삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 ‘V10 BV-낸드’로 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’으로 차세대 메모리상을 각각 받았다고 6일 밝혔다. V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이면서도 전력 소비와 발열을 줄였다. LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리(PIM) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화하고 성능과 전력 효율을 높였다. 인공지능(AI) 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 메모리 기술로 주목받고 있다.

삼성전자가 인공지능(AI) 가속기 위에 고대역폭메모리(HBM)를 직접 쌓는 차세대 구조를 제시했다. AI 모델이 진화하면서 커질수록 연산장치와 메모리 사이의 데이터 이동이 병목으로 떠오르자, 둘 사이의 거리를 줄여 성능과 전력 효율을 끌어올리겠다는 구상이다. 삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘FMS 2026’에서 차세대 3차원 메모리 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’의 모형을 업계 최초로 공개했다. 약 30개 제품을 전시한 삼성전자 부스에는 관람객이 몰렸고, zHBM의 데이터 이동 방식과 향후 적용 가능성을 묻는 질문이 이어졌다. 현재 HBM은 여러 장의 D램을 쌓아 그래픽처리장치(GPU) 등으로 이뤄진 AI 가속기 옆에 둔다. zHBM은 쌓아 둔 HBM 전체를 가속기 상단에 올리는 방식으로 데이터가 오가는 거리를 최소화한다. 삼성전자는 zHBM 적용 시스템이 차세대 HBM5보다 성능은 최대 8배, 전력 효율은 최대 3배 높고 열 저항은 절반 이하로 낮아질 수 있다고 설명했다. 이는 양산품 실측치가 아닌 차세대 구조의 목표 성능이다. 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 기조연설에서 “현재 HBM이 수년 안에 한계에 부딪힐 것을 모두 알고 있다”며 “이를 돌파할 기술을 생각하면 3차원밖에 없다”고 말했다. 여러 장을 쌓아 올리는 3D 전략은 낸드플래시로 이어진다. 삼성전자가 개발 중인 zNAND-O는 낸드 칩을 4단 또는 8단으로 쌓는다. D램은 처리 속도가 빠르지만 너무 비싸고 공급도 부족하다. 따라서 상대적으로 저렴하고 용량이 큰 낸드의 속도를 개선해 최대한 D램처럼 쓰도록 해보겠다는 구상이다. 이 기술은 스마트폰과 PC 안에서 AI를 구동하는 온디바이스 시장을 겨냥한다. 현재웅 삼성전자 메모리사업부 상무는 “개인마다 집 안에 미니 데이터센터를 갖게 하는 것이 우리의 비전”이라고 말했다. 삼성은 400단 이상을 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’도 처음 공개했다. 셀과 주변 회로를 따로 만든 뒤 수직으로 붙이는 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 전 세대보다 집적도를 약 58% 높였다. V10 BV-NAND와 메모리 안에서 일부 연산을 처리하는 LPDDR5X-PIM은 행사 최고 제품상인 ‘베스트 오브 쇼’를 받았다. zHBM처럼 메모리와 AI 가속기를 수직으로 결합하려면 메모리 기술뿐 아니라 파운드리와 첨단 패키징 역량이 함께 필요하다. 삼성전자는 설계부터 제조·패키징까지 한 회사에서 제공하는 ‘원스톱 솔루션’을 경쟁력으로 내세웠다. 한편, SK하이닉스도 샌디스크와 고대역폭 낸드플래시(HBF) 표준을 제시하며 개방형 생태계 구축에 무게를 뒀다. 양사의 차세대 기술 경쟁은 AI가 학습을 넘어 추론 중심으로 빠르게 옮겨가면서 더욱 치열해질 전망이다. FMS에 참석한 시장조사업체 욜그룹은 삼성전자와 SK하이닉스의 투자 확대를 근거로 한국이 2031년까지 메모리 시장 선두를 유지할 것으로 내다봤다.

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 성능을 떨어뜨리는 데이터 병목을 줄이기 위해 차세대 3차원 메모리 기술을 공개했다. 고대역폭메모리(HBM)를 AI 가속기 위에 직접 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이고, 처리 속도와 전력 효율을 함께 높이는 방식이다. 삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 메모리 행사 ‘FMS 2026’ 기조연설에서 차세대 메모리 구조인 ‘zHBM’을 선보였다. 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 “기존 패키징 구조로는 가속기 칩과 메모리 간 물리적 거리를 줄이는 데 한계가 있다”며 새로운 구조가 필요한 이유를 설명했다. 현재 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 뒤 그래픽처리장치(GPU) 등 AI 가속기 옆에 배치한다. AI가 처리하는 데이터가 늘어날수록 가속기와 메모리 사이에서 데이터가 오가는 데 시간이 걸리고 전력 소모도 커진다. 이른바 ‘메모리 장벽’이다. zHBM은 HBM을 가속기 위에 직접 적층해 이 거리를 줄인다. 칩을 가로와 세로 방향으로 배치하던 기존 방식에서 벗어나 높이인 Z축까지 활용한다는 뜻에서 이름 앞에 ‘z’를 붙였다. 삼성전자에 따르면 zHBM은 현재 개발 중인 HBM5와 비교해 GPU당 성능을 최대 8배, 전력 대비 성능을 최대 3배 높일 수 있다. 메모리를 위로 쌓을수록 열이 빠져나가기 어려워지는 문제를 해결하기 위해 열 저항도 HBM5의 10~25% 수준으로 낮췄다. 삼성전자는 zHBM에 앞서 상용화를 추진할 HBM5의 개발 방향도 소개했다. HBM5에는 2나노미터 공정 기반의 베이스 다이와 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 적용한다. 메모리 칩 측면으로 열을 내보내는 구조도 도입해 HBM4E보다 성능은 2배 높이고 열 저항은 20% 이상 낮추는 것을 목표로 하고 있다. 낸드 분야에서는 스마트폰과 PC 등 기기 안에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI용 ‘z낸드-O’를 공개했다. D램은 빠르지만 비싸고 용량을 늘리는 데 한계가 있는 반면, 낸드는 가격이 낮고 대용량을 구현하기 쉽지만 상대적으로 속도가 느리다. z낸드-O는 낸드의 비용과 용량상 이점을 유지하면서 처리 속도를 끌어올린 제품이다. 이진엽 삼성전자 플래시개발실 부사장은 매개변수 1200억개 규모의 AI 모델을 시험 구동한 결과, z낸드-O가 기존 D램 서버와 같은 초당 토큰 처리량을 내면서도 메모리 비용은 6분의 1에 그친다고 설명했다. 비싼 D램을 대량으로 사용하지 않고도 AI 모델을 빠르게 구동할 수 있다는 의미다. 이 부사장은 기조연설 도중 초소형 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘BM1773’을 들어 보이며 “믿기 힘들겠지만 이 작은 스토리지 칩 하나가 최고급 세단 한 대 값과 맞먹는다”고 말했다. 이어 “바닥에 떨어뜨린다면 당장 내일부터 새 직장을 구하러 다녀야 할 것”이라고 말해 참석자들의 웃음을 자아냈다. 삼성전자는 이날 400단 이상을 수직으로 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-낸드’도 업계 최초로 공개했다. AI 모델이 고도화하면서 연산을 담당하는 HBM뿐 아니라 방대한 데이터를 저장하는 낸드와 기업용 SSD 수요도 함께 늘어나는 데 대응한 제품이다. 삼성전자는 HBM과 고성능 낸드, 기업용 SSD를 모두 공급할 수 있는 제품군과 양산 역량을 앞세워 AI 데이터센터부터 온디바이스 AI까지 시장을 넓힐 계획이다. 김 상무는 기조연설에서 “삼성이 돌아왔다”며 차세대 AI 메모리 경쟁에 대한 자신감을 나타냈다.

삼성전자가 미국 엔비디아의 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재되는 기업용 SSD(eSSD) 양산에 돌입했다. 고대역폭메모리(HBM)에 이어 eSSD까지 AI 메모리 제품군을 확장하며 AI 인프라 전반에서 영향력을 키우는 모습이다. 삼성전자는 AI 인프라에 최적화된 PCIe 6.0 기반 eSSD ‘PM1763’ 양산을 시작했다고 8일 밝혔다. eSSD는 데이터센터와 서버 환경에 최적화된 저장 장치(스토리지)다. 최근 생성형 AI 확산으로 학습과 추론에 필요한 데이터 규모가 급격히 증가하면서 AI 가속기에 데이터를 안정적이고 신속하게 공급하는 eSSD의 중요성이 커지고 있다. 특히 그래픽처리장치(GPU) 성능뿐 아니라 데이터를 이동·저장하는 메모리와 스토리지 성능이 전체 시스템 효율을 좌우하는 만큼, eSSD는 AI 인프라의 핵심 구성 요소로 자리 잡고 있다. PM1763은 빠른 읽기 속도와 효율적인 데이터 처리가 강점이다. 삼성전자는 이번 제품에 9세대 V낸드와 4나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재해 제품 성능과 전력 효율을 크게 향상시켰다고 설명했다. 이번 제품은 4TB(테라바이트), 8TB, 16TB의 3가지 용량으로 제공되며, 이 가운데 16TB 제품은 업계 최고 성능을 구현한다. 16TB 제품 기준 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 2만 8400MB(메가바이트), 2만 1900MB다. 전작 ‘PM1753’ 대비 약 2배 향상됐으며, 이는 40GB(기가바이트) 크기의 대형 언어 모델(LLM)을 약 1.4초 만에 전송할 수 있는 속도다. 가속기와 프로세서 간 데이터 지연을 최소화해 AI 작업 처리 효율을 획기적으로 높일 수 있다. 아울러 PM1763은 차세대 AI 서버에 적용되는 액체 냉각 환경에 최적화된 제품이다. 또 전작 대비 전력 효율이 1.8배 이상 향상됐다. 업계는 이번 삼성전자의 eSSD 양산이 HBM을 넘어 AI 서버용 저장장치 시장에서도 공급 역량을 입증한 사례로 분석한다. 한편 삼성전자는 오는 22일 영국 런던에서 열리는 ‘갤럭시 언팩 2026’에서 8세대 폴더블폰과 웨어러블 기기 등을 공개한다. 이에 앞서 노태문 완제품(DX) 부문 대표이사 사장은 뉴스룸에 공개한 기고문을 통해 “가장 중요한 AI는 가장 똑똑한 AI가 아니라, 나를 가장 잘 아는 AI”라고 강조했다. 노사장은 이번 언팩에서 더 개인적이고 자연스러운 AI 경험을 공개하겠다고 예고했다.

삼성전자가 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 ‘베라 루빈’에 탑재되는 기업용 SSD(eSSD)를 본격 양산한다. AI 서버가 대규모 AI 모델을 더 빠르게 처리할 수 있도록 돕는 핵심 저장장치로, 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM)에 이어 기업용 SSD까지 AI 메모리 제품군을 확대한다는 전략이다. 삼성전자는 차세대 데이터 전송 규격인 PCIe 6.0 기반 기업용 SSD ‘PM1763’ 양산을 시작했다고 8일 밝혔다. PM1763은 지난 3월 엔비디아 개발자 콘퍼런스(GTC 2026)에서 HBM4, SOCAMM2와 함께 베라 루빈용 AI 메모리 솔루션으로 공개된 제품이다. 기업용 SSD는 AI 서버에서 대량의 데이터를 저장하고 필요할 때 빠르게 불러오는 장치다. 생성형 AI 모델 규모가 커질수록 그래픽처리장치(GPU)의 연산 성능뿐 아니라 데이터를 얼마나 빠르게 공급하느냐도 중요해지면서 AI 데이터센터의 핵심 부품으로 주목받고 있다. PM1763은 9세대 V낸드와 4나노 공정 기반 신규 컨트롤러를 적용해 전작보다 데이터 처리 속도를 약 2배 높였다. 16TB 제품 기준 연속 읽기 속도는 초당 최대 2만 8400MB, 쓰기 속도는 초당 최대 2만 1900MB다. 약 40GB 크기의 대규모언어모델(LLM)을 1.4초 만에 전송할 수 있는 수준으로, AI 학습과 추론 속도를 높일 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 전력 효율도 전작보다 1.8배 이상 개선했다. AI 서버에 확산하는 액체 냉각 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계했으며, 양자컴퓨터 시대에 대비한 포스트 양자 암호(PQC)와 가상화 환경 보안 기술도 적용했다. 삼성전자는 HBM4와 SOCAMM2, PM1763을 앞세워 AI 메모리 포트폴리오를 확대할 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 기업용 SSD 시장에서 점유율 35.1%로 1위를 기록했다. 같은 기간 매출은 70억 5000만 달러(약 10조원)로 전 분기보다 92.8% 증가했다. AI 데이터센터 투자 확대에 따라 기업용 SSD 시장도 빠르게 성장하고 있다. 시장조사업체 옴디아는 글로벌 기업용 SSD 시장이 올해 약 242억 달러(약 36조원)에서 내년 약 1542억 달러(약 226조원) 규모로 성장할 것으로 전망했다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “PM1763은 글로벌 고객사의 차세대 AI 플랫폼 요구사항을 충족하고 제품 검증도 성공적으로 마쳤다”며 “고객사의 AI 모델이 효율적으로 운영될 수 있도록 지원하는 핵심 솔루션이 될 것”이라고 말했다.

수요 폭발로 연말 100억弗 전망도이, 천안 사업장 찾아 경쟁력 점검온디바이스 AI용 UFS 5.0도 개발차세대 메모리 시장 주도권 ‘속도’ 삼성전자의 6세대 고대역폭메모리 HBM4가 업계 최초로 매출 10억 달러(약 1조 5400억원)를 돌파했다. 인공지능(AI) 반도체 시장 확대에 힘입어 연말에는 100억 달러(약 15조 3420억원)를 달성할 것이라는 전망도 나온다. 이재용 삼성전자 회장은 23일 HBM 핵심 생산 거점인 충남 천안사업장을 방문해 생산 현장을 점검했다. 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하한 뒤 130여일 만에 매출 10억 달러를 달성했다. 이번 달 말 기준 누적 매출은 12억 달러(약 1조 8500억원) 이상으로 확대될 전망이다. 업계에서는 HBM4 출시 첫해인 올해 100억 달러 이상의 매출을 기록할 것이라는 관측도 나온다. 이런 성과의 배경에는 AI 인프라 투자 확대에 따른 수요 급증이 깔려 있다. 글로벌 투자은행은 2026년 HBM 시장 규모를 전년 대비 58% 증가한 546억 달러(약 83조 9200억원)로 추산한다. HBM 수요 확대의 한 축은 특정 연산이나 용도에 맞춰 설계한 맞춤형 칩인 주문형 반도체(ASIC)다. 글로벌 빅테크가 자체 AI 칩에 채택하면서 ASIC에 필요한 데이터를 초고속으로 공급하는 HBM 수요를 빠르게 끌어올리고 있다. 삼성전자는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체와 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있다. 증권가에서는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 본다. 김동원 KB증권 연구원은 “브로드컴, 구글, 아마존, 마이크로소프트, 메타 등 ASIC 업체 중심의 다변화된 고객 기반을 확보한 삼성전자의 내년 HBM 출하량이 큰 폭 증가할 것”이라고 말했다. 차세대 AI 메모리 시장에서 가장 먼저 출발선을 끊은 삼성전자는 HBM4 메모리의 베이스 다이에 4나노 선단 공정을 적용하고 있다. 이를 통해 성능과 양산 안정성 측면에서 경쟁 우위를 확보하고 있다는 평가를 받는다. 삼성전자는 HBM4에 이어 7세대인 HBM4E 시장에서도 주도권 선점에 적극 나서고 있다. 지난 5월 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 기술 경쟁력을 재입증했다. 이 회장은 이날 천안사업장 C1·C2 라인을 찾아 사업장 운영 현황과 생산 계획, 기술 개발 진행 상황 등에 대한 설명을 들었다. 이어 방진복을 착용하고 HBM 패키지 생산라인을 둘러보며 생산 및 품질 경쟁력 현황을 살폈다. 천안사업장은 삼성전자 HBM 후공정과 첨단 패키징을 담당하는 핵심 생산 거점이다. 이 회장의 이날 방문은 기술 초격차 성과를 실제 생산 현장에서 점검하고, 향후 사업 확대 전략을 확인하기 위한 ‘현장 경영’의 일환으로 해석된다. 이와 함께 삼성전자는 차세대 스마트폰 등 각종 모바일 기기에서 데이터 장치로 활용할 수 있는 UFS 5.0 메모리를 개발했다고 이날 밝혔다. 업계 최고 성능을 구현하며 별도의 연결 없이 기기 내에서 AI를 구동하는 ‘온디바이스 AI’에 최적화된 모델이다. UFS 5.0은 삼성전자의 첨단 9세대 V낸드(V9) 기반으로 개발됐다. 업계 최고 수준인 10.8GB/s의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현한다. 온디바이스 AI 모바일 기기의 저장장치는 단순히 데이터 저장 공간을 넘어 AI 연산을 뒷받침하는 핵심 인프라로 진화하고 있다. 이에 UFS 5.0은 데이터를 더욱 빠르게 저장·처리할 수 있도록 설계됐다. 또 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선했다. 삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0을 양산할 계획이다. 또 스마트폰뿐 아니라 확장현실(XR) 헤드셋, AI 웨어러블 등에 공급을 확대할 방침이다.

같은 면적서 공간 차지 절반으로더 많은 트랜지스터 집적 가능해양산 땐 전력 효율·성능 2배 향상게이트 간격 42나노미터 ‘초소형’반도체학회 ‘베스트 페이퍼’ 선정 삼성전자가 로직 반도체(시스템 반도체)에서도 수직 적층 기술을 업계 최초로 구현했다. 이 차세대 반도체가 양산될 경우, 단위 면적 안에 더 많은 트랜지스터를 넣을 수 있어 전력 효율과 성능이 각각 2배씩 향상될 것으로 기대된다. 삼성전자는 17일 뉴스룸을 통해 반도체연구소 로직 TD팀이 게이트 피치 42나노미터(㎚) 수준의 3차원(3D) 적층 트랜지스터 구조를 세계 최초로 구현했다고 밝혔다. 해당 연구는 ‘2026 VLSI 심포지엄’에서 ‘베스트 페이퍼’로 선정됐다. 이번 연구의 핵심은 기존에 평면(2D) 위에 배치하던 트랜지스터를 수직으로 쌓아 반도체 집적도를 획기적으로 높인 것이다. 집적도란 단위 면적 안에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣을 수 있는지를 나타내는 지표다. 3D 적층 구조는 앞서 메모리 반도체에 먼저 도입됐다. 낸드플래시의 V낸드(V-NAND)와 D램의 고대역폭 메모리(HBM)가 대표적이다. 메모리가 햄버거와 같은 패스트푸드라면, 로직은 파인다이닝에 비유된다. 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU)처럼 연산과 제어를 담당하는 로직 제품은 고객의 요구사항을 까다롭게 맞춰야 한다. 연구팀의 정영채 TL은 “최근 요구사항은 단위 면적당 트랜지스터 수를 최대로 늘려달라는 것”이라며 “트랜지스터 간격을 줄이다 보면 소자 사이 전기가 통하지 않도록 하는 절연체가 얇아지는데 일정 두께 이하가 되면 절연 효과가 사라진다”고 설명했다. 삼성전자는 이를 해결하기 위해 트랜지스터를 위아래로 적층하는 구조를 적용했다. 이에 따라 같은 면적에서 차지하는 공간을 절반 수준으로 줄여 이론적으로 집적도를 2배 높일 수 있게 됐다. 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 전력 효율은 2배, 성능은 최대 100% 향상될 수 있다는 설명이다. 또 연구팀은 이번 연구에서 42나노미터(㎚) 게이트 간격도 구현했다. 이는 기존 업계 기록인 48㎚보다 미세한 수준이다. 권욱현 마스터는 “현재까지 산업계에서 세계 최초로 구현한 세계 최소 크기의 트랜지스터”라고 강조했다. 연구팀은 이번 기술이 향후 AI와 고성능 컴퓨팅용 반도체 경쟁력 강화에도 기여할 것으로 기대하고 있다. 아울러 이번 연구를 바탕으로 실제 제품화를 위한 기술 개발을 이어간다는 계획이다. 권 마스터는 “이번 연구는 건축으로 비유하면 벽돌을 만든 것”이라며 “회로가 정상 동작하는지 확인하는 테스트 회로와 고속 임시 메모리 회로 등을 개발해 다음 걸음을 내딛으려 한다”고 밝혔다.

한양대학교총동문회는 전영현 삼성전자 부회장, 한기수 필옵틱스 대표이사, 김민재 행정안전부 차관에게 ‘2025년 자랑스러운 한양인상’을 수여했다고 14일 밝혔다. 전영현 삼성전자 부회장(전자공학 80)은 35년간 반도체와 배터리 분야에서 대한민국을 글로벌 기술 강국으로 이끈 주역이다. 세계 최초 10나노급 D램과 V낸드 양산을 주도하며 국가 반도체 경쟁력의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 현재 반도체 인재 육성에도 앞장서며 산업 생태계 전반의 발전에 기여하고 있다. 한기수 필옵틱스 대표이사(물리학 87)는 OLED 디스플레이 제조 기술의 국산화를 이끈 인물이다. 특히 차세대 반도체 핵심인 유리관통전극(TGV) 제조 장비를 세계 최초로 양산하며 기술 자립을 실현했다. 한양벤처동문회 회장직을 수행하며 모교와 동문 사회 발전을 위한 기부 활동도 꾸준히 이어오고 있다. 김민재 행정안전부 차관(행정학 90)은 제38회 행정고시 합격 후 공직에 헌신해 온 지방행정 전문가다. 행정안전부 기획조정실장 등 주요 요직을 거치며 자치분권과 균형발전 등 국가적 과제를 체계적으로 추진해왔다. 탁월한 전문성과 정책 성과를 인정받아 지난해 차관에 임명됐다.

올해 과학 기술계에서 가장 큰 관심을 받았던 뉴스는 ‘우주항공청 개청’으로 꼽혔다. 한국과학기술단체총연합회(과총)는 이를 포함해 이학, 공학, 농수산, 보건의료, 종합(융합) 5개 학술분과와 과학기술정책을 포함한 총 6개 분야에서 각각 2024년을 대표하는 과학기술 10대 뉴스를 19일 발표했다. 이번에 발표한 분야별 10대 뉴스, 총 60대 뉴스는 분야별 전문가로 구성된 선정위원회에서 선정했다. 과학기술인들의 시각에서 선정된 이번 10대 뉴스는 과학기술·산업·경제 발전 기여도, 과학기술 생태계 혁신 기여도, 과학기술 대중화 기여도를 기준으로 골랐다. 과총은 분야별 10대 뉴스 중 대표 뉴스도 1건씩 선정했다. 이학 분야에서는 곤충에도 산소를 전달하는 혈액 세포가 있다는 사실을 발견한 한양대 심지원 교수팀의 ‘초파리 산소전달 기전 규명’, 공학 분야에서는 방대한 데이터를 더 빨리 처리할 수 있는 삼성전자의 차세대 저장 장치 ‘7세대 QLC V낸드 탑재 UFS 개발’, 농수산 분야에서는 농작물 개량의 핵심인 감수분열 과정에서 분자적 메커니즘을 처음 밝혀낸 최규하 포스텍 생명과학과 교수팀의 연구가, 보건의료 분야는 치사율이 50%에 이르는 패혈증 검사를 3일에서 13시간으로 줄인 서울대병원 박완범, 김택수, 김인호 교수와 서울대 권성훈 교수 공동 연구팀의 ‘초고속 항균제 감수성 검사’ 기술 개발이 선정됐다. 종합 분야에서는 한국과학기술정보연구원(KISTI)과 포스텍 환경공학부 국종성 교수 공동 연구팀이 슈퍼컴퓨터를 이용해 탄소중립을 달성하더라도 그동안 축적된 이산화탄소와 심해 열 때문에 기후 변화는 계속 이어질 것이라는 연구 결과가 꼽혔다. 정책 분야의 대표적 뉴스는 지난 5월 개청한 우주항공청이 선정됐다. 위원회는 “우주항공청 개청은 한국이 우주 산업 분야에서 본격적으로 국제 경쟁력을 확보하고자 하는 의지를 반영해 과학 기술계와 산업 전반에 영향을 미칠 것”이라고 진단했다. 과총은 “2024년을 대표하는 과학기술 뉴스는 과학기술계의 도전과 혁신을 보여주는 지표로 주력 분야별 뉴스 선정을 통해 국내 연구자들의 성과를 조명하고, 과학기술이 한국의 미래를 여는 핵심 동력을 보여주고자 했다”라고 밝혔다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 지난해 8월 관련 기술을 선보인 후 약 15개월 만으로 공급은 내년 상반기부터다. SK하이닉스 관계자는 “이번에 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다”며 “내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것”이라고 말했다. 낸드플래시는 스마트폰·PC 같은 전자기기와 서버에 탑재되는 데이터 저장용 반도체다. 고층건물처럼 더 높게 쌓을수록 데이터 저장 밀도와 처리 속도 등이 개선된다. SK하이닉스는 앞서 2023년 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급한 데 이어 같은 해 8월 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개하며 세계 최초로 300단 이상 낸드 플래시 개발 진행을 공식화했다. 삼성전자가 지난 4월 양산을 시작한 9세대 V낸드는 280~290단, 미국 마이크론이 7월 발표한 9세대 3D 낸드는 276단으로 알려졌다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI) 맞춤형 저전력 고성능 시장에도 적극 대응해나간다는 방침이다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 “고대역폭 메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 AI 메모리 공급 업체로 도약할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스와 삼성전자가 17일(현지시간)부터 엿새간 미국 애틀랜타에서 열리는 ‘슈퍼컴퓨팅 2024’(SC 2024) 콘퍼런스에 참가해 인공지능(AI) 메모리 기술을 선보인다. 이번 행사엔 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 기조연설이 예정돼 있어 국내 기업의 주요 임원들도 현장에 참석할 것으로 전망된다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난해 이어 올해도 SC 2024에 참석해 최신 고대역폭메모리 HBM3E와 DDR5, 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD), 생성형 AI 가속기 AiMX 등 고성능컴퓨팅(HPC) 및 AI 시장을 주도하는 최첨단 솔루션을 소개한다. AiM은 메모리 내에서 일부 연산을 수행해 기존 메모리 대비 높은 대역폭과 우수한 에너지 효율성을 보이는데, SK하이닉스의 AiMX는 GDDR6-AiM 칩을 사용해서 ‘대규모 언어 모델(LLM)’에 특화된 AI가속기 카드 제품이다. 지난해 해당 행사에 참석하지 않았던 삼성전자는 올해 HBM3E와 CXL 기술을 기반으로 한 메모리 제품 CMM-D(CXL 메모리 모듈-D램), 8세대 V낸드 기반 PCle 5.0 등을 전시할 예정이다. CXL은 AI 시대에 급격히 증가하는 대용량 요구를 효율적으로 해결할 수 있는 방법의 하나로 주목받고 있는 기술이다. SC 콘퍼런스는 미국 컴퓨터학회(ACM)와 국제전기전자공학회(IEEE) 컴퓨터학회가 1988년부터 개최하는 연례행사로, 글로벌 업계와 학회 등이 모여 HPC, 네트워킹, 스토리지, 데이터 분석 분야의 최신 기술을 공유하는 자리다. 이번 행사엔 미국 메모리 업체 마이크론과 마이크로소프트, 구글 클라우드, 인텔, IBM, AWS(아마존웹서비스), 델, 시스코, 레노버 등 345개 기업이 대거 참가한다. 행사 2일차인 18일에는 AI 시장의 ‘큰손’ 엔비디아를 이끄는 젠슨 황 CEO가 이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일 및 HPC부문 부사장과 함께 ‘과학 컴퓨팅의 최신 혁신’을 주제로 발표할 예정이다.

삼성전자는 고성능·고용량의 PC용 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PM9E1’ 양산을 시작했다고 4일 밝혔다. 이 제품은 8세대 V낸드와 자체 설계한 5나노 기반 컨트롤러를 탑재해 인공지능(AI) PC에 최적화된 성능을 구현한다. 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 초당 14.5GB(기가바이트)·13GB로 전작 ‘PM9A1a’ 대비 2배 이상 향상됐다. 14GB의 대규모언어모델(LLM)을 SSD에서 D램으로 1초 만에 전송할 수 있어 AI 서비스를 효율적으로 사용할 수 있다는 게 삼성전자 설명이다. 이 제품은 전작 대비 전력 효율이 50% 이상 개선돼 배터리 사용량이 중요한 ‘온디바이스 AI’(클라우드를 거치지 않고 기기 내에서 AI 작동) PC에 적합하다. AI PC는 AI 연산에 최적화된 신경망처리장치(NPU)가 탑재된 PC로 다양한 AI 기능을 지원하는 컴퓨터를 말한다. 시장조사기관 가트너는 내년 전 세계 AI PC 출하량이 약 1억 1400만대로 전체 PC의 43%를 차지할 것으로 전망했다. 업계 최대 용량인 4TB(테라바이트)를 포함해 512GB, 1TB, 2TB 등 4가지 용량으로 구성됐다. 4TB 제품은 AI 생성 콘텐츠, 고해상도 이미지·영상, 게이밍 등 고용량·고성능이 요구되는 작업에 활용될 것으로 보인다. 또 디바이스 인증, 펌웨어 변조 탐지, 보안 채널 등의 기술을 통해 생산, 유통 과정에서 제품에 저장된 데이터를 위·변조하는 공급망 해킹을 방지할 수 있도록 했다. 삼성전자는 이 제품을 주요 글로벌 PC 제조사에 공급할 계획이다. 가트너에 따르면 지난해 PC SSD 시장 규모는 114억 달러로 집계됐다. 이 중 삼성전자는 글로벌 PC SSD 시장 점유율의 33.4%를 차지하며 1위 자리를 지키고 있다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “PM9E1은 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율이 강점인 제품으로 주요 PC 제조사들과 제품 성능 검증을 완료했다”고 밝혔다.

삼성전자가 연구개발, 전략적 시설투자 등 지속 성장을 위한 기반을 강화해 가고 있다. 30일 삼성전자에 따르면 삼성전자 DX부문은 삼성 AI를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진, 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 소비자에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공한다는 계획이다. 이를 위해 ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드한다. 또한, 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업을 육성한다. 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰왔다. 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입한다. 반도체연구소는 양적·질적 측면에서 두배로 키운다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 간다는 계획이다. 아울러 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매 및 다양한 응용처의 신규 수주를 지속적으로 확대해 기술 경쟁력과 시장 리더십을 더욱 공고히 할 방침이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 늘리고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖춰 나간다. 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대한다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 탑재한 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품인 ‘990 EVO 플러스’(PCIe 4.0 기반)를 출시했다고 26일 밝혔다. 이 제품의 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 7250MB(메가바이트), 6300MB로 전작(990 EVO) 대비 각각 45%, 50% 향상됐다. 연속 읽기 속도는 스토리지 메모리에 이미 저장된 데이터를 연속적으로 불러오는 속도를 말한다. 연속 쓰기 속도는 스토리지 메모리에 데이터를 연속적으로 저장하는 속도다. 연속 읽기·쓰기 속도가 빨라지면서 전력 효율이 70% 이상 개선됐다. 같은 전력으로 데이터를 더 빨리 전송할 수 있게 된 셈이다. 이번 제품은 고용량 4TB(테라바이트) 제품이 추가돼 1TB·2TB·4TB 등 3가지 용량으로 출시된다. 4TB 제품의 임의 읽기·쓰기 속도는 각각 1050K IOPS(초당 입·출력 명령어 처리수), 1400K IOPS로 제품 내부에 D램이 탑재되지 않아도 데이터 전송 속도를 높였다. 이 제품을 노트북, PC의 메인보드에 장착하면 성능과 용량을 손쉽게 업그레이드할 수 있다고 삼성 측은 설명했다. 회사는 이 제품으로 소비자용 낸드플래시 시장을 공략한다는 전략이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 소비자용 SSD 시장 점유율은 지난해 35.1%로 1위다. 손한구 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 상무는 “고화질 이미지와 영상 등으로 인해 고용량 데이터를 저장할 수 있는 스토리지에 대한 수요가 늘고 있다”면서 “990 EVO 플러스는 빠른 데이터 처리 속도와 큰 저장 용량을 제공해 일반 PC 사용자부터 전문가까지 다양한 사용자를 만족시킬 것”이라고 기대했다.

삼성전자는 인공지능(AI) 시대 수요가 늘고 있는 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산을 시작했다. 앞서 지난 4월 ‘트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드’ 양산을 시작한 지 4개월 만이다. 12일 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 ‘QLC 9세대 V낸드’ 제품을 최초로 양산한다고 밝혔다. 삼성의 9세대 V낸드는 독보적인 ‘채널 홀 에칭’ 기술을 활용해 더블 스택구조로 업계 최고 단수인 286단을 구현해 냈다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요한데, 삼성전자는 이를 위해 ‘디자인드 몰드’ 기술을 활용했다. 해당 기술은 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 워드라인(Word Line)의 간격을 조절하여 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 향상시켰다. 거기다 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램 기술’ 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다. 또 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”면서 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

삼성전자는 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등 지속 성장을 위한 기반을 강화해 왔다고 30일 밝혔다. 삼성전자 DX부문은 삼성 AI를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진, 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 소비자에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공한다는 방침이다. ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드한다. 또한, 삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업을 육성한다. 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰왔다. 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입한다. 반도체연구소는 양적·질적 측면에서 두배로 키운다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 간다는 계획이다. 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매 및 다양한 응용처의 신규 수주를 지속적으로 확대해 기술 경쟁력과 시장 리더십을 더욱 공고히 할 방침이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖춰 나간다. 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대해 간다. 삼성전자 관계자는 “초거대 AI 시대에 메모리 기술의 발전과 성능 향상이 중요하다. 삼성전자는 지난 40년간 업계를 선도하며 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 바탕으로 AI 반도체 생태계를 확장할 다양한 메모리 제품을 준비해 왔다”면서 “이런 첨단 메모리 및 서버 시장의 수요 증가에 대응하기 위해 AI 시대에 최적화된 다양한 차세대 메모리 솔루션을 개발하며 메모리 패러다임의 변화를 주도하고 있다”고 말했다. 삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 2017년 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 구현했고, 이 제품을 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보일 수 있었다. 이후에도 삼성전자는 고객과 밀접히 협업하여 AI·HPC 생태계를 견인하고 있다. HBM2 제품을 거쳐 HBM2E, HBM3를 양산하고 있으며, 9.8Gbps 속도의 HBM3E 제품을 개발해 고객사에 샘플 공급 예정이다. HBM4는 2025년을 목표로 개발 중으로, 해당 제품에 적용하기 위해 고온 열특성에 최적화된 기술도 준비하고 있다.

삼성 TB급·이미지 40만장 저장SK하이닉스 6일 美 FMS 참석 지난해 깊었던 불황의 터널을 빠져나와 반등을 시작한 반도체 업계가 인공지능(AI) 시대 필수 메모리 칩인 고대역폭메모리(HBM) 개발 경쟁에 이어 저장장치에 쓰이는 낸드플래시 개발에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 1TB(테라바이트) 고용량 마이크로SD 카드 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 등 2종을 출시했다고 1일 밝혔다. 이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 올려 기존 이동식 저장장치(SSD)에서 구현할 수 있었던 TB급 고용량을 최소형 크기인 마이크로SD 카드에 구현했다. 1TB 용량은 2.3MB(메가바이트) 4K UHD 해상도 이미지 40만장 또는 20GB 콘솔 게임 45편 이상을 저장할 수 있어 고성능·고용량을 필요로 하는 크리에이터, 콘솔 게임 이용자 등에게 최적의 환경을 제공할 수 있다. 두 제품은 각각 초당 최대 180MB, 160MB의 연속 읽기 속도를 제공한다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라선 이래로 20년 넘게 낸드 시장에서 우위를 점하고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 글로벌 낸드 점유율은 삼성전자 36.7%, SK하이닉스 22.2%, 일본 키옥시아 12.4%, 미국 마이크론 11.7% 순으로 집계됐다. SK하이닉스는 오는 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사 ‘FMS 2024’에서 최신 AI 메모리 기술과 낸드 신제품 등을 공개한다. FMS는 지난해까지 세계 최대 낸드플래시 행사였으나 올해부터 D램을 포함한 메모리와 스토리지(저장장치) 등 전 영역으로 분야를 확대했다. 행사 첫날인 6일 권언오 SK하이닉스 부사장과 김천성 부사장이 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전’을 주제로 기조연설을 한다. 권 부사장은 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 각각 맡아 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램과 낸드 제품의 포트폴리오 그리고 메모리 솔루션을 소개한다. SK하이닉스는 발표 주제에 맞춰 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산이 목표인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품도 선보인다.

삼성전자가 연구개발(R&D)과 전략적 시설투자를 통해 지속 성장을 위한 기반을 강화하고 있다. 이번 전략의 핵심은 DX부문에서의 AI 기술 도입이다. 이를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진하고, AI 기반 화질·음질 고도화 및 콘텐츠 추천을 통해 차세대 스크린 경험을 제공한다는 계획이다. 또한, 비스포크 AI 콤보를 통해 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드한다. 삼성전자는 전사적인 AI 역량을 강화해 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업을 적극 육성한다는 방침도 세웠다. DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 경쟁력을 갖췄으며, 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입한다. 반도체연구소는 양적·질적 측면에서 두 배로 키우고, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 늘려 첨단 기술 개발 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 한다. 차세대 반도체 솔루션 주도 또한 삼성전자는 고성능·첨단 공정 제품 판매 및 신규 수주를 확대해 기술 경쟁력과 시장 지배력을 강화한다는 전략이다. 메모리 부문에서는 HBM3, HBM3E 비중을 확대하고, 시스템 LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 키우며, 파운드리는 GAA 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 높일 계획이다. 2016년 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작으로 AI용 메모리 시장을 개척한 삼성전자는 HBM2 제품을 거쳐 HBM2E, HBM3를 양산하고 있으며, AI 시대에 최적화된 다양한 차세대 메모리 솔루션을 개발하며 메모리 패러다임 변화를 주도하고 있다. AI 시대 초연결 경험 강화 아울러 삼성전자는 플래그십 스마트폰 판매를 확대하고 초대형 TV 시장을 선도해 프리미엄 중심의 경쟁력에 속도를 낸다. AI 기술 적용을 확대하고 스마트싱스를 통해 고객 맞춤형 초연결 경험을 제공하며, Generative AI, Digital Health, XR 등 미래 성장 분야에서 기반 기술 확보를 위한 R&D 및 투자를 이어간다. 특히, 갤럭시 AI 탑재 스마트폰과 갤럭시 S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 시장의 글로벌 리더로서 격차를 벌리며, 갤럭시 AI 생태계를 확대한다. VD는 초고화질·초대형 TV 시장을 선도하고, 생활가전 부문은 스마트싱스를 기반으로 기기 간 연동 경험을 고도화할 계획이다. 6G 기술 리더십 선점을 위한 노력 삼성전자는 세계 이동통신공급자 연합회(GSMA), 국제전기통신연합(ITU) 등에서 리더십을 수행하며 6G 기술 개발 방향을 조율하고 있다. 저전력, 고효율 6G 통신 반도체, AI 기반 통신 지능화, 가상 기지국 기술 등 6G 핵심 기술들을 개발한다. 또한 2030년 본격화할 6G 상용화를 준비하고 있으며, 삼성리서치의 찰리 장 6G 연구팀장이 넥스트G 얼라이언스 부의장으로 선출돼 미국 내 6G 논의에도 대응한다는 방침이다.

삼성전자가 업계 최초로 ‘9세대 V낸드’ 양산에 돌입했다. 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 잇는 제품으로 9세대 낸드의 단수는 290단 수준으로 알려졌다. 메모리 반도체 업체 간 ‘누가 더 높게, 효율적으로 쌓아 올리느냐’의 경쟁에서 삼성전자는 자체 기술력으로 승부수를 띄운 것이다. 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 인공지능(AI) 시대를 맞아 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획이다. 삼성전자는 23일 ‘더블 스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔다. V낸드는 삼성전자가 2013년 도입한 기술로 초고층 건물을 쌓는 것처럼 수직으로 쌓아 올린 제품이다. 더블 스택이란 290층 건물을 145층씩 두 번에 나눠 쌓았다는 의미다. 메모리칩을 넓게 펼치는 대신 위로 높게 쌓아 올릴 때 가장 중요한 건 공정 수를 최소한으로 줄이는 것이다. 시간과 비용을 줄여야 원가 경쟁력을 높일 수 있어서다. 공정이 복잡해지면 수율(양품 대비 불량품 비율)을 확보하는 것도 어려워진다.결국 단수를 높이려면 적층 공정 기술력이 담보돼야 하는데 삼성은 ‘채널 홀 에칭’이란 기술로 이를 구현했다. 한 번에 145층까지 뚫은 뒤 그 안에 양문형 엘리베이터를 설치하는 것처럼 전자가 이동할 수 있는 홀(채널 홀)을 만든 것이다. 데이터를 빠른 속도로 주고 받으려면 균일한 구멍을 뚫고 전자를 이동시키는 정교한 기술이 요구된다. 9세대 V낸드는 1테라비트(Tb) 용량의 ‘트리플레벨셀’(TLC) 기반이다. 하나의 셀(정보를 저장하는 단위)에 3비트(bit)의 정보를 담는 기술로 같은 공간에 더 많은 정보를 담을수록 용량을 키울 수 있다. 또한 데이터 입출력 속도는 8세대 V낸드 대비 33% 향상됐고, 소비 전력은 이전 세대 제품에 비해 약 10% 개선됐다. 성능, 용량, 전력 소비 측면에서 모두 차별화를 꾀한 셈이다. 하반기에는 ‘쿼드레벨셀’(QLC) 9세대 낸드도 양산할 계획이다. 데이터 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 늘면서 핵심 부품인 낸드 시장 주도권을 갖기 위한 반도체 업체 간 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝혔고, SK하이닉스는 지난해 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 공식화했다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC도 올해 하반기 300단대 제품을 내놓는다는 계획이다.

삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 초고성능 고대역폭 메모리(HBM)부터 차세대 PC와 노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 패키지 모듈까지 다양한 분야에서 폭넓게 활용할 수 있는 메모리 솔루션을 대거 공개했다.삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 반도체 시장의 신기술 흐름과 주요 제품을 소개했다. ‘메모리 역할의 재정의’를 주제로 열린 이번 행사는 삼성전자의 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자는 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’ ▲ 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기와 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기 등 데이터를 생성하고 활용·소비하는 모든 기기를 의미한다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라면서 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이어 이 사장은 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다. 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.