중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했다. 샤오미의 최신 폴더블폰에도 탑재될 예정이어서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 모바일 D램 시장의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다. CXMT는 지난 29일(현지시간) 웨이보를 통해 LPDDR6 메모리가 정식 양산에 들어갔다고 밝혔다. 첫 적용 제품은 샤오미의 ‘18 폴드’로, 오는 9월 출시될 예정이다. 레이쥔 샤오미 최고경영자(CEO)는 “샤오미의 자체 개발 AI 프로세서 ‘쉬안제 O3’가 CXMT의 LPDDR6을 처음 지원하며 18 폴드에 최초 탑재된다”고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등에 사용되는 저전력 D램 규격이다. CXMT는 자사 LPDDR6이 최대 1만 2800Mbps의 전송 속도와 16Gb 용량을 지원한다고 공개한 바 있다. LPDDR6은 온디바이스 인공지능(AI) 연산 성능을 높이는 핵심 메모리로 꼽혀 향후 PC·서버·차량 등으로 활용 범위가 확대될 전망이다. 중국 매체 증권시보는 CXMT의 이번 양산을 세계 최초 LPDDR6 상용화로 평가하며 “중국 메모리 기업이 고사양 메모리 표준에서 처음으로 세계 최초 양산에 성공했다”고 의미를 부여했다. CXMT의 거센 기술 추격에 삼성전자와 SK하이닉스에는 위협이 되고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스도 LPDDR6 시장 선점에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발을 완료하고 올해 하반기 공급을 예고했다. 삼성전자는 지난 1월 ‘CES 2026’에서 LPDDR6 제품을 공개했지만 구체적인 양산 일정은 밝히지 않았다. 글로벌 투자은행 모건스탠리는 “CXMT가 올해 말까지 월 30만 장의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것”이라며 “이는 전 세계 D램 웨이퍼 생산 능력의 약 13%, 글로벌 비트(Bit) 출하량의 11%에 해당하는 규모로 오는 2028년까지 생산 능력을 월 50만장까지 끌어올릴 것”이라고 내다봤다.

2025년 12월 국내 반도체 핵심기술을 빼돌려 중국에 팔아넘긴 전직 삼성전자 임직원 일당이 재판에 넘겨져 징역 6년과 7년 형을 받았다. 2016년 삼성이 세계 최초로 10나노급 디램 양산에 성공했는데 이 핵심 기술이 같은 해 설립된 중국 창신메모리 손으로 넘겨졌다. 창신메모리는 2023년 중국 최초로 18나노 디램 양산에 성공하면서 삽시간에 삼성, SK하이닉스, 마이크론 다음 자리인 전 세계 시장 점유율 4위로 올라섰다. 해외 산업기술 유출 건수는 2022년 18건, 2023년 37건, 2024년 47건으로 증가하고 있다. 전체 147건 가운데 60건(40.8%)은 중국과 관련이 있다고 한다. 유출 분야는 반도체가 가장 많고 디스플레이, 이차전지, 정보통신, 조선, 심지어 화장품까지 다양하다. 기술 개발에 어마어마한 시간과 비용이 들기 때문에 유출되면 막대한 재산상 손해가 따르고 회복은 불가능하다. 적발 건수의 절대다수는 내부 연구자로 알려졌다. 최근 첨단기술 문단속이 중요해지는 것은 전 세계적 현상이다. 미국은 오래전부터 연구기관의 연구안보 프로그램 운영을 의무화했고 유럽연합(EU) 이사회나 주요 7개국(G7) 공동원칙도 같은 방향으로 움직여 왔다. 특히 트럼프 대통령은 2021년 국가안보 대통령 각서(NSPM-33)를 공표하면서 그 기준을 한층 더 높였다. 미국은 연방 정부 지원 연구개발 사업의 보안과 무결성을 강화하기 위해 외국 정부의 기술 탈취나 간섭으로부터 연구자산을 보호하고 과학기술 리더십까지 지키는 동시에 여전히 개방적인 연구 환경이 유지되도록 방향을 잡았다. 미국 국가과학재단(NSF)은 강화된 기준에 따라 2024년 7월부터 외국 재정 지원 공개와 2025년 10월부터 연구 보안 평가와 문서 제출을 의무화했다. 역설적으로 보이지만 중국도 반도체 설계의 핵심 지식재산인 집적회로 배치에 대한 자국 기술 보호를 강화하고 나섰다. 최근 중국은 반도체 관련 기술을 보호하는 한편 유출에 대한 처벌까지 강화하는 내용을 담은 집적회로 배치설계 보호 관련 법령을 개정한 사실을 공표하고 오는 10월부터 시행하기로 했다. 2001년 자국 기업의 핵심기술 유출과 무단 복제를 막기 위한 법적 장치를 제정한 이후 다시 등록 신청과 심사 절차를 대폭 손질한 것이다. 중국은 침해 정도가 심각한 경우에는 징벌적 손해배상을 적용할 수 있도록 명문화해 지식재산권 보호 제도를 고도화했다. 한국도 ‘국가연구개발사업 보안대책’에 따라 기관마다 보안대책 총괄담당자를 지정하고 외국인 연구원 참여를 심의하며 국외수혜 관련 정보 보고를 의무화하는 중이다. 2021년 보안대책이 만들어진 뒤 2023년 다시 개정해 관련 예산을 확대하고 전담조직(한국과학기술기획평가원)도 꾸렸다. 2026년에는 과학기술정보통신부가 처음으로 연구안보사업 대상 대학을 선정하고 점차 확대할 것으로 알려졌다. 그러나 아직 갈 길이 멀다. 보안대책 제정에도 불구하고 최근 5년 동안 한국의 산업기술 해외유출이 줄지 않고 피해도 약 23조원을 넘는 것으로 추정된다. 더이상 연구결과나 기술의 단순 해외유출에 초점을 두는 과거의 연구보안 개념에 머물 시점이 아니다. 이제 연구자와 연구 생태계 전체를 지키는 연구안보라는 개념으로 확장시켜 더 적극적으로 대응해야 한다. 우선 몰라서 당하는 일이 생기지 않도록 연구의 기획 단계부터 연구의 민감성, 협업기관의 지배구조, 연구 자료의 이동, 외국 연구 인력과 연구비의 구성, 성과물의 공유 등에 대한 위험성 분석에 따라 사고를 미연에 방지하는 접근법이 막중해진다. 또한 유출범에게는 걸려도 돈벌이가 된다는 생각을 뜯어고쳐 줘야 한다. 막대한 연봉, 주거비, 자녀 학비 등 파격적인 대우에 넘어가 첨단 과학기술 정보를 팔면 미국과 같이 간첩죄를 적용해서 평생 감옥에 가둬야 한다. 손해배상도 철저하게 집행해야 할 것이다. 이준한 인천대 정치외교학과 교수

최태원 SK그룹 회장이 대만에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)에 이어 세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체인 TSMC의 웨이저자 회장과 회동했다. 엔비디아·TSMC와의 협력을 바탕으로 AI 반도체 ‘삼각 동맹’을 강화하려는 행보로 풀이된다. SK하이닉스는 최 회장이 지난 3일(현지시간) 대만 타이베이에서 웨이 회장과 만나 차세대 AI 기술 동향과 글로벌 AI 생태계 협력 방안을 논의했다고 4일 밝혔다. 이번 회동은 2024년 6월 이후 2년 만에 이뤄졌다. 양사는 글로벌 AI 시장 환경에 기민하게 대응하기 위해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발을 비롯해 첨단 패키징 분야 등을 아우르는 전방위적 협력을 한층 강화하기로 뜻을 모았다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재되는 SK하이닉스의 6세대 고대역폭메모리(HBM4)는 TSMC의 12나노 베이스 다이와 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하고 있다. 웨이 회장 역시 TSMC 연례 주주총회에서 “향후 수년간 TSMC 성장에 대해 확신한다”고 밝혔다. 최 회장은 같은날 세계 최대 전자제품 위탁생산 기업인 폭스콘의 류양웨이 회장과도 만나 AI 인프라 경쟁력 강화 방안을 논의했다. 한편, 대만 일정을 마치고 방한하는 황 CEO는 전세기 편에 5일 오후 김포공항으로 입국한 뒤 간단한 방한 소감을 밝힐 것으로 전해졌다. 이후 나흘간 국내 주요 기업 총수와 게임업계 등을 두루 만나며 광폭 행보를 이어간다. 서울 성수동의 한 삼겹살집에서 최 회장, 정의선 현대차그룹 회장, 구광모 LG그룹 회장, 이해진 네이버 의장 등 주요 기업인들과 만날 것으로 알려졌다. 이 자리에서 HBM과 AI 데이터센터를 비롯해 자율주행, 로봇, 피지컬 AI 등 엔비디아와 국내 기업 간 협력 방안이 폭넓게 논의될 것이라는 관측이 나온다. 황 CEO는 tvN 토크쇼 ‘유 퀴즈 온 더 블럭’에 출연하고, 서울 잠실야구장에서 열리는 두산 베어스 홈경기에서 시구자로 나서는 등 대중 친화 행보에도 나선다. 특히 시구 행사에서는 박정원 두산그룹 회장이 시타자로 선다. 황 CEO는 김택진 엔씨 대표와 크래프톤 장병규 의장 등 주요 게임업계 관계자들을 만나 AI 및 차세대 칩셋 협력 방안 등을 논의할 예정이다. 세계적인 프로게이머 ‘페이커’ 이상혁 선수와의 만남도 추진 중인 것으로 알려졌다. 방한 마지막 날인 오는 8일에는 업스테이지 등 국내 AI·로봇 스타트업 대표들과 비공개 간담회를 가질 예정이다. 이후 서울대 AI연구원과 로보틱스 연구소를 방문하는 방안도 조율 중인 것으로 알려졌다.

삼성전자가 글로벌 차량용 메모리 반도체 시장에서 처음으로 미국 마이크론을 제치고 점유율 1위에 올랐다. 또 인공지능(AI) 핵심 부품인 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장에서도 세계 최초로 7세대 HBM4E 샘플 출하하며 주도권 확보에 속도를 내고 있다. 파업 위기를 넘긴 삼성전자가 AI·자동차 메모리 양대 시장에서 반격에 나서는 모습이다. 31일 스탠더드앤드푸어스(S＆P) 글로벌 모빌리티에 따르면 삼성전자의 차량용 메모리 시장 점유율은 2024년 35%에서 지난해 40%로 상승하며 처음으로 1위를 기록했다. 기존 1위였던 마이크론은 점유율이 같은 기간 40%에서 36%로 하락해 2위로 밀려났다. 삼성전자는 유럽·한국·일본 등은 물론, 세계 최대 전기차 시장인 중국에서 점유율을 크게 확대한 것으로 보인다. 자율주행 기술 확산과 차량용 인포테인먼트(IVI) 시스템의 고도화로 고성능·고용량 메모리 수요가 급증한 가운데, 삼성전자의 저전력 D램(LPDDR)과 유니버설 플래시 스토리지(UFS) 제품이 경쟁력을 인정받은 결과다. 한국자동차연구원에 따르면 자율주행, 소프트웨어 중심 자동차(SDV)의 발전 및 확산으로 차량용 메모리 시장 규모는 지난해 73억 9000만 달러에서 연평균 11.1% 성장해 2030년 125억 달러로 커질 전망이다. 차량용 메모리는 모바일·가전 메모리보다 단가가 높고 장기 공급계약이 일반적이어서 산업 하강기에도 안정적인 수익원이 될 수 있다. 삼성전자는 2015년에 차량용 반도체 시장에 본격 진출한 뒤 SSD와 그래픽 D램(GDDR) 등을 양산차에 확대 적용하며 프리미엄 시장을 공략해왔다. 이와 별도로 삼성전자는 올해 2월 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리인 HBM4 양산에 성공한 데 이어 불과 3개월 만에 차세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 지난 29일 밝혔다. HBM4E는 핀당 최대 16기가비트(Gbps)의 속도를 지원하며 전작인 HBM4 대비 속도를 20% 이상 높였다. 용량도 48기가바이트(GB)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 또 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 이는 차세대 AI 시스템의 데이터 처리 성능을 크게 높일 것으로 보인다. 특히 삼성전자는 HBM4E를 통해 수직계열화 구조를 선보였다. 삼성전자는 메모리사업부의 10나노급 6세대(1c) D램과 파운드리의 4나노 베이스 다이, 시스템LSI 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등을 결합해 HBM4E를 개발했다. 소위 ‘원스톱 턴키 솔루션’이다. 업계에서는 HBM4 세대부터 고객 맞춤형 설계와 안정적인 공급 역량이 중요해지는 만큼 통합 생산 체계가 경쟁력을 높일 것으로 보고 있다. 특히 HBM3E 세대에서 경쟁사에 밀렸던 삼성전자가 HBM4 세계 최초 양산과 HBM4E 세계 최초 샘플 출하를 잇달아 달성하며 기술 리더십 회복에 나섰다는 점에서 의미가 크다. 특히 삼성전자가 최근 미국 AI 기업 앤트로픽에 조단위의 지분 투자를 단행한 것으로 전해지면서 적자인 파운드리 사업부의 반등 가능성도 부상했다. 앤트로픽은 최근 진행한 시리즈H 투자 라운드에서 650억 달러(약 98조원)를 유치했다고 지난 28일 밝혔는데, 투자 참여 기업 중 첨단 파운드리 사업을 보유한 곳은 삼성전자가 사실상 유일하다.

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다. 이날 삼성전자는 보통주와 우선주(삼성전자우)의 합산 시가총액에서 사상 처음으로 2000조원을 넘겼다. 한국거래소에 따르면 이날 삼성전자 주가는 전 거래일 대비 5.84% 상승한 31만 7000원에 거래를 마쳤다. 시가총액은 1853조 2703억원이다. 우선주는 6.08% 오른 20만 2500원으로 시총은 162조 4802억원이다. 합산 시총은 2015조 7505억원으로 2000조원을 훌쩍 넘어섰다. 지난 1월 합산 시총 1000조원을 돌파한 지 4개월 만에 시가총액이 두 배로 늘어난 것이다. 우선주를 포함한 단일 기업의 시총이 2000조원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. 미국의 시총 조사 사이트 컴퍼니즈마켓캡닷컴에 따르면 삼성전자의 전 세계 기업 시총 순위는 11위로, 페이스북·인스타그램 운영사 메타를 바짝 뒤쫓고 있다.

삼성전자가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플 출하를 시작했다. 지난 2월 전 세대인 HBM4 양산 출하를 시작한 지 3개월 만으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 29일 업계 최초로 HBM4E의 샘플을 출하했다고 밝혔다. 전작인 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 속도는 최대 16Gbps(초당 기가비트)로, HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 초당 4TB(테라바이트) 수준의 대역폭을 구현해 발열·전력 효율·적층 기술 등 전반적인 기술 난이도를 크게 높였다. 용량 면에서는 12단 기준 48GB(기가바이트)로 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 적용해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 삼성전자가 발 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 것은 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 안정적으로 유지하며 주도권 잡기에 나선 것이란 분석이다. AI 인프라 시장에서 메모리 수급 경쟁이 심화되면서 조기부터 고객사와 공동 검증 및 최적화에 나설 수 있는 빠른 샘플 공급과 안정적인 양산이 핵심 경쟁력이 됐다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다.

SK하이닉스가 영업이익률 약 72%를 기록하며 글로벌 반도체 기업을 웃도는 수익성을 보였다. 계속되는 인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 힘입어 매출액 52조원, 영업익 37조원을 넘어 역대 최대 실적 기록 행진도 이어 갔다. SK하이닉스는 메모리 수요가 공급을 웃도는 상황이 당분간 이어질 것으로 보고 올해 투자 규모를 전년 대비 크게 늘리며 실적 호조를 이어 갈 방침이다. SK하이닉스는 분기 영업이익률이 71.5%로 지난해 4분기 58.4%를 넘어 역대 최고 기록을 경신했다고 23일 공시했다. 연결 기준 올해 1분기 영업이익은 37조 6103억원으로 전년 동기 대비 405.5% 증가했고, 앞서 역대 최대 기록이었던 지난해 4분기(19조 1696억원)와 비교해도 영업이익이 2배 수준으로 늘었다. 매출액은 52조 5763억원으로 198.1% 증가했다. 영업익과 매출 모두 분기 기준 최대 기록이다. SK하이닉스는 “1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데 고대역폭 메모리(HBM)·고용량 서버용 D램 모듈·기업용 고성능 저장장치(eSSD) 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어 갔다”고 설명했다. 실적의 핵심은 ‘수익성’이다. 영업이익률 72%는 단순한 업황 반등이 아니라 AI 인프라 중심으로 재편된 메모리 산업 구조 변화의 결과로 보인다. 반도체 파운드리 1위인 TSMC의 1분기 영업이익률(58.1%)을 크게 웃돌았고 AI 핵심 기업인 엔비디아의 2026회계연도 4분기(2026년 1월 종료 기준) 영업이익률인 65.0%도 앞섰다. 또 경쟁사인 미국 마이크론의 2026회계연도 2분기 영업이익률(67.6%)보다 4.4% 포인트, 역대 최대 실적을 낸 삼성전자의 올해 1분기 영업이익률(43.0%)보다 29.0% 포인트 높다. 비수기 넘은 수요 확대AI 인프라 투자 확대로 수요 강세고부가가치 메모리 제품 판매 확대이는 단순 비교를 넘어 의미가 크다. 엔비디아는 그래픽처리장치(GPU) 설계라는 고부가가치 팹리스 기업이고 SK하이닉스는 대규모 설비투자가 필요한 메모리 제조업체다. 그럼에도 동일한 수준의 수익성을 달성했다는 것은 AI 가치사슬에서 ‘메모리’가 핵심 수익원으로 이동했음을 보여 준다. 이런 수익성은 HBM·범용 D램·eSSD 수요 급증이 동시에 맞물린 ‘삼박자’ 효과에서 비롯됐다. 우선 HBM은 AI 연산의 필수 부품으로 자리잡으며 가장 높은 수익성을 창출했다. 회사는 이날 콘퍼런스콜에서 “(4세대인) HBM2E부터 원가와 수율, 성능 등 종합적 제품 경쟁력과 고객 신뢰도 측면에서 최고 수준을 유지하고 있다”며 향후 3년간 고객 요청 수요가 SK하이닉스의 생산능력을 훨씬 상회할 것으로 내다봤다. 이어 6세대 HBM인 HBM4도 고객 요구 성능에 맞춰 생산 확대를 준비 중이며, 7세대 HBM4E는 내년 본격 양산을 목표로 하고 있다. 차세대 제품 연속 출시HBM 성능 향상·HBM4 생산 확대6세대 D램·321단 cSSD 공급 탄력HBM의 생산량 확대는 범용 D램 시장에도 파급효과를 미쳤다. HBM 생산은 범용 D램 대비 더 많은 웨이퍼를 소모하는 구조이기 때문에 최신 세대 D램인 DDR5 등 범용 제품 공급이 줄어들었고, 그 결과 가격이 급등했다. 실제 1분기 범용 D램 계약가는 90% 이상 상승하며 공급자 우위 시장이 형성됐다. 향후 회사는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 저전력 D램 LPDDR6와 192GB(기가바이트) 소캠(SOCAMM)2 양산을 통해 고성능 D램 공급을 확대할 계획이다. 낸드 부문에서도 변화가 나타났다. 회사는 “AI 모델이 고도화될수록 중간 데이터 처리량이 폭발적으로 증가하고 있다”며 “고성능·고용량 eSSD 채택이 빠르게 확대되고 있다”고 설명했다. 이어 “(이러한 수요에 대응하기 위해) 세계 최초로 321단 쿼드레벨셀(QLC) 낸드를 개발했고 고객 인증을 통해 기술 초격차를 확보했다”고 덧붙였다. 회사는 321단 개인용 고성능 저장장치(cSSD) ‘PQC21’ 공급을 시작했으며 eSSD도 전 영역으로 라인업을 확장하고 있다. 또한 올해 말까지 국내 낸드 생산량의 절반 이상을 321단 제품으로 전환할 계획이다. 앞으로도 메모리에 대한 강한 수요가 지속될 것으로 보인다. 회사는 “이번 메모리 가격 상승은 과거와 다른 구조적 변화”라며 “고객들이 가격보다 물량 확보를 우선시하는 상황이 지속되고 있다”고 밝혔다. 이어 “유의미한 생산능력 확대까지 좀더 시간이 걸리고 우호적 가격 환경이 당분간 유지될 것”이라며 장기공급계약(LTA)과 관련해 고민을 드러냈다. 이는 단기 호황이 아닌 중장기 공급 부족 국면 진입을 시사한다. 미래 전망도 청신호수요 구조적 변화… 장기계약 유리“재무 건전성 위해 100조 확보 목표”수익성 개선은 재무구조에도 반영됐다. 올해 1분기 말 현금성 자산은 54조 3000억원으로, 이는 지난해 말(34조 9000억원) 대비 19조 4000억원 늘어난 수치다. 반면 차입금 규모는 줄었다. 같은 기간 차입금은 2조 9000억원 감소한 19조 3000억원을 기록했다. 이에 따라 35조원의 ‘순현금’을 달성하며 재무 건전성이 한층 강화됐다. SK하이닉스는 이를 바탕으로 용인 반도체 클러스터, 청주 M15X 공장 증설, 극자외선(EUV) 노광장비 확보 등 대규모 투자를 확대할 계획이다. 아울러 글로벌 투자 자금 유치와 순현금 확보를 위해 미국 증권거래위원회(SEC)에 미국 주식예탁증서(ADR) 상장을 위한 신청서를 제출했으며, 올해 하반기 상장을 목표로 절차를 진행 중이다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난달 주주총회에서 “구조적 수요 성장에 대응하고 경쟁력을 유지하기 위해서는 안정적으로 투자할 수 있는 재무 건전성이 필수적”이라며 100조원 이상의 순현금 확보를 목표로 제시했다.

인공지능(AI) 확산으로 전력 소비가 급증하면서 가전제품부터 휴대전화, 로봇, 반도체에 이르기까지 정보기술(IT) 업계가 ‘전성비(전력 대비 성능)’ 상품 출시 경쟁에 뛰어들었다. 고연산 AI 확산에 따른 전력 공급 부족에 대한 대응은 물론, 소비자의 전기요금 부담을 덜고 에너지 효율로 온실가스 배출도 함께 줄이겠다는 취지다. 24일 업계에 따르면 저전력 고효율 제품이 봇물처럼 쏟아지는 데는 전력비용과 전력망 부담 급증, 전력 감축 기술의 성숙, PC·휴대전화·로봇 등 AI의 상용화 등이 배경에 깔려 있다. 즉, 배터리·발열·지연시간 문제가 소비자 체감 이슈가 됐다는 의미다. 저전력 혁신은 AI 시대의 핵심 부품인 메모리반도체 경쟁에서 가장 뚜렷하다. 삼성전자는 지난달 고대역폭메모리(HBM)4를 첫 양산 출하했다고 밝히며, 코어 다이에 저전력 설계를 적용해 전작 대비 에너지 효율을 40% 개선했다고 설명했다. AI 연산에서 발열과 전력 효율은 곧 성능과 직결된다. 모바일과 서버에 쓰이는 저전력 D램인 LPDDR 역시 빠르게 진화하고 있다. SK하이닉스는 지난 10일 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발 인증을 완료했다며, 데이터 처리 속도는 33.00% 향상됐지만 전력 소모는 전작 대비 20% 이상 줄였다고 강조했다. AI 반도체 기업 엔비디아는 지난 16일 연례 개발자 회의(GTC 2026)에서 새 CPU ‘베라’와 이를 256개 탑재한 CPU 랙을 선보였는데, 에너지 효율을 2배 높인 것이 특징이었다. AI가 단순 학습과 추론을 넘어 물리적 환경에서 작동하는 ‘피지컬 AI’로 확장되면서 저전력 반도체의 중요성은 더 커지고 있다. 한국은행은 ‘3월 통화신용정책보고서’에서 “피지컬 AI는 복잡한 현실을 정밀하게 모사하고 이를 실시간으로 처리해야 한다는 점에서 고성능과 저전력 반도체 수요를 동시에 확대시키고 있다”고 분석했다. 이어 “자율주행차 한 대가 영상 수집 등을 통해 하루에 생성하는 데이터는 약 32TB로, 개인의 하루 스마트폰 사용 데이터(약 1.20GB)의 2만 6000배를 넘는다”고 설명했다. 로봇 분야의 전력 효율 경쟁은 배터리 기술로 확장되고 있다. 로봇에 탑재되려면 작고 가벼우면서도 효율이 높은 배터리가 필수적이다. 이에 따라 전고체 배터리와 리튬메탈 등 차세대 기술 개발 경쟁이 치열하다. 삼성SDI는 2027년을 목표로 전고체 배터리 양산을 준비하고 있다. LG에너지솔루션은 에너지 효율을 극대화한 무음극계 전고체 배터리를 2030년 도입하겠다고 밝혔다. IT 업계의 이런 트렌드는 소비 시장에도 영향을 미친다. 가전업계 관계자는 “AI 기능 사용이 늘면서 소비자들은 스마트폰과 노트북 배터리가 빠르게 소모된다고 체감한다”며 “앞으로는 저전력 설계와 배터리 효율이 제품 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소가 될 것”이라고 밝혔다. 디스플레이는 사용 단계에서 발생하는 전력 소비가 탄소 배출과 직결되는 만큼, 전력 절감 기술 확보가 중요하다. LG디스플레이는 화면 변화에 따라 새로고침 빈도를 유연하게 조절하는 ‘옥사이드 1Hz’ 기술을 적용한 노트북용 LCD 패널을 세계 최초로 양산한다. 이를 적용하면 배터리 사용 시간을 기존 대비 48.00% 이상 늘릴 수 있다. 애플의 ‘아이폰 17e’는 보급형 모델이지만 최신 칩셋 A19를 탑재해 성능을 끌어올렸다. 여기에 자체 개발한 셀룰러 모뎀 C1X를 적용해 데이터 처리 속도를 전작 대비 두 배 수준으로 높이고 전력 효율도 개선했다. 애플은 배터리 성능이 ‘아이폰 16 프로’ 대비 최대 30.00% 향상됐다고 설명했다.

SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대의 핵심 하드웨어인 ‘온디바이스 AI’ 시장을 겨냥해 차세대 메모리 기술을 개발했다. SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램 개발에 성공했다고 10일 밝혔다. 지난 1월 세계 가전·IT 박람회인 ‘CES 2026’에서 시제품을 공개한 이후, 최근 세계 최초로 공식 개발 인증을 완료했다. 이어 곧 양산에 들어갈 전망이다. 1c LPDDR6는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기의 AI 연산 능력을 극대화하기 위해 설계됐다. 기존 주력 제품인 LPDDR5X와 비교해 데이터 처리 속도는 33% 향상됐으며, 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 기가비트)를 상회하는 압도적 성능을 갖췄다. 전력 효율도 개선됐다. SK하이닉스는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 작동시키는 ‘서브 채널 구조’와 작업 부하에 따라 전압과 주파수를 실시간 조절하는 ‘DVFS’ 기술을 고도화했다. 이를 통해 전력 소모를 이전 세대 대비 20% 이상 줄여 소비자들이 고성능 AI 기능을 사용해도 배터리 수명은 더 길게 만들었다. 이번 성과는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 리더십을 온디바이스 AI용 저전력 메모리 시장으로 확장했다는 점에서 의미가 크다. 온디바이스 AI는 클라우드 서버를 거치지 않고 기기 자체에서 데이터를 처리해 저전력·고성능 메모리의 뒷받침이 필수적이기 때문이다. SK하이닉스는 “상반기 중 양산 준비를 마치고 하반기부터 제품을 본격 공급할 것”이라며 “글로벌 모바일 고객사의 요구에 맞춘 최적의 메모리 포트폴리오를 구축해 AI 메모리 시장에서의 독보적인 지위를 이어가겠다”고 말했다.

이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장이 불확실한 대외 환경 속에서 역대급 자사주 소각이라는 승부수를 던졌다. 전쟁 장기화 등으로 코스피 변동성이 커진 가운데, 양대 그룹이 파격적인 주주 환원책을 내세워 시장 신뢰 회복과 기업가치 제고에 총력을 기울이는 모습이다. 10일 삼성전자는 2025년 사업보고서 공시를 통해 보유 중인 자사주 1억 543만주 가운데 약 82%에 달하는 8700만주를 올해 상반기 내에 소각한다고 밝혔다. 이날 종가 기준 약 16조원에 달하는 규모로, 주주들에게 직접적인 가치 상승의 혜택을 돌려주겠다는 이 회장의 강력한 의지가 반영됐다. 지주사인 SK㈜도 이날 이사회를 열고 지주사 역사상 최대 규모인 4조 8000억원 규모의 자사주 소각 계획을 확정해 공시했다. 임직원 보상 목적분을 제외한 자사주 전량인 1469만주를 2027년 1월까지 소각하는 것이 골자다. 이는 전체 발행주식의 약 20%를 감축하는 결단으로, 주당 가치를 높여 주주 이익을 극대화하겠다는 포석이다. SK㈜ 관계자는 “자사주 전량 소각은 전체 주주의 최대 이익에 부합하고 기업가치를 높이는 최적의 방안이라는 이사회의 결단이 담겼다”고 설명했다. 양사의 이번 행보는 자사주 소각 의무화를 골자로 지난 6일부터 시행된 ‘3차 상법 개정안’의 취지를 선제적으로 반영한 것으로 풀이된다. 특히 SK㈜는 지난 2년간 진행한 강도 높은 포트폴리오 리밸런싱을 통해 부채비율을 77.4%까지 낮추는 등 재무 건전성을 확보한 자신감을 바탕으로 이번 소각을 결정했다. 증권업계는 지정학적 리스크로 국내 증시의 하방 압력이 커진 상황에서, 이러한 대형주들의 자구책이 시장을 지탱하는 든든한 버팀목이 될 것으로 내다보고 있다. 주주 환원과 더불어 삼성전자는 ‘기술 초격차’를 위한 연구개발(R＆D)에 역대급 자원을 쏟아부었다. 사업보고서에 따르면 삼성전자의 지난해 R＆D 투자액은 전년 대비 7.8% 증가한 37조 7548억원으로 사상 최대치를 기록했다. 하루 평균 1000억원 이상을 오직 기술 개발에만 투입한 셈이다. 시설 투자에도 52조 7000억원을 집행하며 미래 생산 기반 확충에 사활을 걸었다. 이러한 과감한 투자는 가시적인 성과로 이어지고 있다. 삼성전자는 지난달 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램을 적용한 HBM4 양산 출하에 성공하며 AI 반도체 시장의 주도권을 잡았다.

삼성전자가 세계 최초로 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4를 양산 및 출하했다고 12일 밝혔다. 최대 데이터 전송 속도는 13Gbps로 기존의 HBM3E와 비교해 22% 빨라졌고, 데이터 출입구를 1024개에서 2048개로 늘리면서 전송 데이터의 양도 급격히 늘었다. 반도체업계에서는 AI 그래픽저장장치(GPU)의 메모리 병목을 획기적으로 줄일 ‘게임체인저’로 평가했다. 삼성전자는 올해 하반기와 내년에 연이어 차기 HBM도 내놓으며 관련 기술을 선도하겠다는 구상이다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 이날 “기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램(10나노급 6세대) 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다. 삼성전자는 이번 설 연휴 직후 양산 출하를 계획했으나 고객사와 협의를 거쳐 일정을 일주일가량 앞당긴 것으로 알려졌다. HBM4는 엔비디아가 다음달 공개할 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재돼 GPU의 고등 연산을 지원할 전망이다. HBM은 D램 메모리를 여러 층으로 쌓아 연산에 필요한 메모리 자원을 크게 늘린 반도체 소자다. 적층된 메모리를 밑에서 받치고 있는 하단의 베이스다이에는 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 JEDEC(국제 산업 표준 기구)의 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치다. 삼성전자 관계자는 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것”이라고 말했다. 또 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 이는 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다. 또 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 전력 소모와 열 집중 문제 해결에도 총력을 쏟았다. HBM은 컨트롤러 역할을 하는 베이스 다이와 D램을 수직으로 적층한 코어 다이로 구성된다. HBM4는 메모리와 GPU 사이에서 데이터를 주고받는 출입구인 데이터 전송 I/O 핀 수를 1024개에서 2048개로 확대했고 이에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또 하나의 차별화된 지점은 ‘원스톱 솔루션’ 제공이다. 삼성전자는 세계에서 유일하게 로직, 메모리, 파운드리, 패키징까지 아우르는 반도체 회사다. 회사는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 매출이 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 내다봤다. 또 HBM4에 이어 HBM4E도 준비해 올해 하반기에 샘플을 출하할 계획이다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다. 삼성전자는 또 AI 반도체 종류에 따라 메모리도 맞춤 설계해 성능을 극대화하는 커스텀(맞춤형) HBM도 내년부터 샘플을 출하한다. 엔비디아 GPU에 이어 구글 ‘텐서처리장치’(TPU), 마이크로소프트(MS) ‘마이아’ 등 빅테크들의 AI 반도체 자체 개발 경쟁이 격화하는 가운데 각각에 최적화한 HBM 설계 수요를 충족하겠다는 구상이다. 삼성전자가 세계 최초 HBM4 양산 및 출하로 포문을 연 데 대해 경쟁자인 SK하이닉스와 미국 마이크론은 자신만의 전략에 집중하는 분위기다. SK하이닉스 관계자는 “고객이 요청한 (HBM4) 물량을 차질 없이 양산 중이며, 현재 최적화를 진행하고 있다”고 밝혔다. 최대 고객사인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 출시 일정에 맞춰 제품 완성도를 극대화하겠다는 ‘실리 전략’으로 읽힌다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 엔비디아 HBM4 물량의 3분의2 이상을 확보한 것으로 알려졌다. 미국 마이크론 역시 HBM4 경쟁에서 밀려났다는 루머를 정면으로 반박하고 나섰다. 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 11일(현지시간) 콘퍼런스에서 ‘엔비디아 공급망 탈락설’을 일축하며 “올해 HBM 공급 물량은 이미 완판됐으며 수율 또한 계획대로”라고 말했다. 이에 따라 메모리 공급 부족 국면에서 한국·미국 반도체 기업들의 수주 경쟁은 한층 격화될 전망이다.

삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM4’의 세계 최초 양산 출하가 임박했다. 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 차세대 주력 모델로 꼽히는 HBM4를 앞세워 기술 경쟁력을 회복하고 메모리 시장의 주도권을 쥘 수 있을지 관심이 집중된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 이르면 설 연휴 직후인 이달 셋째 주로 확정한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “지난달 기업설명회에서 2월 중 HBM4 제품 양산 출하가 예정돼 있다고 발표했는데, 그 시점이 임박해 공식화할 수 있는 단계에 이르렀다”고 말했다. 삼성전자는 이미 엔비디아의 품질 테스트를 통과해 구매주문(PO)을 확보했으며, HBM4가 적용되는 AI 가속기 ‘베라 루빈’의 출시 일정 등을 고려해 출하 시기를 결정한 것으로 알려졌다. 고객사 완제품 테스트를 위한 HBM4 샘플 물량도 이번 PO를 통해 대폭 늘어난 것으로 전해진다. 엔비디아는 다음 달 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 HBM4를 적용한 베라 루빈을 처음 공개할 것으로 관측된다. 차세대 HBM4의 양산 출하는 이번이 세계 최초다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)의 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 정했다. 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 데이터 처리 속도는 최대 11.7Gbps로, JEDEC 표준(8Gbps) 및 현재 주력인 HBM3E(9.6Gbps)를 웃돈다. 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭은 최대 3TB/s로 전작 대비 2.4배 향상됐고, 12단 적층으로 최대 36GB 용량을 제공한다. 한편 삼성전자는 지난해 미국에서 전 세계 기업 중 가장 많은 특허를 취득해 4년 연속 1위를 기록했다. 미국 특허정보 업체 IFI 클레임스가 최근 발간한 보고서에 따르면 지난해 미국에서 등록된 특허는 32만 3272건으로, 이 중 삼성전자가 7054건의 특허를 확보해 전체 등록 특허의 2% 이상을 차지했다.

D램·SSD 폭증에 수익 구조 다변화삼성, 차세대 HBM4 이달부터 양산하이닉스, 수율·안정성 더욱 공고화전략적 경쟁이 성장 동력의 기폭제美 관세 압박·해외 기업 추격 복병 대한민국 반도체가 새해 초입부터 1월 기준으로 역대 최대 수출 실적을 갈아치웠다. 삼성전자와 SK하이닉스가 선의의 경쟁 속에 영업이익 300조원 이상을 합작하면서 경제 성장을 견인할 것이라는 기대감이 높다. 인공지능(AI) 인프라 확충에 따라 메모리 수요가 공급 능력을 압도하는 ‘슈퍼 사이클’이 본격화했다. 또 기업용 고성능 저장장치(eSSD)의 수요 폭증 속에 장기 침체 속 낸드플래시마저 약진하며 D램과 함께 핵심 축으로 부상했다. 산업통상부는 메모리 중 범용 D램(DDR4 8Gb)의 가격이 지난해 1월 1.35달러(약 1960원)에서 지난 1월 11.5달러(1만 6700원)로 8.5배 폭등했다고 1일 밝혔다. 또 낸드플래시(128GB)는 같은 기간 2.18달러(3165원)에서 9.46달러(1만 3740원)로 4.3배 뛰었다. 업계에서는 올해 1분기 중에 SSD 가격이 30% 추가 인상될 가능성도 거론된다. 우리나라 반도체 산업이 수익 구조 다변화로 역대급 실적을 거둘 기반을 다지게 됐다는 의미다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 ‘HBM4’(6세대) 시장을 두고 서로 다른 전략적 카드를 꺼내 들었다. 삼성전자는 10나노급(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 결합한 신제품을 2월부터 전격 양산해 출하할 계획이다. HBM3E(5세대·현재 주력 제품)에서 SK하이닉스를 추격하는 입장이었다면, 선단 공정 도입이라는 리스크를 감수하더라도 최상위 제품을 선제적으로 공급해 기술 주도권을 탈환하겠다는 승부수다. 선단 공정은 기술 난도가 높고 대규모 투자가 필요하나 기존의 레거시 공정에 비해 성능이 뛰어난 반도체를 생산할 수 있다. 반면 시장 1위인 SK하이닉스는 ‘수율’과 ‘안정성’의 성벽을 더욱 공고히 쌓고 있다. 무리한 공정 전환 대신 이미 검증된 1b(10나노급 5세대) 공정과 독자적인 조립 기술(MR-MUF)을 통해 최상위 성능을 구현했다. SK하이닉스 관계자는 “기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다”며 검증된 패키징 기술을 통해 높은 수익성과 원가 경쟁력을 내세웠다. SK하이닉스가 지난달 28일 공개한 지난해 4분기 영업이익률은 무려 58%로 대만 TSMC(54%)도 추월했다. 하지만 대외 환경은 녹록지 않다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 한국이 강한 메모리 반도체를 콕 집어 100% 관세를 내지 않으려면 미국에서 생산해야 한다고 압박했고, 미국의 마이크론과 중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등 해외 기업의 거센 추격도 복병이다. 다만 증권가는 리스크보다 반도체 장기 호황에 무게를 두고 있다. SK증권 등은 삼성전자의 연간 영업이익을 전년 대비 300% 이상 급증한 180조원으로, SK하이닉스는 148조원으로 상향 조정했고, 이를 단순 합산하면 328조원에 이른다. AI 메모리의 장기 공급 계약 체결에 더해 가파르게 오르는 이익률을 반영한 것이다.

반도체 호황에 힘입어 지난해 4분기에 영업이익 20조원이라는 역대 최대 실적을 기록한 삼성전자가 1조 3000억원 규모의 특별배당을 실시한다. 정부의 주주가치 제고 정책에 부응하기 위한 결정으로, 소액주주 총 505만여명이 ‘배당소득 분리과세’ 혜택을 받게 됐다. 삼성전자는 결산 배당으로 보통주 1주당 566원, 우선주는 567원의 현금배당을 실시한다고 29일 밝혔다. 시가배당율은 보통주 0.5%, 우선주 0.7%로, 배당금 총액은 3조 7534억 8432만원이다. 삼성전자의 특별배당 실시는 10조 7000억원을 지급했던 2020년 4분기 이후 5년 만이다. 삼성전자는 “기존에 약속했던 배당 규모보다 주주환원을 확대하면서 배당소득 분리과세 도입 등 정부의 주주가치 제고 정책에 부응하기 위한 결정”이라고 설명했다. 삼성전자는 이번 특별배당으로 정부가 정한 고배당 상장사 요건을 충족했다. 정부는 세법을 개정해 올해부터 배당소득 분리과세 제도를 도입했는데, 고배당 상장사에 투자한 주주들은 해당 기업 배당소득을 일반 종합소득세(최고세율 45%)에 합산하지 않고 세율을 낮춰 별도로 과세한다. 구간별로 ▲배당소득 2000만원까지 14% ▲2000만~3억원 20% ▲3억~50억원 25% ▲50억원 초과분은 30% 등이다. 세제 혜택을 기대할 수 있는 삼성전자 소액주주는 총 504만 9000명(지난해 6월 30일 기준) 정도다. 삼성전자 측은 “특별배당을 통해 주주들은 배당소득 증대와 세제 혜택이라는 일석이조 효과를 누리게 될 예정”이라고 말했다. 배당 기준일은 지난해 12월 31일이며, 배당금은 3월 주주총회일로부터 1개월 이내 지급될 예정이다. 이번 특별배당은 삼성전자가 기록한 역대 최고 실적과도 맞닿아있다. 삼성전자의 연결 기준 지난해 4분기 매출은 93조 8374억원, 영업이익은 20조 737억원으로 각각 전년 동기보다 23.8%, 209.2% 증가했다. 분기 기준 매출과 영업이익 모두 역대 최고 기록으로, 국내 기업 중 분기 영업이익 20조원을 처음 상회하는 기록을 썼다. 역대급 실적의 중심에는 메모리 가격 급등과 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 회복이 자리하고 있다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 지난해 4분기 영업이익은 16조 4000억원으로 전체의 81.6%를 차지했다. 업계에선 ‘반도체 왕의 귀환’이라는 평가가 나왔다. 삼성전자는 6세대 HBM인 ‘HBM4’를 기점으로 판도 전환을 노리고 있다. 삼성전자는 이날 개최한 기업설명회에서도 “당사 HBM4는 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보하였다는 피드백을 받고 있다”면서 “현재 퀄(테스트) 완료 단계에 진입했다”고 말했다. 특히 HBM4 개발 단계부터 국제반도체표준협의기구의 기준(8Gbps)보다 높은 성능을 목표로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용해 성능을 높였다는 평가를 받는다. 삼성전자는 “다음달부터 최상위 속도 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량 양산 출하가 예정돼있다”고 말했다. 또 올해 고객사 공급을 확대해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 개선될 것으로 전망했다. 차세대 제품 로드맵도 내놨다. 7세대 HBM인 HBM4E 샘플을 올해 안으로 고객사에 제공해 기술 리더십을 선도한다는 계획이다. 아울러 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서는 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 올해 전년 대비 130% 늘어난 2나노 수주 확보를 예상했다. 증권가에서는 삼성전자의 올해 연간 영업이익이 180조원을 돌파할 것이라는 전망도 나온다.

한양대학교총동문회는 전영현 삼성전자 부회장, 한기수 필옵틱스 대표이사, 김민재 행정안전부 차관에게 ‘2025년 자랑스러운 한양인상’을 수여했다고 14일 밝혔다. 전영현 삼성전자 부회장(전자공학 80)은 35년간 반도체와 배터리 분야에서 대한민국을 글로벌 기술 강국으로 이끈 주역이다. 세계 최초 10나노급 D램과 V낸드 양산을 주도하며 국가 반도체 경쟁력의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 현재 반도체 인재 육성에도 앞장서며 산업 생태계 전반의 발전에 기여하고 있다. 한기수 필옵틱스 대표이사(물리학 87)는 OLED 디스플레이 제조 기술의 국산화를 이끈 인물이다. 특히 차세대 반도체 핵심인 유리관통전극(TGV) 제조 장비를 세계 최초로 양산하며 기술 자립을 실현했다. 한양벤처동문회 회장직을 수행하며 모교와 동문 사회 발전을 위한 기부 활동도 꾸준히 이어오고 있다. 김민재 행정안전부 차관(행정학 90)은 제38회 행정고시 합격 후 공직에 헌신해 온 지방행정 전문가다. 행정안전부 기획조정실장 등 주요 요직을 거치며 자치분권과 균형발전 등 국가적 과제를 체계적으로 추진해왔다. 탁월한 전문성과 정책 성과를 인정받아 지난해 차관에 임명됐다.

삼성전자가 31일 엔비디아에 성능과 에너지 효율을 대폭 향상시킨 6세대 고대역폭메모리(HBM)4를 엔비디아에 공급한다고 밝혔다. 또 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 5만개 이상을 도입해 ‘반도체 인공지능(AI) 팩토리’를 구축하기로 했다. 삼성전자는 이날 엔비디아에 ▲HBM3E ▲HBM4 ▲GDDR7 ▲SOCAMM2 등 차세대 메모리와 파운드리 서비스를 공급한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4는 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 고객 요구를 상회하는 11기가비트(Gbps) 이상의 성능을 구현한 것이 특징이다. 초고대역폭과 저전력 특성을 바탕으로 AI 모델 학습과 추론 속도를 높여 엔비디아의 AI 플랫폼 성능을 향상시키겠다는 전략이다. HBM 외에 업계 최초로 개발한 고성능 그래픽 D램(GDDR7)과 차세대 저전력 메모리 모듈 ‘SOCAMM2’ 공급도 협의 중이다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며 HBM4도 샘플을 요청한 모든 고객사에 샘플 출하를 완료한 뒤 양산 출하를 준비 중이다. 또 삼성전자는 향후 5만 개 이상의 엔비디아 GPU를 도입해 업계 최고 수준의 반도체 AI 팩토리를 구축하기로 했다. AI 팩토리는 ▲설계 ▲공정 ▲운영 ▲장비 ▲품질관리 등 반도체 설계와 생산을 아우르는 모든 과정에 AI를 적용해 스스로 분석·예측·제어하는 ‘생각하는’ 제조 시스템이 구현된 스마트 공장이다. AI 팩토리가 갖춰지면 차세대 반도체의 개발과 양산 주기를 단축하고, 제조 효율성과 품질 경쟁력을 혁신적으로 강화할 수 있다는 장점이 있다. 삼성전자의 AI 팩토리는 엔비디아의 시뮬레이션 라이브러리 옴니버스를 기반으로 ‘디지털 트윈’ 제조 환경을 구현하는 것이 골자다. 디지털 트윈은 실제 공장, 장비 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로, 현장에 가지 않고도 가상 환경에서 실시간 운영 분석·예측이 가능하다는 장점이 있다. 디지털트윈 기반 시뮬레이션을 활용하면 개발 기간을 크게 단축하는 것은 물론, 소량의 웨이퍼로도 공정 개발이 가능해진다. 수율 분석 소요 시간도 크게 단축돼 조기에 수율을 향상시킬 수 있으며 실시간으로 공정의 문제점을 분석해 자동 조치도 가능하다. 향후 삼성전자는 AI 팩토리 인프라 구축과 관련 노하우를 한국과 미국 테일러 등 해외 주요 생산 거점에까지 확장해, 글로벌 반도체 공급망 전체의 지능화와 효율화를 완성한다는 전략이다. 또 AI 팩토리를 중심으로 엔비디아와 함께 국내외 파트너사와 차세대 반도체 설계 도구를 공동 개발하고 AI 기반 반도체 제조 표준을 선도해 AI 생태계 발전에 이바지하겠다고 밝혔다.

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장을 장악하며 창사 이래 처음으로 분기 영업이익 10조원을 돌파했다. 29일 실적발표회에서 공개된 3분기 영업이익은 11조 3834억원으로, 전년 동기 대비 61.9% 급증했다. 영업이익률은 47%에 달했다. 매출액은 24조 4489억원을 기록하며 전년 대비 39.1% 성장했고, 순이익은 12조 5975억원으로 전년 동기(5조 7534억원)보다 119% 폭증했다. D램과 낸드 가격 상승세가 본격화된 데다 AI 서버용 고성능 제품 출하량이 급증하면서 분기 기준 역대 최대 실적을 경신했다. 회사 측은 “고객들의 AI 인프라 투자 확대로 메모리 전반의 수요가 급증했다”며 “HBM3E 12단과 서버향 DDR5 등 고부가가치 제품군 판매 확대로 지난 분기 최고 실적을 다시 넘어섰다”고 설명했다. 특히 AI 서버향 수요 증가로 128GB 이상 고용량 DDR5 출하량은 전 분기 대비 2배 이상 늘었고, 가격 프리미엄이 있는 AI 서버향 기업용 SSD(eSSD) 비중도 확대됐다. 호실적을 바탕으로 SK하이닉스는 재무구조 개선에도 성공했다. 3분기 말 현금성 자산은 전 분기 대비 10조 9000억원 증가한 27조 9000억원을 기록했다. 차입금은 24조 1000억원으로 줄어들며 3조 8000억원의 순현금 체제로 전환했다. SK하이닉스는 AI 시장이 추론 중심으로 빠르게 재편되면서 AI 서버의 연산 부담을 일반 서버 등 다양한 인프라로 분산하려는 움직임이 나타나고 있다고 분석했다. 이에 따라 고성능 DDR5와 eSSD 등 메모리 전반으로 수요가 확장될 것으로 전망했다. 최근 주요 AI 기업들이 스타게이트 프로젝트 등 전략적 파트너십을 잇달아 체결하며 AI 데이터센터 확장 계획을 발표하고 있는 점도 긍정적이다. HBM뿐 아니라 일반 서버용 메모리를 포함한 다양한 제품군에 걸쳐 고른 수요 성장이 예상된다. HBM4 출하 임박…엔비디아 등 주요 고객 협의 완료 SK하이닉스는 엔비디아를 비롯한 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 6세대 HBM4는 고객 요구 성능을 충족하며 업계 최고 속도를 지원한다. 회사는 4분기부터 HBM4 출하를 시작해 내년 본격적인 판매 확대에 나선다. 급증하는 AI 메모리 수요에 대응해 D램과 낸드 전 제품에 대한 내년 고객 수요를 이미 확보한 상태다. 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 청주 M15X 팹(공장)을 통해 신규 생산능력을 빠르게 확보하고 있다. 회사는 안정적으로 양산 중인 최선단 10나노급 6세대(1c) 공정으로의 전환을 가속화해 서버, 모바일, 그래픽 등 풀라인업 D램 제품군을 갖추고 공급을 확대할 계획이다. 낸드에서는 세계 최고층 321단 기반 트리플레벨셀(TLC), 쿼드레벨셀(QLC) 제품 공급을 늘려 고객 요구에 신속히 대응한다. 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 전망이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “AI 기술 혁신으로 메모리 시장이 새로운 패러다임으로 전환하며 전 제품 영역으로 수요가 확산되기 시작했다”며 “시장을 선도하는 제품과 차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 AI 메모리 리더십을 공고히 지켜가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스가 세계 최초로 최신 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 마무리하고, 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. 업계에서는 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아와 가격·공급협상을 마무리하고 본격적인 양산에 돌입한 것으로 보고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 향상시킨 고성능 제품이다. 6세대 제품인 이번 HBM4는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다. 이전 세대인 HBM3보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로를 적용해 대역폭을 2배로 확대했다. 대역폭은 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻하며, 수치가 높을수록 한 번에 더 많은 양의 데이터를 주고 받을 수 있다. 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. SK하이닉스는 “HBM4를 고객 시스템에 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 전망된다”고 했다. HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다는 설명이다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 말했다.

삼성전자가 평택 5공장 착공 준비에 들어가며 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대에 속도를 내고 있다. 연내 엔비디아에 HBM3E(5세대)를 대량 공급하고 HBM4(6세대) 성능 검증을 최대한 빠르게 마무리하기 위해 생산능력을 선제 확보하려는 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 평택 5공장 부지에서는 최근 철골 구조물 이동과 안전교육 등 착공 준비 작업이 진행됐으며, 이르면 다음달부터 공사가 시작될 것으로 전해진다. 당초 지난해 계획됐던 착공은 반도체 업황 부진과 수주 부족으로 연기된 바 있다. 평택캠퍼스는 총 6개 공장 부지로 세계 최대 규모이며, 현재 1~4공장 일부가 가동 중이다. 지난해 5공장과 함께 미뤄졌던 4공장의 나머지 생산라인 건설도 최근 공사 재개를 준비하고 다음달부터 수직 철골물을 세우는 작업에 들어간다. 이곳에는 10나노급 6세대(1c) 공정 D램 생산라인이 도입될 예정인데, 삼성전자는 1c 공정을 활용해 6세대 제품인 HBM4에 탑재되는 D램을 양산할 계획이다. 전문가들은 평택 신규 증설을 통해 내년 HBM4 초기 생산에 돌입, 2026년 시장 점유율 확대를 노릴 것으로 전망한다.

글로벌 3위 메모리반도체 기업 미국 마이크론이 주요 고객사에 6세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’의 샘플을 공급했다. SK하이닉스가 세계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 지 불과 3개월 만이다. HBM4 시장의 주도권을 놓고 글로벌 메모리 반도체 기업 간 경쟁이 본격화됐다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 지난 10일(현지시간) 36기가바이트(GB) 용량의 12단 적층 HBM4 샘플을 주요 고객사에 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 5세대(1b) 10나노급 D램 공정이 적용됐으며, 이전 세대인 HBM3E 대비 성능은 60%, 전력 효율은 20% 이상 향상된 것으로 전해졌다. 마이크론은 “고객의 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 양산 일정과 발맞춰 2026년 HBM4 양산을 확대할 계획”이라고 말했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만든 초고속 메모리로, AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 특히 내년부터 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘루빈’에 HBM4가 탑재될 예정이어서 주요 반도체 기업들은 지금부터 최종 납품권 확보를 위한 경쟁에 돌입한 상태다. 현재는 SK하이닉스가 HBM4 시장에서 우위를 점한 상황이다. SK하이닉스는 이미 지난 3월 12단 HBM4 샘플을 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 공급하며 선두를 선점했다. 현재 HBM3E를 기반으로 한 블랙웰 그래픽처리장치(GPU) 납품에서도 시장 점유율 80% 이상을 확보하고 있다. 이상락 SK하이닉스 글로벌세일즈마케팅(GSM)담당 부사장은 이날 이천캠퍼스에서 열린 사내 소통 행사에서 “상반기 시황은 아주 좋았고 하반기도 비관적이지 않다”며 “우리의 경쟁력은 HBM이며, 기존 D램도 충분한 경쟁력을 갖추고 있다”고 했다.