하드디스크 속도의 한계를 보완하기 위해 등장한 ‘SSD(Solid State Drive)’. SSD의 용도나 외관, 설치 방법 등은 하드디스크와 별반 다를 것이 없지만 내부에서 그 차이를 보인다. SSD는 하드디스크와 달리 반도체 메모리를 내장하고 있어 하드디스크보다 빠르게 데이터를 읽거나 써내려갈 수 있다. 또한 물리적으로 움직이는 부품이 없기 때문에 작동 소음이 없어 전력소모가 적고 이러한 특징으로 인해 배터리를 보다 오래 사용할 수 있다는 장점이 있다. 지난 21일, 리뷰안테크㈜(대표 안현철, www.myssd.com)가 리뷰안850X 시리즈를 출시했다고 밝혔다. 리뷰안테크 측은 이 제품의 장점으로 가격대비 좋은 성능과 6년이라는 넉넉한 A/S 기간, 당사의 SSD기술지원센터를 통한 SSD설치 무료 서비스를 꼽고 있다. 무엇보다 SSD 성능 테스트를 위해 제작된 프로그램으로 널리 사용되고 있는 벤치마크 프로그램 ‘AS SSD Benchmark’를 통해 밝혀진 리뷰안850X의 SSD 성능을 눈여겨볼 만하다. 관계자에 따르면 리뷰안850X의 SSD 성능은 Ultra모델을 기준으로 한 AS SSD Benchmark에서 1,127점을 기록했다. 이는 최고로 알려져 있는 기존 제품의 점수 1,130에 가까운 점수로 가격대비 탁월한 성능이라 할 수 있다는 것. 리뷰안테크의 일반모델인 850X1 128GB 제품 역시 동일한 테스트에서 1,010점이라는 높은 점수를 받으며 시중의 저용량제품 가운데 돋보이는 성능을 자랑했다. 여타의 저가 128GB 제품들의 쓰기속도가 평균 150MB/s 내외인 것에 반해 리뷰안850X는 최소 300MB/s의 속도를 보인다. 따라서 S-ATA2 노트북에서도 128GB제품으로 제 성능을 발현할 수 있다는 것이 업체 측 설명이다. 리뷰안테크 측은 “리뷰안850X의 고성능은 낸드플래시 컨트롤러 시장점유율 세계 1위인 SMI의 최신 SSD 컨트롤러 SM2246과 SSD용으로 개발된 인텔의 NAND Flash 메모리 덕분”이라며 “이것이 바로 NAND Flash만을 쓰는 다른 SSD나 인텔SSD에 비해 리뷰안850X의 성능이 높을 수 있는 차이점이며 이러한 안정성과 품질에 대한 자신감으로 6년간의 A/S 기간도 보장할 수 있는 것”이라고 설명했다. 한편 리뷰안850X는 일반SSD로 불리는 2.5인치 외에 소형 mSATA와 NGFF M.2로도 출시된다. mSATA는 mini S-ATA의 줄임말로 일반 2.5인치보다 훨씬 작아 노트북 등에 많이 사용된다. 리뷰안테크 관계자는 “이전에 출시한 mSATA850의 성능과 품질로 줄곧 노트북 SSD 시장 국내 1위를 차지했었는데 한층 업그레이드 된 리뷰안850X로 mSATA 분야 1위로 더욱 확고히 자리매김 하겠다”고 포부를 밝혔다. 리뷰안테크는 ‘SSD교환 업그레이드 이벤트’를 실시한다. 타사의 SSD와 성능을 비교해 사용후기나 상품평을 남기면 리뷰안850X로의 무상교환 및 SSD 업그레이드 기회가 제공된다. 이벤트는 11번가에서 진행되며 이벤트나 리뷰안850X 구입에 대한 문의는 공식총판인 라온IT(1661-2084)로 문의하면 된다. 온라인뉴스부 iseoul@seoul.co.kr

SK하이닉스는 2분기 매출액 3조 9330억원, 영업이익 1조 1140억원으로 사상 최대 매출과 영업이익을 기록했다고 25일 밝혔다. 매출액은 전분기보다 41%, 작년 동기 대비 49% 늘었다. 영업이익은 전분기보다 251% 급증했으며, 50억원대에 그쳤던 지난해 2분기에 비해서는 200배 이상 늘었다. 이는 금융시장 전문가들의 평균 예상치인 매출액 3조 6300억원, 영업이익 9750억원을 크게 웃도는 것이다. 금융비용과 법인세 비용 등을 반영한 순이익은 9470억원을 기록했다. 이 같은 실적 성장은 모바일용 반도체 중심으로 모든 고부가가치 제품의 수요가 증가하는 등 우호적인 환경이 조성된 데다, 미세공정 전환과 수율 개선을 바탕으로 수익성이 개선된 결과라고 SK하이닉스는 설명했다. 2분기 D램은 출하량이 전 분기보다 20% 증가했으며, 평균 판매가격은 16% 상승했다. 스마트폰 보급 확대에 따른 모바일 D램 수요 증가와 데이터센터 확장에 따른 서버 D램 수요 증가에 힘입어 D램 출하량이 기대 이상으로 늘어났으며, PC용 D램 가격이 크게 오르고 기타 고부가가치 제품 가격도 안정세를 보였다는 설명이다. 낸드플래시는 모바일 기기용 멀티미디어카드(eMMC)와 멀티칩패키지(MCP) 제품 수요 강세와 수급균형에 따라 출하량은 전 분기 대비 29% 늘었으며, 평균판매가격은 5% 올랐다. SK하이닉스는 하반기도 보급형 스마트폰의 성장과 기기당 채용량 증가가 예상되는 모바일 D램과 데이터센터용 서버 D램 수요가 꾸준히 증가하고, 낸드플래시는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 확산과 신규 모바일 기기 출시로 수요가 확대될 것으로 전망했다. 하지만 공급업체들이 생산량 확대보다는 미세공정 전환에 주력하면서 D램과 낸드플래시의 공급 증가는 제한적일 것으로 예상했다. 이에 대응해 SK하이닉스는 3분기 20나노급 D램 제품 비중을 50% 이상으로 확대하고, 낸드플래시 생산 라인의 효율성을 높여 원가경쟁력을 배가시킨다는 전략이다. 또 고성능의 저전력 특성이 요구되는 모바일 D램에서는 하반기부터 LPDDR3 제품 비중을 더욱 확대하고, 자체 컨트롤러를 탑재한 SSD를 3분기에 출시해 낸드플래시 시장의 성장동력인 SSD 사업 경쟁력도 강화할 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “지난해 SK그룹 일원으로 새롭게 출범한 이후 적기 투자와 기술개발로 사업역량을 강화한 결과 최근 메모리 시황 개선에 맞물려 사상 최고의 분기 매출과 영업이익을 기록할 수 있었다”고 전했다. 이어 “다양한 수요 변화에 탄력적으로 대응하면서 운영 효율성을 극대화하는 등 ‘수익성 중심 경영’을 강화해 지속적으로 안정적인 이익을 창출할 수 있는 사업구조를 갖춰나갈 것”이라고 덧붙였다. 온라인뉴스부 iseoul@seoul.co.kr

HD급 고화질 동영상과 고속 데이터 처리가 가능한 고성능 유연 전자소자(트랜지스터) 양산 기술이 세계 최초로 개발돼 ‘휘어지는’ 태블릿PC 등의 생산이 가능해질 전망이다. 한국기계연구원은 26일 나노역학연구실 김재현 박사팀이 지식경제부 산업 원천기술 개발사업을 통해 반도체 소자를 유연성이 뛰어난 폴리머 기판 위에 전사해 고성능의 유연 전자소자를 양산하는 기술 개발에 성공했다고 밝혔다. 이번에 개발된 기술은 롤 스탬프와 박막·롤러 사이의 하중 제어 기술을 이용, 무기물 반도체 트랜지스터 소자를 빠른 속도로 신축성이 높은 고무기판 위에 찍어 ‘휘어지는’ 고성능 트랜지스터를 대량 생산할 수 있는 것이 핵심이다. 즉 휘어지는 반도체나 디스플레이를 만들 수 있는 셈이다. 두께가 800nm(1nm가 성인 머리카락 굵기의 10만분의1) 수준인 이 박막 트랜지스터 소자는 5%의 변형률과 100회 이상의 반복 시험에도 트랜지스터의 전기적인 성능을 그대로 유지했다. 특히 이 기술은 국내 반도체와 디스플레이 생산 인프라를 그대로 활용할 수 있어 초기 투자비용을 획기적으로 절감할 수 있다. 김 박사는 “현재 고성능 유연 전자 시장은 차세대 성장 동력 산업으로 주목받고 있다.”면서 “2021년 442억 달러 규모로 성장해 현재 메모리 반도체 세계 시장에 견줄 수 있는 큰 시장을 형성할 것으로 기대된다.”고 말했다. 이번에 개발된 기술은 롤 스탬프 기반 연속전사 장비기술 관련 15개 특허를 국내외에 출원해 등록된 상태며 일부 특허는 국내 정보기술(IT) 기업인 아이펜에 이전돼 양산용 장비 상용화가 진행 중이다. 한준규 기자 hihi@seoul.co.kr

삼성전자가 지구온난화와 자원고갈 등 환경문제에 대응할 초절전·고성능의 차세대 반도체인 ‘그린메모리’ 신제품과 관련 전략을 공개했다. 삼성전자는 6일 서울 신라호텔에서 ‘그린메모리 솔루션으로의 진화’라는 주제로 열린 최고정보책임자(CIO) 포럼에서 지난달 양산에 들어간 20나노급 4세대 그린메모리 신제품을 선보였다. 공개된 기업 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘480기가바이트(GB) SATA MLC SSD(SM843)’는 서버 시스템에 탑재될 경우 종전 40나노급 D램과 하드디스크드라이브(HDD)로 이뤄진 서버 시스템보다 처리 속도를 6배 높이고 소비전력은 26% 낮출 수 있다. 세계 최초로 양산하고 있는 ‘20나노급(2y나노·중반) 4Gb DDR3 D램’은 4세대 그린메모리 솔루션의 핵심 제품으로 전력 소모를 3세대 대비 7%, 1세대 대비 52%까지 줄일 수 있고, 노트북에 쓰이는 40나노급 DDR3 D램보다 3배 이상 높은 효율성을 자랑한다. 삼성전자는 20나노급 D램 제품을 기업 서버와 모바일 시장에서 PC 시장으로까지 확대해 기존 30·40나노급 D램을 빠르게 대체함으로써 환경보호에도 기여한다는 전략이다. 내년에는 20나노급(2z나노·초반) 차세대 기업용 모듈과 10나노급 고성능 낸드플래시 기반의 대용량 SSD 제품 등의 차세대 그린메모리 제품을 출시할 예정이다. 홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “그린메모리는 PC까지 고객공유가치(CSV)를 제공함으로써 친환경 그린 IT 시장 확대에 기여하게 될 것”이라며 “차별화된 제품과 솔루션을 적기에 개발해 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도해 가겠다.”고 밝혔다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

삼성전자는 지난달부터 세계 최고속도의 64기가바이트(GB) 대용량 내장메모리(eMMC) 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 이 제품은 주로 스마트폰의 내장 메모리로 사용된다. 20나노급 64기가비트(Gb) 토글 DDR 2.0 낸드를 기반으로 하고 국제 반도체표준화기구(JEDEC)의 최신 eMMC 4.5 규격이 적용됐다. 제품명은 ‘64GB eMMC 프로 클래스 1500’이다. 올 하반기에 차세대 고성능 스마트폰과 태블릿PC에 탑재되면 모바일기기에서도 3차원(3D) 입체영상, 풀 고해상도(HD) 영상 등 고사양 콘텐츠를 빠르고 자유롭게 즐길 수 있을 것으로 기대된다. 두께는 1.2㎜에 불과해 초슬림형 모바일기기 설계가 가능하다. 이재형 삼성전자 메모리사업부 상무는 “64GB eMMC Pro 양산으로 더욱 빠른 동작 속도를 구현하는 모바일 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.”고 밝혔다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

삼성전자는 최근 전자산업의 급속한 패러다임 변화에 대응하기 위한 혁신 역량을 확보하기 위해 ▲근원적 차별화를 통한 시장리더십 강화 ▲미래 경쟁우위 역량·체제 확보 ▲리스크경영 체질화 등에 중점을 둔 미래 성장전략을 실천해 가고 있다. 현재 세계 전자시장은 스마트폰·3차원(3D) 입체영상 TV와 스마트TV·태블릿PC 등 스마트 정보기술(IT) 제품들을 중심으로 빠른 성장이 이뤄지고 있다. 이에 삼성전자는 TV와 휴대전화 등 주력사업 부문에서 차별화된 기술과 마케팅 역량을 통해 절대적인 경쟁우위를 확보하겠다는 전략을 펼치고 있다. 생활가전과 디지털이미징 등 육성사업 부문의 경우 지금까지는 사업 일류화를 위한 인프라 구축에 힘썼다면 앞으로는 성과를 가시화하는 데 주력할 계획이다. 기업 간 거래(B2B) 고객 지원 강화를 위해 전문 인력을 육성하고 고객사의 수요에 맞는 최적의 솔루션을 제공할 수 있도록 사업 역량도 강화할 예정이다. 특히 삼성전자는 IT 빅뱅 시대를 대비하기 위해 제품에 소프트웨어·콘텐츠를 연계한 솔루션 역량을 강화하고, ‘헬스케어’ 사업확대를 위한 신규 아이템도 발굴하고 있다. 이러한 근본적인 혁신을 위해서는 무엇보다 창조적이고 개방적인 조직 문화가 중요하다고 보고 글로벌 인재 발굴과 육성에 매진한다는 복안이다. 국적과 문화가 서로 다른 임직원들 간에 원활한 소통이 이뤄지고 다양성이 최대한 존중되는 시스템도 갖춰 나갈 계획이다. 삼성전자는 현재 전 세계 200여개 사업장을 운영하는 글로벌 기업으로서 리스크 관리가 사업 성패를 결정짓는 최대 요인이라고 보고 있다. 각 지역 법인들이 시장·금융 불안 요인들에 대해 선제적으로 대응하도록 해 재무건전성을 높이고 전 임직원들이 준법 경영을 체질화할 수 있도록 만들어 나갈 예정이다. 구체적으로 삼성전자의 핵심 역량 가운데 하나라고 할 수 있는 반도체의 경우 지난해 타이완 타이베이에서 개최한 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼 2010’에서 새로운 모바일 솔루션 전략으로 ‘스마트&그린 플러스’ 전략을 발표했다. 이 전략은 전력을 적게 사용하면서도 높은 성능을 구현할 수 있는 반도체 제품으로 시장 성장을 이끌어 가겠다는 것으로, 2009년 제시했던 ‘스마트&그린 모빌리티’ 전략을 한 단계 더 발전시킨 것이다. 단순한 고성능, 저전력 반도체를 개발하는 데서 한 발 더 나아가 삼성만의 차별화된 솔루션을 통해 미래를 대비하고 새로운 모바일 환경을 주도해 나가겠다는 의지를 나타낸 것이다. 세계 IT 시장은 스마트폰, 태블릿PC 등 불과 4~5년 전만 해도 상상하지 못했던 혁신적인 모바일 환경이 현실화되고 있다. 때문에 고성능, 저전력 반도체 수요가 많이 늘어나고 있어 성능이 더욱 향상되면서도 전력 소모를 크게 낮춘 반도체 솔루션을 통해 미래 모바일 환경을 주도해 나간다는 게 삼성의 생각이다. 이를 위해 회사는 반도체 제조사와 세트업체 간 상생 파트너십을 강화해 급변하는 모바일 환경 변화에 적극적으로 대응한다는 전략이다. 2009년부터 서버 생산 업체와 함께 공동으로 추진하고 있는 ‘그린 메모리 캠페인’을 PC 및 모바일 분야까지 확대하고 있다. 이에 따라 삼성전자는 최근 1기가헤르츠(㎓) 듀얼코어 애플리케이션 프로세서(AP)를 개발하는 등 세계 각국의 에너지 절감 노력과 친환경 정책 추진 등에 맞춰 지속적인 IT 산업의 성장을 가능하게 할 수 있는 최적의 반도체 솔루션을 선보이기도 했다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

하이닉스반도체는 일본 도시바와 핵심 차세대 메모리인 ‘STT-M램’(이하 M램)에 대한 공동 개발 및 합작사 설립을 통한 공동 생산 계약을 체결했다고 13일 밝혔다. M램 공동 개발은 차세대 유망 기술 분야에 대한 세계 반도체 상위 업체 간 협력이라는 점에서 주목된다. M램은 초고속 및 저전력으로 동작할 수 있으며 전력 공급 없이도 데이터를 보관할 수 있어 안정성이 높다. 또 반도체 생산의 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능한 게 특징이다. 세계 반도체 시장 점유율 3위인 도시바는 M램의 기술 및 개발 능력 면에서 뛰어난 경쟁력을 갖춘 것으로 알려졌고, 하이닉스는 업계 최고 수준의 메모리 반도체 기술과 원가 경쟁력을 갖추고 있다. 두 회사는 합작사를 설립해 공동 개발한 M램 제품을 2014년부터 양산할 계획이다. 초기에는 저전력 특성을 기반으로 한 모바일 시장에 진입한 뒤 중·장기적으로 PC 및 서버 시장까지 공략할 방침이다. 권오철 하이닉스 사장은 “M램은 빠른 동작 속도와 낮은 전력 소비, 높은 신뢰성 등의 기존 메모리의 장점을 두루 갖춰 새로운 모바일 기기 수요 확대와 제품의 고성능이 요구되는 ‘메모리 신성장 시대’에 최적화된 제품”이라고 강조했다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr [용어 클릭] ●STT-M램(M램) 기존 D램이 저장된 전자의 유무를 이용해 0과 1의 정보를 구분한다면, M램은 자성 상태에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1을 구분한다. 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하고 내성이 강한 메모리로 평가받는다.

삼성전자가 세계 최초로 드라마 3편을 1초 만에 내려받을 수 있는 차세대 고성능 DDR4 D램을 개발했다고 4일 밝혔다. DDR4 D램은 현재 D램 시장의 주력 제품인 DDR3 D램에 견줘 속도가 2배가량 빠르면서도 동작 전압이 낮아 소비전력을 줄일 수 있는 친환경 D램이다. 특히 1.35V 또는 1.5V로 동작하는 DDR3 D램과 달리 1.2V로 작동하고, 데이터 전송 속도는 2.1Gb㎰(1초에 2.1Gb 전송)로 구현된다. 2.1Gb㎰는 1시간짜리 드라마 3편을 1초에 내려받을 수 있는 속도다. 또한 데이터를 읽고 쓰는 데 소비되는 전력량을 절반으로 줄였다. DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30나노급 1.5V, DDR3 D램에 비해 성능이 두배로 높아지지만 소비전력은 40% 정도 낮출 수 있다. 삼성전자는 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술 표준화를 완료한 뒤 2012년부터 차세대 공정으로 양산할 예정이다. 반도체사업부 메모리담당인 전동수 사장은 “DDR4 D램 기술로 ‘그린메모리’ 제품에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다.”고 말했다. 류지영기자 superryu@seoul.co.kr

하이닉스반도체가 올해 당초 계획보다 7500억원 늘어난 3조원 이상을 투자하기로 했다. 이에 따라 11조원 이상 투자할 계획인 삼성전자와 더불어 ‘반도체 코리아’의 아성이 더욱 굳건해질 전망이다. 하이닉스반도체는 올해 투자 규모를 당초 계획했던 2조 3000억원에서 3조 500억원으로 늘리겠다고 31일 밝혔다. 하이닉스는 “견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리 반도체 시장 환경이 변하고 있다.”면서 “서버와 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것”이라고 설명했다. 하이닉스의 주된 투자 대상은 40나노급 D램의 공정전환. 이를 통해 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50%선으로 확대할 계획이다. 40나노급 D램은 50나노급보다 생산성이 50% 이상 높고 고성능 저전력 제품에 주로 사용된다. 하이닉스의 이같은 공격적인 투자는 최근 삼성전자가 메모리 부문 9조원을 포함해 올해 반도체에만 11조원을 투자하겠다고 발표한 데 대한 ‘대응책’으로 해석된다. 또 반도체 업종 전망이 밝다는 점도 투자 확대를 결정한 요인으로 꼽힌다. 시장조사업체 가트너에 따르면 최근 PC와 스마트폰 시장의 호황으로 올해 D램과 낸드플래시 시장 규모가 전년 대비 각각 43%, 32% 늘어날 것으로 전망된다. PC의 주요 부품인 D램 공급은 주문을 따라가지 못하는 상황이다. 이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr

스마트폰 시장이 빠르게 확대되고 있는 가운데 삼성전자는 6일 세계 최초로 스마트폰용 8Gb(기가비트) ‘원낸드(OneNAND™)’ 제품을 출시하고 이 달부터 양산에 들어간다고 6일 밝혔다.삼성전자가 이번에 출시한 8Gb ‘원낸드’는 30나노급 SLC(Single-Level Cell) 낸드플래시를 기반으로 한 대용량·고성능의 내장 메모리 솔루션이다.낸드플래시를 기반으로 컨트롤러를 포함해 기존 낸드플래시보다 읽기 속도를 대폭 높인 ‘원낸드’는 휴대전화의 운영체제를 저장하고 어플리케이션을 설치하는 내장 메모리로 사용된다.삼성전자는 8Gb ‘원낸드’와 D램을 적층해 기존 ‘원낸드’ 제품과 같은 크기의 MCP(Multi-chip Package)로 만들어 스마트폰 제조업체들이 제품을 개발할 때 쉽게 적용할 수 있도록 했다.이에 따라 스마트폰 제조업체들이 이 제품을 채용할 경우 하나의 칩에 1GB(기가바이트) 용량의 운영체제와 어플리케이션을 설치할 수 있다.특히, 기존 범용 낸드플래시보다 4배 이상 빠른 초당 70MB(메가바이트)의 읽기속도를 구현해 여러 어플리케이션을 동시에 구동하더라도 빠르고 원활하게 사용할 수 있다.최근 고해상도 그래픽 지원이 필요한 다양한 어플리케이션이 늘어나고 있어 스마트폰에 대용량 내장 메모리 채용이 늘어나고 있어 삼성전자는 8Gb ‘원낸드’ 제품을 계획보다 1년 이상 앞당겨 출시했다.삼성전자는 30나노급 공정을 적용해 기존 40나노급 ‘원낸드’ 제품 대비 생산성을 40% 정도 높여 원가 경쟁력도 확보했다는 입장이다.이에 따라 하반기부터 스마트폰용으로 8Gb ‘원낸드’ 칩 2개와 D램을 적층한 MCP 제품도 출시해, 2GB 이상의 대용량 ‘원낸드’ 시장을 더욱 확대시키고, 30나노급 8Gb SLC 낸드플래시도 함께 출시한다는 계획이다. 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 “업계 최초로 30나노급 8Gb ‘원낸드’ 출시로 최고의 솔루션을 확보해 고성능 스마트폰용 내장 메모리 시장을 선점할 수 있게 됐다”며, “앞으로도 차별화된 모바일 기기용 메모리 솔루션을 확대해 모바일 메모리 시장을 지속적으로 확대하고 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.사진=삼성전자서울신문NTN 차정석 기자 cjs@seoulntn.com@import'http://intranet.sharptravel.co.kr/INTRANET_COM/worldcup.css';

삼성전자가 휴대전화에 512Mb(메가비트) P램(Phase-Change RAM)을 탑재시키며 모바일 메모리의 새로운 시대를 열었다.삼성전자는 휴대전화의 운영체제를 저장하는 용도의 512Mb P램 MCP(Multi-Chip Package, 멀티칩패키지)를 양산했다고 28일 밝혔다.P램은 데이터를 저장하는 플래시 메모리의 특성과 빠른 속도로 동작하는 D램의 특성을 모두 갖고 있어, 휴대전화 등 모바일 기기의 운영체제를 저장하는 노어(NOR)플래시 시장을 대체해 나갈 차세대 메모리다.삼성전자는 512Mb P램 MCP가 노어플래시와 같은 동작 모드를 지원하도록 해, 휴대전화 제조사는 P램 전용으로 하드웨어와 소프트웨어를 별도로 개발하지 않고도 기존 노어플래시를 대체해 휴대전화에 탑재할 수 있게 했다.삼성전자가 이번에 양산하는 P램 MCP는 노어플래시 대비 쓰기속도가 3배 빠르며, MMS(멀티미디어 메시지 서비스) 모드, 사진·동영상 촬영 등 휴대전화에서 데이터를 저장하는 시간을 대폭 줄일 수 있다.삼성전자는 P램의 데이터를 기억하는 물질로 Ge(게르마늄), Sb(안티모니), Te(텔루늄) 등이 결합된 신물질을 독자 개발하고, 신개념의 설계 기술을 적용해 데이터 처리 속도를 향상시켰다.삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “모바일 메모리는 올해 가장 중요한 전환기를 맞고 있으며, 다양한 기기에서 P램과 같은 새로운 제품을 탑재하기 시작했다.”고 말했 “모바일 기기에서 40나노급 이하 노어플래시를 대체하는 P램 MCP 솔루션을 출시해 휴대폰 고객들에게 기존 플랫폼을 그대로 활용할 수 있는 기반을 제공했으며, 내년에는 LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)와 차세대 P램 기반의 고성능 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.삼성전자는 이번에 확보된 기술을 바탕으로 1Gb 이상 대용량, 고성능 P램 제품군을 확대해, 휴대전화 뿐 아니라 MP3, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션 등 모바일 기기는 물론 SSD(Solid State Disk), 디지털TV 등 다양한 제품으로 적용을 확대해 P램 시장을 적극적으로 성장시켜 나갈 계획이다.사진=삼성전자서울신문NTN 차정석 기자 cjs@seoulntn.com@import'http://intranet.sharptravel.co.kr/INTRANET_COM/worldcup.css';

삼성전자가 세계 최초로 20나노급 낸드플래시 메모리 반도체 양산에 들어갔다. 삼성전자는 20나노급 공정 32Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시를 지난주 말부터 양산하기 시작했다고 19일 밝혔다. 낸드플래시는 휴대전화나 디지털카메라 등에 저장장치로 쓰이는 부품이다. MLC는 낸드플래시의 일종으로 싱글레벨셀(SL C)보다 속도는 느리지만 용량은 더 크다. 이번에 양산을 시작한 20나노급 MLC 낸드플래시는 기존 30나노급보다 생산성이 50% 정도 향상됐다. 삼성전자 관계자는 “20나노급 MLC전용 구동장치(컨트롤러)도 함께 개발, 30나노급 낸드 제품과 같은 수준의 신뢰성도 확보했다.”고 설명했다. 삼성은 20나노급 MLC 낸드플래시 제품을 디지털카메라 등에 쓰이는 메모리카드인 SD카드용으로 먼저 출시했다. 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 SD 카드는 메모리카드 중 최고 쓰기 속도인 초당 10MB(메가바이트) 이상을 구현할 수 있다. 삼성전자는 앞으로 20나노급 낸드플래시의 비중을 지속적으로 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량까지 제품군을 운용할 방침이다. 조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “올해 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 높일 것”이라고 말했다. 한편 지난 2월 20나노급 64Gb 낸드 플래시의 개발을 발표한 하이닉스반도체는 오는 3분기에 제품을 양산할 계획이다. 인텔과 마이크론의 합작사인 IM 플래시 테크놀로지는 2분기 중 양산에 들어갈 것으로 전해졌다. 이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 반도체업계에서 처음으로 40나노급 공정을 이용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어갔다. 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램 양산을 시작한 지 불과 7개월 만이다. 삼성전자는 지난해 1월 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산을 시작했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 4Gb DDR3 D램으로 ▲서버용 32GB(기가바이트)·16GB 모듈 ▲워크스테이션 등 고성능 PC·데스크톱 PC용 8GB 모듈 ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 제품보다 용량이 두 배로 늘어난 대용량 메모리 모듈 제품을 공급하게 된다. 이에 따라 노트북 등에서 8GB 모듈을 이용하면 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지면서 그래픽이나 멀티미디어 작업을 하는 전문가들에게 유용할 것으로 보인다. 또 지난해 노트북 등에 많이 사용된 2GB DDR2 D램보다 메모리 용량과 속도가 두 배 이상 개선될 전망이다. 삼성전자 관계자는 “40나노급 4Gb DDR3 D램을 장착한 제품은 기존 40나노급 2Gb DDR3 D램을 사용할 때보다 전력 소비량이 35% 정도 줄어든다.”고 설명했다. 이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr

‘삼성전자 반도체의 힘은 ‘비빔밥’이다?’ 삼성전자는 다양한 재료를 섞어 전혀 다른 맛을 내는 비빔밥처럼 메모리 반도체와 비메모리 반도체 등 여러 분야의 기술과 공정을 합쳐 새로운 제품으로 만들어 내는 데 강점을 보이고 있다.삼성전자는 27일 업계 최고 수준의 저전력을 실현한 초고속 1기가헤르츠(㎓) 모바일 중앙처리장치(CPU) 코어를 개발했다고 밝혔다. 모바일 CPU코어는 휴대전화 등의 두뇌역할을 하는 ‘모바일 SOC(System on Chip)’ 핵심부품이라고 할 수 있다. 이번에 개발된 1㎓ 모바일 CPU코어에는 영국 암(ARM)사(社)의 최신 CPU코어와 미국 인트린서티(Intrinsity)사의 회로 설계기술을 삼성전자가 머리카락 5000분의1 두께에 불과한 45나노(㎚) 저전력 반도체 기술과 최적화 설계기술을 사용해 만들었다.여러 기술을 합치고 최적화시켜 낮은 전력으로도 현재까지 모바일 CPU코어 중에서는 가장 빠른 속도를 낼 수 있는 제품을 만들어 낸 것이다. 이번에는 기술을 합쳤지만, 삼성전자는 아예 각기 다른 반도체를 하나로 합치기도 한다. 삼성전자가 2004년 세계 첫 퓨전 메모리 원낸드(OneNAND)를 선보이면서 시작한 ‘퓨전 메모리’가 대표적이다. 퓨전 메모리는 말 그대로 이종(異種) 메모리들을 퓨전요리처럼 하나로 섞어 놓은 것을 말한다. 각각의 장점만 하나의 칩에 합친 만큼 고성능을 자랑한다. 지난 3월 세계 최초로 개발한 40㎚급 공정을 적용한 ‘8기가비트(Gb) 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND)’가 대표적인 퓨전 메모리다. 양산을 앞둔 이 제품은 데이터 처리속도가 빠른 반도체와 저장용량이 큰 각기 다른 반도체를 하나로 합쳤다. 연산과 저장에 강점을 보이는 두 제품을 하나로 해결할 수 있어 제품 크기와 부품 원가를 줄일 수 있다. 성능도 기존 제품에 비해 4~5배 빠르고, 사용자 제품에 맞게 마음대로 저장용량이나 속도에 비율을 변경할 수 있는 것도 특징이다.김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다.지난 1월에는 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했었다. 　40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.또 생산 공정을 단순화하고 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다. 　이번에 40나노급 D램을 조기 양산함으로써 현재 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다. 　삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작 전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다. 　삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM)▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM)▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다. 　한편 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다. 　2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다. [참고자료] ■삼성전자 세계 최초 2Gb D램 양산 이력 　- 2007년 9월, 60나노급 DDR2 2Gb (1.8V) 　- 2008년 9월, 50나노급 DDR3 2Gb (1.5V) 　- 2009년 7월, 40나노급 DDR3 2Gb (1.35V) 　 인터넷서울신문 최영훈기자 taiji@seoul.co.kr

온도가 급변하는 우주에서도 사용할 수 있는 ‘접는 반도체’가 국내 연구진에 의해 개발됐다. 적은 전력으로 구동이 가능해 접는 전자신문이나 전자종이, 웨어러블(입는) 컴퓨터 등에도 활용할 수 있을 전망이다. 포스텍 화학과 이문호 교수와 김오현·함석규 박사팀은 ‘우주복 섬유’로 알려진 폴리이미드(polyimide) 고분자를 활용해 고성능 비휘발성 메모리 반도체 소자를 제조하는데 성공했다고 13일 밝혔다. 연구결과는 신소재 분야 국제학술지인 ‘어드밴스트 펑셔널 머터리얼스’ 최신호에 발표됐다. 연구진이 개발한 반도체 제조 기술은 영하 269도~영상 400도의 온도 영역에서도 안정적으로 사용 가능한 폴리이미드 고분자를 이용해 우주공간 같은 극한상황에서도 사용할 수 있는 것이 특징이다. 폴리이미드 고분자는 기계적 강도가 우수하고 합성시간이 짧아 반도체 제작 단가와 제조시간을 크게 낮출 수 있다. 또 간단한 공정으로 원하는 두께의 반도체 활성층을 얻을 수 있어 대량생산도 가능하다. 무엇보다 폴리이미드를 이용해 반도체를 만들 경우 온도 변화에 따른 성능 변화가 없고 2V 이하의 전력으로도 구동이 가능하며 가볍고 쉽게 구부릴 수 있다. 이 교수는 “고집적화도 가능해 노트북 컴퓨터는 물론 접는 전자신문이나 전자책, 전자종이, 접는 컴퓨터, 옷에 입는 컴퓨터 등 미래형 제품 제작에 폭넓게 활용할 수 있다.”고 밝혔다. 박건형기자 kitsch@seoul.co.kr

삼성전자가 세계 최초로 차세대 메모리 ‘원디램(OneDRAM)’을 상용화했다. 고성능 스마트폰 등에 들어가는 원디램을 사용하면 휴대전화의 데이터 전송속도가 빨라지고 전력사용량을 줄일 수 있다. 휴대전화 크기도 줄어든다. 삼성전자는 11일 1기가비트(Gb)원디램을 개발, 내년 3월부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 이에 앞서 삼성전자는 지난달부터 첫 양산에 들어간 512메가비트(Mb) 원디램을 유럽에 출시한 스마트폰 ‘SGH-L870’에 사용했다. 삼성전자는 연내 출시할 예정인 7종의 휴대전화 등에 512Mb 원디램을 사용할 것이라고 밝혔다. 삼성전자 관계자는 “원디램을 쓰면 기존보다 휴대전화시스템 성능이 10배 정도 향상된다.”고 말했다. 원디램은 휴대전화에 들어가는 모바일D램과 듀얼포트 램의 기능을 합친 것이다. 휴대전화에는 휴대전화의 두뇌라고 할 수 있는 통신과 데이터를 각각 처리하는 두개의 프로세서가 있다. 이들을 연결해 주는 것이 모바일 D램과 듀얼포트 램이다. 말하자면 데이터들의 다리인 셈이다. 원디램은 기존에는 작은 다리 두개로 지나던 것을 하나로 합쳐 큰 다리로 보다 빠르게 데이터들이 다닐 수 있도록 만든 것이다. 김세진 삼성전자 반도체총괄 상무는 “이동통신 속도가 빨라지면서 고성능 메모리 제품에 대한 기대가 높아지고 있다.”면서 “때문에 고성능 휴대전화는 물론 다양한 모바일 제품까지 원디램을 사용하는 게 늘어날 것”이라고 말했다. 시장조사 전문기관 아이서플라이에 따르면 휴대전화와 스마트폰에 사용되는 모바일D램은 지난해 말 기준 5억 7000만여개로 이 중 절반이 삼성전자 제품이다. 삼성전자는 오는 2011년까지 원디램을 사용한 멀티칩패키지(MCP) 시장이 매년 300%씩 성장할 것으로 전망했다. 이번에 상용화될 원디램은 퓨전 메모리 중 하나다. 퓨전 메모리는 말 그대로 서로 다른 여러 이종(異種) 메모리를 퓨전요리처럼 하나로 섞어 놓은 것을 말한다. 각각의 장점만 하나의 칩에 합친 만큼 고성능을 자랑한다. 퓨전메모리 시장은 삼성전자가 독자 개척한 시장이다. 삼성전자는 2004년 세계 첫 퓨전 메모리 원낸드(OneNAND)를 선보였다. 퓨전 메모리는 기존 메모리의 한계를 극복하고 휴대전화 등 새로운 모바일기기용 시장을 만들어 낼 수 있다. 삼성전자는 퓨전 메모리 분야를 차세대 성장사업 중 하나로 꼽고 있다. 기존의 D램 메모리 등은 불황과 공급 과잉으로 인한 가격폭락의 어려움을 겪고 있다. 이 때문에 기존 시장에 경쟁을 계속하면서도 한편으로는 고부가가치 제품인 퓨전 메모리로 새로운 시장을 선점하겠다는 전략이다. 김효섭기자 newworld@seoul.co.kr

메모리반도체 시장의 양대 축을 형성하고 있는 플래시메모리와 D램의 장점을 결합한 차세대 퓨전메모리(Unified-RAM)가 국내 연구진에 의해 세계 처음으로 개발됐다. 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않고(플래시메모리) 동작속도가 빠른 동시에 읽기·쓰기가 자유로워(D램) 상용화가 이뤄지면 거대한 시장을 형성할 전망이다. KAIST 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터는 기존 플래시메모리와 D램이 한 개의 메모리 트랜지스터에서 복합 기능을 수행, 제작비용은 줄이고 집적도는 높인 ‘U램’을 개발했다고 14일 밝혔다. U램은 메모리 트랜지스터 하나로 D램 기능과 플래시메모리 기능을 모두 수행할 수 있게 한 반도체 소자로,D램과 플래시메모리 등 서로 다른 칩을 차례로 쌓아 만든 멀티칩 패키지 형태의 기존 퓨전메모리와는 근본적으로 다르다. 현재 널리 쓰이는 멀티칩 패키지 형태의 퓨전메모리는 면적을 줄이는 효과는 있지만 제작비용은 오히려 더 많이 들어가는 문제가 있다. 이들은 앞으로 디지털 카메라와 개인휴대용정보단말기(PDA), 게임기, 휴대전화 등에 U램 채택이 가속화할 것으로 전망하고 전체 반도체시장에서 퓨전메모리 시장점유율을 5%로 가정할 때 U램의 시장규모가 2010년 150억달러(약 15조원),2015년 204억달러로 성장할 것으로 예측했다. 최 교수는 U램이 2∼3년 안에 상용화가 가능할 것이라고 내다봤다. 최 교수는 “U램은 디지털TV, 휴대용 정보기기 등의 발달에 따른 다기능·고성능화에 대응할 수 있는 차세대 퓨전메모리”라며 이번 개발은 반도체 메모리분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보했다는 데 의의가 있다고 설명했다. 박건형기자 kitsch@seoul.co.kr

낸드플래시 세계 1,2위 업체인 삼성전자와 일본 도시바가 손잡았다. 차세대 고(高)수익원으로 꼽히는 퓨전 메모리 시장을 적극 키우기 위해서다.‘파이 확대’라는 공동의 이해관계가 낳은 라이벌간의 파격 동맹이다. 삼성전자는 3일 삼성이 자체 개발한 원낸드와 플렉스 원낸드 사용 자격(라이선스)을 도시바에 제공키로 했다고 밝혔다. 이에 따라 도시바는 삼성의 원낸드 제품 등을 생산, 판매하게 된다. 삼성이 ‘제조 비결’을 도시바에 제공하고 도시바는 ‘소정의 대가’를 삼성에 지불하는 것으로 알려졌다. 지난해 10월 세계 6위의 유럽 ST마이크로와 원낸드 라이선스 제공 계약을 맺은 데 이어 도시바까지 ‘삼성 진영’으로 끌어들이는 데 성공했다.‘나홀로’ 시장을 개척해온 삼성으로서도 듬직한 우군을 얻은 셈이다.원낸드와 플렉스 원낸드는 3세대(G) 기반 통신 환경에서 초고속 다운로드가 가능해 수요 확대가 예상된다. 최윤호 삼성전자 반도체총괄 전무는 “도시바가 원낸드 진영에 합류함으로써 안정적인 공급망 확대가 이뤄져 (휴대전화 세트 제조업체 등)고객사들의 적극적인 퓨전 메모리 채용이 기대된다.”고 밝혔다. 휴대전화에 주로 쓰이는 플래시 메모리를 원낸드로 완전히 대체시켜 퓨전 메모리 시장을 집중적으로 키운다는 게 삼성의 복안이다. 퓨전 메모리 시장은 내년 8억달러로 전체 낸드플래시 시장의 4%에 불과하다. 하지만 2010년에는 20%(50억달러)로 급성장할 것이라는 전망이다. 디지털카메라 등 모바일 기기쪽의 응용 수요도 매우 크다는 평가다.안미현기자 hyun@seoul.co.kr●퓨전메모리 말 그대로 서로 다른 여러 이종(異種) 메모리를 퓨전요리처럼 섞어놓은 것을 말한다. 삼성전자가 독자 개척한 시장이다.2004년 세계 첫 퓨전메모리 원낸드(OneNAND)를 내놓았다. 원낸드란 대용량이 강점인 낸드플래시, 처리 속도가 빠른 S램, 연산 및 제어기능을 담당하는 비메모리(로직)를 하나의 칩으로 만든 것이다. 각각의 장점이 한 개의 칩에 모인 만큼 고성능을 자랑한다. 프리미엄 휴대전화·스마트폰 등에 주로 쓰인다. 퓨전메모리 3호인 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND)는 고성능 낸드(싱글레벨셀)와 고용량 낸드(멀티레벨셀)를 역시 한 개의 칩에 구현한 것이다. 고객의 취향에 맞게 성능 및 용량 조절이 가능해 ‘고객 친화형 제품’으로 불린다. 낸드 플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리를 말한다.

삼성전자가 세계에서 가장 빠른 차세대 메모리 제품을 개발했다.DVD급 영화 16편을 1초에 처리할 수 있다. 내년 상반기부터 양산한다. 최대한 많은 영상과 정보를 최대한 빨리 처리해야 하는 게임기 시장과 모바일 기기 시장 등의 주도권 확보가 예상된다.D램 반도체값 1달러선 붕괴 등 갈수록 골이 깊어 가는 시장 한파를 신기술·신제품으로 뚫으려는 차별화 전략의 가속화이기도 하다. ●1초당 6Gb 데이터 처리… 내년 상반기 양산 삼성전자는 2일 1초당 6기가비트(Gb)의 데이터를 처리할 수 있는 512메가비트(Mb) GDDR5 그래픽 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 제품 한 개당 데이터 처리 핀이 32개 꽂혀 있다. 따라서 1초에 처리가능한 총 데이터 용량은 24기가바이트(6기가비트×32=192기가비트=24기가바이트)이다.1.5기가바이트 용량의 DVD급 영화 16편을 1초에 처리할 수 있다는 얘기다. 기존 PC용 제품(667Mbps DDR2)보다는 9배, 그래픽용 제품(3.2Gbps GDDR4)보다는 약 2배 빠르다. 삼성전자측은 “고성능 그래픽 카드, 차세대 영상 처리기기, 차세대 게임기 등에 최적”이라면서 “내년 상반기 60나노급 공정으로 제품 양산에 들어간다.”고 밝혔다. 이미 전 세계 주요 그래픽 카드업체에 샘플 납품을 마친 상태다. 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 꼽히는 국제반도체회로 학술회의(ISSCC)에도 관련 논문이 채택돼 내년 2월 전 세계에 발표된다. ●메모리 ‘한랭전선´ 신기술로 뚫는다 그래픽 D램은 삼성전자가 ‘비장의 무기´로 공들이는 품목 중 하나다. 그래픽·모바일 D램 등 수익성이 높은 이 제품들의 비중을 3분기 35%에서 4분기 45%로 끌어올리기로 했다. 타이완 등 후발업체들도 일정 수준에 올라 있는 범용 D램만으로는 ‘천수답 시장´을 극복하기 어렵기 때문이다. 삼성전자는 특히 이번에 개발한 제품처럼 게임기용 그래픽 D램 시장에 주목한다. 게임기 시장이 급팽창하면서 핵심부품인 게임기용 메모리 수요가 가파르게 늘어날 것이라는 관측에서다. 세계 그래픽 D램 시장규모가 올해 29억달러에서 2011년 37억달러로 커질 것이라는 시장조사기관 머큐리의 보고서는 삼성전자의 이같은 관측을 뒷받침한다. 이에 따라 삼성전자는 세계 유수 게임기 업체들과 개발 단계부터 협력관계를 구축하고, 닌텐도 위(Wii) 등 세계 3대 게임기용 그래픽 메모리를 공급 중이다. 이는 D램 값 폭락 와중에도 삼성전자를 버티게 하는 힘이기도 하다. 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 삼성전자는 4분기 D램 매출 예상액이 세계에서 유일하게 증가세다.3분기 매출액은 22억 300만달러였으나 4분기에는 23억 4000만달러로 점쳐졌다. 하이닉스반도체, 키몬다, 엘피다, 마이크론 등은 모두 감소세가 예상돼 대조된다. 삼성전자측은 “모바일 기기 등 활용도 큰 그래픽 D램 등으로 차세대 시장 주도권을 확고히 다질 방침”이라고 강조했다. 안미현기자 hyun@seoul.co.kr