삼성전자 ‘8기가 난드플래시’ 세계 첫 개발
삼성전자가 세계 최초 60나노미터 공정기술 기반의 8기가비트 난드 플래시 메모리 개발에 성공,반도체 신화를 계속 이어가게 됐다.
또 지난 96년 1기가비트 DDR2 D램 개발 이후 8년만에 세계 최대 용량인 80나노 2기가비트 제품 개발에 성공했다.
삼성전자는 20일 서울 신라호텔에서 ‘반도체 전략발표회’를 갖고 “D램,플래시 메모리의 성공에 이어 2007년까지 비메모리 분야인 디스플레이구동칩(DDI),CMOS 이미지 센서(CIS),모바일 CPU,칩카드 IC,옵티컬 플레이어 SoC(시스템 온 칩)를 세계 1위로 육성할 계획”이라고 밝혔다.메모리 반도체 중심에서 메모리-비메모리 동반 성장 모델로의 전환을 의미한다.
삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 “지난해 70나노 4기가 난드 플래시 개발에 이어 60나노 8기가 제품 개발에 성공함으로써 현재 1년 정도인 경쟁업체와의 기술 간격을 더욱 벌리게 됐다.”면서 “2기가 D램도 최소 65나노급 이하의 기술을 적용해야 2기가 용량이 가능할 것이라는 업계의 통념을 뛰어넘은 쾌거”라고 밝혔다.
삼성전자는 이번에 8기가 플래시 메모리를 개발하면서 “메모리 반도체의 집적도는 매년 2배씩 증가하며 그 수요는 PC 중심에서 디지털기기,모바일이 주도할 것”이라는 ‘황의 법칙’을 계속 이어가게 됐다.
삼성전자는 99년 256메가비트를 시작으로 2000년 512메가,2001년 1기가 등으로 매년 용량을 2배씩 늘려왔다.
60나노미터는 머리카락 두께의 2000분의1에 불과하다.8기가비트 난드 플래시로 16기가바이트 메모리카드를 만들면 동영상은 16시간,MP3파일은 4000곡을 저장할 수 있다.
삼성전자는 내년 말부터 8기가 제품 양산에 들어갈 계획이다.
8기가 제품은 2008년이면 60억달러로 시장규모가 커질 전망이며,파급효과는 100억달러 이상이 될 것으로 예상된다.
80나노 2기가 DDR2 D램은 삼성전자가 지난해 양산기술을 확보한 512메가에 비해 칩 크기는 2배 커졌지만 용량은 무려 4배나 늘어났다.때문에 실시간으로 대용량 데이터 처리가 요구되는 동영상회의,원격 의료시스템,쌍방향통신 등 차세대 정보통신 혁명을 한발짝 앞당길 수 있을 것으로 기대된다.
●난드(NAND) 플래시
전원이 꺼진 상태에서도 정보를 저장할 수 있는 플래시 메모리 가운데 용량이 크고 쓰기 속도가 빠른 특징을 갖고 있다.
디지털카메라,MP3플레이어,휴대전화 등에 주로 쓰인다.쓰기 속도가 빠른 노아(NOR) 플래시에 비해 비중이 낮았지만 내년이면 세계 시장 100억달러로 노아(75억달러)를 추월할 전망이다.
류길상기자 ukelvin@seoul.co.kr