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  • 中 CXMT, 최신 D램 양산 이어 낸드까지…K메모리 추격 전선 넓힌다

    中 CXMT, 최신 D램 양산 이어 낸드까지…K메모리 추격 전선 넓힌다

    중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 최신 모바일 D램 양산에 이어 차세대 공정까지 상용화하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 아직 첨단 공정과 고대역폭메모리(HBM) 등에서는 격차가 있지만 범용 D램에서 시작한 중국의 추격이 고성능 모바일 제품으로 빠르게 확산하는 모습이다. 23일 업계에 따르면 CXMT는 지난 20일 중국 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대 D램 기술 플랫폼 ‘G5’의 양산에 들어갔다고 발표했다. 같은 날 로이터통신은 CXMT가 메모리 배열의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚)까지 줄였으며, 회사 측이 이를 세계 최고 수준의 양산 공정에 근접한 기술이라고 설명했다고 보도했다. CXMT는 G5를 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. 회사에 따르면 기존 공정과 비교해 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩의 수가 50% 이상 늘었다. 다만 이는 CXMT가 자체 제시한 수치다. 차세대 모바일 D램인 LPDDR6에서는 한발 먼저 상용화에 들어갔다. CXMT는 지난 7일 LPDDR6를 양산해 샤오미의 폴더블 스마트폰 ‘샤오미 18 폴드’에 탑재했다고 발표했다. 최대 데이터 전송속도는 초당 12.8기가비트(Gbps)다. LPDDR은 스마트폰 등에 주로 쓰이는 저전력 D램으로, 기기 자체에서 인공지능(AI)을 구동하는 온디바이스 AI 확산과 함께 처리 속도와 전력 효율의 중요성이 커지고 있다. 사업 영역을 낸드플래시까지 넓히려는 움직임도 나타났다. 로이터통신은 지난 18일 복수의 소식통을 인용해 CXMT가 베이징에 짓는 새 공장에 3차원(3D) 낸드 연구개발(R&D) 생산라인을 구축할 계획이라고 보도했다. 별도 연구소에서도 낸드 기술을 개발하고 있는 것으로 전해졌다. 다만 로이터는 낸드 양산 시점은 정해지지 않았으며 계획이 바뀔 가능성도 있다고 전했다. D램 전문업체인 CXMT가 실제 낸드 양산에 나설 경우 삼성전자·SK하이닉스뿐 아니라 중국 낸드 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와도 경쟁하게 된다. 한국 업체들과의 격차가 당장 사라진 것은 아니다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 세계 D램 매출 점유율은 삼성전자가 39.4%, SK하이닉스가 24.9%, 미국 마이크론이 23.3%로 상위 3사가 시장 대부분을 차지했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM을 비롯한 AI용 고부가 메모리와 10나노급 6세대(1c) D램 등 첨단 제품에 투자를 집중하고 있다. 모바일 D램에서도 차세대 제품 경쟁이 본격화하고 있다. 삼성전자는 23일 LPDDR6를 퀄컴의 차세대 ‘스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대’ 플랫폼에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 3월 1c 공정을 적용한 LPDDR6 개발을 완료하고 하반기 공급에 나선다는 계획을 밝힌 바 있다.
  • HBM 수출단가, 5개월 만에 내렸다

    HBM 수출단가, 5개월 만에 내렸다

    인공지능(AI) 반도체의 핵심인 고대역폭메모리(HBM) 관련 평균 수출단가가 넉 달 연속 가파른 상승세를 이어가다 8월 하락 전환한 것으로 나타났다. HBM 시장에서는 미국 마이크론이, D램 시장에서는 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 점유율 확대에 나서며 K-메모리를 압박하고 있다. HBM의 기술 초격차 유지, 범용 D램의 원가·제품 경쟁력 향상 등 ‘투트랙 전략’이 필요한 상황이다. 20일 한국무역협회 무역통계 서비스에 따르면 HBM 관련 평균 수출가는 올해 3월 40.68달러에서 4월 53.04 달러, 5월 58.21달러, 6월 69.51달러, 7월 76.14달러로 4개월 연속 가파른 상승세였다. 반면 지난달에는 73.39달러로 3.6% 하락하며 상승세가 꺾였다. 3월부터 7월까지 수출단가가 약 87% 급등한 뒤 첫 하락세를 보였다는 점에서 업계의 속내는 복잡해졌다. 우선 HBM 공급 경쟁 탓에 단가 상승세가 둔화하는 초기 신호 아니냐는 해석이 나온다. 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “HBM 수출단가 하락은 시장 공급 물량이 늘어난 영향일 수 있다”며 “미국 마이크론이 공급을 확대하는 등 후발 업체들의 공급이 점차 늘어나면 HBM 가격에 하락 압력이 커질 수 있다”고 말했다. 마이크론은 HBM 생산능력을 지난해 월 4만~5만장에서 올해 연말에는 10만장 수준으로 늘릴 계획인 것으로 알려졌다. 지난 2분기에 HBM4 양산에 들어갔고 설비투자도 확대 중이다. 삼성전자도 올해 말에 17만장 규모의 생산능력을 월 25만장 수준으로 증설할 것이라는 관측이 나온다. SK하이닉스는 지난 6월에 웨이퍼 생산능력을 향후 5년간 2배로 확대한다는 계획을 내놓은 바 있다. 다만 지난달 HBM 수출액과 물량은 전달보다 증가했다는 점에서 HBM 수출단가 하락을 곧바로 수요 둔화나 시장 가격 하락으로 해석하기는 어렵다. 반도체 업계 관계자는 “해당 통계에는 HBM뿐 아니라 장비 등 다른 품목도 포함돼 있어 현재 통계만으로 단정 짓기는 어렵다”고 했다. D램 시장에서는 중국 CXMT의 추격이 변수다. 트렌드포스에 따르면 2분기 D램 시장 점유율은 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%, CXMT 9.5% 순이었다. 삼성전자와 SK하이닉스의 합산 점유율이 1분기 67.3%에서 64.3%로 낮아진 반면 마이크론과 CXMT는 각각 점유율을 끌어올렸다. 특히 마이크론과 CXMT의 수익성도 빠르게 높아지고 있다. 업계와 외신에 따르면 지난 2분기 영업이익률은 CXMT(82%), 마이크론(80.4%), SK하이닉스(76.3%), 삼성전자 DS부문(70%) 순이었다. 업계 관계자는 “한국 업체들이 여전히 앞서 있지만 미중 기업들이 정부의 지원을 등에 업고 추격 속도를 높이고 있다”며 “HBM은 차세대 제품의 성능과 양산 기술을 고도화해 경쟁력을 유지하고, D램은 수율 개선을 통해 원가 경쟁력을 높이는 등 적극적인 대응이 필요한 시기”라고 말했다.
  • ‘14A 공정’ 서두르는 인텔…문제는 캐파? [고든 정의 TECH+]

    ‘14A 공정’ 서두르는 인텔…문제는 캐파? [고든 정의 TECH+]

    본래 반도체 업계 1위로 한때 넘볼 상대가 없던 것 같던 인텔은 10㎚ 이하 미세 공정 진입에서 TSMC나 삼성에 뒤지면서 과거의 영광을 잃고 어려운 상황에 빠졌습니다. 뒤늦게 공격적인 투자를 진행하면서 경쟁자를 추격하긴 했지만, 라이벌인 AMD에 시장 점유율을 내주고 야심 차게 도전한 파운드리 시장에서는 TSMC의 독주 앞에 고배를 마시면서 회사가 큰 위기에 빠지기도 했습니다. 하지만 최근 스스로 목표를 설정하고 과업을 수행하는 ‘에이전틱 AI’로 인해 CPU 수요가 늘고 18A(1.8㎚) 같은 최신 미세 공정 양산에 성공하면서 다시 재기의 기회를 노리고 있습니다. 인텔은 이미 18A 공정을 개선한 18A-P 공정의 ‘초기 위험 생산’에 들어간 상태로, 차세대 제온 7 프로세서인 ‘다이아몬드 래피즈’에 적용될 예정입니다. 18A-P 공정은 트랜지스터 밀도는 동일하나 18A와 비교해서 동일한 전력 소비에서 성능이 9% 높거나 동일한 성능에서 전력 소비가 18% 감소합니다. 인텔의 진격은 여기서 멈추지 않고 있습니다. 18A-P 다음 차세대 미세 공정인 14A(1.4㎚) 노드는 이미 지난 6월에 결함 밀도(D0) 0.5를 달성했습니다. D0 또는 결함 밀도는 실리콘 웨이퍼의 단위 면적당 검출되는 미세한 결함의 평균 개수를 나타냅니다. 특정 칩 제조 공정이 상용화에 가까워질수록 결함 밀도는 일반적으로 줄어들고 반대로 수율이 증가합니다. 인텔은 내년 1분기까지 D0를 0.1~0.2로 낮추는 것을 목표로 하고 있습니다. 인텔 14A는 차세대 극자외선 노광 설비(EUV)인 ‘고개구율 EUV’(High-NA EUV) 리소그래피 장치를 적용한 첫 미세 공정으로, 인텔의 게이트 올 어라운드(GAA) 기술인 리본펫 2(RibbonFET 2)를 적용해 성능을 높이고 18A-P 공정에서 도입한 전력 제어 기술인 파워 부스트(Power Boost) 기술 역시 고도화할 것으로 예상됩니다. 이를 통해 18A-P에서 이루지 못한 트랜지스터 밀도 증가는 물론 공정 미세화에 따른 성능 향상을 달성할 수 있을 것으로 기대됩니다. 인텔에 따르면 14A 공정의 개선 속도는 2012년 22㎚ 시대 이후 가장 빠른 속도로 일정보다 더 빠르게 개발이 진행되고 있습니다. 심지어 최근 일부 언론에서 14A 공정 위험 생산을 2027년 1분기로 앞당긴다는 보도가 나왔을 정도로 인텔 내부 분위기는 자신감이 넘치고 있습니다. 다만 인텔은 Wccftech 등 매체에 공식적으로 “내부 제품 대상 초기 위험 생산은 2027년 하반기, 대량 양산은 2028년”이라는 기존 발표를 재확인했습니다. 물론 이것도 과거 미세 공정 개발보다 빠른 속도입니다. 다만 발목을 잡는 것은 부족한 생산 캐파입니다. 현재 18A, 18A-P 모두 대부분의 물량을 애리조나의 Fab 52가 담당하는 상황으로 알려져 있는데, 옆에 건설하고 있는 Fab 62가 완공되더라도 초기 생산량은 적을 수밖에 없다는 분석이 나오고 있습니다. 일부 증권 애널리스트는 2027년 초기 생산량은 웨이퍼 기준 월 6000장 정도이고 2028년에도 2만 4000장에 이를 것으로 내다봤습니다. 따라서 당분간 일부 제품들은 지금처럼 외부 파운드리의 웨이퍼를 빌려 쓸 수밖에 없을 것이라는 전망도 제기됩니다. 비교를 위해 살펴보면 TSMC는 올해 4분기까지 2㎚ 웨이퍼 월 생산 능력을 당초 알려진 것보다 훨씬 많은 10만 수준까지 늘릴 수 있다는 이야기가 나오고 있습니다. 14A 공정 역시 서두르고 있는데, 현재 TSMC는 타이중 과학 단지 2기 확장 부지에 총 4개 공장(P1~P4)을 1.4㎚ 전용으로 건설하고 있습니다. 현지 언론 보도에 따르면 이미 P1은 내년 4월 시범 생산에 들어가 2027년 하반기 양산 가능한 상태까지 서두르는 상황입니다. 인텔과는 양산 능력에서 비교가 되지 않는 수준입니다. 현재 TSMC는 AI 붐 덕분에 상당한 수익을 내고 있어서 충분한 투자 여력을 지니고 있습니다. 한동안 어려움을 겪다가 최근에 실적을 개선한 인텔이 따라잡기 버거운 상대라는 점은 분명합니다. 그럼에도 과거처럼 일정을 미루거나 취소하는 대신 적어도 로드맵을 따라 착실하게 개발을 진행하는 모습은 인텔이 수렁에서 빠져나왔다는 점을 보여주고 있습니다. 미세 공정 개발 능력을 확보했다면 다음 문제는 결국 생산 능력입니다. 과거 계획했다가 취소된 팹들을 다시 추진하고 14A 다음 차세대 미세 공정 개발을 위해서는 앞으로 막대한 투자가 필요합니다. 인텔에게는 현재의 에이전틱 AI 붐이 한때 유행이 아니라 최소 몇 년 이상 지속되어야만 하는 상황인 셈입니다.
  • “SK하이닉스, 인텔과 美 생산 협의”

    “SK하이닉스, 인텔과 美 생산 협의”

    SK하이닉스가 인텔과 미국 내 메모리 반도체 생산 방안을 협의 중인 것으로 전해졌다. 인공지능(AI) 확산으로 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 수요가 급증하자 호남 생산거점 확대와 함께 미국·일본 등 해외 생산기지 구축도 검토하는 분위기다. 로이터는 16일 논의에 정통한 관계자 3명을 인용해 SK하이닉스가 인텔의 미국 오하이오 공장 일부를 임차하는 방안을 논의중이라고 보도했다. 현지에서는 인텔과 SK하이닉스, 메모리 공급을 원하는 주요 클라우드 업체가 합작법인(JV)을 설립하는 방안도 거론된다. 로이터는 협상이 아직 초기 단계이며 오하이오에서 생산할 메모리 종류도 확인되지 않았다고 전했다. SK하이닉스는 이날 “경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 현재 어떠한 사안도 확정된 바 없다”고 밝혔다. 만일 협력이 성사돼 미국에서 웨이퍼 생산에 나서면 SK하이닉스의 첫 미국 메모리 전공정 거점이 된다. 이와 별도로 현재 인디애나주에 건설 중인 시설은 고대역폭메모리(HBM) 첨단 패키징을 위한 후공정 거점이다. 오하이오 공장 인수설은 지난 7월에도 제기됐지만 SK하이닉스는 당시 부지와 공장을 인수할 계획이 없다고 밝혔다. 두 회사는 2020년 SK하이닉스가 인텔의 낸드·솔리드스테이트드라이브(SSD) 사업 인수를 결정하고 이듬해 미국 자회사 솔리다임을 출범시키면서 사업적으로 인연을 맺었다. 최태원 SK그룹 회장은 당시 전력과 용수, 인력 등 여건이 맞는다면 미국을 포함해 어디든 신규 메모리 생산거점을 검토할 수 있다는 뜻을 밝혔다. 이어 지난달에는 일본 미야기현도 추가 생산거점 후보로 거론됐다. 최 회장은 지난 1일 아사히신문 인터뷰에서 일본을 “매우 매력적인 투자 후보지”라고 평가하며 현지 생산 가능성을 열어뒀다. 다만 구체적인 지역이나 투자 방식은 아직 정해지지 않았다. 생산 확대의 중심은 국내다. SK하이닉스는 지난달 용인 Y2와 청주 M17에 총 54조 3000억원을 투자하기로 했으며, 호남권에도 용인 이후 수요에 대응할 차기 생산거점 구축을 추진하고 있다. 해외 생산 검토의 배경에는 AI가 끌어올린 메모리 수요가 있다. 립부 탄 인텔 최고경영자(CEO)는 15일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 ‘AI 인프라 서밋’에서 “메모리 생산 능력이 매우 제한적이고 가격도 5~7배 올랐다”며 “내년에는 상황이 더 악화할 것”이라고 말했다. 시장조사업체 트렌드포스는 D램 공급 부족이 내년까지 이어지고, 신규 생산시설이 공급에 본격적으로 기여하는 시점은 2028년이 될 것으로 내다봤다.
  • ‘싸구려’ 옛말, 애플도 줄 세웠다… 韓 턱밑 쫓는 ‘中반도체 굴기’ [글로벌 인사이트]

    ‘싸구려’ 옛말, 애플도 줄 세웠다… 韓 턱밑 쫓는 ‘中반도체 굴기’ [글로벌 인사이트]

    세계 4위 中 대표 메모리 CXMT시총 200조원 상장 앞둔 YMTCD램은 창신·낸드는 양쯔 ‘공세’허페이시, 창신에 3조원 80% 투자 한국인 직원 1% ‘기술유출’ 그림자美 제재 비웃듯 장비까지 국산화한국이 중국과 비교해 우위를 보이는 단 하나 남은 분야가 있다면 메모리 반도체다. 지난 7월 상하이 증시에 성공적으로 상장한 중국 창신메모리(CXMT)는 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론에 이어 세계 4위 메모리업체로 우뚝 섰다. 올해 연말쯤 상장을 준비 중인 양쯔메모리(YMTC)와 함께 ‘메모리 쌍두마차’로 불리는 두 기업은 인공지능(AI) 붐에 따른 메모리 품귀현상에 애플의 요구도 무시할 정도로 콧대가 높아졌다. 턱밑까지 따라붙은 중국의 ‘반도체 굴기’ 상황을 짚어봤다. “AI 호황에 취할 때가 아닙니다. 중국이 반도체 물량 공세를 벌이면 가격 침체기에는 감산하는 일반적인 기업 논리가 사라져 다른 산업처럼 점차 주도권을 넘겨줄 수 있습니다.” 15년간 삼성그룹 중국 본사에서 근무한 이병철 세종연구소 연구위원이 내놓는 섬뜩한 경고다. 2016년 중국 안후이성 허페이에서 창업한 창신메모리의 목표는 ‘중국판 삼성전자’였다. 창신메모리는 파산한 독일 반도체 기업 키몬다의 핵심 기술 자산을 인수해 2019년 D램 생산에 성공한다. 하지만 전체 직원 2만명 가운데 1% 이상이 한국인일 정도로 삼성으로부터의 기술유출이 창신메모리의 눈부신 성장 뒤에 숨어있다. 창신메모리 성공의 또 다른 주역은 지분 36.79%를 보유한 허페이시다. 중국 안후이성의 성도 허페이시는 2016년 창신메모리 1기 프로젝트에 투입된 3조 6300여억원 가운데 약 2조 9000억원을 투자했다. 10년 넘게 기다린 끝에 지난해 처음 창신메모리가 흑자를 기록한 뒤 올해 상장에도 성공하면서 초기투자금의 80%를 감당했던 허페이시는 그야말로 ‘대박’을 거뒀다. 평범한 중소도시가 첨단산업 육성의 투자자로 나서며 중국에선 ‘허페이 모델’이라는 말이 생길 정도였다. 중국산 반도체는 저렴할 것이라는 기존의 통념도 뒤집히고 있다. 지난 6월 창신메모리 공장에서는 반도체 가격을 낮춰달라고 요구하던 화웨이 협력사 직원들이 클린룸에서 쫓겨난 일이 있었다. 트럼프 정부의 반발에도 중국 반도체를 사용하겠다고 나선 애플 역시 가격 협상에 어려움을 겪고 있다. 창신메모리 D램을 탑재한 64GB DDR5가 경쟁사인 삼성전자나 SK하이닉스보다 더 높은 가격을 매길 정도로 ‘시장 지배력’을 갖게 됐기 때문이다. 이런 상황에 대해 산업계에서는 이제 중국 메모리 업체들이 고객을 선별할 정도로 협상력이 높아졌다는 평가가 나온다. 이 연구위원은 창신메모리 D램 가격이 삼성전자보다 높아진 것에 대해 “순간적인 수요와 공급의 문제”라고 설명했다. 창신메모리는 상하이와 허페이에 두 개의 공장을 신설 중이며 세 번째 공장 부지도 지방 정부와 협상 중이다. 2030년이면 현재 생산량의 두 배인 매달 60만장의 웨이퍼를 생산해 마이크론을 뛰어넘을 것으로 전망된다. 중국에서 ‘반도체 국가대표’로 밀고 있는 창신메모리는 반도체 경기가 죽는다 해도 마이크론보다 버티는 힘이 훨씬 강해 세계 3위 메모리업체로 올라설 것으로 관측된다. 올해 상장으로 시가총액 1조 위안(약 200조원)을 목표로 하는 양쯔메모리도 연말에 완공되는 우한의 세 번째 공장에 이어 두 개 공장을 추가로 지을 예정이다. 중국 ‘반도체 굴기’의 최대 장애물은 미국이 수출을 막은 네덜란드 ASML의 노광장비와 같은 기술 장벽이다. 중국 화웨이는 수년간에 걸쳐 심자외선(DUV) 노광장비 국산화를 총괄하며 반도체 자립을 이끌고 있다. ‘칩 설계도’를 실리콘 웨이퍼 위에 새겨 넣는 노광장비는 ASML이 세계적으로 독점 중인데 미국의 제재가 되레 중국의 독자 기술 발전을 가속시킨다는 지적이 나온다. 삼성전자와 SK하이닉스의 거액 성과급이 중국으로의 기술 유출을 차단할 것이란 전망에 대해 충분하지 않다는 의견도 있다. 황재원 대한무역투자진흥공사(코트라) 전 중국지역본부장은 “중국 반도체 굴기의 핵심 인물인 량몽송은 대만 TSMC와 삼성전자를 거쳐 중국 반도체업체 SMIC의 최고경영자가 됐다”면서 “금전 보상만으로 인재 유출을 모두 막을 수는 없다”고 말했다. 중국 메모리 쌍두마차가 턱밑까지 따라붙은 상황에서 우리 반도체 산업은 ‘기술 초격차’를 유지하기 위해 위기의식을 가져야 한다는 것이 전문가들의 공통된 진단이다. 이 연구위원은 “정부와 기업이 하나가 되어 ‘반도체 낙동강 전선’을 사수해서 중국의 추월을 막아야 한다”고 강조했다.
  • ‘중국판 삼성전자’ 목표였는데 더 비싼 반도체 파는 창신메모리

    ‘중국판 삼성전자’ 목표였는데 더 비싼 반도체 파는 창신메모리

    한국이 중국과 비교해 우위를 보이는 단 하나 남은 분야가 있다면 메모리 반도체다. 지난 7월 상하이 증시에 성공적으로 상장한 중국 창신메모리(CXMT)는 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론에 이어 세계 4위 메모리업체로 우뚝 섰다. 올해 연말쯤 상장을 준비 중인 양쯔메모리(YMTC)와 함께 ‘메모리 쌍두마차’로 불리는 두 기업은 인공지능(AI) 붐에 따른 메모리 품귀현상에 애플의 요구도 무시할 정도로 콧대가 높아졌다. 코끝까지 따라붙은 중국의 ‘반도체 굴기’ 상황을 짚어봤다. “AI 호황에 취할 때가 아닙니다. 중국이 반도체 물량 공세를 벌이면 가격 침체기에는 감산하는 일반적인 기업 논리가 사라져 점차 다른 산업처럼 주도권을 넘겨줄 수 있습니다.” 15년간 삼성그룹 중국 본사에서 근무한 이병철 세종연구소 연구위원이 내놓는 섬뜩한 경고다. 2016년 중국 안후이성 허페이에서 창업한 창신메모리의 목표는 ‘중국판 삼성전자’였다. 창신메모리는 파산한 독일 반도체 기업 키몬다의 핵심 기술 자산을 인수해 2019년 D램 생산에 성공한다. 하지만 전체 직원 2만명 가운데 1% 이상이 한국인일 정도로 삼성으로부터의 기술유출이 창신메모리의 눈부신 성장 뒤에 숨어있다. 창신메모리 성공의 또 다른 주역은 지분 36.79%를 보유한 허페이시다. 중국 지방정부는 지하철 건설보다 반도체 산업에 집중 투자하며 ‘허페이 모델’이라는 말이 생길 정도로 기업의 투자자이자 지원자로 활약했다. 10년 넘게 기다린 끝에 지난해 처음 창신메모리가 흑자를 기록한 뒤 올해 상장에도 성공하면서 허페이시는 그야말로 ‘대박’을 거뒀다. 지난 6월 창신메모리 공장에서는 반도체 가격을 낮춰달라고 요구하던 화웨이 협력사 직원들이 클린룸에서 쫓겨나는 일이 있었다. 트럼프 정부의 반발에도 중국 반도체를 사용하겠다고 나선 애플 역시 가격 협상에 어려움을 겪고 있다. 64GB DDR5는 경쟁사인 삼성전자나 SK하이닉스보다 더 높은 가격을 매길 정도로 ‘시장 지배력’을 갖게 됐다. 이 전 삼성전자 부사장은 창신메모리 D램 가격이 삼성전자보다 높아진 것에 대해 “순간적인 수요와 공급의 문제”라고 설명했다. 창신메모리는 상하이와 허페이에 두 개의 공장을 신설 중이며 세 번째 공장 부지도 지방 정부와 협상 중이다. 2030년이면 현재 생산량의 두 배인 매달 60만장의 웨이퍼를 생산해 마이크론을 뛰어넘을 것으로 전망된다. 중국에서 ‘반도체 국가대표’로 밀고 있는 창신메모리는 반도체 경기가 죽는다 해도 마이크론보다 버티는 힘이 훨씬 강해 세계 3위 메모리업체로 올라설 것으로 관측된다. 올해 상장으로 시가총액 1조 위안(약 200조원)을 목표로 하는 양쯔메모리도 연말에 완공되는 우한의 세 번째 공장에 이어 두 개 공장을 추가로 지을 예정이다. 중국의 양대 메모리 기업이 AI 붐의 최대 수혜자로 평가받는 가운데 한국도 K-반도체 로드맵을 완성했다. 호남반도체 클러스터를 추진 중인 산업통상부의 안홍상 반도체 과장은 중국처럼 두둑한 배짱 투자를 할 수 없는 현실에 안타까움을 드러냈다. 하지만 부지만 확보된다면 2년 정도에 공장 가동까지 끝낼 수 있다고 자신했다. 그는 “대만 TSMC의 일본 구마모토 공장처럼 초단기 완공도 가능하다”며 “호남반도체는 부지 조성부터 새롭게 해야 해서 시간이 좀 더 걸릴 뿐 실제로 공사 속도는 일본과 비슷할 것”이라고 밝혔다. 일본 정부의 전폭적 지원으로 착공에서 가동까지 22개월 걸린 일본 TSMC 공장은 ‘구마모토의 기적’으로도 불린다. 중국 ‘반도체 굴기’의 최대 장애물은 미국이 수출을 막은 네덜란드 ASML의 노광장비와 같은 기술 장벽이다. 중국 화웨이는 수년간에 걸쳐 심자외선(DUV) 노광장비 국산화를 총괄하며 반도체 자립을 이끌고 있다. ‘칩 설계도’를 실리콘 웨이퍼 위에 새겨 넣는 노광장비는 ASML이 세계적으로 독점 중인데 미국의 제재가 되레 중국의 독자 기술 발전을 가속시킨다는 지적이 나온다. 삼성전자와 SK하이닉스의 거액 성과급이 중국으로의 기술 유출을 차단할 것이란 전망에 대해 충분하지 않다는 의견도 있다. 황재원 코트라(대한무역투자진흥공사) 전 중국지역본부장은 “중국 반도체 굴기의 핵심 인물인 량몽송은 대만 TSMC와 삼성전자를 거쳐 중국 반도체업체 SMIC의 최고경영자가 됐다”면서 “금전 보상만으로 인재 유출을 모두 막을 수는 없다”고 말했다. 반도체 인재들이 창업을 하거나 학계에서 개인적 성취감을 느끼고 업계의 존중을 받을 수 있도록 국가 차원의 관리가 필요하다고 제안했다. 중국 메모리 쌍두마차가 코끝까지 따라붙은 상황에서 우리 반도체 산업은 ‘기술 초격차’를 유지하기 위해 위기의식을 가져야 한다는 것이 전문가들의 공통된 진단이다. 이 전 부사장은 “정부와 기업이 하나가 되어 ‘반도체 낙동강 전선’을 사수해서 중국의 추월을 막아야 한다”고 강조했다.
  • 삼성전자·ASML ‘D램 동맹’… 日에 첨단 패키징 연구거점 구축

    삼성전자·ASML ‘D램 동맹’… 日에 첨단 패키징 연구거점 구축

    삼성전자가 세계 최대 노광장비 기업인 ASML과 손잡고 업계 최초로 고 개구수(High-NA) 극자외선(EUV) 장비를 D램 제조에 도입한다. 일본에는 첨단 패키징 연구거점을 구축하며 전후 공정 경쟁력을 끌어올리는 투트랙 전략을 펼치는 모습이다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여해 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다고 8일 밝혔다. 컨소시엄은 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체로, 12인치 포토마스크 개발과 관련한 공동 연구 및 표준 개발 등을 추진할 예정이다. 포토마스크는 반도체 회로 패턴을 새긴 틀로, 노광 장비를 통해 웨이퍼에 회로를 전사하는 반도체 전공정의 핵심 부품이다. 12인치 마스크를 적용하면 한 번에 더 넓은 면적의 회로를 형성할 수 있어 생산성을 높이고 제조 비용을 낮출 수 있다. 2028년까지 첨단 D램 제조에 ASML의 고 개구수 EUV 도입도 추진한다. 고 개구수 EUV는 기존 EUV보다 빛의 개구수(NA)를 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 개구수가 높을수록 노광장비의 렌즈가 빛을 넓은 각도로 모아 미세한 회로를 한 번에 그릴 수 있다. 차세대 D램의 미세화 경쟁에 선제적으로 대응하는 동시에 고 개구수 EUV의 제조 공정 안정성을 조기에 검증해 양산 체계에 안착시킨다는 계획이다. 후공정 분야에서는 일본에 첨단 반도체 패키징 연구거점인 ‘어드밴스드 패키지 랩’(APL)을 개소하며 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 일본의 탄탄한 반도체 소재·장비 생태계를 기반으로 개발 단계부터 일본 기업들과 협력해 차세대 기술을 확보하겠다는 구상이다. 지난 2024년부터 5년간 400억 엔(약 3500억원)을 투자해 구축한 APL은 삼성전자의 메모리·로직 기술과 일본의 소재·부품·장비 기술을 연결해 차세대 패키징 소재와 공정 등을 공동 개발·검증하는 역할을 맡는다. 2027년까지 APL 연구인력을 100명 이상으로 확대해 요코하마를 글로벌 첨단 패키징 연구개발(R&D) 거점으로 육성한다는 계획이다.
  • 김태형 경기도의회 미래과학협력위원장 “반도체 미래인재, 직접 체험하며 꿈 키워야”

    김태형 경기도의회 미래과학협력위원장 “반도체 미래인재, 직접 체험하며 꿈 키워야”

    경기도의회 미래과학협력위원회(위원장 김태형, 더불어민주당, 화성5)는 지난 4일 차세대융합기술연구원에서 열린 ‘2026년 제3회 학부모와 함께하는 반도체 교실’에 참석해 학생들의 수료를 축하하고, 미래 반도체 인재 육성을 위한 체험교육의 중요성을 강조했다. 이번 경기도와 차세대융합기술연구원의 협력으로 진행된 반도체 교실은, 도내 중학교 3학년 학생과 학부모가 반도체 산업에 대한 시야를 넓히고 구체적인 진로 설계를 할 수 있도록 기획된 프로그램이다. 올해 프로그램에는 총 151개 팀이 몰려 12개 팀이 최종 선발되며 12.6대 1이라는 높은 경쟁률을 나타냈다. 이에 따라 선발된 학생 12명과 학부모 12명을 포함해 총 24명이 참가한 가운데, 지난 3일부터 이틀 동안 이론과 실습을 겸비한 교육 과정이 진행됐다. 교육은 반도체의 기본 원리부터 노광, 증착, 식각 등 주요 반도체 공정에 대한 이론교육과 클린룸 안전교육, 실제 반도체 장비를 활용한 실습으로 구성됐다. 참가자들은 차세대융합기술연구원의 첨단 반도체 장비를 활용해 직접 회로를 패턴화하고 웨이퍼를 다루는 실습형 공정을 경험했다. 이와 함께 학부모와 자녀를 위한 맞춤형 반도체 진로 특강이 진행되어, 급성장하는 반도체 산업의 비전과 미래 직업 세계를 구체적으로 탐색하는 유익한 시간을 가졌다. 김태형 위원장은 “반도체 인재를 키우기 위해서는 학생들에게 단순한 지식을 전달하는 것을 넘어 직접 보고, 경험하고, 자신의 진로를 고민할 수 있는 기회를 제공하는 것이 중요하다”고 말했다. 이어 “이번 반도체 교실이 학생들에게 반도체라는 미래산업을 보다 가까이 이해하고 자신의 꿈을 구체화하는 계기가 되었기를 바란다”며 “경기도의회도 학생들이 과학기술 분야의 다양한 진로를 경험하고 미래인재로 성장할 수 있도록 교육과 체험 기회를 확대하는 데 지속적으로 관심을 갖겠다”고 밝혔다. 한편, 경기도의회 미래과학협력위원회는 AI·반도체 등 첨단산업 분야의 정책과 현안을 점검하고, 미래산업 경쟁력 강화를 위한 제도적 지원과 인재 양성 방안을 지속적으로 모색하고 있다.
  • “반토막 난 반도체 주식 어쩌나” 통곡…알고 보니 ‘AI 대호황’? [재테크+]

    “반토막 난 반도체 주식 어쩌나” 통곡…알고 보니 ‘AI 대호황’? [재테크+]

    글로벌 메모리 반도체 시장을 주도하는 ‘반도체 빅3’(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 주가가 최근 몇 달 새 고점 대비 큰 폭으로 떨어지면서 시장에 불안감을 드리우고 있습니다. 일각에서는 이번 하락세를 두고 과거처럼 긴 불황이 찾아오는 신호로 해석하기도 합니다. 그러나 반도체 시장의 규칙 자체가 과거와 달라진 만큼 이번 하락은 단기적인 숨고르기에 불과하다는 반론도 만만치 않은데요. 인공지능(AI) 인프라 구축이라는 구조적 변화가 시장을 떠받치고 있어, 짧게 끝났던 과거의 호황·불황 주기와는 결이 다르다는 분석입니다. 고대역폭메모리(HBM) 생산이 좀처럼 늘어나기 어려운 구조인 데다 기업들이 장기 공급 계약으로 안전판을 마련하고 나선 만큼 이번 호황이 2028년 이후까지 이어질 수 있다는 것이죠. 고점 대비 일제히 주저앉은 반도체 3사 주가최근 주식시장에서 한국과 미국의 주요 반도체 기업 주가가 최고점을 찍은 뒤 큰 폭으로 떨어졌습니다. 삼성전자는 지난 6월 37만 4500원으로 사상 최고가를 기록한 뒤 34% 가까이 하락해 25만원 선에서 거래되고 있습니다. SK하이닉스 역시 6월 사상 최고가인 298만 7000원을 기록한 이후 반토막 수준인 158만원 선까지 주저앉았습니다. 미국 마이크론 테크놀로지 또한 전날 956달러로 장을 마감했습니다. 6월 사상 최고가였던 1255달러와 비교하면 23% 이상 떨어진 수준입니다. 이처럼 주가가 가파르게 떨어지자 투자자 사이에서는 반도체 호황기가 벌써 끝난 것 아니냐는 우려가 나오고 있는데요. 과거 반도체 시장은 보통 1~2년 동안 가격이 치솟다가, 고객사의 과도한 주문과 제조사의 공장 증설이 이어지면서 결국 공급 과잉으로 가격이 폭락하는 불황을 반복해 왔기 때문입니다. “과거와는 달라…HBM 생산 한계가 관건”하지만 일각에서는 이번 상승장이 과거와 전혀 다른 양상으로 움직이고 있다는 분석을 내놓습니다. 과거에는 스마트폰이나 개인용 컴퓨터 같은 개인 기기 수요가 시장을 이끌었지만, 지금은 인공지능(AI) 시스템 구축이 시장을 주도하고 있기 때문입니다. 빅테크 기업들이 너도나도 AI 주도권을 잡으려고 컴퓨팅 성능을 경쟁적으로 넓히면서 서버용 메모리 수요가 급격히 늘었습니다. 특히 AI 칩에는 고대역폭메모리(HBM)라는 특수 메모리가 주로 들어가는데, 이 HBM을 만드는 과정이 까다롭습니다. 현재는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3대 기업이 사실상 과점 공급하고 있죠. 게다가 HBM을 찍어내는 데 사실상 필수적인 최첨단 장비를 구하는 것부터가 커다란 장벽입니다. 미 투자전문매체 모틀리풀은 ”HBM을 만드는 데 필요한 첨단노광장비(EUV)는 전 세계에서 네덜란드 기업 ASML 한 곳만 만들 수 있어 생산량을 갑자기 늘리기 어렵다“고 지적했습니다. 게다가 HBM은 같은 저장 용량을 만들 때 일반 메모리보다 웨이퍼를 3배 이상 많이 소모합니다. 웨이퍼는 반도체 칩을 만드는 데 필요한 얇고 동그란 판 모양의 핵심 원재료인데요. 반도체 공장에서 HBM을 많이 만들수록 PC나 스마트폰에 들어가는 일반 메모리를 만들 웨이퍼가 부족하게 되어 결국 반도체 시장 전체의 공급 부족 현상이 일어난다는 설명이죠. 과거처럼 1~2년 만에 호황과 불황을 오가는 게 아니라, 앞으로 수년간 심각한 공급 부족 현상이 이어질 수 있다는 분석이 나오는 이유입니다. “2028년까지 공급 부족 전망…장기 계약 대비”글로벌 투자은행(IB) 골드만삭스 분석에 따르면, 메모리 반도체 일종인 D램 시장은 2026년에 5.0%, 2027년에는 5.9%의 공급 부족을 기록할 것으로 예상됩니다. 이는 2017년 이후 가장 극심한 물량 부족 상태로, 골드만삭스는 이러한 공급 부족이 2028년 이전에는 풀리지 않을 것으로 내다봤습니다. 반도체 공장을 새로 지어 물량을 늘리는 데만 몇 년이 걸리는 만큼 당분간 시장의 가격 결정권은 메모리를 만드는 생산 업체가 쥐게 된다는 것이죠. 실제로 주요 반도체 기업들의 움직임도 달라졌습니다. 과거와 달리 고객사들과 3년에서 5년에 이르는 장기 공급 계약을 맺기 시작했습니다. 마이크론은 16개 주요 고객사와 2030년까지 가격의 상한선과 하한선을 정한 장기 계약을 맺었으며, SK하이닉스 역시 엔비디아를 비롯한 빅테크 기업들과 대규모 장기 공급 계약을 체결했습니다. 모틀리풀은 “일반적인 메모리 주기는 1~2년 만에 고점을 찍지만 이번 AI 메모리 수급은 이전과 차원이 다른 구조적 변화를 보여준다”며 “SK하이닉스 경영진이 밝힌 것처럼 공급이 수요를 따라잡는 시점은 빠르면 2030년이 될 것”이라고 전했습니다. 주가의 단기 변동성은 커졌지만 반도체 시장을 둘러싼 장기 호황의 틀은 여전히 굳건하다는 설명입니다.
  • 카이스트-삼성전자, 이산화탄소보다 지독한 온실가스 잡는 법 찾았다

    카이스트-삼성전자, 이산화탄소보다 지독한 온실가스 잡는 법 찾았다

    국내 연구진이 반도체를 생산할 때 사용하는 물질 중 이산화탄소보다 6000배 이상 강력한 온실가스를 고효율로 제거할 수 있는 기술을 개발했다. 최민기 카이스트 생명화학공학과 교수팀은 삼성전자 연구진과 함께 반도체 미세회로 제작 공정에서 쓰는 온실가스인 사불화탄소를 높은 효율로 제거할 수 있으며 장기간 사용이 가능한 새로운 촉매를 개발했다고 3일 밝혔다. 이 연구 결과는 화학 및 화학공학 분야 국제 학술지 ‘앙게반테 케미 인터내셔널 에디션’에 실렸다. 탄소(C) 하나에 안정적인 불활성 원소인 플루오린(F) 4개가 결합한 분자 구조를 가진 사불화탄소는 반도체 웨이퍼에서 필요 없는 부분만 깎아 미세한 회로를 만드는 건식 식각 공정에 사용된다. 문제는 사용 후 남은 미량의 사불화탄소가 대기 중으로 배출되면 쉽게 분해되지 않아 약 5만 년 동안 남아 영향을 미친다는 점이다. 지구온난화에 미치는 영향도 이산화탄소보다 6000배 이상 큰 것으로 알려졌다. 기존에도 사불화탄소를 배출되지 않도록 분해하는 촉매 기술이 있었지만 오래 사용할수록 성능이 떨어진다는 단점이 있다. 이에 연구팀은 여러 종류의 원자를 고르게 섞어 촉매가 한쪽으로 뭉치거나 다른 구조로 변하는 것을 막는 ‘엔트로피 안정화’ 원리를 응용한 촉매를 개발했다. 연구팀은 알루미늄, 아연, 갈륨, 니켈, 코발트 등 여러 금속을 하나의 알루미네이트 결정구조 안에 고르게 섞었다. 이를 통해 고온다습하고 불소가 함께 존재하는 악조건에서도 쉽게 변형되지 않는 엔트로피 안정화 알루미네이트 촉매를 만들었다. 이번에 개발한 촉매는 기존 촉매보다 사불화탄소 분해 활성이 2.3배 정도 높았다. 또 800도에서 150시간 동안 사용했을 때도 기존 촉매의 사불화탄소 전환 효율은 93%에서 48%로 떨어졌지만 이번 촉매는 98%에서 92%로 높은 수준을 유지했다. 연구를 이끈 최민기 교수는 “이번 연구는 금속의 종류와 조합을 바꿔 다양한 반도체 공정가스 처리 촉매로 확장할 수 있는 새로운 소재 설계 방법을 제시했다는 데 의미가 있다”고 말했다.
  • 인텔 18A-P 자신감…서버 이어 PC용 CPU까지 만든다? [고든 정의 TECH+]

    인텔 18A-P 자신감…서버 이어 PC용 CPU까지 만든다? [고든 정의 TECH+]

    한때 반도체 업계의 부동의 1위로 꼽혔던 인텔은 지난 몇 년간 큰 어려움을 겪었습니다. 10㎚ 이하 미세공정과 극자외선(EUV) 공정 도입이 늦어지면서 경쟁사에 뒤처졌고, 결국 자사 최신 중앙처리장치(CPU)에 대만 TSMC 공정을 도입하는 상황까지 맞았습니다. 하지만 최근 18A 공정 양산에 들어가면서 반등의 발판을 마련했습니다. 에이전틱 인공지능(AI) 확산으로 서버용 CPU의 역할이 커지면서 관련 수요도 늘고 있습니다. 인텔은 현재 18A의 개량형인 18A-P 공정의 초기 생산에 들어가는 한편, 차세대 미세공정인 14A 개발에도 속도를 내고 있습니다. 최근 열린 반도체 기술 학술행사 ‘핫칩스’(Hot Chips) 2026에서 인텔은 18A-P 공정의 세부 내용을 공개했습니다. 차세대 제온 프로세서 ‘다이아몬드 래피즈’(Diamond Rapids)뿐 아니라 소비자용 CPU인 ‘노바 레이크’(Nova Lake)에도 18A-P를 적용할 수 있다고 밝혔습니다. 성능 9% 높이고 전력 18% 줄여…핵심은 ‘파워부스트’인텔에 따르면 18A-P는 기존 18A와 비교해 같은 전력에서 성능을 약 9% 높이거나, 같은 성능에서 전력 소모를 약 18% 줄일 수 있습니다. 성능 향상의 핵심은 ‘파워부스트’(Power Boost) 기술입니다. 인텔은 18A에서 후면 전력 공급 기술인 ‘파워비아’(PowerVia)를 도입했습니다. 기존에는 트랜지스터층 위에 신호선과 전력선을 함께 배치했지만, 파워비아는 전력 공급 경로를 웨이퍼 후면으로 옮깁니다. 기존 전면 전력 공급 방식은 제조가 비교적 쉽지만 프로세서가 복잡해질수록 신호선과 전력선이 얽히면서 성능과 전력 효율을 떨어뜨릴 수 있습니다. 파워비아는 전력선을 후면으로 옮겨 이런 문제를 줄이는 방식입니다. 18A-P에는 여기에 파워부스트가 더해졌습니다. 트랜지스터의 앞뒤 양쪽에서 전류를 공급해 전력 효율을 높이고 보다 세밀하게 전력을 제어하는 기술입니다. 인텔은 18A에서 도입한 게이트올어라운드(GAA) 구조의 ‘리본펫’(RibbonFET)도 개선했습니다. 열 배출 성능 역시 보완해 18A-P의 성능을 끌어올렸습니다. 특히 인텔은 0.5V의 낮은 전압에서 기존 18A보다 약 30% 높은 동작 주파수를 달성했다고 밝혔습니다. 저전력으로 구동해야 하는 노트북이나 태블릿 등에 유리한 특성입니다. 서버용 넘어 노바 레이크까지…18A-P 적용 확대당초 18A-P는 차세대 제온 서버용 프로세서인 다이아몬드 래피즈에 우선 적용될 것으로 알려졌습니다. 그러나 인텔은 이번 행사에서 이미 생산 중인 실리콘을 기준으로 저전압에서는 약 30%, 고전압에서도 두 자릿수의 성능 개선을 확인했다고 밝혔습니다. 또 다이아몬드 래피즈와 노바 레이크가 모두 18A-P의 초기 성능 개선 효과를 받을 예정이라고 설명했습니다. 서버용뿐 아니라 소비자용 CPU로 적용 범위를 확대하겠다는 의미입니다. 18A-P 공정의 완성도와 생산성이 예상보다 빠르게 개선되고 있다는 신호로 해석할 수 있습니다. 인텔은 미국 애리조나주의 팹 52(Fab 52)에서 18A 공정 양산을 시작했습니다. 초기에는 수율이 낮았던 것으로 알려졌지만 최근에는 상당 부분 개선됐고, 18A-P도 시험 생산 단계에 들어간 것으로 전해졌습니다. 다만 내년 노바 레이크 물량까지 모두 18A-P로 생산하기에는 생산능력이 충분하지 않을 것이라는 전망도 나옵니다. 현재 18A급 미세공정을 생산할 수 있는 주요 시설은 애리조나 팹 52와 오리건 D1X 팹입니다. D1X는 규모가 상대적으로 작아 실질적인 양산 물량 상당 부분을 팹 52가 담당해야 합니다. 현재 장비 반입이 진행 중인 팹 62가 본격 가동되면 생산능력 부족은 완화될 수 있습니다. 그전까지는 노바 레이크 일부 물량을 TSMC 2㎚ 공정에 맡길 가능성도 거론됩니다. 그럼에도 인텔이 18A-P의 적용 범위를 서버용에서 소비자용 CPU까지 넓히려는 것은 공정 성능과 수율에 대한 자신감을 보여주는 대목입니다. 인텔이 18A-P를 안정적으로 양산하고 차세대 14A 공정까지 성공적으로 이어가며 과거의 경쟁력을 되찾을 수 있을지 주목됩니다.
  • ‘삼전닉스’ 법인세 11조원… 호황 뒤엔 美·中 이중 압박

    ‘삼전닉스’ 법인세 11조원… 호황 뒤엔 美·中 이중 압박

    올해 법인세 부담 100조 전망도SK하이닉스 반기 납부액 최대美 관세·투자 압박, 中 낸드 추격HBM 수요 급증에 증설 경쟁 인공지능(AI) 반도체 호황에 힘입어 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 상반기에만 11조원이 넘는 법인세를 납부하며 반기 기준 역대 2번째 기록을 세웠다. 올해 역대급 실적이 예상되며 연간으로는 양사의 법인세 부담이 기존 최고 기록인 15조원대를 훌쩍 넘어 100조원에 이를 수 있다는 전망도 나온다. 하지만 미국의 현지 투자 압박과 중국 메모리 업체들의 추격, 대규모 증설 경쟁이 거세지면서 두 회사가 넘어야 할 파고도 만만치 않다. 특히 미국이 반도체 관세를 지렛대로 자국 내 생산 확대를 압박할 가능성이 커지면서 투자 부담이 한층 가중될 전망이다. 30일 금융감독원 전자공시시스템에 제출된 반기·사업보고서에 따르면 별도 재무제표 기준 상반기 삼성전자와 SK하이닉스의 법인세 납부액은 각각 3조 9876억원, 7조 2207억원으로 합계 11조 2083억원을 기록했다. 이는 2018년 서버 및 모바일용 반도체 수요 급증이 반영돼 역대 최대치를 기록한 2019년 상반기 12조 6614억원에 이어 두 번째 규모다. 지난해 상반기 각각 1조 1187억원과 3조 719억원과 비교하면 삼성전자는 256.4%, SK하이닉스는 135.0% 증가했다. SK하이닉스로서는 반기 기준 역대 최대다. 업계에서는 삼성전자의 올해 영업이익 시장 평균이 385조원, SK하이닉스는 266조원으로 지난해보다 6~9배가량 증가할 것으로 예상한다. 양사의 올해 실적에 법인세 실효세율 20%를 단순 적용하면 연간 납부액이 100조원을 넘어설 수 있다는 전망도 나온다. 역대급 실적에도 국내외 경영환경은 녹록지 않다. 미국은 자국 내 반도체 생산 확대를 요구하며 삼성전자와 SK하이닉스에 현지 투자를 압박하고 있다. SK하이닉스는 지난 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 AI 메모리용 첨단 패키징 생산기지 착공식을 열고 40억 달러 이상을 투입하는 미국 내 첫 반도체 생산기지 건설을 본격화했다. 삼성전자는 약 51조원을 투자해 미국 텍사스에 파운드리 공장을 건설 중이다. 하지만 도널드 트럼프 미국 행정부가 최근 또다시 ‘반도체 관세’ 방안을 검토 중인 것으로 알려져 미국 내 추가 투자를 압박할 가능성이 커졌다. 업계 관계자는 “현재 호남 반도체 클러스터 등 대규모 투자를 진행하는 상황에서 한정된 자금을 미국에 나눠야 할 수밖에 없을 것”이라고 말했다. 중국의 추격도 빨라지고 있다. 중국 메모리 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 최근 기업공개(IPO) 준비 과정에서 이르면 내년 말까지 글로벌 낸드 시장 1위에 오르겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 정조준한 사실상의 선전포고다. 시장조사업체 옴디아는 YMTC의 낸드 웨이퍼 생산량이 올해 201만장에서 내년 249만 6000장으로 48만 6000장 확대될 것으로 전망했다. AI 데이터센터 확산으로 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리 수요가 급증하면서 생산능력 선제 확보도 시급하다. AI 반도체는 생산능력 확보가 고객사 선점과 직결돼 투자가 요구된다.
  • 中 CXMT, LPDDR6 양산 공식화…삼전·닉스 기술 추격 가속도

    中 CXMT, LPDDR6 양산 공식화…삼전·닉스 기술 추격 가속도

    중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했다. 샤오미의 최신 폴더블폰에도 탑재될 예정이어서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 모바일 D램 시장의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다. CXMT는 지난 29일(현지시간) 웨이보를 통해 LPDDR6 메모리가 정식 양산에 들어갔다고 밝혔다. 첫 적용 제품은 샤오미의 ‘18 폴드’로, 오는 9월 출시될 예정이다. 레이쥔 샤오미 최고경영자(CEO)는 “샤오미의 자체 개발 AI 프로세서 ‘쉬안제 O3’가 CXMT의 LPDDR6을 처음 지원하며 18 폴드에 최초 탑재된다”고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등에 사용되는 저전력 D램 규격이다. CXMT는 자사 LPDDR6이 최대 1만 2800Mbps의 전송 속도와 16Gb 용량을 지원한다고 공개한 바 있다. LPDDR6은 온디바이스 인공지능(AI) 연산 성능을 높이는 핵심 메모리로 꼽혀 향후 PC·서버·차량 등으로 활용 범위가 확대될 전망이다. 중국 매체 증권시보는 CXMT의 이번 양산을 세계 최초 LPDDR6 상용화로 평가하며 “중국 메모리 기업이 고사양 메모리 표준에서 처음으로 세계 최초 양산에 성공했다”고 의미를 부여했다. CXMT의 거센 기술 추격에 삼성전자와 SK하이닉스에는 위협이 되고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스도 LPDDR6 시장 선점에 나서고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발을 완료하고 올해 하반기 공급을 예고했다. 삼성전자는 지난 1월 ‘CES 2026’에서 LPDDR6 제품을 공개했지만 구체적인 양산 일정은 밝히지 않았다. 글로벌 투자은행 모건스탠리는 “CXMT가 올해 말까지 월 30만 장의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것”이라며 “이는 전 세계 D램 웨이퍼 생산 능력의 약 13%, 글로벌 비트(Bit) 출하량의 11%에 해당하는 규모로 오는 2028년까지 생산 능력을 월 50만장까지 끌어올릴 것”이라고 내다봤다.
  • SK하이닉스, 美 첫 HBM 공장 착공…2029년 HBM4E 양산

    SK하이닉스, 美 첫 HBM 공장 착공…2029년 HBM4E 양산

    SK하이닉스가 미국 최초의 고대역폭메모리(HBM) 생산기지 건설에 들어갔다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 미국에서 적층·조립해 2029년부터 7세대 HBM인 HBM4E를 양산한다. 생산 규모는 연간 수십만장으로, 미국 내 인공지능(AI) 반도체 공급망 구축이 본격화할 전망이다. SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 생산기지인 ‘인디애나 팹’ 기공식을 열었다고 28일 밝혔다. SK하이닉스가 미국에 짓는 첫 반도체 생산시설이다. 총 40억 달러(약 5조 5000억원) 이상이 투입되는 인디애나 팹은 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 하반기부터 HBM4E 양산에 들어간다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 기공식에서 생산 능력이 연간 D램 웨이퍼 수십만장 규모가 될 것이라고 밝혔다. 한국에서 생산한 웨이퍼를 인디애나로 가져와 여러 개의 D램 칩을 쌓고 연결한 뒤 성능을 검증해 HBM 완제품으로 만드는 방식이다. 현재 SK하이닉스가 양산하는 최신 HBM은 6세대 HBM4다. 인디애나 팹에서 생산할 HBM4E는 이를 잇는 7세대 제품으로, 엔비디아 등 미국 빅테크의 차세대 AI 가속기에 공급될 것으로 예상된다. 미국에서 HBM이 생산되는 것은 이번이 처음이다. 곽 사장은 “인디애나 팹은 ‘메이드 인 USA’ HBM을 처음 공급하는 핵심 거점”이라며 “미국 반도체 공급망을 강화하고 경제와 안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했다. 이어 “미국 AI의 미래를 함께 만들어 가는 가장 신뢰받는 파트너가 되겠다”고 강조했다. 인디애나 팹에는 생산라인과 함께 ‘어드밴스드 패키징 연구개발(R&D) 테스트베드’가 들어선다. 고객사와 대학, 협력사가 함께 차세대 패키징 기술을 개발하고 시제품 제작과 성능 검증을 진행하는 시설이다. SK하이닉스는 이날 퍼듀대와 HBM을 비롯한 차세대 시스템 통합·패키징 기술을 공동 연구하기 위한 업무협약도 체결했다. SK하이닉스는 인디애나 팹에서 약 1000명을 직접 고용할 계획이다. 공장 건설과 운영, 현지 진출을 논의 중인 100여개 소재·부품·장비 협력사까지 포함하면 약 7000개의 직·간접 일자리가 생길 것으로 내다봤다. 주한미군 전역 장병을 위한 별도의 채용 절차도 마련한다. 미국 정부는 반도체지원법에 따라 최대 4억 5000만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출을 제공한다. 유정준 SK그룹 미주총괄 부회장은 기공식에서 SK그룹이 2030년까지 미국에 총 450억 달러를 투자할 계획이라고 밝혔다. 이날 행사에는 곽 사장과 유 부회장을 비롯해 강경화 주미대사, 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 연방 상원의원 등이 참석했다. 영 의원은 “반도체가 경제와 국가 안보에서 맡는 역할과 공급 중단의 파장을 생각하면 그 생산을 다른 나라의 선의나 행운에 의존해서는 안 된다”며 미국 내 생산시설의 필요성을 강조했다. SK하이닉스의 인디애나 팹은 미국이 자국 중심의 AI 반도체 공급망을 구축하는 과정에서 한국이 최첨단 HBM 생산을 맡는 첫 사례다. 미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스에 현지 생산 확대를 요구하는 상황에서 이번 투자가 국내 반도체 기업의 추가 대미 투자로 이어질지도 주목된다.
  • SK하이닉스, 美 HBM 거점 ‘인디애나 팹’ 착공…곽노정 “2030년까지 핵심 HBM 시설로”

    SK하이닉스, 美 HBM 거점 ‘인디애나 팹’ 착공…곽노정 “2030년까지 핵심 HBM 시설로”

    SK하이닉스가 미국 내의 첫 반도체 생산기지인 인디애나주 첨단 패키징 공장 건설에 본격적으로 착수했다. 미국 현지에서 인공지능(AI) 반도체의 핵심인 고대역폭메모리(HBM)를 생산해 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 공급하는 전초기지로 활용한다는 구상이다. SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대에서 ‘인디애나 팹’ 기공식을 열었다. 행사에는 곽노정 SK하이닉스 사장, 유정준 SK그룹 미주총괄 부회장 등 경영진을 비롯해 강경화 주미대사, 미국 상무부와 인디애나주·웨스트라피엣시 관계자 등이 참석했다. 이날 기공식에서 SK하이닉스는 인디애나 팹에 38억 7000만 달러(약 5조 3600억원)를 투자하겠다는 계획을 밝혔다. 곽 사장은 “인디애나 팹은 단순히 하나의 반도체 공장이 아니라 미국 최초의 HBM 어드밴스드 패키징 시설”이라며 “총 40억 달러를 투자해 2029년 3분기부터 HBM4E를 대량 생산하고 2030년에는 핵심 HBM 시설로 만들 것”이라고 말했다. SK하이닉스는 인디애나 팹을 HBM의 후공정에 집중하는 어드밴스드 패키징 거점으로 삼는다는 계획이다. 한국에서 생산한 최첨단 반도체 웨이퍼를 인디애나 팹으로 가져와 HBM으로 적층·조립하는 역할이다. 미국에서 HBM이 완성되면 엔비디아 등 미국 현지 고객사에 바로 공급할 수 있게 돼 미국은 물론 글로벌 AI 반도체 공급망의 확장이 기대된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난해 미국 워싱턴DC에서 열린 ‘GTC 2025’에서 SK하이닉스의 인디애나 공장을 직접 소개하기도 했다. 인디애나 팹은 퍼듀대 소유 연구단지 내 약 54만㎡ 부지에 들어선다. 축구장 약 75개 규모로, 인디애나주 역사상 최대 규모의 단일 개발 프로젝트로 평가된다. 미국 정부도 SK하이닉스의 투자를 지원한다. 미 상무부는 반도체지원법(CHIPS Act)에 따라 최대 4억 5800만 달러의 직접 보조금과 5억 달러 규모의 정부 대출을 지원하는 최종계약을 체결했다고 발표한 바 있다. 인디애나주 역시 인디애나경제개발공사(IEDC)와의 협약에 따라 2055년까지 최대 7억 1218만 달러의 보조금을 SK하이닉스에 지급한다. 현지에서는 이번 투자로 2055년까지 약 5억 달러의 세수가 발생할 것으로 전망하고 있다. SK하이닉스는 건설과 연구개발(R&D), 운영 과정에서 약 7000개의 직·간접 일자리가 창출될 것이라고 예상했다. SK하이닉스는 인디애나 팹을 단순한 생산시설을 넘어 미국 내 AI 반도체 연구개발(R&D)와 고객 협력의 거점으로 활용할 계획이다. 특히 반도체·첨단공학 분야 연구 역량을 갖춘 퍼듀대와 협력해 현지 인재 확보와 연구개발 역량 강화에도 나선다. 이번 기공식을 기점으로 한국 반도체 기업의 추가 대미 투자 여부도 주목받고 있다. 도널드 트럼프 정부는 한국을 비롯한 해외 반도체 기업들에 미국 내 생산 확대를 요구하며 특히 삼성전자와 SK하이닉스의 현지 메모리 생산 확대를 촉구해왔다.
  • 석유화학업계, 반도체 소재 ‘승부수’… 고부가로 불황 넘는다

    석유화학업계, 반도체 소재 ‘승부수’… 고부가로 불황 넘는다

    LG화학, 대만 반도체 전시회 참가롯데케미칼, 현상액 설비에 1300억SKC, 유리기판 상용화 투자 속도글로벌 시장 2034년 144조원 전망 중국발 공급 과잉으로 장기 불황에 빠진 석유화학 업계가 반도체 소재로 활로를 모색하고 있다. 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등 범용 플라스틱은 중국 업체와의 가격 경쟁이 치열해진 반면 인공지능(AI) 반도체용 첨단 패키징이 확산하면서 칩을 붙이는 접착필름, 기판을 절연하는 소재, 미세 회로를 만드는 현상액 등의 중요성이 커지고 있어서다. 화학업계는 AI·고대역폭메모리(HBM) 시장 확대에 맞춰 기술 장벽이 높은 고부가 반도체 소재로 수익성을 끌어올린다는 전략이다. LG화학은 다음 달 2~4일 대만 타이베이에서 열리는 아시아 최대 반도체 전시회 ‘세미콘 타이완 2026’에 참가해 고객 확보와 사업 협력 확대에 나선다고 26일 밝혔다. LG화학이 반도체 전시회에 참여하는 건 2019년 세미콘 차이나 참가 이후 7년 만이다. LG화학은 ‘칩 바깥의 소재’를 겨냥해 HBM 등 AI 반도체 시장을 겨냥한 첨단 패키징 및 전력반도체 소재를 선보인다. 회로 기판의 뼈대 역할을 하는 ‘동박적층판’(CCL)과 차세대 AI 반도체용 유리기판 소재인 ‘글래스 코어 솔루션’, 반도체 기판 안에 미세 회로를 여러 층 쌓을 수 있게 해주는 ‘빌드업 필름’, 빛을 이용해 미세 회로를 구현하는 ‘감광성 절연 소재’(PID), 칩을 기판에 붙이는 ‘다이 부착 필름’(DAF) 등이다. LG화학 관계자는 “AI 반도체 시장 확대로 고성능 소재에 대한 요구가 높아지고 있어 사업 영역을 넓히고 있다”고 설명했다. 롯데케미칼도 데이터센터와 반도체 시장 확대에 대응하는 고부가가치 소재를 미래 성장축으로 내세웠다. 롯데 화학군 계열사 한덕화학은 총 1300억원을 투자해 경기도 평택 포승지구에 반도체용 현상액(TMAH·수산화테트라메틸암모늄) 생산 설비를 건설중이다. TMAH는 웨이퍼에 빛으로 회로를 그린 뒤 불필요한 부분을 제거해 미세한 회로 패턴이 드러나도록 하는 현상 공정의 필수 소재다. SK그룹 계열사 SKC는 반도체 패키징 핵심 소재인 유리기판 상용화 투자에 속도를 내고 있다. 유리기판은 반도체 칩 아래에 덧대는 사각형 기판을 유리로 만든 것으로, 기존 플라스틱 기판보다 열에 따른 변형이 적어 미세 회로 구현에 유리하다. SKC 관계자는 “전반적으로 화학 산업 비중을 줄이면서 중장기적으로 반도체 소재와 2차전지로 포트폴리오를 다각화하고 있다”고 했다. 포춘 비즈니스 인사이트에 따르면 반도체 소재의 글로벌 시장 규모는 올해 748억 5000만 달러(약 103조 3000억원)에서 2034년 1042억 2000만 달러(약 144조원)로 연평균 4.2% 성장할 전망이다. 독일 바스프 등 글로벌 종합 화학기업들도 전자재료 분야로 사업을 확장하고 있다. 호남권 신규 반도체 클러스터 등에 맞춰 국내 기업들도 소재 개발에 속도를 낼 전망이다. 업계 관계자는 “반도체 공장은 건설 단계부터 특정 화학사 소재로 설계되면 이후에 다른 업체로 바꾸는 게 거의 어렵다”며 “화학 업계에 새 기회가 될 수 있다”고 전했다.
  • 새롭게 무장한 세레브라스 웨이퍼 스케일엔진, 엔비디아 독점 깰 수 있을까 [고든 정의 TECH+]

    새롭게 무장한 세레브라스 웨이퍼 스케일엔진, 엔비디아 독점 깰 수 있을까 [고든 정의 TECH+]

    현대적인 반도체 제조 공정은 ‘웨이퍼’라는 동그란 기판을 기반으로 진행됩니다. 최종적인 프로세서나 메모리 등은 웨이퍼에서 사각형 형태로 하나씩 떼어 내서 제조됩니다. 하지만 미국의 인공지능(AI) 반도체 기업 ‘세레브라스 시스템즈’(Cerebras Systems)는 전혀 다른 접근 방법으로 초대형 칩을 개발했습니다. 이들이 개발한 ‘웨이퍼 스케일 엔진’(WSE)은 실리콘 웨이퍼를 자르지 않고 하나의 거대한 프로세서로 사용합니다. 이렇게 하면 기존의 방식으로는 만들 수 없는 거대한 칩을 만들 순 있지만, 대신 제조 과정에서 오류가 난 부분으로 인해 프로세서에 결함이 생길 수 있습니다. 웨이퍼 스케일 엔진의 해결책은 매우 작은 프로세서 코어를 여러 개 만들고 이들을 서로 연결해서 중간에 몇 개 오류가 나더라도 전체 프로세서 기능에는 큰 영향을 미치지 않게 하는 것입니다. 세레브라스 시스템은 최근 ‘WSE-3T’를 공개했습니다. 흥미로운 사실은 2년 전 공개한 WSE-3와 동일한 TSMC 5㎚ 공정을 사용하고 동일한 4조 개의 트랜지스터를 집적했지만, 연산 성능과 대역폭을 대폭 개선했다는 점입니다. WSE-3T의 AI 연산 성능은 125 PFLOPS(희소성 적용 시 250 PFLOPS), 대역폭은 43.2 PB/s로 이전 대비 2배 정도 높아졌습니다. 참고로 WSE-3T 프로세서 하나에는 90만 개의 코어와 44GB의 초고속 SRAM이 통합돼 있습니다. 하지만 더욱 주목할 부분은 프로세서만 공개한 것이 아니라 데이터센터에서 바로 사용할 수 있는 랙 서버 시스템인 CS-4를 함께 공개했다는 것입니다. 각각의 CS-4는 3개의 WSE-3T 프로세서를 장착해 최대 750 PFLOPS의 AI 연산 능력을 지니고 있습니다. 세레브라스의 주장에 따르면 GPT-OSS 120B 모델 기준으로 단일 CS-4 랙이 초당 4400토큰 이상을 생성할 수 있으며, GPU와 비교해 최대 30배 정도 빠른 속도를 보일 수 있다고 합니다. 그러나 CS-4는 단독으로 쓰이기보다 AMD의 헬리오스 AI 랙과 함께 사용하는 것을 염두에 두고 설계됐습니다. 마치 엔비디아의 베라 루빈 시스템과 그록 시스템을 조합한 것과 비슷하게, AMD 그래픽처리장치(GPU)가 AI 연산의 앞 단계인 프리필 단계(입력 프롬프트 처리, 대규모 컨텍스트 윈도우 계산, KV 캐시 생성)를 담당하면, CS-4에 있는 WSE-3T는 최종 출력 단계인 디코드 단계, 즉 토큰 생성을 담당하는 것입니다. 마지막 단계는 메모리 대역폭이 속도에 큰 영향을 미치는데, 아예 프로세서에 메모리가 통합된 WSE-3T가 강점을 지닌 분야입니다. 이렇게 헬리오스 랙과 CS-4 랙으로 AI 파이프라인을 구축하면 전력 대비 토큰 생성 효율을 최대 5배까지 높일 수 있다는 것이 세레브라스의 설명입니다. 이를 통해 비용을 절감하면서도 성능을 최대화할 수 있고 엔비디아의 베라 루빈 + 그록 AI 파이프라인에 대항할 수 있습니다. 현재 AI 시장에서 엔비디아의 위치는 공고해 보이지만, 구글, 아마존, 마이크로소프트 같은 하이퍼스케일러들은 자체 칩을 개발해 엔비디아 의존도와 비용을 줄이기 위해 노력하고 있으며, 경쟁자인 AMD도 시장의 파이를 일부 차지하기 위해 노력하고 있습니다. AMD가 세레브라스와의 협업을 통해 엔비디아의 점유율을 얼마나 빼앗을 수 있을지 주목됩니다.
  • 반도체 폐수 처리 위한 ‘고효율 광촉매’ 기술 개발

    반도체 폐수 처리 위한 ‘고효율 광촉매’ 기술 개발

    한국에너지공과대학교(켄텍) 서동한 교수 연구팀이 고려대학교 김영진 교수 연구팀과 공동으로 반도체 제조 공정에서 발생하는 치명적인 맹독성 폐수를 친환경적으로 처리할 수 있는 ‘고효율 광촉매’ 기술 개발에 성공했다. 반도체와 디스플레이 제조 공정에 현상액 등으로 쓰이는 ‘테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)’는 수생태계와 인체에 신경독성을 유발하는 맹독성 화학물질로, 반드시 정화과정이 필요하다. 하지만 기존의 화학적·생물학적 폐수 처리 방식은 막대한 에너지가 소모되거나 고농도의 2차 슬러지가 발생하는 등 현장 적용에 한계가 있었다. 연구팀은 이러한 한계를 해결하기 위해 반도체 웨이퍼 생산 공정에서 버려지거나 저평가되던 저순도 흙(규조토)에 주목했다. 연구팀은 섭씨 60도 미만의 ‘수중 대기압 플라즈마 공정’을 세계 최초로 적용, 규조토 내부의 미세한 구멍들에 산소 결함이 포함된 이산화티타늄(TiO2-x) 나노층을 균일하게 합성·고정하는 기술을 개발했다. 이렇게 개발된 신형 나노 복합 광촉매 ‘DE 700’은 가시광선을 포함한 넓은 태양광 영역에서 탁월한 흡수력을 보였다. 실험 결과, 20ppm 농도의 TMAH 폐수에 이 촉매를 넣고 상용 태양광 램프를 쪼인 지 12시간 만에 오염 물질이 100% 분해됐다. 특히, 이 가운데 약 62%는 독성이 없는 암모늄 이온으로 전환됐다. 이는 현재 산업계에서 가장 널리 쓰이는 상용 광촉매인 ‘TiO2-P25’가 동일 조건에서 29.22%의 분해율과 14.11%의 전환율을 기록한데 그친 것과 비교하면 현저히 높은 성능이다. 이 촉매는 특히, 고온 가열이나 유해 화학 첨가물 없이 물속에서 단시간에 합성할 수 있다는 점에서 기존 방식 대비 에너지 소모가 적고 탄소 발자국도 최소화할 수 있는 친환경 기술로도 평가받고 있다. 특히 4번에 걸친 반복 재사용 실험에서도 91~97%의 높은 정화 효율을 유지, 우수한 내구성을 입증했다. 정화된 물을 이용한 식물 발아 테스트에서도 생태계 독성이 전혀 관찰되지 않았다. 이번 연구는 켄텍 서동한 교수와 고려대 김영진 교수가 공동 교신저자로 참여했으며, 켄텍의 알리 M. 아부-엘란와르(Ali M. Abou-Elanwar) 박사와 김선우 박사가 공동 제1저자로 연구를 주도했다. 기후에너지환경부 산하 한국환경산업기술원(KEITI) 및 한국에너지기술평가원(KETEP) 등의 지원을 받아 수행됐으며, 연구 결과는 환경·에너지 분야 국제학술지인 ‘서스맷(SusMat)’에 지난 10일 게재됐다.
  • 백악관 “어글리 경기도” 콕 집었다…갑자기 무슨 상황? [권윤희의 월드뷰]

    백악관 “어글리 경기도” 콕 집었다…갑자기 무슨 상황? [권윤희의 월드뷰]

    [월드뷰 3줄 요약]● 백악관은 한국 경기 반도체 벨트를 중국 연계 기타 집적회로의 잠재적 유통 경로로 제시했다.● 미국이 AI로 고위험 화물을 선별하고 부품·공정·기업관계까지 확인하면 한국 기업은 관세율이 오르지 않아도 한국산 입증자료와 통관 대응비용을 더 부담하게 된다.● 정부는 한미 협상에서 반도체 공정별 원산지 기준과 자료 제출 범위를 명확히 하고, 정상적인 한중 분업이 불법 환적으로 의심받지 않도록 사전판정·영업비밀 보호·이의제기 절차를 확보해둘 필요가 있다. 미국 백악관이 중국산 제품의 불법 환적 위험을 분석한 보고서에 경기 반도체 벨트를 올렸다. 한국을 캐나다·유럽연합(EU)·일본 등과 함께 정상 교역 속에 불법 환적 위험이 섞일 수 있는 ‘1유형’(Tier 1)으로 분류하고, 경기지역을 중국 연계 집적회로의 잠재적 유통 경로로 지목했다. 특정 한국 기업의 위법행위나 적발 사례를 제시한 것은 아니다. 백악관 무역제조업정책국은 13일(현지시간) 공개한 ‘거대한 환적 사기’(The Great Transshipment Scam) 보고서에서 중국산 제품을 제3국에서 단순 조립·재포장하거나 라벨을 바꾼 뒤 원산지를 허위 신고해 미국으로 수출하는 구조를 ‘그림자 환적 네트워크’(Shadow Transshipment Network)라고 불렀다. 보고서는 중국산 수입품의 평균 관세율은 약 50%지만, 제3국산으로 허위 신고할 경우 더 낮은 세율이 적용된다고 짚었다. 이런 관세율 격차가 원산지 세탁의 유인이 된다고 주장했다. 경기 반도체 벨트, 中 집적회로 잠재 유통경로로 지목보고서는 중국 상품의 해외 환적 거점과 그로 인해 압박받는 미국 제조업 도시를 ‘추한 자매 도시’(Ugly Sister Cities)로 짝지었다. 한국의 경기 반도체 벨트를 중국 연계 ‘기타 전자집적회로’(HS 854239)의 잠재적 유통 경로로 지목했다. 이에 대응하는 미국 내 생산지역으로 피닉스·오스틴·포틀랜드·산호세를 제시하며 이들 지역의 반도체 산업이 압박받을 수 있다고 주장했다. 이는 특정 화물이 경기지역에서 해당 미국 도시로 이동했다는 물류 추적 결과가 아니다. 환적 위험이 크다고 본 품목과 같은 제품을 생산하는 미국 산업지역을 연결해 잠재적 영향을 추정한 분석이다. 보고서도 ‘추한 자매 도시’ 사례가 전체 국가와 상품군, 미국 산업지역 가운데 일부를 예시한 것이라고 설명했다. 보고서는 중국의 대미 직접 수출 감소와 제3국의 대미 수출 증가분 가운데 일부가 합법적인 생산 이전과 교역 조정에 따른 것이라는 점도 인정했다. 다만 백악관은 정부·민간의 추정 자료를 토대로 중국의 잠재적 불법 환적 규모가 연간 약 400억∼3030억 달러(약 57조∼431조원)에 이르고, 이에 따른 관세 손실도 수백억 달러에 달할 수 있다고 추산했다. 불법 환적 규모를 연간 750억 달러(약 107조원)로 가정한 시나리오에서는 연방 세수 손실을 190억∼260억 달러(약 27조∼37조원)로 산출했다. 일자리 약 45만개가 대체되고 국내총생산(GDP)이 연간 1130억∼1500억 달러(약 161조∼214조원) 줄어들 수 있다는 계산도 내놨다. 피터 나바로 백악관 무역·제조업 담당 고문은 “이번 보고서는 고율 관세 대상이면서 제3국을 방패로 삼는 국가들에 대한 경고”라며 “중국은 예시일 뿐”이라고 말했다. 이번 보고서가 현재 진행 중인 무역법 301조 조사와는 “완전히 별개”라면서도 향후 미 무역대표부(USTR)의 국가별 통상협상에서 참고자료로 활용될 수 있다고 밝혔다. 나바로 고문은 중국의 덤핑 문제를 거론하면서 한국 철강도 함께 언급했다. 불법 환적을 명분으로 한 미국의 통상 압박이 중국이나 반도체에만 머물지 않을 수 있음을 시사한 대목이다. AI 선별 강화…한국 기업 원산지 입증 부담이번 보고서로 한국산 반도체에 적용되는 관세율이나 원산지 기준이 곧바로 바뀌는 것은 아니다. 먼저 달라질 가능성이 있는 것은 미국 세관이 검사 대상을 선별하는 방식이다. 보고서가 제시한 ‘중국 연결성’은 중국산 부품과 중국 내 생산공정, 중국 기업과의 투자·금융·거래 관계 등을 포괄하는 위험지표다. 법적 원산지를 결정하는 기준과는 구분된다. 중국산 부품이 들어갔더라도 제품의 핵심 기능을 만드는 공정이 한국에서 이뤄졌다면 한국산으로 인정될 수 있다. 미 세관국경보호국(CBP)은 한국에서 웨이퍼 전공정을 마치고 중국이나 대만에서 조립·검사·패키징한 집적회로를 한국산으로 판정한 사례가 있다. 반도체의 기능을 결정한 공정이 한국에서 이뤄졌다고 본 것이다. 단 이 판정은 해당 제품의 생산공정과 사실관계에 한정되므로, 다른 제품도 같은 판정을 받으려면 제조공정과 부품 조달 내역을 구체적으로 입증해야 한다. 보고서가 예시한 품목은 HS 854239 ‘기타 전자집적회로’다. 메모리반도체는 HS 854232로 분류된다. 따라서 보고서의 직접적인 분석 대상은 삼성전자·SK하이닉스의 주력 메모리 생산보다 경기지역의 기타 집적회로 공급망으로 여겨진다. 백악관은 인공지능(AI)을 활용한 환적 탐지체계 ‘디텍티브 보더’(Detective Border) 도입 구상도 제시했다. 선적 경로와 기업 관계, 공장의 생산능력과 교역량을 분석해 고위험 화물을 선별한다는 계획이다. 실제 생산능력보다 많은 제품을 미국에 수출하거나 중국에서 들여온 제품과 유사한 상품을 단기간에 가공해 수출하면 검사 우선순위가 올라간다. AI가 고위험 화물을 선별하면 CBP는 미국 수입신고인(Importer of Record·IOR)에게 추가 증빙을 요구할 수 있고, 이 요구는 원산지 자료를 보유한 한국 공급기업으로 이어진다. 美 현지투자에도 한국 생산은 별도 검증미국 현지투자가 한국 공장의 원산지 검증 부담까지 없애주지는 않는다. 같은 삼성전자 소속이라도 미국 오스틴 공장은 자국 제조기반으로, 경기지역 공장은 원산지를 검증할 해외 생산기지로 취급된다. 미국이 동맹국 기업의 현지투자를 유치하면서도 해외 생산기지에는 별도의 공급망 검증을 요구하는 구조다. 미국 내 생산시설을 늘리더라도 한국 생산기지의 원산지 입증 부담은 그대로 남는다. 한국 기업은 자재명세서와 부품 원산지, 웨이퍼 가공·조립 장소, 협력업체와 운송경로 등을 생산단위별로 관리해야 한다. 중국 공급업체나 중국 내 후공정을 이용했다면 제품의 핵심 기능이 한국에서 완성됐다는 공정자료도 제시해야 한다. 자료 제출과 화물 보류, 사후검증이 늘면 통관이 늦어지고 관세·법률 대응비용도 커진다. 공급망 관리시스템과 협력업체 계약까지 손질해야 한다. 관세율이 유지돼도 수출비용은 늘어나는 구조다. 한미 협상서 원산지·통관 기준 구체화해야이번 보고서는 향후 USTR의 국가별 통상협상에서 참고자료로 활용될 수 있다. 2025년 11월 한미 통상합의에도 관세회피 단속 협력이 포함된 만큼 공급망 자료 제출과 통관 검증이 한미 간 현안으로 떠오를 가능성이 있다. 한국 정부는 미국의 관세회피 단속에 협력하면서 정상적인 한국산 제품이 과도한 검사와 통관 지연을 겪지 않도록 제도적 안전장치를 확보해야 한다. 후속 협의에서는 반도체 공정별 원산지 기준과 제출 자료의 범위를 명확히 해야 한다. 주요 생산방식에 대한 사전판정과 신속심사, 영업비밀 보호 및 이의제기 절차도 마련할 필요가 있다. 신뢰도가 높은 기업에는 검사와 통관 절차를 간소화하는 방안도 요구해야 한다. 중국산 소재·부품을 사용하거나 중국 기업과 정상적으로 거래했다는 이유만으로 불법 환적 의심 대상으로 분류되지 않도록 위험선별 기준도 구체화해야 한다. 미국의 관세율표는 국가와 품목별로 짜여 있지만 관세 집행은 공급망 단위로 이동하고 있다. 한국 반도체에는 기술력과 가격뿐 아니라 한국산임을 빠르고 정확하게 입증하는 능력까지 새로운 경쟁조건이 되고 있다.
  • [책꽂이]

    [책꽂이]

    중립은 힘이 세다(김성해 지음/개마고원) 한반도를 둘러싼 지정학적 위기와 일극체제 붕괴의 격랑 속에서, 막연한 이상이 아닌 절박한 현실로서 ‘중립’의 가치를 재발견하는 책이다. 구한말부터 이어져 온 한반도 중립화 논의의 역사적 궤적을 살핀다. 저자는 미국의 패권이 저물고 다자주의가 등장하는 과정이라고 현재를 진단한다. 중립에 가장 큰 장애물인 한미동맹과 북핵 문제에 대한 해법으로 남북이 각자의 주권을 행사하면서 이해관계를 공유하는 연합국 형태를 제시한다. 340쪽. 2만 2000원. 주인의 손을 물어야 할지니(줄리아 리 지음/강예은·문지영 옮김/후마니타스) 하버드대 영문학과 교수인 저자가 1992년 LA봉기 당시 사춘기 경험, 유색인 여성으로 미국 백인 사회에서 살아오며 겪은 인종주의의 상처와 해악을 되돌아본다. 흑백의 갈등과 계급 구조 속에서 겪은 자기혐오를 넘어, 보이지 않는 존재들과 함께 권력 구조를 해체하고 진정한 인간 회복의 길을 모색한다. 320쪽. 1만 9000원. 한일 대중음악사(김성민 지음/글항아리) 1960년대 왜색 금지 검열의 시대부터 오늘날 K팝 아이돌이 도쿄돔에서 일본 대중가요를 열창하는 시대까지, 지난 70년에 걸친 한일 대중음악의 초국가적 교류사를 심도 있게 조명했다. 유사하면서도 이질적인 두 음악 세계가 상호 참조하고 갈등하며 변화해 온 과정을 ‘인식이 범주를 정한다’는 개념으로 파악한다. 소비자인 동시에 생산자인 대중의 욕망과 복잡한 정치·사회·문화적 맥락을 면밀히 엮어내며 대중사와 음악 연구의 지평을 넓힌다. 368쪽. 2만 2000원. 모두를 위한 반도체 특별 과외(이봉렬 지음/메디치미디어) 36년 차 현장 엔지니어이자 시민기자로 활동해 온 저자가 기초 원리부터 최신 쟁점까지 K-반도체 산업의 현장을 풀어낸 교양 입문서다. 웨이퍼 제작부터 테스트까지 이어지는 반도체 8대 공정과 복잡한 글로벌 산업 지형도를 친근한 비유로 알기 쉽게 설명한다. 수도권 일극체제의 구조적 리스크를 짚고, 호남권 산단 분산 배치 등 실효성 있는 국가적 대안을 제시하며 정보 격차를 해소하고 매일 쏟아지는 뉴스의 행간을 정확히 읽어낼 수 있도록 돕는다. 384쪽. 2만 2000원.
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