미국 인플레이션 감축법(IRA)으로 새 기회를 잡은 한화솔루션이 연간 약 1조원의 세액공제 혜택을 바탕으로 북미 시장에 대규모 투자를 한다. 내년까지 3조 2000억원을 투입해 미국 조지아주 일대에 태양광 통합 생산단지 ‘솔라 허브’를 구축한다. 북미 태양광 에너지 산업 역사상 가장 큰 규모다. 이구영 한화솔루션 큐셀부문 대표는 11일 서울 중구 한화빌딩에서 열린 미디어데이 행사에서 “솔라 허브는 매년 20% 안팎의 급성장이 예상되는 미국 태양광 산업의 핵심 생산기지가 될 것”이라고 강조했다. 태양광 제조 산업은 크게 소재·원료 단위의 업스트림(폴리실리콘·잉곳·웨이퍼)과 셀·모듈을 만드는 미드스트림으로 나뉜다. 한화솔루션은 일단 폴리실리콘을 제외한 나머지 4개 제품(잉곳·웨이퍼·셀·모듈)을 한 곳에서 생산하는 통합 밸류체인을 구축할 예정이다. 아울러 지난해 지분을 인수한 ‘REC실리콘’이 만드는 폴리실리콘도 솔라 허브에 투입하는 것을 검토하고 있다. 검토가 마무리되면 태양광 모듈 생산 전 과정을 미국에 갖춘 통합 제조사로 거듭난다. 우선 조지아주 카터스빌에 총 3조원을 투자해 내년 말 양산을 목표로 각 3.3GW 규모의 잉곳·웨이퍼·셀·모듈 통합 생산단지를 건설한다. 조지아의 주도 애틀랜타에서 84㎞ 떨어진 거리로 차로는 55분 정도 걸린다. 접근성이 좋아 물류 운영이나 인력 채용이 비교적 쉽다. 아울러 기존 조지아 돌턴 공장의 연간 생산능력도 현재 1.7GW에서 올해 말까지 5.1GW로 확대한다. 미국에서만 총 8.4GW 규모의 생산능력을 갖추는 것이다. 북미 최대 규모로 미국 기준 약 130만 가구가 1년간 사용할 수 있는 전력량이다. IRA 시행 이후 미국에 태양광 제조시설을 보유한 회사는 세액공제 등 올해부터 다양한 정부의 지원을 받을 수 있다. 그동안 제조 전 과정을 독점하고 있던 중국을 배제하고 사업을 펼칠 수 있는 만큼 한화솔루션에는 기회다. IRA에 따르면 제조 품목별로 모듈이 와트당 7센트, 셀 4센트, 잉곳·웨이퍼가 4.69센트의 세제 혜택을 받을 수 있다. 연간 한화솔루션이 받을 수 있는 세액공제 혜택은 8억 7500만 달러(약 1조 1000억원) 규모로 예상된다. 우드매킨지에 따르면 한화솔루션은 지난해 3분기까지 미국 주택용 태양광 모듈 시장에서 17분기 연속, 상업용 태양광 모듈 시장에서 12분기 연속 점유율 1위를 차지했다. 회사는 원재료부터 완제품까지 미국 현지에서 생산한 ‘메이드 인 아메리카’ 태양광 제품 판매를 통해 현지 시장 1위 자리를 더욱 탄탄히 굳힐 수 있을 것으로 기대했다.

미국 인플레이션 감축법(IRA)으로 새 기회를 잡은 한화솔루션이 연간 약 1조원의 세액공제 혜택을 바탕으로 북미 시장에 대규모 투자에 나선다. 내년까지 3조 2000억원을 투입해 미국 조지아주 일대에 태양광 통합 생산단지 ‘솔라 허브’를 구축한다. 북미 태양광 에너지 산업 역사상 가장 큰 규모다. 이구영 한화솔루션 큐셀부문 대표는 11일 서울 중구 한화빌딩에서 열린 미디어데이 행사에서 “솔라 허브는 매년 20% 안팎 급성장이 예상되는 미국 태양광 산업의 핵심 생산기지가 될 것”이라고 강조했다. 태양광 제조 산업은 크게 소재·원료 단위의 업스트림(폴리실리콘·잉곳·웨이퍼)과 셀·모듈을 만드는 미드스트림으로 나뉜다. 한화솔루션은 일단 폴리실리콘을 제외한 나머지 4개 제품(잉곳·웨이퍼·셀·모듈)을 한 곳에서 생산하는 통합 밸류체인을 구축할 예정이다. 아울러 지난해 지분을 인수한 ‘REC실리콘’이 만드는 폴리실리콘도 솔라 허브에 투입하는 것을 검토하고 있다. 검토가 마무리되면 태양광 모듈 생산 전 과정을 미국에 갖춘 통합 제조사로 거듭난다. 우선 조지아주 카터스빌에 총 3조원을 투자해 내년 말 양산을 목표로 각 3.3GW 규모의 잉곳·웨이퍼·셀·모듈 통합 생산단지를 건설한다. 조지아의 주도 애틀란타에서 84㎞ 떨어진 거리로 차로는 약 55분 정도 걸린다. 접근성이 좋아 물류 운영이나 인력 채용이 비교적 쉽다. 아울러 기존 조지아 달튼 공장의 연간 생산능력도 현재 1.7GW에서 올해 말까지 5.1GW로 확대한다. 미국에서만 총 8.4GW 규모의 생산능력을 갖추는 것이다. 북미 최대 규모로 미국 기준 약 130만 가구가 1년간 사용할 수 있는 전력량이다. IRA 시행 이후 미국에 태양광 제조시설을 보유한 회사는 세액공제 등 올해부터 다양한 정부의 지원을 받을 수 있다. 그동안 제조 전 과정을 독점하고 있던 중국을 배제하고 사업을 펼칠 수 있는 만큼 한화솔루션에게는 기회다. IRA에 따르면 제조 품목별로 모듈이 와트당 7센트, 셀 4센트, 잉곳·웨이퍼가 4.69센트의 세제 혜택을 받을 수 있다. 연간 한화솔루션이 받을 수 있는 세액공제 혜택은 약 8억 7500만 달러(약 1조 1000억원) 규모로 예상된다. 우드맥킨지에 따르면 한화솔루션은 지난해 3분기까지 미국 주택용 태양광 모듈 시장에서 17분기 연속, 상업용 태양광 모듈 시장에서 12분기 연속 점유율 1위를 차지했다. 회사는 “원재료부터 완제품까지 미국 현지에서 생산한 ‘메이드 인 어메리카’ 태양광 제품 판매를 통해 현지 시장 1위 자리를 더욱 탄탄히 굳힐 수 있을 것”으로 기대했다.

웨이퍼 캐리어 전문 제조 업체 삼에스코리아(3S·대표 김세완)는 중국 에스윈 공장에 100만 달러 규모의 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 납품한다고 9일 밝혔다. 3S 관계자는 “이번 공급은 지난해 6월에 착공한 에스윈의 제2공장 증설에 따른 소요 물량”이라며 “계약 물량은 증설 일정에 따라 올해 말까지 두 차례에 걸쳐 공급할 계획”이라고 전했다. 3S가 납품 예정인 FOUP은 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 운반할 때 쓰이는 특수 목적용 박스다. 에스윈 측은 기존 웨이퍼 제조 공정에서는 사용하지 않다가 최근 신설 중인 웨이퍼 제조 공정 중 일부 자동화로 전환된 공정에서 사용하기 시작했다. 3S 관계자는 “중국이 실리콘 웨이퍼 생산의 국산화를 가속화하며 에스윈 그룹에도 상당한 금액의 자금을 투입한 것으로 알려졌다. 3S와 에스윈은 사업 초기부터 긴밀한 협력관계를 유지하고 있어 향후 파트너십 강화도 기대된다”고 말했다. 에스윈은 2016년 중국 베이징에 설립된 시스템 반도체 기업으로 반도체 및 디스플레이 부품을 생산해오다 2018년 5월 중국 서안에 300㎜ 웨이퍼 제조를 시작했다. 기존 1개 공장에서 월 50만장의 생산 캐파를 보유한 업체로 이미 3S가 생산 중인 오픈 카세트(O/C)와 웨이퍼 캐리어 박스(FOSB)를 구입해 사용 중이다. 에스윈은 향후 서안에 추가로 3공장까지 증설해 월 150만장 생산을 계획 중이며, 중국 무한 및 성도에도 추가 공장 투자를 계획 중이다.

글로벌 D램 시장 부동의 1위 삼성전자가 반도체 기술력의 한계를 또 한번 뛰어넘으며 세계 최초로 12나노미터(㎚·10억분의1ｍ) D램 시대를 열었다. 내년 상반기까지는 ‘메모리 혹한기’가 지속될 전망이지만, 시장이 반등하는 하반기부터는 초격차 기술력을 바탕으로 그간의 매출 하락을 빠른 속도로 회복하고 재도약한다는 게 삼성의 전략이다. 삼성전자는 업계 최소 선폭인 12나노 DDR5 D램을 개발하고 최근 미국 AMD와 함께 호환성 검증까지 마쳤다고 21일 밝혔다. 지난해 10월 업계 최초로 14나노 DDR5 D램 양산에 들어간 삼성전자는 내년부터 신제품 양산을 본격화할 예정이다. 신제품은 반도체 제작 원판인 실리콘 웨이퍼에 유전율이 높은 신소재를 적용해 칩 내부 전하를 저장하는 공간인 ‘커패시터’ 용량을 높였다. 유전율은 전기적 특성이 없는 부도체의 전자기파 진행 능력을 의미하는데, 웨이퍼의 유전율 향상은 곧 D램 성능 향상을 위한 선행 조건으로 꼽힌다.신공정을 통해 소비 전력은 기존 제품 대비 약 23% 개선됐고, 최대 동작 속도는 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 소비 전력량이 줄었다는 점에서 기후위기 극복을 위한 정책을 강화하고 있는 유럽과 글로벌 정보기술(IT) 기업들의 수요가 늘어날 것이라는 기대감도 나온다. 삼성전자는 신제품에 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 더욱 세밀하게 회로를 설계하는 방식으로 생산성을 기존 제품 대비 20% 높였다. 웨이퍼 한 장으로 만들 수 있는 D램의 수량이 20% 증가한다는 의미다. 삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라면서 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다. 업계 관계자는 “위기에 더욱 공격적인 투자와 연구개발로 새로운 기회를 창출한다는 삼성전자의 전략을 신기술 확보로 증명해 보이고 있다”면서 “내년 하반기부터는 기업의 메모리 수요가 회복될 것으로 보이는 만큼 삼성의 메모리 시장 지배력 또한 더욱 커질 것”이라고 내다봤다.

삼성전자는 기존의 GDDR6 메모리를 한 단계 업그레이드한 GDDR6W 메모리를 공개했습니다. GDDR6W는 지난 7월 삼성이 공개한 24Gbps GDDR6와 동일한 크기의 패키지로 새로운 반도체 다이 (die)를 사용하는 대신 새로운 적층 조립 기술인 FOWLP (Fan-Out Wafer level Package)을 이용해 대역폭과 용량을 두 배로 늘렸습니다.  반도체 업계를 선도하는 혁신 기술은 하나둘이 아니었기 때문에 오히려 보도 자료만 봤을 때는 별 감흥이 없을 수도 있습니다. 항상 더 빠르고 용량이 큰 반도체를 만들어왔기 때문에 역설적으로 더 이상 새롭게 느껴지지 않는 것입니다. 하지만 내용을 뜯어보면 재미있는 이야기가 숨어 있습니다.  삼성전자 뉴스룸을 통해 발표된 내용을 보면 GDDR6W의 중요한 비교 대상이 GDDR6와 HBM2E 메모리라는 점을 알 수 있습니다. GDDR6 메모리의 후공정 부분을 개선해 성능을 높인 제품인 만큼 GDDR6 메모리와 비교는 당연한 일이지만, HBM2E 메모리는 상당히 성격이 다른 메모리입니다. 직접 비교 대상인 HBM2E 메모리는 4096개의 시스템 레벨 I/O를 갖고 있으며 핀 (pin) 당 대역폭은 3.2Gbps입니다. GDDR6W는 시스템 레벨 I/O 숫자는 512개 정도이지만, 대신 핀 당 전송 속도가 22Gbps로 빠릅니다.  일반적인 그래픽 카드에 탑재되는 HBM2E 메모리는 총 1.6TB/s의 대역폭을 지닌 GDDR6W 메모리는 1.4TB의 대역폭을 지녀 둘이 거의 비슷합니다. 이 비교가 중요한 이유는 그래픽 카드 제조사들이 값비싼 HBM2E 메모리 대신 상대적으로 저렴한 GDDR6W 메모리로 비슷한 성능을 낼 수 있기 때문입니다. HBM 메모리는 기존의 GDDR 메모리가 따라올 수 없는 높은 대역폭과 용량을 지녔기 때문에 처음 등장했을 때 그래픽 카드 메모리의 미래로 여겨졌습니다. 하지만 비싼 가격으로 서버용 제품이나 일부 고성능 그래픽 카드에 탑재되는 것이 전부였고 일반 사용자는 거의 사용하기 힘든 제품이었습니다.  최근 등장한 지포스 RTX 4090도 HBM2E 메모리 대신 21Gbps 속도의 GDDR6X 메모리를 384bit로 연결해 1TB/s의 대역폭을 확보했습니다. 사실 이렇게 연결하는 것이 256bit 메모리보다 훨씬 비싸지만, 그래도 HBM2E보단 저렴합니다.  그런데 GDDR6W를 대신 사용하면 어떨까요? 이론적으로 256bit 메모리 인터페이스로 더 높은 대역폭 확보가 가능해집니다. 그러면 전체적인 비용을 낮추면서도 더 높은 그래픽 성능을 구현할 수 있습니다.  GDDR6W 메모리는 HBM2E 메모리와 비교해서 시스템 레벨 I/O가 1/8에 불과합니다. 따라서 가격을 높이는 주범인 마이크로 범프나 실리콘 인터포저 층 추가가 필요 없습니다. 더구나 새로운 반도체 다이를 만든 게 아니라 웨이퍼에서 반도체 패키지를 만드는 후공정만 달리 한 것이기 때문에 비용적 측면에서 HBM2E보단 GDDR6와 비슷할 가능성이 높습니다.  삼성 측은 이 GDDR6W 메모리의 고객을 밝히지 않았지만, 현재 GDDR6 메모리의 주요 사용처가 그래픽 카드와 엑스 박스나 플레이스테이션 같은 게임 콘솔이라는 점을 생각하면 엔비디아와 AMD가 최대 고객일 것입니다.  이들이 개발하는 차세대 제품부터 GDDR6W 메모리가 도입된다면 전반적인 성능 향상을 기대할 수 있습니다. 관건은 GDDR6W 메모리와 GDDR6 메모리의 가격 차이입니다. 성능상 이점이 분명한 만큼 가격 차이가 적다면 GDDR6W 메모리가 새로운 대세가 될 것입니다. 반대로 생각보다 가격 차이가 크다면 HBM처럼 대중화는 어려울 것입니다. 어느 쪽인지는 시간이 알려줄 것입니다. 

조 바이든 미국 대통령이 29일(현지시간) 미시간주 SK실트론CSS를 찾아 세계 공급망의 중심에 미국을 세울 것이라고 밝혔다. 대통령 취임 후 자국 내 한국 기업의 제조시설을 방문한 건 처음이다. 바이든 대통령은 “SK실트론CSS 리더들에게 감사를 전하고 싶다. 일류기업인 여기에서 보수가 좋은 일자리를 많이 창출할 것”이라며 “중국과 같이 해외에서 제조된 반도체에 의존하는 대신 미시간에 공급망을 갖출 것이다. 게임체인저다”라고 했다. 또 “최태원 SK 회장에게 미국이 반도체 칩을 발명했다고 말하기도 했는데, 우리는 그런 다음 게을러졌다”며 “우리는 공급망으로서 나머지 세계에 제공하겠지만 더이상 인질(중국 의존)로 잡히지 않을 것”이라고 강조했다. 이 자리엔 그레천 휘트머 미시간 주지사, 댄 킬디 하원의원, 최재원 SK온 수석부회장, 유정준 SK E&S 부회장, 장용호 SK실트론 대표이사 사장이 참석했다. SK실트론CSS는 반도체 핵심 소재인 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소) 웨이퍼를 생산하는 SK실트론의 미국 자회사다. 지난 3월 한미 자유무역협정(FTA) 10주년을 기념해 한미 통상수장도 이곳을 방문했다. 다만 한국산 전기차 차별 논란이 제기된 인플레이션감축법(IRA)에 대한 언급은 없었다. 바이든 대통령은 이날 백악관으로 초청한 민주·공화당 지도부에도 새 회기 시작 전인 이른바 ‘레임덕 세션’에 우선 처리할 안건으로 예산안, 코로나19 대응, 우크라이나 지원 등만 언급했다. 내년부터 ‘상원 민주당·하원 공화당’의 대치구도여서 IRA 개정안을 포함해 대부분의 법안 통과는 더욱 어려워질 전망이다.

취임 후 첫 미국 내 한국공장 방문 “우리가 공급망, 더이상 인질 안해”조 바이든 미국 대통령은 29일(현지시간) 미시간주 SK실트론CSS를 찾아 세계 공급망의 중심에 미국을 세울 것이라고 밝혔다. 바이든 대통령이 취임 후 자국 내 한국 기업의 제조시설을 방문한 건 처음이다. 바이든 대통령은 “나는 SK실트론CSS 리더들에게 감사를 전하고 싶다. 그들은 일류기업이고, 여기에서 보수가 좋은 일자리를 많이 창출할 것”이라며 “중국 같이 해외에서 제조된 반도체에 의존하는 대신 반도체 공급망이 미시간에 있을 것이다. 게임체인저다”고 했다. ●“미중 정상회담 때 공급망 얘기, 시 주석 약간 화났더라” 또 “최태원 SK 회장에게 미국이 반도체 칩을 발명했다고 말했었다. 우리는 그런 다음 게을러졌다”며 “우리는 공급망이 될 것이고, 이를 나머지 세계에 제공하겠지만 더 이상 인질(중국 의존)로 잡히지 않을 것”이라고 강조했다. 최근 주요 20개국(G20) 정상회의 때 시진핑 중국 국가주석과의 첫 대면 회담을 언급하며 “시 주석이 약간 화가 나 있었다. 우리는 공급망 문제에 대해 이야기했다”고 공개했다. SK실트론의 미 자회사인 SK실트론CSS는 반도체 핵심 소재인 실리콘 카바이드 웨이퍼를 생산한다. 지난 3월 한미 자유무역협정(FTA) 10주년을 기념해 한미 통상수장도 방문한 바 있다. 이날 행사에는 그레첸 휘트머 미시건 주지사, 댄 킬디 하원의원, 최재원 SK온 수석부회장, 유정준 SK E&S 부회장, 장용호 SK실트론 대표이사 사장 등이 참석했다. ●의회 레임덕 세션에 우선순위는 예산안, 코로나19, 우크라이나 다만, 한국산 전기차에 대한 차별 논란이 제기된 인플레이션 감축법(IRA)에 대한 언급은 없었다. 바이든 대통령은 이날 민주·공화당 지도부를 백악관에 초청한 자리에서도 새 회기가 시작되기 전인 소위 ‘레임덕 세션’에 우선 처리할 안건으로 예산안, 코로나19 대응, 우크라이나 지원 등만 언급했다. 내년부터 ‘상원 민주당·하원 공화당’의 대치구도이기 때문에 IRA 개정안을 포함해 대부분의 법안 통과는 더욱 어려워질 전망이다.

조 바이든 미국 대통령이 29일(현지시간) 미시간주에 있는 SK실트론CSS 공장을 찾는다. 백악관은 28일 “바이든 대통령이 미시간주 베이시티를 방문해 SK실트론CSS에서 연설한다”며 “보수가 좋은 제조업 일자리 창출과 아래에서 위로의 경제 건설 등 2년간 우리가 이룬 진전에 대해 말할 예정”이라고 밝혔다. 바이든 대통령은 지난 5월 한미 정상회담차 방한했을 때 삼성전자 경기 평택 반도체 공장을 제일 먼저 찾았는데, 미국 내 우리 기업 공장을 방문하는 것은 이번이 처음이다. 바이든이 이번에 SK실트론CSS 공장을 연설 장소로 점찍은 것은 외국 기업의 자국 내 반도체 투자 사례와 이에 따른 일자리 창출 효과 등을 내세우며 정부의 경제 활성화 노력을 부각시키려는 행보로 풀이된다. SK실트론CSS는 차세대 전력 반도체의 핵심 소재인 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소) 웨이퍼를 생산하는 기업으로, SK실트론의 미국 자회사다. 2020년 미국 듀폰 웨이퍼 사업부를 4억 5000만 달러(약 6000억원)에 인수해 세운 회사로, 미국 기업인 울프스피드, 투식스에 이어 세계 시장에서 점유율 3위를 차지하고 있다. 회사 측에 따르면 설립 초기 인력은 50여명이었으나 지난 3월 기준 어반 공장에는 150여명이 일하고 있다. 2025년까지 어반 공장에서 차로 10분 거리에 있는 베이시티에 3억 달러(4000억원)를 투입해 짓는 신규 공장이 본격 양산에 들어가면 직원은 300여명까지 더 늘어날 전망이다. 카린 장피에르 백악관 대변인도 이날 브리핑에서 “바이든 대통령은 경제 계획이 제조업 붐으로 이어지고 미시간주에서 좋은 급여를 받는 일자리를 만들어 낸다는 점을 언급할 것”이라며 “현 정부 들어 2년간 미 전역에서 70만개 이상의 제조업 일자리를 만드는 등 총 1000만개의 일자리를 창출했다는 점도 강조할 것”이라고 설명했다. 바이든의 공장 방문에 맞춰 SK 측에서는 최재원 SK온 수석부회장과 유정준 SK E&S 부회장, 장용호 SK실트론 대표이사 사장이 참석한다. 이곳은 지난 3월 여한구 당시 통상교섭본부장과 캐서린 타이 미국무역대표부(USTR) 대표 등 양국 통상 수장이 만나 한미 자유무역협정(FTA) 10주년 행사를 열며 한미 경제 협력의 ‘윈윈 모델’을 일군 상징적 장소로 주목을 받기도 했다.

조 바이든 미국 대통령이 29일(현지시간) 미시건주에 있는 SK실트론CSS 공장을 찾는다. 백악관은 28일 “바이든 대통령이 미시간주 베이시티를 방문해 SK실트론CSS에서 연설한다”며 “보수가 좋은 제조업 일자리 창출과 아래에서 위로의 경제 건설 등 2년간 우리가 이룬 진전에 대해 말할 예정”이라고 밝혔다. 바이든 대통령은 지난 5월 한미 정상회담 차 방한했을 때 삼성전자 평택 반도체 공장을 제일 먼저 찾았는데, 미국 내 우리 기업 공장을 방문하는 것은 이번이 처음이다. 바이든이 이번에 SK실트론CSS 공장을 연설 장소로 점찍은 것은 외국 기업의 자국 내 반도체 투자 사례와 이에 따른 일자리 창출 효과 등을 내세우며 정부의 경제 활성화 노력을 부각시키려는 행보로 풀이된다.SK실트론CSS는 차세대 전력 반도체의 핵심 소재인 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소) 웨이퍼를 생산하는 기업으로, SK실트론의 미국 자회사다. 2020년 미국 듀폰 웨이퍼 사업부를 4억 5000만 달러(약 6000억원)에 인수해 세운 회사로, 미국 기업인 울프스피드, 투식스에 이어 세계 시장에서 점유율 3위를 차지하고 있다. 회사 측에 따르면 설립 초기 인력은 50여명이었으나 지난 3월 기준 어반 공장에는 150여명이 일하고 있다. 오는 2025년까지 어반 공장에서 차로 10분 거리에 있는 베이시티에 3억 달러(약 4000억원)를 투입해 짓는 신규 공장이 본격적으로 양산에 들어가면 직원은 300여명까지 더 늘어날 전망이다. 카린 장피에르 백악관 대변인도 이날 브리핑에서 “바이든 대통령은 경제 계획이 제조업 붐으로 이어지고 미시간주에서 좋은 급여를 받는 일자리를 만들어낸다는 점을 언급할 것”이라며 “현 정부 들어 2년간 미 전역에서 70만개 이상의 제조업 일자리를 만드는 등 총 1000만개의 일자리를 창출했다는 점도 강조할 것”이라고 설명했다. 바이든의 공장 방문에 맞춰 SK 측에서는 최재원 SK온 수석부회장과 유정준 SK E&S 부회장, 장용호 SK실트론 대표이사 사장이 참석한다. 이곳은 지난 3월 여한구 당시 통상교섭본부장과 캐서린 타이 미무역대표부(USTR) 대표 등 양국 통상 수장이 만나 한미 자유무역협정(FTA) 10주년 행사를 열며 한미 경제 협력의 ‘윈윈 모델’을 일군 상징적 장소로 주목을 받기도 했다.

최근 대만 디지타임스 등의 보도에 따르면 TSMC의 최신 3nm(N3) 공정 반도체 웨이퍼(wafer)의 가격은 300mm 한 장 기준 2만 달러로 올라갔습니다. 이는 5nm(N5)의 1만 6000달러보다 25% 비싸진 것입니다. 참고로 우리가 사용하는 컴퓨터나 스마트폰의 고성능 프로세서들은 웨이퍼라는 동그란 원판에서 제조된 후 맞는 크기로 잘라 만들어집니다. 자체 생산 시설이 없는 팹리스 업체가 파운드리(위탁생산) 반도체 기업과 계약할 때는 웨이퍼 단위로 계약이 이뤄집니다. 물론 이 내용은 TSMC의 공식 발표가 아닙니다. TSMC를 포함한 파운드리 기업들은 정가를 정해 놓고 웨이퍼를 파는 게 아니라 업체 간의 개별 협상에 의해 가격을 정하기 때문에 계약 수량이니 기간 등 여러 가지 조건에 따라 가격이 달라질 수 있습니다. 주요 고객일수록, 많이 주문할수록 가격이 싸지는 게 당연합니다. 하지만 대략적인 가격이 이 정도 선에서 결정됐다는 이야기는 설득력이 있습니다. 반도체 웨이퍼 가격은 미세 공정을 한 단계 뛰어넘을 때마다 가격도 한 단계 높아지는 게 일반적이기 때문입니다. TSMC는 7nm에서 5nm로 넘어갈 때도 가격을 1만 달러에서 1만 6000달러로 높인 것으로 알려져 있습니다. 10nm에서 7nm로 갈 때는 6000달러에서 1만 달러로 높아졌습니다. 이런 점을 생각하면 2만 달러는 오히려 그렇게 많은 인상 폭이 아닙니다. 단지 상승이 누적되니 이제는 꽤 높은 가격이 된 것입니다. 파운드리 업체들이 공정 미세화에 따라 가격을 크게 높이는 데는 그럴 만한 이유가 있습니다. 우선 최첨단 미세 공정으로 갈수록 반도체 팹 건설에 엄청난 비용이 들어갑니다. 전 세계적으로 7nm 이하의 미세 공정 파운드리가 가능한 기업은 TSMC, 삼성, 인텔 세 군데 밖에 없습니다. 그리고 사실상 TSMC의 점유율이 절반인 과점 구조로 얼마든지 가격을 올려 받을 수 있는 구조입니다. 제조 원가도 높고 제조 가능한 기업도 얼마 안 되니 싸게 팔 이유가 없는 것입니다. 구매하는 기업 입장에서는 웨이퍼당 가격은 계속 오르지만, 반대로 트랜지스터당 가격이나 성능 대비 가격은 오히려 저렴해지기 때문에 고성능 프로세서를 만드는 기업일수록 미세 공정을 선호합니다. 예를 들어 TSMC의 3nm 공정은 5nm 공정보다 1.6배 정도 트랜지스터 밀도가 높습니다. 25% 정도 가격이 상승한다면 오히려 트랜지스터 하나의 가격은 더 저렴해지는 것입니다. 여기에 앞선 미세 공정으로 제품을 만들어야 경쟁자를 이길 수 있다는 점도 비싼 가격에도 최신 미세 공정을 선호하는 배경입니다. 하지만 3nm 공정 웨이퍼 가격이 2만 달러를 돌파하면서 우려 섞인 목소리도 나오고 있습니다. 아무리 성능이 올라가도 가격도 같이 올라간다면 과연 소비자들이 수용할 수 있겠느냐는 질문입니다. 예를 들어 TSMC의 5nm 공정의 개량형인 4nm 공정(N4)의 가격이 5nm와 비슷하다고 할 경우 엔비디아의 최신 AD102 GPU의 웨이퍼 기준 가격은 개당 200달러 미만으로 추정됩니다. 다만 웨이퍼에서 바로 프로세서가 나오는 것은 아니고 복잡한 후처리 및 패키징 과정을 거쳐야 하므로 이 과정에서 가격이 늘어납니다. 여기에 GPU만으로 그래픽카드를 만들 순 없고 메모리, PCB 기판, 쿨러 및 전원부 등 각종 부품이 들어가므로 최종 가격은 훨씬 치솟게 됩니다. 마지막으로 거대해진 GPU를 설계하기 위해서는 많은 고급 두뇌 인력이 필요해지므로 여기서 적지 않은 비용이 발생합니다. 그 결과 AD102 GPU를 사용한 최신 그래픽 카드인 RTX 4090은 출시 가격이 무려 1599달러로 게임용으로 구매하기에는 상당히 부담스러운 수준이 됐습니다. 5nm 공정과 6nm 공정을 혼합해 훨씬 저렴하게 가격을 책정한 경쟁자인 라데온 RX 7900 XTX도 999달러입니다. 각각 트랜지스터 집적도가 763억 개와 580억 개인 점을 생각하면 트랜지스터의 개당 가격은 꽤 낮아졌지만, 트랜지스터 숫자가 폭발적으로 증가한 탓에 결국 전체 가격은 꽤 비싸진 것입니다. 이미 가격이 너무 비싸졌지만, 문제는 미래입니다. 더 높은 성능을 내기 위해서는 결국 더 많은 트랜지스터가 필요합니다. 트랜지스터 밀도를 높이기 위해서는 더 비싼 미세 공정 도입이 필요합니다. 2nm나 그 이하 미세 공정이 도입되고 트랜지스터 집적도가 1000억 개가 넘는 초대형 GPU가 나온다면 과연 얼마나 가격을 높일지 가늠하기 어렵습니다. 사실 이 문제는 갑자기 등장한 것이 아닙니다. 엔비디아가 10년 전 발표한 슬라이드에도 반도체 공정 미세화에 따른 가격 인상 문제를 지적하고 있습니다. 새로운 기술 혁신이 일어나더라도 너무 비싸 대부분의 사람이 사용할 수 없다면 혁신의 의미는 반감되고 속도도 느려질 수밖에 없습니다. 그리고 이 위기는 이제 현실이 되고 있습니다.반도체 업계는 이 문제를 극복하기 위해 여러 가지 대안을 마련하고 있습니다. 그중 하나는 여러 개의 반도체 조각을 묶어서 하나의 프로세서를 만드는 칩렛 방식입니다. 최신 미세 공정이 필요 없는 부분에는 저렴한 칩렛을 사용해 가격을 낮추는 것입니다. 프로세서를 메모리처럼 수직으로 쌓는 방법도 생각할 수 있습니다. 캐시 메모리를 프로세서 위에 쌓아 올린 구조는 이미 AMD CPU에서 시도되고 있습니다. GPU에서도 불가능한 일은 아닐 것입니다. 마지막으로 미세 공정 파운드리의 독과점 구조 역시 원인으로 지목될 수 있습니다. 근본적으로 제조 단가가 비싸질 수밖에 없긴 하지만, TSMC의 편중된 구조가 당연히 영향을 미치고 있습니다. 따라서 최근 파운드리 시장에 진출한 인텔이나 3nm 파운드리에서 설욕을 다짐하고 있는 삼성의 행보에 관심이 쏠리고 있습니다. 결국 가격을 낮추기 위해서는 치열한 경쟁 구도가 중요합니다. 

차이잉원 대만 총통이 15일 네덜란드 반도체 장비회사 ASML 프레데릭 슈나이더-마우노우리 부사장을 만난 뒤 페이스북에 ASML이 내년에 시작하는 투자 프로젝트는 ASML 사상 가장 큰 규모가 될 것이라고 밝혀 화제가 됐다. ASML은 북부 신베이시에 투자를 진행할 것으로 알려졌다.  16일 대만 현지 언론들에 따르면, 이날 세계 1위의 차세대 EUV 노광장비 생산업체 ASML은 이러한 사실을 확인했다.  ASML은 회사가 대만 투자를 계속할 것이라며 성장을 위해 준비하고 세계 고객 및 반도체 산업 발전을 지원하기 위함이라고 했다. 다만, 신베이 지역 투자 프로젝트 관련 세부 내용을 밝힐 수 없다고 했다.  대만ASML 웹사이트에 따르면, ASML은 지난 2003년 북부 신중에 다국적 팀을 설립했으며, 신주를 비롯해 신베이시 린커우, 타이중, 타이난에 거점을 두고 있다. 이들 거점에서는 성숙한 반도체 리퍼비시, 전자빔 측정 및 테스트 시스템 개발, 업계에서 가장 선진화된 반도체 생산을 지원하는 소프트웨어 개발 등이 이루어지고 있다. 차이잉원 총통은 ASML의 대만 투자를 지속하려는 계획은 '올바른 방향'이며 대만 정부는 계속 지원을 하겠다고 했다. 산업 정책 지원 뿐만 아니라 효율성 높은 행정 지원도 약속했다. 앞서 ASML이 대만 북부 지역의 투자 확대 계획을 세웠을 당시 행정원은 전담반을 설치해 진행을 도운 것으로 알려졌다. ASML의 투자 확대는 향후 대만의 최첨단 기술 반도체 공급망에 일조할 것으로 보인다. 차이 총통은 반도체 산업은 분업 산업이 아닌 글로벌 협력 산업이라며 서로 협력할 때만이 가장 선진적이고 효율적인 생산 모델을 창출할 수 있다고 강조했다. 또 ASML과 대만의 협력이 가장 좋은 예라며 2003년 대만에 진출한 ASML이 TSMC 등 자국 반도체 제조업체와 함께 성장했으며, 대만은 세계 유일의 EUV 마스크 이송 모듈 제조기지가 됐다고 전했다. 초미세공정 반도체 생산에 있어 ASML만이 EUV장비를 독점공급하고 있다.  ASML은 TSMC의 고급 제조 공정 요구를 충족하기 위해 타이난에 EUV 기술교육센터를 설립했으며 향후 연구개발 및 제조를 위해 EUV 전용 2nm 웨이퍼 광학 측정 장비를 대만에 설치할 예정이다.  한편, ASML은 지난해 대만에서 600명을 채용을 채용했으며, 대만ASML에서 근무하는 근로자 수는 약 3400여 명으로 알려져 있다. 

“화성 ‘뉴캠퍼스’ 설립을 기점으로 ASML의 기술이 한국 고객사에 더 가까이 갈 것이고, 이는 한국 반도체산업에도 의미 있는 일이 될 것입니다.” 반도체 초미세 공정에 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점적으로 생산하는 네덜란드 ASML의 페테르 베닝크 최고경영자(CEO)가 15일 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 고객사와의 협력 강화 의지를 밝혔다. 베닝크 CEO는 경기 화성에서 열리는 자사 반도체 클러스터 뉴캠퍼스 기공식을 하루 앞둔 이날 서울 삼성동 인터컨티넨탈호텔에서 언론 간담회를 열고 한국에서 펼칠 사업 비전을 공개했다. ASML은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 나노미터(㎚·1억분의1m) 단위로 그려 넣는 노광 공정 장비를 제작하는 회사로 삼성전자, SK하이닉스를 비롯해 미국 인텔, 대만 TSMC 등을 주요 고객사로 뒀다. EUV 노광장비는 대당 가격이 2000억원에 달함에도 연간 생산 물량이 40대 규모에 불과해 주요 기업들은 저마다 ASML과 긴밀한 관계를 구축하고자 노력하고 있다. 이재용 삼성전자 회장도 유럽 출장 때마다 ASML 본사를 찾아 베닝크 CEO를 만나 왔다. 베닝크 CEO는 이 회장과 관련한 질문에 “그와는 주로 (반도체) 사업이나 사업을 둘러싼 주변 환경 등 광범위한 대화를 나눈다”면서 “수년 동안 인연을 쌓은 만큼 친밀해져서 개인적인 대화도 나누는 사이”라고 소개했다. 베닝크 CEO와 이 회장은 16일 기공식 이후 따로 만날 것으로 알려졌다. ASML이 2400억원을 들여 2024년 말 완공을 목표로 하는 화성 캠퍼스에는 심자외선(DUV)·EUV 노광장비와 관련한 부품 등의 재(再)제조센터와 첨단기술을 전수하기 위한 트레이닝센터, 체험관 등이 들어선다. 이 가운데 재제조센터는 네덜란드에서 한국 기업에 납품한 장비와 부품의 조립과 수리 등을 담당한다. ASML은 중장기적으로 한국에 연구개발(R&D)센터와 제조시설을 설립하는 방안도 시사했다. 베닝크 CEO는 “향후 한국에서 R&D를 늘려 나갈 것”이라며 “기술이 굉장히 복잡하기 때문에 우선 재제조센터로 시작한다. 지식 이전에 걸리는 5∼10년 이후에는 제조 기반이 만들어질 수도 있다”고 말했다. 이우경 ASML코리아 대표이사는 “재제조센터를 만들면 부품을 현지에서 조달할 수 있고 한국 협력사 기반이 더욱 확대될 것”이라고 덧붙였다. 아울러 ASML은 한국에서 향후 10년간 1400명을 추가로 고용해 사업 기반을 넓힐 예정이다. 베닝크 CEO는 글로벌 경기 침체 지속에도 회사의 성장을 확신했다. 그는 “2023년에도 (EUV 장비) 공급이 수요를 따라가기 어려울 것”이라면서 “2030년 매출은 지금의 3배인 300억 유로(약 40조 8500억원)로 예상된다”고 말했다. 이어 “반도체 전체 산업은 향후 10년간 연평균 9%씩 성장할 것”이라고 내다봤다.

“화성 ‘뉴 캠퍼스’ 설립을 기점으로 ASML의 기술이 한국 고객사에 더 가까이 갈 것이고, 이는 한국 반도체 산업에도 의미 있는 일이 될 것입니다.”반도체 초미세 공정에 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점적으로 생산하는 네덜란드 ASML의 페테르 베닝크 최고경영자(CEO)가 15일 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 고객사와의 협력 강화 의지를 밝혔다. 베닝크 CEO는 경기 화성에서 열리는 자사 반도체 클러스터 ‘뉴 캠퍼스’ 기공식을 하루 앞둔 이날 서울 삼성동 인터컨티넨탈 호텔에서 언론 간담회를 열고 ASML이 한국에서 펼칠 사업 비전을 공개했다. ASML은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 나노미터(㎚·1억 분의 1m) 단위로 그려 넣는 노광 공정 장비를 제작하는 회사로 삼성전자, SK하이닉스를 비롯해 미국 인텔, 대만 TSMC 등을 주요 고객사로 두고 있다. EUV 노광장비는 1대당 가격이 2000억원에 달함에도 연간 생산 물량이 40대 규모에 불과해 주요 기업들은 저마다 ASML과 긴밀한 관계를 구축하고자 노력하고 있다. 이재용 삼성전자 회장도 유럽 출장 때마다 ASML 본사를 찾아 베닝크 CEO를 만나왔다. 베닝크 CEO는 이 회장과 관련한 질문에 “그와는 주로 (반도체) 사업이나 사업을 둘러싼 주변 환경 등 광범위한 대화를 나눈다”라면서 “수년 동안 인연을 쌓은 만큼 친밀해져서 개인적인 대화도 나누는 사이”라고 소개했다. 베닝크 CEO와 이 회장은 16일 기공식 이후 따로 만날 것으로 알려졌다.ASML이 2400억원을 들여 2024년 말 완공을 목표로 하는 화성 캠퍼스에는 심자외선(DUV)·EUV 노광장비와 관련한 부품 등의 재(再)제조센터와 첨단기술을 전수하기 위한 트레이닝 센터, 체험관 등이 들어선다. 이 가운데 재제조센터는 네덜란드에서 한국 기업에 납품한 장비와 부품의 조립과 수리 등을 담당한다. 이우경 ASML코리아 대표이사는 “재제조센터를 만들면 부품 현지조달이 이뤄질 것이고 한국 협력사 기반이 더욱 확대될 것”이라며 “과거 폐기되던 부품을 다시 제조한다는 면에서 최근 화두로 떠오른 ESG(환경·사회·지배구조) 측면에서도 많은 고객의 요구를 시의적절하게 충족할 수 있다”고 설명했다. 베닝크 CEO는 “한국 고객의 비즈니스가 급격히 성장하고 있다”라면서 “기술의 복잡성이 높아지면서 고객사와 협력이 중요하다. 또 재제조 사업도 대규모로 할 것이기 때문에 고객사와 가깝게 있는 것이 중요하다”고 강조했다. 베닝크 CEO는 글로벌 경기 침체 지속에도 회사의 성장을 확신했다. 그는 “2023년에도 (EUV 장비) 공급이 수요를 따라가기 어려울 것”이라면서 “고성장 시나리오에 따르면 2030년 매출은 지금보다 3배 높은 300억 유로(약 40조 8500억원)로 예상된다”고 말했다. 이어 낙관의 배경으로 “한국에서도 협력 기반을 확대할 기회가 있을 것으로 본다”고 덧붙였다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려에 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.　삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 비트 밀도를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로, 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 　업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼성전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 4위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 200단 시대를 열었고, 한 달 뒤 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다.  　당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등의 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여 왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 　허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다. 　앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리에서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 ‘낸드 기술 역전’을 둘러싼 시장의 우려를 보란 듯이 세계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 출시했다. 글로벌 메모리 업황 악화로 반도체 혹한기를 맞은 삼성전자는 이번에 입증한 낸드플래시 ‘초격차’ 기술력을 바탕으로 기업용 대형 서버와 자동차 전장(전기장치) 시장으로 사업 영역을 확장해 새로운 성장 동력을 확보할 계획이다.삼성전자는 세계 최대용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. 지난해 하반기 7세대 낸드 양산을 본격화한 지 1년 만의 성과로, 업계 최고 수준 ‘비트 밀도’를 지닌 대용량 제품이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수로 웨이퍼당 비트 직접도는 7세대 대비 40% 이상 향상됐다. 데이터 입출력 속도는 직전 세대보다 약 1.2배 빠른 2.4Gbps(초당 기가비트)를 구현한다. 업계는 세계 낸드 시장 점유율 1위(33.3%)인 삼상전자가 메모리 불황기에 내놓은 신제품의 성능은 물론, 비트 밀도를 획기적으로 높인 기술에 주목하고 있다. 반도체의 저장 공간인 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 저장 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력으로 꼽히는 낸드 시장에서는 지난 7월 시장 점유율 3위 기업 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 출하하며 첫 ‘200단 시대’를 열었고, 지난 8월 업계 2위 SK하이닉스가 238단 낸드 제품을 공개하며 적층 경쟁에 불을 지폈다. 당시 삼성전자의 7세대 V낸드가 176단으로 생산됐다는 점에서 시장에서는 ‘삼성이 기술력으로 경쟁사에 추월당했다’, ‘낸드 시장 1위도 불안하다’ 등 부정적인 전망이 나왔지만, 삼성전자는 “그저 높게만 쌓는 방식은 우리의 관심사가 아니며 200단 이상 구현은 지금도 가능하다”며 자신감을 보여왔다. 삼성전자는 이날 8세대 신제품 양산을 공개하면서 이번 제품에 적용한 단수는 공개하지 않았지만, 236단인 것으로 확인됐다. SK하이닉스의 238단 제품은 아직 양산 전 단계라 현재 양산 제품으로는 삼성전자의 신제품이 세계 최고층에 해당한다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”고 설명했다.삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 기업용 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전장 시장까지 사업 영역을 확장할 방침이다. 특히 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 전망된다. 전장 시장의 경우 최근 시스템 수준이 향상되면서 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량은 물론 사양 자체도 높아지고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 미국 실리콘밸리서 개최한 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지는 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 메모리반도체 업계 경쟁사들이 잇달아 감산을 선언한 데 이어, 자사 3분기 반도체 영업 이익이 거의 ‘반토막’이 났지만, 인위적인 감산은 하지 않을 계획이며 오히려 대규모 시설투자를 계속한다는 방침을 재확인했다. 27일 한진만 삼성전자 부사장은 실적발표 뒤 이어진 컨퍼런스콜에서 “이달 초 ‘테크데이’ 행사에서 인위적 생산 감축은 고려하지 않는다고 했는데 기본 입장에 변화가 없다”며 “중장기 수요 대응을 위해 적정 수준의 인프라 투자를 계속할 것”이라고 말했다. 이어 “다만 시장 상황이 급격하게 변화하는지는 주의깊게 보고 있다”고 말했다. 한 부사장의 발언은 이날 전년 동기 대비 반도체 영업이익이 46%나 감소한 실적발표 직후에 나왔다. 반도체를 담당하는 DS부문 영업이익은 5조 1200억원으로, 지난해 3분기 10조 700억원에 비새 4조 9500억원(49.5%), 지난 분기 9조 9800억원에 비해 4조 8700억원(48.7%)이 줄어든 수치다. 그럼에도 삼성전자는 이날 시설투자 현황과 계획을 함께 발표했다. 3분기 시설투자 12조 7000억원 중 DS 부문에 11조 5000억원이 집중됐다. 올해 연간 시설투자액 약 54조원 중에서도 DS 부문이 47조 7000억원을 차지했다. 메모리의 경우, 평택 3·4기 인프라와 중장기 시장경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 중심 투자가 예상된다. 파운드리는 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 전략으로 수요에 신속하고 탄력적으로 대응한다는 방침 하에 EUV 첨단 공정 수요 대응을 위한 미국 테일러·평택 생산 능력 확대를 중심으로 투자가 집행될 예정이다. 한편 업계에 따르면 세계 3위 D램 업체인 미국 마이크론은 지난달 “2023 회계연도(2022년 9월~2023년 8월) 설비투자를 약 50% 축소, 공급을 줄이기 위한 조치를 시작했다”고 발표했다. 낸드플래시 세계 3위 업체인 일본의 키오시아도 “이달부터 웨이퍼 투입량을 30% 줄이겠다”고 선언했다. 여기에 전날 실적을 발표한 세계 2위 메모리 업체 SK하이닉스마저 감산을 공식화했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다. SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 전년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다.SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아·우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다. SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 늦출 계획”이라고 밝혔다. 노 사장은 미국의 대중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 악화에 올해 3분기 영업이익이 전년 대비 반토막 나는 ‘어닝쇼크’(실적 충격)를 기록했다. 현재 시장 상황을 ‘사상 유례 없는 악화 단계’로 진단한 SK하이닉스는 내년 투자 규모를 올해보다 50% 이상 줄이고 감산에 들어가는 등 ‘비상 경영’을 선포했다. 세계 메모리 시장 점유율 1위인 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 대비 31.7% 줄어든 상황에서 메모리 2위 SK하이닉스의 실적마저 급락하면서 한국 무역수지는 7개월 연속 적자를 기록할 전망이다.SK하이닉스는 올해 3분기 영업이익이 1조 6556억원으로 작년 동기 대비 60.3% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 10조 9829억원으로 전년 동기 대비 7.0% 감소했다. 순이익은 1조 1027억원으로 66.7% 줄었다. 역대 최대 매출을 올렸던 2분기(13조 8110억원)와 비교하면 매출은 20.5% 줄었고, 영업이익은 60.5% 급감했다. SK하이닉스는 글로벌 인플레이션과 러시아-우크라이나 전쟁 장기화 등으로 거시경제 환경이 악화하는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또 최신 공정인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가 경쟁력은 개선됐지만, 원가 절감 폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다. 노종원 SK하이닉스 사업담당 사장은 실적 발표 직후 진행한 컨퍼런스콜에서 “연초 기대와 달리 올해 하반기 메모리 시장은 수요가 급감하며 어려운 사업 환경이 지속되고 있다”라면서 “팬데믹 기간 높은 성장세를 보인 IT 제품 수요의 기저효과로 인해 수요 감소 속도가 더욱 크게 느껴진다”고 말했다.SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 전망하며 내년 투자 규모를 올해의 절반 이하 수준으로 줄이기로 했다. 올해 투자 규모는 10조원대 후반으로 추정된다. 노 사장은 “2008∼2009년 금융위기 수준에 버금가는 투자 축소가 될 것”이라면서 “올해 말 업계 재고가 매우 높은 수준으로 예상되는 만큼 생산 증가를 위한 웨이퍼 캐파(생산능력) 투자를 최소화하고 공정 전환 투자도 일부 지연할 계획”이라고 밝혔다. 또 수익성이 낮은 제품을 중심으로 생산량을 줄여 시장의 수급 균형을 맞춰나가기로 했다. 노 사장은 미국의 대 중국 반도체 수출 규제와 관련해서는 “극자외선(EUV) 장비는 중국 우시 D램 공장에 들어가기 쉽지 않을 것 같다”며 “EUV가 없는 경우를 가정하면 일부 비용 상승과 어려움이 있을 것으로 예상한다”고 밝혔다. EUV 장비는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비로, 미국은 SK하이닉스와 삼성전자가 운영하는 중국 공장에 대해서는 반도체 장비의 수출 통제 조치를 1년 유예하기로 했다. 노 사장은 “1년 후에 (다시) 유예되지 않는다면 메모리 산업 특성상 장비 도입에 어려움이 있을 수 있고 2020년대 후반보다 더 빠른 시점에 팹(공장) 운영에 어려움이 있을 수 있다”고 우려했다.　

반도체 공정의 필수 소재인 과산화수소가 국내 처음으로 제철 과정에서 나오는 부산 가스로 생산된다. 제철 공정에서 발생하는 부산 수소를 원료로 활용함으로써 경제성과 친환경성을 높였다. 포스코케미칼과 OCI의 첨단화학소재 합작사 피앤오케미칼은 20일 전남 광양시 국가산업단지에서 과산화수소 공장 준공식을 열었다. 피앤오케미칼은 광양 국가산업단지 4만 1530㎡ 부지에 연산 5만t 규모의 과산화수소 공장을 세웠다. 과산화수소는 표백과 소독 등에 사용되는 산화제로, 이 공장에서는 반도체 웨이퍼와 디스플레이 기판의 세정·식각 공정에서 필수 소재로 활용되는 전자급 제품과 일반적인 표백·소독 등에 쓰이는 공업용 제품을 생산한다. 이를 통해 국내 반도체 고객사에 경제성이 높고 친환경적인 고순도 과산화수소를 안정적으로 공급할 수 있게 됐다. 업계는 국내 반도체용 과산화수소 수요가 2025년 20만t에 이를 것으로 추산한다. 피앤오케미칼은 국내 최초로 제철 공정에서 발생하는 코크스오븐가스에서 추출한 원료로 과산화수소를 생산한다. 기존의 액화천연가스(LNG) 추출 방식과 비교하면 원료 재활용이 가능해 경제적이며, 탄소 배출량도 29% 줄인 친환경 방식이다. 광양제철소와 배관망을 연결해 제철 공정에서 발생하는 코크스오븐가스를 공급받아 수소를 추출·정제하고, 수소 추출을 마친 코크스오븐가스는 다시 제철소에 공급해 열원으로 재활용한다. 포스코케미칼은 이로써 배터리 소재 외에도 반도체 등 첨단화학소재 분야로 제품 포트폴리오를 확대하고 새로운 성장 동력을 마련하게 됐다. 민경준 포스코케미칼 사장은 “고부가가치 소재 분야로 사업 모델을 고도화하고 성장 동력을 확보하게 됐다”며 “OCI와의 긴밀한 협력으로 반도체 산업의 필수 소재를 안정적으로 공급해 국내 산업 발전에 기여하겠다”고 말했다. 피앤오케미칼은 2020년 7월 포스코케미칼 51%, OCI 49%의 지분으로 설립한 합작사로 과산화수소뿐 아니라 음극재용 피치 등의 첨단화학소재 사업을 추진하고 있다.