본래 반도체 업계 1위로 한때 넘볼 상대가 없던 것 같던 인텔은 10㎚ 이하 미세 공정 진입에서 TSMC나 삼성에 뒤지면서 과거의 영광을 잃고 어려운 상황에 빠졌습니다. 뒤늦게 공격적인 투자를 진행하면서 경쟁자를 추격하긴 했지만, 라이벌인 AMD에 시장 점유율을 내주고 야심 차게 도전한 파운드리 시장에서는 TSMC의 독주 앞에 고배를 마시면서 회사가 큰 위기에 빠지기도 했습니다. 하지만 최근 스스로 목표를 설정하고 과업을 수행하는 ‘에이전틱 AI’로 인해 CPU 수요가 늘고 18A(1.8㎚) 같은 최신 미세 공정 양산에 성공하면서 다시 재기의 기회를 노리고 있습니다. 인텔은 이미 18A 공정을 개선한 18A-P 공정의 ‘초기 위험 생산’에 들어간 상태로, 차세대 제온 7 프로세서인 ‘다이아몬드 래피즈’에 적용될 예정입니다. 18A-P 공정은 트랜지스터 밀도는 동일하나 18A와 비교해서 동일한 전력 소비에서 성능이 9% 높거나 동일한 성능에서 전력 소비가 18% 감소합니다. 인텔의 진격은 여기서 멈추지 않고 있습니다. 18A-P 다음 차세대 미세 공정인 14A(1.4㎚) 노드는 이미 지난 6월에 결함 밀도(D0) 0.5를 달성했습니다. D0 또는 결함 밀도는 실리콘 웨이퍼의 단위 면적당 검출되는 미세한 결함의 평균 개수를 나타냅니다. 특정 칩 제조 공정이 상용화에 가까워질수록 결함 밀도는 일반적으로 줄어들고 반대로 수율이 증가합니다. 인텔은 내년 1분기까지 D0를 0.1~0.2로 낮추는 것을 목표로 하고 있습니다. 인텔 14A는 차세대 극자외선 노광 설비(EUV)인 ‘고개구율 EUV’(High-NA EUV) 리소그래피 장치를 적용한 첫 미세 공정으로, 인텔의 게이트 올 어라운드(GAA) 기술인 리본펫 2(RibbonFET 2)를 적용해 성능을 높이고 18A-P 공정에서 도입한 전력 제어 기술인 파워 부스트(Power Boost) 기술 역시 고도화할 것으로 예상됩니다. 이를 통해 18A-P에서 이루지 못한 트랜지스터 밀도 증가는 물론 공정 미세화에 따른 성능 향상을 달성할 수 있을 것으로 기대됩니다. 인텔에 따르면 14A 공정의 개선 속도는 2012년 22㎚ 시대 이후 가장 빠른 속도로 일정보다 더 빠르게 개발이 진행되고 있습니다. 심지어 최근 일부 언론에서 14A 공정 위험 생산을 2027년 1분기로 앞당긴다는 보도가 나왔을 정도로 인텔 내부 분위기는 자신감이 넘치고 있습니다. 다만 인텔은 Wccftech 등 매체에 공식적으로 “내부 제품 대상 초기 위험 생산은 2027년 하반기, 대량 양산은 2028년”이라는 기존 발표를 재확인했습니다. 물론 이것도 과거 미세 공정 개발보다 빠른 속도입니다. 다만 발목을 잡는 것은 부족한 생산 캐파입니다. 현재 18A, 18A-P 모두 대부분의 물량을 애리조나의 Fab 52가 담당하는 상황으로 알려져 있는데, 옆에 건설하고 있는 Fab 62가 완공되더라도 초기 생산량은 적을 수밖에 없다는 분석이 나오고 있습니다. 일부 증권 애널리스트는 2027년 초기 생산량은 웨이퍼 기준 월 6000장 정도이고 2028년에도 2만 4000장에 이를 것으로 내다봤습니다. 따라서 당분간 일부 제품들은 지금처럼 외부 파운드리의 웨이퍼를 빌려 쓸 수밖에 없을 것이라는 전망도 제기됩니다. 비교를 위해 살펴보면 TSMC는 올해 4분기까지 2㎚ 웨이퍼 월 생산 능력을 당초 알려진 것보다 훨씬 많은 10만 수준까지 늘릴 수 있다는 이야기가 나오고 있습니다. 14A 공정 역시 서두르고 있는데, 현재 TSMC는 타이중 과학 단지 2기 확장 부지에 총 4개 공장(P1~P4)을 1.4㎚ 전용으로 건설하고 있습니다. 현지 언론 보도에 따르면 이미 P1은 내년 4월 시범 생산에 들어가 2027년 하반기 양산 가능한 상태까지 서두르는 상황입니다. 인텔과는 양산 능력에서 비교가 되지 않는 수준입니다. 현재 TSMC는 AI 붐 덕분에 상당한 수익을 내고 있어서 충분한 투자 여력을 지니고 있습니다. 한동안 어려움을 겪다가 최근에 실적을 개선한 인텔이 따라잡기 버거운 상대라는 점은 분명합니다. 그럼에도 과거처럼 일정을 미루거나 취소하는 대신 적어도 로드맵을 따라 착실하게 개발을 진행하는 모습은 인텔이 수렁에서 빠져나왔다는 점을 보여주고 있습니다. 미세 공정 개발 능력을 확보했다면 다음 문제는 결국 생산 능력입니다. 과거 계획했다가 취소된 팹들을 다시 추진하고 14A 다음 차세대 미세 공정 개발을 위해서는 앞으로 막대한 투자가 필요합니다. 인텔에게는 현재의 에이전틱 AI 붐이 한때 유행이 아니라 최소 몇 년 이상 지속되어야만 하는 상황인 셈입니다.

삼성전자가 세계 최대 노광장비 기업인 ASML과 손잡고 업계 최초로 고 개구수(High-NA) 극자외선(EUV) 장비를 D램 제조에 도입한다. 일본에는 첨단 패키징 연구거점을 구축하며 전후 공정 경쟁력을 끌어올리는 투트랙 전략을 펼치는 모습이다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여해 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다고 8일 밝혔다. 컨소시엄은 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체로, 12인치 포토마스크 개발과 관련한 공동 연구 및 표준 개발 등을 추진할 예정이다. 포토마스크는 반도체 회로 패턴을 새긴 틀로, 노광 장비를 통해 웨이퍼에 회로를 전사하는 반도체 전공정의 핵심 부품이다. 12인치 마스크를 적용하면 한 번에 더 넓은 면적의 회로를 형성할 수 있어 생산성을 높이고 제조 비용을 낮출 수 있다. 2028년까지 첨단 D램 제조에 ASML의 고 개구수 EUV 도입도 추진한다. 고 개구수 EUV는 기존 EUV보다 빛의 개구수(NA)를 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 개구수가 높을수록 노광장비의 렌즈가 빛을 넓은 각도로 모아 미세한 회로를 한 번에 그릴 수 있다. 차세대 D램의 미세화 경쟁에 선제적으로 대응하는 동시에 고 개구수 EUV의 제조 공정 안정성을 조기에 검증해 양산 체계에 안착시킨다는 계획이다. 후공정 분야에서는 일본에 첨단 반도체 패키징 연구거점인 ‘어드밴스드 패키지 랩’(APL)을 개소하며 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 일본의 탄탄한 반도체 소재·장비 생태계를 기반으로 개발 단계부터 일본 기업들과 협력해 차세대 기술을 확보하겠다는 구상이다. 지난 2024년부터 5년간 400억 엔(약 3500억원)을 투자해 구축한 APL은 삼성전자의 메모리·로직 기술과 일본의 소재·부품·장비 기술을 연결해 차세대 패키징 소재와 공정 등을 공동 개발·검증하는 역할을 맡는다. 2027년까지 APL 연구인력을 100명 이상으로 확대해 요코하마를 글로벌 첨단 패키징 연구개발(R＆D) 거점으로 육성한다는 계획이다.

인텔은 지난 몇 년간 심각한 위기에 몰린 상태였습니다. 주력 시장인 서버 및 클라이언트 CPU 시장에서 경쟁자인 AMD에 계속 시장 점유율을 내줬고 막대한 비용을 들여가며 추진한 파운드리 사업 역시 성과가 미미했습니다. 특히 미세 공정 개발에서 TSMC에 뒤지면서 파운드리 사업 진출은커녕 반도체 생산 부분을 포기해야 한다는 이야기까지 나왔습니다. 하지만 이런 상황은 작년부터 바뀌기 시작했습니다. 인텔이 야심 차게 준비한 18A 공정으로 만든 제품들이 하나씩 시장에 등장하기 시작했고 에이전틱 AI 덕분에 서버 CPU 시장 수요가 증가하면서 실적이 개선된 것입니다. 올해 1분기 인텔은 시장의 예상을 뛰어넘는 깜짝 실적을 발표했고 2분기 실적도 자신하고 있습니다. 인텔은 차세대 공정인 18A-P와 이를 적용한 차세대 서버 프로세서인 다이아몬드 래피즈(Diamond Rapids)를 공개하면서 이 기세를 이어가고 있습니다. 최근 열린 VLSI 2026 심포지엄에서 인텔은 18A-P 공정에 대한 상세한 정보를 공개하며 차세대 미세 공정의 구체적인 청사진을 제시했습니다. 현재 시범 생산(Risk Production) 단계에 진입한 18A-P는 기존 18A 공정의 설계를 그대로 유지하면서도 성능과 효율을 극대화한 개량형 공정입니다. 특히 설계 규칙(Design Rule)의 100% 호환성을 확보하여, 기존 18A 공정을 사용하던 설계 자산(IP)을 크게 변경하지 않고 재사용할 수 있다는 것이 큰 장점입니다. 이는 고객사의 제품 개발 및 검증 기간과 비용을 획기적으로 줄여줄 수 있습니다. 인텔에 따르면 18A-P 공정은 기존의 18A 공정 대비 동일한 전력 소비에서 성능이 9% 향상되거나, 동일한 성능에서 전력 소비가 18% 감소합니다. (표준 ARM 코어 서브 블록 기준). 비록 트랜지스터 밀도는 더 높아지지 않았지만, 클럭을 높이거나 혹은 같은 클럭에서 에너지 소비를 줄여 훨씬 빠르거나 혹은 효율적인 프로세서를 제조할 수 있습니다. 사실상 같은 세대 공정인데도 이렇게 성능을 높일 수 있는 비결은 ‘파워 부스트(Power Boost)’ 덕분입니다. 인텔은 18A에서 업계 최초로 후면 전력 공급 기술인 파워비아(PowerVia)를 적용했습니다. 본래 트랜지스터 위에 전력층과 신호층을 모두 올렸던 기존의 방식 대신 전력층을 아래로 내리고 트랜지스터를 중간에, 신호층을 가장 위에 배치하는 방식으로 바꾼 것인데, 덕분에 전력 소모는 줄이고 회로 밀도는 높일 수 있었습니다. 18A-P에서는 여기서 한 발 더 나아가 트랜지스터의 전면과 후면 양쪽에서 접촉을 형성하는 업계 최초의 ‘듀얼 콘택트(Dual-contact)’ 구조를 구현했습니다. 덕분에 트랜지스터의 구동 전류를 높이고 저항을 대폭 낮추어, 칩의 정전용량(Capacitance) 증가 없이도 더 높은 주파수를 안정적으로 확보할 수 있게 됐습니다. 칩의 집적도가 높아짐에 따라 필연적으로 발생하는 발열과 신호 손실 문제는 소재와 설계의 공동 최적화(DTCO)를 통해 최대한 해소했습니다. 인텔에 따르면 18A-P 공정은 새로운 소재와 설계 혁신을 통해 열 저항을 20~40%가량 낮춤으로써 고성능 상태를 더 오래 유지할 수 있습니다. 그리고 반도체 층간 연결 통로인 비아(Via)의 형상과 소재를 최적화하여 저항을 10~30% 줄이는 데 성공했습니다. 여기에 더해 초저임계전압(ULVT)과 저임계전압(LVT) 사이에 다섯 번째 로직 임계전압(Vt) 옵션을 추가함으로써, 설계자가 속도가 중요한 영역과 전력 절감이 필요한 영역을 더욱 정밀하게 제어할 수 있도록 유연성을 높였습니다. 앞서 발표한 것처럼 인텔은 차세대 제온 ‘다이아몬드 래피즈’의 핵심 연산을 담당하는 컴퓨트 타일에 이 공정을 도입할 계획입니다. 최대 192개의 고성능 P 코어를 장착해 발열이 상당할 것으로 예상되지만, 인텔은 18A-P 공정을 적용해 효율과 성능 두 마리 토끼를 잡을 수 있을 것으로 기대하고 있습니다. 아울러 전력 효율이 중요해지는 AI 가속기 시장이나 발열 제약이 엄격한 모바일 AP 시장을 겨냥해 외부 고객사 유치에도 박차를 가하고 있습니다. 다만 현재 18A 공정의 양산 능력이 그렇게 크지 않다는 점은 파운드리 시장을 노리는 인텔의 큰 약점입니다. 현재 양산 중인 공장은 애리조나의 Fab 52가 유일한 상태로 서버 및 모바일 프로세서 가운데 일부만 이곳에서 생산 중입니다. 데스크톱 CPU인 애로우 레이크는 여전히 TSMC의 미세 공정을 활용하고 있습니다. 이런 상황은 다음 세대인 노바 레이크에서도 달라지지 않을 것이라는 예측이 나오고 있는데, 현재 인텔의 18A 계열 양산 능력으로 서버와 클라이언트 시장 모두를 감당하기는 어려울 것이라는 예측도 나오는 상황입니다. 이와 같은 약점을 극복하기 위해서는 현재 Fab 52 옆에 건설 중인 Fab 62와 업계 최초로 ‘하이 NA EUV’(High-NA EUV) 노광 장비가 대거 배치되는 팹인 오하이오의 Fab 27 같은 현재 건설 중인 최첨단 팹이 예정대로 순조롭게 완성되고 가동되어야 합니다. 20A에서 한 번 고배를 마신 인텔은 18A를 가까스로 성공시키면서 실점을 만회할 기회를 얻었습니다. 계속해서 18A-P와 14A를 통해 득점을 이어나가며 반전의 드라마를 쓸 수 있을지 주목됩니다.

인텔의 새로운 수장인 립 부탄 최고경영자(CEO)가 지난달 29일 미국 캘리포니아 산호세에서 개최된 인텔 파운드리 다이렉트 2025 행사에서 2028년까지 인텔 파운드리 및 미세 공정 로드맵을 발표했습니다. 이번 발표를 통해 립 부탄은 인텔 파운드리 분리 매각은 당장에는 없고 계속 새로운 공정에 도전하겠다는 뜻을 밝혔습니다. 그리고 올해 안에 팬서 레이크 CPU를 출시한다는 로드맵 역시 다시 확인했습니다. 후면 전력 공급 기술인 파워비아(PowerVia)와 인텔 최초의 게이트 올 어라운드(GAA) 기술인 리본펫 (RibbonFET)이 적용되는 인텔 18A 공정은 이날 발표한 내용에 따르면 현재 인텔이 양산하는 최신 미세 공정인 인텔 3과 비교해서 전력 대비 성능 15% 높아지고 회로 밀도 역시 30% 정도 높아지게 됩니다. 다만 그래도 인텔 18A는 TSMC의 N2보다 밀도가 낮은 것으로 알려져 있습니다. 따라서 GPU처럼 크고 복잡한 칩을 양산할 때는 TSMC가 다소 유리해 보이지만, 18A가 예정대로 양산된다면 인텔 역시 TSMC의 최신 미세 공정에 근접하는 미세 공정을 확보해 한시름 놓을 수 있게 됩니다. 인텔은 한 달 전 18A의 소규모 시험 생산인 리스크 생산에 들어간 상태로 현재 수율이 내부적인 목표에 거의 도달한 상태라고 합니다. 만약 순조롭게 양산 과정에 진입한다면 올해 하반기에 18A 첫 제품인 팬서 레이크 CPU가 시장에 등장할 것으로 예상됩니다. 이날 새롭게 공개한 내용에 따르면 인텔 18A 공정은 내년에는 고성능 버전인 18A-P로 진화할 예정입니다. 18A-P는 회로 밀도는 동일하지만, 성능이 최대 8%까지 높아진 개량형 미세 공정입니다. 그리고 2028년쯤에는 18A-PT 공정이 나오는데 칩을 수직으로 쌓는 포베로스 다이렉트 3D(Foveros Direct 3D)이 적용될 것이라고 합니다. 구체적으로 어떤 칩을 위에 올릴 것인지는 언급하지 않았지만, 경쟁사인 AMD는 TSMC의 기술을 이용해 캐시 메모리를 프로세서 위나 아래에 넣는 3D V 캐시로 게임 성능을 크게 높이고 있습니다. 인텔 역시 비슷한 방법을 도입할지 주목되는 대목입니다. 18A에 도입한 파워비아와 리본펫 기술은 2027년 등장할 14A에서 2세대 공정으로 진화할 것으로 보입니다. 14A는 인텔이 ASML에서 비싼 값에 매입한 하이 NA 극자외선 (High-NA EUV) 리소그래피 장비가 투입됩니다. 14A는 18A와 비교하면 15~20% 정도의 전력 대 성능 향상을 기대하고 있으며 밀도 향상 목표는 이전과 같이 30% 수준입니다. 계획대로 된다면 14A는 TSMC의 14A보다 1년 정도 앞서 최신 미세 공정으로 등장할 수 있습니다. 다만 계획대로 될지는 두고 봐야 알 수 있습니다. 인텔은 작년에도 애로우 레이크와 루나 레이크를 인텔 20A로 양산한다고 발표했으나 출시 직전에 TSMC 3나노로 변경해 시장에 충격을 줬습니다. 인텔 주력 CPU가 TSMC 인사이드가 됐기 때문입니다. 그런 만큼 18A를 차질 없이 성공시켜 시장의 신뢰를 되찾는 것이 우선이라고 할 수 있습니다. 인텔이 이번에는 약속을 지킬 수 있을지 올해 하반기가 매우 중요한 시기가 될 것으로 보입니다.

영원한 1등은 없다지만 오랜 세월 누구도 도전하기 힘든 독점 기업이었던 인텔의 위기는 많은 이들에게 충격으로 다가오고 있습니다. 인텔의 위기는 14nm 공정에 너무 오래 멈췄던 게 원인으로 꼽힙니다. 14nm 공정에서 묶여 있는 사이 인텔보다 뒤에 있던 TSMC 같은 경쟁자에게 추월을 허용했고 한번 뒤처지기 시작한 이후로는 좀처럼 다시 따라잡기 어려운 상황에 놓인 것입니다. TSMC를 다시 따라잡기 위해 인텔은 4년 동안 5개 공정을 진행한다는 야심 찬 계획을 세웠으나 결과적으로 실패하면서 위기는 더 심화했습니다. 이제 마지막 남은 기회는 올해 양산을 목표로 하는 18A 공정이 될 것입니다. 막대한 비용을 투자한 최신 미세 공정인 18A마저 실패한다면 인텔이 계속해서 반도체 팹을 유지하는 것에 대한 의구심이 커지면서 AMD처럼 반도체 생산 부분을 분리 매각하고 팹리스(반도체 설계 중심) 회사가 될 가능성이 매우 높아집니다. 인텔은 3월 31일(현지시간) 비전 2025 행사를 열어 18A가 순조롭게 진행되고 있다고 발표했습니다. 18A 공정은 최근 양산을 위한 첫 번째 단계인 리스크 생산(risk production)에 들어갔습니다. 이름 때문에 뭔가 문제가 있거나 위험한 것처럼 보이지만, 사실 리스크 생산은 초기 시험 생산 단계로 업계 표준 용어입니다. 처음엔 수백 개의 웨이퍼로 시작해 점점 늘려나가면서 정상적인 생산이 가능한지 검증하고 보완하는 과정이라고 할 수 있습니다. 리스크 생산 후 대량 양산 단계(High Volume Production·HVM)까지는 보통 1분기 이상 필요하므로 18A 공정 제품의 양산은 올해 하반기에 이뤄질 것으로 예상됩니다. 인텔이 18A로 생산할 첫 주력 제품은 소비자용 CPU인 팬서 레이크(Panther Lake)로 여기에 인텔의 운명이 달려있다고 해도 과언이 아닙니다. 팬서 레이크에 대해서는 아직도 상세한 내용이 공개되지 않았으나 일단 계획은 18A 공정으로 제조하는 걸로 되어 있습니다. CPU 타일만 제조하는지 아니면 GPU와 다른 타일도 18A를 사용하는지는 아직 밝혀지지 않았습니다. 다른 구체적인 스펙과 CPU 구성에 대해서도 거의 알려진 것이 없는 상태입니다. 반면 18A 공정에 대해서는 상대적으로 많은 것이 알려져 있습니다. 18A 공정은 인텔의 최신 EUV 공정을 기반으로 인텔의 게이트 올 어라운드(GAA, Gate-All-Around) 기술인 리본펫(RibbonPET) 기술과 후면 전력 공급 기술인 파워비아(PowerVia)를 적용할 예정입니다. 전자는 더 작은 크기의 트랜지스터에서도 누설 전류를 줄이고 후자는 전력 공급을 단순화해서 효율을 높이고 복잡도는 줄일 수 있습니다. 하지만 이런 기술적 혁신이 실제 성능 향상으로 이어지지 않는다면 큰 의미는 없을 것입니다. 따라서 인텔이 18A를 적용하겠다고 발표한 팬서 레이크의 성능이 인텔의 미래를 결정할 가능성이 높습니다. 인텔 애로우 레이크와 루나 레이크는 TSMC의 최신 미세 공정을 적용했는데도 경쟁사 대비 낮은 성능으로 시장에서 고전하고 있습니다. 팬서 레이크도 같은 길을 걷는다면 이미 상당히 잃은 시장 점유율을 속수무책으로 AMD에게 내주고 회사가 탈출하기 힘든 수렁에 빠지게 될 것입니다. 신임 CEO인 립부 탄(Lip-Bu Tan)은 기조연설에서 인텔을 엔지니어링 중심 회사로 만들겠다는 포부를 밝혔지만, 로드맵은 전임 CEO인 팻 겔싱어가 마지막으로 손본 내용에서 크게 바뀌지 않았습니다. 당장에 계획을 트는 것보다 일단 현재 진행 중인 18A 공정 및 팬서 레이크 출시에 최선을 다해야 하는 시기이기도 합니다. 따라서 립부 탄은 기조연설에서 18A와 팬서 레이크에 대한 내용만 강조하고 새로운 로드맵을 제시하지는 않았습니다. 새 구상은 몇 달 후에나 구체적으로 윤곽을 드러낼 것으로 예상됩니다. 일단 18A가 대량 양산(HVM) 단계에 들어가고 팬서 레이크가 출시 준비가 되었다면 그다음 계획이 필요하기 때문입니다. 18A 다음 계획은 본래 14A입니다 14A는 High NA EUV를 적용한 첫 공정이 될 예정입니다. 팬서 레이크 다음 프로세서는 노바 레이크/레이저 레이크라는 명칭 정도만 알려져 있고 자세한 내용은 공개된 게 없습니다. 새롭게 인텔의 수장이 된 립부 탄이 앞으로 이 내용을 만들어 나가야 합니다. 인텔의 운명을 쥔 18A와 팬서 레이크, 그리고 립부 탄의 다음 행보가 주목됩니다.

경기 화성시가 민선8기 전반기 2년 간 국내외 앵커기업으로부터 10조 8억원 상당의 투자 유치 성과를 달성해 정명근 화성시장의 ‘임기 내 20조 투자 유치’ 목표에 청신호를 밝혔다. 전국 5번째 특례시 출범을 앞둔 화성시는 지속적인 도시성장과 시정운영의 안정적 자주재원 확보를 위해 권역별 특성을 고려 ▲수원-화성-용인-평택-천안으로 이어지는 경부 라인의 K-반도체 벨트 ▲광명-화성-평택-광주로 연결되는 서해안권 K-미래차 클러스터 ▲인천 송도-시흥-화성을 잇는 K-바이오의 핵심도시 도약을 위한 글로벌 앵커기업 중심의 전략적 투자유치를 이끌어 왔다. 구체적으로 살펴보면 반도체 대표기업 삼성전자는 화성캠퍼스에 ‘고성능컴퓨팅(HPC) 센터(1조5천억)’를 설립하고 있으며 글로벌 반도체 장비기업 ASM과 TEL은 각각 1350억원, 2000억원을 투자해 ‘제2제조연구혁신센터’와 ‘R&D센터’를 확충하고 있다. 또한 동탄신도시에 ‘화성 New 캠퍼스’를 조성 중인 반도체 극자외선(EUV) 노광장비 세계 1위 기업 ASML은 최근 삼성전자와 High-Na EUV 활용 차세대 반도체 제조 공정 연구 개발을 위한 공동 연구지원시설에 1조 원 추가 투자를 결정하고 인허가 절차를 진행할 예정이다. 모빌리티 산업에서는 기아차가 미래차 산업 기반 구축을 위해 약 1조원을 투입해 세계 최초 ‘PBV(중형) 전기차 전용 공장’이 금년 말 준공 예정이며 별도로 화성공장 인근에 특장차 클러스터를 조성하고 있다. 아울러 시는 자율주행 리빙랩 실증 도시 국가 공모사업에 선정돼 2027년까지 740억 원의 국비를 확보함으로써 시민 중심의 안전한 미래교통체계 수립은 물론 미래 모빌리티 메카로 성장할 것을 기대하고 있다. 기후위기 대응과 탄소중립 실현을 위한 신재생에너지 사업으로는 양감 수소복합에너지센터 건립이 있다. 이를 통해 약 9만 3천가구가 사용할 전력을 생산해 연간 23만톤의 이산화탄소 발생 저감과 향후 20년간 756억 원의 세수 증대 및 600여개의 일자리가 창출될 것으로 전망하고 있다. 이같이 시가 괄목한 성과를 이룰 수 있었던 것은 산업단지 조성 등 자족기능을 강화하고 정주여건 개선과 함께 친기업정책을 통한 기업 투자하기 좋은 도시 조성에 힘써왔기 때문이다. 그간 시는 작년 7월 투자유치과를 신설하고 투자 기업에 대한 인센티브를 확대하는 조례를 개정했으며, 금번 인사에 대규모 투자 기업의 인허가 지원 등 사후관리를 위한 TF팀을 신설해 기업들의 신속한 투자를 유도하고 각종 애로사항을 조기에 해결해 왔다. 시는 여기에 만족하지 않고 유망 창업기업 발굴 및 우수기업 유치를 위해 현재 687억원의 창업지원펀드를 26년까지 2천억원으로 확대하고 기존 투자기업의 입주환경 개선을 위한 ▲공장 밀집지역 상수도 개선사업 ▲소규모 기업환경 개선사업 ▲도로 조기개설 등 기업 지원 사업을 확대해 기업하기 좋은 도시 위상을 강화할 계획이다. 이와 함께 반도체, 미래차, 바이오 등 전략산업 투자 촉진을 위한 분야별 기술 세미나를 개최하는 등 기업 간 네트워크를 구축하는 등 현장 소통을 강화하고 지난 6월 시 최초 투자유치 설명회를 개최한 것과 같이 투자유치 창구를 확대해 우수기업 유치를 위해 전방위로 노력할 방침이다. 정명근 화성시장은 “화성시의 지난 20여년간의 놀랄만한 발전은 동탄신도시 등 대규모 택지개발과 관내 2만8천여개 기업들의 성장에서 기인했다”며 “화성국제테마파크 조성, 종합병원 유치 등 국내외 유망기업 유치를 통해 20조 투자유치 조기달성하여 인구 100만 특례시 화성시민들의 삶의 질 향상을 뒷받침하겠다”고 말했다.

네덜란드 반도체 장비업체인 ASML이 차세대 노광장비(High NA EUV)를 활용한 삼성전자 초미세 반도체 제조 공정 지원 연구개발 시설을 경기 화성시에 건립한다. 이는 정명근 화성시장을 비롯한 화성시가 K-반도체 핵심도시 도약을 위해 지난해 8월부터 ASML 전 CEO(피터 베닝크) 및 실무자를 직접 만나 국내 제조시설 설치 등 추가 투자를 요청하는 등 신속한 투자결정을 이끌어내기 위해 경기도, LH 동탄사업본부 및 한국전력공사 경기본부 등의 유관기관과 긴밀히 협력한 결과다. 4일 정 시장은 방한 중인 ASML의 대외총괄부사장(프랭크 헤임스케르크)을 만나 “화성 뉴 캠퍼스(업무시설⦁재제조시설 및 트레이닝센터 등)에 이어 ‘ASML-삼성전자 연구지원시설(1조원)’ 건립 부지로 화성시를 선택해 주신 것에 감사하다”면서 “화성에서 추진하는 ASML 프로젝트의 성공을 위해 각종 인허가부터 밀착지원하는 원스톱 서비스를 제공하겠다”고 말했다. 이에 프랭크 헤임스케르크 부사장은 “화성시의 전폭적인 지원으로 ‘ASML 화성 뉴 캠퍼스’ 조성이 계획대로 순조롭게 진행되는 것에 감사하다”고 답하면서, “삼성전자는 ASML의 중요 고객사로, 이번 연구지원시설 건립은 양사 간의 기술동맹을 돈독히 하고 국내 및 화성시 반도체 기업과의 협력을 확대․강화하는 계기가 될 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 아울러 정 시장은 “정부에서 추진 중인 첨단반도체기술센터(ASTC, 한국형 IMEC)의 화성시 유치를 위한 적극적인 지원과 조언을 부탁드린다”고 덧붙였다. 이날 간담회에는 주한 네덜란드 부대사(오니 얄링크) 등도 함께 배석했으며, 화성시는 이번 면담을 계기로 네덜란드와 반도체 등 다양한 분야에서 교류협력을 확대할 수 있는 계기가 될 수 있을 것으로 기대하고 있다. 한편 화성시를 찾은 ASML 부사장과 주한 네덜란드 부대사는 정 시장과의 면담에서 화성 아리셀 공장 화재 사고 희생자와 가족들에게 깊은 애도를 표하고 위로의 뜻을 전했다.

인텔은 기본적으로 자체 프로세서 생산을 위해서 반도체 생산시설을 운영해 왔습니다. 남들보다 앞선 반도체 미세 공정은 오랜 세월 프로세서 업계 1위를 유지한 비결이었습니다. 따라서 TSMC처럼 다른 업체의 칩을 대신 생산해 주는 위탁생산 (파운드리) 사업은 처음부터 염두에 두지 않았습니다. 업계에서 가장 앞선 미세 공정을 경쟁사도 활용할 수 있다면 주력 사업인 CPU 사업에서 경쟁력을 유지할 수 없기 때문입니다. 물론 10여 년 전 인텔도 남는 생산 시설을 활용하려는 목적에서 파운드리 사업 진출을 선언한 적이 있지만, 당시에도 거의 선언 정도에 그치고 구체적인 성과는 거의 없었습니다. 파운드리 사업은 다양한 고객의 요구에 맞춘 제품 생산이 중요한데, 인텔은 자체 프로세서 생산에만 익숙해 경험이 부족했습니다. 그리고 당시에는 미세 공정과 본업인 CPU 모두에서 앞선 경쟁력을 지니고 있어 부업보다는 본업에 집중하는 분위기였습니다. 그러던 인텔의 태도가 180도 바뀐 것은 2021년 초 정통 인텔맨인 팻 겔싱어가 CEO가 되고 된 이후입니다. 당시 인텔은 10nm 이하 미세 공정 진입이 지연되면서 위기에 빠졌고 심지어 AMD 같은 팹리스 회사가 되어야 한다는 이야기까지 나왔습니다. 겔싱어 CEO는 이런 주장을 일축하고 계속해서 반도체 생산 시설을 지닌 종합반도체 회사 (IDM)로 남겠다고 선언했습니다. 하지만 인텔 칩만 생산하는 것이 아니라 다른 고객을 위한 생산도 함께 담당하는 IDM 2.0 전략을 발표했습니다. 이와 같은 태도 변화는 TSMC라는 강력한 경쟁자와 신흥 강자인 삼성전자의 위협 때문으로 생각됩니다. 파운드리 시장 규모가 자꾸 커지고 파운드리 업체의 규모도 덩달아 커지면서 TSMC와 삼성전자의 투자 규모도 갈수록 커졌습니다. 인텔 자체 프로세서만 생산해서는 장기적으로 봤을 때 밀릴 수밖에 없는 상황이 된 것입니다. 당연히 해결책은 인텔도 파운드리 사업에 뛰어들어 시장에서 경쟁자의 파이를 줄이고 인텔의 몫은 늘리는 것입니다. 따라서 겔싱어 CEO는 인텔 파운드리 서비스 (IFS) 사업부를 신설하고 본격적인 고객 모집에 들어갔지만, 지금까지 결과를 보면 아직은 성과가 부족합니다. 그리고 그러는 사이 TSMC의 점유율은 50%에서 이제는 60%를 넘보고 있습니다. 하지만 최근 열린 인텔 파운드리 서비스 (IFS) 2024 다이렉트 커넥트 행사에서 2030년 파운드리 2위가 되겠다는 포부를 밝혔습니다. 직접 언급하진 않았지만, 1위인 TSMC는 힘들어도 2위인 삼성전자는 앞서겠다는 목표를 밝힌 셈입니다. 그리고 이 목표를 달성할 비전도 제시했습니다. 인텔은 2025년에서 2027년 사이 최신 High NA EUV 리소그래피 장치를 이용한 14A와 그 업그레이드 버전인 14A-E를 개발할 예정입니다. 구체적인 성능 향상 폭은 밝히지 않았지만, 업계 최고 수준의 장비를 이용해 TSMC나 삼성전자의 최신 파운드리에 대응할 수 있는 기반을 마련할 것으로 보입니다. 하지만 이날 행사에서 가장 놀라운 일은 마이크로소프트를 고객사로 확보했다는 소식이었습니다. 마이크로소프트는 인텔 18A 공정을 사용해 자체 제작한 AI 가속기를 생산할 예정입니다. 계약 금액은 50억 달러 수준으로 알려졌습니다. 아무리 그럴듯한 비전을 발표했어도 인텔은 파운드리 사업에서 업력이 짧고 점유율도 얼마되지 않은 신참입니다. 더구나 18A는 현재 실제 제품을 생산하지 않은 미지의 신공정입니다. 그럼에도 이렇게 믿고 대규모 발주를 넣었다는 것은 의외의 결정으로 받아들여지고 있습니다. 그만큼 미국 내 반도체 산업 육성에 대한 공감대가 형성된 것으로 해석할 수 있는 부분입니다. 미국은 미국에 반도체 팹을 건설하는 업체에 527억 달러의 보조금과 세제 혜택을 주고 미국 내 반도체 생산 비중을 높이기 위해 노력하고 있습니다. 겔싱어 CEO는 미국 내 반도체 제조 비율을 20%에서 50%로 끌어올리겠다고 선언했고 지나 러몬도 상부무 장관도 이날 화상으로 미국 반도체 산업에 대한 적극적인 지원 의사를 밝혔습니다. 이렇게 다른 빅테크들의 지원 사격과 미국 정부의 적극적인 반도체 산업 육성 열기, 그리고 최신 미세 공정에 대한 공격적인 투자까지 감안하면 인텔 파운드리 서비스의 미래는 밝아 보입니다. 하지만 그렇다고 해서 불안 요소가 없는 것은 아닙니다. 인텔의 20A, 18A 공정은 인텔의 게이트 올 어라운드(GAA) 기술은 리본펫(RibbonFET)과 후면 전력 공급 기술인 파워비아 (PowerVia)를 처음으로 적용해 여러 가지 변수가 있습니다. 예상만큼 수율이 나오지 않거나 성능이 나오지 않는 경우 파운드리 사업은 물론 본업인 CPU 사업에도 상당한 악영향이 있을 수 있습니다. 또 이미 점유율이 50%가 넘는데도 계속 점유율을 높이며 파운드리 산업을 주도하는 TSMC나 이를 맹추격하는 삼성전자가 경쟁적으로 가격을 낮출 경우 파운드리 사업에서 수익을 내기가 쉽지 않을 수도 있습니다. 그래도 아무튼 주사위는 던진 상태이고 몇 년 이내로 그 결과를 보게 될 것입니다. 우리나라 역시 파운드리 및 시스템 반도체 사업을 미래 먹거리로 보고 집중 투자하는 상황에서 나온 인텔의 공격적 행보가 어떤 결과로 이어질지 주목됩니다.

지난 몇 년간 미세 공정에서 우위를 잡기 위해 공격적인 투자를 벌였던 인텔이 특별한 크리스마스 선물을 받았습니다. 바로 0.55 NA(numerical aperture)를 지원하는 하이 NA(high-NA) EUV 리소그래피 스캐너인 트윈스캔 EXE:5000(Twinscan EXE:5000)입니다. 물론 인텔이 돈 주고 산 것이고 사실 2018년에 주문한 것이기 때문에 선물이라고 보기 힘들 수도 있지만, 인텔 입장에서는 꽤 큰 크리스마스 선물입니다. 왜냐하면 차세대 EUV 장비를 경쟁 관계에 있는 삼성전자나 TSMC보다 먼저 받았기 때문입니다. 반도체 생산 설비 가운데서도 리소그래피 스캐너는 가장 핵심 장비라고 할 수 있습니다. 조각에 비유하면 더 작은 조각칼로 남보다 더 정교하게 회로를 새길 수 있습니다. 당연히 남보다 앞서려면 더 작고 정교한 조각칼이 유리합니다. 현재 0.33NA 혹은 로우 NA를 적용한 EUV 리소그래피 장치는 7nm 이하 미세 공정에서 필수 장비입니다. 하지만 0.33 NA EUV 스캐너로는 2nm 이하 공정 이하 진입이 어려워지기 때문에 0.55 NA를 지원하는 하이 NA EUV 장비가 필요합니다. 따라서 현재 사용하는 모든 EUV 리소그래피 스캐너를 독점 제조하고 있는 ASML은 차세대 하이 NA 장비인 트윈스캔 EXE 5000 시리즈를 개발했습니다. 그리고 첫 시험 생산 모델인 트윈스캔 EXE 5000를 리본까지 달아 미국 오레곤에 있는 인텔의 D1X 팹에 보낼 예정입니다. 사실 트윈스캔 EXE 5000은 매우 크기 때문에 사진에 보이는 컨테이너 13개에 나눠 선적한 다음 공장에서 다시 조립합니다. 현재 쓰이는 로우 NA EUV 장비도 대당 2억 달러에 달하는 고가품이지만 트윈스캔 EXE 5000의 가격은 대당 3-4억 달러로 알려져 있습니다. 본래 인텔은 18A 공정에 트윈스캔 EXE 5000 시리즈를 사용하려 했으나 실제 상업용 버전인 트윈스캔 EXE 5200의 양산이 늦어지는 바람에 다음 공정부터 본격 적용할 것으로 알려졌습니다. 따라서 2024년부터 양산에 돌입하는 20A, 18A 공정은 0.33 NA EUV 리소그래피 장비를 이용해 제조할 예정입니다. 대신 현재 선적된 트윈스캔 EXE 5000 장비는 18A 공정에서 노하우를 익혀 차세대 미세 공정에서 0.55 NA EUV 기술을 적용하는데 도움을 줄 수 있습니다. 18A 이하 차세대 공정은 아마도 2025-2026년 사이 진입하게 될 것으로 예상되는데, 이 공정에는 트윈스캔 EXE 5200이 사용될 예정입니다.인텔은 막대한 비용을 들여 하이 NA 장비 획득에 열을 올렸습니다. 2024년에 선적하는 하이 NA EUV 리소그래피 장치 10대 중 6대가 인텔이 주문한 것이라는 이야기가 있을 정도입니다. 하지만 이런 공격적인 투자가 모두 결실을 거둘 수 있을지는 두고 봐야 알 수 있습니다. 인텔이 10nm 공정 진입에서 예상치 못한 난관에 부딪혀 어쩔 수 없이 14nm 공정을 오랜 세월 사용했던 점에서도 볼 수 있듯이 극한의 미세 공정에서는 어떤 문제가 생길지 모르기 때문입니다. 다만 인텔이 차세대 하이 NA EUV 장비를 현재 준비 중인 신기술과 함께 잘 결합한다면 상당한 시너지 효과가 있을 수 있습니다. 인텔은 20A 및 18A 공정에서 반도체의 전력 공급층과 신호층을 서로 나눠 효율을 높이는 반도체 후면 전력 기술인 '파워비아'(PowerVia)와 인텔의 자체 게이트 올 어라운드(Gate-all-around, GAA) 기술인 리본펫(RibbonFET)을 적용할 예정입니다. 여기에 더해 차세대 EUV 장비까지 순조롭게 적용할 수 있으면 앞서 가던 경쟁자들에게 도전장을 내밀 수 있습니다. 인텔의 차세대 EUV 장비 선점이 어떤 결과를 가져올지 궁금합니다. 

이재용 삼성전자 회장이 15일 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문일정 동행을 마치고 귀국하면서 “반도체가 (순방 성과의) 거의 90%였다”며 미소를 지었다. 이 회장은 이날 오전 서울 김포 비즈니스 항공센터(SGBAC)를 통해 귀국하면서 이번 순방 성과를 묻는 취재진의 질문에 “잠에서 막 깼다”고 웃으며 짧게 화답했다. 회색 목도리를 두르고 나온 이 회장은 밝은 표정을 지으면서 함께 귀국한 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장 사장을 격려하는 듯 경 사장의 등을 여러 차례 두드리기도 했다. 삼성전자와 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML은 지난 12일(현지시간) 네덜란드 ASML 본사에서 진행된 한·네덜란드 반도체 협력 협약식에서 업무협약(MOU)을 맺고 7억 유로(약 1조원)를 투자해 차세대 노광장비 개발을 위한 차세대 극자외선(EUV) 공동연구소 설립을 추진하기로 했다.ASML은 최첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 노광장비를 세계에서 유일하게 생산하는 기업이다. EUV 1대당 약 2000억원에 달하지만, 연간 약 50대만 생산해 공급이 수요를 따라가지 못하는 품귀 현상을 빚기도 한다. 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하의 초미세공정을 구현하려면 EUV 장비를 필수로 사용해야 한다. ASML이 조만간 출하할 ‘하이 뉴메리컬어퍼처’(High NA) EUV 장비는 2나노 공정의 핵심 장비다. 하이 NA EUV는 최신 노광장비인 EUV의 다음 버전으로, 현재 최첨단 공정인 3나노 이후 공정에 필요한 기술이다. 이 회장은 ASML 외에도 차량 반도체 회사인 NXP 등 현지 주요 반도체 기업 최고경영자(CEO)들과도 만난 것으로 알려졌다.이 회장과 동행한 경 사장은 “이제 삼성이 하이 NA EUV에 대한 기술적인 우선권을 갖게 됐다”며 “장기적으로 D램이나 로직 반도체(비메모리)에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다”고 설명했다. 업계에선 ASML과의 전략적 협업으로 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 TSMC 추격에도 속도가 붙을 것이란 전망이 나온다. 경 사장은 “이번 협약은 경기도 동탄에 공동 연구소를 짓고 거기서 하이 NA EUV를 들여와서 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어들이 같이 기술 개발을 할 것”이라며 “공동 연구를 통해 삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 게 중요하다”고 강조했다. 그러면서 “EUV가 가장 중요한 ‘툴’(장비) 중 하나이기 때문에 이를 통해 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 든든한 우군을 확보했다”고 평가했다.

글로벌 반도체 강자들의 행보가 더욱 공격적으로 변하며 총수가 부재중인 삼성전자를 향한 압박이 거세지고 있다. 로이터 등은 26일(현지시간) 인텔이 기술설명회를 열고 2025년까지 삼성과 대만 TSMC를 따라잡기 위해 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 확장하는 내용의 로드맵을 발표했다고 보도했다. 인텔은 이날 세계 최대 통신 칩 제조사 퀄컴과 아마존을 새 고객으로 소개하기도 했다. 인텔은 펫 겔싱어 최고경영자(CEO)가 취임 1개월여만인 지난 3월 파운드리 시장에 재진출하겠다고 선언하며 업계의 지각변동을 예고한 상태다. 이날 겔싱어 CEO는 인텔이 앞으로 4년간 내놓을 첨단기술들을 차례로 소개했다. 인텔은 현재 7나노미터(nm·10억분의 1m)인 미세공정 기술 수준을 4년 안에 2나노로 끌어올리고, 2025년에는 네덜란드의 반도체 장비 업체 ASML과 차세대 극자외선(EUV) 장비인 ‘High NA EUV’를 도입하겠다는 계획도 밝혔다. 인텔은 경쟁사들과의 차별화를 위해 미세공정 명칭도 바꾸기로 했다. 인텔은 최근 파운드리 점유율 3위 기업인 글로벌파운드리 인수설까지 나오며 업계를 긴장시킨 바 있다.‘초미세 전쟁’을 벌이겠다는 인텔의 이날 선전포고와 맞물려 파운드리 1위 기업인 TSMC는 미국, 일본에 이어 독일에까지 공장을 신설하는 계획을 시사했다. 류더인 TSMC 회장은 전날 주주총회에서 “폭스바겐을 비롯한 주요 고객사가 있는 독일에 반도체 공장을 신설하는 문제에 대해 평가 작업을 벌이고 있다”고 밝혔다. TSMC는 지난해말 미국 애리조나주에서 공장 건설에 착수한 데 이어 최근에는 일본에서도 반도체 연구개발(R&D) 센터와 공장을 설립하기 위한 실사를 진행중이다. 여기에 유럽 반도체산업의 중심지로 꼽히는 독일에도 손을 내밀며 사업을 더욱 확대하려는 것이다. 현재 인텔도 독일 바이에른주와 반도체 공장 설립을 협상중이다. 파운드리 점유율 2위로 TSMC를 따라잡아야 하는 삼성전자로서는 경쟁사들의 이같은 행보가 부담일 수밖에 없다. 특히 이날 초미세 공정 경쟁에 나서겠다고 천명한 인텔이 미국 정부의 전폭적 지원을 바탕으로 고객사 확보에 나설 경우 삼성에는 더 큰 위협이 될 수 있다. 삼성전자는 지난 5월 19조원 규모의 미국 파운드리 공장 투자 계획을 발표한 후 현재까지 구체적인 투자지를 확정하지 못하고 있다. 현실적으로 어렵다는 시각이 지배적임에도 삼성의 파운드리 사업 분사설이 또다시 불거진 것도 TSMC와 인텔 사이에 낀 난감한 상황을 우회적으로 보여주는 것이란 해석이 나온다.