SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대의 핵심 하드웨어인 ‘온디바이스 AI’ 시장을 겨냥해 차세대 메모리 기술을 개발했다. SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램 개발에 성공했다고 10일 밝혔다. 지난 1월 세계 가전·IT 박람회인 ‘CES 2026’에서 시제품을 공개한 이후, 최근 세계 최초로 공식 개발 인증을 완료했다. 이어 곧 양산에 들어갈 전망이다. 1c LPDDR6는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기의 AI 연산 능력을 극대화하기 위해 설계됐다. 기존 주력 제품인 LPDDR5X와 비교해 데이터 처리 속도는 33% 향상됐으며, 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 기가비트)를 상회하는 압도적 성능을 갖췄다. 전력 효율도 개선됐다. SK하이닉스는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 작동시키는 ‘서브 채널 구조’와 작업 부하에 따라 전압과 주파수를 실시간 조절하는 ‘DVFS’ 기술을 고도화했다. 이를 통해 전력 소모를 이전 세대 대비 20% 이상 줄여 소비자들이 고성능 AI 기능을 사용해도 배터리 수명은 더 길게 만들었다. 이번 성과는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 리더십을 온디바이스 AI용 저전력 메모리 시장으로 확장했다는 점에서 의미가 크다. 온디바이스 AI는 클라우드 서버를 거치지 않고 기기 자체에서 데이터를 처리해 저전력·고성능 메모리의 뒷받침이 필수적이기 때문이다. SK하이닉스는 “상반기 중 양산 준비를 마치고 하반기부터 제품을 본격 공급할 것”이라며 “글로벌 모바일 고객사의 요구에 맞춘 최적의 메모리 포트폴리오를 구축해 AI 메모리 시장에서의 독보적인 지위를 이어가겠다”고 말했다.

이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장이 불확실한 대외 환경 속에서 역대급 자사주 소각이라는 승부수를 던졌다. 전쟁 장기화 등으로 코스피 변동성이 커진 가운데, 양대 그룹이 파격적인 주주 환원책을 내세워 시장 신뢰 회복과 기업가치 제고에 총력을 기울이는 모습이다. 10일 삼성전자는 2025년 사업보고서 공시를 통해 보유 중인 자사주 1억 543만주 가운데 약 82%에 달하는 8700만주를 올해 상반기 내에 소각한다고 밝혔다. 이날 종가 기준 약 16조원에 달하는 규모로, 주주들에게 직접적인 가치 상승의 혜택을 돌려주겠다는 이 회장의 강력한 의지가 반영됐다. 지주사인 SK㈜도 이날 이사회를 열고 지주사 역사상 최대 규모인 4조 8000억원 규모의 자사주 소각 계획을 확정해 공시했다. 임직원 보상 목적분을 제외한 자사주 전량인 1469만주를 2027년 1월까지 소각하는 것이 골자다. 이는 전체 발행주식의 약 20%를 감축하는 결단으로, 주당 가치를 높여 주주 이익을 극대화하겠다는 포석이다. SK㈜ 관계자는 “자사주 전량 소각은 전체 주주의 최대 이익에 부합하고 기업가치를 높이는 최적의 방안이라는 이사회의 결단이 담겼다”고 설명했다. 양사의 이번 행보는 자사주 소각 의무화를 골자로 지난 6일부터 시행된 ‘3차 상법 개정안’의 취지를 선제적으로 반영한 것으로 풀이된다. 특히 SK㈜는 지난 2년간 진행한 강도 높은 포트폴리오 리밸런싱을 통해 부채비율을 77.4%까지 낮추는 등 재무 건전성을 확보한 자신감을 바탕으로 이번 소각을 결정했다. 증권업계는 지정학적 리스크로 국내 증시의 하방 압력이 커진 상황에서, 이러한 대형주들의 자구책이 시장을 지탱하는 든든한 버팀목이 될 것으로 내다보고 있다. 주주 환원과 더불어 삼성전자는 ‘기술 초격차’를 위한 연구개발(R＆D)에 역대급 자원을 쏟아부었다. 사업보고서에 따르면 삼성전자의 지난해 R＆D 투자액은 전년 대비 7.8% 증가한 37조 7548억원으로 사상 최대치를 기록했다. 하루 평균 1000억원 이상을 오직 기술 개발에만 투입한 셈이다. 시설 투자에도 52조 7000억원을 집행하며 미래 생산 기반 확충에 사활을 걸었다. 이러한 과감한 투자는 가시적인 성과로 이어지고 있다. 삼성전자는 지난달 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램을 적용한 HBM4 양산 출하에 성공하며 AI 반도체 시장의 주도권을 잡았다.

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4를 양산 및 출하했다고 12일 밝혔다. 최대 데이터 전송 속도는 13Gbps로 기존의 HBM3E와 비교해 22% 빨라졌고, 데이터 출입구를 1024개에서 2048개로 늘리면서 전송 데이터의 양도 급격히 늘었다. 반도체업계에서는 AI 그래픽저장장치(GPU)의 메모리 병목을 획기적으로 줄일 ‘게임체인저’로 평가했다. 삼성전자는 올해 하반기와 내년에 연이어 차기 HBM도 내놓으며 관련 기술을 선도하겠다는 구상이다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 이날 “기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램(10나노급 6세대) 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다. 삼성전자는 이번 설 연휴 직후 양산 출하를 계획했으나 고객사와 협의를 거쳐 일정을 일주일가량 앞당긴 것으로 알려졌다. HBM4는 엔비디아가 다음달 공개할 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재돼 GPU의 고등 연산을 지원할 전망이다. HBM은 D램 메모리를 여러 층으로 쌓아 연산에 필요한 메모리 자원을 크게 늘린 반도체 소자다. 적층된 메모리를 밑에서 받치고 있는 하단의 베이스다이에는 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 JEDEC(국제 산업 표준 기구)의 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치다. 삼성전자 관계자는 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것”이라고 말했다. 또 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 이는 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다. 또 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 전력 소모와 열 집중 문제 해결에도 총력을 쏟았다. HBM은 컨트롤러 역할을 하는 베이스 다이와 D램을 수직으로 적층한 코어 다이로 구성된다. HBM4는 메모리와 GPU 사이에서 데이터를 주고받는 출입구인 데이터 전송 I/O 핀 수를 1024개에서 2048개로 확대했고 이에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또 하나의 차별화된 지점은 ‘원스톱 솔루션’ 제공이다. 삼성전자는 세계에서 유일하게 로직, 메모리, 파운드리, 패키징까지 아우르는 반도체 회사다. 회사는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 내다봤다. 또 HBM4에 이어 HBM4E도 준비해 올해 하반기에 샘플을 출하할 계획이다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다. 삼성전자는 또 AI 반도체 종류에 따라 메모리도 맞춤 설계해 성능을 극대화하는 커스텀(맞춤형) HBM도 내년부터 샘플을 출하한다. 엔비디아 GPU에 이어 구글 ‘텐서처리장치’(TPU), 마이크로소프트(MS) ‘마이아’ 등 빅테크들의 AI 반도체 자체 개발 경쟁이 격화하는 가운데 각각에 최적화한 HBM 설계 수요를 충족하겠다는 구상이다. 삼성전자가 세계 최초 HBM4 양산 및 출하로 포문을 연 데 대해 경쟁자인 SK하이닉스와 미국 마이크론은 자신만의 전략에 집중하는 분위기다. SK하이닉스 관계자는 “고객이 요청한 (HBM4) 물량을 차질 없이 양산 중이며, 현재 최적화를 진행하고 있다”고 밝혔다. 최대 고객사인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞춰 제품 완성도를 극대화하겠다는 ‘실리 전략’으로 읽힌다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 엔비디아 HBM4 물량의 3분의2 이상을 확보한 것으로 알려졌다. 미국 마이크론 역시 HBM4 경쟁에서 밀려났다는 루머를 정면으로 반박하고 나섰다. 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 11일(현지시간) 콘퍼런스에서 ‘엔비디아 공급망 탈락설’을 일축하며 “올해 HBM 공급 물량은 이미 완판됐으며 수율 또한 계획대로”라고 말했다. 이에 따라 메모리 공급 부족 국면에서 한국·미국 반도체 기업들의 수주 경쟁은 한층 격화될 전망이다.

삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM4’의 세계 최초 양산 출하가 임박했다. 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 차세대 주력 모델로 꼽히는 HBM4를 앞세워 기술 경쟁력을 회복하고 메모리 시장의 주도권을 쥘 수 있을지 관심이 집중된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 이르면 설 연휴 직후인 이달 셋째 주로 확정한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “지난달 기업설명회에서 2월 중 HBM4 제품 양산 출하가 예정돼 있다고 발표했는데, 그 시점이 임박해 공식화할 수 있는 단계에 이르렀다”고 말했다. 삼성전자는 이미 엔비디아의 품질 테스트를 통과해 구매주문(PO)을 확보했으며, HBM4가 적용되는 AI 가속기 ‘베라 루빈’의 출시 일정 등을 고려해 출하 시기를 결정한 것으로 알려졌다. 고객사 완제품 테스트를 위한 HBM4 샘플 물량도 이번 PO를 통해 대폭 늘어난 것으로 전해진다. 엔비디아는 다음 달 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 HBM4를 적용한 베라 루빈을 처음 공개할 것으로 관측된다. 차세대 HBM4의 양산 출하는 이번이 세계 최초다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)의 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 정했다. 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 데이터 처리 속도는 최대 11.7Gbps로, JEDEC 표준(8Gbps) 및 현재 주력인 HBM3E(9.6Gbps)를 웃돈다. 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭은 최대 3TB/s로 전작 대비 2.4배 향상됐고, 12단 적층으로 최대 36GB 용량을 제공한다. 한편 삼성전자는 지난해 미국에서 전 세계 기업 중 가장 많은 특허를 취득해 4년 연속 1위를 기록했다. 미국 특허정보 업체 IFI 클레임스가 최근 발간한 보고서에 따르면 지난해 미국에서 등록된 특허는 32만 3272건으로, 이 중 삼성전자가 7054건의 특허를 확보해 전체 등록 특허의 2% 이상을 차지했다.

D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

반도체 호황에 힘입어 지난해 4분기에 영업이익 20조원이라는 역대 최대 실적을 기록한 삼성전자가 1조 3000억원 규모의 특별배당을 실시한다. 정부의 주주가치 제고 정책에 부응하기 위한 결정으로, 소액주주 총 505만여명이 ‘배당소득 분리과세’ 혜택을 받게 됐다. 삼성전자는 결산 배당으로 보통주 1주당 566원, 우선주는 567원의 현금배당을 실시한다고 29일 밝혔다. 시가배당율은 보통주 0.5%, 우선주 0.7%로, 배당금 총액은 3조 7534억 8432만원이다. 삼성전자의 특별배당 실시는 10조 7000억원을 지급했던 2020년 4분기 이후 5년 만이다. 삼성전자는 “기존에 약속했던 배당 규모보다 주주환원을 확대하면서 배당소득 분리과세 도입 등 정부의 주주가치 제고 정책에 부응하기 위한 결정”이라고 설명했다. 삼성전자는 이번 특별배당으로 정부가 정한 고배당 상장사 요건을 충족했다. 정부는 세법을 개정해 올해부터 배당소득 분리과세 제도를 도입했는데, 고배당 상장사에 투자한 주주들은 해당 기업 배당소득을 일반 종합소득세(최고세율 45%)에 합산하지 않고 세율을 낮춰 별도로 과세한다. 구간별로 ▲배당소득 2000만원까지 14% ▲2000만~3억원 20% ▲3억~50억원 25% ▲50억원 초과분은 30% 등이다. 세제 혜택을 기대할 수 있는 삼성전자 소액주주는 총 504만 9000명(지난해 6월 30일 기준) 정도다. 삼성전자 측은 “특별배당을 통해 주주들은 배당소득 증대와 세제 혜택이라는 일석이조 효과를 누리게 될 예정”이라고 말했다. 배당 기준일은 지난해 12월 31일이며, 배당금은 3월 주주총회일로부터 1개월 이내 지급될 예정이다. 이번 특별배당은 삼성전자가 기록한 역대 최고 실적과도 맞닿아있다. 삼성전자의 연결 기준 지난해 4분기 매출은 93조 8374억원, 영업이익은 20조 737억원으로 각각 전년 동기보다 23.8%, 209.2% 증가했다. 분기 기준 매출과 영업이익 모두 역대 최고 기록으로, 국내 기업 중 분기 영업이익 20조원을 처음 상회하는 기록을 썼다. 역대급 실적의 중심에는 메모리 가격 급등과 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 회복이 자리하고 있다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 지난해 4분기 영업이익은 16조 4000억원으로 전체의 81.6%를 차지했다. 업계에선 ‘반도체 왕의 귀환’이라는 평가가 나왔다. 삼성전자는 6세대 HBM인 ‘HBM4’를 기점으로 판도 전환을 노리고 있다. 삼성전자는 이날 개최한 기업설명회에서도 “당사 HBM4는 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보하였다는 피드백을 받고 있다”면서 “현재 퀄(테스트) 완료 단계에 진입했다”고 말했다. 특히 HBM4 개발 단계부터 국제반도체표준협의기구의 기준(8Gbps)보다 높은 성능을 목표로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용해 성능을 높였다는 평가를 받는다. 삼성전자는 “다음달부터 최상위 속도 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량 양산 출하가 예정돼있다”고 말했다. 또 올해 고객사 공급을 확대해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 개선될 것으로 전망했다. 차세대 제품 로드맵도 내놨다. 7세대 HBM인 HBM4E 샘플을 올해 안으로 고객사에 제공해 기술 리더십을 선도한다는 계획이다. 아울러 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서는 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 올해 전년 대비 130% 늘어난 2나노 수주 확보를 예상했다. 증권가에서는 삼성전자의 올해 연간 영업이익이 180조원을 돌파할 것이라는 전망도 나온다.

한양대학교총동문회는 전영현 삼성전자 부회장, 한기수 필옵틱스 대표이사, 김민재 행정안전부 차관에게 ‘2025년 자랑스러운 한양인상’을 수여했다고 14일 밝혔다. 전영현 삼성전자 부회장(전자공학 80)은 35년간 반도체와 배터리 분야에서 대한민국을 글로벌 기술 강국으로 이끈 주역이다. 세계 최초 10나노급 D램과 V낸드 양산을 주도하며 국가 반도체 경쟁력의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 현재 반도체 인재 육성에도 앞장서며 산업 생태계 전반의 발전에 기여하고 있다. 한기수 필옵틱스 대표이사(물리학 87)는 OLED 디스플레이 제조 기술의 국산화를 이끈 인물이다. 특히 차세대 반도체 핵심인 유리관통전극(TGV) 제조 장비를 세계 최초로 양산하며 기술 자립을 실현했다. 한양벤처동문회 회장직을 수행하며 모교와 동문 사회 발전을 위한 기부 활동도 꾸준히 이어오고 있다. 김민재 행정안전부 차관(행정학 90)은 제38회 행정고시 합격 후 공직에 헌신해 온 지방행정 전문가다. 행정안전부 기획조정실장 등 주요 요직을 거치며 자치분권과 균형발전 등 국가적 과제를 체계적으로 추진해왔다. 탁월한 전문성과 정책 성과를 인정받아 지난해 차관에 임명됐다.

삼성전자가 31일 엔비디아에 성능과 에너지 효율을 대폭 향상시킨 6세대 고대역폭메모리(HBM)4를 엔비디아에 공급한다고 밝혔다. 또 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 5만개 이상을 도입해 ‘반도체 인공지능(AI) 팩토리’를 구축하기로 했다. 삼성전자는 이날 엔비디아에 ▲HBM3E ▲HBM4 ▲GDDR7 ▲SOCAMM2 등 차세대 메모리와 파운드리 서비스를 공급한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4는 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 고객 요구를 상회하는 11기가비트(Gbps) 이상의 성능을 구현한 것이 특징이다. 초고대역폭과 저전력 특성을 바탕으로 AI 모델 학습과 추론 속도를 높여 엔비디아의 AI 플랫폼 성능을 향상시키겠다는 전략이다. HBM 외에 업계 최초로 개발한 고성능 그래픽 D램(GDDR7)과 차세대 저전력 메모리 모듈 ‘SOCAMM2’ 공급도 협의 중이다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며 HBM4도 샘플을 요청한 모든 고객사에 샘플 출하를 완료한 뒤 양산 출하를 준비 중이다. 또 삼성전자는 향후 5만 개 이상의 엔비디아 GPU를 도입해 업계 최고 수준의 반도체 AI 팩토리를 구축하기로 했다. AI 팩토리는 ▲설계 ▲공정 ▲운영 ▲장비 ▲품질관리 등 반도체 설계와 생산을 아우르는 모든 과정에 AI를 적용해 스스로 분석·예측·제어하는 ‘생각하는’ 제조 시스템이 구현된 스마트 공장이다. AI 팩토리가 갖춰지면 차세대 반도체의 개발과 양산 주기를 단축하고, 제조 효율성과 품질 경쟁력을 혁신적으로 강화할 수 있다는 장점이 있다. 삼성전자의 AI 팩토리는 엔비디아의 시뮬레이션 라이브러리 옴니버스를 기반으로 ‘디지털 트윈’ 제조 환경을 구현하는 것이 골자다. 디지털 트윈은 실제 공장, 장비 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로, 현장에 가지 않고도 가상 환경에서 실시간 운영 분석·예측이 가능하다는 장점이 있다. 디지털트윈 기반 시뮬레이션을 활용하면 개발 기간을 크게 단축하는 것은 물론, 소량의 웨이퍼로도 공정 개발이 가능해진다. 수율 분석 소요 시간도 크게 단축돼 조기에 수율을 향상시킬 수 있으며 실시간으로 공정의 문제점을 분석해 자동 조치도 가능하다. 향후 삼성전자는 AI 팩토리 인프라 구축과 관련 노하우를 한국과 미국 테일러 등 해외 주요 생산 거점에까지 확장해, 글로벌 반도체 공급망 전체의 지능화와 효율화를 완성한다는 전략이다. 또 AI 팩토리를 중심으로 엔비디아와 함께 국내외 파트너사와 차세대 반도체 설계 도구를 공동 개발하고 AI 기반 반도체 제조 표준을 선도해 AI 생태계 발전에 이바지하겠다고 밝혔다.

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장을 장악하며 창사 이래 처음으로 분기 영업이익 10조원을 돌파했다. 29일 실적발표회에서 공개된 3분기 영업이익은 11조 3834억원으로, 전년 동기 대비 61.9% 급증했다. 영업이익률은 47%에 달했다. 매출액은 24조 4489억원을 기록하며 전년 대비 39.1% 성장했고, 순이익은 12조 5975억원으로 전년 동기(5조 7534억원)보다 119% 폭증했다. D램과 낸드 가격 상승세가 본격화된 데다 AI 서버용 고성능 제품 출하량이 급증하면서 분기 기준 역대 최대 실적을 경신했다. 회사 측은 “고객들의 AI 인프라 투자 확대로 메모리 전반의 수요가 급증했다”며 “HBM3E 12단과 서버향 DDR5 등 고부가가치 제품군 판매 확대로 지난 분기 최고 실적을 다시 넘어섰다”고 설명했다. 특히 AI 서버향 수요 증가로 128GB 이상 고용량 DDR5 출하량은 전 분기 대비 2배 이상 늘었고, 가격 프리미엄이 있는 AI 서버향 기업용 SSD(eSSD) 비중도 확대됐다. 호실적을 바탕으로 SK하이닉스는 재무구조 개선에도 성공했다. 3분기 말 현금성 자산은 전 분기 대비 10조 9000억원 증가한 27조 9000억원을 기록했다. 차입금은 24조 1000억원으로 줄어들며 3조 8000억원의 순현금 체제로 전환했다. SK하이닉스는 AI 시장이 추론 중심으로 빠르게 재편되면서 AI 서버의 연산 부담을 일반 서버 등 다양한 인프라로 분산하려는 움직임이 나타나고 있다고 분석했다. 이에 따라 고성능 DDR5와 eSSD 등 메모리 전반으로 수요가 확장될 것으로 전망했다. 최근 주요 AI 기업들이 스타게이트 프로젝트 등 전략적 파트너십을 잇달아 체결하며 AI 데이터센터 확장 계획을 발표하고 있는 점도 긍정적이다. HBM뿐 아니라 일반 서버용 메모리를 포함한 다양한 제품군에 걸쳐 고른 수요 성장이 예상된다. HBM4 출하 임박…엔비디아 등 주요 고객 협의 완료 SK하이닉스는 엔비디아를 비롯한 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 6세대 HBM4는 고객 요구 성능을 충족하며 업계 최고 속도를 지원한다. 회사는 4분기부터 HBM4 출하를 시작해 내년 본격적인 판매 확대에 나선다. 급증하는 AI 메모리 수요에 대응해 D램과 낸드 전 제품에 대한 내년 고객 수요를 이미 확보한 상태다. 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 청주 M15X 팹(공장)을 통해 신규 생산능력을 빠르게 확보하고 있다. 회사는 안정적으로 양산 중인 최선단 10나노급 6세대(1c) 공정으로의 전환을 가속화해 서버, 모바일, 그래픽 등 풀라인업 D램 제품군을 갖추고 공급을 확대할 계획이다. 낸드에서는 세계 최고층 321단 기반 트리플레벨셀(TLC), 쿼드레벨셀(QLC) 제품 공급을 늘려 고객 요구에 신속히 대응한다. 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 전망이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “AI 기술 혁신으로 메모리 시장이 새로운 패러다임으로 전환하며 전 제품 영역으로 수요가 확산되기 시작했다”며 “시장을 선도하는 제품과 차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 AI 메모리 리더십을 공고히 지켜가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스가 세계 최초로 최신 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 마무리하고, 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. 업계에서는 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아와 가격·공급협상을 마무리하고 본격적인 양산에 돌입한 것으로 보고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 향상시킨 고성능 제품이다. 6세대 제품인 이번 HBM4는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다. 이전 세대인 HBM3보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로를 적용해 대역폭을 2배로 확대했다. 대역폭은 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻하며, 수치가 높을수록 한 번에 더 많은 양의 데이터를 주고 받을 수 있다. 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. SK하이닉스는 “HBM4를 고객 시스템에 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 전망된다”고 했다. HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다는 설명이다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 말했다.

삼성전자가 평택 5공장 착공 준비에 들어가며 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대에 속도를 내고 있다. 연내 엔비디아에 HBM3E(5세대)를 대량 공급하고 HBM4(6세대) 성능 검증을 최대한 빠르게 마무리하기 위해 생산능력을 선제 확보하려는 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 평택 5공장 부지에서는 최근 철골 구조물 이동과 안전교육 등 착공 준비 작업이 진행됐으며, 이르면 다음달부터 공사가 시작될 것으로 전해진다. 당초 지난해 계획됐던 착공은 반도체 업황 부진과 수주 부족으로 연기된 바 있다. 평택캠퍼스는 총 6개 공장 부지로 세계 최대 규모이며, 현재 1~4공장 일부가 가동 중이다. 지난해 5공장과 함께 미뤄졌던 4공장의 나머지 생산라인 건설도 최근 공사 재개를 준비하고 다음달부터 수직 철골물을 세우는 작업에 들어간다. 이곳에는 10나노급 6세대(1c) 공정 D램 생산라인이 도입될 예정인데, 삼성전자는 1c 공정을 활용해 6세대 제품인 HBM4에 탑재되는 D램을 양산할 계획이다. 전문가들은 평택 신규 증설을 통해 내년 HBM4 초기 생산에 돌입, 2026년 시장 점유율 확대를 노릴 것으로 전망한다.

글로벌 3위 메모리반도체 기업 미국 마이크론이 주요 고객사에 6세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’의 샘플을 공급했다. SK하이닉스가 세계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 지 불과 3개월 만이다. HBM4 시장의 주도권을 놓고 글로벌 메모리 반도체 기업 간 경쟁이 본격화됐다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 지난 10일(현지시간) 36기가바이트(GB) 용량의 12단 적층 HBM4 샘플을 주요 고객사에 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 5세대(1b) 10나노급 D램 공정이 적용됐으며, 이전 세대인 HBM3E 대비 성능은 60%, 전력 효율은 20% 이상 향상된 것으로 전해졌다. 마이크론은 “고객의 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 양산 일정과 발맞춰 2026년 HBM4 양산을 확대할 계획”이라고 말했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만든 초고속 메모리로, AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 특히 내년부터 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘루빈’에 HBM4가 탑재될 예정이어서 주요 반도체 기업들은 지금부터 최종 납품권 확보를 위한 경쟁에 돌입한 상태다. 현재는 SK하이닉스가 HBM4 시장에서 우위를 점한 상황이다. SK하이닉스는 이미 지난 3월 12단 HBM4 샘플을 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 공급하며 선두를 선점했다. 현재 HBM3E를 기반으로 한 블랙웰 그래픽처리장치(GPU) 납품에서도 시장 점유율 80% 이상을 확보하고 있다. 이상락 SK하이닉스 글로벌세일즈마케팅(GSM)담당 부사장은 이날 이천캠퍼스에서 열린 사내 소통 행사에서 “상반기 시황은 아주 좋았고 하반기도 비관적이지 않다”며 “우리의 경쟁력은 HBM이며, 기존 D램도 충분한 경쟁력을 갖추고 있다”고 했다.

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 압도적 1위를 차지하며 글로벌 인공지능(AI) 반도체 시장에서 두각을 드러낼 수 있었던 숨은 주역으로 김만섭 전기·UT기술 담당 부사장과 최준기 이천팹(FAB) 담당 부사장을 소개했다. SK하이닉스는 7일 뉴스룸을 통해 두 사람의 인터뷰를 공개했다. 김 부사장은 지난 9월 ‘대한민국 전기안전대상’에서, 최 부사장은 지난달 ‘반도체의날 기념 정부 포상 시상식’에서 각각 은탑산업훈장을 수상했다. 김 부사장은 1995년 전기 엔지니어로 SK하이닉스에 입사해 29년간 공장 건설과 설비 운영에서 큰 역할을 했다. 그는 조직을 진두지휘하며 청주 M15와 이천 M16 인프라 구축을 적기에 마치며 HBM 생산시설 인프라 구축을 빠르게 완수했고, 그 결과 급증하는 HBM 수요에 SK하이닉스가 적시 대응할 수 있도록 했다는 평가를 받는다. 그는 무엇보다 ‘무사고’ 달성을 가장 자랑스러운 성과로 꼽았다. 김 부사장은 “전기재해 제로(0)화는 협력사 구성원들의 안전 역량이 함께 높아져야만 달성할 수 있다”면서 “무사고에 대한 구성원들의 책임감과 높은 안전의식이 수상 배경이라고 생각한다”고 말했다. 30년 경력의 반도체 전문가인 최 부사장은 자원 관련 조직과의 적극적인 소통으로 생산성을 극대화하고, HBM3E와 10나노급 6세대 공정기반 DDR5 등 혁신적인 제품 생산에 앞장섰다는 평가를 받는다. 그는 불황기에는 자원을 줄여서 비용을 최소화하고, 모든 자원을 가용해 생상량을 최대로 끌어올려야 하는 호황기 전환기에 관련 조직과 적극 소통하며 개선사항을 반영한 것을 생산성 극대화의 비결로 꼽았다. 최 부사장은 “개발에서 양산으로 이관하기 전 관련 조직이 원팀으로 움직이며 양산 조건을 빠르게 안정화했다”며 “어려움을 이겨낼 힘은 원팀 마인드에서 나온다”고 강조했다. 그러면서 “이를 지속해 간다면 우리 경쟁력은 계속 높아질 것”이라며 “원팀 마인드를 바탕으로 양산 체계를 고도화해 AI 메모리 시장 1위를 지키는 데 기여하겠다”고 말했다.

글로벌 인공지능(AI) 메모리 반도체 시장의 경쟁에서 우위를 점하고 있는 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 1등 자리에 설 수 있게 한 숨은 주역들의 인터뷰를 공개했다. 7일 SK하이닉스는 최근 ‘17회 반도체의 날’과 ‘2024 대한민국 전기안전대상’에서 은탑산업훈장을 수상한 최준기 SK하이닉스 이천팹(FAB)담당 부사장과 김만섭 SK하이닉스 전기·UT기술 담당 부사장과의 인터뷰를 뉴스룸에 실었다. 생산성 향상과 제조 기술 개발을 주도하고 있는 최 부사장은 HBM3E(5세대)와 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 DDR5 RDIMM 등 혁신적인 제품을 생산하는 데 앞장섰다. 최 부사장은 “다운턴(불황기)에는 자원을 줄여 최소한의 비용으로 생산하고, 업턴(호황기)에는 모든 자원을 가용해 생산량을 최대로 끌어올려야 한다”며 “업턴으로 전환하는 적기에 자원 관련 조직과 적극 소통하며 개선 사항을 반영함으로써 생산성을 극대화할 수 있었다”고 밝혔다. 특히 HBM3E의 경우 기술 개발 성공 소식을 알린 지 불과 7개월 만에 양산을 성공적으로 완수하고 생산량을 대폭 끌어올리는 세계 최초의 기록을 만들어냈다. 최 부사장은 이 같은 성과의 바탕에는 ‘원팀 마인드’가 있었다고 말했다. 그는 “개발에서 양산으로 이관하기 전, 관련 조직이 원팀으로 움직이며 양산 조건을 빠르게 안정화했고, 이것이 양산 성공의 단단한 기초가 됐다”며 “현재는 극자외선(EUV) 공정 완성도 향상, 장비 안정화, 가용자원 확보, 이종 장비 확대 등 생산성 증대를 위한 다양한 과제를 추진하고 있다”고 했다. 1995년 전기 엔지니어로 SK하이닉스에 입사해 전기 및 유틸리티 분야의 전문가로 알려진 김 부사장은 29년 동안 공장 건설, 설비 운영 등에서 역할을 해왔다. 김 부사장은 ‘무사고 3276일 달성’을 가장 자랑스러운 성과로 꼽았다. 그는 “무엇보다 ‘작업 중지권 활성화’가 안전 문화 정착에 큰 힘이 됐다”면서 “앞으로도 무사고 사업장 기록을 계속 경신해 나갈 계획”이라고 말했다. 2022년 도입된 작업 중지권 활성화는 근로자 스스로 현장의 위험성을 최종 확인하는 절차로, 이를 통해 안전사고를 크게 줄일 수 있었다는 평가다.

“봄이 왔네요.” 이재용(56) 삼성전자 회장은 3일 약 열흘간의 유럽 출장을 마치고 귀국하는 길에 취재진을 만나 이렇게 말했다. 이 회장은 유럽 출장 소외와 성과를 묻는 취재진의 질문에는 별다른 답변을 하지 않고 “아침부터 나와서 고생 많으셨다”라는 말로 인사를 대신했다. 이 회장은 출장 기간 독일과 프랑스, 이탈리아 등을 방문해 유럽 시장을 점검하고 비즈니스 미팅과 해외 주재원 간담회 등의 일정을 소화했다. 일각에선 이 회장이 언급한 ‘봄이 왔다’는 말을 두고 유럽과 한국의 계절적 변화뿐만 아니라 최근 반도체 업황 개선에 힘입어 호실적을 기록한 삼성전자의 상황을 빗대어 해석하기도 했다. 삼성전자는 올해 1분기 매출에서 5개 분기 만에 70조원대를 회복하기도 했다. 특히 반도체(DS) 부문에서도 5개 분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 특히 지난달 26일(현지시간)에는 독일 오버코헨에 있는 글로벌 광학 기업 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트 자이스 그룹 최고경영자(CEO) 등과 만나 양사 협력 강화 방안을 논의하기도 했다.자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 극자외선(EUV) 기술 관련 핵심 특허를 2000개 이상 보유하고 있는 글로벌 광학 기업이다. 반도체 업계의 이른바 ‘슈퍼 을’로도 불리는 반도체 노광장비 기업 네덜란드 ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스 부품은 3만개 이상이다. 이 회장은 이 자리에서 최근 취임한 ASML의 크리스토퍼 푸케 신임 CEO와 만나 반갑게 포옹하기도 했다. 이 회장은 자이스 경영진과 반도체 핵심 기술 흐름과 양사의 중장기 기술 로드맵에 대해 논의했다. 특히 자이스 공장을 방문해 최신 반도체 부품과 장비가 생산되는 모습을 직접 살펴보기도 했다. 자이스 본사 방문에는 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO), 남석우 삼성전자 DS 부문 제조 & 기술 담당 사장 등 반도체 생산기술을 총괄하는 경영진이 동행했다.삼성전자와 자이스는 이 회장의 방문을 계기로 파운드리와 메모리 사업 경쟁력을 강화하기 위해 향후 EUV 기술과 첨단 반도체 장비 관련 분야에서의 협력을 더욱 확대하기로 했다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고, 연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산한다는 계획이다. 특히 삼성전자는 자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 성능 개선과 생산 공정 최적화, 수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다. 한편 이 회장은 이후 이탈리아로 이동해 바티칸 사도궁에서 프란치스코 교황을 개인 알현하기도 했다. 이 회장이 교황을 만난 것은 이번이 처음이다. 교황청 성직자 부 장관인 유흥식 추기경이 가교 구실을 한 것으로 알려졌다.

삼성전자가 연내 업계 최초로 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의1m)급 D램 양산을 시작한다. SK하이닉스는 미국 인디애나주에서의 첨단 패키징(후공정) 공장 신설 계획을 공식화했다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024’에서 차세대 D램 개발 로드맵을 발표했다. 6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다. 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획이다. EUV 장비를 활용하면 동일한 칩 면적에도 기억 소자를 더욱 정밀하게 배치할 수 있어 기존보다 데이터 처리 용량을 높이면서 속도는 더 빠른 제품을 만들 수 있다. 삼성전자는 2026년 10나노급 7세대 제품을 양산하고 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램을 생산한다는 계획이다. 3차원 구조의 D램 또한 삼성전자가 업계 최초 공개를 목표로 개발하고 있다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 기존 D램처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 3배 키운 제품이다. SK하이닉스는 이날 인디애나 북서부 웨스트라피엣 소재 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 반도체 시설 투자협약을 맺었다. SK하이닉스는 웨스트라피엣에 38억 7000만 달러(약 5조 2000억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키지 공장을 신설한다. SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라면서 “이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 인디애나 공장 신설 등을 계기로 현지에서 1000개 이상의 일자리가 창출될 것으로 추산했다. 아울러 반도체 등 첨단공학 연구를 특화한 퍼듀대와는 반도체 연구개발에 협력하기로 했다.

SK하이닉스가 현존 D램 가운데 가장 미세화한 10나노미터(㎚·10억분의1ｍ)급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고 인텔과 서버용 호환성 검증 절차에 들어갔다. 메모리시장 불황에 매출이 크게 하락한 가운데 생성형 인공지능(AI) 개발과 맞물려 급성장할 기업용 서버 시장을 적극 공략해 실적을 빠르게 회복한다는 전략이다. SK하이닉스는 30일 업계 최선단 기술을 적용한 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차를 진행하고 있다고 밝혔다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 ‘제온 스케일러블 플랫폼’에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 과정에 해당한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증받은 바 있다.인텔에 제공한 DDR5 제품은 동작 속도 6.4Gbps(초당 기가비트)로 현재 시장에 나와 있는 DDR5 가운데 가장 빠른 속도를 구현한다. 1초에 5기가바이트(GB) 풀HD 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다. 기존 1a 제품과 비교하면 데이터 처리 속도가 14%가량 향상됐고, 소모 전력은 20% 이상 줄었다. SK하이닉스는 이번 기술 개발을 통해 높은 성능과 우수한 전력 효율을 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것이라고 기대했다. 김종환 D램 개발담당(부사장)은 “올해 하반기부터 메모리시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다”고 말했다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 전 세계 D램 시장에서는 기업용 데이터센터 등에 들어가는 서버용 D램 공급이 스마트폰과 태블릿 등에 쓰이는 모바일용 D램을 추월할 것으로 전망된다. 트렌드포스는 올해 반도체 업계 D램 생산량에서 서버용 D램이 차지하는 비중을 37.6%, 모바일용 D램 비중을 36.8%로 각각 추정했다.

메모리 업황 악화에 고난의 시간을 보낸 삼성전자가 또 다시 ‘초격차’ 기술력으로 시장 반등에 나선다. 제품 감산을 통한 2분기 재고 안정화에 이어 하반기부터 기업의 메모리 수요가 증가할 것으로 전망되면서 그간의 실적 하락을 단숨에 만회한다는 전략이다.삼성전자는 18일 업계 최초로 12나노미터(㎚·1나노는 10억분의 1m)급 공정을 적용한 5세대 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 D램 공정 고도화를 위해 재고를 충분히 확보한 기존 4세대 D램 생산량을 줄이면서 5세대 D램 생산에 집중한다고 밝힌 바 있다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 삼성전자는 메모리에서 확보한 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 ‘12나노’라는 구체적 선폭을 공개했다. 이번 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력은 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 명확하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps로, 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 호환성 검증을 마치고 글로벌 정보기술(IT) 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.업계에서는 메모리 업황이 올 하반기부터 반등하기 시작해 내년부터는 성장세로 돌아설 것으로 보고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램 시장(매출 기준)은 올해 443억 2200만달러(약 59조 1300억원) 규모로 전년 대비 44.1% 감소할 것으로 예상된다. 다만 2014년 15.3%, 2025년 49.1%, 2026년 24.2%, 2027년 3.9% 증가하며 2027년에는 983억 3400만달러 규모로 올해 대비 2배 이상으로 커질 전망이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 제품군을 확대해 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

한국공학한림원은 16일 ‘제27회 한국공학한림원 대상 및 젊은공학인상’ 수상자 3명을 발표했다. 대상은 디스플레이 기술 혁신을 주도한 한종희(왼쪽·61) 삼성전자 대표이사 부회장에게 돌아갔다. 한 부회장은 1988년 입사부터 34년 동안 디스플레이, 사운드 디바이스 관련 기술을 혁신하고 이들 제품이 세계 시장을 선도하는 데 크게 이바지한 공로를 인정받았다. 젊은공학인상은 김형수(가운데·49) SK하이닉스 부사장과 장준혁(오른쪽·50) 한양대 교수가 받는다. 김 부사장은 세계 최초로 10나노급 16기가바이트(Gb) DDR5 DRAM 개발을 주도해 국내 반도체 산업 위상을 높였고 장 교수는 인공지능(AI) 딥러닝 기술을 기반으로 세계 최고 수준의 한국어 음성인식 기술을 개발해 관련 기술 발전에 큰 공헌을 했다고 한림원은 밝혔다.

한국공학한림원은 16일 ‘제27회 한국공학한림원 대상 및 젊은공학인상’ 수상자 3명을 발표했다. 대상은 디스플레이 기술 혁신을 주도한 한종희(61) 삼성전자 대표이사 부회장에게 돌아갔다. 한 부회장은 1988년 입사부터 34년 동안 디스플레이, 사운드 디바이스 관련 기술을 혁신하고 이들 제품이 세계 시장을 선도하는 데 크게 이바지한 공로를 인정받았다.젊은공학인상은 김형수(49) SK하이닉스 부사장과 장준혁(50) 한양대 교수가 받는다. 김 부사장은 세계 최초로 10나노급 16기가바이트(Gb) DDR5 DRAM 개발을 주도해 국내 반도체 산업 위상을 높였고 장 교수는 인공지능(AI) 딥러닝 기술을 기반으로 세계 최고 수준의 한국어 음성인식 기술을 개발해 관련 기술 발전에 큰 공헌을 했다고 한림원은 밝혔다.공학한림원 대상 및 젊은공학인상은 공학 관련 연구, 교육, 경영 등에서 기여한 인물을 선정해 시상하는 제도다. 수상자에게는 각각 상패와 함께 상금 2억원(대상)·1억원(젊은공학인상)을 수여한다. 상금은 귀뚜라미문화재단에서 출연하고 있다. 시상식은 오는 20일 서울 중구 웨스틴조선 서울에서 열린다.