SK하이닉스 SK하이닉스 2년 연속 최대 실적 “비결은?” SK하이닉스가 사상 처음으로 연간 5조원대의 영업이익을 냈다. 지난해에 이어 2년 연속 최대 실적을 거뒀다. SK하이닉스는 지난해 매출이 17조 1256억원, 영업이익이 5조 1095억원으로 집계됐다고 28일 공시했다. 영업이익률은 29.8%이다. 매출은 20.9%, 영업이익은 51.2% 증가했다. 연간 순이익도 4조1천950억원으로 46.0% 늘면서 사상 최대를 기록했다. SK하이닉스는 “안정적인 시장환경 속에서 수익성 중심의 제품 운영과 미세공정 전환을 통한 원가 경쟁력 강화에 힘써온 결과”라고 설명했다. 4분기만 떼어놔도 분기 기준으로 사상 최대 기록을 경신했다. 매출은 5조 1479억원, 영업이익은 1조 6672억원, 순이익은 1조 6241억원이었다. 매출은 전분기보다 19.4%, 지난해 같은 기간보다 52.9% 증가했다. 영업이익도 전분기 대비 28.1%, 지난해 대비 112.4% 늘어났다. SK하이닉스는 4분기 실적이 좋아진 이유는 D램과 낸드플래시의 이익률이 높아진 덕분이라고 분석했다. D램은 20나노 중반급 공정기술 비중을 40% 후반까지 확대하고, PC와 서버용 제품 비중을 높인 덕분에 출하량이 18% 늘어났다. 평균판매가격은 3% 하락했다. 낸드플래시는 모바일기기 신제품 출시에 따른 수요 증가와 10나노급 공정기술 비중 확대에 힘입어 출하량이 30% 증가했고 평균판매가격은 8% 하락했다. SK하이닉스는 올해 데이터 트래픽 증가와 빅데이터 분석 수요 확산에 따라 서버용 D램 채용량이 빠르게 늘어나고, DDR3→DDR4로의 전환이 메모리 시장의 수요가 늘어날 것으로 전망했다. 이에 SK하이닉스는 올해 상반기 중 20나노 초반급 D램을 양산, 원가 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 아울러 서버와 모바일 시장을 중심으로 한 DDR4 도입에 대응하여 연말까지 해당 제품군에서 DDR4의 비중을 50%까지 확대해나가기로 했다. 낸드플래시의 경우 상반기 중 트리플레벨셀(TLC) 제품을 본격적으로 양산하고, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 솔루션 제품 공급을 늘리기로 했다. 하반기에는 3D제품의 양산 준비를 완료할 계획이다. SK하이닉스는 SK그룹에 편입된 이후 사상 최대 실적을 기록하고 있다. 대규모 적기 투자가 가능해진 덕분이라는 게 회사 측의 설명이다. 온라인뉴스부 iseoul@seoul.co.kr

삼성전자가 업계 최초로 ‘20나노 8기가비트(Gb) 모바일 D램(LPDDR4)’을 양산한다고 23일 밝혔다. 모바일 D램은 스마트폰 등에 탑재되는 메모리 반도체로 데이터 처리 속도를 높여 준다. 20나노미터(1nm=10억분의1m) 공정을 적용한 이 제품은 기존의 PC D램보다 2배 빠른 초당 3200Mb 속도로 데이터를 전송하면서도 소비전력은 최대 40%까지 낮출 수 있다는 게 회사 설명이다. 이 반도체를 탑재한 스마트폰은 초고화질(UHD)급 동영상 촬영은 물론 2000만 화소 이상의 UHD 사진의 연속촬영도 가능하게 된다. 회사 관계자는 “20나노 공정은 업계 최고급 기술력이 요구되는 미세공정”이라면서 “20나노 D램 라인업의 생산 비중을 높여갈 계획”이라고 말했다. 4GB LPDDR4 모바일 D램은 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2015에서 혁신상을 받는다. 모바일 D램으로 3년 연속 CES 혁신상을 수상한 반도체 기업은 삼성전자뿐이다. 삼성전자는 업계에서 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용·모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있다. 명희진 기자 mhj46@seoul.co.kr

또다시 사상 최대 실적 기록을 갈아치운 SK하이닉스가 올 4분기 1조원 정도 규모의 추가 재투자에 나선다. 지속적인 대규모 투자로 제품 경쟁력이 강화됐고 경영성과로 이어졌다는 판단에서다. SK하이닉스는 올 3분기 영업이익이 1조 3012억원으로 집계됐다고 23일 공시했다. 역시 사상 최대 기록을 세웠던 지난해 3분기보다 11.7% 늘었으며 전 분기보다는 20.0% 증가했다. 1조 2700억원대로 영업이익을 내다봤던 증권가 예상치를 웃도는 깜짝 실적이다. D램과 낸드플래시 등 주력인 메모리반도체의 수익성이 향상된 결과다. 올 3분기 D램은 20나노 중반급 공정기술 비중 확대와 PC와 서버용 제품의 탄탄한 수요로 출하량이 전 분기보다 7% 증가했다. 평균판매가격은 전 분기와 같은 수준을 유지했다고 SK하이닉스는 설명했다. 낸드플래시의 경우 10나노미터(nm·1nm = 10억분의1ｍ)급 공정기술 비중 확대와 솔루션 제품 위주의 공급 확대로 출하량이 26% 늘고 평균판매가격은 모바일용 제품 수요 개선에 따른 수급 균형에 힘입어 2% 하락하는 데 그쳤다. SK하이닉스는 D램 시장이 앞으로도 서버와 모바일을 중심으로 안정적인 성장을 지속할 것으로 전망했다. 낸드플래시 시장도 노트북용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매 증가와 자료센터 내 SSD 비중 확대, 스마트폰의 기기당 채용량 증가에 힘입어 안정적인 수요가 이어질 것으로 관측했다. SK하이닉스는 “지속적인 대규모 투자를 바탕으로 한 제품과 원가 경쟁력 강화가 연이은 호실적으로 이어지고 있다”며 “앞으로도 경영성과에서 발생한 재원을 근본적인 기술경쟁력 강화를 위한 재투자에 집중할 계획”이라고 밝혔다. 올 3분기까지 이미 3조 9000억원의 시설투자를 집행한 데 이어 4분기 1조원 정도를 추가로 투자해 연간 투자액이 4조원대 후반으로 늘어날 것으로 전망했다. SK하이닉스가 대규모 투자를 주저하지 않는 것은 그동안 과감한 투자가 기술경쟁력을 높이고 경영성과가 향상되는 이른바 ‘투자 선순환’의 효과를 톡톡히 봤던 경험 때문이다. 2012년 반도체 시장환경이 열악해지자 글로벌 반도체 기업들이 투자규모를 평균 11% 정도 줄였지만 SK하이닉스는 반대로 10%(3조 5000억→3조 8500억원) 늘렸다. 하이닉스를 SK그룹에 편입(2012년 2월)시킨 후 성장동력을 찾던 최태원 SK그룹 회장의 결단이었다. 2012년엔 당장 영업손실(-2270억원)을 기록했지만 미세공정 기술력 확보 등으로 지난해부터 급격한 성장을 이뤄 SK텔레콤·SK이노베이션과 함께 그룹의 3대 축으로 입지를 확고히 했다. 김양진 기자 ky0295@seoul.co.kr

서버 스토리지(저장장치)가 기존 하드디스크(HDD) 중심에서 메모리반도체 기반인 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)로 빠르게 대체되고 있다. 서버 스토리지 시장은 빅데이터·클라우드 등의 활성화로 급팽창하고 있어 최근 업계에서 주목받는 분야다. 특히 메모리반도체 세계 1위 삼성전자는 최근 성장세가 주춤해진 스마트폰 대신 새로운 캐시카우(수익원)로 떠오른 메모리, 그중에서도 서버용 메모리 기술 개발에 집중하고 있다. 21일 시장조사기관 아이서플라이의 전망자료를 보면 최근 데이터양이 급증하고 있음에도 HDD 시장 규모는 지난해 3억 3102만 달러 규모에서 2018년 2억 9380만 달러로 연 2%씩 오히려 감소하는 것으로 나타났다. 대신 SSD 시장은 지난해 9283만 달러에서 2018년 2억 634만 달러로 연 17%씩 커질 것으로 전망됐다. 이렇게 HDD가 외면받는 것은 HDD의 경우 물리적으로 디스크를 회전시키면서 데이터를 저장하는 특성 탓에 ▲전기 소모(8W)가 많고 ▲부피가 크며 ▲교체 주기(6개월~1년)가 짧아 유지비용이 비싸기 때문이다. 반면 SSD는 낸드플래시 기반으로 전기 소모는 1W 미만이며 부피는 10분의1 수준이다. 특히 교체 주기는 보증기간만 3~5년이고 10년 정도는 거뜬히 쓸 수 있다. 소음이 전혀 없다는 것도 장점이다. 처리 속도도 월등히 뛰어나다. 다만 SSD의 비싼 가격이 문제였는데 최근에 HDD와의 가격 차를 10배 수준까지 낮췄다. 업계 한 관계자는 “데이터 폭증으로 서버를 둘 공간이 없어 SSD 서버로 바꾸는 수요도 상당하다”고 말했다. 이에 삼성전자는 서버용 D램 시장 점유율 확대에도 박차를 가하고 있다. 이날 삼성전자는 20나노미터(nm·1nm = 10억분의1ｍ) 공정을 적용한 DDR4 서버용 D램(8Gb)을 세계 최초로 양산한다고 밝혔다. DDR4는 처리 속도가 직전 규격(DDR3)보다 30% 빠르고 전력 소모가 적다. 인텔도 올 9월 DDR4 서버용 CPU를 내놨다. 시장이 조만간 DDR4 중심으로 개편될 전망이다. 한편 SK하이닉스도 이날 20나노급 DDR4 기반 D램을 16GB 용량으로 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 김양진 기자 ky0295@seoul.co.kr [용어 클릭] ■HDD와 SSD HDD와 SSD는 둘 다 데이터를 저장하는 장치다. HDD는 원형 장치를 회전시키는 방식으로 작동하기 때문에 기계식이라 불리고, SSD는 낸드플래시라는 메모리반도체를 이용해 작동하기 때문에 전자식이라 불린다. HDD는 SSD에 비해 전력 소모는 8배, 부피는 10배 정도 크다. 하지만 가격은 HDD가 1만 5000원(250GB 기준) 정도인 반면, SSD는 14만~15만원 수준이다.

급성장이 예상되는 글로벌 D램 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스가 본격적인 기술경쟁에 돌입했다. 지난달 삼성전자가 20나노(10억분의 1㎜) D램 양산에 세계 최초로 성공해 미세공정의 한계를 돌파하더니, 이번엔 SK하이닉스가 서버용 128GB D램 모듈을 개발, 용량의 한계를 뛰어넘은 것이다. SK하이닉스는 지난 6일 20나노급 8Gb DDR4 기반 128GB 모듈을 개발했다고 7일 밝혔다. 이 제품은 첨단 반도체 패키지 방식인 실리콘 관통전극(TSV)기술로 기존 최대 용량인 64GB의 두 배에 달하는 최대 용량을 구현했다. 또 DDR4 규격으로 만들어 데이터 전송 속도를 기존 DDR3(1333Mbps)보다 빠른 2133Mbps로 끌어올렸다. 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 또 동작 전압 역시 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮춰 에너지 효율을 높였다. D램은 PC나 모바일의 두뇌 역할을 하는 중앙처리장치(CPU)와 저장장치인 낸드플래시를 잇는 임시저장장치인데, 보통 ▲미세화 ▲용량 ▲속도 ▲저전력 등 4가지가 성능을 좌우한다. 미세화는 웨이퍼 원판에서 회로 선폭을 얼마나 줄이느냐에 따라 좌우되고 생산성을 결정한다. 업계에 따르면 삼성전자가 지난달부터 양산하기 시작한 20나노 D램의 생산성은 기존 25나노 D램보다 25% 정도 뛰어나다. SK하이닉스는 미세공정 부분에서는 삼성전자를 아직 못 따라가지만, 용량면에서는 추월했다. 지난달 DDR4 기반 64GB 모듈을, 이달 128GB 모듈을 세계 최초로 잇따라 개발하는 데 성공했다. DDR3 기반 모듈도 64GB까지밖에 개발되지 않았다. 64GB보다 2배 큰 용량을 똑같은 공간에 좀 더 압축으로 처리할 수 있게 됐다는 의미다. 업계 관계자는 “128GB모듈이 아직 흔히 쓰이는 것은 아니지만 향후 서버용 D램 수요를 보면 조만간 차세대 모듈로 주목받을 것”이라면서 “특히, 전력 절약 차원에서 점차 비중을 늘려가는 DDR4 규격으로 제작됐다는 점에서 의미가 있다”고 말했다. 시장조사기관 가트너에 따르면 지난해 전 세계 D램의 서버시장 규모는 용량 기준으로 지난해 63만 190TB에서 2018년 292만 5941TB로 4.6배 늘어날 것으로 예상된다. DDR3와 DDR4의 시장점유율도 2013년엔 각각 79.5% 대 8.2%로 DDR3가 압도적이지만 2018년엔 각각 22.5%와 76.3%로 역전될 전망이다. 기업들이 D램 기술개발에 힘을 쏟는 것은 시장 성장성 때문이다. IHS아이서플라이에 따르면 지난해 350억 1500만 달러(매출액 기준)였던 D램시장은 올해 413억 3400만 달러, 2015년 430억 310만 달러로 성장할 것으로 예상된다. 지난해 시장점유율 1~2위는 삼성전자(36.2%)와 SK하이닉스(26.8%)였다. 김양진 기자 ky0295@seoul.co.kr

LG전자와 SK하이닉스가 정보기술(IT) 업계의 전통적 비수기인 1분기에 호실적을 거뒀다. LG전자는 24일 1분기 실적 발표에서 연결기준 매출 14조 1006억원, 영업이익 3495억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년 동기 대비 6.8% 늘었지만, 전 분기보다는 4.7% 감소했다. 영업이익은 지난해 같은 기간보다 13.0% 줄었지만 전 분기와 비교하면 199.0% 증가했다. LG전자는 주력 제품인 TV·생활가전 분야의 수익성이 떨어졌지만, 스마트폰 분야의 실적이 좋아지면서 균형을 이뤘다. 휴대전화 사업이 속해 있는 모바일 커뮤니케이션(MC)사업본부는 매출 3조 2097억원, 영업이익 1328억원을 기록했다. MC사업본부가 1000억원 이상의 분기 영업이익을 낸 것은 2009년 3분기 이후 14분기 만이다. 휴대전화만 놓고 봐도 매출 3조 2023억원, 영업이익 1325억원으로 지난해 동기 대비 약 4배, 전 분기의 2.5배 수준이다. 스마트폰은 분기당 판매량이 처음으로 1000만대를 넘어섰고, 휴대전화 판매량 가운데 스마트폰의 비중도 사상 최대인 64%로 높아졌다. 영업이익률도 4.1%로 2009년 3분기(10.1%) 이후 최고치를 기록했다. MC사업본부는 ‘LG전자 실적 악화의 주범’으로 몰렸지만 발 빠른 대응으로 경쟁력을 회복해 가고 있어 장기적으로는 LG의 ‘캐시카우’(현금창출원)가 될 전망이다. 윤부현 LG전자 MC사업본부 상무는 실적설명회에서 “플라스틱 유기발광다이오드(OLED) 스마트폰을 LG디스플레이와 체계적으로 준비하고 있으며, 4분기쯤 출시될 전망”이라고 말했다. 하지만 플라스틱 OLED 스마트폰의 성능에 대해서는 밝히지 않았다. LG전자는 올해 스마트폰 판매실적을 4500만대로 예측했다. SK하이닉스도 1분기에 매출 2조 7810억원, 영업이익 3170억원, 순이익 1790억원을 기록했다고 공시했다. 매출은 전년 동기 대비 16.4%, 전 분기 대비 2.3% 증가했다. 영업이익은 지난해 동기 적자(-2635억원)에서 흑자 전환하고 지난 분기 대비 476% 늘었다. 계절적 비수기임에도 불구하고 PC 및 서버용 D램의 수요 증가로 매출이 늘고, 미세공정 전환 및 수율 개선으로 영업이익도 늘었다고 SK하이닉스는 설명했다. 2분기에는 주요 모바일 고객들의 신제품 출시와 더불어 중국 스마트폰 시장의 성장세가 회복되면서 모바일 D램의 수요 강세가 예상된다고 밝혔다. SK하이닉스는 시장 선도를 위해 모바일 D램을 포함한 모든 D램 제품군에 20나노급 공정기술을 본격 적용하고, 낸드플래시 역시 하반기에 10나노급 제품 생산을 진행할 계획이라고 덧붙였다. 류지영 기자 superryu@seoul.co.kr

삼성전자가 지구온난화와 자원고갈 등 환경문제에 대응할 초절전·고성능의 차세대 반도체인 ‘그린메모리’ 신제품과 관련 전략을 공개했다. 삼성전자는 6일 서울 신라호텔에서 ‘그린메모리 솔루션으로의 진화’라는 주제로 열린 최고정보책임자(CIO) 포럼에서 지난달 양산에 들어간 20나노급 4세대 그린메모리 신제품을 선보였다. 공개된 기업 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘480기가바이트(GB) SATA MLC SSD(SM843)’는 서버 시스템에 탑재될 경우 종전 40나노급 D램과 하드디스크드라이브(HDD)로 이뤄진 서버 시스템보다 처리 속도를 6배 높이고 소비전력은 26% 낮출 수 있다. 세계 최초로 양산하고 있는 ‘20나노급(2y나노·중반) 4Gb DDR3 D램’은 4세대 그린메모리 솔루션의 핵심 제품으로 전력 소모를 3세대 대비 7%, 1세대 대비 52%까지 줄일 수 있고, 노트북에 쓰이는 40나노급 DDR3 D램보다 3배 이상 높은 효율성을 자랑한다. 삼성전자는 20나노급 D램 제품을 기업 서버와 모바일 시장에서 PC 시장으로까지 확대해 기존 30·40나노급 D램을 빠르게 대체함으로써 환경보호에도 기여한다는 전략이다. 내년에는 20나노급(2z나노·초반) 차세대 기업용 모듈과 10나노급 고성능 낸드플래시 기반의 대용량 SSD 제품 등의 차세대 그린메모리 제품을 출시할 예정이다. 홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “그린메모리는 PC까지 고객공유가치(CSV)를 제공함으로써 친환경 그린 IT 시장 확대에 기여하게 될 것”이라며 “차별화된 제품과 솔루션을 적기에 개발해 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도해 가겠다.”고 밝혔다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

세계 주요 D램 메모리 반도체 업계들이 현재 주력하고 있는 40~50나노 공정에서 30나노 공정으로 전환하기 위해 안간힘을 쓰고 있다. 최근 들어 미세공정 전환에서 국내 업체들에 한 수 뒤지는 것으로 평가받던 일본의 엘피다가 30나노급 이하 공정에서 역전의 가능성도 보이고 있어 판도 변화에 관심이 모아진다. 삼성전자는 30나노급 4Gb(기가비트) DDR3 D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈 양산을 시작했다고 31일 밝혔다. 이 모듈은 기존 40나노급 제품과 비교해 데이터 처리 속도가 40% 빠르고 소비 전력도 18%가량 절감된다. 이로써 삼성전자는 서버용 모듈과 함께 노트북용 8GB DDR3 모듈도 양산하면서 지난 4월부터 공급을 시작한 16GB 모듈을 합쳐 ‘그린 DDR3 제품 라인업’을 완성했다. 삼성전자는 30나노급 D램을 바탕으로 4GB 이상의 대용량 제품 비중을 늘려가는 한편, 하반기에는 소비전력을 크게 낮춘 20나노급 4GB D램도 출시할 계획이다. ●엘피다 앞설 땐 업계 판도 바뀌어 삼성전자는 반도체 업체들의 ‘30나노 공정 경쟁’에서 가장 앞선 것으로 평가받는다. 반도체 시장조사업체인 ‘D램익스체인지’에 따르면 현재 30나노급 이하 미세공정 전환에 가장 적극적인 곳은 삼성전자와 하이닉스, 엘피다 등이다. 이 가운데 삼성은 올해 말까지 30나노급 비중을 50%까지 늘려 경쟁업체들과 근본적으로 차별화된 경쟁력을 구축할 계획이다. 하이닉스도 최근 30나노급 D램 제품을 내놓기 시작하는 등 미세 공정 도입에 박차를 가해 늦어도 올해 말까지는 40% 수준으로 끌어올리겠다는 생각이다. 다만 삼성전자보다 5개월가량 늦게 30나노 경쟁에 뛰어든 만큼 삼성보다는 시간이 필요할 것으로 보인다. 30나노 공정 전환에 워낙 어려운 기술을 요구하다보니 1년 가까이 30나노급 전환 공정을 매진하고 있는 삼성전자도 아직까지 생산 비중을 크게 늘리지 못하고 있는 상황이다. 최근 20나노 공정을 개발했다고 밝힌 엘피다의 경우 조만간 30나노급 제품 양산에 들어가 연말까지 전체 생산량의 50%까지 확대한다는 목표를 세웠다. 만약 엘피다가 목표대로 30나노 공정 확대에 성공할 경우 세계 반도체 시장의 판도는 크게 바뀔 수 있다. ●10나노 단축시 생산 60% 늘어 하지만 지난해 엘피다는 “50나노급 공정을 거치지 않고 60나노급에서 곧바로 40나노급 공정을 개발해 D램 양산에 들어갔다.”고 발표했지만, 현재 엘피다의 40나노급 D램이 시장에서 거래되는 사례는 거의 없다. 때문에 30나노 공정에 대한 엘피다의 목표 역시 자금조달을 유리하게 이끌어 현재 겪고 있는 재무적 어려움을 타개하려는 ‘허장성세’일 가능성이 크다. 업체들이 이처럼 초고난도 기술인 30나노 공정에 매진하는 것은 최근 이어지는 반도체 가격하락 추세에서 감산이라는 소극적 대응보다는 공정 혁신을 통해 원가 경쟁력을 높이는 ‘창조적 파괴’에 나서기 때문이다. 통상 반도체의 경우 폭을 10나노(1나노미터는 10억분의1m) 단축하면 웨이퍼 한 장당 반도체 생산량이 50~60% 늘어나고, 전력 소비는 30~40% 줄어들게 된다. 30나노 공정을 확대할 경우 지난해 초부터 시작된 반도체 시장의 치킨게임에서 ‘종결자’(최후의 승리자)가 될 수 있다는 게 업계의 중론이다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 반도체업계에서 처음으로 40나노급 공정을 이용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어갔다. 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램 양산을 시작한 지 불과 7개월 만이다. 삼성전자는 지난해 1월 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산을 시작했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 4Gb DDR3 D램으로 ▲서버용 32GB(기가바이트)·16GB 모듈 ▲워크스테이션 등 고성능 PC·데스크톱 PC용 8GB 모듈 ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 제품보다 용량이 두 배로 늘어난 대용량 메모리 모듈 제품을 공급하게 된다. 이에 따라 노트북 등에서 8GB 모듈을 이용하면 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지면서 그래픽이나 멀티미디어 작업을 하는 전문가들에게 유용할 것으로 보인다. 또 지난해 노트북 등에 많이 사용된 2GB DDR2 D램보다 메모리 용량과 속도가 두 배 이상 개선될 전망이다. 삼성전자 관계자는 “40나노급 4Gb DDR3 D램을 장착한 제품은 기존 40나노급 2Gb DDR3 D램을 사용할 때보다 전력 소비량이 35% 정도 줄어든다.”고 설명했다. 이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr

삼성전자는 21일 세계 최초로 머리카락의 4000분의1 굵기인 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)3 D램 제품 양산을 시작했다고 밝혔다. 40나노급 D램 양산으로 삼성전자는 경쟁사와의 격차를 더 벌릴 수 있게 됐다. 앞서 삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했다고 밝혔었다. 이번에 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다. 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 종전 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 낼 수 있다. 삼성전자는 40나노 DDR3시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션· 데스크톱 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM), 노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점 공급할 계획이다. 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다.지난 1월에는 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했었다. 　40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.또 생산 공정을 단순화하고 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다. 　이번에 40나노급 D램을 조기 양산함으로써 현재 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다. 　삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작 전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다. 　삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM)▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM)▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다. 　한편 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다. 　2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다. [참고자료] ■삼성전자 세계 최초 2Gb D램 양산 이력 　- 2007년 9월, 60나노급 DDR2 2Gb (1.8V) 　- 2008년 9월, 50나노급 DDR3 2Gb (1.5V) 　- 2009년 7월, 40나노급 DDR3 2Gb (1.35V) 　 인터넷서울신문 최영훈기자 taiji@seoul.co.kr

삼성전자가 현재 나와 있는 용량의 두 배인 60나노급 2기가비트 D램을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다. 이에따라 컴퓨터용 메모리 반도체의 대표주자가 ‘메가’에서 ‘기가’로 급속히 세대교체될 전망이다. 소비자 입장에서는 지금보다 처리속도가 훨씬 빨라지고 용량이 커진 컴퓨터를 즐길 수 있게 된다. 삼성전자는 12일 60나노급 공정의 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 중앙처리장치(CPU) 선두회사인 인텔의 인증도 얻어 호환성을 입증받았다. 연말부터 양산에 들어간다. 서버용 모듈, 고성능 대형 컴퓨터(워크스테이션), 데스크톱·노트북 개인용 컴퓨터 등에 들어간다. 델, 휼렛패커드, 도시바,IBM 등 글로벌 컴퓨터업체에 납품할 것으로 보인다. 삼성측은 “이로써 메가에서 기가로 넘어가는 시장의 주도권을 확실히 잡았다.”고 자평했다. 이에 앞서 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 개발, 양산한 곳도 삼성이다. 올 3월 양산에 들어간 지 6개월만에 이 용량의 두 배인 2기가짜리를 내놓은 것이다. 삼성은 2004년 이미 2기가 D램을 개발했지만 당시에는 60나노급이 아닌 80나노급(1나노는 머리카락 굵기의 10만분의1)이었다. 최대한 얇게 반도체 회로를 새겨야 생산성이 올라가는데 80나노 굵기로는 세대 교체의 승산이 없었다. 까닭에 양산을 포기하고 곧바로 60나노급 개발에 착수했다. 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 굵기가 훨씬 미세해져 생산성이 40% 올라갔다. 예컨대 종전에는 웨이퍼 한 장에서 100개의 반도체를 생산했다면 이제는 140개를 얻어낼 수 있다. 데이터 처리속도도 초당 800메가비트로 빨라졌다. 삼성이 3년 전 개발한 80나노급 2기가(초당 667메가비트)보다 20%가량 빠르다. 가격 인하도 기대할 수 있게 됐다. 통상 여러 개의 칩을 심은 ‘D램 모듈’에는 1기가짜리 D램 36개가 들어가는데 2기가는 18개면 된다. 그만큼 부품 수가 줄어 비용을 절감할 수 있다. 발열량도 줄어 전력 소모가 적고 잔 고장도 줄어든다. 물론 아직은 초기라 2기가짜리 한 개 값이 1기가짜리 두 개 값보다 비싸다. 삼성전자측은 “지금은 512메가비트가 시장을 주도하고 있지만 올 연말쯤 1기가비트의 삼성내 생산비중이 30∼40%로 커지고 내년 상반기에는 비트 크로스가 예상된다.”고 전했다. 비트 크로스(bit cross)란 1기가비트 한 개의 가격이 512메가비트 2개보다 싸지면서 역전되는 것을 말한다. 이는 512메가의 시장 퇴출과 1기가 시대의 본격 개막을 뜻한다. 시장조사기관인 가트너 데이터퀘스트는 “2기가는 올해부터 시장이 형성돼 2011년에는 140억달러(13조원) 규모로 커지고 시장점유율도 47%에 이를 것”이라고 내다봤다. 안미현기자 hyun@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 1G(기가비트) DDR D램(사진) 양산을 시작,‘기가 D램 시대’를 열었다. 특히 200㎜ 웨이퍼에 비해 생산성이 2.5배나 높은 300㎜ 웨이퍼 가공라인에서 0.10㎛(미크론) 제조공정을 적용해 생산하기 때문에 원가경쟁력이 크게 높아질 전망이다.이로써 삼성전자는 내년부터 시장이 본격 형성돼 2007년 121억달러 규모로 성장할 1기가 DDR D램의 시장선점에 유리한 고지를 차지하게 됐다. ●당분간 시장 독식 전망 일본 도시바 등 경쟁업체에 비해서는 6∼7개월 앞서 양산을 시작한 것으로 평가되고 있다. 삼성전자는 14일 경기도 화성사업장에서 메모리사업부 황창규 사장 등 300여명의 임직원이 참석한 가운데 ‘세계 최초 300㎜ 웨이퍼 1기가 DDR D램 양산’ 기념행사를 갖고 본격적인 출하를 시작했다. 1기가 D램 양산은 지난해 12월 첫 샘플을 출하한지 7개월만이다.1996년 역시 세계 최초로 개발에 성공했지만 시장 형성이 안돼 상용화를 늦춰왔다. 1기가 D램은 우선 빠른 연산과 안정성이 요구되는 금융·통신업체의 서버용으로 납품되며,개당 단가는 현재의 범용 DDR(256메가)의 20배 이상에 해당하는 100달러를 웃돈다.현재로서는 양산업체가 없기 때문에 삼성전자가 올해 시장(9000만달러)을 독식하고,향후 2∼3년간 확실한 시장지배력을 확보할 것으로 전망된다. ●4세대 연속 세계 최초 기록 삼성전자는 이번 양산으로 D램 분야에서 지난 90년 일본의 도시바,NEC 등과 16메가 D램을 같은 시기에 개발한 이후 64메가,256메가,1기가 등 4세대 연속으로 개발과 양산에서 모두 세계 최초를 기록해 기술력을 과시했다. 반도체 업계에서는 일반 PC용 CPU(중앙처리장치)로 64비트 제품이 보편화되는 2005년 이후 1기가 D램이 범용 제품으로 떠오를 전망이어서 삼성전자의 메모리반도체 독주체제는 상당기간 지속될 것으로 점쳐진다. 실제 시장조사 전문기관인 데이터퀘스트는 2005년 1기가 D램의 시장 규모가 75억달러로 메모리 전체 시장의 10%를 넘을 것으로 내다봤다. 박홍환기자 stinger@

삼성전자가 세계 메모리반도체 시장에서 9년 연속 1위를 고수했다. 18일 반도체 시장조사기관인 데이터퀘스트(DQ)가 발표한 2001년도 세계 메모리반도체 매출 순위에 따르면삼성전자는 매출 48억 3500만달러,시장점유율 17.98%로 1위를 차지했다.메모리 분야에서 93년 이후 9년째 세계 1위를 지켰다.하이닉스반도체는 19억 9900만달러의 매출로 전년보다 한계단 떨어진 4위를 기록하며 시장점유율 7.44%를 차지했다. 마이크론테크놀로지는 매출 24억1000만달러,시장점유율 8.96%로 2위였다.삼성전자는 시장점유율을 2000년 16.1%에서 지난해 17.98%로 늘렸으나 마이크론은 11.6%에서 8.96%로 떨어져 격차가 더 벌어졌다. 인텔은 전년도(2000년)의 7위에서 3위로 뛰어올랐고,도시바가 5위,인피니온이 6위였다. 메모리 제품별로 D램에서는 삼성전자가 시장점유율 26.99%로 10년째 1위를 지켰다.하이닉스도 14.47%의 점유율로 3위를 차지,한국업체의 시장점유율은 41.6%로 전년의 38%보다높아졌다. 삼성전자는 휴대용 단말기 및 PC서버용 메모리인 S램 메모리분야에서도 26.3%의 시장점유율로 7년 연속 세계 1위 자리를 지켰다.차세대 휴대용 메모리인 플래시메모리분야에서는8위였다. 김성수기자 sskim@

방한중인 칼리 피오리나 휴렛팩커드(HP) 회장이 재계 총수들과 이틀째 연쇄 회동을 가졌다. 16일 저녁 피오리나 회장은 이건희(李健熙) 삼성 회장과서울 한남동 승지원에서 만찬회동을 가졌다.만찬에 앞서 피오리나 회장과 윤종용(尹鍾龍) 삼성전자 부회장은 휴렛팩커드의 서버사업과 삼성전자의 메모리사업이 시너지효과를 낼수 있도록 서버용 차세대 D램을 공동 개발하기로 했다. 휴렛팩커드의 ‘쿨타운(Cooltown) 사업’을 공동 추진하는 내용의 협력의향서도 교환했다.쿨 타운은 언제,어디서나 무선인터넷으로 정보를 공유할 수 있는 차세대 프로젝트다. 피오리나 회장은 이날 낮 유상부(劉常夫) 포철 회장과 서울 삼성동 포스코센터 서관 스틸클럽에서 오찬을 함께 했다.오후에는 이웅열(李雄烈) 코오롱 회장과도 만나 IT분야 상호 협력 방안을 협의했다. 박건승기자 ksp@