조 기업으로 성장시킬 것”이라고 말했다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템 반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.” 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다.경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 이날 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령이 평택 캠퍼스를 방문했을 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 대해 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하며 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려 나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 지난 7월부터 낸드플래시 양산에 들어간 3공장은 평택 캠퍼스 내에서도 가장 큰 규모로 조성되고 있다. 공장 전체 면적은 99만㎡로 이는 축구경기장 25개를 합쳐 놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 각 공정은 100% 자동화로 24시간 중단 없이 진행된다. 3공장 완공 이후 289만㎡(약 87만평) 부지의 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성한다는 게 삼성전자의 장기 비전이다.

“평택 캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 반도체 생산은 물론 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것입니다.”2030년까지 시스템 반도체 세계 1위를 달성 목표를 밝힌 이재용 삼성전자 부회장의 ‘반도체 전진기지’가 7일 처음으로 언론에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 이날 올해 하반기부터 반도체 생산에 들어간 평택 캠퍼스 제3공장(P3)을 공개하며 본가동을 공식화했다. ●기자들 만난 ‘소통왕’ 경계현 “질문 더 받을게요” 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 평택 현장에서 직접 P3 가동 의미와 삼성의 반도체 전략 등을 설명했다. 경 사장의 간담회는 지난 5월 조 바이든 미국 대통령의 평택 캠퍼스 방문 당시 윤석열 대통령과 처음 만나 악수를 했던 사무2동 대회의실에서 진행됐다. 대회의실 입구에는 한미 정상의 서명이 담긴 3나노 웨이퍼가 전시돼 있었다. 경 사장은 삼성전자의 메모리 기술 격차가 주요 경쟁사와 좁혀지고 있다는 업계의 지적에 “(기술 격차가) 5~10년 전만 해도 많이 있었지만 조금 줄어든 것은 사실”이라고 인정하면서 “연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 영향이 크다”고 진단했다. 그는 이어 “격차가 줄어든 이유를 알고 있으니 연구개발 투자 강화를 통해 다시 격차를 벌려나갈 수 있다”고 자신했다. 경 사장은 반도체 혹한기에도 공격적인 투자를 강조했다. 그는 “반도체 시황이 하반기에도 안 좋을 것 같고, 내년도 그렇게 좋아질 모멘텀이 보이지는 않는다”라면서도 “위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 업황과 관계 없이 우리는 우리의 페이스대로 투자하고 나아갈 것”이라고 덧붙였다. 파운드리 세계 1위 대만 TSMC와의 시장점유율 경쟁과 관련해서는 다양한 방법론을 언급했다. 경 사장은 “여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중”이라면서 “(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객을 유치해 이기는 방법도 있다”고 말했다.그는 인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 “어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다”고 답했다. 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4’에 대해서는 “정부가 할 일과 기업이 할 일을 구분할 필요가 있다”라면서 “우려하는 부분에 대해 (정부에) 전달한 것은 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “예를 들면 중국에 먼저 이해를 구하고 미국과 협상을 했으면 좋겠다”며 “미중 갈등 속에서도 서로 윈윈하는 솔루션을 찾기 위해 노력하고 있다”고 설명했다. 삼성전자 측은 애초 경 사장과 기자단과의 간담회가 아닌 가벼운 인사자리로 시간을 마련했으나 평소 사내 ‘소통왕’으로 불리는 경 사장이 “질문을 더 받겠다, 시간을 더 함께 하고 싶다”며 질의응답 시간을 이어가면서 30분 가까이 진행됐다. ●벽이 사라지자 클린룸이 펼쳐졌다 삼성전자는 3공장 가동을 알리며 언론을 평택 캠퍼스로 초대했지만, 생산시설 설명은 1공장에서 진행됐다. 아직 전체 공사가 마무리되지 않은데다 외부인의 시설 견학이 가능한 공간은 1공장에만 있기 때문이다. 바이든 대통령도 지난 5월 방문 당시 1공장에서 유리창 너머로 반도체 생산 상황을 지켜보며 삼성 측의 안내를 받았고, 당시 3공장은 가동 이전이어서 내부로 들어갈 수 있었다. 1공장에서 시설을 안내하던 현장 직원이 벽면에 설치된 버튼을 누르자 그저 검은색 벽인 줄로만 알았던 공간이 순식간에 투명한 유창으로 변하며 낸드와 D램 등 메모리 반도체 생산 현장이 눈앞에 펼쳐졌다.1공장을 비롯해 이곳의 반도체 공정은 ‘천장대차시스템’(OHT·Overhead Host Transport) 장비가 사람의 손을 대신하고 있었다. OHT는 천장에 설치된 레일을 따라 움직이는 장비로, 각각의 OHT가 24장의 웨이퍼를 8대 공정 설비로 나르고 있었다. 1공장은 최장 길이 520m로 우리나라 최고층 건물인 잠실 롯데월드타워(555m)를 높여놓은 길이와 맞먹고 폭은 200m에 이른다. 이런 규모의 복층형 구조에 총 1850여대의 OHT가 24시간 가동되고 있다. 올 하반기 전체 완공을 앞둔 3공장은 이보다 더 큰 99만㎡ 면적으로, 이는로 축구경기장 25개를 합쳐놓은 규모라는 게 삼성전자 측 설명이다. 3공장 역시 복층 구조로 각 4개 구역으로 건설되며, 먼저 완공된 낸드 생산시설 외에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리(위탁생산) 공정시설까지 모두 구비될 예정이다. 외부 먼지와 세균을 완벽하게 차단한 클린룸 내부에는 방진복을 입은 소수의 직원들이 내부 설비를 점검하고 있었다. 반도체 제조가 100% 자동화로 이뤄지면서 사람은 설비 이상 유무 등을 파악한다. 클린룸으로 들어가는 직원은 화장도 금지된다. 방진복을 입고 보호 안경까지 착용하더라도 눈 깜빡임에 화장품 가루가 흩날리며 클린룸을 오염시키고, 이는 제품 불량으로 직결되기 때문이다. ●헬기 타고 가던 트럼프 “왓 더 헬 이즈 댓?” 평택 캠퍼스는 총 면적이 289만㎡(87만평) 에 이르는 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로, 부지 면적은 국제규격 축구장 400개를 합친 규모에 달한다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령은 2017년 방한 당시 평택 미군기지에서 헬기를 타고 용산 미군기지로 이동하던 중 삼성의 평택 캠퍼스를 보고 “도대체 저게 뭐야?”(What the hell is that?) 라며 그 규모에 놀라기도 했다. 수행자로부터 삼성 반도체 공장임을 안내받은 트럼프 전 대통령은 “저런 것을 미국에 지어야 했는데”라며 아쉬워한 것으로 전해졌다.삼성전자는 3공장 완공 이후 평택 캠퍼스에 6공장까지 제조시설을 늘려 기흥 캠퍼스(145만㎡)와 화성 캠퍼스(158만㎡)로 이어지는 대한민국 반도체 생태계를 조성할 계획이다.

SK는 추석을 앞두고 중소협력사들이 자금난 없이 현금을 원활히 운용할 수 있도록 물품대금 6495억원을 조기 지급한다고 2일 밝혔다.이번 물품대금 조기 지급에는 SK하이닉스(4500억원), SK텔레콤(1320억원), SK실트론(377억원), SK E&S(105억원), SK㈜ C&C(80억원), SK스페셜티(77억원) 등 모두 10개 관계사가 참여했다. SK 관계사들은 지급 기한을 평균 10일 앞당겨 협력사에 대금을 지급할 예정이다. 이에 따른 이자비용은 SK가 부담한다. SK 측은 이번 조기지급이 최근의 경기 불황과 금리 인상 등 대내외 악재로 자금 운용에 어려움을 겪어온 SK 협력사들에 도움이 될 것으로 기대하고 있다. 이에 앞서 SK는 그동안 중소협력사들의 자금 운용, 기술 경쟁력 확보, 인재 채용 등에서도 상생협력을 강화해왔다. SK 14개 관계사는 4480억원 규모의 동반성장펀드를 운용하고 있고, 협력사들에 이자율 1.01~1.83%를 감면한 저리대출 등을 지원하고 있다. SK하이닉스는 1~2차 협력사들의 대금지불 조건 개선을 위해 무이자로 대출해주는 500억원 규모의 납품대금펀드를 별도로 운영 중이다. 기술 잠재력이 큰 유망 중소기업을 ‘기술혁신기업’으로 선정해 기술개발 자금을 역시 무이자 대출로 지원한다. ‘반도체 아카데미’는 반도체 관련 산업지식과 노하우를 협력사 등에 공유해 왔다. SK텔레콤은 앞서 올 설 명절과 하반기 원자재값 및 원·달러 환율 상승 등으로 자금난을 겪는 협력사를 위해 3480억원 규모의 자금을 조기 지급한 바 있다. 이밖에 SK텔레콤은 자사가 보유한 특허기술을 협력사가 무상으로 사용할 수 있도록 지원하고, 협력사가 아닌 중소기업의 경우에도 온라인 개발자 지원센터인 ‘T 디벨롭퍼스’에 가입하면 ICT 관련 기술을 개발할 수 있도록 지원한다. 또 코로나19로 인력 확보에 어려움을 겪는 협력사들을 위해 ‘비대면 채용 박람회’를 열고 있고, 협력사 신입사원 교육을 무상으로 지원하고 있다. SK실트론은 신입사원 교육 및 웨이퍼 제조공정 등 특화교육을 지원한다. SK 관계자는 “앞으로도 중소협력사들과의 동반성장 및 지속가능 성장을 위해 실질적으로 도움이 될 수 있는 기업활동들을 지속적으로 벌여 나갈 것”이라고 말했다.

국내 수입품 중 특정 국가에 대한 의존도가 75% 이상인 품목이 636개로 집계됐다. 수입품 중 특정국 수입 의존도가 90% 이상인 품목도 339개인데, 이 중 중국 의존 품목이 178개로 52.5%를 차지했다. ●‘90% 의존 품목’ 절반은 중국산 김회재 더불어민주당 의원은 29일 산업통상자원부로부터 ‘2022년 상반기 특정국 의존 품목’ 자료를 입수해 이같이 집계했다. 올해 상반기 1000만 달러(약 133억원) 이상 규모 수입품 중 국가별 의존도를 셈했다. 특정국 수입 의존도가 90% 이상인 품목을 많이 보유한 국가는 중국에 이어 일본(48개), 미국(27개), 베트남(9개), 러시아(8개) 등의 순이다. 한국의 차세대 주력 산업인 자동차 배터리 핵심 소재와 반도체 장비 소재·부품·장비 품목의 경우 대중, 대일 의존도가 높았다. 예컨대 상반기에 전기차 배터리 핵심 소재인 리튬염을 11억 6540만 달러어치 수입했는데, 이 가운데 약 97%를 중국에서 들여왔다. 또 다른 배터리 핵심 소재인 산화코발트의 수입액은 9160만 달러인데, 이 중 89%가 중국에서 수입됐다. 인조흑연(91%), 수산화리튬(83%)의 중국 의존도도 높았다. ●웨이퍼 절단기 전량은 일본산 또 반도체 웨이퍼를 개별 칩으로 절단하는 기기는 전량이 일본산이다. 웨이퍼 제조용 도가니(99%), 포토레지스트를 도포·현상·경화시키는 기계(98%) 등의 일본 의존도도 높다.

중국이 미국의 전방위적 압박에도 반도체·배터리 기술 자립에 속도를 내고 있다. 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 중신궈지(SMIC)는 약 10조원을 들여 톈진에 신규 공장을 짓는다. 세계 1위 배터리 업체 닝더스다이(CATL)도 ‘게임 체인저’ 역할을 할 차세대 배터리를 개발한다고 밝혔다. ●SMIC, 톈진에 반도체 신규 공장 29일 사우스차이나모닝포스트에 따르면 SMIC는 최근 톈진시와 ‘12인치 파운드리 생산라인 프로젝트 기본협약’을 체결했다. 28나노미터(㎚·10억분의1ｍ) 공정이 적용된 12인치 웨이퍼를 매달 10만개씩 생산한다. 여기서 만들어진 반도체는 자동차와 가전제품, 통신장비 등에 두루 쓰인다. 공장 증설 비용은 약 75억 달러(약 10조 1250억원)다. ●CATL, 차세대 배터리 개발 박차 앞서 로이터통신도 쩡위췬 CATL 회장이 지난 27일 베이징에서 열린 2022 세계신에너지차총회(WNEVC)에서 “신소재 기술을 활용한 차세대 배터리를 준비하고 있다”고 공개했다고 전했다. 중국 배터리의 주류인 인산철(LFP) 배터리보다 에너지 밀도를 20% 높여 1회 충전 시 최장 700㎞까지 주행이 가능하다. 최근 조 바이든 미 대통령은 인플레이션 감축법에 서명했다. CATL 등 중국 배터리 업체들을 미국 시장에서 퇴출하려는 조치다. 그럼에도 CATL은 기술 혁신으로 글로벌 전기차 배터리 시장에서 왕좌를 굳힌다는 목표를 세웠다.  

“에너지원은 장단점이 뚜렷하기에 ‘선택’이 아닌 ‘조화’가 중요합니다. 재생에너지냐, 원자력발전(원전)이냐를 따질 때가 아니라 실현 가능한 최적의 에너지믹스 구축이 시급합니다.” 김녹영 대한상공회의소 탄소중립센터장은 16일 서울신문과의 인터뷰에서 정권마다 바뀌는 ‘에너지 정책’으로 소모적인 논쟁과 국민 갈등, 현장의 혼란이 야기되고 있다고 말했다. 2050년 탄소중립 시나리오에 따른 이행 과정에서 석탄보일러가 전기보일러로, 제철소의 코크스(석탄) 이용 고로가 전기로로, 내연기관차가 전기차로 대체되는데, 미래 전기 사용 급증 상황에 대한 설명이 생략된 탓에 ‘에너지 정책=에너지원별 비중 조정’이란 인식이 생겼다고 김 센터장은 밝혔다. 김 센터장은 “문재인 정부는 탈원전을 한다며 재생에너지를 늘렸고, 현 정부는 원전을 늘리면 모든 문제가 해결되는 것처럼 인식하게 한다”며 “재생에너지를 현재보다 20배 늘리거나 현재 24기인 원전을 2배 추가 건설하는 것이 가능하겠냐”고 반문했다. 결국 탈원전·친원전은 원전을 포기할 수도, 단기간에 대단한 성과를 낼 수도 없는 정치적 구호에 불과하다는 설명이다. 그는 “국민 생활과 밀접한 에너지 정책은 ‘백년대계’로 경제적·과학적 근거를 바탕으로 접근해야지 정치적·이념적 판단이 작용해서는 안 된다”고 했다. 지난 정부의 재생에너지 확대는 방향은 맞지만 준비가 부족했다고 김 센터장은 평가했다. 재생에너지 보급 확대에 정책이 집중되면서 효율성·경제성 측면의 성장이 도외시되는 ‘탈동조화’(디커플링)가 발생했다. 국내 태양광과 풍력 발전 용량이 2015~2020년 연평균 29.1%씩 증가했지만, 이 기간 국내 관련 기업들의 연평균 매출액은 2.6%, 고용 인원은 3.0% 감소했다. 더욱이 태양광산업 부품 중 폴리실리콘과 웨이퍼의 글로벌 공급 대부분을 중국이 점유하면서 국내 공급망이 사실상 무너졌다. 풍력산업의 핵심 설비는 유럽과 미국 업체에 의존하고 있다. 원전산업은 투자가 축소되면서 산업 생태계가 악화된 경우다. 2016년 매출액이 5조 5000억원이던 원전산업은 2020년 4조 1000억원, 수출액은 1억 2000만 달러에서 3000만 달러, 고용은 2만 2000명에서 1만 9000명으로 감소했다. 김 센터장은 “석탄과 액화천연가스(LNG)를 단계적으로 축소하는 과정에서 재생에너지 관련 기업을 육성하고 원전의 안전성을 확보하는 노력이 병행됐어야 했다”며 “현실적 문제로 대두된 RE100에 제대로 대응이 안 되는 상황이 됐다”고 말했다. 김 센터장은 ‘에너지 신산업의 성장동력화 및 수출산업화’에 대해 기대감을 표했다. 다른 산업을 지원하는 ‘국가기간산업’ 역할에서 새로운 성장동력으로 육성한다는 정책 변화라고 했다. 다만 국내 전력시장의 경직성과 요금 규제, 정보 독점 등 환경이 미흡한 것으로 평가했다. 그는 “에너지산업도 반도체와 같은 규제 해소가 요구된다”며 “민간이 참여할 수 있는 연구개발 확대 및 성과물에 대한 인센티브 제공 등 지원책이 마련돼야 한다”고 제언했다.