“주주와 고객 여러분께 심려를 끼쳐 송구합니다. 고객 여러분의 마음을 처음부터 헤아리지 못한 점에 대해 다시 한 번 사과 말씀드립니다.”과거 ‘산업의 쌀’에서 이제는 국가 경제·안보의 동력으로 성장한 반도체. 첨단 산업의 상징인 만큼 반도체 기사는 어렵기만 합니다. 반도체 산업의 역사와 기술, 글로벌 경쟁에 이르기까지 반도체를 둘러싼 이야기를 편견과 치우침 없이 전해 드립니다.지난해 3월 16일 삼성전자의 53기 정기 주주총회가 열린 경기 수원시 수원컨벤션센터. 국민주인 삼성전자 주총답게 당시 코로나19 사회적 거리두기에도 주총장은 전국 각지에서 올라온 개인주주들로 붐볐고, 주총을 향한 주주들의 열기 또한 뜨거웠습니다. 이날 주총은 삼성전자의 ‘아픈 손가락’ 갤럭시S22 GOS(게임옵티마이징서비스) 사태에 따른 성난 주주들의 성토가 이어지기도 했습니다. 단상 위 아크릴 가림막 뒤에서 주총을 진행하던 한종희 삼성전자 부회장(DX부문장)이 단상 아래로 내려와 정중히 사과하는 모습도 연출됐죠. 고사양 게임 ‘원신’ 플레이를 통해 드러난 ‘GOS 사태’는 2016년 갤럭시노트7 화재 사고 이후 삼성 스마트폰 사업부의 최대 위기로 떠오르기도 했습니다.‘GOS 사태’는 삼성전자가 고사양 게임 구동 시 발생하는 스마트폰 발열 문제를 잡기 위해 화면 해상도를 인위적으로 낮추는 GOS 기능을 적용하고도, 이를 사전에 소비자에게 알리지 않아 소비자를 기만했다는 게 논란의 주된 내용입니다. 이런 논란은 게임 사양이 높은 ‘원신’을 즐기는 이용자층에서 시작되면서 이제 국내 업계에서는 ‘원신=게이밍 성능 기준’이 되기도 했죠. 삼성에 아픔과 악몽만을 남긴 이 게임 원신을 둘러싼 논란이 이번에는 스마트폰 시장에서 삼성전자의 최대 라이벌인 애플로 옮겨붙었습니다. 애플이 지난 12일(현지시간) 공개한 아이폰15 시리즈는 충전단자를 애플만 고집해온 라이트닝 단자에서 삼성 갤럭시 등 안드로이드 폰이 이미 적용해온 USB-C 충전단자로 바뀐 점이 ‘유일한 혁신’이라는 지적이 나올 정도로 업계의 반응은 싸늘한 상황입니다. 그런데 여기에 2년 전 삼성전자를 괴롭혔던 발열 논란까지 제기된 겁니다. 논란의 시작은 중국의 한 IT 전문 리뷰어입니다. 출처가 중국 리뷰어라서 미국 기업, 애플을 향한 악의적 혹은 억지 주장이 아닐까 해서 해당 콘텐츠는 물론 그간 이 리뷰어가 제작한 영상들을 구글 번역기와 딥엘 번역기 등을 동원해 살펴봤습니다. 일단 억지 주장 같아 보이진 않습니다.이 영상에서 중국 리뷰어는 아이폰15 프로로 원신을 구동합니다. 30분이 지나자 아이폰15 프로의 온도는 48도까지 치솟았습니다. 2년 전 삼성이 게임 그래픽을 강제로 떨어트려 논란이 된 것과 달리 아이폰15는 발열 그 자체가 논란인 거죠. 해외 IT전문 매체에서는 발열의 원인으로 아이폰15 프로가 채택한 모바일 AP ‘A17 프로’를 주목하고 있습니다. 반도체 업계 이야기를 전해드리는 코너에서 철 지난 GOS 사태를 가져온 이유도 여기에 있습니다. 바로 A17 프로의 제조사가 삼성전자의 반도체 파운드리(위탁생산) 라이벌 대만 TSMC이기 때문이죠. 아직 발열의 원인은 알려지지 않았지만 업계에서는 A17 프로 칩 설계 및 제조 공정에 문제가 있었을 것으로 보고 있습니다. A17 프로는 TSMC가 3나노(1nm·10억분의 1m) 공정으로 제작한 모바일 AP칩으로 애플에서는 이번 아이폰15 시리즈에 처음 탑재된 것으로 전해집니다. 반도체 업계에서 3나노 공정은 삼성전자가 지난해 6월 세계 최초로 양산을 시작했지만, 애플의 선택은 오랜 고객사이자 파운드리 1위인 TSMC였죠. 하지만 삼성과 다른 방식으로 3나노 공정을 구현한 제품에서 발열 논란이 나오면서 업계에서는 애플의 칩 공급사를 다변화해야 한다는 지적도 나옵니다. 조금 복잡하고 어려운 개념일 수 있지만, 삼성전자와 TSMC의 3나노 공정은 반도체 원판인 웨이퍼에 극미세 회로도를 새겨넣는 폭은 3나노급으로 같지만, 칩에서 전류가 흐르는 통로(채널)를 내는 방식에서 큰 차이를 보입니다. TSMC는 전통적인 트렌지스터(반도체 소자) 구조인 ‘핀펫’(FinFET) 방식을 3나노에도 고수했고, 기존의 방식은 3나노 이하 공정에서는 비효율적이라고 판단한 삼성전자는 전력 효율을 한층 높인 ‘GAA’(게이트올어라운드) 구조를 적용해 3나노 칩 양산에 성공했습니다.이론상 GAA는 핀펫보다 전류가 흐르는 통로와 스위치(게이트) 간 접촉면이 넓어 전류의 흐름을 세밀하게 제어할 수 있습니다. 또 전력 소모가 적고, 전성비(전력대비 성능) 측면에서도 10% 정도 우위에 있는 것으로 알려져 있습니다. 삼성은 내부적으로 GAA 방식이 TSMC와의 시장 점유율 격차를 빠른 속도로 좁힐 수 있는 ‘게임 체인저’가 될 것으로 기대하고 있죠. 결국 3나노 공정에도 기존에 해왔던 방식을 그대로 따른 TSMC가 기술력에서 한계를 드러낸 게 아닌가 하는 게 ‘아이폰15 원신 사태’의 핵심입니다. 업계 관계자는 “발열의 원인에 대한 제조사의 정확한 원인 진단이 나와봐야겠지만, 삼성 3나노 공정부터 핀펫에서 GAA 방식으로 전환한 삼성에게는 호재가 될 수 있다”라면서 “이번 논란은 스마트폰과 반도체 시장 모두에 영향을 미칠 수 있을 것”이라고 내다봤습니다.

차량용 반도체 시장의 성장세 등에 힘입어 글로벌 파운드리(위탁생산) 업체의 8인치 팹(공장) 생산능력이 향후 3년간 14% 증가할 것이란 전망이 나왔다. 22일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 2026년 전 세계 파운드리 팹의 월간 8인치 웨이퍼 생산능력은 770만장에 달한 전망이다. 이는 올해 생산능력보다 14% 증가한 수준이다.또 전 세계 8인치 파운드리 팹은 올해 216개에서 2026년 227개로 늘어날 것으로 SEMI는 전망했다. SEMI는 소비자 가전, 자동차, 산업 분야에 널리 쓰이는 전력 및 컴파운드 반도체 수요 증가가 8인치 파운드리의 성장을 견인할 것으로 분석했다. SEMI는 “전기차 보급 확대로 전기차에 들어가는 반도체 수요도 늘고 있다”며 “보쉬, 후지 일렉트로닉, 인피니언 등 반도체 공급업체들이 증가하는 수요를 충족하기 위해 생산능력을 확장하고 있다고 설명했다. 차량용 및 전력 반도체 팹 생산능력은 올해부터 2026년까지 34% 성장할 것으로 전망된다.

글로벌 빅테크 기업들이 챗GPT와 같은 생성형 인공지능(AI) 개발에 속도를 내면서 반도체 패키징(후공정) 시장도 빠르게 성장하고 있다. 지금까지 반도체 제조는 실리콘 웨이퍼를 가공하고 나노미터(nm·10억분의1m) 단위로 반도체 설계도를 새겨넣는 전공정 단계에서 기술 경쟁이 치열했으나 공정 고도화에 따라 후공정 기술이 제품 경쟁력을 결정하는 구조로 진화하고 있다. SK그룹의 반도체 소재 전문 계열사 SKC는 미국 반도체 패키징 분야 스타트업 ‘칩플렛’의 투자 유치에 참여해 회사 지분의 약 12%를 확보할 예정이라고 11일 밝혔다. 칩플렛은 2016년 글로벌 반도체 기업 미국 AMD의 사내 벤처로 출범해 2021년 분사한 기업으로 첨단 반도체 기판의 구조 체계(아키텍처) 설계, 기술 개발, 대형 고객사와의 네트워크 역량을 두루 갖췄다. SKC는 칩플렛의 사업 개발을 본격화하는 ‘시리즈B’에 투자하는데 양사는 투자 규모를 공개하지 않기로 합의했다. 2021년 반도체 글라스 기판 투자사 앱솔릭스를 설립한 SKC는 올해 말 1단계 생산시설을 준공할 예정이다. 글라스 기판으로 반도체를 패키징하면 칩세트의 데이터 처리량을 대폭 끌어올리면서도 전력 소비량은 절반으로 줄일 수 있다. SKC 관계자는 “글로벌 최고 수준의 패키징 아키텍처 기술을 보유한 칩플렛에 대한 전략적 투자를 계기로 반도체 소재부품 사업의 경쟁력을 한층 강화하게 됐다”며 “SKC의 원천기술 및 제조 역량과 칩플렛의 패키징 설계 역량을 결합해 반도체 후공정 시장 ‘게임 체인저’가 될 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 패키징 기술 선점을 위해 150억 달러(약 19조 9700억원)를 들여 미국에 첨단 패키징 및 연구개발(R&D) 센터를 신설할 계획이다. 현재 미국 건설부지 후보군을 추려 사업성을 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 지난해 패키징 분야에 20억 달러 규모의 설비 투자를 집행한 삼성전자는 올해 반도체 실적 악화에도 18억 달러에 달하는 패키징 투자를 이어갈 전망이다. 이재용 삼성전자 회장은 지난 2월 천안·온양 캠퍼스의 반도체 패키징 시설 현장을 둘러본 뒤 “어려운 상황이지만 미래 기술 투자에 흔들림이 있어서는 안 된다”고 강조한 바 있다. 시장조사업체 욜 그룹에 따르면 반도체 패키징 시장은 올해 108억 7000만 달러 규모에서 해마다 꾸준히 성장해 2028년에는 257억 7000만 달러 규모로 커질 것으로 전망된다.

미국 텍사스주를 비롯한 서부지역에 폭염이 3개월 가까이 이어지면서 현지 전력 수급에도 비상이 걸렸다. 삼성전자 등 현지에 대형 생산시설을 가동하고 있는 기업들도 촉각을 곤두세우고 있다.8일 로이터통신 등 외신에 따르면 텍사스주 전력망을 운영하는 전기신뢰성위원회(ERCOT)는 지난 6일(현지시간) 오후 7시 25분에 에너지 비상경보 2단계를 발령하고 비상 운영에 들어갔다. ERCOT는 전력망 시스템의 예비 전력이 부족해지면 세 단계에 걸쳐 비상경보를 발령하며, 2단계는 운영 예비 전력이 1750㎿(메가와트) 아래로 떨어지고 30분 이내에 회복되지 않을 것으로 예상될 때 발령하는 조치다. 이 상태에서 발전기를 돌려 추가 전력 공급이 불가능해지면 지역별로 전력 공급을 일시 차단하는 순환 정전을 실시할 수 있다. 다만 이날 2단계 비상경보는 77분 만에 수요를 충족하는 잉여 전력이 다시 공급되면서 해제됐다. 파블로 베가스 ERCOT 최고경영자는 당시 상황에 대해 “높은 전력 수요와 낮은 풍력 발전량, 일몰 시간대의 태양광 발전량 감소로 인해 전력망의 운영 예비 전력이 낮아졌기 때문”이라고 설명했다. 당일 텍사스의 전력 수요는 8만 2705㎿로, 역대 9월 수요로는 최고치를 기록했다. ERCOT는 7일에도 전력 공급 비상을 우려하며 오후 5시부터 9시까지 전기를 절약해 달라고 주민들에게 호소했다. ERCOT는 “현재 비상 상황인 것은 아니지만, 오후와 저녁 시간까지 계속되는 고온과 높은 전력 수요, 풍력과 태양열 발전량 감소로 인해 예비 전력이 부족할 가능성이 있다”고 공지했다.텍사스주에 공장을 설립해 가동 중인 한국 기업들의 긴장감도 고조되고 있다. 특히 텍사스 오스틴에서 반도체 파운드리(위탁생산) 공장을 가동 중인 삼성전자는 2021년 2월 겨울 폭풍으로 텍사스에 대규모 정전 사태가 발생했을 당시 약 3일간 전력 공급이 중단돼 공장 가동을 멈추면서 큰 피해를 봤다. 당시 정전으로 인한 손실은 3000억∼4000억원에 달하는 것으로 알려졌다. 반도체 공장은 전력이 차단되면 생산 공정에 투입된 웨이퍼를 전량 폐기해야 해 막대한 손실을 보게 된다. 삼성전자는 현재 텍사스 테일러에도 20조원 이상 규모의 제2 파운드리 공장을 짓고 있다. 텍사스에서는 지난 6월 중순부터 최고 기온이 섭씨 40도를 넘는 폭염이 시작되면서 전력 수요가 폭증해 당국이 전력망 운영에 어려움을 겪고 있다. 전력 당국에 따르면 올여름 들어 텍사스의 전력 수요는 최고 기록을 10차례 경신했다. 9월 들어서도 오스틴 등 대부분 지역에서 섭씨 40도가 넘고 있어 전력망에 과부하가 걸리고 있다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드플래시 샘플을 공개했다. 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 SK하이닉스가 세계 최초다.SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목 받았다. 미국 마이크론은 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작했고, 삼성전자는 그해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작했다.SK하이닉스가 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다. SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다. 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보한 만큼 고성능을 강조하는 고객의 요구를 충족시킬 것으로 기대하고 있다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이날 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

국내 연구진이 최첨단 반도체 개발의 핵심인 패키징 분야 핵심 원천 기술개발에 성공했다. 한국전자통신연구원(ETRI) 저탄소집적기술창의연구실 연구팀은 자체 보유한 나노 소재 기술을 이용해 반도체 공정에 필요한 신소재를 개발했다고 28일 밝혔다. 이번 기술은 일본이 보유한 기술과 비교해서도 95% 전력 절감이 가능하며 공정 단계도 기존 9단계에서 3단계로 줄일 수 있다. 패키징 기술은 반도체 후공정에 해당하는 것으로 웨이퍼로 만들어진 집적회로 소자를 개별로 분리해 모듈로 제작하는 과정이다. 지금까지 첨단 반도체 패키징 공정에 주로 일본 소재를 사용했는데 공정이 9단계이기 때문에 복잡하고 다양한 장비 사용으로 전력 소모가 많고 유해 물질 배출 등 단점이 많았다. 이번에 개발한 기술 공정은 반도체 웨이퍼에 비전도성 필름(NCF)을 붙인 뒤 타일처럼 생긴 칩렛에 1초 정도 면(面) 레이저를 조사해 경화하는 총 3단계로 이뤄진다. 연구팀이 개발에 성공한 핵심 신소재는 고분자 필름으로 만들었다. 10~20㎛(마이크로미터) 두께의 에폭시 계열 소재에 환원제 등이 첨가된 나노소재이다. 여기에 레이저를 조사하면 반도체 후공정인 패키징 단계에서 세척, 건조, 도포, 경화 등이 한 번에 해결된다. 지금까지는 웨이퍼에서 분리한 칩을 보드에 붙여 한 개씩 잘라 쓰는 방식이었는데 이번 기술 덕분에 칩렛을 웨이퍼 기판에 타일 붙이듯 직접 찍어 붙이는 것이 가능해졌다.공정의 단순화로 전체 생산라인을 기존 20m 이상에서 4m로 줄일 수 있게 됐고 질소 가스도 필요 없어 유해 물질 발생도 줄일 수 있다는 장점이 있다. 이번 기술은 미국 마이크로 LED 관련 스타트업과 세계적인 파운드리 회사에서 공정성과 신뢰성 평가를 받고 있다. 우수 평가 시 3년 이내에 상용화가 가능할 것으로 전망된다. 최광성 ETRI 창의원천연구본부 저탄소집적기술창의연구실장은 “그동안 첨단 반도체 패키징과 마이크로 LED 디스플레이 분야는 일본 소재와 장비 기술에 대한 의존도가 높았다.”라면서 “기술 격차가 커서 자립화가 쉽지 않은 상황이었는데 저전력, 친환경이라는 새로운 시장의 요구에 연구진의 성과가 답해 원천기술의 상용화가 기대된다”라고 말했다.

한국공학대학교(이하 한국공대)는 이성남 나노반도체공학과 교수 연구팀(참여연구원 이건우·오재혁)이 질화물계 반도체 발광다이오드(이하 LED)가 적색에서 녹색을 거쳐 청색까지 발광할 수 있는 풀컬러 모노리식 LED 소자 기술을 개발했다고 27일 밝혔다. 한국공대에 따르면 차세대 풀컬러 LED 디스플레이를 구현하기 위해서는 세 가지 웨이퍼에서 각각의 적색, 녹색, 청색 LED를 하나의 디스플레이 패널에 결합해야 하는 복잡하고 어려운 공정으로 인해 상용화에 걸림돌이 돼왔다. 이 교수 연구팀은 이번 연구에서 하나의 InGaN LED의 표면에 2차원 나노 구조를 형성하고, 이 나노 구조로부터 적색, 녹색 및 청색을 동시에 구현할 수 있는 박막 성장법을 개발했다. 또한, 이번 연구에서는 파장별 발광 세기의 차이를 억제하기 위해 동일 전류에서 매우 짧은 전류를 주입하는 펄스 주입 조건을 제어해 파장 제어하는 기술을 개발했다. 일반적인 LED는 연속 주입 전류 조건을 사용해 구동되지만, 해당 연구에서는 동일 전류에서 매우 짧은 펄스와 긴 펄스 주입 조건을 사용해 발광 파장과 세기를 제어하는 기술을 개발했으며, 하나의 LED에서 다양한 파장을 얻는 데에도 성공했다는 설명이다. 이 교수는 “적색에서 청색까지 제어 방법을 동일한 작동 전류에서 펄스 주입의 조건만을 이용해 다양한 파장과 발광 세기를 동시에 제어할 수 있는 기술을 개발함으로써 차세대 LED 디스플레이 및 다기능성 다파장 LED 광원으로 응용될 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다. 해당 연구는 한국연구재단의 중견연구과제 지원을 받아 수행됐으며 광학 및 재료 분야에서 세계적으로 권위 있는 ‘첨단 광학 재료’(Advanced Optical Materials) 2023년 7월 24일자 온라인판에 게재됐다.

“지금 내가 들고 있는 이 칩, 웨이퍼는 물론 배터리와 광대역 통신은 모두 인프라입니다. 나는 수백만 개의 일자리를 (미국에) 창출하고 미국 제조업을 부활시킬 것입니다.” 코로나19 창궐로 전 세계인의 일상이 멈췄던 2021년. 그해 1월 20일 제46대 미국 대통령에 취임한 조 바이든 대통령이 취임 3개월 만에 주요 반도체·자동차·빅테크 기업 경영진을 백악관 화상회의에 불러 모았다. 삼성전자와 TSMC, 인텔, 마이크론을 비롯한 반도체 기업과 포드, GM 등이 참석한 이 회의에서 바이든 대통령은 반도체 웨이퍼를 들어 보이며 미국 중심의 반도체·배터리 공급망 구축에 나서겠다는 의지를 확고히 했다. 이는 현재 유럽과 아시아에도 퍼진 ‘리쇼어링’(해외 진출 기업의 자국 회귀) 경쟁의 시작을 알리는 신호탄이었다. 25일 미국 제조 기업의 자국 복귀를 지원하는 단체인 ‘리쇼어링이니셔티브’에 따르면 지난해 미국에서 리쇼어링과 외국인 직접투자(FDI)에 따른 제조업 고용은 전년 대비 53% 증가한 36만 4904명으로 집계됐다. 특히 바이든 행정부에서 반도체지원법과 인플레이션감축법(IRA)을 통해 반도체와 배터리 등 첨단산업에 투자 보조금과 세액공제 혜택 등을 확대하면서 중국 등 아시아 국가에 제조 기반을 두던 미국 기업들의 자국 투자가 줄을 잇고 있다. 과거 아이폰 생산의 90%가량을 중국 공장에 위탁했던 애플은 본국 투자 비중을 늘리며 중국 의존도를 줄여 가고 있고 인텔과 마이크론 등 미국 반도체 기업들도 자국에 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 경쟁적으로 확충해 나가고 있다. 유럽연합(EU) 국가 중에서는 프랑스가 리쇼어링에 가장 적극적이다. 프랑스는 5년에 걸친 법 개정을 통해 법인세를 최대 33.3%(2017년 일회성으로 최대 44.4%)에서 25%로 점진적으로 인하해 기업의 세제 부담을 줄였고 법인세 구간을 기존 3단계에서 1단계로 단순화했다. 정부의 지원에 완성차 기업 르노는 애초 중국 공장에서 생산할 예정이던 전기차를 프랑스 클레옹 공장에서 생산하기로 계획을 변경했고 루마니아 등 해외 생산시설 확대를 중단하고 자국 투자로 선회했다. 일본은 반도체나 희귀금속 등 중요 물자 공급망 강화를 위한 ‘경제안전보장추진법’을 국회에서 통과시키며 해외 진출 기업의 본국 회기를 독려하고 있다. 법인세율은 현행 37%에서 23%로 점차 낮추고 리쇼어링 기업에 20억 달러를 지원하는 정책도 추진하고 있다. 반면 한국은 경쟁국보다 비교적 이른 시기인 2013년 ‘해외진출기업의 국내 복귀 지원에 관한 법률’을 제정하며 제조 기업의 국내 복귀를 추진하고 있지만 효과는 크지 않은 상황이다. 지원법 제정 후 지난해까지 국내 복귀를 결정한 기업은 126개 사에 불과했다. 이마저도 규모가 크지 않은 중소·중견 기업이 대부분이다. 재계 관계자는 “비용 절감을 목적으로 해외로 나간 기업이 다시 우리나라로 돌아오기에는 아직 지원의 메리트가 크지 않은 게 사실”이라면서 “다만 리쇼어링 지원을 대폭 강화한 당정협의가 원안대로 통과된다면 리쇼어링을 고민하는 기업에 큰 도움이 될 것”이라고 말했다. 앞서 국민의힘과 기획재정부는 지난 21일 국내 유턴 기업에 대한 소득세와 법인세 감면 혜택을 현행 ‘5년 100%+2년 50%’에서 ‘7년 100%+3년 50%’로 확대하고 출산·보육수당 소득세 비과세 한도는 월 10만원에서 20만원으로 증액하기로 했다.

“지금 내가 들고 있는 이 칩, 웨이퍼는 물론 배터리와 광대역 통신은 모두 인프라입니다. 나는 수백만개의 일자리를 (미국에) 창출하고 미국 제조업을 부활시킬 것입니다.”코로나19 창궐로 전 세계인의 일상이 멈췄던 2021년. 그해 1월 20일 제46대 미국 대통령에 취임한 조 바이든 대통령이 취임 3개월 만에 주요 반도체·자동차·빅테크 기업 경영진을 백악관 화상회의에 불러 모았다. 삼성전자와 TSMC, 인텔, 마이크론을 비롯한 반도체 기업과 포드, GM 등이 참석한 이 회의에서 바이든 대통령은 반도체 웨이퍼를 들어 보이며 미국 중심의 반도체·배터리 공급망 구축에 나서겠다는 의지를 확고히 했다. 이는 현재 유럽과 아시아에도 퍼진 ‘리쇼어링’(해외 진출 기업의 자국 회귀) 경쟁의 시작을 알리는 신호탄이었다. 25일 미국 제조 기업의 자국 복귀를 지원하는 단체인 ‘리쇼어링이니셔티브’에 따르면 지난해 미국에서 리쇼어링과 외국인 직접투자(FDI)에 따른 제조업 고용은 전년 대비 53% 증가한 36만 4904명으로 집계됐다. 특히 바이든 행정부에서 반도체지원법과 인플레이션감축법(IRA)을 통해 반도체와 배터리 등 첨단산업에 투자 보조금과 세액공제 혜택 등을 확대하면서 중국 등 아시아 국가에 제조 기반을 두던 미국 기업들의 자국 투자가 줄을 잇고 있다. 과거 아이폰 생산의 90%가량을 중국 공장에 위탁했던 애플은 본국 투자 비중을 늘리며 중국 의존도를 줄여가고 있고, 인텔과 마이크론 등 미국 반도체 기업들도 자국에 생산기지와 R&D(연구개발) 시설을 경쟁적으로 확충해 나가고 있다. 유럽연합(EU) 국가 중에서는 프랑스가 리쇼어링에 가장 적극적이다. 프랑스는 5년에 걸친 법 개정을 통해 법인세를 최대 33.3%(’17년 일회성으로 최대 44.4%)에서 25%로 점진적으로 인하해 기업의 세제 부담을 줄였고, 법인세 구간을 기존 3단계에서 1단계로 단순화했다. 정부의 지원에 완성차 기업 르노는 애초 중국 공장에서 생산할 예정이던 전기차를 프랑스 클레옹 공장에서 생산하기로 계획을 변경했고, 루마니아 등 해외 생산시설 확대를 중단하고 자국 투자로 선회했다. 일본은 반도체나 희귀금속 등 중요 물자 공급망 강화를 위한 ‘경제안전보장추진법’을 국회에 통과시키며 해외 진출 기업의 본국 회기를 독려하고 있다. 법인세율은 현행 37%에서 23%로 점차 낮추고, 리쇼어링 기업에 20억 달러를 지원하는 정책도 추진하고 있다.반면 한국은 경쟁국보다 비교적 이른 시기인 2013년 ‘해외진출기업의 국내 복귀 지원에 관한 법률’를 제정하며 제조 기업의 국내 복귀를 추진하고 있지만, 그 효과는 크지 않은 상황이다. 지원법 제정 후 지난해까지 국내 복귀를 결정한 기업은 126개 사에 불과했다. 이마저도 규모가 크지 않은 중소·중견 기업이 대부분이다. 재계 관계자는 “비용 절감을 목적으로 해외로 나간 기업이 다시 우리나라로 돌아오기에는 아직 지원의 메리트가 크지 않은 게 사실”이라면서 “다만 리쇼어링 지원을 대폭 강화한 당정협의가 원안대로 통과된다면 리쇼어링을 고민하는 기업에 큰 도움이 될 것”이라고 말했다. 앞서 국민의힘과 기획재정부는 지난 21일 국내 유턴 기업에 대한 소득세와 법인세 감면 혜택을 현행 ‘5년 100%+2년 50%’에서 ‘7년 100%+3년 50%’로 확대하고 출산·보육수당 소득세 비과세 한도는 월 10만원에서 20만원으로 증액하기로 했다.

중소벤처기업부는 유망 팹리스(반도체 설계 전문 회사) 스타트업을 육성하기 위해 ‘2023년 팹리스 챌린지 대회’를 개최하고 참여할 스타트업을 모집한다고 3일 밝혔다. 지난해부터 중기부가 삼성전자와 함께 시작한 팹리스 챌린지 대회는 유망 팹리스 스타트업에 ‘멀티프로젝트웨이퍼’(MPW) 시제품 제작 비용과 신제품 제작 기회 등을 제공한다. 중기부는 지난해에 이어 올해도 5개 스타트업을 선정해 지원할 계획이다. MPW는 한 장의 웨이퍼(반도체 기본 재료)에 여러 종류의 반도체 제품을 함께 생산하는 방식이다. 신청 대상은 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)의 MPW 공정 이용을 원하는, 업력 10년 이내의 팹리스 스타트업이다. 이날 기업 모집을 시작으로 서류·발표 평가 등의 단계별 평가를 거쳐 다음달 중 최종 선정한다. 최종 선정된 기업은 삼성전자 파운드리의 MPW 제작 공정을 우선 이용하고 기업당 최대 1억원을 지원받는다. 또 원활한 MPW 제작을 위해 삼성전자에서 과제별 기술 지원도 받을 수 있다. 이영 중기부 장관은 “우리나라가 시스템 반도체 분야에서 경쟁력을 확보하기 위해 유망 팹리스 육성이 무엇보다 중요하다”면서 “팹리스 챌린지 대회와 ‘초격차 스타트업 1000+ 프로젝트’ 등을 통해 유망 팹리스 스타트업을 육성하고 글로벌 진출을 지원해 나가겠다”고 말했다.

한화솔루션 큐셀부문이 올해 1분기에도 미국 주요 태양광 모듈 시장에서 역대 최대 점유율을 기록했다. 3일 글로벌 에너지 조사기관인 우드맥킨지의 발표에 따르면, 한화큐셀은 올해 1분기 미국 주택용 모듈 시장에서 35.0%, 상업용 모듈 시장에서 35.3%의 점유율을 달성했다. 이에 힘입어 한화큐셀은 미국 주택용 시장에서 19분기 연속, 상업용 시장에서 14분기 연속으로 점유율 1위를 유지하게 됐다. 한화큐셀의 이번 상업용 시장점유율은 조사가 시작된 2013년 이후 가장 높다. 한화큐셀은 높은 품질, 뛰어난 디자인과 우수한 브랜드 가치를 기반으로 프리미엄 제품을 선호하는 주택용, 상업용 모듈 고객들에게 많은 선택을 받았다. 조사 결과, 미국 주택용 모듈 시장에서도 35% 이상의 점유율을 기록한 제조사는 한화큐셀이 유일하다. 우드맥킨지의 조사 결과, 미국의 주택용 모듈 시장 규모는 올해 1분기에 전년 동기 대비 약 30% 증가한 것으로 나타났다. 상업용 모듈 시장 규모 역시 전년 동기 대비 약 10% 증가했다. 이는 미국이 ‘인플레이션 감축법(IRA)’를 발효하고 약 4300억달러를 들여 재생에너지를 확대하는 등 자국 내 관련 산업을 육성하는데 힘입은 것이다.한화큐셀은 “미국에서 생산한 고품질의 제품을 판매해 자국 제품을 선호하는 현지 시장에서의 높은 위상을 유지 및 강화할 방침”이라고 밝혔다. 한화큐셀은 미국 조지아주 달튼에 있는 태양광 모듈 공장에서 고효율 모듈을 생산·판매하고 있으며, 2024년까지 달튼과 조지아주 카터스빌에 3조원 이상을 투자해 태양광 밸류체인 전반을 아우르는 복합 생산단지인 ‘솔라 허브’를 구축할 예정이다. 솔라 허브가 본격 가동되면 잉곳-웨이퍼-셀-모듈 각 단계에 적용되는 첨단제조 생산세액공제(AMPC) 혜택을 받아 수익성을 더욱 높일 수 있을 것으로 기대된다. 이구영 한화큐셀 대표이사는 “글로벌 통상 환경과 주요국의 에너지 정책이 저탄소 에너지 중심으로 변화하며 재생에너지 수요도 급성장하고 있다”며 “한화큐셀은 미국 등 전세계에 위치한 생산기지, 영업망, 연구개발센터를 기반으로 급증하는 태양광 수요에 적극 대응하여 글로벌 시장에서의 위상을 강화할 계획”이라고 밝혔다. 한편 한화큐셀은 높은 고객 만족도와 브랜드 파워를 기반으로 주요 해외 시상식에서도 연이어 호평을 받고 있다. 최근에는 글로벌 시장조사기관인 이유피디(EUPD)가 선정하는 ‘2023 태양광 톱 브랜드’에서 유럽에서 10년 연속, 미국에서 2년 연속 수상했다. 독일에서는 2023년까지 4년 연속으로 현지 소비자들이 직접 선정하는 ‘생활소비재 어워드’ 태양광 분야에 선정됐다.

2023년 1분기 파운드리 시장에서 TSMC는 처음으로 점유율 60.1%를 기록하면서 파운드리 시장의 맹주임을 과시했습니다. 2위인 삼성전자의 점유율이 12.4%이고 3위인 글로벌 파운드리가 6.6%임을 감안하면 파운드리 시장의 절대 강자라고 해도 과언이 아닌 상황입니다. 하지만 파운드리 시장 진출을 선언하면서 공격적인 로드맵을 공개한 인텔이나 역대급 투자 계획을 지닌 삼성의 추격이 거센 만큼 3~4년 뒤의 상황이 어떻게 바뀔지는 아무도 장담할 수 없습니다. 삼성의 경우 TSMC보다 먼저 3nm에서 게이트 올 어라운드(GAA) 방식을 도입했습니다. 처음에는 어려움이 있지만, GAA 공정에서 더 많은 노하우를 축적해 2nm 이하 미세 공정에서 도약할 수 있는 잠재력을 지니고 있습니다. 인텔은 최근 웨이퍼 후면 전력 공급 기술인 파워비아를 공개했습니다. 파워비아 기술과 인텔의 첫 EUV 리소그래피 공정인 인텔 4 공정을 적용한 내부 테스트용 프로세서인 블루 스카이 크릭을 통해 내년 20A 공정 출시 전에 충분히 기술을 검증하고 오류를 수정할 시간을 벌겠다는 의도입니다. 그런데 오히려 파운드리 선두 주자인 TSMC는 다소 느긋한 모습입니다. TSMC는 3nm, 4nm 및 그 파생 공정들을 먼저 적용한 후 2025년부터 대량 생산 예정인 2nm 공정인 N2에서 나노시트(nanosheet) GAA 공정을 적용할 예정입니다. 참고로 TSMC는 3nm 공정에 기존의 핀펫을 개량한 핀플렉스 공정을 적용했습니다. 그러나 TSMC에도 몇 가지 비장의 무기가 있습니다. N2 공정에는 GAAFET 적용 트랜지스터 이외에 SHPMIM(super-high-density metal-insulator-metal) 캐파시터가 들어가 저항을 절반 정도로 줄일 수 있습니다. 또 반도체의 재분배층(redistribution layer, RDL) 소재를 알루미늄에서 구리로 변경해 저항을 더 줄여 에너지 효율은 높이고 성능은 높인다는 계획입니다.이를 모두 적용할 경우 N2는 N3E 공정과 비교해서 같은 전력에서 10~15% 정도 높은 성능 혹은 같은 성능에서 25~30% 낮은 전력 소모를 지니게 됩니다. 그리고 트랜지스터 밀도 역시 15% 정도 증가해 더 많은 트랜지스터를 집적한 프로세서를 제조할 수 있습니다. N2P 공정은 인텔의 파워비아 같은 후면 전력 공급 방식을 사용합니다. 현재의 최신 미세 공정 반도체는 트랜지스터 층이 가장 아래에 있고 그 위에 전력 배선과 신호 입출력을 담당하는 배선이 층층이 쌓여 있는 방식입니다. 이 방식은 제조가 편리하다는 장점이 있으나 신호 배선과 전력 배선이 서로 얽히게 되는 단점이 있습니다. 이 단점은 프로세서가 복잡해지고 공정이 미세해지면서 더 심각해지고 있습니다. 인텔은 20A 이후 공정에서 전력층을 트랜지스터층 아래로 옮겨 신호층과 분리해 이 문제를 해결할 예정입니다. 인텔의 주장에 의하면 파워비아를 적용한 인텔 4 공정은 전력 공급이 떨어지는 IR 드롭 현상을 30% 이상 줄이고 같은 전압에서 클럭을 6% 정도 더 높일 수 있습니다. N2P 공정 역시 비슷한 효과를 기대할 수 있을 것입니다. 다만 적용은 한참 후인 2026년부터입니다. TSMC는 파운드리 시장에서 점유율 50%를 넘기고도 계속해서 점유율을 올려 이제는 60% 돌파라는 고지를 달성했습니다. 이미 거의 독점에 가까운 상태입니다. 하지만 인텔과 삼성이라는 만만치 않은 상대가 도전장을 내밀고 있습니다. 로드맵만 보면 TSMC가 특별히 더 유리해 보이진 않지만, 수많은 충성 고객과 파운드리 사업에서 축적한 오랜 노하우가 만만치 않은 회사입니다. 물론 안정적인 수율과 공급 능력 역시 무시 못 할 장점입니다. 다만 영원한 강자는 없는 법입니다. 팹리스 반도체 기업 역시 공급망을 하나만 가지고 있는 것보다 두 개 이상 확보하는 것이 더 안전하다고 생각할 것입니다. 따라서 기술과 가격 측면에서 어느 정도 대체할 수 있는 회사가 나온다면 TSMC의 미세 공정 독점 구조도 깨질 수 있습니다. 그런 회사가 나올지 아니면 앞으로도 지금처럼 TSMC의 독점 구도가 점점 더 강화될지 몇 년 후가 궁금합니다. 

인텔은 본래 반도체 미세 공정의 선두 주자였습니다. 누구보다 먼저 22nm 공정과 14nm 공정을 적용하면서 CPU 시장에서 넘볼 수 없는 경쟁력을 지녔지만, 10nm 공정에서 한꺼번에 많은 신기술을 적용하다가 문제가 생기면서 EUV 리소그래피 공정 진입에서 경쟁자보다 늦어지는 수모를 겪었습니다.  인텔의 새로운 수장이 된 펫 겔싱어 CEO는 공격적인 미세 공정 로드맵을 공개하면서 인텔이 자체 프로세서 제조 기술을 업그레이드할 뿐 아니라 파운드리 시장에도 진입할 것임을 예고했습니다. 다만 이를 위해서는 먼저 EUV 공정과 게이트-올-어라운드 (GAA) 기술을 적용한 TSMC와 삼성전자를 따라잡아야 합니다.  인텔은 올해 최초의 EUV 리소그래피 기술을 적용한 인텔 4 공정 제품을 내놓고 내년에는 웨이퍼 후면 전력 공급 기술인 파워비아 (PowerVia)와 GAA 기술의 인텔 버전인 리본펫(ribbonFET)을 적용한 20A (A는 옴스트롱의 약자) 공정을 도입할 예정입니다. 최근 인텔은 파워비아 기술이 실제로 적용된 테스트 프로세서인 블루 스카이 크릭 (Blue Sky Creek)을 공개했습니다. 10nm 공정에서 애를 먹은 인텔의 새로운 전략은 한 번에 많은 기술을 적용하는 대신 여러 단계에 걸쳐 기술을 차례대로 적용해 공정 전체가 지연되는 일을 막는 것입니다. 따라서 로드맵 상으로는 리본펫 기술과 파워비아를 동시에 적용하게 되지만, 내부적으로는 인텔 4 공정에 파워비아를 적용한 테스트 칩을 먼저 개발해 오류를 수정하고 20A에 파워비아와 리본펫 기술을 같이 접목할 예정입니다.  - 뒤에서 전력 공급하면 뭐가 좋을까? 현재 우리가 사용하는 프로세서는 웨이퍼에 트랜지스터와 다른 회로를 새긴 후 그 위에 다시 전력 배선과 신호 입출력을 담당하는 배선을 올리는 방식으로 제조됩니다. 문제는 제조 공정이 미세화되고 프로세서 자체도 복잡해지면서 전력층과 신호층도 매우 복잡해진다는 것입니다. 결국 배선이 서로 꼬이면서 프로세서 제조도 어려워지고 성능에도 제약이 생깁니다.  따라서 반도체 제조사들은 전력층을 웨이퍼 뒷면으로 옮겨 전력층과 신호층 배선을 서로 분리한 후면 전력 공급 (Backside Power Delivery) 기술을 개발하고 있습니다. 파워비아 기술은 인텔의 자체적인 후면 전력 공급 기술로 이번에 공개된 블루 스카이 크릭 프로세서에서 실제 칩으로 구현됐습니다.  블루 스카이 크릭은 인텔 4 공정과 파워비아 기술이 적용된 프로세서로 올해 출시 예정인 메테오레이크 프로세서의 고효율 (E) 프로세서 8개를 탑재한 내부 실험용 프로세서입니다. 블루 스카이 크릭은 트랜지스터층이 후면 전력망 (BS-PDN)과 신호층 사이에 샌드위치처럼 끼워져 배선이 서로 꼬이지 않고 트랜지스터에 접근할 수 있습니다. 인텔에 따르면 파워비아 기술을 적용한 블루 스카이 크릭은 동일한 인텔 4 공정에서 전력 공급이 떨어지는 IR 드롭 현상을 30% 이상 줄이고 같은 전압에서 클럭을 6% 정도 더 높였습니다. 같은 전압에서 클럭을 6% 올릴 수 있다면 5GHz 기준으로 300MHz 정도 클럭을 올릴 수 있는 만큼 어느 정도 성능 향상을 기대할 수 있습니다.  - 남은 과제는? 파워비아는 이론적으로는 훌륭한 기술이지만, 실제로도 훌륭할지는 직접 프로세서를 만들어 보기 전까지는 알 수 없습니다. 인텔이 판매가 가능한 수준의 테스트칩인 블루 스카이 크릭을 만든 것도 그것 때문일 것입니다. 현재 인텔은 블루 스카이 크릭을 이용해 기존의 전면 전력 공급 방식과는 다른 오류 수정 (디버그) 과정을 연구하고 있습니다. 여기서 획득한 지식이 20A 및 18A 공정에 적용될 것입니다. 이론적으로 후면 전력 공급 기술은 복잡한 구조를 지닌 미세 공정 프로세서에 더 적합합니다. 그런 만큼 주요 경쟁 상대인 TSMC 역시 후면 전력 공급 기술을 개발하고 있으나 로드맵대로 된다면 적용은 인텔이 더 빠를 것으로 보입니다. 다만 개발 과정에서 큰 문제가 없고 수율도 우수해서 양산에 들어갈 수 있어야 합니다.  파워비아 기술이 2024년 양산 전까지 모든 문제를 해결하고 멋지게 데뷔할 수 있을지 결과가 주목됩니다. 

현재 인공지능 및 그래픽 카드 시장의 절대 강자인 엔비디아는 처음에는 게임용 그래픽 카드 프로세서 제조 업체로 시작했습니다. 지금처럼 게임용 그래픽 카드 시장을 장악한 회사가 된 것은 2000년대 초반 지포스 2를 출시한 이후입니다. 하지만 이 시기 그래픽 카드 시장은 지금처럼 크지 않았기 때문에 엔비디아의 역시 지금처럼 가치가 큰 회사는 아니었습니다. 그런 엔비디아가 2010년 대 중반 이후 급격한 성장을 하게 된 것은 빅 데이터와 인공지능 덕분입니다. 대규모 데이터를 처리하는 데 있어 GPU가 지닌 병렬 연산 구조가 큰 도움이 되었고 같은 이유로 인공지능 연산 속도 역시 GPU가 CPU보다 압도적으로 빨랐습니다. 물론 최근에 인공지능 기술이 급격하게 발달하게 된 것도 GPU 덕분이라고 할 수 있습니다. 그런데 암호 화폐 채굴이나 인공지능 수요 덕분에 그래픽 카드가 날개 돋친 듯 팔려 나가면서 본래 그래픽 카드의 수요자였던 일반 게임용 그래픽 카드 소비자들은 오히려 외면받는 상황이 됐습니다. 더 비싼 가격을 주고서라도 그래픽 카드를 사려는 사람들이 줄을 서면서 정작 본래 소비자들은 아주 비싼 값을 주지 않으면 물건을 살 수 없게 된 것입니다. 일반적으로 IT 제품은 기다리면 가격은 내려갑니다. 계속 고성능의 신제품이 나오니 이전 제품의 가격이 속절없이 추락하는 것입니다. 하지만 2020년 출시된 RTX 3000 시리즈 그래픽 카드의 경우 나중에 구매한 소비자가 더 비싼 값을 치러야 했습니다. 암호 화폐 채굴에 인공지능 돌풍까지 불어 가격이 천정부지로 치솟았기 때문입니다. 그런 이유에서 당시 업그레이드 대기 수요 중 상당수는 아예 RTX 4000 시리즈 그래픽 카드로 옮겨갔습니다. 아예 기다린 셈에 좀 더 기다렸다가 차세대 그래픽 카드를 구매하는 방향으로 생각을 바꾼 것입니다. 하지만 몇 년간의 공백을 깨고 등장한 RTX 4000 시리즈는 시작부터 논란에 휩싸입니다. 게임만 하려고 사기에는 너무 부담스러운 수준으로 비쌌고 그래픽 카드 역시 일부 케이스에 장착이 불가능할 정도로 커졌기 때문입니다. 더구나 과거 같으면 RTX 4070 정도로 나왔어야 하는 제품이 RTX 4080 12GB라는 괴상한 이름을 달고 출시되어 원성이 자자했습니다. 결국 엔비디아는 RTX 4080 12GB의 출시를 취소하고 가격을 약간 낮춘 후 RTX 4070Ti로 다시 출시하는 사상 초유의 사태를 겪었습니다. 이렇게 시작부터 반응이 좋지 못했던 RTX 4000 시리즈는 이후 순차적으로 아래 등급 제품이 나올 때마다 비슷하게 그렇게 좋지 않은 반응이 나왔습니다. 분명 이전 같으면 한 단계 아래 제품으로 나왔어야 할 제품들이 더 비싼 가격표를 들고 출시했기 때문입니다. 그리고 그런 상황은 가장 많이 팔리는 주력 상품군인 60급에서 그대로 이어졌습니다. RTX 4060Ti는 스펙으로 볼 때 사실은 그보다 아래 등급인 RTX 4050Ti처럼 보이는 제품입니다. 전작인 RTX 3060Ti보다 적은 수인 4352개의 쿠다 코어나 절반 수준인 128bit 메모리 인터페이스를 감안하면 60Ti의 이름을 붙이기가 어색해 보입니다.여기에 기본 성능도 RTX 3060 Ti와 비교해 15% 정도 높아지는 수준에 그쳐 3년 동안 기다린 소비자들을 허탈하게 했습니다. 그동안 GPU 및 반도체 제조 기술이 발전한 걸 생각하면 너무 적은 변화이기 때문입니다. 물론 RTX 4060Ti에도 장점은 있습니다. 우선 TSMC의 4nm 공정을 적용해 전력 소비가 크게 줄었습니다. 따라서 미니 PC나 저전력 제품을 원하는 소비자에게 더 나은 선택이 될 수 있습니다. 그리고 인공지능을 이용해 속도를 높이는 DLSS3를 지원하는 게임에서는 한 체급 위인 RTX 3070도 이길 수 있습니다. 하지만 이 모두를 생각해도 성능과 가격 모두 오랜 시간 기다린 소비자들을 실망시키고 있습니다. 이렇게 그래픽 카드 등급이 줄줄이 하향되는 데는 그럴 만한 이유가 있습니다. 우선 그래픽 카드 시장이 엔비디아 독점 체제로 경쟁을 할 만한 이유가 없습니다. 최신 미세 공정 웨이퍼 단기가 비싼 것도 중요한 이유입니다. 다만 다이 사이즈가 작아진 점을 생각하면 이 부분은 어느 정도 상쇄할 수 있었던 부분으로 생각됩니다. 한 가지 더 생각할 수 있는 이유는 동족 포식을 막기 위한 것입니다. 게임용 그래픽 카드도 인공지능 연산용으로 사용할 수 있는 만큼 너무 저렴한 그래픽 카드를 내놓을 경우 상위 제품 판매에 악영향을 줄 수 있습니다. 예를 들어 RTX 4090의 가격이 1000달러 미만이라면 서버급 제품 판매에도 영향을 줄 수 있습니다. 그렇다면 게임용 그래픽 카드 판매량이 줄어드는 상황을 감수하고 가격을 전반적으로 올리는 정책이 말이 될 수 있습니다. 하지만 그래픽 카드 시장이 현재 CPU 시장처럼 치열한 경쟁 상황이어도 이렇게 했을지는 의문입니다. 결국 소비자에게 유리한 상황이 되려면 AMD와 인텔이 의미 있는 경쟁자가 되는 수밖에 없습니다. 

글로벌 반도체 시장이 올 하반기부터 반등할 것으로 전망되는 가운데 ‘톱티어’(최상위)급 반도체 장비 기업들이 한국 투자를 강화하고 있다. 미국의 중국 규제로 대외 경영 불확실성이 커지자 반도체 제조 강국인 한국을 글로벌 경영의 거점으로 삼아 삼성전자와 SK하이닉스 등 종합반도체기업(IMD)과 함께 성장한다는 전략이다. 네덜란드 반도체 장비 업체 ASM은 23일 서울 강남구 조선팰리스 호텔에서 기자간담회를 열고 1억 달러(약 1300억원) 규모 투자를 포함한 한국 사업 전략 등을 소개했다. ASM은 반도체의 원판인 웨이퍼가 전기적 특성을 갖도록 가공하는 ‘증착 공정’ 장비를 생산하는 기업으로, 이 분야에서 세계 1위 매출 규모와 기술력을 갖췄다. 첨단 공정 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하는 네덜란드 기업 ASML의 모태 기업이기도 하다. 벤자민 로 ASM 최고경영자(CEO)는 간담회에서 “한국은 우리가 보유한 글로벌 거점 중 유일하게 플라스마 원자층 증착(PEALD) 제품 생산과 연구개발(R&D)이 가능한 곳”이라면서 “1억 달러를 추가로 투자해 2025년까지 경기 화성에 제2제조연구혁신센터를 신설하고 R&D센터와 생산 기지 규모도 확장할 것”이라고 밝혔다. PEALD는 웨이퍼에 원자 단위 깊이의 산화막을 형성하는 공정으로, ASM은 2019년 화성 동탄에 화성캠퍼스를 설립해 해당 기술과 장비를 개발하고 생산하고 있다. 한국을 미국, 싱가포르와 함께 자사의 ‘3대 핵심 허브’로 꼽은 로 CEO는 한국 투자 확대 배경으로 “글로벌 상위 10개 기업 중 2개가 한국 기업이고 이 두 회사 모두 우리의 고객사”라면서 “한국 기업들은 메모리든 로직이든 우수한 기술력을 보유했기 때문”이라고 설명했다. 그는 이어 “고객사 측의 설비 투자 요청도 있었다”고 덧붙였다. 아울러 로 CEO는 “한국은 고숙련 인재 풀이 풍부하다는 강점도 있다”면서 “우리는 한국 반도체 기업과 긴밀히 협력하고 있으며, 앞으로도 업계 기술 발전을 위해 협력을 이어 나갈 것”이라고 강조했다. ASM에 앞서 ASML도 한국에 대한 투자를 확대하고 있다. ASML은 화성에 한국 지사 사옥과 부품 재제조시설 등을 신설하는 ‘화성 클러스터’ 사업을 진행하고 있으며, ASML 코리아는 최근 용인에 노광장비 관련 기술을 전수하는 글로벌트레이닝센터를 열었다.

글로벌 반도체 시장이 올 하반기부터 반등할 것으로 전망되는 가운데 ‘탑티어’(최상위)급 반도체 장비 기업들이 한국 투자를 강화하고 있다. 미국의 중국 규제로 대외 경영 불확실성이 커지자 반도체 제조 강국인 한국을 글로벌 경영의 거점으로 삼아 삼성전자와 SK하이닉스 등 종합반도체기업(IMD)과 함께 성장한다는 전략이다.네덜란드 반도체 장비 업체 ASM은 23일 서울 강남구 조선팰리스 호텔에서 기자간담회를 열고 1억 달러(약 1300억원) 규모 투자를 포함한 한국 투자와 사업 전략 등을 소개했다. ASM은 반도체의 원판인 웨이퍼가 전기적 특성을 갖도록 가공하는 ‘증착 공정’ 장비를 생산하는 기업으로, 이 분야에서 세계 1위 매출 규모와 기술력을 갖췄다. 첨단 공정 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하는 네덜란드 기업 ASML의 모태 기업이기도 하다. 벤자민 로 ASM 최고경영자(CEO)는 간담회에서 “한국은 우리가 보유한 글로벌 거점 중 유일하게 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 제품 생산과 연구개발(R&D)이 가능한 곳”이라면서 “1억 달러를 추가로 투자해 2025년까지 경기 화성에 제2제조연구혁신센터를 신설하고 R&D센터와 생산 기지 규모도 확장할 것”이라고 밝혔다. PEALD는 웨이퍼에 원자 단위 깊이의 산화막을 형성하는 공정으로, ASM은 2019년 화성 동탄에 화성캠퍼스를 설립해 해당 기술과 장비를 개발하고 생산하고 있다.한국을 미국, 싱가포르와 함께 자사의 ‘3대 핵심 허브’로 꼽은 로 CEO는 한국 투자 확대 배경으로 “글로벌 상위 10개 기업 중 2개가 한국 기업이고 이 두회사 모두 우리의 고객사”라면서 “한국 기업들은 메모리든 로직이든 우수한 기술력을 보유했기 때문”이라고 설명했다. 그는 이어 “고객사 측의 설비 투자 요청도 있었다”고 덧붙였다. 아울러 로 CEO는 “한국은 고숙련 인재 풀이 풍부하다는 강점도 있다”라면서 “우리는 한국 반도체 기업과 긴밀히 협력하고 있으며, 앞으로도 업계 기술 발전을 위해 협력을 이어 나갈 것”이라고 강조했다. ASM에 앞서 ASML도 한국에 대한 투자를 확대하고 있다. ASML은 화성에 한국 지사 사옥과 부품 재제조시설 등을 신설하는 ‘화성 클러스터’ 사업을 진행하고 있으며, ASML 코리아는 최근 용인에 노광장비 관련 기술을 전수하는 글로벌트레이닝센터를 열었다.

세계 최대 반도체 노광장비 기업 네덜란드 ASML이 메모리반도체 강국인 한국과의 밀착을 강화하고 있다. 주요 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 생산기지가 있는 한국 투자를 강화해 반도체 제조사와 함께 시너지를 내겠다는 전략이다. ASML의 한국 지사인 ASML 코리아는 경기도 용인에 EUV 노광장비 관련 기술을 전수하는 글로벌트레이닝센터를 열었다고 18일 밝혔다. 이 센터는 약 1445㎡ 규모에 클린룸, 강의실, 사무공간 및 기타 편의시설을 갖췄다. 센터에서는 EUV 노광장비 유지·보수를 담당하는 엔지니어를 대상으로 심화 트레이닝 과정 등 기술교육 프로그램을 제공한다. ASML은 반도체 미세공정에 꼭 필요한 EUV 노광장비를 독점 생산하고 있어 글로벌 반도체 시장에서는 ‘슈퍼을(乙)’로 통한다. 노광 공정은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 그려 넣는 기술로, EUV 장비를 활용하면 짧은 파장으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있다. 글로벌트레이닝센터는 지역 사회를 위한 사회공헌활동의 하나로 국내 대학과 연계한 산학협력 프로그램을 추진해 반도체 분야 미래 인재 육성에도 앞장설 계획이다.

세계 최대 반도체 노광장비 기업 네덜란드 ASML이 메모리 반도체 강국인 한국과의 밀착을 강화하고 있다. 주요 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 생산기지가 있는 한국에 투자를 강화해 반도체 제조사와 장비 공급사의 시너지를 내겠다는 전략이다. ASML의 한국 지사인 ASML 코리아는 경기도 용인에 EUV 노광장비 관련 기술을 전수하는 글로벌 트레이닝 센터를 개소했다고 18일 밝혔다. 이 센터는 약 1445㎡ 규모에 클린룸, 강의실, 사무공간 및 기타 편의시설을 갖췄다. 센터에서는 EUV 노광장비 유지·보수를 담당하는 엔지니어를 대상으로 심화 트레이닝 과정 등 기술교육 프로그램을 제공한다. ASML은 반도체 미세공정에 꼭 필요한 EUV 노광장비를 독점 생산하고 있어 글로벌 반도체 시장에서는 ‘슈퍼을(乙)’로 통한다. 노광 공정은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 그려 넣는 기술로, EUV 장비를 활용하면 짧은 파장으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있다. 이 회사의 EUV 장비를 원활히 공급받기 위해 삼성전자에서는 이재용 회장이 직접 페테르 베닝크 ASML 최고경영자(CEO)를 만나러 네덜란드까지 출장을 가기도 했다.ASML의 용인 트레이닝 센터 개소에 따라 이 회사의 장비를 사용하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스도 장비 유지 및 관리 안정성이 더욱 높아질 것으로 기대된다. 글로벌 트레이닝 센터는 지역 사회를 위한 사회공헌활동의 하나로 국내 대학과 연계한 산학협력 프로그램을 추진해 반도체 분야 미래 인재 육성에도 앞장설 계획이다. 이우경 ASML 코리아 대표는 “ASML은 양질의 기술 제공을 통해 고객사의 다양한 요구에 신속하게 대응하기 위해 힘써왔다”라면서 “앞으로도 고객사의 다양한 요구에 더욱 신속히 대응하는 것은 물론 반도체 생태계 발전을 위한 인재 육성도 적극 지원할 계획”이라고 말했다. ASML은 경기 화성에 자사 클러스터도 건설하고 있다. 동탄2 도시지원시설 용지 1만 6000㎡ 부지에 부품 재제조 시설(재생센터)과 교육센터, 체험관 등을 신설한다. 투자 규모는 2400억원으로 총 300명의 신규고용이 전망된다. 지난해 11월 클러스터 착공식 참석을 위해 한국을 방문한 베닝크 CEO는 서울신문과 만난 자리에서 “우리는 앞으로 지속적으로 한국에 투자하며 한국 기업과 함께 성장해나갈 것”이라고 말했다.

두산그룹이 성장 가능성이 높은 친환경 에너지 사업과 첨단 미래 기술을 적용한 기계·자동화 사업 그리고 반도체와 첨단소재 사업을 축으로 변신을 꾀하고 있다. 특히 소형모듈원자로(SMR), 수소연료전지, 수소가스터빈 등 친환경 에너지 분야에서 강점을 보이고 있다. 두산은 차세대 에너지원으로 크게 각광받고 있는 SMR의 주기기를 제작할 수 있는 국내 유일의 기업이다. 현재 전 세계적으로 70여개의 SMR이 개발되는 가운데, 두산에너빌리티가 2019년부터 전략적 협력관계를 맺고 있는 미국 뉴스케일파워의 SMR 모델은 업계 최초로 2020년 미국 원자력규제위원회(NRC)의 설계인증 심사를 통과했다. 또 두산은 올해 한국형 고체산화물연료전지(SOFC)를 개발할 예정이다. 한국형 SOFC는 PAFC(인산형 연료전지)에 비해 전력 효율이 높고, 기존의 SOFC보다 약 200도 낮은 620도에서 작동해 기대 수명이 길다. 두산은 올 하반기 전북 새만금 산업단지 내에 50㎽ 규모의 SOFC 생산 공장을 가동할 예정이다. 아울러 기계 자동화와 반도체·신소재 부문에서도 발전 속도를 보이고 있다. 애플리케이션 프로세서(AP)와 카메라 이미지센서(CIS) 등 시스템 반도체 제품에 대한 테스트와 웨이퍼 테스트 분야에서 국내 최상권 경쟁력을 자랑하는 두산테스나는 첨단 패키징 기술을 확보하는 등 반도체 후공정 전문회사로 사업영역을 확대해 가고 있다. 2015년 설립한 두산로보틱스는 독자적인 토크센서 기술 기반의 업계 최고 수준 안전성을 제공해 사람과 함께 일할 수 있는 협동로봇을 생산하고 있다.

지난 1월 반도체 웨이퍼 연마 관련 기술을 중국에 빼돌린 국내 3개 기업 전현직 직원 6명이 재판에 넘겨졌다. 반도체 웨이퍼 연마는 웨이퍼 표면의 미세한 요철을 평탄화하는 공정으로, 국가핵심기술로 분류돼 산업기술보호법의 보호를 받는다. 이들은 2019년부터 회사 내부망에서 첨단기술 기밀 자료를 몰래 촬영한 뒤 중국 업체에 유출했다고 한다. 특허청 기술경찰, 검찰, 국정원이 지난해 3월부터 1년 가까이 공조 수사를 벌이고서야 실체가 드러났다. 글로벌 첨단기술 경쟁이 거세지면서 기술유출 사례도 늘어나고 있다. 범죄 유형이 갈수록 고도화해 적발하기가 쉽지 않을뿐더러 정작 범인을 잡아도 ‘솜방망이 처벌’에 그치는 경우가 많아 논란이 끊이지 않는다. 국가정보원에 따르면 2018~2022년 5년간 적발된 산업기술 해외 유출 사건은 총 93건으로, 피해액이 무려 25조원으로 추정된다. 적발된 것만 이 정도니 실제 피해 사례와 규모는 훨씬 클 것으로 당국은 보고 있다. 그런데도 최근 3년간 기술유출 사범에 대한 법원 선고 총 445건 중 실형은 47건(10.6%)에 그쳤다. 영업비밀 해외 유출 사범에게 선고되는 형량도 지난해 기준 평균 14.9개월에 불과했다. 현행법상 국가핵심기술 해외 유출은 징역 3년 이상 최대 30년, 영업비밀 해외 유출은 최대 징역 15년으로 규정돼 있지만 초범이거나 피해 규모를 입증하기 어렵다는 이유 등으로 가벼운 처벌을 받는 경우가 잦다. 홍석준 국민의힘 의원이 그제 기술 해외 유출 방지를 위해 산업기술보호법 개정안과 국가첨단전략산업법 개정안을 대표발의했다. 현행 법은 국가핵심기술이나 산업기술, 국가첨단전략기술의 해외 유출 범죄를 처벌하려면 외국에서 사용하거나 사용할 목적이 인정돼야 한다. 반면 개정안은 이 기준을 완화해 국내 기술이 외국에서 사용될 것을 알면서 유출할 때도 처벌하도록 규정했다. 대검찰청과 특허청도 기술유출 범죄 처벌 수위를 높이는 방안을 모색하고 있다. 지난 2일 개최한 세미나에선 초범도 강도 높은 형을 받을 수 있도록 양형 기준을 개선하는 안이 논의됐다. 기업 피해는 물론 국가경쟁력을 훼손하는 악질 범죄에 대해선 그에 합당한 처벌이 이뤄지는 게 맞다.