삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용하겠다는 구상을 공개했다. 6세대와 7세대인 HBM4·HBM4E에 이어 차세대 제품에도 최선단 파운드리 공정을 도입해 인공지능(AI) 반도체 시장 공략에 속도를 내겠다는 전략이다. 삼성전자는 27일 뉴스룸을 통해 이런 내용을 담은 구자흠 파운드리사업부 기술개발실장(부사장) 인터뷰를 공개했다. 구 부사장은 “HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 말했다. 이어 “HBM5의 베이스 다이는 게이트올어라운드(GAA) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘 관통 전극(TSV)을 구현할 예정”이라고 밝혔다. HBM은 코어 다이와 베이스 다이를 쌓아 패키징하는 제품이다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU) 등 외부 프로세서와 데이터를 빠르게 주고받도록 연결하는 역할을 한다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에 최첨단 파운드리 공정이 적용되면서 HBM의 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. GAA는 전류 제어력과 전력 효율을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했고, 5월 HBM4E 12단 샘플을 출하했다. HBM4와 HBM4E 베이스 다이에는 양산성과 수율이 검증된 4나노 4세대 공정을 적용했다. 구 부사장은 “올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산을 시작할 예정”이라고 말했다. 이어 삼성전자의 HBM 경쟁력에 대해 “설계, 제조, 패키징을 모두 삼성전자가 하는 턴키 솔루션 제품”이라며 양산 제품 완성 시간 단축이 가능하고 비용 관점에서도 유리하다고 했다. 이에 따라 모바일 고객사뿐만 아니라 테슬라와 다수의 AI·고성능컴퓨팅(HPC)·클라우드서비스제공사(CSP) 등 대형 고객사 수주가 잇따르고 있다고 전했다.

인공지능(AI) 반도체 핵심인 고대역폭메모리(HBM)4 베이스 다이 개발에 기여한 삼성전자 엔지니어가 대한민국 엔지니어상을 받았다. HBM4 성능을 좌우하는 4나노 초저전력 공정 기술을 개발한 공로를 인정받은 것이다. 최근 AI 반도체 시장에서 존재감을 키우고 있는 삼성 파운드리의 선단 공정 경쟁력을 보여 주는 사례라는 평가다. 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 최정민 PL(프로젝트 리더)은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반 4나노 초저전력 공정 기술 개발 성과를 인정받아 지난 3월 대한민국 엔지니어상을 수상했다. 삼성전자가 지난 20일 반도체 뉴스룸에 공개한 인터뷰에서 최 PL은 “4나노 초저전력 공정을 선제적으로 도입해 HBM4 베이스 다이 개발과 양산화에 기여해 데이터 처리 성능을 높일 수 있었다”고 말했다. 해당 기술은 세계 최초로 양산된 HBM4 베이스 다이에 적용됐다. HBM4 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 연결하는 핵심 칩으로, 저전력과 고성능을 동시에 구현해야 해 첨단 파운드리 기술력이 요구된다. 

삼성전자가 미국 엔비디아의 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재되는 기업용 SSD(eSSD) 양산에 돌입했다. 고대역폭메모리(HBM)에 이어 eSSD까지 AI 메모리 제품군을 확장하며 AI 인프라 전반에서 영향력을 키우는 모습이다. 삼성전자는 AI 인프라에 최적화된 PCIe 6.0 기반 eSSD ‘PM1763’ 양산을 시작했다고 8일 밝혔다. eSSD는 데이터센터와 서버 환경에 최적화된 저장 장치(스토리지)다. 최근 생성형 AI 확산으로 학습과 추론에 필요한 데이터 규모가 급격히 증가하면서 AI 가속기에 데이터를 안정적이고 신속하게 공급하는 eSSD의 중요성이 커지고 있다. 특히 그래픽처리장치(GPU) 성능뿐 아니라 데이터를 이동·저장하는 메모리와 스토리지 성능이 전체 시스템 효율을 좌우하는 만큼, eSSD는 AI 인프라의 핵심 구성 요소로 자리 잡고 있다. PM1763은 빠른 읽기 속도와 효율적인 데이터 처리가 강점이다. 삼성전자는 이번 제품에 9세대 V낸드와 4나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재해 제품 성능과 전력 효율을 크게 향상시켰다고 설명했다. 이번 제품은 4TB(테라바이트), 8TB, 16TB의 3가지 용량으로 제공되며, 이 가운데 16TB 제품은 업계 최고 성능을 구현한다. 16TB 제품 기준 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 2만 8400MB(메가바이트), 2만 1900MB다. 전작 ‘PM1753’ 대비 약 2배 향상됐으며, 이는 40GB(기가바이트) 크기의 대형 언어 모델(LLM)을 약 1.4초 만에 전송할 수 있는 속도다. 가속기와 프로세서 간 데이터 지연을 최소화해 AI 작업 처리 효율을 획기적으로 높일 수 있다. 아울러 PM1763은 차세대 AI 서버에 적용되는 액체 냉각 환경에 최적화된 제품이다. 또 전작 대비 전력 효율이 1.8배 이상 향상됐다. 업계는 이번 삼성전자의 eSSD 양산이 HBM을 넘어 AI 서버용 저장장치 시장에서도 공급 역량을 입증한 사례로 분석한다. 한편 삼성전자는 오는 22일 영국 런던에서 열리는 ‘갤럭시 언팩 2026’에서 8세대 폴더블폰과 웨어러블 기기 등을 공개한다. 이에 앞서 노태문 완제품(DX) 부문 대표이사 사장은 뉴스룸에 공개한 기고문을 통해 “가장 중요한 AI는 가장 똑똑한 AI가 아니라, 나를 가장 잘 아는 AI”라고 강조했다. 노사장은 이번 언팩에서 더 개인적이고 자연스러운 AI 경험을 공개하겠다고 예고했다.

삼성전자가 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 ‘베라 루빈’에 탑재되는 기업용 SSD(eSSD)를 본격 양산한다. AI 서버가 대규모 AI 모델을 더 빠르게 처리할 수 있도록 돕는 핵심 저장장치로, 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM)에 이어 기업용 SSD까지 AI 메모리 제품군을 확대한다는 전략이다. 삼성전자는 차세대 데이터 전송 규격인 PCIe 6.0 기반 기업용 SSD ‘PM1763’ 양산을 시작했다고 8일 밝혔다. PM1763은 지난 3월 엔비디아 개발자 콘퍼런스(GTC 2026)에서 HBM4, SOCAMM2와 함께 베라 루빈용 AI 메모리 솔루션으로 공개된 제품이다. 기업용 SSD는 AI 서버에서 대량의 데이터를 저장하고 필요할 때 빠르게 불러오는 장치다. 생성형 AI 모델 규모가 커질수록 그래픽처리장치(GPU)의 연산 성능뿐 아니라 데이터를 얼마나 빠르게 공급하느냐도 중요해지면서 AI 데이터센터의 핵심 부품으로 주목받고 있다. PM1763은 9세대 V낸드와 4나노 공정 기반 신규 컨트롤러를 적용해 전작보다 데이터 처리 속도를 약 2배 높였다. 16TB 제품 기준 연속 읽기 속도는 초당 최대 2만 8400MB, 쓰기 속도는 초당 최대 2만 1900MB다. 약 40GB 크기의 대규모언어모델(LLM)을 1.4초 만에 전송할 수 있는 수준으로, AI 학습과 추론 속도를 높일 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 전력 효율도 전작보다 1.8배 이상 개선했다. AI 서버에 확산하는 액체 냉각 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계했으며, 양자컴퓨터 시대에 대비한 포스트 양자 암호(PQC)와 가상화 환경 보안 기술도 적용했다. 삼성전자는 HBM4와 SOCAMM2, PM1763을 앞세워 AI 메모리 포트폴리오를 확대할 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 기업용 SSD 시장에서 점유율 35.1%로 1위를 기록했다. 같은 기간 매출은 70억 5000만 달러(약 10조원)로 전 분기보다 92.8% 증가했다. AI 데이터센터 투자 확대에 따라 기업용 SSD 시장도 빠르게 성장하고 있다. 시장조사업체 옴디아는 글로벌 기업용 SSD 시장이 올해 약 242억 달러(약 36조원)에서 내년 약 1542억 달러(약 226조원) 규모로 성장할 것으로 전망했다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “PM1763은 글로벌 고객사의 차세대 AI 플랫폼 요구사항을 충족하고 제품 검증도 성공적으로 마쳤다”며 “고객사의 AI 모델이 효율적으로 운영될 수 있도록 지원하는 핵심 솔루션이 될 것”이라고 말했다.

단국대학교는 조직재생공학연구원이 당뇨병 만성 상처를 효과적으로 치료할 수 있는 스프레이형 나노자임 하이드로겔을 개발했다고 7일 밝혔다. 당뇨병 만성 상처는 지속적인 염증과 과도한 활성산소(ROS) 때문에 상처가 쉽게 아물지 않는 대표적인 난치성 질환이다. 기존 치료는 상처를 덮어 보호하는 드레싱 중심의 수동적 치료가 대부분으로 근본적인 상처 환경 개선에는 한계가 있었다. 연구팀이 개발한 기술은 상처 부위에 스프레이 형태의 하이드로겔을 분사해 상처 부위의 미세환경을 직접 조절하는 ‘능동형 재생치료’ 전략이다. 연구팀은 약 4나노미터 크기의 초소형 구리 기반 나노자임(Nanozyme)을 친환경 공정으로 합성한 뒤, 이를 고분자 하이드로겔과 결합해 스프레이 형태로 구현했다. 이 치료제는 굴곡진 피부에도 균일하게 밀착해 상처 부위의 과도한 활성산소를 제거할 뿐만 아니라 보관 안정성도 높은 것이 특징이다. 동물실험 결과 산화스트레스 억제, 염증 완화, 재생 촉진 작용이 동시에 나타나며 상처 치유 속도가 획기적으로 앞당겨지는 치료 효과를 검증했다. 연구를 총괄한 김해원 원장은 “나노물질이 세포의 후성유전 조절에 관여해 면역 반응을 바꿀 수 있다는 점을 새롭게 밝힘으로써, 나노의학과 재생의학을 연결하는 새로운 치료 설계 원리를 마련했다”고 설명했다. 연구 논문은 국제 학술지인 ‘네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications, 2024년 IF=15.7 )’에 게재됐다. 논문명은 ‘Sprayable nanozyme hydrogel epigenetically remodels inflammation for diabetic wound regeneration’이다.

수요 폭발로 연말 100억弗 전망도이, 천안 사업장 찾아 경쟁력 점검온디바이스 AI용 UFS 5.0도 개발차세대 메모리 시장 주도권 ‘속도’ 삼성전자의 6세대 고대역폭메모리 HBM4가 업계 최초로 매출 10억 달러(약 1조 5400억원)를 돌파했다. 인공지능(AI) 반도체 시장 확대에 힘입어 연말에는 100억 달러(약 15조 3420억원)를 달성할 것이라는 전망도 나온다. 이재용 삼성전자 회장은 23일 HBM 핵심 생산 거점인 충남 천안사업장을 방문해 생산 현장을 점검했다. 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하한 뒤 130여일 만에 매출 10억 달러를 달성했다. 이번 달 말 기준 누적 매출은 12억 달러(약 1조 8500억원) 이상으로 확대될 전망이다. 업계에서는 HBM4 출시 첫해인 올해 100억 달러 이상의 매출을 기록할 것이라는 관측도 나온다. 이런 성과의 배경에는 AI 인프라 투자 확대에 따른 수요 급증이 깔려 있다. 글로벌 투자은행은 2026년 HBM 시장 규모를 전년 대비 58% 증가한 546억 달러(약 83조 9200억원)로 추산한다. HBM 수요 확대의 한 축은 특정 연산이나 용도에 맞춰 설계한 맞춤형 칩인 주문형 반도체(ASIC)다. 글로벌 빅테크가 자체 AI 칩에 채택하면서 ASIC에 필요한 데이터를 초고속으로 공급하는 HBM 수요를 빠르게 끌어올리고 있다. 삼성전자는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체와 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있다. 증권가에서는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 본다. 김동원 KB증권 연구원은 “브로드컴, 구글, 아마존, 마이크로소프트, 메타 등 ASIC 업체 중심의 다변화된 고객 기반을 확보한 삼성전자의 내년 HBM 출하량이 큰 폭 증가할 것”이라고 말했다. 차세대 AI 메모리 시장에서 가장 먼저 출발선을 끊은 삼성전자는 HBM4 메모리의 베이스 다이에 4나노 선단 공정을 적용하고 있다. 이를 통해 성능과 양산 안정성 측면에서 경쟁 우위를 확보하고 있다는 평가를 받는다. 삼성전자는 HBM4에 이어 7세대인 HBM4E 시장에서도 주도권 선점에 적극 나서고 있다. 지난 5월 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 기술 경쟁력을 재입증했다. 이 회장은 이날 천안사업장 C1·C2 라인을 찾아 사업장 운영 현황과 생산 계획, 기술 개발 진행 상황 등에 대한 설명을 들었다. 이어 방진복을 착용하고 HBM 패키지 생산라인을 둘러보며 생산 및 품질 경쟁력 현황을 살폈다. 천안사업장은 삼성전자 HBM 후공정과 첨단 패키징을 담당하는 핵심 생산 거점이다. 이 회장의 이날 방문은 기술 초격차 성과를 실제 생산 현장에서 점검하고, 향후 사업 확대 전략을 확인하기 위한 ‘현장 경영’의 일환으로 해석된다. 이와 함께 삼성전자는 차세대 스마트폰 등 각종 모바일 기기에서 데이터 장치로 활용할 수 있는 UFS 5.0 메모리를 개발했다고 이날 밝혔다. 업계 최고 성능을 구현하며 별도의 연결 없이 기기 내에서 AI를 구동하는 ‘온디바이스 AI’에 최적화된 모델이다. UFS 5.0은 삼성전자의 첨단 9세대 V낸드(V9) 기반으로 개발됐다. 업계 최고 수준인 10.8GB/s의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현한다. 온디바이스 AI 모바일 기기의 저장장치는 단순히 데이터 저장 공간을 넘어 AI 연산을 뒷받침하는 핵심 인프라로 진화하고 있다. 이에 UFS 5.0은 데이터를 더욱 빠르게 저장·처리할 수 있도록 설계됐다. 또 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선했다. 삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0을 양산할 계획이다. 또 스마트폰뿐 아니라 확장현실(XR) 헤드셋, AI 웨어러블 등에 공급을 확대할 방침이다.

삼성전자가 구글의 차세대 인공지능(AI) 칩 생산 일부를 맡게 될 전망이다. 구글은 10세대 텐서처리장치(TPU)의 핵심 부품 생산을 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에 맡기는 방안을 논의 중이라고 미 정보기술(IT) 전문매체 디인포메이션이 복수 소식통을 인용해 11일(현지시간) 보도했다. 구글은 ‘아이스피시’라는 코드명으로 알려진 이 TPU를 부품별로 TSMC와 삼성전자에 나눠 맡길 방침이다. 연산을 담당하는 메인 프로세서는 TSMC의 1.4나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 통해 생산하고, 삼성전자는 이와 고대역폭메모리(HBM)를 연결하는 핵심 부품인 메모리 입출력 다이(I/O Die)를 2㎚ 공정으로 생산하는 방안이 유력하다. 최신 AI 칩은 방대한 데이터를 끊임없이 처리하기 위해 연산 장치와 메모리 사이의 데이터 소통을 돕는 연결 부품의 역할이 매우 중요하다. 구글이 삼성전자에 이 부품 생산을 위탁하는 데는 세계 1위 메모리 반도체 생산기업인 삼성전자가 HBM을 비롯한 메모리의 특성과 규격을 완벽하게 이해하고 있다는 점도 고려한 것으로 추정된다. 이에 따라 삼성전자 메모리 사업부가 HBM을 공급하고, 파운드리 사업부가 입출력 다이를 찍어낸 뒤 이를 메인 프로세서와 조립하는 첨단 패키징까지 처리하게 될 가능성도 제기된다. 구글은 현재 대만의 반도체 설계기업 미디어텍과 함께 아이스피시 칩을 설계 중이며 2028년 이 칩을 본격 양산할 계획이다.

황 “정부, 기업 자본 접근 지원해야”네이버 ‘각 세종’을 전초기지로 활용하이닉스, 전용 차세대 메모리 공급SKT, 설계·구축·최적화 플랫폼 제공LG, 휴머노이드·물류 로봇 효율 제고 현대차 ‘AI 밸리’ 새만금, 황 투자 의향삼성, 6세대 HBM4·파운드리 협력 SK·네이버 등 국내 주요 기업들이 엔비디아와 함께 인공지능(AI) 특화 데이터센터인 ‘AI 팩토리’ 구축에 본격 나선다. 현대자동차그룹과 LG그룹, 두산그룹 역시 AI 팩토리를 기반으로 확장되는 피지컬 AI 산업 전반에서 엔비디아와 협력을 확대한다. 반도체와 첨단 통신 인프라, 제조 기술이 총망라된 거대한 AI 인프라가 구축되는 셈이다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 8일 서울 중구 신라호텔 영빈관에서 열린 ‘코리아 AI 에코시스템 리셉션’에 참석해 “한국에 잠재적으로 수천억 달러 규모의 비즈니스를 가져왔다. 한국 역사상 가장 큰 규모의 비즈니스”라고 밝혔다. 이어 “SK하이닉스에 가져온 사업은 일반적인 규모가 아니다. 세상이 한 번도 본 적 없는 수준”이라고 했다. 황 CEO는 “한국은 제조업과 중공업, 소프트웨어 등 모든 것을 잘 한다. 이는 매우 독특한 상황”이라며 한국의 강점으로 에너지 인프라, K뷰티와 같은 글로벌 소프트파워 등을 추가로 꼽았다. 그는 “지금이 바로 한국의 시간이며 한국의 기회”라고 거듭 강조한 뒤 “이 새로운 기회는 한국의 문화를 발판 삼아야 하며, 한국 문화는 AI에 완벽하게 부합한다”고 말했다. 이어 한국 정부를 향해서는 “기업들이 자본에 쉽게 접근하도록 정부가 지원하는 것이 매우 중요하다”고 촉구했다. AI 거품론 및 국내 증시 하락 현상에 대해서는 “소음에 불과하다”면서 “한국은 AI의 미래에 투자하기에 너무나 환상적인 곳이며 오히려 할인된 가격에 살 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 황 CEO는 이날 낮에는 국내 주요 기업인들과 잇따라 만나 협력 청사진을 공개했다. 이를 종합하면 엔비디아는 2027년 첫 가동을 목표로 GW(기가와트)급 초대형 AI 팩토리 구축에 나선다. 기존 데이터센터가 범용 컴퓨팅과 데이터 저장 기능에 머물렀다면, AI 팩토리는 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 최적화된 차세대 데이터센터다. 전력과 데이터를 원료로 AI의 핵심 단위인 ‘토큰’을 지속적으로 생산하는 일종의 ‘지능 공장’으로, 엔비디아는 이를 기반으로 글로벌 AI 인프라를 확대할 계획이다. 우선 네이버는 국내 최대 하이퍼스케일 데이터센터인 ‘각 세종’을 AI 팩토리 사업의 전초기지로 활용한다. 네이버는 2027년 55MW(메가와트) 규모 AI 인프라 가동을 시작으로 같은 해 100MW, 2028년 200MW까지 단계적으로 확대할 계획이다. 장기적으로는 1GW 규모 AI 팩토리 구축을 목표로 하고 있다. 네이버는 세계 12개 기업이 참여하는 엔비디아의 개방형 AI 모델 ‘네모트론’ 연합에 국내 기업으로는 처음 합류했다. 황 CEO는 이날 오후 경기 성남시 분당구에 위치한 네이버 제2사옥 ‘1784’를 방문해 이해진 의장 등과 만난 뒤 네이버 스트리밍 플랫폼 ‘치지직’ 특별 라이브에 출연했다. SK텔레콤도 엔비디아 AI 팩토리의 설계·구축·최적화를 아우르는 플랫폼 ‘DSX’를 기반으로 AI 팩토리 구축에 나선다. 양사는 차세대 AI 데이터센터 기술 개발을 위한 공동 연구도 추진한다. SK하이닉스는 엔비디아 AI 팩토리 구축을 위한 차세대 메모리를 공동 개발하고, 반도체 설계 및 제조를 가속화하는 장기 기술 파트너십을 강화하기로 했다. 최태원 SK그룹 회장은 “미래 AI 팩토리를 엔비디아와 함께 만들겠다”고 밝혔다. AI 팩토리와 피지컬 AI 관련 계열사를 두루 갖춘 LG그룹은 엔비디아의 차세대 피지컬 AI 생태계 확장에 핵심 협력 파트너로 부상했다. 황 CEO와 구광모 LG그룹 회장 등이 참석한 가운데 열린 최고경영진회의(TMM)에서는 양사가 차세대 AI 산업 분야에서 전략적 협력을 강화하기로 뜻을 모았다. 특히 엔비디아의 인간형 로봇 추론 모델 ‘아이작 그루트’ 생태계를 기반으로 피지컬 AI 분야 협력을 확대할 계획이다. 이날 현대차그룹 양재 사옥에서 진행된 황 CEO와 정의선 현대차그룹 회장의 회동에서도 미래 모빌리티와 피지컬 AI 분야 협력이 집중적으로 논의됐다. 특히 황 CEO는 AI 산업단지로 개발될 새만금을 한국의 ‘AI 밸리’로 칭하며 정 회장의 새만금 투자 제안에 화답했다. 정 회장은 기자들에게 “(황 CEO와) 조인해서 완벽한 AI와 로보틱스 데이터센터 시스템을 같이 만들어내도록 이야기를 나눴다”고 전했다. 황 CEO는 “정 회장이 한국 ‘AI 밸리’인 새만금에 투자하는 게 어떠냐고 제안했다”면서 “그래서 저는 ‘훌륭한 돼지고기 바베큐(삼겹살)가 있다면 기꺼이 그렇게 하겠다’고 답했다”고 했다. 참여를 긍정적으로 검토하겠다는 의미로 읽힌다. 두산그룹도 에너지와 전자소재, 로보틱스 등 핵심 사업 전반에서 엔비디아와 협력을 확대한다고 밝혔다. 한편 황 CEO는 전영현 삼성전자 부회장과도 비공개로 만나 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 및 파운드리 등 협력 방안을 논의했다. 전 부회장은 “올해부터 시작해서 HBM4와 저전력 메모리 모듈인 소캠(SOCAMM)을 충분히 공급해야 하고 내년부터는 HBM4E(7세대), 파운드리, HBM5(8세대) 등 장기적인 협력도 많은 얘기를 했다”고 전했다. 이어 “4나노(㎚·10억 분의 1m)와 8나노 공정으로 엔비디아 자율주행 칩 생산 (AI 추론 전용) 그록 칩 등을 협력하고 있고, 그 다음 세대의 협력도 같이 논의하고 있다”고 덧붙였다.

삼성 반도체 사업을 이끄는 전영현 삼성전자 대표이사 겸 DS(디바이스솔루션) 부문장(부회장)이 8일 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 회동한 후 7·8세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E와 HBM5의 공급을 논의했다고 밝혔다. 전 부회장은 이날 서울 중구 신라호텔에서 황 CEO 및 엔비디아 주요 경영진과 만난 후 엔비디아와의 협력 논의에 대한 기자들의 질문에 “황 CEO와 오랫동안 같이 협력해왔는데 오늘 가장 좋은 얘기를 나눈 것 같다”고 말했다. 양사는 단기적으로 HBM4 공급과 파운드리 협력 방안을 집중적으로 논의했다. 그는 “단기적으로는 HBM4라든지 파운드리 협력을 어떻게 할 것인지 이야기를 나눴다”며 “중장기적으로는 서로 협력해 공동 개발을 추진하는 방안도 논의했다”고 밝혔다. 이어 “올해부터 HBM4와 소캠(SOCAMM)을 충분히 공급해야 한다”며 “내년부터는 HBM4E와 HBM5 등 장기 협력 방향에 대해서도 많은 이야기를 나눴다”고 설명했다. 파운드리 분야 협력 확대 가능성도 언급했다. 전 부회장은 “현재 삼성전자가 4나노와 8나노 공정에서 엔비디아 관련 칩을 생산하고 있다”며 “다음 세대 협력 방안도 함께 논의하고 있다”고 전했다. 이날 회동에는 황 CEO의 장녀인 매디슨 황 엔비디아 수석이사와 제프 피셔 엔비디아 수석부사장 등이 함께한 것으로 전해졌다. 삼성전자에서는 전 부회장을 포함해 김재준 메모리사업부 부사장 등이 동석했다. 삼성전자는 본격 양산에 돌입한 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈’에 업계 최고 수준인 11.7Gbps(초당 기가비트) 이상의 성능을 구현한 HBM4(6세대)를 공급하고 있다. 베라 중앙처리장치(CPU)에는 LPDDR5X 기반 SOCAMM(소캠)2, 스토리지 영역에서는 PCIe Gen6(6세대) 기반 PM1763 등을 공급 중이다. 최근에는 세계 최초로 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 마치고 엔비디아에 샘플을 공급했다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합해 핀당 14Gbps로 동작하며 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현하는 데 성공했다. 전 부회장은 곧바로 이어진 엔비디아의 ‘코리아 AI 에코시스템(생태계)’ 간담회에도 참석했다. 이 자리에는 한진만 파운드리사업부장 사장, 김용관 DS부문 경영전략총괄 사장, 송용호 DS부문 AI센터장도 참석한 것으로 전해졌다.

중국 브랜드 자동차가 국내 수입차 시장에서 사상 처음으로 일본을 누르고 국가별 판매 3위에 올랐다. 가성비뿐 아니라, 독자적인 소프트웨어 기술력과 상품성으로 국내 소비자들의 견고한 선입견까지 무너뜨리고 있다는 분석이 나온다. 1일 한국수입자동차협회(KAIDA)에 따르면 지난달 수입차 시장에서 국가별 신차 등록 대수는 유럽(1만 6385대), 미국(1만 3611대)에 이어 중국이 2023대를 기록하며 4위 일본(1974대)을 제쳤다. 시장 점유율에서도 중국(6.0%)이 일본(5.8%)을 근소한 차이로 앞질렀다. 특히 렉서스(1079대), 도요타(829대), 혼다(66대) 등 일본 완성차 진영의 합산 판매량(1974대)을 중국 전기차 업체인 BYD 단일 브랜드(2023대)가 넘어섰다. 브랜드별 등록 순위도 미국 테슬라(1만 3190대), 독일 BMW(6658대), 메르세데스 벤츠(4796대)에 이어 BYD가 4위에 안착했다. 그동안 국내 자동차 시장에서는 중국차의 약진을 두고 “국내 거주 외국인(조선족 등) 위주의 소비일 뿐”이라거나 “카셰어링·법인 업무용 밀어내기 물량”이라는 폄하가 있었지만 이는 사실과 달랐다. BYD코리아에 따르면 지난해부터 올해 3월까지 국내 BYD 개인 구매자 중 내국인(한국인)의 비율은 98%(7810명), 외국인 구매자는 2%(160명)에 불과했다. BYD의 순수 개인 구매 비중은 79.1%(7970대)로 법인 비중(20.9%)을 압도했다. 이는 국내 전체 수입차 시장의 평균적인 개인 구매 비율(65%)보다 높은 수치다. BYD 관계자는 “실제 차량을 경험한 운전자들 사이에서 주행 감각과 상품성에 대한 긍정적인 평가가 확산한 결과”라며 “40~50대 소비자들이 실리를 추구하며 구매 의욕을 보이고 있다”고 설명했다. 실제 고유가 흐름 속에서 중국 전기차는 소프트웨어중심차량(SDV)으로서의 경쟁력을 전면에 내세워 돌파구를 마련했다. 최근 BYD는 중국 현지에서 자체 개발한 4나노급 차량용 자율주행 칩 ‘쉬안지 A3’를 공개하고 대규모 양산에 돌입했다. 시내 자율주행 중 사고가 발생하면 제조사가 전액 보상하겠다는 파격적인 선언을 할 만큼 기술적 자신감을 드러냈다. 비록 국내 규제 체계와 기준 문제로 해당 기능이 국내 출시 모델에 즉각 도입되지는 못했으나, 중국차의 기술 수준이 이미 수입차 시장의 새로운 기준을 제시하고 있다는 인식을 심어주기엔 충분했다. 여기에 지리자동차그룹의 프리미엄 전기차 브랜드 ‘지커’ 등 또 다른 중국 완성차 기업들이 올해 국내 프리미엄 전기차 시장 진출을 공언하며 공세를 가속화하고 있다. 지커는 최근 서울 강남구 영동대로에 초대형 전시장을 열었다. 조철 산업연구원 선임연구위원은 “현재 국내 수입차 시장은 내연기관에서 전기차 시장으로 급격히 재편되는 과도기에 있는데, 세계 최고 수준의 제조 인프라를 가진 중국 브랜드가 치고 나오는 것은 필연적인 흐름”이라며 “앞으로도 국내 시장에서 중국 브랜드 차량이 더 많이 팔릴 가능성이 있다”고 전망했다.

삼성전자가 글로벌 차량용 메모리 반도체 시장에서 처음으로 미국 마이크론을 제치고 점유율 1위에 올랐다. 또 인공지능(AI) 핵심 부품인 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장에서도 세계 최초로 7세대 HBM4E 샘플 출하하며 주도권 확보에 속도를 내고 있다. 파업 위기를 넘긴 삼성전자가 AI·자동차 메모리 양대 시장에서 반격에 나서는 모습이다. 31일 스탠더드앤드푸어스(S＆P) 글로벌 모빌리티에 따르면 삼성전자의 차량용 메모리 시장 점유율은 2024년 35%에서 지난해 40%로 상승하며 처음으로 1위를 기록했다. 기존 1위였던 마이크론은 점유율이 같은 기간 40%에서 36%로 하락해 2위로 밀려났다. 삼성전자는 유럽·한국·일본 등은 물론, 세계 최대 전기차 시장인 중국에서 점유율을 크게 확대한 것으로 보인다. 자율주행 기술 확산과 차량용 인포테인먼트(IVI) 시스템의 고도화로 고성능·고용량 메모리 수요가 급증한 가운데, 삼성전자의 저전력 D램(LPDDR)과 유니버설 플래시 스토리지(UFS) 제품이 경쟁력을 인정받은 결과다. 한국자동차연구원에 따르면 자율주행, 소프트웨어 중심 자동차(SDV)의 발전 및 확산으로 차량용 메모리 시장 규모는 지난해 73억 9000만 달러에서 연평균 11.1% 성장해 2030년 125억 달러로 커질 전망이다. 차량용 메모리는 모바일·가전 메모리보다 단가가 높고 장기 공급계약이 일반적이어서 산업 하강기에도 안정적인 수익원이 될 수 있다. 삼성전자는 2015년에 차량용 반도체 시장에 본격 진출한 뒤 SSD와 그래픽 D램(GDDR) 등을 양산차에 확대 적용하며 프리미엄 시장을 공략해왔다. 이와 별도로 삼성전자는 올해 2월 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리인 HBM4 양산에 성공한 데 이어 불과 3개월 만에 차세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 지난 29일 밝혔다. HBM4E는 핀당 최대 16기가비트(Gbps)의 속도를 지원하며 전작인 HBM4 대비 속도를 20% 이상 높였다. 용량도 48기가바이트(GB)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 또 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 이는 차세대 AI 시스템의 데이터 처리 성능을 크게 높일 것으로 보인다. 특히 삼성전자는 HBM4E를 통해 수직계열화 구조를 선보였다. 삼성전자는 메모리사업부의 10나노급 6세대(1c) D램과 파운드리의 4나노 베이스 다이, 시스템LSI 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등을 결합해 HBM4E를 개발했다. 소위 ‘원스톱 턴키 솔루션’이다. 업계에서는 HBM4 세대부터 고객 맞춤형 설계와 안정적인 공급 역량이 중요해지는 만큼 통합 생산 체계가 경쟁력을 높일 것으로 보고 있다. 특히 HBM3E 세대에서 경쟁사에 밀렸던 삼성전자가 HBM4 세계 최초 양산과 HBM4E 세계 최초 샘플 출하를 잇달아 달성하며 기술 리더십 회복에 나섰다는 점에서 의미가 크다. 특히 삼성전자가 최근 미국 AI 기업 앤트로픽에 조단위의 지분 투자를 단행한 것으로 전해지면서 적자인 파운드리 사업부의 반등 가능성도 부상했다. 앤트로픽은 최근 진행한 시리즈H 투자 라운드에서 650억 달러(약 98조원)를 유치했다고 지난 28일 밝혔는데, 투자 참여 기업 중 첨단 파운드리 사업을 보유한 곳은 삼성전자가 사실상 유일하다.

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다. 이날 삼성전자는 보통주와 우선주(삼성전자우)의 합산 시가총액에서 사상 처음으로 2000조원을 넘겼다. 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일 대비 5.84% 상승한 31만 7000원에 거래를 마쳤다. 시가총액은 1853조 2703억원이다. 우선주는 6.08% 오른 20만 2500원으로 시총은 162조 4802억원이다. 합산 시총은 2015조 7505억원으로 2000조원을 훌쩍 넘어섰다. 지난 1월 합산 시총 1000조원을 돌파한 지 4개월 만에 시가총액이 두 배로 늘어난 것이다. 우선주를 포함한 단일 기업의 시총이 2000조원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. 미국의 시총 조사 사이트 컴퍼니즈마켓캡닷컴에 따르면 삼성전자의 전 세계 기업 시총 순위는 11위로, 페이스북·인스타그램 운영사 메타를 바짝 뒤쫓고 있다.

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다.

중국이 반도체 자급자족을 국가적 과제로 추진하는 가운데, 화웨이가 기존 산업계 통념을 뒤엎는 ‘타우(τ)의 법칙’을 제시하자 베이징대는 이를 뒷받침할 설계 소프트웨어 기술 진전을 이뤄냈다. 화웨이는 지난 25일 기존의 ‘무어의 법칙’을 대체할 새로운 개념으로 ‘타우의 법칙’을 제시했다. ‘타우’는 회로 내에서 신호가 안정화되는 데 걸리는 시간을 가리킨다. 무어의 법칙은 반도체 집적도가 약 1~2년마다 두 배씩 증가한다는 이론이지만, 화웨이는 미세공정 경쟁 대신 신호 최적화를 통해 성능을 끌어올리는 새로운 반도체 개발 패러다임을 강조했다. 이는 미국이 첨단 노광장비의 중국 수출을 제한한 상황에서 나온 중국 측의 돌파구로 평가된다. 노광장비는 반도체 칩의 미세 회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 새겨 넣는 핵심 장비다. 베이징대는 27일 마이크로칩 설계 소프트웨어인 전자설계자동화(EDA)에서 획기적인 진전을 이뤘다고 밝혔다. 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 이날 화웨이가 오는 2031년까지 1.4나노미터 공정 칩 생산을 추진하는 과정에서 베이징대의 EDA 소프트웨어가 지원할 것으로 전망했다. 기존에는 노광장비 없이 3나노미터 이하 칩 생산이 불가능하다고 여겨졌는데 화웨이는 반도체 크기를 줄이는 대신 속도에 초점을 맞췄다. 저항을 줄이고 내부 배선을 더욱 긴밀하게 하여 칩을 통과하는 전기 신호의 전달 속도를 끌어올리는 방식으로 개선한 것이다. ‘타우의 법칙’을 발표한 허팅보 화웨이 반도체 사업부 사장은 “‘타우의 법칙’을 구현하면 더 이상 노광장비가 필요하지 않을 것”이라고 밝혔다. 칩의 속도 개선을 위해서는 엔지니어들이 설계도를 그릴 수 있는 새로운 종류의 EDA 소프트웨어가 필요했는데 베이징대의 혁신이 다층 칩의 수직 구조를 최적화할 전망이다. 베이징대는 새로운 EDA는 칩 내부의 총 배선 길이를 30% 줄였을 뿐만 아니라 성능과 열 관리 측면에서도 향상된 결과를 보였다고 밝혔다. 미국은 지난해 EDA 소프트웨어에도 판매 제한 조치를 부과했으나 중국의 자급자족 추진에 수출 금지를 풀었다. 중국 공산당 기관지 인민일보는 화웨이의 ‘타우 법칙’을 두고 공산당 혁명 당시 마오쩌둥 주석의 대장정에 빗대 ‘용감한 장정’이라고 평가했다. 화웨이의 획기적인 진전은 도널드 트럼프 미국 대통령이 대중 수출 금지를 풀어줬음에도 H200칩을 중국에 판매하는 데 어려움을 겪는 엔비디아에 타격이 될 전망이다. 트럼프 행정부는 국가 안보를 위협한다는 일부 우려에도 엔비디아 칩을 중국 10개 회사가 구매할 수 있도록 했지만, 중국 당국은 자국산 칩을 권장하며 엔비디아 칩 수입을 허용하지 않았다. 화웨이가 기존 60년간 반도체 업계를 지배해온 통념을 깨고 새로운 해법을 제시하면서, 앞으로 글로벌 반도체 기업들 역시 이 같은 접근 방식을 고민할 수밖에 없을 것이란 분석이 나온다. 이병철 전 삼성전자 부사장은 “첨단 노광장비를 사용하더라도 칩을 계속 미세화하는 데에는 물리적 한계가 있다”며 “중국이 방대한 엔지니어 풀을 투입하면 타우의 법칙을 구현하는 길을 찾을 수 있을 것으로 생각된다”고 밝혔다. 그는 이어 “AI 시대에는 반도체 성능을 높이는 방식이 트랜지스터를 집적하는 ‘무어의 법칙’에서 벗어나 전력 효율과 데이터 전송 최적화 중심으로 바뀌고 있다”며 “화웨이의 ‘타우의 법칙’도 이런 흐름 속에서 등장한 개념”이라고 설명했다.

AI가속기 1·2위에 모두 공급GPU 넘어 메모리 협력 강화AI 반도체 시장 주도권 속도수, 오늘 하정우 수석과 회동 이재용 삼성전자 회장이 18일 방한한 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)와 만나 인공지능(AI) 반도체 협력 강화에 뜻을 모았다. 전날 젠슨 황 엔비디아 CEO도 그록3 언어처리장치(LPU)를 삼성전자가 생산 중이라고 공개한 바 있다. 삼성전자가 글로벌 AI 가속기 시장의 1위인 엔비디아와 2위인 AMD 모두와 손을 잡으며 AI 반도체 시장의 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다. 수 CEO는 이날 이 회장과 서울 용산구 한남동에 있는 승지원에서 만찬 회동을 갖고 차세대 반도체 협력 방안을 논의했다. 이 회장은 먼저 만찬 장소에 도착해 수 CEO를 맞을 준비를 했다. 이 자리에는 전영현 DS부문장(부회장), 한진만 파운드리 사업부장(사장), 송재혁 최고기술책임자(CTO) 등 반도체 사업을 담당하는 핵심 경영진이 동석했다. 승지원은 고 이병철 창업 회장의 거처를 개조한 곳으로 이 회장은 국내외 귀빈을 만날 때 영빈관으로 사용하고 있다. 수 CEO는 만찬 전에는 삼성전자 평택캠퍼스를 방문해 차세대 AI 메모리와 컴퓨팅 기술 분야에서 협력을 확대하는 업무협약(MOU)을 체결했다. 전 부문장은 “삼성과 AMD는 AI 컴퓨팅 발전이라는 공통된 목표를 공유하고 있으며, 이번 협약으로 양사 협력 범위가 확대될 것”이라고 말했다. 이에 수 CEO는 “삼성의 첨단 메모리 기술 리더십과 AMD의 인스팅트 그래픽처리장치(GPU), 에픽 중앙처리장치(EPYC CPU), 랙 스케일 플랫폼을 결합하게 돼 매우 기쁘다”고 화답했다. 업계에서는 2007년 삼성전자의 D램이 AMD 그래픽 카드에 탑재되며 시작돼 20년간 이어진 양사의 협력이 AI 반도체 생태계 전반으로 확장됐다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 AMD AI 가속기에 탑재되는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 우선 공급업체로 지정됐다. 이에 따라 삼성전자는 AMD의 데이터센터용 AI 연산 가속기 ‘인스팅트 MI455X’ GPU에 HBM4를 본격 탑재할 계획이다. AMD가 공식적으로 삼성전자를 자사의 HBM 우선 공급자로 선정한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 1c D램, 4나노 베이스다이 기술 기반 HBM4를 양산 출하했다. 이번 공급을 계기로 AMD와의 파트너십은 한층 강화되고 HBM 시장 주도권도 더욱 공고해질 전망이다. 삼성전자는 지난해부터 AMD의 AI 가속기에 HBM3E를 공급하고 있다. 양사의 협력은 AI 반도체 산업 발전과 함께 메모리 기술과 연산 칩 설계 간 통합이 중요해지고 있는 흐름을 보여 주는 사례로 꼽힌다. AI 가속기 성능이 높아질수록 GPU와 HBM 간 설계 최적화가 중요해지면서 메모리 업체와 GPU 설계 기업 간 협력도 더욱 긴밀해지고 있다. 앞으로 AMD의 AI 가속기 설계와 삼성의 메모리·파운드리 기술 간 시너지도 확대될 것으로 관측된다. 삼성전자와 AMD는 AI 데이터센터 랙 단위 데이터센터 플랫폼 헬리오스(Helios)와 6세대 차세대 데이터센터 서버용 CPU의 성능을 극대화하기 위해 고성능 DDR5 메모리 솔루션 분야에서도 협력하기로 했다. 또 팹리스(반도체 설계기업)인 AMD의 차세대 제품을 위탁 생산하는 파운드리 협력에 대해서도 논의해 나가기로 했다. 업계에서는 이번 협력이 삼성전자의 ‘아픈 손가락’으로 꼽혀 온 파운드리 경쟁력을 회복하는 계기가 될 수 있다는 기대가 나온다. 삼성전자는 메모리, 파운드리(반도체 위탁생산), 패키징까지 ‘원스톱 솔루션’이 가능하다는 점을 강조하며 글로벌 빅테크 기업과의 협력 확대에 나서고 있다. 한편 한국을 처음 찾은 수 CEO는 19일에는 하정우 청와대 AI미래기획수석과 만나 정부의 AI 고속도로 구축 등 AI 생태계 전반에 대해 의견을 나누고 협력 방안을 논의한다. 이 자리에는 임문영 국가인공지능전략위원회 부위원장도 참석한다. 같은 날 노태문 삼성전자 대표이사 겸 DX부문장, AI 스타트업 업스테이지의 김성훈 대표와도 회동하며 ‘광폭 행보’를 이어 간다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 새너제이 SAP 센터에서 열린 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스(GTC 2026) 기조연설에서 “2027년 엔비디아가 맞이할 인공지능(AI) 칩 매출 기회가 1조 달러(약 1500조원)에 달할 것”이라고 선언했다. 지난 GTC에서 제시한 전망치보다 2배 커진 숫자에 현장에서는 환호성이 나왔다. 엔비디아는 이 새로운 전환을 현실화할 전략적 우군으로 삼성전자를 지목했다. 추론 특화 LPU ‘그록3’ 공개AI슈퍼컴퓨터 ‘베라 루빈’에 통합언어 추론 시간 줄여 효율 극대화그록 칩 80% ‘삼성 S램’으로 채워황 CEO는 최근 시장에서 제기된 ‘AI 버블’과 ‘빅테크의 자체 칩 개발’이라는 의구심을 정면 돌파했다. 황 CEO는 자신을 ‘토큰 킹’이라 부르며, AI 답변 생성 단위인 ‘토큰’을 ‘새로운 시대의 원자재’로 정의한 뒤 “엔비디아 시스템의 토큰당 생성 비용은 세계에서 가장 저렴하다”고 강조했다. 빅테크들이 막대한 고정비를 들여 직접 칩을 설계하는 것보다 엔비디아 생태계 안에서 토큰을 생산하는 것이 경제적이라는 의미다. 엔비디아는 이날 빠른 추론에 특화된 전용 칩인 언어처리장치(LPU) ‘그록3’를 공개하고, 이를 차세대 AI 슈퍼컴퓨터 ‘베라 루빈’에 통합한다고 밝혔다. 기존의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)는 대규모 데이터 처리에 강하고 새로운 LPU는 언어 추론의 지연 시간을 줄인다. 이 둘을 함께 쓰면 성능과 효율을 모두 높일 수 있다는 의미다. 이 중 엔비디아식 고효율 비용 파괴를 실현할 그록3는 삼성전자가 평택 공장에서 위탁 생산하고 있다. 삼성이 제조한 그록 칩은 내부의 80%가 S램(SRAM)으로 채워져 전력당 토큰 처리량을 35배 높이는 ‘괴물 같은 성능’을 자랑한다. 황 CEO는 이날 기조연설 중 “삼성이 우리를 위해 칩을 제조해줘 정말 감사하다”고 이례적인 감사를 표했다. 해당 제품은 올해 3분기 말에서 4분기 초 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자는 메모리와 파운드리를 하나로 묶는 독보적인 ‘종합 반도체 업체’(IDM)의 면모를 보이며 화답했다. 삼성은 GTC 전시장에서 메모리업체 중 유일하게 차세대 GPU인 ‘베라 루빈’ 플랫폼에 HBM4, 저전력 메모리(SOCAMM2), 초고속 SSD가 모두 탑재된 실물 서버를 공개했다. 베라 루빈은 단일 칩을 넘어 CPU, GPU, 네트워크, 보안, 메모리를 시스템으로 통합한 아키텍처다. 삼성전자 독보적 종합 반도체 업체HBM4 등 탑재된 실물 서버 공개2나노 도입 계획… 기술 초격차 자신“성능 최적화 위해 선단 공정 불가피”황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 현장에서 “올해 HBM 생산량을 작년보다 3배 이상 늘리고 이 중 절반 이상을 6세대 HBM4로 채우겠다”며 프리미엄 시장 주도권을 확보하겠다는 뜻을 보였다. 차세대 로드맵도 구체화했다. 삼성은 현재 양산 중인 6세대 HBM4와 7세대 HBM4E 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)에 4나노 공정을 적용하고, 8세대 HBM5부터는 삼성 파운드리의 2나노 선단 공정을 전격 도입한다. 황 부사장은 “성능 최적화를 위해 선단 공정 활용은 불가피하다”며 기술 초격차에 대한 자신감을 드러냈다. 기조연설 직후 삼성전자 전시장을 찾은 황 CEO는 HBM4 코어다이에 ‘어메이징(Amazing) HBM4!’, 평택산 그록 웨이퍼에는 ‘그록 슈퍼 패스트’(Groq Super Fast)라고 서명하며 기술력을 공인했다. 이튿날인 18일에는 리사 수 AMD CEO도 삼성 평택캠퍼스를 방문해 파운드리 협력 확대를 논의할 예정이다. 엔비디아와 AMD라는 반도체 양강이 동시에 삼성에 손을 내미는 셈이다. 젠슨 황 “어메이징 HBM4”평택산 웨이퍼에 ‘슈퍼 패스트’ 서명AMD CEO도 오늘 평택공장 방문반도체 2강, 삼성전자에 손 내밀어이날 엔비디아는 삼성전자가 생산하는 그록 LPU를 포함한 차세대 로드맵을 발표했다. 황 CEO는 차세대 GPU인 ‘루빈’ 아키텍처를 기반으로 144개의 GPU를 연결하는 ‘루빈 울트라’ 시스템을 공개했다. 여기에 에이전트 AI 연산을 지휘할 차세대 CPU ‘로자’, 그리고 루빈의 뒤를 이을 차차세대 GPU ‘파인만’을 차례로 발표했다. 특히 소프트웨어 플랫폼 ‘네모클로’를 소개하며 AI가 스스로 작업을 수행하는 ‘에이전트’ 개발 생태계까지 엔비디아 내에 구축하겠다는 야심을 드러냈다. 연설 말미에는 지상 너머 우주 데이터센터인 ‘베라 루빈 스페이스 원’을 깜짝 공개하며 우주에서도 가속 컴퓨팅이 가동되는 시대를 예고했다.

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4를 양산 및 출하했다고 12일 밝혔다. 최대 데이터 전송 속도는 13Gbps로 기존의 HBM3E와 비교해 22% 빨라졌고, 데이터 출입구를 1024개에서 2048개로 늘리면서 전송 데이터의 양도 급격히 늘었다. 반도체업계에서는 AI 그래픽저장장치(GPU)의 메모리 병목을 획기적으로 줄일 ‘게임체인저’로 평가했다. 삼성전자는 올해 하반기와 내년에 연이어 차기 HBM도 내놓으며 관련 기술을 선도하겠다는 구상이다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 이날 “기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램(10나노급 6세대) 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다. 삼성전자는 이번 설 연휴 직후 양산 출하를 계획했으나 고객사와 협의를 거쳐 일정을 일주일가량 앞당긴 것으로 알려졌다. HBM4는 엔비디아가 다음달 공개할 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재돼 GPU의 고등 연산을 지원할 전망이다. HBM은 D램 메모리를 여러 층으로 쌓아 연산에 필요한 메모리 자원을 크게 늘린 반도체 소자다. 적층된 메모리를 밑에서 받치고 있는 하단의 베이스다이에는 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 JEDEC(국제 산업 표준 기구)의 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치다. 삼성전자 관계자는 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것”이라고 말했다. 또 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 이는 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다. 또 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 전력 소모와 열 집중 문제 해결에도 총력을 쏟았다. HBM은 컨트롤러 역할을 하는 베이스 다이와 D램을 수직으로 적층한 코어 다이로 구성된다. HBM4는 메모리와 GPU 사이에서 데이터를 주고받는 출입구인 데이터 전송 I/O 핀 수를 1024개에서 2048개로 확대했고 이에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또 하나의 차별화된 지점은 ‘원스톱 솔루션’ 제공이다. 삼성전자는 세계에서 유일하게 로직, 메모리, 파운드리, 패키징까지 아우르는 반도체 회사다. 회사는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 내다봤다. 또 HBM4에 이어 HBM4E도 준비해 올해 하반기에 샘플을 출하할 계획이다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다. 삼성전자는 또 AI 반도체 종류에 따라 메모리도 맞춤 설계해 성능을 극대화하는 커스텀(맞춤형) HBM도 내년부터 샘플을 출하한다. 엔비디아 GPU에 이어 구글 ‘텐서처리장치’(TPU), 마이크로소프트(MS) ‘마이아’ 등 빅테크들의 AI 반도체 자체 개발 경쟁이 격화하는 가운데 각각에 최적화한 HBM 설계 수요를 충족하겠다는 구상이다. 삼성전자가 세계 최초 HBM4 양산 및 출하로 포문을 연 데 대해 경쟁자인 SK하이닉스와 미국 마이크론은 자신만의 전략에 집중하는 분위기다. SK하이닉스 관계자는 “고객이 요청한 (HBM4) 물량을 차질 없이 양산 중이며, 현재 최적화를 진행하고 있다”고 밝혔다. 최대 고객사인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞춰 제품 완성도를 극대화하겠다는 ‘실리 전략’으로 읽힌다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 엔비디아 HBM4 물량의 3분의2 이상을 확보한 것으로 알려졌다. 미국 마이크론 역시 HBM4 경쟁에서 밀려났다는 루머를 정면으로 반박하고 나섰다. 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 11일(현지시간) 콘퍼런스에서 ‘엔비디아 공급망 탈락설’을 일축하며 “올해 HBM 공급 물량은 이미 완판됐으며 수율 또한 계획대로”라고 말했다. 이에 따라 메모리 공급 부족 국면에서 한국·미국 반도체 기업들의 수주 경쟁은 한층 격화될 전망이다.

삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM4’의 세계 최초 양산 출하가 임박했다. 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 차세대 주력 모델로 꼽히는 HBM4를 앞세워 기술 경쟁력을 회복하고 메모리 시장의 주도권을 쥘 수 있을지 관심이 집중된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 이르면 설 연휴 직후인 이달 셋째 주로 확정한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “지난달 기업설명회에서 2월 중 HBM4 제품 양산 출하가 예정돼 있다고 발표했는데, 그 시점이 임박해 공식화할 수 있는 단계에 이르렀다”고 말했다. 삼성전자는 이미 엔비디아의 품질 테스트를 통과해 구매주문(PO)을 확보했으며, HBM4가 적용되는 AI 가속기 ‘베라 루빈’의 출시 일정 등을 고려해 출하 시기를 결정한 것으로 알려졌다. 고객사 완제품 테스트를 위한 HBM4 샘플 물량도 이번 PO를 통해 대폭 늘어난 것으로 전해진다. 엔비디아는 다음 달 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 HBM4를 적용한 베라 루빈을 처음 공개할 것으로 관측된다. 차세대 HBM4의 양산 출하는 이번이 세계 최초다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)의 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 정했다. 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 데이터 처리 속도는 최대 11.7Gbps로, JEDEC 표준(8Gbps) 및 현재 주력인 HBM3E(9.6Gbps)를 웃돈다. 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭은 최대 3TB/s로 전작 대비 2.4배 향상됐고, 12단 적층으로 최대 36GB 용량을 제공한다. 한편 삼성전자는 지난해 미국에서 전 세계 기업 중 가장 많은 특허를 취득해 4년 연속 1위를 기록했다. 미국 특허정보 업체 IFI 클레임스가 최근 발간한 보고서에 따르면 지난해 미국에서 등록된 특허는 32만 3272건으로, 이 중 삼성전자가 7054건의 특허를 확보해 전체 등록 특허의 2% 이상을 차지했다.

D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

삼성전자가 국내 기업 사상 처음으로 ‘분기 영업이익 20조원’ 시대를 열었다. 삼성전자의 역대 최대 분기 실적은 물론 한국 기업 중 사상 첫 기록이다. 글로벌 인공지능(AI) 패권 경쟁이 메모리 반도체 수요를 키우면서 촉발된 ‘메모리 슈퍼사이클’을 타고 올해 영업이익이 100조원을 돌파할 거라는 기대도 나온다. 삼성전자는 8일 잠정 실적 공시를 통해 2025년 4분기 연결 기준 매출 93조원, 영업이익 20조원을 기록했다고 밝혔다. 매출과 영업이익 모두 창사 이래 최고치다. 영업이익은 전년 동기 대비 208.2%, 전 분기 대비 64.3% 증가했다. 지난해 연간 누적 매출 역시 332조 7700억원으로 사상 최대 기록을 새로 썼다. 이번 ‘어닝 서프라이즈’는 단순한 업황 수혜를 넘어 삼성의 비즈니스 모델이 ‘범용 칩 공급’에서 ‘AI 플랫폼 파트너’로 진화하고 있음을 시사한다. 실제 삼성전자는 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 본격 공급하기 시작한 데 이어 최근 북미 빅테크 기업들로부터 차세대 HBM4와 AI 가속기용 맞춤형 칩을 잇달아 수주하며 실적의 질적 변화를 이끌어 냈다. 과거의 실적이 수요에 따른 가격 변동에 의존했다면 이제는 고객사와 긴밀히 연계된 ‘수주형 비즈니스’가 20조원 시대를 견인하는 핵심 동력이 된 셈이다. 재계에서는 이재용 회장의 글로벌 네트워크 경영과 전영현 부회장의 ‘기술 쇄신’ 전략이 시너지를 낸 결과로 보고 있다. 이 회장은 직접 엔비디아, 테슬라, 애플 등 빅테크 수장들과 연쇄 회동하며 맞춤형 HBM과 파운드리 수주를 주도했고 전 부회장은 제조 현장의 근원적 경쟁력을 복원하며 ‘기술 초격차’ 본능을 깨웠다. 이번 실적의 질적 성장을 뒷받침하는 핵심 병기로는 본격 양산 궤도에 진입한 6세대 HBM4가 꼽힌다. 삼성은 메모리(1c 나노)와 파운드리(4나노 로직 공정) 역량을 결합한 단일 아키텍처를 선보이며 AI 데이터센터의 최대 난제인 발열과 에너지 효율 개선에 주력했다. 당초 예상을 앞당겨 올해 초부터 공급 물량을 확대하기 시작하면서, 기획 단계부터 고객사 맞춤형으로 칩을 만드는 ‘수주형 플랫폼 비즈니스’로의 체질 개선에도 탄력이 붙고 있다는 분석이다. 압도적인 제조 효율은 수익성 개선의 일등 공신이다. 지난해 하반기 1c 나노 D램 수율이 양산 안정권인 80% 수준에 근접했다는 평가 속에 삼성은 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보한 것으로 보인다. 여기에 범용 D램 가격이 2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 넘어 9.3달러까지 치솟으면서, 생산 원가 절감과 제품 가격 상승이 맞물린 강력한 이익 구조가 형성됐다. 실제 이날 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 지난해 4분기 D램 시장에서 192억 달러(약 26조원)의 매출을 기록하며 1년 만에 글로벌 점유율 1위 자리를 탈환한 것으로 나타났다. 그간 전체 실적의 발목을 잡았던 비메모리 부문의 약진도 주목할 대목이다. 증권업계에서는 파운드리와 시스템LSI 부문의 지난해 4분기 적자폭이 8000억원 미만으로 줄어들며 흑자 전환의 기틀을 마련했을 것으로 관측한다. 메모리 사업에서 거둔 수익을 파운드리 시설에 투자하고, 여기서 확보한 최첨단 공정 기술로 다시 고성능 맞춤형 칩 수주를 끌어오는 삼성만의 ‘통합 제조 경쟁력’이 실질적인 성과로 나타나고 있다는 분석이다. 실제 파운드리는 테슬라와의 자율주행 칩 협력을 공고히 하는 한편 구글·메타·AMD 등 빅테크 기업들과의 차세대 AI 칩 수주 전선에서도 유의미한 진전을 보이고 있다. 여기에 퀄컴이 차세대 모바일 프로세서 생산 일부를 삼성 2나노 공정에 맡길 가능성까지 제기되면서 특정 고객사에 의존하지 않는 ‘수주 다변화’에 대한 기대감도 어느 때보다 커지는 분위기다. 삼성이 열어젖힌 ‘분기 20조원’ 시대는 마이크론과 SK하이닉스를 포함한 글로벌 반도체 산업 전체가 전례 없는 ‘슈퍼 사이클’에 진입했음을 알리는 신호탄이다. 앞서 마이크론이 시장의 예상을 훌쩍 뛰어넘는 실적을 기록한 데 이어 오는 21일 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스 역시 역대급 성적이 확실시되면서 업계 전반에선 반도체 투톱의 ‘연간 영업이익 100조원’ 시대가 현실화할 것이라는 기대감이 커지고 있다.