삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다. 이날 삼성전자는 보통주와 우선주(삼성전자우)의 합산 시가총액에서 사상 처음으로 2000조원을 넘겼다. 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일 대비 5.84% 상승한 31만 7000원에 거래를 마쳤다. 시가총액은 1853조 2703억원이다. 우선주는 6.08% 오른 20만 2500원으로 시총은 162조 4802억원이다. 합산 시총은 2015조 7505억원으로 2000조원을 훌쩍 넘어섰다. 지난 1월 합산 시총 1000조원을 돌파한 지 4개월 만에 시가총액이 두 배로 늘어난 것이다. 우선주를 포함한 단일 기업의 시총이 2000조원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. 미국의 시총 조사 사이트 컴퍼니즈마켓캡닷컴에 따르면 삼성전자의 전 세계 기업 시총 순위는 11위로, 페이스북·인스타그램 운영사 메타를 바짝 뒤쫓고 있다.

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다.

SK하이닉스가 영업이익률 약 72%를 기록하며 글로벌 반도체 기업을 웃도는 수익성을 보였다. 계속되는 인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 힘입어 매출액 52조원, 영업익 37조원을 넘어 역대 최대 실적 기록 행진도 이어 갔다. SK하이닉스는 메모리 수요가 공급을 웃도는 상황이 당분간 이어질 것으로 보고 올해 투자 규모를 전년 대비 크게 늘리며 실적 호조를 이어 갈 방침이다. SK하이닉스는 분기 영업이익률이 71.5%로 지난해 4분기 58.4%를 넘어 역대 최고 기록을 경신했다고 23일 공시했다. 연결 기준 올해 1분기 영업이익은 37조 6103억원으로 전년 동기 대비 405.5% 증가했고, 앞서 역대 최대 기록이었던 지난해 4분기(19조 1696억원)와 비교해도 영업이익이 2배 수준으로 늘었다. 매출액은 52조 5763억원으로 198.1% 증가했다. 영업익과 매출 모두 분기 기준 최대 기록이다. SK하이닉스는 “1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데 고대역폭 메모리(HBM)·고용량 서버용 D램 모듈·기업용 고성능 저장장치(eSSD) 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어 갔다”고 설명했다. 실적의 핵심은 ‘수익성’이다. 영업이익률 72%는 단순한 업황 반등이 아니라 AI 인프라 중심으로 재편된 메모리 산업 구조 변화의 결과로 보인다. 반도체 파운드리 1위인 TSMC의 1분기 영업이익률(58.1%)을 크게 웃돌았고 AI 핵심 기업인 엔비디아의 2026회계연도 4분기(2026년 1월 종료 기준) 영업이익률인 65.0%도 앞섰다. 또 경쟁사인 미국 마이크론의 2026회계연도 2분기 영업이익률(67.6%)보다 4.4% 포인트, 역대 최대 실적을 낸 삼성전자의 올해 1분기 영업이익률(43.0%)보다 29.0% 포인트 높다. 비수기 넘은 수요 확대AI 인프라 투자 확대로 수요 강세고부가가치 메모리 제품 판매 확대이는 단순 비교를 넘어 의미가 크다. 엔비디아는 그래픽처리장치(GPU) 설계라는 고부가가치 팹리스 기업이고 SK하이닉스는 대규모 설비투자가 필요한 메모리 제조업체다. 그럼에도 동일한 수준의 수익성을 달성했다는 것은 AI 가치사슬에서 ‘메모리’가 핵심 수익원으로 이동했음을 보여 준다. 이런 수익성은 HBM·범용 D램·eSSD 수요 급증이 동시에 맞물린 ‘삼박자’ 효과에서 비롯됐다. 우선 HBM은 AI 연산의 필수 부품으로 자리잡으며 가장 높은 수익성을 창출했다. 회사는 이날 콘퍼런스콜에서 “(4세대인) HBM2E부터 원가와 수율, 성능 등 종합적 제품 경쟁력과 고객 신뢰도 측면에서 최고 수준을 유지하고 있다”며 향후 3년간 고객 요청 수요가 SK하이닉스의 생산능력을 훨씬 상회할 것으로 내다봤다. 이어 6세대 HBM인 HBM4도 고객 요구 성능에 맞춰 생산 확대를 준비 중이며, 7세대 HBM4E는 내년 본격 양산을 목표로 하고 있다. 차세대 제품 연속 출시HBM 성능 향상·HBM4 생산 확대6세대 D램·321단 cSSD 공급 탄력HBM의 생산량 확대는 범용 D램 시장에도 파급효과를 미쳤다. HBM 생산은 범용 D램 대비 더 많은 웨이퍼를 소모하는 구조이기 때문에 최신 세대 D램인 DDR5 등 범용 제품 공급이 줄어들었고, 그 결과 가격이 급등했다. 실제 1분기 범용 D램 계약가는 90% 이상 상승하며 공급자 우위 시장이 형성됐다. 향후 회사는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 저전력 D램 LPDDR6와 192GB(기가바이트) 소캠(SOCAMM)2 양산을 통해 고성능 D램 공급을 확대할 계획이다. 낸드 부문에서도 변화가 나타났다. 회사는 “AI 모델이 고도화될수록 중간 데이터 처리량이 폭발적으로 증가하고 있다”며 “고성능·고용량 eSSD 채택이 빠르게 확대되고 있다”고 설명했다. 이어 “(이러한 수요에 대응하기 위해) 세계 최초로 321단 쿼드레벨셀(QLC) 낸드를 개발했고 고객 인증을 통해 기술 초격차를 확보했다”고 덧붙였다. 회사는 321단 개인용 고성능 저장장치(cSSD) ‘PQC21’ 공급을 시작했으며 eSSD도 전 영역으로 라인업을 확장하고 있다. 또한 올해 말까지 국내 낸드 생산량의 절반 이상을 321단 제품으로 전환할 계획이다. 앞으로도 메모리에 대한 강한 수요가 지속될 것으로 보인다. 회사는 “이번 메모리 가격 상승은 과거와 다른 구조적 변화”라며 “고객들이 가격보다 물량 확보를 우선시하는 상황이 지속되고 있다”고 밝혔다. 이어 “유의미한 생산능력 확대까지 좀더 시간이 걸리고 우호적 가격 환경이 당분간 유지될 것”이라며 장기공급계약(LTA)과 관련해 고민을 드러냈다. 이는 단기 호황이 아닌 중장기 공급 부족 국면 진입을 시사한다. 미래 전망도 청신호수요 구조적 변화… 장기계약 유리“재무 건전성 위해 100조 확보 목표”수익성 개선은 재무구조에도 반영됐다. 올해 1분기 말 현금성 자산은 54조 3000억원으로, 이는 지난해 말(34조 9000억원) 대비 19조 4000억원 늘어난 수치다. 반면 차입금 규모는 줄었다. 같은 기간 차입금은 2조 9000억원 감소한 19조 3000억원을 기록했다. 이에 따라 35조원의 ‘순현금’을 달성하며 재무 건전성이 한층 강화됐다. SK하이닉스는 이를 바탕으로 용인 반도체 클러스터, 청주 M15X 공장 증설, 극자외선(EUV) 노광장비 확보 등 대규모 투자를 확대할 계획이다. 아울러 글로벌 투자 자금 유치와 순현금 확보를 위해 미국 증권거래위원회(SEC)에 미국 주식예탁증서(ADR) 상장을 위한 신청서를 제출했으며, 올해 하반기 상장을 목표로 절차를 진행 중이다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난달 주주총회에서 “구조적 수요 성장에 대응하고 경쟁력을 유지하기 위해서는 안정적으로 투자할 수 있는 재무 건전성이 필수적”이라며 100조원 이상의 순현금 확보를 목표로 제시했다.

인공지능(AI) 확산으로 전력 소비가 급증하면서 가전제품부터 휴대전화, 로봇, 반도체에 이르기까지 정보기술(IT) 업계가 ‘전성비(전력 대비 성능)’ 상품 출시 경쟁에 뛰어들었다. 고연산 AI 확산에 따른 전력 공급 부족에 대한 대응은 물론, 소비자의 전기요금 부담을 덜고 에너지 효율로 온실가스 배출도 함께 줄이겠다는 취지다. 24일 업계에 따르면 저전력 고효율 제품이 봇물처럼 쏟아지는 데는 전력비용과 전력망 부담 급증, 전력 감축 기술의 성숙, PC·휴대전화·로봇 등 AI의 상용화 등이 배경에 깔려 있다. 즉, 배터리·발열·지연시간 문제가 소비자 체감 이슈가 됐다는 의미다. 저전력 혁신은 AI 시대의 핵심 부품인 메모리반도체 경쟁에서 가장 뚜렷하다. 삼성전자는 지난달 고대역폭메모리(HBM)4를 첫 양산 출하했다고 밝히며, 코어 다이에 저전력 설계를 적용해 전작 대비 에너지 효율을 40% 개선했다고 설명했다. AI 연산에서 발열과 전력 효율은 곧 성능과 직결된다. 모바일과 서버에 쓰이는 저전력 D램인 LPDDR 역시 빠르게 진화하고 있다. SK하이닉스는 지난 10일 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발 인증을 완료했다며, 데이터 처리 속도는 33.00% 향상됐지만 전력 소모는 전작 대비 20% 이상 줄였다고 강조했다. AI 반도체 기업 엔비디아는 지난 16일 연례 개발자 회의(GTC 2026)에서 새 CPU ‘베라’와 이를 256개 탑재한 CPU 랙을 선보였는데, 에너지 효율을 2배 높인 것이 특징이었다. AI가 단순 학습과 추론을 넘어 물리적 환경에서 작동하는 ‘피지컬 AI’로 확장되면서 저전력 반도체의 중요성은 더 커지고 있다. 한국은행은 ‘3월 통화신용정책보고서’에서 “피지컬 AI는 복잡한 현실을 정밀하게 모사하고 이를 실시간으로 처리해야 한다는 점에서 고성능과 저전력 반도체 수요를 동시에 확대시키고 있다”고 분석했다. 이어 “자율주행차 한 대가 영상 수집 등을 통해 하루에 생성하는 데이터는 약 32TB로, 개인의 하루 스마트폰 사용 데이터(약 1.20GB)의 2만 6000배를 넘는다”고 설명했다. 로봇 분야의 전력 효율 경쟁은 배터리 기술로 확장되고 있다. 로봇에 탑재되려면 작고 가벼우면서도 효율이 높은 배터리가 필수적이다. 이에 따라 전고체 배터리와 리튬메탈 등 차세대 기술 개발 경쟁이 치열하다. 삼성SDI는 2027년을 목표로 전고체 배터리 양산을 준비하고 있다. LG에너지솔루션은 에너지 효율을 극대화한 무음극계 전고체 배터리를 2030년 도입하겠다고 밝혔다. IT 업계의 이런 트렌드는 소비 시장에도 영향을 미친다. 가전업계 관계자는 “AI 기능 사용이 늘면서 소비자들은 스마트폰과 노트북 배터리가 빠르게 소모된다고 체감한다”며 “앞으로는 저전력 설계와 배터리 효율이 제품 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소가 될 것”이라고 밝혔다. 디스플레이는 사용 단계에서 발생하는 전력 소비가 탄소 배출과 직결되는 만큼, 전력 절감 기술 확보가 중요하다. LG디스플레이는 화면 변화에 따라 새로고침 빈도를 유연하게 조절하는 ‘옥사이드 1Hz’ 기술을 적용한 노트북용 LCD 패널을 세계 최초로 양산한다. 이를 적용하면 배터리 사용 시간을 기존 대비 48.00% 이상 늘릴 수 있다. 애플의 ‘아이폰 17e’는 보급형 모델이지만 최신 칩셋 A19를 탑재해 성능을 끌어올렸다. 여기에 자체 개발한 셀룰러 모뎀 C1X를 적용해 데이터 처리 속도를 전작 대비 두 배 수준으로 높이고 전력 효율도 개선했다. 애플은 배터리 성능이 ‘아이폰 16 프로’ 대비 최대 30.00% 향상됐다고 설명했다.

AI가속기 1·2위에 모두 공급GPU 넘어 메모리 협력 강화AI 반도체 시장 주도권 속도수, 오늘 하정우 수석과 회동 이재용 삼성전자 회장이 18일 방한한 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)와 만나 인공지능(AI) 반도체 협력 강화에 뜻을 모았다. 전날 젠슨 황 엔비디아 CEO도 그록3 언어처리장치(LPU)를 삼성전자가 생산 중이라고 공개한 바 있다. 삼성전자가 글로벌 AI 가속기 시장의 1위인 엔비디아와 2위인 AMD 모두와 손을 잡으며 AI 반도체 시장의 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다. 수 CEO는 이날 이 회장과 서울 용산구 한남동에 있는 승지원에서 만찬 회동을 갖고 차세대 반도체 협력 방안을 논의했다. 이 회장은 먼저 만찬 장소에 도착해 수 CEO를 맞을 준비를 했다. 이 자리에는 전영현 DS부문장(부회장), 한진만 파운드리 사업부장(사장), 송재혁 최고기술책임자(CTO) 등 반도체 사업을 담당하는 핵심 경영진이 동석했다. 승지원은 고 이병철 창업 회장의 거처를 개조한 곳으로 이 회장은 국내외 귀빈을 만날 때 영빈관으로 사용하고 있다. 수 CEO는 만찬 전에는 삼성전자 평택캠퍼스를 방문해 차세대 AI 메모리와 컴퓨팅 기술 분야에서 협력을 확대하는 업무협약(MOU)을 체결했다. 전 부문장은 “삼성과 AMD는 AI 컴퓨팅 발전이라는 공통된 목표를 공유하고 있으며, 이번 협약으로 양사 협력 범위가 확대될 것”이라고 말했다. 이에 수 CEO는 “삼성의 첨단 메모리 기술 리더십과 AMD의 인스팅트 그래픽처리장치(GPU), 에픽 중앙처리장치(EPYC CPU), 랙 스케일 플랫폼을 결합하게 돼 매우 기쁘다”고 화답했다. 업계에서는 2007년 삼성전자의 D램이 AMD 그래픽 카드에 탑재되며 시작돼 20년간 이어진 양사의 협력이 AI 반도체 생태계 전반으로 확장됐다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 AMD AI 가속기에 탑재되는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 우선 공급업체로 지정됐다. 이에 따라 삼성전자는 AMD의 데이터센터용 AI 연산 가속기 ‘인스팅트 MI455X’ GPU에 HBM4를 본격 탑재할 계획이다. AMD가 공식적으로 삼성전자를 자사의 HBM 우선 공급자로 선정한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 1c D램, 4나노 베이스다이 기술 기반 HBM4를 양산 출하했다. 이번 공급을 계기로 AMD와의 파트너십은 한층 강화되고 HBM 시장 주도권도 더욱 공고해질 전망이다. 삼성전자는 지난해부터 AMD의 AI 가속기에 HBM3E를 공급하고 있다. 양사의 협력은 AI 반도체 산업 발전과 함께 메모리 기술과 연산 칩 설계 간 통합이 중요해지고 있는 흐름을 보여 주는 사례로 꼽힌다. AI 가속기 성능이 높아질수록 GPU와 HBM 간 설계 최적화가 중요해지면서 메모리 업체와 GPU 설계 기업 간 협력도 더욱 긴밀해지고 있다. 앞으로 AMD의 AI 가속기 설계와 삼성의 메모리·파운드리 기술 간 시너지도 확대될 것으로 관측된다. 삼성전자와 AMD는 AI 데이터센터 랙 단위 데이터센터 플랫폼 헬리오스(Helios)와 6세대 차세대 데이터센터 서버용 CPU의 성능을 극대화하기 위해 고성능 DDR5 메모리 솔루션 분야에서도 협력하기로 했다. 또 팹리스(반도체 설계기업)인 AMD의 차세대 제품을 위탁 생산하는 파운드리 협력에 대해서도 논의해 나가기로 했다. 업계에서는 이번 협력이 삼성전자의 ‘아픈 손가락’으로 꼽혀 온 파운드리 경쟁력을 회복하는 계기가 될 수 있다는 기대가 나온다. 삼성전자는 메모리, 파운드리(반도체 위탁생산), 패키징까지 ‘원스톱 솔루션’이 가능하다는 점을 강조하며 글로벌 빅테크 기업과의 협력 확대에 나서고 있다. 한편 한국을 처음 찾은 수 CEO는 19일에는 하정우 청와대 AI미래기획수석과 만나 정부의 AI 고속도로 구축 등 AI 생태계 전반에 대해 의견을 나누고 협력 방안을 논의한다. 이 자리에는 임문영 국가인공지능전략위원회 부위원장도 참석한다. 같은 날 노태문 삼성전자 대표이사 겸 DX부문장, AI 스타트업 업스테이지의 김성훈 대표와도 회동하며 ‘광폭 행보’를 이어 간다.

SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대의 핵심 하드웨어인 ‘온디바이스 AI’ 시장을 겨냥해 차세대 메모리 기술을 개발했다. SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램 개발에 성공했다고 10일 밝혔다. 지난 1월 세계 가전·IT 박람회인 ‘CES 2026’에서 시제품을 공개한 이후, 최근 세계 최초로 공식 개발 인증을 완료했다. 이어 곧 양산에 들어갈 전망이다. 1c LPDDR6는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기의 AI 연산 능력을 극대화하기 위해 설계됐다. 기존 주력 제품인 LPDDR5X와 비교해 데이터 처리 속도는 33% 향상됐으며, 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 기가비트)를 상회하는 압도적 성능을 갖췄다. 전력 효율도 개선됐다. SK하이닉스는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 작동시키는 ‘서브 채널 구조’와 작업 부하에 따라 전압과 주파수를 실시간 조절하는 ‘DVFS’ 기술을 고도화했다. 이를 통해 전력 소모를 이전 세대 대비 20% 이상 줄여 소비자들이 고성능 AI 기능을 사용해도 배터리 수명은 더 길게 만들었다. 이번 성과는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 리더십을 온디바이스 AI용 저전력 메모리 시장으로 확장했다는 점에서 의미가 크다. 온디바이스 AI는 클라우드 서버를 거치지 않고 기기 자체에서 데이터를 처리해 저전력·고성능 메모리의 뒷받침이 필수적이기 때문이다. SK하이닉스는 “상반기 중 양산 준비를 마치고 하반기부터 제품을 본격 공급할 것”이라며 “글로벌 모바일 고객사의 요구에 맞춘 최적의 메모리 포트폴리오를 구축해 AI 메모리 시장에서의 독보적인 지위를 이어가겠다”고 말했다.

이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장이 불확실한 대외 환경 속에서 역대급 자사주 소각이라는 승부수를 던졌다. 전쟁 장기화 등으로 코스피 변동성이 커진 가운데, 양대 그룹이 파격적인 주주 환원책을 내세워 시장 신뢰 회복과 기업가치 제고에 총력을 기울이는 모습이다. 10일 삼성전자는 2025년 사업보고서 공시를 통해 보유 중인 자사주 1억 543만주 가운데 약 82%에 달하는 8700만주를 올해 상반기 내에 소각한다고 밝혔다. 이날 종가 기준 약 16조원에 달하는 규모로, 주주들에게 직접적인 가치 상승의 혜택을 돌려주겠다는 이 회장의 강력한 의지가 반영됐다. 지주사인 SK㈜도 이날 이사회를 열고 지주사 역사상 최대 규모인 4조 8000억원 규모의 자사주 소각 계획을 확정해 공시했다. 임직원 보상 목적분을 제외한 자사주 전량인 1469만주를 2027년 1월까지 소각하는 것이 골자다. 이는 전체 발행주식의 약 20%를 감축하는 결단으로, 주당 가치를 높여 주주 이익을 극대화하겠다는 포석이다. SK㈜ 관계자는 “자사주 전량 소각은 전체 주주의 최대 이익에 부합하고 기업가치를 높이는 최적의 방안이라는 이사회의 결단이 담겼다”고 설명했다. 양사의 이번 행보는 자사주 소각 의무화를 골자로 지난 6일부터 시행된 ‘3차 상법 개정안’의 취지를 선제적으로 반영한 것으로 풀이된다. 특히 SK㈜는 지난 2년간 진행한 강도 높은 포트폴리오 리밸런싱을 통해 부채비율을 77.4%까지 낮추는 등 재무 건전성을 확보한 자신감을 바탕으로 이번 소각을 결정했다. 증권업계는 지정학적 리스크로 국내 증시의 하방 압력이 커진 상황에서, 이러한 대형주들의 자구책이 시장을 지탱하는 든든한 버팀목이 될 것으로 내다보고 있다. 주주 환원과 더불어 삼성전자는 ‘기술 초격차’를 위한 연구개발(R＆D)에 역대급 자원을 쏟아부었다. 사업보고서에 따르면 삼성전자의 지난해 R＆D 투자액은 전년 대비 7.8% 증가한 37조 7548억원으로 사상 최대치를 기록했다. 하루 평균 1000억원 이상을 오직 기술 개발에만 투입한 셈이다. 시설 투자에도 52조 7000억원을 집행하며 미래 생산 기반 확충에 사활을 걸었다. 이러한 과감한 투자는 가시적인 성과로 이어지고 있다. 삼성전자는 지난달 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램을 적용한 HBM4 양산 출하에 성공하며 AI 반도체 시장의 주도권을 잡았다.

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4를 양산 및 출하했다고 12일 밝혔다. 최대 데이터 전송 속도는 13Gbps로 기존의 HBM3E와 비교해 22% 빨라졌고, 데이터 출입구를 1024개에서 2048개로 늘리면서 전송 데이터의 양도 급격히 늘었다. 반도체업계에서는 AI 그래픽저장장치(GPU)의 메모리 병목을 획기적으로 줄일 ‘게임체인저’로 평가했다. 삼성전자는 올해 하반기와 내년에 연이어 차기 HBM도 내놓으며 관련 기술을 선도하겠다는 구상이다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 이날 “기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램(10나노급 6세대) 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다. 삼성전자는 이번 설 연휴 직후 양산 출하를 계획했으나 고객사와 협의를 거쳐 일정을 일주일가량 앞당긴 것으로 알려졌다. HBM4는 엔비디아가 다음달 공개할 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재돼 GPU의 고등 연산을 지원할 전망이다. HBM은 D램 메모리를 여러 층으로 쌓아 연산에 필요한 메모리 자원을 크게 늘린 반도체 소자다. 적층된 메모리를 밑에서 받치고 있는 하단의 베이스다이에는 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 JEDEC(국제 산업 표준 기구)의 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치다. 삼성전자 관계자는 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것”이라고 말했다. 또 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 이는 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다. 또 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 전력 소모와 열 집중 문제 해결에도 총력을 쏟았다. HBM은 컨트롤러 역할을 하는 베이스 다이와 D램을 수직으로 적층한 코어 다이로 구성된다. HBM4는 메모리와 GPU 사이에서 데이터를 주고받는 출입구인 데이터 전송 I/O 핀 수를 1024개에서 2048개로 확대했고 이에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또 하나의 차별화된 지점은 ‘원스톱 솔루션’ 제공이다. 삼성전자는 세계에서 유일하게 로직, 메모리, 파운드리, 패키징까지 아우르는 반도체 회사다. 회사는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 내다봤다. 또 HBM4에 이어 HBM4E도 준비해 올해 하반기에 샘플을 출하할 계획이다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다. 삼성전자는 또 AI 반도체 종류에 따라 메모리도 맞춤 설계해 성능을 극대화하는 커스텀(맞춤형) HBM도 내년부터 샘플을 출하한다. 엔비디아 GPU에 이어 구글 ‘텐서처리장치’(TPU), 마이크로소프트(MS) ‘마이아’ 등 빅테크들의 AI 반도체 자체 개발 경쟁이 격화하는 가운데 각각에 최적화한 HBM 설계 수요를 충족하겠다는 구상이다. 삼성전자가 세계 최초 HBM4 양산 및 출하로 포문을 연 데 대해 경쟁자인 SK하이닉스와 미국 마이크론은 자신만의 전략에 집중하는 분위기다. SK하이닉스 관계자는 “고객이 요청한 (HBM4) 물량을 차질 없이 양산 중이며, 현재 최적화를 진행하고 있다”고 밝혔다. 최대 고객사인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞춰 제품 완성도를 극대화하겠다는 ‘실리 전략’으로 읽힌다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 엔비디아 HBM4 물량의 3분의2 이상을 확보한 것으로 알려졌다. 미국 마이크론 역시 HBM4 경쟁에서 밀려났다는 루머를 정면으로 반박하고 나섰다. 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 11일(현지시간) 콘퍼런스에서 ‘엔비디아 공급망 탈락설’을 일축하며 “올해 HBM 공급 물량은 이미 완판됐으며 수율 또한 계획대로”라고 말했다. 이에 따라 메모리 공급 부족 국면에서 한국·미국 반도체 기업들의 수주 경쟁은 한층 격화될 전망이다.

삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM4’의 세계 최초 양산 출하가 임박했다. 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 차세대 주력 모델로 꼽히는 HBM4를 앞세워 기술 경쟁력을 회복하고 메모리 시장의 주도권을 쥘 수 있을지 관심이 집중된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 이르면 설 연휴 직후인 이달 셋째 주로 확정한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “지난달 기업설명회에서 2월 중 HBM4 제품 양산 출하가 예정돼 있다고 발표했는데, 그 시점이 임박해 공식화할 수 있는 단계에 이르렀다”고 말했다. 삼성전자는 이미 엔비디아의 품질 테스트를 통과해 구매주문(PO)을 확보했으며, HBM4가 적용되는 AI 가속기 ‘베라 루빈’의 출시 일정 등을 고려해 출하 시기를 결정한 것으로 알려졌다. 고객사 완제품 테스트를 위한 HBM4 샘플 물량도 이번 PO를 통해 대폭 늘어난 것으로 전해진다. 엔비디아는 다음 달 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 HBM4를 적용한 베라 루빈을 처음 공개할 것으로 관측된다. 차세대 HBM4의 양산 출하는 이번이 세계 최초다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)의 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 정했다. 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 데이터 처리 속도는 최대 11.7Gbps로, JEDEC 표준(8Gbps) 및 현재 주력인 HBM3E(9.6Gbps)를 웃돈다. 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭은 최대 3TB/s로 전작 대비 2.4배 향상됐고, 12단 적층으로 최대 36GB 용량을 제공한다. 한편 삼성전자는 지난해 미국에서 전 세계 기업 중 가장 많은 특허를 취득해 4년 연속 1위를 기록했다. 미국 특허정보 업체 IFI 클레임스가 최근 발간한 보고서에 따르면 지난해 미국에서 등록된 특허는 32만 3272건으로, 이 중 삼성전자가 7054건의 특허를 확보해 전체 등록 특허의 2% 이상을 차지했다.

D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

삼성전자가 국내 기업 사상 처음으로 ‘분기 영업이익 20조원’ 시대를 열었다. 삼성전자의 역대 최대 분기 실적은 물론 한국 기업 중 사상 첫 기록이다. 글로벌 인공지능(AI) 패권 경쟁이 메모리 반도체 수요를 키우면서 촉발된 ‘메모리 슈퍼사이클’을 타고 올해 영업이익이 100조원을 돌파할 거라는 기대도 나온다. 삼성전자는 8일 잠정 실적 공시를 통해 2025년 4분기 연결 기준 매출 93조원, 영업이익 20조원을 기록했다고 밝혔다. 매출과 영업이익 모두 창사 이래 최고치다. 영업이익은 전년 동기 대비 208.2%, 전 분기 대비 64.3% 증가했다. 지난해 연간 누적 매출 역시 332조 7700억원으로 사상 최대 기록을 새로 썼다. 이번 ‘어닝 서프라이즈’는 단순한 업황 수혜를 넘어 삼성의 비즈니스 모델이 ‘범용 칩 공급’에서 ‘AI 플랫폼 파트너’로 진화하고 있음을 시사한다. 실제 삼성전자는 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 본격 공급하기 시작한 데 이어 최근 북미 빅테크 기업들로부터 차세대 HBM4와 AI 가속기용 맞춤형 칩을 잇달아 수주하며 실적의 질적 변화를 이끌어 냈다. 과거의 실적이 수요에 따른 가격 변동에 의존했다면 이제는 고객사와 긴밀히 연계된 ‘수주형 비즈니스’가 20조원 시대를 견인하는 핵심 동력이 된 셈이다. 재계에서는 이재용 회장의 글로벌 네트워크 경영과 전영현 부회장의 ‘기술 쇄신’ 전략이 시너지를 낸 결과로 보고 있다. 이 회장은 직접 엔비디아, 테슬라, 애플 등 빅테크 수장들과 연쇄 회동하며 맞춤형 HBM과 파운드리 수주를 주도했고 전 부회장은 제조 현장의 근원적 경쟁력을 복원하며 ‘기술 초격차’ 본능을 깨웠다. 이번 실적의 질적 성장을 뒷받침하는 핵심 병기로는 본격 양산 궤도에 진입한 6세대 HBM4가 꼽힌다. 삼성은 메모리(1c 나노)와 파운드리(4나노 로직 공정) 역량을 결합한 단일 아키텍처를 선보이며 AI 데이터센터의 최대 난제인 발열과 에너지 효율 개선에 주력했다. 당초 예상을 앞당겨 올해 초부터 공급 물량을 확대하기 시작하면서, 기획 단계부터 고객사 맞춤형으로 칩을 만드는 ‘수주형 플랫폼 비즈니스’로의 체질 개선에도 탄력이 붙고 있다는 분석이다. 압도적인 제조 효율은 수익성 개선의 일등 공신이다. 지난해 하반기 1c 나노 D램 수율이 양산 안정권인 80% 수준에 근접했다는 평가 속에 삼성은 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보한 것으로 보인다. 여기에 범용 D램 가격이 2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 넘어 9.3달러까지 치솟으면서, 생산 원가 절감과 제품 가격 상승이 맞물린 강력한 이익 구조가 형성됐다. 실제 이날 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 지난해 4분기 D램 시장에서 192억 달러(약 26조원)의 매출을 기록하며 1년 만에 글로벌 점유율 1위 자리를 탈환한 것으로 나타났다. 그간 전체 실적의 발목을 잡았던 비메모리 부문의 약진도 주목할 대목이다. 증권업계에서는 파운드리와 시스템LSI 부문의 지난해 4분기 적자폭이 8000억원 미만으로 줄어들며 흑자 전환의 기틀을 마련했을 것으로 관측한다. 메모리 사업에서 거둔 수익을 파운드리 시설에 투자하고, 여기서 확보한 최첨단 공정 기술로 다시 고성능 맞춤형 칩 수주를 끌어오는 삼성만의 ‘통합 제조 경쟁력’이 실질적인 성과로 나타나고 있다는 분석이다. 실제 파운드리는 테슬라와의 자율주행 칩 협력을 공고히 하는 한편 구글·메타·AMD 등 빅테크 기업들과의 차세대 AI 칩 수주 전선에서도 유의미한 진전을 보이고 있다. 여기에 퀄컴이 차세대 모바일 프로세서 생산 일부를 삼성 2나노 공정에 맡길 가능성까지 제기되면서 특정 고객사에 의존하지 않는 ‘수주 다변화’에 대한 기대감도 어느 때보다 커지는 분위기다. 삼성이 열어젖힌 ‘분기 20조원’ 시대는 마이크론과 SK하이닉스를 포함한 글로벌 반도체 산업 전체가 전례 없는 ‘슈퍼 사이클’에 진입했음을 알리는 신호탄이다. 앞서 마이크론이 시장의 예상을 훌쩍 뛰어넘는 실적을 기록한 데 이어 오는 21일 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스 역시 역대급 성적이 확실시되면서 업계 전반에선 반도체 투톱의 ‘연간 영업이익 100조원’ 시대가 현실화할 것이라는 기대감이 커지고 있다.

이재용 삼성전자 회장이 22일 반도체 연구개발(R&D) 단지인 삼성전자 기흥캠퍼스와 화성캠퍼스를 연이어 방문하며 반도체 기술 경쟁력을 점검하고 ‘과감한 혁신과 투자’를 강조했다. 이 회장은 이날 경기 용인 기흥캠퍼스에 위치한 ‘NRD-K’를 방문해 R&D 시설 현황과 메모리·파운드리·시스템 반도체 등의 기술 경쟁력을 살펴봤다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 최첨단 복합 R&D 단지로, 10만 9000㎡(약 3만 3000평) 규모의 초대형 연구 시설이다. 이곳은 미세 공정 연구, 첨단 반도체 설계 및 양산에 최적화된 상징적인 공간으로 여겨진다. 이 회장은 뒤이어 화성캠퍼스를 방문해 ‘디지털 트윈’과 로봇을 적용한 제조 자동화 시스템을 살피고 인공지능(AI) 활용 현황도 점검했다. 디지털 트윈은 실제 공장과 장비 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 시스템이다. 이 회장의 화성캠퍼스 방문에는 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장과 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등 반도체 분야 주요 경영진이 함께 참석해 반도체 산업의 미래 전략을 논의했다. 이후 이 회장은 고대역폭메모리(HB M)와 10나노 6세대 D램(D1c), 10세대 낸드플래시(V10) 등 최첨단 반도체 제품 사업화에 기여한 개발·제조·품질 분야 직원들과 간담회를 가졌다. 이 회장은 직원들의 현장 의견을 경청한 뒤 “과감한 혁신과 투자로 본원적 기술 경쟁력을 회복하자”고 말한 것으로 전해졌다. 이 회장이 지난 15일 미국 출장에서 귀국한 뒤 약 일주일만의 공식 행보로 반도체 시설을 방문한 것은 최근 실적이 개선된 반도체 부문 임직원들을 독려하기 위한 것으로 풀이된다. 이 회장이 NRD-K를 찾은 것은 지난 2023년 10월 건설 현장을 점검차 방문한 이후 2년 2개월 만이다. 삼성전자의 반도체 담당인 DS부문의 실적은 올해 상반기 바닥을 찍었다가 3분기부터 글로벌 슈퍼 사이클에 올라타며 상승곡선을 그리고 있다. 이날 삼성전자는 사내망을 통해 하반기 성과급의 일종인 ‘목표달성 장려금’(TAI) 지급률을 공지했다. 올해 상반기 TAI가 월 기본급의 25%에 불과했던 메모리사업부는 실적 향상으로 100%가 책정됐다. 하반기에 갤럭시Z 폴드와 플립7을 성공적으로 출시한 모바일경험(MX) 사업부는 75%가 책정됐다. 또 디바이스경험(DX)부문에선 영상디스플레이(VD)·생활가전사업부에는 각각 37.5%의 TAI가 공지됐다.

삼성전자가 31일 엔비디아에 성능과 에너지 효율을 대폭 향상시킨 6세대 고대역폭메모리(HBM)4를 엔비디아에 공급한다고 밝혔다. 또 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 5만개 이상을 도입해 ‘반도체 인공지능(AI) 팩토리’를 구축하기로 했다. 삼성전자는 이날 엔비디아에 ▲HBM3E ▲HBM4 ▲GDDR7 ▲SOCAMM2 등 차세대 메모리와 파운드리 서비스를 공급한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4는 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 고객 요구를 상회하는 11기가비트(Gbps) 이상의 성능을 구현한 것이 특징이다. 초고대역폭과 저전력 특성을 바탕으로 AI 모델 학습과 추론 속도를 높여 엔비디아의 AI 플랫폼 성능을 향상시키겠다는 전략이다. HBM 외에 업계 최초로 개발한 고성능 그래픽 D램(GDDR7)과 차세대 저전력 메모리 모듈 ‘SOCAMM2’ 공급도 협의 중이다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며 HBM4도 샘플을 요청한 모든 고객사에 샘플 출하를 완료한 뒤 양산 출하를 준비 중이다. 또 삼성전자는 향후 5만 개 이상의 엔비디아 GPU를 도입해 업계 최고 수준의 반도체 AI 팩토리를 구축하기로 했다. AI 팩토리는 ▲설계 ▲공정 ▲운영 ▲장비 ▲품질관리 등 반도체 설계와 생산을 아우르는 모든 과정에 AI를 적용해 스스로 분석·예측·제어하는 ‘생각하는’ 제조 시스템이 구현된 스마트 공장이다. AI 팩토리가 갖춰지면 차세대 반도체의 개발과 양산 주기를 단축하고, 제조 효율성과 품질 경쟁력을 혁신적으로 강화할 수 있다는 장점이 있다. 삼성전자의 AI 팩토리는 엔비디아의 시뮬레이션 라이브러리 옴니버스를 기반으로 ‘디지털 트윈’ 제조 환경을 구현하는 것이 골자다. 디지털 트윈은 실제 공장, 장비 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로, 현장에 가지 않고도 가상 환경에서 실시간 운영 분석·예측이 가능하다는 장점이 있다. 디지털트윈 기반 시뮬레이션을 활용하면 개발 기간을 크게 단축하는 것은 물론, 소량의 웨이퍼로도 공정 개발이 가능해진다. 수율 분석 소요 시간도 크게 단축돼 조기에 수율을 향상시킬 수 있으며 실시간으로 공정의 문제점을 분석해 자동 조치도 가능하다. 향후 삼성전자는 AI 팩토리 인프라 구축과 관련 노하우를 한국과 미국 테일러 등 해외 주요 생산 거점에까지 확장해, 글로벌 반도체 공급망 전체의 지능화와 효율화를 완성한다는 전략이다. 또 AI 팩토리를 중심으로 엔비디아와 함께 국내외 파트너사와 차세대 반도체 설계 도구를 공동 개발하고 AI 기반 반도체 제조 표준을 선도해 AI 생태계 발전에 이바지하겠다고 밝혔다.

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장을 장악하며 창사 이래 처음으로 분기 영업이익 10조원을 돌파했다. 29일 실적발표회에서 공개된 3분기 영업이익은 11조 3834억원으로, 전년 동기 대비 61.9% 급증했다. 영업이익률은 47%에 달했다. 매출액은 24조 4489억원을 기록하며 전년 대비 39.1% 성장했고, 순이익은 12조 5975억원으로 전년 동기(5조 7534억원)보다 119% 폭증했다. D램과 낸드 가격 상승세가 본격화된 데다 AI 서버용 고성능 제품 출하량이 급증하면서 분기 기준 역대 최대 실적을 경신했다. 회사 측은 “고객들의 AI 인프라 투자 확대로 메모리 전반의 수요가 급증했다”며 “HBM3E 12단과 서버향 DDR5 등 고부가가치 제품군 판매 확대로 지난 분기 최고 실적을 다시 넘어섰다”고 설명했다. 특히 AI 서버향 수요 증가로 128GB 이상 고용량 DDR5 출하량은 전 분기 대비 2배 이상 늘었고, 가격 프리미엄이 있는 AI 서버향 기업용 SSD(eSSD) 비중도 확대됐다. 호실적을 바탕으로 SK하이닉스는 재무구조 개선에도 성공했다. 3분기 말 현금성 자산은 전 분기 대비 10조 9000억원 증가한 27조 9000억원을 기록했다. 차입금은 24조 1000억원으로 줄어들며 3조 8000억원의 순현금 체제로 전환했다. SK하이닉스는 AI 시장이 추론 중심으로 빠르게 재편되면서 AI 서버의 연산 부담을 일반 서버 등 다양한 인프라로 분산하려는 움직임이 나타나고 있다고 분석했다. 이에 따라 고성능 DDR5와 eSSD 등 메모리 전반으로 수요가 확장될 것으로 전망했다. 최근 주요 AI 기업들이 스타게이트 프로젝트 등 전략적 파트너십을 잇달아 체결하며 AI 데이터센터 확장 계획을 발표하고 있는 점도 긍정적이다. HBM뿐 아니라 일반 서버용 메모리를 포함한 다양한 제품군에 걸쳐 고른 수요 성장이 예상된다. HBM4 출하 임박…엔비디아 등 주요 고객 협의 완료 SK하이닉스는 엔비디아를 비롯한 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 6세대 HBM4는 고객 요구 성능을 충족하며 업계 최고 속도를 지원한다. 회사는 4분기부터 HBM4 출하를 시작해 내년 본격적인 판매 확대에 나선다. 급증하는 AI 메모리 수요에 대응해 D램과 낸드 전 제품에 대한 내년 고객 수요를 이미 확보한 상태다. 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 청주 M15X 팹(공장)을 통해 신규 생산능력을 빠르게 확보하고 있다. 회사는 안정적으로 양산 중인 최선단 10나노급 6세대(1c) 공정으로의 전환을 가속화해 서버, 모바일, 그래픽 등 풀라인업 D램 제품군을 갖추고 공급을 확대할 계획이다. 낸드에서는 세계 최고층 321단 기반 트리플레벨셀(TLC), 쿼드레벨셀(QLC) 제품 공급을 늘려 고객 요구에 신속히 대응한다. 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 전망이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “AI 기술 혁신으로 메모리 시장이 새로운 패러다임으로 전환하며 전 제품 영역으로 수요가 확산되기 시작했다”며 “시장을 선도하는 제품과 차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 AI 메모리 리더십을 공고히 지켜가겠다”고 밝혔다.

삼성전자 주가가 장중 9만 7400원까지 오르며 역대 최고가를 계속 갈아치우고 있다. 삼성전자는 16일 오전 10시 22분 기준 전 거래일 대비 2.53%(2400원) 오른 9만 7400원에 거래되고 있다. 이날 장이 열리면서 상승장으로 출발한 삼성전자는 오전 9시 11분 9만 6900원으로 역대 최고가를 찍으며 오르내리다가 9만 7000원선도 뚫었다. 한국거래소에 따르면 직전 장중 기준 역대 최고가는 지난해 2021년 1월 11일 기록한 9만 6800원이었다. 증권가에서는 향후 메모리 업황 호조에 힘입어 상승세를 이어갈 것이라며 최대 13만원까지 목표가를 올려잡는 분위기다. 이날 오후 공개되는 대만 반도체 기업 TSMC의 3분기 실적에 대한 기대가 큰 가운데 간밤 미국 기술주가 강세를 보이면서 매수세를 자극한 것으로 보인다 뉴욕증시에서 TSMC가 2.96% 상승했으며 브로드컴(2.09%) 등이 오르면서 필라델피아반도체지수는 3% 가까이 뛰었다. 이로써 지난해 11월 14일 52주 신저가로 추락한 지 11개월 만에 한 번도 가보지 않은 길에 성큼 다가섰다. 11개월 사이 주가 상승률은 95%에 달한다. 지난 14일 삼성전자가 시장 기대치를 뛰어넘는 3분기 ‘깜짝 실적’을 공개한 이후 증권가에서는 속속 삼성전자의 목표주가를 추가 상향했다. 삼성전자의 주가 상승이 이어질 것이라는 기대감이 커지고 있는 것이다. 김동원 KB증권 리서치센터장은 실적 공개 이후 삼성전자의 목표주가를 11만원에서 13만원으로 올리면서 “2030년까지 인공지능(AI) 데이터센터 설비투자가 올해보다 5배 급증하고, 향후 범용 D램 가격 상승 장기화가 예상되는 가운데 특히 삼성전자는 1c D램 생산성 향상으로 내년부터 6세대 고대역폭메모리 HBM4 공급 본격화가 전망돼 엔비디아 수요 증가의 직접적 수혜가 기대된다”고 설명했다. 그러면서 내년 삼성전자 영업이익은 64조2천억원으로 2018년 이후 8년 만에 최대 실적을 기록할 것이라고 내다봤다. 박유악 키움증권 연구원도 “당사 예상치보다 반도체와 스마트폰 출하량이 호조를 보이고 낸드 수익성 개선도 크게 나타나면서 3분기 삼성전자가 ‘깜짝 실적’을 기록했다”며 “범용 메모리 가격 상승, 파운드리 추가 고객 확보 등이 당분간 추가 주가 상승을 이끌어 갈 것”이라고 내다봤다. 그러면서 내년 연간 영업이익 전망치를 63조 2000억원으로 상향하면서 목표주가도 10만 5000원에서 12만원으로 올렸다. 미래에셋증권도 12만 7000원으로, 신영증권은 12만원, 현대차증권은 11만원 등 삼성전자의 목표주가를 잇따라 올렸다. 최근 삼성전자가 공개한 연결 기준 올해 3분기 영업이익은 12조 1000억원으로 지난해 동기보다 31.81% 증가해 증권가 전망치를 17.4% 웃돌았다. 영업이익이 10조원을 넘어선 건 2024년 2분기 이후 5분기 만이다.

SK, 공정기술 추가 적용해 장점 확보삼성, 집적도와 속도 높인 샘플 출하차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싼 글로벌 경쟁이 본격화된다. SK하이닉스가 세계 최초로 6세대인 HBM4 양산 체제를 구축한 가운데 삼성전자는 초미세 공정을 앞세워 반전을 노린다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발한 뒤 칩을 세로로 뚫어 전기적으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 기술을 무기로 시장을 주도해왔다. 이번 HBM4 양산 체제에선 공정기술(어드밴스드 MR-MUF)을 추가 적용해 마치 레고 블록을 쌓듯 여러 층으로 적층하면서도 열을 효과적으로 분산시키는 장점을 확보했다. 새 제품은 HBM3E(5세대) 대비 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 높였으며, 동작 속도도 10Gbps(초당 10기가비트)를 넘어 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 웃돈다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “SK하이닉스가 가장 먼저 엔비디아의 샘플 검증을 마칠 가능성이 크다”며 “속도 조건 상향에 따라 고객 신뢰를 확보하는 데 유리하다”고 평가했다. 삼성전자는 기술 차별화를 통한 반격에 나섰다. HBM4 제품을 개발해 지난 7월 글로벌 고객사에 샘플을 출하했으며, D램과 로직(연산 담당 칩) 모두에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정과 자사 4나노미터 파운드리 공정을 적용했다. 이는 업계에서 유일한 사례다. 이로써 집적도와 속도를 동시에 높이고 전력 소모를 줄여 기존 약점을 보완했다. 실제 삼성전자 제품의 데이터 처리 속도는 최대 11Gbps 수준으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자가 수율 안정에 성공하면 내년 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에서 점유율을 30%까지 끌어올릴 수 있다”며 “올해 HBM3E에서 지적됐던 발열 문제도 개선된 것으로 보인다”고 설명했다. 중국 업체들은 기술과 고객사 확보 모두 한계가 뚜렷하고, 미국 마이크론도 HBM4 양산에 난항을 겪는 상황이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스는 안정적 양산 역량으로, 삼성전자는 초미세 공정 혁신으로 각자 강점을 발휘하고 있다”며 “두 회사의 경쟁 구도 자체가 한국 반도체 산업 전반의 위상 강화로 이어질 것”이라고 말했다.

삼성전자가 평택 5공장 착공 준비에 들어가며 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대에 속도를 내고 있다. 연내 엔비디아에 HBM3E(5세대)를 대량 공급하고 HBM4(6세대) 성능 검증을 최대한 빠르게 마무리하기 위해 생산능력을 선제 확보하려는 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 평택 5공장 부지에서는 최근 철골 구조물 이동과 안전교육 등 착공 준비 작업이 진행됐으며, 이르면 다음달부터 공사가 시작될 것으로 전해진다. 당초 지난해 계획됐던 착공은 반도체 업황 부진과 수주 부족으로 연기된 바 있다. 평택캠퍼스는 총 6개 공장 부지로 세계 최대 규모이며, 현재 1~4공장 일부가 가동 중이다. 지난해 5공장과 함께 미뤄졌던 4공장의 나머지 생산라인 건설도 최근 공사 재개를 준비하고 다음달부터 수직 철골물을 세우는 작업에 들어간다. 이곳에는 10나노급 6세대(1c) 공정 D램 생산라인이 도입될 예정인데, 삼성전자는 1c 공정을 활용해 6세대 제품인 HBM4에 탑재되는 D램을 양산할 계획이다. 전문가들은 평택 신규 증설을 통해 내년 HBM4 초기 생산에 돌입, 2026년 시장 점유율 확대를 노릴 것으로 전망한다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 10일 “인공지능(AI) 흐름은 앞으로도 계속 갈 것으로 AI 역량 확보를 게을리하지 않겠다”고 말했다. 곽 사장은 이날 오후 SK하이닉스 청주캠퍼스에서 ‘함께하는 더(THE) 소통행사’를 열고 임직원들에게 “AI 흐름에서 1위 포지션을 지키기 위해 가장 중요한 건 기술”이라면서 “최근 CMOS 이미지센서(CIS) 사업전환도 AI 분야에서 역량 결집이 필요했기 때문에 한 결정”이라며 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 지난 6일 그동안 수익성이 부진했던 CIS 사업 부문을 AI 메모리 분야로 통합해 역량을 집중한다는 방침을 발표했다. SK하이닉스는 분기마다 최고경영자(CEO)가 직접 직원들의 이야기를 듣고 각종 경영 현안에 대해 설명하는 소통행사를 하고 있다. 이날 소통행사는 SK하이닉스 국내 전 사업장에 생중계됐다. 이날 행사에는 곽 사장을 비롯해 김주선 AI 인프라 사장, 송현종 코퍼레이트센터 사장, 안현 개발총괄 사장, 차선용 미래기술연구원장 부사장, 김영식 양산총괄 부사장 등이 무대에 올랐다. 곽 사장은 “만일 AI가 오지 않았다면 CIS 사업전환도 하지 않았겠지만 AI가 큰 기회인 만큼 이런 결정을 했다”며 “CIS 구성원들이 새로운 잡(직무) 포지션을 잡는 데 충분한 시간을 두고 촉박하지 않게 하도록 할 것”이라고 덧붙였다. 중국 업체들의 거센 추격 및 대응 방안도 밝혔다. 최근 창신메모리테크놀로지(CXMT), 푸젠진화(JHICC), 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 중국 메모리 업체들은 저가 물량 공세를 퍼부으며 한국 업체를 위협하는 중이다. 실제 점유율 격차도 줄고 있다. 송 사장은 “중국업체 부상이 좋은 소식은 아니다”라며 “중국 정부의 보조금을 받는 중국 업체와의 경쟁에서 우리가 불리하다. 결국 답은 그들보다 좋은 제품을 더 빨리, 더 싸게 만드는 방법뿐”이라고 강조했다. SK하이닉스는 이러한 치열한 경쟁 상황 속에 기술 초격차, 운영 효율 등으로 돌파구를 마련한다는 방침이다. 곽 사장은 “지난해 캐펙스(CAPEX·시설투자), 오펙스(OPEX·운영비용) 효율화로 ‘운영 개선’(Operation Improvement·OI) 효과가 있었다”며 “앞으로도 OI 관리체계 등을 업그레이드하겠다”고 말했다. 이어 “기술 측면에서는 올해 고대역폭메모리(HBM3E) 12단 양산 확대 및 HBM4 양산을 하고, (10나노대 D램) 1c와 1d에서도 선두를 유지하겠다”며 “낸드도 AI 붐에 올라탈 수 있는 여건에 잘 대응하겠다”고 덧붙였다. 끝으로 곽 사장은 얼마 전 성과급 지급을 두고 커진 구성원들의 불만에 대해 사과의 말을 전했다. 올해 초 회사는 역대 최대 실적(영업이익 23조 4673억원)을 달성하며 기본급 1500%의 초과이익분배금(PS)을 지급했으나, 이보다 높은 수준의 특별성과급이 지급되어야 한다는 노조의 주장에 따라 갈등이 빚어졌었다. 곽 사장은 “최근 PS 관련 소통이 부족했고 이에 구성원들이 불편했던 점에 대해 죄송하다”며 “회사가 잘못한 점은 혼선이 없도록 객관적 지표를 제시하지 못했던 부분”이라고 했다. 그러면서 “2021년 이후 성과급 지급에 있어 영업이익이라는 좀 더 직관적인 기준을 도입했지만, 1000%를 초과하는 PS에 대해 협의한다는 부분이 모호했다”며 “이제는 명확히 할 필요성이 있고 그 부분에 대해선 종합적인 고려가 필요할 것”이라고 말했다. 앞서 SK하이닉스 노사는 2021년 2월 EVA(경제적 부가가치)를 폐지하기로 합의하고, PS에 예측 가능성이 높은 영업이익을 연동하기로 한 바 있다. 한편 SK하이닉스 노사는 오는 4월 임금협상과 관련해 본격적인 절차 진행을 통해 임금 인상과 PS 초과분 협상 등을 논의할 것으로 알려졌다.

애플이 20일(현지시간) 일체형 데스크톱 ‘아이맥’과 태블릿 PC ‘아이패드 프로’, 무선 위치추적 장치 ‘에어태그’ 등 신제품을 공개했다. 애플은 이날 미 캘리포니아주 쿠퍼티노 본사 애플파크 스티브잡스 극장에서 ‘스프링 로디드’(Spring loaded)라는 이름의 온라인 행사를 열고 두께를 11.5㎜로 얇게 만든 화면 일체형 데스크톱 ‘아이맥’(iMac)을 새로 내놨다. 무게도 4.48㎏에 불과해 전작 아이맥 21.5형(2019)보다 1㎏나 감소하며 부피가 50% 가량 줄어든 것이다. 독자 설계한 반도체 칩 ‘M1’을 탑재하면서 두께를 대폭 줄였다는 게 회사 측의 설명이다. 각종 칩이 부착되는 로직보드와 열을 식히는 냉각시스템이 PC에서 가장 큰 부피를 차지한다. 이에 따라 애플은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 뉴럴엔진, D램 등을 통합하고 전력 효율을 높여 발열을 줄인 M1 칩 덕분에 로직보드를 작게 만들고 냉각시스템은 2개의 작은 팬으로 축소해 전체 PC 두께를 1cm대로 줄였다는 것이다. 존 터너스 애플 하드웨어 엔지니어링 수석부사장은 새 아이맥을 “M1을 기반으로 해서 밑바탕부터 새롭게 만들었다”고 강조했다. 키보드에는 사용자가 지문으로 컴퓨터를 잠금해제할 수 있는 터치ID 버튼을 추가했다. 터치ID는 맥북처럼 키보드의 오른쪽 상단에 있다. 색상도 피치와 민트, 라벤더 등 7가지 색상 버전을 출시했다. 다만 4가지 색상은 가격대가 1299달러(약 145만원), 나머지 3개 색상은 1499달러부터 시작한다. 출시는 5월 하반기다. 5세대 이동통신(5G)을 지원하는 아이패드 프로 신형도 공개했다. 더 많은 외부 모니터와 연결할 수 있도록 선더볼트 포트와 미니 LED 디스플레이를 갖춘 것이 특징이다. 아이패드 프로 신형 라인업 중에서도 M1를 탑재한 버전을 출시해 개선된 그래픽과 향상된 증강현실(AR) 기능을 담았다. 가격대는 799달러부터 시작하며 30일부터 판매를 시작한다. 사물이나 반려동물 등을 추적할 수 있는 분실방지 장치 겸 위치추적기 ‘에어태그’(AirTag)도 주목된다. 자체 개발한 U1 칩이 내장된 작고 납작한 원형 모양의 에어태그는 열쇠나 가방 등에 달아놓으면 어디에 뒀는지 기억나지 않을 때 아이폰을 이용해서 위치를 추적할 수 있다. 음성비서 시리(Siri)로도 작동이 가능하다. 방수 및 방진 기능이 있으며 소리를 재생하는 내장 스피커가 탑재됐다. 애플워치처럼 장치에 무료로 이름 등의 각인을 새길 수 있다. 에어태그는 30일부터 출시된다. 가격은 개당 29달러. 4개를 한꺼번에 살 경우 99달러다. 이밖에 애플은 시리 리모컨이 제공되는 4K 애플TV 신형, 가족끼리 공유가 가능해진 신용카드 ‘애플카드’를 선보였다. 아이폰12와 아이폰12미니의 보라색 버전도 공개됐다. 보라색 아이폰은 30일 출시된다. 김규환 선임기자 khkim@seoul.co.kr