“지금이 저가 매수 기회다.” 미국 매체가 최근 주가가 크게 하락한 SK하이닉스를 오히려 주목해야 할 종목으로 꼽았다. AI(인공지능) 메모리 시장에서의 압도적인 경쟁력을 고려하면 저가 매수 기회로 활용할 수 있다는 분석이다. 투자 전문 매체 모틀리풀은 9일(현지시간) ‘마이크론이나 샌디스크가 아니다…최고의 AI 메모리주는 이 한국 기업’이라는 제목의 기사에서 SK하이닉스를 가장 유망한 AI 메모리 종목으로 평가했다. 모틀리풀은 최근 AI 메모리 시장의 대표적인 투자처로 미국의 마이크론과 샌디스크가 부상했다고 설명했다. 두 회사는 AI 데이터센터 확대에 따른 메모리 수요 증가 기대감으로 시장의 관심을 받고 있다. 그러나 모틀리풀은 “더 강력한 기회가 눈앞에 숨어 있을 수 있다”며 SK하이닉스를 지목했다. 매체는 특히 최근 SK하이닉스의 주가 조정을 주목했다. 최근 주가 하락이 SK하이닉스의 펀더멘털이 약해졌기 때문이라기보다는 시장의 높은 기대감과 기술주 전반의 매도세가 영향을 미친 것으로 분석했다. 그러면서 이 같은 조정이 오히려 “SK하이닉스 주식을 저가에 매수할 기회가 될 수 있다”고 평가했다. “SK하이닉스, HBM 시장 점유율 56.4%”“메모리 슈퍼사이클, 장기적 실적 성장으로 이어질 것”SK하이닉스의 가장 큰 경쟁력으로는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 지배력이 꼽혔다. 모틀리풀은 시장 조사 업체 IDC 자료를 인용해 SK하이닉스가 올해 1분기 HBM 시장에서 56.4%의 점유율을 차지했다고 전했다. 경쟁사들을 크게 앞서는 수준이다. HBM은 AI 가속기가 대규모 데이터를 처리할 때 필요한 고성능 메모리다. 일반 D램보다 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높아 엔비디아 등 AI 반도체 기업들의 핵심 부품으로 꼽힌다. AI 데이터센터 투자가 계속 확대될수록 HBM 수요 역시 증가할 가능성이 큰 만큼, SK하이닉스가 시장 지배력을 바탕으로 장기적인 수혜를 이어갈 수 있다는 것이 모틀리풀의 판단이다. 가격 측면에서도 SK하이닉스의 투자 매력이 거론됐다. 모틀리풀에 따르면 SK하이닉스의 선행 주가수익비율(PER)은 약 5.5배 수준이다. 샌디스크는 5.9배, 마이크론은 12배 수준으로, 비교 대상인 미국 메모리 업체들보다 상대적으로 낮은 밸류에이션을 보이고 있다는 설명이다. 모틀리풀은 SK하이닉스의 장기 고객 계약 확대에도 주목했다. AI 인프라 투자가 지속되면서 고성능 메모리 수요가 구조적으로 증가한다면 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클을 장기간 이어지는 실적 성장으로 연결할 수 있다는 분석이다. AI 산업의 성장으로 메모리 반도체 시장 자체가 과거와 다른 국면에 들어섰다는 점도 강조했다. 과거 메모리 반도체는 공급 과잉과 가격 하락이 반복되는 경기 민감 업종으로 평가됐지만, 생성형 AI 확산 이후에는 HBM을 비롯한 고성능 메모리가 AI 데이터센터의 핵심 부품으로 자리 잡으면서 상황이 달라지고 있다는 것이다. 다만 실제 주가 흐름은 메모리 가격과 공급량, AI 데이터센터 투자 규모, 경쟁사의 기술 추격 등 여러 변수에 따라 달라질 수 있다. 모건스탠리 “메모리주 조정 끝, 지금이 재진입 기회”앞서 모건스탠리도 최근 급락세를 보였던 메모리주의 조정 국면이 끝났으며, 매력적인 재진입 구간에 들어섰다는 진단을 내놨다. 모건스탠리는 지난 6일 발표한 아시아 기술주 보고서에서 “메모리 부문 조정의 가장 가파른 부분은 지나간 것으로 보인다”며 “현재 밸류에이션은 매력적인 전술적 재진입 시점을 제공한다”고 밝혔다. 이번 조정은 지속적인 산업 침체의 시작이 아니라 경기 순환 주기에 따른 하락세라는 분석이다. 향후 반도체주 주가를 끌어올릴 요인으로는 자사주 매입 등 주주 환원 프로그램을 꼽았다. 인공지능(AI) 관련 설비 투자 등에 대해서도 긍정적 요소로 평가했다. 다만 올해 4분기부터 재고와 공급이 증가하면서 메모리 가격 상승세가 둔화될 수 있으며, 향후 실적 전망이 상향될 여지가 줄어들 수 있다고 분석했다. 종목별로는 SK하이닉스의 목표 주가를 260만원, 삼성전자의 목표 주가는 37만 5000원으로 유지했다. 모건스탠리는 지난달에는 메모리 관련 주식에 대한 과도한 쏠림을 지적하면서 단기적인 조정 가능성을 경고한 바 있다.

2025년 12월 국내 반도체 핵심기술을 빼돌려 중국에 팔아넘긴 전직 삼성전자 임직원 일당이 재판에 넘겨져 징역 6년과 7년 형을 받았다. 2016년 삼성이 세계 최초로 10나노급 디램 양산에 성공했는데 이 핵심 기술이 같은 해 설립된 중국 창신메모리 손으로 넘겨졌다. 창신메모리는 2023년 중국 최초로 18나노 디램 양산에 성공하면서 삽시간에 삼성, SK하이닉스, 마이크론 다음 자리인 전 세계 시장 점유율 4위로 올라섰다. 해외 산업기술 유출 건수는 2022년 18건, 2023년 37건, 2024년 47건으로 증가하고 있다. 전체 147건 가운데 60건(40.8%)은 중국과 관련이 있다고 한다. 유출 분야는 반도체가 가장 많고 디스플레이, 이차전지, 정보통신, 조선, 심지어 화장품까지 다양하다. 기술 개발에 어마어마한 시간과 비용이 들기 때문에 유출되면 막대한 재산상 손해가 따르고 회복은 불가능하다. 적발 건수의 절대다수는 내부 연구자로 알려졌다. 최근 첨단기술 문단속이 중요해지는 것은 전 세계적 현상이다. 미국은 오래전부터 연구기관의 연구안보 프로그램 운영을 의무화했고 유럽연합(EU) 이사회나 주요 7개국(G7) 공동원칙도 같은 방향으로 움직여 왔다. 특히 트럼프 대통령은 2021년 국가안보 대통령 각서(NSPM-33)를 공표하면서 그 기준을 한층 더 높였다. 미국은 연방 정부 지원 연구개발 사업의 보안과 무결성을 강화하기 위해 외국 정부의 기술 탈취나 간섭으로부터 연구자산을 보호하고 과학기술 리더십까지 지키는 동시에 여전히 개방적인 연구 환경이 유지되도록 방향을 잡았다. 미국 국가과학재단(NSF)은 강화된 기준에 따라 2024년 7월부터 외국 재정 지원 공개와 2025년 10월부터 연구 보안 평가와 문서 제출을 의무화했다. 역설적으로 보이지만 중국도 반도체 설계의 핵심 지식재산인 집적회로 배치에 대한 자국 기술 보호를 강화하고 나섰다. 최근 중국은 반도체 관련 기술을 보호하는 한편 유출에 대한 처벌까지 강화하는 내용을 담은 집적회로 배치설계 보호 관련 법령을 개정한 사실을 공표하고 오는 10월부터 시행하기로 했다. 2001년 자국 기업의 핵심기술 유출과 무단 복제를 막기 위한 법적 장치를 제정한 이후 다시 등록 신청과 심사 절차를 대폭 손질한 것이다. 중국은 침해 정도가 심각한 경우에는 징벌적 손해배상을 적용할 수 있도록 명문화해 지식재산권 보호 제도를 고도화했다. 한국도 ‘국가연구개발사업 보안대책’에 따라 기관마다 보안대책 총괄담당자를 지정하고 외국인 연구원 참여를 심의하며 국외수혜 관련 정보 보고를 의무화하는 중이다. 2021년 보안대책이 만들어진 뒤 2023년 다시 개정해 관련 예산을 확대하고 전담조직(한국과학기술기획평가원)도 꾸렸다. 2026년에는 과학기술정보통신부가 처음으로 연구안보사업 대상 대학을 선정하고 점차 확대할 것으로 알려졌다. 그러나 아직 갈 길이 멀다. 보안대책 제정에도 불구하고 최근 5년 동안 한국의 산업기술 해외유출이 줄지 않고 피해도 약 23조원을 넘는 것으로 추정된다. 더이상 연구결과나 기술의 단순 해외유출에 초점을 두는 과거의 연구보안 개념에 머물 시점이 아니다. 이제 연구자와 연구 생태계 전체를 지키는 연구안보라는 개념으로 확장시켜 더 적극적으로 대응해야 한다. 우선 몰라서 당하는 일이 생기지 않도록 연구의 기획 단계부터 연구의 민감성, 협업기관의 지배구조, 연구 자료의 이동, 외국 연구 인력과 연구비의 구성, 성과물의 공유 등에 대한 위험성 분석에 따라 사고를 미연에 방지하는 접근법이 막중해진다. 또한 유출범에게는 걸려도 돈벌이가 된다는 생각을 뜯어고쳐 줘야 한다. 막대한 연봉, 주거비, 자녀 학비 등 파격적인 대우에 넘어가 첨단 과학기술 정보를 팔면 미국과 같이 간첩죄를 적용해서 평생 감옥에 가둬야 한다. 손해배상도 철저하게 집행해야 할 것이다. 이준한 인천대 정치외교학과 교수

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 세계 반도체 시장에서 빠르게 존재감을 키우고 있다. 인공지능(AI) 붐으로 메모리 반도체 공급난이 심각해지자 애플이 CXMT 메모리의 공급 가능성을 타진하기 위해 성능 테스트와 초기 협상에 착수한 것으로 알려졌다. 애플은 그동안 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사의 제품을 공급받아 왔다. 미국 HP, 대만 에이서 등이 이미 일부 제품에 CXMT 메모리 반도체를 채택한 데 이어 애플까지 손을 내민 상황이다. 글로벌 메모리 반도체 시장의 판도가 급격히 재편될 수 있다는 우려가 커질 수밖에 없다. CXMT는 중국 반도체 굴기를 상징하는 대표 기업이다. 중국 최대 D램 제조사인 CXMT는 최근 아시아 증시 최대 규모의 기업공개(IPO)를 통해 막대한 자본을 조달했다. 확보한 자금은 D램 기술 고도화를 넘어 고대역폭메모리(HBM) 연구개발 등에 투입될 것이란 전망이다. 미국 정부의 중국 반도체 규제가 이어지고 있고, CXMT의 기술력과 생산능력이 아직은 뒤처져 있다는 막연한 생각으로 여유를 부릴 때가 아니다. 중국 업체의 부상은 글로벌 메모리 시장을 이끌어 온 삼성전자와 SK하이닉스에 언제든지 결정적 리스크가 될 수 있다는 사실을 잊어선 안 된다. 이재명 대통령은 어제 ‘메가 프로젝트 민관합동 2차 점검회의’에서 “관련 절차를 동시다발적으로 추진해 소요 시간을 대폭 줄이고 규제도 지속적으로 개선해야 한다”고 강조했다. 군공항 이전, 전력, 용수 등 반도체 핵심 기반시설을 속도감 있게 추진하겠다는 방침은 당연하다. 문제는 반도체 산업 경쟁력을 위한 제도 개선이 제자리걸음을 하고 있다는 점이다. 메가특구에 ‘주 52시간제 예외 적용’을 놓고 산업통상부와 고용노동부가 엇박자를 내고 있다. 무한 경쟁 현장에서 기업에 날개를 달아 주지는 못할망정 발목의 족쇄도 풀어 주지 못해 삐걱대서야 말이 되겠는가.

애플이 아이폰과 맥북 등 주요 제품에 중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)의 칩을 시험하고 있다. 메모리 가격 상승과 공급 부족으로 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에서 공급처를 넓히려는 움직임이다. 당장 국내 업체에 미칠 영향은 제한적이나 CXMT가 글로벌 고객을 확보하고 생산능력을 빠르게 늘리고 있어 중장기적으로 범용 D램 시장에서 경쟁자로 부상할 가능성이 있다. 월스트리트저널(WSJ)은 9일(현지시간) 애플이 아이폰과 맥북 등 여러 제품에 CXMT의 D램을 시험 적용하고 있다고 보도했다. 애플은 중국에서 판매하는 제품에 CXMT 칩을 사용하는 방안을 검토하며 부품 공급을 위한 초기 논의도 진행해 온 것으로 전해졌다. 애플이 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 외에 새 공급처를 찾는 데는 AI 붐에 따른 메모리 부족이 영향을 미쳤다. 반도체 업체들이 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 D램 생산을 늘리면서 스마트폰·PC용 메모리 수급이 빠듯해졌다. 애플은 메모리 가격 상승에 따른 부담을 여러 차례 언급했고, 미국 외 지역에서 판매하는 제품에 중국산 메모리를 사용할 수 있게 해 달라고 미 행정부에 요청해 왔다. 다만 미 정부가 이를 허용할지는 미지수다. 또 공급 부족 현상 심화로 애플이 CXMT에서 싼 가격으로 물량을 확보하기도 힘들다. 중국 IT 전문 매체 테크노드는 지난 6일 애플의 가격 인하 요구를 CXMT가 받아들이지 않으면서 논의가 난항 중이라고 보도했다. 최근 HP·아수스·에이서 등 PC 업체가 CXMT 제품을 채택한 것도 저가 제품을 찾기보다 부족한 메모리 물량을 확보하려는 성격이 강한 것으로 전해졌다. 이에 애플이 CXMT와의 협상을 무기로 삼성전자나 SK하이닉스를 상대로 협상 경쟁력을 높이는 것도 쉽지 않은 상황이다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 이날 보고서에서 빅테크 고객사의 메모리 수요 충족률이 현재 60%에 불과하다며 신규 공장 완공에 3년 이상 걸리는 점을 고려하면 최소 2028년까지 공급 부족이 이어질 것으로 전망했다. 특히 최근 들어 물량 확보 경쟁으로 기존 3년보다 긴 5년 장기공급계약(LTA)을 요구하는 빅테크들도 있다. CXMT의 최신 D램 공정은 삼성전자보다 1~2세대 뒤처진 것으로 평가된다. 특히 HBM은 대량 양산과 수율 확보, 고객 인증까지 3~4년가량 더 필요하다. 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM과 고성능 서버 D램 등 고부가 제품 비중을 높이는 점도 당장의 경쟁 압력을 낮추는 요인이다. 다만 CXMT는 최근 기업공개(IPO)로 최대 666억 1000만 위안(약 14조원)을 조달해 생산라인 확충과 기술 개발에 투입하고 있다. 현재 월 30만장 수준으로 추정되는 D램 웨이퍼 생산 능력도 신규 공장이 완공되면 60만장까지 늘어날 수 있다. 중국 내수에 집중해 온 CXMT가 글로벌 PC 업체에 이어 애플까지 고객으로 확보하고 공급 부족이 완화된다면 D램 시장의 경쟁은 더욱 치열해질 수 있다.

삼성전자가 조만간 100조원에서 최대 200조원에 이르는 신규 주주환원 정책을 발표할 것이라는 전망이 증권가에서 나왔다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 10일 보고서에서 “삼성전자의 연간 주주환원 규모가 기존(9조 8000억원) 대비 10배 이상 커질 것”이라며 “대규모 주주환원 정책은 주가 재평가의 신호탄이 될 것”이라고 내다봤다. 김 본부장은 삼성전자의 3분기 영업이익이 전년 동기 대비 817% 급등한 112조원에 달해 4개 분기 연속 사상 최대 실적을 갈아치울 것으로 예상했다. 영업이익률이 55%에 달하는 가운데, D램은 83%, 낸드는 71% 등 메모리 수익성이 개선될 것으로 내다봤다. 파운드리 사업은 3분기부터 4나노미터 LPU(언어처리장치) 양산의 본격화와 맞물려 성과급 충당금을 제외할 경우 2022년 이후 4년 만에 흑자 전환할 것으로 전망했다. 또 2028년까지 적어도 3년간 메모리 공급 부족이 이어질 것이라는 전망도 내놨다. 8월 기준 빅테크 고객사들의 메모리 수요 충족률이 60%에 그치고 있으며, 신규 메모리 팹 완공에 3년 이상 소요된다는 점이 이를 뒷받침한다는 설명이다. 김 본부장은 “최근 하이퍼스케일러(초대형 데이터센터 운영사)들이 3년 계약이 아닌 5년 장기공급계약(LTA)을 요구하며, 기본 5년 계약에 1년 롤오버(만기 연장) 방식도 동시에 요청되고 있다”고 설명했다. 그럼에도 현재 삼성전자의 시가총액은 D램 3위인 마이크론 테크놀로지 대비 4% 할인 거래되는 수준으로, 이는 미국 달러 프리미엄을 고려하더라도 비정상적인 상황이라고 김 본부장은 강조했다. 향후 삼성전자의 고대역폭메모리(HBM) 판매가격과 점유율 상승 가능성, 신규 주주환원 정책 등을 고려하면 지금은 ‘확신의 매수 구간’이라고 김 본부장은 설명했다. 그러면서 삼성전자의 목표주가로 60만원, 투자 의견은 ‘매수’를 제시했다. 다만 삼성전자는 이날 유가증권시장에서 장 초반 3%대 상승한 뒤 보합세다. 삼성전자는 2%대 상승 출발해 장 초반 3.25%까지 상승폭을 키웠지만, 오후 들어 하락 전환해 1%대까지 밀렸다. 오후 2시 24분 기준 0.22% 상승한 23만 1500원에 거래되고 있다.

올해 새롭게 도입되는 메모리 규격 중 하나가 바로 ‘LPDDR6’입니다. LPDDR 메모리는 스마트폰 같은 모바일 기기를 위한 D램 규격으로, 지난 20년 동안 꾸준한 업데이트를 거치며 현재 LPDDR5x까지 진화했고 이제 LPDDR6이 출시를 앞둔 상태입니다. 올해 초 삼성전자는 CES 2026에서 LPDDR6로 혁신상을 수상하면서 LPDDR6가 단순히 숫자 하나가 바뀌는 것이 아니라 AI 시대에 맞춘 메모리 혁신이라는 점을 소개했습니다. 물론 속도가 더 빨라지는 건 당연한 변화입니다. LPDDR6는 LPDDR5x의 최고 속도인 10.6Gbps를 넘어 최대 14.4Gbps의 빠른 속도로 AI 연산에 중요한 대역폭을 제공합니다. 하지만 속도가 유일한 혁신은 아닙니다. LPDDR6는 시스템 요구에 맞춰 전압을 세밀하게 조절할 수 있는 DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling·동적 전압 및 주파수 스케일링) 동적 효율 모드(Dynamic Efficiency mode) 기술을 제공합니다. 이를 통해 전력 효율을 최대 21%까지 높이면서도 상황에 맞춰 AI 연산에 필요한 높은 성능을 제공할 수 있습니다. SK하이닉스 역시 CES에서 1c LPDDR6 메모리를 개발했다고 발표했습니다. SK하이닉스는 이 제품이 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도를 33% 높이고 서브 채널 구조와 DVFS 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 전력 소모를 20% 이상 절감했다고 발표했습니다. 참고로 LPDDR6는 채널 너비를 16비트 단일 채널에서 12비트 서브 채널 두 개, 총 24비트로 넓혀 동일한 클럭 속도에서도 한 번에 전송할 수 있는 데이터양(비트 폭) 자체가 늘어나 데이터 병목 현상을 대폭 줄인 것이 특징입니다. 또 데이터 버스트 길이를 1.5배 늘려 인공지능(AI) 거대언어모델(LLM)이나 가중치(Weight) 매트릭스 연산과 같이 연달아 대규모 데이터를 읽고 써야 하는 온디바이스 AI 워크로드에 최적화되어 있습니다. 이런 특징 덕분에 LPDDR6를 사용한 AI 노트북은 로컬에서 LLM을 구동할 때 훨씬 빠른 토큰 속도를 보장할 수 있습니다. 스마트폰 같은 제한된 환경에서 로컬 AI 모델을 돌릴 때도 역시 LPDDR6의 빠른 속도와 AI 연산 최적화 구조가 큰 위력을 발휘할 것으로 예상됩니다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 하반기에 이를 양산할 계획입니다. 그런데 여기에 더해 최근 주목받는 소식이 중국 창신 메모리 테크놀로지(CXMT)가 LPDDR6의 양산에 도전하고 있다는 것입니다. 물론 삼성이나 SK하이닉스처럼 정식으로 공개한 제품도 없고 루머 수준 이야기이지만, 현재 LPDDR5x를 양산 중이고 신규 팹을 통해 웨이퍼 양산 능력을 크게 높인 만큼 가능성은 충분합니다. 일부 소식통에 따르면 CXMT는 이미 일부 고객사에 샘플을 전달했으며 올해 하반기 양산을 목표로 LPDDR6 개발에 나서고 있습니다. 첫 제품의 속도는 LPDDR6의 최고 속도인 14.4Gbps보다 느린 12.8Gbps이지만 현재 CXMT가 양산 중인 LPDDR5x 메모리보다 빠른 속도를 제공합니다. 현재 CXMT는 허페이와 베이징의 팹에서 자체 4세대 생산 라인인 G4를 이용해서 LPDDR5x 같은 주력 제품을 생산하고 있습니다. 대략 16nm 공정에 해당하는 라인으로 EUV 노광 장비 대신 DUV의 멀티 패터닝 기술을 적용해 양산에 들어간 상태입니다. 실제 양산에 근접한 것이 사실이라면 G4로 먼저 초기 제품을 양산하고 이후 차세대 공정인 G5를 통해 좀 더 고성능 제품을 선보일 것으로 생각됩니다. 기본적으로 CXMT는 DUV로만 제품을 양산하는 데다 기술적 성숙도 자체가 메모리 빅 3보다 한 세대는 느린 상태이지만, 그럼에도 CXMT가 LPDDR6 양산에 성공한다면 판로 확보는 어렵지 않을 것이라는 게 일반적인 전망입니다. 메모리 빅 3는 HBM 같은 AI 메모리 중심으로 생산 라인을 집중한 상태인 데다, LPDDR6 역시 AI 데이터로 수요가 몰릴 가능성이 있기 때문입니다. 엔비디아의 베라 루빈 플랫폼에서 루빈 GPU는 HBM4 메모리를 사용하나 베라 CPU는 소캠 2(SOCAMM2) 규격을 통해 최대 모듈당 256GB LPDDR5x를 장착할 수 있습니다. 여기에 LPDDR6를 적용하면 512GB 용량의 소캠 2 메모리 모듈이 가능해지고 속도도 더 빨라져 에이전틱 AI CPU에 훨씬 유리한 환경을 제공할 수 있습니다. 이렇게 AI 데이터 센터로 메모리 빅 3의 생산 물량이 집중되는 것은 CXMT에게 새로운 기회가 될 것으로 보입니다. 물량 구하기가 하늘에 별 따기 같은 스마트폰 업체, 특히 중국 업체에게 성능이 약간 떨어지더라도 LPDDR6를 공급해 줄 수 있는 것 자체가 큰 매력이기 때문입니다. CXMT는 올해 기업공개(IPO)와 상반기 기준 전년 대비 7배나 증가한 매출을 기반으로 막대한 투자 자금을 확보한 상태입니다. 이를 기반으로 베이징에 새로운 팹을 구축하고 기존에 계획된 팹 확장을 진행해 생산 능력을 웨이퍼 기준 월 60만 장까지 늘릴 계획으로 알려져 있습니다. LPDDR6 양산에 성공할 경우 이 계획에는 더 탄력이 붙을 것으로 보입니다. 하지만 CXMT에게 기회만 있는 것은 아닙니다. 역설계 방식으로 구형 DUV 장비를 일부 중국에서 생산하는 데 성공했다고는 하나 여전히 EUV 장비 수입이 금지된 상태에서 점점 생산 기술을 고도화하는 메모리 빅 3를 따라잡기가 힘들 가능성도 있습니다. 그리고 공격적으로 늘려 놓은 생산 시설이 메모리 시장 하강기에는 심각한 부담으로 다가올 수 있습니다. 그럼에도 CXMT가 올해 안에 LPDDR6 메모리 양산에 성공한다면 여러 어려움 속에서도 기술적 돌파구를 마련하고 있다는 증거인 만큼 시장에 큰 파장이 예상됩니다.

인공지능(AI) 붐으로 메모리 반도체의 호황을 맞은 SK하이닉스가 용인과 청주에 54조원 넘는 자금을 투입하는 동시에 해외 생산거점의 운영 방식도 재평가하고 있다. 또 영업이익 기록 경신에 따라 주주환원 및 임직원 보상을 둘러싼 요구가 커지면서 투자와 성과 배분에 대한 조율도 새 과제로 떠올랐다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 7일 이사회를 열어 용인 반도체 클러스터 Y2에 35조 2000억원, 청주 M17에 19조 1000억원 등 2031년까지 총 54조 3000억원을 투자하기로 했다. 용인에서는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을, 청주에서는 낸드 생산능력을 확충한다. AI 데이터센터 확산으로 메모리 수요가 장기간 늘어날 것으로 보고 선제적으로 생산 기반을 넓히는 것이다. 과거 메모리 호황기의 증설과 달리 이번에는 중장기 수요를 어느 정도 확인한 상태에서 투자를 늘리는 것이다. SK하이닉스는 최근 실적 발표에서 핵심 전략 고객을 포함해 약 10곳과 장기공급계약(LTA) 협상을 마쳤다고 밝혔다. 고객과 공급 물량을 미리 협의하면서 향후 수요를 가늠하기 쉬워졌고, 그만큼 대규모 증설에 따른 공급과잉 부담도 낮출 수 있다는 판단이다. 새 생산능력에 대규모 자금을 투입하면서 기존 생산거점의 경쟁력도 다시 살피고 있다. 블룸버그는 지난 7일(현지시간) SK하이닉스가 중국 충칭 낸드 패키징·테스트 공장을 놓고 지분 매각 등을 포함한 여러 방안을 자문사들과 논의하고 있다고 보도했다. 다만 SK하이닉스는 “패키지 사업 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 확정된 바 없다”며 선을 그었다. 현금 창출력이 커지면서 호황의 성과를 어떻게 나눌지를 둘러싼 요구도 높아지고 있다. SK하이닉스는 지난 7일 주당 375원의 분기배당을 결정했고 3분기 중에 추가 주주환원 방안을 내놓겠다고 밝혔다. 최근 주가 조정까지 겹치면서 시장에서는 배당 확대와 자사주 매입·소각 등에 관심이 커지고 있다. 회사 내에서는 성과급이 쟁점이다. 노사는 지난해 초과이익분배금(PS) 재원을 영업이익의 10%로 정하고 지급 상한을 없애는 체계를 10년간 유지하기로 합의했지만, 사측이 올해 PS 일부를 현금 대신 자사주로 지급하고 일정 기간 매도를 제한하는 방안을 제시했다. 이에 구성원의 반발이 커졌고, 이를 계기로 생산직과 기술·사무직을 함께 아우르는 통합노조 설립 움직임도 본격화했다. 지난 5일 문을 연 준비 모임에는 사흘 만에 3500명 이상이 참여했고, 준비위는 8일 노조 설립신청서를 냈다.

중국 반도체 회사로 이직하기 위해 SK하이닉스의 영업비밀 등을 대량으로 빼낸 혐의로 기소된 전 직원이 항소심에서도 실형을 선고받았다. 9일 법조계에 따르면 서울고법 형사10-1부(이상호 이재신 이혜란 고법판사)는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률(산업기술보호법) 위반, 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반, 업무상 배임 혐의로 재판에 넘겨진 SK하이닉스 전 직원 김모씨에게 최근 1심과 같은 징역 1년 6개월을 선고했다. 김씨는 2016년부터 SK하이닉스에서 근무했으며, 2018년 1월부터 2022년 9월 말까지 SK하이닉스 중국 판매법인 상하이 사무소에서 주재원으로 근무하면서 고객 지원 업무를 담당했다. 그는 2022년 2월쯤 중국의 경쟁업체로 이직하려고 마음먹고 SK하이닉스의 CIS(CMOS Image Sensor·빛을 디지털 신호로 변환하는 반도체 소자) 관련 첨단기술과 영업비밀을 무단 유출하고 부정 사용·누설한 혐의로 재판에 넘겨졌다. 김씨는 중국 최대 통신장비 업체 화웨이의 자회사 하이실리콘 등으로부터 이직 제안을 받고 범행에 나선 것으로 조사됐다. 그는 이력서 작성에 활용할 목적으로 사내 보안 규정을 어기고 CIS 기술 관련 영업비밀 자료를 출력하거나 촬영한 것으로 파악됐다. 문서 공유 시스템에서 CIS 기술 관련 영업비밀 자료 20장을 출력한 데 이어, 같은 해 2~3월 8차례에 걸쳐 관련 자료 8개, 총 186장을 추가로 출력해 무단 유출한 것으로 알려졌다. 또 SK하이닉스의 업무용 노트북을 재택근무지로 가져가 자신의 아이패드로 영업비밀 자료를 촬영했다. 이 과정에서 170개(총 5900장)에 달하는 자료를 사진으로 촬영해 무단 유출한 것으로 조사됐다. 김씨는 이렇게 빼돌린 자료 중 일부를 중국 업체에 제출하는 이력서에 인용해 결과적으로 중국 회사에 누설했다. CIS 기술은 렌즈로 들어오는 빛을 감지해 전기적 영상 신호로 바꿔주는 핵심 기술로, 스마트폰부터 자동차 자율주행, 의료용 장비에 이르기까지 폭넓게 활용된다. 김씨는 2022년 3월 화웨이 자회사로 이직하기 위해 이력서에 CIS 기술 관련 영업비밀을 활용했다. 이후 이직이 보류되자 같은 해 8월 또 다른 중국 경쟁업체로 이직하기 위해 이력서를 보내고, 해당 회사의 팀장 등에게 SK하이닉스의 영업비밀을 추가로 누설한 혐의도 받는다. 1심은 김씨의 부정경쟁방지법 위반 등 영업비밀 유출 혐의를 유죄로 인정해 징역 1년 6개월을 선고했다. 해당 영업비밀이 SK하이닉스가 오랜 기간 인적·물적 자원을 투입해 개발한 성과라며, 해외 경쟁업체로 기술 정보가 유출되는 행위를 가볍게 처벌할 경우 기업의 손해가 막대할 뿐만 아니라 국가 경쟁력 약화로 이어질 수 있어 엄중한 처벌이 필요하다고 판단했다. 다만 유출된 자료가 CIS 칩 제조에 직접 사용될 수 있는 수준의 정보가 아니었던 점, 이력서 작성 등에 실제 사용된 일부 자료를 제외하면 나머지 자료 대부분이 누설되기 전에 회수된 점, 김씨에게 전과가 없고 범행을 인정하며 반성하고 있는 점 등은 유리한 양형 사유로 참작했다. 김씨가 유출한 자료 중에는 인공지능(AI)용 HBM(고대역폭메모리) 구현에 필요한 기술로 주목받는 ‘하이브리드 본딩’(Hybrid Bonding) 관련 자료도 포함돼 있었다. 그러나 1심은 이 부분에 대해 산업기술보호법 위반 혐의를 무죄로 판단했다. 산업기술보호법은 법에서 정한 ‘첨단기술’을 보호 대상으로 삼는다. 재판부는 사건 당시 김씨가 유출한 CIS 공정 관련 하이브리드 본딩 기술이 산업통상자원부 장관이 고시한 ‘첨단기술 및 제품의 범위’에 포함되는 첨단기술이라고 보기 어렵다고 판단했다. 검찰은 이에 불복해 항소했다. 특히 산업부의 첨단기술 확인 판단 등을 근거로 해당 하이브리드 본딩 기술이 산업기술보호법상 첨단기술에 해당한다고 주장했다. 2심 재판부는 그러나 1심의 해당 무죄 판단에 사실 오인이나 법리 오해가 없다고 판단했다. 항소심 재판부는 산업부 장관이 2023년 2월 이 사건 하이브리드 본딩 기술에 대해 첨단기술 제품 확인서를 발급한 사실은 인정했다. 하지만 이 확인서가 사건이 발생한 이후에 발급됐다는 점을 지적했다. 범죄 당시를 기준으로 해당 기술이 법령상 첨단기술에 해당하는지를 판단해야 하는 만큼 사후에 발급된 확인서만으로 당시의 기술을 산업기술보호법상 첨단기술로 볼 수는 없다는 취지다. 또한 형사처벌의 근거가 되는 법규는 명확해야 한다는 ‘명확성의 원칙’ 등을 고려해 검찰의 항소를 받아들이지 않았다. 다만 2심 재판부 역시 영업비밀 유출 자체에 대해서는 유죄 판단을 유지했다. 김씨가 SK하이닉스 중국 판매법인의 다소 소홀한 보안 관리 상태를 이용해 영업비밀을 대량으로 유출했고, 이를 이용해 작성한 이력서를 중국 회사에 전달하는 방식으로 실제 영업비밀까지 누설한 만큼 범행의 경위와 수단·방법 등에 비춰 죄질이 무겁다고 지적했다. 특히 해당 영업비밀이 피해 회사가 여러 해에 걸쳐 상당한 인적·물적 자원을 투입해 얻어낸 성과라고 강조했다. 영업비밀 침해 범죄를 가볍게 처벌할 경우 기업이 기술 개발에 힘써야 할 동기가 약해지고, 해외 경쟁업체가 인재 영입을 내세워 국내 기업이 오랜 노력 끝에 축적한 기술력을 손쉽게 탈취하는 것을 막기 어렵다는 취지로 질타했다. 그러나 김씨가 범행을 모두 인정하고 반성한 점, 유출된 영업비밀 대부분이 회수된 점, 전과가 없는 점 등은 1심과 마찬가지로 유리한 사정으로 고려됐다. 항소심에서는 김씨가 SK하이닉스를 위해 1000만원을 공탁한 점도 양형에 참작됐다. 결국 항소심은 김씨의 영업비밀 대량 유출 및 중국 경쟁사에 대한 누설 혐의에 대해서는 1심과 같이 유죄를 인정해 징역 1년 6개월을 유지했고, 하이브리드 본딩 기술이 사건 당시 산업기술보호법상 첨단기술에 해당한다는 검찰의 주장은 받아들이지 않았다.

SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 용인과 청주에 건설할 신규 D램·낸드 생산공장(Fab) 투자 규모를 확정했다. 총 54조원을 투입해 차세대 메모리 생산능력을 선제적으로 확보하고, 용인 반도체 클러스터 조성에도 속도를 낸다는 전략이다. SK하이닉스는 7일 이사회에서 용인 반도체 클러스터 2기 팹(Y2)에 35조 2000억원, 청주 낸드 생산기지 M17 팹에 19조 1000억원을 각각 투자하기로 의결했다고 밝혔다. 총 투자 규모는 약 54조원이다. 이번 투자는 회사가 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 앞서 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획을 발표했으며, 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이다. 회사는 AI 시대에는 기술 경쟁력뿐 아니라 고객이 원하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 생산능력이 핵심 경쟁력이라고 판단해 투자 시기를 결정했다고 설명했다. 용인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 들어서는 4개 팹 가운데 두 번째 생산공장이다. 연면적 34만 1000평 규모로 조성되며 내년 7월 착공, 2029년 6월 첫 번째 클린룸 가동을 목표로 한다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산 거점 역할을 맡게 된다. 투자금은 2031년 10월까지 순차적으로 집행되며 지원동과 연구개발통합센터, 각종 부대시설 건설 비용도 포함됐다. 현재 건설 중인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 개소를 목표로 공사가 진행되고 있다. SK하이닉스는 당초 2045년으로 계획했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 4개 팹 건설을 마무리한다는 목표다. 경기 용인 처인구 원삼면 일대 약 126만평(416만 5000㎡) 규모로 조성 중인 용인 반도체 클러스터는 Y2 가동에 필요한 1단계 전력·용수 인프라 구축도 공정률 99%를 기록하며 마무리 단계에 접어들었다. 청주 M17은 연면적 20만 6000평(68만 1000㎡) 규모로 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 열 예정이다. 투자금은 2031년 4월까지 단계적으로 집행된다. 청주에는 기존 낸드 생산공장인 M11·M12·M15가 자리하고 있어 부지와 전력, 용수 등 인프라를 활용해 생산 효율을 높이고 신규 팹도 빠르게 구축할 수 있다는 것이 회사 측 설명이다. SK하이닉스는 고객사의 중장기 수요를 반영해 생산 인프라를 계획대로 확충하는 한편, 클린룸 증설과 장비 투입은 시장 수요에 맞춰 순차적으로 진행해 생산능력을 확대해 나갈 계획이라고 밝혔다.

SK하이닉스가 2거래일째 급락하고 있는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스를 ‘고점’에 매수했다 손실을 보고 있는 방송인 홍진경이 자신의 유튜브 채널에서 삼성전자와 SK하이닉스의 급락 원인을 알기 쉽게 설명한 콘텐츠를 공개해 눈길을 끌고 있다. 홍진경은 6일 자신의 유튜브 채널 ‘공부왕찐천재 홍진경’에 경제 콘텐츠 크리에이터 최고민수(박민수)를 초청해 강연을 듣는 콘텐츠를 공개했다. 홍진경은 앞서 최고민수의 추천으로 모델 후배들과 함께 삼성전자와 SK하이닉스를 매수했지만, ‘고점’에 매수한 탓에 현재 손실을 보고 있다고 하소연했다. 영상이 촬영된 지난달 29일은 SK하이닉스의 2분기 실적 발표 직후 삼성전자는 -5%대, -9%대 추락하며 국내 증시 사상 최초로 이틀 연속 서킷브레이커가 발동된 날이었다. 이들은 ‘삼전닉스’의 급락을 보고 믿을 수 없어 “허벅지를 꼬집고 있다”고 토로했다. 홍진경은 최고민수를 향해 “선생님이 사라고 해서 사기 시작했는데 계속 빠진다”고 하소연했다. 최고민수가 “주식은 쌀 때 사서 비쌀 때 파는 것”이라고 말하자 홍진경은 “왜 비쌀 때 사라고 했냐”고 따졌다. 최고민수는 ‘삼전닉스’의 급락 원인을 다섯 가지로 설명했다. 먼저 중국 창신메모리(CXMT) 상장과 애플이 중국 메모리를 자사의 공급망에 포함시키려 한 움직임, 노광 장비 자체 생산 등을 언급했다. 그는 “중국 메모리의 시장 점유율 확대와 기술 격차 축소에 대한 우려가 주식 시장에 충격을 던졌다”면서, 중국발(發) ‘블랙 스완’(예기치 못한 극단적인 상황)이 증시를 뒤흔든 것이라고 분석했다. 또한 메타, 알파벳, 아마존 등 하이퍼스케일러들의 인공지능(AI) 설비투자(CAPEX) 축소 우려도 작용했다고 설명했다. 이들 하이퍼스케일러의 CAPEX 확대로 반도체 수요가 증가할 것이라는 기대가 주가를 끌어올렸지만, 설비투자에 집중해오던 이들 기업의 잉여현금흐름(FCF)이 부족해지자 ‘반도체 수요 고점론’이 확산했다는 설명이다. 그밖에 이란 전쟁 장기화로 인한 물가 상승과 미국의 금리 인상 우려, 기관의 리밸런싱, ‘삼전닉스’ 레버리지 상장지수펀드(ETF)로 인한 변동성 확대 등도 주요 원인으로 언급했다. 최고민수는 이들에게 “‘삼전닉스’를 비롯한 개별주식 투자를 권하지 않는다”며 ETF 투자를 추천했다. 한편 전날 미 뉴욕증시에서 반도체 주가가 보합으로 끝난 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스는 이날 엇갈린 흐름을 이어가고 있다. 삼성전자는 장 초반 4% 가까이 상승한 뒤 한때 하락 전환했으나 오전 11시 30분 1%대 상승하고 있다. 반면 SK하이닉스는 3%대까지 오른 뒤 하락세로 돌아서 5%대까지 밀렸다.

올해 취업자 수 증가폭이 당초 예상치인 21만명에서 10만명으로 반토막 날 것이란 국책 연구기관의 전망이 나왔다. 44개월째 마이너스를 기록한 ‘청년 고용’이 원인으로 지목됐다. 이재명 대통령은 “청년들이 거의 취약계층이 돼 가고 있다”고 말했다. 한국노동연구원은 6일 발표한 ‘상반기 노동시장 평가와 하반기 노동시장 전망’ 보고서에서 올해 연간 취업자가 전년 대비 10만 3000명 늘어날 거라고 전망했다. 지난해 12월 전망치인 21만명에서 8개월 만에 절반으로 줄었다. 20대의 고용 부진이 낙관적이었던 관측을 뒤집었다. 20대의 상반기 고용률은 전년 대비 1.3% 포인트 하락했다. 하락폭은 지난해 하반기의 두 배를 넘었다. 청년층 취업자는 지난 6월까지 44개월 연속으로 줄었다. 고용률은 26개월 연속 하락했다. 감소폭은 올해 1분기보다 2분기에 더 확대됐다. 청년 고용 악화가 심각한 수준에 이르렀다는 분석이 나오는 이유다. 이 대통령은 이날 청와대에서 주재한 수석보좌관회의에서 “청년 정책을 교육, 취업, 소득, 자산, 주거, 결혼 등 삶의 핵심 영역 중심으로 재편하는 것을 검토해야 한다”며 “필요하면 지원의 문턱을 낮춰 보다 많은 청년이 혜택을 받게 해 주고, 맞춤형 지원이 필요한 부분은 더 두텁게 지원 체계를 설계하는 방안도 고려해 달라”고 당부했다. 이 대통령은 정책 집행의 문제점을 지적하며 “청년 제도가 여러 부처에 흩어져 아는 사람만 활용한다는 비판도 있고, 청년 미래 적금 심사 과정에서 안내가 잘못돼 일부 신청자가 혼란을 겪고 정부를 비난하는 일도 생겼다”며 “공급자 입장이 아닌 수요자 청년 입장에서 제도를 끊임없이 보완해 달라”고 강조했다. 특히 올해 반도체 호황의 온기가 고용 시장으로 퍼지지 못한 것이 문제로 지적된다. 반도체 호황이 본격화하지 않은 지난해 취업자 수는 전년 대비 19만 3000명 늘어난 반면 올해는 경제성장률이 3%대에 도달한다는 전망 속에서도 취업자 수는 10만명 안팎 늘어나는 데 그칠 거란 전망이 나왔다. 반도체의 취업유발계수는 제조업 평균의 절반에도 미치지 못했다. 수출액 급증도 메모리 단가 상승에 따른 것이어서 고용과는 무관했다. 산업별로 봐도 제조업 상반기 취업자는 6만 2000명 감소했다. 고용을 견인하는 비반도체 부문 성장은 예년과 유사한 1%에 머물렀다. 노동연구원은 청년 고용 부진과 비반도체 분야의 저성장이 하반기에도 이어질 것이라고 내다봤다. 연간 고용률은 62.7%, 실업률은 2.9%로 전망했다. 전망이 실현되면 연간 고용률은 코로나19 위기였던 2020년 이후 6년 만에 처음으로 하락한다. 지난해 연간 고용률은 62.9%, 실업률은 2.8%였다. 연구진은 “경제성장률이 3% 안팎으로 높아질 것으로 예상되는데도 취업자 증가폭을 10만명대로 전망한 것은 성장의 구성이 반도체에 편중되어 있기 때문”이라며 “하반기 고용 개선 여부는 전체 경제성장률보다 내수 및 비반도체 부문의 실질적 회복이 좌우할 것”이라고 했다.

삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 ‘V10 BV-낸드’로 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’으로 차세대 메모리상을 각각 받았다고 6일 밝혔다. V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이면서도 전력 소비와 발열을 줄였다. LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리(PIM) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화하고 성능과 전력 효율을 높였다. 인공지능(AI) 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 메모리 기술로 주목받고 있다.

SK하이닉스 주가가 단기적인 반등세를 보이면서 상승세가 계속 이어질지에 대한 투자자들의 관심이 고조되고 있습니다. 일각에서는 여전히 넘기 힘든 저항선에 막혀 다시 하락할 위험이 있다는 분석도 나오는데요. 단기적으로 하락 가능성이 열려 있는 만큼 무작정 거래에 뛰어들기보다는 신중한 투자 판단이 필요하다는 지적입니다. 반토막 난 하이닉스…이달 들어 소폭 반등6일 유가증권시장에서 SK하이닉스는 전 거래일 대비 10% 가까이 급락하며 151만원대에 거래되고 있습니다. 지난 6월 25일 장중 사상 최고가인 298만 7000원을 찍은 이후, 지난달 29일에는 124만 6000원까지 밀렸다가 소폭 반등한 수준을 유지하는 모양새입니다. 이달 들어선 주가가 회복세를 보이는 듯하다가도 번번이 강력한 저항선에 막혀 다시 주저앉는 등 불안정한 줄타기를 이어가는 모습인데요. 투자 전문매체 인베스팅닷컴은 SK하이닉스의 차트를 분석해 ‘저항선’과 추세를 바탕으로 주가 흐름을 진단했습니다. 여기서 저항선이란 주가가 상승하다가도 특정 가격대에 도달하면 매물이 쏟아져 나오며 추가 상승을 막아서는 벽과 같은 가격대입니다. 해당 가격에서 팔려는 물량이 사려는 수요보다 훨씬 많기 때문에 형성되는 벽으로 이해할 수 있습니다. “관건은 160만원 저항선…재하락 가능성”인베스팅닷컴은 “SK하이닉스 주가가 5시간 차트 기준으로 하락 압력이 우세한 상황에서 124만 7000원 부근에 ‘하락 깃발형’ 패턴을 형성하고 있다”며 “이 가격대가 향후 주가 향방을 결정지을 핵심 경계선”이라고 분석했습니다. ‘하락 깃발형’이란 주가가 급격히 떨어진 뒤 깃발처럼 좁은 폭으로 오르내리는 모양새를 뜻합니다. 표면적으로는 주가가 회복하는 듯 보이지만 실제로는 다음 하락을 앞두고 에너지를 모으는 대표적인 ‘하락 지속 신호’로 해석됩니다. 다만 인베스팅닷컴은 “124만 7000원~130만원 구간이 하락을 막아줄 가장 확실한 지지선 역할을 할 것”으로 내다봤습니다. 이 가격대는 최근 기록한 저점이자 주가 변동 범위의 최하단인 ‘볼린저 밴드 하단선’이 맞닿는 지점으로 주가가 바닥권에 도달했을 가능성이 있다는 의미입니다. 물론 이 마지막 방어선이 깨질 경우 추가 급락을 피하기 어렵다는 경고도 이어졌는데요. 인베스팅닷컴은 “만약 124만 7000원 밑에서 장을 마감할 경우, 쏟아지는 급격한 매도세가 촉발될 수 있다”고 경고했습니다. “171만원 위로 안착하면 ‘반전 가능성’”단기 반등 과정에서도 주의가 필요하다는 지적이 나옵니다. 당장 SK하이닉스가 넘어야 할 가장 큰 저항선은 160만~170만원 구간입니다. 인베스팅닷컴은 “전형적인 하락 추세 패턴이 나타나고 있으며 160만~170만원 구간의 저항선에서 모든 반등이 제한되는 양상”이라며 “SK하이닉스는 지속적인 하락 추세 속에서 고군분투하고 있으며, 일부 매수세의 조짐이 보였지만 전체적인 추세를 보면 신중한 접근을 요구한다”고 덧붙였습니다. 반대로 거래량이 터지면서 주가가 171만원 위로 확실히 안착한다면 다시 상승 흐름으로 반전될 가능성도 열려 있다는 분석입니다. 월가 IB, 장기적으로는 ‘주가 우상향’ 전망다만 장기적으로는 주가가 우상향할 것이라는 전망도 최근 월가 투자은행(IB)들 사이에서 잇따르고 있는데요. 미국 증시에 상장된 SK하이닉스 주식예탁증서(ADR)에 대해 지금보다 최대 2배까지 오를 수 있다는 전망이 나오고 있기 때문입니다. 보통 미국에서 거래되는 SK하이닉스 ADR 가격은 국내 본주 주가와 비슷한 흐름을 보이는 편입니다. 캔터 피츠제럴드 리서치팀은 지난 4일 낸 고객 보고서에서 SK하이닉스 ADR에 대해 향후 12개월 내 목표주가로 현재의 약 2배 수준인 300달러를 제시하고 ‘비중 확대’ 의견을 냈습니다. 로젠블랫도 ‘매수’ 의견과 함께 목표주가 320달러를 내놨고, 니덤은 ‘매수’ 의견에 목표주가 200달러를 제시했습니다. 윌리엄 블레어 역시 ‘시장수익률 상회’ 등급을 매겼습니다. 윌리엄 블레어의 세바스찬 나지 애널리스트는 SK하이닉스를 두고 “AI 시대를 이끄는 메모리 선도기업”이라며 “샌디스크와의 협력이 메모리 수요 기대감을 뒷받침하며 주가를 최대 80%까지 끌어올릴 동력이 될 수 있다고 내다봤습니다.

엔저발 아시아 동반 약세 선제방어美국채금리 안정·수출 경쟁력 계산환율 안정시켜 대미투자 압박 의도한달여 새 8.44% 떨어져 1424.5원코스피 6600선·코스닥 800선 턱밑 일본 정부와 엔화 가치 부양에 나섰던 스콧 베선트 미국 재무장관이 한국 원화 변동성이 그간 과도했다고 지적했다. 엔화 가치를 끌어올리기 위한 추가 개입 가능성을 시사해 원달러 환율 하락(원화 강세)이 추가 탄력을 받을지 주목된다. 베선트 장관은 4일(현지시간) 미 CNBC방송에서 “엔화가 약세를 보인다면 다른 통화도 뒤따를 것”이라며 “우리는 한국 원화의 과도한 변동성을 목격해 왔다”고 말했다. 그의 발언은 엔화가 원화를 비롯해 아시아 통화 가치에 연쇄적인 영향을 미칠 수 있다는 뜻으로 해석된다. 특히 미 재무당국은 최근 일본과 함께 공개적으로 시장 개입 사실을 인정하며 엔화 부양에 나섰던 터라 원화 가치 회복에 힘을 실었다는 관측도 나온다. 베선트 장관은 또 연방준비제도이사회(연준) 재원을 바탕으로 추가 개입 가능성을 내비쳤다. 그는 “1997~98년 아시아 금융위기는 지나치게 약세였던 엔화가 부분적 원인이었다. 안정적 엔화 가치는 미국뿐 아니라 아시아 지역 전체에 중요하다”며 “일본과 긴밀히 접촉하고 있다”고 말했다. 5일 원달러 환율은 종가 기준 전 거래일보다 8.0원 내린 1424.5원으로 마감했다. 올해 최고치였던 7월 2일(1555.8원) 대비 131.3원(8.44%) 하락한 수준이다. 미국이 엔화에 이어 원화까지 공개적으로 거론한 것은 엔저가 원화와 위안화 등 아시아 통화의 동반 약세로 번지는 것을 막기 위해서다. 이를 통해 ① 과도한 달러 강세로 미국 수출 경쟁력이 떨어지는 것을 막고 ② 환율 불안을 명분으로 한국의 대미 투자가 늦어지는 것을 차단하며 ③ 일본의 미국 국채 매도를 억제해 국채시장을 안정시키려는 계산이 깔렸다는 분석이 나온다. 베선트 장관이 원화를 공개적으로 언급한 것은 지난 1월 “원화 약세는 한국 경제의 펀더멘털(기초체력)에 비해 과도하다”고 발언한 이후 사실상 두 번째다. 국제금융센터 관계자는 이날 “미국이 다른 나라들이 경쟁적으로 통화가치를 떨어뜨리는 것을 용인하지 않겠다는 의미”라고 분석했다. 엔화가 약해지면 한국과 중국도 수출 경쟁력을 지키기 위해 원화와 위안화 가치를 낮추려 할 수 있다. 이런 움직임이 이어지면 아시아 국가들이 서로 통화가치를 떨어뜨리는 ‘환율 전쟁’으로 번질 수 있다는 것이다. 시장에서는 베선트 장관의 발언이 한국 외환당국의 시장 개입을 미국 정부가 사실상 용인한 신호라는 시각도 있다. 외환당국 관계자는 “(미국 측과) 긴밀하게 공조하고 있으며 협력을 논의하고 있다”고 말했다. 미국 환율 안정 의도가 한국의 대미 투자 프로젝트를 앞당기는 데 있다는 것으로도 풀이된다. 일본은 이미 오하이오 가스발전소와 텍사스 원유 수출시설 등 미 내 첫 전략투자 프로젝트를 확정했지만 한국은 아직 최종 발표 전이다. 미국 입장에서는 환율 변동성이 크면 기업들도 투자 결정을 미루기 쉬운 만큼 외환시장 불안이라는 변수를 먼저 제거한 뒤 한국의 투자 프로젝트 이행을 더욱 강하게 요구하기 쉬워진다는 것이다. 한 외환시장 관계자는 “환율이 급등락하면 기업들도 투자 결정을 미루기 쉽다”며 “미국은 외환시장 불안을 먼저 안정시켜 한국의 대미 투자 프로젝트 추진에 속도를 내려는 계산도 깔려 있을 수 있다”고 말했다. 또 베선트는 엔화에 대한 추가 개입 가능성도 시사했는데, 이처럼 미국이 엔화 방어에 적극 나서는 가장 큰 이유는 미 국채시장 안정이라는 분석이 우세하다. 일본은 엔화를 방어하려면 시장에서 엔화를 사야 하고, 이를 위해서는 달러가 필요하다. 가장 손쉬운 방법은 보유한 미국 국채를 팔아 달러를 마련하는 것이다. 문제는 일본이 미국 국채를 대량 매도하면 국채 가격이 하락하고 금리가 상승한다는 점이다. 미국 국채금리는 글로벌 금융시장의 기준금리 역할을 하는 만큼 금리 상승은 미국 정부의 이자 부담을 키울 뿐 아니라 주식·채권시장 전반에도 충격을 줄 수 있다. 이를 막기 위해 미국은 일본이 미국 국채를 시장에 팔지 않고도 연방준비제도(Fed)의 ‘FIMA’를 통해 달러를 빌릴 수 있다는 점을 거듭 강조했다. FIMA는 외국 중앙은행이 미 국채를 담보로 연준에서 달러를 빌리는 제도다. 재무장관이 연준이 운영하는 제도의 활용 확대를 공개적으로 주문한 것은 매우 이례적인 일로 평가된다. 한편, 미 증시의 인공지능(AI)·반도체주 랠리와 중동 긴장 완화 기대가 맞물리면서 이날 국내 증시는 급등했다. 대형 반도체주가 상승장을 이끈 가운데 코스피는 6600선 턱밑, 코스닥은 800선 눈앞에서 거래를 마쳤다. 이날 코스피는 전 거래일보다 239.31 포인트(3.76%) 오른 6598.26에 마감했다. 6603.48로 출발한 지수는 장중 6674.66까지 오르며 상승률이 한때 4.96%에 달했다. 장 초반에는 코스피200선물 급등으로 프로그램 매수호가의 효력을 일시 정지하는 매수 사이드카가 발동됐다. 외국인은 1조 4514억원을 순매수한 반면 개인과 기관은 각각 1조 1854억원, 2802억원을 순매도했다. 삼성전자는 전 거래일보다 2.50% 오른 24만 6000원, SK하이닉스는 5.77% 상승한 166만 8000원에 거래를 마쳤다. 유가증권시장 전체 915개 종목 가운데 675개가 오르며 상승세가 시장 전반으로 확산했다. 간밤 뉴욕 증시에서는 다우존스30산업평균지수와 스탠더드앤드푸어스(S＆P)500지수가 각각 1.71%, 1.79% 올라 사상 최고치를 경신했고 나스닥지수도 2.59% 상승했다. 이경민 대신증권 연구원은 “미국 메모리주의 강세가 국내 반도체 업종의 투자심리 회복으로 이어졌다”며 “미·이란 협상 기대도 투자심리를 자극했다”고 설명했다. 코스닥은 전 거래일보다 18.87 포인트(2.42%) 오른 799.59에 마감하며 4거래일 연속 상승했다. 최근 4거래일간 24% 올랐지만 이날은 대형 반도체주가 급등한 코스피로 일부 자금이 이동하면서 상승 폭이 상대적으로 작았던 것으로 풀이된다.

삼성전자가 인공지능(AI) 가속기 위에 고대역폭메모리(HBM)를 직접 쌓는 차세대 구조를 제시했다. AI 모델이 진화하면서 커질수록 연산장치와 메모리 사이의 데이터 이동이 병목으로 떠오르자, 둘 사이의 거리를 줄여 성능과 전력 효율을 끌어올리겠다는 구상이다. 삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘FMS 2026’에서 차세대 3차원 메모리 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’의 모형을 업계 최초로 공개했다. 약 30개 제품을 전시한 삼성전자 부스에는 관람객이 몰렸고, zHBM의 데이터 이동 방식과 향후 적용 가능성을 묻는 질문이 이어졌다. 현재 HBM은 여러 장의 D램을 쌓아 그래픽처리장치(GPU) 등으로 이뤄진 AI 가속기 옆에 둔다. zHBM은 쌓아 둔 HBM 전체를 가속기 상단에 올리는 방식으로 데이터가 오가는 거리를 최소화한다. 삼성전자는 zHBM 적용 시스템이 차세대 HBM5보다 성능은 최대 8배, 전력 효율은 최대 3배 높고 열 저항은 절반 이하로 낮아질 수 있다고 설명했다. 이는 양산품 실측치가 아닌 차세대 구조의 목표 성능이다. 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 기조연설에서 “현재 HBM이 수년 안에 한계에 부딪힐 것을 모두 알고 있다”며 “이를 돌파할 기술을 생각하면 3차원밖에 없다”고 말했다. 여러 장을 쌓아 올리는 3D 전략은 낸드플래시로 이어진다. 삼성전자가 개발 중인 zNAND-O는 낸드 칩을 4단 또는 8단으로 쌓는다. D램은 처리 속도가 빠르지만 너무 비싸고 공급도 부족하다. 따라서 상대적으로 저렴하고 용량이 큰 낸드의 속도를 개선해 최대한 D램처럼 쓰도록 해보겠다는 구상이다. 이 기술은 스마트폰과 PC 안에서 AI를 구동하는 온디바이스 시장을 겨냥한다. 현재웅 삼성전자 메모리사업부 상무는 “개인마다 집 안에 미니 데이터센터를 갖게 하는 것이 우리의 비전”이라고 말했다. 삼성은 400단 이상을 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’도 처음 공개했다. 셀과 주변 회로를 따로 만든 뒤 수직으로 붙이는 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 전 세대보다 집적도를 약 58% 높였다. V10 BV-NAND와 메모리 안에서 일부 연산을 처리하는 LPDDR5X-PIM은 행사 최고 제품상인 ‘베스트 오브 쇼’를 받았다. zHBM처럼 메모리와 AI 가속기를 수직으로 결합하려면 메모리 기술뿐 아니라 파운드리와 첨단 패키징 역량이 함께 필요하다. 삼성전자는 설계부터 제조·패키징까지 한 회사에서 제공하는 ‘원스톱 솔루션’을 경쟁력으로 내세웠다. 한편, SK하이닉스도 샌디스크와 고대역폭 낸드플래시(HBF) 표준을 제시하며 개방형 생태계 구축에 무게를 뒀다. 양사의 차세대 기술 경쟁은 AI가 학습을 넘어 추론 중심으로 빠르게 옮겨가면서 더욱 치열해질 전망이다. FMS에 참석한 시장조사업체 욜그룹은 삼성전자와 SK하이닉스의 투자 확대를 근거로 한국이 2031년까지 메모리 시장 선두를 유지할 것으로 내다봤다.

삼전 2.5% 하닉 5.7% 상승 이끌어뉴욕증시도 급등하며 투심 살아나미국 증시의 인공지능(AI)·반도체주 랠리와 중동 긴장 완화 기대가 맞물리면서 국내 증시가 5일 동반 급등했다. 대형 반도체주가 상승장을 이끈 가운데 코스피는 6600선 턱밑, 코스닥은 800선 눈앞에서 거래를 마쳤다. 이날 코스피는 전 거래일보다 239.31 포인트(3.76%) 오른 6598.26에 마감했다. 6603.48로 출발한 지수는 장중 6674.66까지 오르며 상승률이 한때 4.96%에 달했다. 장 초반에는 코스피200선물 급등으로 프로그램 매수호가의 효력을 일시 정지하는 매수 사이드카가 발동됐다. 외국인은 1조 4514억원을 순매수한 반면 개인과 기관은 각각 1조 1854억원, 2802억원을 순매도했다. 삼성전자는 전 거래일보다 2.50% 오른 24만 6000원, SK하이닉스는 5.77% 상승한 166만 8000원에 거래를 마쳤다. 유가증권시장 전체 915개 종목 가운데 675개가 오르며 상승세가 시장 전반으로 확산했다. 간밤 뉴욕 증시에서는 다우존스30산업평균지수와 스탠더드앤드푸어스(S＆P)500지수가 각각 1.71%, 1.79% 올라 사상 최고치를 경신했고 나스닥지수도 2.59% 상승했다. 미국과 이란의 호르무즈 해협 개방 협상 기대에 국제유가가 급락한 데다 팔란티어의 호실적으로 AI 투자심리가 되살아났다. 마이크론 등 미국 반도체주도 강세를 보였다. 이경민 대신증권 연구원은 “미국 메모리주의 강세가 국내 반도체 업종의 투자심리 회복으로 이어졌다”며 “미·이란 협상 기대도 투자심리를 자극했다”고 설명했다. 코스닥은 전 거래일보다 18.87 포인트(2.42%) 오른 799.59에 마감하며 4거래일 연속 상승했다. 최근 4거래일간 24% 올랐지만 이날은 대형 반도체주가 급등한 코스피로 일부 자금이 이동하면서 상승 폭이 상대적으로 작았던 것으로 풀이된다. 최근 증시 급등락 속에 ‘빚투(빚내서 투자)’ 규모는 줄고 대기자금은 늘었다. 금융투자협회에 따르면 지난 4일 신용거래융자 잔고는 27조 4038억원으로 지난해 12월 31일 이후 가장 낮은 수준으로 떨어졌다. 투자자 예탁금은 하루 만에 7.4% 증가한 110조 4070억원으로, 11거래일 만에 110조원대를 회복했다.

고점 대비 반토막 수준까지 떨어진 SK하이닉스 주가가 다시 가파른 반등세를 보이며 출렁이고 있습니다. 반등의 기류가 감지되자 미국의 투자은행(IB)들은 기다렸다는 듯 최근 들어 목표주가를 잇달아 올려 잡고 있는데요. 일각에서는 주가가 현재보다 2배 넘게 뛸 수 있다는 낙관적인 전망도 나옵니다. 다만 중기적인 하락 추세가 완전히 끝나지 않은 만큼 매수와 매도 타이밍을 잡을 때 신중해야 한다는 분석이 함께 제기됩니다. 반토막 난 하이닉스…최근 급반등세우선 국내 증시를 보면 5일 SK하이닉스 주가는 전 거래일보다 7% 넘게 오른 169만원선에서 거래를 이어가고 있습니다. 이는 지난 6월 25일 장중 기록했던 최고가 298만 7000원과 비교하면 43%가량 낮은 수준입니다. 다만 지난달 29일 124만 6000원까지 떨어졌던 저점과 비교하면 반등 흐름을 이어가고 있죠. 미국 증시에 상장된 SK하이닉스 주식예탁증서(ADR)도 비슷하게 올라섰습니다. 4일(현지시간) 전날보다 8.17% 오른 154.38달러에 장을 마치며 150달러 선을 되찾았습니다. 지난달 29일 124.80달러까지 내려갔던 것에 비하면 23% 상승한 수치입니다. 지난달 10일 미국 상장 이후 반도체 조정 여파로 공모가인 149달러마저 밑돌던 주가가 다시 살아난 것입니다. 특히 SK하이닉스는 올해 상반기 사상 최대 실적을 발표한 이후에도 급락세를 면치 못했는데요. 메모리 업황이 고점을 찍었다는 논란이 불거진 데다 2분기 실적 발표 당시 시장의 한껏 높아진 눈높이를 채우지 못해 차익 실현 매물이 대거 쏟아졌기 때문입니다. 주가가 가파르게 떨어지자 투자자들이 빚을 내어 산 주식이 강제로 팔려 나가는 반대매매 물량까지 쏟아져 나와 하락 폭을 더욱 키웠죠. IB들 목표주가 줄상향…2배 상승 전망하지만 지난달 말부터는 그간 악화일로를 걸었던 투자 심리에도 변화가 감지되기 시작했습니다. 시장 폭락을 이끌었던 기술적 레버리지 청산 작업이 마무리 단계에 다다르면서 하락세가 과도하다고 본 저가 매수세가 유입되고 있다는 평가입니다. 반등의 물꼬가 터지자 월가의 투자은행(IB)들은 SK하이닉스의 성장성을 높게 평가하는 보고서를 연이어 쏟아내며 반등세에 힘을 더했습니다. 캔터 피츠제럴드 리서치 팀은 4일 고객들에게 발간한 보고서에서 SK하이닉스 ADR에 대해 ‘비중확대’ 투자의견과 함께 목표주가 300달러를 제시했습니다. 이날 시가인 150.18달러와 비교하면 향후 주가가 현재보다 약 2배 오를 수 있다는 의미입니다. 로젠블랫 역시 ‘매수’ 의견과 목표주가 320달러를 내놨고, 니덤도 ‘매수’ 의견에 목표주가 200달러를 제시했습니다. 윌리엄 블레어 역시 ‘시장수익률 상회’ 등급을 냈습니다. 세바스찬 나지 윌리엄 블레어 애널리스트는 SK하이닉스를 두고 “AI 시대의 메모리 선도기업”이라고 부르며 “샌디스크와의 협력이 지속적인 AI 기반 메모리 수요 기대를 반영해 주가를 최대 80%까지 끌어올리는 동력이 될 수 있다”고 설명했습니다. 모건스탠리 “코스피 36% 상승 여력”한국 증시 전체를 바라보는 글로벌 투자은행의 시각도 전보다 밝아졌습니다. 모건스탠리는 3일(현지시간) 한국 주식 투자의견을 ‘중립’에서 ‘비중확대’로 올리며 “쏠림 현상과 레버리지가 급격히 해소된 이후 코스피는 목표치인 9000까지 36%의 추가 상승 여력이 있다”고 밝혔습니다. 또한 “최근 증시 급락은 대체로 기술적 요인에 따른 것으로 레버리지 상장지수펀드(ETF), 헤지펀드 레버리지, 개인 신용거래 청산은 이미 중반을 넘어선 상황”이라고 진단했습니다. 이런 레버리지 하락 흐름이 AI 관련 주식에 투자하기 더 좋은 시점을 마련했다는 분석입니다. 성급한 판단은 금물…‘신중론’도 여전그러나 이 같은 호재 속에서도 수급 측면에서는 단기 과열 여부와 추가 상승 모멘텀을 신중하게 확인해야 한다는 지적이 함께 나옵니다. 미국 경제 매체 벤징가는 “지금이 상승장의 끝인지, 아니면 더 뛰어오르기 위해 숨을 고르는 단계로 볼 것인지를 두고 시장이 눈치싸움을 벌이고 있다”며 “주가의 열기를 나타내는 지표(RSI)도 딱 중간 수준(49.35)을 가리키고 있어 주가가 과도하게 과열되거나 너무 많이 떨어진 상태가 아니다”라고 설명했습니다. 금융 정보 사이트 인베스팅닷컴 역시 단기 흐름에 대한 신중한 접근을 당부했는데요. 인베스팅닷컴은 “SK하이닉스 주가가 169만원 근처까지 올라오면서 단기적으로 반등하는 신호가 켜졌지만 동시에 위로 더 치고 올라가기 힘든 강한 저항선도 함께 만나고 있다”며 “반등하는 힘이 빠지면 다시 하락으로 이어질 수 있어 매수와 매도 진입 타이밍을 잡을 때 모두 조심해야 한다”고 짚었습니다.

인공지능(AI) 피크아웃에 대한 우려로 인해 주식 시장이 출렁이고 있지만, 기본적으로 메모리는 AI뿐 아니라 정보통신기술(IT) 인프라를 유지하기 위해 필수적인 제품이고 결국 장기적으로는 더 빠르고 더 용량이 큰 메모리에 대한 수요가 늘어날 수밖에 없습니다. 따라서 업계에서는 현재 범용 D램 제품인 DDR5 및 LPDDR5/5x 제품을 대신하기 위한 DDR6 및 LPDDR6 제품을 준비 중에 있습니다. 이 가운데 LPDDR6는 올해 양산에 들어갈 예정이고 DDR6는 2~3년 후 본격 보급될 것으로 예상됩니다. 하지만 최근 에이전틱 AI의 수요가 늘어나면서 고성능 CPU와 이 CPU를 뒷받침할 고성능 서버 메모리에 대한 수요 역시 증가하고 있습니다. 이를 위해 LPDDR5x 메모리를 서버에서 사용할 수 있게 해주는 규격인 소캠 2 (SOCAMM2) 메모리 모듈이 본격적으로 양산에 들어가 엔비디아의 베라 루빈 시스템에 사용되고 있으며 기존의 범용 서버 CPU를 위해서는 DDR5 메모리의 속도와 용량을 늘린 MRDIMM 규격이 보급되고 있습니다. MRDIMM(Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module)은 하나의 메모리 모듈에 2개의 메모리 랭크를 멀티플렉싱해 실효 대역폭을 거의 두 배로 높이는 구조로 DDR5 메모리의 속도를 두 배로 늘릴 수 있습니다. 그러면서도 기존의 DDR5 DIMM에 호환돼 별도의 인터페이스 변화 없이 중앙처리장치(CPU)에서 지원하면 바로 서버에서 사용할 수 있습니다. 현재 제온 6 CPU가 이를 지원하고 있으며 AMD 역시 에픽 6 CPU에서 MRDIMM을 지원할 예정입니다. 기본적으로 MRDIMM 메모리는 DDR5보다 대역폭이 두 배이기 때문에 속도가 8800MT/s에서 17,600MT/s까지 지원할 수 있습니다. 이는 미래 규격인 DDR6와 같은 속도로 DDR6의 속도를 현재 하드웨어로 사용할 수 있는 셈입니다. 다만 1만 2800MT/s 이상의 속도에서는 MRDIMM 메모리도 빠른 속도에서 정확한 신호 전달과 제어를 위해 새로운 칩이 필요합니다. 따라서 1만 2800MT/s 이상의 속도를 지닌 MRDIMM 메모리에서는 MRCD(Multiplexed Rank Registering Clock Driver)라는 새로운 칩이 필요한데, 기존 서버용 RCD(Registering Clock Driver)의 기능을 크게 확장한 칩입니다. MRCD는 명령, 주소, 클럭, 제어 신호를 모두 버퍼링·재구동합니다. 1만 2800MT/s 이상의 MRDIMM 메모리에서는 1개의 MRCD 칩이 여러 개의 데이터 트래픽 관리 칩인 MDB/MBD (Multiplexed Rank Data Buffer/Multiplexing Data Buffer)와 함께 신호를 관리합니다. (아래 사진 참조) 마이크론은 이미 32GB, 48GB, 64GB, 96GB, 128GB 용량의 12,800MT/s 2세대 MRDIMM 메모리를 출시했으며 여기에 추가로 1만 4400MT/s 96GB 모듈도 추가했습니다. 여기에 더해 관련 컨트롤러 제조사인 르네사스는 3세대 MRCD + MDB/MBD를 미리 선보였는데 1만 6000MT/s의 속도를 구현할 수 있습니다. 따라서 내년에는 3세대 MRDIMM 메모리가 서버 시장에 보급될 것으로 보입니다. 다만 1만 7600MT/s에 이르면 사실상 DDR5 스펙의 한계에 근접하는 만큼 제조사들은 DDR6를 고민하지 않을 수 없습니다. DDR6는 기본 대역폭이 최대 1만 7600MT/s로 논의되고 있기 때문에 MRDIMM 형태로 제조할 경우 그 두 배인 최대 3만 5200MT/s도 가능할 것으로 보입니다. 이와 같은 메모리 대역폭 증가는 AI 시대에 필요한 충분한 대역폭을 제공해 AI 반도체 성장을 견인할 것으로 기대합니다.

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 성능을 떨어뜨리는 데이터 병목을 줄이기 위해 차세대 3차원 메모리 기술을 공개했다. 고대역폭메모리(HBM)를 AI 가속기 위에 직접 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이고, 처리 속도와 전력 효율을 함께 높이는 방식이다. 삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 메모리 행사 ‘FMS 2026’ 기조연설에서 차세대 메모리 구조인 ‘zHBM’을 선보였다. 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 “기존 패키징 구조로는 가속기 칩과 메모리 간 물리적 거리를 줄이는 데 한계가 있다”며 새로운 구조가 필요한 이유를 설명했다. 현재 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 뒤 그래픽처리장치(GPU) 등 AI 가속기 옆에 배치한다. AI가 처리하는 데이터가 늘어날수록 가속기와 메모리 사이에서 데이터가 오가는 데 시간이 걸리고 전력 소모도 커진다. 이른바 ‘메모리 장벽’이다. zHBM은 HBM을 가속기 위에 직접 적층해 이 거리를 줄인다. 칩을 가로와 세로 방향으로 배치하던 기존 방식에서 벗어나 높이인 Z축까지 활용한다는 뜻에서 이름 앞에 ‘z’를 붙였다. 삼성전자에 따르면 zHBM은 현재 개발 중인 HBM5와 비교해 GPU당 성능을 최대 8배, 전력 대비 성능을 최대 3배 높일 수 있다. 메모리를 위로 쌓을수록 열이 빠져나가기 어려워지는 문제를 해결하기 위해 열 저항도 HBM5의 10~25% 수준으로 낮췄다. 삼성전자는 zHBM에 앞서 상용화를 추진할 HBM5의 개발 방향도 소개했다. HBM5에는 2나노미터 공정 기반의 베이스 다이와 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 적용한다. 메모리 칩 측면으로 열을 내보내는 구조도 도입해 HBM4E보다 성능은 2배 높이고 열 저항은 20% 이상 낮추는 것을 목표로 하고 있다. 낸드 분야에서는 스마트폰과 PC 등 기기 안에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI용 ‘z낸드-O’를 공개했다. D램은 빠르지만 비싸고 용량을 늘리는 데 한계가 있는 반면, 낸드는 가격이 낮고 대용량을 구현하기 쉽지만 상대적으로 속도가 느리다. z낸드-O는 낸드의 비용과 용량상 이점을 유지하면서 처리 속도를 끌어올린 제품이다. 이진엽 삼성전자 플래시개발실 부사장은 매개변수 1200억개 규모의 AI 모델을 시험 구동한 결과, z낸드-O가 기존 D램 서버와 같은 초당 토큰 처리량을 내면서도 메모리 비용은 6분의 1에 그친다고 설명했다. 비싼 D램을 대량으로 사용하지 않고도 AI 모델을 빠르게 구동할 수 있다는 의미다. 이 부사장은 기조연설 도중 초소형 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘BM1773’을 들어 보이며 “믿기 힘들겠지만 이 작은 스토리지 칩 하나가 최고급 세단 한 대 값과 맞먹는다”고 말했다. 이어 “바닥에 떨어뜨린다면 당장 내일부터 새 직장을 구하러 다녀야 할 것”이라고 말해 참석자들의 웃음을 자아냈다. 삼성전자는 이날 400단 이상을 수직으로 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-낸드’도 업계 최초로 공개했다. AI 모델이 고도화하면서 연산을 담당하는 HBM뿐 아니라 방대한 데이터를 저장하는 낸드와 기업용 SSD 수요도 함께 늘어나는 데 대응한 제품이다. 삼성전자는 HBM과 고성능 낸드, 기업용 SSD를 모두 공급할 수 있는 제품군과 양산 역량을 앞세워 AI 데이터센터부터 온디바이스 AI까지 시장을 넓힐 계획이다. 김 상무는 기조연설에서 “삼성이 돌아왔다”며 차세대 AI 메모리 경쟁에 대한 자신감을 나타냈다.

SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 인공지능(AI) 서버 메모리로 각광받는 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 공개했다. 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나선 데 이어 올해 2월 컨소시엄을 구성한 지 약 6개월 만에 내놓은 첫 결과물이다. SK하이닉스는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아에서 열리는 세계 최대 규모 메모리 콘퍼런스 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 이번 규격을 선보였다고 밝혔다. HBF는 AI 서버에서 고대역폭메모리(HBM)와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다. HBM과 같이 AI의 데이터 연산 속도가 빠르면서도 낸드플래시를 기반으로 해 용량을 크게 늘릴 수 있다. 추론형 AI의 확산에 따라 처리해야 할 데이터양이 늘면서 용량이 부족한 HBM과 속도가 느린 SSD의 단점을 동시에 보완하는 차세대 메모리로 주목받고 있다. 이번에 공개된 HBF의 용량은 최대 512GB까지 지원된다. HBF와 프로세서를 연결하는 방식은 업계 표준 인터페이스인 UCIe를 채택했다. UCIe를 통해 그래픽처리장치(GPU)와 중앙처리장치(CPU) 등 서로 다른 종류의 프로세서에도 HBF를 유연하게 적용할 수 있다. SK하이닉스는 이번 표준 공개를 계기로 AI 저장장치 시장에서 HBF 채택을 확대하고 생태계 조성에 나선다는 전략이다. 중국 CXMT(창신 메모리)까지 가세하며 치열해지는 글로벌 D램 경쟁에서 우위를 점하기 위해서다. 최근 AI 추론 시장의 경쟁력이 단일 칩의 성능보다 CPU와 GPU, 메모리와 저장 장치까지 모두 아우르는 시스템 차원의 최적화가 관건이 된 점도 가세했다. ‘풀스택 기업’을 표방하는 SK하이닉스는 HBF까지 밸류체인을 넓혀 HBM과 HBF를 모두 지원할 수 있는 종합 메모리 솔루션 기업으로 입지를 공고히 하겠다는 계획이다. 업계에서는 HBF 시장이 빠르게 성장해 2030년 17조원에 육박하고, 2038년에는 HBM 시장을 앞지를 것이란 예측도 나온다. 삼성전자도 ‘FMS 2026’에 참여해 HBM, 낸드, SSD를 잇는 ‘메모리 아키텍처 혁신’을 주제로 전시한다. D램, 낸드, 컨트롤러, 파운드리, 첨단 패키징 등 종합반도체기업(IDM)의 역량을 강조하며 AI 데이터 병목을 줄이는 방안을 소개할 예정이다. 한편, 이날 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난 2분기 D램 매출 기준으로 삼성전자는 39% 점유율을 기록해 1위를 유지했고, SK하이닉스는 점유율 26%를 차지했다.