SK그룹이 고강도 구조조정(리밸런싱)에 나선 가운데 최태원 회장이 미국 출장길에 오른다. 최 회장은 미국 주요 빅테크가 밀집한 서부 실리콘밸리를 중심으로 기업별 최고경영자(CEO)들을 만나면서 SK의 사업별 협력 방안을 모색할 예정이다.21일 SK그룹은 최 회장이 22일 미국 장기 출장에 나선다고 밝혔다. SK그룹은 오는 28일 경기 이천 SKMS연구소에서 1박 2일 일정으로 계열사 사장단이 참석하는 경영전략회의를 진행하는데, 최 회장은 미국 현지에서 화상 회의로 참석하는 방안이 거론된다. 국내에서 그의 사촌 동생 최창원 SK수펙스추구협의회 의장이 그룹 구조조정의 키를 쥐고 진행하는 동안 최 회장은 해외에서 재무 건전성에 빨간불이 들어온 그룹 난맥상을 풀 돌파구를 마련한다는 전략으로 풀이된다. 최 회장의 미국 출장은 지난 4월 새너제이 엔비디아 본사에서 젠슨 황 CEO와의 회동 후 약 2개월여 만이다. 이번 출장에는 유영상 SK텔레콤 사장, 김주선 SK하이닉스 사장(AI 인프라 담당) 등 SK그룹의 AI·반도체 관련 주요 경영진이 동행한다. 최 회장은 현지에서 SK그룹의 ‘AI 생태계’를 바탕으로 한 글로벌 기업과의 협업을 모색할 것으로 보인다. 방문하는 지역 또한 실리콘밸리에 국한하지 않고, 현지 파트너사들이 있는 미국의 여러 지역이 될 것으로 알려졌다. SK그룹은 ‘반도체부터 서비스까지’ AI에 필요한 모든 생태계 조성을 목표로 각 사업에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 AI 시스템 구현에 필수적인 초고성능 AI 메모리 제품인 ‘고대역폭메모리(HBM)’와 AI 서버 구축에 최적화된 ‘고용량 DDR5 모듈’, ‘엔터프라이즈 SSD(eSSD)’ 등 경쟁력 있는 제품들을 앞세워 글로벌 AI용 메모리 시장을 선도하고 있다. 서비스 분야에서는 SK텔레콤의 생성형 AI 서비스 ‘에이닷’이 차별화된 개인비서 기능으로 400만명에 육박하는 가입자를 끌어 모았고, SK그룹의 에너지·자원 사업역량을 한데 모은 ‘클린에너지솔루션’은 데이터센터에 필요한 청정 에너지 확보와 전력 사용 절감 대안으로 주목받고 있다. 앞서 최 회장은 지난 6일 대만 신주과학단지에서 웨이저자 TSMC 신임 회장과 만나 “인류에 도움 되는 AI 초석을 함께 만들자”며 SK의 AI 방향이 ‘사람’에 있음을 강조하기도 했다. 미국 AI·반도체 빅테크 경영진들도 최근 인류의 미래에 공헌하는 AI를 강조하고 있어 최 회장은 이번에도 ‘인류를 위한 AI’를 주제로 다양한 의견을 나눌 것으로 전망된다. SK그룹 관계자는 “최 회장은 올해 4월 미국, 6월 대만에 이어 다시 미국을 방문해 AI 및 반도체 사업 경쟁력 강화를 위한 글로벌 네트워크 구축에 노력하고 있다”라면서 “글로벌 경쟁이 격화하는 AI 및 반도체 분야에서 국가 경쟁력을 강화하고 리더십을 공고히 하는 데 시간과 자원을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

미국 출장길에 올랐던 이재용 삼성전자 회장은 메타·아마존·퀄컴 등 빅테크 최고경영자(CEO)와 잇달아 만나 인공지능(AI), 반도체 등의 사업 협력 방안을 논의했다. 이 회장은 위기 극복과 미래 경쟁력 확보라는 삼성의 당면한 숙제를 해결하기 위해 글로벌 네트워크를 최대한 가동한 것으로 보인다. 새로운 기술이 나올 때마다 시가총액 순위가 뒤바뀔 정도로 빅테크 간 경쟁이 치열한 미국 현지에서 삼성은 종합 반도체 회사의 강점을 강조하는 파운드리(위탁생산) 전략으로 고객사 확보에 나섰다. 13일 삼성전자에 따르면 이 회장은 지난 2주간의 미국 출장을 마치고 이날 오후 서울김포비즈니스항공센터에 도착했다. 지난 4일(현지시간) 미국 뉴욕에서 이동통신사 버라이즌 CEO와 만나는 등 동부(뉴욕·워싱턴) 일정을 소화한 이 회장은 서부로 이동해 크리스티아누 아몽 퀄컴 CEO, 마크 저커버그 메타 CEO, 앤디 재시 아마존 CEO를 차례로 만났다. 이 회장은 지난 10일 미국 새너제이의 삼성전자 미주총괄(DSA) 사옥에서 진행된 퀄컴 경영진과의 미팅에선 AI 반도체, 차세대 통신칩 등 미래 반도체 시장에서의 협력 확대 방안을 논의했다. 이튿날 저커버그 자택을 찾아간 이 회장은 저커버그와 4개월 만에 다시 만나 AI, 증강현실, 가상현실 등 다양한 주제로 대화를 나눴다. 지난 2월 방한 당시 삼성의 영빈관인 승지원에 초대됐던 저커버그가 이 회장을 초청한 자리로 앞으로 삼성과 메타는 AI 분야에서 협력을 확대해 나간다는 방침이다.귀국 전 시애틀로 이동한 이 회장은 아마존 본사에서 재시 CEO와 생성형 AI, 클라우드컴퓨팅 등 아마존의 주력 사업과 관련한 시장 전망을 공유하고 양사 간 추가 협력에 대해 의견을 나눴다. 아마존은 세계 1위 클라우드 서비스 업체로 삼성 반도체의 핵심 파트너 중 한 곳이다. 이 자리에는 전영현 DS(반도체)부문장, 이정배 메모리사업부장, 한진만 미주총괄 부사장 등 삼성전자 반도체 경영진이 함께했다. 이 회장은 이번 출장 기간 동안 팹리스(반도체 설계) 등 시스템반도체 기업 관계자와도 미팅을 갖고 파운드리 사업 협력 방안을 논의했다. 파운드리는 삼성의 미래 먹거리로 막대한 투자를 하고 있지만 1위 업체인 대만 TSMC와의 격차는 좁혀지지 않고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 1분기 삼성전자의 세계 파운드리 시장점유율은 11.0%로 TSMC(61.7%)와의 차이가 50.7% 포인트까지 벌어졌다. 이에 삼성은 선두 업체 간 경쟁이 치열한 미세 공정 경쟁에서 첨단기술 개발로 차별화를 꾀하면서 메모리·패키징과 통합한 ‘원스톱’ 서비스로 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 줄이는 데 집중할 계획이다. 이 회장이 직접 참석하진 않았지만 이날 DSA에서 진행된 ‘삼성 파운드리 포럼 2024’에서 삼성의 파운드리 로드맵이 공개됐다. 삼성은 2027년 1.4나노(㎚·1㎚는 10억분의1m) 공정 양산 일정을 재확인하면서 “목표한 성능과 수율을 확보하고 있다”고 밝혔다. 전력선을 웨이퍼 앞면이 아닌 후면에 배치하는 ‘후면전력공급’ 기술을 도입한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비하겠다는 계획도 내놓았다. 후면전력공급 기술은 상용화 사례가 없는 고난도 기술로 전류 흐름을 불안전하게 만드는 현상을 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다. 맞춤형 AI 칩 수요에 대응하기 위해 삼성이 승부수를 띄운 것이다. 내년에는 기존 4나노 공정 대비 소비전력·성능·면적(PPA) 경쟁력이 향상된 새 공정(4나노 SF4U) 양산도 예정돼 있다. 3나노 공정에 차세대 트랜지스터인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 기술을 처음 적용한 삼성전자는 올해 하반기 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)은 기조연설에서 “AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능·저전력 반도체”라면서 “고객이 필요한 원스톱 AI 솔루션을 제공하겠다”고 말했다.

미국 조 바이든 행정부가 인공지능(AI) 등 첨단 반도체 기술에 대한 중국의 접근을 차단하기 위해 추가 규제를 검토 중인 것으로 알려졌다. 첨단 반도체, 장비 등 하드웨어에 이어 기술 자체 통제에도 나선 것으로, 중국의 초기 AI 기술 접근을 막아 격차를 키우려는 의도로 풀이된다. 11일(현지시간) 블룸버그통신은 미국 정부가 차세대 반도체 설계 방식인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA)와 고대역폭 메모리(HBM) 등에 대한 중국 접근을 막는 추가 규제를 논의 중이라고 보도했다. GAA는 반도체의 트랜지스터 구조인 기존 핀펫(FinFET) 공법보다 데이터 처리 속도와 전력효율이 높다. 엔비디아와 인텔 등이 내년 TSMC, 삼성전자 등 위탁생산업체를 통해 반도체 대량 생산을 추진 중이다. 삼성전자는 이미 3나노 공정에 GAA를 최초로 도입했다. HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓아 고성능 메모리를 만드는 기술로, AI 고도화 훈련에 사용된다. 수출 통제를 감독하는 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 최근 GAA 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술자문위원회에 보낸 것으로 확인됐다. 당시 업계 측은 상무부의 규제 초안이 지나치게 광범위하다는 우려를 제기했다고 블룸버그는 설명했다. 블룸버그는 “미국 목표는 중국이 AI 모델을 개발하고 구동하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 체계를 구축하기 어렵게 만들고 기술이 상용화하기 전 미리 이를 차단하는 것”이라고 전했다. 소식통들은 최종 결정이 언제 내려질지는 불분명하며 규제 범위와 강도를 여전히 고민 중이라고 전했다. 블룸버그는 “이번 금지 조치가 중국의 자체 GAA 반도체 개발 능력을 제한할지, 해외 기업이나 미 반도체 제조업체가 중국에 관련 제품을 판매하는 것을 차단할지는 확실치 않다”고 보도했다. 그러면서 “바이든 행정부가 HBM 반도체 수출 제한에 대한 논의도 시작했다”고 전했다. 미국의 추가 규제가 설비나 공정 기술 개발 능력을 제한하는 방향으로 가면 중국에만 타격이 커지지만 해외 기업의 중국 판매 제한까지 확대되면 한국 기업에도 영향이 생길 수 있다.

삼성전자는 24일 고대역폭 메모리(HBM)와 관련해 “다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중”이라고 밝혔다. 삼성전자는 이날 공식 입장을 내고 “현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다”며 “HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다”고 설명했다. 이어 “삼성전자는 모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 설루션을 제공할 예정”이라고 덧붙였다. 앞서 로이터통신은 이날 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 미국 반도체 업체 엔비디아에 HBM을 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 보도했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 수요가 가파르게 늘고 있다. 차세대 HBM 시장 선점을 위해 총력을 기울이고 있는 삼성전자는 지난 21일 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문장을 경계현 사장에서 전영현 부회장으로 전격 교체하며 HBM 사업 성공을 향한 강한 의지를 드러내기도 했다. 삼성전자는 지난달 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작한 데 이어 2분기 내에 12단 제품도 양산한다는 계획이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 “HBM3E 사업화는 고객사 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중”이라며 “올해 하반기 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 고용량 HBM 시장 선점에 주력하겠다”고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 초거대 인공지능(AI) 시대를 맞아 반도체 기술의 발전과 성능 향상을 위한 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등을 지속하고 있다. 삼성전자는 2023년 연간 시설투자 비용이 53조 1000억여원이라고 23일 밝혔다. 이는 2022년과 비슷한 수준이다. 메모리의 경우 지난해 4분기에도 중장기 수용 대응을 위한 청정실 확보 목적의 평택 투자와 기술 지배력 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 ‘고대역폭 메모리’(HBM), ‘더블 데이터 레이트 5’(DDR5) 등 첨단공정 생산능력 확대를 위한 투자가 지속됐다. 파운드리는 극자외선(EUV)을 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 증가했다. 또한 2023년 4분기는 미래 성장을 위한 적극적인 연구개발 투자를 지속하면서 분기 최대 7조 5500억원의 연구개발비를 투입했다. 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매와 다양한 응용처의 신규 수주를 확대해 기술 경쟁력과 시장 지배력을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 삼성전자 관계자는 “앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침”이라고 강조했다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산력을 기반으로 HBM3, HBM 3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 또 시스템 대규모 집적회로(LSI)는 주력 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외에도 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖춰 나갈 예정이다. 파운드리는 ‘게이트올어라운드’(GAA) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다. 특히 삼성전자는 지난 40년간 업계를 선도하며 AI 반도체 생태계를 확장할 다양한 메모리 제품을 준비해왔다. 삼성전자는 AI 시대에 최적화된 다양한 차세대 메모리 솔루션을 개발해 메모리 패러다임 변화도 꾀하고 있다. 삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI 용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 2017년 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 구현했다. 삼성전자는 이 제품을 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보일 수 있었다. 이후에도 삼성전자는 HBM2 제품을 거쳐 HBM 2E, HBM 3를 양산하고 있으며, 9.8Gbps 속도의 HBM 3E 제품을 개발해 고객사에 샘플을 공급할 예정이다. HBM 4는 2025년을 목표로 개발 중으로, 해당 제품에 적용하기 위해 고온 열특성에 최적화된 기술도 준비하고 있다.

SK하이닉스는 오는 3분기 온디바이스 인공지능(AI)용 모바일 낸드 솔루션 제품을 양산한다. 고성능 D램인 고대역폭 메모리(HBM)를 앞세워 ‘AI 메모리’ 시장을 이끌고 있는 SK하이닉스는 낸드에서도 판을 뒤집겠다는 심산이다. 반도체 업체들의 공격적인 투자에 힘입어 2032년 한국이 전 세계 반도체 시장에서 차지하는 생산 점유율은 역대 최고치인 20%에 육박할 것으로 보인다. SK하이닉스는 9일 모바일 낸드 솔루션 제품인 ‘ZUFS 4.0’(사진)’ 개발에 성공했다고 밝혔다. 클라우드 서버에 연결하지 않고 기기 내에서 AI 기능을 작동하는 온디바이스 AI 시장이 커지자 관련 기능을 구현하는 데 최적화된 낸드를 선보인 것이다. 양산 시점은 3분기다.이 제품은 스마트폰 애플리케이션(앱)에서 생성되는 데이터를 특성에 따라 관리하는 역할을 맡는다. 기존 제품(UFS)이 데이터를 공간 구분 없이 동시에 저장했다면 이 제품은 용도와 사용 빈도 등 기준에 따라 데이터를 각기 다른 공간에 저장한다. 이렇게 되면 스마트폰 운영체제(OS)의 작동 속도가 빨라져 고용량의 앱을 실행하는 데 걸리는 시간을 줄일 수 있다. 저장장치의 읽기, 쓰기 성능이 떨어지는 정도를 늦춰 제품 수명도 약 40% 늘어났다고 회사 측은 설명했다. SK하이닉스가 이 제품 개발에 나선 건 ‘AI 붐’이 도래하기 전인 2019년부터다. 앞으로 고성능 낸드 솔루션 수요가 커질 것으로 보고 글로벌 플랫폼 기업과 협업해 제품 개발을 시작했고 초기 단계 시제품을 고객사에 보내기도 했다. 안현 SK하이닉스 부사장은 “빅테크 기업이 자체 개발한 생성형 AI를 탑재한 온디바이스 개발에 집중하면서 여기에 필요한 메모리 요구 수준이 높아지고 있다”고 말했다. 앞으로 이 제품이 온디바이스 AI 스마트폰에 얼마나 탑재될지, 온디바이스 AI 시장이 얼마나 커질지에 따라 낸드 시장도 달라질 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 기준 낸드 시장점유율 2위(21.6%, 트렌드포스)를 달리고 있지만 1위 삼성전자(36.6%)와는 15.0% 포인트 차이가 난다. 한편 국내 반도체 업체들이 공장 건설을 통해 생산 능력을 계속 키우면서 전체 반도체 시장에서 한국이 차지하는 생산 비중이 2032년 19%까지 늘어날 것이란 전망도 나왔다. 미국반도체산업협회와 보스턴컨설팅그룹이 8일(현지시간) 발표한 ‘반도체 공급망의 새로운 회복 탄력성’이란 보고서를 보면 한국은 2032년 대만(17%)을 제치고 중국(21%)에 이어 2위로 올라선다. 2022년 17%에 비하면 2% 포인트 늘어난 수치다. 10나노미터(nm·1nm는 10억분의1m) 이하 첨단 공정에선 한국의 생산 점유율이 2022년 31%에서 2032년 9%로 크게 떨어질 것으로 예측됐다. 반면 미국은 반도체 지원법에 힘입어 첨단 공정의 생산 점유율이 같은 기간 0%에서 28%로 대폭 늘어날 것으로 전망됐다.

삼성전자가 업계 최초로 ‘9세대 V낸드’ 양산에 돌입했다. 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 잇는 제품으로 9세대 낸드의 단수는 290단 수준으로 알려졌다. 메모리 반도체 업체 간 ‘누가 더 높게, 효율적으로 쌓아 올리느냐’의 경쟁에서 삼성전자는 자체 기술력으로 승부수를 띄운 것이다. 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 인공지능(AI) 시대를 맞아 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획이다. 삼성전자는 23일 ‘더블 스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔다. V낸드는 삼성전자가 2013년 도입한 기술로 초고층 건물을 쌓는 것처럼 수직으로 쌓아 올린 제품이다. 더블 스택이란 290층 건물을 145층씩 두 번에 나눠 쌓았다는 의미다. 메모리칩을 넓게 펼치는 대신 위로 높게 쌓아 올릴 때 가장 중요한 건 공정 수를 최소한으로 줄이는 것이다. 시간과 비용을 줄여야 원가 경쟁력을 높일 수 있어서다. 공정이 복잡해지면 수율(양품 대비 불량품 비율)을 확보하는 것도 어려워진다.결국 단수를 높이려면 적층 공정 기술력이 담보돼야 하는데 삼성은 ‘채널 홀 에칭’이란 기술로 이를 구현했다. 한 번에 145층까지 뚫은 뒤 그 안에 양문형 엘리베이터를 설치하는 것처럼 전자가 이동할 수 있는 홀(채널 홀)을 만든 것이다. 데이터를 빠른 속도로 주고 받으려면 균일한 구멍을 뚫고 전자를 이동시키는 정교한 기술이 요구된다. 9세대 V낸드는 1테라비트(Tb) 용량의 ‘트리플레벨셀’(TLC) 기반이다. 하나의 셀(정보를 저장하는 단위)에 3비트(bit)의 정보를 담는 기술로 같은 공간에 더 많은 정보를 담을수록 용량을 키울 수 있다. 또한 데이터 입출력 속도는 8세대 V낸드 대비 33% 향상됐고, 소비 전력은 이전 세대 제품에 비해 약 10% 개선됐다. 성능, 용량, 전력 소비 측면에서 모두 차별화를 꾀한 셈이다. 하반기에는 ‘쿼드레벨셀’(QLC) 9세대 낸드도 양산할 계획이다. 데이터 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 늘면서 핵심 부품인 낸드 시장 주도권을 갖기 위한 반도체 업체 간 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝혔고, SK하이닉스는 지난해 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 공식화했다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC도 올해 하반기 300단대 제품을 내놓는다는 계획이다.

차세대 인공지능(AI) 메모리 반도체인 6세대 고대역폭메모리 ‘HBM4’ 개발을 놓고 국내 업체 간 주도권 경쟁이 치열하다. 삼성전자는 자체 기술력, SK하이닉스는 파운드리(위탁생산) 1위인 대만 TSMC와의 협업으로 성능의 한계를 돌파한다는 전략이다. 2026년 HBM4 양산을 앞두고 두 업체가 얼마나 많은 고객사를 확보하느냐가 관건이 될 것으로 보인다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월 D램 칩을 12단까지 쌓아 올린 5세대 HBM(HBM3E)을 가장 먼저 개발한 데 이어 HBM4에는 16단 기술을 도입한다는 계획이다. D램 칩을 수직으로 많이 쌓을수록 용량과 대역폭(메모리의 데이터 전송 속도)이 늘어난다. 대역폭이 높을수록 한번에 처리할 수 있는 데이터의 양이 많아지기 때문에 고성능 메모리를 요구하는 인공지능(AI) 반도체 업체로부터 선택받을 확률도 커진다. 다만 HBM 제품의 전체 두께는 고정돼 있는 상황에서 층수를 높이는 거라 조립 난도가 높아지고 열 저항이 커지는 문제가 발생한다. 메모리와 파운드리 역량을 결집해 차세대 HBM 전담팀을 구성한 삼성전자는 자체 기술력으로 이 한계를 극복하면서 수율을 극대화한다는 전략이다. 윤재윤 삼성전자 D램개발실 상무는 지난 18일 삼성전자 뉴스룸 인터뷰에서 16단 도입 계획을 밝히며 “HBM 칩 1개라도 불량이 발생하면 AI 서비스가 그 순간 멈출 수 있기 때문에 HBM의 품질을 완벽하게 보증할 수 있는 설계·테스트 기술을 확보하는 게 중요하다”고 강조했다. 이에 맞서 SK하이닉스는 파운드리 1위 업체인 대만 TSMC와의 협업 카드를 꺼내 들었다. SK하이닉스는 5세대 HBM까지는 자체 공정으로 HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스 다이’를 만들었는데, 6세대부터는 TSMC가 보유한 초미세 선단 공정을 활용한다는 것이다. 베이스 다이는 HBM 제품의 바닥 부분으로 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 한다. TSMC의 패키징 방식(CoWoS)과 SK하이닉스의 HBM 기술 결합을 최적화해 HBM 관련 고객사 요청에도 공동 대응한다는 방침이다. 업계에선 두 업체가 HBM 설계·생산부터 함께하면 맞춤형 설계 요구에 대응하기 수월해져 이들의 고객사인 엔비디아와의 공조 체제도 더 강화될 것으로 본다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “메모리와 파운드리 업체 간 협력은 (기존에) 없었던 모델”이라면서 “이러한 협업으로 SK하이닉스가 TSMC의 고객사까지 확보가 용이해졌다는 점은 주목할 만하다”고 말했다.

WSJ “440억 달러로 투자액 확대두 번째 공장 건설에 200억 달러”美상무부 이달 보조금 발표 예상 메모리 시장 회복에 실적도 기대열세 HBM 주도권 되찾기도 주목 반도체 불황의 긴 터널을 벗어난 삼성전자가 미국 현지 투자에 속도를 낼 것으로 보인다. 미 정부의 보조금 지원 발표가 임박한 데다 인공지능(AI) 반도체 수요가 급증하면서 추가 투자 필요성이 커졌기 때문이다. AI 반도체 시장의 ‘큰손’을 고객사로 확보하는 데 현지 생산이 더 유리하다는 판단도 작용한 것으로 분석된다. 7일 업계에 따르면 미 상무부는 이달 내 삼성전자에 대한 반도체지원법(칩스법)상 보조금 지원 계획을 발표할 것으로 예상된다. 지난달 말 보조금 지원 발표를 할 것이란 관측이 제기됐지만 실무 논의 과정이 길어지면서 발표 시점도 늦어지고 있는 것으로 알려졌다. 삼성전자가 오는 15일(현지시간) 텍사스주 테일러에서 추가 투자 계획을 발표할 것이란 월스트리트저널(WSJ) 보도가 나온 것도 보조금 발표가 임박했다는 신호로 읽힌다. WSJ에 따르면 삼성전자는 텍사스주 반도체 투자를 기존 170억 달러(약 23조원)에서 440억 달러(59조 5000억원)로 확대한다. 현지 투자를 두 배 이상으로 확대하겠다는 것으로 현실화되면 TSMC의 400억 달러(애리조나주에 투자)를 넘어선다. 삼성전자는 이 보도에 대해 공식 입장을 밝히지 않았지만 추가 투자 발표 가능성은 이전부터 제기돼 왔다. 앞서 블룸버그통신도 지난달 15일 삼성전자가 60억 달러(8조 1000억원) 이상의 보조금을 받을 것으로 보도하면서 상당한 추가 투자 계획도 함께 발표될 예정이라고 전했다. 인텔이 향후 5년간 1000억 달러를 투자한다고 밝히는 등 경쟁사들이 공격적으로 투자에 나선 것도 삼성전자가 추가 투자를 서두를 수밖에 없는 요인으로 지목된다. 삼성전자가 테일러에 짓고 있는 파운드리(위탁생산) 공장이 올해 말 가동을 앞두고 있지만 AI 반도체 시장의 수요에 대비하려면 생산시설을 늘릴 필요가 있다는 것이다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “기존 투자만으로는 경쟁력을 갖추기 어렵다는 점, 예상보다 (공사) 비용이 늘어난 점 등이 복합적으로 작용한 것 같다”고 말했다. 이번에 기회를 놓치면 경쟁력을 되찾기 어려울 수 있다는 위기감도 투자 금액을 대폭 늘린 배경으로 꼽힌다. 삼성전자는 2019년 고대역폭메모리(HBM) 개발팀을 해체했다가 경쟁사인 SK하이닉스에 주도권을 내줬다. 엔비디아에 HBM을 공급하면서 HBM 시장 선두로 올라선 SK하이닉스는 인디애나주에 38억 7000만 달러(5조 2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스트 패키징 생산 기지를 짓기로 했다. WSJ가 소식통의 말을 인용해 보도한 삼성의 추가 투자 계획을 보면 200억 달러(27조원)는 두 번째 반도체 생산 공장을 짓는 데 투입되고, 40억 달러(5조 4000억원)는 첨단 패키징 시설을 건설하는 데 쓰인다. SK하이닉스에 이어 삼성전자도 패키징 생산시설을 미국 현지에 짓기로 한 건 패키징(여러 반도체를 수직 또는 수평으로 연결해 또 다른 반도체를 만드는 기술)이 AI 반도체 분야에서 주요한 경쟁력 중 하나이기 때문이다. 파운드리부터 패키징까지 한 곳에서 이뤄지면 공급망 단순화를 원하는 고객사를 확보하는 데도 유리할 것이란 계산도 깔린 것으로 풀이된다.삼성전자가 과감한 추가 투자에 나설 수 있는 배경에는 메모리반도체 시장이 살아나면서 실적이 빠르게 개선되고 있기 때문이다. 지난 5일 발표한 1분기 영업이익(잠정)은 6조 6000억원으로 증권가 전망치를 20% 이상 웃돈 ‘어닝서프라이즈’(깜짝실적)를 기록했다. D램, 낸드를 비롯한 메모리반도체의 가격 상승에 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 급증이 더해지면서 DS(반도체) 부문에서 1분기 시장 예상을 뛰어넘는 영업이익을 거둔 것으로 알려졌다. 다만 아직까진 메모리 쪽만 흑자로 돌아선 거라 안심할 수 없는 단계다. 모바일, PC 등 전방산업의 수요 회복이 늦어지면서 파운드리·시스템LSI 사업부는 1분기에도 적자를 면치 못한 것으로 추정된다. 파운드리 가동률을 끌어올리면서 열세에 놓인 HBM 등 초고성능 메모리 시장에서 주도권을 되찾는 게 앞으로 남은 과제다.

삼성전자가 AI 반도체 시장에서 주도권을 잡기 위해 총력전을 펼치고 있다. 최근 AI 추론칩 ‘마하1’ 개발을 공식화하는 등 미래 경쟁력 확보를 위한 시설과 연구개발(R&D) 투자를 꾸준히 이어가고 있다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 지난 20일 주주총회에서 AI 추론칩 마하1을 개발 중이라고 밝혀 전 세계 이목이 집중됐다. 경계현 사장은 “AI 시대에는 컴퓨터와 메모리가 대규모로 결집할 수밖에 없는데 현존하는 AI 시스템은 메모리 병목으로 인해 성능 저하와 파워 문제를 안고 있다”면서 “DS는 이 문제를 개선하기 위해 AGI 컴퓨팅 랩을 신설하고 AI 아키텍처의 근본적인 혁신을 추진하겠다”고 밝혔다. 이어 “현재 개발 중인 마하1 AI 인퍼런스 칩은 그 혁신의 시작이 될 것”이라고 강조했다. 삼성전자는 앞서 미국과 한국에서 ‘삼성전자 반도체 AGI(범용인공지능) 컴퓨팅 랩’을 신설했다. 이는 미래 AGI의 엄청난 처리 수요를 충족할 완전히 새로운 유형의 반도체를 만들기 위한 전략으로 풀이된다. 마하1은 AGI 컴퓨팅 랩에서 개발하는 칩 중 처음 공개된 제품이다. 삼성전자는 올해 연말 마하1 생산에 돌입할 계획이다. 현재 기술 검증이 완료됐고, 시스템온칩(SoC) 디자인이 진행되고 있다. 올 연말 생산에 들어가면 내년 초 삼성전자 칩으로 구성된 AI 시스템을 완성하는 게 목표다. 삼성전자는 이처럼 초거대 AI 시대에 메모리 기술의 발전과 성능 향상에 사활을 걸고 있다. 삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 2017년 선보인 8단 적층 HBM2는 당시 가장 빠른 속도의 메모리였던 GDDR5 대비 8배 빠른 속도를 구현했고, 이 제품을 통해 AI·HPC 시대에 필수적인 3차원 스택 기술을 선보일 수 있었다. 이후에도 삼성전자는 고객과 밀접히 협업하여 AI·HPC 생태계를 견인하고 있다. 또 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 확대해 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖추어 나갈 방침이다. 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다. 삼성전자 관계자는 “지난해 반도체 경기 불황에서 연간 53조여원을 시설투자에 쏟아붓는 등 혁신과 연구개발을 이어왔다”면서 “지난 40여 년간 끊임없는 변화와 혁신의 초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것”이라고 강조했다.

미국 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아 ‘훈풍’에 올라탄 SK하이닉스가 27일 유가증권시장에서 18만 1200원에 거래를 마치며 최고가 기록을 새로 썼다. 기존 최고가는 전날 장중 기록한 17만 9500원이다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 이날 경기 이천 본사에서 열린 정기 주주총회에서 “다시 다운턴(불황)이 찾아오더라도 안정적인 사업 운영이 가능한 체제를 구축할 것”이라며 강한 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스의 주가 고공비행과 곽 사장의 자신감 배경에는 AI 개발 경쟁에 필수인 고대역폭메모리(HBM)가 있다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, SK하이닉스가 삼성전자보다 먼저 개발에 뛰어들어 시장을 선점하고 있다. 특히 AI 반도체 시장의 80% 이상을 점유하고 있는 엔비디아에 HBM을 독점 공급하면서 SK하이닉스의 든든한 캐시카우(현금창출원)로 자리매김하고 있다. 곽 사장은 “올해는 전체 D램 판매량 중 HBM 판매 비트(bit) 수가 두 자릿수 퍼센트로 올라와 수익성에 도움이 될 것”이라면서 “AI 선두 기업으로 1등 경쟁력을 유지할 것”이라고 강조했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM 시장은 2022년 말 기준 SK하이닉스가 점유율 50%로 1위이고 삼성전자가 40%, 나머지 10%를 미국 마이크론이 점유하고 있는 것으로 집계됐다. 곽 사장은 이어 “작년에 극심한 부진을 겪은 D램 가격도 작년 4분기를 기점으로 턴어라운드(반등)를 시작해 전반적으로 수익성 개선이 기대된다”고 덧붙였다. SK하이닉스가 미국 인디애나주에 40억 달러(약 5조 3000억원)를 투자해 반도체 패키징 공장을 짓는다는 외신 보도와 관련해서는 “(미국 내 여러 곳을 대상으로) 검토 중이나 확정되지 않았다. 확정되면 말씀드리겠다”며 말을 아꼈다. 또 최근 국내 기업인 중 유일하게 중국발전포럼에 다녀온 배경으로는 “중국 정책 및 경영환경의 변화 점검과 우리 사업에 반영할 만한 점이 있는지 보려 했다”고 설명했다. 한편 신한투자증권은 SK하이닉스의 올해 1분기 영업이익이 시장 전망치를 크게 웃돌 것이라며 목표주가를 기존 16만원에서 22만원으로 상향했다. 1분기 매출과 영업이익은 각각 11조 7000억원, 1조 7000억원 규모가 될 것으로 내다봤다.

‘젠슨 승인(JENSEN APPROVED).’ 인공지능(AI) 반도체 ‘큰 손’인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자가 개발한 5세대 고대역폭메모리 ‘HBM3E’(12단 적층)에 친필 사인을 남겼다. 황 CEO가 승인한다는 게 어떤 의미인지는 알려지지 않았지만 삼성의 HBM 기술력에 대한 기대감을 드러낸 것만은 분명해 보인다. 21일 업계에 따르면 황 CEO는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 전시된 제품을 직접 살펴본 것으로 알려졌다. 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄 부사장은 자신의 소셜미디어(SNS)에 황 CEO가 부스에 전시된 HBM3E 제품에 사인을 남긴 사진을 올렸다. 한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다”면서 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 했다. 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다.황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 ‘삼성의 HBM을 사용하고 있나’라는 질문에 “아직 사용하고 있지 않다”면서도 “현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다”고 언급했다. 그러면서 “HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술이며, 기술적인 기적과도 같다”며 삼성전자와 SK하이닉스를 치켜세웠다. 황 CEO가 삼성전자 제품을 직접 살펴보면서 양사간 파트너십 강화에 대한 기대감도 커지고 있다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날 주주총회에서 “12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것”이라고 밝혔다.삼성전자는 AI 반도체 시장에서 주도권을 되찾기 위해 AI 가속기 ‘마하1’을 개발 중인 사실도 밝혔다. 경 사장은 “메모리 처리량을 8분의 1로 줄이고, 8배의 파워 효율을 갖게 하는 것을 목표로 현재 개발 중인 마하1 인퍼런스(추론) 칩은 그 혁신의 시작이 될 것”이라면서 “저전력(LP) 메모리로도 대규모언어모델(LLM)의 추론이 가능하도록 준비하고 있다”고 말했다. 이어 “올해 말 칩을 만들고 내년 초에는 칩으로 구성된 시스템을 볼 수 있을 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 신제품인 HBM3E D램을 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 미 반도체 기업인 엔비디아의 차세대 인공지능(AI)칩 ‘블랙웰’ 공개에 발맞춘 행보로 보인다. 19일 SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 메모리 업체 중 가장 먼저 양산해 이달 말부터 납품을 시작한다고 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다. 고객사를 따로 밝히진 않았지만 세계 최대 반도체 회사인 엔비디아에 해당 제품을 공급할 전망이다.SK하이닉스에 따르면 HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다. 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리하며 이는 풀고화질(FHD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다”면서 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 이어 가겠다”고 강조했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 앞서 세계 D램 3위 업체인 마이크론 테크놀로지가 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 HBM3E 양산을 시작했다고 발표했으나 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 처음인 것으로 알려졌다. 한편 HBM 시장은 현재까지 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%로 추정된다. 올해 HBM3E 시장이 열리면서 경쟁이 치열해질 전망이다.

1월 경상수지가 30억원 흑자를 기록하며 9개월 연속 흑자를 이어갔다. 반도체와 승용차 수출 호조에 힘입어 상품수지는 10개월 연속 흑자를 기록했다. 8일 한국은행의 국제수지 잠정 통계에 따르면 지난 1월 경상수지는 30억 5000만 달러(4조 519억원) 흑자로 집계됐다. 지난 5월 이후 9개월째 흑자다. 다만 흑자 규모는 전월(74억 1000만 달러)보다 줄었다. 송재창 한은 금융통계부장은 “연말 연초 계절적 요인으로 1월 경상수지 흑자 폭이 전월보다 축소됐다”면서도 “2월 무역수지 흑자 규모가 증가한 것을 고려하면 2월 경상수지 흑자 폭은 늘어날 것”이라고 내다봤다. 항목별로는 상품수지가 42억 4000만 달러 흑자를 기록해 전월(80억 4000만 달러)보다 흑자 폭은 줄었다. 그럼에도 지난해 4월 이후 10개월 연속 흑자를 이어갔다. 수출은 552억 2000만 달러로 지난해 10월에 전년 동기 대비 반등 전환한 뒤 4개월째 증가세를 이어갔다. 수출 품목 중에서는 반도체(+52.8%)와 승용차(+24.8%), 기계류·정밀기기(+16.9%), 석유제품(+12.0%) 등의 증가세가 뚜렷했으며 지역별로는 미국(+27.1%), 동남아(+24.4%), 중국(+16.0%) 등으로의 수출이 늘었다. 반도체는 서버용 고성능 메모리 반도체를 중심으로 수요 회복이 본격화됐고, 국가별로는 중국에서의 수요가 늘고 있다고 한은은 설명했다. 수입은 509억 8000만 달러로 전년 동월 대비 8.1% 줄었다. 에너지 가격이 하락하면서 원자재 수입이 전년 동월 대비 11.3% 감소했다. 또 내수 부진의 영향으로 자본재 수입(-3.8%)과 소비재(-4.2%) 수입이 줄었다. 해외여행 증가에 따라 여행수지가 14억 7000만 달러 적자를 기록하는 등 서비스수지는 26억 6000만 달러 적자를 냈다. 본원소득수지는 16억 2000만 달러 흑자로 전월(24억 6000만 달러 흑자) 및 전년 동기(66억 7000만 달러 흑자)보다 적었다. 국내 기업의 해외 자회사 배당 수입이 줄면서 배당소득수지 흑자 폭이 전월 대비 9억 달러 줄어든 영향이다.

업계 최대 용량 36GB 구현 성공8단 쌓은 ‘선두’ SK하이닉스 추격D램 점유율 46%… 7년 만에 최고마이크론, 엔비디아용 HBM 양산새달 삼성과 ‘36GB 용량’ 맞붙어 인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM)를 놓고 메모리 반도체 업체간 경쟁이 본격화됐다. 선두 SK하이닉스를 추격 중인 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단으로 쌓은 ‘5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공하면서 반전 계기를 맞았다. 미국 마이크론도 엔비디아용 5세대 HBM 양산을 시작하고 HBM 시장을 사실상 양분하고 있는 국내 업체에 도전장을 냈다. 27일 업계에 따르면 삼성전자가 이번에 개발한 36기가바이트(GB) 5세대 HBM은 업계 최대 용량이다. 3GB 용량인 24기가비트(Gb) D램을 12단으로 쌓아 올려 8단까지 쌓은 경쟁업체 제품(24GB)과 차별화를 한 것이다. 수천개의 미세 구멍을 뚫은 D램을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술(TSV·실리콘 관통 전극)을 활용했다고 한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 메모리다. 삼성전자가 고용량 HBM 시장을 주목한 건 AI 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증하고 있기 때문이다. 회사 측은 “성능과 용량이 이전 제품인 4세대 HBM(HBM3 8단) 대비 50% 이상 개선됐다”면서 “이 제품을 사용하면 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 비용을 절감할 수 있다”고 했다. 삼성전자는 6세대 HBM도 2026년 양산을 목표로 준비 중이다. 6세대에서는 16단까지 용량이 커질 것으로 보고, 칩과 칩 사이의 ‘갭’을 완전히 없애는 신공정도 개발하고 있다. 삼성전자의 HBM 매출이 늘면서 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%(옴디아 기준)를 기록했다. 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다. 다만 HBM 시장만 놓고 보면 SK하이닉스가 앞서가고 있다는 평가를 받는다. SK하이닉스는 AI 반도체의 핵심인 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 지난달 8단으로 쌓은 5세대 HBM도 초기 양산을 시작했다. 내부 인증을 마친 HBM 제품을 고객사에 보냈고, 고객사 인증 절차가 마무리되는 대로 본격 양산에 돌입할 계획이다. 12단 제품도 국제 표준 규격(JEDEC)에 맞춰 개발 중이다. 국내 업체에 비해 HBM 시장 점유율이 상대적으로 미미한 마이크론도 반격에 나섰다. 마이크론은 26일(현지시간) 2분기 출시 예정인 엔비디아의 ‘H200’ GPU에 탑재될 5세대 HBM(24GB 8단) 양산을 시작한다고 공식 발표했다. H200은 엔비디아의 주력 제품인 ‘H100’을 대체할 차세대 제품이다. 마이크론도 다음달 36GB 12단 5세대 HBM의 샘플 제품을 내놓고 고용량 시장에서 삼성전자와 맞붙는다. HBM 생산 능력과 함께 얼마나 효율적으로 생산할 수 있느냐에 따라 HBM 시장의 판도도 바뀔 것으로 보인다.

삼성전자가 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등 지속 성장을 위한 기반을 강화하고 있다. 21일 삼성전자에 따르면 지난해 삼성전자의 연간 시설투자는 약 53조 1000억원으로 이전 해와 같은 수준이다. 메모리의 경우 지난해 4분기에 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 HBM·DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대를 위한 투자를 지속해 왔다. 파운드리는 EUV를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자로 지난해보다 연간 투자액을 늘렸다. 또한 지난해 4분기 연구개발 투자를 지속하며 분기 최대 7조 5500억원의 연구개발비를 기록했다. 한편 삼성전자는 반도체 사업에서 고성능·첨단공정 제품 판매 및 다양한 응용처의 신규 수주를 지속적으로 확대한다는 계획이다. 메모리는 업계 최고 수준의 생산능력을 기반으로 HBM3, HBM3E 비중을 늘려 고성능·고대역폭 수요에 적극 대응한다. 시스템LSI는 플래그십 제품 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외 사업영역을 넓혀 견고한 사업구조를 갖출 예정이다. 파운드리는 GAA 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 강화하고 고성능컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로 수주를 확대한다. 특히 AI 시대에 최적화한 차세대 메모리 솔루션 개발을 이어간다. 삼성전자는 세트 사업에서 플래그십 중심으로 스마트폰 판매를 확대하고 초대형 TV 시장을 선도해 프리미엄 중심으로 경쟁력을 강화한다는 방침이다. 또 AI 기술 적용을 확대하고 스마트싱스를 통한 고객 맞춤형 초연결 경험을 제공하는 한편, 제너레이티브(Generative) AI, 디지털 헬스(Digital Health), XR 등 미래 성장 분야에서 기반 기술 확보를 위한 선행 R&D 및 투자도 강화할 계획이다. MX는 새롭게 론칭한 갤럭시 AI 탑재 스마트폰, 갤럭시 S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점한다. 또한 폴더블 시장의 글로벌 리더로서 격차를 벌리면서 고객의 실사용 경험을 지속적으로 개선해 폼팩터에 최적화된 갤럭시 AI 경험으로 사용성을 극대화할 방침이다. 나아가 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 모바일 AI의 글로벌 스탠다드로 자리 잡을 수 있도록 할 계획이다. VD는 프리미엄, 라이프스타일 중심으로 제품 혁신을 초고화질·초대형 TV 시장을 이끌어 나간다는 계획이다. 생활가전은 스마트싱스를 기반으로 가전과 기기 간 연동 경험을 고도화한다. 하만은 차량 내 고객 경험을 강화해 전장 디스플레이 등 신규 분야 사업 수주를 확대하고 홈오디오 등 고성장 제품 대응을 강화한다. 또 하만·삼성전자 간 협업을 확대할 계획이다.

삼성전자가 일본의 대표 인공지능(AI) 업체로부터 2나노(㎚·10억분의 1m) 반도체 생산을 수주했다. 첨단 초미세공정 기술을 놓고 대만 TSMC와 경쟁을 펼치는 삼성전자의 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 탄력을 받을 전망이다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 일본 AI 스타트업 프리퍼드네트웍스(PFN)로부터 AI 가속기를 비롯한 2나노 공정 기반 AI 반도체를 수주한 것으로 알려졌다. 2014년 설립된 PFN은 AI 딥러닝(심층학습) 개발 분야에서 전문성을 인정받는 업체로 도요타, NTT, 화낙(Fanuc) 등 주요 기업으로부터 대규모 투자를 유치했다. 앞서 삼성전자는 지난달 실적 발표 콘퍼런스콜을 통해 “최근 HBM(고대역폭메모리), 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기 과제를 수주했다”고 밝혔다. 삼성전자가 메모리와 파운드리 사업을 함께 하고 있는 것도 PFN의 선택을 받은 배경으로 꼽힌다. 삼성전자는 “고객사 관련 내용을 확인할 수 없다”고 밝혔다. 삼성전자는 올해 2나노 공정 개발에 집중하며 AI 가속기 등 성장세가 가파른 응용처 수주를 늘려간다는 계획이다.한편 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장)은 소셜미디어(SNS)에 “HBM3E 샤인볼트와 같은 제품은 생성형 AI 애플리케이션의 속도와 효율성을 크게 향상시킬 준비가 돼 있다”고 밝혔다. 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 HBM3E D램 샤인볼트를 통해 HBM 시장의 주도권을 가져오겠다는 의지를 드러낸 것으로 풀이된다. 현재 HBM 시장에선 SK하이닉스가 한발 앞서 있다는 평가를 받는다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다.

지난해 글로벌 반도체 시장이 메모리의 깊은 불황 속에 중국 견제에 나선 미국의 공급망 재편을 중심으로 움직였다면, 올해는 인공지능(AI) 반도체부터 파운드리(위탁생산), 핵심 장비 산업에 이르기까지 기업별로 연합 전선 구축에 나서는 모양새다. 각 영역에서 점유율 1위를 달리는 기업들은 시장 지배력 확장을 위해, 후발 주자들은 격차를 줄이기 위해 상호 시너지를 극대화할 파트너 모시기에 열을 올리고 있다. 최근 반도체 시장에서 특히 눈에 띄는 변화는 대한민국의 경쟁국인 대만과 일본의 협력 강화다. 대만은 파운드리 시장 점유율에서 압도적인 1위인 TSMC(57.9%)가 적극적인 보조금 지원을 약속한 일본 정부에 호응해 현지 공장 신·증설을 확대하고 있다.10일 업계에 따르면 일본 구마모토현에 총 11조 2000억원을 들여 신설 중인 1공장에 이어 최근 이곳에 2공장 건설도 공식화했다. 12~28나노미터(1nm·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 제품을 생산할 1공장은 일본 소니그룹과 세계 2위 자동차 부품 기업 덴소가 합작사 형태로 참여했고, 일본 정부는 1공장 신설 비용의 41%에 해당하는 4조 5600억원을 보조금으로 지원했다. 일본 정부는 자국에서 10년 이상 반도체 공장을 운영하고, 글로벌 시장에서 반도체 제품이 부족할 경우 일본에 우선 공급하는 조건으로 보조금을 지급하고 있다. 구마모토 1공장은 올해 10월 초도 물량 양산을 목표로 마무리 공정이 진행 중이다. TSMC는 1공장 투자에 그치지 않고 올해 말 구마모토 2공장 건설을 시작하기로 했다. 2027년 말 가동을 목표로 하며 6~7나노 첨단 반도체 생산을 주력으로 한다. 1공장이 현재 활발히 사용되는 ‘레거시 제품’ 공급을 담당하고 2공장이 첨단 반도체를 공급하는 형식이다. 1·2공장을 합산한 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 10만장에 달할 전망이다. 공정은 HPC(고성능컴퓨팅), 산업 및 소비자용 칩, 차량용 반도체 등 산업 전반에 필요한 제품을 생산한다. TSMC는 “구마모토 1·2공장의 총 투자 규모는 일본 정부의 강력한 지원으로 200억 달러(약 26조 6700억원)를 초과할 것”이라며 “생산능력 계획은 고객 요구에 따라 추가로 조정될 수 있다”고 밝혔다. 구마모토현이 속한 규슈 지역에서는 향후 10년간 반도체와 관련해 180조원 규모의 경제효과가 발생할 것으로 기대하고 있다. TSMC가 반도체 생산 거점으로 집중 투자하고 있는 구마모토현의 경제효과는 10조 5360억엔(약 94조원)으로 구마모토현 10년간 예산보다 많을 것으로 추산된다. 니혼게이자이신문(닛케이)은 TSMC의 현지 투자와 관련해 “일본과 대만이 협력을 심화해 경제 안보를 강화한다”라면서 “일본, 미국, 유럽은 중국에 대항한 반도체 공급망 재구축을 추진하고 있다”고 보도했다. 국영 반도체 기업 ‘라피더스’를 앞세워 글로벌 반도체 시장을 장악했던 1980년대의 영광 재현에 나선 일본은 여전히 세계 최고 수준의 경쟁력을 보우한 반도체 소부장(소재·부품·장비) 시장에서도 공격적인 행보를 보이고 있다. 소부장 분야에서는 카메라와 프린터 등 앞선 광학 기술력을 갖춘 캐논이 노광장비 시장을 사실상 독점하고 있는 네덜란드 ASML에 도전장을 내밀었다.노광장비는 반도체 제조 공정 중 핵심 단계인 ‘포토 공정’에 쓰이는 장비로, 반도체 원판인 웨이퍼 위에 나노미터 단위의 미세 회로를 빛으로 새겨 그리는 데 쓰인다. 첨단반도체의 기준이 되는 7나노 공정부터는 극자외선(EUV) 노광장비가 필요한데 ASML이 글로벌 공급의 91%를 점유하고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스, 인텔과 같은 종합 반도체 기업 입장에서는 ASML의 EUV 장비 확보가 제품 생산성과 매출 증대에 직결되기 때문에 ASML은 장비를 납품하는 협력사임에도 막강한 영향력 덕에 ‘슈퍼 을’로 불릴 정도다. 캐논은 ASML의 방식과는 달리 반도체 설계도를 웨이퍼에 각인하는 방식의 ‘나노 임프린트 리소그래피’ 기술을 개발해 상용화를 앞두고 있다. 구체적인 가격은 알려지지 않았지만, 캐논은 1대 당 1억 5000만 달러가 넘는 ASML의 장비에 비해 매우 낮은 가격에, 전력 효율은 90% 높은 장비를 시장에 공급한다는 계획이다. 타케이시 히로아키 캐논 총괄 책임은 “이 기술은 최첨단 반도체를 간단하고 저렴한 비용으로 만들 수 있는 매우 독특한 기술”이라고 강조했다. 2022년 11월 생성형 AI ‘챗 GPT’를 세상에 내놓으면 산업계 전반에 생성형 AI 개발 경쟁에 불을 붙인 개발사 오픈AI는 새롭게 문이 열린 AI반도체 시장에서 ‘일인자’ 엔비디아에 대항하기 위해 연합전선을 구축하고 있다. AI 반도체 시장은 엔비디아가 80%가 넘는 점유율로 지배하고 있다. 올해 거대언어모델(LLM) GPT-4의 업그레이드 버전 공개를 추진하고 있는 오픈AI는 이를 위해 고가의 AI 반도체가 대량으로 필요한 상황이다. 엔비디아의 공급에만 의존하기에는 공급 부족 현상이 심화하고 있어 최근 샘 올트먼 최고경영자(CEO)가 직접 협력 파트너 확보에 나섰다.우선 안정적인 자금 조달을 위해 중동의 ‘큰 손’ 들과 협의하고 있으며, 삼성전자와 SK하이닉스, TSMC 등과는 AI칩 공동 개발과 공급망 구축 방안 등을 논의한 것으로 알려졌다. 앞서 올트먼 CEO는 지난달 25일 방한해 그 이튿날 삼성전자의 반도체 사업을 총괄하는 경계현 DS부문장(사장)과 곽노정 SK하이닉스 사장, 최태원 SK그룹 회장까지 연쇄 미팅을 가지며 오픈AI와 협력 방안을 논의했다. 반도체 업계 관계자는 “우리 입장에서 보면 작년은 사업적으로는 메모리가 얼어붙었고, 사업 외적으로는 미국의 ‘룰 세팅’에 따른 지정학적 변수 예측 및 대응 방안 마련의 해였다”라면서 “올해는 메모리도 반등을 시작했고, AI 반도체라는 새로운 시장 공략이 필수 과제로 떠오르면서 기업의 기술 투자와 주요 기업 간 협업이 더욱 활발해질 것으로 보인다”라고 말했다.

SK하이닉스가 메모리반도체 업황 반등에 힘입어 마침내 흑자전환에 성공했다. 삼성전자가 반도체부문 적자폭을 줄인 데 이어 SK하이닉스가 5분기 만에 흑자로 돌아서면서 ‘반도체의 봄’도 앞당겨지는 분위기다. 인공지능(AI) 시장 확산과 맞물려 국내 반도체 업체들이 본격적인 수익 국면에 진입할 것이란 관측이 나오지만 글로벌 반도체 주도권 싸움도 한층 격화돼 기술 경쟁은 더 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 지난해 4분기 3460억원(잠정)의 영업이익을 기록했다고 25일 발표했다. 2022년 4분기부터 지속된 적자 행진을 끊어 내고 시장 전망치를 웃도는 ‘서프라이즈 실적’을 낸 것은 서버·PC용 D램 DDR5와 AI 반도체에 필수적으로 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 제품의 매출이 크게 늘어난 덕분이다. 4분기 매출은 11조 3055억원, 순손실은 1조 3795억원을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일에 들어가는 제품 수요가 늘고 평균판매단가가 상승했다”고 흑자 전환 배경을 밝혔다. SK하이닉스는 또 지난해 4분기부터 4개 분기 누적 적자만 10조원에 달하는 ‘다운턴’(하강 국면)을 버티며 위기 극복에 동참한 직원에게는 감사의 표시로 자사주 15주와 격려금 200만원을 지급하기로 했다. 이와 별도로 생산성격려금(PI)으로 기본급의 50%도 26일 지급한다. 이 중 자사주 지급은 최근 경영진이 3년 내 기업 가치를 200조원으로 끌어올리겠다고 밝힌 것과 같은 맥락이라고 회사는 밝혔다. 현재 SK하이닉스 시가총액은 약 100조원(25일 종가 13만 7400원 기준)이다. 지난해 10월 초 11만원대에서 실적 상승 기대감으로 최근 14만원대까지 올랐다. 오는 31일 부문별 실적을 발표하는 삼성전자에도 관심이 쏠린다. 삼성전자 반도체(DS)부문은 메모리, 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템반도체(LSI) 수요 회복 속도가 각각 달라 실적 부진이 이어지고 있지만 메모리 쪽이 살아나면서 지난해 4분기 적자 규모는 1조원대 초중반(추정)을 기록할 것으로 전망된다. 올해부터는 실적 개선 흐름이 뚜렷해질 것으로 보인다. 정보기술(IT) 수요 회복과 AI 시장 확대, 감산에 따른 메모리 가격 상승 가능성도 기대감을 키우는 요인이다. 대만 시장조사업체 트렌드포스는 1분기 D램 고정 가격이 직전 분기 대비 13~18%, 낸드는 18~23% 상승할 것으로 전망했다. 2분기에는 D램과 낸드 모두 전 분기보다 3~8% 오를 것으로 예측됐다. SK하이닉스는 이날 실적 발표 콘퍼런스콜에서 HBM 수요가 연평균 60% 수준으로 성장하고, ‘온디바이스 AI’(클라우드를 거치지 않고 기기 내부에서 AI 구동)를 갖춘 AI PC와 스마트폰이 메모리반도체 수요를 이끌 것으로 전망했다. 그러면서 “올해 수요 회복과 함께 감산 규모가 점진적으로 조정될 것”이라며 “D램은 상반기, 낸드는 하반기 중에 (재고가) 정상 수준에 도달할 것으로 예상된다”고 밝혔다. AI 기술이 하드웨어와 본격 결합하면서 AI 반도체 수요도 크게 늘어날 것으로 보인다. 전문가들도 새롭게 열리는 이 시장에서 경쟁력을 확보하려면 반도체 설계 역량부터 키워야 한다고 강조한다. 이날 한국을 찾은 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO)는 경계현 삼성전자 DS부문 사장, 곽노정 SK하이닉스 사장을 비롯해 AI 반도체 설계 업체(팹리스) 리벨리온, 퓨리오사AI, 사피온 측과 만날 것으로 알려졌다. 국내 업체들의 반도체 설계 역량을 확인하려는 취지로 풀이된다. 올트먼 CEO는 삼성전자 평택 반도체 공장 등을 둘러보고 메모리 기술력이 뛰어난 삼성, SK하이닉스 측과의 협력 가능성을 타진할 것으로 보인다. 김용석 성균관대 반도체융합공학과 교수는 “정부는 실증 사업을 통해 기업의 서버용 AI 반도체 상용화를 지원해야 한다”면서 “기업은 시스템 아키텍처(구조설계) 인력 육성에 힘을 쏟아야 AI 반도체 경쟁력을 확보할 수 있을 것”이라고 말했다.

지난해 사상 최악의 혹한기를 보냈던 반도체 업계가 ‘생성형 인공지능(AI) 시대’를 맞아 다시 호황을 바라보게 됐다. 특히 올해부터 본격화될 ‘온디바이스 AI’ 시장 경쟁이 메모리 반도체 수요를 크게 확대할 전망이다. 삼성전자가 생성형 AI를 활용한 기능을 처음 탑재한 ‘갤럭시S24’ 시리즈를 공개할 예정인 가운데, 애플도 오는 9월 ‘아이폰16’에 생성형 AI를 적용할 것으로 추정된다. 업계는 AI 스마트폰 시장이 메모리 반도체 분야에 새로운 수요를 창출할 것으로 기대하고 있다. 특히 AI 기능을 기기에 탑재하는 온디바이스 AI 분야는 스마트폰뿐만 아니라 향후 PC, 가전, 자동차, 보안, 헬스케어 등 다양한 분야로 확산할 것으로 전망된다. 이에 따라 각 기기에 적합한 맞춤형 AI 칩 수요도 급증할 것으로 예상된다. 서버 대신 기기 자체에 AI 모델을 탑재하는 온디바이스 AI의 특성상 데이터를 저장하기 위한 고용량·고성능 낸드가 필수적인 만큼 그간 부진했던 낸드 수요도 늘어날 전망이다. 차세대 D램 기술로 떠오르는 ‘컴퓨트 익스프레스 링크’(CXL) 시장도 커질 것으로 관측된다. CXL은 AI, 머신러닝, 빅데이터 등 고성능 연산이 필요한 경우 다른 기종의 제품을 효율적으로 연결할 수 있는 차세대 D램 연결 기술이다. 시장조사업체 욜 인텔리전스에 따르면 글로벌 CXL 시장은 2028년 150억 달러(약 20조원)에 달할 것으로 전망된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL 상용화를 앞당기고 시장을 선점하기 위해 기술 개발에 나서고 있다. SK하이닉스는 AI 반도체 성능을 좌우하는 ‘고대역폭메모리’(HBM) 반도체 시장에서 차세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산할 예정이다. HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 8월 개발에 성공한 현존 최고 성능의 메모리다. SK하이닉스는 상반기부터 이를 양산해 AI 빅테크 고객에게 공급한다는 계획이다. HBM 시장은 SK하이닉스와 삼성전자가 양분하고 있다. 전체 시장 규모는 올해 약 2배 이상 성장할 것이란 전망이 나온다.