칩 속 냉각 통로로 온도 30% 낮춰고성능 메모리 안정화 핵심 기술대량 생산·기존 패키지 호환 가능 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 최대 난제인 발열 문제를 해결할 신기술로 ‘iHBM’을 공개했다. 인공지능(AI) 연산 확대와 함께 HBM의 적층 단수와 속도가 급격히 향상되면서, 업계는 ‘발열 제어’ 기술이 차세대 AI 메모리 시장에서 핵심 경쟁력이 될 것으로 보고 있다. SK하이닉스 역시 iHBM을 앞세워 차세대 HBM 시장에서 발열 제어 주도권 확보에 나선 셈이다. SK하이닉스는 26일 iHBM 기술을 공개했다. HBM 패키지 내부에 전기는 통하지 않지만 열 전도율이 높은 실리콘 소재인 ‘ICE’를 넣어 열이 빠져나가는 ‘추가 통로’를 만드는 방식으로 열 방출 경로를 개선했다. 기존 HBM이 내부 열을 외부로 전달해 식히는 구조였다면, iHBM은 내부 발열 구간을 직접 관리하는 구조로 진화한 것이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 AI용 핵심 메모리다. 최근 AI의 확산으로 그래픽처리장치(GPU)와 HBM 간 데이터 처리량이 폭증하면서 메모리 성능은 향상됐지만 적층 수가 늘고 속도가 빨라질수록 발열도 함께 증가해 냉각과 안정성 확보는 새로운 과제다. 특히 업계는 HBM과 GPU를 연결하는 ‘D2D PHY’ 구간의 발열 관리가 차세대 HBM 경쟁력을 좌우할 핵심 기술이라는 입장이다. D2D PHY는 HBM과 GPU 사이에서 데이터를 초고속으로 주고받는 연결 통로다. 데이터 이동량이 많아질수록 단위 면적당 발생하는 발열량인 발열 밀도도 급격히 높아진다. iHBM은 발열이 가장 집중되는 D2D PHY 영역 안에 냉각 요소(ICE)를 넣어 열이 빠져나가는 전용 경로를 별도로 만들었다. 이를 통해 기존 대비 열저항을 30% 이상 낮췄고, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 확보했다고 SK하이닉스는 설명했다. 양산성과 고객 호환성도 강화했다. SK하이닉스는 이미 업계에서 널리 쓰이는 MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용해 안정적으로 대량 생산이 가능하다고 밝혔다. MR-MUF는 반도체 칩 사이를 보호재로 채워 열과 충격에 견디도록 만드는 공정이며, WLP는 반도체를 자르기 전 웨이퍼 상태에서 패키징과 검사를 동시에 진행해 생산 효율을 높이는 기술이다. 또 고객사가 현재 사용하는 반도체 패키지 구조(SiP)와도 높은 호환성을 확보해 큰 설계 변경 없이 바로 적용할 수 있도록 했다. SiP는 서로 다른 기능의 반도체 칩을 하나의 패키지 안에 넣어 하나의 시스템처럼 작동하게 만드는 기술이다. SK하이닉스는 iHBM 기술을 고성능컴퓨팅(HPC), AI 데이터센터 등 초고집적·초고대역폭 환경에 적용해 시스템 안정성과 운영 효율을 더욱 높일 것으로 예상된다. 또 고온에서 안정적으로 작동하는 메모리 반도체를 원하는 엔비디아와의 협력 관계를 더욱 강화할 수 있을 것으로 보인다.

D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

SK, 공정기술 추가 적용해 장점 확보삼성, 집적도와 속도 높인 샘플 출하차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최초로 최신 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 마무리하고, 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. 업계에서는 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아와 가격·공급협상을 마무리하고 본격적인 양산에 돌입한 것으로 보고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 향상시킨 고성능 제품이다. 6세대 제품인 이번 HBM4는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다. 이전 세대인 HBM3보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로를 적용해 대역폭을 2배로 확대했다. 대역폭은 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻하며, 수치가 높을수록 한 번에 더 많은 양의 데이터를 주고 받을 수 있다. 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. SK하이닉스는 “HBM4를 고객 시스템에 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 전망된다”고 했다. HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다는 설명이다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 오는 7~10일(현지 시간) 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 ‘CES 2025’에 참가해 ‘풀 스택 인공지능(AI) 메모리 프로바이더’(전방위 AI 메모리 공급자)로서의 청사진을 제시한다고 3일 밝혔다. SK하이닉스는 ‘혁신적인 AI 기술로 지속가능한 미래를 만든다’를 주제로 SK텔레콤, SKC, SK엔무브 등 SK 관계사들과 공동 전시관을 운영한다. 전시관은 SK그룹이 보유한 AI 인프라와 서비스가 세상을 변화시키는 모습을 빛의 파도 형태로 구성했다. 행사에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사(CEO) 사장과 함께 김주선 AI 인프라 사장(CMO), 안현 개발총괄 사장(CDO) 등 SK하이닉스 ‘C레벨’ 경영진이 참석한다. 김주선 사장은 “이번 CES에서 고대역폭 메모리(HBM), eSSD 등 대표적인 AI 메모리 제품을 비롯해 온디바이스 AI에 최적화된 설루션과 차세대 AI 메모리를 폭넓게 선보일 것”이라며 “이를 통해 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더’로서 미래를 준비하는 기술 경쟁력을 널리 알리겠다”고 강조했다. SK하이닉스는 이번 전시에서 5세대 HBM인 HBM3E 16단 제품 샘플을 선보인다. 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 업계 최고층인 16단을 구현하면서도 칩의 휨 현상을 제어하고 방열 성능을 극대화한 제품이다. 세계 최초로 HBM3E 12단 제품을 양산해 고객에게 공급하고 있는 SK하이닉스는 작년 11월 HBM3E 16단 제품의 개발을 공식화한 데 이어 올해 상반기 중 HBM3E 16단 제품 샘플을 공급해 인증 절차를 진행할 계획이다. AI 데이터센터 구축이 늘면서 수요가 급증하고 있는 고용량·고성능 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품도 전시한다. 여기에는 자회사인 솔리다임이 작년 11월 개발한 D5-P5336 122TB(테라바이트) 제품도 포함된다. 현존 최대 용량에 높은 전력, 공간 효율성을 갖춘 제품이다. 안현 사장은 “솔리다임에 이어 SK하이닉스도 지난 12월 QLC 기반 61TB 제품 개발에 성공한 만큼 고용량 eSSD 시장에서 양사 간 균형 잡힌 포트폴리오를 바탕으로 시너지를 극대화할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 곽노정 CEO는 “올해 하반기 6세대 HBM(HBM4)을 양산해 고객의 다양한 요구에 부합하는 맞춤형 HBM 시장을 선도하겠다”며 “앞으로도 기술 혁신을 바탕으로 AI 시대에 새로운 가능성을 제시하고 고객에게 대체 불가능한 가치를 제공할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

용량 50% 늘고 처리 속도 빨라져연내 ‘큰 손’ 엔비디아에 공급 전망삼성 제품도 엔비디아 테스트 중 고대역폭메모리(HBM) 시장 1위인 SK하이닉스가 5세대 ‘HBM3E 12단’ 제품 양산에 들어갔다. 인공지능(AI) 반도체 시장의 ‘큰손’인 엔비디아에는 연내 공급될 것으로 보인다. 메모리 업체 중 가장 먼저 12단 양산에 돌입하며 삼성전자·미국 마이크론과의 격차를 더 벌렸다. SK하이닉스는 36GB(기가바이트) 용량의 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 고성능 메모리다. HBM3E는 4세대 HBM3의 ‘확장 버전’으로 5세대에 속한다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 지 6개월 만에 12단 양산에 나서면서 또 한번 주도권을 쥐게 됐다. 앞서 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 이달 초 대만 반도체 전시회 ‘세미콘 타이완’ 기조연설에서 “이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획”이라고 밝혔다. 고객사의 인증 작업(퀄 테스트)을 거쳐야 공급할 수 있는 구조인데 메모리 업체가 양산 일정을 미리 못박았다는 건 그만큼 자신감이 있다는 뜻이자 고객사와의 신뢰 관계가 두텁다는 의미로 해석됐다. SK하이닉스는 이날 “양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정”이라고 했다. 회사 측은 신제품이 AI 메모리에 필요한 속도, 용량, 안전성 등 모든 부문을 충족시켰다고 밝혔다. 이 제품 4개를 탑재한 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 대규모언어모델(LLM) ‘라마3 70B’를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터(매개변수)를 초당 35번 읽어 낼 수 있을 정도로 속도(9.6Gbps)가 빨라졌다고 회사는 밝혔다. 기존 8단 제품(24GB)과 비교하면 두께는 동일한데 용량이 50% 늘어났다. D램 칩을 기존보다 40% 얇게 만들면서다. 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제는 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 통해 해결하면서 방열 성능과 안전성을 높였다. 엔비디아가 후속 제품에 HBM3E 12단 제품을 대거 채택할 것으로 알려지면서 내년부터 12단 비중도 크게 늘어날 전망이다. 삼성전자와 마이크론도 각각 HBM3E 12단 제품에 대한 엔비디아의 퀄 테스트를 진행 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 2분기 실적 콘퍼런스콜에서 “12단 제품을 하반기에 공급할 예정”이라고 했다.

SK그룹은 글로벌 환경에서 지정학적 문제가 심화하고 불확실성이 증가하는 가운데 앞서가는 기술을 통해 국가 경쟁력을 높이는 데 힘을 보태고 있다. SK하이닉스, SK온, SK바이오사이언스가 대표적인 예다. 23일 SK에 따르면 지난해를 기점으로 기하급수적으로 성장 중인 인공지능(AI) 메모리 시장에서 연구개발(R&D)에 투자를 아끼지 않았던 SK하이닉스는 가장 큰 두각을 보였다. SK하이닉스는 세계 최초로 ‘TSV’(실리콘 관통 전극) 기반 HBM 제품을 내놓은 이래 ‘MR-MUF’(매스 리플로-몰디드 언더필), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난해 4월 24GB 12단 HBM 3을 개발했다. 이 제품에는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다. SK온은 진화된 급속충전 성능을 갖춘 어드밴스드 슈퍼 패스트(SF) 배터리로 ‘2024 인터배터리 어워즈’에서 ‘급속충전 최고혁신상’을 수상했다. 어드밴스드 SF 배터리는 기존의 SF 배터리 대비 에너지 밀도는 9% 높이면서 급속충전 시간은 유지한 혁신 제품이다. 이 배터리는 기아 EV9에 탑재돼 1회 충전 시 최대 501㎞를 주행할 수 있다. SK바이오사이언스는 자체 보유한 백신 공장의 증축을 통해 글로벌 진출을 준비하고 있다. 미국 식품의약청(FDA) 등 선진 규제기관이 기준으로 삼는 ‘cGMP’(미국의 우수의약품 제조·품질관리기준) 수준의 생산 시설을 빠르게 확보한다는 목표다. SK바이오사이언스는 이를 통해 해외 시장을 본격 공략한다는 계획이다.

“올해 이미 완판됐고 내년 역시 거의 완판입니다.” 인공지능(AI) 반도체에 필수적으로 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 선두를 달리고 있는 SK하이닉스의 곽노정 최고경영자(CEO·사장)는 “고객과 협의를 완료한 상태에서 고객 수요에 맞춰 공급량을 증가시키고 있다”며 HBM 과잉 공급 우려를 일축했다. AI 서비스 공급자 확대, HBM 수요처 확대로 연평균 60% 정도의 수요 성장이 예상되기 때문에 지금은 경쟁사들과 선의의 경쟁을 하며 시장을 키우는 게 중요하다고 했다. 곽 CEO는 2일 경기 이천캠퍼스 연구개발(R&D)센터에서 열린 기자간담회에서 “HBM 시장 리더십을 확고히 하기 위해 HBM3E 12단 제품의 샘플을 이달 중 제공하고 3분기 양산이 가능하도록 준비하고 있다”고 밝혔다. 2분기 중 HBM3E 12단 제품 양산에 나서겠다고 선언한 삼성전자와의 하반기 치열한 경쟁을 예고한 것이다. 1분기 시장 예측치를 뛰어넘는 2조 8860억원의 영업이익을 올리며 AI 시대 전성기를 보내고 있는 SK하이닉스는 이날 국내외 언론에 이천캠퍼스를 공개했다. 2012년 SK그룹에 편입된 뒤 SK하이닉스가 이천캠퍼스에서 기자간담회를 진행한 건 처음이다. 곽 CEO는 “AI 반도체 경쟁력은 한순간에 확보할 수 있는 게 아니다”라며 “HBM은 D램 기술력에 기반한 것으로 어딘가에서 갑자기 뚝 떨어진 게 아니다”라고 강조했다. 메모리 반도체 업황이 좋지 않을 때도, 언제 HBM 시장이 열릴지 모르는 불확실성 속에서도 투자를 확대했기 때문에 지금의 경쟁력을 갖출 수 있었다는 설명이다. 그는 “우리 혼자 할 수 있는 게 아니다”라며 생태계의 중요성도 강조했다. 곽 CEO는 “2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 이후 우리의 고객사, 협력 파트너들과 긴밀하게 협업해 왔다”면서 “AI 반도체는 기존 범용 반도체의 기술 역량에 더해 고객 맞춤형 성격을 띠고 있어 글로벌 협력이 무엇보다 중요하다”고 말했다. 최태원 SK그룹 회장의 글로벌 네트워킹도 협업 관계를 구축해 나가는 데 큰 역할을 했다고 덧붙였다. 경쟁사가 빠르게 추격해 오고 있는 것과 관련해선 “국내외 경쟁사 모두 높은 기술 역량을 갖고 있고 잘할 수 있는 잠재력도 있다”면서 “자만, 방심하지 않고 우리 페이스에 맞춰 고객 요구에 맞는 제품을 공급하겠다”고 했다. 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출을 묻는 질문에는 “(하반기 시장 변화도 감안해야 하지만) 현재 예상으로는 백수십억 달러 정도가 될 것”이라고 답했다. 이어 “현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰과 PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 전망”이라며 “AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 내다봤다. 내년부터 본격 경쟁이 시작될 6세대 HBM(HBM4) 제품과 관련해 간담회에 배석한 최우진 부사장(패키지&테스트 담당)은 핵심 패키지 기술(MR-MUF) 경쟁력을 강조하며 “HBM4에선 16단 제품을 구현할 예정”이라고 말했다.