업계 최고층… 저장 효율 33% 높여D램 넘어 ‘낸드플래시’ 기술력 각인PC시장 공룡 ‘델’ 첫 공급처로 확보증권가, 1분기 실적 35조~38조 전망 SK하이닉스가 세계 최초로 ‘300단 낸드 시대’의 문을 열며 인공지능(AI) PC 시장의 핵심 하드웨어 주도권 선점에 나섰다. 고대역폭메모리(HBM)로 D램 시장의 판도를 바꾼 SK하이닉스가 이번엔 낸드플래시 분야에서 초격차 기술을 선보이며 ‘AI 메모리 올라운더’로서의 입지를 굳히는 모양새다. 단순히 적층 단수를 높이는 경쟁을 넘어, 폭증하는 AI 데이터를 효율적으로 처리할 수 있는 차세대 스토리지의 새로운 기준점을 제시했다는 평가가 나온다. SK하이닉스는 업계 최고층인 321단 적층 기술과 데이터 저장 효율을 극대화한 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 방식을 결합한 소비자용 SSD(cSSD) 신제품인 ‘PQC21’을 출시하고 이달부터 본격적인 공급에 나선다고 8일 밝혔다. 특히 글로벌 PC 시장의 공룡인 델 테크놀로지스를 첫 공급처로 확보하며 단순 개발을 넘어선 즉각적인 실전 투입을 알렸다. 이번 제품의 핵심인 321단 적층은 반도체 칩 내부에서 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 촘촘히 쌓아 올려 한정된 면적 안에 더 많은 데이터를 집어넣는 고난도 공정 기술이다. 여기에 셀 하나에 4비트의 정보를 담는 QLC 방식을 적용해 기존 TLC(트리플 레벨 셀) 대비 저장 효율을 약 33% 높이며 경제성까지 확보했다. 그동안 QLC 방식은 대용량 구현에는 유리하나 데이터 처리 속도가 느려지고 수명이 짧아진다는 점이 고질적인 기술적 난제로 지적돼 왔다. SK하이닉스는 데이터 처리 속도가 가장 빠른 SLC(싱글 레벨 셀)처럼 작동하는 특정 영역을 설정하는 ‘SLC 캐싱’ 기술을 PQC21에 적용해 이 같은 성능 저하 우려를 불식시켰다. 필요한 데이터를 신속하게 읽고 쓰는 최적화 작업을 통해 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 연산을 수행해야 하는 온디바이스 AI 환경에서도 매끄러운 작업 흐름을 보장한다. 특히 글로벌 PC 시장은 최근 회복세를 보이고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 지난해 전 세계 PC 시장은 윈도우 11 교체 수요 등에 힘입어 9.1% 성장하며 긴 침체기를 끝냈다. AI PC가 방대한 데이터를 로컬 환경에서 실시간 처리해야 하는 만큼, SK하이닉스는 고밀도 저장장치의 표준 자리를 빠르게 선점하겠다는 전략이다. 글로벌 시장조사업체 IDC는 cSSD 시장 내 QLC 비중이 2027년 61%까지 치솟으며 주류 기술로 자리 잡을 것으로 내다봤다. 업계에서는 이번 양산 소식이 글로벌 반도체 경쟁 구도에서 한국 기술의 ‘초격차’를 다시 한번 각인시킨 결과로 평가한다. 미국의 마이크론이 최신 제품에서 276단(추정) 수준에 머물러 있는 사이 SK하이닉스가 먼저 300단의 벽을 허물며 단수 경쟁에서 확실한 승기를 잡았기 때문이다. 이런 기술 혁신은 역대급 실적에 대한 기대감으로 이어지고 있다. 전날 삼성전자가 1분기 영업이익 57조원을 돌파하며 반도체 슈퍼사이클의 귀환을 알린 가운데 이달 말 실적발표를 앞둔 SK하이닉스 역시 분기 최대 실적을 올릴 것으로 전망되고 있다. 일부 증권사에서는 SK하이닉스의 1분기 영업이익이 시장 전망치를 크게 웃도는 35조원에서 최대 38조원에 달할 것으로 추정한다. HBM3E와 같은 고성능 D램뿐만 아니라 고부가가치 낸드 제품군인 eSSD와 이번 321단 cSSD 등 ‘AI 맞춤형 솔루션’이 실적의 질적 성장을 강력하게 견인하고 있기 때문이라는 분석이다.

SK하이닉스가 미국 라스베이거스에서 열리는 ‘CES 2026’에 기업고객용 전시관을 열고 ‘고대역폭메모리(HBM)4 16단 48GB’를 처음 선보인다고 6일 밝혔다. HBM4 16단 48GB는 현재 업계 최고 속도인 11.7Gbps(초당 11.7기가비트)를 구현한 HBM4 12단 36GB의 후속 모델로 글로벌 초격차를 가속하는 데 일조할 것으로 보인다. 또 올해 전체 HBM 시장을 선도할 ‘HBM3E 12단 36GB’도 전시된다. HBM3E 12단 36GB는 엔비디아의 최신 인공지능(AI) 서버용 그래픽처리장치(GPU)에 탑재되는 모델이다. 이번 전시장에는 GPU 모듈을 함께 전시해 SK하이닉스의 HBM3E 12단 36GB가 AI 시스템 내에서 하는 역할을 시각적으로 구체화해 보여 줄 예정이다. 곽노정 대표이사(사장), 김주선 AI 인프라 사장(CMO) 등 SK하이닉스 임원진은 이날 오후 라스베이거스 퐁텐블로 호텔에서 열린 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 특별 연설 직후 이곳을 찾아 엔비디아 측 인사들과 만났다. 엔비디아에 HBM4, HBM3E 등을 공급하는 핵심 협력사로서의 입지를 공고히 하는 행보로 보인다. 또 SK하이닉스 전시관엔 AI 서버에 특화돼 AI 서버 수요가 폭증할 경우에 대비한 저전력 메모리 모듈 ‘소캠2’도 전시된다. 온디바이스 AI 구현에 최적화된 차세대 저전력 메모리 LPDDR6도 선보인다. 낸드 분야에서는 AI 데이터센터 구축 확대로 수요가 급증하는 초고용량 기업용 메모리 저장장치(eSSD)에 최적화된 321단 2Tb 쿼드레벨 셀(QLC) 제품도 공개된다. QLC는 전력 효율과 성능을 크게 개선해 데이터센터의 저전력 환경에 적합하다. 이런 솔루션들이 실제 AI 생태계에서 어떻게 연결돼 움직이는지 살펴볼 수 있는 ‘AI 시스템 데모존’도 마련됐다. 특히 데모존에서는 고객 요청 사항을 반영해 GPU 등에 있던 일부 기능을 HBM에 옮기는 고객 맞춤형 cHBM(커스텀 HBM)의 내부 구조를 직접 확인할 수 있는 대형 모형이 등장한다. 해당 전시는 AI의 경쟁 축이 단순 성능에서 추론 효율과 비용 최적화로 이동하고 있다는 것을 보여 준다.

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장을 장악하며 창사 이래 처음으로 분기 영업이익 10조원을 돌파했다. 29일 실적발표회에서 공개된 3분기 영업이익은 11조 3834억원으로, 전년 동기 대비 61.9% 급증했다. 영업이익률은 47%에 달했다. 매출액은 24조 4489억원을 기록하며 전년 대비 39.1% 성장했고, 순이익은 12조 5975억원으로 전년 동기(5조 7534억원)보다 119% 폭증했다. D램과 낸드 가격 상승세가 본격화된 데다 AI 서버용 고성능 제품 출하량이 급증하면서 분기 기준 역대 최대 실적을 경신했다. 회사 측은 “고객들의 AI 인프라 투자 확대로 메모리 전반의 수요가 급증했다”며 “HBM3E 12단과 서버향 DDR5 등 고부가가치 제품군 판매 확대로 지난 분기 최고 실적을 다시 넘어섰다”고 설명했다. 특히 AI 서버향 수요 증가로 128GB 이상 고용량 DDR5 출하량은 전 분기 대비 2배 이상 늘었고, 가격 프리미엄이 있는 AI 서버향 기업용 SSD(eSSD) 비중도 확대됐다. 호실적을 바탕으로 SK하이닉스는 재무구조 개선에도 성공했다. 3분기 말 현금성 자산은 전 분기 대비 10조 9000억원 증가한 27조 9000억원을 기록했다. 차입금은 24조 1000억원으로 줄어들며 3조 8000억원의 순현금 체제로 전환했다. SK하이닉스는 AI 시장이 추론 중심으로 빠르게 재편되면서 AI 서버의 연산 부담을 일반 서버 등 다양한 인프라로 분산하려는 움직임이 나타나고 있다고 분석했다. 이에 따라 고성능 DDR5와 eSSD 등 메모리 전반으로 수요가 확장될 것으로 전망했다. 최근 주요 AI 기업들이 스타게이트 프로젝트 등 전략적 파트너십을 잇달아 체결하며 AI 데이터센터 확장 계획을 발표하고 있는 점도 긍정적이다. HBM뿐 아니라 일반 서버용 메모리를 포함한 다양한 제품군에 걸쳐 고른 수요 성장이 예상된다. HBM4 출하 임박…엔비디아 등 주요 고객 협의 완료 SK하이닉스는 엔비디아를 비롯한 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 6세대 HBM4는 고객 요구 성능을 충족하며 업계 최고 속도를 지원한다. 회사는 4분기부터 HBM4 출하를 시작해 내년 본격적인 판매 확대에 나선다. 급증하는 AI 메모리 수요에 대응해 D램과 낸드 전 제품에 대한 내년 고객 수요를 이미 확보한 상태다. 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 청주 M15X 팹(공장)을 통해 신규 생산능력을 빠르게 확보하고 있다. 회사는 안정적으로 양산 중인 최선단 10나노급 6세대(1c) 공정으로의 전환을 가속화해 서버, 모바일, 그래픽 등 풀라인업 D램 제품군을 갖추고 공급을 확대할 계획이다. 낸드에서는 세계 최고층 321단 기반 트리플레벨셀(TLC), 쿼드레벨셀(QLC) 제품 공급을 늘려 고객 요구에 신속히 대응한다. 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 전망이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “AI 기술 혁신으로 메모리 시장이 새로운 패러다임으로 전환하며 전 제품 영역으로 수요가 확산되기 시작했다”며 “시장을 선도하는 제품과 차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 AI 메모리 리더십을 공고히 지켜가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스가 세계 최초로 300단을 넘어선 321단 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 플래시 제품을 개발해 양산에 돌입했다고 25일 밝혔다. 고성능·저전력을 동시에 확보한 초고용량 제품을 개발함으로써 폭발적으로 늘어나는 인공지능(AI)과 글로벌 데이터센터 수요 공략에 나선다는 전략이다. 낸드 플래시는 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있는 메모리 반도체다. 하나의 셀(Cell)에 저장되는 정보 수에 따라 SLC(1비트), MLC(2비트), TLC(3비트), QLC(4비트) 등으로 구분된다. SK하이닉스는 “세계 최초로 300단 이상의 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다”며 “현존 제품 가운데 최고의 집적도를 가진 이번 칩을 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장에 본격 공급하겠다”고 밝혔다. 이번 제품은 기존 QLC 적용 낸드 플래시 대비 2배 용량인 2테라비트(Tb)로 개발됐다. QLC는 대용량 구현에 유리하지만 속도 저하와 내구성 한계가 뒤따르는 것이 일반적이다. SK하이닉스는 이러한 한계를 보완하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 작동하는 그룹 단위 ‘플레인’(Plane)을 기존 4개에서 6개로 확대했다. 그 결과 데이터 전송 속도는 2배, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 또 데이터 쓰기 전력 효율은 23% 이상 향상돼 저전력·고효율이 필수적인 AI 서버 환경에서도 강점을 확보했다. SK하이닉스는 우선 PC용 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 321단 QLC 낸드를 적용한 뒤 기업 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 범용플래시저장장치(UFS)로 확대할 계획이다. 더 나아가 32개의 낸드를 한번에 적층하는 독자 패키징 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 데이터 저장장치 시장까지 겨냥한다. 정우표 SK하이닉스 부사장은 “고용량 제품 포트폴리오를 강화해 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다”며 “AI와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 글로벌 메모리 시장에서 더 큰 도약을 이뤄 내겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최초로 300단을 넘어선 321단 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 플래시 제품을 개발하고 양산에 돌입했다고 25일 밝혔다. 고성능·저전력을 동시에 확보한 초고용량 제품을 개발함으로써 폭발적으로 늘어나는 인공지능(AI)과 글로벌 데이터센터 수요 공략에 나선다는 전략이다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있는 메모리 반도체다. 한 셀(Cell)에 저장되는 정보 수에 따라 SLC(1비트), MLC(2비트), TLC(3비트), QLC(4비트) 등으로 구분된다. SK하이닉스는 “세계 최초로 300단 이상의 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다”며 “현존 제품 가운데 최고의 집적도를 가진 이번 칩을 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장에 본격 공급하겠다”고 밝혔다. 이번 제품은 기존 QLC 적용 낸드플래시 대비 2배 용량인 2테라비트(Tb)로 개발됐다. QLC는 대용량 구현에 유리하지만 속도 저하와 내구성 한계가 뒤따르는 것이 일반적이다. SK하이닉스는 이러한 한계를 보완하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작하는 그룹 단위 ‘플레인’(Plane)을 기존 4개에서 6개로 확대했다. 그 결과 데이터 전송 속도는 두 배, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 또 데이터 쓰기 전력 효율은 23% 이상 향상돼 저전력·고효율이 필수적인 AI 서버 환경에서도 강점을 확보했다. SK하이닉스는 우선 PC용 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 321단 QLC 낸드를 적용한 뒤 기업 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 범용플래시저장장치(UFS)로 확대할 계획이다. 더 나아가 32개의 낸드를 한 번에 적층하는 독자 패키징 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 데이터 저장장치 시장까지 겨냥한다. 정우표 SK하이닉스 부사장은 “고용량 제품 포트폴리오를 강화해 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다”며 “AI와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 글로벌 메모리 시장에서 더 큰 도약을 이뤄내겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 플래시를 기반으로 한 모바일용 최신 메모리 제품을 개발했다. 기기 자체에 인공지능(AI)이 탑재된 ‘온디바이스’ AI 수요가 늘어나는 가운데 두께는 줄이고 데이터 처리 속도는 끌어올려 최고급 스마트폰 시장에서의 메모리 리더십을 확보하겠다는 포부다. SK하이닉스는 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 솔루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다. 용량은 512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 두 가지다. SK하이닉스는 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기부터 양산에 돌입한다는 계획이다. 최근 온디바이스 AI 수요가 늘면서 모바일 기기의 얇은 두께와 낮은 전력 소모를 구현하는 게 업계의 필수 요소가 되고 있다. SK하이닉스는 이번 제품에서 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품보다 7% 개선했다고 했다. 제품 두께도 기존 1㎜에서 0.85㎜로 줄이는 데 성공해 초슬림 스마트폰에도 탑재할 수 있게 됐다. 낸드 플래시는 단 수가 높을수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는데, 단은 높이 쌓고 두께는 더욱 줄인 것이다. 스마트폰에서 여러 앱을 동시에 빠르게 실행할 수 있게 해주는 ‘랜덤 읽기’와 ‘랜덤 쓰기’ 속도도 각각 15%, 40% 빨라져 현재 UFS 4.1 제품 중에서 가장 뛰어나다고 SK하이닉스는 설명했다. SK하이닉스는 이번 제품이 온디바이스 AI 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 공급하고, 앱 실행 속도와 반응성을 높여 사용자가 체감하는 성능 향상에 기여할 것으로 기대한다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “321단 4D 낸드 기반의 소비자용과 데이터센터용 SSD(고속 데이터 저장장치) 제품도 연내에 개발을 완료할 계획”이라며 “낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해 AI 관련 전방위적 메모리 공급자의 입지를 굳건히 하겠다”고 밝혔다.

삼성 TB급·이미지 40만장 저장SK하이닉스 6일 美 FMS 참석 지난해 깊었던 불황의 터널을 빠져나와 반등을 시작한 반도체 업계가 인공지능(AI) 시대 필수 메모리 칩인 고대역폭메모리(HBM) 개발 경쟁에 이어 저장장치에 쓰이는 낸드플래시 개발에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 1TB(테라바이트) 고용량 마이크로SD 카드 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 등 2종을 출시했다고 1일 밝혔다. 이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 올려 기존 이동식 저장장치(SSD)에서 구현할 수 있었던 TB급 고용량을 최소형 크기인 마이크로SD 카드에 구현했다. 1TB 용량은 2.3MB(메가바이트) 4K UHD 해상도 이미지 40만장 또는 20GB 콘솔 게임 45편 이상을 저장할 수 있어 고성능·고용량을 필요로 하는 크리에이터, 콘솔 게임 이용자 등에게 최적의 환경을 제공할 수 있다. 두 제품은 각각 초당 최대 180MB, 160MB의 연속 읽기 속도를 제공한다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라선 이래로 20년 넘게 낸드 시장에서 우위를 점하고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 글로벌 낸드 점유율은 삼성전자 36.7%, SK하이닉스 22.2%, 일본 키옥시아 12.4%, 미국 마이크론 11.7% 순으로 집계됐다. SK하이닉스는 오는 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사 ‘FMS 2024’에서 최신 AI 메모리 기술과 낸드 신제품 등을 공개한다. FMS는 지난해까지 세계 최대 낸드플래시 행사였으나 올해부터 D램을 포함한 메모리와 스토리지(저장장치) 등 전 영역으로 분야를 확대했다. 행사 첫날인 6일 권언오 SK하이닉스 부사장과 김천성 부사장이 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전’을 주제로 기조연설을 한다. 권 부사장은 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 각각 맡아 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램과 낸드 제품의 포트폴리오 그리고 메모리 솔루션을 소개한다. SK하이닉스는 발표 주제에 맞춰 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산이 목표인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품도 선보인다.

삼성전자가 업계 최초로 ‘9세대 V낸드’ 양산에 돌입했다. 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 잇는 제품으로 9세대 낸드의 단수는 290단 수준으로 알려졌다. 메모리 반도체 업체 간 ‘누가 더 높게, 효율적으로 쌓아 올리느냐’의 경쟁에서 삼성전자는 자체 기술력으로 승부수를 띄운 것이다. 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 인공지능(AI) 시대를 맞아 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획이다. 삼성전자는 23일 ‘더블 스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔다. V낸드는 삼성전자가 2013년 도입한 기술로 초고층 건물을 쌓는 것처럼 수직으로 쌓아 올린 제품이다. 더블 스택이란 290층 건물을 145층씩 두 번에 나눠 쌓았다는 의미다. 메모리칩을 넓게 펼치는 대신 위로 높게 쌓아 올릴 때 가장 중요한 건 공정 수를 최소한으로 줄이는 것이다. 시간과 비용을 줄여야 원가 경쟁력을 높일 수 있어서다. 공정이 복잡해지면 수율(양품 대비 불량품 비율)을 확보하는 것도 어려워진다.결국 단수를 높이려면 적층 공정 기술력이 담보돼야 하는데 삼성은 ‘채널 홀 에칭’이란 기술로 이를 구현했다. 한 번에 145층까지 뚫은 뒤 그 안에 양문형 엘리베이터를 설치하는 것처럼 전자가 이동할 수 있는 홀(채널 홀)을 만든 것이다. 데이터를 빠른 속도로 주고 받으려면 균일한 구멍을 뚫고 전자를 이동시키는 정교한 기술이 요구된다. 9세대 V낸드는 1테라비트(Tb) 용량의 ‘트리플레벨셀’(TLC) 기반이다. 하나의 셀(정보를 저장하는 단위)에 3비트(bit)의 정보를 담는 기술로 같은 공간에 더 많은 정보를 담을수록 용량을 키울 수 있다. 또한 데이터 입출력 속도는 8세대 V낸드 대비 33% 향상됐고, 소비 전력은 이전 세대 제품에 비해 약 10% 개선됐다. 성능, 용량, 전력 소비 측면에서 모두 차별화를 꾀한 셈이다. 하반기에는 ‘쿼드레벨셀’(QLC) 9세대 낸드도 양산할 계획이다. 데이터 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 늘면서 핵심 부품인 낸드 시장 주도권을 갖기 위한 반도체 업체 간 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝혔고, SK하이닉스는 지난해 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 공식화했다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC도 올해 하반기 300단대 제품을 내놓는다는 계획이다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있다. 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한 환경에서도 안정적으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 큰손으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자에서는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리 반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다.9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있고, 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 컨퍼런스 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “인공지능(AI) 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 강조했다. 삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온 다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한의 환경에서도 안정적으로 작동한다.삼성전자와 SK하이닉스는 AI칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 ‘큰손’으로 통한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터 센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드플래시 샘플을 공개했다. 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 SK하이닉스가 세계 최초다.SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목 받았다. 미국 마이크론은 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작했고, 삼성전자는 그해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작했다.SK하이닉스가 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다. SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다. 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보한 만큼 고성능을 강조하는 고객의 요구를 충족시킬 것으로 기대하고 있다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이날 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.